KR20130027280A

KR20130027280A - 기판 처리장치

Info

Publication number: KR20130027280A
Application number: KR1020110090767A
Authority: KR
Inventors: 김춘식
Original assignee: 엘아이지에이디피 주식회사
Priority date: 2011-09-07
Filing date: 2011-09-07
Publication date: 2013-03-15

Abstract

본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로서, 챔버와; 상기 챔버 내부의 상부쪽에 위치하고, 샤워헤드 몸체부와 샤워헤드로 구성되는 상부전극과; 상기 상부전극의 아래쪽에 배치되어 기판이 탑재되는 하부전극을 포함하며, 상기 샤워헤드는 서로 적층된 이중 구조로 이루어지되, 상기 챔버 내부의 플라즈마와 접촉하는 아래쪽에는 +DC전원이 인가되는 플로팅 샤워헤드와, 상기 플로팅 샤워헤드의 위쪽에는 그라운드 샤워헤드가 위치되도록 구성되는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 챔버 내부의 상부측에 존재하는 이온들로부터 샤워헤드가 보호되어 그 수명이 증대되는 효과가 제공된다.

Description

기판 처리장치{Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내로 공급되는 공정가스의 플라즈마화에 의해 발생되는 이온들이 샤워헤드에 직접적으로 충돌하는 것을 예방하여 샤워헤드의 수명을 연장하도록 한 기판 처리장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 장치, 액정표시 장치 등의 제조 프로세서에는, 플라즈마를 사용하여 기판의 표면을 처리하는 기판 처리장치가 많이 사용되고 있다. 이러한 기판 처리장치로는, 기판에 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치나, 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 실시하는 플라즈마 CVD 장치 등을 예로 들 수 있다.

이러한 기판 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공상태와 대기압 상태가 반복적으로 수행되는 챔버(1)와, 이 챔버(1) 내 상하측에 서로 평행하게 대향되게 설치되는 2개의 평판 전극(10,20)을 포함한다. 여기서, 2개의 전극 중 하부전극(20) 상에는 기판(S)이 탑재됨에 따라 기판 탑재대라고도 한다.

상기 챔버(1)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 그 내부의 가스를 배기시키기 위한 통로인 배기홀(2)이 하부 가장자리에 다수개 형성되고, 각각의 배기홀(2)과 연통되되 챔버(1) 외부에 마련되는 펌프(P)에 의해 챔버(1) 내부의 기체를 흡입하여 제거함으로써 챔버(10) 내부를 진공 상태로 유지하게 된다.

다음으로, 상부전극(10)은 하부전극(20)과 대향하는 위치에 마련되는데, 여기서 상부전극(10)은 전극으로서의 역할뿐만 아니라, 양 전극(10,20) 사이에 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부의 역할도 수행한다.

따라서, 상부전극(10)은 도 1에 도시된 바와 같이, 하부가 개방된 샤워헤드 몸체부(10a)가 구비되고, 이 샤워헤드 몸체부(10a)의 하부에 샤워헤드(12)가 고정되어 마련된다.

여기서, 샤워헤드(12)에는 미세한 직경을 가지는 다수 개의 공정가스 확산공(14)이 형성되며, 이에 따라 샤워헤드(12)를 통해서 공정가스가 양 전극(10,20) 사이의 공간으로 균일하게 공급되는데, 이와 같이 공급된 공정가스는 상,하부전극(10,20)으로부터의 고주파 전력 인가에 의해 플라즈마화 되고, 이 플라즈마에 의해 기판(S)의 표면이 처리된다.

즉, 샤워헤드(12)를 통해 공급되는 공정가스가 양 전극(10,20)에 의한 고주파 전력 인가로 인하여 음전하를 가진 전자(??)와 양전하를 띤 이온(??)으로 분리된 기체 상태의 플라즈마로 상변화가 이루어지고, 플라즈마 중 이온이 기판(S) 표면을 때리면서 처리하게 된다.

그러나, 이와 같은 종래의 기판 처리장치는, 플라즈마를 이루는 전자와 이온이 균등하게 혼합되어 챔버(1) 내부에서 순환하게 되는바, 상부전극(10)의 샤워헤드(12) 주변에 존재하는 이온이 샤워헤드(12)와 잦은 충돌을 일으킴에 따라 샤워헤드의 내구성이 저하되어 그 수명이 줄어들게 되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점에 착안하여 안출된 것으로서, 샤워헤드를 플라즈마와 접촉하게 되는 플로팅 샤워헤드와, 이 플로팅 샤워헤드의 내측에 구비되는 그라운드 샤워헤드의 이중구조로 형성하되, 상기 플로팅 샤워헤드에는 +DC전원을 공급함으로써, 챔버 내부의 상부측에 존재하는 이온들로부터 샤워헤드를 보호하여 그 수명을 증대시키도록 하는 기판 처리장치를 제공하는데에 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 상부전극 내부에 자성체 회로부를 설치하여 샤워헤드를 통해 공급되는 공정가스를 보다 활성화시킴에 따라 공정가스의 플라즈마화를 가속시켜 결국 기판처리의 효율성을 극대화시키도록 한 기판 처리장치를 제공하는데에도 목적이 있다.

또한, 본 발명은 상기 자성체 회로부에 의해 챔버 내부의 상부측에 전자의 집합체를 형성시킴에 따라 상대적으로 챔버 내부의 하부측에는 이온 집합체가 형성되도록 함으로써, 하부전극에 탑재되는 기판이 상기 이온 집합체에 유도된 다수의 이온들에 의해 그 처리의 효율성이 증대되도록 한 기판 처리장치를 제공하는데에도 목적이 있다.

여기서, 상기 자성체 회로부는 구동수단에 의해 직선왕복 운동이 이루어지도록 함으로써, 챔버 내부에 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 효과 즉, 공정가스가 자성력에 의해 활성화되어 플라즈마화가 가속화되는 효과가 균등하게 발생되도록 함은 물론 작은 크기의 자성체 회로부로도 대면적의 챔버에 적용이 가능하도록 한 기판 처리장치를 제공하는데에도 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리장치는, 챔버와; 상기 챔버 내부의 상부쪽에 위치하고, 샤워헤드 몸체부와 샤워헤드로 구성되는 상부전극과; 상기 상부전극의 아래쪽에 배치되어 기판이 탑재되는 하부전극을 포함하며, 상기 샤워헤드는 서로 적층된 이중 구조로 이루어지되, 상기 챔버 내부의 플라즈마와 접촉하는 아래쪽에는 +DC전원이 인가되는 플로팅 샤워헤드와, 상기 플로팅 샤워헤드의 위쪽에는 그라운드 샤워헤드가 위치되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

한편, 상기 상부전극의 내부 빈 공간에 설치되어 상기 샤워헤드를 통해 챔버 내부로 공급되는 공정가스를 활성화시킴에 따라 공정가스의 플라즈마화가 가속되도록 하는 자성체 회로부를 더 포함할 수도 있다.

이 경우, 상기 자성체 회로부는, N극과 S극이 상하로 양분된 일정길이의 자석바들이 복수개 구비되어 일정간격으로 배치되어 마련된 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 자석바들은, 서로 연접하는 자석바들이 N극과 S극이 상하 반대로 위치되게 교차로 배치되는 것이다.

또한, 상기 자석바들은 공정가스에 의해 부식되는 것을 예방하기 위하여 상,하면에 각각 알루미늄 아노다이징 플레이트에 의해 일체형으로 연결되어 덮여지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 자성체 회로부에는, 가스홀을 갖는 부싱이 상기 상부 플레이트와 하부 플레이트를 관통하여 일정간격마다 설치되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 자성체 회로부는, 구동수단에 의해 수평방향으로 직선왕복운동이 이루어지도록 하는 것이 바람직한데, 이 경우, 상기 구동수단은, 상기 챔버의 외부에 설치되어 정역회전을 하는 모터와, 상기 모터의 축과 수평방향으로 설치되어 모터의 정역회전에 따라 전후진이 이루어지는 볼 스크류와, 상기 볼 스크류의 끝단과 회전가능하게 연결,설치되되 볼 스크류의 전후진에 따라 연동하여 전후진이 이루어지고 상기 자성체 회로부에 고정설치되는 연결바와, 상기 연결바가 직선방향으로만 이동이 이루어지도록 파지하되 상부전극의 내면으로부터 연장형성된 가이드바를 포함하는 구성으로 이루어지는 것이 바람직하다.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 기판 처리장치에 의하면, 샤워헤드가 플라즈마와 접촉하게 되는 플로팅 샤워헤드와, 이 플로팅 샤워헤드의 내측에 구비되는 그라운드 샤워헤드의 이중구조로 형성되되, 상기 플로팅 샤워헤드에는 +DC전원을 공급됨으로써, 챔버 내부의 상부측에 존재하는 이온들로부터 샤워헤드가 보호되어 그 수명이 증대되는 효과가 제공된다.

또한, 상부전극 내부에 자성체 회로부가 더 설치될 경우, 샤워헤드를 통해 공급되는 공정가스가 보다 활성화됨에 따라 공정가스의 플라즈마화가 가속되어 결국 기판처리의 효율성이 극대화되는 효과도 제공된다.

이 경우, 상기 자성체 회로부에 의해 챔버 내부의 상부측에 전자의 집합체가 형성됨에 따라 상대적으로 챔버 내부의 하부측에는 이온 집합체가 형성됨으로써, 하부전극에 탑재되는 기판이 상기 이온 집합체에 유도된 다수의 이온들에 의해 그 처리의 효율성이 증대되는 효과도 제공된다.

특히, 상기 자성체 회로부는 구동수단에 의해 직선왕복 운동이 이루어짐으로써, 챔버 내부에 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 효과 즉, 공정가스가 자성력에 의해 활성화되어 플라즈마화가 가속화되는 효과가 균등하게 발생됨은 물론 작은 크기의 자성체 회로부로도 대면적의 챔버에 적용이 가능해지는 유용한 효과가 제공된다.

도 1은 종래의 기판 처리장치 내부구성을 나타낸 단면 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리장치의 내부구성을 나타낸 단면 구성도.
도 3은 도 2에서 상부전극에 자성체 회로부가 설치된 관계를 나타낸 단면 구성도.
도 4는 도 3에서 상부전극에 자성체 회로부가 설치된 관계를 나타낸 평면 구성도.
도 5는 도 3에서 상부전극 및 챔버에 대한 자성체 회로부의 설치관계를 나타낸 부분 사시도.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리장치의 내부구성을 나타낸 단면 구성도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 샤워헤드가 이중 구조로 이루어져 있다. 즉, 챔버(1) 내부의 플라즈마와 접촉하게 되는 아래쪽의 샤워헤드는 플로팅 샤워헤드(Floating shower head)(200)로 구성되고, 이 플로팅 샤워헤드(200)의 안쪽에는 그라운드 샤워헤드(Ground shower head)(12)가 구성되어 서로 적층된 2중 구조로 이루어져 있다.

상기 플로팅 샤워헤드(200)와 그라운드 샤워헤드(12)에는 공정가스를 챔버(1) 내부로 공급하기 위한 확산공(도면부호 미부여)이 형성됨은 물론이다.

여기서, 상기 플로팅 샤워헤드(200)의 표면에는 알루미늄 아노다이징(Al-Anodizing) 처리가 이루어져 있으며, 이에 따라 하부전극(20)에서 고주파 전원을 인가하더라도 내전압을 갖게 된다.

또한, 상기 플로팅 샤워헤드에는 0.5V 내외의 +DC 전원이 공급된다. 즉, 플로팅 샤워헤드(200)에 0.5V 내외의 +DC 전원을 공급하게 되면, 챔버(1) 내부에서 순환하게 되는 이온들이 플로팅 샤워헤드(200)에 흐르는 +DC 전원에 의해 아래로 밀려나게 됨으로써, 이온의 상승이 상대적으로 억제되어 이온들이 플로팅 샤워헤드 (200)에 충돌되는 것이 예방된다.

한편, 플로팅 샤워헤드(200)의 안쪽에 설치되는 그라운드 샤워헤드(12)는 하부전극(20)의 고주파 전원 인가시 평행 평판의 전극 역할을 수행함으로써, 하부전극(12)의 전기장 균일도가 강화되고, 후술되는 자성체 회로부(150)의 이상 방전이 발생되는 것을 방지하게 된다.

한편, 본 발명에 따른 기판 처리장치는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상부전극(10)의 샤워헤드 몸체부(10a)와 그라운드 샤워헤드(12) 사이의 빈 공간에 자성체 회로부(100)가 설치되어 있다.

상기 자성체 회로부(100)는, N극과 S극이 상하로 양분된 일정길이의 자석바(110)들을 포함한다. 여기서, 자석바(110)들은 복수개 구비되어 일정간격으로 배치되며, 서로 연접하는 자석바(110)들은 N극과 S극이 상하 반대로 위치되게 교차로 배치된다. 즉, 제1열의 자석바(110)가 상부쪽이 S극이고 하부쪽이 N극이 되도록 배치된 경우, 제3열, 제5열 등 홀수열의 자석바(110)들은 상기 제1열의 자석바(110)와 동일하게 배치되고, 제2열을 비롯한 짝수열의 자석바(110)들은 상부쪽이 N극, 하부쪽이 S극이 되도록 배치됨으로써, 서로 연접하는 자석바(110)들은 극이 상하 반대로 위치되게 교차로 배치되는 것이다.

이러한 복수의 자석바(110)들은 상부전극(10)을 통해 챔버(1) 내부로 공급되는 공정가스 등에 의해 부식되는 것을 예방하기 위하여 상,하면에 각각 알루미늄 아노다이징 플레이트(Al-Anodizing Plate)(이하, 상,하부 플레이트라 함)(120,122)에 의해 덮여짐과 아울러 서로 연결되어 일체형으로 이루어져 있다.

여기서, 자성체 회로부(100)의 상부 플레이트(120)와 하부 플레이트(122)를 관통하여 가스홀(132)을 갖는 부싱(130)이 일정간격마다 설치되어 있으며, 이 부싱(130)은 공정가스 공급부로부터 상부전극(10)으로 공급되는 공정가스를 그라운도 샤워헤드(12)와 플로팅 샤워헤드(200)의 확산공으로 안내하는 하는 기능을 담당하게 된다.

상기와 같은 구성으로 이루어진 자성체 회로부(100)는 상부전극(10)의 빈 공간 즉, 샤워헤드 몸체부(10a)와 그라운드 샤워헤드(12) 내의 빈 공간부 내에서 구동수단(150)에 의해 일정간격만큼 직선왕복운동이 이루어지도록 구성될 수 있다.

예컨대, 챔버(1)의 바깥쪽에 모터(152) 등의 구동부를 구비하고, 이 구동부에 의해 자성체 회로부(100)가 직선왕복운동이 이루어지도록 할 수 있다. 여기서, 상기 구동수단(150)은 후술할 모터(152)와 볼 스크류(154), LM가이드 등의 슬라이드부재 등으로 이루어지는 것이 바람직하나, 일체형으로 구성된 자성체 회로부(100)를 직선왕복운동시키는 것이라면, 왕복동 실린더와 피스톤 및 슬라이드부재 등, 종래에 공지된 어떠한 구동수단(150)이 적용되어도 무방함은 물론이다.

상기 구동수단(150)은, 챔버(1)의 외부에 설치되어 정역회전을 하는 모터(152)와, 이 모터(152)의 축과 수평방향으로 설치되어 모터(152)의 정역회전에 따라 전후진이 이루어지는 볼 스크류(154)와, 이 볼 스크류(154)의 끝단과 회전가능하게 연결,설치되되 볼 스크류(154)의 전후진에 따라 연동하여 전후진이 이루어지고 상기 자성체 회로부(100)의 상부 플레이트(120) 상면에 고정설치되는 연결바(156)와, 이 연결바(156)가 직선방향으로만 이동이 이루어지도록 파지하되 상부전극(10)의 내면으로부터 연장형성된 가이드바(158)를 포함하는 구성으로 이루어져 있다.

따라서, 상기 모터(152)에 정역회전 신호를 인가하게 되면, 모터(152)의 정역회전에 따라 볼 스크류(154)가 수평방향으로 전후진이 이루어지고, 이에 따라 자성체 회로부(100)의 상부 플레이트(120)에 연결,설치된 연결바(156)가 상기 가이드바(158)에 의해 파지된 상태로 직선방향으로만 연동하여 역시 전후진이 이루어지게 된다.

상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 기판 처리장치의 작동관계를 설명하면 다음과 같다.

먼저, 챔버(1) 내부에 기체를 외부로 배기시켜 진공상태로 만들고, 공정가스 공급부를 통해 공정가스를 챔버(1) 내부로 공급하게 되면, 공정가스가 그라운드 샤워헤드(12)와 플로팅 샤워헤드(200)의 확산공을 통해 챔버(1) 내부로 공급된다.

챔버(1) 내부로 공급된 공정가스는 하부전극(20)의 고주파 전원 인가에 따라 플라즈마화되어 전자와 이온으로 상변화를 이루어 기판(S)을 처리하게 된다.

즉, 플라즈마 중, 이온들이 기판(S)의 표면과 충돌을 일으키면서 기판을 처리하게 된다. 이때 이온들 중 일부는 상승하여 플로팅 샤워헤드(200)와 충돌을 하게 되는데, 이때 플로팅 샤워헤드(200)에 인가되는 +DC 전원에 의해 이온들의 상승이 억제되어 그 충돌이 예방되는바, 샤워헤드(12,200)의 보호기능효과가 발휘된다.

한편, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상부전극(10)에 자성체 회로부(100)가 설치된 경우, 공정가스 공급부를 통해 공정가스가 샤워헤드 몸체부(10a)와 그라운드 샤워헤드(12) 사이의 빈 공간으로 공급되면, 공정가스는 샤워헤드 몸체부(10a) 내부에 설치된 자성체 회로부(100)의 부싱(130)을 통해 그라운드 샤워헤드(12)와 플로팅 샤워헤드(200)의 확산공을 거쳐 챔버(1) 내부로 공급이 이루어지게 된다. 이 상태에서, 하부전극(20)에 고주파 전력 인가하게 되면, 공정가스는 플라즈마화 된다.

이때, 공정가스가 자성체 회로부(100)를 통과함에 따라 자성력에 의해 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 효과가 발생되는바, 공정가스의 활성화로 플라즈마화가 가속화된다.

또한, 챔버(1) 내부에서 형성되는 플라즈마는 앞서 설명한 바와 같이, 전자와 이온으로 이루어지는데, 상부전극(10)에 설치된 자성체 회로부(100)의 자성력에 의해 챔버(1) 내부 공간 중, 상부 공간에는 전자 집합체가 구름 형태로 형성되고, 이에 따라 상대적으로 하부 공간에는 이온 집합체가 구름 형태로 형성된다.

따라서, 그라운드 샤워헤드(12)와 플로팅 샤워헤드(200)를 통해 챔버(1) 내부로 공급되는 공정가스는 자성체 회로부(100)에 의해 활성화되어 플라즈마화가 가속화되고, 앞서 설명한 바와 같이 이온은 챔버(1) 내부의 하부쪽 즉 이온 집합체에 많이 모이게 됨으로써, 하부전극(12)에 탑재된 기판(S)에 대한 처리의 효율성이 향상된다.

여기서, 상기 상부전극(10)에 설치된 자성체 회로부(100)는 구동수단(150)에 의해 직선왕복운동이 이루어지도록 함으로써, 챔버(1) 내부에 ECR 효과가 균등하게 발생되도록 함은 물론 작은 크기의 자성체 회로부(100)로도 대면적의 챔버(1)에 적용이 가능하도록 할 수 있는데, 상기 구동수단(150)에 의한 자성체 회로부(100)의 직선왕복운동에 대한 작동관계는 앞서 설명하였으므로, 여기서는 그 설명을 생략하기로 한다.

이상에서와 같은 본 발명의 실시 예에서 설명한 기술적 사상은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수도 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시 예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

1 : 챔버 10 : 상부전극
10a : 샤워헤드 몸체부 12 : 샤워헤드
14 : 확산공 20 : 하부전극
100 : 자성체 회로부 110 : 자석바
120 : 상부 플레이트 122 : 하부 플레이트
130 : 부싱 132 : 가스홀
150 : 구동수단 152 : 모터
154 : 볼 스크류 156 : 연결바
158 : 가이드바

Claims

챔버와;
상기 챔버 내부의 상부쪽에 위치하고, 샤워헤드 몸체부와 샤워헤드로 구성되는 상부전극과;
상기 상부전극의 아래쪽에 배치되어 기판이 탑재되는 하부전극을 포함하며,
상기 샤워헤드는 서로 적층된 이중 구조로 이루어지되,
상기 챔버 내부의 플라즈마와 접촉하는 아래쪽에는 +DC전원이 인가되는 플로팅 샤워헤드와, 상기 플로팅 샤워헤드의 위쪽에는 그라운드 샤워헤드가 위치되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
제 1항에 있어서,
상기 상부전극의 내부 빈 공간에 설치되어 상기 샤워헤드를 통해 챔버 내부로 공급되는 공정가스를 활성화시킴에 따라 공정가스의 플라즈마화가 가속되도록 하는 자성체 회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
청구항 2에 있어서,
상기 자성체 회로부는,
N극과 S극이 상하로 양분된 일정길이의 자석바들이 복수개 구비되어 일정간격으로 배치되어 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
청구항 3에 있어서,
상기 자석바들은, 서로 연접하는 자석바들이 N극과 S극이 상하 반대로 위치되게 교차로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
청구항 3에 있어서,
상기 자석바들은 공정가스에 의해 부식되는 것을 예방하기 위하여 상,하면에 각각 알루미늄 아노다이징 플레이트에 의해 일체형으로 연결되어 덮여지는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
청구항 5에 있어서,
상기 자성체 회로부에는, 가스홀을 갖는 부싱이 상기 상부 플레이트와 하부 플레이트를 관통하여 일정간격마다 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
청구항 1 내지 청구항 6 중, 어느 하나의 청구항에 있어서,
상기 자성체 회로부는, 구동수단에 의해 수평방향으로 직선왕복운동이 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
청구항 7에 있어서,
상기 구동수단은,
상기 챔버의 외부에 설치되어 정역회전을 하는 모터와,
상기 모터의 축과 수평방향으로 설치되어 모터의 정역회전에 따라 전후진이 이루어지는 볼 스크류와,
상기 볼 스크류의 끝단과 회전가능하게 연결,설치되되 볼 스크류의 전후진에 따라 연동하여 전후진이 이루어지고 상기 자성체 회로부에 고정설치되는 연결바와,
상기 연결바가 직선방향으로만 이동이 이루어지도록 파지하되 상부전극의 내면으로부터 연장형성된 가이드바를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.