KR20130049577A - Photoresist stripper composition - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 플랫패널디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서 패턴 형성 시, 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수한 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a resist stripper composition excellent in the ability to remove residues of a resist by dry / wet etching during pattern formation in a manufacturing process of a flat panel display substrate.
최근 플랫패널디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 건식 식각 공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력 및 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다.Recently, as the demand for high resolution implementation of flat panel displays increases, efforts have been made to increase the number of pixels per unit area. In accordance with this trend, a reduction in wiring width is required, and in order to cope with this, the process conditions are becoming more severe, such as the introduction of a dry etching process. In addition, due to the larger size of the flat panel display device, an increase in signal speed in the wiring is also required. Accordingly, copper having a lower specific resistance than aluminum has been put into practical use as a wiring material. In keeping with this, the required performance for the stripping solution used in the stripping step, which is a resist removal step, is also increasing. Specifically, a considerable level of peeling characteristics are required for the removal force on the etching residue and the corrosion inhibiting force on the metal wiring, which occur after the dry etching process. In particular, corrosion resistance to copper as well as aluminum is required, and in order to secure price competitiveness, economics such as increasing the number of substrates are required.
상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 새로운 기술이 공개되고 있다. 예컨대, 대한민국 공개특허 2010-0033653은 N-메틸포름아미드 및 N,N-디메틸아세트아미드의 혼합 극성용매에 테트라에틸렌글리콜을 함유하며 부가적으로 부식방지제로서 트리아졸계 화합물과 갈산 유도체를 함유하는 비수계 포토레지스트용 박리액 조성물을 제안하고 있다. 상기 박리액은 알루미늄 합금막에 우수한 방식성능을 갖지만 부식방지제에 의한 박리액의 색변화가 발생할 수 있고 수분함량이 없어, 건식 잔사에 취약한 문제점을 가지고 있다.In response to the needs of such industries, new technologies are being published. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2010-0033653 includes a non-aqueous system containing tetraethylene glycol in a mixed polar solvent of N-methylformamide and N, N-dimethylacetamide and additionally containing a triazole compound and a gallic acid derivative as a corrosion inhibitor. The peeling liquid composition for photoresists is proposed. The stripping solution has excellent corrosion resistance to the aluminum alloy film but may cause color change of the stripping solution due to a corrosion inhibitor and has no moisture content, thereby having a problem of being vulnerable to dry residue.
대한민국 공개특허 2010-0095287은 유기 아민 화합물, 극성용매 및 티올 화합물을 포함하는 포토레지스트용 박리액 조성물을 개시하고 있으나, 티올 화합물의 경우 분자간의 수소결합이 약하므로 끓는점은 낮고, 티올 화합물의 종류에 따라 물의 용해성이 떨어질 수 있다는 단점이 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2010-0095287 discloses a photoresist stripper composition comprising an organic amine compound, a polar solvent, and a thiol compound. However, the thiol compound has a low boiling point because the hydrogen bonds between molecules are weak. Therefore, there is a disadvantage that the solubility of water may be reduced.
따라서, 본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서 패턴 형성 시, 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, 물 및 극성용매에 용해성이 뛰어난 부식 방지제의 사용으로 기판 표면에 부식 방지제가 잔류하지 않으면서 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선에 부식을 발생시키지 않을 뿐만 아니라 부식 방지제에 의한 박리액 조성물의 색변화를 야기시키지 않는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention is excellent in removing residues of resist by dry / wet etching during pattern formation in the manufacturing process of flat panel display substrate, and corrosion of substrate surface by using corrosion inhibitor which is excellent in solubility in water and polar solvent. It is an object of the present invention to provide a resist stripper composition which does not cause corrosion of the metal wiring including aluminum and / or copper without causing the inhibitor to remain, and does not cause color change of the stripper composition by the corrosion inhibitor.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (a) 하기 화학식 1의 부식 방지제 0.01~5중량%, (b) 알카리계 화합물 1~40중량%, (c) 하기 화학식 2의 용매 및 기타 유기용매를 포함하는 용매 55~90중량%를 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention (a) 0.01 to 5% by weight of the corrosion inhibitor of the formula (1), (b) 1 to 40% by weight of the alkaline compound, (c) a solvent and other organic solvent of the formula (2) It provides a resist stripper composition comprising 55 to 90% by weight of a solvent.
[화학식 1][Formula 1]
상기 식에서In the above formula
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,R2, R3 and R4 are each independently a bond or C1-5 alkylene,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,R1, R5 and R6 are each independently hydrogen or saturated or unsaturated C1-5 alkyl,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,R7 is R8COOR9 or OR10,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,R8 is C1-5 saturated or unsaturated alkylene,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.
R9 and R10 are each independently hydrogen or C1-5 saturated or unsaturated alkyl.
[화학식 2][Formula 2]
CH3O-(CH2CH2O)n-R11CH3O- (CH2CH2O) n-R11
상기 식에서, n은 1~3의 정수이고, R11은 C1~5의 알킬이다.
Wherein n is an integer of 1 to 3, and R11 is C1-5 alkyl.
본 발명은 또한 (d) 탈이온수를 추가로 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.The present invention also provides a resist stripper composition further comprising (d) deionized water.
또한, 본 발명은 In addition,
플랫패널디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계;Depositing a conductive metal film on the flat panel display substrate;
상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;Forming a resist film on the conductive metal film;
상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;Selectively exposing the resist film;
상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;Developing the resist film after the exposure to form a resist pattern;
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 식각 공정 후, 상기 레지스트 패턴 형성 및 식각에 의해 변성 및 경화된 레지스트를 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계를 포함하는 레지스트 박리방법을 제공한다.Etching the conductive metal film using the resist pattern as a mask; And after the etching process, it provides a resist stripping method comprising the step of peeling the resist modified and cured by the resist pattern formation and etching using the resist stripper composition according to the present invention.
본 발명은 또한 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조된 플랫 패널디스플레이 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention also provides a flat panel display device comprising a flat panel display substrate manufactured using the resist stripper composition.
플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서 패턴 형성 시 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, 물 및 화학식 2로 나타내어지는 용매에 대한 용해성이 뛰어난 부식 방지제의 사용으로 기판 표면에 부식 방지제가 잔류하지 않는 효과가 있다. 또한 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선에 부식을 발생시키지 않을 뿐만 아니라 부식 방지제에 의한 박리액 조성물의 색변화를 야기시키지 않으므로 투명한 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 효과가 있다.In the manufacturing process of a flat panel display substrate, a corrosion inhibitor is applied to the surface of the substrate by using a corrosion inhibitor having excellent ability to remove residues of the resist by dry / wet etching during pattern formation and excellent solubility in water and a solvent represented by the formula (2). There is an effect that does not remain. In addition, there is an effect of providing a transparent resist stripper composition because not only does not cause corrosion to the metal wiring including aluminum and / or copper, but also causes color change of the stripper composition by a corrosion inhibitor.
본 발명은 (a) 하기 화학식 1의 부식 방지제 0.01~5중량%, (b) 알카리계 화합물 1~40중량%, (c) 하기 화학식 2의 용매 및 기타 유기용매를 포함하는 용매 55~90중량%를 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다. The present invention is (a) 0.01 to 5% by weight of the corrosion inhibitor of the formula (1), (b) 1 to 40% by weight of the alkali compound, (c) 55 to 90 weight of the solvent comprising a solvent of the formula (2) and other organic solvents It provides a resist stripper composition containing%.
[화학식 1][Formula 1]
상기 식에서In the above formula
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,R2, R3 and R4 are each independently a bond or C1-5 alkylene,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,R1, R5 and R6 are each independently hydrogen or saturated or unsaturated C1-5 alkyl,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,R7 is R8COOR9 or OR10,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,R8 is C1-5 saturated or unsaturated alkylene,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.R9 and R10 are each independently hydrogen or C1-5 saturated or unsaturated alkyl.
[화학식 2][Formula 2]
CH3O-(CH2CH2O)n-R11CH3O- (CH2CH2O) n-R11
상기 식에서, n은 1~3의 정수이고, R11은 C1~5의 알킬이다.Wherein n is an integer of 1 to 3, and R11 is C1-5 alkyl.
본 발명의 레지스트 박리액은 알카리계 화합물에 의해 레지스트를 잘 박리하고, 화학식 2의 용매를 포함하여 레지스트 고분자를 잘 용해시키고 박리액의 사용 기간을 늘려주며, 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 할 수 있는 한편, 화학식 1의 부식방지제에 의해 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선에 부식을 발생시키지 않는다.The resist stripping solution of the present invention is well stripped of the resist by the alkali-based compound, including the solvent of formula (2) to dissolve the resist polymer well and increase the use period of the stripping solution, resorption of the stripping solution and the dissolved resist / While reattachment can be minimized, the corrosion inhibitor of Formula 1 does not cause corrosion in the metal wiring including aluminum and / or copper.
이하 본 발명의 성분들을 자세히 설명한다. 그러나 본 발명의 범위가 이들 설명에 의해 제한되지는 않는다.Hereinafter, the components of the present invention will be described in detail. However, the scope of the present invention is not limited by these descriptions.
(a) 부식 방지제(a) corrosion inhibitor
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 하기 화학식 1의 부식방지제를 포함한다.The resist stripper composition of the present invention includes a corrosion inhibitor of the following Chemical Formula 1.
[화학식 1][Formula 1]
상기 식에서In the above formula
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,R2, R3 and R4 are each independently a bond or C1-5 alkylene,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,R1, R5 and R6 are each independently hydrogen or saturated or unsaturated C1-5 alkyl,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,R7 is R8COOR9 or OR10,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,R8 is C1-5 saturated or unsaturated alkylene,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.R9 and R10 are each independently hydrogen or C1-5 saturated or unsaturated alkyl.
상기 화학식 1에서 바람직하게는 R2 및 R4는 결합이고, R3는 메틸렌이다.In Formula 1, preferably, R2 and R4 are a bond, and R3 is methylene.
상기 화학식 1에서 바람직하게는 R7은 R8COOH이고, R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌이다. In Formula 1, R7 is preferably R8COOH, and R8 is C1-5 saturated or unsaturated alkylene.
화학식 1로 나타내어지는 부식 방지제의 종류로는 바람직하게는 숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭 아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 및 우릭 아미드 에스터 등의 유기산 아미드 에스터류를 들을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The kind of corrosion inhibitor represented by the formula (1) is preferably succinic amide ester, maleic amide ester, maleic amide ester, fumaric amide ester, oxalic amide ester, malonic amide ester, glutaric amide ester, ace Organic acid amide esters such as tic amide ester, lactic amide ester, citric amide ester, tartaric amide ester, glucolic amide ester, formic amide ester and urimid amide ester. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
상기 화학식 1의 화합물은 부식방지제의 역할을 하는 것으로 특히 물 및 극성용매에 대한 용해성이 뛰어나 레지스트의 박리 후 탈이온수로 린스 시에 부식 방지제가 기판 표면에 잔류하지 않으며, 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선 금속배선의 부식 방지능력이 뛰어난 반면 박리액 조성물의 색변화를 야기시키지 않는다. The compound represented by Chemical Formula 1 serves as a corrosion inhibitor, and in particular, it has excellent solubility in water and polar solvents, and therefore, the corrosion inhibitor does not remain on the surface of the substrate when rinsed with deionized water after stripping of the resist, and includes aluminum and / or copper. The metal wiring is excellent in the corrosion protection of the metal wiring, but does not cause the color change of the stripper composition.
상기 (a)부식 방지제는 조성물 총 중량에 대해 0.01~5중량%로 포함하는 것이 바람직하고, 0.05~3중량%가 더욱 바람직하다. 0.01중량%미만이면 박리 혹은 탈이온수에 의한 린스 공정에서 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선에 부식이 발생 할 수 있으며 5중량%를 초과할 경우 부식 방지제 함량 증가에 따른 부식 방지 효과의 향상을 얻을 수 없으므로 경제적으로 옳지 않으며 조성물의 점도를 상승시켜 편리성을 저하시킬 수 있다.The (a) corrosion inhibitor is preferably included in 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.05 to 3% by weight based on the total weight of the composition. If it is less than 0.01% by weight, corrosion may occur in the metal wiring including aluminum and / or copper in the peeling or rinse process using deionized water, and when it exceeds 5% by weight, the corrosion protection effect may be improved by increasing the content of the corrosion inhibitor. It cannot be obtained economically and can increase the viscosity of the composition, thereby reducing the convenience.
본 발명은 추가로 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계화합물과 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논과 같은 퀴논계 화합물 그리고 카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 및 갈릭산 등과 같은 알킬 갈레이트 화합물 등을 부식방지제로 포함할 수 있다.The present invention further provides benzotriazole, tolytriazole, methyl tolytriazole, 2,2 '-[[[benzotriazole] methyl] imino] bisethanol, 2,2'-[[[methyl- 1 hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bismethanol, 2,2 '-[[[ethyl-1 hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol, 2, 2 '-[[[methyl-1 hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol, 2,2'-[[[methyl-1 hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] Imino] biscarboxylic acid, 2,2 '-[[[methyl-1 hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bismethylamine, 2,2'-[[[amine-1 hydrogen-benzo Azole compounds such as triazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol and quinone compounds such as 1,2-benzoquinone, 1,4-benzoquinone, 1,4-naphthoquinone and anthraquinone; Corrosion preventing alkyl gallate compounds such as catechol, pyrogallol, methyl gallate, propyl gallate, dodecyl gallate, octyl gallate, and gallic acid It may include zero.
또한 본 발명의 추가로 유기산을 포함할 수 있는데, 그 예로는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 모노카르복실산, 수산, 말론산, 글루탄산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸르마산, 글루타코닉산과 같은 디카르복실산, 트리멜리트산, 트리카르발릴산과 같은 트리카르복실산, 그리고 히드록시초산, 젖산, 살리실산, 말산, 주석산, 구연산, 글루콘산과 같은 하이드록시카르복실산 등이 있으나, 이에 한정되지는 않는다.In addition, the present invention may further include an organic acid, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, monocarboxylic acid, hydroxyl acid, malonic acid, glutanoic acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, puramic acid, gluta Dicarboxylic acids such as konic acid, trimellitic acid, tricarboxylic acids such as tricarvallylic acid, and hydroxycarboxylic acids such as hydroxyacetic acid, lactic acid, salicylic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, gluconic acid, and the like. It is not limited to this.
(b) (b) 알카리계Alkaline system 화합물 compound
알카리계 화합물은 바람직하게는 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류 등을 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.Alkali-based compounds are preferably KOH, NaOH, Tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH), Tetraethyl ammonium hydroxide (TEAH), carbonates, phosphates, ammonia and amines, and these may be used alone or in combination of two or more. Can be.
상기 아민류에는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있다.Examples of the amines include primary amines such as methylamine, ethylamine, monoisopropylamine, n-butylamine, sec-butylamine, isobutylamine, t-butylamine and pentylamine; Secondary such as dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, dibutylamine, diisobutylamine, methylethylamine, methylpropylamine, methylisopropylamine, methylbutylamine, methylisobutylamine, etc. Amines; Tertiary amines such as diethyl hydroxyamine, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, dimethylethylamine, methyldiethylamine and methyldipropylamine; Choline, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monopropanolamine, 2-aminoethanol, 2- (ethylamino) ethanol, 2- (methylamino) ethanol, N-methyl diethanolamine, N, N-dimethyl Ethanolamine, N, N-diethylethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) -1-ethanol, 1-amino-2-propanol, 2-amino-1-propanol, 3-amino-1-propanol, Alkanolamines such as 4-amino-1-butanol and dibutanolamine; (Butoxymethyl) diethylamine, (methoxymethyl) diethylamine, (methoxymethyl) dimethylamine, (butoxymethyl) dimethylamine, (isobutoxymethyl) dimethylamine, (methoxymethyl) diethanolamine , (Hydroxyethyloxymethyl) diethylamine, methyl (methoxymethyl) aminoethane, methyl (methoxymethyl) aminoethanol, methyl (butoxymethyl) aminoethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol Alkoxyamines; 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl) methylpiperazine, N- (3-aminopropyl) morpholine, 2-methyl Piperazine, 1-methylpiperazine, 1-amino-4-methylpiperazine, 1-benzyl piperazine, 1-phenyl piperazine, N-methylmorpholine, 4-ethylmorpholine, N-formylmorpholine, N And cyclic amines having a ring such as-(2-hydroxyethyl) morpholine or N- (3-hydroxypropyl) morpholine.
상기 알카리계 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며. 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.The alkali compounds strongly penetrate into the polymer matrix of the deteriorated or crosslinked resist under various process conditions such as dry or wet etching, ashing or ion implant processing, and thus may be used in or between molecules. To break existing bonds. An empty space is formed in the structurally weak portion of the resist remaining on the substrate to deform the resist into an amorphous polymer gel mass so that the resist attached to the top of the substrate can be easily removed.
상기 알카리계 화합물은 조성물 총 중량에 대해 1~40중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 알카리계 화합물은 조성물 총 중량에 대해 보다 바람직하게는 1~20중량%, 가장 바람직하게는 5~15중량% 포함된다. 상기와 같은 함량으로 포함되는 경우에 본 발명의 레지스트 박리액 조성물이 레지스트 박리효과의 미흡 문제나 알루미늄 및 구리 배선에 대한 부식 속도의 급격한 증가의 문제 없이 바람직한 박리특성을 발휘한다. The alkali compound is preferably included in 1 to 40% by weight based on the total weight of the composition. The alkali compound is more preferably contained in an amount of 1 to 20% by weight, most preferably 5 to 15% by weight, based on the total weight of the composition. When included in the content as described above, the resist stripper composition of the present invention exhibits desirable stripping properties without the problem of insufficient resist stripping effect or the sharp increase of the corrosion rate for aluminum and copper wiring.
(c) 용매 (c) solvent
(c1) 화학식 2로 나타내어지는 용매(c1) a solvent represented by the formula (2)
[화학식 2][Formula 2]
CH3O-(CH2CH2O)n-R11CH3O- (CH2CH2O) n-R11
상기 식에서, n은 1~3의 정수이고, R11은 C1~5의 알킬이다.Wherein n is an integer of 1 to 3, and R11 is C1-5 alkyl.
이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용될 수 있다. 상기 화학식 2로 나타내어지는 용매의 구체적인 예로는, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.These may each be used alone or in combination. Specific examples of the solvent represented by Formula 2 include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methylethyl ether, diethylene glycol methylbutyl ether, triethylene glycol methylbutyl ether, and the like. These can be mentioned, These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
상기 화학식 2의 용매는 포토레지스트의 주 구성요소로 사용되는 레진에 대한 용해력이 뛰어나, 박리효과가 빠른 시간내에 나타나도록 하고, 박리액의 사용량 및 기간을 늘려주는 역할을 하여, 비용과 시간의 절약효과를 가져다 준다. 또한 상기 알카리계 화합물 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다.The solvent of the formula (2) is excellent in dissolving power to the resin used as the main component of the photoresist, so that the peeling effect appears in a quick time, and serves to increase the amount and duration of the stripping solution, saving cost and time Brings effect. It also serves to dissolve the resist polymer gelled by the alkali-based compound, and also facilitates the removal of the stripping solution by water in the rinse process of deionized water after stripping the resist, thereby resorbing / reattaching the stripping solution and the dissolved resist. Minimize
(c2) 기타 유기 용매(c2) other organic solvents
본 발명은 상기 화학식 2의 용매와 함께 일반적은 유기 용매를 혼합하여 사용하는데, 더욱 바람직하게는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜의 모노알킬 에테르류; 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트; 테트라하이드로퍼푸릴 알코올; Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The present invention uses a mixture of a general organic solvent with the solvent of the formula (2), more preferably ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, di Ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, Such as triethylene glycol monobutyl ether, polyethylene glycol, polyethylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether ) Monoalkyl ether of an alkylene glycol; Propylene glycol monomethyl ether acetate; Tetrahydrofurfuryl alcohol; Pyrrolidone compounds such as N-methyl pyrrolidone (NMP) and N-ethyl pyrrolidone; Imidazolidinone compounds such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-dipropyl-2-imidazolidinone; lactone compounds such as γ-butyrolactone; Sulfoxide compounds such as dimethylsulfoxide (DMSO) and sulfolane; Phosphate compounds such as triethyl phosphate, tributyl phosphate and the like; Carbonate compounds such as dimethyl carbonate and ethylene carbonate; Formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N- (2-hydroxyethyl) acetamide, 3-methoxy Amide compounds such as -N, N-dimethylpropionamide, 3- (2-ethylhexyloxy) -N, N-dimethylpropionamide, 3-butoxy-N, N-dimethylpropionamide, and the like. It can be used individually or in mixture of 2 or more types.
상기 유기 용매는 상기 알카리계 화합물에 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다. The organic solvent serves to dissolve the resist polymer gelled by the alkali-based compound, and also facilitates the removal of the stripping solution by water in the rinsing process of the deionized water after the stripping of the resist, thereby re-removing the stripping solution and the dissolved resist. Minimize adsorption / reattachment.
본 발명에서 상기 화학식 2의 용매 및 기타 유기용매를 포함하는 용매는 조성물 총 중량에 대해 55~95중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 또한 용매 중 화학식 2의 용매 및 기타 유기용매는 바람직하게는 20 : 80 ~ 80 : 20 중량비로 포함될 수 있다. 상기 화학식 2의 용매 및 기타 유기용매는 30 : 70 ~ 50 : 50 중량비로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 제거 성능의 발현에도 유리하며 동시에 처리매수 증가 효과에 유리하다. 상기 용매의 함량이 55중량% 미만이면 레지스트 용해도가 저하되어 처리매수가 감소되며 탈이온수로 린스 공정 시에 완전한 이물제거 효과를 얻을 수 없다. 또한 용매의 함량이 90중량%를 초과하면 상대적으로 알카리계 화합물 함량이 너무 감소되어 가교되거나 변질된 레지스트의 제거성을 떨어트리게 된다.In the present invention, the solvent including the solvent of Formula 2 and other organic solvents is preferably included in 55 to 95% by weight relative to the total weight of the composition. In addition, the solvent of the formula (2) and other organic solvents in the solvent may preferably be included in 20: 80 ~ 80: 20 weight ratio. The solvent of Formula 2 and other organic solvents are more preferably included in a weight ratio of 30:70 to 50:50. When included in the content range as described above, it is also advantageous for the expression of the removal performance of the modified or crosslinked resist polymer by etching, etc., and at the same time advantageous in increasing the number of treatment. If the content of the solvent is less than 55% by weight, the resist solubility is lowered and the number of treated sheets is reduced, it is not possible to obtain a complete foreign matter removal effect in the rinsing process with deionized water. In addition, when the content of the solvent exceeds 90% by weight, the content of the alkali compound is relatively reduced so that the removal of crosslinked or deteriorated resist is reduced.
(d) (d) 탈이온수Deionized water
본 발명의 레지스트 박리액은 상기 화학식 1로 나타내는 부식 방지제, 알카리계 화합물, 화학식 2로 나타내는 용매 및 유기용매를 포함하는 용매로 이루어진 조성물에 추가로 탈이온수를 포함할 수 있다. 탈이온수는 상기 알카리계 화합물의 활성화를 향상시켜 속도를 증가시키며, 상기 화학식 2의 용매에 혼합되어 탈이온수에 의한 린스 공정 시 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 레지스트 박리액을 빠르고 완전하게 제거시킬 수 있다.The resist stripper of the present invention may further include deionized water in a composition comprising a corrosion inhibitor represented by Chemical Formula 1, an alkali-based compound, a solvent represented by Chemical Formula 2, and a solvent including an organic solvent. Deionized water increases the rate by improving the activation of the alkali-based compound, and can be quickly and completely removed from the organic contaminants and resist stripping liquid remaining on the substrate during the rinsing process by mixing with the solvent of the formula (2) have.
상기 탈이온수가 포함되는 경우에는 조성물 총 중량에 대해 1~20중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 1중량% 미만이면 탈이온수를 포함하지 않는 조성물과 비교하여 건식/습식 식각 공정에 의해 가교되거나 변질된 레지스트의 제거력 향상 효과를 얻을 수 없고 20중량%를 초과하면 레지스트의 용해용량을 감소시켜 처리매수를 감소시키며, 박리액에 기판을 장시간 침적시키는 경우 금속 배선의 부식을 유발시킬 수 있다.When the deionized water is included, it is preferable to include 1 to 20% by weight based on the total weight of the composition. If less than 1% by weight, compared to the composition containing no deionized water, the effect of improving the removal ability of the resist crosslinked or altered by the dry / wet etching process cannot be obtained. The deposition of the substrate in the stripping solution for a long time may cause corrosion of the metal wiring.
본 발명은 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법을 제공한다. 상기의 레지스트의 박리 방법은, The present invention also provides a resist stripping method characterized by using the resist stripper composition of the present invention. The above-mentioned resist peeling method is a method for peeling a resist,
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,(I) depositing a conductive metal film on a flat panel display substrate,
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;(II) forming a resist film on the conductive metal film;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;(III) selectively exposing the resist film;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(IV) developing the resist film after exposure to form a resist pattern;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및(V) etching the conductive metal film using the resist pattern as a mask; And
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔존하는 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.(VI) after the etching process, a step of peeling the remaining resist from the substrate using the resist stripper composition of the present invention.
또한, 본 발명은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조된 플랫패널디스플레이 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention also provides a flat panel display device comprising a flat panel display substrate prepared using the resist stripper composition of the present invention.
상기의 제조방법에 의하여 제조된 플랫패널디스플레이 장치는 제조과정에서 레지스트의 제거가 완벽하게 이루어지고, 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식도 거의 발생하지 않으므로 뛰어난 품질을 갖는다. The flat panel display device manufactured by the above-described manufacturing method has excellent quality since the resist is completely removed during the manufacturing process and the corrosion of the metal wiring including aluminum and / or copper hardly occurs.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are provided for illustrating the present invention, and the present invention is not limited by the following examples, and various modifications and changes may be made.
실시예Example 1~10 및 1-10 and 비교예Comparative example 1~7: 1 ~ 7: 레지스트Resist 박리액Stripper 조성물의 제조 Preparation of the composition
하기의 표 1에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.The resist stripper composition was prepared by mixing the components and contents shown in Table 1 below.
[중량%](b)
[weight%]
[중량%](d)
[weight%]
[중량%](a)
[weight%]
주)) MEA: 모노에탄올아민MEA: monoethanolamine
DEA: 디에탄올아민DEA: diethanolamine
MDEA: N-메틸디에탄올아민MDEA: N-methyldiethanolamine
HEP: 히드록시에틸 피페라진HEP: hydroxyethyl piperazine
TMAH: 테트라메틸암모늄 히드록사이드TMAH: Tetramethylammonium Hydroxide
DMSO: 디메틸술폭사이드DMSO: Dimethyl Sulfoxide
NMP: N-메틸피롤리돈NMP: N-methylpyrrolidone
NMF: N-메틸포름아미드NMF: N-methylformamide
DMDG: 디에틸렌글리콜 디메틸 에테르DMDG: Diethylene Glycol Dimethyl Ether
MEDG: 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르MEDG: diethylene glycol methylethyl ether
MBTG: 트리에틸렌글리콜 부틸메틸 에테르MBTG: triethylene glycol butylmethyl ether
DMTG : 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르DMTG: Triethylene Glycol Dimethyl Ether
MG: 메틸 갈레이트MG: methyl gallate
BTA: 벤조트리아졸BTA: Benzotriazole
Cat.: 카테콜Cat .: Catechol
A: 숙시닉 아미드 에스터 (King Industries 사, CDI-4303)A: succinic amide ester (KDI Industries, Inc., CDI-4303)
B: 머캅토 숙신산B: mercapto succinic acid
실험예Experimental Example 1: One: 박리액Stripper 조성물의 Of the composition 색변화Color change
레지스트 박리액 조성물의 색변화를 확인하기 위하여, 상기의 실시예 1~10 및 비교예 1~7의 조성으로 각각의 함유물을 혼합한 후 박리액과 대기가 접하도록 개방한 상태에서 24시간 동안 50℃에서 용액내의 고형 시약이 완전히 용해될 때까지 교반기를 이용하여 교반시키면서 색변화를 관찰 하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었으며 박리액 조성물의 색이 변하면 X, 색변화가 없으면 O로 표현 하였다.In order to confirm the color change of the resist stripper composition, after mixing the respective contents in the compositions of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 7 above, and for 24 hours in an open state to contact the stripper and the atmosphere The color change was observed by stirring using a stirrer until the solid reagent in the solution was completely dissolved at 50 ℃. The results are shown in Table 2 below. When the color of the stripper composition changes, X is expressed and O is expressed when there is no color change.
상기 표 2에서 확인되는 바와 같이 실시예 1~10 및 비교예 1, 비교예 3, 비교예 6~7에서는 색변화가 관찰되지 않았으며 비교예 2, 비교예 5에서는 붉은 색의 색변화가 관찰되었다. 또한 비교예 4에서는 실시예 10과 달리 박리액 조성물이 뿌옇게 흐려지며 층분리 현상이 관찰되었다. 이러한 결과로부터 본 발명에 사용된 부식 방지제는 색변화를 야기시키지 않을 뿐만 아니라 박리액 조성물에 대한 용해성이 우수함을 알 수 있다. As confirmed in Table 2, color changes were not observed in Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 and 3, and Comparative Examples 6 to 7, and color changes of red were observed in Comparative Examples 2 and 5. It became. In addition, in Comparative Example 4, unlike Example 10, the peeling liquid composition became cloudy and a layer separation phenomenon was observed. From these results, it can be seen that the corrosion inhibitor used in the present invention not only causes the color change but also has excellent solubility in the stripper composition.
실험예Experimental Example 2: 박리성능 및 처리매수 성능 2: peeling performance and number of sheets
레지스트 박리액 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/Mo-Ti층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 레지스트 박리용 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 10분간 상기 기판을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 탈이온수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 탈이온수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 3에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시 하였다.In order to confirm the peeling effect of the resist stripper composition, after forming a Mo / Al, Cu / Mo-Ti layer using a thin film sputtering method on a glass substrate according to a conventional method, after forming a photoresist pattern, the wet Substrates in which metal films were etched by etching and dry etching were prepared, respectively. After the temperature of the resist stripping composition was kept constant at 50 ° C., the substrate was dipped for 10 minutes to evaluate the peel force. Thereafter, the substrate was cleaned with deionized water for 1 minute to remove the peeling liquid remaining on the substrate, and the substrate was completely dried with nitrogen to remove deionized water remaining on the substrate after cleaning. Denatured or cured resist and dry etching residue removal performance of the substrate was confirmed using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700), and the results are shown in Table 3 below, very good ◎, good ○, normal (Triangle | delta), and the defect were marked with x.
레지스트 박리액 조성물의 기판 처리매수를 평가하기 위해 고형화된 포토레지스트(130℃에서 1일간 열처리를 통해 용매를 모두 제거시켜 고형화 시킨 포토레지스트) 1~5 중량%를 순차적으로 용해시킨 박리액 조성물을 준비하였다. 상기 박리액 조성물에 포토레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 Mo/Al, Cu/Mo-Ti 배선 기판을 50℃에서 10분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 잔사가 발행하는 시점을 확인하였다. 그 결과를 하기의 표 3에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시 하였다.In order to evaluate the number of substrate treatment sheets of the resist stripper composition, a stripper composition was prepared by sequentially dissolving 1 to 5% by weight of a solidified photoresist (photoresist solidified by removing all solvent through heat treatment at 130 ° C. for 1 day). It was. After the photoresist pattern was formed on the stripper composition, the Mo / Al and Cu / Mo-Ti wiring boards etched with a metal film by wet etching and dry etching were deposited at 50 ° C. for 10 minutes, and then cleaning and drying were performed. Through the scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700) was confirmed the time of the residue issuance. The results are shown in the following Table 3, and very good is indicated by ◎, good is ○, usually △, poor is ×.
(고형화 레지스트 농도)Processing Sheet Performance
(Solidified resist concentration)
상기 표 3에 나타난 결과로부터 실시예 1~9, 비교예 1~3의 레지스트 박리액 조성물은 습식 식각에 의한 레지스트 박리력이 뛰어날 뿐만 아니라 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사 제거에 대해 모두 우수한 성능을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 그러나 비교예 6의 알카리계 화합물이 포함되어 있지 않는 경우는 습식 및 건식 식각을 거친 레지스트의 제거성능이 불량한 결과를 보였으며, 건식 식각으로 처리된 레지스트의 경우 실시예 10 및 비교예 5, 비교예 7에서 확인되는 것과 같이 비양자성 극성용매의 함량이 상대적으로 낮아지면 제거력이 보통 정도임을 확인할 수 있다.From the results shown in Table 3, the resist stripping agent compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 3 were excellent in resist stripping ability by wet etching, as well as excellent performance in removing all of the resist and the etching residue after dry etching. It can be seen that. However, when the alkali-based compound of Comparative Example 6 was not included, the removal performance of the wet and dry etch resists was poor. In the case of the dry etched resists, Example 10, Comparative Example 5, and Comparative Example were used. As can be seen in Figure 7, if the content of the aprotic polar solvent is relatively low, it can be confirmed that the removal power is moderate.
상기 표 3에 나타난 처리매수 성능 평가의 결과로부터 실시예 1~7,9 및 비교예 1~3의 레지스트 박리액 조성물에서는 고형화 레지스트 함량이 4중량% 이상에서부터 기판에 잔사가 발생하기 시작하여 처리매수 성능이 우수함을 알 수 있으나, 비교예 5~7의 경우와 같이 비양자성 극성용매의 함량이 상대적으로 낮아지거나 알칼리계 화합물이 포함되지 않을 경우 고형화 레지스트 함량이 1중량% 및 2중량% 이상부터 기판에 잔사가 발생하기 시작하여 처리매수의 성능이 낮음을 알 수 있다.In the resist stripper compositions of Examples 1 to 7, 9 and Comparative Examples 1 to 3 from the results of the treatment sheet performance evaluation shown in Table 3, residues began to occur on the substrate from the solidified resist content of 4% by weight or more. It can be seen that the performance is excellent, but as in the case of Comparative Examples 5-7, when the content of the aprotic polar solvent is relatively low or the alkali-based compound is not included, the solidification resist content is from 1% by weight and 2% by weight or more. Residues began to occur in the process, indicating that the performance of the treated sheets was low.
실험예Experimental Example 3: 금속 배선의 3: of metal wiring 부식방지력Corrosion protection 평가 evaluation
레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력 평가를 위해, Cr/Al과 Cu/Mo-Ti 배선 이 노출된 기판을 사용하였다. 박리액 조성물을 60℃로 , 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 4에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시 하였다.In order to evaluate the anti-corrosion ability of the resist stripper composition against metallization, a substrate in which Cr / Al and Cu / Mo-Ti interconnection was exposed was used. The stripper composition was evaluated at 60 ° C. using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700) after washing and drying. The results are shown in the following Table 4, and very good is indicated by ◎, good is ○, usually △, defective is ×.
상기 표 4에 나타난 결과로부터, 본 발명의 실시예 1~10의 박리액 조성물은 박리액에 의한 공정에서 금속배선에 대해 우수한 부식 방지 성능을 나타낸 반면, 비교예 1~3 및 비교예 7의 조성물을 사용한 경우는 방식제 결여에 대한 부식을 확인할 수 있다. 또한 실시예 1~10 조성물의 사용에서 알 수 있듯이 본 발명에서 사용된 부식 방지제는 단독으로 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선을 동시에 부식 방지하는 것이 가능하지만, 비교예 2~3, 비교예 5에서 보여지는 바와 같이 비교예 조성물은 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식 방지를 위해서는 2종 이상의 부식 방지제가 필요함을 알 수 있다.From the results shown in Table 4, the peeling liquid compositions of Examples 1 to 10 of the present invention showed excellent corrosion protection against metal wiring in the process by the peeling liquid, whereas the compositions of Comparative Examples 1 to 3 and Comparative Example 7 If used, corrosion can be confirmed for the lack of anticorrosive. In addition, as can be seen from the use of the compositions of Examples 1 to 10, the corrosion inhibitor used in the present invention can simultaneously prevent corrosion of metal wires including aluminum and / or copper alone, but Comparative Examples 2 to 3 and Comparative Examples As shown in 5, the comparative composition can be seen that two or more kinds of corrosion inhibitors are required to prevent corrosion of metal wires including aluminum and / or copper.
Claims (9)
[화학식 1]
상기 식에서
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.
[화학식 2]
CH3O-(CH2CH2O)n-R11
상기 식에서, n은 1~3의 정수이고, R11은 C1~5의 알킬이다.0.01 to 5% by weight of a corrosion inhibitor of Formula 1, (b) 1 to 40% by weight of an alkali compound, and (c) 55 to 90% by weight of a solvent including a solvent of Formula 2 and other organic solvents. A resist stripping liquid composition.
[Formula 1]
In the above formula
R2, R3 and R4 are each independently a bond or C1-5 alkylene,
R1, R5 and R6 are each independently hydrogen or saturated or unsaturated C1-5 alkyl,
R7 is R8COOR9 or OR10,
R8 is C1-5 saturated or unsaturated alkylene,
R9 and R10 are each independently hydrogen or C1-5 saturated or unsaturated alkyl.
(2)
CH3O- (CH2CH2O) n-R11
Wherein n is an integer of 1 to 3, and R11 is C1-5 alkyl.
상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
상기 식각 공정 후, 잔존하는 레지스트를 청구항 1의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계를 포함하는 레지스트 박리방법.Depositing a conductive metal film on the flat panel display substrate;
Forming a resist film on the conductive metal film;
Selectively exposing the resist film;
Developing the resist film after the exposure to form a resist pattern;
Etching the conductive metal film using the resist pattern as a mask; And
After the etching process, the resist stripping method comprising the step of peeling the remaining resist using the resist stripper composition of claim 1.
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