KR20130071061A - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130071061A
KR20130071061A KR1020110138372A KR20110138372A KR20130071061A KR 20130071061 A KR20130071061 A KR 20130071061A KR 1020110138372 A KR1020110138372 A KR 1020110138372A KR 20110138372 A KR20110138372 A KR 20110138372A KR 20130071061 A KR20130071061 A KR 20130071061A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting device
reflective
sacrificial
Prior art date
Application number
KR1020110138372A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101908654B1 (ko
Inventor
최정현
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110138372A priority Critical patent/KR101908654B1/ko
Publication of KR20130071061A publication Critical patent/KR20130071061A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101908654B1 publication Critical patent/KR101908654B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

실시예는 (a) 서포터에 복수의 발광소자를 고정하는 단계; (b) 상기 발광소자의 제1 면에 시드층을 형성하는 단계; (c) 상기 발광소자 사이의 공간에 상기 발광소자에서 멀어질수록 표면의 높이가 낮아지는 형상의 희생막 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 시드층 표면 및 상기 희생막 패턴의 형상을 따라 반사층을 성장시키는 단계; (e) 상기 반사층 상에 열 방출층을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 희생막 패턴을 제거하고, 상기 발광소자를 상기 서포터에서 분리하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법을 제공한다.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 발광소자 패키지에는 발광소자에서 방출된 빛에 의하여 형광체가 여기되어 활성층에서 방출된 빛보다 장파장 영역의 빛을 방출할 수 있다.
도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
종래의 발광소자 패키지는 패키지 몸체(220)에 발광소자(100)가 결합층(210)을 통하여 결합되고 있고, 패키지 몸체(220)에는 한 쌍의 리드 프레임(Lead frame)이 배치될 수 있고, 패키지 몸체(220)가 열전도성이 우수한 금속으로 이루어져서 방열층으로 작용할 수도 있다.
종래의 발광소자 패키지는 결합층(210)이 발광소자(100)와 패키지 몸체(220)를 결합하므로 추가 공정이 필요하고, 이종의 물질의 계면 특성의 차이로 인하여 결합력이 약할 수 있다.
실시예는 발광소자와 패키지 몸체 간의 결합력을 강화시키고, 발광소자 패키지의 제조공정을 간소화하고자 한다.
실시예는 (a) 서포터에 복수의 발광소자를 고정하는 단계; (b) 상기 발광소자의 제1 면에 시드층을 형성하는 단계; (c) 상기 발광소자 사이의 공간에 상기 발광소자에서 멀어질수록 표면의 높이가 낮아지는 형상의 희생막 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 시드층 표면 및 상기 희생막 패턴의 형상을 따라 반사층을 성장시키는 단계; (e) 상기 반사층 상에 열 방출층을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 희생막 패턴을 제거하고, 상기 발광소자를 상기 서포터에서 분리하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법을 제공한다.
(b) 단계는, 제1 희생막을 상기 발광소자의 전면에 도포하는 단계; 상기 시드층이 노출되도록 상기 제1 희생막의 일부를 패터닝하는 단계; 상기 제1 희생막과 상기 노출된 시드층 상에 제2 희생막을 도포하는 단계; 및 상기 시드층이 노출되도록 상기 제2 희생막의 일부를 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 희생막을 패터닝하는 단계는, 상기 발광소자의 측벽에만 상기 제1 희생막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 희생막은 상기 발광소자 측벽에 기설정된 두께의 기둥 형상을 가질 수 있다.
발광소자의 주변 영역의 제1 희생막을 상기 발광소자와 멀어질수록 두께가 얇도록 패터닝할 수 있다.
(b) 단계는, 금(Au) 도금법에 의하여 상기 시드층을 형성할 수 있다.
(d) 단계는, 상기 시드층 상에 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 성장시킬 수 있다.
상술한 제조방법은 알루미늄 또는 은 위에 계면층을 성장시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
(e) 단계는, 상기 구리(Cu) 도금법으로 열방출층을 형성할 수 있다.
상술한 제조방법은 (e) 단계 후에 각각의 소자 단위로 상기 열방출층을 다이싱(dicing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 실시예는 하나 이상의 변곡점을 갖는 캐비티를 포함하는 열방출층; 상기 캐비티의 표면을 따라 형성되는 반사층; 상기 캐비티의 저면 상부에 배치되는 상기 반사층 상에 형성되는 시드층; 및 상기 시드층 상부에 형성되는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
2개의 반사층은 서로 다른 곡률을 갖는 제1 반사면과 제2 반사면을 포함할 수 있다.
발광소자 패키지는 제1 반사면과 제2 반사면 사이에 배치되고, 상기 시드층과 평행한 제3 반사면을 더 포함할 수 있다.
시드층은 금을 포함할 수 있다.
반사층은 은 또는 알루미늄으로 이루어질 수 있다.
반사층은 계면층을 더 포함할 수 있다.
계면층은 니켈과 금을 포함할 수 있다.
열방출층은 구리가 도금될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지와 그 제조방법은, 발광소자와 방열층 간의 결합력이 강화되고, 희생막을 2회에 걸쳐 도포하고 패터닝하여 반사면의 형상 조절이 용이하다.
도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 2는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 도 2의 발광소자 패키지에 배치된 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 2의 발광소자 패키지에 배치된 발광소자의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5a 내지 도 14는 발광소자 패키지의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 15는 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 16은 발광소자 패키지가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 열방출층(350)이 캐비티 구조를 가지고 형성되고, 캐비티의 바닥면과 측벽에 반사층(330)이 형성되고, 반사층(330) 중 상기 캐비티의 바닥면에는 발광소자(100)가 배치된다.
발광소자(100)는 시드층(310)을 통하여 반사층(330)과 접촉하고 있는데, 시드층(310)은 발광소자(100)의 바닥면 예들 들어 수평형 발광소자의 경우 사파이어 기판, 그리고 수직형 발광소자의 경우 도전성 지지기판의 아래에 형성되고, 시드층(310)으로부터 반사층(330)이 도금 등의 방법으로 성장되어 있다.
반사층(330)은 단일층의 구조로 이루어질 수 있으나, 다중층의 구조로 이루어질 수 있는데, 시드층(310)과 가까운 곳으로부터 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)이 성장되고 차례로 니켈(Ni)과 금(Au)이 성장되어 있을 수 있다. 상술한 니켈과 금을 계면층이라 할 수 있다.
알루미늄 또는 은은 발광소자(100)로부터 방출된 빛을 반사할 수 있고, 알루미늄 또는 은과 방열층(350) 사이에서 서로 다른 재료 간의 계면 특성을 완화하기 위하여 니켈과 금이 형성될 수 있다.
그리고, 반사층(330)은 복수 개의 도시된 것과 같은 오목한 반사면 외에 볼록한 반사면을 갖거나 2개 이상의 반사면을 갖는데, 도 14 등에서 후술한다.
열방출층(350)은 구리(Cu) 등 열전달 특성이 우수한 재료로 이루어질 수 있고, 열방출층(350)에 형성된 캐비티는 측벽이 기울기는 가지고 배치된다. 캐비티의 바닥면과 측벽에 형성된 반사층(330)은 균일한 두께를 가질 수 있는데, 따라서 반사층(330)의 측벽은 기울기를 가질 수 있다. 반사층(330)의 측벽의 기울기는 캐비티의 내부 방향으로 반사층(330)이 볼록하게 형성되어 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자의 일면에서 도금 성장된 시드층으로부터 반사층과 방열층이 차례로 성장되어서 발광소자와 방열층 간의 결합력이 강하면, 도전성 재료로 이루어진 방열층이 리드 프레임으로 작용할 수 있다.
도 3은 도 2의 발광소자 패키지에 배치된 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.
본 실시예에 따른 발광소자(100a)는 도전성 지지기판(metal support, 170) 상에 접합층(160)과 반사층(150)과 오믹층(140)과 발광 구조물(130)이 적층되어 이루어진다.
도전성 지지기판(170)은 제2 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.
상기 도전성 지지기판(170)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
또한, 상기 도전성 지지기판(170)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.
도전성 지지기판(170)의 아래에는 금(Au)이 도금 등의 방법으로 형성되어, 발광소자 패키지의 제조공정에서 반사층을 성장시킬 때 시드층으로 작용시킬 수 있다.
접합층(160)은 상기 반사층(150)과 상기 도전성 지지기판(170)을 결합하며, 상기 반사층(150)이 결합층(adhesion layer)의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 접합층은(160) 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.
상기 반사층(150)은 약 2500 옹스르통의 두께일 수 있다. 상기 반사층(150)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(134)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
상기 발광 구조물(130), 특히 상기 제2 도전형 반도체층(136)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 이러한 오믹 특성을 개선하기 위해 오믹층(140)으로 투명 전극 등을 형성할 수 있다.
상기 오믹층(140)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 상기 오믹층(140)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
상기 발광 구조물(130)은 제1 도전형 반도체층(132)과 상기 제1 도전형 반도체층(132) 상에 형성되고 광을 방출하는 활성층(134)과 상기 활성층(134) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(136)을 포함한다.
제1 도전형 반도체층(132)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(132)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(132)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(132)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
활성층(134)은 제1 도전형 반도체층(132)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(136)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이고, 활성층(134)에서 방출되는 빛은 가시광선 영역 외에 자외선 영역의 광이 방출될 수도 있다.
상기 활성층(134)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(134)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(134)의 우물층/장벽층은 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(134)의 장벽층이나 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(136)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
발광 구조물(130)의 상부, 즉 제1 도전형 반도체층(132)의 표면에는 제1 전극(180)이 형성될 수 있는데, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
발광 구조물(130)의 측면에는 패시베이션층(passivation layer, 190)이 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층(190)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(190)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
도 4는 도 2의 발광소자 패키지에 배치된 발광소자의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
본 실시예는 수평형 발광소자(100b)를 도시하고 있는데, 제2 도전형 반도체층(136)과 활성층(134) 그리고, 제1 도전형 반도체층(132)의 일부 영역까지 메사 식각하여 상기 제1 도전형 반도체층(132)의 일부가 노출되어 있다. 즉, 절연성 물질로 기판(110)을 형성할 때, 제1 도전형 반도체층(132)의 일부 영역에 전류를 공급하기 위하여 전극이 형성될 공간을 확보하기 위함이다.
기판(110)의 하부에는 금(Au)이 도금 등의 방법으로 형성되어, 발광소자 패키지의 제조공정에서 반사층을 성장시킬 때 시드층으로 작용시킬 수 있다.
기판(110)과 발광 구조물(130)의 사이에는 버퍼층(120)이 형성될 수 있는데, 버퍼층(120)은 후술할 발광 구조물(130)과 기판(110) 사이의 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 상기 버퍼층(120)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
발광 구조물(130)의 상부에는 투광성 도전층(175)이 배치되어 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(185)와의 컨택 특성을 향상시킬 수 있으며, 투광성 도전층(175)은 ITO 등으로 이루어질 수 있다.
그리고, 노출된 제1 도전형 반도체층(132) 상에 제1 전극(180)이 배치된다. 상기 제1 전극(180)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 제2 전극(185)이 투광성 도전층(175) 위에 배치되며, 제2 전극(185)은 제1 전극(180)과 동일한 재료로 이루어질 수 있다.
실시예에서 제1 도전형 반도체층(132)는 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(136)은 n형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(136) 위에는 n형 또는 p형을 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조물은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 어느 하나를 가질 수 있다.
도 5a 내지 도 14는 발광소자 패키지의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 5a에 도시된 바와 같이 서포터(300)에 복수 개의 발광소자(100)를 배치하는데, 각각의 발광소자(100)는 접착제(305)를 통하여 서포터(300)에 고정될 수 있다. 발광소자(100)의 제1 면에는 시드층(310)이 형성되고, 제1 면과 반대 방향의 제2 면은 접착제(305)을 통하여 서포터(300)와 결합되고 있다. 제1 면은 후속 공정을 통하여 열방출 구조물이 형성될 면이다.
시드층(310)은 금(Au)을 도금(plating) 등의 방법으로 성장시킬 수 있는데, 발광소자(100)를 서포터(300)에 고정하기 전 또는 후에 시드층(310)을 성장시킬 수 있다.
도 5b는 도 5a의 평면도이다. 서포터(300) 상에 발광소자 어레이가 배치되는데, 발광소자 상에 배치된 시드층(310) 만이 도시되고 있다. 도 5b에서 가로와 세로 방향으로 각각 3개씩의 발광소자가 배치되고 있으나, 더 많은 개수의 발광소자를 배치하여 반사층과 방열층의 성장을 함께 진행할 수도 있다.
도 6에서 서포터(300)에 배치된 각각의 발광소자(100)의 전면 위에 제1 희생막(321)을 형상하는데, 예를 들어 감광막(photo resist)을 사용할 수 있다. 발광소자(100)의 전면은 도 6에서 윗 방향이다. 제1 희생막(321)은 코팅 등의 방법으로 각각의 발광소자(100)와 발광소자(100)의 사이의 영역에도 도포될 수 있다. 각각의 발광소자(100)의 제1면에는 시드층(310)이 형성되어 있으므로, 제1 희생막(321)은 시드층(310)의 상부에 도포될 수 있으며, 각각의 발광소자(100)의 사이에서는 높이가 낮게 도포될 수 있다.
도 7은 도 6의 'A' 영역을 확대한 실시예들의 도면이다. 이하에서, 발광소자(100)와 접촉하는 영역을 '주변 영역'이라 하고, '주변 영역'보다 발광소자(100)로부터 멀리 떨어진 영역을 '외곽 영역'이라 한다.
(a)에서 제1 희생막(321)은 발광소자(100) 위의 시드층(310)에는 도포되지 않고 있으며, 제1 희생막(321)의 두께는 발광소자(100)와 멀어질수록 얇게 배치되고 있다. 즉, 제1 희생막(321)은 발광소자(100)의 주변 영역에서의 두께보다 외곽 영역에서의 두께가 더 얇다. 본 실시예와 같이 제1 희생막(321)이 도포되면, 제1 희생막(321)에 대한 패터닝 공정이 생략될 수 있다.
(b)에서 제1 희생막(321)은 발광소자(100)의 주변 영역과 외곽 영역과 시드층(310) 상에 거의 균일하게 도포되어 있다.
(c)에서 제1 희생막(321)은 (a)와 달리 발광소자(100) 위의 시드층(310) 위에도 도포되고 있으며, 제1 희생막(321)의 두께는 발광소자(100)와 멀어질수록 얇게 배치되고 있다. 즉, 제1 희생막(321)은 발광소자(100)의 주변 영역에서의 두께보다 외곽 영역에서의 두께가 더 얇다. 이러한 구조는 제1 희생막(321)을 도포할 때 자연스럽게 형성되며, 발광소자(100)의 주변 영역 즉 측면에서는 시드층(310) 상의 제1 희생막(321)이 일부 흘러 내려서 제1 희생막(321)의 두께가 외곽 영역보다 두꺼울 수 있다.
(d)에 도시된 제1 희생막(321)은 (c)와 유사하나, 제1 희생막(321)의 두께가 발광소자(100)로부터 멀어질수록 일정한 기울기를 가지고 감소한다.
그리고, 제1 희생막(321)을 패터닝한다. 제1 희생막(321)의 패터닝과 후술하는 제2 희생막의 패터닝은 마스크 등을 사용하여 희생막을 선택적으로 제거하여 이루어질 수 있다.
도 8에 도시된 실시예에서 제1 희생막(321)이 발광소자(100)의 측면에만 배치되어 기설정된 두께(w)를 갖도록 패터닝할 수 있으며, 제1 희생막(321)의 높이는 서포터(300)의 표면으로부터 시드층(310)의 표면까지의 높이와 동일할 수 있다.
이러한 제1 희생막(321)의 형상은, 제1 희생막(321)의 도포시에 마스크를 사용하여 희생막 재료를 도포하여 수행할 수 있고, 이때 별도의 패터닝 공정 없이 도 8에 도시된 바와 같이 발광소자(100)의 측면에 수정 두께로 제1 희생막(321)이 형성될 수 있다.
제1 희생막(321)의 패터닝은 제1 희생막(321)의 표면에 후술할 제2 희생막을 도포하고 제2 희생막의 표면에 후술할 반사층을 형성할 때, 반사층의 표면 패턴 조절에 기여할 수 있다.
도 9는 도 8에서 제1 희생막(321)의 패터닝된 형상인 'B' 영역의 다양한 실시예의 확대도이다.
(a)에서 제1 희생막(321)은 도 8과 같이 발광소자(100)의 측면에서 기설정된 두께 내지 폭으로 배치되고 있다.
(b)는 도 7의 (b)에서의 제1 희생막(321)의 패턴과 동일하며, (b)의 실시예에 따른 제1 희생막(321) 위에 후술하는 제2 희생막을 도포하면, 시드층(310) 위의 제1 희생막(321)과 제2 희생막을 함께 제거할 수 있다.
(c)는 (a)에 도시된 실시예와 유사하나, 제1 희생막(321)의 최고점이 발광소자(100)의 최고점보다 낮게 배치되고 있다.
(d)는 도 7의 (c)에서 시드층(310) 위에 제1 희생막(321)이 제거된 상태를 나타내고 있으며, (e)는 도 7의 (c)에서 시드층(310) 위의 제1 희생막(321) 뿐만 아니라 발광소자(100)의 외곽 영역의 제1 희생막(321)이 제거된 상태를 나타내고 있다. (f)는 (e)와 유사하나, 발광소자(100)와 인접한 제1 희생막(321)의 최고점의 높이가 발광소자(100)의 최고점의 높이보다 낮다.
도 9의 (a) 내지 (f)에 도시된 실시예들은 발광소자(100)의 주변 영역 즉, 측면에 제1 희생막(321)이 기설정된 두께로 패터닝되어, 후술하는 공정에서 도포될 제2 희생막의 패턴을 조절할 수 있으며, 따라서 제2 희생막의 패턴에 따라서 그 위에 형성될 반사층의 형상을 조절할 수 있다.
도 9의 (b), (d), (e),(f)에서 '외곽 영역'에도 제1 희생막(321)이 남아 있으나, 후술할 제2 희생막의 패턴 또는 완성된 발광소자 패키지의 반사층의 형상에 따라 '외곽 영역'의 제1 희생막(321)이 완전히 제거될 수 있다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이 제1 희생막(321)의 패터닝 후에 제2 희생막(322)을 도포한다.
도 10에서 발광소자(100)의 주변 영역인 'C' 영역을 도 11에서 확대하여 도시하고 있다. 도 11의 (a)에서 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이 패터닝된 제1 희생막(321) 위에 제2 희생막(322)이 도포되어 있는데 제1 희생막(321)과 제2 희생막(322)은 동일 재료로 이루어질 수 있고, 발광소자(100)의 측면의 제2 희생막(322)이 흘러 내리고 제1 희생막(321)과 제2 희생막(322)이 합쳐져서 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이 하나의 희생막(320)을 이룰 수 있다. 이때, 하나의 희생막(320)은 시드층(310)을 덮고, 발광소자(100)의 주변 영역에서의 두께가 외곽 영역에서의 두께보다 두꺼울 수 있다.
그리고, 시드층(310)의 상부에 배치된 희생막(320) 등을 패터닝하여 시드층(310)을 오픈시킨 후의 상태가 도 12에 도시되어 있다.
발광소자(100)의 주변 영역과 외곽 영역에서 희생막(320)의 형상은 (a)에서 희생막(320)의 표면(S)이 오목하게 패터닝되어 있고, (b)에서 희생막(320)의 표면(S)이 볼록하게 패터닝되어 있고, (c)에서 희생막(320)의 표면이 서로 다른 경사를 갖는 2개의 표면(S1, S2)로 갖고 패터닝되며, (d)에서 희생막(320)의 표면은 서로 다른 경사를 갖는 2개의 표면(S1, S2)의 사이에 시드층(310)과 평행한 제3 반사면이 배치되고 있다.
그리고, 도 13에 도시된 바와 같이 위에 반사층(330)과 열방출층(350)을 성장시킨다. 반사층(330)은 희생막(320)과 노출된 시드층(310)의 표면에서 성장될 수 있으며, 상술한 희생막(320)의 곡면 형상을 따라 곡면을 이루거나, 복수 개의 경사면을 가지며 성장될 수 있다.
그리고, 반사층(330)은 단일층의 구조로 성장될 수도 있으나, 이중층의 구조로 이루어질 수 있는데 시드층(310)과 가까운 곳으로부터 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)이 성장될 수 있다. 그리고, 알루미늄 또는 은 위에 계면층으로 니켈과 금이 성장될 수 있다.
열방출층(350)은 열전달이 우수한 구리(Cu) 등으로 성장시킬 수 있다. 열방출층(350)의 성장이 시작되는 높이는 서로 상이할 수 있으나, 도금 방법으로 성장되면 서로 동일한 높이로 성장될 수 있다.
열방출층(350)의 성장 후에, 발광소자(100)로부터 서포터(300)와 접착제(305) 및 희생막(320)을 제거한다. 서포터(300)의 제거는 접착제(305)의 제거를 통하여 이루어지는데, 용제 등을 사용하여 접착제(305)를 제거하면 서포터(300)도 발광소자(100)로부터 분리된다. 희생막(320)은 접착제(305)의 제거에 사용되는 용제와 다른 솔루션(solution)으로 제거할 수 있다.
열방출층(350)과 반사층(330)을 각각의 발광소자(100)에 대응하여 다이싱(dicing)하고, 도 14에 도시된 바와 같이 리드 프레임(360, 365)과 와이어(370, 375)로 연결할 수 있다.
도 14에서는 수평형 발광소자(100)를 도시하고 있으나, 수직형 발광소자를 배치할 수 있으며 이때 열방출층(350)을 리드 프레임으로 사용하고 하나의 와이어 만을 사용하여 다른 리드 프레임과 연결할 수 있다.
도 14의 (a) 내지 (d)에서 반사층(330)의 표면의 다양한 형상이 도시되어 있으며, 희생막(320)의 표면에 반사층(330)이 형성되므로 제거되기 이전의 희생막(320)의 형상에 따라 반사층(330)의 형상이 상이할 수 있고, 반사층(330)의 형상에 따라 방열층(350)의 형상도 다를 수 있다.
도 14에서 시드층(310)과 반사층(330)의 두께가 비슷하게 도시되어 있으나, 반사층(330)은 1 내지 10 마이크로 미터의 두께를 가지고 시드층(310)은 반사층(330)의 두께의 10배 정도일 수 있다.
(a)에서 반사층(330)의 표면은 볼록하게 형성되어 있는데 이러한 반사층(330)의 형상은 도 12의 (b)와 같이 오목한 표면을 갖는 희생막(320) 위에 반사층(300)을 형성한 경우이다.
(b)에서 반사층(330)의 표면은 오목하게 형성되어 있는데 이러한 반사층(330)의 형상은 도 12의 (a)와 같이 볼록한 표면을 갖는 희생막(320) 위에 반사층(300)을 형성한 경우이다.
아래의 (c)와 (d)에서 반사층(330)은 서로 다른 곡률을 갖는 2개의 반사면, 예를 들면 제1 반사면과 제2 반사면을 포함할 수 있다.
(c)에서 반사층(330)의 표면은 서로 다른 경사를 갖는 2개의 표면(S1, S2)로 갖고 형성되는데, 이러한 반사층(300)의 형상은 도 12의 (c)의 희생막(320) 위에 반사층을 형성한 경우이다.
(d)에서 반사층의 표면은 서로 다른 경사를 갖는 2개의 표면(S1, S2)의 사이에 시드층(310)과 평행한 제3 반사면이 배치되고 있으며, 이러한 형상은 도 12의 (D)의 희생막(320) 위에 반사층을 형성한 경우이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지와 그 제조방법은, 발광소자의 일면에서 도금 성장된 시드층으로부터 반사층과 방열층을 차례로 성장시키므로, 발광소자를 패키지 몸체와 별도로 결합하지 않아서 공정이 간단하고 발광소자와 방열층 간의 결합력이 강할 수 있다. 그리고, 반사층을 성장시킬 때 희생막을 2회에 걸쳐 도포하고 패터닝하며, 발광소자의 주변에 배치된 제1 희생막의 위에 제2 희생막을 형성하여 희생막의 전체 형상을 후에 형성할 반사층과 대응되게 형성할 수 있다.
도 15는 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 헤드 램프(400)는 발광소자 패키지가 배치된 발광소자 모듈(401)에서 방출된 빛이 리플렉터(402)와 쉐이드(403)에서 반사된 후 렌즈(404)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.
본 실시예에 따른 헤드 램프에 배치된 발광소자 패키지는 발광소자의 일면에서 도금 성장된 시드층으로부터 반사층과 방열층이 차례로 성장되어서 발광소자와 방열층 간의 결합력이 강하면, 도전성 재료로 이루어진 방열층이 리드 프레임으로 작용할 수 있다.
상기 발광소자 모듈(401)에 포함된 발광소자 패키지는 발광소자를 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.
도 16은 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)는 도 13에서 설명한 바와 같다.
바텀 커버(510)는 표시 장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.
상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치에 배치된 발광소자 패키지는 발광소자의 일면에서 도금 성장된 시드층으로부터 반사층과 방열층이 차례로 성장되어서 발광소자와 방열층 간의 결합력이 강하면, 도전성 재료로 이루어진 방열층이 리드 프레임으로 작용할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (18)

  1. (a) 서포터에 복수의 발광소자를 고정하는 단계;
    (b) 상기 발광소자의 제1 면에 시드층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 발광소자 사이의 공간에 상기 발광소자에서 멀어질수록 표면의 높이가 낮아지는 형상의 희생막 패턴을 형성하는 단계;
    (d) 상기 시드층 표면 및 상기 희생막 패턴의 형상을 따라 반사층을 성장시키는 단계;
    (e) 상기 반사층 상에 열 방출층을 형성하는 단계; 및
    (f) 상기 희생막 패턴을 제거하고, 상기 발광소자를 상기 서포터에서 분리하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
    제1 희생막을 상기 발광소자의 전면에 도포하는 단계;
    상기 시드층이 노출되도록 상기 제1 희생막의 일부를 패터닝하는 단계;
    상기 제1 희생막과 상기 노출된 시드층 상에 제2 희생막을 도포하는 단계; 및
    상기 시드층이 노출되도록 상기 제2 희생막의 일부를 패터닝하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 희생막을 패터닝하는 단계는, 상기 발광소자의 측벽에만 상기 제1 희생막을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 희생막은 상기 발광소자 측벽에 기설정된 두께의 기둥 형상을 갖는 발광소자 패키지의 제조방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 발광소자의 주변 영역의 제1 희생막을 상기 발광소자와 멀어질수록 두께가 얇도록 패터닝하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는, 금(Au) 도금법에 의하여 상기 시드층을 형성하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 (d) 단계는, 상기 시드층 상에 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 성장시키는 발광소자 패키지의 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 알루미늄 또는 은 위에 계면층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 (e) 단계는, 상기 구리(Cu) 도금법으로 열방출층을 형성하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 (e) 단계 후에 각각의 소자 단위로 상기 열방출층을 다이싱(dicing)하는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  11. 하나 이상의 변곡점을 갖는 캐비티를 포함하는 열방출층;
    상기 캐비티의 표면을 따라 형성되는 반사층;
    상기 캐비티의 저면 상부에 배치되는 상기 반사층 상에 형성되는 시드층; 및
    상기 시드층 상부에 형성되는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 2개의 반사층은 서로 다른 곡률을 갖는 제1 반사면과 제2 반사면을 포함하는 발광소자 패키지.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 반사면과 제2 반사면 사이에 배치되고, 상기 시드층과 평행한 제3 반사면을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 시드층은 금을 포함하는 발광소자 패키지.
  15. 제11 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 반사층은 은 또는 알루미늄으로 이루어지는 발광소자 패키지.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 반사층은 계면층을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 계면층은 니켈과 금을 포함하는 발광소자 패키지.
  18. 제11 항 또는 제14 항에 있어서,
    상기 열방출층은 구리가 도금된 발광소자 패키지.
KR1020110138372A 2011-12-20 2011-12-20 발광소자 패키지 및 그 제조방법 KR101908654B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110138372A KR101908654B1 (ko) 2011-12-20 2011-12-20 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110138372A KR101908654B1 (ko) 2011-12-20 2011-12-20 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130071061A true KR20130071061A (ko) 2013-06-28
KR101908654B1 KR101908654B1 (ko) 2018-12-20

Family

ID=48865663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110138372A KR101908654B1 (ko) 2011-12-20 2011-12-20 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101908654B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9766497B2 (en) 2015-02-05 2017-09-19 Samsung Display Co., Ltd. Curved backlight unit and display device including the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9766497B2 (en) 2015-02-05 2017-09-19 Samsung Display Co., Ltd. Curved backlight unit and display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101908654B1 (ko) 2018-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102197082B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR101827975B1 (ko) 발광소자
KR102007402B1 (ko) 발광소자
KR101998763B1 (ko) 발광소자
KR101941029B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR102294318B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
KR20130023939A (ko) 발광소자
KR20130138416A (ko) 발광소자
KR20140027656A (ko) 발광소자
KR20130138483A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR102007401B1 (ko) 발광소자
KR101941030B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101908654B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101861635B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR101972051B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20130138482A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101756334B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20130065098A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101874906B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20130058234A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102140278B1 (ko) 발광 소자
KR101888607B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20140062216A (ko) 발광소자
KR20130071885A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101983773B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant