KR20130068389A - Led chip array - Google Patents

Led chip array

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KR20130068389A
KR20130068389A KR1020110135510A KR20110135510A KR20130068389A KR 20130068389 A KR20130068389 A KR 20130068389A KR 1020110135510 A KR1020110135510 A KR 1020110135510A KR 20110135510 A KR20110135510 A KR 20110135510A KR 20130068389 A KR20130068389 A KR 20130068389A
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김창훈
이규호
서대웅
김민혜
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서울옵토디바이스주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode chip array is provided to arrange a second LED chip in the upper part of a first LED chip, and to increase optical power generated in unit area. CONSTITUTION: A first LED chip(25a) is arranged on a substrate. The first LED chip is a horizontal light emitting diode chip. A second LED chip(25b) is arranged in the upper part of the first LED chip. The second LED chip is flip-bonded to the first LED chip. The second LED chip covers a gap between the first LED chips.

Description

발광 다이오드 칩 어레이{LED CHIP ARRAY}Light Emitting Diode Chip Array {LED CHIP ARRAY}

본 발명은 기판 상에 복수의 발광 다이오드 칩을 정렬한 발광 다이오드 칩 어레이에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode chip array in which a plurality of light emitting diode chips are arranged on a substrate.

단일의 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광 파워는 일반적으로 입력되는 전류의 증가에 따라 증가한다. 그러나, 단일칩에서 증가될 수 있는 광 파워에는 한계가 있다. 더욱이, 전류 증가에 따라 양자 효율이 감소되는 드룹(droop) 현상 때문에, 단일 발광 다이오드 칩에 입력되는 전류를 증가시키는 것은 전력 효율을 떨어뜨린다.Optical power emitted from a single light emitting diode chip generally increases with increasing input current. However, there is a limit to the optical power that can be increased in a single chip. Moreover, because of the droop phenomenon in which the quantum efficiency decreases with increasing current, increasing the current input to the single light emitting diode chip lowers the power efficiency.

광 파워를 증가시키기 위해 복수의 발광 다이오드 칩을 어레이하여 사용할 수 있다. 도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 칩 어레이를 나타내며, 여기서 (a)는 평면도를 (b)는 단면도를 나타낸다.In order to increase the optical power, a plurality of LED chips may be arrayed and used. 1 shows a light emitting diode chip array according to the prior art, where (a) is a plan view and (b) is a sectional view.

도 1을 참조하면, 상기 어레이는 기판(11), 제1 및 제2 단자(13a, 13b), 연결 단자(13c), 발광 다이오드 칩(15) 및 본딩 와이어(17)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the array includes a substrate 11, first and second terminals 13a and 13b, a connection terminal 13c, a light emitting diode chip 15, and a bonding wire 17.

복수의 발광 다이오드 칩(15)이 기판(11) 상에 정렬되고, 제1 단자(13a)와 제2 단자(13b) 사이에서 본딩 와이어들(17) 및 연결 단자들(13c)을 통해 서로 전기적으로 연결된다. 제1 단자(13a)와 제2 단자(13b)에 전압을 인가함으로써 발광 다이오드 칩들(15)을 구동할 수 있으며, 이에 따라, 상대적으로 넓은 면적에 걸쳐 광을 방출할 수 있으며 광 파워를 증가시킬 수 있다.A plurality of light emitting diode chips 15 are arranged on the substrate 11 and electrically connected to each other through bonding wires 17 and connecting terminals 13c between the first terminal 13a and the second terminal 13b. Is connected. By applying a voltage to the first terminal 13a and the second terminal 13b, the LED chips 15 can be driven, thereby emitting light over a relatively large area and increasing optical power. Can be.

그러나, 발광 다이오드 칩들(15)을 개별적으로 정렬하기 때문에, 발광 다이오드 칩들 사이의 간격이 약 100um 이상 필요하다. 상기 발광 다이오드 칩들 사이의 영역은 비발광 영역이기 때문에, 전체 기판 면적에서 광을 방출하는 발광 다이오드 칩들(15)이 차지하는 면적을 나타내는 충진 요인(fill factor)이 상대적으로 작다. 더욱이, 본딩 와이어들(17)과 연결 단자들(13c)을 통해 발광 다이오드 칩들(15)을 전기적으로 연결하기 때문에, 발광 다이오드 칩들(15) 사이의 간격은 더욱 커지며, 또한 불필요한 저항 성분이 발생한다. However, since the light emitting diode chips 15 are individually aligned, a distance between the light emitting diode chips is required to be about 100 um or more. Since the area between the LED chips is a non-light emitting area, a fill factor indicating an area occupied by the LED chips 15 emitting light in the entire substrate area is relatively small. Moreover, since the LED chips 15 are electrically connected through the bonding wires 17 and the connection terminals 13c, the spacing between the LED chips 15 becomes larger and an unnecessary resistance component is generated. .

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 단위 면적당 방출되는 광 파워를 증가시킬 수 있는 발광 다이오드 칩 어레이를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode chip array capable of increasing the optical power emitted per unit area.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 충진 요인을 증가시킬 수 있는 발광 다이오드 칩 어레이를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode chip array that can increase the filling factor.

본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩 어레이는, 기판; 상기 기판 상에 정렬된 제1 LED 칩들; 및 상기 제1 LED 칩들 상부에 정렬되고, 상기 제1 LED 칩들에 플립 본딩된 제2 LED 칩들을 포함한다. 여기서, 상기 제2 LED 칩들은 각각 적어도 두개의 제1 LED 칩들에 본딩되어 제1 LED 칩들 사이의 영역을 덮는다.The LED chip array according to the embodiments of the present invention, the substrate; First LED chips aligned on the substrate; And second LED chips aligned on the first LED chips and flip-bonded to the first LED chips. Here, each of the second LED chips is bonded to at least two first LED chips to cover an area between the first LED chips.

상기 제1 LED 칩들은 수평형(lateral) 발광 다이오드 칩일 수 있다. 또한, 상기 제2 LED 칩들은 각각 금속 범프를 통해 제1 LED 칩들에 본딩될 수 있다. 상기 제2 LED 칩들은 성장 기판을 포함하는 플립칩일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 성장 기판이 제거된 발광 다이오드 칩일 수 있다.The first LED chips may be lateral light emitting diode chips. In addition, the second LED chips may be bonded to the first LED chips through metal bumps, respectively. The second LED chips may be flip chips including a growth substrate, but are not limited thereto and may be light emitting diode chips from which the growth substrate is removed.

몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제2 LED 칩들은 상기 제1 LED 칩들과 동일한 파장의 광을 방출할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 제2 LED 칩들은 상기 제1 LED 칩들과 다른 파장의 광을 방출할 수 있다.In some embodiments, the second LED chips may emit light of the same wavelength as the first LED chips. In other embodiments, the second LED chips may emit light having a wavelength different from that of the first LED chips.

상기 제1 LED 칩들은 서로 동일한 파장의 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함할 수 있다.The first LED chips may emit light having the same wavelength, but are not limited thereto and may include LED chips emitting light having different wavelengths.

또한, 상기 제2 LED 칩들은 서로 동일한 파장의 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함할 수 있다.In addition, the second LED chips may emit light having the same wavelength, but the present invention is not limited thereto and may include LED chips emitting light having different wavelengths.

상기 제1 LED 칩들 및 제2 LED 칩들은 다양한 형상으로 배열될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 LED 칩들은 매트릭스 형태로 정렬될 수 있다. 또한, 상기 제1 LED 칩들은 행 방향으로 평행하게 복수의 행으로 정렬되되, 열 방향으로는 지그재그 형상이 되도록 정렬될 수 있다.The first LED chips and the second LED chips may be arranged in various shapes. For example, the first LED chips may be arranged in a matrix form. In addition, the first LED chips may be aligned in a plurality of rows in parallel in a row direction, and may be aligned in a zigzag shape in a column direction.

한편, 상기 제2 LED 칩들은 각각 두개의 제1 LED 칩들에 중첩되도록 정렬될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 제2 LED 칩들은 각각 세개 이상의 제1 LED 칩들에 중첩되도록 정렬될 수 있으며, 특히 네개의 제1 LED 칩들에 중첩되도록 정렬될 수 있다.Meanwhile, the second LED chips may be aligned so as to overlap two first LED chips, respectively. In another embodiment, the second LED chips may each be arranged to overlap three or more first LED chips, and in particular, may be arranged to overlap four first LED chips.

본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 LED 칩들 사이 영역 상부에 제2 LED 칩들을 정렬함으로써, 단위 면적당 광 파워 및 충진 요인을 증가시킬 수 있으며, 따라서, 발광 다이오드 칩 어레이의 크기를 감소시킬 수 있다. 나아가, 다양한 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 배열함으로써 디스플레이를 제공할 수 있다. 또한, 직렬 연결된 LED 칩들을 다양한 방식으로 연결함으로써 교류 구동이 가능한 발광 다이오드 칩 어레이를 제공할 수도 있다.According to embodiments of the present invention, by aligning the second LED chips above the area between the first LED chips, it is possible to increase the optical power and filling factor per unit area, thus reducing the size of the LED chip array. have. Furthermore, it is possible to provide a display by arranging LED chips that emit light of various wavelengths. In addition, it is possible to provide an LED chip array capable of AC driving by connecting LED chips connected in series in various ways.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 칩 어레이를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 어레이를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 다양한 실시예들을 설명하기 위한 평면도들이다.1 is a view for explaining a light emitting diode chip array according to the prior art.
2 is a view for explaining a light emitting diode chip array according to an embodiment of the present invention.
3 to 5 are plan views illustrating various embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 어레이를 설명하기 위한 도면으로, (a)는 평면도이고 (b)는 단면도이다.2 is a view for explaining a light emitting diode chip array according to an embodiment of the present invention, (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view.

도 2 (a) 및 (b)를 참조하면, 상기 어레이는 기판(21), 제1 및 제2 단자(23a, 23b), 복수의 제1 LED 칩(25a) 및 복수의 제2 LED 칩(25b)을 포함한다.Referring to FIGS. 2A and 2B, the array includes a substrate 21, first and second terminals 23a and 23b, a plurality of first LED chips 25a, and a plurality of second LED chips ( 25b).

상기 기판(21)은 인쇄회로기판일 수 있으며, 예컨대 MC-PCB일 수 있다. 복수의 발광 다이오드 칩들이 배열되기 때문에, 상기 인쇄회로기판은 양호한 방열 특성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 방열 특성이 향상시키기 위해 인쇄회로기판(21) 하부 또는 내부에 방열 수단이 결합될 수 있다.The substrate 21 may be a printed circuit board, for example, MC-PCB. Since a plurality of light emitting diode chips are arranged, it is preferable that the printed circuit board has good heat dissipation characteristics. In addition, the heat dissipation means may be coupled to the lower or inside the printed circuit board 21 to improve the heat dissipation characteristics.

상기 제1 및 제2 단자(23a, 23b)는 기판(21) 상에 정렬된 제1 및 제2 LED 칩들(25a, 25b)에 전력을 공급하기 위한 단자들이다. 이들 단자들은 인쇄회로기판을 제작하는 동안 형성될 수 있다.The first and second terminals 23a and 23b are terminals for supplying power to the first and second LED chips 25a and 25b aligned on the substrate 21. These terminals can be formed during fabrication of a printed circuit board.

상기 제1 LED 칩들(25a)이 기판(21) 상에 정렬된다. 상기 제1 LED 칩들(25a) 상부측에 극성이 서로 다른 두개의 전극들을 가지는 수평형 LED 칩일 수 있으며, 주로 상부면을 통해 광을 방출한다. 수평형 LED칩은 당해 기술분야에서 잘 알려져 있으므로 상세한 설명은 생략한다.The first LED chips 25a are aligned on the substrate 21. It may be a horizontal LED chip having two electrodes having different polarities on the upper side of the first LED chips 25a, and mainly emits light through the upper surface. Horizontal LED chips are well known in the art, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

상기 제2 LED 칩들(25b)은 제1 LED 칩들에 플립 본딩된다. 도 2(a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 하나의 제2 LED 칩(25b)은 두개의 제1 LED 칩들(25a)에 중첩되도록 본딩된다. 이들 제2 LED 칩(25b)은 금속 범프들(27)을 통해 제1 LED 칩들(25a)에 본딩될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 LED 칩들(25a)과 제2 LED 칩들(25b) 사이의 영역은 언더필로 채워질 수 있다.The second LED chips 25b are flip bonded to the first LED chips. As shown in FIGS. 2A and 2B, one second LED chip 25b is bonded to overlap two first LED chips 25a. These second LED chips 25b may be bonded to the first LED chips 25a through metal bumps 27. In addition, although not shown, an area between the first LED chips 25a and the second LED chips 25b may be filled with underfill.

상기 제2 LED 칩들(25b)은 개별적으로 제1 LED 칩들(25a) 상에 본딩될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 개별적인 제2 LED 칩들(25b)로 분할하기 전에 웨이퍼 레벨에서 복수의 제2 LED 칩들(25b)을 제1 LED 칩들(25a) 상에 본딩하고, 그 후, 성장 기판을 제거하여 제2 LED 칩들(25b)을 서로 분할할 수 있다. 따라서, 상기 제2 LED 칩들(25b)은 성장 기판을 포함할 수도 있으나, 성장 기판을 갖지 않을 수도 있다.The second LED chips 25b may be individually bonded to the first LED chips 25a, but the present invention is not limited thereto, and the plurality of second LED chips 25b may be divided into a plurality of second LEDs at a wafer level before dividing into individual second LED chips 25b. The LED chips 25b may be bonded onto the first LED chips 25a, and then the growth substrate may be removed to divide the second LED chips 25b from each other. Therefore, the second LED chips 25b may include a growth substrate but may not have a growth substrate.

제1 LED 칩과 제2 LED 칩(25b)은 서로 다른 극성의 전극들이 서로 전기적으로 연결되도록 본딩될 수 있으며, 따라서 제1 LED 칩들과 제2 LED 칩들이 서로 교대로 연결된 직렬 어레이가 제공될 수 있다. 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 단자(23a, 23b)에도 제2 LED 칩(25b)이 각각 본딩될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 LED 칩들(25a)이 본딩 와이어를 통해 제1 및 제2 단자(23a, 23b)에 전기적으로 연결될 수도 있다.The first LED chip and the second LED chip 25b may be bonded such that electrodes of different polarities are electrically connected to each other, so that a series array in which the first LED chips and the second LED chips are alternately connected to each other may be provided. have. As illustrated, the second LED chip 25b may be bonded to the first and second terminals 23a and 23b, respectively. However, the present invention is not limited thereto, and the first LED chips 25a may be electrically connected to the first and second terminals 23a and 23b through bonding wires.

본 실시예에 따르면, 제2 LED 칩(25b)이 제1 LED 칩들(25a) 사이의 영역 상부에 위치한다. 따라서, 기판(21) 상의 발광 면적을 획기적으로 증가시킬 수 있다. 나아가, 본 실시예에 따르면, 본딩 와이어나 연결 단자를 사용할 필요 없이 제1 LED 칩(25a)과 제2 LED 칩(25b)을 직접 본딩할 수 있다. 따라서, 제1 LED 칩들 사이의 간격을 상당히 줄일 수 있다.According to the present embodiment, the second LED chip 25b is positioned above the region between the first LED chips 25a. Therefore, the light emitting area on the substrate 21 can be significantly increased. Furthermore, according to the present embodiment, the first LED chip 25a and the second LED chip 25b may be directly bonded without the need for using a bonding wire or a connection terminal. Thus, the spacing between the first LED chips can be significantly reduced.

한편, 본 실시예에 있어서, 제1 LED 칩들(25a) 및 제2 LED 칩들(25b)은 모두 동일한 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2 LED 칩들(25b)은 제1 LED 칩들(25a)과 다른 파장의 광을 방출할 수 있다. 더욱이, 제1 LED 칩들(25a)은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함할 수 있으며, 제2 LED 칩들(25b) 또한 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, the first LED chips 25a and the second LED chips 25b may be light emitting diode chips that emit light having the same wavelength, but are not limited thereto. For example, the second LED chips 25b may emit light having a wavelength different from that of the first LED chips 25a. In addition, the first LED chips 25a may include LED chips that emit light of different wavelengths, and the second LED chips 25b may also include LED chips that emit light of different wavelengths.

본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 어레이는 단위 면적당 광 파워를 증가시킬 수 있으므로, 특히 면광원으로서 사용될 수 있다. 나아가, 상기 어레이들을 복수개 배열하여 디스플레이를 구현할 수도 있다.The light emitting diode chip array according to the present embodiment can increase the optical power per unit area, and thus can be particularly used as a surface light source. Furthermore, a plurality of arrays may be arranged to implement a display.

도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩 어레이를 설명하기 위한 평면도들이다.3 and 4 are plan views illustrating a light emitting diode chip array according to other exemplary embodiments of the present invention.

앞서 도 2를 참조하여 단일의 직렬 어레이가 형성된 것을 설명하였지만, 단일 기판(21) 상에 복수의 직렬 어레이가 배열될 수 있다. 즉, 도 2를 참조하여 설명한 제1 LED 칩들(25a)과 제2 LED 칩들(25b)의 직렬 어레이가 기판(21) 상에 복수개 배열될 수 있다. 이들 직렬 어레이는 도 3에 도시한 바와 같이 제1 LED 칩들(25a)이 동일 열에 배열되도록 정렬될 수 있으며, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 LED 칩과 제2 LED 칩이 동일 열에서 교대로 배열되도록 정렬될 수도 있다.Although a single series array has been described above with reference to FIG. 2, a plurality of series arrays may be arranged on a single substrate 21. That is, a plurality of series arrays of the first LED chips 25a and the second LED chips 25b described with reference to FIG. 2 may be arranged on the substrate 21. These series arrays can be arranged such that the first LED chips 25a are arranged in the same column as shown in FIG. 3, and as shown in FIG. 4, the first and second LED chips alternate in the same column. It may also be arranged to be arranged as.

또한, 상기 직렬 어레이들은 서로 병렬 연결될 수도 있으나, 이에 한정되지 않으며, 서로 역병렬로 연결될 수 있다.In addition, the serial arrays may be connected in parallel to each other, but is not limited thereto and may be connected in parallel to each other.

또한, 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 LED 칩들(25a) 및 제2 LED 칩들(25b)은 모두 동일한 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 LED 칩들(25b)은 제1 LED 칩들(25a)과 다른 파장의 광을 방출할 수 있다. 더욱이, 제1 LED 칩들(25a)은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함할 수 있으며, 제2 LED 칩들(25b) 또한 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함할 수 있다. In addition, as described above with reference to FIG. 2, the first LED chips 25a and the second LED chips 25b may be light emitting diode chips that emit light having the same wavelength, but are not limited thereto. The second LED chips 25b may emit light having a wavelength different from that of the first LED chips 25a. In addition, the first LED chips 25a may include LED chips that emit light of different wavelengths, and the second LED chips 25b may also include LED chips that emit light of different wavelengths.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 어레이를 설명하기 위한 평면도이다.5 is a plan view illustrating a light emitting diode chip array according to still another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 어레이는 앞서 설명한 실시예와 유사하나, 제2 LED 칩(25b)이 네개의 제1 LED 칩들(25a)에 중첩되도록 정렬된 것에 차이가 있다.Referring to FIG. 5, the LED chip array according to the present embodiment is similar to the above-described embodiment, except that the second LED chip 25b is aligned to overlap four first LED chips 25a. .

제1 LED 칩들(25a)이 매트릭스 형상으로 배열될 때, 제1 LED 칩들(25a)은 행 방향 및 열방향으로 서로 떨어져 배치된다. 앞의 실시예들에 있어서는, 제2 LED 칩(25b)이 행 방향으로 배열된 2개의 LED 칩들(25a)에 중첩되도록 배열되어 주로 두개의 제1 LED 칩들(25a) 사이의 영역 상부에 위치한다. 이에 반해, 본 실시예에 있어서는, 제2 LED 칩(25b)이 네개의 제1 LED 칩들(25a)의 모서리 부분에 중첩되도록 배열되어 네개의 제1 LED 칩들(25a) 사이 영역 상부에 위치한다.When the first LED chips 25a are arranged in a matrix shape, the first LED chips 25a are disposed apart from each other in the row direction and the column direction. In the above embodiments, the second LED chip 25b is arranged to overlap two LED chips 25a arranged in a row direction and is mainly located above the area between the two first LED chips 25a. . In contrast, in the present embodiment, the second LED chip 25b is arranged to overlap the corner portions of the four first LED chips 25a and positioned above the region between the four first LED chips 25a.

본 실시예에 따르면, 기판(21) 상의 영역 중, 제2 LED 칩(25b)에 의해 발광 영역으로 전환되는 영역이 앞의 실시예들에 비해 상대적으로 확대된다. 또한, 제1 LED 칩(25a)과 제2 LED 칩(25b)이 중첩되는 영역을 상대적으로 감소시킬 수 있어, 제1 LED 칩(25a)에서 방출된 광이 제2 LED 칩(25b)에 의해 차단되는 것을 감소시킬 수 있다.According to the present embodiment, the area of the area on the substrate 21, which is switched to the light emitting area by the second LED chip 25b, is relatively enlarged as compared with the previous embodiments. In addition, the area in which the first LED chip 25a and the second LED chip 25b overlap can be relatively reduced, so that the light emitted from the first LED chip 25a is caused by the second LED chip 25b. It can reduce the blocking.

11, 21: 기판 13a, 23a; 제1 단자 13b, 23b: 제2 단자
13c: 연결 단자 15: LED 칩 17: 본딩 와이어
25a: 제1 LED 칩 25b: 제2 LED 칩 27: 금속 범프 11, 21: substrates 13a, 23a; 1st terminal 13b, 23b: 2nd terminal
13c: connection terminal 15: LED chip 17: bonding wire
25a: first LED chip 25b: second LED chip 27: metal bump

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 정렬된 제1 LED 칩들; 및
상기 제1 LED 칩들 상부에 정렬되고, 상기 제1 LED 칩들에 플립 본딩된 제2 LED 칩들을 포함하되,
상기 제2 LED 칩들은 각각 적어도 두개의 제1 LED 칩들에 본딩되어 제1 LED 칩들 사이의 영역을 덮는 발광 다이오드 칩 어레이.Board;
First LED chips aligned on the substrate; And
A second LED chip aligned above the first LED chips and flip-bonded to the first LED chips,
And each of the second LED chips is bonded to at least two first LED chips to cover an area between the first LED chips. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 LED 칩들은 수평형 발광 다이오드 칩인 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the first LED chips are horizontal light emitting diode chips. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 LED 칩들은 각각 금속 범프를 통해 제1 LED 칩들에 본딩된 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the second LED chips are bonded to the first LED chips through metal bumps, respectively. 청구항 3에 있어서,
상기 제2 LED 칩들은 성장 기판이 제거된 발광 다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 어레이. The method according to claim 3,
And the second LED chips are light emitting diode chips from which a growth substrate is removed. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 LED 칩들은 상기 제1 LED 칩들과 다른 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the second LED chips emit light having a wavelength different from that of the first LED chips. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 LED 칩들은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함하는 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the first LED chips comprise LED chips emitting light of different wavelengths. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 LED 칩들은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 포함하는 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the second LED chips comprise LED chips emitting light of different wavelengths. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 LED 칩들은 매트릭스 형태로 정렬된 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the first LED chips arranged in a matrix. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 LED 칩들은 행 방향으로 평행하게 복수의 행으로 정렬되되, 열 방향으로는 지그재그 형상이 되도록 정렬된 발광 다이오드 칩 어레이. The method according to claim 1,
And the first LED chips arranged in a plurality of rows in parallel in a row direction, and arranged in a zigzag shape in a column direction. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 LED 칩들은 각각 네개의 제1 LED 칩들에 중첩되도록 정렬된 발광 다이오드 칩 어레이.The method according to claim 1,
And the second LED chips are arranged to overlap four first LED chips, respectively.
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