KR20130029332A - Edge portion coating device, edge portion coating method and storage medium - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A device and a method for coating an edge portion and a storage medium are provided to prevent the dispersion of coating solution by forming a coating layer around the edge portion. CONSTITUTION: A rotation maintenance part horizontally rotates a circular substrate. A nozzle(21) supplies coating solution to form a coating layer around the edge portion of the circular substrate. A transport device moves the nozzle. A control unit outputs a control signal to control the movement of the substrate and the nozzle, and the discharge of the coating solution.

Description

주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 기억 매체{EDGE PORTION COATING DEVICE, EDGE PORTION COATING METHOD AND STORAGE MEDIUM}EDGE PORTION COATING DEVICE, EDGE PORTION COATING METHOD AND STORAGE MEDIUM

본 발명은, 원형 기판의 주연부에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a peripheral coating device, a peripheral coating method and a storage medium for supplying a coating liquid to a peripheral portion of a circular substrate to form a coating film.

반도체 제조 공정의 하나인 포토리소그래피 공정에 있어서는, 도포 모듈을 이용하여 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트액 등의 각종 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정이 포함된다. 그런데, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 웨이퍼의 주연부에만 레지스트막을 형성하는 경우가 있다. 예컨대 특허문헌 1, 2에는 웨이퍼의 중앙부에 실리사이드층을 형성하는 처리 방법이 기재되어 있고, 이 처리에 있어서 웨이퍼의 주연부에 상기 실리사이드층이 형성되는 것을 막기 위해, 상기 주연부를 레지스트막으로 피복하는 공정을 행하고 있다.In the photolithography step, which is one of the semiconductor manufacturing steps, a step of forming a coating film by applying various coating liquids such as a resist liquid to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) using a coating module is included. By the way, in the manufacturing process of a semiconductor device, a resist film may be formed only in the peripheral part of a wafer. For example, Patent Documents 1 and 2 describe a treatment method for forming a silicide layer in the center portion of a wafer, and in this process, a step of covering the periphery portion with a resist film in order to prevent the silicide layer from being formed at the periphery of the wafer. Is doing.

이와 같이 웨이퍼의 주연부에만 레지스트막을 형성하기 위해, 네가티브 레지스트액을 웨이퍼의 표면 전체에 도포하여 레지스트막을 형성하고, 웨이퍼의 주연부를 노광한 후, 현상액을 공급하는 처리가 행해지고 있다. 상기 현상액에 의해 웨이퍼의 중앙부의 레지스트막이 용해되어, 웨이퍼의 주연부에만 레지스트막을 형성할 수 있다. 그러나, 이와 같이 복수의 처리 공정을 밟아 레지스트막을 형성하는 것은 작업 처리량을 높이기 어렵다고 하는 문제가 있다.Thus, in order to form a resist film only in the peripheral part of a wafer, the negative resist liquid is apply | coated to the whole surface of a wafer, the resist film is formed, and the process of supplying a developing solution after exposing the peripheral part of a wafer is performed. The developer film dissolves the resist film in the center portion of the wafer, so that the resist film can be formed only at the periphery of the wafer. However, forming a resist film by following a plurality of processing steps has a problem that it is difficult to increase the throughput.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-295637호(단락 0027)Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-295637 (paragraph 0027) 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2009-295636호Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2009-295636

상기 사정으로부터, 포지티브 레지스트액을 웨이퍼의 주연부에 도포하고, 처리 공정수를 삭감하는 것이 검토되어 있다. 이 처리에 대해서 도 33～도 35를 이용하여 설명하면, 노즐로부터 포지티브 레지스트액(이하, 단순히 레지스트액이라고 기재함)(101)을 토출하면서 그 토출 위치를 웨이퍼(W)의 외측으로부터 내측으로 이동시켜, 도포 처리를 개시한다. 그리고, 도 33에 화살표로 나타내는 방향으로 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 레지스트액(101)의 도포 개시 위치(103)로부터 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 그 레지스트액(101)의 토출 위치(102)를 이동시켜, 웨이퍼(W)에 띠 형상으로 레지스트액(101)을 도포한다. 그리고, 레지스트액(101)의 토출을 개시하고 나서 웨이퍼(W)를 1회전시켜, 레지스트액(101)의 토출 위치(102)를 상기 도포 개시 위치(103)로 이동시킨다. 즉, 도 34에 나타내는 바와 같이 도포 개시 위치(103)에서 레지스트액(101)끼리가 합류하게 된다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 레지스트액(101)을 도포한 후, 웨이퍼(W)의 회전을 계속하여 레지스트액(101)을 건조시켜 레지스트막이 형성된다.From the above circumstances, it has been studied to apply the positive resist liquid to the periphery of the wafer and to reduce the number of processing steps. 33 to 35, this discharge position is moved from the outside to the inside of the wafer W while discharging the positive resist liquid (hereinafter simply referred to as resist liquid) 101 from the nozzle. To start the coating process. Then, by rotating the wafer W in the direction indicated by the arrow in FIG. 33, the discharge position 102 of the resist liquid 101 from the application start position 103 of the resist liquid 101 along the periphery of the wafer W. FIG. ) Is moved, and the resist liquid 101 is applied to the wafer W in a band shape. After the discharge of the resist liquid 101 is started, the wafer W is rotated once to move the discharge position 102 of the resist liquid 101 to the coating start position 103. That is, as shown in FIG. 34, the resist liquids 101 join in the coating start position 103. As shown in FIG. After applying the resist liquid 101 to the entire circumference of the wafer W in this manner, the rotation of the wafer W is continued to dry the resist liquid 101 to form a resist film.

그런데, 상기 도포 개시 위치(103)에 있어서 도포된 레지스트액(101)이 흐트러지고, 그에 의해 레지스트막의 폭의 균일성이 저하되는 것을 알 수 있었다. 이것은, 다음과 같은 이유에 의한 것이라고 발명자는 생각하고 있다. 도 35는 웨이퍼(W)의 주연부의 측면도이며, 이 도면에 나타내는 바와 같이 노즐(104)로부터 웨이퍼(W)에 토출된 레지스트액(101)은, 웨이퍼(W)로부터 받는 원심력에 의해 토출 위치(102)로부터 외측을 향하지만, 누설의 작용이나 노즐(104)로부터의 토출압에 의해 토출 위치(102)로부터 직경 방향 내측으로도 넓어진다. 도 35에서는 레지스트액(101)의 직경 방향 내측으로 넓어지는 폭을 L1로서 나타내고 있다. 그와 같이 직경 방향 내측으로 넓어지는 레지스트액(101)은 웨이퍼(W)로부터 받는 원심력에 대항하여 상기 내측을 향하기 때문에, 웨이퍼(W) 표면에서 불안정하게 넓어진다.By the way, it turned out that the resist liquid 101 apply | coated in the said application start position 103 is disturbed, and the uniformity of the width | variety of the resist film falls by this. The inventor thinks this is for the following reason. 35 is a side view of the periphery of the wafer W, and as shown in this figure, the resist liquid 101 discharged from the nozzle 104 to the wafer W is discharged by a centrifugal force received from the wafer W ( Although it faces outward from 102, it spreads also radially inward from the discharge position 102 by the action of a leak and the discharge pressure from the nozzle 104. FIG. In FIG. 35, the width | variety which expands in the radial direction inner side of the resist liquid 101 is shown as L1. As such, the resist liquid 101 widening inwardly in the radial direction faces the inner side against the centrifugal force received from the wafer W, and thus unstablely widens on the surface of the wafer W. As shown in FIG.

그리고, 웨이퍼(W)가 1회전하여, 레지스트액(101)끼리가 합류할 때, 신규로 그 도포 개시 위치(103)에 도포되어 웨이퍼(W)의 직경 방향 내측으로 넓어지려고 하는 레지스트액(101)은, 이미 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트액(101)의 표면 장력의 영향을 받게 된다. 도 34 중 화살표로 끌어낸 점선의 원 내에는, 그 레지스트액(101)의 모습을 나타내고 있다. 도포 개시 시에 웨이퍼(W)의 내측으로 노즐(104)을 이동시키면서 레지스트액(101)을 도포하고 있기 때문에, 도포 개시 위치(103)에는 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 레지스트액(101)이 도포되어 있다. 그 때문에, 도포 개시 위치(103)에 새롭게 도포되는 레지스트액(101)은, 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 먼저 도포된 레지스트액(101)에 접촉해 가, 도면 중에 쇄선의 화살표로 나타내는 바와 같이 표면 장력에 의해 이미 도포된 레지스트액(101)이 존재하는 방향, 즉 웨이퍼(W)의 외주측으로 인장된다. 그리고 이미 서술한 웨이퍼(W)의 내측으로 불안정하게 넓어지려고 하는 레지스트액(101)은, 그 표면 장력의 작용을 크게 받게 되어, 웨이퍼(W)의 내측으로의 확장이 억제된다.Then, when the wafers W rotate once, and the resist liquids 101 join together, the resist liquid 101 which is newly applied to the coating start position 103 and tries to widen in the radial direction inside of the wafer W is formed. ) Is affected by the surface tension of the resist liquid 101 already applied to the wafer W. In the circle of dotted line drawn by the arrow in FIG. 34, the state of the resist liquid 101 is shown. Since the resist liquid 101 is applied while the nozzle 104 is moved to the inside of the wafer W at the start of coating, the resist liquid 101 is applied from the outer circumferential side of the wafer W to the coating start position 103. It is applied. Therefore, the resist liquid 101 newly applied at the application start position 103 comes into contact with the resist liquid 101 applied earlier from the outer circumferential side of the wafer W, as indicated by the dashed arrows in the figure. By the surface tension, the resist liquid 101 already applied is stretched in the direction in which the resist liquid 101 exists, that is, the outer circumferential side of the wafer W. As shown in FIG. And the resist liquid 101 which tries to expand unstable to the inside of the wafer W mentioned above receives the effect of the surface tension largely, and expansion to the inside of the wafer W is suppressed.

그 결과로서, 도 34에 나타내는 바와 같이 레지스트액(101)은 도포 개시 위치(103)에 있어서 그 내측에 절입이 형성된 링 형상으로 도포되어 버려, 이 절입 영역(105)에 의해 레지스트액의 도포 폭의 균일성이 저하된다. 또한, 이러한 절입 영역(105)이 형성되면, 그 후 웨이퍼(W)의 회전 및 웨이퍼(W)에의 레지스트액(101)의 공급을 계속하여도, 레지스트액(101)은 이 절입 영역(105)을 매우도록 흐르지 않아, 레지스트액 건조 후에 절입 영역(105)이 남아 버리는 것을 발명자는 확인하고 있다.As a result, as shown in FIG. 34, the resist liquid 101 is apply | coated in the ring shape which cut | disconnected in the inside at the application | coating start position 103, and the application | coating width | variety of the resist liquid by this incision area | region 105 is carried out. The uniformity of is lowered. In addition, if such an incision region 105 is formed, the resist liquid 101 will continue to rotate the wafer W and supply the resist liquid 101 to the wafer W thereafter. The inventors have confirmed that the flow rate does not flow so much that the cutout region 105 remains after drying of the resist liquid.

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 원형 기판의 주연부에 도포액을 도포하여 링 형상의 도포막을 형성하는 데 있어서, 그 폭을 균일성 높게 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.This invention is made | formed under such a situation, The objective is to provide the technique which can form the width uniformly in apply | coating a coating liquid to the periphery of a circular substrate, and forming a ring-shaped coating film.

본 발명의 주연부 도포 장치는, 원형의 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,The peripheral part coating apparatus of this invention is a rotation holding part which rotates by holding a circular substrate horizontally,

상기 기판의 표면의 주연부에 도포막을 형성하기 위해 도포액을 공급하는 노즐과,A nozzle for supplying a coating liquid to form a coating film at the periphery of the surface of the substrate;

상기 도포액의 공급 위치를 기판의 주연부와 기판의 외측 위치 사이에서 이동시키기 위해, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와,A moving mechanism for moving the nozzle to move the supply position of the coating liquid between a peripheral portion of the substrate and an outer position of the substrate;

상기 회전 유지부에 의한 기판의 회전과, 상기 노즐로부터의 도포액의 토출과, 이동 기구에 의한 노즐의 이동을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부A control unit for outputting a control signal to control rotation of the substrate by the rotation holding unit, discharge of the coating liquid from the nozzle, and movement of the nozzle by the moving mechanism

를 구비하고,And,

상기 제어부는,The control unit,

기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행하면서, 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시켜, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형으로 도포액을 도포하며,While rotating the substrate and supplying the coating liquid from the nozzle, the supply position of the coating liquid is moved from the outside of the substrate toward the periphery of the substrate, and when the substrate is viewed in plan, the coating is applied in a wedge shape having an angle of 10 ° or less. Apply liquid,

이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 이 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부가 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉하여, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액이 도포되도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.Subsequently, the movement of the nozzle is stopped while the substrate is rotated and the supply of the coating liquid is stopped, and the coating liquid is applied in the form of a band along the periphery of the substrate, and the end portion of the coating liquid applied in the form of the band is wedge-shaped. It is characterized by outputting a control signal in contact with the applied coating liquid so that the coating liquid is applied over the entire circumference of the substrate.

상기 주연부 도포 장치의 구체적인 양태는, 예컨대 하기와 같다.The specific aspect of the said peripheral part coating apparatus is as follows, for example.

(1) 기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행할 때에, 도포액의 토출 속도는, 상기 기판의 주연부의 속도의 -10％～+10％의 범위 내이다.(1) When the rotation of the substrate and the supply of the coating liquid from the nozzle are performed, the discharging speed of the coating liquid is in the range of -10% to + 10% of the speed of the peripheral portion of the substrate.

(2) 도포액의 기판에의 공급이 행해질 때에 기판의 회전 속도는 100 rpm 이상이다.(2) When the coating liquid is supplied to the substrate, the rotation speed of the substrate is 100 rpm or more.

(3) 상기 기판의 외측 위치로부터 기판의 주연부로 이동하는 도포액의 공급 위치의 이동 속도는 30 ㎜/초 이하이다.(3) The movement speed of the supply position of the coating liquid which moves from the outer position of the said board | substrate to the periphery part of a board | substrate is 30 mm / sec or less.

(4) 상기 노즐의 구경은 0.6 ㎜ 이하이다.(4) The diameter of the nozzle is 0.6 mm or less.

본 발명에 따르면, 원형의 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형이 되도록 도포액을 기판의 주연부에 도포하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포한 도포액의 단부를 이 쐐기형으로 도포한 도포액에 접촉시키고 있다. 그에 의해, 도포액끼리가 접촉하는 것에 따른 그 도포액의 흐트러짐이 억제되어, 기판의 주연부에 균일성 높은 폭으로 도포막을 형성할 수 있다.According to the present invention, when the circular substrate is viewed in plan, the coating liquid is applied to the periphery of the substrate so that the angle thereof becomes a wedge shape with an angle of 10 ° or less, and the end of the coating liquid applied in a band shape along the periphery of the substrate is wedge-shaped. It is made to contact the coating liquid apply | coated by the mold | type. Thereby, the disturbance of the coating liquid due to the contact of the coating liquids is suppressed, and a coating film can be formed in a uniformly high width at the periphery of the substrate.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 주연부 도포 장치를 나타내는 종단 단면도이다.
도 2는 상기 주연부 도포 장치의 평면도이다.
도 3은 상기 주연부 도포 장치에 설치되는 노즐의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 5는 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 6은 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 7은 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 8은 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 9는 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 10은 상기 주연부 도포 장치에 의해 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 11은 상기 주연부 도포 장치에 의해 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 12는 상기 주연부 도포 장치에 의해 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 13은 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 14는 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 15는 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 16은 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 17은 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 18은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 19는 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 20은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 21은 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 22는 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 23은 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 24는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 25는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 26은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 27은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 28은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 29는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 30은 평가 시험에 있어서 형성된 레지스트막의 설명도이다.
도 31은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 32는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 33은 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 34는 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 35는 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal cross-sectional view which shows the peripheral part coating apparatus which concerns on embodiment of this invention.
2 is a plan view of the peripheral coating device.
3 is a longitudinal side view of the nozzle provided in the peripheral portion coating device.
4 is a process chart showing the operation of the peripheral portion coating device.
5 is a process chart showing the operation of the peripheral portion coating device.
6 is a process chart showing the operation of the peripheral portion coating device.
7 is a process chart showing the operation of the peripheral portion coating device.
8 is a process chart showing the operation of the peripheral portion coating device.
9 is a process chart showing the operation of the peripheral portion coating device.
10 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid by the peripheral portion coating device.
Fig. 11 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid by the peripheral portion coating device.
12 is a plan view of a wafer to which a resist liquid is applied by the peripheral coating device.
13 is a plan view of a wafer coated with the resist liquid.
14 is a plan view of a wafer coated with the resist liquid.
15 is a plan view of a wafer coated with the resist liquid.
Fig. 16 is a plan view of a wafer coated with the resist liquid.
17 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid in an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
19 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid in an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
21 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid in an evaluation test.
22 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid in an evaluation test.
Fig. 23 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid in an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is explanatory drawing of the resist film formed in the evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
33 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid.
34 is a plan view of a wafer coated with a resist liquid.
35 is a side view of a wafer to which a resist liquid is applied.

본 발명의 실시형태에 따른 주연부 도포 장치(1)에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1, 도 2는 각각 주연부 도포 장치(1)의 종단 측면도, 평면도이다. 주연부 도포 장치(1)는 웨이퍼(W)의 주연부에 레지스트액을 도포하여 도포막을 형성하는 장치이며, 스핀척(11)을 구비하고 있다. 스핀척(11)은, 진공 흡착에 의해, 예컨대 그 직경이 300 ㎜의 원형 기판인 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하도록 구성되어 있다. 스핀척(11)은, 회전 모터 등을 포함하는 회전 구동부(12)에 접속되어 있다. 회전 구동부(12)는, 후술하는 제어부(3)로부터 출력되는 제어 신호에 따른 회전 속도로, 스핀척(11)을 연직 주위로 회전시킨다.The peripheral part coating apparatus 1 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated, referring FIG. 1 and FIG. 1 and 2 are longitudinal side views and plan views of the peripheral portion coating device 1, respectively. The peripheral part coating apparatus 1 is an apparatus which forms a coating film by apply | coating a resist liquid to the peripheral part of the wafer W, and is provided with the spin chuck 11. The spin chuck 11 is configured to horizontally hold the wafer W, which is, for example, a circular substrate having a diameter of 300 mm by vacuum suction. The spin chuck 11 is connected to a rotation drive unit 12 including a rotation motor and the like. The rotation drive unit 12 rotates the spin chuck 11 around the vertical at a rotation speed in accordance with a control signal output from the control unit 3 described later.

도면 중 도면 부호 13은, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 3개의 지지핀(도시의 편의상 2개만 나타내고 있음)이며, 승강 기구(14)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 지지핀(13)에 의해 도시하지 않는 웨이퍼(W)의 반송 기구와 스핀척(11) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.In the figure, reference numeral 13 denotes three support pins (only two of which are shown for convenience of illustration) for supporting the back surface of the wafer W, and are configured to be liftable by the lifting mechanism 14. The wafer W is transferred between the support mechanism of the wafer W (not shown) and the spin chuck 11 by the support pins 13.

스핀척(11)의 하방측에는 단면 형상이 산 형태의 가이드링(15)이 설치되어 있고, 이 가이드링(15)의 외주연은 하방측으로 굴곡하여 연장되어 있다. 상기 스핀척(11) 및 가이드링(15)을 둘러싸도록, 도포액인 레지스트액의 비산을 억제하기 위한 컵(16)이 설치되어 있다.The lower side of the spin chuck 11 is provided with a guide ring 15 having a cross-sectional shape, and the outer periphery of the guide ring 15 is bent downward and extends. The cup 16 for suppressing the scattering of the resist liquid which is a coating liquid is provided so that the said spin chuck 11 and the guide ring 15 may be enclosed.

이 컵(16)은 상측이 개구되고, 스핀척(11)에 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록 되어 있고, 컵(16)의 측주면(側周面)과 가이드링(15)의 외주연 사이에 배출로를 이루는 간극(17)이 형성되어 있다. 상기 컵(16)의 하방측에는 기립된 배기관(18)이 설치되고, 배기관(18) 내는 배기구(18a)로서 구성되어 있다. 또한 컵(16)의 바닥부에는 배액구(19)가 개구하고 있다.The cup 16 is open at the upper side, and can transfer the wafer W to the spin chuck 11, and is formed between the side circumferential surface of the cup 16 and the outer circumferential edge of the guide ring 15. A gap 17 is formed in the discharge passage. The upright exhaust pipe 18 is provided below the cup 16, and the exhaust pipe 18 is configured as an exhaust port 18a. In addition, a drain port 19 is opened at the bottom of the cup 16.

주연부 도포 장치(1)는 노즐(21)을 구비하고 있고, 노즐(21)은 원형의 토출구(22)(도 3)를 구비하며, 토출구(22)로부터 연직 하방으로 레지스트액(포지티브 레지스트액)이 토출된다. 도 3은 노즐(21)의 종단 측면을 나타내고 있으며, 도면 중에 도면 부호 L2로 나타내는 토출구(22)의 구경은 이 예에서는 0.3 ㎜로 설정되어 있다. 이와 같이 구경을 설정하는 것은, 후술하는 레지스트액 공급원(24)으로부터 노즐(21)에 공급하는 레지스트액의 단위 시간당의 유량(mL/초)을 제어함으로써, 레지스트액의 토출 속도(㎜/초)와 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도(㎜/초)를 대략 같게 할 수 있도록 하기 위해서이다. 대략 같게 한다는 것은, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 레지스트액을 도포할 때에, 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도의 -10％～+10％의 범위 내의 속도로 레지스트액을 토출하는 것을 말한다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 레지스트액의 토출 속도를 제어함으로써, 후술하는 작용 및 실험에서 나타내는 바와 같이, 레지스트액이 웨이퍼(W)로부터 튀기는 것을 막아, 균일성 높은 폭으로 링 형상의 레지스트막을 형성할 수 있다.The peripheral part coating apparatus 1 is provided with the nozzle 21, and the nozzle 21 is equipped with the circular discharge port 22 (FIG. 3), and resist liquid (positive resist liquid) is perpendicularly downward from the discharge port 22. As shown in FIG. Is discharged. 3 shows the end side surface of the nozzle 21, and the diameter of the discharge port 22 indicated by reference numeral L2 in the figure is set to 0.3 mm in this example. Setting the aperture in this manner controls the discharge rate (mm / second) of the resist liquid by controlling the flow rate (mL / sec) per unit time of the resist liquid supplied to the nozzle 21 from the resist liquid supply source 24 described later. This is to make the speed (mm / sec) of the periphery part at the time of rotation of the wafer W nearly equal. When the resist liquid is applied while the wafer W is rotated to be substantially the same, the resist liquid is discharged at a speed within a range of -10% to + 10% of the speed of the peripheral portion at the time of rotation of the wafer W. . By controlling the rotational speed of the wafer W and the ejection speed of the resist liquid in this manner, as shown in the operation and experiment described later, the resist liquid is prevented from splashing from the wafer W, and the ring-shaped resist is uniformly high. A film can be formed.

상기 노즐(21)은, 레지스트액 공급관(23)을 개재하여, 레지스트액이 저류된 레지스트액 공급원(24)에 접속되어 있다. 레지스트액 공급원(24)은 펌프를 구비하여, 레지스트액을 하류측으로 압송한다. 상기 레지스트액 공급관(23)에는 밸브나 유량 조정부 등을 포함하는 공급 기기군(25)이 개재되어, 제어부(3)로부터 출력되는 제어 신호에 기초하여 레지스트액의 공급/차단 및 노즐(21)에의 공급량을 제어한다.The said nozzle 21 is connected to the resist liquid supply source 24 in which the resist liquid was stored via the resist liquid supply pipe 23. The resist liquid supply source 24 is provided with a pump, and pressurizes a resist liquid downstream. The resist liquid supply pipe 23 is provided with a supply device group 25 including a valve, a flow rate adjusting unit, and the like, and supplies / blocks the resist liquid to the nozzle 21 based on a control signal output from the control unit 3. To control the supply.

상기 노즐(21)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 수평 방향으로 신장한 아암(26)을 개재하여 이동 기구(27)에 접속되어 있다. 이동 기구(27)는, 가로 방향으로 신장한 가이드 레일(2)을 따라 이동하여, 아암(26)을 승강시킬 수 있다. 제어부(3)로부터의 제어 신호에 따라 이동 기구(27)가 이동하고, 이 이동 기구(27)의 이동에 의해, 노즐(21)은 컵(16)의 외부에 설치된 대기 영역(28)과 웨이퍼(W)의 주연부 상의 사이에서 이동할 수 있다.The nozzle 21 is connected to the movement mechanism 27 via the arm 26 extended in the horizontal direction, as shown in FIG. The movement mechanism 27 can move along the guide rail 2 extended in the horizontal direction, and can raise and lower the arm 26. The movement mechanism 27 moves according to the control signal from the control part 3, and by the movement of this movement mechanism 27, the nozzle 21 is equipped with the atmospheric area 28 and the wafer which were provided outside the cup 16. It can move between on the periphery of (W).

계속해서 제어부(3)에 대해서 설명한다. 제어부(3)는 컴퓨터에 의해 구성되며, 프로그램 저장부를 구비하고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용에서 설명하는 주연부 도포 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 프로그램이 저장된다. 상기 프로그램 저장부에 저장된 프로그램이 제어부(3)에 판독되어, 제어부(3)는 주연부 도포 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신한다. 그에 의해, 노즐(21)의 이동, 노즐(21)로부터의 레지스트액의 토출 유량 및 웨이퍼(W)의 회전 속도 등이 제어되며, 후술하는 작용이 실시된다. 이 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 광디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.Subsequently, the control unit 3 will be described. The control part 3 is comprised by the computer, and is provided with the program storage part. The program storage unit stores a program in which a command is issued so that the peripheral edge coating process described in the operation described later is performed. The program stored in the program storage unit is read by the control unit 3, and the control unit 3 transmits a control signal to each unit of the peripheral edge application device 1. Thereby, the movement of the nozzle 21, the discharge flow volume of the resist liquid from the nozzle 21, the rotation speed of the wafer W, etc. are controlled, and the below-mentioned action is performed. This program is stored in a program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk or a memory card.

계속해서, 주연부 도포 장치(1)의 작용에 대해서 노즐(21)의 동작을 나타내는 도 4～도 9를 참조하면서 설명한다. 또한, 웨이퍼(W)의 평면도이며, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트액의 모습에 대해서 나타낸 도 10～도 16도 적절하게 참조하면서 설명한다. 도시하지 않는 반송 기구에 의해, 웨이퍼(W)가 주연부 도포 장치(1)에 반송되고, 지지핀(13)에 의해 스핀척(11)에 전달되어, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부가 흡착 유지된다. 대기 영역(28)으로부터 노즐(21)이 웨이퍼(W)의 외측 상방으로 이동한다(도 4).Subsequently, the operation of the peripheral coating device 1 will be described with reference to FIGS. 4 to 9 showing the operation of the nozzle 21. Moreover, it is a top view of the wafer W, and it demonstrates, referring also suitably to FIGS. 10-16 which show the state of the resist liquid apply | coated to the wafer W. FIG. By the conveyance mechanism (not shown), the wafer W is conveyed to the peripheral part coating device 1, is transferred to the spin chuck 11 by the support pins 13, and the center portion of the rear surface of the wafer W is adsorbed and held. . From the standby region 28, the nozzle 21 moves upwardly outward of the wafer W (FIG. 4).

웨이퍼(W)가 회전을 개시하여, 그 회전 속도(회전수)가, 예컨대 300 rpm(1초간에 5회전)이 되고, 노즐(21)로부터 하방으로 레지스트액(31)이 토출된다(도 5). 이 웨이퍼(W)의 직경의 크기는 300 ㎜이기 때문에, 이때 웨이퍼(W)의 주연부(외주단)의 속도는 300·π·5≒4711.5 ㎜/초로 되어 있다. 상기한 바와 같이 노즐(21)의 구경이 0.3 ㎜로 설정되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액(31)의 속도를 같게 하기 위해, 노즐(21)에 471.15(㎝/초)×(0.015 ㎝×0.015 ㎝×π)≒0.33 mL/초로 레지스트액(31)이 공급된다.The wafer W starts to rotate, and the rotational speed (rotational speed) becomes, for example, 300 rpm (five revolutions per second), and the resist liquid 31 is discharged downward from the nozzle 21 (FIG. 5). ). Since the size of the diameter of this wafer W is 300 mm, the speed of the periphery (outer peripheral end) of the wafer W is 300 · π · π471.5 mm / sec at this time. Since the diameter of the nozzle 21 is set to 0.3 mm as mentioned above, in order to make the speed of the peripheral part of the wafer W and the speed of the resist liquid 31 discharged from the nozzle 21 the nozzle ( 21) is supplied with a resist liquid 31 at 471.15 (cm / sec) × (0.015 cm × 0.015 cm × π) ≒ 0.33 mL / sec.

그와 같이 레지스트액(31)을 토출한 채로, 노즐(21)이, 예컨대 10 ㎜/초로 웨이퍼(W)의 주연부 상으로 이동한다(도 6). 토출되는 레지스트액(31)의 선속도와 웨이퍼(W)의 주연부의 속도가 같기 때문에, 웨이퍼(W)에 접촉한 레지스트액(31)은 웨이퍼(W)로부터 받는 충격이 억제되기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 튀기지 않고 웨이퍼(W) 표면에 도포된다. 이 레지스트액(31)의 도포 시에 웨이퍼(W)의 회전이 행해지고 있기 때문에, 도 10, 도 11에 나타내는 바와 같이 레지스트액(31)은 웨이퍼(W)의 둘레단으로부터 내측을 향하여 넓어지도록 도포되어, 도 11의 화살표로 끌어낸 점선의 원 내에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부에 평면에서 보아 쐐기형으로 도포된다. 노즐(21)의 이동 속도 및 웨이퍼(W)의 회전 속도가 상기한 바와 같이 제어됨으로써, 도면에 나타내는 쐐기가 이루는 각(θ)은 10°이하가 된다. 이 θ는, 보다 자세하게는 상기 쐐기의 선단의 각도이다. 이 쐐기형으로 도포된 레지스트액을 쐐기형 영역으로서 도면 부호 41을 붙이고 있다. 또한, 각 도면의 도면 부호 33은 웨이퍼(W)에 있어서 레지스트액(31)의 토출이 개시된 개시 영역을 나타내고 있다.As described above, the nozzle 21 moves on the periphery of the wafer W at 10 mm / sec, for example, while discharging the resist liquid 31 (FIG. 6). Since the linear velocity of the resist liquid 31 discharged and the velocity of the peripheral portion of the wafer W are the same, the resist liquid 31 in contact with the wafer W is suppressed because the impact received from the wafer W is suppressed. It is applied to the surface of the wafer W without splashing from W). Since the wafer W is rotated when the resist liquid 31 is applied, the resist liquid 31 is coated so as to extend inward from the circumferential end of the wafer W, as shown in FIGS. 10 and 11. As shown in the circle of dotted line drawn by the arrow of FIG. 11, it is applied in a wedge shape in plan view to the periphery of the wafer W. As shown in FIG. By controlling the moving speed of the nozzle 21 and the rotational speed of the wafer W as described above, the angle θ formed by the wedge shown in the drawing is 10 ° or less. This θ is the angle of the tip of the wedge in more detail. The wedge-shaped resist liquid is denoted by reference numeral 41 as a wedge-shaped region. In addition, reference numeral 33 in each drawing represents a start area in which the ejection of the resist liquid 31 is started in the wafer W. As shown in FIG.

웨이퍼(W)에 있어서 레지스트액(31)이 토출되는 토출 영역의 중심과 웨이퍼(W)의 단부가 이루는 거리(L3)가, 예컨대 3 ㎜가 되면, 노즐(21)의 이동이 정지한다(도 7, 도 12). 토출된 레지스트액(31)은 상기 토출 영역의 주위에 젖는 부분이 넓어지며 웨이퍼(W)의 원심력의 작용을 받아 외주측을 향함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포된다(도 13). 각 도면에서는 이 띠 형상으로 도포된 레지스트액을 띠 형상 영역으로서 도면 부호 42를 붙여 나타내고 있다.When the distance L3 between the center of the discharge region in which the resist liquid 31 is discharged from the wafer W and the end portion of the wafer W becomes 3 mm, for example, the movement of the nozzle 21 is stopped (Fig. 7, FIG. 12). The discharged resist liquid 31 has a wetted portion around the discharge region widening and directed toward the outer circumferential side under the action of the centrifugal force of the wafer W, thereby being applied in a band shape along the periphery of the wafer W (Fig. 13). In each figure, the resist liquid coated by this strip | belt-shaped is shown with the code | symbol 42 as a strip | belt-shaped area | region.

그리고, 웨이퍼(W)에 레지스트액(31)의 도포를 개시하고 나서 웨이퍼(W)가 1회전하여, 띠 형상 영역(42)의 단부가 쐐기형 영역(41)에 접촉한다. 즉, 레지스트액(31)을 웨이퍼(W)에 공급하고 나서 그 웨이퍼(W)를 1회전시킨 후에 공급된 레지스트액이, 상기 평면에서 보아 쐐기형으로 도포된 레지스트액(31)의 상기 쐐기의 선단에 접촉하게 된다. 이때, 상기 쐐기형 영역(41)은 이미 서술한 바와 같이 θ가 작게 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 신장하는 띠 형상 영역(42)은 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 점차 쐐기형 영역(41)에 접촉해 가게 된다(도 14, 도 15). 즉, 도포 개시 위치(33)에 레지스트액(31)이 도포될 때, 레지스트액(31)에 의한 띠 형상 영역(42)의 단부는, 도 34, 도 35에 나타낸 쐐기의 각도(θ)가 비교적 큰 경우에 비해서, 쐐기형 영역(41)에 대하여 적은 접촉 면적을 가지고 서서히 웨이퍼(W)에 도포되어 가기 때문에, 이 띠 형상 영역(42)의 단부가 쐐기형 영역(41)으로부터 받는 표면 장력이 약하고, 즉 외주 방향으로 받는 힘이 약하다.After the application of the resist liquid 31 to the wafer W is started, the wafer W is rotated once, and the end of the strip-shaped region 42 contacts the wedge-shaped region 41. That is, after the resist liquid 31 is supplied to the wafer W and the wafer W is rotated one time, the supplied resist liquid of the wedge of the resist liquid 31 coated in a wedge shape in plan view is used. It comes in contact with the tip. At this time, since the wedge-shaped region 41 has a small θ as described above, the band-shaped region 42 extending along the periphery of the wafer W gradually wedges from the outer peripheral side of the wafer W. As shown in FIG. It comes into contact with the mold region 41 (Figs. 14 and 15). That is, when the resist liquid 31 is applied to the application starting position 33, the end portions of the band-shaped regions 42 by the resist liquid 31 have the wedge angle θ shown in FIGS. 34 and 35. In comparison with the relatively large case, since the wafer W is gradually applied to the wafer W with a small contact area with respect to the wedge-shaped region 41, the surface tension of the end of the band-shaped region 42 is received from the wedge-shaped region 41. This is weak, that is, the force received in the circumferential direction is weak.

또한, 이와 같이 레지스트액(31)을 도포하는 데 있어서, 웨이퍼(W)를 300 rpm으로 비교적 높은 속도로 회전시키고 있기 때문에, 레지스트액(31)에 작용하는 원심력이 크기 때문에, 레지스트액(31)이 웨이퍼(W)의 토출 영역으로부터 웨이퍼(W)의 직경 방향 내측을 향하는 것이 억제되어, 도 35에서 나타낸 폭(L1)이 작아진다. 즉, 띠 형상 영역(42)에 있어서 표면 장력의 영향을 받기 쉬운 영역이 작다.In the application of the resist liquid 31 in this manner, since the wafer W is rotated at a relatively high speed at 300 rpm, since the centrifugal force acting on the resist liquid 31 is large, the resist liquid 31 is applied. The radial direction inside of the wafer W is suppressed from the discharge region of the wafer W, and the width L1 shown in FIG. 35 is reduced. That is, the area | region which is easy to be influenced by surface tension in the strip | belt-shaped area | region 42 is small.

따라서, 링 형상으로 도포되는 레지스트액(31)에 있어서 그 내측에, 도포가 행해지지 않는 절입 영역의 형성을 막거나, 그 크기를 억제할 수 있다. 그 결과, 도 16에 나타내는 바와 같이 레지스트액(31)은, 웨이퍼(W)에 그 폭의 균일성이 높아지도록 도포된다. 쐐기형 영역(41) 상에 띠 형상 영역(42)이 중첩되도록 도포된 후도 웨이퍼(W)의 회전 및 레지스트액(31)의 토출이 계속되어, 웨이퍼(W)의 주연부에 반복하여 레지스트액(31)이 도포된다. 그리고, 노즐(21)의 이동이 정지하고 나서 정해진 시간 경과 후에, 노즐(21)은 웨이퍼(W)의 외측의 상방으로 이동하며(도 8), 레지스트액(31)의 공급을 정지하여 대기 영역(28)으로 되돌아간다. 계속해서 웨이퍼(W)의 회전 속도가 상승하여, 레지스트액(31) 중의 용제가 증발하고, 레지스트액(31)으로부터 레지스트막(43)이 형성된다.Therefore, in the resist liquid 31 apply | coated in ring shape, formation of the cutout area | region where application | coating is not performed inside can be prevented, or the magnitude | size can be suppressed. As a result, as shown in FIG. 16, the resist liquid 31 is apply | coated to the wafer W so that the uniformity of the width may become high. Even after the stripe region 42 is coated on the wedge-shaped region 41, the rotation of the wafer W and the ejection of the resist liquid 31 are continued, and the resist liquid is repeatedly repeated at the periphery of the wafer W. 31 is applied. After a predetermined time elapses after the movement of the nozzle 21 stops, the nozzle 21 moves upward of the outside of the wafer W (FIG. 8) to stop the supply of the resist liquid 31 to stop the supply area. Return to (28). Subsequently, the rotational speed of the wafer W rises, the solvent in the resist liquid 31 evaporates, and the resist film 43 is formed from the resist liquid 31.

이 주연부 도포 장치(1)에 의하면, 웨이퍼(W)에의 레지스트액(31)의 도포 개시 시에 형성되는 쐐기형 영역(41)의 각도가 예리해지도록 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 노즐(21)의 이동 속도를 제어하여, 웨이퍼(W)를 회전시켜 띠 형상으로 도포되는 레지스트액(31)이 상기 쐐기형 영역(41)으로부터 받는 표면 장력의 영향을 작게 하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 크게 하여 레지스트액(31)의 토출 위치(32)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부측을 향하는 레지스트액의 도포 범위를 억제하고 있다. 따라서, 레지스트액의 도포 개시 위치(33)에서 레지스트액(31)끼리가 접촉할 때에, 레지스트액(31)의 웨이퍼(W)의 중심부 방향으로의 확장이 흐트러지는 것이 억제되어, 웨이퍼(W)에 균일성 높은 폭으로 링 형상의 레지스트막을 형성할 수 있다.According to this peripheral part coating device 1, the rotational speed of the wafer W and the nozzle 21 so that the angle of the wedge-shaped region 41 formed at the start of the application of the resist liquid 31 to the wafer W becomes sharp. ), The wafer W is rotated to reduce the influence of the surface tension of the resist liquid 31 applied in the form of a band from the wedge-shaped region 41, thereby reducing the rotational speed of the wafer W. The application range of the resist liquid from the discharge position 32 of the resist liquid 31 toward the center part side of the wafer W is suppressed. Therefore, when the resist liquids 31 contact each other at the application start position 33 of the resist liquid, the expansion of the resist liquid 31 in the direction of the center of the wafer W is suppressed and the wafer W is suppressed. A ring-shaped resist film can be formed in a uniformly high width.

노즐(21)은 수평으로 이동시키는 것에 한정되지 않고, 경사지도록 이동시켜 레지스트액(31)의 토출 위치를 옮겨도 좋다. 또한, 레지스트막을 형성하는 경우 외에 SOG막, SOD막, 폴리이미드막 등의 막을 형성하는 경우에도 본 발명은 유효하다.The nozzle 21 is not limited to being moved horizontally, but may be moved to be inclined to move the discharge position of the resist liquid 31. The present invention is also effective when forming a film such as an SOG film, an SOD film, or a polyimide film in addition to forming a resist film.

그런데, 상기 실시형태에서는 레지스트액(31) 도포 시의 웨이퍼(W)의 회전 속도를 300 rpm으로 설정하고 있지만, 후술하는 평가 시험에서 나타내는 바와 같이 100 rpm 이상이면 양호한 도포 처리를 행할 수 있다. 그리고, 상기 예에서는 노즐(21)의 구경(L2)을 0.3 ㎜로 설정하고 있지만, 이 L2는 0.6 ㎜ 이하이면 좋고, 구경(L2)을 그와 같이 설정하여 이미 서술한 주연부에의 도포 처리를 행할 수 있는 것은 실험을 행하여 확인되어 있다. 또한, 상기 회전 속도가 100 rpm이면 상기 웨이퍼(W)의 주연부의 속도는 300 ㎜×π×100 rpm/60초≒1570.5 ㎜/초이다. 이때 상기 구경(L2)이 0.6 ㎜인 경우, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액(31)의 속도를 같게 하기 위한 레지스트액(31)의 공급량은, 157.05(㎝/초)×0.03 ㎝×0.03 ㎝×π≒0.44 mL/초이며, 실용상 적절한 공급량이다. 또한, 노즐(21)은 토출구(22)가 웨이퍼(W)의 중심부측으로부터 외측을 향하도록 설치하여 도포액을 토출하여도 좋다. 즉, 노즐(21)은 평면에서 보아 경사져 설치하여도 좋다.By the way, in the said embodiment, although the rotational speed of the wafer W at the time of apply | coating the resist liquid 31 is set to 300 rpm, as shown by the evaluation test mentioned later, favorable application | coating process can be performed as it is 100 rpm or more. And although the diameter L2 of the nozzle 21 is set to 0.3 mm in the said example, this L2 should just be 0.6 mm or less, setting the diameter L2 in such a manner, and apply | coating to the peripheral part mentioned above. What can be done is confirmed by experiment. In addition, when the rotation speed is 100 rpm, the speed of the peripheral portion of the wafer W is 300 mm × π × 100 rpm / 60 seconds × 1570.5 mm / second. At this time, when the aperture L2 is 0.6 mm, the supply amount of the resist liquid 31 for equalizing the speed of the peripheral portion of the wafer W with the speed of the resist liquid 31 discharged from the nozzle 21 is 157.05. (Cm / sec) × 0.03 cm × 0.03 cm × π × 0.44 mL / sec, which is a practically appropriate supply amount. Moreover, the nozzle 21 may be provided so that the discharge port 22 may face outward from the central part side of the wafer W, and may discharge a coating liquid. That is, the nozzle 21 may be inclined in plan view.

계속해서, 본 발명에 관련하여 행해진 실험에 대해서 설명한다.Subsequently, the experiment performed in connection with the present invention will be described.

(평가 시험 1)(Evaluation examination 1)

상기 주연부 도포 장치(1)에 있어서, 레지스트액의 토출을 개시하는 타이밍 에 대해서 검증하기 위해 시험을 행하였다. 평가 시험 1-1에서는 레지스트액(31)의 토출 위치(32)를 미리 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시킨 후, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 그 주연부에 레지스트액(31)을 토출하고, 이후에는 상기 실시형태와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 주연부 전체 둘레에 레지스트액(31)을 도포하였다. 평가 시험 1-2에서는, 상기 실시형태와 마찬가지로 레지스트액(31)을 토출하면서 토출 위치(32)를 웨이퍼(W)의 외측으로부터 주연부로 이동시켜 처리를 행하였다. 단, 쐐기형 영역(41)의 각도(θ)는 10°보다 커지도록 레지스트액(31) 도포 시의 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 노즐(21)의 이동 속도를 제어하였다. 평가 시험 1-1, 1-2 모두 5장의 웨이퍼(W)에 동일한 처리를 행하여, 각 웨이퍼(W)에 있어서 도포 개시 위치(33) 및 그 부근의 레지스트막(43)의 형상을 관찰하였다. 또한, 각 웨이퍼(W)에 있어서 레지스트막(43)의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하였다. 상기 폭의 차가 작을수록, 폭의 균일성이 높다고 말할 수 있다.In the peripheral portion coating device 1, a test was conducted to verify the timing of starting the discharge of the resist liquid. In the evaluation test 1-1, after discharging the discharge position 32 of the resist liquid 31 to the periphery of the wafer W in advance, the resist liquid 31 is discharged to the periphery while the wafer W is rotated. In the same manner as in the above embodiment, the resist liquid 31 was coated around the entire periphery of the wafer W. As shown in FIG. In the evaluation test 1-2, the discharge position 32 was moved to the peripheral part from the outer side of the wafer W, and the process was performed similarly to the said embodiment, discharging the resist liquid 31. FIG. However, the rotational speed of the wafer W and the moving speed of the nozzle 21 at the time of applying the resist liquid 31 were controlled so that the angle θ of the wedge-shaped region 41 became larger than 10 °. Evaluation test 1-1 and 1-2 performed the same process to five wafers W, and observed the shape of the coating start position 33 and the resist film 43 in the vicinity in each wafer W. As shown in FIG. In addition, the difference between the maximum value and the minimum value of the width of the resist film 43 in each wafer W was measured. It can be said that the smaller the difference in the width is, the higher the uniformity of the width is.

도 17은 평가 시험 1-1의 도포 개시 위치(33) 부근의 레지스트막(43)의 평면에서 본 형상을 나타내고 있으며, 도면의 상측이 웨이퍼(W)의 중심부측, 하측이 웨이퍼(W)의 외주측이다. 도면에 나타내는 바와 같이 도포 개시 위치(33)에 있어서, 레지스트막(43)의 폭이 커져 있다. 그리고, 도 18은 웨이퍼마다 상기 차의 크기(단위: ㎜)를 나타낸 그래프이다. 이 그래프에 나타내는 바와 같이 각 웨이퍼 모두 막의 폭의 차가 컸다.FIG. 17: shows the shape seen from the plane of the resist film 43 near the application | coating start position 33 of the evaluation test 1-1, The upper side of the figure shows the center side of the wafer W, and the lower side of the wafer W is shown. It is the outer circumference side. As shown in the figure, the width | variety of the resist film 43 becomes large in the application start position 33. As shown in FIG. 18 is a graph showing the size (unit: mm) of the difference for each wafer. As shown in this graph, the difference in film width was large for each wafer.

도 19는 평가 시험 1-2의 도포 개시 위치(33) 부근의 레지스트막(43)의 형상을 도 17과 동일하게 나타내고 있다. 이 도 19에 나타내는 바와 같이 레지스트액(31)의 도포가 행해지지 않은 절입 영역(105)이 형성되어 있지만, 도 20에 나타내는 바와 같이 각 웨이퍼(W)의 레지스트막(43)의 폭의 차는 평가 시험 1-1보다 작았다. 이 평가 시험 1의 결과로부터, 노즐(21)을 이동시키면서 레지스트액(31)을 도포한 뒤에, 상기 절입 영역(105)이 형성되는 것을 막는 것이 검토되어, 실시형태에서 나타낸 방법이 고안되었다.FIG. 19: shows the shape of the resist film 43 near the application start position 33 of evaluation test 1-2 similarly to FIG. As shown in FIG. 19, the cutout region 105 in which the resist liquid 31 is not applied is formed. However, as shown in FIG. 20, the difference in the width of the resist film 43 of each wafer W is evaluated. It was smaller than the test 1-1. From the result of this evaluation test 1, after apply | coating the resist liquid 31 while moving the nozzle 21, it was examined to prevent formation of the said cutout area 105, and the method shown in embodiment was devised.

(평가 시험 2)(Evaluation examination 2)

상기 실시형태에 있어서, 도포 개시 시에 쐐기형 영역(41)을 도포하는 데 있어서, 유효한 쐐기의 각도(θ)의 범위를 구하는 시험을 행하였다. 복수매의 웨이퍼(W)를 포함하는 그룹마다 각도(θ)를 바꾸어, 상기 실시형태와 마찬가지로 레지스트막(43)을 형성하고, 평가 시험 1과 마찬가지로 레지스트막(43)의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하였다. 도 21, 도 22, 도 23은 각 웨이퍼(W)에 형성한 쐐기형 영역(41)의 형상을 나타내고 있으며, 각 도면의 각도(θ)는 각각 30°, 60°, 10°이다.In the said embodiment, in apply | coating the wedge-shaped area | region 41 at the start of application | coating, the test which calculated | required the range of the angle (theta) of an effective wedge was performed. The angle θ is changed for each group including the plurality of wafers W, thereby forming a resist film 43 in the same manner as in the above embodiment, and the maximum and minimum values of the width of the resist film 43 as in the evaluation test 1 Was measured. 21, 22, and 23 show the shapes of the wedge-shaped regions 41 formed in the respective wafers W, and the angles θ of each drawing are 30 °, 60 °, and 10 °, respectively.

도 24는 θ마다 각 웨이퍼(W)에 있어서 얻어진 상기 폭의 차를 플롯한 그래프이다. θ=10°로 설정한 웨이퍼(W)의 상기 폭의 차는 실용 가능한 범위에 수습되어 있다. 또한, 자유도를 0.05로 하여 student의 t 검정을 행한 바 θ=10°로 설정한 웨이퍼(W)로부터 얻어진 측정 결과는, θ=30°, 60°로 설정한 웨이퍼(W)로부터 얻어진 측정 결과에 대하여 유의차가 있었다. 이 결과로부터 θ=10°이하로 설정하는 것이 유효한 것이 나타났다.FIG. 24 is a graph plotting the difference in the widths obtained for each wafer W for each θ. The difference of the said width | variety of the wafer W set to (theta) = 10 degrees is set to the practical range. In addition, when the student's t-test was performed with 0.05 degree of freedom, the measurement result obtained from the wafer W set at θ = 10 ° was determined by the measurement result obtained from the wafer W set at θ = 30 ° and 60 °. There was a significant difference. From this result, it turned out that setting to (theta) = 10 degrees or less is effective.

(평가 시험 3)(Evaluation examination 3)

상기 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)마다 레지스트액(31) 도포 시의 회전 속도를 변화시켜 처리를 행하고, 쐐기형 영역(41)의 각도(θ), 도 34에 나타낸 웨이퍼(W)의 중심측을 향하는 레지스트액(31)의 폭(L1)의 크기 및 레지스트막(43)의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하며, 그에 의해 상기 회전 속도와 이들 각도(θ), 폭(L1), 막의 폭의 차와의 관계를 조사하였다. 도 25, 도 26, 도 27은 이 평가 시험 3의 결과를 나타내는 그래프이며, 이들 각 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 회전 속도(rpm)를 나타내고 있다. 도 25, 도 26, 도 27의 종축은 각각 상기 각도(θ(°)), 상기 폭(L1(㎜)), 상기 막의 폭의 차(㎜)를 나타내고 있다.In the above embodiment, the treatment is performed by changing the rotational speed at the time of applying the resist liquid 31 for each wafer W, and the angle θ of the wedge-shaped region 41 and the center of the wafer W shown in FIG. 34. The difference between the maximum value and the minimum value of the width L1 of the resist liquid 31 and the width of the resist film 43 facing the side is measured, whereby the rotational speed and these angles θ and width L1 are measured. The relationship between the film width and the difference was investigated. 25, 26, and 27 are graphs showing the results of this evaluation test 3, and the horizontal axis of each of these graphs shows the rotational speed (rpm) of the wafer (W). The vertical axis | shaft of FIG.25, FIG.26, FIG.27 has shown the difference (mm) of the said angle (theta) (degree), the said width | variety (L1 (mm)), and the said film | membrane width, respectively.

도 25, 도 26에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전 속도(rpm)가 클수록 각도(θ) 및 폭(L1)이 작아진다. 그리고, 도 27에 나타내는 바와 같이 회전 속도가 200 rpm으로 상승할 때까지 막의 폭의 차가 감소하고, 회전 속도 300 rpm 및 회전 속도 200 rpm에 있어서의 상기 폭의 차는 대략 동일하였다. 이 평가 시험 3의 결과로부터 θ 및 폭(L1)은 회전 속도가 커질수록 작아지고, 이들 각도(θ) 및 폭(L1)을 작게 함으로써 레지스트막(43)의 폭의 균일성을 높게 할 수 있다고 생각된다. 또한, 실용 상, 레지스트막(43)의 폭의 차는 0.4 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 도 27의 그래프로부터, 회전 속도가 100 rpm일 때에 폭의 차가 0.4 ㎜로 되어 있고, 도 25로부터 회전 속도가 100 rpm일 때에 θ=6.0°이기 때문에, θ=6.0°이하의 범위는 유효한 것이 이 평가 시험 3으로부터도 담보되었다. 또한, 이 평가 시험 3으로부터 100 rpm 이상의 회전 속도가 유효하다고 말할 수 있다.As shown in FIG. 25, FIG. 26, the larger the rotation speed rpm of the wafer W, the smaller the angle [theta] and the width L1. And as shown in FIG. 27, the difference of the width | variety of a film | membrane decreased until the rotation speed rose to 200 rpm, and the difference of the said width in rotation speed 300 rpm and rotation speed 200 rpm was substantially the same. From the results of this evaluation test 3, θ and width L1 become smaller as the rotational speed increases, and the uniformity of the width of the resist film 43 can be made higher by decreasing these angles θ and width L1. I think. In practice, the difference in width of the resist film 43 is preferably 0.4 mm or less. From the graph of FIG. 27, since the difference in width is 0.4 mm when the rotational speed is 100 rpm, and θ = 6.0 ° when the rotational speed is 100 rpm from FIG. 25, the range below θ = 6.0 ° is effective. It was also collateral from evaluation test 3. Moreover, it can be said that the rotation speed of 100 rpm or more is effective from this evaluation test 3.

(평가 시험 4)(Evaluation examination 4)

웨이퍼(W)에 레지스트액(31)의 도포를 개시하는 데 있어서, 노즐(21)의 적절한 이동 속도를 조사하기 위한 시험을 행하였다. 상기 실시형태에 있어서 노즐(21)의 이동 속도를 10 ㎜/초, 30 ㎜/초, 50 ㎜/초로 각각 설정하여 처리를 행하고, 다른 실시형태와 마찬가지로 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하였다. 도 28은 이 평가 시험 5의 결과를 나타내는 그래프이며, 그래프의 횡축은 노즐(21)의 이동 속도(㎜/초), 그래프의 종축은 상기 막의 폭의 차이다. 그래프에 나타내는 바와 같이 노즐(21)의 이동 속도가 클수록, 막의 폭의 차가 커지는 것이 나타났다. 이동 속도가 크면 상기 θ가 커지기 때문에, 이 결과로부터 상기 θ를 작게 하는 것이 막의 폭의 균일성을 높이는 데 유효한 것을 알 수 있다. 또한, 막의 폭의 차는 0.65 ㎜ 이하가 허용 범위이며, 노즐의 속도가 50 ㎜/초일 때에는 이 0.65 ㎜로 대략 같아져 버려 있기 때문에, 노즐의 이동 속도로서는 30 ㎜/초 이하로 설정하는 것이 바람직하다.In starting the application of the resist liquid 31 to the wafer W, a test was conducted to investigate the proper moving speed of the nozzle 21. In the above embodiment, the processing is performed by setting the moving speed of the nozzle 21 to 10 mm / sec, 30 mm / sec and 50 mm / sec, respectively, and the maximum width of the resist film formed on the wafer W as in the other embodiments. The difference between the value and the minimum value was measured. FIG. 28 is a graph showing the results of this evaluation test 5, wherein the horizontal axis of the graph is the moving speed of the nozzle 21 (mm / sec), and the vertical axis of the graph is the difference in the width of the film. As shown in the graph, the larger the moving speed of the nozzle 21, the larger the difference in the width of the film. Since the larger the moving speed, the larger the θ becomes, it can be seen from this result that the smaller theta is effective for increasing the uniformity of the film width. The difference in the width of the film is 0.65 mm or less in the allowable range. When the nozzle speed is 50 mm / sec, it is approximately equal to 0.65 mm. Therefore, it is preferable to set the movement speed of the nozzle to 30 mm / second or less. .

(평가 시험 5)(Evaluation examination 5)

단위 시간당의 레지스트액의 토출량을 웨이퍼(W)마다 변경하여 실시형태와 동일한 처리를 행하고, 다른 실시형태와 마찬가지로 막의 폭의 차에 대해서 측정하였다. 이 평가 시험에서는 처리 조건을 바꾸어 처리를 행하였다. 구체적으로는 2종류의 레지스트액(31)을 이용하여 처리를 행하였다. 도 29는 이 평가 시험 5의 결과를 나타내는 그래프이며, 그래프의 횡축은 단위 시간당의 레지스트액의 토출량(mL/초), 그래프의 종축은 상기 막의 폭의 차이다. 그래프 중, 제1 레지스트액을 이용하여 행한 결과를 동그라미표로 플롯하고, 제2 레지스트액을 이용하여 행한 결과를 사각표로 플롯하고 있다.The discharge amount of the resist liquid per unit time was changed for each wafer W, and the same treatment as in the embodiment was performed, and the difference in film width was measured in the same manner as in the other embodiments. In this evaluation test, the treatment conditions were changed to perform the treatment. Specifically, the treatment was performed using two kinds of resist liquids 31. Fig. 29 is a graph showing the results of this evaluation test 5, wherein the horizontal axis of the graph is the discharge amount (mL / sec) of the resist liquid per unit time, and the vertical axis of the graph is the difference in the width of the film. In the graph, the results performed using the first resist liquid are plotted in a circle table, and the results performed using the second resist liquid are plotted in a square table.

이 그래프에 나타내는 바와 같이 어느 쪽의 레지스트액(31)을 이용한 경우도, 레지스트액(31)의 토출량이 변화함으로써 막의 폭의 차가 크게 변화하고 있다. 토출량이 변하면, 노즐(21)로부터의 레지스트액(31)의 토출 속도(㎜/초)가 변화하기 때문에, 이 평가 시험으로부터 토출 속도에 대해서 적절한 값을 설정함으로써 막의 폭의 균일성을 높일 수 있는 것이 생각된다.As shown in this graph, even when either of the resist liquids 31 is used, the difference in film width is greatly changed due to the discharge amount of the resist liquid 31 being changed. When the discharge amount changes, the discharge speed (mm / sec) of the resist liquid 31 from the nozzle 21 changes, so that the uniformity of the film width can be improved by setting an appropriate value for the discharge speed from this evaluation test. I think that.

(평가 시험 6)(Evaluation examination 6)

상기 실시형태에 있어서, 레지스트액(31) 도포 시의 웨이퍼(W)의 회전 속도와 레지스트액(31)의 토출량을 각각 변화시켜 각 웨이퍼(W)에 처리를 행하고, 형성된 레지스트막(43)의 형상을 관찰하였다. 토출량은 0.25 mL/초, 0.33 mL/초, 0.50 mL/초, 0.63 mL/초로 각각 설정하고, 회전 속도는 50 rpm, 100 rpm, 150 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 각각 설정하였다. 도 30은 각 설정에 의해 형성된 각 레지스트막(43)을 모식적으로 나타내고 있으며, 도면 중 하측이 웨이퍼(W)의 중심부측이다.In the above embodiment, the rotation speed of the wafer W at the time of applying the resist liquid 31 and the discharge amount of the resist liquid 31 are changed to process the respective wafers W, and the formed resist film 43 The shape was observed. The discharge amounts were set at 0.25 mL / sec, 0.33 mL / sec, 0.50 mL / sec and 0.63 mL / sec, respectively, and the rotation speeds were set at 50 rpm, 100 rpm, 150 rpm, 200 rpm and 300 rpm, respectively. 30 schematically shows each resist film 43 formed by each setting, and the lower side in the drawing is the center side of the wafer W. In FIG.

이 도 30에 나타내는 결과로부터 다음 사실을 알 수 있다. 웨이퍼(W)의 회전 속도가 커지면, 레지스트막(43)을 형성할 수 없거나, 레지스트막(43)의 폭의 균일성이 저하한다. 그리고, 회전 속도를 크게 함에 따라, 레지스트액(31)의 토출량, 즉 레지스트액(31)의 토출 속도(㎜/초)를 증가시키면 레지스트막(43)의 폭의 균일성이 높아진다. 회전 속도에 대하여 레지스트액(31)의 토출량이 지나치게 크면, 레지스트막(43)의 폭의 크기의 균일성이 저하한다. 이와 같이 토출량이 커졌을 때에 균일성이 저하하는 것은, 웨이퍼(W)에 정해진 시간당 공급되는 레지스트액(31)의 양이 증가함으로써, 도 35에 나타낸 웨이퍼(W)의 중심부를 향하는 레지스트액(31(101))의 폭(L1)이 커지고, 그 레지스트액(31)이, 표면 장력의 영향을 받기 쉬워지기 때문이라고 생각된다. 이러한 실험 결과로부터, 웨이퍼(W)의 회전 속도와, 레지스트액의 유량(토출 속도)을 적절하게 제어함으로써, 레지스트막(43)의 균일성을 높게 할 수 있는 것이 추측된다.The following facts can be seen from the results shown in FIG. When the rotational speed of the wafer W becomes large, the resist film 43 cannot be formed or the uniformity of the width of the resist film 43 decreases. As the rotational speed is increased, the uniformity of the width of the resist film 43 is increased by increasing the discharge amount of the resist liquid 31, that is, the discharge speed (mm / sec) of the resist liquid 31. If the discharge amount of the resist liquid 31 is too large with respect to the rotation speed, the uniformity of the size of the width of the resist film 43 is lowered. The uniformity decreases when the discharge amount is increased in this manner, because the amount of the resist liquid 31 supplied to the wafer W per time increases, so that the resist liquid 31 (which is directed toward the center of the wafer W shown in FIG. 35). It is considered that the width L1 of 101) becomes large, and the resist liquid 31 tends to be affected by the surface tension. From these experimental results, it is estimated that the uniformity of the resist film 43 can be made high by controlling the rotational speed of the wafer W and the flow volume (discharge rate) of a resist liquid appropriately.

(평가 시험 7)(Evaluation examination 7)

노즐(21)의 토출구(22)의 직경(L2)이 0.8 ㎜인 것 이외에는 실시형태와 동일한 장치를 이용하여 웨이퍼(W)에 실시형태와 마찬가지로 레지스트막(43)의 형성을 행하고, 레지스트막(43)을 정상적으로 도포할 수 있었는지의 여부를 조사하였다. 웨이퍼(W)의 회전 속도(rpm) 및 레지스트액(31)의 토출 유량을 웨이퍼(W)마다 변경하고 있다. 토출량은 0.25 mL/초, 0.33 mL/초, 0.50 mL/초로 각각 설정하고, 회전 속도는 50 rpm, 100 rpm, 150 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 각각 설정하였다.The resist film 43 is formed on the wafer W in the same manner as in the embodiment, except that the diameter L2 of the discharge port 22 of the nozzle 21 is 0.8 mm, using the same apparatus as the embodiment. It was examined whether or not 43) could be applied normally. The rotational speed rpm of the wafer W and the discharge flow rate of the resist liquid 31 are changed for each wafer W. FIG. The discharge amounts were set at 0.25 mL / sec, 0.33 mL / sec and 0.50 mL / sec, respectively, and the rotation speeds were set at 50 rpm, 100 rpm, 150 rpm, 200 rpm and 300 rpm, respectively.

하기 표 1은 이 평가 시험 7의 결과를 나타낸 표이다. 표 중에 있어서, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서 끊어지는 일없이 링 형상으로 레지스트막(43)이 형성되어 있으면 OK로 하고 있다. 그리고, 레지스트액(31)이 웨이퍼(W)에 튀김으로써 상기 둘레 방향에 틈새가 생긴 경우에 NG로 하고 있다.Table 1 below shows the results of this evaluation test 7. In the table, it is set as OK if the resist film 43 is formed in a ring shape without breaking in the circumferential direction of the wafer W. As shown in FIG. The resist liquid 31 is NG when the gap is formed in the circumferential direction by splashing on the wafer W. As shown in FIG.

회전 속도(rpm)Rotation speed (rpm) 유량(mL/초)Flow rate (mL / sec) 5050 100100 150150 200200 300300 0.250.25 OKOK OKOK NGNG NGNG NGNG 0.330.33 OKOK OKOK NGNG NGNG NGNG 0.500.50 OKOK OKOK OKOK NGNG NGNG

회전 속도가 비교적 낮은 50 rpm, 100 rpm의 경우에는 각 유량 설정에 있어서 레지스트막(43)을 형성할 수 있었다. 그러나, 회전 속도가 150 rpm인 경우에는 유량이 0.25 mL/초, 0.33 mL/초일 때에 레지스트막(43)을 형성할 수 없고, 회전 속도가 200 rpm, 300 rpm인 경우에는 어느 쪽의 유량 설정에 있어서도 레지스트막(43)을 형성할 수 없었다. 또한, 레지스트액의 유량이 0.50 mL/초이며 토출 시 회전수가 150 rpm의 경우 레지스트막을 형성할 수 있었지만, 막의 폭의 균일성은 낮았다. 평가 시험 3에서 설명한 바와 같이, 쐐기형 영역(41)의 각도를 10°이하로 하기 위해서는 비교적 높은 속도로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것이 유효하기 때문에, 이 실험 결과로부터 발명자는 도포 방법을 개량하는 것을 검토하였다.In the case of 50 rpm and 100 rpm with relatively low rotational speeds, the resist film 43 could be formed at each flow rate setting. However, if the rotational speed is 150 rpm, the resist film 43 cannot be formed at the flow rate of 0.25 mL / sec and 0.33 mL / sec. If the rotational speed is 200 rpm or 300 rpm, either of the flow rate settings Also, the resist film 43 could not be formed. Further, when the flow rate of the resist liquid was 0.50 mL / sec and the rotation speed was 150 rpm, the resist film could be formed, but the uniformity of the film width was low. As described in the evaluation test 3, it is effective to rotate the wafer W at a relatively high speed so that the angle of the wedge-shaped region 41 is 10 ° or less. Was examined.

도 31은 그 구경을 0.8 ㎜로 설정한 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 토출 속도(㎜/초)와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 유량(mL/초)의 관계를 플롯하여 나타낸 그래프이다. 그래프의 종축, 횡축은 상기 토출 속도, 유량을 각각 나타내고 있다. 또한, 이 평가 시험에서 이용한 웨이퍼(W)의 직경이 300 ㎜이기 때문에, 웨이퍼(W)를 100 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 회전시켰을 때의 웨이퍼(W)의 주연부의 속도는 각각, 1571 ㎜/초, 3141 ㎜/초, 4712 ㎜/초이며, 그래프의 종축이 대응하는 부분에 쇄선으로 이들의 속도를 나타내고 있다.FIG. 31 plots the relationship between the discharge speed (mm / sec) of the resist liquid discharged from the nozzle 21 whose diameter is set to 0.8 mm, and the flow rate (mL / sec) of the resist liquid discharged from the nozzle 21. It is a graph shown. The vertical axis and the horizontal axis of the graph indicate the discharge speed and the flow rate, respectively. In addition, since the diameter of the wafer W used in this evaluation test is 300 mm, the speed of the peripheral part of the wafer W when rotating the wafer W at 100 rpm, 200 rpm, and 300 rpm is 1571 mm, respectively. / Second, 3141 mm / second, and 4712 mm / second, and their speeds are indicated by the dashed lines in the corresponding portions of the graph.

이 그래프에 나타내는 바와 같이, 이 평가 시험에서 설정한 레지스트액(31)의 유량에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 높아지면 레지스트액(31)의 토출 속도와, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도의 상대 속도차가 커져 버린다. 발명자는, 이 상대 속도차가 크기 때문에 레지스트액(31)이 웨이퍼(W)로부터 튀겨, 레지스트막(43)을 형성할 수 없었다고 생각하였다.As shown in this graph, in the flow rate of the resist liquid 31 set in this evaluation test, when the rotational speed of the wafer W increases, the discharge speed of the resist liquid 31 and the peripheral portion of the wafer W are increased. The relative speed difference of speed becomes large. The inventors thought that the resist liquid 31 was splashed from the wafer W because of this large relative speed difference, so that the resist film 43 could not be formed.

(평가 시험 8)(Evaluation examination 8)

노즐(21)의 토출구(22)의 직경(L2)을 0.3 ㎜로 설정하고, 평가 시험 7과 동일한 시험을 행하였다. 도 32의 그래프는, 도 31의 그래프와 마찬가지로 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 토출 속도(㎜/초)와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 유량(mL/초)의 관계를 플롯하여 나타내고 있다. 이 그래프에 나타내는 바와 같이, 이 평가 시험 8에서 이용하는 노즐(21)의 구경은, 레지스트액(31)의 토출 유량으로서 설정한 0.25～0.50 mL/초의 범위에 있어서, 각 웨이퍼(W)의 회전 속도 100 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 레지스트액의 속도를 맞출 수 있도록 설정되어 있다.The diameter L2 of the discharge port 22 of the nozzle 21 was set to 0.3 mm, and the same test as the evaluation test 7 was performed. The graph of FIG. 32 shows the relationship between the discharge speed (mm / sec) of the resist liquid discharged from the nozzle 21 and the flow volume (mL / sec) of the resist liquid discharged from the nozzle 21 similarly to the graph of FIG. Plotting is shown. As shown in this graph, the diameter of the nozzle 21 used in the evaluation test 8 is the rotational speed of each wafer W in the range of 0.25 to 0.50 mL / sec set as the discharge flow rate of the resist liquid 31. The speed of the resist liquid is set at 100 rpm, 200 rpm, and 300 rpm.

하기 표 2는, 평가 시험 7과 마찬가지로 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 형상에 대해서 판정한 결과를 나타내고 있다. 표 2에 나타내는 바와 같이 평가 시험 7에서는 NG로 되어 있던 회전 속도 200 rpm, 300 rpm의 경우에도 레지스트막(43)을 형성할 수 있었다. 이 결과로부터, 웨이퍼(W)에 레지스트막(43)을 형성하기 위해서는 레지스트액(31)의 토출 속도와, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도의 상대 속도차를 작게 하는 것이 유효한 것을 알 수 있다. 그리고, 이 평가 시험에서는, 레지스트막이 형성되면 OK로서 판정을 하고 있지만, 막의 폭의 균일성을 실용 레벨로 높이기 위해서는, 실시형태에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도와, 레지스트액의 유속을 대략 같게, 예컨대 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도의 -10％～+10％의 범위 내로 레지스트액의 토출 속도를 설정하는 것이 유효하다.The following Table 2 shows the result of having determined the shape of the resist film formed in the wafer W similarly to the evaluation test 7. As shown in Table 2, in the evaluation test 7, the resist film 43 was able to be formed also in the case of the rotation speed of 200 rpm and 300 rpm which were NG. From this result, in order to form the resist film 43 in the wafer W, it turns out that it is effective to reduce the relative speed difference of the discharge speed of the resist liquid 31 and the speed of the peripheral part of the wafer W. And in this evaluation test, when a resist film is formed, it determines as OK, but in order to raise the uniformity of the film width to a practical level, as mentioned in embodiment, the speed of the peripheral part at the time of rotation of the wafer W, and a resist It is effective to set the discharge speed of the resist liquid in the range of -10% to + 10% of the speed of the peripheral portion at the time of rotation of the wafer W as described above, with the flow velocity of the liquid being substantially the same.

회전 속도(rpm)Rotation speed (rpm) 유량(mL/초)Flow rate (mL / sec) 5050 100100 150150 200200 300300 0.250.25 OKOK OKOK OKOK OKOK OKOK 0.330.33 OKOK OKOK OKOK OKOK OKOK 0.500.50 OKOK OKOK OKOK OKOK OKOK

1 주연부 도포 장치 11 스핀척
21 노즐 3 제어부
31 레지스트액 32 토출 위치
33 도포 개시 위치 41 쐐기형 영역
42 띠 형상 영역 43 레지스트막1 peripheral dispensing device 11 spin chuck
21 Nozzle 3 Controls
31 Resist liquid 32 Discharge position
33 Application starting position 41 Wedge area
42 strip region 43 resist film

Claims (8)

원형의 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
상기 기판의 표면의 주연부(周緣部)에 도포막을 형성하기 위해 도포액을 공급하는 노즐과,
상기 도포액의 공급 위치를 기판의 주연부와 기판의 외측 위치 사이에서 이동시키기 위해, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
상기 회전 유지부에 의한 기판의 회전과, 상기 노즐로부터의 도포액의 토출과, 이동 기구에 의한 노즐의 이동을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행하면서, 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시켜, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형으로 도포액을 도포하고,
이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 이 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부(端部)가 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉하여, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액이 도포되도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.A rotation holding part for rotating and keeping the circular substrate horizontally;
A nozzle for supplying a coating liquid to form a coating film on the periphery of the surface of the substrate;
A moving mechanism for moving the nozzle to move the supply position of the coating liquid between a peripheral portion of the substrate and an outer position of the substrate;
A control unit for outputting a control signal to control rotation of the substrate by the rotation holding unit, discharge of the coating liquid from the nozzle, and movement of the nozzle by the moving mechanism
And,
The control unit,
While rotating the substrate and supplying the coating liquid from the nozzle, the supply position of the coating liquid is moved from the outside of the substrate toward the periphery of the substrate, and when the substrate is viewed in plan, the coating is applied in a wedge shape having an angle of 10 ° or less. Apply liquid,
Subsequently, the movement of the nozzle is stopped while the substrate is rotated and the supply of the coating liquid is continued, and the coating liquid is applied in a strip shape along the periphery of the substrate, and the end portion of the coating liquid applied in the strip shape is And a control signal for contacting the coating liquid applied in the wedge shape and outputting a control signal to apply the coating liquid over the entire circumference of the substrate. 제1항에 있어서, 기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행할 때에, 도포액의 토출 속도가, 상기 기판의 주연부의 속도의 -10％～+10％의 범위 내인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.The peripheral edge portion according to claim 1, wherein the discharging speed of the coating liquid is in a range of -10% to + 10% of the speed of the peripheral portion of the substrate when the substrate is rotated and the coating liquid is supplied from the nozzle. Application device. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도포액의 기판에의 공급이 행해질 때에 기판의 회전 속도는 100 rpm 이상인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.The peripheral part coating device according to claim 1 or 2, wherein the rotation speed of the substrate is 100 rpm or more when the coating liquid is supplied to the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 외측 위치로부터 기판의 주연부로 이동하는 도포액의 공급 위치의 이동 속도는 30 ㎜/초 이하인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.The peripheral edge coating device according to claim 1 or 2, wherein the moving speed of the supply position of the coating liquid moving from the outer position of the substrate to the peripheral portion of the substrate is 30 mm / sec or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노즐의 구경은 0.6 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.The peripheral portion coating device according to claim 1 or 2, wherein the diameter of the nozzle is 0.6 mm or less. 원형의 기판을 회전 유지부에 수평으로 유지하는 공정과,
상기 회전 유지부에 의해 기판을 회전시키는 공정과,
기판의 회전과, 노즐로부터 기판의 주연부에 도포막을 형성하기 위한 도포액의 공급을 행하면서, 상기 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시켜, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형으로 도포액을 도포하는 공정과,
이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부를 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉시켜, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액을 도포하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 주연부 도포 방법.Holding the circular substrate horizontally in the rotation holding section;
Rotating the substrate by the rotation holding unit;
While supplying the coating liquid for forming the coating film at the periphery of the substrate from the nozzle and rotating the substrate, the supply position of the coating liquid is moved from the outside of the substrate toward the periphery of the substrate, and the substrate is viewed in plan view. A step of applying the coating liquid in a wedge shape having an angle of 10 ° or less,
Next, the movement of the nozzle is stopped while the substrate is rotated and the supply of the coating liquid is stopped, the coating liquid is applied in a band shape along the periphery of the substrate, and the end of the coating liquid applied in the band shape is applied in the wedge shape. Contacting the applied coating liquid and applying the coating liquid over the entire circumference of the substrate
Peripheral coating method comprising a. 제6항에 있어서, 기판에 도포액을 도포하는 각 공정은, 기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행할 때에, 도포액의 토출 속도가, 상기 기판의 주연부의 속도의 -10％～+10％의 범위 내이도록 행해지는 것을 특징으로 하는 주연부 도포 방법.In each process of apply | coating a coating liquid to a board | substrate, when the rotation of a board | substrate and supply of the coating liquid from a nozzle are carried out, the discharge speed of a coating liquid is -10%-of the speed | rate of the peripheral part of the said board | substrate. It is performed so that it may exist in + 10% of range, The peripheral part coating method characterized by the above-mentioned. 기판의 주연부에 대한 도포 처리를 행하는 주연부 도포 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제6항 또는 제7항에 기재된 주연부 도포 방법을 실시하기 위한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.As a computer-readable storage medium storing a computer program for use in a peripheral portion coating device that performs a coating process on the peripheral portion of the substrate,
The computer program is a computer-readable storage medium for performing the peripheral portion coating method according to claim 6 or 7.
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