KR20130038695A - Perovskite powder, fabricating method thereof and multi-layer ceramic electronic parts fabricated by using the same - Google Patents

Perovskite powder, fabricating method thereof and multi-layer ceramic electronic parts fabricated by using the same Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of perovskite powder is provided to obtain perovskite powder of highly crystalline granules by forming at least one film layer selected from a group consisting of salt which includes sulfide and sulfur when composing perovskite powder using hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A perovskite powder formed a covering layer in surface. The covering layer is at least one which is selected from group consisting of salt which includes the sulfide and sulfur. The sulfide is ammonium sulfate. Salt including the sulfur is at least one selected from a group consisted of phosphate and acetate. A manufacturing method of the perovskite powder comprises following steps. (a) Form perovskite particle nuclear by mixing metal salt and metal oxide. (b) Mix more than one selected from a group consisting of the perovskite particle nuclear, sulfide dissolved in purified water and salt comprises sulfur. And (c) obtain perovskite powder by grain growing in a hydrothermal treatment. [Reference numerals] (AA) Step of forming perovskite particle nuclear by mixing metal salt and metal oxide; (BB) Step of mixing the perovskite particle nuclear and one or more selected from a group consisting of salts containing sulfide and sulfur dissolved in purified water; (CC) Step of grain growing the mixture with hydrothermal treatment and obtaining perovskite powder with the surface on which one or more film layers selected from a group consisting of the salts containing sulfide and sulfur are formed;

Description

페롭스카이트 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품{Perovskite powder, fabricating method thereof and multi-layer ceramic electronic parts fabricated by using the same}Perovskite powder, manufacturing method thereof and laminated ceramic electronic part using the same {Perovskite powder, fabricating method according to the invention and multi-layer ceramic electronic parts fabricated by using the same}

본 발명은 고결정성 미립의 페롭스카이트 분말을 얻을 수 있는 페롭스카이트 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품에 관한 것이다.The present invention relates to a perovskite powder from which a highly crystalline fine perovskite powder can be obtained, a manufacturing method thereof, and a multilayer ceramic electronic component using the same.

페롭스카이트 분말은 강유전체 세라믹 재료로서 적층콘덴서(MLCC), 세라믹 필터, 압전소자, 강유전체 메모리, 서미스터(thermistor), 배리스터(varistor)등의 전자부품 원료로 사용되고 있다.Perovskite powder is used as a raw material for electronic components such as multilayer capacitor (MLCC), ceramic filter, piezoelectric element, ferroelectric memory, thermistor, varistor, etc. as a ferroelectric ceramic material.

티탄산바륨(BaTiO3)은 페롭스카이트 구조를 가진 고유전율 물질로서 적층 세라믹 캐패시터의 유전체 재료로 사용되고 있다.Barium titanate (BaTiO 3) is a high dielectric constant material having a perovskite structure and is used as a dielectric material of a multilayer ceramic capacitor.

오늘날 전자부품 산업의 경박단소화, 고용량화, 고신뢰성화 등의 추세에 따라 강유전체 입자는 작은 크기를 가지면서 우수한 유전율 및 신뢰성이 요구된다.Today, in the electronic parts industry, ferroelectric particles are required to have a small size and good dielectric constant and reliability in accordance with trends such as thinning, high capacity and high reliability.

유전체층의 주성분인 티탄산바륨 분말의 입경이 크면 유전체층의 표면 거칠기 증가로 쇼트율 증가 및 절연 저항 불량의 문제가 발생할 수 있다.If the particle diameter of the barium titanate powder, which is a main component of the dielectric layer, is large, the surface roughness of the dielectric layer may increase, resulting in a problem of an increase in shot rate and poor insulation resistance.

이로 인하여, 주성분인 티탄산바륨 분말의 미립화가 요구되고 있다.For this reason, atomization of the barium titanate powder which is a main component is calculated | required.

그러나, 티탄산바륨 분말이 미립화될 경우 정방정계율은 감소하는 문제가 있어, 이러한 결정성 문제를 극복하고 고결정성의 미립 티탄산바륨 분말의 개발이 요구되고 있다.However, when the barium titanate powder is atomized, there is a problem in that the tetragonal coefficient decreases. Accordingly, it is required to overcome such a crystalline problem and to develop a highly crystalline barium titanate powder.

이러한 페롭스카이트 분말을 제조하는 방법으로는 고상법, 습식법이 있으며, 습식법은 옥살레이트 침전법, 수열합성법 등이 있다. Methods for producing such perovskite powder include a solid phase method and a wet method, and the wet method includes an oxalate precipitation method and a hydrothermal synthesis method.

고상법은 보통 입자의 최소 분말 크기가 1 미크론 전후로 상당히 큰 편이며 입자의 크기를 조절하기가 어렵고 입자들의 뭉침 현상과 소성 시에 발생하는 오염 등이 문제되어 페롭스카이트 분말을 미립자로 제조하는데 어려움이 있다.The solid phase method is usually difficult to produce perovskite powder as fine particles due to the fact that the minimum powder size of particles is about 1 micron, which is difficult to control the size of the particles, and that the aggregation of particles and contamination generated during firing are problematic. There is this.

유전체 입자 크기가 작아짐에 따라 정방성(tetragonality)이 떨어지는 것은 여러가지 공법에서 일반적으로 나타나는 현상이며 100 nm 이하로 작아질 경우 결정축비(c/a)의 확보가 매우 어려운 실정이다. Decreasing tetragonality as the dielectric particle size decreases is a common phenomenon in various processes, and when it is smaller than 100 nm, it is very difficult to secure a crystal axis ratio (c / a).

또한 분말 크기가 작아짐에 따라 분산은 더 어려워지게 된다. 그리하여 미립 분말일수록 높은 분산성이 요구된다.In addition, as the powder size becomes smaller, dispersion becomes more difficult. Therefore, the finer the powder, the higher the dispersibility is required.

기존 고상법 또는 공침법은 고온 하소에 의하여 결정상을 이루기 때문에 고온 하소 공정 및 분쇄 공정이 필요하다.Since the existing solid phase method or coprecipitation method forms a crystal phase by high temperature calcination, a high temperature calcination process and a grinding process are required.

이로 인하여 합성된 페롭스카이트 분말의 형상이 좋지 않고, 입도 분포가 넓은 단점이 있고, 열처리로 인하여 뭉침이 발생하여 분산이 어려운 문제점이 있다. For this reason, the synthesized perovskite powder is not good in shape, has a disadvantage in that the particle size distribution is wide, and there is a problem in that dispersion occurs due to agglomeration due to heat treatment.

본 발명은 고결정성 미립의 페롭스카이트 분말을 얻을 수 있는 페롭스카이트 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품에 관한 것이다.The present invention relates to a perovskite powder from which a highly crystalline fine perovskite powder can be obtained, a manufacturing method thereof, and a multilayer ceramic electronic component using the same.

본 발명의 일 실시형태는 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 제공한다.
One embodiment of the present invention provides a perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and salts comprising sulfur on its surface.

상기 황화물은 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)일 수 있으며, 상기 황을 포함하는 염은 인산염 및 초산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
The sulfide may be ammonium sulfate, and the salt containing sulfur may be at least one selected from the group consisting of phosphate and acetate.

상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 일 수 있다.
The thickness of the coating layer may be 0.1 to 10 nm.

상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1-xO3, BaxY1-xTiO3, BaxDy1-xTiO3 및 BaxHo1-xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
The perovskite powder is BaTiO 3 , BaTi x Zr 1-x O 3 , Ba x Y 1-x TiO 3 , Ba x Dy 1-x TiO 3 and Ba x Ho 1-x TiO 3 (0 <x <1 It may be one or more selected from the group consisting of

상기 페롭스카이트 분말의 평균 입경은 10 내지 150 nm 일 수 있으며, 상기 페롭스카이트 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010일 수 있다.
The average particle diameter of the perovskite powder may be 10 to 150 nm, the crystal axis ratio (c / a) of the perovskite powder may be 1.001 to 1.010.

본 발명의 다른 실시형태는 금속염과 금속산화물을 혼합하여 페롭스카이트 입자핵을 형성시키는 단계; 상기 페롭스카이트 입자핵과 순수에 용해시킨 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상을 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물을 수열처리로 입성장시켜 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 얻는 단계;를 포함하는 페롭스카이트 분말의 제조방법을 제공한다.
Another embodiment of the present invention comprises the steps of mixing a metal salt and a metal oxide to form a perovskite particle nucleus; Mixing at least one selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts dissolved in the pure perovskite particle nucleus with pure water; And growing the mixture by hydrothermal treatment to obtain perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and salts containing sulfur on a surface thereof. .

상기 황화물은 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)일 수 있으며, 상기 황을 포함하는 염은 인산염 및 초산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
The sulfide may be ammonium sulfate, and the salt containing sulfur may be at least one selected from the group consisting of phosphate and acetate.

상기 금속염은 수산화바륨 또는 수산화바륨과 희토류염의 혼합물일 수 있으며, 상기 금속산화물은 산화티타늄 또는 산화지르코늄일 수 있다.
The metal salt may be barium hydroxide or a mixture of barium hydroxide and rare earth salt, and the metal oxide may be titanium oxide or zirconium oxide.

상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 일 수 있다.
The thickness of the coating layer may be 0.1 to 10 nm.

상기 페롭스카이트 분말의 평균 입경은 10 내지 150 nm 일 수 있으며, 상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1 - xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1 - xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있고, 상기 페롭스카이트 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010일 수 있다.
The average particle diameter of the perovskite powder may be 10 to 150 nm, the perovskite powder is BaTiO 3 , BaTi x Zr 1 - x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1 - x TiO 3 It may be one or more selected from the group consisting of (0 <x <1), the crystal axis ratio (c / a) of the perovskite powder may be 1.001 to 1.010.

본 발명의 다른 실시형태는 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 포함하는 유전체층을 포함하는 세라믹 본체; 및 상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 내부 전극층;을 포함하는 적층 세라믹 전자부품을 제공한다.
Another embodiment of the invention is a ceramic body comprising a dielectric layer comprising a perovskite powder is formed on the surface of at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and salts containing sulfur; And an internal electrode layer disposed to face each other with the dielectric layer interposed therebetween in the ceramic body.

상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 일 수 있다.
The thickness of the coating layer may be 0.1 to 10 nm.

상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1 - xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1-xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있고, 상기 페롭스카이트 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010일 수 있다.The perovskite powder may be BaTiO 3 , BaTi x Zr 1 - x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1-x TiO 3 (0 <x <1), and the crystal axis ratio (c / a) of the perovskite powder may be 1.001 to 1.010.

본 발명에 따르면 수열합성법을 이용한 페롭스카이트 분말 합성시 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층을 형성하여 입자의 입성장을 억제한 고결정성 미립의 페롭스카이트 분말의 제조가 가능하다.According to the present invention, when the perovskite powder is synthesized by hydrothermal synthesis, the preparation of the highly crystalline fine particles of the perovskite powder having suppressed particle growth by forming at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts It is possible.

또한, 상기 페롭스카이트 분말을 이용하여 제조된 적층 세라믹 전자부품은 크랙 발생이 적어 신뢰성 향상이 가능하다.In addition, the multilayer ceramic electronic component manufactured by using the perovskite powder may improve the reliability due to less cracks.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 캐패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 티탄산바륨 분말 및 종래의 티탄산바륨 분말의 입자 SEM(Scanning Electron Microscope)사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 티탄산바륨 분말의 온도별 STEM(Scanning Transmission Electron Microscope) 사진이다.
1 is a perspective view schematically showing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.
3 is a flowchart illustrating a process for preparing perovskite powder according to an embodiment of the present invention.
4 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the barium titanate powder and the conventional barium titanate powder according to one embodiment of the present invention.
5 is a photograph of scanning transmission electron microscope (STEM) for each temperature of barium titanate powder according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

본 발명의 일 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말은 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성될 수 있다.
In the perovskite powder according to one embodiment of the present invention, at least one coating layer selected from the group consisting of a sulfide and a salt containing sulfur may be formed on the surface.

상기 페롭스카이트 분말은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, BaTiO3, BaTixZr1-xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1 - xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
The perovskite powder is not particularly limited, for example, BaTiO 3 , BaTi x Zr 1-x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1 - x TiO 3 At least one selected from the group consisting of (0 <x <1).

이하에서는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말, 특히 티탄산바륨(BaTiO3) 분말에 대하여 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the perovskite powder, in particular the barium titanate (BaTiO 3 ) powder according to one embodiment of the present invention will be described, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 수열합성법에 의하여 제조된 티탄산바륨(BaTiO3) 분말은 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성되어, 고결정성을 가지면서도 미립의 분말일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the barium titanate (BaTiO 3 ) powder prepared by the hydrothermal synthesis method is formed on the surface of at least one coating layer selected from the group consisting of a sulfide and a salt containing sulfur, having a high crystallinity and fine It may be a powder of.

상기 황화물 및 황을 포함하는 염은 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)일 수 있으며, 인산염 및 초산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
The sulfide and the salt containing sulfur are not particularly limited and may be, for example, ammonium sulfate, and may be at least one selected from the group consisting of phosphates and acetates.

기존의 수열합성법에 의하면 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 입자 사이즈를 줄이기 위해서는 반응온도를 감소시켜야 하지만, 이 경우 분말의 결정성이 저하되는 문제가 있으며, 고결정성을 확보하기 위해서는 고온에서 반응하여야 하나, 이 경우 입자 사이즈가 커지는 문제가 있다.
According to the existing hydrothermal synthesis method, to reduce the particle size of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder, the reaction temperature must be reduced. However, in this case, the crystallinity of the powder is deteriorated. In this case, there is a problem that the particle size becomes large.

그러나, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 표면에 형성됨으로써, 반응을 고온에서 진행하여도 분말의 입성장이 억제되어 고결정성을 확보하면서도 미립의 분말을 얻을 수 있다.
However, according to one embodiment of the invention, at least one coating layer selected from the group consisting of the sulfide and the salt containing sulfur is formed on the surface of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder, so that even if the reaction proceeds at a high temperature Grain growth can be suppressed and fine powder can be obtained while securing high crystallinity.

상기 피막층의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 0.1 내지 10 nm 일 수 있다.The thickness of the coating layer is not particularly limited, but may be, for example, 0.1 to 10 nm.

상기와 같이 피막층의 두께가 0.1 내지 10 nm로 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 표면에 형성되므로, 상기 티탄산바륨 분말을 고온에서 입성장시켜도 분말의 입성장이 억제되어 미립화를 구현할 수 있다.As described above, since the thickness of the coating layer is formed on the surface of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder at 0.1 to 10 nm, the grain growth of the powder may be suppressed even when the barium titanate powder is grown at a high temperature, thereby achieving atomization.

상기 피막층의 두께가 0.1 nm 미만의 경우에는 고온에서 입성장시킬 경우 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 입성장 억제 효과가 미비하여 미립의 분말 제조가 어려운 문제가 있을 수 있다.In the case where the thickness of the coating layer is less than 0.1 nm, when grain growth is performed at a high temperature, the grain growth inhibitory effect of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder may be insufficient, making it difficult to manufacture fine powder.

또한, 상기 피막층의 두께가 10 nm를 초과할 경우에는 피막층의 두께가 두꺼워 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 유전율 저하를 초래하게 되는 문제가 있을 수 있다.
In addition, when the thickness of the coating layer exceeds 10 nm, there is a problem that the thickness of the coating layer is thick, causing a decrease in dielectric constant of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상술한 바와 같이 고결정성을 확보하면서도 미립의 티탄산바륨(BaTiO3) 분말을 제조할 수 있으며, 특히 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 평균 입경은 10 내지 150 nm 일 수 있으며, 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010일 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, it is possible to produce fine barium titanate (BaTiO 3 ) powder while ensuring high crystallinity as described above, in particular, the average particle diameter of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder is 10 to 150 nm The crystal axis ratio (c / a) of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder may be 1.001 to 1.010.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 캐패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품은 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 포함하는 유전체층(1)을 포함하는 세라믹 본체(10); 및 상기 세라믹 본체(10) 내에서 상기 유전체층(1)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 내부 전극층(21, 22);을 포함할 수 있다.
1 and 2, a multilayer ceramic electronic component according to an exemplary embodiment of the present disclosure may include a dielectric layer including perovskite powder having one or more coating layers selected from a group consisting of sulfides and sulfur-containing salts formed on a surface thereof. A ceramic body 10 comprising 1); And internal electrode layers 21 and 22 disposed to face each other in the ceramic body 10 with the dielectric layer 1 therebetween.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품에 대하여 설명하되, 특히 적층 세라믹 커패시터로 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, a multilayer ceramic electronic component according to an exemplary embodiment of the present invention will be described. In particular, the multilayer ceramic capacitor is described as, but is not limited to.

본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터에 있어서, '길이 방향'은 도 1의 'L' 방향, '폭 방향'은 'W' 방향, '두께 방향'은 'T' 방향으로 정의하기로 한다. 여기서 '두께 방향'은 유전체층를 쌓아 올리는 방향 즉 '적층 방향'과 동일한 개념으로 사용할 수 있다.
In the multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention, the 'longitudinal direction' is defined as 'L' direction, 'width direction' as 'W' direction, and 'thickness direction' as T direction do. Here, the 'thickness direction' can be used in the same concept as the stacking direction of the dielectric layers, that is, the 'lamination direction'.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체 층(1)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 티탄산바륨(BaTiO3) 분말일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the raw material for forming the dielectric layer 1 is not particularly limited as long as sufficient capacitance can be obtained, and may be, for example, barium titanate (BaTiO 3 ) powder.

상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말은 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성될 수 있다.
The barium titanate (BaTiO 3 ) powder may be formed with one or more coating layer selected from the group consisting of a sulfide and a salt containing sulfur on the surface.

상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 일 수 있다.
The thickness of the coating layer may be 0.1 to 10 nm.

상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 평균 입경은 10 내지 150 nm 일 수 있으며,결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010일 수 있다.
An average particle diameter of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder may be 10 to 150 nm, and the crystal axis ratio (c / a) may be 1.001 to 1.010.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 티탄산바륨(BaTiO3) 분말을 이용하여 유전체층(1)을 형성하므로, 고결정성을 확보하면서도 미립의 입자들로 이루어질 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, since the dielectric layer 1 is formed by using barium titanate (BaTiO 3 ) powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts on the surface, high crystallinity is ensured. It can be composed of fine particles.

이로 인하여, 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말을 이용하여 제조된 적층 세라믹 캐패시터는 크랙 발생이 적어 신뢰성 향상이 가능한 효과가 있을 수 있다.
Therefore, the multilayer ceramic capacitor manufactured using the barium titanate (BaTiO 3 ) powder may have an effect of improving reliability due to less cracks.

상기 유전체 층(1)을 형성하는 재료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
A variety of ceramic additives, organic solvents, plasticizers, binders, dispersants and the like may be added to the powder of the barium titanate (BaTiO 3 ) according to the purpose of the present invention.

그외 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 특징은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말의 특징과 중복되므로, 여기서 생략하도록 한다.
In addition, the features of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder is overlapped with the features of the perovskite powder according to an embodiment of the present invention described above, it will be omitted here.

상기 제1 및 제2 내부 전극(21, 22)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 은(Ag), 납(Pb), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
The material forming the first and second internal electrodes 21 and 22 is not particularly limited, and for example, silver (Ag), lead (Pb), platinum (Pt), nickel (Ni), and copper (Cu). Can be formed using a conductive paste made of one or more materials.

본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 상기 제1 내부전극(21)과 전기적으로 연결된 제1 외부전극(31) 및 상기 제2 내부 전극(22)과 전기적으로 연결된 제2 외부전극(32)을 더 포함할 수 있다.
A multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention includes a first external electrode 31 electrically connected to the first internal electrode 21 and a second external electrode 32 electrically connected to the second internal electrode 22 ). &Lt; / RTI &gt;

상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 정전 용량 형성을 위해 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 외부전극(32)은 상기 제1 외부전극(31)과 다른 전위에 연결될 수 있다.
The first and second external electrodes 31 and 32 may be electrically connected to the first and second internal electrodes 21 and 22 to form a capacitance, and the second external electrode 32 may be formed of the first and second external electrodes 32 and 32. 1 may be connected to a potential different from that of the external electrode 31.

상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 정전 용량 형성을 위해 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
The first and second external electrodes 31 and 32 are not particularly limited as long as they can be electrically connected to the first and second internal electrodes 21 and 22 for the formation of electrostatic capacitance. And at least one selected from the group consisting of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), and silver-palladium (Ag-Pd).

도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
3 is a flowchart illustrating a process for preparing perovskite powder according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말의 제조 방법은 금속염과 금속산화물을 혼합하여 페롭스카이트 입자핵을 형성시키는 단계; 상기 페롭스카이트 입자핵과 순수에 용해시킨 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상을 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물을 수열처리로 입성장시켜 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 얻는 단계;를 포함할 수 있다.
Referring to Figure 3, the method for producing a perovskite powder according to an embodiment of the present invention comprises the steps of mixing a metal salt and a metal oxide to form a perovskite particle nucleus; Mixing at least one selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts dissolved in the pure perovskite particle nucleus with pure water; And growing the mixture by hydrothermal treatment to obtain perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and salts containing sulfur on a surface thereof.

이하, 본 실시형태에 따른 페롭스카이트 분말의 제조 공정을 각 단계별로 상세히 설명한다.
Hereinafter, the manufacturing process of the perovskite powder according to the present embodiment will be described in detail for each step.

페롭스카이트 분말은 ABO3의 구조를 갖는 분말로서, 본 발명의 일 실시형태에서는 상기 금속산화물이 B 사이트(site)에 해당하는 원소 공급원이며, 상기 금속염이 A 사이트(site)에 해당하는 원소의 공급원이다.
The perovskite powder is a powder having a structure of ABO 3. In one embodiment of the present invention, the metal oxide is an elemental source corresponding to the B site, and the metal salt is an element of the element corresponding to the A site Source.

우선 금속염과 금속산화물을 혼합하여 페롭스카이트 입자핵을 형성시킬 수 있다.
First, metal salts and metal oxides can be mixed to form perovskite particle nuclei.

상기 금속산화물은 티타늄(Ti) 또는 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
The metal oxide may be at least one selected from the group consisting of titanium (Ti) and zirconium (Zr).

티타니아와 지르코니아의 경우 가수분해가 매우 용이하여 별도의 첨가제 없이 순수와 혼합하면 함수티타늄, 함수지르코늄이 겔 형태로 침전될 수 있다.
In the case of titania and zirconia, hydrolysis is very easy, and when mixed with pure water without any additive, functional titanium and hydrous zirconium can be precipitated in gel form.

상기 함수 형태의 금속산화물을 세척하여 불순물을 제거할 수 있다.The functional metal oxide may be washed to remove impurities.

보다 구체적으로, 상기 함수금속산화물을 가압으로 필터하여 잔류용액을 제거하고 순수를 부어주면서 필터링하여 입자 표면에 존재하는 불순물을 제거할 수 있다.More specifically, the hydrous metal oxide may be filtered under pressure to remove residual solution and filtered while pouring pure water to remove impurities present on the particle surface.

다음으로, 상기 함수금속산화물에 순수와 산 또는 염기를 첨가할 수 있다.
Next, pure water, an acid or a base may be added to the hydrous metal oxide.

필터 후 얻은 함수금속산화물 분말에 순수를 넣고 고점도 교반기로 교반을 시키는데, 0℃ 내지 60℃에서 0.1시간 내지 72시간 유지하여 함수금속산화물 슬러리를 제조할 수 있다.
Pure water is added to the hydrous metal oxide powder obtained after the filter, and stirred with a high-viscosity stirrer. The hydrous metal oxide slurry can be prepared by holding the mixture at 0 to 60 ° C for 0.1 to 72 hours.

제조한 슬러리에 산이나 염기를 가할 수 있는데, 상기 산이나 염기는 해교제로서 사용되며, 함수금속산화물 함량 대비 0.0001 내지 0.2 몰로 첨가할 수 있다.
An acid or a base may be added to the prepared slurry. The acid or base may be used as a peptizing agent and may be added in an amount of 0.0001 to 0.2 mole relative to the content of the hydrous metal oxide.

상기 산은 일반적인 것이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 염산, 질산, 황산, 인산, 개미산, 아세트산, 폴리카르복시산 등이 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
The acid is not particularly limited as long as it is general, and examples thereof include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, formic acid, acetic acid, polycarboxylic acid and the like.

상기 염기는 일반적인 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 또는 테트라 에틸암모늄 하이드록사이드 등이 있으며, 이들을 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있다.
The base is not particularly limited as long as it is a general one, and examples thereof include tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. These bases may be used alone or in combination.

상기 금속염은 수산화바륨 또는 수산화바륨과 희토류염의 혼합물일 수 있다.
The metal salt may be a mixture of barium hydroxide or barium hydroxide and rare earth salts.

상기 희토류염은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 이트륨(Y), 디스프로슘(Dy) 및 홀뮴(Ho) 등이 사용될 수 있다.
The rare earth salt is not particularly limited, and for example, yttrium (Y), dysprosium (Dy) and holmium (Ho) can be used.

상기 페롭스카이트 입자핵을 형성시키는 단계는 60℃ 내지 150℃에서 수행될수 있다.
The step of forming the perovskite particle nuclei may be performed at 60 ° C to 150 ° C.

다음으로, 상기 페롭스카이트 입자핵을 수열 반응기에 투입하고, 상기 페롭스카이트 입자핵과 순수에 용해시킨 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상을 혼합할 수 있다.
Next, the perovskite particle nucleus may be introduced into a hydrothermal reactor, and one or more selected from the group consisting of sulfide and sulfur containing salts dissolved in pure water may be mixed.

상기 페롭스카이트 분말을 얻는 단계는 상기 페롭스카이트 입자핵을 150℃에서 400℃로 승온하면서 수행될 수 있다.
Obtaining the perovskite powder may be carried out while heating the perovskite particle nucleus from 150 ℃ to 400 ℃.

다음으로, 상기 혼합물을 수열처리로 입성장시켜 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 얻을 수 있다.
Next, the mixture may be grain-grown by hydrothermal treatment to obtain perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts on the surface.

본 발명에 따르면, 상기 페롭스카이트 분말의 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성되므로, 고온에서 입성장시켜도 결정성이 우수하며 미립의 분말 제조가 가능하다.
According to the present invention, since at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts is formed on the surface of the perovskite powder, it is excellent in crystallinity even when grain growth at a high temperature, it is possible to produce fine powder.

구체적으로, 상기 페롭스카이트 입자핵을 수열 반응기 내에서 150℃에서 400℃로 승온 및 0.1시간 내지 240시간 유지하는 조건으로 입성장 시킨다.
Specifically, the perovskite particle nucleus is grown in a hydrothermal reactor under conditions of raising the temperature from 150 ° C. to 400 ° C. and maintaining 0.1 hour to 240 hours.

상기와 같은 공정을 통하여 고결정성 페롭스카이트 분말 입자를 얻게 된다.
Through the above process, high crystalline perovskite powder particles are obtained.

상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1 - xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1-xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나일 수 있다.
The perovskite powder may be BaTiO 3 , BaTi x Zr 1 - x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1-x TiO 3 (0 < x < 1).

상기 페롭스카이트 분말의 제조방법에 의해 제조된 고결정성 페롭스카이트 분말은 평균 입경이 10 내지 150 nm 일 수 있으며, 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010일 수 있다..
The high crystalline perovskite powder prepared by the method of preparing the perovskite powder may have an average particle diameter of 10 to 150 nm and a crystal axis ratio (c / a) of 1.001 to 1.010.

결정축비(c/a) 값은 결정입자의 결정축 a, b 및 c에서 정방정 입자의 경우 a와 b의 길이가 같아 a로 표시되고, 이 경우 a와 c의 격자 길이의 비를 의미한다.
The crystal axis ratio (c / a) value is represented by a with the same length of a and b for tetragonal particles in the crystal axes a, b and c of the crystal grains, and in this case means the ratio of the lattice lengths of a and c.

이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 이에 의해 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited thereto.

티타늄 테트라이소프로폭사이드(Titanium tetraisopropoxide)를 가수분해하여 함수티탄을 형성한 후 필터링한다.Titanium tetraisopropoxide is hydrolyzed to form hydrous titanium and then filtered.

다음으로 함수티탄에 순수를 넣고, 질산을 H+/Ti=0.05이 되도록 넣어서 고점도 교반기를 이용하여 교반하면서 60도 정도의 온도를 가하여 3시간 동안 해교시켜, 산화티탄(TiO2) 졸을 제작한다. Next, pure water is added to the water-containing titanium, nitric acid is added to H + / Ti = 0.05, and the mixture is stirred at a temperature of about 60 degrees while stirring using a high viscosity stirrer to prepare a titanium oxide (TiO 2 ) sol.

해교를 통하여 제작된 졸은 반투명하며, 약간 푸른색을 띄고 있으며, 단분산된 상태로 매우 안정한 졸이 형성된다. 형성된 졸을 터비스캔으로 투과도를 측정한 결과 투과도는 75%로 나타났다. 순수의 경우 투과도가 90%이다. 상기 TiO2 입자 크기는 약 3nm 정도로 단결정으로 형성되어 있고, 아나타제(anatase)이다.
The sol produced through peptization is translucent, slightly blue in color, and forms a very stable sol in a monodisperse state. As a result of measuring the permeability of the formed sol with turbiscan, the transmittance was 75%. In the case of pure water, the transmittance is 90%. The TiO 2 particle size is formed in a single crystal of about 3 nm, and is an anatase.

수산화바륨팔수화물(Ba(OH)28H2O)을 Ba/Ti≥1이 되도록 반응기에 넣어준 후,질소 가스로 퍼징하여 탄산바륨(BaCO3)으로 변하는 것을 억제하였다.Barium hydroxide octahydrate (Ba (OH) 2 8H 2 O) was placed in a reactor such that Ba / Ti ≧ 1, and then purged with nitrogen gas to suppress the change of barium carbonate (BaCO 3 ).

다음으로 순수 투입 후 95℃까지 승온하여 수산화바륨팔수화물(Ba(OH)28H2O)을 완전히 용해시킨 후 가열된 TiO2 졸을 질소 가스를 가하여 투입한 후 고속 교반한다.Next, after the pure water is added, the temperature is raised to 95 ° C. to completely dissolve the barium hydroxide octahydrate (Ba (OH) 2 8H 2 O), and the heated TiO 2 sol is added with nitrogen gas, followed by high speed stirring.

95℃에서 반응시킨 뒤 티탄산바륨(BaTiO3) 입자핵을 생성시킨다. After reacting at 95 ° C, barium titanate (BaTiO 3 ) particle nuclei are generated.

상기 티탄산바륨(BaTiO3) 입자핵을 30L 수열반응기로 이송한 후 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)를 순수에 용해시켜 수열반응기에 투입한다.The barium titanate (BaTiO 3 ) particle nucleus is transferred to a 30 L hydrothermal reactor, and ammonium sulfate (Ammonium Sulfate) is dissolved in pure water and introduced into a hydrothermal reactor.

30L 수열반응기를 260℃까지 승온하여 3 ~ 10시간 동안 교반하며 반응시킨다.The 30L hydrothermal reactor was heated to 260 ° C. and reacted with stirring for 3 to 10 hours.

반응 후 얻어진 티탄산바륨(BaTiO3) 슬러리를 순수로 세척하고 150℃로 설정된 오븐 내에서 건조시켜 티탄산바륨(BaTiO3) 분말을 제조하였다.
Barium titanate (BaTiO 3 ) slurry obtained after the reaction was washed with pure water and dried in an oven set to 150 ℃ to prepare a barium titanate (BaTiO 3 ) powder.

아래의 표 1은 수열합성법에 의하여 티탄산바륨(BaTiO3) 분말을 제조할 경우 입성장 온도 및 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate) 첨가 유무에 따라 얻어진 최종 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 물성을 비교한 표이다.Table 1 below is a table comparing the physical properties of the final barium titanate (BaTiO 3 ) powder obtained according to the grain growth temperature and the addition of ammonium sulfate when the barium titanate (BaTiO 3 ) powder is prepared by the hydrothermal synthesis method .

반응조건Reaction condition 농도 0.5M, 200℃, 2시간(H)Concentration 0.5M, 200 degrees Celsius, 2 hours (H) 농도 0.5M, 260℃, 3시간(H)Concentration 0.5M, 260 degrees Celsius, 3 hours (H) 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate) 첨가
농도 0.5M, 200℃, 2시간(H)
Ammonium Sulfate added
Concentration 0.5M, 200 degrees Celsius, 2 hours (H)
D50(nm)D50 (nm) 51.7251.72 51.5451.54 51.2051.20 D99/D50D99 / D50 1.761.76 1.581.58 1.801.80 비표면적
(m2/g)
Specific surface area
(m 2 / g)
17.4417.44 15.7215.72 18.4918.49
결정축비(c/a)Crystal Shaft Ratio (c / a) 1.005931.00593 1.006341.00634

도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 티탄산바륨 분말(도 4(a), 4(b)) 및 종래의 티탄산바륨 분말(도 4(c))의 입자 SEM(Scanning Electron Microscope)사진이다.
FIG. 4 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of barium titanate powder (FIGS. 4A and 4B) and a conventional barium titanate powder (FIG. 4C) according to an embodiment of the present invention.

상기 [표 1]및 도 4를 참조하면 입자 사이즈 감소를 위해 입성장 온도를 260℃에서 200℃로 낮춘 결과 비표면적이 증가하였고(도 4(a)), 입성장 온도를 260℃로 유지하면서 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)를 첨가한 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 비표면적도 유사하게 증가하였음을 알 수 있다.
Referring to [Table 1] and FIG. 4, as a result of lowering the grain growth temperature from 260 ° C. to 200 ° C. to reduce particle size, the specific surface area was increased (FIG. 4 (a)), while maintaining the grain growth temperature at 260 ° C. FIG. It can be seen that the specific surface area of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder to which ammonium sulfate was added was similarly increased.

더 나아가, 본 발명의 일 실시형태에 따른 티탄산바륨(BaTiO3) 분말에 대하여 XRD 측정을 수행한 후 리트벨트법을 이용하여 계산한 결정축비(c/a) 값이 1.00634로서, 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)를 첨가하지 않은 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 1.00593 보다 높게 나타나 유전율이 상승될 수 있음을 알 수 있다.Furthermore, after performing XRD measurement on the barium titanate (BaTiO 3 ) powder according to the embodiment of the present invention, the crystal axis ratio (c / a) value calculated using the Rietveld method is 1.00634, and ammonium sulfate (Ammonium) Barium titanate (BaTiO 3 ) powder without the addition of sulfate is higher than 1.00593 it can be seen that the dielectric constant can be increased.

따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따라 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)를 첨가한 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 유전율이 상승될 수 있다.
Therefore, according to one embodiment of the present invention, the dielectric constant of barium titanate (BaTiO 3 ) powder to which ammonium sulfate (Ammonium Sulfate) is added may be increased.

도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 티탄산바륨 분말의 온도별 STEM(Scanning Transmission Electron Microscope) 사진이다.5 is a photograph of scanning transmission electron microscope (STEM) for each temperature of barium titanate powder according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면 입성장 온도가 낮았던 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 경우 입자 내부에 기공(pore)이 존재함을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, in the case of barium titanate (BaTiO 3 ) powder having a low grain growth temperature, pores are present in the particles.

이러한 입자 내부에 존재하는 기공으로 인하여 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 결정성이 저하될 수 있으며, 저온에서 반응을 할 경우 상기의 기공이 발생하게 됨을 알 수 있다.
Due to the pores present in the particles, the crystallinity of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder may be lowered, and when the reaction is performed at low temperature, the pores may be generated.

한편, 수열합성 공정 중 티탄산바륨(BaTiO3) 입성장시 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)가 용해되어 발생한 설페이트 이온은 반응 중 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 표면에 흡착 또는 정전기적 인력에 의해 존재할 수 있다.Meanwhile, sulfate ions generated by dissolving ammonium sulfate during the growth of barium titanate (BaTiO 3 ) during the hydrothermal synthesis process may exist by adsorption or electrostatic attraction on the surface of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder during the reaction. .

또한, 최종 반응 후 티탄산바륨(BaTiO3) 분말의 표면에 황(Sulfur)이 코팅 혹은 치환될 수 있다.In addition, sulfur may be coated or substituted on the surface of the barium titanate (BaTiO 3 ) powder after the final reaction.

이러한 황의 존재는 소성시 탈바인더의 촉매로서 작용할 수 있어, 적층 세라믹 캐패시터의 크랙 발생 빈도가 감소하게 되므로, 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 캐패시터의 구현이 가능하다.
The presence of sulfur can act as a catalyst for the debinder during firing, so that the occurrence frequency of cracks in the multilayer ceramic capacitor is reduced, thereby enabling the implementation of a multilayer ceramic capacitor having excellent reliability.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

1: 유전체 층 10: 세라믹 본체
21: 제1 내부전극 22: 제2 내부전극
31, 32: 제1 및 제2 외부 전극
1: dielectric layer 10: ceramic body
21: first internal electrode 22: second internal electrode
31, 32: first and second external electrodes

Claims (20)

표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말.A perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and salts containing sulfur on its surface. 제1항에 있어서,
상기 황화물은 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)인 페롭스카이트 분말.
The method of claim 1,
The sulfide is ammonium sulfate (Ammonium Sulfate) perovskite powder.
제1항에 있어서,
상기 황을 포함하는 염은 인산염 및 초산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 페롭스카이트 분말.
The method of claim 1,
The salt containing sulfur is at least one perovskite powder selected from the group consisting of phosphate and acetate.
제1항에 있어서,
상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 인 페롭스카이트 분말.
The method of claim 1,
The thickness of the coating layer is 0.1 to 10 nm perovskite powder.
제1항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1 - xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1-xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 페롭스카이트 분말.
The method of claim 1,
The perovskite powder may be BaTiO 3 , BaTi x Zr 1 - x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1-x TiO 3 (0 <x <1).
제1항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말의 평균 입경은 10 내지 150 nm 인 페롭스카이트 분말.
The method of claim 1,
An average particle diameter of the perovskite powder is 10 to 150 nm perovskite powder.
제1항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010인 페롭스카이트 분말.
The method of claim 1,
Perovskite powder having a crystal axis ratio (c / a) of the perovskite powder of 1.001 to 1.010.
금속염과 금속산화물을 혼합하여 페롭스카이트 입자핵을 형성시키는 단계;
상기 페롭스카이트 입자핵과 순수에 용해시킨 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상을 혼합하는 단계; 및
상기 혼합물을 수열처리로 입성장시켜 표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 얻는 단계;
를 포함하는 페롭스카이트 분말의 제조방법.
Mixing the metal salt and the metal oxide to form a perovskite particle nucleus;
Mixing at least one selected from the group consisting of sulfides and sulfur-containing salts dissolved in the pure perovskite particle nucleus with pure water; And
Granulating the mixture by hydrothermal treatment to obtain perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and salts containing sulfur on the surface;
Method for producing a perovskite powder comprising a.
제8항에 있어서,
상기 황화물은 암모늄 설페이트(Ammonium Sulfate)인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The sulfide is ammonium sulfate (Ammonium Sulfate) method for producing a perovskite powder.
제8항에 있어서,
상기 황을 포함하는 염은 인산염 및 초산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The salt containing sulfur is a method for producing perovskite powder is at least one selected from the group consisting of phosphate and acetate.
제8항에 있어서,
상기 금속염은 수산화바륨 또는 수산화바륨과 희토류염의 혼합물인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The metal salt is a method of producing a perovskite powder is a barium hydroxide or a mixture of barium hydroxide and rare earth salts.
제8항에 있어서,
상기 금속산화물은 산화티타늄 또는 산화지르코늄인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The metal oxide is titanium oxide or zirconium oxide manufacturing method of perovskite powder.
제8항에 있어서,
상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The thickness of the coating layer is 0.1 to 10 nm method of producing a perovskite powder.
제8항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말의 평균 입경은 10 내지 150 nm 인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Method for producing a perovskite powder is the average particle diameter of the perovskite powder is 10 to 150 nm.
제8항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1 - xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1-xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The perovskite powder may be BaTiO 3 , BaTi x Zr 1 - x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1-x TiO 3 (0 <x <1).
제8항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010인 페롭스카이트 분말의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Method for producing a perovskite powder is the crystal axis ratio (c / a) of the perovskite powder is 1.001 to 1.010.
표면에 황화물 및 황을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 피막층이 형성된 페롭스카이트 분말을 포함하는 유전체층을 포함하는 세라믹 본체; 및
상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 내부 전극층;을 포함하는 적층 세라믹 전자부품.
A ceramic body comprising a dielectric layer comprising a perovskite powder having at least one coating layer selected from the group consisting of sulfides and sulfur containing salts on a surface thereof; And
And an internal electrode layer disposed to face each other with the dielectric layer interposed therebetween in the ceramic body.
제17항에 있어서,
상기 피막층의 두께는 0.1 내지 10 nm 인 적층 세라믹 전자부품.
18. The method of claim 17,
The thickness of the coating layer is 0.1 to 10 nm multilayer ceramic electronic component.
제17항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말은 BaTiO3, BaTixZr1 - xO3, BaxY1 - xTiO3, BaxDy1 - xTiO3 및 BaxHo1-xTiO3 (0<x<1)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 적층 세라믹 전자부품.
18. The method of claim 17,
The perovskite powder may be BaTiO 3 , BaTi x Zr 1 - x O 3 , Ba x Y 1 - x TiO 3 , Ba x Dy 1 - x TiO 3 And Ba x Ho 1-x TiO 3 (0 <x <1).
제17항에 있어서,
상기 페롭스카이트 분말의 결정축비(c/a)가 1.001 내지 1.010인 적층 세라믹 전자부품.
18. The method of claim 17,
The multilayer ceramic electronic component having a crystal axis ratio (c / a) of the perovskite powder is 1.001 to 1.010.
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