KR20130051908A - 탄성체 밴드를 위한 설치 고정체 및 이를 이용한 방법들 - Google Patents

탄성체 밴드를 위한 설치 고정체 및 이를 이용한 방법들 Download PDF

Info

Publication number
KR20130051908A
KR20130051908A KR1020120126830A KR20120126830A KR20130051908A KR 20130051908 A KR20130051908 A KR 20130051908A KR 1020120126830 A KR1020120126830 A KR 1020120126830A KR 20120126830 A KR20120126830 A KR 20120126830A KR 20130051908 A KR20130051908 A KR 20130051908A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate support
elastic band
semiconductor substrate
mounting fixture
mounting
Prior art date
Application number
KR1020120126830A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102033792B1 (ko
Inventor
리쉬 카트레
데이비드 셰퍼
성 이
댄 하버
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20130051908A publication Critical patent/KR20130051908A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102033792B1 publication Critical patent/KR102033792B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining
    • Y10T29/49863—Assembling or joining with prestressing of part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/53657—Means to assemble or disassemble to apply or remove a resilient article [e.g., tube, sleeve, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

탄성체 밴드의 내부 스트레스들을 완화시킴으로써 더 긴 동작 수명을 가지는 탄성체 밴드로 유도할 수 있는 방식으로 반도체 기판 지지체 둘레의 탑재 홈 내에 탄성체 밴드가 배치되도록 허용하며, 설치 고정체, 복수 개의 기계적 패스너들 및 내장 툴을 포함하는 키트가 제공된다. 설치 고정체는 기계적 패스너들을 이용하여 기판 지지체에 안착된다. 탄성체 밴드는 설치 고정체의 외측 원주 둘레에 배치되고 앞뒤로 회전되어 탄성체 밴드의 내부 스트레스들을 완화시킨다. 고정체는 반전되고 탄성체 밴드는 수직으로 고정체로부터 벗어나 탑재 홈 내로 슬라이딩된다. 내장 툴은 탄성체 밴드를 탑재 홈 내로 완전히 삽입시키기 위하여 이용될 수 있다.

Description

탄성체 밴드를 위한 설치 고정체 및 이를 이용한 방법들{INSTALLATION FIXTURE FOR ELASTOMER BANDS AND METHODS OF USING THE SAME}
본 개시물은 탄성체 밴드를 기판 지지체 둘레에 설치하기 위한 설치 고정체 및 이러한 설치 고정체를 이용한 방법들에 관련된다.
집적된 반도체 회로들은 거의 모든 전자 시스템들의 주된 구성 요소들이 되어 왔다. 이와 같은 극소형의 전자 디바이스들은 마이크로컴퓨터 중앙 처리 유닛들의 메모리와 로직 하부시스템들 및 다른 집적 회로들을 이루는 수천 개의 트랜지스터들을 포함할 수도 있다. 이러한 회로들의 저비용성, 고 신뢰성 및 속도는 이들이 현대 디지털 전자 공학의 유비쿼터스 피쳐가 되도록 유도해 왔다.
집적된 반도체 회로들의 제작은 통상적으로, 평행 판 반응기 또는 유도 결합형 플라즈마 반응기와 같은 반응성 이온 에칭 시스템 내에서 일어난다. 반응성 이온 에칭 시스템은, 그 내부에 포지셔닝된 상부 전극 또는 양극 및 하부 전극 또는 음극을 가지는 에칭 챔버로 이루어질 수도 있다. 음극은 양극 및 컨테이너 벽들에 대하여 음으로써 바이어스된다. 에칭될 웨이퍼는 적합한 마스크에 의해 덮여지고 양극 상에 직접 놓여진다. CF4, CHF3, CClF3, HBr, Cl2 및 SF6 또는 이들의 O2, N2, He 또는 Ar 과의 혼합물들과 같은 화학적인 반응성 가스가 에칭 챔버 내에 도입되고 통상적으로 밀리토르 범위에 있는 압력으로 유지된다. 상부 전극에는 가스가 전극을 통해서 챔버 내로 균일하게 분산되도록 허용하는 가스 홀(들) 이 제공된다. 양극 및 음극 사이에 설립된 전기 장이 반응성 가스를 해리시켜 플라즈마를 형성할 것이다. 웨이퍼의 표면은 활성 이온들과의 화학적 상호작용에 의하여 그리고 웨이퍼의 표면을 충격하는 이온들의 운동량 전달에 의하여 에칭된다. 전극들에 의하여 생성된 전기장은 이온들을 음극으로 끌어당김으로써, 이온들이 압도적으로 수직 방향에서 표면을 충격하도록 야기하여 이 프로세스가 잘 디파인된 (well-defined) 수직으로 에칭된 측벽들을 생성하게 할 것이다.
반응성 이온 에칭을 위하여 이용되는 플라즈마들은 높은 부식성의 종들이며 플라즈마들에 노출되는 챔버 구성 요소 표면들은 신속하게 열화될 수 있다. 챔버 구성 요소들의 이러한 열화는 챔버 구성 요소들의 오염으로, 또는 챔버 내에서 처리 중인 기판의 오염으로 유도할 수 있다. 이러한 열화는 오염된 챔버 구성 요소들의 교체 및/또는 오염된 챔버 구성 요소들의 세정을 요구한다. 챔버 구성 요소들의 이러한 교체 및/또는 세정이 처리 챔버의 다운 타임 (down-time) 을 유도한다.
기판을 지지체에 정전기적으로 클램핑하기 위한 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 을 포함하는 기판 지지체가 플라즈마 환경으로의 노출에 기인한 열화를 겪을 수도 있는 하나의 이러한 챔버 구성 요소이다. 기판 지지체들의 이러한 타입들은 통상적으로 서로 부착되는 복수 개의 구성 요소들을 포함한다. 예를 들어, 지지체는 쿨링 판, 히터 요소 및/또는 적합한 접착제에 의하여 서로 본딩되는 세라믹 판을 포함할 수도 있다. 동일인 소유의 미국 특허 번호 제 7,431,788 호에 설명된 바와 같이, 플라즈마 환경으로의 노출로부터 기인한 열화를 최소화하기 위하여, 탄성체 밴드를 이러한 구성 요소들 둘레에 배치하여 접착제가 플라즈마 환경에 직접 노출되는 것으로부터 보호하는 것이 일반적이다. 그러나, 이제는 탄성체 밴드가 플라즈마 환경에 직접적으로 노출되고 그로부터의 열화를 겪는다. 탄성체 밴드는 또한 동작 조건들 하에서의 압축 력들로부터의 열화도 겪는다.
탄성체 밴드가 기판 지지체 둘레에 배치되는 방식도 또한 탄성체 밴드 내에 국부화된 스트레스들을 제공할 수도 있으며, 이것이 탄성체 밴드가 플라즈마 환경으로의 노출로부터의 열화에 더욱 민감해지도록 유도한다. 통상적으로, 탄성체 밴드는 손에 의하여 5점 성상 (star-shaped) 패턴으로 기판 지지체 둘레에 배치된다. 이러한 배치 패턴은 탄성체 내의 더 약한 영역들인 매우 국부화된 스트레스 영역들을 탄성체 내에 생성하고, 이러한 영역들을 플라즈마 환경에 노출될 때 더 큰 질량 손실이 일어나도록 야기함으로써, 일반적으로 탄성체의 크랙을 유도한다.
그러므로, 탄성체 밴드가 플라즈마 환경으로의 노출로부터의 열화에 대해 증가된 저항성을 보이도록, 탄성체 밴드를 기판 지지체 둘레에 설치하는 개선된 방법에 대한 필요성이 존재한다.
탄성체 밴드를 플라즈마 환경 및 압축력들로의 노출로부터의 열화에 대해 증가된 저항성을 가지도록 기판 지지체 둘레에 설치하는 탄성체 밴드 설치 고정체가 본 명세서에서 개시된다. 그러므로, 본 명세서에서 개시된 설치 고정체를 이용하여 기판 지지체 둘레에 설치되는 탄성체 밴드는 더 길어진 동작 수명을 가지게 되고, 따라서 탄성체 밴드가 교체될 필요가 있는 빈도를 감소시킨다. 또한, 탄성체 밴드를 기판 지지체 둘레에 설치하기 위한 탄성체 밴드 설치 고정체를 이용하는 방법들이 본 명세서에 개시된다.
도 1 은 반도체 기판들을 플라즈마 에칭하기에 적합한 처리 챔버의 단면도를 도시한다.
도 2 는 내부에 탑재 홈을 가지는 기판 지지체의 단면도를 도시한다.
도 3 은 탄성체 밴드 설치 고정체의 사시도를 도시한다.
도 4 는 탄성체 밴드 설치 고정체의 단면도를 도시한다.
도 5 는 탄성체 밴드 설치 고정체를 기판 지지체에 안착 (securing) 시키기 위한 기계적 패스너 (fastener) 의 사시도를 도시한다.
도 6 은 기계적 패스너를 이용하여 기판 지지체에 안착된 설치 고정체의 단면도를 도시한다.
도 7 은 기계적 패스너를 이용하여 기판 지지체에 안착된 설치 고정체 및 설치 고정체의 외측 원주 둘레에 배치된 탄성체 밴드의 단면도를 도시한다.
도 8 은 탄성체 밴드가 설치 고정체를 이용하여 기판 지지체의 탑재 홈 내로 삽입되는 방법의 단면도를 도시한다.
도 9a 는 탄성체 밴드를 완전히 탑재 홈 내에 삽입시키기 위하여 이용되는 내장 툴의 사시도를 도시한다.
도 9b 는 기판 지지체의 탑재 홈 내에 삽입된 내장 툴 및 탄성체 밴드의 평면도를 도시한다.
도 10 은 내장 툴이 탄성체 밴드를 탑재 홈 내에 완전히 삽입시킬 수 있는 방법의 단면도를 도시한다.
반응성 이온 에칭 처리 챔버용 기판 지지체들은 통상적으로, 플라즈마 처리 챔버 내의 처리 도중에 기판 또는 웨이퍼가 상부에 클램핑되는 정전 클램핑 층을 포함하는 하부 전극 어셈블리를 포함한다. 하부 전극 어셈블리는 또한 온도 제어된 기저 판 (base plate) 에 본딩된 다양한 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 어셈블리는 히터 판의 상부 측에 접착되도록 본딩된 하나 이상의 정전 전극들을 포함하는 상부 세라믹 층, 히터 판의 밑면에 접착되도록 본딩된 하나 이상의 히터들, 및 히터들 및 히터 판에 접착되도록 본딩된 온도 제어된 기저 판 (이하, 쿨링 판이라고 불린다) 을 포함할 수 있다. 플라즈마 노출된 접착성 본드 층들을 보호하기 위하여, 탄성체 밴드를 포함하는 에지 실 (edge seal) 이 기판 지지체의 본드 층들 둘레에 배치될 수도 있다.
도 1 은 기판들을 에칭하기 위한 예시적인 플라즈마 반응기 (10) 의 단면도를 도시한다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응기 (10) 는 플라즈마 처리 챔버 (12), 및 챔버 (12) 위에 배치되어 플라즈마를 발생시키는 안테나를 포함하는데, 이 안테나는 평면형 코일 (16) 에 의하여 구현된다. RF 코일 (16) 은 통상적으로 매칭 네트워크 (미도시) 를 통해서 RF 발생기 (18) 에 의하여 에너지가 공급된다. 이러한 챔버들은 유도 결합형 플라즈마 (inductively coupled plasma, ICP) 챔버들이라고 불린다. 처리 가스를 챔버 (12) 의 내부로 공급하기 위하여, 가스 분배 판 또는 샤워헤드 (14) 가 제공되는데, 이것은 가스상 소스 재료들, 예를 들어 에천트 소스 가스들을, 샤워헤드 (14) 와 하부 전극 어셈블리 (28) 를 포함하는 기판 지지체 (100) 상에 지지되는 반도체 기판 또는 웨이퍼 (30) 사이의 RF 유도된 플라즈마 영역 내로 방출하기 위한 복수 개의 홀들을 포함하는 것이 바람직하다. 도 1 에는 유도 결합형 플라즈마 반응기가 도시되지만, 플라즈마 반응기 (10) 는 용량 결합형 플라즈마 (capacitive coupled plasma, CCP), 마이크로파, 마그네트론 (magnetron), 헬리콘 (helicon), 또는 다른 적합한 플라즈마 발생 장비들과 같은 다른 플라즈마 발생 소스들을 포함할 수도 있는데, 이 경우 안테나가 생략된다.
또한, 가스상 소스 재료들은 상부 벽을 통과하여 연장하는 하나 이상의 가스 인젝터들 및/또는 챔버 (12) 의 벽들 내에 제작된 가스 분출구들과 같은 다른 배치구성물들에 의하여 챔버 (12) 내로 도입될 수도 있다. 에천트 소스 화학 재료들은, 예를 들어 알루미늄 또는 이것의 합금들 중 하나를 통해서 에칭할 때는 Cl2 및 BCl3 와 같은 할로겐들을 포함한다. 또한, 다른 부식성 화학 재료들 (예를 들어 CH4, HBr, HCl, CHCl3) 및 에칭된 피쳐들의 측벽 패시베이션 (passivation) 을 위한 수소화탄소들 (hydrocarbons), 불화탄소들 (fluorocarbons), 및 수소화불화탄소들 (hydro-fluorocarbons) 과 같은 중합체 형성 종들이 이용될 수도 있다. 이러한 가스들은 선택적인 비활성 및/또는 비반응성 가스들과 함께 채택될 수도 있다.
사용될 때, 웨이퍼 (30) 는 챔버 벽들 (32) 에 의하여 정의되며 하부 전극 어셈블리 (28) 상에 배치된 챔버 (12) 내에 도입된다. 웨이퍼 (30) 는 무선 주파수 발전기 (24) 에 의해 (또한 전형적으로는 매칭 네트워크를 통해서) 바이어스 되는 것이 바람직하다. 웨이퍼 (30) 는 그 상부에 제조된 복수 개의 집적 회로들 (ICs) 을 포함할 수 있다. 예를 들어, IC들은 PLA들, FPGA들 및 ASIC들과 같은 로직 디바이스들 또는 랜덤 액세스 메모리들 (RAMs), 동적 RAM들 (DRAMs), 동기화 DRAM들 (SDRAMs), 또는 판독전용 메모리들 (ROMs) 과 같은 메모리 디바이스들을 포함할 수 있다. RF 전력이 인가되면, 반응 종들 (소스 가스로부터 형성됨) 이 웨이퍼 (30) 의 노출된 표면을 에칭한다. 그러면, 휘발성일 수도 있는 부산물들이 출구 (26) 를 통해서 배기된다. 처리가 완료된 이후에, 웨이퍼 (30) 는 추가 처리될 수 있고 최종적으로는 절단되어 IC들을 개별 칩들로 분리한다.
임의의 플라즈마 한정 (confinement) 장치 (미도시), 챔버 벽 (32), 챔버 라이너 (미도시) 및/또는 샤워헤드 (14) 에는 폴리머 접착성을 증진시키는 표면 거칠기 특징들을 가지는 플라즈마 분사된 코팅 (20) 이 제공될 수 있다. 추가적으로, 기판 지지체 (100) 의 플라즈마 노출된 표면들에도 또한 플라즈마 분사된 코팅 (미도시) 이 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 플라즈마를 한정하는 실질적으로 모든 표면들이 폴리머 접착성을 증진시키는 표면 거칠기 특징들을 가질 것이다. 이러한 방식으로, 반응기 내부의 미립자 오염이 실질적으로 감소될 수 있다.
반응기 (10) 가 금속, 유전체 및 다른 에칭 프로세스들을 위해서도 이용될 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다. 플라즈마 에칭 처리에서, 가스 분배 판은 ICP 반응기 내의 유전체 윈도우 바로 아래에 위치된 원형 판일 수 있고 또는 평행 판 반응기라고 불리는 CCP 반응기 내의 상부 전극 어셈블리의 일부를 형성할 수 있는데, 여기서 가스 분배 판은 반도체 기판 또는 웨이퍼 (30) 와 평행하게 배열된 샤워헤드 전극이다. 가스 분배 판/샤워헤드 전극은 에칭될 층들, 예컨대, 포토레지스트 층, 실리콘 다이옥사이드 층 및 웨이퍼 상의 하층 (underlayer) 재료의 에칭 균일성을 극대화하기 위해 규정된 직경 및 공간 분포를 가지는 홀들의 어레이를 포함한다.
이용될 수 있는 예시적인 평행판 플라즈마 반응기는 이중 주파수 플라즈마 에칭 반응기 (예컨대, 동일인 소유의 미국 특허 번호 제 6,090,304 호를 참조하는데, 이것은 그 전체가 참조로서 본 명세서에 통합된다) 이다. 이런 반응기들에서는, 에칭 가스가 가스 공급부로부터 샤워헤드 전극으로 공급될 수 있고 플라즈마는 두 개의 RF 소스들로부터 샤워헤드 전극 및/또는 하부 전극으로 상이한 주파수들에서 RF 에너지를 공급함으로써 반응기 내에서 발생될 수 있다. 대안적으로, 샤워헤드 전극은 전기적으로 접지될 수 있고, 두 개의 상이한 주파수들에서의 RF 에너지는 하부 전극으로 공급될 수 있다.
도 2 는 함께 본딩되는 다양한 층들을 가지는 기판 지지체 (100) 의 일부의 단면도를 도시하는데, 여기서 노출된 본드 층들은 탄성체 밴드를 포함하는 에지 실을 수용하도록 구성되는 탑재 홈 내에 위치된다. 또한, 기판 지지체 (100) 는 복수 개의 기계적 패스너들을 수용하도록 도록 구성될 수도 있다. 기판 지지체 (100) 는 금속 또는 세라믹으로 구성되는 히터 판 (130) 을 포함한다. 접착성 본딩 층 (120) 은 히터 판 (130) 아래에 배치되고 히터 판 (130) 을 쿨링 판 (110) 에 본딩한다. 다른 접착성 본딩 층 (125) 은 히터 판 (130) 위에 배치되고 히터 판 (130) 을 하나 이상의 정전 클램핑 전극들을 포함하는 세라믹 판 (135) 에 본딩한다. 세라믹 판 (135) 및 쿨링 판 (110) 은 히터 판 (130) 및 본딩 층들 (120, 125) 의 최외각 부분들을 넘어서 연장되어 탑재 홈 (145) 을 형성하는 부분들을 가질 수도 있다. 히터 판 (140) 및 본딩 층들 (120, 125) 의 최외곽 부분들은 실질적으로 서로에 대해서 정렬된다. 바람직하게는, 세라믹 판 (135) 은 히터 판 (130) 및 본딩 층들 (120, 125) 에 비하여 더 큰 직경을 가진다.
일 실시형태에서는, 쿨링 판 (110) 은, 내부에 유체 채널들 (미도시) 을 포함함으로써 온도 제어를 제공하도록 구성될 수 있는데, 유체 채널들을 통해서 온도 제어된 액체가 순환될 수 있다. 쿨링 판 (110) 은 전형적으로 플라즈마 챔버 내의 하부 RF 전극으로서 기능하는 금속 기저 판이다. 쿨링 판 (110) 은 바람직하게는 양극산화된 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함한다. 그러나, 금속, 세라믹, 전기적으로 도전성인 재료들 및 유전체 재료들을 포함하는 임의의 적합한 재료가 이용될 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 일 실시형태에서는, 쿨링 판 (110) 은 양극산화되고 머시닝된 (machined) 알루미늄 블록으로부터 형성된다. 대안적으로는, 쿨링 판 (110) 은 내부에 및/또는 그 상부 표면 상에 하나 이상의 전극들이 위치되는 세라믹 재료로 구성될 수 있다. 추가적으로, 쿨링 판 (110) 은 바람직하게는 중앙으로부터 외부 에지로의 두께 또는 그 직경이 균일하며, 바람직하게는 박형 (thin) 원형 판이다. 쿨링 판 (110) 은 기판 지지체 (100) 를 처리 챔버에 패스닝하는 기계적 패스너들을 수용하기 위한 일련의 스루홀들 (140) 을 포함할 수도 있다.
히터 판 (130) 은, 적어도 하나의 막 히터 (film heater) 가 금속 또는 세라믹 판의 하부에 커플링된 금속 또는 세라믹 판의 형태를 가질 수도 있다. 막 히터는 제 1 절연 층 (예컨대, 유전체 층), 저항성 히팅 층 (예컨대, 전기적으로 저항성인 재료의 하나 이상의 스트립들) 및 제 2 절연 층 (예컨대, 유전체 층) 을 포함하는 호일 라미네이트 (foil laminate) 일 수 있다. 절연 층들은 바람직하게는, 캡톤 (Kapton) 또는 다른 적합한 폴리이미드 막들과 같이, 플라즈마 환경 내의 부식성 가스들에 대한 저항성을 포함하여, 넓은 온도 범위에 걸쳐서 자신의 물리적, 전기적 및 기계적 성질들을 유지할 수 있는 능력을 가지는 재료들로 구성된다. 저항성 히팅 층은 바람직하게는 예컨대 인코넬 (Inconel) 또는 다른 적합한 합금 또는 항부식성 (anti-corrosion) 및 저항성 히팅 재료들과 같은 고강도 합금으로 구성된다. 전형적으로, 막 히터는 전체 두께가 약 0.005 내지 약 0.009 인치이고, 더 바람직하게는 약 0.007 인치 두께인 캡톤, 인코넬, 및 캡톤의 라미네이트의 형태를 가진다.
세라믹 층 (135) 은 바람직하게는 W, Mo 등과 같은 금속성 재료들로 구성되는 내장된 전극을 가지는 세라믹 재료의 정전 클램핑 층이다. 추가적으로, 세라믹 층 (135) 은 바람직하게는 중심으로부터 외부 에지까지의 두께 또는 그 직경이 균일하며, 바람직하게는 200 mm, 300 mm 또는 450 mm 직경의 웨이퍼들을 지지하기에 적합한 박형 원형 판이다. 상부 정전 클램핑 층, 히터 층 및 본딩 층들을 가지는 하부 전극 어셈블리의 세부 사항들은 동일인 소유의 미국 공개 특허 출원 제 2006/0144516 호 내에 개시되는데, 여기서 상부 정전 클램핑 층은 약 0.04 인치의 두께를 가지고, 상부 본딩 층은 약 0.004 인치의 두께를 가지며, 히터 판은 약 0.04 인치의 두께의 금속 또는 세라믹 판 및 약 0.01 인치의 두께의 히터 막을 포함하고, 하부 본딩 층은 약 0.013 내지 0.04 인치의 두께를 가진다. 그러나 클램핑 층, 본드 층들 및 히터 층의 상이한 두께들이 소망되는 처리 결과들을 획득하기 위해서 선택될 수 있다.
접착성 본딩 층들 (120 및 125) 은 바람직하게는 저 모듈러스 재료, 예컨대 탄성 실리콘 또는 실리콘 고무 재료로부터 형성된다. 그러나, 임의의 적합한 본딩 재료가 이용될 수 있다. 접착성 층들 (120 및 125) 의 두께가 소망되는 열 전달 계수에 의존하여 변동할 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 그러므로, 그 두께는 균일하거나 비균일하여, 접착성 본딩 층들 (120 및 125) 의 제조 허용치 (manufacturing tolerances) 에 기반하여 소망되는 열 전달 계수를 제공할 수 있다. 전형적으로, 접착성 본딩 층들 (120 및 125) 의 두께는 규정된 변수를 더하거나 뺀 만큼 자신의 적용 영역 상에서 변동할 것이다. 바람직하게는, 본드 층 두께가 1.5 퍼센트를 넘는 만큼 변동하지 않으면, 기판 지지체 (100) 의 구성 요소들 간의 열 전달 계수는 실질적으로 균일하게 될 수 있다. 예를 들어, 반도체 산업에서 이용되는 전극 어셈블리를 포함하는 기판 지지체에 대해서는, 접착성 본딩 층들 (120 및 125) 은 바람직하게는 넓은 범위의 온도들을 견딜 수 있는 화학적 구조를 가진다. 그러므로, 저 모듈러스 재료는 임의의 적합한 재료, 또는 재료들의 조합으로서, 예컨대 진공 환경과 호환가능하고 높은 온도들 (예를 들어 500 ℃ 까지) 의 열적 열화에 대한 저항성을 가지는 중합체 재료를 포함할 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 일 실시형태에서는, 접착성 본딩 층들 (120 및 125) 은 실리콘을 포함할 수도 있고 약 0.001 내지 약 0.050 인치 사이만큼 두껍고, 더 바람직하게는 약 0.003 내지 약 0.030 인치만큼 두껍다.
도 2 에 도시된 바와 같이, 쿨링 판 (110) 및 세라믹 판 (135) 의 일부는 히터 판 (130), 접착성 본드 층들 (120 및 125) 의 최외곽 부분을 넘어서 연장함으로써, 기판 지지체 (100) 내에 탑재 홈 (145) 을 형성할 수 있다. 접착성 본딩 층들 (120 및 125) 의 재료(들) 는 전형적으로 반도체 플라즈마 처리 반응기들의 반응성 에칭 화학 재료에 대해 저항성을 가지지 않으며, 따라서 유용한 동작 수명을 달성하기 위해서는 보호되어야 한다. 접착성 본딩 층들 (120 및 125) 을 보호하기 위해서, 탄성체 밴드의 형태를 가지는 에지 실을 탑재 홈 (145) 내에 배치함으로써 반도체 플라즈마 처리 반응기들의 부식성 가스들의 관통을 방해하는 견고한 실을 형성하는 것이 제안되어 왔다. 예를 들어, 동일인 소유의 미국 공개 출원들 제 2009/0290145 호 및 제 2010/0078899 호를 참조한다.
전형적으로, 이러한 탄성체 밴드는 5점 성상 스트레칭 패턴으로 손에 의하여 설치된다. 다시 말하면, 탄성체 밴드의 일부가 탑재 홈 내에 삽입되고, 일반적으로 탑재 홈 내에 삽입된 제 1 부분으로부터 약 144 ° 떨어져 있는 부분인 탄성체 밴드의 다른 부분이 스트레칭되어 탑재 홈 내에 삽입된다. 이러한 스트레칭 프로세스는 탄성체 밴드가 탑재 홈 내에 완전히 삽입될 때까지 이전에 삽입된 부분으로부터 약 144° 떨어져 있는 탄성체 밴드의 후속 부분들에 대해서 반복된다. 그러나, 이러한 탄성체 밴드 삽입 방법은 탄성체 밴드 내에 높은 국부화된 스트레스 영역들을 야기한다. 이러한 스트레스 영역들은 탄성체 밴드의 다른 영역들보다 약하며, 플라즈마 환경에 노출되면 더 큰 질량 손실을 당하게 된다. 결국, 더 큰 질량 손실은 탄성체 밴드의 크랙과 같은 열화를 유도하고, 따라서 탄성체 밴드의 교체가 필요하게 한다.
도 3 은 탄성체 밴드의 이러한 스트레스 영역들을 완화하기 위하여 이용될 수 있는 설치 고정체 (150) 를 도시한다. 설치 고정체 (150) 는 환형일 수 있고 탄성체 밴드를 반도체 기판 지지체 둘레의 탑재 홈 내에 탑재하도록 구성될 수도 있다. 기판 지지체 둘레에 탄성체 밴드를 설치하기 위하여 설치 고정체 (150) 를 이용하면 탄성체 밴드 내의 국부 스트레스를 감소시킬 것이며, 동작 조건들 하에서, 예를 들어 플라즈마 환경에 노출되는 경우, 탄성체 밴드 크랙이 발생될 확률을 감소시킬 것이다. 이것이 5점 성상 스트레칭 패턴으로 손에 의하여 설치되는 것들에 비교할 때 더 길어진 동작 수명을 가지는 탄성체 밴드를 얻게 한다. 설치 고정체 (150) 는 각각이 스루홀 (200) 을 포함하는 복수 개의 방사상 연장부들 (190) 을 포함한다. 이러한 방사상 연장부들 (190) 은 반도체 지지체내의 탑재 홀들에 대응하는 위치들에 있는 복수 개의 기계적 패스너들을 수용하도록 구성된다. 바람직하게는, 설치 고정체 (150) 는 네 개의 방사상 연장부들 (190) 을 포함한다. 설치 고정체 (150) 둘레의 각 방사상 연장부 (190) 의 간격은 특정하게 한정되지 않으며, 바람직하게는, 각각의 방사상 연장부 (190) 는 이웃하는 방사상 연장부들 (190) 로부터 약 72 ° 및 108 ° 에 배치된다. 대안적으로는, 각각의 방사상 연장부 (190) 는 이웃하는 방사상 연장부들 (190) 로부터 약 90° 에 배치될 수도 있다. 설치 고정체 (150) 의 내측 직경 (112) 및 외측 직경 (114) 은, 설치 고정체 (150) 가 기판 지지체의 크기와 관련하여 이에 따라 크기 결정되는 한, 특정하게 한정되지 않는다.
도 4 는 내측 부분 (155) 및 외측 부분 (170) 을 포함하는 설치 고정체 (150) 의 단면도를 도시한다. 내측 부분 (155) 은 기판 지지체 (100) 의 상부 표면의 주변부 또는 외측 부분 상부에 위치되도록 구성된다. 예를 들어, 내측 부분 (155) 은 세라믹 층 (135) 상에 수용되고 세라믹 층 (135) 을 그 외측 부분 또는 주변부에 접촉시키도록 구성된다. 내측 부분 (155) 은 오목부들 (165) 을 양 수평 표면들 상에 포함함으로써, 이러한 오목부들 (165) 이 기판 지지체 (100) 에 대한 설치 고정체 (150) 의 정렬을 돕도록 할 수도 있다. 내측 부분 (155) 의 비오목화 부분들은 세라믹 층 (135) 의 외측 주변부에 접촉할 수도 있다. 오목부들 (165) 은 또한 설치 고정체 (150) 의 내측 부분 (155) 의 수평 표면들 및 세라믹 층 (135) 사이의 접촉을 최소화함으로써, 세라믹 층 (135) 의 오염을 방지하는데, 이것은 결국 처리될 기판 또는 웨이퍼 표면의 오염을 방지한다. 오목부들 (165) 의 깊이는, 세라믹 층 (135) 의 최외각 표면에 최근접하도록 배치되는 내측 부분 (155) 의 수평 표면 사이에 충분한 간격이 제공되기만 한다면 특정하게 한정되지 않는다. 오목부들 (165) 은 약 0.01 - 0.05 인치의 깊이를 가질 수도 있다. 바람직하게는, 오목부들 (165) 은 약 0.025 인치의 깊이를 가진다. 내측 부분 (155) 의 부분 (157) 은, 고정체 (150) 가 기판 지지체 (100) 둘레에 탄성체 밴드 (250) 를 설치하는 동안에 휘지 않도록, 설치 고정체 (150) 의 강성을 증가시키는 수평 돌출부 (protrusion) 이다. 만일 설치 고정체 (150) 가 설치 도중에 충분히 휜다면, 탄성체 밴드 (250) 가 고정체 (150) 밖으로 떨어질 수도 있거나, 또는 고정체 (150) 가 영구적으로 변형되어, 그 교체가 필요할 수도 있다. 외측 부분 (170) 은 수직 연장부 (180) 및 스루홀 (200) 을 포함하는 방사상 연장부 (190) 를 포함한다. 수직 연장부 (180) 는 그 자유단에 각진 팁 (angled tip) (185) 을 포함할 수도 있다. 바람직하게는, 각진 팁 (185) 의 각도는 약 10° - 45° 사이이며, 가장 바람직하게는 약 20° 이다. 외측 부분 (180) 의 방사상 연장부 (190) 의 스루홀들 (200) 은 쿨링 판 (110) 의 스루홀들 (140) 과 정렬되도록 구성된다. 바람직하게는, 설치 고정체 (150) 는, 300 mm의 직경을 가지는 기판들 또는 웨이퍼들을 처리하도록 설계되는 기판 지지체에 대하여, 약 10.5 내지 11.5 인치 사이의 내측 부분 (155) 의 최내측 표면에 대한 내측 직경 (112) 을 가진다. 바람직하게는, 내측 직경 (112) 은 약 11.0 인치이다. 바람직하게는, 설치 고정체는 300 mm의 직경을 가지는 기판들 또는 웨이퍼들을 처리하도록 설계되는 기판 지지체에 대하여, 약 11.0 내지 12.0 인치 사이의 수직 연장부 (180) 의 최외각 표면에 대한 외측 직경 (114) 을 가진다. 바람직하게는, 외측 직경 (114) 은 약 11.7 인치이다. 200 mm와 같이 300 mm 보다 작은 직경을 가지거나, 또는 450 mm와 같이 300 mm 보다 큰 직경을 가지는 기판들 또는 웨이퍼들을 처리하는 것과 관련해서는, 설치 고정체 (150) 의 직경들은 이에 따라서 척도변경된다. 외측 직경 (114) 은 또한 탄성체 밴드 (250) 의 직경 및 밴드의 스트레칭 오차 허용치에 의해서 결정될 수도 있다.
바람직하게는, 설치 고정체 (150) 는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (polyethylene terephthalate, PET) 또는 불화탄소, 예를 들어 테프론 (TEFLON) (PTFE-PolyTetraFluoroEthylene, 듀퐁사에서 제조) 과 같은 저마찰 플라스틱 재료로 제조된다. 대안적으로는, 설치 고정체 (150) 는 석영, 세라믹, 금속 또는 실리콘과 같은 다른 재료들로 제조될 수도 있다. 설치 고정체 (150) 를 제조하는 방법들은 특정하게 한정되지 않는다. 예를 들어, 설치 고정체 (150) 는 시작 재료의 블록 또는 환형 피스로부터 머시닝될 수도 있다. 대안적으로는, 설치 고정체 (150) 는 사출 성형될 수도 있다.
도 5 는 설치 고정체 (150) 를 기판 지지체 (100) 에 대해서 회전가능하게 구속하기 위하여 이용되는 대표적 기계적 패스너 (160) 를 도시한다. 기계적 패스너 (160) 는 기판 지지체 (100) 의 스루홀들 (140) 및 설치 고정체 (150) 의 스루홀들 (200) 모두를 통해서 정합되도록 구성되는 로킹 핀일 수도 있다. 바람직하게는, 기계적 패스너 (160) 는 그 형상에 있어서 원통형이거나 반원통형이다. 기계적 패스너 (160) 는 변동하는 직경들을 가지는 복수 개의 부분들을 자신의 길이를 따라서 포함할 수도 있다. 제한하는 것이 아니라 예를 들자면, 기계적 패스너 (160) 의 일 말단 부분 (162) 이 가장 큰 직경을 포함할 수도 있고, 기계적 패스너 (160) 의 일 말단 부분 (166) 이 가장 작은 직경을 포함할 수도 있으며, 그리고 중앙 부분 (164) 이 중간 직경을 포함할 수도 있다. 그러나, 기계적 패스너 (160) 는 원통형이 아닌 모양으로, 예컨대, 사각형, 테이퍼형 (tapered) 또는 다각형의 모양으로 형상화될 수도 있다. 바람직하게는, 기계적 패스너 (160) 의 말단 표면들 (167 및 168) 은 오목화되고 (recessed), 테이블 또는 챔버 벽과 같은 워크피스에 기판 지지체 (100) 를 패스닝하는 각 볼트의 머리를 수용하도록 구성된다. 예를 들어, 기판 지지체 (100) 를 워크피스에 패스닝하는 볼트들이 돔 형상이라면, 기계적 패스너 (160) 의 말단 표면들 (167 및 168) 은 유사한 돔 형상 또는 유사한 오목형상 (concavity) 을 가지고 오목화될 수도 있다. 기판 지지체 (100) 를 워크피스에 패스닝하는 볼트들이 육각형 형상이라면, 기계적 패스너 (160) 의 말단 표면들 (167 및 168) 은 유사한 육각형 형상으로 오목화될 수도 있다. 대안적으로는, 설치 고정체 (150) 는 정렬된 스루홀들 (200 및 140) 을 통해서 정합되는 대신에 워크피스 및 설치 고정체 (150) 에 대해서 상부에서 누르는 록킹 핀들에 의하여 기판 지지체 (100) 에 대해 회전가능하게 구속될 수도 있다. 스루홀들 (200 및 140) 이 정렬되면, 기계적 패스너 (160) 가 정렬된 스루홀들 (200 및 140) 의 각각의 세트를 통과하여 삽입될 수 있어, 설치 고정체 (150) 가 기판 지지체 (100) 에 대해서 회전가능하도록 구속된다. 기계적 패스너 (160) 의 치수들은, 이것이 설치되는 경우 충분히 회전가능하게 설치 고정체 (150) 를 구속할 수만 있다면 특별하게 한정되지 않는다. 표면 (167) 에서 표면 (168) 까지의 기계적 패스너 (160) 의 길이는 바람직하게는 약 1-2 인치 사이이다. 더 바람직하게는, 이 길이는 약 1.4 인치이다. 말단 부분 (162) 은 바람직하게는 약 0.3-0.5 인치의 길이를 가지며, 더욱 바람직하게는, 약 0.375 인치의 길이를 가진다. 말단 부분 (166) 은 바람직하게는 약 0.5-0.8 인치의 길이를 가지며, 더욱 바람직하게는, 약 0.7 인치의 길이를 가진다. 중앙 부분 (164) 은 바람직하게는 약 0.2-0.4 인치의 길이를 가지며, 더욱 바람직하게는, 약 0.3 인치의 길이를 가진다. 이러한 부분들 각각의 직경도 또한 말단 부분들 (162 및 166) 이 쿨링 판 (110) 의 스루홀 (140) 내에 정합될 수 있는 한, 그리고 중앙 부분 (164) 이 설치 고정체 (150) 의 방사상 연장부 (190) 의 스루홀 (200) 내에 정합될 수 있는 한 특별히 한정되지는 않는다.
도 6 은 본 명세서에서 개시되는 바와 같은 탄성체 밴드의 설치 방법의 시작 단계의 일 실시형태의 단면도를 도시한다. 각각의 기계적 패스너 (160) 의 최대 직경을 가지는 말단 부분 (162) 이 쿨링 판 (110) 의 각각의 스루홀 (140) 내에 안착된다. 다음으로, 설치 고정체 (150) 가 기판 지지체 (100) 의 세라믹 층 (135) 위에 위치됨으로써, 스루홀들 (200) 을 가지는 각각의 방사상 연장부 (190) 가 쿨링 판 (110) 의 각각의 스루홀 (140) 내에 위치되는 각각의 기계적 패스너 (160) 와 정렬되고, 내측 부분 (155) 의 비오목화 부분들이 세라믹 층 (135) 의 외측 주변부와 접촉하도록 한다. 그러면, 설치 고정체 (150) 는 수직 연장부 (180) 의 각진 팁 (185) 이 세라믹 층 (135) 으로부터 떨어져 대향되게 세라믹 층 (135) 위에 배치됨으로써, 설치 고정체 (150) 의 스루홀들 (200) 이 기계적 패스너 (160) 의 중앙 부분들 (164) 둘레에 배치되도록 한다. 이제 설치 고정체 (150) 는 기판 지지체 (100) 에 대하여 회전가능하게 구속된다. 이제 탄성체 밴드 (250) 가, 하방 지향 점선 화살표에 의하여 표시된 바와 같이, 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 의 외측 원주 둘레에 배치될 수도 있다.
도 7 은 본 명세서에서 개시되는 바와 같은 탄성체 밴드의 설치 방법의 일 중간 단계의 일 실시형태의 단면도를 도시한다. 탄성체 밴드 (250) 는 탄성체 밴드 (250) 를 원주에 정합되도록 스트레칭함으로써 수직 연장부 (180) 의 최외각 원주 둘레에 배치된다. 바람직하게는, 탄성체 밴드 (250) 는 수직 연장부 (180) 의 최외측 원주 둘레에 배치될 때 그 원주의 2%를 초과하여 스트레칭되지 않는데, 그 이유는 그렇게 하면 그 탄성을 영구적으로 왜곡할 수 있기 때문이다. 수직 연장부 (180) 의 각진 팁 (185) 은 탄성체 밴드 (250) 가 그 원주의 2%를 초과하여 스트레칭되지 않도록 보장하는 것 및 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 (145) 과 같은 탑재 홈 내에 슬라이딩 시키는 것을 용이하게 하는 것을 돕는다. 탄성체 밴드 (250) 는 설치 고정체 (150) 둘레에서 앞뒤로 회전함으로써 자신의 국부화된 내부 스트레스들로부터 완화될 수도 있다. 탄성체 밴드 (250) 는 적어도 약 20° 만큼 설치 고정체 (150) 둘레에서 앞뒤로 회전될 수도 있다. 바람직하게는, 탄성체 밴드 (250) 는 설치 고정체 (150) 둘레에서 앞뒤로 적어도 약 20° - 90° 만큼 회전되고, 더 바람직하게는, 적어도 약 180° 만큼 회전된다. 바람직하게는, 앞뒤로의 회전은 적어도 두 번 수행되고, 그리고 더 바람직하게는, 적어도 4-5 회 수행된다.
도 8 은 본 명세서에서 개시되는 바와 같은 탄성체의 설치 방법의 제 2 중간 단계의 일 실시형태의 단면도를 도시한다. 탄성체 밴드 (250) 가 앞뒤로 회전된 바 있고 그것의 국부화된 내부 스트레스들이 완화된 이후에, 설치 고정체 (150) 및 기계적 패스너 (160) 는 설치 고정체 (150) 의 수평 평면 주위에서 180°반전되고 기판 지지체 (100) 에 재안착된다. 다시 말하면, 설치 고정체 (150) 및 기계적 패스너들 (160) 은, 각진 팁 (185) 이 하방 지향되고 탑재 홈 (145) 에 근접하도록 거꾸로 뒤집힌다. 내측 부분 (155) 의 비오목화 부분들은 세라믹 층 (135) 의 외측 주변부의 상부 표면에 접촉한다. 그러면, 탄성체 밴드 (250) 가 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 로부터 벗어나 탑재 홈 (145) 내로 슬라이딩되는데, 이는 하방 지향된 점선 화살표에 의해서 표시되는 바와 같다. 이제, 설치 고정체 (150) 및 기계적 패스너들 (160) 은 기판 지지체 (100) 로부터 제거될 수도 있다.
탄성체 밴드 (250) 가 탑재 홈 (145) 내에 배치된 경우, 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 (145) 내로 더욱 누를 것이 요청될 수도 있다. 도 9a 는 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 내로 더 누르기 위하여 이용될 수 있는 대표적 내장 툴 (embedding tool) (300) 을 도시한다. 내장 툴 (300) 은 4 인치 폭보다 적으며, 바람직하게는 약 2 인치만큼 넓은 만곡된 피스 (curved piece) 일 수도 있다. 또한, 내장 툴 (300) 은 4 인치 길이보다 적을 수도 있으며, 바람직하게는 약 2 인치만큼 길 수도 있다. 내장 툴 (300) 은 또한 1 인치 두께보다 적을 수도 있으며, 바람직하게는 약 0.3-0.5 인치만큼 두꺼울 수도 있다. 내장 툴 (300) 은 플라스틱, 석영, 세라믹, 금속, 또는 실리콘으로 구성될 수도 있다. 바람직하게는, 내장 툴 (300) 은 폴리에테르에테르케톤 (polyetheretherketon, PEEK) 또는 불화탄소, 예를 들어 테프론 (TEFLON) 과 같은 플라스틱으로 구성된다. 내장 툴 (300) 은 그 형상이 정방형이거나 사각형일 수도 있다. 바람직하게는 툴 (300) 의 두 개의 대항 측면 표면들 (301, 302) 은 오목한 방식으로 만곡되어 탄성체 밴드 (250) 를 누르는 것을 용이하게 한다. 바람직하게는, 만곡된 측면 표면들 (301, 302) 은 도 9b 에 도시된 바와 같은 기판 지지체와 실질적으로 동일한 곡률 반경을 가진다. 측면 표면 (301) 은 자신의 외측 부분들에 위치한 방사상 연장부 (308) 와 함께 자신의 내측 부분에 오목부 (305) 를 포함할 수도 있다. 각각의 방사상 연장부 (308) 는 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 내로 더욱 누르기 위하여 구성된 돌기 (projection) (310) 를 포함하는 것이 바람직하다. 측면 표면 (302) 은 일련의 만입부들 (indentations) (312) 을 포함할 수도 있다. 바람직하게는, 측면 표면 (302) 은 측면 표면 (302) 에 걸쳐서 등변으로 이격되는 3 개의 만입부들 (312) 을 포함한다. 측면 표면 (302) 은 탄성체 밴드 (250) 에 걸쳐 눌려지도록 구성되어 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 내로 더욱 압축시키고, 따라서 탄성체 밴드 (250) 가 자신이 삽입된 탑재 홈을 넘어서 실질적으로 연장되지 않도록 보장한다.
도 10 은 본 명세서에서 개시되는 바와 같은 탄성체 밴드의 설치 방법의 최종 단계의 일 실시형태의 단면도를 도시한다. 탄성체 밴드 (250) 가 탑재 홈 내에 삽입된 이후에, 내장 툴 (300) 의 측면 표면 (301) 의 방사상 연장부들 (308) 의 돌기들 (310) 은 탄성체 밴드 (250) 의 외측 대향 표면을 따라서 이동되어 탄성체 밴드 (250) 에 대해서 누르고 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 내에 더욱 삽입할 수도 있다. 이후에, 내장 툴 (300) 의 측면 표면 (302) 은 탄성체 밴드 (250) 의 외측 대향 표면 및 쿨링 판 (110) 의 외측 표면을 따라서 이동되어 탄성체 밴드 (250) 가 자신이 삽입된 탑재 홈을 넘어서 실질적으로 연장되지 않도록 보장할 수도 있다.
그러므로, 탄성체 밴드 (250) 를, 플라즈마 처리 챔버 내의 반도체 기판을 지지하기 위하여 이용되는 기판 지지체 (100) 의 일부 둘레에 보호 에지 실로서 설치하기 위한 방법은, 다음과 같이 요약될 수도 있다: a) 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 둘레에 탄성체 밴드 (250) 를 배치하는 단계; 및 b) 탄성체 밴드 (250) 를 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 로부터 벗어나 탄성체 밴드 (250) 를 수용하도록 구성되는 기판 지지체 (100) 내의 탑재 홈 (145) 내로 슬라이딩시키는 단계.
이러한 방법은, 선택적으로 위의 단계 a) 이전에, 하기의 단계들, 기판 지지체 (100) 를 처리 챔버 내측 또는 외측에 배치된 테이블 또는 처리 챔버 벽과 같은 워크피스에 안착시키는 단계; 설치 고정체 (150) 를 기판 지지체 (100) 로 적어도 하나의 기계적 패스너 (160) 를 이용하여 안착시킴으로써, 설치 고정체 (150) 가 기판 지지체 (100) 에 대하여 회전가능하게 구속되게 하고, 그리고 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 가 기판 지지체 (100) 로부터 떨어져 대향하도록 하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 이러한 방법은 선택적으로, 단계 a) 및 b) 사이에, 하기의 단계들, 탄성체 밴드 (250) 를 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 둘레에서 회전시키는 단계; 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 가 기판 지지체 (100) 에 대향하도록 설치 고정체 (150) 를 포지셔닝하는 단계; 및 설치 고정체 (150) 의 수직 연장부 (180) 가 기판 지지체 (100) 에 대향하는 동안 기판 지지체 (100) 로 설치 고정체 (150) 를 안착시키는 단계를 더 포함할 수도 있다. 이러한 방법은 선택적으로, 위의 단계 b) 이후에, 하기의 단계, 툴 (300) 을 탄성체 밴드 (250) 에 대해서 누르고 탄성체 밴드 (250) 를 탑재 홈 (145) 내로 압축함으로써, 탄성체 밴드 (250) 가 탑재 홈 (145) 내로 완전히 삽입되도록 하는 단계를 더 포함한다.
위에서 설명된 방법은, 기판 지지체가 처리 챔버 내측 또는 외측에 배치되는 동안 기판 지지체 (100) 둘레에 탄성체 밴드 (250) 를 설치한다는 것이 주목된다. 설치의 용이성 때문에, 기판 지지체 (100) 가 처리 챔버의 외측에 배치되는 동안 탄성체 밴드 (250) 를 기판 지지체 (100) 둘레에 설치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 처리 챔버의 외측에 있으면, 기판 지지체 (100) 는 탄성체 밴드 (250) 의 설치를 위한 테이블과 같은 워크피스에 기계적으로 패스닝될 수도 있다. 처리 챔버의 내측에 있으면, 기판 지지체 (100) 는 또한 탄성체 밴드 (250) 의 설치를 위한 챔버 벽과 같은 워크피스에 기계적으로 패스닝될 수도 있다.
위에서 설명된 방법은 탄성체 설치 키트로서: a) 상이한 직경들을 가지는 적어도 세 개의 부분들을 포함하는 복수 개의 기계적 패스너들; b) 기판 지지체의 최상부 표면 위에 위치되도록 구성되는 내측 부분 및 상기 내측 부분을 둘러싸는 외측 부분을 포함하는 환형 설치 고정체로서, 외측 부분은 탄성체 밴드를 수용하도록 구성되는 수직 연장부 및 복수 개의 기계적 패스너들을 수용하도록 구성되는 복수 개의 방사상 연장부들을 포함하는, 환형 설치 고정체; 및 c) 탄성체 밴드를 기판 지지체 내의 탑재 홈 내로 누르도록 구성되는 만곡된 내장 툴로서, 상기 툴은 오목한 방식으로 만곡된 두 개의 대항 표면들 (opposing surfaces) 을 포함하며, 여기서 하나의 만곡된 표면은 그의 외측 부분에 위치한 방사상 연장부들과 함께 그의 내측 부분에 위치한 오목부를 포함하고, 각각의 방사상 연장부는 돌기를 포함하며; 그리고 대항하는 만곡된 표면은 일련의 등변으로 이격된 만입부들을 포함하는, 만곡된 내장 툴을 포함하는, 탄성체 설치 키트를 이용하여 수행될 수도 있다.
탄성체 밴드를 기판 지지체 둘레에 설치하기 위해 설치 고정체 (150), 기계적 패스너 (160), 및 내장 툴 (300) 을 이용하는 것은 보다 종래의 "5점 성상 패턴" 에 의하여 설치되는 탄성체 밴드들에 대해 장점들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 개시되는 바와 같이 설치되는 탄성체 밴드는 플라즈마 에칭 챔버들과 같은 챔버들 내에 배치되는 기판 지지체의 증가된 서비스가능성 (serviceability) 을 제공할 수 있다. 이러한 증가된 서비스가능성은 부식성 플라즈마 환경들에 대한 증가된 저항성으로부터 유래하는데, 이것은 예를 들어 플라즈마 에칭과 같은 동작 조건들 하에서 탄성체 밴드가 크랙되는 경향을 감소시킨다. 본 명세서에서 개시되는 바와 같이 설치되는 탄성체 밴드들은 보다 종래의 "5점 성상 패턴"에 의하여 설치되는 탄성체 밴드들의 그것보다 약 두 배인 동작 수명을 가진다.
탄성체 밴드 (250) 는 임의의 적합한 반도체 처리 호환가능 재료로부터 구성될 수 있다. 예를 들어, 탄성체 밴드 (250) 는, 경화되어 불소탄성체 (fluoroelastomer) 를 형성할 수 있는 경화성 불소탄성 불소중합체들 (fluoroelastomeric fluoropolymers, FKM) 로 구성되는 것이 바람직하며, 또는 경화성 과불소탄성 과불소중합체 (perfluoroelastomeric perfluoropolymers, FFKM) 이 이용될 수 있다. 탄성체 밴드 (250) 는 높은 화학적 저항성, 저온 및 고온 가용성 (capability), 플라즈마 반응기 내의 플라즈마 마모에 대한 저항성, 저 마찰, 및 전기적 및 열적 절연 특성들을 가지는 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 바람직한 재료는, 퍼라스트 유한 회사 (Perlast Ltd.) 로부터 이용가능한 퍼라스트 (PERLAST) 와 같은, 60 내지 85를 포함하지만 이에 한정되지 않는 쇼어 A 듀로미터 강도 (Shore durometer hardness) 를 갖고, 1.9 내지 2.1를 포함하지만 이에 한정되지 않는 비중을 갖는 과불소탄성체이다. 다른 밴드 재료는 듀퐁 고품질 탄성체들 (DuPont Performance Elastomers) 로부터 이용가능한 칼레즈 (KALREZ) 이다. 퍼라스트 및 칼레즈는 FFKM 탄성체들이다. 탄성체 밴드 (250) 의 형상도 특별하게 한정되지 않으며, 탄성체 밴드는 단면이 원형, 정방형, 또는 사각형일 수도 있다. 탄성체 밴드 (250) 는 또한, 동일인 소유의 2011년 10월 20일에 출원된 미국 출원 일련 번호 제 13/277,873 호에 개시된 바와 같은 오목 외측 표면을 가지는 사각형 단면과 같은, 불규칙적으로 성형된 단면을 가질 수도 있다.
본 명세서에서 개시된 바와 같이, 탄성체 밴드를 기판 지지체 둘레에 설치하기 위하여 설치 고정체 (150), 기계적 패스너 (160), 및 내장 툴 (300) 을 이용해서 설치된 탄성체 밴드를 포함하는 기판 지지체는 반도체 기판들을 플라즈마 처리하기에 적합한 임의의 신규한 처리 챔버 내에 구성되거나 또는 현존하는 처리 챔버들을 새로 보강하도록 구성될 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 특정 시스템 내에서, 세라믹 판 (135), 쿨링 판 (110) 및 히터 판 (130) 의 특정 형상은 척 (chuck), 기판 및/또는 다른 구성 요소들에 의존하여 변경될 수도 있다는 것이 이해되어야만 한다. 그러므로, 도 2, 6 내지 8, 및 10에 도시된 바와 같은 세라믹 판 (135), 쿨링 판 (110) 및 히터 판 (130) 의 정확한 형상은 예시적인 목적으로만 도시된 것이며 어느 경우에도 한정하는 것이 아니다. 또한, 원한다면 탄성체 밴드 (250) 는 기판 지지체 (100) 가 완전히 조립되기 이전에 기판 지지체 (100) 둘레에 배치될 수 있다는 것이 역시 이해될 수 있다. 다시 말하면, 탄성체 밴드 (250) 는 세라믹 판 (135) 이 기판 지지체 (100) 의 상부 표면일 경우 또는 히터 판 (130) 이 기판 지지체 (100) 의 상부 표면일 경우 기판 지지체 (100) 둘레에 배치될 수 있다. 예를 들어, 탄성체 밴드 (250) 는 세라믹 층 (135) 이 기판 지지체 (100) 상에 설치되기 이전에 기판 지지체 (100) 둘레에 설치될 수 있다. 이에 따라서, 설치 고정체 (150) 는 기판 지지체 (100) 의 상부 표면으로서 히터 판 (130) 상부에 배치될 수 있는데, 히터 판 (130) 은 전형적으로 세라믹 판 (135) 보다 작은 직경을 가진다. 이러한 경우에, 설치 고정체 (150) 의 내측 직경 (112) 은 히터 판 (130) 의 직경과 같거나 이것보다 크다.
비록 본 발명이 본 발명의 바람직한 실시형태들과 연관하여 설명되어 있지만, 구체적으로 설명되지 않은 추가, 삭제, 수정, 및 대체들이 첨부된 청구의 범위 내에 정의된 바와 같은 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 처리 챔버 내의 반도체 기판을 지지하기 위하여 이용되는 반도체 기판 지지체의 일부 둘레에 보호 에지 실 (protective edge seal) 로서 탄성체 밴드 (elastomer band) 를 설치하는 방법으로서,
    a) 상기 탄성체 밴드를 설치 고정체 (installation fixture) 의 수직 연장부 둘레에 배치하는 단계; 및
    b) 상기 탄성체 밴드를 상기 설치 고정체의 상기 수직 연장부로부터 벗어나 상기 탄성체 밴드를 수용하도록 구성되는 상기 반도체 기판 지지체 내의 탑재 홈 (mounting groove) 내로 슬라이딩시키는 단계를 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a) 이전에:
    상기 반도체 기판 지지체를 상기 플라즈마 처리 챔버의 외측에 배치된 워크피스에 안착 (secure) 시키는 단계를 더 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a) 이전에:
    상기 설치 고정체의 수직 연장부가 상기 반도체 기판 지지체로부터 떨어져 대향하도록 상기 설치 고정체를 상기 반도체 기판 지지체에 안착시키는 단계를 더 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성체 밴드는 불소탄성 (fluoroelastomeric) 또는 과불소탄성 (perfluoroelastomeric) 재료로 이루어지며,
    상기 탄성체 밴드를 설치하는 방법은, 상기 단계 a) 및 b) 사이에:
    상기 탄성체 밴드를 상기 설치 고정체의 상기 수직 연장부 둘레에서 회전시키는 단계를 더 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a) 및 b) 사이에:
    상기 설치 고정체의 상기 수직 연장부가 상기 반도체 기판 지지체에 대향하도록, 상기 설치 고정체를 포지셔닝하는 단계를 더 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 단계 a) 및 b) 사이에:
    상기 설치 고정체의 상기 수직 연장부가 상기 반도체 기판 지지체를 대향하는 동안에 상기 설치 고정체를 상기 반도체 기판 지지체에 안착시키는 단계를 더 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 b) 이후에:
    툴을 상기 탄성체 밴드에 대하여 누르고 상기 탄성체 밴드를 상기 탑재 홈 내로 압축하는 단계를 더 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 기판 지지체는 테이블에 안착되는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판 지지체는 플라즈마 에칭 챔버 내측에 위치되는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판 지지체는 상부 표면으로서 세라믹 판 또는 히터 판을 포함하는, 탄성체 밴드를 설치하는 방법.
  11. 플라즈마 처리 챔버 내의 반도체 기판을 지지하기 위하여 이용되는 반도체 기판 지지체 둘레의 탑재 홈 내에 탄성체 밴드를 탑재시키도록 구성되는 환형 설치 고정체로서,
    a) 상기 반도체 기판 지지체의 상부 표면의 외측 부분 상부에 위치되도록 구성되는 내측 부분; 및
    b) 상기 내측 부분을 둘러싸는 외측 부분으로서, 상기 외측 부분은 상기 탄성체 밴드를 수용하도록 구성되는 수직 연장부 및 상기 반도체 기판 지지체 내의 탑재 홀들에 대응하는 위치들에 있는 복수 개의 기계적 패스너들 (mechanical fasteners) 을 수용하도록 구성되는 복수 개의 방사상 연장부들을 포함하는, 상기 외측 부분을 포함하는, 환형 설치 고정체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 수직 연장부는 그 자유단에 각진 팁 (angled tip) 을 갖는, 환형 설치 고정체.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 설치 고정체는 플라스틱, 석영, 세라믹, 금속 또는 실리콘으로 구성되는, 환형 설치 고정체.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 설치 고정체는 플라스틱으로 구성되는, 환형 설치 고정체.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 플라스틱은 불화탄소를 포함하는, 환형 설치 고정체.
  16. 탄성체 밴드 설치 키트로서,
    a) 탄성체 밴드를 반도체 기판 지지체 둘레의 탑재 홈 내에 탑재시키도록 구성되는 환형 설치 고정체로서,
    상기 반도체 기판 지지체의 상부 표면의 상부에 위치되도록 구성되는 내측 부분과, 상기 탄성체 밴드를 수용하도록 구성되는 수직 연장부 및 상기 반도체 기판 지지체 내의 탑재 홀들에 대응하는 위치들에 있는 복수개의 기계적 패스너들을 수용하도록 구성되는 스루홀들을 포함하는 복수 개의 방사상 연장부들을 포함하며, 상기 내측 부분을 둘러싸는 외측 부분을 포함하는, 상기 환형 설치 고정체;
    b) 상기 탄성체 밴드를 상기 반도체 기판 지지체 내의 탑재 홈 내로 누르도록 구성되는 만곡된 내장 툴 (curved embedding tool) 로서, 상기 만곡된 내장 툴은 오목한 방식으로 만곡된 두 개의 대항 표면들 (opposing surfaces) 을 포함하며, 여기서 하나의 만곡된 표면은 그 외측 부분들에서의 방사상 연장부들과 함께 그 내측 부분에서의 오목부를 포함하고, 각각의 방사상 연장부는 돌기 (projection) 를 포함하며, 그리고 대항하는 만곡된 표면은 일련의 등변으로 이격된 만입부들 (indentations) 을 포함하는, 상기 만곡된 내장 툴; 및
    c) 각각이 상기 반도체 기판 지지체의 스루홀들을 통해서 그리고 상기 설치 고정체의 스루홀들을 통해서 정합 (fit) 되도록 구성되는 복수 개의 기계적 패스너들을 포함하는, 탄성체 밴드 설치 키트.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 환형 설치 고정체의 상기 수직 연장부는 각진 팁을 갖는, 탄성체 밴드 설치 키트.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 환형 설치 고정체는 저마찰 플라스틱 재료로 구성되는, 탄성체 밴드 설치 키트.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 환형 설치 고정체는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (polyethylene terephthalate, PET) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌 (polytetrafluoroethylene, PTFE) 으로 구성되는, 탄성체 밴드 설치 키트.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 만곡된 내장 툴은 폴리에테르에테르케톤 (polyetheretherketon, PEEK) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE) 으로 구성되는, 탄성체 밴드 설치 키트.
KR1020120126830A 2011-11-10 2012-11-09 탄성체 밴드를 위한 설치 고정체 및 이를 이용한 방법들 KR102033792B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/293,972 2011-11-10
US13/293,972 US8844106B2 (en) 2011-11-10 2011-11-10 Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130051908A true KR20130051908A (ko) 2013-05-21
KR102033792B1 KR102033792B1 (ko) 2019-10-17

Family

ID=48279267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120126830A KR102033792B1 (ko) 2011-11-10 2012-11-09 탄성체 밴드를 위한 설치 고정체 및 이를 이용한 방법들

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8844106B2 (ko)
KR (1) KR102033792B1 (ko)
CN (1) CN103117242B (ko)
TW (1) TWI595590B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8844106B2 (en) * 2011-11-10 2014-09-30 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US9502279B2 (en) * 2013-06-28 2016-11-22 Lam Research Corporation Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface
US9583377B2 (en) * 2013-12-17 2017-02-28 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands
KR20220024568A (ko) * 2019-06-18 2022-03-03 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템들을 위한 감소된 직경 캐리어 링 하드웨어

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000052631A (ko) * 1999-01-06 2000-08-25 오쯔보 히데오 평면가공장치 및 평면가공방법
US6435941B1 (en) * 2000-05-12 2002-08-20 Appllied Materials, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical planarization
KR20080026627A (ko) * 2005-07-19 2008-03-25 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 시스템에서 사용하기에 적합한 기판지지체에서의 결합층의 보호 방법
CN201619077U (zh) * 2010-01-14 2010-11-03 张家港富瑞特种装备股份有限公司 用于套装高压阀门压帽上的o型圈的工装

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3231659B2 (ja) * 1997-04-28 2001-11-26 日本電気株式会社 自動研磨装置
US6090304A (en) 1997-08-28 2000-07-18 Lam Research Corporation Methods for selective plasma etch
JP3665188B2 (ja) * 1997-09-03 2005-06-29 不二越機械工業株式会社 研磨装置
US6346038B1 (en) * 1998-12-15 2002-02-12 Mitsubishi Materials Corporation Wafer loading/unloading device and method for producing wafers
US6390894B1 (en) * 1998-12-21 2002-05-21 Derlan Aerospace Canada Face gear manufacturing method and apparatus
US6771482B2 (en) * 2001-07-30 2004-08-03 Unaxis Usa Inc. Perimeter seal for backside cooling of substrates
US8038796B2 (en) 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
US7884925B2 (en) 2008-05-23 2011-02-08 Lam Research Corporation Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials
WO2010036707A2 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Lam Research Corporation Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring
CN201669651U (zh) * 2010-05-12 2010-12-15 扬州天富龙汽车内饰纤维有限公司 一种o型圈安装工具
US8844106B2 (en) * 2011-11-10 2014-09-30 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US8677586B2 (en) * 2012-04-04 2014-03-25 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000052631A (ko) * 1999-01-06 2000-08-25 오쯔보 히데오 평면가공장치 및 평면가공방법
US6435941B1 (en) * 2000-05-12 2002-08-20 Appllied Materials, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical planarization
KR20080026627A (ko) * 2005-07-19 2008-03-25 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 시스템에서 사용하기에 적합한 기판지지체에서의 결합층의 보호 방법
CN201619077U (zh) * 2010-01-14 2010-11-03 张家港富瑞特种装备股份有限公司 用于套装高压阀门压帽上的o型圈的工装

Also Published As

Publication number Publication date
US20130117986A1 (en) 2013-05-16
TWI595590B (zh) 2017-08-11
US8844106B2 (en) 2014-09-30
CN103117242B (zh) 2015-10-28
KR102033792B1 (ko) 2019-10-17
US9355884B2 (en) 2016-05-31
TW201342519A (zh) 2013-10-16
CN103117242A (zh) 2013-05-22
US20140366360A1 (en) 2014-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240077138A1 (en) Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) Edge seal for lower electrode assembly
US9583377B2 (en) Installation fixture for elastomer bands
KR101277842B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템에서 사용하기에 적합한 기판지지체에서의 결합층의 보호 방법
KR102108584B1 (ko) 엘라스토머 밴드용 설치 고정 장치 및 이의 사용 방법
US9355884B2 (en) Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US9502279B2 (en) Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right