KR20130043393A - Apparatus and method for deposition - Google Patents

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KR20130043393A KR1020110107467A KR20110107467A KR20130043393A KR 20130043393 A KR20130043393 A KR 20130043393A KR 1020110107467 A KR1020110107467 A KR 1020110107467A KR 20110107467 A KR20110107467 A KR 20110107467A KR 20130043393 A KR20130043393 A KR 20130043393A
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황민영
김무성
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A depositing apparatus and a depositing method are provided to uniformly supply a reaction gas to a wafer by using a first susceptor with a shower shape. CONSTITUTION: A heating member(50) is located outside a chamber. A first susceptor(20) and a second susceptor(30) are located in the chamber. The first susceptor includes a gas spray unit. The gas spray unit is located on the upper side of the first susceptor and includes a plurality of holes.

Description

증착 장치 및 증착 방법{APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITION}Evaporation apparatus and deposition method {APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITION}

본 기재는 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a deposition apparatus and a deposition method.

일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer) 상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.In general, chemical vapor deposition (CVD) is widely used in the art of forming various thin films on a substrate or a wafer. The chemical vapor deposition method is a deposition technique involving a chemical reaction, which uses a chemical reaction of a source material to form a semiconductor thin film, an insulating film, and the like on the wafer surface.

이러한, 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목 받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 실리콘 막, 산화물 막, 실리콘 질화물 막, 텅스텐 막 또는 탄화규소 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.Such a chemical vapor deposition method and a deposition apparatus have recently attracted attention as a very important technology among thin film formation technologies due to the miniaturization of semiconductor devices, development of high efficiency, high output LEDs, and the like. It is currently used to deposit various thin films such as silicon film, oxide film, silicon nitride film, tungsten film or silicon carbide film on the wafer.

종래의 화학 기상 증착 방법을 사용하는 증착 장치의 경우 입구와 출구의 가스 흐름의 차이로 인해 에피층 두께의 균일성이 낮았다. 즉, 종래의 증착 장치는 수평형으로 설계되어 반응가스가 입구를 통해 들어온 후 출구를 통해 빠져나가는 구조였다. 이에 따라, 증착 장치 내부에 위치하는 서셉터에서 웨이퍼의 에피 성장이 균일하지 않다는 단점이 있었다.In the deposition apparatus using the conventional chemical vapor deposition method, the uniformity of the epi layer thickness was low due to the difference in gas flow between the inlet and the outlet. That is, the conventional deposition apparatus is designed in a horizontal type so that the reaction gas enters through the inlet and then exits through the outlet. Accordingly, there is a disadvantage that the epitaxial growth of the wafer is not uniform in the susceptor located inside the deposition apparatus.

이러한 단점을 보완하기 위해, 수평형 증착 장치 내부에 기존의 서셉터가 아닌 로데이션(rotation) 서셉터 즉, 웨이퍼를 회전시켜 반응 가스를 골고루 퍼지게 하는 서셉터가 설계되었으나, 이경우에도 에피층의 두께 및 도핑의 균일도를 해결하는데는 한계가 있었다.In order to compensate for this drawback, a rotation susceptor, that is, a susceptor that rotates the wafer and spreads the reaction gas evenly, is designed instead of the conventional susceptor inside the horizontal deposition apparatus. And there was a limit in solving the uniformity of the doping.

이에 따라, 상기 에피층의 두께 및 도핑의 균일도를 향상시킬 수 있는 서셉터의 필요성이 대두되고 있다.Accordingly, there is a need for a susceptor capable of improving the thickness of the epi layer and the uniformity of doping.

실시예는 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있는 증착 장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a deposition apparatus capable of forming a thin film of uniform thickness.

실시예에 따른 증착 장치는, 수직형 챔버; 상기 챔버 외부의 상단에 위치하는 가열부재; 및 상기 챔버 내부에 위치하는 제 1 서셉터 및 제 2 서셉터를 포함하고,상기 제 1 서셉터는 가스 분사부를 포함할 수 있다.Deposition apparatus according to the embodiment, the vertical chamber; A heating member positioned at an upper end of the outside of the chamber; And a first susceptor and a second susceptor positioned inside the chamber, wherein the first susceptor may include a gas injection unit.

실시예에 따른 증착 방법은, 제 1 서셉터에 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 제 1 서셉터에 반응 가스를 공급하는 단계; 상기 제 1 서셉터에서 반응 가스를 배출하는 단계; 상기 반응 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 제 2 서셉터에 고정하는 단계; 및 상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, a deposition method includes preparing a wafer in a first susceptor; Supplying a reaction gas to the first susceptor; Draining the reaction gas from the first susceptor; Fixing the wafer to a second susceptor using the reaction gas; And depositing an epitaxial layer on the wafer.

실시예에 따른 증착 장치는 샤워기의 형태를 가지는 제 1 서셉터를 사용하여 상기 웨이퍼에 반응 가스를 공급한다. 이에 따라서, 실시예에 따른 증착 장치는 웨이퍼 전체에 고르게 반응 가스를 공급할 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment supplies a reaction gas to the wafer using a first susceptor in the form of a shower. Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment can supply the reaction gas evenly to the entire wafer.

이에 따라서, 실시예에 따른 증착 장치는 웨이퍼 상에 박막을 균일하게 형성할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 증착 장치는 탄화규소 웨이퍼 상에 탄화규소 에피택셜층을 균일하게 형성할 수 있다.Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment can uniformly form a thin film on the wafer. In particular, the deposition apparatus according to the embodiment may uniformly form a silicon carbide epitaxial layer on the silicon carbide wafer.

도 1은 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 실시예에 따른 증착부를 도시한 분해사시도이다.
도 3은 실시예에 따른 증착부를 도시한 사시도이다.
도 4는 실시예에 따른 증착부를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 4의 증착부에서의 가스 흐름을 나타낸 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 제 1 서셉터의 상부를 도시한 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 증착 방법의 공정 흐름도를 도시한 도면이다.1 is a schematic view showing a silicon carbide epitaxial layer growth apparatus according to an embodiment.
2 is an exploded perspective view showing a deposition unit according to the embodiment.
3 is a perspective view illustrating a deposition unit according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a deposition unit in accordance with an embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a gas flow in the deposition unit of FIG. 4.
6 is a diagram illustrating an upper portion of the first susceptor according to the embodiment.
7 shows a process flow diagram of a deposition method according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 실시예에 따른 탄화규소 에피택셜층 성장 장치를 도시한 개략도이다. 1 is a schematic diagram showing a silicon carbide epitaxial layer growth apparatus according to the present embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 성장 장치는 캐리어 기체 공급부(100), 반응 기체 공급부(300) 및 증착부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the silicon carbide growth apparatus according to the embodiment includes a carrier gas supply unit 100, a reaction gas supply unit 300, and a deposition unit 400.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 성장 장치는 캐리어 기체 공급부(100), 반응 기체 공급부(300) 및 증착부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the silicon carbide growth apparatus according to the embodiment includes a carrier gas supply unit 100, a reaction gas supply unit 300, and a deposition unit 400.

상기 캐리어 기체 공급부(100)는 상기 반응 기체 공급부(300)에 캐리어 기체를 공급한다. 상기 캐리어 기체는 매우 낮은 반응성을 가진다. 상기 캐리어 기체의 예로서는 수소 또는 불활성 기체 등을 들 수 있다. 특히, 상기 캐리어 기체 공급부(100)는 제 1 공급 라인(210)을 통하여, 상기 반응 기체 공급부(300)에 상기 캐리어 기체를 공급할 수 있다.The carrier gas supply unit 100 supplies a carrier gas to the reaction gas supply unit 300. The carrier gas has very low reactivity. Examples of the carrier gas include hydrogen or an inert gas. In particular, the carrier gas supply unit 100 may supply the carrier gas to the reaction gas supply unit 300 through the first supply line 210.

상기 반응 기체 공급부(300)는 상기 반응 기체를 발생시킨다. 또한, 상기 반응 기체 공급부(300)는 상기 반응 기체를 생성하기 위한 액체(310)를 수용한다. 예를 들어, 상기 액체(310)가 증발되어 상기 반응 기체가 형성될 수 있다.The reaction gas supply unit 300 generates the reaction gas. In addition, the reaction gas supply unit 300 receives a liquid 310 for generating the reaction gas. For example, the liquid 310 may be evaporated to form the reaction gas.

상기 제 1 공급 라인(210)의 끝단은 상기 액체(310)에 잠길 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 공급 라인(210)을 통하여, 상기 액체(310) 내에 상기 캐리어 기체가 공급된다. 이에 따라서, 상기 액체(310) 내에 상기 캐리어 기체를 포함하는 버블이 형성될 수 있다.An end of the first supply line 210 may be immersed in the liquid 310. Accordingly, the carrier gas is supplied into the liquid 310 through the first supply line 210. Accordingly, bubbles including the carrier gas may be formed in the liquid 310.

상기 액체(310) 및 상기 반응 기체는 실리콘 및 탄소를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액체(310) 및 상기 반응 기체는 메틸트리클로로실레인(methyltrichlorosilane;MTS)을 포함할 수 있다.The liquid 310 and the reaction gas may include a compound including silicon and carbon. For example, the liquid 310 and the reaction gas may include methyltrichlorosilane (MTS).

상기 반응 기체 공급부(300)는 상기 액체(310)에 열을 가하는 발열부를 포함할 수 있다. 상기 발열부는 상기 액체(310)에 열을 가하여, 상기 액체(310)를 증발시킬 수 있다. 상기 발열부에 의해서, 가해지는 열량에 따라서, 증발되는 반응 기체의 양이 적절하게 조절될 수 있다.The reaction gas supply unit 300 may include a heating unit for applying heat to the liquid 310. The heating unit may heat the liquid 310 to evaporate the liquid 310. By the heat generating portion, the amount of reaction gas to be evaporated can be appropriately adjusted according to the amount of heat applied.

상기 반응 기체 공급부(300)는 상기 제 2 공급 라인(220)을 통하여, 상기 증착부(400)에 상기 반응 기체를 공급한다. 즉, 상기 반응 기체 공급부(300) 및 상기 캐리어 기체의 흐름 및 상기 액체(310)의 증발에 의해서, 상기 반응 기체는 상기 증착부(400)에 공급된다.The reaction gas supply unit 300 supplies the reaction gas to the deposition unit 400 through the second supply line 220. That is, the reaction gas is supplied to the deposition unit 400 by the flow of the reaction gas supply unit 300 and the carrier gas and the evaporation of the liquid 310.

상기 증착부(400)는 상기 제 2 공급 라인(220)에 연결된다. 상기 증착부(400)는 상기 반응 기체 공급부(300)로부터, 상기 제 2 공급 라인(220)을 통하여, 상기 반응 기체를 공급받는다.The deposition unit 400 is connected to the second supply line 220. The deposition unit 400 receives the reaction gas from the reaction gas supply unit 300 through the second supply line 220.

상기 증착부(400)는 에피텍셜층을 형성하고자 하는 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 증착부(400)는 상기 반응 기체를 사용하여, 상기 에피텍셜층을 형성한다. 즉, 상기 증착부(400)는 상기 웨이퍼(W) 상에 상기 반응 기체를 사용하여, 박막을 형성한다.The deposition unit 400 accommodates a wafer W to form an epitaxial layer. The deposition unit 400 forms the epitaxial layer using the reaction gas. That is, the deposition unit 400 forms a thin film on the wafer W using the reaction gas.

도 2는 실시예에 따른 증착부를 도시한 분해사시도이며, 도 3은 실시예에 따른 증착부를 도시한 사시도이고, 도 4는 실시예에 따른 증착부를 도시한 단면도이며, 도 5는 도 4의 증착부에서의 가스 흐름을 나타낸 단면도이다.2 is an exploded perspective view showing a deposition unit according to the embodiment, Figure 3 is a perspective view showing a deposition unit according to the embodiment, Figure 4 is a cross-sectional view showing a deposition unit according to the embodiment, Figure 5 is a deposition of FIG. It is sectional drawing which shows the gas flow in a part.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 증착부(400)는 수직형 챔버(10); 상기 챔버의 상단에 위치하는 가열 부재(50); 상기 챔버 내부에 위치하는 제 1 서셉터(20) 및 제 2 서셉터(30)를 포함하고, 상기 제 1 서셉터(20)는 가스 분사부(21)를 포함할 수 있다.2 to 5, the deposition unit 400 includes a vertical chamber 10; A heating member (50) positioned at the top of the chamber; The first susceptor 20 and the second susceptor 30 positioned inside the chamber may be included, and the first susceptor 20 may include a gas injector 21.

상기 챔버(10)는 원통형의 튜브 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 챔버(10)는 사각 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 챔버(10)는 상기 서셉터를 수용할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 챔버(10)의 일측면에는 전구체 등을 유입시기키 위한 기체 공급부 및 기체의 배출을 위한 기체 배출부가 더 배치될 수 있다.The chamber 10 may have a cylindrical tube shape. Alternatively, the chamber 10 may have a rectangular box shape. The chamber 10 may receive the susceptor. In addition, although not shown in the drawings, one side of the chamber 10 may further include a gas supply unit for introducing a precursor or the like and a gas discharge unit for discharging the gas.

또한, 상기 챔버(10)의 양 끝단들은 밀폐되고, 상기 챔버(10)는 외부의 기체유입을 막고 진공도를 유지할 수 있다. 상기 챔버(10)는 기계적 강도가 높고, 화학적 내구성이 우수한 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버(10)는 향상된 내열성을 가진다.In addition, both ends of the chamber 10 are hermetically sealed, and the chamber 10 may prevent inflow of external gas and maintain a degree of vacuum. The chamber 10 may include quartz having high mechanical strength and excellent chemical durability. In addition, the chamber 10 has improved heat resistance.

상기 챔버(10)는 수직형의 형상을 가질 수 있다. 즉, 반응 가스가 수평 방향으로 공급되는 수평형의 형상이 아니고, 반응 가스가 챔버(10) 하부에서 수직 방향으로 공급되는 수직형의 형상을 가질 수 있다.The chamber 10 may have a vertical shape. That is, the reaction gas may not have a horizontal shape in which the reaction gas is supplied in the horizontal direction, but may have a vertical shape in which the reaction gas is supplied in the vertical direction from the lower portion of the chamber 10.

종래의 반응로의 경우 수평형 챔버의 좌측과 우측에 반응 가스의 공급부와 배출부가 위치하고, 상기 챔버 내부에 서셉터 및 상기 서셉터 상에 웨이퍼(W)를 수용하고 있었다. 그러나 챔버의 반응 가스 공급부로 공급되는 반응 가스가 상기 웨이퍼 상에 균일하게 공급되기 어렵기 때문에 전체 웨이퍼 상에 균일한 박막 증착이 이루어지기 어려웠다.In the conventional reactor, the supply and discharge portions of the reaction gas are located on the left and right sides of the horizontal chamber, and the susceptor and the wafer W are accommodated in the chamber. However, since the reaction gas supplied to the reaction gas supply part of the chamber is difficult to be uniformly supplied on the wafer, uniform thin film deposition on the entire wafer has been difficult.

이에 따라, 실시예에 따른 증착 장치는 수평형 챔버(10) 내에 서셉터 및 가열 부재(50) 등을 포함하고, 반응 가스가 상기 서셉터에 포함되는 가스 분사부를 통해 수직방향으로 웨이퍼에 균일하게 공급할 수 있다.Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment includes a susceptor, a heating member 50, and the like in the horizontal chamber 10, and the reaction gas is uniformly placed on the wafer in a vertical direction through a gas injection part included in the susceptor. Can supply

상기 가열 부재(50)는 상기 챔버(10) 외부의 상부에 위치할 수 있다.The heating member 50 may be located above the outside of the chamber 10.

상기 가열 부재(50)는 전원이 인가되면 열을 발생시키는 저항성 가열 소장일 수 있으며, 상기 웨이퍼(W)를 균일하게 가열할 수 있도록 나선형으로 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 가열 부재(50)는 나선형의 RF 코일을 포함할 수 있다. 일례로 상기 가열 부재(50)는 필라멘트, 코일 또는 카본 와이어 등을 포함할 수 있다. The heating member 50 may be a resistive heating element which generates heat when power is applied, and may be disposed in a spiral shape so as to uniformly heat the wafer (W). Preferably, the heating member 50 may include a spiral RF coil. In one example, the heating member 50 may include a filament, a coil, or a carbon wire.

또한, 상기 챔버(10) 내에 단열부가 더 구비될 수 있다. 상기 단열부는 상기 챔버(10) 내의 열을 보존하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 가열 부재(50)에서 발생된 열이 서셉터에 효과적으로 전달될 수 있도록 형성된다.In addition, a heat insulating part may be further provided in the chamber 10. The heat insulating part may perform a function of preserving heat in the chamber 10. In addition, the heat generated from the heating member 50 is formed to be effectively transmitted to the susceptor.

상기 단열부는 상기 가열 부재(50)에서 발생하는 열에 의해 변형이 발생하지 않고 화학적으로 안정적인 재질로 형성된다. 예를 들어, 보온 유닛(520)은 질화물 세라믹이나 탄화물 세라믹 또는 흑연(graphite) 재질로 형성될 수 있다.The heat insulation part is formed of a chemically stable material without deformation due to heat generated from the heating member 50. For example, the insulating unit 520 may be formed of a nitride ceramic, a carbide ceramic, or a graphite material.

상기 서셉터는 상기 챔버(10) 내에 배치된다. 상기 서셉터는 상기 서셉터는 상기 웨이퍼(W) 등과 같은 기판을 수용한다. 또한, 상기 반응 기체 공급부(100)로부터, 상기 제 2 공급 라인(220)을 통하여, 상기 서셉터 내부로 상기 반응 기체가 유입된다.The susceptor is disposed in the chamber 10. The susceptor, the susceptor receives a substrate such as the wafer (W). In addition, the reaction gas is introduced into the susceptor from the reaction gas supply unit 100 through the second supply line 220.

상기 서셉터는 제 1 서셉터(20) 및 제 2 서셉터(30)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 서셉터(20)와 상기 제 2 서셉터(30)는 서로 이격되어 위치할 수 있으며, 상기 제 2 서셉터(30)는 상기 제 1 서셉터(20)의 상부에 위치할 수 있다.The susceptor may include a first susceptor 20 and a second susceptor 30. The first susceptor 20 and the second susceptor 30 may be spaced apart from each other, and the second susceptor 30 may be located above the first susceptor 20. .

상기 제 1 서셉터(20)는 상부가 원형의 형상을 가지는 깔때기 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제 2 서셉터(30)는 원형의 형상으로 이루어질 수 있다. The first susceptor 20 may be formed in a funnel shape having an upper portion in a circular shape. In addition, the second susceptor 30 may be formed in a circular shape.

상기 제 1 서셉터(20)는 상기 제 2 공급 라인(220)을 통하여 상기 반응 기체를 공급받는다. 또한, 상기 제 1 서셉터(20)의 상부에는 가스 분사부가 형성되어 있다. 상기 가스 분사부는 상기 제 2 공급 라인(220)을 통해 상기 제 1 서셉터(20)로 공급된 반응 기체를 배출하는 복수 개의 구멍을 포함할 수 있다.The first susceptor 20 is supplied with the reaction gas through the second supply line 220. In addition, a gas injection unit is formed on the first susceptor 20. The gas injector may include a plurality of holes for discharging the reaction gas supplied to the first susceptor 20 through the second supply line 220.

상기 제 2 서셉터(30)는 상기 챔버(10)의 상부에 고정될 수 있다. 바람직하게는 상기 제 2 서셉터(30)는 상기 챔버(10)의 상부 덮개에 고정될 수 있다.The second susceptor 30 may be fixed to the upper portion of the chamber 10. Preferably, the second susceptor 30 may be fixed to the upper cover of the chamber 10.

상기 제 1 서셉터(20) 및 상기 제 2 서셉터(30)는 고온 등의 조건에서 견딜 수 있도록 내열성이 높고 가공이 용이한 흑연(graphite)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)는 흑연 몸체에 탄탈륨(Ta)이 코팅된 구조를 가질 수 있다.The first susceptor 20 and the second susceptor 30 may include graphite having high heat resistance and easy processing to withstand conditions such as high temperature. In addition, the susceptor 200 may have a structure in which tantalum (Ta) is coated on the graphite body.

상기 제 1 서셉터(20)에 공급되는 반응 기체는 열에 의해서, 라디칼로 분해되고, 이 상태에서, 상기 웨이퍼(W) 등에 증착될 수 있다. 예를 들어, MTS는 실리콘 또는 탄소를 포함하는 라디칼로 분해되고, 상기 웨이퍼(W) 상에는 탄화규소 에피텍셜층이 성장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 라디칼은 CH3·, CH4, SiCl3· 또는 SiCl2·일 수 있다.The reaction gas supplied to the first susceptor 20 may be decomposed into radicals by heat, and in this state, may be deposited on the wafer W or the like. For example, MTS may be decomposed into radicals including silicon or carbon, and a silicon carbide epitaxial layer may be grown on the wafer (W). In more detail, the radical may be CH 3 ·, CH 4 , SiCl 3 · or SiCl 2 ·.

상기 증착 장치는 웨이퍼를 고정하는 고정 부재(40)를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus may further include a fixing member 40 for fixing the wafer.

상기 고정 부재(40)는 상기 제 1 서셉터(20)의 양 끝단에 위치할 수 있다. 상기 고정 부재(40)는 상기 웨이퍼가 상기 제 1 서셉터(20)에서 상기 제 2 서셉터(30)로 이동할 때, 상기 서셉터가 기울어지지 않고 똑바로 이동할 수 있도록 상기 웨이퍼를 지지하는 역할을 한다.The fixing member 40 may be located at both ends of the first susceptor 20. The fixing member 40 supports the wafer so that the susceptor can move straight without tilting when the wafer moves from the first susceptor 20 to the second susceptor 30. .

이하, 실시예에 따른 탄화규소 에피 증착 방법을 설명한다.Hereinafter, a silicon carbide epitaxial deposition method according to an embodiment will be described.

도 7을 참고하면, 실시예에 따른 증착 방법은 제 1 서셉터에 웨이퍼를 준비하는 단계(ST10); 상기 제 1 서셉터에 반응 가스를 공급하는 단계(ST20); 상기 제 1 서셉터에서 반응 가스를 배출하는 단계(ST30); 상기 반응 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 제 2 서셉터에 고정하는 단계(ST40); 및 상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계(ST50)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the deposition method according to the embodiment may include preparing a wafer in the first susceptor (ST10); Supplying a reaction gas to the first susceptor (ST20); Discharging the reaction gas from the first susceptor (ST30); Fixing the wafer to a second susceptor using the reaction gas (ST40); And depositing an epitaxial layer on the wafer (ST50).

제 1 서셉터에 웨이퍼를 준비하는 단계(ST10)에서는 상기 웨이퍼를 제 1 서셉터에 위치시킨다.In the preparing of the wafer in the first susceptor (ST10), the wafer is placed in the first susceptor.

다음으로, 상기 제 1 서셉터에 반응 가스를 공급하는 단계(ST20)에서는 상기 제 2 공급 라인(220)을 통하여 상기 제 1 서셉터에 반응 기체를 공급받는다.Next, in the step ST20 of supplying the reaction gas to the first susceptor, the reaction gas is supplied to the first susceptor through the second supply line 220.

다음으로, 상기 제 1 서셉터에서 반응 가스를 배출하는 단계(ST30)에서는 상기 제 1 서셉터에 공급된 반응 가스를 배출한다. 상기 반응 가스는 상기 제 1 서셉터의 상부에 형성되는 가스 분사부를 통해 배출될 수 있다. 상기 가스 분사부는 복수 개의 구멍을 포함하여 상기 배출되는 반응 가스를 고른 방향으로 배출할 수 있다.Next, in the step ST30 of discharging the reaction gas from the first susceptor, the reaction gas supplied to the first susceptor is discharged. The reaction gas may be discharged through a gas injection unit formed on the first susceptor. The gas injection unit may include a plurality of holes to discharge the discharged reaction gas in an even direction.

다음으로, 상기 웨이퍼를 제 2 서셉터로 이동하여 고정하는 단계(ST40)에서는 상기 반응 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 제 2 서셉터로 이동하여 상기 제 2 서셉터 상에 상기 웨이퍼를 고정시킨다. 상기 웨이퍼의 이동은 상기 제 1 서셉터의 가스 분사부에서 배출되는 반응 가스를 이용하여 이동시킬 수 있다. 이때, 상기 제 1 서셉터의 양 끝단에 위치하는 고정 부재를 포함하여, 상기 웨이퍼가 기울어지지 않고 상기 제 2 서셉터로 이동시킬 수 있다. 이동된 상기 서셉터는 상기 제 2 서셉터에 고정될 수 있다.Next, in the step ST40 of moving and fixing the wafer to the second susceptor, the wafer is moved to the second susceptor using the reaction gas to fix the wafer on the second susceptor. The wafer may be moved using a reaction gas discharged from the gas injector of the first susceptor. In this case, the wafer may be moved to the second susceptor without tilting, including fixing members positioned at both ends of the first susceptor. The moved susceptor may be fixed to the second susceptor.

마지막으로, 상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계(ST50)에서는 상기 제 1 서셉터의 가스 분사부에서 배출되는 반응 가스를 이용하여 상기 제 2 서셉터에 고정된 상기 웨이퍼에 탄화규소 에피층을 증착할 수 있다.Lastly, in the step of depositing an epitaxial layer on the wafer (ST50), a silicon carbide epitaxial layer is deposited on the wafer fixed to the second susceptor using a reaction gas discharged from the gas injector of the first susceptor. can do.

실시예에 따른 증착 방법은 상기 제 1 서셉터의 상부에 형성된 복수 개의 구멍을 포함하는 가스 분사부에 의해 반응 가스가 상기 웨이퍼에 공급될 수 있다. 상기 반응 가스는 수직 방향 즉, 윗 방향으로 이동하여, 상기 웨이퍼의 하단에 에피층을 성장시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 반응 가스가 상기 가스 분사부를 통해 상기 웨이퍼의 전면에 고르게 분사될 수 있고, 상기 웨이퍼의 표면 전체에서 고르게 반응이 이루어지게 되어 균일한 두께의 탄화규소 에피 박막층을 성장시킬 수 있다.In the deposition method according to the embodiment, the reaction gas may be supplied to the wafer by a gas injection unit including a plurality of holes formed in the upper portion of the first susceptor. The reaction gas may move in a vertical direction, that is, in an upward direction, to grow an epitaxial layer on the bottom of the wafer. Accordingly, the reaction gas may be evenly sprayed on the entire surface of the wafer through the gas injection unit, and the reaction may be evenly performed on the entire surface of the wafer to grow a silicon carbide epitaxial thin film layer having a uniform thickness.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
In addition, the above description has been made with reference to the embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the invention. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

수직형 챔버;
상기 챔버 외부의 상단에 위치하는 가열부재; 및
상기 챔버 내부에 위치하는 제 1 서셉터 및 제 2 서셉터를 포함하고,
상기 제 1 서셉터는 가스 분사부를 포함하는 증착 장치.Vertical chamber;
A heating member positioned at an upper end of the outside of the chamber; And
A first susceptor and a second susceptor located inside the chamber;
The first susceptor includes a gas injection unit. 제 1항에 있어서,
상기 가스 분사부는 상기 제 1 서셉터의 상부에 위치하고, 복수 개의 구멍을 포함하는 증착 장치.The method of claim 1,
The gas injector is disposed above the first susceptor, and includes a plurality of holes. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 서셉터는 상부가 원형인 깔때기 형상을 포함하는 증착 장치.The method of claim 1,
And the first susceptor comprises a funnel shape having a circular top. 제 1항에 있어서,
상기 가열 부재의 형상은 나선형을 포함하는 증착 장치.The method of claim 1,
And a shape of the heating member comprises a spiral. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 서셉터와 상기 제 2 서셉터는 이격하여 위치하고,
상기 제 2 서셉터는 상기 제 1 서셉터의 상부에 위치하는 증착 장치.The method of claim 1,
The first susceptor and the second susceptor are spaced apart from each other,
And the second susceptor is positioned above the first susceptor. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 서셉터의 양단에는 고정부재가 위치하는 증착 장치.The method of claim 1,
Evaporation apparatus having a fixing member located at both ends of the first susceptor. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 서셉터에는 반응 기체가 유입되고,
상기 반응 기체는 상기 가스 분사부를 통해 배출되는 증착 장치.The method of claim 1,
Reaction gas flows into the first susceptor,
And the reactive gas is discharged through the gas injector. 제 1 서셉터에 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 제 1 서셉터에 반응 가스를 공급하는 단계;
상기 제 1 서셉터에서 반응 가스를 배출하는 단계;
상기 웨이퍼를 제 2 서셉터로 이동하여 고정하는 단계; 및
상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계를 포함하는 증착 방법.Preparing a wafer in a first susceptor;
Supplying a reaction gas to the first susceptor;
Draining the reaction gas from the first susceptor;
Moving and securing the wafer to a second susceptor; And
Depositing an epitaxial layer on the wafer. 제 8항에 있어서,
상기 제 1 서셉터의 형상은 상부가 원형인 깔때기 형상을 포함하고,
상기 제 1 서셉터의 상부에는 복수 개의 구멍이 형성된 가스 분사부를 포함하는 증착 방법The method of claim 8,
The shape of the first susceptor includes a funnel shape of which the top is circular,
Deposition method including a gas injection portion formed with a plurality of holes in the upper portion of the first susceptor 제 8항에 있어서,
상기 웨이퍼를 상기 제 2 서셉터로 이동하는 단계는, 상기 반응 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 이동하는 증착 방법.The method of claim 8,
Moving the wafer to the second susceptor includes moving the wafer using the reaction gas.
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