KR20130022837A - Mask, organic light-emitting display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask

Abstract

PURPOSE: A mask, an organic light emitting device, and a manufacturing method thereof are provided to prevent damage to a thin film transistor and a metal line by preventing moisture or oxygen through an inclined edge area of a planarization layer. CONSTITUTION: A planarization layer(15) is formed on a substrate(1) on which an active area and an inactive area are defined. A mask with a luminous intensity control area is formed on the planarization layer. An incline is formed in an edge area of the planarization layer to correspond to the luminous intensity control area by irradiating light. A first electrode(21) and an organic light emitting layer(23) are formed on the planarization layer. A bank(31) surrounds the first electrode and the organic light emitting layer. A second electrode(25) is formed on the organic light emitting layer and the bank. A sealing layer(33) is formed on the second electrode.

Description

마스크, 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법{Mask, organic light-emitting display device and method of manufacturing the same}Mask, organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

실시예는 유기발광 표시장치의 제조에 사용된 마스크에 관한 것이다.Embodiments relate to masks used in the manufacture of organic light emitting displays.

실시예는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.Embodiments relate to an organic light emitting display device.

실시예는 유기발광 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments are directed to a method of manufacturing an organic light emitting display device.

정보를 표시할 수 있는 표시장치가 활발하게 개발되고 있다. 표시장치는 액정표시장치, 유기발광 표시장치, 플라즈마 표시장치 및 전계방출 표시장치를 포함한다.Display devices capable of displaying information have been actively developed. The display device includes a liquid crystal display, an organic light emitting display, a plasma display, and a field emission display.

이 중에서 유기발광 표시장치는 자발 발광, 넓은 시야각, 고 해상도, 용이한 제조 공정, 빠른 응답 속도, 저전압 구동 등의 장점을 가진다. Among them, the organic light emitting display device has advantages of self-luminous emission, wide viewing angle, high resolution, easy manufacturing process, fast response speed, and low voltage driving.

이러한 장점으로 인해, 유기발광 표시장치는 차세대 표시장치로서 각광 받고 있다.Due to these advantages, the organic light emitting display device is in the spotlight as a next generation display device.

다양한 구조의 유기발광 표시장치가 제안되고 있다.Various organic light emitting display devices have been proposed.

그 중에서, 평탄화막을 형성하여, 이후에 형성되는 소자의 스텝 커버리지를 최소화하는 구조가 특허공개번호 10-2009-0120825호에 개시되어 있다. Among them, Patent Document No. 10-2009-0120825 discloses a structure for forming a planarization film and minimizing step coverage of a device to be formed later.

평탄화막의 에지 영역은 노광 공정에 의해 패턴된다. 광이 기판에 대해 수직으로 조사되므로, 평탄화막의 에지 영역은 기판에 대해 수직으로 형성된다.The edge region of the planarization film is patterned by the exposure process. Since light is irradiated perpendicularly to the substrate, the edge region of the planarization film is formed perpendicular to the substrate.

따라서, 수직으로 형성된 평탄화막의 에지 영역 상에 형성되는 층들 또한 기판에 수직으로 형성되므로, 평탄화막의 에지 영역 상에 형성된 층들은 거의 형성되지 않거나 매우 얇게 형성된다.Therefore, since the layers formed on the edge region of the planarization film that are formed vertically are also formed perpendicular to the substrate, the layers formed on the edge region of the planarization film are hardly formed or very thin.

이와 같이 평탄화막의 에지 영역 상의 매우 얇은 층들로 인해, 외부의 수분이나 산소 등이 평탄화막의 에지 영역을 통해 평탄화막 아래에 형성된 박막 트랜지스터나 금속 라인들로 투습되는 문제가 있다. As such, due to the very thin layers on the edge region of the planarization layer, external moisture or oxygen may be permeated by thin film transistors or metal lines formed under the planarization layer through the edge region of the planarization layer.

수분이나 산소에 의해 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 저하되거나 금속 라인들의 부식으로 전기적 특성이 저하될 수 있다. Moisture or oxygen may degrade the electrical characteristics of the thin film transistor or may degrade the electrical characteristics due to corrosion of metal lines.

아울러, 수분이나 산소에 의해 평탄화막의 에지 영역에 인접한 유기발광 소자의 각 픽셀의 발광층이 발광 불능이 되므로, 결국 발광 면적이 감소될 수 있다.In addition, since the light emitting layer of each pixel of the organic light emitting element adjacent to the edge region of the planarization film becomes impossible to emit light by moisture or oxygen, the light emitting area can be reduced.

실시예는 평탄화막의 에지 영역에 경사진 면을 형성할 수 있는 마스크를 제공한다.The embodiment provides a mask capable of forming an inclined surface in the edge region of the planarization film.

실시예는 투습을 차단할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides an organic light emitting display device capable of blocking moisture permeation and a method of manufacturing the same.

실시예에 따르면, 유기발광 표시장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터를 포함하고 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 평탄화막 상에 적어도 광량 조절 영역을 갖는 마스크를 위치시키는 단계; 광을 조사하여 상기 광량 조절 영역에 대응하는 상기 평탄화막의 에지 영역에 경사진 면을 형성하는 단계; 상기 평탄화막 상에 제1 전극 및 유기발광층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 상기 유기발광층을 둘러싸도록 뱅크를 형성하는 단계; 상기 뱅크와 상기 유기발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극 상에 봉지막을 형성하는 단계를 포함한다.According to an embodiment, a method of manufacturing an organic light emitting display device may include forming a planarization film on a substrate including a thin film transistor and defining an active region and an inactive region; Positioning a mask having at least a light amount control region on the planarization film; Irradiating light to form an inclined surface in an edge region of the planarization film corresponding to the light quantity control region; Forming a first electrode and an organic light emitting layer on the planarization layer; Forming a bank to surround the first electrode and the organic light emitting layer; Forming a second electrode on the bank and the organic light emitting layer; And forming an encapsulation film on the second electrode.

실시예에 따르면, 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판 상에 경사진 면을 갖는 에지 영역을 포함하는 막을 형성하기 위한 마스크는, 적어도 광량 조절 영역을 포함하고, 상기 광량 조절 영역은 서로 일정한 폭을 갖는 다수의 슬릿을 포함하고, 상기 슬릿 간의 간격은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가된다.According to an embodiment, a mask for forming a film including an edge region having an inclined surface on a substrate on which an active region and an inactive region are defined includes at least a light amount adjusting region, wherein the light amount adjusting region has a constant width with each other. And a plurality of slits, wherein the spacing between the slits increases from the active area to the inactive area.

실시예에 따르면, 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판 상에 경사진 면을 갖는 에지 영역을 포함하는 막을 형성하기 위한 마스크는, 적어도 광량 조절 영역을 포함하고, 상기 광량 조절 영역은 서로 상이한 폭을 갖는 다수의 슬릿을 포함한다.According to an embodiment, a mask for forming a film including an edge region having an inclined surface on a substrate on which an active region and an inactive region are defined includes at least a light amount adjusting region, wherein the light amount adjusting region has a different width from each other. It includes a plurality of slits having.

실시예에 따르면, 유기발광 표시장치는, 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판; 상기 기판 상에 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 평탄화막; 마스크의 광량 조절 영역에 대응하는 상기 평탄화막의 에지 영역에 형성된 경사진 면; 상기 평탄화막 상에 제1 전극 및 유기발광층; 상기 제1 전극 및 상기 유기발광층을 둘러싸도록 형성된 뱅크; 상기 뱅크와 상기 유기발광층 상에 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 봉지막을 포함한다.According to an embodiment, an organic light emitting display device includes: a substrate in which an active region and an inactive region are defined; A thin film transistor on the substrate; A planarization layer on the thin film transistor; An inclined surface formed in an edge region of the planarization film corresponding to the light amount control region of the mask; A first electrode and an organic light emitting layer on the planarization layer; A bank formed to surround the first electrode and the organic light emitting layer; A second electrode on the bank and the organic light emitting layer; And an encapsulation film on the second electrode.

실시예는 평탄화막의 에지 영역을 경사진 면으로 형성한다. The embodiment forms the edge region of the planarization film with the inclined surface.

따라서, 평탄화막 상에 형성된 뱅크와 봉지막 각각이 두껍게 형성되어 산소와 수분 등의 침투가 평탄화막의 에지 영역과 그 위에 형성된 뱅크 및 봉지막에 의해 원천적으로 차단될 수 있다. Therefore, each of the bank and the encapsulation film formed on the planarization film is thick, so that penetration of oxygen and moisture can be blocked by the edge region of the planarization film and the bank and the encapsulation film formed thereon.

이에 따라, 평탄화막 아래에 형성된 박막 트랜지스터와 금속 라인의 전기적 특성 저하가 방지될 수 있다. Accordingly, deterioration of electrical characteristics of the thin film transistor and the metal line formed under the planarization layer can be prevented.

수분이나 산소에 의해 평탄화막의 에지 영역에 인접한 유기발광 소자의 각 픽셀의 발광층이 발광 불능으로 인한 발광 면적이 감소되는 것을 방지할 수 있다.It is possible to prevent the light emitting area of each pixel of the organic light emitting element adjacent to the edge region of the planarization film due to moisture or oxygen from being reduced due to the light emission failure.

도 1은 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 2의 유기발광 표시장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 8은 도 1의 유기발광 표시장치를 제조하는 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 제1 실시예에 따른 마스크의 광량 조절 영역을 도시한 도면이다.
도 10은 제2 실시예에 따른 마스크의 광량 조절 영역을 도시한 도면이다.
도 11은 제3 실시예에 따른 마스크의 광량 조절 영역을 도시한 도면이다.
도 12는 제4 실시예에 따른 마스크의 광량 조절 영역을 도시한 도면이다.
도 13은 제5 실시예에 따른 마스크의 광량 조절 영역을 도시한 도면이다.1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the OLED display of FIG. 2 taken along the line II ′. FIG.
3 to 8 illustrate a process of manufacturing the organic light emitting display device of FIG. 1.
9 is a view showing a light amount adjusting region of the mask according to the first embodiment.
FIG. 10 is a view showing a light amount adjusting region of a mask according to the second embodiment.
FIG. 11 is a view showing a light amount adjusting region of a mask according to the third embodiment.
12 is a view showing a light amount adjusting region of a mask according to the fourth embodiment.
FIG. 13 is a view showing a light amount adjusting region of a mask according to the fifth embodiment.

발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.

도 1은 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 활성 영역(A/A)과 비활성 영역(N/A)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment may include an active area A / A and an inactive area N / A.

상기 활성 영역(A/A)은 영상을 표시하는 영역이고, 상기 비활성 영역(N/A)은 영상이 표시되지 않는 영역일 수 있다.The active area A / A may be an area for displaying an image, and the inactive area N / A may be an area for not displaying an image.

상기 활성 영역(A/A)은 다수의 화소 영역을 포함할 수 있다. 각 화소 영역별로 서로 상이한 정보가 표시될 수 있다. The active area A / A may include a plurality of pixel areas. Different information may be displayed for each pixel area.

상기 다수의 화소 영역은 다수의 게이트 라인(미도시)과 다수의 데이터 라인(미도시)의 교차에 의해 형성될 수 있다. The plurality of pixel areas may be formed by crossing a plurality of gate lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown).

다수의 데이터 라인과 평행하게 다수의 전원 공급 라인(미도시)이 배치될 수 있다. Multiple power supply lines (not shown) may be arranged parallel to the plurality of data lines.

상기 화소 영역에는 박막 트랜지스터, 유기발광소자 및 스토리지 캐패시터가 형성될 수 있다. A thin film transistor, an organic light emitting diode, and a storage capacitor may be formed in the pixel region.

상기 박막 트랜지스터는 적어도 2개 이상일 수 있다. 즉, 상기 화소 영역에는 각 화소 영역을 선택하여 주기 위한 스위치로서의 기능을 갖는 스위칭 트랜지스터와 상기 유기발광소자를 구동하기 위한 구동 전류를 생성하기 위한 구동 트랜지스터가 형성될 수 있다. At least two thin film transistors may be provided. That is, a switching transistor having a function as a switch for selecting each pixel region and a driving transistor for generating a driving current for driving the organic light emitting diode may be formed in the pixel region.

따라서, 상기 화소 영역에는 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 공급 라인, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 유기발광소자 및 스토리지 캐패시터가 형성될 수 있다 Therefore, a gate line, a data line, a power supply line, a switching transistor, a driving transistor, an organic light emitting element, and a storage capacitor may be formed in the pixel area.

상기 비활성 영역(N/A)에는 패드 전극과 연결 전극이 형성될 수 있다.A pad electrode and a connection electrode may be formed in the inactive region N / A.

상기 패드 전극은 게이트 패드 전극, 데이터 패드 전극(35) 및 전원 전압 패드 전극(41) 중 적어도 하나일 수 있다.The pad electrode may be at least one of a gate pad electrode, a data pad electrode 35, and a power voltage pad electrode 41.

상기 연결 전극은 게이트 연결 전극, 데이터 연결 전극(37) 및 전원 전압 연결 전극(43) 중 적어도 하나일 수 있다.The connection electrode may be at least one of a gate connection electrode, a data connection electrode 37, and a power voltage connection electrode 43.

상기 활성 영역(A/A)은 다수의 화소 영역 이외에 에지 영역(E/A)을 더 포함할 수 있다. The active area A / A may further include an edge area E / A in addition to the plurality of pixel areas.

상기 에지 영역(E/A)은 상기 다수의 화소 영역과 상기 비활성 영역(N/A) 사이에 정의될 수 있다.The edge area E / A may be defined between the plurality of pixel areas and the inactive area N / A.

즉, 상기 에지 영역(E/A)은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 다수의 화소 영역의 둘레를 둘러싸도록 정의될 수 있다. That is, the edge area E / A may be defined to surround the circumference of the plurality of pixel areas in the active area A / A.

상기 에지 영역(E/A)은 상기 비활성 영역(N/A)과 접하는 영역일 수 있다.The edge area E / A may be an area in contact with the inactive area N / A.

도 2는 도 2의 유기발광 표시장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the OLED display of FIG. 2 taken along the line II ′. FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(1) 상에 박막 트랜지스터(3)와 게이트 콘택 전극(5)이 형성될 수 있다. 1 and 2, the thin film transistor 3 and the gate contact electrode 5 may be formed on the substrate 1.

상기 기판(1)은 활성 영역(A/A)과 비활성 영역(N/A)으로 정의될 수 있다. 상기 활성 영역(A/A)은 상기 기판(1)의 중심으로 포함하여 대부분의 면적을 차지하고, 상기 비활성 영역(N/A)은 상기 활성 영역(A/A)을 둘러싸도록 정의될 수 있다. The substrate 1 may be defined as an active region A / A and an inactive region N / A. The active region A / A may be included as the center of the substrate 1 and occupy most of the area, and the inactive region N / A may be defined to surround the active region A / A.

상기 활성 영역(A/A)은 다수의 화소 영역과 상기 다수의 화소 영역을 둘러싸는 에지 영역(E/A)을 포함할 수 있다. The active area A / A may include a plurality of pixel areas and an edge area E / A surrounding the plurality of pixel areas.

도 2에서는 하나의 화소 영역과 에지 영역(E/A)을 포함하는 활성 영역(A/A)과 상기 활성 영역(A/A)을 둘러싸는 비활성 영역(N/A)이 도시되고 있다. In FIG. 2, an active area A / A including one pixel area and an edge area E / A and an inactive area N / A surrounding the active area A / A are illustrated.

상기 화소 영역은 게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 전압 라인에 의해 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인은 교차하도록 형성되고, 상기 전원 전압 라인은 상기 데이터 라인에 평행하게 형성될 수 있다. The pixel region may be formed by a gate line, a data line, and a power supply voltage line. The gate line and the data line may cross each other, and the power supply voltage line may be formed parallel to the data line.

상기 박막 트랜지스터(3)는 유기발광소자(20)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터일 수 있다.The thin film transistor 3 may be a driving transistor for driving the organic light emitting diode 20.

상기 박막 트랜지스터(3)는 게이트 전극이 반도체층 아래에 배치된 바텀 게이트 방식의 트랜지스터이거나 게이트 전극이 반도체층 위에 배치된 탑 게이트 방식의 트랜지스터일 수 있다.The thin film transistor 3 may be a bottom gate type transistor in which a gate electrode is disposed under the semiconductor layer, or a top gate type transistor in which the gate electrode is disposed on the semiconductor layer.

상기 박막 트랜지스터(3)는 게이트 전극, 반도체층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.The thin film transistor 3 may include a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode.

상기 게이트 전극은 상기 게이트 라인으로부터 연장 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 콘택 전극(5)은 상기 게이트 라인으로부터 연장 형성될 수 있다. The gate electrode may extend from the gate line. In addition, the gate contact electrode 5 may extend from the gate line.

다시 말해, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 라인의 일 측으로부터 연장 형성되고, 상기 게이트 콘택 전극(5)은 상기 게이트 라인의 타 측으로부터 연장 형성될 수 있다. In other words, the gate electrode may extend from one side of the gate line, and the gate contact electrode 5 may extend from the other side of the gate line.

그러므로, 각 게이트 라인의 일 측에는 게이트 콘택 전극(5)이 형성되고 각 게이트 라인의 타 측에는 서로 간에 이격되어 각 화소 영역으로 연장된 다수의 게이트 전극이 형성될 수 있다.Therefore, a gate contact electrode 5 may be formed at one side of each gate line, and a plurality of gate electrodes may be formed at the other side of each gate line to be spaced apart from each other and extend to each pixel area.

상기 게이트 콘택 전극(5), 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인은 동일층에 동일 물질로 형성될 수 있다. The gate contact electrode 5, the gate electrode and the gate line may be formed of the same material on the same layer.

상기 게이트 콘택 전극(5), 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인은 Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag, Pt 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 다층을 포함하거나 이들 금속 물질들의 합금으로 형성되지만, 이에 한정하지 않는다. The gate contact electrode 5, the gate electrode and the gate line comprise at least one or a multilayer selected from the group consisting of Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag, Pt and Mo or an alloy of these metal materials But is not limited thereto.

상기 게이트 콘택 전극(5)은 상기 게이트 연결 전극(9)을 경유하여 상기 게이트 패드 전극(13)에 전기적으로 연결될 수 있다.The gate contact electrode 5 may be electrically connected to the gate pad electrode 13 via the gate connection electrode 9.

도시되지 않았지만, 전압 공급 라인과 전원 전압 콘택 전극(미도시) 또한 상기 게이트 콘택 전극(5), 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 동일 물질로 형성될 수 있다.Although not shown, a voltage supply line and a power supply voltage contact electrode (not shown) may also be formed of the same material on the same layer as the gate contact electrode 5, the gate electrode, and the gate line.

각 데이터 라인의 일 측은 데이터 연결 전극(37)이 형성되고, 각 데이터 라인의 타 측에는 서로 간에 이격되어 각 화소 영역으로 연장된 다수의 소오스 전극이 형성될 수 있다.One side of each data line may be provided with a data connection electrode 37, and a plurality of source electrodes may be formed on the other side of each data line to be spaced apart from each other and extend to each pixel area.

상기 소오스 전극 및 상기 데이터 라인은 동일층에 동일 물질로 형성될 수 있다. The source electrode and the data line may be formed of the same material on the same layer.

상기 소오스 전극 및 상기 데이터 라인은 Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag, Pt 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 다층을 포함하거나 이들 금속 물질들의 합금으로 형성되지만, 이에 한정하지 않는다. The source electrode and the data line may include, but are not limited to, at least one selected from the group consisting of Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag, Pt, and Mo, or an alloy of these metal materials. .

상기 게이트 라인, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 콘택 전극(5) 상에 게이트 절연막(7)이 형성될 수 있다.A gate insulating layer 7 may be formed on the gate line, the gate electrode, and the gate contact electrode 5.

상기 게이트 절연막(7) 상게 게이트 연결 전극(9)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 연결 전극(9)은 상기 게이트 절연막(7)을 관통하여 상기 게이트 콘택 전극(5)에 전기적으로 연결될 수 있다. A gate connection electrode 9 may be formed on the gate insulating layer 7. The gate connection electrode 9 may be electrically connected to the gate contact electrode 5 through the gate insulating layer 7.

상기 게이트 연결 전극(9)은 상기 소오스 전극과 상기 데이터 라인과 동일한 층에 동일 물질로 형성될 수 있다.The gate connection electrode 9 may be formed of the same material on the same layer as the source electrode and the data line.

상기 소오스 전극과 상기 데이터 라인과 동일한 층에 동일 물질로 전원 전압 연결 전극(43)이 형성될 수 있다. The power supply voltage connecting electrode 43 may be formed of the same material on the same layer as the source electrode and the data line.

상기 전원 전압 콘택 전극은 상기 전원 전압 연결 전극(43)을 경유하여 전원 전압 패드 전극(41)에 전기적으로 연결될 수 있다.The power supply voltage contact electrode may be electrically connected to the power supply voltage pad electrode 41 via the power supply voltage connection electrode 43.

상기 소오스 전극, 상기 데이터 라인, 상기 게이트 연결 전극(9) 및 상기 전원 전압 연결 전극(43)상에 보호막(11)이 형성될 수 있다. The passivation layer 11 may be formed on the source electrode, the data line, the gate connection electrode 9, and the power voltage connection electrode 43.

상기 보호막(11)은 무기 물질로 형성될 수 있다. 상기 무기 물질은 실리콘 옥사이드(SiOx) 또는 실리콘 나이트라이드(SiNx)일 수 있다. The protective layer 11 may be formed of an inorganic material. The inorganic material may be silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN x ).

상기 상기 보호막(11) 상에 평탄화막(15)이 형성될 수 있다. The planarization layer 15 may be formed on the passivation layer 11.

상기 평탄화막(15)은 유기 물질로 형성될 수 있다. 상기 유기 물질은 아크릴(acryl)계 수지나 폴리이미드(polyimide)일 수 있다.The planarization layer 15 may be formed of an organic material. The organic material may be an acrylic resin or polyimide.

상기 평탄화막(15)은 적어도 상기 보호막(11)보다 더 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 즉, 상기 평탄화막(15)의 상면은 스텝 커버리지가 없는 평평한 면을 가질 수 있다. The planarization layer 15 may have a thickness thicker than at least the protective layer 11. That is, the top surface of the planarization layer 15 may have a flat surface without step coverage.

상기 게이트 절연막(7)과 상기 보호막(11)은 상기 기판(1)의 전 영역에 형성되는데 반해, 상기 평탄화막(15)은 적어도 상기 게이트 절연막(7)과 상기 보호막(11)보다 작은 면적을 가질 수 있다. The gate insulating film 7 and the protective film 11 are formed in the entire region of the substrate 1, whereas the planarization film 15 has an area smaller than at least the gate insulating film 7 and the protective film 11. Can have

따라서, 상기 기판(1)의 에지 영역(E/A)에 상기 평탄화막(15)의 에지 영역이 위치될 수 있다. Therefore, the edge region of the planarization layer 15 may be positioned in the edge region E / A of the substrate 1.

이와 같이 평탄화막(15)의 면적을 상기 보호막(11)보다 작은 면적이 되도록 하는 것은 이후에 형성된 게이트 패드 전극(13), 데이터 패드 전극(35) 및 전원 전압 패드 전극(41)이 형성될 마진을 고려한 것이다. As such, the area of the planarization film 15 to be smaller than the passivation film 11 is margin for forming the gate pad electrode 13, the data pad electrode 35, and the power supply voltage pad electrode 41 formed thereafter. Considered.

상기 게이트 패드 전극(13), 데이터 패드 전극(35) 및 전원 전압 패드 전극(41) 각각은 평탄화막(15)은 관통하지 않고 보호막(11)을 관통하여 상기 게이트 연결 전극(9), 상기 데이터 연결 전극(37) 및 상기 전원 전압 연결 전극(43)에 전기적으로 연결될 수 있다. Each of the gate pad electrode 13, the data pad electrode 35, and the power supply voltage pad electrode 41 may pass through the passivation layer 11 without passing through the planarization layer 15 and pass through the gate connection electrode 9 and the data. The connection electrode 37 and the power voltage connection electrode 43 may be electrically connected to each other.

따라서, 상기 게이트 패드 전극(13), 상기 데이터 패드 전극(35) 및 상기 전원 전압 패드 전극(41)이 형성될 영역들에는 평탄화막(15)이 형성되지 않게 된다. Therefore, the planarization layer 15 is not formed in the regions where the gate pad electrode 13, the data pad electrode 35, and the power voltage pad electrode 41 are to be formed.

상기 활성 영역(A/A)의 에지 영역(E/A) 또는 상기 기판(1)의 에지 영역(E/A)에 위치된 평탄화막(15)의 에지 영역은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 점진적으로 두께가 감소될 수 있다. 다시 말해, 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역은 경사진 면을 가질 수 있다. An edge region of the planarization layer 15 positioned in the edge region E / A of the active region A / A or the edge region E / A of the substrate 1 is the active region A / A. The thickness may gradually decrease in the inactive region N / A. In other words, the edge region of the planarization layer 15 may have an inclined surface from the active region A / A to the inactive region N / A.

상기 평탄화막(15)의 경사각(θ)은 상기 기판(1)의 상면에 대해 10° 내지 45°의 범위를 가질 수 있다. An inclination angle θ of the planarization layer 15 may be in a range of 10 ° to 45 ° with respect to the top surface of the substrate 1.

상기 평탄화막(15)의 경사각(θ)은 상기 평탄화막(15)의 두께와 상기 평탄화막(15)의 에지 영역과 패드 전극, 예컨대 게이트 패드 전극(13), 데이터 패드 전극(35) 및 전원 전압 패드 전극(41) 사이의 마진 등에 의해 변경될 수 있다. The inclination angle θ of the planarization layer 15 may include a thickness of the planarization layer 15, an edge region of the planarization layer 15, a pad electrode, for example, a gate pad electrode 13, a data pad electrode 35, and a power supply. The margin between the voltage pad electrodes 41 may be changed.

상기 평탄화막(15)의 경사각(θ)이 작아질수록, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 형성되는 후 공정에 의한 층들이 보다 두껍게 형성되어, 산소나 수분 등에 의한 투습 성능이 더욱 더 향상될 수 있다. The smaller the inclination angle θ of the planarization film 15 is, the thicker the layers formed by the post-process formed on the edge region of the planarization film 15 are formed. Can be improved.

상기 각 화소 영역 내에 상기 평탄화막(15) 상에 제1 전극(21)과 유기발광층(23)이 형성되고, 상기 비활성 영역(N/A)의 상기 보호막(11) 상에 전극막(21a)과 유기발광막(23a)이 형성될 수 있다. 상기 전극막(21a)과 상기 유기발광막(23a)에 의해 상기 게이트 패드 전극(13), 상기 데이터 패드 전극(35) 및 상기 전원 전압 패드 전극(41) 중 적어도 하나가 형성될 수 있다. A first electrode 21 and an organic light emitting layer 23 are formed on the planarization film 15 in each pixel area, and an electrode film 21a is formed on the passivation film 11 of the inactive area N / A. And the organic light emitting film 23a may be formed. At least one of the gate pad electrode 13, the data pad electrode 35, and the power voltage pad electrode 41 may be formed by the electrode film 21a and the organic light emitting film 23a.

상기 전극막(21a)은 상기 제1 전극(21)과 동일층에 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극막(21a)과 상기 제1 전극(21)은 광을 반사시킬 수 있는 반사 전극 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사 전극 물질로는 Ag, Al, Ni, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금이 사용될 수 있다. The electrode film 21a may be formed of the same material on the same layer as the first electrode 21. The electrode film 21a and the first electrode 21 may be formed of a reflective electrode material capable of reflecting light. One or more alloys selected from the group consisting of Ag, Al, Ni, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf may be used as the reflective electrode material.

상기 전극막(21a)과 상기 제1 전극(21)은 반사 물질로 이루어진 반사막과 상기 반사막 상에 투과 물질로 이루어진 투과막의 이중층으로 형성될 수 있다. 상기 반사 물질은 반사 기능을 갖는 물질이면 족하고, 전극 기능을 갖는 물질일 필요는 없다. 따라서, 상기 반사 물질은 상기 반사 전극 물질과 동일한 물질일 수도 있고, 동일한 물질이 아닐 수도 있다. The electrode film 21a and the first electrode 21 may be formed as a double layer of a reflective film made of a reflective material and a transparent film made of a transmissive material on the reflective film. The reflective material is sufficient as long as it is a material having a reflective function, and does not need to be a material having an electrode function. Therefore, the reflective material may or may not be the same material as the reflective electrode material.

상기 투과 물질로는 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 및 GZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. At least one selected from the group consisting of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and GZO may be used as the permeable material.

상기 유기발광막(23a)은 상기 유기발광층(23)과 동일층에 동일 물질로 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 23a may be formed of the same material on the same layer as the organic light emitting layer 23.

상기 유기발광막(23a)과 상기 유기발광층(23)은 유기 발광 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting layer 23a and the organic light emitting layer 23 may be formed of an organic light emitting material.

상기 유기발광층(23)은 각 화소 영역에 형성되어, 적색을 발광하는 적생 유기발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기발광층 및 청색을 발광하는 청색 발광층일 수 있다. The organic light emitting layer 23 may be formed in each pixel area, and may be a red organic light emitting layer emitting red light, a green organic light emitting layer emitting green light, and a blue light emitting layer emitting blue light.

상기 유기발광층(23)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다. The organic light emitting layer 23 may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer.

상기 제1 전극(21)은 상기 평탄화막(15)을 관통하여 상기 박막 트랜지스터(3)의 드레인 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 21 may pass through the planarization layer 15 to be electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor 3.

상기 게이트 패드 전극(13)의 전극막(21a)은 상기 보호막(11)을 관통하여 게이트 연결 전극(9)에 전기적으로 연결될 수 있다. The electrode film 21a of the gate pad electrode 13 may be electrically connected to the gate connection electrode 9 through the protective film 11.

상기 데이터 패드 전극(35)의 전극막(미도시)은 상기 보호막(11)을 관통하여 데이터 연결 전극(37)에 전기적으로 연결될 수 있다.An electrode film (not shown) of the data pad electrode 35 may be electrically connected to the data connection electrode 37 through the passivation layer 11.

상기 전원 전압 패드 전극(41)의 전극막(미도시)은 상기 보호막(11)을 관통하여 전원 전압 연결 전극(43)에 전기적으로 연결될 수 있다. An electrode film (not shown) of the power supply voltage pad electrode 41 may be electrically connected to the power supply voltage connecting electrode 43 by passing through the passivation layer 11.

상기 유기발광층(23)과 상기 평탄화막(15) 상에 뱅크(31)가 형성될 수 있다. 상기 뱅크(31)는 각 화소 영역을 정의하기 위해 형성될 수 있다. The bank 31 may be formed on the organic light emitting layer 23 and the planarization layer 15. The bank 31 may be formed to define each pixel area.

상기 뱅크(31)는 유기 물질로 형성될 수 있다. 상기 유기 물질로는 아크릴(acryl)계 수지나 폴리이미드(polyimide)가 사용될 수 있다. The bank 31 may be formed of an organic material. As the organic material, an acrylic resin or polyimide may be used.

상기 각 화소 영역의 상기 유기발광층(23) 상에는 상기 뱅크(31)가 형성되지 않게 된다.The bank 31 is not formed on the organic light emitting layer 23 of each pixel area.

상기 뱅크(31)는 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(15)의 에지 영역이 경사진 면을 가지므로, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 뱅크(31)가 용이하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 형성된 뱅크(31)는 비교적 두껍게 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역을 경사진 면으로 형성함에 따라, 상기 뱅크(31)는 상기 평탄화막(15)의 상면과 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에서 거의 동일한 두께로 형성될 수 있다. The bank 31 may be formed on an edge region of the planarization layer 15. Since the edge region of the planarization layer 15 has an inclined surface, the bank 31 may be easily formed on the edge region of the planarization layer 15. Therefore, the bank 31 formed on the edge region of the planarization layer 15 may be formed relatively thick. In other words, as the edge region of the planarization layer 15 is formed as an inclined surface, the bank 31 has a thickness almost equal to the top surface of the planarization layer 15 and the edge region of the planarization layer 15. Can be formed.

상기 각 화소 영역의 상기 뱅크(31) 상에 제2 전극(25)이 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 제2 전극(25)은 상기 각 화소 영역에 공통으로 형성될 수 있다. The second electrode 25 may be formed on the bank 31 of each pixel area. In other words, the second electrode 25 may be formed in common in each pixel area.

상기 제2 전극(25)은 금속 물질로 형성될 수 있다. 상기 금속 물질로는 Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag, Pt 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. The second electrode 25 may be formed of a metal material. At least one or an alloy thereof selected from the group consisting of Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag, Pt, and Mo may be used as the metal material.

상기 제1 전극(21), 상기 유기발광층(23) 및 상기 제2 전극(25)에 의해 유기발광소자(20)가 형성될 수 있다. The organic light emitting diode 20 may be formed by the first electrode 21, the organic light emitting layer 23, and the second electrode 25.

상기 제2 전극(25)은 상기 각 화소 영역에서 상기 뱅크(31)를 관통하여 상기 유기발광층(23) 상에 형ㅅ어될 수 있다. 상기 제2 전극(25)과 상기 뱅크(31) 상에 봉지막(33)이 형성될 수 있다. The second electrode 25 may be formed on the organic light emitting layer 23 through the bank 31 in each pixel area. An encapsulation layer 33 may be formed on the second electrode 25 and the bank 31.

상기 봉지막(33)은 유기막과 무기막이 서로 교대로 적층된 다층막을 포함할 수 있다.The encapsulation layer 33 may include a multilayer layer in which organic layers and inorganic layers are alternately stacked.

상기 봉지막(33)은 유기막과 무기막이 서로 교대로 적층된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 점착막, 보호필름 및 편광막을 포함할 수 있다. The encapsulation film 33 may include a multilayer film in which an organic film and an inorganic film are alternately stacked, and an adhesive film, a protective film, and a polarizing film formed on the multilayer film.

상기 평탄화막(15)의 에지 영역이 경사진 면을 가지므로, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역에 대응하는 뱅크(31) 상에 형성된 봉지막(33) 또한 상기 평탄화막(15)의 상면에 대응하는 뱅크(31) 상에 형성된 봉지막(33)과 거의 비슷한 두께로 형성될 수 있다. Since the edge region of the planarization layer 15 has an inclined surface, the encapsulation layer 33 formed on the bank 31 corresponding to the edge region of the planarization layer 15 also has an upper surface of the planarization layer 15. It may be formed to a thickness substantially similar to the encapsulation film 33 formed on the bank 31 corresponding to.

이와 같이, 평탄화막(15)의 에지 영역을 경사진 면으로 형성함으로써, 평탄화막(15) 상에 형성된 뱅크(31)와 봉지막(33) 각각이 두껍게 형성되어 산소와 수분 등의 침투가 평탄화막(15)의 에지 영역과 그 위에 형성된 뱅크(31) 및 봉지막(33)에 의해 원천적으로 차단될 수 있다. 이에 따라, 평탄화막(15) 아래에 형성된 박막 트랜지스터(3)와 금속 라인의 전기적 특성 저하가 방지될 수 있다. 또한, 수분이나 산소에 의해 평탄화막의 에지 영역에 인접한 유기발광 소자의 각 픽셀의 발광층이 발광 불능이 되므로, 결국 발광 면적이 감소될 수 있다.As such, by forming the edge region of the planarization film 15 into the inclined surface, each of the bank 31 and the encapsulation film 33 formed on the planarization film 15 is thickened, so that penetration of oxygen, moisture, and the like is planarized. It may be blocked at the source by the edge region of the film 15 and the bank 31 and the encapsulation film 33 formed thereon. Accordingly, deterioration of electrical characteristics of the thin film transistor 3 and the metal line formed under the planarization film 15 can be prevented. In addition, the light emitting layer of each pixel of the organic light emitting element adjacent to the edge region of the planarization film becomes impossible to emit light due to moisture or oxygen, so that the light emitting area can be reduced.

도 3 내지 도 8은 도 1의 유기발광 표시장치를 제조하는 공정을 도시한 도면이다.3 to 8 illustrate a process of manufacturing the organic light emitting display device of FIG. 1.

이하의 유기발광 표시장치의 제조 공정의 설명에서, 도 1과 관련하여 이미 설명된 구성 요소들에 대해서는 간략하게 설명한다.In the following description of the manufacturing process of the organic light emitting display device, the components already described with reference to FIG. 1 will be briefly described.

이하의 설명에서 생략된 내용들은 도 1과 관련하여 앞서 설명한 내용으로부터 용이하게 이해될 수 있다.Contents omitted in the following description may be easily understood from the contents described above with reference to FIG. 1.

도 3에 도시한 바와 같이, 보호막(11) 상에 마스크(100)가 위치된 후, 광이 조사될 수 있다. As shown in FIG. 3, after the mask 100 is positioned on the passivation layer 11, light may be irradiated.

상기 마스크(100)가 위치되기 전에, 기판(1) 상에 박막 트랜지스터(3), 게이트 콘택 전극(5), 게이트 절연막(7), 보호막(11) 및 평탄화막(15)이 형성될 수 있다. 이들 구성 요소들은 앞서 상세하게 설명되었으므로, 여기서는 상세한 설명이 생략된다.Before the mask 100 is positioned, the thin film transistor 3, the gate contact electrode 5, the gate insulating layer 7, the protective layer 11, and the planarization layer 15 may be formed on the substrate 1. . Since these components have been described in detail above, the detailed description is omitted here.

상기 마스크(100)는 투과 영역(110), 차단 영역(120) 및 광량 조절 영역(130)을 포함할 수 있다.The mask 100 may include a transmission region 110, a blocking region 120, and a light amount adjusting region 130.

상기 투과 영역(110)은 광을 그대로 투과하는 영역이고, 상기 차단 영역(120)은 광을 차단시키는 영역이다.The transmission region 110 is an area that transmits light as it is, and the blocking area 120 is an area blocking light.

상기 광량 조절 영역(130)은 위치에 따라 서로 상이한 광량이 투과되는 영역이다. 예컨대, 상기 광량 조절 영역(130)은 활성 영역(A/A)에서 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 더 많은 광량이 투과되도록 조절될 수 있다. The light amount adjusting region 130 is a region through which different amounts of light are transmitted depending on positions. For example, the light amount adjusting area 130 may be adjusted to transmit more light amount from the active area A / A to the inactive area N / A.

상기 광량 조절 영역(130)은 다양한 방식으로 만들어질 수 있다.The light amount adjusting region 130 may be made in various ways.

예컨대, 도 9에 도시한 바와 같이, 광량 조절 영역(130)은 서로 일정한 폭을 갖는 다수의 슬릿(133)을 포함할 수 있다. For example, as illustrated in FIG. 9, the light amount adjusting region 130 may include a plurality of slits 133 having a predetermined width.

상기 슬릿(133) 간의 간격은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 증가될 수 있다. 상기 슬릿(133) 간의 간격의 증가 폭은 일정할 수도 있고 일정하지 않을 수도 있다.The interval between the slits 133 may increase from the active area A / A to the inactive area N / A. The increasing width of the interval between the slits 133 may or may not be constant.

이와 같은 광량 조절 영역(130)으로 인해, 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 상기 광량 조절 영역(130)을 투과한 광량이 증가될 수 있다.Due to the light amount control region 130, the amount of light transmitted through the light amount control region 130 may increase from the active region A / A to the inactive region N / A.

예컨대, 도 10에 도시한 바와 같이, 광량 조절 영역(130)은 서로 상이한 폭을 갖는 다수의 슬릿(133)을 포함할 수 있다. For example, as illustrated in FIG. 10, the light amount adjusting region 130 may include a plurality of slits 133 having different widths from each other.

상기 슬릿(133) 간의 간격은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 증가될 수 있다. 상기 슬릿(133) 간의 간격의 증가 폭은 일정할 수도 있고 일정하지 않을 수도 있다.The interval between the slits 133 may increase from the active area A / A to the inactive area N / A. The increasing width of the interval between the slits 133 may or may not be constant.

상기 각 슬릿(133)의 폭은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 증가될 수 있다. 상기 각 슬릿(133)의 증가폭은 일정할 수도 있고 일정하지 않을 수도 있다. The width of each slit 133 may increase from the active area A / A to the inactive area N / A. The increment of each of the slits 133 may or may not be constant.

이와 같은 광량 조절 영역(130)으로 인해, 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 상기 광량 조절 영역(130)을 투과한 광량이 증가될 수 있다.Due to the light amount control region 130, the amount of light transmitted through the light amount control region 130 may increase from the active region A / A to the inactive region N / A.

예컨대, 도 11에 도시한 바와 같이, 광량 조절 영역(130)은 서로 상이한 폭을 갖는 다수의 슬릿(133)을 포함할 수 있다. For example, as illustrated in FIG. 11, the light amount adjusting region 130 may include a plurality of slits 133 having different widths from each other.

상기 슬릿(133) 간의 간격은 서로 일정할 수 있다. The intervals between the slits 133 may be constant with each other.

상기 각 슬릿(133)의 폭은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 증가될 수 있다. 상기 각 슬릿(133)의 증가폭은 일정할 수도 있고 일정하지 않을 수도 있다. The width of each slit 133 may increase from the active area A / A to the inactive area N / A. The increment of each of the slits 133 may or may not be constant.

이와 같은 광량 조절 영역(130)으로 인해, 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 상기 광량 조절 영역(130)을 투과한 광량이 증가될 수 있다.Due to the light amount control region 130, the amount of light transmitted through the light amount control region 130 may increase from the active region A / A to the inactive region N / A.

예컨대, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 광량 조절 영역(130)은 서로 일정한 폭을 갖는 다수의 슬릿(133)을 포함할 수 있다. For example, as illustrated in FIGS. 12 and 13, the light amount adjusting region 130 may include a plurality of slits 133 having a constant width with each other.

상기 슬릿(133) 간의 간격은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 증가될 수 있다. 상기 슬릿(133) 간의 간격의 증가 폭은 일정할 수도 있고 일정하지 않을 수도 있다.The interval between the slits 133 may increase from the active area A / A to the inactive area N / A. The increasing width of the interval between the slits 133 may or may not be constant.

아울러, 상기 각 슬릿(133)의 측면은 요철(135)을 포함할 수 있다. In addition, the side surface of each slit 133 may include a concave-convex (135).

상기 요철(135)은 피크를 중심으로 경사지거나 라운드 형상을 가질 수 있다The irregularities 135 may be inclined or have a round shape with respect to the peak.

도 12에 도시한 바와 같이, 각 슬릿(133)의 측면에 형성된 요철(135)이 동일한 크기를 가질 수 있다. As shown in FIG. 12, the unevenness 135 formed on the side surface of each slit 133 may have the same size.

도 13에 도시한 바와 같이, 각 슬릿(133)의 측면에 형성된 요철(135)의 크기가 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 증가될 수 있다. As shown in FIG. 13, the size of the concave-convex 135 formed on the side surface of each slit 133 may increase from the active area A / A to the inactive area N / A.

이와 같은 광량 조절 영역(130)으로 인해, 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 상기 광량 조절 영역(130)을 투과한 광량이 증가될 수 있다.Due to the light amount control region 130, the amount of light transmitted through the light amount control region 130 may increase from the active region A / A to the inactive region N / A.

도시되지 않았지만, 도 13과 동일한 형상을 가지고 활성 영역(A/A)에서 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 각 슬릿(133) 폭이 증가되는 광량 조절 영역(130)도 사용될 수 있다. Although not shown, a light amount adjusting region 130 having the same shape as that of FIG. 13 and increasing in width of each slit 133 from the active region A / A to the inactive region N / A may be used.

상기 비활성 영역(N/A)에 근접한 광량 조절 영역(130)은 상기 투과 영역(110)과 거의 비슷하거나 동일한 광량이 투과될 수 있다. The light amount adjusting region 130 proximate to the inactive region N / A may transmit a light amount substantially similar to or the same as that of the transmission region 110.

도 4에 도시한 바와 같이, 상기 마스크(100)의 투과 영역(110)에 대응한 평탄화막(15)은 광이 완전하게 조사되고, 상기 차단 영역(120)에 대응하는 평탄화막(15)은 광이 조사되지 않게 된다.As shown in FIG. 4, light is completely irradiated to the planarization film 15 corresponding to the transmission region 110 of the mask 100, and the planarization film 15 corresponding to the blocking region 120 is Light is not irradiated.

상기 마스크(100)의 광량 조절 영역(130)에 대응하는 평탄화막(15), 즉 상기 평탄화막(15)의 에지 영역은 서로 상이한 광량에 노출되게 된다. 즉, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역에 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 갈수록 점점 더 증가된 광량이 노출될 수 있다. The planarization layer 15 corresponding to the light amount control region 130 of the mask 100, that is, the edge region of the planarization layer 15 is exposed to different amounts of light. That is, the amount of light gradually increased from the active area A / A to the inactive area N / A may be exposed in the edge area of the planarization layer 15.

상기 평탄화막(15)이 현상 공정에 의해 현상될 수 있다. 이에 따라, 상기 평탄화막(15)의 아래에 형성된 보호막(11)이 노출되도록 상기 마스크(100)의 투과 영역(110)에 대응하는 평탄화막(15)은 완전히 제거될 수 있다.The planarization layer 15 may be developed by a developing process. Accordingly, the planarization layer 15 corresponding to the transmission region 110 of the mask 100 may be completely removed so that the passivation layer 11 formed under the planarization layer 15 is exposed.

상기 광량 조절 영역(130)에 대응하는 평탄화막(15)의 에지 영역은 상기 활성 영역(A/A)에서 상기 비활성 영역(N/A)으로 상기 평탄화막(15)의 두께가 점점 더 감소된 경사진 면으로 형성될 수 있다. The edge area of the planarization film 15 corresponding to the light amount control region 130 has the thickness of the planarization film 15 gradually reduced from the active area A / A to the inactive area N / A. It may be formed as an inclined surface.

도 5에 도시한 바와 같이, 식각 공정이 수행되어, 상기 보호막(11)이 선택적으로 패턴되어 상기 박막 트랜지스터(3)의 드레인 전극이 노출된 제1 콘택홀(17)과 상기 게이트 연결 전극(9)이 노출된 제2 콘택홀(19)이 형성될 수 있다. As illustrated in FIG. 5, an etching process is performed to selectively pattern the passivation layer 11 to expose the drain electrode of the thin film transistor 3 and the gate contact electrode 9. The second contact hole 19 exposed by) may be formed.

상기 제2 콘택홀(19)은 나중에 게이트 패드 전극(13)이 형성될 영역이다.The second contact hole 19 is a region where the gate pad electrode 13 will be formed later.

도 6에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화막(15) 상에 새도우 마스크가 위치된 후, 증착 공정이 수행될 수 있다. As shown in FIG. 6, after the shadow mask is positioned on the planarization layer 15, a deposition process may be performed.

상기 섀도우 마스크(150)는 투과 영역(160)과 차단 영역(170)을 포함할 수 있다. The shadow mask 150 may include a transmission region 160 and a blocking region 170.

상기 증착 공정에 의해 반사 전극 물질과 유기 발광 물질이 연속으로 상기 기판(1) 상에 증착될 수 있다. By the deposition process, the reflective electrode material and the organic light emitting material may be continuously deposited on the substrate 1.

상기 반사 전극 물질과 상기 유기 발광 물질은 상기 섀도우 마스크(150)의 하나의 투과 영역(160)에 대응하는 상기 평탄화막(15) 상에 증착되어, 제1 전극(21) 및 유기발광층(23)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(21)은 상기 반사 전극 물질로 형성되고, 상기 유기발광층(23)은 상기 유기 발광 물질로 형성될 수 있다.The reflective electrode material and the organic light emitting material are deposited on the planarization layer 15 corresponding to one transmissive region 160 of the shadow mask 150 to form the first electrode 21 and the organic light emitting layer 23. It can be formed as. The first electrode 21 may be formed of the reflective electrode material, and the organic light emitting layer 23 may be formed of the organic light emitting material.

상기 제1 전극(21)은 상기 제1 콘택홀(17)을 통해 상기 박막 트랜지스터(3)의 드레인 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode 21 may be electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor 3 through the first contact hole 17.

상기 제1 전극(21)과 상기 유기발광층(23)은 각 화소 영역에 개별적으로 형성될 수 있다. 즉, 각 화소 영역에 형성된 제1 전극(21)과 상기 유기발광층(23)은 서로 간에 분리되어 있다. The first electrode 21 and the organic light emitting layer 23 may be formed separately in each pixel area. That is, the first electrode 21 and the organic light emitting layer 23 formed in each pixel area are separated from each other.

따라서, 상기 각 화소 영역의 상기 제1 전극(21)으로 인가된 구동 전류에 의해 각 화소 영역별로 서로 상이한 휘도가 구현될 수 있다. Accordingly, different luminance may be realized for each pixel region by the driving current applied to the first electrode 21 of each pixel region.

상기 반사 전극 물질과 상기 유기 발광 물질은 상기 섀도우 마스크(150)의 또 다른 투과 영역(160)에 대응하는 상기 보호막(11) 상에 증착되어, 전극막(21a)과 유기발광막(23a)으로 이루어진 게이트 패드 전극(13)으로 형성될 수 있다. The reflective electrode material and the organic light emitting material are deposited on the passivation layer 11 corresponding to another transmission region 160 of the shadow mask 150 to the electrode layer 21a and the organic light emitting layer 23a. The gate pad electrode 13 may be formed.

상기 전극막(21a)은 상기 반사 전극 물질로 형성되고, 상기 유기발광막(23a)은 상기 유기 발광 물질로 형성될 수 있다. The electrode film 21a may be formed of the reflective electrode material, and the organic light emitting film 23a may be formed of the organic light emitting material.

상기 게이트 패드 전극(13), 즉 상기 전극막(21a)은 상기 제2 콘택홀(19)을 통해 상기 게이트 연결 전극(9)에 전기적으로 연결될 수 있다. The gate pad electrode 13, that is, the electrode layer 21a may be electrically connected to the gate connection electrode 9 through the second contact hole 19.

도 7에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화막(15) 상에 뱅크(31)가 형성될 수 있다. 상기 뱅크(31)에 의해 상기 화소 영역이 구분될 수 있다. As shown in FIG. 7, a bank 31 may be formed on the planarization layer 15. The pixel area may be divided by the bank 31.

따라서, 상기 뱅크(31)는 상기 화소 영역의 유기발광층(23)이 노출된 그루브(groove)(53)를 포함할 수 있다. 상기 그루브(53)은 상기 유기발광층(23)이 노출되도록 상기 뱅크(31)를 관통하여 형성될 수 있다. Therefore, the bank 31 may include a groove 53 in which the organic light emitting layer 23 of the pixel area is exposed. The groove 53 may be formed through the bank 31 to expose the organic light emitting layer 23.

상기 뱅크(31)는 상기 제1 전극(21)과 상기 유기발광층(23)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 뱅크(31)는 상기 유기발광층(23)의 상면의 에지 영역을 따라 형성될 수 있다. The bank 31 may be formed to surround the first electrode 21 and the organic light emitting layer 23. That is, the bank 31 may be formed along the edge region of the upper surface of the organic light emitting layer 23.

상기 뱅크(31)은 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(15)의 에지 영역이 경사진 면을 가지므로, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 평성된 뱅크(31)는 상기 평탄화막(15)의 상면 상에 형성된 뱅크(31)와 동일하거나 거의 비슷한 두께로 형성될 수 있다. The bank 31 may be formed on an edge region of the planarization layer 15. Since the edge region of the planarization film 15 has an inclined surface, the bank 31 flattened on the edge region of the planarization film 15 is formed on the top surface of the planarization film 15. It may be formed to the same or almost the same thickness as.

도 8에 도시한 바와 같이, 상기 뱅크(31) 상에 제2 전극(25)이 형성될 수 있다. As shown in FIG. 8, a second electrode 25 may be formed on the bank 31.

상기 제2 전극(25)은 각 화소 영역에 공통으로 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 각 화소 영역에 형성된 제2 전극(25)은 서로 간에 일체로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(25)은 각 화소 영역에 판 형상으로 형성될 수 있다. The second electrode 25 may be formed in common in each pixel area. In other words, the second electrodes 25 formed in the pixel areas may be integrally connected to each other. The second electrode 25 may be formed in a plate shape in each pixel area.

상기 제2 전극(25)은 상기 그루브(53)를 통해 상기 각 화소 영역의 유기발광층(23)에 면접촉될 수 있다. The second electrode 25 may be in surface contact with the organic light emitting layer 23 of each pixel area through the groove 53.

상기 제2 전극(25)과 상기 뱅크(31) 상에 봉지막(33)이 형성될 수 있다. An encapsulation layer 33 may be formed on the second electrode 25 and the bank 31.

상기 봉지막(33)은 유기막과 무기막이 서로 교대로 적층된 다층막을 포함할 수 있다.The encapsulation layer 33 may include a multilayer layer in which organic layers and inorganic layers are alternately stacked.

상기 봉지막(33)은 유기막과 무기막이 서로 교대로 적층된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 점착막, 보호필름 및 편광막을 포함할 수 있다. The encapsulation film 33 may include a multilayer film in which an organic film and an inorganic film are alternately stacked, and an adhesive film, a protective film, and a polarizing film formed on the multilayer film.

상기 평탄화막(15)의 에지 영역이 경사진 면을 가지므로, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역에 대응하는 뱅크(31) 상에 형성된 봉지막(33)은 상기 평탄화막(15)의 상면에 대응하는 뱅크(31) 상에 형성된 봉지막(33)과 동일거나 거의 비슷한 두께로 형성될 수 있다. Since the edge region of the planarization layer 15 has an inclined surface, the encapsulation layer 33 formed on the bank 31 corresponding to the edge region of the planarization layer 15 is an upper surface of the planarization layer 15. The thickness of the encapsulation layer 33 may be the same as or substantially similar to that of the encapsulation layer 33 formed on the bank 31.

이상과 같이, 실시예는 광량 조절 영역(130)을 갖는 마스크를 이용하여 평탄화막(15)의 에지 영역을 경사진 면으로 형성하여 줌으로써, 상기 평탄화막(15)의 에지 영역 상에 형성된 뱅크(31)와 봉지막(33) 각각이 두껍게 형성되도록 하여 수분이나 산소의 투습을 방지하여 박막 트랜지스터와 금속 라인의 손상을 방지할 수 있다. As described above, the embodiment forms the edge region of the planarization layer 15 as an inclined surface by using a mask having the light amount control region 130, thereby forming a bank formed on the edge region of the planarization layer 15. 31) and the encapsulation film 33 are formed to be thick, thereby preventing moisture or oxygen permeation, thereby preventing damage to the thin film transistor and the metal line.

1: 기판 3: 박막 트랜지스터
5: 게이트 콘택 전극 7: 게이트 절연막
9: 게이트 연결 전극 11: 보호막
13: 게이트 패드 전극 15: 평탄화막
17, 19: 콘택홀 20: 유기발광소자
21: 제1 전극 23: 유기발광층
25: 제2 전극 31: 뱅크
33: 봉지막 35: 데이터 패드 전극
37: 데이터 연결 전극 41: 전원 전압 패드 전극
43: 전원 전압 연결 전극 53: 그루브
100: 마스크 110: 투과 영역
120: 차단 영역 130: 광량 조절 영역
133: 슬릿 135: 요철
150: 섀도우 마스크 160: 투과 영역
170: 차단 영역 A/A: 활성 영역
E/A: 에지 영역 N/A: 비활성 영역1: substrate 3: thin film transistor
5: gate contact electrode 7: gate insulating film
9: gate connection electrode 11: protective film
13: gate pad electrode 15: planarization film
17, 19: contact hole 20: organic light emitting device
21: first electrode 23: organic light emitting layer
25: second electrode 31: bank
33: sealing film 35: data pad electrode
37: data connection electrode 41: power voltage pad electrode
43: power supply voltage connection electrode 53: groove
100: mask 110: transmission area
120: blocking area 130: light amount adjusting area
133: slit 135: irregularities
150: shadow mask 160: transmission area
170: blocking area A / A: active area
E / A: Edge Area N / A: Inactive Area

Claims (20)

박막 트랜지스터를 포함하고 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 평탄화막 상에 적어도 광량 조절 영역을 갖는 마스크를 위치시키는 단계;
광을 조사하여 상기 광량 조절 영역에 대응하는 상기 평탄화막의 에지 영역에 경사진 면을 형성하는 단계;
상기 평탄화막 상에 제1 전극 및 유기발광층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 및 상기 유기발광층을 둘러싸도록 뱅크를 형성하는 단계;
상기 뱅크와 상기 유기발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2 전극 상에 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.Forming a planarization film on a substrate including a thin film transistor and defining an active region and an inactive region;
Positioning a mask having at least a light amount control region on the planarization film;
Irradiating light to form an inclined surface in an edge region of the planarization film corresponding to the light quantity control region;
Forming a first electrode and an organic light emitting layer on the planarization layer;
Forming a bank to surround the first electrode and the organic light emitting layer;
Forming a second electrode on the bank and the organic light emitting layer; And
And forming an encapsulation layer on the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 평탄화막의 에지 영역 상에 상기 뱅크와 상기 봉지막이 형성되는 유기발광 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1,
And manufacturing the bank and the encapsulation layer on an edge area of the planarization layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 평탄화막을 관통하여 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 유기발광 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1,
The first electrode penetrates the planarization layer and is connected to the thin film transistor. 제1항에 있어서,
상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 상기 광량 조절 영역을 통과한 광량이 증가되는 유기발광 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1,
And increasing the amount of light passing through the light amount control region from the active area to the inactive area. 제4항에 있어서,
상기 광량 조절 영역은 서로 일정한 폭을 갖는 다수의 슬릿을 포함하고,
상기 슬릿 간의 간격은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 유기발광 표시장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
The light quantity control region includes a plurality of slits having a constant width to each other,
The gap between the slits increases from the active region to the inactive region. 제5항에 있어서,
상기 각 슬릿의 측면에 요철을 더 포함하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.The method of claim 5,
The manufacturing method of the organic light emitting display device further comprising irregularities on the side of each slit. 제6항에 있어서,
상기 각 슬릿의 요철은 동일한 크기를 갖는 유기발광 표시장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
The unevenness of each slit has a same size manufacturing method of an organic light emitting display device. 제6항에 있어서,
상기 각 슬릿의 요철의 크기는 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 유기발광 표시장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
The unevenness of each slit increases in size from the active region to the inactive region. 제4항에 있어서,
상기 광량 조절 영역은 서로 상이한 폭을 갖는 다수의 슬릿을 포함하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
The method of manufacturing an organic light emitting display device, wherein the light amount control region includes a plurality of slits having different widths. 제9항에 있어서,
상기 각 슬릿의 폭은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 유기발광 표시장치의 제조 방법.10. The method of claim 9,
The width of each slit increases from the active region to the inactive region. 제9항에 있어서,
상기 슬릿 간의 간격은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 유기발광 표시장치의 제조 방법. 10. The method of claim 9,
The gap between the slits increases from the active region to the inactive region. 제9항에 있어서,
상기 슬릿 간의 간격은 서로 일정한 유기발광 표시장치의 제조 방법.10. The method of claim 9,
A method of manufacturing an organic light emitting display device wherein the intervals between the slits are constant. 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판 상에 경사진 면을 갖는 에지 영역을 포함하는 막을 형성하기 위한 마스크에 있어서,
적어도 광량 조절 영역을 포함하고,
상기 광량 조절 영역은 서로 일정한 폭을 갖는 다수의 슬릿을 포함하고,
상기 슬릿 간의 간격은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 마스크.A mask for forming a film comprising an edge region having an inclined surface on a substrate on which active and inactive regions are defined, the mask comprising:
At least a light quantity control region,
The light quantity control region includes a plurality of slits having a constant width to each other,
A spacing between the slits increases from the active region to the inactive region. 제13항에 있어서,
상기 각 슬릿의 측면에 요철을 더 포함하는 마스크.The method of claim 13,
The mask further comprises irregularities on the side of each slit. 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판 상에 경사진 면을 갖는 에지 영역을 포함하는 막을 형성하기 위한 마스크에 있어서,
적어도 광량 조절 영역을 포함하고,
상기 광량 조절 영역은 서로 상이한 폭을 갖는 다수의 슬릿을 포함하는 마스크.A mask for forming a film comprising an edge region having an inclined surface on a substrate on which active and inactive regions are defined, the mask comprising:
At least a light quantity control region,
The light quantity control region includes a plurality of slits having different widths from each other. 제15항에 있어서,
상기 각 슬릿의 폭은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 마스크.16. The method of claim 15,
A width of each slit increasing from the active area to the inactive area. 제15항에 있어서,
상기 슬릿 간의 간격은 상기 활성 영역에서 상기 비활성 영역으로 갈수록 증가되는 마스크. 16. The method of claim 15,
A spacing between the slits increases from the active region to the inactive region. 제15항에 있어서,
상기 슬릿 간의 간격은 서로 일정한 마스크.16. The method of claim 15,
The spacing between the slits is constant with each other. 활성 영역과 비활성 영역이 정의된 기판;
상기 기판 상에 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 평탄화막;
제13항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 의한 마스크의 광량 조절 영역에 대응하는 상기 평탄화막의 에지 영역에 형성된 경사진 면;
상기 평탄화막 상에 제1 전극 및 유기발광층;
상기 제1 전극 및 상기 유기발광층을 둘러싸도록 형성된 뱅크;
상기 뱅크와 상기 유기발광층 상에 제2 전극; 및
상기 제2 전극 상에 봉지막을 포함하는 유기발광 표시장치.A substrate in which an active region and an inactive region are defined;
A thin film transistor on the substrate;
A planarization layer on the thin film transistor;
An inclined surface formed in an edge region of the planarization film corresponding to the light quantity control region of the mask according to any one of claims 13 to 18;
A first electrode and an organic light emitting layer on the planarization layer;
A bank formed to surround the first electrode and the organic light emitting layer;
A second electrode on the bank and the organic light emitting layer; And
An organic light emitting display device including an encapsulation layer on the second electrode. 제19항에 있어서,
상기 경사진 면과 상기 기판의 상면 사이의 경사각은 10° 내지 45°의 범위를 갖는 유기발광 표시장치.20. The method of claim 19,
And an inclination angle between the inclined surface and the upper surface of the substrate is in a range of 10 ° to 45 °.
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