KR20130018229A - Photosensitive resin composition and light receiving device - Google Patents

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KR20130018229A
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KR
South Korea
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resin composition
photosensitive resin
compound
less
silicon substrate
Prior art date
Application number
KR1020127021590A
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Korean (ko)
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후미히로 시라이시
마사히로 요네야마
마사카즈 가와타
도요세이 다카하시
히로히사 데지마
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스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고, 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 한다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 광산 발생제 (C) 와, 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고, 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition of this invention contains alkali-soluble resin (A), a photoinitiator (B), and the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less, and has a wavelength of 400 nm. The maximum value of the visible light transmittance at 700 nm or more is 5.0% or more. Moreover, the photosensitive resin composition of this invention contains alkali-soluble resin (A), a photo-acid generator (C), and the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less, wavelength 400 The maximum value of the visible light transmittance at nm or more and 700 nm or less is characterized by being 5.0% or more.

Description

감광성 수지 조성물 및 수광 장치 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND LIGHT RECEIVING DEVICE}Photosensitive resin composition and light receiving device {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND LIGHT RECEIVING DEVICE}

본 발명은 얼라이먼트 공정을 거쳐서 제조되는 반도체 장치, 특히 CMOS 이미지 센서를 탑재하는 수광 장치의 제조에 이용되는 솔더 레지스트용 감광성 수지 조성물, 및 그것을 이용하여 제조되는 수광 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive resin composition for solder resist used in the manufacture of a semiconductor device manufactured through an alignment process, particularly a light receiving device on which a CMOS image sensor is mounted, and a light receiving device manufactured using the same.

이미지 센서는 광학 영상을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치이다. 이와 같은 이미지 센서로는 CCD 이미지 센서와 CMOS 이미지 센서가 있다.An image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. Such image sensors include CCD image sensors and CMOS image sensors.

종래부터 디지털 카메라 등의 촬상소자로는 CCD 이미지 센서가 이용되고 있었다. 그러나 CCD 이미지 센서에 비해 소비 전력이 적고, 소형화가 가능하다는 이유에서 CMOS 이미지 센서가 채용되도록 되고 있다.Background Art Conventionally, CCD image sensors have been used as imaging devices such as digital cameras. However, CMOS image sensors are being adopted because they consume less power and can be miniaturized than CCD image sensors.

이 CMOS 이미지 센서는 실리콘 기판 상에 형성되어 있으며, 수광 소자, 컬러 필터, 마이크로 렌즈 등으로 이루어진다.This CMOS image sensor is formed on a silicon substrate and consists of a light receiving element, a color filter, a micro lens, and the like.

CMOS 이미지 센서가 탑재되어 있는 수광 장치의 종래의 형태는 회로 기판 상에 CMOS 이미지 센서가 탑재되고, CMOS 이미지 센서의 알루미늄 패드와 회로 기판이 와이어 본딩에 의해 접속되어 있다. 이와 같은 와이어 본딩 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치는 와이어를 인출하기 위한 스페이스가 필요하므로 장치 전체가 크게 되어 있다.In the conventional form of the light receiving device in which the CMOS image sensor is mounted, a CMOS image sensor is mounted on a circuit board, and the aluminum pad of the CMOS image sensor and the circuit board are connected by wire bonding. Such a wire bonding type CMOS image sensor-mounted light-receiving device requires a space for drawing wires, so that the entire device is large.

그래서 최근에는 CMOS 이미지 센서가 탑재되는 실리콘 기판에 관통공인 비어홀이 형성되고, 그 비어홀의 내면에 형성된 배선 회로에 의해 실리콘 기판의 상면에 형성되는 배선 회로와 실리콘 기판의 하면에 형성되는 배선 회로가 접속되며, 실리콘 기판의 하면의 배선 회로와 회로 기판이 땜납 접속에 의해 접속되는 칩 사이즈의 수광 장치가 개발되게 되어 왔다.In recent years, a via hole is formed in a silicon substrate on which a CMOS image sensor is mounted, and a wiring circuit formed on the upper surface of the silicon substrate and a wiring circuit formed on the lower surface of the silicon substrate are connected by a wiring circuit formed on the inner surface of the via hole. Accordingly, a chip size light receiving device in which a wiring circuit on a lower surface of a silicon substrate and a circuit board are connected by solder connection has been developed.

이와 같은 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2007-67017호 (특허문헌 1) 를 들 수 있다. 일본 공개특허공보 2007-67017호 (특허문헌 1) 에는 하기와 같은 반도체 장치의 제조 방법이 기재되어 있다. 그 제조 방법에 의하면, 먼저 반도체 소자의 일면 측의 전극 패드 및 디바이스 형성층의 표면에 제 1 레지스트층을 형성한다. 이어서, 전극 패드에 에칭에 의해 개구를 형성한다. 이어서, 일단이 개구에 연통하고, 타단이 반도체 소자의 타면 측에 개구하는 관통공을 에칭에 의해 기판에 형성한다. 이어서, 관통공에 관통 전극을 형성한다. 또, 상기한 제조법에 의해 제조되는 수광 장치도 개시되어 있다.As a CMOS image sensor mounting photodetector of such a chip size, Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-67017 (patent document 1) is mentioned, for example. JP 2007-67017 A (Patent Document 1) describes a method for manufacturing a semiconductor device as described below. According to the manufacturing method, first, a first resist layer is formed on the surface of the electrode pad and the device formation layer on one side of the semiconductor element. Subsequently, an opening is formed in the electrode pad by etching. Next, a through hole whose one end communicates with the opening and the other end opens on the other surface side of the semiconductor element is formed in the substrate by etching. Next, a through electrode is formed in the through hole. Moreover, the light-receiving device manufactured by said manufacturing method is also disclosed.

또, 일본 공개특허공보 2007-73958호 (특허문헌 2) 에는 하기와 같은 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈의 패키지 제조 방법이 기재되어 있다. 그 제조 방법에 의하면, A) 이미지 센서 웨이퍼와 글래스 웨이퍼를 본딩한 후, 이미지 센서 웨이퍼에 관통공을 형성한다. 이어서, B) 이미지 센서 웨이퍼에 형성된 관통공을 도전 물질로 충전함으로써 도전체를 형성한다. 이어서, C) 도전체의 말단에 땜납 범프를 형성하고, 회로가 형성된 PCB 기판과 연결한다. 또, 상기한 제조 방법에 의해 제조되는 수광 장치가 개시되어 있다. 또, 일본 공개특허공보 2007-73958호 (특허문헌 2) 에서는 유리 웨이퍼가 IR 커트 필터층으로 코팅되어 있는 경우도 개시되어 있다.Moreover, Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-73958 (patent document 2) describes the manufacturing method of the wafer level chip size for image sensor modules as follows. According to the manufacturing method, A) after bonding an image sensor wafer and a glass wafer, a through hole is formed in an image sensor wafer. Subsequently, B) a conductor is formed by filling the through hole formed in the image sensor wafer with a conductive material. Subsequently, C) solder bumps are formed at the ends of the conductors and connected to the PCB substrates on which the circuits are formed. Moreover, the light receiving device manufactured by the above-mentioned manufacturing method is disclosed. Moreover, Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-73958 (patent document 2) also discloses the case where the glass wafer is coated with the IR cut filter layer.

일본 공개특허공보 2007-67017호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-67017 일본 공개특허공보 2007-73958호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-73958

본 발명자들은 이와 같은 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치에 대해 예의 연구를 거듭한 결과, 실리콘 기판의 하측 면에서 솔더 레지스트를 투과하여 들어오는 적외선에 의해 센서 칩 (수광 소자) 이 오작동을 일으키는 것을 알아내었다.As a result of intensive studies on such a chip size CMOS image sensor-mounted light receiving device, the present inventors have found that the sensor chip (light receiving element) malfunctions by infrared rays passing through the solder resist on the lower side of the silicon substrate. Came out.

이에, 본 발명자들은 실리콘 기판의 하면 측에서 들어오는 적외선을 차광하기 위해서 솔더 레지스트의 표면에 차광막을 추가로 형성시키는 것을 시도하였다.Accordingly, the present inventors have attempted to further form a light shielding film on the surface of the solder resist in order to shield the infrared rays coming from the lower surface side of the silicon substrate.

그러나 이와 같은 수법에 의해 실리콘 기판의 하면 측에서 들어오는 적외선을 차광할 수는 있지만, 차광막을 형성하기 위해서 제조 비용이 상승하는 것, 및 차광막의 형성 공정이 여분으로 소요된다고 하는 문제가 생겼다.However, although the infrared rays which enter from the lower surface side of a silicon substrate can be shielded by such a method, there existed a problem that manufacturing cost rises and the process of forming a light shielding film takes an extra step in order to form a light shielding film.

본 발명에 의하면,According to the present invention,

알칼리 가용성 수지 (A) 와,Alkali-soluble resin (A),

광 중합 개시제 (B) 와,Photoinitiator (B),

최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) Infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength is in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less

를 함유하고,≪ / RTI >

파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물이 제공된다.The maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less is 5.0% or more, The photosensitive resin composition is provided.

또, 본 발명에 의하면, In addition, according to the present invention,

알칼리 가용성 수지 (A) 와,Alkali-soluble resin (A),

광산 발생제 (C) 와,A photoacid generator (C),

최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D)Infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength is in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less

를 함유하고,≪ / RTI >

파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물이 제공된다.The maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less is 5.0% or more, The photosensitive resin composition is provided.

또, 본 발명에 의하면,In addition, according to the present invention,

광소자로 이루어지는 CMOS 이미지 센서가 탑재되어 있는 실리콘 기판과,A silicon substrate on which a CMOS image sensor comprising an optical element is mounted;

투명 기판과,With a transparent substrate,

상기 CMOS 이미지 센서와 상기 투명 기판의 사이의 간극을 규정하는 스페이서A spacer defining a gap between the CMOS image sensor and the transparent substrate

를 갖고,Lt; / RTI &

상기 실리콘 기판에는 비어홀이 형성되어 있으며,Via holes are formed in the silicon substrate,

상기 비어홀의 내면에 형성되어 있는 배선 회로에 의해, 상기 실리콘 기판의 상면의 배선 회로와 상기 실리콘 기판의 하면의 배선 회로가 접속되어 있고,By the wiring circuit formed in the inner surface of the via hole, the wiring circuit of the upper surface of the silicon substrate and the wiring circuit of the lower surface of the silicon substrate are connected.

상기 실리콘 기판의 하면에는 솔더 레지스트가 형성되어 있으며,Solder resist is formed on the lower surface of the silicon substrate,

상기 실리콘 기판의 하면의 배선 회로와, 회로 기판의 배선 회로가 땜납 접속에 의해 접속되는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치이며,A chip size CMOS image sensor-mounted light receiving device in which a wiring circuit on a lower surface of the silicon substrate and a wiring circuit of a circuit board are connected by solder connection,

상기 솔더 레지스트는 상기한 어느 것의 감광성 수지 조성물의 경화물인 것을 특징으로 하는 수광 장치가 제공된다.Said soldering resist is hardened | cured material of any one of said photosensitive resin compositions, The light receiving apparatus characterized by the above-mentioned is provided.

본 발명에 의하면, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고, 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상이다. 이 감광성 수지 조성물의 경화물인 솔더 레지스트를 형성한 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치는 감광성 수지 조성물이 적외 흡수제를 함유하고 있다. 이에 의해, 실리콘 기판의 하면 측에서 적외선이 들어오는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 가시광 투과성을 가지고 있다. 이에 의해, 상기한 수광 장치의 제조 공정에서의 얼라이먼트시에 실리콘 기판의 하면에 인자된 얼라이먼트 마크를 육안으로 인식할 수 있다.According to this invention, the photosensitive resin composition of this invention contains the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less, and the maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less is 5.0. It is% or more. In the CMOS image sensor mounting light receiving device in which the soldering resist which is the hardened | cured material of this photosensitive resin composition was formed, the photosensitive resin composition contains the infrared absorber. Thereby, infrared rays can be prevented from entering from the lower surface side of the silicon substrate. Moreover, the photosensitive resin composition of this invention has visible light transmittance. Thereby, the alignment mark printed on the lower surface of a silicon substrate can be visually recognized at the time of alignment in the manufacturing process of the said light receiving apparatus.

이와 같이, 감광성 수지 조성물이 가시광을 투과하고, 또한 감광성 수지 조성물의 경화물이 적외선을 차광할 수 있다. 따라서, 특히 내열성, 내약품성, 내습성, 낮은 휨성 등의 솔더 레지스트에 필요한 성능을 갖는 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.Thus, the photosensitive resin composition can transmit visible light, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition can shield infrared rays. Therefore, especially the photosensitive resin composition for soldering resists which has the performance required for soldering resists, such as heat resistance, chemical-resistance, moisture resistance, and low curvature, can be provided.

본 발명에 의하면, 감광성 수지 조성물이 가시광을 투과하고, 또한 감광성 수지 조성물의 경화물이 적외선을 차광할 수 있다. 따라서, 특히 내열성, 내약품성, 내습성, 낮은 휨성 등의 솔더 레지스트에 필요한 성능을 갖는 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to this invention, the photosensitive resin composition permeate | transmits visible light, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition can shield infrared rays. Therefore, especially the photosensitive resin composition for soldering resists which has the performance required for soldering resists, such as heat resistance, chemical-resistance, moisture resistance, and low curvature, can be provided.

상기 서술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은 이하에 설명하는 바람직한 실시형태, 및 그것에 부수하는 이하의 도면에 의해 더 명백해진다.
도 1 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 모식적인 단면도이다.
도 2 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 3 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 4 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 5 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 6 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 8 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 9 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 10 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 11 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 12 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 13 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 14 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 15 는 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 16 은 땜납 접속 방식의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 17 은 개편화의 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다.The above-mentioned objects, and other objects, features, and advantages are further clarified by the preferred embodiments described below, and the accompanying drawings attached thereto.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is typical sectional drawing of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the CMOS image sensor-mounted light receiving device of the solder connection method.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
6 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the CMOS image sensor-mounted light receiving device of the solder connection method.
Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the CMOS image sensor-mounted light receiving device of the solder connection method.
8 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the solder-connection type CMOS image sensor-mounted light receiving device.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a solder connection system.
It is typical sectional drawing which shows the process of individualization.

본 발명의 제 1 형태의 감광성 수지 조성물 (이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이라고도 기재한다) 은, 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고, 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치가 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 네거티브형의 감광성 수지 조성물로서, 반도체 장치의 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of the first aspect of the present invention (hereinafter also referred to as the photosensitive resin composition (1) of the present invention) has an alkali-soluble resin (A), a photopolymerization initiator (B), and a maximum absorption wavelength of 800 nm. It contains the infrared absorber (D) in the range of 2500 nm or less and the maximum value of the visible light transmittance in 400 nm or more and 700 nm or less is 5.0% or more, It is a photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. The photosensitive resin composition (1) of this invention is a negative photosensitive resin composition, and is a photosensitive resin composition for soldering resists of a semiconductor device.

본 발명의 제 2 형태의 감광성 수지 조성물 (이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 이라고도 기재한다) 은, 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 광산 발생제 (C) 와, 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고, 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에 있어서의 가시광 투과율의 최대치가 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 포지티브형의 감광성 수지 조성물로서, 반도체 장치의 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물이다.As for the photosensitive resin composition of the 2nd aspect of this invention (it also describes below the photosensitive resin composition (2) of this invention), alkali-soluble resin (A), a photo-acid generator (C), and a maximum absorption wavelength are 800 nm. It contains the infrared absorber (D) in the range of 2500 nm or less, The maximum value of the visible light transmittance in 400 nm or more and 700 nm or less is 5.0% or more, It is a photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. The photosensitive resin composition (2) of this invention is a positive photosensitive resin composition, and is a photosensitive resin composition for soldering resists of a semiconductor device.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치를 제조하기 위해서 이용되는 감광성 수지 조성물이다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 노광 및 알칼리 현상에 의해 패터닝한 후, 열경화를 함으로써 솔더 레지스트를 형성하기 위해서 이용된다.As shown in FIG. 1, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention are photosensitive resin compositions used in order to manufacture the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size. Moreover, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention are used in order to form a soldering resist by thermosetting after patterning by exposure and alkali image development.

또, 이하의 설명에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 이 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 솔더 레지스트를 형성하기 위해서 이용되는 사용형태예를 본 발명의 사용형태예로 예시 해서 설명하고 있다. 그러나 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조용에 한정되는 것은 아니다. 이들은 예를 들어 얼라이먼트 공정, 노광, 현상에 의해 패턴화하는 공정을 거쳐서 형성되며, 또한 적외선을 차광하는 기능을 갖는 보호막을 형성하기 위해서도 이용된다. 이들은 특히 반도체 장치의 솔더 레지스트의 형성용에 바람직하게 이용된다.In addition, in the following description, the usage example which the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention uses in order to form the soldering resist of the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size is used for this invention. Illustrated as an example of the use form. However, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention are not limited to manufacture of the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size. These are formed through the process of patterning by the alignment process, exposure, and image development, for example, and they are also used in order to form the protective film which has the function to light-block infrared rays. These are especially used for formation of the soldering resist of a semiconductor device.

도 1 을 참조하여, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 이용하여 제조되는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치 (1) 를 설명한다. 도 1 은 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 모식적인 단면도이다. 도 1 중, 수광 장치 (1) 는 실리콘 기판 (6) 과 투명 기판 (3) 을 가지고 있다. 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 상에는 수광부 (8) 가 형성되어 있다. 그리고, 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 상에 형성되어 있는 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 사이에는 간극 (5) 이 형성되도록 스페이서 (4) 가 형성되어 있다. 이 스페이서 (4) 에 의해 수광부 (8) (실리콘 기판 (6)) 과 투명 기판 (3) 사이의 간극 (5) 이 규정되고 있다. 또한, 수광 장치 (1) 는 회로 기판 (2) 상에 땜납 (9) 으로 땜납 접속됨으로써 탑재된다.With reference to FIG. 1, the CMOS image sensor mounting photodetector 1 of the chip size manufactured using the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is demonstrated. 1 is a schematic cross-sectional view of a chip size CMOS image sensor-mounted light receiving device. In FIG. 1, the light receiving device 1 has a silicon substrate 6 and a transparent substrate 3. The light receiving portion 8 is formed on the upper surface 11 of the silicon substrate 6. And the spacer 4 is formed so that the clearance gap 5 may be formed between the light receiving part 8 and the transparent substrate 3 which are formed on the upper surface 11 of the silicon substrate 6. The gap 5 between the light receiving portion 8 (silicon substrate 6) and the transparent substrate 3 is defined by the spacer 4. In addition, the light receiving device 1 is mounted on the circuit board 2 by soldering with solder 9.

이 수광부 (8) 는, 즉 CMOS 이미지 센서이다. 또, 수광부 (8) 는 주로 실리콘 기판 (6) 상에 형성되어 있는 수광 소자 (도시 생략) 로 이루어진다. 수광부 (8) (CMOS 이미지 센서) 는 그 밖에 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 의 수광 소자의 주위에 형성되는 배선 회로, 수광 소자 및 수광 소자의 주위에 형성되는 배선 회로 상에 형성되는 절연막으로서의 층간 절연막 (도시 생략), 컬러 필터 (도시 생략), 마이크로 렌즈 (도시 생략), 또는 배선 회로가 연결되는 전극 패드 (도시 생략) 등을 갖는다.This light receiving part 8 is a CMOS image sensor. In addition, the light receiving portion 8 mainly consists of a light receiving element (not shown) formed on the silicon substrate 6. The light receiving portion 8 (CMOS image sensor) is an insulating film formed on the wiring circuit formed around the light receiving element on the upper surface 11 of the silicon substrate 6, the light receiving element, and the wiring circuit formed around the light receiving element. An interlayer insulating film (not shown), a color filter (not shown), a micro lens (not shown), or an electrode pad (not shown) to which a wiring circuit is connected.

수광 장치 (1) 의 실리콘 기판 (6) 에는 관통공인 비어홀 (10) 이 형성되어 있다. 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11), 비어홀 (10) 의 내면, 및 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 에는 배선 회로가 형성되어 있다. 또, 비어홀 (10) 의 내면에 형성되는 배선 회로에 의해 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 의 배선 회로와 하면 (12) 의 배선 회로가 접속되어 있다. 그리고 회로 기판 (2) 의 배선 회로와 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 배선 회로 (22, 도 16 등을 참조) 가 땜납 (9) 을 개재하여 접속되어 있다.In the silicon substrate 6 of the light receiving device 1, a via hole 10 that is a through hole is formed. A wiring circuit is formed on the upper surface 11 of the silicon substrate 6, the inner surface of the via hole 10, and the lower surface 12 of the silicon substrate 6. Moreover, the wiring circuit of the upper surface 11 of the silicon substrate 6 and the wiring circuit of the lower surface 12 are connected by the wiring circuit formed in the inner surface of the via hole 10. And the wiring circuit of the circuit board 2 and the wiring circuit 22 (refer FIG. 16 etc.) of the lower surface 12 of the silicon substrate 6 are connected through the solder 9.

회로 기판 (2) 은 동박 등을 에칭 가공한 회로 패턴에 니켈, 금 등이 도금된 배선 회로가 형성되어 있는 기판이다. 회로 기판 (2) 의 재질은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 유리 섬유에 수지를 함침시킨 유기 기판, 세라믹 기판, 알루미늄, 구리 등의 메탈 기판 등이다. 또, 회로 기판 (2) 은 1 층의 회로 기판이어도 되고, 다층의 회로 기판이어도 된다.The circuit board 2 is a board | substrate with which the wiring circuit which nickel, gold, etc. plated was formed in the circuit pattern which etched copper foil etc. is formed. Although the material of the circuit board 2 is not specifically limited, It is an organic substrate, ceramic substrate, metal substrates, such as aluminum and copper, in which resin was impregnated into glass fiber. In addition, the circuit board 2 may be a single-layer circuit board or a multilayer circuit board.

투명 기판 (3) 은 유리 기판 또는 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰 등의 유기 기판이다. 투명 기판 (3) 은 수광부 (8) 와의 사이에 간극 (5) 을 두고 수광부 (8) 에 대향하도록 스페이서 (4) 를 개재하여 수광부 (8) 의 상방에 설치되어 있다.The transparent substrate 3 is a glass substrate or organic substrates, such as an acryl, a polycarbonate, polyether sulfone. The transparent substrate 3 is provided above the light receiving portion 8 via the spacer 4 so as to face the light receiving portion 8 with a gap 5 between the light receiving portion 8.

스페이서 (4) 는 투명 기판 (3) 과 수광부 (8) (CMOS 이미지 센서) 사이에 공간이 확보되도록 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 사이에 간극 (5) 을 형성하기 위한 것이다.The spacer 4 is for forming a gap 5 between the light receiving portion 8 and the transparent substrate 3 so that a space is secured between the transparent substrate 3 and the light receiving portion 8 (CMOS image sensor).

실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 에는 수광부 (8), 즉 CMOS 이미지 센서가 형성되어 있다. 또, 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 에는 배선 회로 (22) 가 형성되어 있다. 또, 실리콘 기판 (6) 에는 비어홀 (10) 이 형성되어 있다. 이에 의해, 비어홀 (10) 의 내면에 형성되어 있는 배선 회로를 통해서 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 의 배선 회로 (15) 와 하면 (12) 의 배선 회로 (22) 가 접속되어 있다.On the upper surface 11 of the silicon substrate 6, a light receiving portion 8, that is, a CMOS image sensor is formed. Moreover, the wiring circuit 22 is formed in the lower surface 12 of the silicon substrate 6. In addition, a via hole 10 is formed in the silicon substrate 6. Thereby, the wiring circuit 15 of the upper surface 11 of the silicon substrate 6 and the wiring circuit 22 of the lower surface 12 are connected through the wiring circuit formed in the inner surface of the via hole 10.

그리고 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 배선 회로 (22) 는 땜납 접속 부분 이외는 절연층인 솔더 레지스트 (25) 에 덮여 있다. 또, 땜납 접속 부분에는 땜납 (9) 이 배치되어 있다.And the wiring circuit 22 of the lower surface 12 of the silicon substrate 6 is covered by the soldering resist 25 which is an insulating layer except the solder connection part. Moreover, the solder 9 is arrange | positioned at the solder connection part.

솔더 레지스트 (25) 는 땜납 접속 시에 땜납 (9) 이 탑재되어 있는 부분만이 하면 (12) 의 배선 회로 (22) 에 접속되고, 절연 부분은 접속되지 않도록 할 수 있다. 또, 솔더 레지스트 (25) 는 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 및 실리콘 웨이퍼 (6) 의 하면 (12) 의 배선 회로 (22) 의 비접속 부분을 보호할 수 있다.The soldering resist 25 can be connected to the wiring circuit 22 of the lower surface 12 only when the solder 9 is mounted at the time of solder connection, and the insulating portion can not be connected. In addition, the soldering resist 25 can protect the non-connection part of the wiring circuit 22 of the lower surface 12 of the silicon substrate 6 and the lower surface 12 of the silicon wafer 6.

실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 배선 회로 (22) 에 접속된 땜납 (9) 은 솔더 레지스트 (25) 에 덮여 있지 않다. 이에 의해, 이 땜납 (9) 과 회로 기판 (2) 상의 배선 회로가 접속되어 있다.The solder 9 connected to the wiring circuit 22 of the lower surface 12 of the silicon substrate 6 is not covered with the solder resist 25. As a result, the solder 9 and the wiring circuit on the circuit board 2 are connected.

이어서, 도 2 ～ 도 16 을 참조하여, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 이용하는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 설명한다. 도 2 ～ 도 16 은 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 제조 공정을 나타내는 모식적인 단면도이다. 또, 도 2 ～ 도 16 은 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치 중, 비어홀이 형성되는 부근을 확대한 도면이다. 따라서, 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 전체를 나타낸 것은 아니다.Next, with reference to FIGS. 2-16, the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of the chip size using the photosensitive resin composition (1) of this invention or the photosensitive resin composition (2) of this invention is demonstrated. 2-16 is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size. 2-16 is the figure which expanded the vicinity of a via hole in the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size. Therefore, the entire chip size CMOS image sensor-mounted light receiving device is not shown.

먼저, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판 (6) 의 상면 (11) 에 수광 소자 (도시 생략), 수광 소자의 주위에 형성되는 배선 회로 (15), 절연막 (17), 컬러 필터 (도시 생략), 마이크로 렌즈 (도시 생략), 전극 패드 (16) 등으로 이루어지는 수광부 (8) 를 형성한다. 이에 의해, 실리콘 기판 (6) 상에 수광부 (8) 가 탑재되어 있는 CMOS 이미지 센서 탑재 실리콘 기판 (40) 을 제작한다. 또, 도 2 에서는 수광부 (8) 중, 배선 회로 (15), 절연막 (17) 및 전극 패드 (16) 만을 나타내고 있다. 절연막 (17) 으로는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 SiN, SiO2 등의 무기 재료, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 벤조시클로부텐 수지 등의 유기 재료를 들 수 있다.First, as shown in FIG. 2, a light receiving element (not shown), a wiring circuit 15 formed around the light receiving element, an insulating film 17, and a color filter (not shown) on the upper surface 11 of the silicon substrate 6. ), A light receiving portion 8 made of a micro lens (not shown), an electrode pad 16, or the like is formed. Thereby, the CMOS image sensor mounting silicon substrate 40 in which the light receiving part 8 is mounted on the silicon substrate 6 is produced. 2, only the wiring circuit 15, the insulating film 17, and the electrode pad 16 are shown in the light receiving portion 8. An insulating film 17 is not particularly limited, and examples thereof include an organic material such as an inorganic material, a polyimide resin, a polybenzoxazole resin, benzocyclobutene resin, such as SiN, SiO 2.

이어서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 수광부 (8) 의 상면 전체를 덮도록 (도 2 에 나타낸 부분에서는 절연막 (17) 및 전극 패드 (16) 를 덮도록), 수광부 (8) 상에 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 을 형성한다. 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 은 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물과는 달리 스페이서용의 감광성 수지 조성물에 의해 구성되어 있다. 스페이서용 감광성 수지 조성물을 수광부 (8) 상에 층상으로 형성한 후, 노광 및 현상함으로써 스페이서 (4) 형상으로 패터닝한다. 이와 같은 스페이서용 감광성 수지 조성물로는 특별히 제한은 없으며, 상기한 공정에 의해 스페이서 (4) 형상으로 패터닝 가능한 것이면 된다. 또, 스페이서용 감광성 수지 조성물은 네거티브형이어도 되고, 포지티브형이어도 된다. 또, 스페이서용 감광성 수지 조성물은 25 ℃ 에서 액상이어도 필름상이어도 된다. 스페이서용 감광성 수지 조성물이 25 ℃ 에서 액상인 경우, 스핀 코트, 인쇄 등의 수법에 의해 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 을 형성할 수 있다. 또, 스페이서용 감광성 수지 조성물이 25 ℃ 에서 필름상인 경우, 라미네이트 등의 수법에 의해 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3, the photosensitive for spacers on the light receiving part 8 is covered so that the whole upper surface of the light receiving part 8 may be covered (to cover the insulating film 17 and the electrode pad 16 in the part shown in FIG. 2). The resin composition layer 4a is formed. The photosensitive resin composition layer 4a for spacers is comprised with the photosensitive resin composition for spacers unlike the photosensitive resin composition for soldering resists. After forming the photosensitive resin composition for spacers in the layer form on the light receiving part 8, it patterns in the shape of the spacer 4 by exposing and developing. There is no restriction | limiting in particular as such a photosensitive resin composition for spacers, What is necessary is just to be what can be patterned to the spacer 4 shape by the above-mentioned process. Moreover, a negative type may be sufficient as the photosensitive resin composition for spacers, and a positive type may be sufficient as it. In addition, the photosensitive resin composition for spacers may be a liquid form or a film form at 25 degreeC. When the photosensitive resin composition for spacers is liquid at 25 degreeC, the photosensitive resin composition layer 4a for spacers can be formed by methods, such as spin coating and printing. Moreover, when the photosensitive resin composition for spacers is a film form at 25 degreeC, the photosensitive resin composition layer 4a for spacers can be formed by methods, such as a laminate.

이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 의 상측에 마스크 (33) 를 배치한다. 이어서, 마스크 (33) 로 마스크되어 있지 않은 부분의 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 을 자외선 (34) 에 의해 노광한다. 또, 스페이서용 감광성 수지 조성물이 네거티브형인 경우, 간극 (5) 이 형성되는 부분을 마스크하고, 스페이서 (4) 가 형성되는 부분에 노광광을 조사한다. 한편, 스페이서용 감광성 수지 조성물이 포지티브형의 경우, 스페이서 (4) 가 형성되는 부분을 마스크하고, 간극 (5) 이 형성되는 부분에 노광광을 조사한다. 노광광은 자외선이며, 노광광의 광원으로는 특별히 제한은 없고, g 선, i 선, 엑시머 레이저 등의 광원이 이용된다.Next, as shown in FIG. 4, the mask 33 is arrange | positioned above the photosensitive resin composition layer 4a for spacers. Next, the photosensitive resin composition layer 4a for spacers of the part which is not masked with the mask 33 is exposed by the ultraviolet-ray 34. As shown in FIG. Moreover, when the photosensitive resin composition for spacers is negative, the part in which the clearance gap 5 is formed is masked, and exposure light is irradiated to the part in which the spacer 4 is formed. On the other hand, when the photosensitive resin composition for spacers is positive type, it exposes the part in which the spacer 4 is formed, and irradiates exposure light to the part in which the clearance gap 5 is formed. Exposure light is an ultraviolet-ray, There is no restriction | limiting in particular as a light source of exposure light, Light sources, such as g line | wire, i line | wire, and an excimer laser, are used.

이어서, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 노광된 스페이서용 감광성 수지 조성물층 (4a) 을 현상액으로 현상한다. 여기서, 스페이서용 감광성 수지 조성물이 네거티브형인 경우에는 미노광 부분 (간극 (5) 이 형성되는 부분) 을 제거한다. 한편, 스페이서용 감광성 수지 조성물이 포지티브형인 경우에는 노광 부분 (간극 (5) 이 형성되는 부분) 을 제거한다. 이에 의해, 스페이서 형상으로 패터닝된 스페이서용 감광성 수지 조성물 (4a) 을 수광부 (8) 상에 형성한다. 요컨데, 평면에서 보았을 때 (도 5 의 상측에서 보았을 때) 에 실리콘 기판 (6) 상의 수광 소자, 컬러 필터, 마이크로 렌즈 등을 둘러싸도록 스페이서용 감광성 수지 조성물 (4a) 을 형성한다. 이 패터닝된 스페이서용 감광성 수지 조성물 (4a) 은, 이후의 공정에서, 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 사이에 간극 (5) 을 형성하고 또한 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 을 접착하기 위한 스페이서 (4) 가 된다. 여기서, 현상액으로는 특별히 제한되는 것은 아니며, 용제, 알칼리 현상액 등을 들 수 있다. 그 중에서도 환경에 대한 부하가 적은 알칼리 현상액이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 5, the exposed photosensitive resin composition layer 4a for spacers is developed with a developing solution. Here, when the photosensitive resin composition for spacers is negative type, the unexposed part (part in which the clearance gap 5 is formed) is removed. On the other hand, when the photosensitive resin composition for spacers is positive type, an exposure part (part in which the clearance gap 5 is formed) is removed. Thereby, the photosensitive resin composition 4a for spacers patterned by the spacer shape is formed on the light receiving part 8. That is, the photosensitive resin composition 4a for spacers is formed so that a light-receiving element, a color filter, a micro lens, etc. on the silicon substrate 6 may be enclosed in planar view (viewed from the upper side of FIG. 5). This patterned photosensitive resin composition for spacers 4a forms the clearance gap 5 between the light-receiving part 8 and the transparent substrate 3 at a later process, and also adheres the light-receiving part 8 and the transparent substrate 3 to it. It becomes the spacer 4 for this. Here, the developer is not particularly limited, and examples thereof include a solvent, an alkaline developer, and the like. Among them, an alkaline developer having a low load on the environment is preferable.

이어서, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 수광부 (8) 상에 형성된 스페이서 (4) 를 개재하여 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 을 접착한다. 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 의 접착 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 하기와 같이 접착하는 방법을 들 수 있다. 먼저, 수광부 (8) 가 탑재되어 있는 실리콘 기판 (6) 과 투명 기판 (3) 의 위치를 맞춘다. 이어서, 압인 부재의 압인면에 의해 실리콘 기판 (6) 측 또는 투명 기판 (3) 측에서 가열 및 가압한다. 이와 같이, 스페이서 (4) 에서 수광부 (8) 와 투명 기판 (3) 을 접착함으로써 실리콘 기판 (6) 및 투명 기판 (3) 의 접합체 (35) 를 얻는다.Next, as shown in FIG. 6, the light receiving portion 8 and the transparent substrate 3 are bonded to each other via a spacer 4 formed on the light receiving portion 8. Although the bonding method of the light receiving part 8 and the transparent substrate 3 is not specifically limited, For example, the bonding method is mentioned as follows. First, the position of the silicon substrate 6 and the transparent substrate 3 on which the light receiving portion 8 is mounted is aligned. Next, it heats and pressurizes on the silicon substrate 6 side or the transparent substrate 3 side by the push-in surface of a push-in member. Thus, the bonding body 35 of the silicon substrate 6 and the transparent substrate 3 is obtained by adhering the light receiving part 8 and the transparent substrate 3 in the spacer 4.

이어서, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 드라이 에칭 등에 의해 접합체 (35) 의 실리콘 기판 (6) 에 관통공인 비어홀 (18) 을 형성한다. 이때, 전극 패드 (16) 에 이를 때까지 비어홀 (18) 을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 7, via holes 18 serving as through holes are formed in the silicon substrate 6 of the bonded body 35 by dry etching or the like. At this time, the via hole 18 is formed until it reaches the electrode pad 16.

이어서, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 비어홀 (18) 의 내면 및 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 전체에 SiO2 등의 절연막 (19) 을 CVD (화학 증착) 등에 의해 형성한다.Next, as shown in FIG. 8, the insulating film 19, such as SiO2, is formed in the whole inner surface of the via hole 18, and the lower surface 12 of the silicon substrate 6 by CVD (chemical vapor deposition).

이어서, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 드라이 에칭 등에 의해 전극 패드 (16) 상에 형성된 절연막 (19) 를 제거하고, 전극 패드 (16) 를 노출시킨다.Next, as shown in FIG. 9, the insulating film 19 formed on the electrode pad 16 is removed by dry etching or the like to expose the electrode pad 16.

이어서, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 비어홀 (18) 의 내면 및 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 절연막 (19) 상에 구리 도금의 기초가 되는 시드층 (20) 을 형성한다. 시드층 (20) 으로는 특별히 제한되지는 않지만, Ti, Ti/Cu, Cu, Ni, Cr/Ni 등을 들 수 있다.Next, as shown in FIG. 10, the seed layer 20 which becomes a base of copper plating is formed on the inner surface of the via hole 18, and the insulating film 19 of the lower surface 12 of the silicon substrate 6. As shown in FIG. Although it does not restrict | limit especially as the seed layer 20, Ti, Ti / Cu, Cu, Ni, Cr / Ni, etc. are mentioned.

이어서, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 시드층 (20) 상에 무전해 도금법, 전해 도금법 등에 의해 구리 도금층 (21) 을 형성한다.Next, as shown in FIG. 11, the copper plating layer 21 is formed on the seed layer 20 by an electroless plating method, an electroplating method, or the like.

이어서, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 시드층 및 구리 도금층 (21) 을 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 배선 회로 패턴으로 에칭하여 구리 배선 회로 (22) 를 형성한다.Next, as shown in FIG. 12, the seed layer and the copper plating layer 21 are etched by the wiring circuit pattern of the lower surface 12 of the silicon substrate 6, and the copper wiring circuit 22 is formed.

이어서, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 비어홀 (18) 의 내부에 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 충전함과 함께, 구리 배선 회로 (22) 가 형성되어 있는 부분도 함유해서 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측의 전체를 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 로 덮는다. 이에 의해, 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (23) 을 형성한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (23) 의 형성 방법으로는 특별히 제한되지는 않지만, 예를 들어 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 용매에 용해 또는 분산시킨 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측을 상향으로 해서 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 에 도포한다. 이어서, 용매를 휘발 제거시킨다. 또는, 다른 방법으로서, 이하와 같은 방법이어도 된다. 먼저, 페이스트상의 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 제작한다. 이어서, 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측을 상향으로 해서 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에 도포한다. 또는, 다른 방법으로서, 수지 시트 상에 형성한 필름상의 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) (접착 필름) 을 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에 압착하는 방법 등이어도 된다.Subsequently, as shown in FIG. 13, while filling the photosensitive resin composition 1 of this invention or the photosensitive resin composition 2 of this invention in the inside of the via hole 18, the copper wiring circuit 22 is formed, The whole part of the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 is also covered with the photosensitive resin composition (1) of this invention or the photosensitive resin composition (2) of this invention. Thereby, the photosensitive resin composition layer 23 of this invention is formed. Although it does not specifically limit as a formation method of the photosensitive resin composition layer 23 of this invention, For example, the following methods are mentioned. First, when the photosensitive resin composition (1) of this invention or the photosensitive resin composition (2) of this invention which were melt | dissolved or disperse | distributed in the solvent is made to face the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 upward, the lower surface of the silicon substrate 6 It apply | coats to (12). The solvent is then volatilized off. Alternatively, the following method may be used as another method. First, the photosensitive resin composition (1) of this invention of paste shape, or the photosensitive resin composition (2) of this invention is produced. Subsequently, the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 is upwardly applied to the lower surface 12 side of the silicon substrate 6. Or as another method, the film-sensitive photosensitive resin composition (1) of this invention or the photosensitive resin composition (2) (adhesive film) of this invention formed on the resin sheet was carried out on the lower surface 12 side of the silicon substrate 6. The method of crimping | bonding may be sufficient.

이어서, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (23) 중, 땜납 볼 탑재 부분 (26) 에 대응하는 부분만을 제거할 수 있도록 마스크를 해서 노광광을 조사한다. 이어서, 알칼리 현상액 등으로 현상함으로써 땜납 볼 탑재 부분에 상당하는 부분의 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 제거한다. 이와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (23) 을 패터닝해서 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에 형성되어 있는 구리 배선 회로 (22) 를 노출시킨다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 네거티브형이므로 땜납 볼 탑재 부분이 형성되는 부분을 마스크하고, 솔더 레지스트가 형성되는 부분에 노광광을 조사한다. 한편, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 포지티브형이므로 솔더 레지스트가 형성되는 부분을 마스크하고, 땜납 볼 탑재 부분이 형성되는 부분에 노광광을 조사한다. 노광광은 자외선이며, 노광광의 광원으로는 특별히 제한은 없고, g 선, i 선, 엑시머 레이저 등의 광원이 이용된다.Next, as shown in FIG. 14, in the photosensitive resin composition layer 23 of this invention, a mask is irradiated and irradiated with exposure light so that only the part corresponding to the solder ball mounting part 26 may be removed. Next, the photosensitive resin composition (1) of this invention or the photosensitive resin composition (2) of this invention of the part corresponded to a solder ball mounting part is removed by developing with alkaline developing solution etc .. Thus, the photosensitive resin composition layer 23 of this invention is patterned, and the copper wiring circuit 22 formed in the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 is exposed. Moreover, since the photosensitive resin composition (1) of this invention is negative, it masks the part in which the solder ball mounting part is formed, and irradiates exposure light to the part in which a soldering resist is formed. On the other hand, since the photosensitive resin composition (2) of this invention is positive type, it masks the part in which a soldering resist is formed, and irradiates exposure light to the part in which the solder ball mounting part is formed. Exposure light is an ultraviolet-ray, There is no restriction | limiting in particular as a light source of exposure light, Light sources, such as g line | wire, i line | wire, and an excimer laser, are used.

이 노광 시에 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측의 필요한 위치에 패터닝된 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (24) 이 형성되도록 감광성 수지 조성물층 (23) 의 노광 전에 마스크의 위치 맞춤 (얼라이먼트) 을 실시할 필요가 있다. 이 얼라이먼트는 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 에 미리 배치되어 있는 얼라이먼트 마크와, 마스크의 얼라이먼트 마크를 일치시킴으로써 이루어진다. 이때, 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에는 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (23) 이 형성되어 있다. 따라서, 얼라이먼트시에 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 의 얼라이먼트 마크를 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (23) 을 통해서 육안으로 인식한다. 이 공정에서 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 가시광을 투과하는 성질을 가지고 있으므로 확실하게 얼라이먼트 마크를 육안으로 인식할 수 있다.Positioning of the mask before exposure of the photosensitive resin composition layer 23 so that the photosensitive resin composition layer 24 of the present invention patterned at the required position on the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 during this exposure is formed (alignment Must be done. This alignment is made by matching the alignment mark previously arrange | positioned on the lower surface 12 of the silicon substrate 6, and the alignment mark of a mask. At this time, the photosensitive resin composition layer 23 of this invention is formed in the lower surface 12 side of the silicon substrate 6. Therefore, the alignment mark of the lower surface 12 of the silicon substrate 6 at the time of alignment is visually recognized through the photosensitive resin composition layer 23 of this invention. In this process, since the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention have the property which permeate | transmits visible light, alignment mark can be recognized visually reliably.

이어서, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 패터닝된 본 발명의 감광성 수지 조성물층 (24) 을 가열하여 열경화시킨다. 이에 의해, 솔더 레지스트 (25) 를 형성한다.Next, as shown in FIG. 15, the patterned photosensitive resin composition layer 24 of this invention is heated and thermosetted. Thereby, the soldering resist 25 is formed.

이어서, 도 15 중의 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측의 땜납 볼 탑재 부분 (26) 에 땜납 볼 (27) 을 탑재한다. 이에 의해, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 땜납 볼 (27) 이 탑재되어 있는 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치 (수광 장치 (1)) 를 얻는다.Next, the solder ball 27 is mounted on the solder ball mounting portion 26 on the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 in FIG. 15. Thereby, as shown in FIG. 16, the CMOS image sensor mounting light receiver (light receiver 1) in which the solder ball 27 is mounted is obtained.

또, 도 2 ～ 도 16 에서는 스페이서 (4) 가 수광부 (8) 상에 형성되는 형태예를 나타내고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 스페이서 (4) 는 실리콘 기판 (6) 의 표면에 직접 형성되어 있어도 된다.In addition, although the form example in which the spacer 4 is formed on the light receiving part 8 is shown in FIGS. 2-16, it is not limited to this, Even if the spacer 4 is directly formed in the surface of the silicon substrate 6, do.

또, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 땜납 볼 (27) 이 탑재되어 있는 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치 (수광 장치 (1)) 는 하나하나 제작되는 것이 아니어도 된다. 예를 들어, 1 장의 큰 실리콘 기판 (6) 을 이용하여 가공하고, 다수의 수광 장치 (1) 가 평면 방향으로 나열된 것 (30) 을 제조한다 (또, 평면 방향이란 도 17 에서는 도 17 의 좌우 방향 및 지면의 표리면 방향을 가리킨다). 그리고 다수의 수광 장치 (1) 가 평면 방향으로 나열된 것 (30) 을 도 17 에 나타내는 바와 같이 부호 31 로 나타내는 위치에서 각 개별 수광 장치 (1) 별로 개편화 (다이싱) 함으로써 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치 (수광 장치 (1)) 를 얻는다. 다이싱하는 방법으로는 특별히 제한되지는 않지만, 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 투명 기판 (3) 측에서 스페이서 (4) 와 실리콘 기판 (6) 의 계면까지 절개선을 새겨넣는다. 이어서, 실리콘 기판 (6) 의 하측에서 절개선을 새겨 넣음으로써 다이싱한다.In addition, as shown in FIG. 17, the CMOS image sensor-mounted light receiving device (light receiving device 1) on which the solder balls 27 are mounted may not be produced one by one. For example, it processes using the one large silicon substrate 6, and manufactures the thing 30 in which many light-receiving apparatuses 1 were arranged in the planar direction. Direction and the front and back direction of the ground). And a plurality of light receiving devices 1 are arranged in a planar direction, as shown in FIG. 17, by dividing (dicing) the individual light receiving devices 1 into individual positions at a position indicated by a reference numeral 31, and a chip size CMOS image. A sensor-mounted light receiving device (light receiving device 1) is obtained. Although it does not restrict | limit especially as a method of dicing, The following methods are mentioned. First, a cut line is inscribed from the transparent substrate 3 side to the interface between the spacer 4 and the silicon substrate 6. Subsequently, dicing is performed by indenting the incision line below the silicon substrate 6.

이어서, CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에 탑재된 땜납 볼 (27) 과, 땜납 볼 (27) 을 개재하여 접속하는 회로 기판 상의 배선 회로의 위치 맞춤을 행한다. 이어서, 가열해서 땜납 접속을 실시한다. 이에 의해, CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치를 회로 기판 상에 (예를 들어, 도 1 중의 회로 기판 (2) 상에) 탑재한다. 땜납 접속을 실시하는 조건은 특별히 제한은 없지만, 땜납 리플로우 장치에 의해 실시할 수 있다.Subsequently, alignment of the solder ball 27 mounted on the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 of the CMOS image sensor-mounted light-receiving device with the wiring circuit on the circuit board to be connected via the solder ball 27 is performed. . Subsequently, it heats and a solder connection is performed. As a result, the CMOS image sensor-mounted light receiving device is mounted on the circuit board (for example, on the circuit board 2 in FIG. 1). The conditions for performing solder connection are not particularly limited, but can be performed by a solder reflow apparatus.

이상과 같이 해서 제조된 수광 장치 (1) 는 이하와 같은 특징을 가지고 있다. 도 16 에 나타낸 바와 같이, 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에서, 땜납 접속 후, 땜납 볼 (27) 또는 구리 배선 회로 (22) 가 존재하는 부분은 땜납 볼 (27) 또는 구리 배선 회로 (22) 에 의해 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에 있어서 적외선이 들어오는 것이 차광되고 있다. 또, 땜납 볼 (27) 및 구리 배선 회로 (22) 가 존재하지 않는 부분은 후술하는 것과 같이 적외선 흡수제 (D) 를 함유한 솔더 레지스트 (25) 에 의해 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에서 적외선이 들어오는 것이 차광되고 있다. 이와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 이용하여 제조되는 수광 장치 (1) 에서는 실리콘 기판 (6) 의 하면 (12) 측에서 적외선이 들어오지 않는다.The light receiving device 1 manufactured as described above has the following characteristics. As shown in Fig. 16, on the lower surface 12 side of the silicon substrate 6, after the solder connection, the portion where the solder ball 27 or the copper wiring circuit 22 is present is the solder ball 27 or the copper wiring circuit. Infrared rays are blocked by the 22 on the lower surface 12 side of the silicon substrate 6. In addition, the part in which the solder ball 27 and the copper wiring circuit 22 do not exist is the lower surface 12 side of the silicon substrate 6 by the soldering resist 25 containing the infrared absorber D as mentioned later. Infrared rays from the light are shielded. As described above, in the light receiving device 1 manufactured using the photosensitive resin composition 1 of the present invention or the photosensitive resin composition 2 of the present invention, infrared rays do not enter from the lower surface 12 side of the silicon substrate 6.

다음으로, 상기한 수광 장치 (1) 의 솔더 레지스트 (25) 를 형성하기 위해서 이용되는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 대해 상세하게 설명한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 경화 전의 감광성 수지 조성물이 가시광의 투과성을 가지고 있다. 이에 의해, 얼라이먼트시에 실리콘 기판의 하면에 인자된 얼라이먼트 마크를 육안으로 인식할 수 있다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 감광성 수지 조성물의 경화 후에 실리콘 기판의 하면 측에서 적외선이 들어오는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 감광성 수지 조성물의 경화물이 솔더 레지스트에 필요한 성능, 즉, 내열성, 내약품성, 절연성, 내습성, 낮은 휨성, 얼라이먼트성을 가지고 있다.Next, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention which are used in order to form the soldering resist 25 of the said light receiving apparatus 1 are demonstrated in detail. As for the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention, the photosensitive resin composition before hardening has visible light transmittance. Thereby, the alignment mark printed on the lower surface of a silicon substrate at the time of alignment can be recognized visually. Moreover, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can prevent infrared rays from entering from the lower surface side of a silicon substrate after hardening of the photosensitive resin composition. Moreover, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention have the performance which the hardened | cured material of the photosensitive resin composition requires for a soldering resist, ie, heat resistance, chemical resistance, insulation, moisture resistance, low warpage, Has alignment properties

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 노광 및 알칼리 현상에 의해 노광 부분이 잔존하고, 미노광 부분이 제거되는 네거티브형의 감광성 수지 조성물이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유한다.The photosensitive resin composition (1) of this invention is a negative photosensitive resin composition by which exposure part remains by exposure and alkali image development, and an unexposed part is removed. The photosensitive resin composition (1) of this invention contains alkali-soluble resin (A), a photoinitiator (B), and the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 네거티브형의 감광성 수지 조성물이므로 노광광을 조사함으로써 중합하는 광 중합성의 감광성 수지 조성물이며, 또한 노광광의 조사 및 알칼리 현상에 의해 패터닝한 후에 가열에 의해 열경화하여 열경화물이 되는 수지 조성물이다. 따라서, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 로는 이하의 형태예를 들 수 있다.Since the photosensitive resin composition (1) of this invention is a negative photosensitive resin composition, it is a photopolymerizable photosensitive resin composition which superposes | polymerizes by irradiating exposure light, and also it thermosets by heating after patterning by irradiation of exposure light and alkali development. It is a resin composition which becomes a thermosetting material. Therefore, the following aspects are mentioned as a photosensitive resin composition (1) of this invention.

(I) 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 적외선 흡수제 (D) 를 함유하는 감광성 수지 조성물. (I) Photosensitive resin composition which contains alkali-soluble resin (A-2) which has a photopolymerizable double bond, and has alkali-soluble group, a photoinitiator (B), and an infrared absorber (D).

(II) 광 중합성의 이중 결합을 갖지 않고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-1) 와, 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 적외선 흡수제 (D) 를 함유하는 감광성 수지 조성물. (II) Alkali-soluble resin (A-1) which does not have a photopolymerizable double bond, and has alkali-soluble group, Alkali-soluble resin (A-2) which has a photopolymerizable double bond, and has alkali-soluble group, Photopolymerization Photosensitive resin composition containing an initiator (B) and an infrared absorber (D).

(III) 광 중합성의 이중 결합을 갖지 않고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-1) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 적외선 흡수제 (D) 와, 광 중합성 화합물 (G) 를 함유하는 감광성 수지 조성물.(III) Alkali-soluble resin (A-1) which does not have a photopolymerizable double bond and has an alkali-soluble group, a photoinitiator (B), an infrared absorber (D), and a photopolymerizable compound (G) are contained The photosensitive resin composition.

(IV) 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 적외선 흡수제 (D) 와, 광 중합성 화합물 (G) 를 함유하는 감광성 수지 조성물.(IV) Alkali-soluble resin (A-2) which has a photopolymerizable double bond, and has an alkali-soluble group, a photoinitiator (B), an infrared absorber (D), and a photopolymerizable compound (G) are contained Photosensitive resin composition.

(V) 광 중합성의 이중 결합을 갖지 않고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-1) 와, 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 와, 광 중합 개시제 (B) 와, 적외선 흡수제 (D) 와, 광 중합성 화합물 (G) 를 함유하는 감광성 수지 조성물.(V) Alkali-soluble resin (A-1) which does not have a photopolymerizable double bond and has an alkali-soluble group, Alkali-soluble resin (A-2) which has a photopolymerizable double bond and also has an alkali-soluble group, Photopolymerization The photosensitive resin composition containing an initiator (B), an infrared absorber (D), and a photopolymerizable compound (G).

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에서는 알칼리 가용성 수지 (A) 는 노광 후에 알칼리 현상액으로 현상되었을 때, 미노광 부분이 알칼리 현상액에 용해하여 제거된다. 이와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 알칼리 가용성 수지 (A) 를 함유함으로써 노광광의 조사에 의해 선택적으로 패터닝하는 것이 가능해진다. 노광광은 자외선이며, 바람직하게는 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 자외선이다. 노광광의 광원으로는 특별히 제한은 없고, g 선, i 선, 엑시머 레이저 등의 광원이 사용된다.In the photosensitive resin composition (1) of this invention, when alkali-soluble resin (A) is developed with alkaline developing solution after exposure, an unexposed part melt | dissolves in an alkaline developing solution and is removed. Thus, by photosensitive resin composition (1) of this invention containing alkali-soluble resin (A), it becomes possible to selectively pattern by irradiation of exposure light. Exposure light is an ultraviolet-ray, Preferably it is ultraviolet of 360 nm or more and 400 nm or less. There is no restriction | limiting in particular as a light source of exposure light, Light sources, such as g line | wire, i line | wire, and an excimer laser, are used.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 는 알칼리 현상액에 가용성의 수지이며, 분자 내에 알칼리 가용성기를 갖는다. 알칼리 가용성기는 페놀성 수산기 (방향족 고리에 결합되어 있는 수산기) 또는 카르복실기이다. 또, 알칼리 가용성 수지 (A) 는 현상 후의 패터닝된 감광성 수지 조성물층이 열경화되도록 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 카르복실기, 산무수물기, 아미노기, 시아네이트기 등의 가열에 의해 열경화 반응을 하는 열 반응기를 갖는다.Alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (1) of this invention is resin which is soluble in an alkaline developing solution, and has alkali-soluble group in a molecule | numerator. Alkali soluble groups are phenolic hydroxyl groups (hydroxyl groups bonded to aromatic rings) or carboxyl groups. In addition, the alkali-soluble resin (A) is a heat that undergoes a thermosetting reaction by heating such as a phenolic hydroxyl group, alcoholic hydroxyl group, carboxyl group, acid anhydride group, amino group, cyanate group and the like so that the patterned photosensitive resin composition layer after development is thermally cured. Have a reactor.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 에는 광 중합성의 이중 결합을 갖지 않고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-1) 와, 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 가 있다. 이 광 중합성의 이중 결합이란 노광광의 조사에 의해 다른 분자의 광 중합성의 이중 결합과 중합 반응하는 기이다. 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴기, 알릴기 등의 치환기 중의 이중 결합이나 분자 사슬 중의 이중 결합이다.Alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (1) of this invention does not have a photopolymerizable double bond, but also has alkali-soluble resin (A-1) which has alkali-soluble group, a photopolymerizable double bond, and is alkali There is alkali-soluble resin (A-2) which has a soluble group. This photopolymerizable double bond is group which superposes | polymerizes with the photopolymerizable double bond of another molecule | numerator by irradiation of exposure light. For example, it is a double bond in substituents, such as a vinyl group, a (meth) acryl group, and an allyl group, and a double bond in a molecular chain.

알칼리 가용성 수지 (A-1) 로는 예를 들어, 크레졸형, 페놀형, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 카테콜형, 레조르시놀형, 피로갈롤형 등의 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 트리스페닐메탄형 페놀 수지, 비페닐아르알킬형 페놀 수지, α-나프톨아르알킬형 페놀 수지, β-나프톨아르알킬형 페놀 수지, 하이드록시스티렌 수지, 메타크릴산 수지, 아크릴산 수지, 수산기, 카르복실기 등을 함유하는 고리형 올레핀계 수지, 폴리아미드계 수지 (구체적으로는, 폴리벤조옥사졸 구조 및 폴리이미드 구조의 적어도 일방을 갖고, 또한 주사슬 또는 측사슬에 수산기, 카르복실기, 에테르기 또는 에스테르기를 갖는 수지, 폴리벤조옥사졸 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리이미드 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리아미드산 에스테르 구조를 갖는 수지 등) 등을 들 수 있으며, 이들 수지는 분자 내에 알칼리 가용성기인 페놀성 수산기 또는 카르복실기를 갖는다. 또, 알칼리 가용성 수지 (A-1) 에는, 크레졸, 비스페놀A, 비스페놀F, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤 등의 반복 단위의 수가 1 개인 저분자량 화합물도 포함되고, 크레졸형, 페놀형, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 카테콜형, 레조르시놀형, 피로갈롤형 등의 노볼락 수지 등의 반복 단위의 수가 2 개 이상인 고분자량 화합물도 함유된다.Examples of the alkali-soluble resin (A-1) include novolac resins such as cresol type, phenol type, bisphenol A type, bisphenol F type, catechol type, resorcinol type and pyrogallol type, phenol aralkyl resin, and trisphenyl. Methane type phenol resin, biphenyl aralkyl type phenol resin, α-naphthol aralkyl type phenol resin, β-naphthol aralkyl type phenol resin, hydroxy styrene resin, methacrylic acid resin, acrylic acid resin, hydroxyl group, carboxyl group and the like Cyclic olefin resin, polyamide resin (specifically, a resin having at least one of a polybenzoxazole structure and a polyimide structure, and having a hydroxyl group, a carboxyl group, an ether group or an ester group in the main chain or the side chain, Resins having a polybenzoxazole precursor structure, resins having a polyimide precursor structure, resins having a polyamic acid ester structure, and the like); Has an alkali-soluble phenolic hydroxyl group or carboxyl group in the molecule. In addition, the alkali-soluble resin (A-1) also includes a low molecular weight compound having one number of repeating units such as cresol, bisphenol A, bisphenol F, catechol, resorcinol, pyrogallol, cresol type, phenol type, Also included are high molecular weight compounds having two or more repeating units such as novolac resins such as bisphenol A, bisphenol F, catechol, resorcinol and pyrogallol.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 카르복실기 함유 아크릴 수지와 같은 알칼리 가용성의 열가소성 수지를 함유하고 있어도 된다.Moreover, the photosensitive resin composition (1) of this invention may contain alkali-soluble thermoplastic resin like carboxyl group-containing acrylic resin.

알칼리 가용성 수지 (A-2) 로는 예를 들어, 알칼리 가용성 수지 (A-1) 와 같은 알칼리 가용성기를 갖는 수지에 이중 결합을 갖는 기가 도입된 수지； 광 중합성의 이중 결합을 갖는 수지에 알칼리 가용성기가 도입된 수지 등을 들 수 있다. 또, 본 발명에서 (메트)아크릴은 아크릴 또는 메타크릴을 가리키고, 또 (메트)아크릴로일은 아크릴로일 또는 메타크릴로일을 가리킨다.As alkali-soluble resin (A-2), For example, resin in which the group which has a double bond was introduce | transduced into resin which has alkali-soluble group like alkali-soluble resin (A-1); Alkali-soluble group in resin which has a photopolymerizable double bond is used. Introduced resin etc. are mentioned. In the present invention, (meth) acryl refers to acryl or methacryl, and (meth) acryloyl refers to acryloyl or methacryloyl.

알칼리 가용성 수지 (A-2) 중, 알칼리 가용성 수지 (A-1) 등과 같은 알칼리 가용성기를 갖는 수지에 이중 결합을 갖는 기가 도입된 수지로는, 예를 들어 페놀 수지의 페놀성 수산기의 일부에 글리시딜(메트)아크릴레이트를 반응시켜서 얻어지는 (메트)아크릴 변성 페놀 수지나, 비스페놀A 등의 비스페놀 화합물의 일방의 수산기와 글리시딜(메트)아크릴레이트를 반응시켜서 얻어지는 (메트)아크릴 변성 비스페놀 등을 들 수 있다. 또, 광 중합성의 이중 결합을 갖는 수지에 알칼리 가용성기가 도입된 수지로는, 예를 들어 비스페놀 화합물의 양방의 수산기에 (메트)아크릴기와 에폭시기를 갖는 화합물, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트의 에폭시기를 반응시켜서 얻어지는 수지의 수산기에, 산무수물을 반응시켜서 카르복실기를 도입한 수지, 비스페놀 화합물의 양방의 수산기에 (메트)아크릴기와 에폭시기를 갖는 화합물, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트의 에폭시기를 반응시켜서 얻어지는 수지의 수산기에, 디카르복실을 반응시켜서 카르복실기를 도입한 수지 등을 들 수 있다.Among the alkali-soluble resins (A-2), examples of the resin in which a group having a double bond is introduced into a resin having an alkali-soluble group such as an alkali-soluble resin (A-1) include, for example, a part of the phenolic hydroxyl group of the phenol resin. (Meth) acryl-modified bisphenol obtained by reacting one hydroxyl group and glycidyl (meth) acrylate of a (meth) acryl-modified phenolic resin obtained by reacting cylyl (meth) acrylate and bisphenol compounds such as bisphenol A, etc. Can be mentioned. Moreover, as resin in which alkali-soluble group was introduce | transduced into resin which has a photopolymerizable double bond, For example, the compound which has a (meth) acryl group and an epoxy group in both hydroxyl groups of a bisphenol compound, for example, glycidyl (meth) acryl A compound having a (meth) acryl group and an epoxy group, for example, glycidyl (meth) acryl, in which both an acid anhydride is reacted with a hydroxyl group of a resin obtained by reacting an epoxy group of a rate and a carboxyl group is introduced, and a hydroxyl group of both a bisphenol compound The resin etc. which introduce | transduced a carboxyl group by making dicarboxyl react with the hydroxyl group of resin obtained by making an epoxy group of a rate react are mentioned.

알칼리 가용성 수지 (A) 중, 알칼리 가용성 수지 (A-2) 가 바람직하고, (메트)아크릴 변성 페놀 수지가 특히 바람직하다.In alkali-soluble resin (A), alkali-soluble resin (A-2) is preferable and a (meth) acryl modified phenol resin is especially preferable.

알칼리 가용성 수지 (A-2) 를 이용함으로써 노광 시에 노광부를 확실히 가교할 수 있다. 이에 의해, 현상시에 노광부가 현상액에 용해해 버리는 것을 방지할 수 있다. 또, 노광 후의 노광부의 기계 강도를 향상시킬 수 있다. 이와 같이 해서 형상 유지성을 향상시킬 수 있다.By using alkali-soluble resin (A-2), an exposure part can be reliably bridge | crosslinked at the time of exposure. Thereby, it can prevent that an exposure part melt | dissolves in a developing solution at the time of image development. Moreover, the mechanical strength of the exposed part after exposure can be improved. In this way, shape retention can be improved.

여기서, 알칼리 가용성 수지 (A-2) 중, 알칼리 가용성 수지 (A-1) 등과 같은 알칼리 가용성기를 갖는 수지의 알칼리 가용성기에 이중 결합을 갖는 기가 도입된 수지의 경우, 알칼리 가용성기 당량 (분자량/알칼리 가용성기의 수) 은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 30 이상 2000 이하, 특히 바람직하게는 50 이상 1000 이하이다. 알칼리 가용성기 당량이 상한치보다 크면 알칼리 현상성이 저하되어 현상에 장시간을 필요로 하는 경우가 있다. 또, 하한치보다 작으면, 노광부의 알칼리 현상 내성이 저하되는 경우가 있다. 또, 알칼리 가용성기 당량은 분자량으로 중량 평균 분자량을 이용하여 산출된다.Here, in the case of resin in which a group having a double bond is introduced into the alkali-soluble group of the resin having an alkali-soluble group, such as alkali-soluble resin (A-1), in alkali-soluble resin (A-2), alkali-soluble group equivalent (molecular weight / alkali) Although the number of soluble groups) is not specifically limited, Preferably it is 30 or more and 2000 or less, Especially preferably, it is 50 or more and 1000 or less. When alkali-soluble group equivalent is larger than an upper limit, alkali developability may fall and it may require long time for image development. Moreover, when smaller than a lower limit, alkali developing resistance of an exposed part may fall. In addition, alkali-soluble group equivalent is computed using a weight average molecular weight as molecular weight.

또, 알칼리 가용성 수지 (A-2) 중, 비스페놀 화합물의 양방의 수산기에 (메트)아크릴기와 에폭시기를 갖는 화합물의 에폭시기를 반응시켜서 얻어지는 수지의 수산기에, 산무수물 또는 디카르복실을 반응시켜서 카르복실기를 도입한 수지의 경우, 알칼리 가용성기 당량 (분자량/알칼리 가용성기의 수) 은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 30 이상 2000 이하, 특히 바람직하게는 50 이상 1000 이하이다. 이 알칼리 가용성기 당량이 상한치보다 크면 알칼리 현상성이 저하하여 현상에 장시간을 필요로 하는 경우가 있다. 또, 하한치보다 작으면 노광부의 알칼리 현상 내성이 저하하는 경우가 있다.Moreover, an acid anhydride or dicarboxyl is made to react with the hydroxyl group of resin obtained by making the hydroxyl group of both bisphenol compounds react with the epoxy group of the compound which has a (meth) acryl group and an epoxy group in alkali-soluble resin (A-2), and a carboxyl group In the case of the resin to be introduced, the alkali-soluble group equivalent (molecular weight / number of alkali-soluble groups) is not particularly limited, but is preferably 30 or more and 2000 or less, particularly preferably 50 or more and 1000 or less. When this alkali-soluble group equivalent is larger than an upper limit, alkali developability may fall and development may require a long time. Moreover, when smaller than a lower limit, alkali developing resistance of an exposed part may fall.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 노광광의 조사 및 알칼리 현상을 실시하고, 패터닝된 후, 가열하여 열경화함으로써 반도체 장치의 솔더 레지스트 등의 보호막이 된다. 그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 가열에 의해 열경화할 때의 작용에 따라서 알칼리 가용성 수지 (A-1) 에는 이하의 2 종의 수지：The photosensitive resin composition (1) of this invention irradiates exposure light and alkali-develops, and after patterning, it heats and thermosets, and becomes a protective film, such as a soldering resist of a semiconductor device. And according to the effect | action at the time of thermosetting the photosensitive resin composition (1) of this invention by heating, there are following two types of resin in alkali-soluble resin (A-1):

(i) 에폭시 수지 등의 열경화성 수지와 반응함으로써 경화물을 형성하는 열경화성 수지 부가형 수지(i) Thermosetting resin addition type resin which forms hardened | cured material by reacting with thermosetting resins, such as an epoxy resin

(ii) 자기자신의 분자 사슬에 결합하고 있는 관능기가 분자 사슬 내에서 고리화 반응함으로써 경화물을 형성하는 자기 축합형 수지(ii) Self-condensation type resin which forms hardened | cured material by the cyclization reaction of the functional group couple | bonded with its own molecular chain in a molecular chain.

가 있다. 또, (i) 열경화성 수지 부가형 수지의 경우에는, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 (i) 열경화성 수지 부가형 수지와 열경화 반응을 하는 열경화성 수지를 포함한다. 또, (ii) 자기 축합형 수지의 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 열경화성 수지를 함유해도 되고, 함유하지 않아도 된다.. Moreover, in the case of (i) thermosetting resin addition type resin, the photosensitive resin composition (1) of this invention contains the thermosetting resin which carries out thermosetting reaction with (i) thermosetting resin addition type resin. Moreover, in the case of (ii) self-condensation type resin, the photosensitive resin composition (1) of this invention may contain the thermosetting resin, and does not need to contain it.

알칼리 가용성 수지 (A-1) 중, (i) 열경화성 수지 부가형 수지로는 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 폴리아믹산 등을 들 수 있으며, 더 구체적으로는 크레졸형, 페놀형, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 카테콜형, 레조르시놀형, 피로갈롤형 등의 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 하이드록시스티렌 수지, 메타크릴산 수지나 메타크릴산 에스테르 수지 등의 아크릴계 수지, 수산기, 카르복실기 등을 함유하는 고리형 올레핀계 수지를 들 수 있다.Among the alkali-soluble resins (A-1), examples of the (i) thermosetting resin addition type resins include phenol novolak resins and polyamic acids, and more specifically, cresol type, phenol type, bisphenol A type, Novolac resins such as bisphenol F type, catechol type, resorcinol type and pyrogallol type, acrylic resins such as phenol aralkyl resins, hydroxystyrene resins, methacrylic acid resins and methacrylic acid ester resins, hydroxyl groups and carboxyl groups Cyclic olefin resin to contain is mentioned.

또, 알칼리 가용성 수지 (A-1) 중, (ii) 자기 축합형 수지로는 예를 들어 폴리아미드계 수지, 더 구체적으로는 폴리벤조옥사졸 구조 및 폴리이미드 구조의 적어도 일방을 갖고, 또한 주사슬 또는 측사슬에 수산기, 카르복실기, 에테르기 또는 에스테르기를 갖는 수지, 폴리벤조옥사졸 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리이미드 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리아미드산 에스테르 구조를 갖는 수지 등을 들 수 있다.Moreover, in alkali-soluble resin (A-1), as (ii) self-condensation type resin, it has polyamide resin, More specifically, it has at least one of a polybenzoxazole structure and a polyimide structure, The resin which has a hydroxyl group, a carboxyl group, an ether group, or ester group in a chain or a side chain, resin which has a polybenzoxazole precursor structure, resin which has a polyimide precursor structure, resin which has a polyamic acid ester structure, etc. are mentioned.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 가열에 의해 열경화할 때의 작용에 따라서 알칼리 가용성 수지 (A-2) 에는 이하의 2 종의 수지：According to the effect | action at the time of thermosetting the photosensitive resin composition (1) of this invention by heating, there are following two types of resin in alkali-soluble resin (A-2):

(i) 에폭시 수지 등의 열경화성 수지와 반응함으로써 경화물을 형성하는 열경화성 수지 부가형 수지(i) Thermosetting resin addition type resin which forms hardened | cured material by reacting with thermosetting resins, such as an epoxy resin

(ii) 자기자신의 분자 사슬에 결합하고 있는 관능기가 분자 사슬 내에서 고리화 반응함으로써 경화물을 형성하는 자기 축합형 수지(ii) Self-condensation type resin which forms hardened | cured material by the cyclization reaction of the functional group couple | bonded with its own molecular chain in a molecular chain.

가 있다. 또, (i) 열경화성 수지 부가형 수지의 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 (i) 열경화성 수지 부가형 수지와 열경화 반응을 하는 열경화성 수지를 함유한다. 또, (ii) 자기 축합형 수지의 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 열경화성 수지를 함유해도 되고, 함유하지 않아도 된다.. Moreover, in the case of (i) thermosetting resin addition type resin, the photosensitive resin composition (1) of this invention contains the thermosetting resin which carries out thermosetting reaction with (i) thermosetting resin addition type resin. Moreover, in the case of (ii) self-condensation type resin, the photosensitive resin composition (1) of this invention may contain the thermosetting resin, and does not need to contain it.

알칼리 가용성 수지 (A-2) 중, (i) 열경화성 수지 부가형 수지로는, 예를 들어 (메트)아크릴 변성 페놀 수지, (메트)아크릴 변성 비스페놀, 비스페놀 화합물의 양방의 수산기에 (메트)아크릴기와 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 수지의 수산기에 산무수물을 반응시켜서 카르복실기를 도입한 수지, 비스페놀 화합물의 양방의 수산기에 (메트)아크릴기와 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 수지의 수산기에 디카르복실을 반응시켜서 카르복실기를 도입한 수지 등을 들 수 있다.In alkali-soluble resin (A-2), as (i) thermosetting resin addition type resin, both the (meth) acryl modified phenol resin, the (meth) acryl modified bisphenol, and the hydroxyl groups of both hydroxyl groups of a bisphenol compound have a (meth) acryl group, A dicarboxylic group to the hydroxyl group of resin obtained by making an acid anhydride react with the hydroxyl group of resin obtained by making the compound which has an epoxy group react, and introduce | transducing a carboxyl group, and the hydroxyl group of resin obtained by making the compound which has a (meth) acryl group and an epoxy group react with both hydroxyl groups of a bisphenol compound. The resin etc. which introduce | transduced the carboxyl group by making it react are mentioned.

또, 알칼리 가용성 수지 (A-2) 중, (ii) 자기 축합형 수지로는 예를 들어 폴리아미드계 수지에 (메트)아크릴기가 도입된 수지, 더 구체적으로는 폴리벤조옥사졸 구조 및 폴리이미드 구조의 적어도 일방을 갖고, 또한 주사슬 또는 측사슬에 수산기, 카르복실기, 에테르기 또는 에스테르기를 갖는 수지, 폴리벤조옥사졸 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리이미드 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리아미드산 에스테르 구조를 갖는 수지 등에 (메트)아크릴기가 도입된 수지 등을 들 수 있다.Moreover, in alkali-soluble resin (A-2), as (ii) self-condensation type resin, resin in which (meth) acryl group was introduce | transduced into polyamide resin, for example, polybenzoxazole structure and polyimide A resin having a hydroxyl group, a carboxyl group, an ether group or an ester group in the main chain or the side chain, a resin having a polybenzoxazole precursor structure, a resin having a polyimide precursor structure, a polyamic acid ester structure Resin into which the (meth) acryl group was introduce | transduced etc. to resin which has is mentioned.

또, 알칼리 가용성 수지 (A-2) 중의 광 반응성의 이중 결합은 노광광의 조사 시에 대부분이 광 중합하지만, 일부, 노광광의 조사 시에 광 중합하지 않고 잔존하는 것이 있다. 이와 같은 노광광의 조사 시에는 광 중합하지 않는 광 중합성의 이중 결합은 열경화 시에 열 중합한다.Moreover, although the photoreactive double bond in alkali-soluble resin (A-2) mostly photopolymerizes at the time of irradiation of exposure light, some may remain without photopolymerization at the time of irradiation of exposure light. The photopolymerizable double bond which does not photopolymerize at the time of irradiation of such exposure light thermally polymerizes at the time of thermosetting.

알칼리 가용성 수지 (A) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 300,000 이하인 것이 바람직하고, 특히 5,000 이상 150,000 이하가 바람직하다. 알칼리 가용성 수지 (A) 의 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 스페이서 (4) 를 형성할 때의 제막성이 특히 우수하다. 여기서, 중량 평균 분자량은, 예를 들어 GPC (겔 투과 크로마토그래피) 를 이용하여 평가되고, 미리 스티렌 표준 물질을 이용하여 작성된 검량선에 의해 중량 평균 분자량이 산출된다. 또, 측정 용매로서 테트라히드로푸란 (THF) 이 사용되고, 40 ℃ 의 온도 조건하에서 측정된다.Although the weight average molecular weight of alkali-soluble resin (A) is not specifically limited, It is preferable that it is 300,000 or less, and 5,000 or more and 150,000 or less are especially preferable. When the weight average molecular weight of alkali-soluble resin (A) is in the said range, the film forming property at the time of forming the spacer 4 is especially excellent. Here, a weight average molecular weight is evaluated using GPC (gel permeation chromatography), for example, and a weight average molecular weight is computed by the analytical curve previously created using the styrene standard substance. Moreover, tetrahydrofuran (THF) is used as a measurement solvent, and it measures on 40 degreeC temperature conditions.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중의 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 후술하는 무기 충전재를 함유하지 않는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중의 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량은 10 중량％ 이상 80 중량％ 이하, 바람직하게는 15 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 한편, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 후술하는 무기 충전재를 함유하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중의 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량은 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에서 그 무기 충전제를 제외한 성분의 합계에 대해 15 중량％ 이상 60 중량％ 이하가 바람직하고, 20 중량％ 이상 50 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량이 상기 하한치 미만이면, 노광, 현상했을 때에 감광성 수지 조성물의 잔류물이 발생하는 경우가 있다. 또, 상기 상한치를 초과하면, 노광, 현상했을 때에 패턴을 형성하는 감광성 수지 조성물의 막 감소가 커서 패턴의 두께 편차가 발생하는 경우가 있다.Although content of alkali-soluble resin (A) in the photosensitive resin composition (1) of this invention is not specifically limited, When the photosensitive resin composition (1) of this invention does not contain the inorganic filler mentioned later, the photosensitive resin of this invention Content of alkali-soluble resin (A) in the composition (1) is 10 weight% or more and 80 weight% or less, Preferably they are 15 weight% or more and 70 weight% or less. On the other hand, when the photosensitive resin composition (1) of this invention contains the inorganic filler mentioned later, content of alkali-soluble resin (A) in the photosensitive resin composition (1) of this invention is the photosensitive resin composition (1) of this invention. 15 weight% or more and 60 weight% or less are preferable with respect to the sum total of the component except the inorganic filler, and 20 weight% or more and 50 weight% or less are especially preferable. When content of alkali-soluble resin (A) is less than the said lower limit, the residue of the photosensitive resin composition may generate | occur | produce when it exposes and develops. Moreover, when the said upper limit is exceeded, the film | membrane decrease of the photosensitive resin composition which forms a pattern at the time of exposure and image development may be large, and thickness deviation of a pattern may generate | occur | produce.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에서는 알칼리 가용성 수지 (A) 는 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 이다. 이에 의해, 노광 후의 스페이서의 탄성률, 현상시에 스페이서와 실리콘 기판 계면에서 발생하는 언더 커트 (박리) 를 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다.In the photosensitive resin composition (1) of this invention, alkali-soluble resin (A) is alkali-soluble resin (A-2) which has a photopolymerizable double bond and has alkali-soluble group. Thereby, it is preferable at the point which can prevent the elasticity modulus of the spacer after exposure, and the undercut (peeling) which arises at the interface of a spacer and a silicon substrate at the time of image development.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 광 중합성 화합물 (G) 를 함유할 수 있다. 이에 의해, 노광 후의 노광부에서 가교 밀도가 높아진다. 이에 의해, 탄성률이 향상되므로 형상 유지성을 향상시킬 수 있다. 또, 광 중합성 화합물 (G) 은 1 종 단독이어도 되고 2 종 이상의 조합이어도 된다.The photosensitive resin composition (1) of this invention can contain a photopolymerizable compound (G). This increases the crosslinking density in the exposed portion after the exposure. Thereby, since an elastic modulus improves, shape retention can be improved. Moreover, 1 type may be sufficient as a photopolymerizable compound (G), and 2 or more types of combinations may be sufficient as it.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 알칼리 가용성 수지 (A) 로서, 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-2) 만을 함유하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 광 중합성 화합물 (G) 를 함유해도 되고, 함유하지 않아도 된다. 이 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에 광 중합성 화합물 (G) 를 함유시킬지 여부는 노광 후의 패턴의 탄성률, 현상시에 패턴과 실리콘 기판 계면에 언더 커트가 발생되어 버리는 것 등을 고려한다. 이로써, 적절히 선택된다.When the photosensitive resin composition (1) of this invention contains only alkali-soluble resin (A-2) which has a photopolymerizable double bond and has alkali-soluble group as alkali-soluble resin (A), the photosensitive resin composition of this invention ( 1) may contain a photopolymerizable compound (G), and does not need to contain it. In this case, whether or not the photosensitive resin composition (1) of the present invention contains the photopolymerizable compound (G) takes into account the elastic modulus of the pattern after exposure, the occurrence of undercut at the interface between the pattern and the silicon substrate during development, and the like. do. This selects suitably.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 알칼리 가용성 수지 (A) 로 광 중합성의 이중 결합을 갖지 않고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (A-1) 만을 함유하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 광 중합성 화합물 (G) 를 함유한다.Moreover, when the photosensitive resin composition (1) of this invention does not have a photopolymerizable double bond with alkali-soluble resin (A), and contains only alkali-soluble resin (A-1) which has alkali-soluble group, the photosensitive resin of this invention The composition (1) contains a photopolymerizable compound (G).

광 중합성 화합물 (G) 은 광을 조사함으로써 광 중합하는 화합물로서, 광 중합성의 이중 결합을 갖는 화합물이다. 광 중합성 화합물 (G) 로는 광 중합성의 이중 결합을 갖는 광 중합성 모노머, 광 중합성 올리고머, 주사슬 또는 측사슬에 광 중합성의 이중 결합을 갖는 수지 등을 들 수 있다.A photopolymerizable compound (G) is a compound which photopolymerizes by irradiating light, and is a compound which has a photopolymerizable double bond. Examples of the photopolymerizable compound (G) include a photopolymerizable monomer having a photopolymerizable double bond, a photopolymerizable oligomer, a resin having a photopolymerizable double bond in the main chain, or a side chain thereof.

광 중합성 모노머로는, 비스페놀A에틸렌글리콜 변성 디(메트)아크릴레이트, 이소시아눌산에틸렌글리콜 변성 디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트모노스테아레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌글리콜트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌글리콜트리(메트)아크릴레이트, 이소시아눌산에틸렌글리콜변성트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a photopolymerizable monomer, bisphenol Aethylene glycol modified di (meth) acrylate, isocyanurate ethylene glycol modified di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acryl Rate monostearate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane propylene glycol tree (Meth) acrylate, trimethylol propane ethylene glycol tri (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene glycol modified tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) Acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and the like.

광 중합성 올리고머로는 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a photopolymerizable oligomer, urethane (meth) acrylate, an epoxy (meth) acrylate, etc. are mentioned.

주사슬 또는 측사슬에 광 중합성의 이중 결합을 갖는 수지로는, (메트)아크릴산의 구조 단위를 갖는 (메트)아크릴계 수지의 카르복실기에 글리시딜(메트)아크릴레이트의 글리시딜기를 반응시킨 수지, 글리시딜(메트)아크릴레이트의 구조 단위를 갖는 (메트)아크릴계 수지의 글리시딜기에 (메트)아크릴산의 카르복실기를 반응시킨 수지를 들 수 있다. 주사슬 또는 측사슬에 광 중합성의 이중 결합을 갖는 수지의 분자량은 50 이상 5000 이하가 바람직하다.As resin which has a photopolymerizable double bond in a principal chain or a side chain, resin which made glycidyl group of glycidyl (meth) acrylate react with the carboxyl group of (meth) acrylic-type resin which has a structural unit of (meth) acrylic acid And the resin which made the carboxyl group of (meth) acrylic acid react with the glycidyl group of (meth) acrylic-type resin which has a structural unit of glycidyl (meth) acrylate. As for the molecular weight of resin which has a photopolymerizable double bond in a principal chain or a side chain, 50 or more and 5000 or less are preferable.

또, 광 중합성 화합물 (G) 로는 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 을 들 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물이 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 을 함유함으로써 패터닝 처리한 후의 잔사를 저감할 수 있다. 친수성기 또는 친수성 구조로는 알코올성 수산기 등의 친수성기, 옥시에틸렌 구조, 옥시프로필렌 구조 등의 친수성 구조를 들 수 있다.Moreover, as a photopolymerizable compound (G), the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure is mentioned. Since the photosensitive resin composition of this invention contains the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure, the residue after patterning process can be reduced. Examples of the hydrophilic group or hydrophilic structure include hydrophilic groups such as hydrophilic groups such as alcoholic hydroxyl groups, oxyethylene structures, and oxypropylene structures.

이와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 을 함유한다. 친수성기 또는 친수성 구조를 부여함으로써 물과의 친화성이 높아진다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물이 알칼리 현상액에 용해하기 쉬워진다. 따라서, 패터닝 후의 잔사를 저감시킬 수 있다.Thus, the photosensitive resin composition (1) of this invention contains the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure. Affinity with water becomes high by giving a hydrophilic group or a hydrophilic structure. Thereby, the photosensitive resin composition becomes easy to melt | dissolve in an alkaline developing solution. Therefore, the residue after patterning can be reduced.

친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 로는, 예를 들어 수산기를 갖는 아크릴계 화합물 (G-1-1), 옥시에틸렌 구조 또는 옥시프로필렌 구조를 갖는 아크릴계 화합물 (G-1-2) 등을 들 수 있다. 이 중에서도 수산기를 갖는 아크릴계 화합물 (G-1-1) 이 바람직하다. 상기와 같이 본 발명의 감광성 수지 조성물이 아크릴계 화합물 (G-1-1) 또는 아크릴계 화합물 (G-1-2) 을 함유함으로써 패터닝성 (현상성) 이 높아진다.Examples of the photopolymerizable compound (G-1) having a hydrophilic group or a hydrophilic structure include an acrylic compound having a hydroxyl group (G-1-1), an oxyethylene structure, or an oxypropylene structure (G-1-2). ), And the like. Among these, an acryl-type compound (G-1-1) which has a hydroxyl group is preferable. As mentioned above, since the photosensitive resin composition of this invention contains an acryl-type compound (G-1-1) or an acryl-type compound (G-1-2), patterning property (developability) becomes high.

수산기를 갖는 아크릴계 화합물 (G-1-1) 로는 에폭시 화합물의 에폭시기에 (메트)아크릴산을 반응시켜서 부가시킨 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르에 메타크릴산을 부가시킨 화합물, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르에 아크릴산을 부가시킨 화합물, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르에 메타크릴산을 부가시킨 화합물, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르에 아크릴산을 부가시킨 화합물, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르에 메타크릴산을 부가시킨 화합물, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르에 아크릴산을 부가시킨 화합물, 비스페놀A디글리시딜에테르에 메타크릴산을 부가시킨 화합물, 비스페놀A디글리시딜에테르에 아크릴산을 부가시킨 화합물 등을 들 수 있다.As an acryl-type compound (G-1-1) which has a hydroxyl group, the compound added by making (meth) acrylic acid react with the epoxy group of an epoxy compound is preferable, Specifically, methacrylic acid which added methacrylic acid to ethylene glycol diglycidyl ether was added. Compound, A compound in which acrylic acid is added to ethylene glycol diglycidyl ether, A compound in which methacrylic acid is added to propylene glycol diglycidyl ether, A compound in which acrylic acid is added to propylene glycol diglycidyl ether, Tripropylene glycol di Compound which added methacrylic acid to glycidyl ether, Compound which added acrylic acid to tripropylene glycol diglycidyl ether, Compound which added methacrylic acid to bisphenol A diglycidyl ether, Bisphenol A diglycidyl The compound etc. which added acrylic acid to the ether are mentioned.

수산기를 갖는 아크릴계 화합물 (G-1-1) 에 관한 에폭시 화합물, 즉 (메트)아크릴산이 부가되는 에폭시 화합물로는 방향 고리를 갖는 에폭시 화합물인 것이 형상 유지성도 우수하다는 점에서 바람직하다. 수산기를 갖는 아크릴계 화합물 (G-1-1) 중, 하기 식 (11) 중에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 잔류물의 저감 효과에 더하여 형상 유지성도 우수하다는 점에서 바람직하다.As an epoxy compound which concerns on the acryl-type compound (G-1-1) which has a hydroxyl group, ie, the epoxy compound to which (meth) acrylic acid is added, it is preferable at the point which is excellent in shape retention property as an epoxy compound which has an aromatic ring. In the acryl-type compound (G-1-1) which has a hydroxyl group, 1 or more types of compounds chosen from following formula (11) are preferable at the point which is excellent in shape retention property in addition to the effect of reducing a residue.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중의 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1 중량％ 이상 20 중량％ 이하가 바람직하다. 추가로, 2 중량％ 이상 8 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 의 함유량이 상기 범위 내이면, 특히 잔류물의 저감 효과와 형상 유지성의 양쪽 성능을 높이는 효과가 뛰어나다.Although content of the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure in the photosensitive resin composition (1) of this invention is not specifically limited, 1 weight% or more and 20 weight% or less are preferable. Furthermore, 2 weight% or more and 8 weight% or less are especially preferable. When content of the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure exists in the said range, it is especially excellent in the effect of improving both the effect of reducing a residue, and shape retention.

또, 광 중합성 화합물 (G) 로는 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 을 들 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물이 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 을 함유함으로써 전술한 알칼리 가용성 수지 (A) 와 함께 패터닝성을 보다 향상시킬 수 있다. 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 는 광 중합성의 이중 결합을 2 이상 갖고 있으며, 또한 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 과는 상이한 광 중합성 화합물이다. 여기서, 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 과 다르다는 것은 구조, 분자량 등이 다른 것을 의미한다.Moreover, as a photopolymerizable compound (G), a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) is mentioned. When the photosensitive resin composition of this invention contains a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2), patterning property can be improved more with alkali-soluble resin (A) mentioned above. The polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) is a photopolymerizable compound having two or more photopolymerizable double bonds and different from the photopolymerizable compound (G-1) having a hydrophilic group or a hydrophilic structure. Here, being different from the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure means that a structure, molecular weight, etc. are different.

다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 로는, 예를 들어 글리세린디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스톨트리아크릴레이트, 펜타에리스톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스톨헥사아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2), for example, glycerin dimethacrylate, trimethylol propane triacrylate, trimethylol propane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate And dipentaerythritol hexaacrylate.

다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 로는 3 관능 이상의 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 이 바람직하다. 본 발명의 감광성 수지 조성물이 3 관능 이상의 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 을 함유함으로써 필러를 실질적으로 함유하지 않는 경우라도 형상 유지성이 우수하다.As a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2), a trifunctional or more than polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) is preferable. Even when the photosensitive resin composition of this invention contains a trifunctional or more than trifunctional polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) substantially, it is excellent in shape retention.

3 관능 이상의 그 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 로는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스톨트리아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이에 의해, 3 차원적으로 광 가교가 일어나서 광 가교 밀도가 높아지고, 열시 (熱時) 탄성률이 낮아지지 않는다. 따라서, 필러를 실질적으로 함유하지 않는 경우라도 형상 유지성이 우수하다.Examples of the trifunctional or higher polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) include trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, and the like. Thereby, optical crosslinking arises three-dimensionally, light crosslinking density becomes high, and a thermal elasticity modulus does not fall. Therefore, even when it does not contain a filler substantially, it is excellent in shape retention.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중의 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 5 중량％ 이상 50 중량％ 이하가 바람직하다. 또, 10 중량％ 이상 40 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 의 함유량이 상기 상한치를 초과하면 밀착 강도가 낮아지는 경우가 있다. 한편, 상기 하한치 미만이면, 형상 유지성이 낮아지는 경우가 있다.Although content of the polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) in the photosensitive resin composition (1) of this invention is not specifically limited, 5 weight% or more and 50 weight% or less are preferable. Moreover, 10 weight% or more and 40 weight% or less are especially preferable. When content of a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) exceeds the said upper limit, adhesive strength may become low. On the other hand, when it is less than the said lower limit, shape retention may become low.

친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 과, 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) (특히, 3 관능 이상의 그 다관능 광 중합성 화합물 (G-2)) 를 병용할 수 있다. 이에 의해, 패턴을 형성할 때의 잔류물의 저감 효과 및 패턴의 형상 유지성 효과의 양쪽에 우수한 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다. 병용하는 경우, 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 의 함유량에 대한 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 의 함유량의 비 (친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 의 함유량/다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 의 함유량) 은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.05 이상 1.5 이하가 바람직하다. 추가로, 0.1 이상 1.0 이하가 특히 바람직하다. 다관능 광 중합성 화합물 (G-2) 에 대한 친수성기 또는 친수성 구조를 갖는 광 중합성 화합물 (G-1) 의 비가 상기 범위 내이면, 상기 서술한 잔류물 저감 효과 및 형상 유지성 효과에 더하여, 작업성, 미세 가공성, 신뢰성도 우수하다.A photopolymerizable compound (G-1) having a hydrophilic group or a hydrophilic structure and a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) (in particular, a trifunctional or higher polyfunctional photopolymerizable compound (G-2)) can be used in combination. Can be. Thereby, the photosensitive resin composition excellent in both the reduction effect of the residue at the time of forming a pattern, and the shape retention effect of a pattern can be obtained. When using together, ratio of content of the photopolymerizable compound (G-1) which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure with respect to content of a polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) (photopolymerizable compound which has a hydrophilic group or a hydrophilic structure ( The content of the G-1) / content of the polyfunctional photopolymerizable compound (G-2)) is not particularly limited, but is preferably 0.05 or more and 1.5 or less. Furthermore, 0.1 or more and 1.0 or less are especially preferable. If the ratio of the photopolymerizable compound (G-1) having a hydrophilic group or a hydrophilic structure to the polyfunctional photopolymerizable compound (G-2) is within the above range, in addition to the residue reduction effect and shape retention effect described above, It is also excellent in performance, fine workability and reliability.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 알칼리 가용성 수지 (A) 를 함유하고, 알칼리 가용성 수지 (A) 가 광 반응의 이중 결합을 갖거나, 또는 감광성 수지 조성물이 광 중합성 화합물 (G) 를 함유한다. 이에 의해, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 을 노광 및 알칼리 현상함으로써 패터닝된 감광성 수지 조성물층을 형성시킬 수 있다. 또, 그 후, 가열 경화시킴으로써 패터닝된 보호막, 예를 들어 솔더 레지스트를 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition (1) of this invention contains alkali-soluble resin (A), alkali-soluble resin (A) has a double bond of photoreaction, or the photosensitive resin composition contains a photopolymerizable compound (G) do. Thereby, the patterned photosensitive resin composition layer can be formed by exposing and alkali-developing the photosensitive resin composition (1) of this invention. Moreover, the protective film patterned, for example soldering resist, can be formed by heat-hardening after that.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 광 중합 개시제 (B) 를 함유한다. 광 중합 개시제 (B) 는 노광광을 흡수하여 분해함으로써 라디칼을 발생하고, 광 반응성의 이중 결합을 갖는 알칼리 가용성 수지 (A) 또는 광 중합성 화합물 (G) 을 중합시킨다는 기능을 발휘한다. 그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 광 중합 개시제 (B) 를 함유함으로써 노광 및 현상 후의 패터닝성이 높아진다.The photosensitive resin composition (1) of this invention contains a photoinitiator (B). A photoinitiator (B) produces | generates a radical by absorbing and decomposing an exposure light, and exhibits the function of superposing | polymerizing alkali-soluble resin (A) or photopolymerizable compound (G) which has a photoreactive double bond. And since the photosensitive resin composition (1) of this invention contains a photoinitiator (B), the patterning property after exposure and image development becomes high.

광 중합 개시제 (B) 로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산메틸, 벤조인벤조산, 벤조인메틸에테르, 벤질피닐술파이드, 벤질, 벤질디메틸케탈, 디벤질, 디아세틸 등을 들 수 있다. 이들 중, 패터닝성이 우수한 벤조페논, 벤질디메틸케탈이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a photoinitiator (B), For example, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoate methyl, benzoin benzoic acid, benzoin methyl ether, benzyl finyl sulfide, Benzyl, benzyl dimethyl ketal, dibenzyl, diacetyl and the like. Among these, benzophenone and benzyl dimethyl ketal which are excellent in patterning property are preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중, 광 중합 개시제 (B) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 수지 조성물 전체의 0.5 중량％ 이상 10 중량％ 이하가 바람직하고, 1 중량％ 이상 5 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 광 중합 개시제 (B) 의 함유량이 상기 범위 미만이면, 광 중합을 개시하는 효과가 낮아지는 경우가 있다. 또, 상기 범위를 초과하면, 반응성이 너무 높아져서 사용 전의 감광성 수지 조성물의 보존성이나 패터닝 후의 해상성이 낮아지는 경우가 있다. 따라서, 광 중합 개시제 (B) 의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써 광 중합을 개시하는 효과와, 사용 전의 보존성 및 패터닝 후의 해상성을 높이는 효과의 밸런스가 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.Although the content of a photoinitiator (B) is not specifically limited in the photosensitive resin composition (1) of this invention, 0.5 weight% or more and 10 weight% or less of the whole photosensitive resin composition are preferable, and 1 weight% or more and 5 weight% The following is especially preferable. When content of a photoinitiator (B) is less than the said range, the effect of starting photoinitiation may become low. Moreover, when the said range is exceeded, reactivity may become high too much and the storage property of the photosensitive resin composition before use, and the resolution after patterning may become low. Therefore, by making content of a photoinitiator (B) into the said range, the photosensitive resin composition excellent in the balance of the effect which starts photopolymerization, and the effect of raising the storage property before use and the resolution after patterning can be provided.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 은 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 이 적외선 흡수제 (D) 를 함유함으로써 감광성 수지 조성물을 경화시켜서 얻어지는 솔더 레지스트 등의 보호막이 적외선의 차광성을 갖는다.The photosensitive resin composition (1) of this invention contains the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. When the photosensitive resin composition (1) of this invention contains an infrared absorber (D), protective films, such as a soldering resist obtained by hardening | curing the photosensitive resin composition, have infrared light-shielding property.

적외선 흡수제 (D) 는 적외선을 흡수하는 성질을 갖는다. 적외선 흡수제 (D) 의 최대 흡수 파장은 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있다. 그리고 적외선 흡수제 (D) 의 최대 흡수 파장의 투과율은 15 ％ 이하, 바람직하게는 1 ％ 이상 10 ％ 이하, 특히 바람직하게는 2 ％ 이상 5 ％ 이하이다.The infrared absorber (D) has the property of absorbing infrared rays. The maximum absorption wavelength of an infrared absorber (D) exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. And the transmittance | permeability of the maximum absorption wavelength of an infrared absorber (D) is 15% or less, Preferably they are 1% or more and 10% or less, Especially preferably, they are 2% or more and 5% or less.

또, 적외선 흡수제 (D) 의 열분해 온도는 바람직하게는 200 ℃ 이상, 특히 바람직하게는 250 ℃ 이상이다. 이에 의해, 수광 장치의 실리콘 기판과 회로 기판을 땜납 접속하는 공정에서 적외선 흡수제 (D) 가 변질되는 경우가 없다. 이에 의해, 땜납 접속 후에도 상기한 적외선을 흡수하는 성질을 유지할 수 있다.Moreover, the thermal decomposition temperature of an infrared absorber (D) becomes like this. Preferably it is 200 degreeC or more, Especially preferably, it is 250 degreeC or more. Thereby, the infrared absorber (D) does not deteriorate in the process of solder-connecting a silicon substrate and a circuit board of a light receiving apparatus. Thereby, the property which absorbs the said infrared rays can be maintained even after solder connection.

적외선 흡수제 (D) 로는, 금속붕화물, 산화티탄, 산화지르코늄, 주석도프산화인듐 (ITO), 안티몬도프 산화주석 (ATO), 아조 화합물, 아미늄 화합물, 이미늄 화합물, 안트라퀴논 화합물, 시아닌 화합물, 디이모늄 화합물, 스쿠아릴리움 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 나프탈로시아닌 화합물, 안트라퀴논 화합물, 나프토퀴논 화합물, 디티올 화합물, 폴리메틴 화합물을 들 수 있다.Examples of the infrared absorber (D) include metal borides, titanium oxides, zirconium oxides, indium tin-doped oxides (ITO), antimony-doped tin oxides (ATO), azo compounds, aluminum compounds, iminium compounds, anthraquinone compounds, and cyanine compounds. And dimonium compounds, squarylium compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, anthraquinone compounds, naphthoquinone compounds, dithiol compounds, and polymethine compounds.

금속붕화물로는, 예를 들어 육붕화란탄 (LaB6), 육붕화프라세오짐 (PrB6), 육붕화네오디뮴 (NdB6), 육붕화세륨 (CeB6), 육붕화가돌리늄 (GdB6), 육붕화테르븀 (TbB6), 육붕화디스프로슘 (DyB6), 육붕화홀뮴 (HoB6), 육붕화이트륨 (YB6), 육붕화사마륨 (SmB6), 육붕화유로퓸 (EuB6), 육붕화에르븀 (ErB6), 육붕화튤륨 (TmB6), 육붕화이테르븀 (YbB6), 육붕화루테튬 (LuB6), 육붕화스트론튬 (SrB6), 육붕화칼슘 (CaB6), 붕화티탄 (TiB2), 붕화지르코늄 (ZrB2), 붕화하프늄 (HfB2), 붕화바나듐 (VB2), 붕화탄탈 (TaB2), 붕화크롬 (CrB 및 CrB2), 붕화몰리브덴 (MoB2, Mo2B5 및 MoB) 및 붕화텅스텐 (W2B5), 및 그들 혼합물 등을 들 수 있다.As the metal boride, for example, lanthanum hexaboride (LaB 6 ) , praseodymium hexaboride (PrB 6 ) , neodymium hexaboride (NdB 6 ) , cerium hexaboride (CeB 6 ) , and gadolinium hexaboride (GdB 6 ) , yukbung screen terbium (TbB 6), yukbung Chemistry dysprosium (DyB 6), yukbung Chemistry holmium (HoB 6), yukbung white cerium (YB 6), yukbung Chemistry samarium (SmB 6), yukbung Chemistry europium (EuB 6), yukbung Erbium sulfide (ErB 6 ) , tulium boride (TmB 6 ) , ytterbium hexaboride (YbB 6 ) , ruthetium hexaboride (LuB 6 ) , strontium hexaboride (SrB 6 ) , calcium hexaborate (CaB 6 ) , titanium boride ( TiB 2 ), zirconium boride (ZrB 2 ) , hafnium boride (HfB 2 ) , vanadium boride (VB 2 ) , tantalum boride (TaB 2 ) , chromium boride (CrB and CrB 2 ) , molybdenum boride (MoB 2 , Mo 2 B 5 and MoB) and tungsten boride (W 2 B 5 ) , and mixtures thereof.

아조 화합물은 -N=N- 결합을 갖는 화합물이며, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 더 구체적으로는 -N=N- 결합을 갖고, 또 -N=N- 결합의 파라 위치에 수산기 또는 수산기로부터 유도되는 관능기를 갖는 화합물이다. 아조 화합물로는 예를 들어 하기 일반식 (1) ：An azo compound is a compound which has a -N = N- bond, and is a compound whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. More specifically, it is a compound which has a -N = N- bond, and has a hydroxyl group or the functional group derived from a hydroxyl group in the para position of -N = N- bond. As an azo compound, for example, the following general formula (1):

R1-N=N-R2 (1) ROne-N = N-R2 (One)

로 나타내는 아조 화합물을 들 수 있다. 상기 일반식 (1) 중, R1 및 R2 는 방향족기이며, 아조기의 파라 위치에 적어도 1 개 이상의 수산기 또는 수산기로부터 유도되는 관능기를 갖는다. 또, R1 및 R2 는 동일하거나 상이해도 된다. 더욱 구체적으로는 아조 화합물로는 하기 식 (1-1) ～ (1-6) 으로 나타내는 아조 화합물을 들 수 있다.The azo compound shown by is mentioned. In General Formula (1), R 1 and R 2 Is an aromatic group, and has at least one hydroxyl group or a functional group derived from a hydroxyl group in the para position of the azo group. R 1 and R 2 May be the same or different. More specifically, an azo compound represented by following formula (1-1)-(1-6) is mentioned as an azo compound.

[화학식 2] [Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

아미늄 화합물은 아민의 비공유 전자쌍 전자의 하나가 산화되어서 양이온이 되고, 음이온과 염을 만드는 화합물이며, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 아미늄 화합물로는 예를 들어 하기 일반식 (2) ： An aluminum compound is a compound in which one of the lone electron pair electrons of an amine is oxidized, becomes a cation, produces an anion and a salt, and is a compound whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. As an aluminum compound, for example, the following general formula (2):

[화학식 3] (3)

Figure pct00003
Figure pct00003

로 나타내는 아미늄 화합물을 들 수 있다. 상기 일반식 (2) 중, R3 는 탄소수 1 ～ 6 의 알킬기, A 는 방향족기, X 는 I-, BF4 -, ClO4 -, AsF6 -, SbF6 - 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. 또, R3 은 동일해도 되고 상이해도 된다.The aluminum compound shown by is mentioned. In General Formula (2), R 3 Is an alkyl group, A is an aromatic group, X is I with a carbon number of 1 ~ 6 -, BF 4 - , ClO 4 -, AsF 6 -, SbF 6 - is one selected from the group consisting of. In addition, R 3 may be the same or different.

이미늄 화합물 (이모늄 화합물) 은 이미늄 결합, 즉, 하기 결합：The iminium compound (immonium compound) has an iminium bond, that is, the following bond:

[화학식 4] [Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

를 가지며, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 이미늄 화합물로는, 예를 들어 이미늄 결합을 1 개 갖는 이미늄 화합물, 이미늄 결합을 2 개 갖는 디이모늄 화합물 (디이미늄 화합물) 을 들 수 있다. 또, 이미늄 화합물은 하기 일반식 (3) ：It is a compound which has a maximum absorption wavelength in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. As an iminium compound, the iminium compound which has one iminium bond, and the dimonium compound (diiminium compound) which has two iminium bonds are mentioned, for example. Moreover, an iminium compound is the following general formula (3):

[화학식 5] [Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

로 나타내는 이미늄 화합물을 들 수 있다. 또, 디이모늄 화합물은 하기 일반식 (4) ：And an iminium compound represented by the above. Moreover, a dimonium compound is the following general formula (4):

[화학식 6] [Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

로 나타내는 디이모늄 화합물을 들 수 있다. 상기 일반식 (3) 중, R4 는 수소 원자, 탄소수 1 ～ 6 의 알킬기, 알콕시기, 알킬알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이며, R5 는 방향족기를 함유하는 유기 (有機) 이며, X 는 I-, BF4 -, ClO4 -, AsF6 -, SbF6 - 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. 또, 상기 일반식 (4) 중, R6 은 수소 원자, 탄소수 1 ～ 6 의 알킬기, 알콕시기, 알킬알콕시기, 방향족기를 갖는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이며, X 는 I-, BF4 -, ClO4 -, AsF6 -, SbF6 - 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다.The dimonium compound shown by these is mentioned. In said general formula (3), R <4> is 1 type chosen from the group which consists of a hydrogen atom, a C1-C6 alkyl group, an alkoxy group, and an alkylalkoxy group, R <5> is an organic containing aromatic group, and X It is I -, BF 4 -, ClO 4 -, AsF 6 -, SbF 6 - is one selected from the group consisting of. In General Formula (4), R 6 is one selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkylalkoxy group, and an aromatic group, and X is I − , BF 4 -, ClO 4 -, AsF 6 -, SbF 6 - is one selected from the group consisting of.

더 구체적으로는 이미늄 화합물로는 하기 식 (5-1) 및 (5-2) ：More specifically, as an iminium compound, following formula (5-1) and (5-2):

[화학식 7] [Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

로 나타내는 이미늄 화합물을 들 수 있다. 또, 디이모늄 화합물로는 하기 식 (6-1) 및 (6-2) ： And an iminium compound represented by the above. Moreover, as a dimonium compound, following formula (6-1) and (6-2):

[화학식 8] [Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

로 나타내는 디이모늄 화합물을 들 수 있다.The dimonium compound shown by these is mentioned.

프탈로시아닌 화합물은 하기 일반식 (7) ：The phthalocyanine compound is the following general formula (7):

[화학식 9] [Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

로 나타내는 구조를 갖고, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 상기 일반식 (7) 중, Me 는 알루미늄, 티탄, 철, 코발트, 주석, 구리, 아연, 망간, 주석, 규소, 갈륨, 팔라듐, 마그네슘 등의 금속 원소를 나타낸다. 또, 상기 일반식 (7) 에 나타나는 프탈로시아닌 화합물은 방향족 고리에 치환기를 갖고 있어도 된다.It is a compound which has a structure shown by and whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. In said general formula (7), Me represents metal elements, such as aluminum, titanium, iron, cobalt, tin, copper, zinc, manganese, tin, silicon, gallium, palladium, magnesium. Moreover, the phthalocyanine compound represented by the said General formula (7) may have a substituent in an aromatic ring.

나프탈로시아닌 화합물은 하기 일반식 (8) ：The naphthalocyanine compound is represented by the following general formula (8):

[화학식 10] [Formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

로 나타내는 구조를 갖고, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 상기 일반식 (8) 중, Me 는 알루미늄, 티탄, 철, 코발트, 주석, 구리, 아연, 망간, 주석, 규소, 갈륨, 팔라듐, 마그네슘 등의 금속 원소를 나타낸다. 또, 상기 일반식 (8) 에 나타낸 프탈로시아닌 화합물은 방향족 고리에 치환기를 갖고 있어도 된다.It is a compound which has a structure shown by and whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. In said general formula (8), Me represents metal elements, such as aluminum, titanium, iron, cobalt, tin, copper, zinc, manganese, tin, silicon, gallium, palladium, magnesium. Moreover, the phthalocyanine compound shown by the said General formula (8) may have a substituent in an aromatic ring.

안트라퀴논 화합물은 하기 식：An anthraquinone compound is a following formula:

[화학식 11] [Formula 11]

Figure pct00011
Figure pct00011

로 나타내는 안트라퀴논 구조를 갖고, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 예를 들어, 안트라퀴논 화합물로는 하기 식 (9) ： It is a compound which has an anthraquinone structure shown by and whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. For example, as an anthraquinone compound, following formula (9):

[화학식 12] [Chemical Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

로 나타내는 안트라퀴논 화합물을 들 수 있다. 상기 식 (9) 중, R12 및 R13 은 질소 원자를 갖는 치환기, 수산기, 방향 고리를 갖는 치환기이고, p 및 q 는 1 ～ 3 의 정수이다. 또, R12 및 R13 은 동일하거나 상이해도 된다. 더 구체적으로는 안트라퀴논 화합물로는 하기 식 (9-1) :An anthraquinone compound shown by these is mentioned. In said formula (9), R <12> and R <13> Is a substituent which has a nitrogen atom, a hydroxyl group, and a substituent which has an aromatic ring, and p and q are an integer of 1-3. R 12 and R 13 May be the same or different. More specifically, as the anthraquinone compound, the following formula (9-1):

[화학식 13] [Chemical Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

로 나타내는 안트라퀴논 화합물, 하기 식 (9-2) ：Anthraquinone compound represented by following formula (9-2):

[화학식 14] [Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

로 나타내는 안트라퀴논 화합물, 하기 식 (9-3) ：Anthraquinone compound represented by following formula (9-3):

[화학식 15] [Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

로 나타내는 안트라퀴논 화합물을 들 수 있다.An anthraquinone compound shown by these is mentioned.

디티올·금속 착물 화합물은 하기 식 (10) ：The dithiol metal complex compound is represented by the following formula (10):

[화학식 16] [Chemical Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

로 나타내는 구조를 갖고, 또한 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 화합물이다. 상기 식 (10) 중, R3 은 탄소수 1 ～ 4 의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 알킬아미노기, 할로겐 중 어느 것을 나타내며, M 은 니켈, 백금, 팔라듐 중 어느 것을 나타낸다.It is a compound which has a structure shown by and whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. In said formula (10), R <3> represents either a C1-C4 alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkylamino group, or a halogen, and M represents either nickel, platinum, or palladium.

이들 적외선 흡수제 (D) 중에서도 적외선 흡수능이 우수하고, 또한 내열성 이 우수한 금속붕화물이 바람직하다.Among these infrared absorbers (D), metal borides which are excellent in infrared absorption ability and excellent in heat resistance are preferable.

적외선 흡수제 (D) 는 1 종 단독이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 된다. 그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에서는 최대 흡수 파장이 상이한 복수의 적외선 흡수제 (D) 를 조합함으로써 광범위의 파장의 적외선을 차광할 수 있는 솔더 레지스트 등의 보호막을 얻을 수 있다. 예를 들어, 최대 흡수 파장이 871 ㎚ 인 적외선 흡수제와, 최대 흡수 파장이 913 ㎚ 인 적외선 흡수제와, 최대 흡수 파장이 966 ㎚ 인 적외선 흡수제를 조합함으로써 875 ㎚ 이상 960 ㎚ 이하의 영역의 적외선을 차광할 수 있다.The infrared absorber (D) may be used singly or in combination of two or more kinds. And in the photosensitive resin composition (1) of this invention, by combining several infrared absorber (D) from which a maximum absorption wavelength differs, protective films, such as soldering resist which can shield infrared rays of a wide range of wavelengths, can be obtained. For example, by combining an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 871 nm, an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 913 nm, and an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 966 nm, shading infrared rays in an area of 875 nm or more and 960 nm or less. can do.

또, 본 발명에서 적외선 흡수제 (D) 의 최대 흡수 파장은 분광 광선 투과율 분석으로 분석했을 때, 투과율이 가장 작아지는 파장을 가리킨다.In addition, in this invention, the maximum absorption wavelength of an infrared absorber (D) points out the wavelength which transmittance becomes small, when it analyzes by spectral light transmittance analysis.

또, 적외선 흡수제 (D) 의 열 분해 온도는 열 중량 변화분석에 의해 측정되는 값이다.In addition, the thermal decomposition temperature of an infrared absorber (D) is a value measured by thermogravimetric change analysis.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중, 각 적외선 흡수제 (D) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하가 바람직하다. 또, 0.1 중량％ 이상 10 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 적외선 흡수제 (D) 의 함유량이 상기 하한치 이상임으로써 솔더 레지스트 등의 보호막이 적외선을 차광하는 효과가 높아진다. 또, 적외선 흡수제 (D) 의 함유량이 상기 상한치 이하임으로써 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하의 가시광 투과율을 5.0 ％ 이상으로 할 수 있다. 또, 적외선 흡수제 (D) 로 1 종류의 적외선 흡수제 (D) 를 이용하는 경우, 각 적외선 흡수제 (D) 의 함유량은 그 1 종류의 적외선 흡수제 (D) 의 함유량을 가리킨다. 또, 최대 흡수 파장이 상이한 복수의 적외선 흡수제를 이용하는 경우, 각 적외선 흡수제 (D) 의 함유량은, 사용되고 있는 복수의 적외선 흡수제의 각각의 함유량을 가리킨다. 예를 들어, 최대 흡수 파장이 871 ㎚ 의 적외선 흡수제와, 최대 흡수 파장이 913 ㎚ 의 적외선 흡수제와, 최대 흡수 파장이 966 ㎚ 의 적외선 흡수제를 조합하여 이용하는 경우, 각각의 적외선 흡수제의 함유량이 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 또, 0.1 중량％ 이상 10 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.Although the content of each infrared absorber (D) is not specifically limited in the photosensitive resin composition (1) of this invention, 0.01 weight% or more and 15 weight% or less of the whole photosensitive resin composition are preferable. Moreover, 0.1 weight% or more and 10 weight% or less are especially preferable. When content of an infrared absorber (D) is more than the said lower limit, the effect that a protective film, such as a soldering resist, shields infrared rays will become high. Moreover, when content of an infrared absorber (D) is below the said upper limit, the visible light transmittance of wavelength 400nm or more and 700nm or less can be made into 5.0% or more. Moreover, when using one type of infrared absorber (D) as an infrared absorber (D), content of each infrared absorber (D) points out content of the said one type of infrared absorber (D). Moreover, when using several infrared absorbers from which a maximum absorption wavelength differs, content of each infrared absorber (D) points out content of each of the several infrared absorbers currently used. For example, when using the infrared absorber whose maximum absorption wavelength is 871 nm, the infrared absorber whose maximum absorption wavelength is 913 nm, and the infrared absorber whose maximum absorption wavelength is 966 nm, content of each infrared absorber is photosensitive resin. It is preferable that they are 0.01 weight% or more and 15 weight% or less of the whole composition. Moreover, it is especially preferable that they are 0.1 weight% or more and 10 weight% or less.

또, 최대 흡수 파장이 다른 복수의 적외선 흡수제를 이용하는 경우, 사용되고 있는 적외선 흡수제 (D) 의 합계의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 또, 0.1 중량％ 이상 10 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.Moreover, when using several infrared absorbers with different maximum absorption wavelengths, it is preferable that content of the sum total of the infrared absorber (D) used is 0.01 weight% or more and 15 weight% or less of the whole photosensitive resin composition. Moreover, it is especially preferable that they are 0.1 weight% or more and 10 weight% or less.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 중에서의 적외선 흡수제 (D) 의 평균 입자경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또, 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또, 여기서 말하는 「평균 입자경」은 레이저 회절 산란법에 의해서 구한 입도 분포에서의 적산치 50 ％ 에서의 입자경 (D50) 을 말한다.Moreover, although the average particle diameter of the infrared absorber (D) in the photosensitive resin composition (1) of this invention is not specifically limited, It is preferable that it is 10 micrometers or less. Moreover, it is preferable that it is 5 micrometers or less. In addition, the "average particle diameter" here means the particle diameter (D50) in 50% of the integrated value in the particle size distribution calculated | required by the laser diffraction scattering method.

적외선 흡수제 (D) 의 평균 입자경이 상기한 상한치 이상인 경우, 솔더 레지스트를 형성했을 때, 두께 방향으로 부피가 커짐에 따라 입자 간에 공극이 생겨서 적외선의 투과율이 높아져 버린다. 따라서 적외선 흡수제 (D) 의 첨가량을 증가시키지 않으면 적외선의 투과율을 낮출 수 없다.When the average particle diameter of an infrared absorber (D) is more than the upper limit mentioned above, when a soldering resist is formed, as volume increases in thickness direction, a space | gap arises between particle | grains and infrared rays transmittance will become high. Therefore, the transmittance of infrared rays cannot be lowered unless the amount of the infrared absorber (D) added is increased.

한편, 적외선 흡수제 (D) 의 평균 입자경이 상기한 상한치 이하임으로써 감광성 수지 조성물 (1) 중에서의 적외선 흡수제 (D) 의 분산성이 좋아져서 두께 방향의 부피를 작게 할 수 있다. 즉, 솔더 레지스트를 형성했을 때, 평면 방향으로 퍼지는 입자가 증가하므로 솔더 레지스트 전체로 적외선 흡수제 (D) 의 입자가 차지하는 충전율을 높일 수 있다. 결과적으로, 솔더 레지스트 전체로 적외선의 투과율을 낮출 수 있다.On the other hand, when the average particle diameter of an infrared absorber (D) is below the said upper limit, the dispersibility of the infrared absorber (D) in the photosensitive resin composition (1) improves, and the volume of a thickness direction can be made small. That is, when forming a soldering resist, since the particle | grains which spread in a planar direction increase, the filling rate which the particle | grains of an infrared absorber (D) occupies for the whole soldering resist can be improved. As a result, it is possible to lower the transmittance of infrared rays throughout the solder resist.

이와 같이, 적외선 흡수제 (D) 가 적은 함유량이어도 확실하게 적외역의 투과율을 낮출 수 있다. 따라서, 저비용으로 적외선의 차광성을 얻을 수 있다.In this way, even if the content of the infrared absorber (D) is small, the transmittance of the infrared region can be reliably lowered. Therefore, infrared light blocking property can be obtained at low cost.

여기서, 상기와 같은 평균 입자경을 갖는 적외선 흡수제 (D) 중, 무기물인 것은 엄격한 조건으로 파쇄함으로써 형성할 수 있다. 적외선 흡수제 (D) 의 형성 방법으로는, 예를 들어 볼밀법 또는 비즈밀법 등을 들 수 있다.Here, in the infrared absorber (D) which has the above average particle diameters, an inorganic substance can be formed by crushing on severe conditions. As a formation method of an infrared absorber (D), a ball mill method or a bead mill method etc. are mentioned, for example.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 대해 설명한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 포지티브형의 감광성 수지 조성물이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 노광광을 조사함으로써 노광 부분의 현상액에 대한 용해성이 증가하여 노광 부분이 알칼리 현상액에서의 현상에 의해 제거된다. 또, 노광광의 조사 및 알칼리 현상에 의해 패터닝된 후, 가열에 의해 열경화하여 열경화물이 된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 광산 발생제 (C) 와, 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유한다.Next, the photosensitive resin composition (2) of this invention is demonstrated. The photosensitive resin composition (2) of this invention is a positive photosensitive resin composition. The photosensitive resin composition (2) of this invention increases the solubility to the developing solution of an exposure part by irradiating exposure light, and an exposure part is removed by image development in alkaline developing solution. Moreover, after patterning by irradiation of exposure light and alkali development, it thermosets by heating and it becomes a thermoset. The photosensitive resin composition (2) of this invention contains alkali-soluble resin (A), a photo-acid generator (C), and the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less.

노광광을 조사함으로써 노광 부분의 광산 발생제 (C) 는 분해된다. 이에 의해 산을 발생시킨다. 따라서 노광 부분의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증가한다. 노광광은 자외선이며, 바람직하게는 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 자외선이다. 노광광의 광원으로는 특별히 제한은 없고, g 선, i 선, 엑시머 레이저 등의 광원이 이용된다.By irradiating exposure light, the photo-acid generator (C) of an exposed part decomposes. This generates an acid. Therefore, the solubility with respect to the alkaline developing solution of an exposed part increases. Exposure light is an ultraviolet-ray, Preferably it is ultraviolet of 360 nm or more and 400 nm or less. There is no restriction | limiting in particular as a light source of exposure light, Light sources, such as g line | wire, i line | wire, and an excimer laser, are used.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 는 알칼리 현상액에 가용성의 수지이며, 분자 내에 알칼리 가용성기를 갖는다. 또, 알칼리 가용성 수지 (A) 는 현상 후의 패터닝된 감광성 수지 조성물층이 열경화되도록 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 카르복실기, 산무수물기, 아미노기, 시아네이트기 등의 가열에 의해 열경화 반응을 하는 열 반응기를 갖는다.Alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention is soluble resin in alkaline developing solution, and has alkali-soluble group in a molecule | numerator. In addition, the alkali-soluble resin (A) is a heat that undergoes a thermosetting reaction by heating such as a phenolic hydroxyl group, alcoholic hydroxyl group, carboxyl group, acid anhydride group, amino group, cyanate group and the like so that the patterned photosensitive resin composition layer after development is thermally cured. Have a reactor.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에서는 감광성 수지 조성물에 함유되어 있는 알칼리 가용성 수지 (A) 는 노광광의 조사 후에 알칼리 현상액으로 현상되었을 때, 노광 부분이 알칼리 현상액에 용해하여 제거된다. 이에 의해, 노광광의 조사에 의해 선택적으로 패터닝하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 는 노광광의 조사에 의해 광산 발생제가 분해하여 발생하는 산의 작용에 의해 알칼리 현상을 할 수 있는 수지이다.In the photosensitive resin composition (2) of this invention, when the alkali-soluble resin (A) contained in the photosensitive resin composition is developed by alkaline developing solution after irradiation of exposure light, an exposure part will melt | dissolve and remove in alkaline developing solution. Thereby, it becomes possible to selectively pattern by irradiation of exposure light. Therefore, alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention is resin which can develop alkali by the action of the acid which a photo-acid generator decomposes by irradiation of exposure light, and generate | occur | produces.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 노광광의 조사 및 알칼리 현상에 의해 패터닝된 후, 가열되어서 열경화함으로써 반도체 장치의 솔더 레지스트 등의 보호막이 된다. 그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 이 가열에 의해 열경화할 때의 작용에 의해, 알칼리 가용성 수지 (A) 에는 이하의 2 종의 수지：After the photosensitive resin composition (2) of this invention is patterned by irradiation of exposure light and alkali development, it is heated and thermosets, and becomes a protective film, such as a soldering resist of a semiconductor device. And by the action at the time of thermosetting the photosensitive resin composition (2) of this invention by heating, alkali-soluble resin (A) has the following two types of resin:

(i) 에폭시 수지 등의 열경화성 수지와 반응함으로써 경화물을 형성하는 열경화성 수지 부가형 수지(i) Thermosetting resin addition type resin which forms hardened | cured material by reacting with thermosetting resins, such as an epoxy resin

(ii) 자기자신의 분자 사슬에 결합하고 있는 관능기가 분자 사슬 내에서 고리화 반응함으로써 경화물을 형성하는 자기 축합형 수지(ii) Self-condensation type resin which forms hardened | cured material by the cyclization reaction of the functional group couple | bonded with its own molecular chain in a molecular chain.

가 있다. 또, (i) 열경화성 수지 부가형 수지의 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 (i) 열경화성 수지 부가형 수지와 열경화 반응을 하는 열경화성 수지를 함유한다. 또, (ii) 자기 축합형 수지의 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 열경화성 수지를 함유해도 되고, 함유하지 않아도 된다.. Moreover, in the case of (i) thermosetting resin addition type resin, the photosensitive resin composition (2) of this invention contains the thermosetting resin which carries out thermosetting reaction with (i) thermosetting resin addition type resin. Moreover, in the case of (ii) self-condensation type resin, the photosensitive resin composition (2) of this invention may contain the thermosetting resin, and does not need to contain it.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 중, (i) 열경화성 수지 부가형 수지로는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 폴리아믹산 등을 들 수 있으며, 더 구체적으로는, 크레졸형, 페놀형, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 카테콜형, 레조르시놀형, 피로갈롤형 등의 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 하이드록시스티렌 수지, 메타크릴산 수지, 아크릴계 수지, 수산기, 카르복실기 등을 함유하는 고리형 올레핀계 수지를 들 수 있다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 에는 크레졸, 비스페놀A, 비스페놀F, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤 등의 반복 단위의 수가 1 개인 저분자량 화합물도 함유되고, 크레졸형, 페놀형, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 카테콜형, 레조르시놀형, 피로갈롤형 등의 노볼락 수지 등의 반복 단위의 수가 2 개 이상인 고분자량 화합물도 함유된다.In alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention, as (i) thermosetting resin addition type resin, a phenol novolak resin, a polyamic acid, etc. are mentioned, for example, More specifically, Novolac resins such as cresol type, phenol type, bisphenol A type, bisphenol F type, catechol type, resorcinol type, pyrogallol type, phenol aralkyl resin, hydroxystyrene resin, methacrylic acid resin, acrylic resin, hydroxyl group, Cyclic olefin resin containing a carboxyl group etc. is mentioned. Moreover, the alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention also contains the low molecular weight compound whose number of repeating units, such as cresol, bisphenol A, bisphenol F, catechol, resorcinol, a pyrogallol, is one. And a high molecular weight compound having two or more repeating units such as novolak resins such as cresol type, phenol type, bisphenol A type, bisphenol F type, catechol type, resorcinol type and pyrogallol type.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 알칼리 가용성 수지 (A) 중, (ii) 자기 축합형 수지로는 예를 들어 폴리아미드계 수지, 더 구체적으로는 폴리벤조옥사졸 구조 및 폴리이미드 구조의 적어도 일방을 갖고, 또한 주사슬 또는 측사슬에 수산기, 카르복실기, 에테르기 또는 에스테르기를 갖는 수지, 폴리벤조옥사졸 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리이미드 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리아미드산 에스테르 구조를 갖는 수지 등을 들 수 있다.Moreover, in alkali-soluble resin (A) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention, as (ii) self-condensation type resin, For example, polyamide-type resin, More specifically, a polybenzoxazole structure and a polyimide A resin having a hydroxyl group, a carboxyl group, an ether group or an ester group in the main chain or the side chain, a resin having a polybenzoxazole precursor structure, a resin having a polyimide precursor structure, a polyamic acid ester structure Resin which has, etc. are mentioned.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 카르복실기 함유 아크릴 수지와 같은 알칼리 가용성의 열가소성 수지를 함유하고 있어도 된다.Moreover, the photosensitive resin composition (2) of this invention may contain alkali-soluble thermoplastic resin like carboxyl group-containing acrylic resin.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 중의 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 다음과 같은 경우에는 하기 범위 내인 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 이 후술하는 무기 충전재를 함유하지 않는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 중의 알칼리 가용성 수지 (A-1) 의 함유량은 10 중량％ 이상 80 중량％ 이하, 바람직하게는 15 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 가 후술하는 무기 충전재를 함유하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 중의 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량은 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에서 무기 충전제를 뺀 성분의 합계에 대해 15 중량％ 이상 60 중량％ 이하가 바람직하고, 20 중량％ 이상 50 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량이 상기 하한치 미만이면, 노광, 현상했을 때에 감광성 수지 조성물의 잔류물이 발생하는 경우가 있다. 한편, 상기 상한치를 초과하면, 노광, 현상했을 때에 패턴을 형성하는 감광성 수지 조성물의 막 감소가 커서, 패턴의 두께 편차가 발생하는 경우가 있다.Although content of alkali-soluble resin (A) in the photosensitive resin composition (2) of this invention is not specifically limited, It is preferable to exist in the following ranges in the following cases. For example, when the photosensitive resin composition (2) of this invention does not contain the inorganic filler mentioned later, content of alkali-soluble resin (A-1) in the photosensitive resin composition (2) of this invention is 10 weight% or more and 80 It is 15 weight% or less, Preferably it is 15 weight% or more and 70 weight% or less. Moreover, when the photosensitive resin composition (2) of this invention contains the inorganic filler mentioned later, content of alkali-soluble resin (A) in the photosensitive resin composition (2) of this invention is the photosensitive resin composition (2) of this invention. 15 weight% or more and 60 weight% or less are preferable with respect to the sum total of the component except an inorganic filler, and 20 weight% or more and 50 weight% or less are especially preferable. When content of alkali-soluble resin (A) is less than the said lower limit, the residue of the photosensitive resin composition may generate | occur | produce when it exposes and develops. On the other hand, when the said upper limit is exceeded, the film | membrane decrease of the photosensitive resin composition which forms a pattern at the time of exposure and image development will be large, and thickness deviation of a pattern may generate | occur | produce.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 광산 발생제 (C) 를 함유한다. 광산 발생제 (C) 는 노광광을 흡수하여 분해함으로써 산을 발생하고, 감광성 수지 조성물의 노광부의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 향상시킨다는 기능을 발휘한다. 그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 가 광산 발생제 (C) 를 함유함으로써 노광 및 현상 후의 패터닝이 가능해진다.The photosensitive resin composition (2) of this invention contains a photo-acid generator (C). The photoacid generator (C) generates an acid by absorbing and decomposing the exposure light, and exhibits a function of improving solubility in the alkaline developer of the exposed portion of the photosensitive resin composition. And since the photosensitive resin composition (2) of this invention contains a photo-acid generator (C), patterning after exposure and image development becomes possible.

광산 발생제 (C) 로는, 예를 들어 페놀 화합물과 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 또는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술폰산의 에스테르를 들 수 있다. 구체적으로는, 식 (16) ～ 식 (19) 로 나타나는 에스테르 화합물을 들 수 있다. 광산 발생제 (C) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상의 조합이어도 된다.As the photo-acid generator (C), for example, esters of phenol compounds and 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid Can be mentioned. Specifically, the ester compound represented by Formula (16)-Formula (19) is mentioned. The photoacid generator (C) may be one kind or a combination of two or more kinds.

[화학식 17] [Chemical Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

[화학식 18] [Chemical Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

[화학식 19] [Formula 19]

Figure pct00019
Figure pct00019

[화학식 20] [Chemical Formula 20]

Figure pct00020
Figure pct00020

식 (16) ～ (19) 중, Q 는 수소 원자, 식 (20) 및 식 (21) 로 나타내는 구조 중 어느 것으로부터 선택되는 것이다. 여기서 각 화합물의 Q 중, 적어도 1 개는 식 (20) 또는 식 (21) 로 나타내는 구조이다.In formulas (16) to (19), Q is selected from any of a structure represented by a hydrogen atom, formula (20) and formula (21). At least one of Q of each compound is a structure represented by Formula (20) or Formula (21) here.

[화학식 21] [Chemical Formula 21]

Figure pct00021
Figure pct00021

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 중의 광산 발생제 (C) 의 함유량은 알칼리 가용성 수지 (A-1) 100 중량부에 대해 1 중량부 이상 50 중량부 이하가 바람직하고, 10 중량부 이상 40 중량부 이하가 특히 바람직하다. 광산 발생제 (C) 의 함유량이 상기 범위 내이므로 특히 감도가 우수하다.As for content of the photo-acid generator (C) in the photosensitive resin composition (2) of this invention, 1 weight part or more and 50 weight part or less are preferable with respect to 100 weight part of alkali-soluble resin (A-1), 10 weight part or more and 40 weight part Part or less is particularly preferable. Since content of a photo-acid generator (C) exists in the said range, especially a sensitivity is excellent.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 알칼리 가용성 수지 (A) 를 함유하고, 또한 광산 발생제 (C) 를 함유한다. 이와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 노광 및 알칼리 현상함으로써 패터닝된 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 또, 그 후, 가열경화시킴으로써 패터닝된 반도체 장치의 솔더 레지스트 등의 반도체 장치의 보호막을 형성시킬 수 있다.The photosensitive resin composition (2) of this invention contains alkali-soluble resin (A), and also contains a photo-acid generator (C). Thus, the patterned photosensitive resin composition layer can be formed by exposing and alkali developing the photosensitive resin composition (2) of this invention. Moreover, the protective film of semiconductor devices, such as the soldering resist of the patterned semiconductor device, can be formed by heat-hardening after that.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 가 적외선 흡수제 (D) 를 함유함으로써 감광성 수지 조성물을 열경화시켜서 얻어지는 솔더 레지스트 등의 보호막이 적외선의 차광성을 갖는다.The photosensitive resin composition (2) of this invention contains the infrared absorber (D) whose maximum absorption wavelength exists in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less. When the photosensitive resin composition (2) of this invention contains an infrared absorber (D), protective films, such as a soldering resist obtained by thermosetting a photosensitive resin composition, have infrared light-shielding property.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 적외선 흡수제 (D) 는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 에 관한 적외선 흡수제 (D) 와 동일하다.The infrared absorber (D) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention is the same as the infrared absorber (D) which concerns on the photosensitive resin composition (1) of this invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에 관한 적외선 흡수제 (D) 는 1 종 단독이어도 되고 2 종 이상의 조합이어도 된다. 그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에서는 최대 흡수 파장이 다른 복수의 적외선 흡수제 (D) 를 조합함으로써 광범위한 파장의 적외선을 차광할 수 있는 솔더 레지스트를 얻을 수 있다. 예를 들어, 최대 흡수 파장이 871 ㎚ 인 적외선 흡수제와, 최대 흡수 파장이 913 ㎚ 인 적외선 흡수제와, 최대 흡수 파장이 966 ㎚ 인 적외선 흡수제를 조합함으로써 875 ㎚ 이상 960 ㎚ 이하의 영역의 적외선을 차광할 수 있다.The infrared absorber (D) which concerns on the photosensitive resin composition (2) of this invention may be single 1 type, or 2 or more types of combinations may be sufficient as it. And in the photosensitive resin composition (2) of this invention, the soldering resist which can shield infrared rays of a wide range of wavelengths can be obtained by combining several infrared absorbers (D) from which a maximum absorption wavelength differs. For example, by combining an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 871 nm, an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 913 nm, and an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 966 nm, shading infrared rays in an area of 875 nm or more and 960 nm or less. can do.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 중, 각 적외선 흡수제 (D) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하가 바람직하고, 0.1 중량％ 이상 10 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 적외선 흡수제 (D) 의 함유량이 상기 범위 내이므로 솔더 레지스트 등의 보호막이 적외선을 차광하는 효과가 높아진다. 또, 적외선 흡수제 (D) 로서 1 종류의 적외선 흡수제 (D) 를 이용하는 경우, 각 적외선 흡수제 (D) 의 함유량은 그 1 종류의 적외선 흡수제 (D) 의 함유량을 가리킨다. 또, 최대 흡수 파장이 상이한 복수의 적외선 흡수제를 이용하는 경우, 각 적외선 흡수제 (D) 의 함유량은, 이용되고 있는 복수의 적외선 흡수제의 각각의 함유량을 가리킨다. 예를 들어, 최대 흡수 파장이 871 ㎚, 913 ㎚ 및 966 ㎚ 인 3 종의 적외선 흡수제를 조합하여 이용하는 경우, 각각의 적외선 흡수제의 함유량이 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1 중량％ 이상 10 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.Although the content of each infrared absorber (D) is not specifically limited in the photosensitive resin composition (2) of this invention, 0.01 weight% or more and 15 weight% or less of the whole photosensitive resin composition are preferable, and 0.1 weight% or more and 10 weight% The following is especially preferable. Since content of an infrared absorber (D) exists in the said range, the effect that a protective film, such as a soldering resist, shields an infrared ray becomes high. Moreover, when using one type of infrared absorber (D) as an infrared absorber (D), content of each infrared absorber (D) points out content of the said one type of infrared absorber (D). Moreover, when using several infrared absorbers from which a maximum absorption wavelength differs, content of each infrared absorber (D) points out content of each of the several infrared absorbers used. For example, when using in combination of 3 types of infrared absorbers whose maximum absorption wavelength is 871 nm, 913 nm, and 966 nm, it is preferable that content of each infrared absorber is 0.01 weight% or more and 15 weight% or less of the whole photosensitive resin composition. And it is especially preferable that they are 0.1 weight% or more and 10 weight% or less.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 중, 적외선 흡수제 (D) 의 평균 입자경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경우와 동일한 크기로 할 수 있다.Although the average particle diameter of an infrared absorber (D) is not specifically limited in the photosensitive resin composition (2) of this invention, It can be made the same size as the case of the photosensitive resin composition (1) of this invention.

또, 최대 흡수 파장이 상이한 복수의 적외선 흡수제를 이용하는 경우, 이용되고 있는 적외선 흡수제 (D) 의 합계의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1 중량％ 이상 10 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.Moreover, when using several infrared absorbers from which a maximum absorption wavelength differs, it is preferable that content of the sum total of the infrared absorber (D) used is 0.01 weight% or more and 15 weight% or less of the whole photosensitive resin composition, and 0.1 weight% or more and 10 It is especially preferable that it is weight% or less.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 를 함유할 수 있다. 이에 의해, 알칼리 현상액과의 친화성을 높일 수 있다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 성분과의 상용성을 높일 수 있다. 따라서, 노광 및 현상한 후의 잔사를 저감할 수 있다.The photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can contain the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group. Thereby, affinity with alkaline developing solution can be improved. Moreover, compatibility with the other component which comprises the photosensitive resin composition can be improved. Therefore, the residue after exposure and image development can be reduced.

1 분자 중의 카르복실기 농도를 높인 쪽이 알칼리 현상액에 대한 친화성은 향상된다. 그러나 농도를 지나치게 높게 하면, 화합물 (E) 의 분자 간의 결정성이 너무 높아져 버려서 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 성분과의 상용성이 낮아져 버린다. 따라서, 감광성 수지 조성물은 카르복실기에 더하여 카르복실기만큼은 아니지만 알칼리 현상액에 대한 친화성을 갖는 페놀성 수산기를 갖는 화합물 (화합물 (E)) 을 함유할 수 있다. 이에 의해, 알칼리 현상액에 대한 친화성과 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 양립할 수 있다.The higher the carboxyl group concentration in one molecule improves the affinity for the alkaline developer. However, when the concentration is too high, the intermolecular crystallinity of the compound (E) becomes too high and the compatibility with other components constituting the photosensitive resin composition becomes low. Therefore, the photosensitive resin composition can contain the compound (compound (E)) which has a phenolic hydroxyl group which has affinity for an alkaline developing solution but not as much as a carboxyl group in addition to a carboxyl group. Thereby, compatibility with the alkali developing solution and compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be compatible.

페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 100 이상 5000 이하, 보다 바람직하게는 150 이상 3000 이하, 특히 바람직하게는 200 이상 2000 이하이다. 화합물 (E) 의 중량 평균 분자량을 상기 범위로 함으로써 알칼리 현상액에 대한 친화성과 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 양립하는 효과가 높아진다. 여기서, 중량 평균 분자량은 앞에서 설명한 것과 동일한 방법으로 측정된다.Although the weight average molecular weight of the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group is not specifically limited, Preferably it is 100 or more and 5000 or less, More preferably, it is 150 or more and 3000 or less, Especially preferably, it is 200 or more and 2000 or less. By making the weight average molecular weight of a compound (E) into the said range, the effect which makes compatible with the affinity with alkaline developing solution and the compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition becomes high. Here, a weight average molecular weight is measured by the same method as what was demonstrated previously.

페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 는 페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 하기 일반식(22) ～ (24) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물이 페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 로서 하기 일반식 (22) ～ (24) 에서 나타내는 화합물을 함유함으로써 노광 및 현상 후의 잔사를 저감시키는 효과가 더욱 높아진다.Although the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group will not be specifically limited if it has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, For example, the compound represented by following General formula (22)-(24) is mentioned. When the photosensitive resin composition of this invention contains the compound represented by following General formula (22)-(24) as a compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, the effect which reduces the residue after exposure and image development becomes further high.

[화학식 22] [Formula 22]

Figure pct00022
Figure pct00022

[화학식 23] (23)

Figure pct00023
Figure pct00023

[화학식 24] &Lt; EMI ID =

Figure pct00024
Figure pct00024

상기 일반식 (22) 중, R21 은 방향족 이외의 유기기를 나타내고, a 및 b 는 1 ～ 3 의 정수이다. a 및 b 는 특별히 한정되는 것은 아니지만, a=1 또한 b=2 가 바람직하다. a=1 또 b=2 로 함으로써 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감할 수 있는 효과 및 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 양립할 수 있다.In said general formula (22), R <21> represents organic groups other than aromatic, and a and b are integers of 1-3. Although a and b are not specifically limited, a = 1 and b = 2 are preferable. By making a = 1 and b = 2, the effect which can reduce the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition, and the effect which improves compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition are compatible.

R21 은 방향족 이외의 유기기이면, 특별히 한정되는 것은 아니며, 단결합, 탄소수 1 ～ 20 의 직쇄상 또는 분기상의 탄화수소기를 들 수 있다. b 가 1 인 경우, 구체적인 예시로는, 메틸렌, 에틸렌, n-프로필렌, i-프로필렌, i-펜틸렌, sec-펜틸렌, t-펜틸렌, 메틸부틸, 1,1-디메틸프로필렌, n-헥실렌, 1-메틸펜틸렌, 2-메틸펜틸렌, 3-메틸펜틸렌, 4-메틸펜틸렌, 1-에틸부틸렌, 2-에틸부틸렌, 3-에틸부틸렌, 1,1-디메틸부틸렌, 2,2-디메틸부틸렌, 3,3-디메틸부틸렌, 1-에틸-1-메틸프로필렌, n-헵틸렌, 1-메틸헥실렌, 2-메틸헥실렌, 3-메틸헥실렌, 4-메틸헥실렌, 5-메틸헥실렌, 1-에틸펜틸렌, 2-에틸펜틸렌, 3-에틸펜틸렌, 4-에틸펜틸렌, 1,1-디메틸펜틸렌, 2,2-디메틸펜틸렌, 3,3-디메틸펜틸렌, 4,4-디메틸펜틸렌, 1-프로필부틸렌, n-옥틸렌, 1-메틸헵틸렌, 2-메틸헵틸렌, 3-메틸헵틸렌, 4-메틸헵틸렌, 5-메틸헵틸렌, 6-메틸헵틸렌, 1-에틸헥실렌, 2-에틸헥실렌, 3-에틸헥실렌, 4-에틸헥실렌, 5-에틸헥실렌, 6-에틸헥실렌, 1,1-디메틸헥실렌, 2,2-디메틸헥실렌, 3,3-디메틸헥실렌, 4,4-디메틸헥실렌, 5,5-디메틸헥실렌, 1-프로필펜틸렌, 2-프로필펜틸렌 등을 들 수 있으며, 탄소수 1 ～ 6 의 직쇄상 또는 분기상의 기가 바람직하다. 탄소수를 1 ～ 6 으로 함으로써 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감할 수 있는 효과 및 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 향상시킬 수 있다.It will not specifically limit, if R <21> is organic groups other than aromatic, A single bond, C1-C20 linear or branched hydrocarbon group is mentioned. When b is 1, specific examples include methylene, ethylene, n-propylene, i-propylene, i-pentylene, sec-pentylene, t-pentylene, methylbutyl, 1,1-dimethylpropylene, n- Hexylene, 1-methylpentylene, 2-methylpentylene, 3-methylpentylene, 4-methylpentylene, 1-ethylbutylene, 2-ethylbutylene, 3-ethylbutylene, 1,1-dimethyl Butylene, 2,2-dimethylbutylene, 3,3-dimethylbutylene, 1-ethyl-1-methylpropylene, n-heptylene, 1-methylhexylene, 2-methylhexylene, 3-methylhexylene , 4-methylhexylene, 5-methylhexylene, 1-ethylpentylene, 2-ethylpentylene, 3-ethylpentylene, 4-ethylpentylene, 1,1-dimethylpentylene, 2,2-dimethyl Pentylene, 3,3-dimethylpentylene, 4,4-dimethylpentylene, 1-propylbutylene, n-octylene, 1-methylheptylene, 2-methylheptylene, 3-methylheptylene, 4- Methylheptylene, 5-methylheptylene, 6-methylheptylene, 1-ethylhexylene, 2-ethylhexylene, 3-ethylhexylene, 4-ethylhexylene, 5-ethylhexylene, 6-ethylhex Silylene, 1,1-dimethylhexylene, 2 , 2-dimethylhexylene, 3,3-dimethylhexylene, 4,4-dimethylhexylene, 5,5-dimethylhexylene, 1-propylpentylene, 2-propylpentylene, and the like. The linear or branched group of -6 is preferable. By setting carbon number to 1-6, the effect which can reduce the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition, and the effect which improves compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be improved.

또, b 가 2 인 경우, 구체적으로는 하기 일반식 (25) 로 나타내는 기가 예시된다.Moreover, when b is 2, the group represented by following General formula (25) is specifically, illustrated.

[화학식 25] (25)

Figure pct00025
Figure pct00025

상기 일반식 (25) 중, R23 및 R24 는 수소 원자, 탄소수 1 ～20 의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 탄소수 1 ～20 의 직쇄상 알킬렌기 (말단은 카르복실기), 카르복실기를 나타낸다. * 에는 일반식 (22) 중의 페놀성 수산기를 갖는 벤젠고리가 결합한다. 단, R23 또는 R24 의 양방이 수소 원자, 탄소수 1 ～20 의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기인 경우는 없으며, R23 또는 R24 의 일방이 수소 원자, 탄소수 1 ～ 20 의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기인 경우, 타방은 탄소수 1 ～ 20 의 직쇄상 알킬렌기 (말단은 카르복실기) 이다.In said general formula (25), R <23> and R <24> represents a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched alkyl group, a C1-C20 linear alkylene group (terminal carboxyl group), and a carboxyl group. * The benzene ring which has a phenolic hydroxyl group in General formula (22) couple | bonds with *. However, R 23 or R 24 of both are on the hydrogen atom, it is not the case of a straight chain, or an alkyl group on the branches of 1 to 20 carbon atoms, R 23, or one hydrogen atom of R 24, C 1 -C 20 linear or branched In the case of an alkyl group, the other is a C1-C20 linear alkylene group (terminal is a carboxyl group).

상기 일반식 (25) 중의 R23 및 R24 의 적어도 일방은 탄소수 1 ～ 10 의 직쇄 또는 분기상의 알킬렌기 (말단은 카르복실기) 이다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감할 수 있다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 높게 할 수 있다. 또, 탄소수 1 ～ 6 의 직쇄 또는 분기상의 알킬렌기 (말단은 카르복실기) 인 것이 특히 바람직하다.At least one of R <23> and R <24> in the said General formula (25) is a C1-C10 linear or branched alkylene group (terminal is a carboxyl group). Thereby, the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition can be reduced. Moreover, the effect of improving compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be made high. Moreover, it is especially preferable that it is a C1-C6 linear or branched alkylene group (terminal is a carboxyl group).

b 가 3 인 경우, 구체적으로는 하기 일반식 (26) 로 나타내는 기가 예시된다.When b is 3, specifically, group represented by following General formula (26) is illustrated.

[화학식 26] (26)

Figure pct00026
Figure pct00026

상기 일반식 (26) 중, R25 는 탄소수 1 ～ 20 의 직쇄 또는 분기상의 알킬렌기 (말단은 카르복실기), 카르복실기를 나타내고, * 에는 상기 일반식 (22) 중의 페놀성 수산기를 갖는 벤젠고리가 결합한다.In said general formula (26), R <25> represents a C1-C20 linear or branched alkylene group (terminal is a carboxyl group), and a carboxyl group, and * has a benzene ring which has a phenolic hydroxyl group in the said General formula (22), and bonds. do.

상기 일반식 (26) 중, R25 는 예를 들어 탄소수 1 ～ 10 의 직쇄 또는 분기상의 알킬렌기 (말단은 카르복실기) 이다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감할 수 있다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 높게 할 수 있다. 또, 탄소수 1 ～ 6 의 직쇄 또는 분기상의 알킬렌기 (말단은 카르복실기) 인 것이 특히 바람직하다.In said general formula (26), R <25> is a C1-C10 linear or branched alkylene group (terminal is a carboxyl group), for example. Thereby, the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition can be reduced. Moreover, the effect of improving compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be made high. Moreover, it is especially preferable that it is a C1-C6 linear or branched alkylene group (terminal is a carboxyl group).

상기 일반식 (23) 중, c 및 d 는 1 ～ 5 의 정수이다. 상기 일반식 (23) 에서 나타내는 화합물로는 특별히 한정되는 것이 아니고, 2-하이드록시벤조산, 3-하이드록시벤조산, 4-하이드록시벤조산, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 2,5-디하이드록시벤조산, 2,6-디하이드록시벤조산, 3,4-디하이드록시벤조산, 3,4,5-트리하이드록시벤조산, 2,4,6-트리하이드록시벤조산 등을 들 수 있으며, 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감시킬 수 있는 효과 및 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과가 높아지는 점에서 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 2,5-디하이드록시벤조산, 2,6-디하이드록시벤조산, 3,4-디하이드록시벤조산, 3,4,5-트리하이드록시벤조산, 2,4,6-트리하이드록시벤조산이 바람직하다.C and d are the integers of 1-5 in the said General formula (23). It does not specifically limit as a compound represented by the said General formula (23), 2-hydroxy benzoic acid, 3-hydroxy benzoic acid, 4-hydroxy benzoic acid, 2, 3- dihydroxy benzoic acid, 2, 4- dihydro Hydroxybenzoic acid, 2,5-dihydroxybenzoic acid, 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, 3,4,5-trihydroxybenzoic acid, 2,4,6-trihydroxy Benzoic acid, and the like, 2,3-dihydride, in that the effect of reducing the residue after exposure and development of the photosensitive resin composition and the effect of improving compatibility with other resin components constituting the photosensitive resin composition are increased. Hydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, 2,5-dihydroxybenzoic acid, 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, 3,4,5-trihydroxybenzoic acid, Preferred is 2,4,6-trihydroxybenzoic acid.

상기 일반식 (24) 중, e 및 f 는 1 ～ 3 의 정수이다. e 및 f 는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, e=1 또한 f=2 이다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감시킬 수 있다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 높게 할 수 있다.In General Formula (24), e and f are integers of 1-3. e and f are not specifically limited, For example, e = 1 and f = 2. Thereby, the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition can be reduced. Moreover, the effect of improving compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be made high.

상기 일반식 (24) 중, R22 는 방향족 이외의 유기기를 나타내고, 특별히 한정되는 것이 아니며, 단결합, 수소 원자, 탄소수 1 ～ 20 의 직쇄상 또는 분기상의 탄화수소기를 들 수 있다. R22 는 예를 들어 탄소수 1 ～ 10 의 직쇄상 또는 분기상의 탄화수소기이다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감시킬 수 있다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 높게 할 수 있다. 또, 바람직하게는 탄소수 1 ～ 6 의 직쇄 또는 분기상의 탄화수소기인 것이 특히 바람직하다.In said general formula (24), R <22> represents organic groups other than aromatic, and is not specifically limited, A single bond, a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched hydrocarbon group is mentioned. R <22> is a C1-C10 linear or branched hydrocarbon group, for example. Thereby, the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition can be reduced. Moreover, the effect of improving compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be made high. Moreover, Preferably it is especially preferable that it is a C1-C6 linear or branched hydrocarbon group.

상기 일반식 (24) 에서 나타나는 화합물로는 특별히 한정되는 것이 아니고, 페놀프탈린, 페놀프탈린의 유도체 등을 들 수 있다. 이에 의해, 페놀프탈린이 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감시킬 수 있다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 향상시키는 효과를 높게 할 수 있다.It does not specifically limit as a compound represented by the said General formula (24), A phenolphthalin, the derivative of a phenolphthalin, etc. are mentioned. Thereby, the phenolphthalin can reduce the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition. Moreover, the effect of improving compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be made high.

페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 수지 조성물 중, 바람직하게는 0.1 중량％ 이상 30 중량％ 이하, 더 바람직하게는 0.3 중량％ 이상 20 중량％ 이하, 특히 바람직하게는 0.5 중량％ 이상 15 중량％ 이하이다. 화합물 (E) 의 함유량이 상기 범위 내이므로 감광성 수지 조성물의 노광 및 현상 후의 잔사를 저감시키는 효과가 높아진다. 또, 감광성 수지 조성물을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 확보할 수 있다.Although content of the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group is not specifically limited, Preferably it is 0.1 weight% or more and 30 weight% or less in a photosensitive resin composition, More preferably, it is 0.3 weight% or more and 20 weight% or less, Especially preferably, they are 0.5 weight% or more and 15 weight% or less. Since content of a compound (E) exists in the said range, the effect of reducing the residue after exposure and image development of the photosensitive resin composition becomes high. Moreover, compatibility with the other resin component which comprises the photosensitive resin composition can be ensured.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 열경화성 수지 (F) 를 함유할 수 있다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물의 경화물에 의해 구성되는 솔더 레지스트와 구리 도금층과의 접착력이 높아진다.The photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can contain a thermosetting resin (F). Thereby, the adhesive force of the soldering resist comprised with the hardened | cured material of the photosensitive resin composition and a copper plating layer becomes high.

열경화성 수지 (F) 로는 특별히 한정되는 것이 아니며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀A 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레조르페놀 수지 등의 페놀 수지, 비스페놀A 에폭시 수지, 비스페놀F 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락에폭시 수지, 크레졸노볼락에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리아진 핵 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 에폭시 수지, 유리아(요소) 수지, 멜라민 수지 등의 트리아진 고리를 갖는 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 벤조옥사진 고리를 갖는 수지, 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 에폭시 수지가 감광성 수지 조성물의 자유 체적을 크게 할 수 있어서, 경화물의 투습율을 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다. 또, 감광성 수지 조성물의 경화물의 흡수율을 낮출 수 있다. 또, 투습율을 높일 수 있다는 점에서 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀메탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 또, 열경화성 수지 (F) 에는 비스페놀A 에폭시 수지, 비스페놀F 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지와 같은 반복 단위의 수가 1 개인 저분자량 화합물도 함유되고, 노볼락에폭시 수지, 크레졸노볼락에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지와 같은 반복 단위의 수가 2 개 이상인 고분자량 화합물도 함유된다.It does not specifically limit as a thermosetting resin (F), For example, phenol resins, such as novolak-type phenol resins, such as a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, and a resorphenol resin, bisphenol A epoxy Bisphenol-type epoxy resins, such as resin and bisphenol F epoxy resin, novolak-type epoxy resins, such as novolak epoxy resin and cresol novolak epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triazine core containing epoxy resin, and dish Epoxy resins such as clopentadiene type epoxy resins, trisphenol methane type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, silicone modified epoxy resins, resins having triazine rings such as free urea resins, melamine resins, unsaturated polyester resins, Bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, having a benzoxazine ring Resin, cyanate ester resin, and the like. Especially, an epoxy resin is preferable at the point which can enlarge the free volume of the photosensitive resin composition, and can improve the water vapor transmission rate of hardened | cured material. Moreover, the water absorption of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition can be lowered. Moreover, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, and the trisphenol methane type epoxy resin are especially preferable at the point which can improve a moisture vapor transmission rate. The thermosetting resin (F) also contains a low molecular weight compound having a single number of repeating units, such as a bisphenol-type epoxy resin such as a bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F epoxy resin, and includes a novolac epoxy resin and a cresol novolac epoxy resin. Also included are high molecular weight compounds having two or more repeating units, such as novolac epoxy resins.

열경화성 수지 (F) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 수지 조성물 중, 바람직하게는 10 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 보다 바람직하게는 15 중량％ 이상 65 중량％ 이하이다. 특히 바람직하게는 20 중량％ 이상 60 중량％ 이하이다. 열경화성 수지 (F) 의 함유량이 상기 범위 내이므로 솔더 레지스트와 구리 도금층의 접착력을 높게 할 수 있다. 또, 솔더 레지스트의 기계 특성을 높게 할 수 있다.Although content of a thermosetting resin (F) is not specifically limited, Preferably it is 10 weight% or more and 70 weight% or less in the photosensitive resin composition. More preferably, they are 15 weight% or more and 65 weight% or less. Especially preferably, they are 20 weight% or more and 60 weight% or less. Since content of a thermosetting resin (F) exists in the said range, the adhesive force of a soldering resist and a copper plating layer can be made high. Moreover, the mechanical characteristic of a soldering resist can be made high.

열경화성 수지 (F) 로 에폭시 수지를 이용하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 에폭시 수지의 경화제로 작용하는 화합물을 함유할 수 있다. 열경화성 수지 (F) 에 관한 에폭시 수지의 경화제로 작용하는 화합물로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 페놀 유도체, 카르복실산 유도체, 이미다졸류 등을 들 수 있다. 그 중에서도 페놀 유도체가 노광 및 현상 시에 용해 촉진제로서의 작용을 갖는다. 또, 솔더 레지스트의 기계 특성이 우수하다.When using an epoxy resin as a thermosetting resin (F), the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can contain the compound which acts as a hardening | curing agent of an epoxy resin. It does not specifically limit as a compound which acts as a hardening | curing agent of the epoxy resin concerning a thermosetting resin (F), A phenol derivative, a carboxylic acid derivative, imidazole, etc. are mentioned. Especially, a phenol derivative has a function as a dissolution promoter at the time of exposure and image development. Moreover, the mechanical characteristics of a soldering resist are excellent.

열경화성 수지 (F) 에 관한 에폭시 수지의 경화제로 작용하는 페놀 유도체로는 페놀노볼락 수지, 페닐렌 골격을 갖는 페놀아르알킬 수지, 트리스페닐메탄형 페놀 수지, 비페닐아르알킬형 페놀 수지, α-나프톨아르알킬형 페놀 수지, β-나프톨아르알킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 페놀노볼락 수지가 노광 및 현상 후의 잔사를 저감하는 효과가 높아진다는 점에서 바람직하다.As a phenol derivative which acts as a hardening | curing agent of the epoxy resin regarding a thermosetting resin (F), a phenol novolak resin, the phenol aralkyl resin which has a phenylene skeleton, a trisphenylmethane type phenol resin, a biphenyl aralkyl type phenol resin, (alpha)- Naphthol aralkyl type phenol resin, (beta) -naphthol aralkyl type phenol resin, etc. are mentioned. Especially, a phenol novolak resin is preferable at the point which the effect of reducing the residue after exposure and image development becomes high.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 에는 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 자외선 흡수제, 레벨링제, 커플링제, 산화 방지제 등의 첨가제를 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can contain additives, such as a ultraviolet absorber, a leveling agent, a coupling agent, and antioxidant, in the range which does not impair the objective of this invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 무기 충전재를 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can contain an inorganic filler.

현상 후의 잔류물의 저감 요구가 높은 경우에는, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 무기 충전재의 함유량이 감광성 수지 조성물 전체의 0 중량％ 보다 크고 5 중량％ 이하인 것이 바람직하다.When the reduction request | requirement of residue after image development is high, content of the inorganic filler of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is more than 0 weight% of the whole photosensitive resin composition, and is 5 weight% or less. It is preferable.

한편, 내열성이나 치수 안정성, 내습성 등의 특성의 요구가 높은 경우에는, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 무기 충전재를 더욱 함유할 수 있다. 이와 같은 무기 충전재로는, 예를 들어 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염, 산화티탄, 알루미나, 용융 실리카 (용융 구상 (球狀) 실리카, 용융 파쇄 실리카), 결정 실리카 등의 실리카 분말 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소 등의 질화물 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전재는 1 종 단독이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 된다. 이들 중, 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카 분말이 바람직하고, 구상 용융 실리카가 특히 바람직하다.On the other hand, when the demand of characteristics, such as heat resistance, dimensional stability, and moisture resistance, is high, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can contain an inorganic filler further. As such an inorganic filler, for example, talc, calcined clay, unbaked clay, mica, silicate such as glass, titanium oxide, alumina, fused silica (fused spherical silica, fused crushed silica), crystalline silica, etc. Oxides such as silica powder, carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate and hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide, sulfates such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite or sulfite, zinc borate and metaborate Borate salts, such as barium, aluminum borate, calcium borate, and sodium borate, nitrides, such as aluminum nitride, boron nitride, and silicon nitride, etc. are mentioned. These inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds. Among these, silica powders such as fused silica and crystalline silica are preferable, and spherical fused silica is particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 이 무기 충전제를 함유함으로써 감광성 수지 조성물을 경화시킨 후의 내열성, 내습성, 강도 등이 높아진다. 또, 무기 충전재의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 진구상인 것이 바람직하다.Heat resistance, moisture resistance, strength, etc. after hardening the photosensitive resin composition become high because the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention contain an inorganic filler. Moreover, although the shape of an inorganic filler is not specifically limited, It is preferable that it is a spherical shape.

무기 충전재의 평균 입자경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 5 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하, 특히 바람직하게는 10 ㎚ 이상 30 ㎚ 이하이다. 무기 충전재의 평균 입자경이 상기 범위 미만이면 무기 충전재가 응집하기 쉬워지므로 감광성 수지 조성물 중에서 무기 충전재의 분포에 편차가 발생하는 경우가 있다. 또, 상기 범위를 초과하면 노광 및 현상에 의한 해상성이 지나치게 낮아지는 경우가 있다.Although the average particle diameter of an inorganic filler is not specifically limited, Preferably it is 5 nm or more and 50 nm or less, Especially preferably, it is 10 nm or more and 30 nm or less. When the average particle diameter of the inorganic filler is less than the above range, the inorganic filler tends to aggregate, so that a variation occurs in the distribution of the inorganic filler in the photosensitive resin composition. Moreover, when the said range is exceeded, the resolution by exposure and image development may become low too much.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 사용 방법의 형태예로는, 예를 들어 페이스트상의 감광성 수지 조성물을 조제하고, 얻어지는 페이스트상의 감광성 수지 조성물을 실리콘 기판에 도포하는 방법을 들 수 있다. 또, 용매에 용해 또는 분산시킨 감광성 수지 조성물을 실리콘 기판에 도포한 후, 용매를 휘발 제거시키는 방법이어도 된다. 또, 수지 시트상에 형성시킨 필름상의 감광성 수지 조성물 (접착 필름) 을 실리콘 기판에 압착하는 방법 등이어도 된다.As a form example of the usage method of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention, the paste-form photosensitive resin composition obtained by preparing a paste-form photosensitive resin composition, for example is provided to a silicon substrate. The method of apply | coating is mentioned. Moreover, after apply | coating the photosensitive resin composition melt | dissolved or disperse | distributed in the solvent to a silicon substrate, the method of volatilizing removing a solvent may be sufficient. Moreover, the method of crimping | bonding the film-form photosensitive resin composition (adhesive film) formed on the resin sheet to a silicon substrate, etc. may be sufficient.

이들 중, 필름상의 감광성 수지 조성물 (접착 필름) 을 압착하는 방법이 미세 가공성이 우수한 점 및 감광성 수지 조성물층의 두께를 일정하게 유지하는 것이 용이해지는 점에서 바람직하다.Among these, the method of crimping | bonding a film-form photosensitive resin composition (adhesive film) is preferable at the point which is excellent in the fine workability, and it becomes easy to keep the thickness of the photosensitive resin composition layer constant.

필름 상태의 감광성 수지 조성물 (접착 필름) 의 제작 방법은 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 적당한 유기 용제 (예를 들어, N-메틸-2-피롤리돈, 아니솔, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 아세트산에틸 등) 중에서 혼합한다. 이어서, 지지체가 되는 수지 시트 등에 도포 및 건조하여 필름상의 감광성 수지 조성물 (접착 필름) 을 제작할 수 있다.The following method is mentioned as a manufacturing method of the photosensitive resin composition (adhesive film) of a film state. First, the photosensitive resin composition (1) of this invention or the photosensitive resin composition (2) of this invention is made into the suitable organic solvent (for example, N-methyl- 2-pyrrolidone, anisole, methyl ethyl ketone, toluene, acetic acid). Ethyl and the like). Subsequently, it can apply | coat and dry to the resin sheet etc. used as a support body, and can produce a film-form photosensitive resin composition (adhesive film).

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치를 비롯하여 얼라이먼트 공정을 거치는 반도체 장치의 제조에 사용되는 솔더 레지스트를 형성할 수 있다. 상기 서술한 바와 같이, 가시광을 투과하고 또한 그 경화물이 솔더 레지스트의 기능을 갖는다. 그리고 그 솔더 레지스트가 적외선의 차광성을 갖는다.The photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can form the soldering resist used for manufacture of the semiconductor device through an alignment process, including the CMOS image sensor photodetector. As described above, the visible light is transmitted and the cured product has a function of a solder resist. The solder resist has infrared light blocking properties.

이상과 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 경화 전의 감광성 수지 조성물이 가시광의 투과성을 갖는다. 이에 의해, 얼라이먼트시에 실리콘 기판에 인자된 얼라이먼트 마크를 육안으로 인식할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 경화물이 적외선의 차광성을 갖는다. 이에 의해, 감광성 수지 조성물의 경화 후에 실리콘 기판의 하면 측에서 적외선이 들어오는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 감광성 수지 조성물의 경화물이 솔더 레지스트에 필요한 성능을 갖는다. 구체적으로는 내열성, 내약품성, 절연성, 내습성, 낮은 휨성, 얼라이먼트성을 갖는다.As mentioned above, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention have visible light transmittance before hardening. Thereby, the alignment mark printed on the silicon substrate at the time of alignment can be visually recognized. In the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention, hardened | cured material has infrared light-shielding property. Thereby, infrared rays can be prevented from entering from the lower surface side of a silicon substrate after hardening of the photosensitive resin composition. Moreover, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention have the performance which the hardened | cured material of the photosensitive resin composition requires for a soldering resist. Specifically, it has heat resistance, chemical resistance, insulation, moisture resistance, low warpage, and alignment.

그리고 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 가시광의 투과성은, 주로 알칼리 가용성 수지 (A) 의 가시광의 투과성에 의해 결정된다. 따라서, 알칼리 가용성 수지 (A) 는 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하의 파장의 가시광을 투과하는 것과 같은 수지이다. 따라서, 알칼리 가용성 수지 (A) 는 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하의 파장의 가시광을 흡수하는 관능기 또는 분자 구조를 갖지 않는 수지이다. 또는, 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하의 파장의 가시광을 흡수하는 관능기 또는 분자 구조를 얼라이먼트가 가능한 정도의 양밖에 갖고 있지 않은 수지이다. 또, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 분자 구조나 관능기는, 경화 전의 감광성 수지 조성물층의 가시광의 투과성이 바람직하게는 경화 전의 감광성 수지 조성물층의 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치가 5.0 ％ 이상이 되도록 적절히 선택된다. 특히 바람직하게는 7.0 ％ 이상이 되도록 적절히 선택된다. 이에 의해, 경화 전의 감광성 수지 조성물층의 가시광의 투과성이 상기 하한치 이상이므로 얼라이먼트 공정에서 요구되는 가시광의 투과성을 가질 수 있다.And the transmittance | permeability of the visible light of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is mainly determined by the transmittance of the visible light of alkali-soluble resin (A). Therefore, alkali-soluble resin (A) is resin which permeate | transmits visible light of the wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less. Therefore, alkali-soluble resin (A) is resin which does not have a functional group or molecular structure which absorbs visible light of the wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less. Or it is resin which has only the quantity which can be aligned with the functional group or molecular structure which absorbs visible light of the wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less. Moreover, the molecular structure and functional group of alkali-soluble resin (A) have the transmittance | permeability of the visible light of the photosensitive resin composition layer before hardening, Preferably the maximum value of the visible light transmittance in 400 nm-700 nm of the photosensitive resin composition layer before hardening is 5.0. It is suitably selected to be% or more. Especially preferably, it is suitably selected so that it may be 7.0% or more. Thereby, since the transmittance | permeability of the visible light of the photosensitive resin composition layer before hardening is more than the said lower limit, it can have the transmittance of the visible light calculated | required by the alignment process.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는 가시광을 투과하는 성질을 갖는다. 더욱 구체적으로는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광의 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상이다. 보다 바람직하게는 10 ％ 이상이다. 특히 바람직하게는 15 ％ 이상이다. 또, 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 광의 투과율의 최대치는 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하의 파장 범위에서 투과율이 최대가 되는 파장의 투과율 값이다. 상기 범위이므로 얼라이먼트시에 실리콘 기판의 하면에 인자된 얼라이먼트 마크를 눈으로 확인할 수 있다.The photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention have a property which permeate | transmits visible light. More specifically, the maximum value of the transmittance of visible light in the wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is 5.0% or more. More preferably, it is 10% or more. Especially preferably, it is 15% or more. Moreover, the maximum value of the transmittance | permeability of the light in wavelength 400nm or more and 700nm or less is the transmittance | permeability value of the wavelength whose transmittance becomes the largest in the wavelength range of 400nm or more and 700nm or less. Since it is the said range, the alignment mark printed on the lower surface of a silicon substrate at the time of alignment can be visually confirmed.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율은, 그들 경화물의 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외선 투과율도 고려하여 적외선 흡수제 (D) 의 함유량 등을 조정한다. 구체적으로는, 상기와 같이 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는, 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치가 5 ％ 이상인 것이 바람직하다. 또, 그들 경화물의 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외선 투과율의 최소치가 15 ％ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 제조 공정에서의 얼라이먼트 마크의 시인성이 되고, 또한, 적외선에 의한 수광 장치의 오동작을 방지할 수 있다.Moreover, the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is the infrared ray transmittance degree in the wavelength 800nm or more and 2500nm or less of these hardened | cured material. In consideration, content of an infrared absorber (D), etc. are adjusted. Specifically, it is preferable that the maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is 5% or more as mentioned above. Moreover, it is preferable that the minimum value of the infrared transmittance in wavelength 800nm or more and 2500nm or less of these hardened | cured material is 15% or less. Thereby, visibility of the alignment mark in a manufacturing process can be made, and the malfunction of the light receiving apparatus by infrared rays can be prevented.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물은 적외선을 흡수하는 성질을 갖는다. 더욱 구체적으로는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물, 즉 솔더 레지스트 등의 보호막의 최대 흡수 파장은 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있다.The hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention have a property which absorbs infrared rays. More specifically, the maximum absorption wavelength of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention, ie, a soldering resist, is the range whose wavelength is 800 nm or more and 2500 nm or less. Is in.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물의 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외선 투과율의 최소치는 15 ％ 이하이다. 또한, 상기 투과율은 바람직하게는 1 ％ 이상 15 ％ 이하이며, 특히 바람직하게는 2 ％ 이상 10 ％ 이하이다. 또, 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외선 투과율의 최소치는 상기 파장 범위에서 최대 흡수 파장이 되는 투과율의 값이다. 즉, 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 투과율의 최소치가 15 ％ 이하인 것은, 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 파장 범위에 존재하는 최대 흡수 파장의 투과율의 값이 15 ％ 이하임을 나타낸다. 이에 의해, 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외광 투과율의 최소치를 상기 상한치 이하로 함으로써, 실리콘 기판의 하면에서 침입한 적외광은 강도가 충분히 약해지므로 수광 소자가 오동작하는 경우가 없다.Moreover, the minimum value of the infrared transmittance in wavelength 800nm or more and 2500nm or less of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention is 15% or less. Moreover, the said transmittance becomes like this. Preferably they are 1% or more and 15% or less, Especially preferably, they are 2% or more and 10% or less. Moreover, the minimum value of the infrared ray transmittance in wavelength 800nm or more and 2500nm or less is a value of the transmittance which becomes a maximum absorption wavelength in the said wavelength range. That is, the minimum value of 15% or less of the transmittance | permeability in wavelength 800nm or more and 2500nm or less shows that the value of the transmittance | permeability of the maximum absorption wavelength which exists in the wavelength range of wavelength 800nm or more and 2500nm or less is 15% or less. Thereby, by making the minimum value of the infrared light transmittance in wavelength 800nm or more and 2500nm or less into the said upper limit or less, the intensity | strength of the infrared light which penetrated from the lower surface of a silicon substrate will become weak enough, and a light receiving element will not malfunction.

본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 파장 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 자외선 투과율의 최소치는 바람직하게는 35 ％ 이하이다. 특히 바람직하게는 30 ％ 이하이다. 또, 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하에서의 자외선 투과율의 최소치가 35 ％ 이하라는 것은 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 파장 범위에서의 최대 흡수 파장의 투과율의 값이 35 ％ 이하임을 나타낸다. 이에 의해, 노광 공정에서 자외선인 노광광을 조사할 때에 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 을 효율 좋게 반응시킬 수 있다.Preferably the minimum value of the ultraviolet transmittance of 360 nm or more and 400 nm or less of the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention is 35% or less. Especially preferably, it is 30% or less. Moreover, that the minimum value of the ultraviolet transmittance in 360 nm or more and 400 nm or less is 35% or less indicates that the value of the transmittance | permeability of the maximum absorption wavelength in the wavelength range of 360 nm or more and 400 nm or less is 35% or less. Thereby, when irradiating exposure light which is an ultraviolet-ray in an exposure process, the photosensitive resin composition (1) of this invention and the photosensitive resin composition (2) of this invention can be made to react efficiently.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물의 절연성은 1.0×109 Ω 이상, 바람직하게는 1.0×1010 Ω 이상이다. 또, 절연성은 선폭 20 ㎛ 구리 단자, 선간 20 ㎛ 의 기판에 감광성 수지 조성물을 첩부 (貼付) 해서 180 ℃, 5 시간 열경화시킨 후, 절연 저항계 (10 v 인가) 에 의해 측정되는 인접 구리 단자 사이의 절연 저항값이다. 이에 의해, 각각의 땜납 볼이 탑재되는 배선 회로 간의 절연성을 유지할 수 있다.Moreover, the insulation property of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention is 1.0 * 10 <9> Pa or more, Preferably it is 1.0 * 10 <10> Pa or more. Insulation property is between 20-micrometer-wide copper terminals and between 20-micrometer-long board | substrates, after bonding the photosensitive resin composition and thermosetting 180 degreeC for 5 hours, between adjacent copper terminals measured by an insulation ohmmeter (10v application). Is the insulation resistance of. Thereby, insulation between the wiring circuits in which each solder ball is mounted can be maintained.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물의 내열성은 260 ℃ 에서의 탄성률을 지표로 하여, 260 ℃ 의 탄성률이 1 MPa 이상 1000 MPa 이하이다. 바람직하게는 3 MPa 이상 800 MPa 이하이다. 또, 260 ℃ 에서의 탄성률은 동적 점탄성 측정 장치 (DMA) (주파수： 10 ㎐, 승온 속도：3 ℃／분) 에 의해 측정되는 값이다. 이에 의해, 수광 장치의 실리콘 기판과 회로 기판을 땜납 접속하는 공정에서 실리콘 기판의 강성을 유지할 수 있다.Moreover, the heat resistance of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention is taken as the index of elasticity in 260 degreeC, and the elasticity modulus of 260 degreeC is 1 MPa or more and 1000 MPa or less to be. Preferably they are 3 MPa or more and 800 MPa or less. Moreover, the elasticity modulus at 260 degreeC is a value measured by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (DMA) (frequency: 10 Hz, temperature increase rate: 3 degree-C / min). As a result, the rigidity of the silicon substrate can be maintained in the step of soldering the silicon substrate of the light receiving device to the circuit board.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물은 플럭스 내성을 갖는다. 또, 플럭스 내성, 즉, 내약품성은 하기와 같이 측정한다. 먼저, 감광성 수지 조성물을 반도체 웨이퍼에 부착한다. 이어서, 파장 365 ㎚, 노광량 700 mJ/cm2 의 조건으로 노광한다. 이어서, 180 ℃, 5 시간의 조건에 의해 열경화시킨다. 이어서, 땜납 페이스트로 M34-226C-21-10.8H (센쥬 금속 공업 주식회사 제조) 을 감광성 수지 조성물 위에 바르고, 핫 플레이트에서 250 ℃, 10 분간 가열하여 땜납을 응집시킨다. 이어서, 플럭스 세정액인 파인알파 ST-1000 SX (아라카와 화학 공업 주식회사 제조) 를 이용하여 70 ℃, 10 분의 조건으로 감광성 수지 조성물 위의 플럭스를 세정한다. 또, 순수를 이용하여 45 ℃, 1 분＋25 ℃, 1 분의 조건으로 세정한다. 그 후, 감광성 수지 조성물의 표면 상태를 현미경으로 관찰함으로써 내약품성을 측정할 수 있다. 이와 같이, 플럭스 내성을 가지고 있음에 따라 플럭스에 의해 용해 또는 팽윤하는 일이 없다.Moreover, the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention have flux tolerance. In addition, flux tolerance, ie, chemical resistance, is measured as follows. First, the photosensitive resin composition is affixed on a semiconductor wafer. Next, it exposes on the conditions of wavelength 365nm and exposure amount 700mJ / cm <2> . Next, it thermosets on 180 degreeC and the conditions of 5 hours. Subsequently, M34-226C-21-10.8H (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is applied over the photosensitive resin composition with a solder paste, and heated at 250 ° C. for 10 minutes on a hot plate to agglomerate solder. Subsequently, the flux on the photosensitive resin composition is wash | cleaned on 70 degreeC and the conditions of 10 minutes using fine alpha ST-1000SX (made by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.) which is a flux washing | cleaning liquid. Moreover, it wash | cleans on 45 degreeC, 1 minute +25 degreeC, and 1 minute conditions using pure water. Then, chemical resistance can be measured by observing the surface state of the photosensitive resin composition with a microscope. In this manner, as the resin has flux resistance, it does not dissolve or swell by the flux.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물의 내습성은 흡수율을 지표로 하며, 흡수율이 5 ％ 이하, 바람직하게는 3 ％ 이하이다. 이에 의해, 배선 회로의 부식을 방지할 수 있다.Moreover, moisture resistance of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention makes water absorption an index, and water absorption is 5% or less, Preferably it is 3% or less. Thereby, corrosion of a wiring circuit can be prevented.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 및 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물의 낮은 휨성에 관해서는 유리 전이 온도 이하의 선팽창 계수 (α1) 및 실온에서의 탄성률을 지표로 하며, α1 이 예를 들어 1 ppm/℃ 이상 200 ppm/℃ 이하이다. 바람직하게는 3 ppm/℃ 이상 150 ppm/℃ 이하이다. 또, 실온의 탄성률이 0.1 GPa 이상 10 GPa 이하이다. 바람직하게는 0.3 GPa 이상 8 GPa 이하이다. 또, 유리 전이 온도 이하의 선팽창 계수 (α1) 는 열 기계 특성 측정 장치 (TMA)(모드： 인장 , 하중： 30 mN, 승온 속도： 5 ℃／분) 로 측정되는 값이다. 또, 실온에서의 탄성률은 동적 점탄성 측정 장치 (DMA) (주파수： 10 ㎐, 승온 속도：3 ℃／분) 로 측정되는 값이다. 이에 의해, 유리 전이 온도 이하의 선팽창 계수 (α1) 및 실온에서의 탄성률이 상기 범위 내이므로 수광 장치의 휘어짐을 방지할 수 있다.Moreover, regarding the curvature of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (1) of this invention, and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition (2) of this invention, the linear expansion coefficient ((alpha) 1) below glass transition temperature and the elasticity modulus at room temperature are used as an index. And α1 is, for example, 1 ppm / ° C or higher and 200 ppm / ° C or lower. Preferably they are 3 ppm / degrees C or more and 150 ppm / degrees C or less. Moreover, the elasticity modulus of room temperature is 0.1 GPa or more and 10 GPa or less. Preferably they are 0.3 GPa or more and 8 GPa or less. Moreover, the linear expansion coefficient (alpha) 1 below glass transition temperature is a value measured by the thermomechanical characteristic measuring apparatus (TMA) (mode: tension, load: 30 mN, temperature increase rate: 5 degree-C / min). Moreover, the elasticity modulus at room temperature is a value measured with a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (DMA) (frequency: 10 Hz, temperature rising rate: 3 degree-C / min). Thereby, since the linear expansion coefficient (alpha) 1 below glass transition temperature and the elasticity modulus in room temperature are in the said range, curvature of a light receiving device can be prevented.

이상의 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 는, 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물로 바람직하게 이용된다. 이와 같은 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치는, 광소자로 이루어지는 CMOS 이미지 센서가 탑재되어 있는 실리콘 기판과, 투명 기판과, 그 CMOS 이미지 센서와 그 투명 기판 사이의 간극을 규정하는 스페이서를 갖고, 그 실리콘 기판에는 비어홀이 형성되어 있으며, 그 비어홀의 내면에 형성되어 있는 배선 회로에 의해 그 실리콘 기판의 상면의 배선 회로와 그 실리콘 기판의 하면의 배선 회로가 접속되어 있고, 그 실리콘 기판의 하면에는 솔더 레지스트가 형성되어 있으며, 그 실리콘 기판의 하면의 배선 회로와 회로 기판의 배선 회로가 땜납 접속에 의해 접속되는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치이다.The photosensitive resin composition (1) of the above this invention or the photosensitive resin composition (2) of this invention are used suitably as the photosensitive resin composition for soldering resists of the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size. Such a chip size CMOS image sensor-mounted light receiving device has a silicon substrate on which a CMOS image sensor composed of optical elements is mounted, a transparent substrate, and a spacer defining a gap between the CMOS image sensor and the transparent substrate. A via hole is formed in the silicon substrate, and the wiring circuit on the upper surface of the silicon substrate and the wiring circuit on the lower surface of the silicon substrate are connected by a wiring circuit formed on the inner surface of the via hole. A resist is formed, and it is a chip size CMOS image sensor mounting photodetector with which the wiring circuit of the lower surface of this silicon substrate, and the wiring circuit of a circuit board are connected by solder connection.

또, 본 발명의 수광 장치는 광소자로 이루어지는 CMOS 이미지 센서가 탑재되어 있는 실리콘 기판과, 투명 기판과, 그 CMOS 이미지 센서와 그 투명 기판 사이의 간극을 규정하는 스페이서를 갖고, 그 실리콘 기판에는 비어홀이 형성되어 있으며, 그 비어홀의 내면에 형성되어 있는 배선 회로에 의해, 그 실리콘 기판의 상면의 배선 회로와 그 실리콘 기판의 하면의 배선 회로가 접속되어 있고, 그 실리콘 기판의 하면에는 솔더 레지스트가 형성되어 있으며, 그 실리콘 기판의 하면의 배선 회로와 회로 기판의 배선 회로가 땜납 접속에 의해 접속되는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치이며, 그 솔더 레지스트가 본 발명의 감광성 수지 조성물 (1) 의 경화물 또는 본 발명의 감광성 수지 조성물 (2) 의 경화물인 것을 특징으로 하는 수광 장치이다.In addition, the light receiving device of the present invention has a silicon substrate on which a CMOS image sensor made of an optical element is mounted, a transparent substrate, and a spacer defining a gap between the CMOS image sensor and the transparent substrate. The wiring circuit formed on the inner surface of the via hole is connected to the wiring circuit on the upper surface of the silicon substrate and the wiring circuit on the lower surface of the silicon substrate, and a solder resist is formed on the lower surface of the silicon substrate. And a CMOS image sensor-mounted light receiving device having a chip size in which a wiring circuit on a lower surface of the silicon substrate and a wiring circuit of a circuit board are connected by solder connection, and the solder resist is a cured product of the photosensitive resin composition (1) of the present invention. Or a cured product of the photosensitive resin composition (2) of the present invention.

또, 본 발명의 수광 장치의 솔더 레지스트는 단면적에 대해 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 면적비가 0.1 ％ 이상 30 ％ 이하인 필름상의 감광성 수지 조성물 (접착 필름) 을 라미네이트함으로써 형성된 것이다. 상기한 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 면적비는 바람직하게는 5 ％ 이상 30 ％ 이하이다. 여기서, 솔더 레지스트의 단면적 중, 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 「면적비」는 예를 들어 이하의 방법으로 측정한다. 먼저, 접착 필름에 의해 형성한 솔더 레지스트의 일부를 자른다. 이어서, 자른 부분의 일부를 무작위로 추출하고, 그 단면을 SEM 관찰한다. 이어서, 솔더 레지스트 중에서의 적외선 흡수제 (D) 의 입자를 관찰한다. 이때, 입자의 형상을 인식할 수 있는 적절한 배율에 있어서 그 화상을 2 값화한다. 이어서, 상기 배율에서의 관찰 영역 내에서 적외선 흡수제 (D) 의 입자가 차지하는 면적비를 계산한다. 이 계측을 상이한 단면에서 수십 회 반복해서 상기한 면적비를 평균화한다. 이와 같이 하여 솔더 레지스트의 단면적 중, 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 「면적비」를 얻는다. 또, 상기한 면적비의 계측방법은 적외선 흡수제 (D) 가 예를 들어 무기 입자인 경우에 바람직하게 계측할 수 있다.Moreover, the soldering resist of the light receiving apparatus of this invention is formed by laminating the film-form photosensitive resin composition (adhesive film) whose area ratio which an infrared absorber (D) occupies with respect to a cross-sectional area is 0.1% or more and 30% or less. The area ratio occupied by the infrared absorber (D) is preferably 5% or more and 30% or less. Here, the "area ratio" which the infrared absorber (D) occupies among the cross-sectional areas of a soldering resist is measured, for example by the following method. First, a part of soldering resist formed with the adhesive film is cut out. Subsequently, a part of cut part is extracted at random, and the cross section is observed by SEM. Next, the particle | grains of an infrared absorber (D) in a soldering resist are observed. At this time, the image is binarized at an appropriate magnification capable of recognizing the shape of the particles. Next, the area ratio which the particle | grains of an infrared absorber (D) occupy in the observation area | region at the said magnification is calculated. This measurement is repeated for several tens of times in different cross sections and averaged. In this way, the "area ratio" occupied by the infrared absorber (D) is obtained in the cross-sectional area of the solder resist. Moreover, the measuring method of said area ratio can be measured suitably when an infrared absorber (D) is an inorganic particle, for example.

상기와 같이, 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 면적비가 상기한 하한치 이상이므로, 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외선 투과율의 최소치를 15 ％ 이하로 할 수 있다. 이에 의해, 실리콘 기판의 하면 측에서 적외선이 들어오는 것을 억제하여 수광 소자의 오동작을 방지할 수 있다. 또, 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 면적비가 상기한 상한치 이하이므로 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치를 5.0 ％ 이상으로 할 수 있다. 이에 의해, 얼라이먼트시에 실리콘 기판의 하면에 인자된 얼라이먼트 마크를 육안으로 인식할 수 있다.As mentioned above, since the area ratio which an infrared absorber (D) occupies is more than the said lower limit, the minimum value of the infrared transmittance in wavelength 800nm or more and 2500nm or less can be made into 15% or less. As a result, it is possible to prevent the infrared rays from entering from the lower surface side of the silicon substrate, thereby preventing malfunction of the light receiving element. Moreover, since the area ratio which an infrared absorber (D) occupies is below the said upper limit, the maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less can be made into 5.0% or more. Thereby, the alignment mark printed on the lower surface of a silicon substrate at the time of alignment can be recognized visually.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의거하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예 및 비교예에서는 수광 장치 등의 솔더 레지스트를 형성하기 위한 접착 필름을 작성한 예를 설명한다.Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this. In the following Example and the comparative example, the example which produced the adhesive film for forming soldering resists, such as a light receiving apparatus, is demonstrated.

(실시예 1) (Example 1)

1. 알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지 (광 및 열의 양방에서 경화 가능한 경화성 수지：메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지： MPN) 의 합성 비스페놀A형 노볼락 수지 (페놀라이트 LF-4871, 다이닛폰 잉크 화학사 제조) 의 고형분 60 ％ MEK 용액 500 g 을 2 ℓ 플라스크 중에 투입했다. 이어서, 이것에 촉매로서 트리부틸아민 1.5 g, 및 중합 금지제로서 하이드로퀴논 0.15 g 을 첨가하고, 100 ℃ 로 가온했다. 그 중에 글리시딜메타크릴레이트 180.9 g 을 30 분간 적하하고, 100 ℃ 에서 5 시간 교반 반응시켰다. 이에 의해, 비휘발분 74 ％ 의 메타크릴 변성 비스페놀A형 노볼락 수지 (MPN) (메타크릴 변성율 50 ％) 를 얻었다.1. Synthesis of resin having alkali-soluble group and double bond (curable resin curable in both light and heat: methacryl modified bisphenol A type phenol novolak resin: MPN) Bisphenol A type novolac resin (phenolite LF-4871, 500 g of a 60% solid content 60% MEK solution of Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. was charged into a 2 L flask. Subsequently, 1.5 g of tributylamines were added as a catalyst and 0.15 g of hydroquinone as a polymerization inhibitor, and it heated at 100 degreeC. Glycidyl methacrylate 180.9g was dripped in 30 minutes in that, and it stirred and reacted at 100 degreeC for 5 hours. Thereby, methacryl modified bisphenol A novolak resin (MPN) (methacryl modification rate 50%) of 74% of non volatile matter was obtained.

2. 수지 바니시의 조제2. Preparation of Resin Varnish

알칼리 가용성 수지 (A) 로서 상기의 메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지 (MPN) 57.0 중량％ 와, 광 중합 개시제로서 이르가큐어 651 (치바·스페셜리티·케미컬즈 주식회사 제조) 3.0 중량％ 와, 트리스페놀형 에폭시 수지 E1032H60 (재팬·에폭시 레진 주식회사 제조) 33.0 중량％ 와, 페놀 수지로서 페놀노볼락형 수지 PR53467 (스미토모 베이크라이트 주식회사 제조) 4.0 중량％ 와, 적외선 흡수제로 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 3.0 중량％ 를 메틸에틸케톤 (MEK, 다이신 화학사 제조) 에 용해하여 수지 바니시를 얻었다. 또, 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.57.0 weight% of said methacryl modified bisphenol-A phenol novolak resin (MPN) as alkali-soluble resin (A), 3.0 weight% of Irgacure 651 (made by Chiba Specialty Chemicals, Inc.) as a photoinitiator, 33.0 weight% of trisphenol-type epoxy resin E1032H60 (made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) and phenol novolak-type resin PR53467 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) as a phenol resin, and lanthanum boride LaB6-F (Nippon) 3.0 wt% of New Metal Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK, manufactured by Daishin Chemical Co., Ltd.) to obtain a resin varnish. In addition, lanthanum boride LaB6-F of an infrared absorber was formed by crushing on severe conditions.

3. 접착 필름의 조제 3. Preparation of Adhesive Film

상기 서술한 수지 바니시를 콤마 코터로 지지 기재 폴리에스테르 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조, RL-07, 두께 38 ㎛) 에 도포하고, 70 ℃, 10 분간 건조시켜서 막 두께 20 ㎛ 의 접착 필름을 얻었다.The resin varnish mentioned above was apply | coated to the support base polyester film (Teijin Dupont Film Co., Ltd. product, RL-07, thickness 38micrometer) with the comma coater, It dried at 70 degreeC for 10 minutes, and obtained the adhesive film of 20 micrometers in film thickness. .

(실시예 2) (Example 2)

알칼리 가용성 수지 (A) 로서 상기의 메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지 (MPN) 43.0 중량％ 와, 아크릴 수지로서 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트라이트에스테르 TMP (쿄에이샤 화학 주식회사 제조) 12.0 중량％ 와, 광 중합 개시제 (B) 로서 이르가큐어 651 (치바·스페셜리티·케미컬즈 주식회사 제조) 3.0 중량％ 와, 트리스페놀형 에폭시 수지 E1032H60 (재팬·에폭시 레진 주식회사 제조) 33.0 중량％ 와, 페놀 수지로서 페놀노볼락형 수지 PR53467 (스미토모 베이크라이트 주식회사 제조) 4.0 중량％ 와, 적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 5.0 중량％ 를 메틸에틸케톤 (MEK, 다이신 화학사 제조) 에 용해하여 수지 바니시를 얻었다. 접착 필름의 조제는 실시예 1 과 마찬가지로 실시했다. 또, 실시예 1 과 마찬가지로 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.43.0 weight% of said methacryl modified bisphenol-A phenol novolak resin (MPN) as alkali-soluble resin (A), and trimethylolpropane trimethacrylate light ester TMP (made by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 12.0 weight as acrylic resin %, Irgacure 651 (made by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 3.0 weight% as a photoinitiator (B), 33.0 weight% of trisphenol-type epoxy resin E1032H60 (made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), and a phenol resin 4.0 wt% of phenol novolak-type resin PR53467 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) and 5.0 wt% of lanthanum boride LaB6-F (manufactured by Nippon New Metal Co., Ltd.) as an infrared absorber were added to methyl ethyl ketone (MEK, manufactured by Daishin Chemical Co., Ltd.). It melt | dissolved and obtained the resin varnish. Preparation of the adhesive film was performed similarly to Example 1. In the same manner as in Example 1, lanthanum boride LaB6-F of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

(실시예 3)(Example 3)

알칼리 가용성 수지 (A) 로서 상기의 메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지 (MPN) 42.0 중량％ 와, 아크릴 수지로서 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트 라이트에스테르TMP (쿄에이샤 화학 주식회사 제조) 12.0 중량％ 와, 페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물로 디페놀산 (도쿄 화성공업 주식회사 제조) 1.0 중량％ 와, 광 중합 개시제 (B) 로서 이르가큐어 651 (치바·스페셜리티·케미컬즈 주식회사 제조) 3.0 중량％ 와, 트리스페놀형 에폭시 수지 E1032H60 (재팬·에폭시 레진 주식회사 제조) 33.0 중량％ 와, 페놀 수지로서 페놀노볼락형 수지 PR53467 (스미토모 베이크라이트 주식회사 제조) 4.0 중량％ 와, 적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 5.0 중량％ 를 메틸에틸케톤 (MEK, 다이신 화학사 제조) 에 용해하여 수지 바니시를 얻었다. 접착 필름의 조제는 실시예 1 과 마찬가지로 실시했다. 또, 실시예 1 과 마찬가지로 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.42.0 weight% of said methacryl modified bisphenol-A phenol novolak resin (MPN) as alkali-soluble resin (A), and trimethylol propane trimethacrylate light ester TMP (made by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 12.0 weight as acrylic resin %, Diphenolic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 1.0% by weight with a compound having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, and Irgacure 651 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 3.0% as the photopolymerization initiator (B). %, Trisphenol-type epoxy resin E1032H60 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) 33.0% by weight, phenol novolak-type resin PR53467 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) as phenol resin, and lanthanum boride LaB6- as infrared absorber 5.0 wt% of F (manufactured by Nippon New Metal Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK, manufactured by Daishin Chemical Co., Ltd.) to obtain a resin varnish. The. Preparation of the adhesive film was performed similarly to Example 1. In the same manner as in Example 1, lanthanum boride LaB6-F of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

(실시예 4) (Example 4)

아크릴 수지로서 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트 라이트에스테르TMP (쿄에이샤 화학 주식회사 제조) 의 배합량을 12.0 중량부에서 10.0 중량부로, 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 의 배합량을 5.0 중량％ 에서 7.0 중량％ 로 변경한 것 이외에는 실시예 2 와 마찬가지로 수지 바니시의 조제, 접착 필름의 조제를 실시했다. 또, 실시예 2 와 마찬가지로 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.From 12.0 parts by weight to 10.0 parts by weight of trimethylolpropane trimethacrylate light ester TMP (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) as the acrylic resin, 5.0% by weight of compounded amount of lanthanum boride LaB6-F (manufactured by Nippon New Metal Co., Ltd.) In the same manner as in Example 2, except that the weight was changed to 7.0% by weight, the resin varnish was prepared and the adhesive film was prepared. In the same manner as in Example 2, lanthanum boride LaB6-F of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

(실시예 5) (Example 5)

메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지 (MPN) 의 배합량을 43.0 중량％ 에서 45.0 중량％ 로, 또, 적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 5.0 중량％ 대신에 프탈로시아닌계 화합물 이엑스 컬러 910 (닛폰 촉매 주식회사 제조) 3.0 중량％ 를 사용한 것 이외에는 실시예 2 와 마찬가지로 수지 바니시의 조제, 접착 필름의 조제를 실시하였다.A phthalocyanine-based compound is used instead of 5.0 wt% of lanthanum boride LaB6-F (manufactured by Nippon Nippon Metal Co., Ltd.) from 43.0 wt% to 45.0 wt% as an infrared absorber. A resin varnish was prepared and an adhesive film was prepared in the same manner as in Example 2, except that 3.0 wt% of EX-EX Color 910 (manufactured by Nippon Catalyst Co., Ltd.) was used.

(실시예 6) (Example 6)

적외선 흡수제로서 프탈로시아닌계 화합물 이엑스 컬러 910 (닛폰 촉매 주식회사 제조) 3.0 중량％ 대신에 프탈로시아닌계 화합물 이엑스 컬러 906 (닛폰 촉매 주식회사 제조) 3.0 중량％ 를 이용한 것 이외에는 실시예 5 와 마찬가지로 수지 바니시의 조제, 접착 필름의 조제를 실시하였다.Preparation of the resin varnish in the same manner as in Example 5 except that 3.0 wt% of the phthalocyanine-based compound EX Color 906 (manufactured by Nippon Catalysts Co., Ltd.) was used instead of 3.0 wt% of the phthalocyanine-based compound EX Color 910 (manufactured by Nippon Catalysts Co., Ltd.) as the infrared absorber. And the adhesive film was prepared.

(실시예 7) (Example 7)

메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지 (MPN) 의 배합량을 43.0 중량％ 에서 42.0 중량％ 로, 또 적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 5.0 중량％ 를 디이모늄계 화합물 KAYASORB IRG-068 (닛폰 화약 주식회사 제조) 6.0 중량％ 로 변경한 것 이외에는 실시예 2 와 마찬가지로 수지 바니시의 조제, 접착 필름의 조제를 실시하였다. 또, 실시예 2 와 마찬가지로 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.The compounding quantity of methacryl modified bisphenol-A phenol novolak resin (MPN) is 43.0 weight%-42.0 weight%, and 5.0 weight% of lanthanum boride LaB6-F (made by Nippon Nippon Metal Co., Ltd.) as an infrared absorber is a dimonium type compound KAYASORB Except having changed into 6.0 weight% of IRG-068 (made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), preparation of the resin varnish and the adhesive film were carried out similarly to Example 2. In the same manner as in Example 2, lanthanum boride LaB6-F of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

(실시예 8) (Example 8)

적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 6.0 중량％ 를 주석 도프 산화인듐 ITO 분말 (미쓰비시 마테라알 전자 화성 주식회사 제조) 6.0 중량％ 로 변경한 것 이외에는 실시예 7 과 마찬가지로 수지 바니시의 조제, 접착 필름의 조제를 실시하였다. 또, 실시예 7 과 마찬가지로 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.Resin varnish in the same manner as in Example 7 except that 6.0% by weight of lanthanum boride LaB6-F (manufactured by Nippon New Metal Co., Ltd.) was changed to 6.0% by weight of tin-doped indium oxide ITO powder (manufactured by Mitsubishi Matera Real Electrochemical Co., Ltd.) as an infrared absorber. Was prepared and the adhesive film was prepared. In the same manner as in Example 7, lanthanum boride LaB6-F of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

(실시예 9) (Example 9)

적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 6.0 중량％ 를 안티몬 도프 산화주석 도전성 분말 T-1 (미쓰비시 마테라알 전자 화성 주식회사 제조 6.0 중량％ 로 변경한 것 이외에는 실시예 7 과 마찬가지로 수지 바니시의 조제, 접착 필름의 조제를 실시하였다. 또, 적외선 흡수제의 안티몬 도프 산화주석 도전성 분말 T-1 은 엄격한 조건으로 파쇄함으로써 형성하였다.As an infrared absorber, 6.0 wt% of lanthanum boride LaB6-F (manufactured by Nippon New Metal Co., Ltd.) was changed to 6.0 wt% of antimony-doped tin oxide conductive powder T-1 (manufactured by Mitsubishi Matera Real Electrochemical Co., Ltd.) as in Example 7. The resin varnish was prepared and the adhesive film was prepared, and the antimony-doped tin oxide conductive powder T-1 of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

(실시예 10) (Example 10)

알칼리 가용성 수지 (A) 로서 페놀노볼락 수지 S-3 (스미토모 베이크라이트 주 주식회사 제조) 54.0 중량％ 와, 에폭시 수지로 실리콘 변성 에폭시 수지 BY16-115 (도레이 다우코닝 실리콘 주식회사 제조) 29.0 중량부와, 광 중합 개시제 (B) 대신에 광산 발생제 (C) 로서 하기의 식에서 나타내는 트리스페놀과 나프토퀴논디아지드의 술폰산에스테르 9.0 중량％ 와, 적외선 흡수제로서 붕화란탄 LaB6-F (닛폰 신금속 주식회사 제조) 8.0 중량％ 를 메틸에틸케톤 (MEK, 다이신 화학사 제조) 에 용해하여 수지 바니시를 얻은 것 이외에는 접착 필름의 조제를 실시예 1 과 마찬가지로 실시했다. 또, 실시예 1 과 마찬가지로 적외선 흡수제의 붕화란탄 LaB6-F 는 엄격한 조건에서 파쇄함으로써 형성하였다.54.0 weight% of phenol novolak resin S-3 (made by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) as alkali-soluble resin (A), 29.0 weight part of silicone modified epoxy resin BY16-115 (made by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) with an epoxy resin, 9.0 wt% of sulfonic acid esters of trisphenol and naphthoquinone diazide represented by the following formula as photoacid generator (C) instead of photopolymerization initiator (B), and lanthanum boride LaB6-F (manufactured by Nippon New Metal Co., Ltd.) Preparation of the adhesive film was performed like Example 1 except having melt | dissolved 8.0 weight% in methyl ethyl ketone (MEK, the Daishin Chemical make), and obtained the resin varnish. In the same manner as in Example 1, lanthanum boride LaB6-F of the infrared absorber was formed by crushing under strict conditions.

[화학식 27] (27)

Figure pct00027
Figure pct00027

(비교예 1) (Comparative Example 1)

알칼리 가용성 수지 (A) 로서 상기의 메타크릴 변성 비스페놀A형 페놀노볼락 수지 (MPN) 45.0 중량％ 와, 아크릴 수지로 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트 라이트에스테르TMP (쿄에이샤 화학 주식회사 제조) 12.0 중량％ 와, 광 중합 개시제로 이르가큐어 651 (치바·스페셜리티·케미컬즈 주식회사 제조) 3.0 중량％ 와, 트리스페놀형 에폭시 수지 E1032H60 (재팬·에폭시 레진 주식회사 제조) 35.0 중량％ 와, 페놀 수지로 페놀노볼락형 수지 PR53467 (스미토모 베이크라이트 주식회사 제조) 5.0 중량％ 를 메틸에틸케톤 (MEK, 다이신 화학사 제조) 에 용해하여 수지 바니시를 얻은 것 이외에는 접착 필름의 조제를 실시예 1 과 마찬가지로 실시했다.45.0 weight% of said methacryl modified bisphenol-A phenol novolak resin (MPN) as alkali-soluble resin (A), and trimethylol propane trimethacrylate light ester TMP (made by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 12.0 weight with acrylic resin %, Irgacure 651 (made by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 3.0 wt% with a photopolymerization initiator, 35.0 wt% with trisphenol-type epoxy resin E1032H60 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), and phenol resin with phenol resin Preparation of the adhesive film was carried out similarly to Example 1 except having melt | dissolved 5.0 weight% of volak-type resin PR53467 (made by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) in methyl ethyl ketone (MEK, the Daishin Chemical make), and obtained the resin varnish.

1. 투과율 평가1. Evaluation of transmittance

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름은 분광 광도계 (UV-3100 PC, 시마즈 제작소사 제조) 에 의해 투과율을 측정했다. 여기서, 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 투과율이 최대가 되는 파장 및 그때의 투과율을 최대 투과율로 했다. 또, 파장 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하에서의 투과율이 최소가 되는 파장 (최대 흡수 파장) 및 그때의 투과율을 투과율 (i) 로 했다. 또, 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 투과율이 최소가 되는 파장 (최대 흡수 파장) 및 그때의 투과율을 투과율 (ii) 로 했다.The adhesive film obtained by each Example and the comparative example measured the transmittance | permeability by the spectrophotometer (UV-3100 PC, the Shimadzu Corporation make). Here, the wavelength in which the transmittance | permeability in wavelength 400nm or more and 700nm or less is maximum, and the transmittance | permeability at that time were made into the maximum transmittance | permeability. Moreover, the transmittance | permeability (i) and the wavelength (maximum absorption wavelength) at which the transmittance | permeability in wavelength 360 nm or more and 400 nm or less become the minimum were made into the transmittance | permeability (i). In addition, the wavelength (maximum absorption wavelength) and the transmittance at which the transmittance | permeability in wavelength 800nm or more and 2500nm or less become minimum were made into the transmittance | permeability (ii).

2. 절연성 평가2. Insulation Evaluation

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름은 하기와 같이 해서 절연성을 평가했다. 먼저, 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 선폭 20 ㎛ 구리 단자, 선간 20 ㎛ 의 기판에 부착한다. 이어서, 파장： 365 ㎚, 노광량： 700 mJ/㎠ 의 조건에서 노광했다. 또, 180 ℃, 5 시간의 조건에 의해 접착 필름을 열경화시켰다. 그 후, 절연 저항계 (10 v 인가) 에 의해, 인접 구리 단자 사이의 절연 저항값을 10 점 측정했다. 이어서, 그 평균치를 각 접착 필름의 측정치로 했다.The adhesive film obtained by each Example and the comparative example evaluated insulation as follows. First, the adhesive film obtained by each Example and the comparative example is affixed on the 20-micrometer line width copper terminal, and the board | substrate of 20 micrometers between lines. Subsequently, it exposed on the conditions of wavelength: 365 nm and exposure amount: 700 mJ / cm <2>. Moreover, the adhesive film was thermosetted on 180 degreeC and the conditions of 5 hours. Then, 10 points of insulation resistance values between adjacent copper terminals were measured by the insulation ohmmeter (10v application). Next, the average value was made into the measured value of each adhesive film.

3. 25 ℃ 및 260 ℃ 에서의 탄성률3. Elastic modulus at 25 ℃ and 260 ℃

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름은 하기와 같이 해서 탄성률을 평가했다. 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 파장： 365 ㎚, 노광량： 700 mJ/㎠ 의 조건에서 노광했다. 이어서, 180 ℃, 5 시간의 조건에 의해 열경화했다. 이어서, 동적 점탄성 측정장치 (DMA) 에 의해 주파수： 10 ㎐, 승온 속도： 3 ℃／분의 조건에서 저장 탄성률을 측정했다. 25 ℃ 및 260 ℃ 에서의 저장 탄성률을 각각 측정했다.The elasticity modulus evaluated the adhesive film obtained by each Example and the comparative example as follows. The adhesive film obtained by each Example and the comparative example was exposed on the conditions of wavelength: 365 nm and exposure amount: 700 mJ / cm <2>. Subsequently, it thermosetted on 180 degreeC and the conditions of 5 hours. Next, the storage elastic modulus was measured by the dynamic viscoelasticity measuring device (DMA) on the conditions of frequency: 10 Hz and a temperature increase rate: 3 degree-C / min. The storage elastic modulus at 25 degreeC and 260 degreeC was measured, respectively.

4. 플럭스 내성 4. Flux Resistant

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름은 하기와 같이 해서 플럭스 내성을 평가했다. 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 먼저 반도체 웨이퍼에 부착한다. 이어서, 파장： 365 ㎚, 노광량： 700 mJ/cm2 의 조건에서 노광했다. 또한, 180 ℃, 5 시간의 조건에 의해 접착 필름을 열경화시켰다. 이어서, 땜납 페이스트로서 M34-226C-21-10.8H (센쥬 금속 공업 주식회사 제조) 을 접착 필름 위에 도포했다. 이어서, 핫 플레이트에서 250 ℃, 10 분간 가열하여 땜납을 응집시켰다. 이어서, 플럭스 세정액인 파인알파 ST-1000 SX (아라카와 화학 공업 주식회사 제조) 를 이용하여 70 ℃, 10 분의 조건에서 접착 필름 상의 플럭스를 세정했다. 또, 순수를 이용하여 45 ℃, 1 분＋25 ℃, 1 분의 조건에서 세정했다. 그 후, 접착 필름의 표면 상태를 현미경으로 확인했다. 하기와 같이, 접착 필름의 표면 상태를 플럭스 내성으로 ○ × 로 평가했다.The adhesive film obtained by each Example and the comparative example evaluated flux tolerance as follows. The adhesive film obtained by each Example and the comparative example is first attached to a semiconductor wafer. Subsequently, it exposed on the conditions of wavelength: 365 nm and exposure amount: 700 mJ / cm <2> . Moreover, the adhesive film was thermosetted on condition of 180 degreeC and 5 hours. Next, M34-226C-21-10.8H (made by Senju Metal Industry Co., Ltd.) was apply | coated on an adhesive film as a solder paste. Subsequently, the solder was agglomerated by heating at 250 ° C. for 10 minutes on a hot plate. Subsequently, the flux on the adhesive film was wash | cleaned on 70 degreeC and the conditions of 10 minutes using fine alpha ST-1000SX (made by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.) which is a flux washing | cleaning liquid. Moreover, it wash | cleaned on 45 degreeC, 1 minute +25 degreeC, and 1 minute conditions using pure water. Then, the surface state of the adhesive film was confirmed with the microscope. As follows, the surface state of an adhesive film was evaluated as (circle) x by flux tolerance.

○ ： 약액 처리 전후로 표면 상태에 차이가 보이지 않는다.(Circle): The difference in surface state is not seen before and after chemical liquid treatment.

×： 약액 처리 전후로 표면에 주름, 팽윤이 관찰된다.X: Wrinkles and swelling are observed on the surface before and after chemical liquid treatment.

5. 흡수율 평가5. Absorption Rate Evaluation

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름은 하기와 같이 해서 흡수율을 평가했다. 먼저, 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 60 ℃ 로 설정된 라미네이터를 이용하여 부착했다. 이어서, 막 두께 100 ㎛ 의 접착 필름을 제작했다. 이어서, 파장： 365 ㎚, 노광량： 700 mJ/cm2 의 조건에서 노광했다. 이어서, 180 ℃, 5 시간의 조건에 의해 접착 필름을 열경화시켰다. 얻어진 열경화 후의 접착 필름을 가로세로 약 5 ㎜ 로 분쇄했다. 이어서, 약 10 ㎎ 정밀하게 칭량하여 측정 샘플로 했다. 다음으로, 측정 샘플을 85 ℃, 10 분간 열처리했다. 이어서, 측정 샘플의 중량을 정밀하게 칭량하고, 이때의 중량을 a 로 했다. 한편, 측정 샘플을 85 ℃, 85 ％, 10 분간 습열처리했다. 이어서, 습열처리 처리 후의 중량을 정밀하게 칭량하고, 이때의 중량을 b 로 했다. 흡수율은 이하의 식에 의해 산출했다.The adhesive film obtained by each Example and the comparative example evaluated the water absorption as follows. First, the adhesive film obtained by each Example and the comparative example was affixed using the laminator set to 60 degreeC. Next, the adhesive film with a film thickness of 100 micrometers was produced. Subsequently, it exposed on the conditions of wavelength: 365 nm and exposure amount: 700 mJ / cm <2> . Next, the adhesive film was thermosetted on condition of 180 degreeC and 5 hours. The obtained adhesive film after thermosetting was grind | pulverized about 5 mm in width and width. Subsequently, about 10 mg was weighed accurately and it was set as the measurement sample. Next, the measurement sample was heat-processed at 85 degreeC for 10 minutes. Subsequently, the weight of the measurement sample was precisely weighed, and the weight at this time was a. On the other hand, the measurement sample was wet heat-processed at 85 degreeC, 85%, and 10 minutes. Subsequently, the weight after a wet heat processing process was weighed accurately, and the weight at this time was b. The water absorption was calculated by the following formula.

흡수율 (％) = ((b-a)/a)×100Absorption rate (%) = ((b-a) / a) × 100

6. 평균 선팽창 계수(α1)6. Average linear expansion coefficient (α1)

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 파장： 365 ㎚, 노광량： 700 mJ/cm2 의 조건에서 노광했다. 또, 180 ℃, 5 시간의 조건에 의해 열경화시켜서 측정 샘플을 제작했다. 얻어진 측정 샘플을 이용하여 열 기계 특성 측정장치 (TMA) (모드： 인장 , 하중： 30 mN, 승온 속도： 5 ℃／분) 에 의해 선팽창 계수를 측정했다. 이때, 분위기 온도가 0 ℃ 내지 30 ℃ 의 평균 선팽창 계수를 측정치로 했다.The adhesive film obtained by each Example and the comparative example was exposed on the conditions of wavelength: 365 nm and exposure amount: 700 mJ / cm <2> . Moreover, it thermosetted on 180 degreeC and the conditions of 5 hours, and produced the measurement sample. The linear expansion coefficient was measured by the thermomechanical characteristic measuring apparatus (TMA) (mode: tension, load: 30 mN, temperature increase rate: 5 degree-C / min) using the obtained measurement sample. At this time, the average linear expansion coefficient of atmosphere temperature of 0 degreeC-30 degreeC was made into the measured value.

7. 면적비7. Area ratio

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 SEM 관찰용 샘플로 자른다. 이어서, 자른 샘플의 일부를 무작위로 추출하고, 그 절단면을 SEM 관찰했다. 이어서, 샘플 중에서의 적외선 흡수제 (D) 의 입자를 관찰했다. 이때, 입자의 형상을 인식할 수 있는 적절한 배율에 있어서 그 화상을 2 값화했다. 이어서, 상기 배율에서의 관찰 영역 내에서 적외선 흡수제 (D) 의 입자가 차지하는 면적비를 계산했다. 이 계측을 다른 단면에서 수십 회 반복해서 상기한 면적비를 평균화했다. 표 2, 표 3 중의 「면적비」는 이 평균화한 값을 나타낸다. 또, 표 2, 표 3 에서의 실시예 5 ～ 7 은 적외선 흡수제 (D) 가 유기물이므로 용매 (메틸에틸케톤) 에 용해되어 버렸다. 따라서, 실시예 5 ～ 7 은 면적비를 계측할 수 없었다.The adhesive film obtained by each Example and the comparative example is cut out by the sample for SEM observation. Subsequently, a part of the cut sample was extracted at random, and the cut surface was observed by SEM. Next, the particle | grains of the infrared absorber (D) in the sample were observed. At this time, the image was binarized at an appropriate magnification capable of recognizing the shape of the particles. Next, the area ratio which the particle | grains of an infrared absorber (D) occupy in the observation area | region in the said magnification was calculated. This measurement was repeated several times in different cross sections and the above-mentioned area ratio was averaged. "Area ratio" of Table 2 and Table 3 shows this averaged value. Moreover, in Examples 2-7 in Table 2 and Table 3, since the infrared absorber (D) is an organic substance, it melt | dissolved in the solvent (methyl ethyl ketone). Therefore, Examples 5-7 could not measure an area ratio.

Figure pct00028
Figure pct00028

Figure pct00029
Figure pct00029

Figure pct00030
Figure pct00030

(결과)(result)

표 3 과 같이, 비교예에서는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하지 않으므로 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 파장의 광의 최소 투과율이 85.4 ％ 로 큰 값을 나타내고 있었다. 이 비교예의 접착 필름을 이용한 경우, 실리콘 기판의 하측 면에서 솔더 레지스트를 투과하여 들어가는 적외선에 의해 수광 소자가 오작동을 일으켜 버린다.As shown in Table 3, since the infrared absorber (D) was not contained in the comparative example, the minimum transmittance of light having a wavelength of 800 nm or more and 2500 nm or less showed a large value of 85.4%. When the adhesive film of this comparative example is used, the light receiving element malfunctions due to infrared rays passing through the solder resist on the lower surface of the silicon substrate.

한편, 표 2, 표 3 과 같이, 본 발명의 적외선 흡수제 (D) 를 함유하는 감광성 수지 조성물을 사용한 실시예 1 ～ 10 에서는 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하 에서의 적외선 투과율의 최소치가 15 ％ 이하였다. 또, 상기 실시예 1 ～ 10 에서는 파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치가 5 ％ 이상이었다. 또, 상기 실시예 1 ～ 10 에서는 파장 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하에서의 자외선 투과율의 최소치가 35 ％ 이하였다. 그 외에 상기 실시예 1 ～ 10 에서는 내열성, 절연성, 탄성률, 플럭스 내성, 흡수율, 평균 선팽창 계수, 면적 비율이 원하는 특성 또는 범위 내였다.On the other hand, as in Table 2 and Table 3, in Examples 1 to 10 using the photosensitive resin composition containing the infrared absorber (D) of the present invention, the minimum value of the infrared transmittance at wavelength 800 nm or more and 2500 nm or less was 15% or less. . Moreover, in Examples 1-10, the maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less was 5% or more. Moreover, in the said Examples 1-10, the minimum value of the ultraviolet transmittance in wavelength 360nm or more and 400nm or less was 35% or less. In addition, in Examples 1-10, heat resistance, insulation, elasticity modulus, flux tolerance, water absorption, average linear expansion coefficient, and area ratio were in the desired characteristic or range.

(수광 장치)(Light receiving device)

하기와 같은 순서로 수광 장치를 제작했다. 먼저, 도 12 와 같이 구리 배선 회로까지를 형성한 수광 소자를 갖는 실리콘 기판을 준비했다. 이어서, 당해 실리콘 기판의 하면 측에 실시예 4 의 접착 필름을 압착했다. 이어서, 노광 및 현상에 의해 땜납 볼을 탑재하는 부분에 개구부를 형성했다. 이어서, 접착 필름을 가열경화하여 솔더 레지스트를 형성했다. 이어서, 회로 기판의 배선 회로에 땜납 접속함으로써 수광 장치를 제작했다. 이 수광 장치는 적외선의 차광성이 양호하므로 수광 소자에 오동작을 일으키게 하는 일이 없어서 안정적으로 동작시킬 수 있었다.The light receiving device was produced in the following procedure. First, the silicon substrate which has the light receiving element in which even the copper wiring circuit was formed like FIG. 12 was prepared. Next, the adhesive film of Example 4 was crimped | bonded to the lower surface side of the said silicon substrate. Next, the opening part was formed in the part which mounts a solder ball by exposure and image development. Next, the adhesive film was heat-cured to form a solder resist. Next, the light receiving device was produced by soldering to the wiring circuit of the circuit board. Since the light receiving device had good light shielding properties of infrared rays, it was possible to operate stably without causing malfunction of the light receiving element.

본 발명에 의하면, 실리콘 기판의 하면 측에서 들어오는 적외선을 차광할 수 있는 반도체 장치, 특히, 수광 장치를 공업적으로 효율적으로 또한 염가로 제조할 수 있다. 따라서, 적외선에 의한 오작동이 적은 반도체 장치, 특히 수광 장치를 공업적으로 효율적으로 또한 염가로 제조할 수 있다.Industrial Applicability According to the present invention, a semiconductor device capable of shielding infrared rays coming from the lower surface side of a silicon substrate, particularly a light receiving device, can be manufactured industrially efficiently and at low cost. Therefore, a semiconductor device, in particular a light receiving device, with less malfunction due to infrared rays can be manufactured industrially efficiently and at low cost.

본 출원은 2010년 3월 26일에 출원된 일본 특허출원 2010-072255호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 전부를 여기에 받아들인다. This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2010-072255 for which it applied on March 26, 2010, and accepts all the indication here.

Claims (20)

알칼리 가용성 수지 (A) 와,
광 중합 개시제 (B) 와,
최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고,
파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.Alkali-soluble resin (A),
Photoinitiator (B),
The maximum absorption wavelength contains the infrared absorber (D) in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less,
The maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less is 5.0% or more, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 알칼리 가용성 수지 (A) 와,
광산 발생제 (C) 와,
최대 흡수 파장이 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하의 범위 내에 있는 적외선 흡수제 (D) 를 함유하고,
파장 400 ㎚ 이상 700 ㎚ 이하에서의 가시광 투과율의 최대치는 5.0 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.Alkali-soluble resin (A),
A photoacid generator (C),
The maximum absorption wavelength contains the infrared absorber (D) in the range of 800 nm or more and 2500 nm or less,
The maximum value of the visible light transmittance in wavelength 400nm or more and 700nm or less is 5.0% or more, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
파장 360 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하에서의 자외선 투과율의 최소치는 35 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
The minimum value of the ultraviolet transmittance in wavelength 360nm or more and 400nm or less is 35% or less, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물의 경화물의 파장 800 ㎚ 이상 2500 ㎚ 이하에서의 적외선 투과율의 최소치는 15 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method according to any one of claims 1 to 3,
The minimum value of the infrared ray transmittance in wavelength 800nm or more and 2500nm or less of the hardened | cured material of the said photosensitive resin composition is 15% or less, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
적외선 흡수제 (D) 의 열분해 온도는 200 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method according to any one of claims 1 to 4,
The thermal decomposition temperature of an infrared absorber (D) is 200 degreeC or more, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
적외선 흡수제 (D) 는, 금속 붕화물, 산화티탄, 산화지르코늄, 주석도프 산화 인듐, 안티몬 도프 산화주석, 아조 화합물, 아미늄 화합물, 이미늄 화합물, 안트라퀴논 화합물, 시아닌 화합물, 디이모늄 화합물, 스쿠아릴리움 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 나프탈로시아닌 화합물, 안트라퀴논 화합물, 나프토퀴논 화합물, 디티올 화합물 및 폴리메틴 화합물 중 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Infrared absorbers (D) include metal borides, titanium oxides, zirconium oxides, tin-doped indium oxides, antimony-doped tin oxides, azo compounds, aluminum compounds, iminium compounds, anthraquinone compounds, cyanine compounds, dimonium compounds, At least one of a squarylium compound, a phthalocyanine compound, a naphthalocyanine compound, an anthraquinone compound, a naphthoquinone compound, a dithiol compound, and a polymethine compound, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
적외선 흡수제 (D) 를 0.01 중량％ 이상 15 중량％ 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
0.01 weight% or more and 15 weight% or less of an infrared absorber (D) are contained, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
적외선 흡수재 (D) 의 평균 입자경은 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method according to any one of claims 1 to 7,
The average particle diameter of an infrared absorber (D) is 10 micrometers or less, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method according to any one of claims 1 to 8,
Furthermore, the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group is contained, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 의 전부 또는 일부는, 하기 일반식 (22), (23) 및 (24) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure pct00031

[화학식 2]
Figure pct00032

[화학식 3]
Figure pct00033

(단, a, b, e, 및 f 는 1 ～ 3 까지의 정수이며, c 및 d 는 1 ～ 5 까지의 정수이다. 또, R21, R22 는 방향족 이외의 유기기이다.) 10. The method according to any one of claims 1 to 9,
All or part of the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group is a compound represented by either of following General formula (22), (23), and (24), The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
[Formula 1]
Figure pct00031

(2)
Figure pct00032

(3)
Figure pct00033

(However, a, b, e, and f are integers from 1 to 3, and c and d are integers from 1 to 5. In addition, R 21 and R 22 are organic groups other than aromatics.) 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
페놀성 수산기와 카르복실기를 갖는 화합물 (E) 의 중량 평균 분자량은, 100 이상 5000 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
The weight average molecular weight of the compound (E) which has a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group is 100 or more and 5000 or less, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 열경화성 수지 (F) 를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
Furthermore, thermosetting resin (F) is contained, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 12 항에 있어서,
열경화성 수지 (F) 는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.13. The method of claim 12,
Thermosetting resin (F) is an epoxy resin, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 13 항에 있어서,
상기 에폭시 수지의 전부 또는 일부는, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 트리스페놀메탄형 에폭시 수지 중 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method of claim 13,
All or part of the said epoxy resin is 1 or more types of a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, and a trisphenol methane type epoxy resin. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 광 중합성 화합물 (G) 를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.15. The method according to any one of claims 1 to 14,
Furthermore, photopolymerizable compound (G) is contained, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
알칼리 가용성 수지 (A) 는 광 중합성의 이중 결합을 갖고 또한 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method according to any one of claims 1 to 15,
Alkali-soluble resin (A) is alkali-soluble resin which has a photopolymerizable double bond and has alkali-soluble group, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
알칼리 가용성 수지 (A) 는 (메트)아크릴로일기 변성 페놀 수지인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.17. The method according to any one of claims 1 to 16,
Alkali-soluble resin (A) is a (meth) acryloyl-group-modified phenol resin, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치의 솔더 레지스트용의 감광성 수지 조성물로서,
당해 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치는,
광소자로 이루어지는 CMOS 이미지 센서가 탑재되어 있는 실리콘 기판과,
투명 기판과,
상기 CMOS 이미지 센서와 상기 투명 기판의 사이의 간극을 규정하는 스페이서를 갖고,
상기 실리콘 기판에는 비어홀이 형성되어 있으며,
상기 비어홀의 내면에 형성되어 있는 배선 회로에 의해, 상기 실리콘 기판의 상면의 배선 회로와 상기 실리콘 기판의 하면의 배선 회로가 접속되어 있고,
상기 실리콘 기판의 하면에는 상기 솔더 레지스트가 형성되어 있으며,
상기 실리콘 기판의 하면의 배선 회로와, 회로 기판의 배선 회로가, 땜납 접속에 의해 접속되는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물. 18. The method according to any one of claims 1 to 17,
As a photosensitive resin composition for the soldering resist of the CMOS image sensor mounting photodetector of a chip size,
The CMOS image sensor-mounted light receiving device of the chip size is,
A silicon substrate on which a CMOS image sensor comprising an optical element is mounted;
A transparent substrate,
A spacer defining a gap between the CMOS image sensor and the transparent substrate,
Via holes are formed in the silicon substrate,
By the wiring circuit formed in the inner surface of the via hole, the wiring circuit of the upper surface of the silicon substrate and the wiring circuit of the lower surface of the silicon substrate are connected.
The solder resist is formed on the bottom surface of the silicon substrate,
The photosensitive resin composition of Claim 1 which is a chip size CMOS image sensor mounting photodetector with which the wiring circuit of the lower surface of the said silicon substrate, and the wiring circuit of a circuit board are connected by solder connection. 광소자로 이루어지는 CMOS 이미지 센서가 탑재되고 있는 실리콘 기판과,
투명 기판과,
상기 CMOS 이미지 센서와 상기 투명 기판 사이의 간극을 규정하는 스페이서를 갖고,
상기 실리콘 기판에는 비어홀이 형성되어 있으며,
상기 비어홀의 내면에 형성되어 있는 배선 회로에 의해, 상기 실리콘 기판의 상면의 배선 회로와 상기 실리콘 기판의 하면의 배선 회로가 접속되어 있고,
상기 실리콘 기판의 하면에는 솔더 레지스트가 형성되어 있으며,
상기 실리콘 기판의 하면의 배선 회로와, 회로 기판의 배선 회로가, 땜납 접속에 의해 접속되는 칩 사이즈의 CMOS 이미지 센서 탑재 수광 장치로서,
상기 솔더 레지스트는 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물인 것을 특징으로 하는 수광 장치.A silicon substrate on which a CMOS image sensor made of an optical element is mounted;
A transparent substrate,
A spacer defining a gap between the CMOS image sensor and the transparent substrate,
Via holes are formed in the silicon substrate,
By the wiring circuit formed in the inner surface of the via hole, the wiring circuit of the upper surface of the silicon substrate and the wiring circuit of the lower surface of the silicon substrate are connected.
Solder resist is formed on the lower surface of the silicon substrate,
As a chip size CMOS image sensor-mounted light receiving device in which the wiring circuit on the bottom surface of the silicon substrate and the wiring circuit of the circuit board are connected by solder connection,
The said soldering resist is hardened | cured material of the photosensitive resin composition of any one of Claims 1-18, The light receiving apparatus characterized by the above-mentioned. 제 19 항에 있어서,
상기 솔더 레지스트는, 단면적에 대해, 적외선 흡수제 (D) 가 차지하는 면적비가 0.1 ％ 이상 30 ％ 이하인 필름상의 상기 감광성 수지 조성물로 이루어지는 접착 필름을 압착함으로써 형성된 것임을 특징으로 하는 수광 장치.The method of claim 19,
The said soldering resist is formed by crimping | bonding the adhesive film which consists of a film-form said photosensitive resin composition whose area ratio which an infrared absorber (D) occupies is 0.1%-30% with respect to a cross-sectional area.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5544217B2 (en) * 2010-05-19 2014-07-09 富士フイルム株式会社 Polymerizable composition
JP5544239B2 (en) * 2010-07-29 2014-07-09 富士フイルム株式会社 Polymerizable composition
JP5674399B2 (en) * 2010-09-22 2015-02-25 富士フイルム株式会社 Polymerizable composition, photosensitive layer, permanent pattern, wafer level lens, solid-state imaging device, and pattern forming method
JP5588847B2 (en) * 2010-11-30 2014-09-10 富士フイルム株式会社 Polymerizable composition, and photosensitive layer, permanent pattern, wafer level lens, solid-state imaging device, and pattern forming method using the same
CN104395824B (en) * 2012-11-01 2020-01-31 株式会社艾迪科 Alkali developable photosensitive composition
TWI506372B (en) * 2013-12-05 2015-11-01 Chi Mei Corp Positive-type photosensitive resin composition, pattern forming method, thin film transistor array substrate and liquid crystal display device
JP6401529B2 (en) * 2014-07-15 2018-10-10 東京応化工業株式会社 Photosensitive composition
US9966402B2 (en) 2014-12-04 2018-05-08 Jsr Corporation Solid-state imaging device
JP2016115779A (en) * 2014-12-13 2016-06-23 株式会社ダイセル Photo-curable composition for nanoimprinting
TWI675907B (en) 2015-01-21 2019-11-01 日商Ｊｓｒ股份有限公司 Solid imaging device
JP6567290B2 (en) * 2015-02-20 2019-08-28 Ａｉメカテック株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
JP6697222B2 (en) * 2015-03-04 2020-05-20 太陽インキ製造株式会社 Etching resist composition and dry film
JP6524786B2 (en) * 2015-04-27 2019-06-05 Jsr株式会社 Positive radiation sensitive resin composition, infrared shielding film, method for forming the same, solid-state imaging device, illuminance sensor
WO2018043218A1 (en) * 2016-08-30 2018-03-08 富士フイルム株式会社 Photosensitive composition, cured film, optical filter, laminated body, pattern formation method, solid-state imaging element, image display device, and infrared sensor
JP6127190B1 (en) * 2016-09-30 2017-05-10 太陽インキ製造株式会社 Photosensitive resin composition, cured product, printed wiring board having cured product, and optical sensor module provided with printed wiring board
WO2019026848A1 (en) * 2017-07-31 2019-02-07 Jsr株式会社 Photoelectric conversion device
TWI646672B (en) 2017-12-01 2019-01-01 財團法人工業技術研究院 Infrared sensing element and method of manufacturing same
JP7139153B2 (en) * 2018-05-29 2022-09-20 日東電工株式会社 Back adhesion film and dicing tape integrated back adhesion film
CN109343309B (en) * 2018-12-03 2020-07-10 深圳市华星光电技术有限公司 Negative photoresist and application thereof
CN110034204A (en) * 2019-04-04 2019-07-19 四川钟顺太阳能开发有限公司 A kind of selective reflector and preparation method thereof for photovoltaic module
CN114096860B (en) * 2019-07-16 2024-06-11 Ａｇｃ株式会社 Transparent sensor inspection device, laminated glass, and method for manufacturing transparent sensor inspection device
CN117278829A (en) * 2022-06-10 2023-12-22 晋城三赢精密电子有限公司 Circuit board assembly, camera module and electronic device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001228611A (en) * 2000-02-18 2001-08-24 Mitsubishi Chemicals Corp Infrared curable composition
JP2001228607A (en) * 2000-02-21 2001-08-24 Mitsubishi Chemicals Corp Infrared curable composition
JP4048777B2 (en) * 2001-12-27 2008-02-20 東レ株式会社 Transparent conductive paste, display member and plasma display panel using the same, and method for manufacturing plasma display panel member
JP4958461B2 (en) * 2006-03-30 2012-06-20 富士フイルム株式会社 Near-infrared absorbing dye-containing curable composition
JP4994923B2 (en) * 2007-04-06 2012-08-08 太陽ホールディングス株式会社 Black solder resist composition and cured product thereof
JP2009099591A (en) * 2007-10-12 2009-05-07 Toshiba Corp Solid-state image sensor and method of manufacturing the same
JP5067249B2 (en) * 2008-04-18 2012-11-07 東レ株式会社 Paste composition and conductive composition using the same
JP2010160380A (en) * 2009-01-09 2010-07-22 Sumitomo Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition for near-infrared absorbent
JPWO2010119647A1 (en) * 2009-04-14 2012-10-22 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, adhesive film, and light receiving device

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