KR20130059228A - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A solar cell and a method for fabricating the same are provided to improve the adhesion between a support substrate and a layer formed on the support substrate using a recess part formed on the upper surface of the support substrate. CONSTITUTION: An alkali supply layer(700) is positioned on a support substrate(100). The upper surface of the support substrate includes a recess part(100a). A back electrode layer(200) is positioned on the alkali supply layer. A light absorption layer(300) including the alkali is positioned on the back electrode layer. A front electrode layer(600) is positioned on the light absorption layer.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.A manufacturing method of a solar cell for solar power generation is as follows. First, a substrate is provided, a back electrode layer is formed on the substrate, and patterned by a laser to form a plurality of back electrodes.

이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 광 흡수층을 형성하는 방법ㅡ등 다양한 방법이 사용되고 있다. 이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.Thereafter, a light absorbing layer, a buffer layer, and a high resistance buffer layer are sequentially formed on the back electrodes. In order to form the light absorbing layer, various methods such as a method of forming a light absorbing layer while simultaneously or separately evaporating copper, indium, gallium, and selenium have been used. Thereafter, a buffer layer containing cadmium sulfide (CdS) is formed on the light absorbing layer by a sputtering process. Thereafter, a high resistance buffer layer including zinc oxide (ZnO) is formed on the buffer layer by a sputtering process. Thereafter, a groove pattern may be formed in the light absorbing layer, the buffer layer, and the high resistance buffer layer.

이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.Thereafter, a transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer, and the groove pattern is filled with the transparent conductive material. Thereafter, a groove pattern is formed in the transparent electrode layer, and a plurality of solar cells may be formed. The transparent electrodes and the back electrodes are misaligned with each other, and the transparent electrodes and the back electrodes are electrically connected to each other by the connection wirings. Accordingly, a plurality of solar cells can be electrically connected in series with each other.

이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.As such, in order to convert sunlight into electrical energy, various types of photovoltaic devices may be manufactured and used. Such a photovoltaic device is disclosed in Patent Publication No. 10-2008-0088744 and the like.

한편, 현재 박막 태양전지에 사용되는 가장 일반적인 기판 재료는 소다 라임 유리((Soda lime glass)이다. 이러한 소다 라임 유리의 사용에 따른 CIGS 광 흡수층에 미치는 좋은 점은 유리로부터 알칼리 금속이 광 흡수층으로 확산되어 Voc가 증가하게 되므로써 태양 전지의 효율이 증가하는 것이다. On the other hand, the most common substrate material currently used in thin film solar cells is soda lime glass. The advantage of using soda lime glass in CIGS light absorption layer is diffusion of alkali metal from glass into light absorption layer. As the Voc increases, the efficiency of the solar cell increases.

따라서, CIGS 박막 태양전지의 효율을 향상시키기 위한 나트륨 첨가 기술이 일부 존재하는데 기존의 소다 라임 유리와 비교하여 후면전극과의 접착성 문제, 공정의 복잡함, 나트륨의 흡습성, 재현성 등의 문제가 존재한다. 따라서, 이를 개선한 보다 효율적인 나트륨 공급 기술이 필요하다.Therefore, there are some sodium addition techniques for improving the efficiency of CIGS thin film solar cells, and there are problems such as adhesion problem with back electrode, complexity of process, hygroscopicity of sodium and reproducibility compared with conventional soda lime glass. . Therefore, there is a need for a more efficient sodium supply technology that has improved this.

실시예는 고품질의 태양전지를 제공하고자 한다.The embodiment seeks to provide a high quality solar cell.

실시예에 따른 태양전지는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 알카리공급층; 상기 알카리공급층 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고, 상기 지지기판의 상면은 요철을 포함한다.Solar cell according to the embodiment, the support substrate; An alkali supply layer disposed on the support substrate; A back electrode layer disposed on the alkali supply layer; A light absorbing layer disposed on the back electrode layer; And a front electrode layer disposed on the light absorbing layer, and an upper surface of the support substrate includes irregularities.

실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은, 지지기판의 표면을 요철처리하는 단계; 상기 지지기판 상에 알카리공급층을 형성하는 단계; 상기 알카리공급층 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함한다.In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell, the method including: roughening a surface of a support substrate; Forming an alkali supply layer on the support substrate; Forming a back electrode layer on the alkali supply layer; Forming a light absorbing layer on the back electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And forming a front electrode layer on the buffer layer.

실시예에 따른 태양전지에 포함되는 지지기판은 고왜점유리기판일 수 있다. 상기 지지기판이 고왜점유리기판을 포함함으로써, 상기 지지기판의 고온에서의 변형을 방지할 수 있다. 따라서 태양전지의 안정성을 확보할 수 있다.The support substrate included in the solar cell according to the embodiment may be a high distortion glass substrate. Since the support substrate includes a high distortion glass substrate, deformation of the support substrate at a high temperature can be prevented. Therefore, the stability of the solar cell can be secured.

상기 지지기판의 상면은 요철을 포함한다. 상기 요철을 통해 상기 지지기판 상에 위치하는 층과 상기 지지기판과의 접착력을 향상할 수 있다. 실시예에 따른 태양전지에서는 상기 지지기판 상에 알카리공급층이 위치하는데, 상기 지지기판과 상기 알카리공급층의 접착 강도를 향상할 수 있다. 따라서, 상기 지지기판과 상기 알카리공급층의 열팽창 계수가 달라 알카리공급층의 분리가 일어나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 지지기판의 접착 강도의 향상으로 상기 알카리공급층을 충분한 두께로 형성할 수 있다.The upper surface of the support substrate includes irregularities. Through the concave-convex, it is possible to improve the adhesion between the layer and the support substrate positioned on the support substrate. In the solar cell according to the embodiment, the alkali supply layer is positioned on the support substrate, and the adhesion strength between the support substrate and the alkali supply layer can be improved. Therefore, the thermal expansion coefficient of the support substrate and the alkali supply layer is different, and it is possible to prevent separation of the alkali supply layer. In addition, the alkali supply layer may be formed to a sufficient thickness by improving the adhesive strength of the support substrate.

상기 알카리공급층은 알카리 성분을 포함할 수 있다. 상기 알카리공급층을 통해, 광 흡수층에 나트륨을 공급할 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층에 나트륨을 공급함으로써, 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 태양전지의 신뢰성을 향상할 수 있다. The alkali supply layer may include an alkali component. Through the alkali supply layer, sodium may be supplied to the light absorbing layer. That is, by supplying sodium to the light absorbing layer, the efficiency of the solar cell can be increased. Therefore, the reliability of the solar cell according to the embodiment can be improved.

또한, 상기 알카리공급층은 상기 지지기판의 전면에 위치할 수 있다. 이는 상기 지지기판 상의 상기 요철을 통해 상기 알카리공급층과 상기 지지기판과의 접착력이 향상되기 때문이다. 따라서, 상기 알카리공급층에 포함된 알카리 성분의 공급 효과를 크게 증가시킬 수 있다. In addition, the alkali supply layer may be located on the front surface of the support substrate. This is because the adhesion between the alkali supply layer and the support substrate is improved through the unevenness on the support substrate. Therefore, the supply effect of the alkali component included in the alkali supply layer can be greatly increased.

실시예에 따른 태양전지의 제조 방법에서는 상술한 효과를 가지는 태양전지를 제조할 수 있다.In the solar cell manufacturing method according to the embodiment it is possible to manufacture a solar cell having the above-described effect.

도 1은 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 4는 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위한 공정을 도시한 단면도들이다.
1 is a cross-sectional view showing a cross section of a solar cell according to an embodiment.
2 and 4 are cross-sectional views showing a process for manufacturing a solar cell according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 알카리공급층(700), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a solar cell according to an embodiment includes a support substrate 100, an alkali supply layer 700, a back electrode layer 200, a light absorbing layer 300, a buffer layer 400, a high resistance buffer layer 500, and The front electrode layer 600 is included.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 상기 전면전극층(600)을 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape and supports the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the front electrode layer 600.

상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판 또는 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 즉, 상기 지지기판(100)은 유리 또는 폴리머 또는 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 지지기판(100)은 570℃ 이상의 고왜점유리기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)이 고왜점유리기판을 포함함으로써, 상기 지지기판(100)의 고온에서의 변형을 방지할 수 있다. 구체적으로, 기존의 소다 라임 글래스(soda lime glass)의 경우 약 510℃ 의 온도에서 변형이 일어나지만, 상기 고왜점유리기판의 상기 510℃의 온도에서도 변형이 일어나지 않는다. 따라서 태양전지의 안정성을 확보할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. That is, the support substrate 100 may include glass, polymer, or stainless steel. For example, the support substrate 100 may be a high strain glass substrate 570 ℃ or more. Since the support substrate 100 includes a high distortion glass substrate, deformation of the support substrate 100 at a high temperature can be prevented. Specifically, in the case of conventional soda lime glass, deformation occurs at a temperature of about 510 ° C., but deformation does not occur even at the temperature of 510 ° C. of the high strain glass substrate. Therefore, the stability of the solar cell can be secured. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 지지기판(100)의 상면은 요철(100a)을 포함한다. 상기 지지기판(100) 표면의 표면조도는 1 um 내지 90 um 일 수 있다. The upper surface of the support substrate 100 includes an unevenness (100a). The surface roughness of the surface of the support substrate 100 may be 1 um to 90 um.

상기 요철(100a)을 통해 상기 지지기판(100) 상에 위치하는 층과 상기 지지기판(100)과의 접착력을 향상할 수 있다. 실시예에 따른 태양전지에서는 상기 지지기판(100) 상에 알카리공급층(700)이 위치하는데, 상기 지지기판(100)과 상기 알카리공급층(700)의 접착 강도를 향상할 수 있다. 따라서, 상기 지지기판(100)과 상기 알카리공급층(700)의 열팽창 계수가 달라 알카리공급층(700)의 분리가 일어나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 지지기판(100)의 접착 강도의 향상으로 상기 알카리공급층(700)을 충분한 두께로 형성할 수 있다. The adhesion between the layer and the support substrate 100 positioned on the support substrate 100 may be improved through the unevenness 100a. In the solar cell according to the embodiment, the alkali supply layer 700 is positioned on the support substrate 100, and the adhesion strength between the support substrate 100 and the alkali supply layer 700 may be improved. Therefore, the thermal expansion coefficient of the support substrate 100 and the alkali supply layer 700 is different, so that separation of the alkali supply layer 700 may be prevented from occurring. In addition, the alkali supply layer 700 may be formed to a sufficient thickness by improving the adhesive strength of the support substrate 100.

상기 알카리공급층(700)은 상기 지지기판(100) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 알카리공급층(700)은 상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에 위치할 수 있다. The alkali supply layer 700 may be located on the support substrate 100. In detail, the alkali supply layer 700 may be positioned between the support substrate 100 and the back electrode layer 200.

상기 알카리공급층(700)은 알카리 성분을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 알카리공급층(700)은 나트륨을 포함할 수 있다. The alkali supply layer 700 may include an alkali component. Specifically, the alkali supply layer 700 may include sodium.

일례로, 상기 알카리공급층(700)은 규산나트륨 수용액을 포함할 수 있다. For example, the alkali supply layer 700 may include an aqueous sodium silicate solution.

상기 알카리공급층(700)은 산화나트륨(Na2O), 산화규소 및 물을 포함할 수 있다. 상기 산화나트륨은 상기 알카리공급층(700)에 대해 8% 이상 포함될 수 있다. 상기 산화규소는 상기 알카리공급층(700)에 대해 28 % 이상 포함될 수 있다. 상기 물은 상기 알카리공급층(700)에 대해 60 % 이상 포함될 수 있다.The alkali supply layer 700 may include sodium oxide (Na 2 O), silicon oxide, and water. The sodium oxide may be included in more than 8% of the alkali supply layer 700. The silicon oxide may be included at least 28% with respect to the alkali supply layer 700. The water may be included 60% or more with respect to the alkali supply layer 700.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 알카리공급층(700)은 칼륨 또는 리튬을 더 포함할 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto, and the alkali supply layer 700 may further include potassium or lithium.

상기 알카리공급층(700)을 통해, 상기 광 흡수층(300)에 나트륨을 공급할 수 있다. 따라서, 상기 광 흡수층(300)은 알카리 성분을 포함할 수 있다. 즉, 상기 알카리공급층(700)은 상기 광 흡수층(300)에 나트륨을 공급함으로써, 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 태양전지의 신뢰성을 향상할 수 있다. Sodium may be supplied to the light absorbing layer 300 through the alkali supply layer 700. Therefore, the light absorbing layer 300 may include an alkali component. That is, the alkali supply layer 700 may increase the efficiency of the solar cell by supplying sodium to the light absorbing layer 300. Therefore, the reliability of the solar cell according to the embodiment can be improved.

또한, 상기 알카리공급층(700)은 상기 지지기판(100)의 전면에 위치할 수 있다. 이는 상기 지지기판(100) 상의 상기 요철(100a)을 통해 상기 알카리공급층(700)과 상기 지지기판(100)과의 접착력이 향상되기 때문이다. 따라서, 상기 알카리공급층(700)에 포함된 알카리 성분의 공급 효과를 크게 증가시킬 수 있다. In addition, the alkali supply layer 700 may be located on the front surface of the support substrate 100. This is because the adhesion between the alkali supply layer 700 and the support substrate 100 is improved through the unevenness 100a on the support substrate 100. Therefore, the supply effect of the alkali component included in the alkali supply layer 700 can be greatly increased.

상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 배치된다. 구체적으로, 상기 후면전극층(200)을 상기 알카리공급층(700)의 상면에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.The back electrode layer 200 is disposed on an upper surface of the support substrate 100. Specifically, the back electrode layer 200 is disposed on the top surface of the alkali supply layer 700. The back electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used as the back electrode layer 200 may include a metal such as molybdenum (Mo).

또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the back electrode layer 200 may include two or more layers. In this case, each of the layers may be formed of the same metal, or may be formed of different metals.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200. The light absorbing layer 300 includes a group I-III-VI compound. For example, the light absorbing layer 300 may be formed of a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, copper-indium-selenide-based, or copper-gallium-selenide-based. It may have a crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. The buffer layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. The buffer layer 400 is in direct contact with the light absorbing layer 300.

상기 버퍼층(400)은 황화물을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴을 포함할 수 있다. The buffer layer 400 may include a sulfide. For example, the buffer layer 400 may include cadmium sulfide.

상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.The high resistance buffer layer 500 is disposed on the buffer layer 400. The high resistance buffer layer 500 includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy band gap of the high resistance buffer layer 500 may be about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 전면전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다.The front electrode layer 600 is disposed on the light absorbing layer 300. In more detail, the front electrode layer 600 is disposed on the high resistance buffer layer 500.

상기 전면전극층(600)은 투명하다. 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.The front electrode layer 600 is transparent. Examples of the material used as the front electrode layer 600 include aluminum doped ZnO (AZO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), and the like. Can be.

상기 전면전극층(600)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600)이 알루미늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 1.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극층(600)은 도전층이다.The front electrode layer 600 may have a thickness of about 500 nm to about 1.5 μm. In addition, when the front electrode layer 600 is formed of zinc oxide doped with aluminum, aluminum may be doped at a rate of about 1.5 wt% to about 3.5 wt%. The front electrode layer 600 is a conductive layer.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위해 앞서 설명한 내용과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4. For the purpose of clarity and simplicity, detailed description of parts identical or similar to those described above will be omitted.

도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위한 공정을 도시한 단면도들이다.2 to 4 are cross-sectional views illustrating a process for manufacturing a solar cell according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 지지기판(100)의 표면을 요철(100a)처리하는 단계를 거친다. 상기 요철(100a)처리하는 단계에서는 상기 지지기판(100)의 표면을 샌드블라스트(sand blast) 처리할 수 있다. 상기 지지기판(100)의 표면조도가 1 um 내지 90 um가 되도록 요철(100a)처리할 수 있다. Referring to FIG. 2, the surface of the support substrate 100 is subjected to the unevenness 100a. In the step of processing the unevenness 100a, the surface of the support substrate 100 may be sandblasted. The uneven surface 100a may be treated so that the surface roughness of the support substrate 100 is 1 um to 90 um.

도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 알카리공급층(700)을 형성하는 단계를 거친다. 상기 알카리공급층(700)은 알카리 성분을 포함하는 물질을 도포할 수 있다. 상기 알카리공급층(700)은 규산나트륨을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 알카리공급층(700)은 규산나트륨 수용액일 수 있다. Referring to FIG. 3, an alkali supply layer 700 is formed on the support substrate 100. The alkali supply layer 700 may apply a material including an alkali component. The alkali supply layer 700 may include sodium silicate. For example, the alkali supply layer 700 may be an aqueous sodium silicate solution.

상기 알카리공급층(700)을 형성하는 단계에서 상기 알카리 성분을 포함하는 물질이 상기 지지기판(100)의 전면에 형성될 수 있다. In the forming of the alkali supply layer 700, a material including the alkali component may be formed on the entire surface of the support substrate 100.

상기 알카리공급층(700)을 형성하는 단계에서는 상기 알카리 성분을 포함하는 물질이 디핑(dipping), 스프레이(spray), 인쇄 또는 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. In the forming of the alkali supply layer 700, a material including the alkali component may be formed by dipping, spraying, printing or coating.

이어서, 도 4를 참조하면, 상기 알카리공급층(700) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착되고, 후면전극층(200)이 형성된다. Subsequently, referring to FIG. 4, a metal such as molybdenum is deposited on the alkali supply layer 700 by a sputtering process, and a back electrode layer 200 is formed.

일반적으로, 상기 후면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.In general, the back electrode layer 200 may be formed by two processes having different process conditions.

한편, 상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에는 확산 방지막과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.Meanwhile, an additional layer such as a diffusion barrier may be interposed between the support substrate 100 and the back electrode layer 200.

이어서, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.Subsequently, the light absorbing layer 300 is formed on the back electrode layer 200. The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light-emitting layer is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, A method of forming the light absorbing layer 300 and a method of forming the metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When the metal precursor film is formed and selenization is subdivided, a metal precursor film is formed on the back electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Subsequently, the metal precursor film is formed of a copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light absorbing layer 300 by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

이어서, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400)을 형성하는 단계를 거친다. 여기서, 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.Subsequently, the buffer layer 400 is formed on the light absorbing layer 300. Here, cadmium sulfide is deposited by a sputtering process or a chemical bath deposit (CBD) or the like, and the buffer layer 400 is formed.

이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성될 수 있다.Thereafter, zinc oxide may be deposited on the buffer layer 400 by a sputtering process, and the high resistance buffer layer 500 may be formed.

상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.The buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 are deposited to a low thickness. For example, the thickness of the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 is about 1 nm to about 80 nm.

이어서, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 전면전극층(600)을 형성하는 단계를 거친다. 상기 전면전극층(600)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 등과 같은 투명한 도전물질이 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.Subsequently, the front electrode layer 600 is formed on the high resistance buffer layer 500. The front electrode layer 600 may be formed by depositing a transparent conductive material such as zinc oxide doped with aluminum on the high resistance buffer layer 500 by a sputtering process.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (12)

지지기판;
상기 지지기판 상에 배치되는 알카리공급층;
상기 알카리공급층 상에 배치되는 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,
상기 지지기판의 상면은 요철을 포함하는 태양전지.
Support substrate;
An alkali supply layer disposed on the support substrate;
A back electrode layer disposed on the alkali supply layer;
A light absorbing layer disposed on the back electrode layer; And
And a front electrode layer disposed on the light absorbing layer,
The upper surface of the support substrate is a solar cell comprising an unevenness.
제1항에 있어서,
상기 지지기판 표면의 표면조도는 1 um 내지 90 um 인 태양전지.
The method of claim 1,
The surface roughness of the surface of the support substrate is 1 um to 90 um solar cell.
제1항에 있어서,
상기 광 흡수층은 알카리 성분을 포함하는 태양전지.
The method of claim 1,
The light absorbing layer is a solar cell containing an alkali component.
제1항에 있어서,
상기 알카리공급층은 나트륨을 포함하는 태양전지.
The method of claim 1,
The alkaline supply layer is a solar cell containing sodium.
제1항에 있어서,
상기 알카리공급층은 상기 지지기판의 전면에 위치하는 태양전지.
The method of claim 1,
The alkali supply layer is a solar cell located on the front of the support substrate.
제1항에 있어서,
상기 지지기판은 고왜점유리를 포함하는 태양전지.
The method of claim 1,
The support substrate is a solar cell comprising a high distortion glass.
지지기판의 표면을 요철처리하는 단계;
상기 지지기판 상에 알카리공급층을 형성하는 단계;
상기 알카리공급층 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법.
Roughening the surface of the support substrate;
Forming an alkali supply layer on the support substrate;
Forming a back electrode layer on the alkali supply layer;
Forming a light absorbing layer on the back electrode layer;
Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And
Forming a front electrode layer on the buffer layer manufacturing method of a solar cell.
제7항에 있어서,
상기 요철처리하는 단계에서는 상기 지지기판의 표면을 샌드블라스트(sand blast) 처리하는 태양전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The uneven treatment step of manufacturing a solar cell for sandblasting (sand blast) the surface of the support substrate.
제7항에 있어서,
상기 지지기판의 표면조도가 1 um 내지 90 um 인 태양전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The surface roughness of the support substrate 1um to 90um manufacturing method of a solar cell.
제7항에 있어서,
상기 알카리공급층을 형성하는 단계에서는 알카리 성분을 포함하는 물질을 도포하는 태양전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
Forming the alkali supply layer is a method of manufacturing a solar cell to apply a material containing an alkali component.
제7항에 있어서,
상기 알카리공급층을 형성하는 단계에서는 상기 알카리 성분을 포함하는 물질이 상기 지지기판의 전면에 형성되는 태양전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
In the forming of the alkali supply layer, a material including the alkali component is formed on the entire surface of the support substrate manufacturing method of a solar cell.
제7항에 있어서,
상기 알카리공급층은 규산나트륨 수용액을 포함하는 태양전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The alkali supply layer is a method of manufacturing a solar cell containing an aqueous sodium silicate.
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