KR20130011924A - Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate - Google Patents

Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20130011924A
KR20130011924A KR1020120074822A KR20120074822A KR20130011924A KR 20130011924 A KR20130011924 A KR 20130011924A KR 1020120074822 A KR1020120074822 A KR 1020120074822A KR 20120074822 A KR20120074822 A KR 20120074822A KR 20130011924 A KR20130011924 A KR 20130011924A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
array substrate
liquid crystal
insulating film
Prior art date
Application number
KR1020120074822A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101948069B1 (en
Inventor
다이고 이치노헤
에이지 요네다
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20130011924A publication Critical patent/KR20130011924A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101948069B1 publication Critical patent/KR101948069B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C08F220/325Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PURPOSE: An array substrate, a liquid crystal display device, and a process for producing the array substrate are provided to form negative type radiation sensitive resin composition for low temperature. CONSTITUTION: An insulating layer(12) is arranged on a switching active circuit device(8). A contact hole(17) is formed in the insulating layer. A pixel electrode is interposed in the contact hole and electrically touches the switching active circuit device. The insulating layer is made of negative type radiation sensitive resin composition. The insulating layer is formed in the hardening temperature of less than 200°C.

Description

어레이 기판, 액정 표시 소자 및 어레이 기판의 제조 방법 {ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE ARRAY SUBSTRATE}ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE ARRAY SUBSTRATE}

본 발명은, 어레이 기판, 액정 표시 소자 및 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an array substrate, a liquid crystal display element, and a method for manufacturing the array substrate.

액정 표시 소자는, 예를 들면, 유리 기판 등, 한 쌍의 기판에 액정을 협지하여 구성된다. 한 쌍의 기판의 표면에는 액정의 배향을 제어하는 배향막을 형성하는 것이 가능하다. 액정 표시 소자는, 백 라이트나 외광 등, 광원으로부터 방사된 빛에 대하여 미세한 셔터로서 기능하고, 빛을 부분적으로 투과하여, 또는 차광을 하여 표시를 행한다. 액정 표시 소자는, 박형, 경량 등이 우수한 특징을 갖는다.A liquid crystal display element is comprised by clamping a liquid crystal on a pair of board | substrates, such as a glass substrate, for example. It is possible to form an alignment film for controlling the alignment of the liquid crystal on the surfaces of the pair of substrates. A liquid crystal display element functions as a fine shutter with respect to the light radiated | emitted from a light source, such as a backlight and external light, and displays it by partially transmitting light or shielding it. A liquid crystal display element has the characteristics excellent in thin shape, light weight, etc.

액정 표시 소자는, 개발 당초, 캐릭터 표시 등을 중심으로 하는 전자 계산기나 시계의 표시 소자로서 이용되었다. 그 후, 단순 매트릭스 방식의 개발에 의해 도트 매트릭스 표시가 용이해져 노트 PC의 표시 소자 등으로 용도를 확대시켰다. 또한, 액티브 매트릭스형의 개발에 의해 콘트라스트비나 응답 성능이 우수한 양호한 화질을 실현할 수 있게 되어, 고정세화, 컬러화 및 시야각 확대 등의 과제도 극복하여 데스크탑 컴퓨터의 모니터용 등으로 용도를 확대했다. 최근에는, 보다 넓은 시야각이나 액정의 고속 응답화나 표시 품위의 향상 등이 실현되어, 대형의 박형 텔레비전용 표시 소자로서 이용되기에 이르고 있다. 그리고, 액정 표시 소자는, 더 한층의 고화질화나 밝기의 향상이 요구되고 있다.In the beginning of development, a liquid crystal display element was used as a display element of an electronic calculator or a clock centering on a character display. Since then, the development of a simple matrix method has facilitated dot matrix display, and its use has been extended to display elements of note PCs. In addition, the development of an active matrix type enables realization of good image quality with excellent contrast ratio and response performance, and overcomes the problems of high definition, colorization, and viewing angle expansion, and has been used for monitors of desktop computers. In recent years, wider viewing angles, high-speed response of liquid crystals, improvement in display quality, and the like have been realized, and have been used as display devices for large-sized thin televisions. In addition, the liquid crystal display device is required to further improve image quality and brightness.

액티브 매트릭스형의 액정 표시 소자에서는, 액정을 협지하는 한 쌍의 기판 중 한쪽의 위에 게이트 배선과 신호 배선이 격자 형상으로 배설되고, 게이트 배선과 신호 배선과의 교차부에 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transister) 등의 스위칭 능동 소자가 설치되어 있어, 어레이 기판을 구성하고 있다. 어레이 기판 상, 게이트 배선과 신호 배선으로 둘러싸인 영역에 화소 전극이 배치되고, 이 화소 전극에 의해 표시 단위인 화소가 구성되어 있다.In an active matrix liquid crystal display device, a gate wiring and a signal wiring are disposed in a lattice shape on one of a pair of substrates sandwiching the liquid crystal, and a thin film transistor (TFT: Thin Film) is formed at the intersection of the gate wiring and the signal wiring. Switching active elements, such as a transister, are provided and comprise an array substrate. A pixel electrode is arranged in an area surrounded by the gate wiring and the signal wiring on the array substrate, and the pixel which is a display unit is formed by this pixel electrode.

액정 표시 소자에 있어서, 밝기의 향상을 실현하고자 하는 경우, 화소 전극을 크게 하는 것이 유효해진다. 화소 전극의 면적을 가능한 한 크게 하여, 개구율을 향상시킴으로써 밝기를 증대할 수 있다. 그 경우, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 화소 전극을 게이트 배선이나 신호 배선과 중첩시켜, 개구율을 향상시키는 기술이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 어레이 기판에 있어서, 배선과 화소 전극과의 사이에 후막(厚膜)의 유기 재료로 이루어지는 절연막을 형성함으로써, 화소 전극과 배선과의 사이의 커플링 용량 증대를 억제하면서, 개구율을 향상시킨 액정 표시 소자가 개시되어 있다.In the liquid crystal display device, when it is desired to improve the brightness, increasing the pixel electrode becomes effective. The brightness can be increased by making the area of the pixel electrode as large as possible and improving the aperture ratio. In that case, for example, as described in Patent Literature 1, a technique is known in which a pixel electrode is overlapped with a gate wiring or a signal wiring to improve the aperture ratio. In Patent Literature 1, in an array substrate, by forming an insulating film made of a thick film organic material between a wiring and a pixel electrode, the aperture ratio is suppressed while increasing the coupling capacitance between the pixel electrode and the wiring. The liquid crystal display element which improved this is disclosed.

일본공개특허공보 2001-264798호Japanese Patent Laid-Open No. 2001-264798

특허문헌 1에 기재되는 액정 표시 소자와 같이, 어레이 기판에 있어서 배선과 화소 전극과의 사이에 후막의 유기 재료로 이루어지는 절연막을 형성하는 경우, TFT 등의 스위칭 소자와 화소 전극과의 전기적인 접속은, 절연막에 형성된 콘택트홀을 이용하여 실현된다.In the case of forming an insulating film made of a thick film organic material between the wiring and the pixel electrode in the array substrate as in the liquid crystal display device described in Patent Document 1, the electrical connection between the switching element such as TFT and the pixel electrode is This is realized by using a contact hole formed in the insulating film.

유기 재료로 이루어지는 절연막에 콘택트홀을 형성하는 경우, 포토리소그래피 기술의 이용이 유효하다. 그 경우, 절연막의 형성 재료로서, 감방사선성의 수지 조성물(이하, 감방사선성 수지 조성물이라고 함)의 사용이 바람직하고, 특히 감방사선성 수지 조성물은, 소위 포지티브형의 선택이 바람직하다. 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용한 절연막에서는, 방사선에 감응하면 현상액으로의 용해성이 증대하여 감응 부분이 제거된다. 따라서, 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 사용하는 경우, 절연막의 콘택트홀의 형성 부분에 감방사선을 조사함으로써, 비교적 용이하게 콘택트홀을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「방사선」이란, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 포함하는 개념이다.When contact holes are formed in an insulating film made of an organic material, the use of photolithography technology is effective. In that case, use of a radiation sensitive resin composition (hereinafter referred to as a radiation sensitive resin composition) is preferable as a material for forming the insulating film, and in particular, the so-called positive type selection of the radiation sensitive resin composition is preferable. In the insulating film using a positive radiation sensitive resin composition, when sensitive to radiation, the solubility in a developer increases, and the sensitive portion is removed. Therefore, when using a positive radiation sensitive resin composition, a contact hole can be formed comparatively easily by irradiating a radiation radiation to the formation part of the contact hole of an insulating film. In addition, in this invention, a "radiation ray" is a concept containing visible ray, an ultraviolet-ray, far ultraviolet ray, X-ray, charged particle beam, etc.

그러나, 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물의 경우, 예를 들면, 방사선의 조사를 받아 산을 생성하는 화합물을 성분으로서 함유하는 등, 특수한 재료가 필요해진다. 그러한 특수한 재료는 입수가 용이하지 않고, 또한, 재료 선택의 폭은 좁아진다. 그래서, 포토리소그래피 기술에 적용할 수 있고, 입수가 용이한 다양한 재료를 이용하여 조성을 실현할 수 있는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 적용이 요구되고 있다. 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물은, 방사선의 조사를 받아 방사선에 감응하면 현상액으로의 용해성이 저하되고, 현상 후에 감응 부분이 잔존하는 감방사선성 수지 조성물이다.However, in the case of the positive radiation-sensitive resin composition, a special material is required, for example, containing a compound that generates an acid upon irradiation with radiation as a component. Such special materials are not easy to obtain, and the range of material selection is narrowed. Therefore, the application of the negative radiation sensitive resin composition which can be applied to photolithography technique and can implement | achieve a composition using the various material which is easy to obtain is calculated | required. A negative radiation sensitive resin composition is a radiation sensitive resin composition in which the solubility to a developing solution falls when irradiated with radiation and it responds to radiation, and a sensitive part remains after image development.

그러나, 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 절연막에 콘택트홀을 형성하고자 하는 경우, 전술한 바와 같이, 콘택트홀 이외의 절연막의 잔존 부분에 방사선을 조사(이하, 「노광(露光)」이라고 칭함)하고, 반응을 일으키고, 그 후, 가열 경화 등을 하여 절연막의 형성을 행하게 된다. 그 때문에, 노광, 현상, 가열 경화로 이어지는 절연막의 제조 공정에 있어서, 절연막의 사이즈의 변동이 포지티브형에 비해 커지는 경우가 있다. 특히, 종래의 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용한 경우, 노광과 현상 후의 경화는, 230℃~260℃ 정도라는 매우 높은 온도에서 행할 필요가 있다. 따라서, 가열 경화 공정에 있어서의 열적인 팽창 또는 수축 등의 사이즈의 변동이 커져, 배치 위치와 사이즈의 관리가 엄격하게 요구되는 콘택트홀의 형성에 문제점을 발생시키는 경우가 있다.However, when a contact hole is to be formed in an insulating film using a negative radiation sensitive resin composition, as described above, the remaining portions of the insulating film other than the contact hole are irradiated with radiation (hereinafter referred to as "exposure"). Reaction), and then, heat curing and the like are performed to form an insulating film. Therefore, in the manufacturing process of the insulating film which leads to exposure, image development, and heat hardening, the fluctuation | variation of the size of an insulating film may become large compared with a positive type. In particular, when a conventional negative radiation-sensitive resin composition is used, curing after exposure and development needs to be performed at a very high temperature of about 230 ° C to 260 ° C. Therefore, the fluctuations in size such as thermal expansion or contraction in the heat curing step become large, which may cause problems in the formation of contact holes that require strict control of the placement position and size.

이상으로부터, 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 어레이 기판 상의 절연막을 구성함과 함께, 열적인 팽창이나 수축을 억제하여 콘택트홀의 형성을 가능하게 하는 것이 요망되고 있다. 그러기 위해서는, 노광과 현상 후의 경화 공정을 종래의 고온 가열에 의한 경화 공정을 대신하여, 예를 들면, 200℃ 이하의 저온에 의해 경화하는 것이 가능한, 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물이 필요해진다. 이러한 경화 특성을 구비한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물은, 소망으로 하는 절연막의 제공을 가능하게 한다.As mentioned above, while forming the insulating film on an array substrate using a negative radiation sensitive resin composition, it is desired to enable formation of a contact hole by suppressing thermal expansion and contraction. For that purpose, the negative radiation sensitive resin composition which can harden | cure the hardening process after exposure and image development by the low temperature of 200 degrees C or less instead of the conventional hardening process by conventional high temperature heating is needed. The negative radiation-sensitive resin composition provided with such curing characteristics enables the provision of a desired insulating film.

또한, 최근, 에너지 절약의 관점에서도, 어레이 기판을 갖는 액정 표시 소자의 제조에 있어서의 가열 공정의 저온화가 요구되어 지고 있다. 즉, 어레이 기판이나 그것을 이용한 액정 표시 소자의 제조에 있어서, 각 구성 요소의 경화 공정 등, 가열이 필요한 공정의 저온화에 의한 에너지 절약의 실현이 요구되어 지고 있다.Moreover, in recent years, also from the viewpoint of energy saving, the low temperature of the heating process in manufacture of the liquid crystal display element which has an array substrate is calculated | required. That is, in manufacture of an array substrate and the liquid crystal display element using the same, the realization of the energy saving by the low temperature of the process which requires heating, such as the hardening process of each component, is calculated | required.

이상으로부터, 저온 경화에 의해, 콘택트홀을 구비한 절연막의 형성을 할 수 있는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 실현이 강하게 요망되고 있다. 그리고, 그 네거티브형의 감방사선성의 수지 조성물을 이용하여 저온 경화된 절연막을 갖는 어레이 기판의 실현이 강하게 요망되고 있다. 또한, 그러한 어레이 기판을 이용하여 구성된 액정 표시 소자의 실현이 강하게 요망되고 있다.As mentioned above, the realization of the negative radiation sensitive resin composition which can form the insulating film provided with a contact hole by low temperature hardening is strongly desired. And the realization of the array substrate which has the insulating film hardened | cured at low temperature using the negative radiation sensitive resin composition is strongly desired. Moreover, the realization of the liquid crystal display element comprised using such an array board | substrate is strongly desired.

본 발명은, 이상과 같은 과제를 감안하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of the above subjects. That is, an object of the present invention is to provide an array substrate having an insulating film formed of a negative radiation-sensitive resin composition which can be cured at a low temperature, and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판을 이용하여 구성된 액정 표시 소자를 제공하는 것이다.Moreover, another object of this invention is to provide the liquid crystal display element comprised using the array substrate which has the insulating film formed from the negative radiation sensitive resin composition which can be hardened at low temperature.

본 발명의 제1 실시 형태는, 스위칭 능동 소자와,A first embodiment of the present invention, the switching active element,

그 스위칭 능동 소자 상에 배치된 절연막과,An insulating film disposed on the switching active element,

그 절연막에 형성된 콘택트홀과,A contact hole formed in the insulating film,

그 콘택트홀을 개재하여 스위칭 능동 소자와 전기적으로 접속된 화소 전극을 갖는 액정 표시 소자용의 어레이 기판으로서,An array substrate for a liquid crystal display element having a pixel electrode electrically connected to a switching active element via the contact hole,

절연막은, 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판에 관한 것이다.The insulating film is a negative radiation-sensitive resin containing a copolymer comprising a structural unit formed of at least one selected from the group consisting of unsaturated carbonic acid and unsaturated carbonic anhydride and a structural unit formed of an epoxy group-containing unsaturated compound. It relates to an array substrate, characterized in that formed from the composition.

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 감방사선성 수지 조성물은, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것이 바람직하다:In the first embodiment of the present invention, the radiation-sensitive resin composition is a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, an amidine salt, It is preferable to contain at least one compound selected from the group consisting of an amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound and an imidazole ring containing compound:

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 (1) 중, R1~R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R1~R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1~R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1~6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고; (Formula (1) of, R 1 ~ R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group or an amino group; However, R 1 ~ R 6 at least one of which is an electron-withdrawing group, and R 1 ~ R 6 At least one of which is an amino group, wherein all or part of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

식 (2) 중, R7~R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7~R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2~6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).In formula (2), R <7> -R <16> is respectively independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group, or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; Moreover, all or one part of hydrogen atoms may be substituted by the C2-C6 alkylene group of the said amino group; A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonyl methylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; However, all or part of the hydrogen atom may be substituted by the cyano group, the halogen atom, or the fluoroalkyl group in the said methylene group and the alkylene group).

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 절연막은, 200℃ 이하의 경화 온도에서 형성된 것이 바람직하다.In the first embodiment of the present invention, the insulating film is preferably formed at a curing temperature of 200 ° C or lower.

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 절연막의 위에 투명 전극을 갖고, 그 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 얻어진 배향막을 갖는 것이 바람직하다.1st Embodiment of this invention WHEREIN: The liquid crystal which has a transparent electrode on an insulating film, and the liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group on this transparent electrode, and the polyimide which does not have a photo-alignment group It is preferable to have the alignment film obtained using either of the alignment agents.

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 배향막은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 얻어진 배향막인 것이 바람직하다.In 1st Embodiment of this invention, it is preferable that an oriented film is an oriented film obtained using the liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group.

본 발명의 제2 실시 형태는, 본 발명의 제1 실시 형태의 어레이 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자에 관한 것이다.2nd Embodiment of this invention is related with the liquid crystal display element which has an array substrate of 1st Embodiment of this invention.

본 발명의 제3 실시 형태는,In a third embodiment of the present invention,

[1] 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 스위칭 능동 소자가 형성된 기판 상에 형성하는 공정,[1] Negative radiation-sensitive resin containing a copolymer comprising a structural unit formed of at least one member selected from the group consisting of unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic acid anhydrides and structural units formed of epoxy group-containing unsaturated compounds Forming a coating film of the composition on a substrate on which a switching active element is formed,

[2] 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,[2] irradiating at least a portion of the coating film of the radiation-sensitive resin composition with radiation;

[3] 공정 [2]에서 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하여 콘택트홀이 형성된 도막을 얻는 공정, 및[3] a step of developing the coating film to which the radiation is irradiated in step [2] to obtain a coating film with contact holes; and

[4] [3] 공정에서 얻어진 도막을 200℃ 이하에서 경화하여 절연막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.[4] A method for manufacturing an array substrate, comprising the step of curing the coating film obtained in the step [3] at 200 ° C. or lower to form an insulating film.

본 발명의 제3 실시 형태에 있어서, 감방사선성 수지 조성물은, 하기식 (1)에서 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것이 바람직하다:In the third embodiment of the present invention, the radiation-sensitive resin composition is a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, an amidine salt, It is preferable to contain at least one compound selected from the group consisting of an amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound and an imidazole ring containing compound:

Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 (1) 중, R1~R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R1~R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1~R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1~6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고; (Formula (1) of, R 1 ~ R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group or an amino group; However, R 1 ~ R 6 at least one of which is an electron-withdrawing group, and R 1 ~ R 6 At least one of which is an amino group, wherein all or part of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

식 (2) 중, R7~R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7~R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2~6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).In formula (2), R <7> -R <16> is respectively independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group, or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; Moreover, all or one part of hydrogen atoms may be substituted by the C2-C6 alkylene group of the said amino group; A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonyl methylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; However, all or part of the hydrogen atom may be substituted by the cyano group, the halogen atom, or the fluoroalkyl group in the said methylene group and the alkylene group).

본 발명의 제3 실시 형태에 있어서, 배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다.In 3rd Embodiment of this invention, it is preferable to further have the process of forming an oriented film at 200 degrees C or less.

본 발명의 제3 실시 형태에 있어서, 배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 상기 배향막을 형성하는 것이 바람직하다.In the 3rd Embodiment of this invention, the process of forming an oriented film at 200 degrees C or less is the liquid crystal aligning agent containing the liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group, and the polyimide which does not have a photo-alignment group. It is preferable to form the said alignment film using either.

본 발명에 의하면, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판과 그 제조 방법이 제공된다.According to this invention, the array substrate which has an insulating film formed from the negative radiation sensitive resin composition which can be hardened at low temperature, and its manufacturing method are provided.

또한, 본 발명에 의하면, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판으로 이루어지는 액정 표시 소자가 제공된다.Moreover, according to this invention, the liquid crystal display element which consists of an array substrate which has the insulating film formed from the negative radiation sensitive resin composition which can be hardened at low temperature is provided.

도 1은 본 실시 형태의 어레이 기판의 요부(要部) 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태의 어레이 기판의 개략적인 전극 배선도이다.
도 3은 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing the main part structure of the array substrate of this embodiment.
2 is a schematic electrode wiring diagram of the array substrate of this embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display element of the present embodiment.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

본 발명의 실시 형태의 어레이 기판 및 액정 표시 소자에 대해서 설명한다.The array substrate and liquid crystal display element of embodiment of this invention are demonstrated.

<액정 표시 소자><Liquid crystal display element>

본 실시 형태의 액정 표시 소자는, 본 실시 형태의 어레이 기판을 이용하여 구성된 컬러 액정 표시 소자이다. 이하, 본 실시 형태의 어레이 기판의 구조 및 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 구조에 대해서, 도면을 이용하여 설명한다.The liquid crystal display element of this embodiment is a color liquid crystal display element comprised using the array substrate of this embodiment. Hereinafter, the structure of the array substrate of this embodiment and the structure of the liquid crystal display element of this embodiment are demonstrated using drawing.

본 실시 형태의 액정 표시 소자는, 예를 들면, 액티브 매트릭스형의 컬러 액정 표시 소자로 할 수 있다. 본 실시 형태의 액정 표시 소자는, 스위칭 능동 소자, 전극 및, 절연막의 형성된 본 실시 형태의 어레이 기판과, 투명 전극이 형성된 컬러 필터 기판이, 액정층을 개재하여 대향하는 구조로 할 수 있다.The liquid crystal display element of this embodiment can be made into the active liquid crystal type color liquid crystal display element, for example. The liquid crystal display element of this embodiment can have a structure where the array substrate of this embodiment in which the switching active element, the electrode, and the insulating film were formed, and the color filter substrate in which the transparent electrode were formed, oppose via a liquid crystal layer.

도 1은, 본 실시 형태의 어레이 기판의 요부 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the main part structure of the array substrate of this embodiment.

도 2는, 본 실시 형태의 어레이 기판의 개략적인 전극 배선도이다.2 is a schematic electrode wiring diagram of the array substrate of this embodiment.

도 1에 나타내는 어레이 기판(1)은, 본 실시 형태의 어레이 기판의 일례이다. 투명한 기판(4)의 한쪽의 면에, 스위칭 능동 소자(8)가 배치된다. 그리고, 스위칭 능동 소자(8)에 접속하는 소스 전극(5)과, 드레인 전극(6)과, 게이트 전극(7)이 배치된다. 스위칭 능동 소자(8)의 위에는 절연막(12)이 형성되고, 절연막(12)의 위에는, 화소 전극인 투명 전극(9)이 배치된다. 투명 전극(9)은 ITO(Indium Tin Oxide: 주석을 도프한 산화 인듐) 등으로 이루어지는 투명 도전막으로 형성된다. 투명 전극(9)의 위에는, 도면에 나타내는 바와 같이 액정의 배향을 제어하는 배향막(10)을 형성하는 것이 가능하다. 절연막(12)을 관통하도록 형성된 오목부 구조는, 콘택트홀(17)이며, 이 부분을 개재하여 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)이 전기적으로 접속한다. 그 결과, 화소 전극인 투명 전극(9)과 스위칭 능동 소자(8)와의 전기적 접속이 가능해진다. 그리고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 어레이 기판(1) 상에서는, 소스 배선(18)과 게이트 배선(19)이 매트릭스 형상으로 배설된다. 소스 배선(18)과 게이트 배선(19)의 교차부 근방에, 스위칭 능동 소자(8)가 설치되어, 소스 전극(5)은 소스 배선(18)에 접속하고, 게이트 전극(7)은 게이트 배선(19)에 접속한다. 이렇게 하여, 어레이 기판(1) 상에 구획된 각 화소가 구성된다.The array substrate 1 shown in FIG. 1 is an example of the array substrate of this embodiment. On one surface of the transparent substrate 4, the switching active element 8 is disposed. The source electrode 5, the drain electrode 6, and the gate electrode 7 connected to the switching active element 8 are disposed. An insulating film 12 is formed on the switching active element 8, and a transparent electrode 9, which is a pixel electrode, is disposed on the insulating film 12. The transparent electrode 9 is formed of a transparent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide). On the transparent electrode 9, as shown in the figure, it is possible to form the alignment film 10 which controls the alignment of the liquid crystal. The recess structure formed so as to penetrate the insulating film 12 is the contact hole 17, and the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 are electrically connected through this part. As a result, electrical connection between the transparent electrode 9 which is a pixel electrode and the switching active element 8 becomes possible. As shown in FIG. 2, the source wiring 18 and the gate wiring 19 are arranged in a matrix on the array substrate 1. In the vicinity of the intersection of the source wiring 18 and the gate wiring 19, a switching active element 8 is provided, the source electrode 5 is connected to the source wiring 18, and the gate electrode 7 is a gate wiring. (19). In this way, each pixel partitioned on the array substrate 1 is comprised.

후술하는 바와 같이, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에 있어서, 절연막(12)은, 소스 전극(5) 등의 전극과 스위칭 능동 소자(8)가 형성된 기판(4) 상에, 본 실시 형태의 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 콘택트홀(17)의 형성 등이 필요한 패터닝을 한 후, 경화하여 형성된다. 또한, 절연막(12)의 형성에 이용되는 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 특별히 명시하지 않는 한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물이며, 이하에서는, 단순히 감방사선성 수지 조성물이라고 칭하기로 한다.As described later, in the array substrate 1 of the present embodiment, the insulating film 12 is the present embodiment on the substrate 4 on which electrodes such as the source electrode 5 and the switching active element 8 are formed. After the negative radiation sensitive resin composition of this application | coating and patterning which require formation of the contact hole 17 etc. are performed, it hardens | cures and is formed. In addition, the radiation sensitive resin composition of this embodiment used for formation of the insulating film 12 is a negative radiation sensitive resin composition, unless it mentions specially, In the following, it will only be called a radiation sensitive resin composition. .

본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해, 절연막(12)을 형성할 수 있다는 특징을 구비한다. 따라서, 절연막(12)은, 가열 경화 공정에 있어서의 사이즈의 변동이 억제되고, 소망하는 배치 위치와 사이즈의 콘택트홀(17)의 형성을 가능하게 한다. 그리고, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에서는, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 절연막(12)을 형성할 수 있으며, 저온 가열에 의한 제조가 가능해진다.The radiation sensitive resin composition of this embodiment is equipped with the characteristic that the insulating film 12 can be formed by low-temperature hardening of 200 degrees C or less. Therefore, the insulating film 12 suppresses the variation in the size in the heat curing step, and enables the formation of the contact hole 17 having the desired arrangement position and size. And in the array substrate 1 of this embodiment, the insulating film 12 can be formed by low-temperature hardening of 200 degrees C or less, and manufacture by low temperature heating is attained.

또한, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에서는, 투명 전극(9)을 형성한 후, 액정 배향용의 배향막(10)을 형성하는 것이 가능하다. 배향막(10)은, 후술하는 바와 같이, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 또는 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 얻을 수 있다. 그 경우, 200℃ 이하의 가열 온도에서 배향막을 형성하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에서는, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 절연막(12)을 형성할 수 있고, 또한 배향막(10)을 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 형성할 수 있으며, 저온 가열에 의한 제조가 가능해진다.In the array substrate 1 of the present embodiment, after the transparent electrode 9 is formed, it is possible to form the alignment film 10 for liquid crystal alignment. The orientation film 10 can be obtained using the liquid crystal aligning agent containing the polyimide which does not have the liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group, or a photo-alignment group as mentioned later. In that case, it becomes possible to form an alignment film at the heating temperature of 200 degrees C or less. Therefore, in the array substrate 1 of this embodiment, the insulating film 12 can be formed by the low temperature hardening of 200 degrees C or less, and the alignment film 10 can be formed by the low temperature hardening of 200 degrees C or less, Production by low temperature heating becomes possible.

다음으로, 본 실시 형태의 어레이 기판을 이용한 본 실시 형태의 액정 표시 소자에 대해서 설명한다.Next, the liquid crystal display element of this embodiment using the array substrate of this embodiment is demonstrated.

도 3은, 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display element of the present embodiment.

도 3에 나타내는 액정 표시 소자(21)는, 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)으로 이루어지는 컬러 액정 표시 소자이며, 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 일례이다. 액정 표시 소자(21)는, 예를 들면, 박막 트랜지스터형의 TN(Twisted Nematic) 모드 액정 표시 소자이며, 도 1에 나타낸 본 실시 형태의 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)이, TN 액정으로 이루어지는 액정층(23)을 개재하여 대향하는 구조를 갖는다.The liquid crystal display element 21 shown in FIG. 3 is a color liquid crystal display element which consists of the array substrate 1 and the color filter substrate 22, and is an example of the liquid crystal display element of this embodiment. The liquid crystal display element 21 is a thin film transistor type TN (Twisted Nematic) mode liquid crystal display element, for example, and the array substrate 1 and the color filter substrate 22 of this embodiment shown in FIG. It has a structure which opposes via the liquid crystal layer 23 which consists of liquid crystals.

어레이 기판(1)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 투명한 기판(4)의 액정층(23)측의 면에, 소스 전극(5)과, 드레인 전극(6)과, 게이트 전극(7)과, 스위칭 능동 소자(8)와, 절연막(12)을 배치한 구조를 갖는다. 그리고, 절연막(12)의 위에는, 화소 전극인 투명 전극(9)이 설치되어 있다. 절연막(12)에는, 절연막(12)을 관통하는 콘택트홀(17)이 형성되어 있어, 이 부분을 개재하여 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)이 전기적으로 접속한다. 그 결과, 화소 전극인 투명 전극(9)과 스위칭 능동 소자(8)와의 전기적 접속이 가능해진다. 투명 전극(9)의 위에는, 액정 배향 제어용의 배향막(10)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, the array substrate 1 has a source electrode 5, a drain electrode 6, a gate electrode 7, and a surface on the side of the liquid crystal layer 23 of the transparent substrate 4. And a switching active element 8 and an insulating film 12. And on the insulating film 12, the transparent electrode 9 which is a pixel electrode is provided. The contact hole 17 which penetrates the insulating film 12 is formed in the insulating film 12, and the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 are electrically connected through this part. As a result, electrical connection between the transparent electrode 9 which is a pixel electrode and the switching active element 8 becomes possible. On the transparent electrode 9, the alignment film 10 for liquid crystal alignment control is formed.

컬러 필터 기판(22)은, 투명한 기판(11)의 액정층(23)측의 면에, 적색, 녹색 및 청색의 미소한 착색 패턴(15)과, 블랙 매트릭스(13)가 배치되어 있다. 적색, 녹색 및 청색의 착색 패턴(15)은, 격자 형상 등의 규칙적인 형상을 취하여 배열된다. 또한, 착색 패턴(15)의 색에 대해서는, 상기의 적색, 녹색 및 청색의 3색에 한정되는 것이 아니라, 다른 색을 선택하거나, 그 밖에 황색을 더하여 4색의 착색 패턴으로 하는 것도 가능하다. 그리고, 각 색의 착색 패턴을 배열하여, 컬러 필터 기판을 구성할 수 있다.As for the color filter substrate 22, the red, green, and blue fine coloring pattern 15 and the black matrix 13 are arrange | positioned at the surface of the transparent substrate 11 at the liquid crystal layer 23 side. The red, green, and blue colored patterns 15 are arranged in a regular shape such as a lattice shape. In addition, about the color of the coloring pattern 15, it is not limited to said three colors of red, green, and blue, It is also possible to select another color, or to add yellow and to make a four color coloring pattern. And the coloring pattern of each color can be arranged and a color filter board | substrate can be comprised.

착색 패턴(15)과 블랙 매트릭스(13)의 위에는 투명한 공통 전극(14)이 설치되어 있다. 컬러 필터 기판(22)의, 액정층(23)과 접하는 면에는, 어레이 기판(1)과 동일한 배향막(10)이 형성되어 있다. 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)의 배향막(10)은, 필요하다면, 배향 처리가 시행되어, 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)과의 사이에 협지된 액정층(23)의 균일한 배향을 실현한다.The transparent common electrode 14 is provided on the coloring pattern 15 and the black matrix 13. The same alignment film 10 as that of the array substrate 1 is formed on the surface of the color filter substrate 22 in contact with the liquid crystal layer 23. The alignment film 10 of the array substrate 1 and the color filter substrate 22 is subjected to an alignment process if necessary, and the liquid crystal layer 23 sandwiched between the array substrate 1 and the color filter substrate 22. To achieve a uniform orientation.

그리고, 액정층(23)을 개재하여 대향하는 어레이 기판(1)과 대향 기판(22)과의 사이의 거리는, 도시되지 않는 스페이서에 의해 유지되어 있고, 통상, 2㎛~10㎛이다. 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)은 주변부에 설치된 시일재(도시되지 않음)에 의해 서로 고정되어 있다.And the distance between the array substrate 1 which opposes through the liquid crystal layer 23, and the opposing board | substrate 22 is hold | maintained by the spacer which is not shown in figure, and is 2 micrometers-10 micrometers normally. The array substrate 1 and the color filter substrate 22 are fixed to each other by a sealing material (not shown) provided in the peripheral portion.

어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)에 있어서, 액정층(23)에 접하는 측과 반대의 측에는, 각각 편광판(28)이 배치되어 있다.In the array substrate 1 and the color filter substrate 22, the polarizing plates 28 are arranged on the side opposite to the side in contact with the liquid crystal layer 23, respectively.

도 3에 있어서, 부호(27)는, 액정 표시 소자(21)의 광원이 되는 백 라이트 유닛(도시되지 않음)으로부터 액정층(23)을 향하여 조사된 백 라이트 광이다. 백 라이트 유닛으로서는, 예를 들면, 냉음극 형광관(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp) 등의 형광관과, 산란판이 조합된 구조의 것을 이용할 수 있다. 또한, 백색 LED를 광원으로 하는 백 라이트 유닛을 이용할 수도 있다. 백색 LED로서는, 예를 들면, 독립된 스펙트럼을 갖는 적색 LED와 녹색 LED와 청색 LED를 이용하여 백색광을 얻는 백색 LED, 적색 LED와 녹색 LED와 청색 LED를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 적색 LED와 녹색 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 적색 발광 형광체와 녹색 발광 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 YAG계 형광체와의 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 등색(橙色) 발광 형광체와 녹색 발광 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 자외선 LED와 적색 발광 형광체와 녹색 발광 형광체와 청색 발광 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED 등을 들 수 있다.In FIG. 3, reference numeral 27 denotes backlight light irradiated toward the liquid crystal layer 23 from a backlight unit (not shown) serving as a light source of the liquid crystal display element 21. As the backlight unit, for example, a structure having a combination of a fluorescent tube such as a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) and a scattering plate can be used. It is also possible to use a backlight unit having a white LED as a light source. As the white LED, for example, a white LED which obtains white light by using a red LED, a green LED, and a blue LED having an independent spectrum, and a white LED that obtains white light by mixing color by combining a red LED, a green LED, and a blue LED, and blue White LED, which combines LED, red LED, and green phosphor to obtain white light by mixing, white LED, blue LED, which combines red-emitting phosphor and green light emitting phosphor, and obtains white light by mixing, mixing of blue LED and YAG-based phosphor White LED, blue LED, orange light emitting phosphor and green light emitting phosphor obtained by combining white light, ultraviolet LED, red light emitting phosphor, green light emitting phosphor, and blue light emitting phosphor obtained by mixing White LED etc. which obtain white light by mixing are mentioned.

본 실시 형태의 액정 표시 소자(21)의 액정 모드에 대해서는, 전술의 TN 모드 외에, STN(Super Twisted Nematic), IPS(In-Planes Switching), VA(Vertical Alig㎚ent) 또는 OCB(Optically Compensated Birefringence) 등의 액정 모드로 할 수도 있다. 그 경우, 특히, 배향막(10)에 대해서는, 각 액정 모드에 최적인 액정층의 배향을 실현하는 배향막이 선택된다. 예를 들면, 본 실시 형태의 액정 표시 소자가 VA 모드의 액정 표시 소자의 경우, 배향막에는, 수직 배향형의 배향막이 사용된다.About the liquid crystal mode of the liquid crystal display element 21 of this embodiment, in addition to TN mode mentioned above, STN (Super Twisted Nematic), IPS (In-Planes Switching), VA (Vertical Alignment), or OCB (Optically Compensated Birefringence) Or liquid crystal mode. In that case, in particular, for the alignment film 10, an alignment film for realizing the alignment of the liquid crystal layer that is optimal for each liquid crystal mode is selected. For example, when the liquid crystal display element of this embodiment is a liquid crystal display element of VA mode, the alignment film of a vertical alignment type is used for an orientation film.

이상과 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(21)는, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)을 갖는다. 어레이 기판(1)에서는, 절연막(12)에 형성된 콘택트홀(17)을 개재하여 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)과의 전기적 접속을 실현한다. 어레이 기판(1)의 절연막(12)은, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하고, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 형성된다. 따라서, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(21)에서는, 어레이 기판(1)에 있어서, 소망하는 배치 위치와 사이즈의 콘택트홀(17)에 의해, 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)과의 전기적 접속을 실현하는 것이 가능해진다.As mentioned above, the liquid crystal display element 21 of this embodiment has the array substrate 1 of this embodiment. In the array substrate 1, the electrical connection between the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 is realized through the contact hole 17 formed in the insulating film 12. The insulating film 12 of the array substrate 1 is formed by low-temperature hardening of 200 degrees C or less using the radiation sensitive resin composition of this embodiment. Therefore, in the liquid crystal display element 21 of this embodiment, in the array board | substrate 1, the contact hole 17 of a desired arrangement | positioning position and a size of the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 is carried out. It is possible to realize the electrical connection.

다음으로, 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 어레이 기판의 주요한 구성 요소이며, 저온 경화가 가능한 절연막의 형성에 대해서 상세하게 설명한다. 본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막은, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된다. 따라서, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 대해서, 특히 그 조성 성분에 대해서 설명한다.Next, formation of the insulating film which is a main component of the array substrate of the liquid crystal display element of this embodiment and which can be hardened at low temperature is demonstrated in detail. The insulating film of the array substrate of this embodiment is formed using the radiation sensitive resin composition of this embodiment. Therefore, the composition component of the radiation sensitive resin composition of this embodiment is demonstrated especially.

<감방사선성 수지 조성물><Radiation-Resistant Resin Composition>

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물은, [A] 알칼리 가용성 수지, [B] 중합성 화합물 및, [C] 중합 개시제를 함유한다. 그리고 또한, [D] 화합물을 함유할 수 있다. 또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 이하, 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다.The radiation sensitive resin composition used for manufacture of the insulating film of the array substrate of this embodiment contains [A] alkali-soluble resin, [B] polymeric compound, and [C] polymerization initiator. And it can also contain a [D] compound. Moreover, you may contain other arbitrary components, unless the effect of this invention is impaired. Hereinafter, each component contained in a radiation sensitive resin composition is demonstrated.

<[A] 알칼리 가용성 수지><[A] alkali-soluble resin>

[A] 알칼리 가용성 수지로서는, 카복실기를 가짐으로써, 알칼리 현상성을 갖는 수지이면, 특별히 한정되지 않는다. 그리고, (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위 및 에폭시기를 갖는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. [A] 알칼리 가용성 수지가, 상기 특정 구조 단위를 포함함으로써, 우수한 표면 경화성 및 심부(深部) 경화성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다.As alkali-soluble resin (A), if it has resin which has alkali developability by having a carboxyl group, it will not specifically limit. And it is preferable that it is a copolymer containing at least 1 sort (s) of structural unit chosen from the group which consists of a structural unit which has a (meth) acryloyloxy group, and a structural unit which has an epoxy group. When the (A) alkali-soluble resin contains the said specific structural unit, the cured film which has the outstanding surface hardenability and deep part hardenability can be formed.

[A] 알칼리 가용성 수지는, (A1) 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종(이하, 「(A1) 화합물」이라고도 칭함)과 (A2) 에폭시기 함유 불포화 화합물(이하, 「(A2) 화합물」이라고도 칭함)을 공중합하여 합성할 수 있다. 그리고, [A] 알칼리 가용성 수지는, 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 그리고 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체가 된다. (A) Alkali-soluble resin is (A1) at least 1 sort (s) (hereinafter also called "(A1) compound") chosen from the group which consists of unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride, and (A2) epoxy-group-containing unsaturated compound (henceforth). , (Also referred to as "(A2) compound") can be copolymerized to synthesize. And [A] alkali-soluble resin becomes a copolymer containing the structural unit formed from the structural unit formed from at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of unsaturated carbonic acid and unsaturated carbonic anhydride, and an epoxy-group-containing unsaturated compound.

[A] 알칼리 가용성 수지는, 예를 들면, 용매 중에서 중합 개시제의 존재하, 카복실기 함유 구조 단위를 부여하는 (A1) 화합물과, 에폭시기 함유 구조 단위를 부여하는 (A2) 화합물을 공중합함으로써 제조할 수 있다. 또한, (A3) 수산기 함유 구조 단위를 부여하는 수산기 함유 불포화 화합물(이하, 「(A3) 화합물」이라고도 칭함)을 추가로 더하여, 공중합체로 할 수도 있다. 또한, [A] 알칼리 가용성 수지의 제조에 있어서는, 상기 (A1) 화합물, (A2) 화합물 및 (A3) 화합물과 함께, (A4) 화합물(상기 (A1), (A2) 및 (A3) 화합물에 유래하는 구조 단위 이외의 구조 단위를 부여하는 불포화 화합물)을 추가로 더하여, 공중합체로 할 수도 있다. 이하, 각 화합물을 상술한다.(A) Alkali-soluble resin can be manufactured by copolymerizing the compound (A1) which gives a carboxyl group containing structural unit and the compound (A2) which gives an epoxy group containing structural unit in presence of a polymerization initiator, for example. Can be. Moreover, the hydroxyl group containing unsaturated compound (henceforth a "(A3) compound" hereafter) giving a hydroxyl group containing structural unit (A3) is further added, and it can also be set as a copolymer. In addition, in manufacture of alkali-soluble resin [A], with the said (A1) compound, the (A2) compound, and the (A3) compound, to the (A4) compound (the said (A1), (A2), and (A3) compound) Unsaturated compound which gives structural units other than the derived structural unit) can be further added, and it can also be set as a copolymer. Hereinafter, each compound is explained in full detail.

[(A1) 화합물][(A1) Compound]

(A1) 화합물로서는, 불포화 모노카본산, 불포화 디카본산, 불포화 디카본산의 무수물, 다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르, 양 말단에 카복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트, 카복실기를 갖는 불포화 다환식 화합물 및 그 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the compound (A1) include unsaturated monocarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid, anhydride of unsaturated dicarboxylic acid, mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of polyhydric carbonic acid, and mono ((meth) acryloyloxyalkyl] ester of a polycarboxylic acid. And meta) acrylates, unsaturated polycyclic compounds having a carboxyl group, and anhydrides thereof.

불포화 모노카본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등;As unsaturated monocarboxylic acid, For example, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, etc .;

불포화 디카본산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등;As unsaturated dicarboxylic acid, For example, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, etc .;

불포화 디카본산의 무수물로서는, 예를 들면, 상기 디카본산으로서 예시한 화합물의 무수물 등;As anhydride of unsaturated dicarboxylic acid, For example, anhydride etc. of the compound illustrated as said dicarboxylic acid;

다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르로서는, 예를 들면, 숙신산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸] 등;As mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of polyhydric carboxylic acid, for example, succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl ] Etc;

양 말단에 카복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등;As mono (meth) acrylate of the polymer which has a carboxyl group and a hydroxyl group in both terminal, For example, (omega)-carboxy polycaprolactone mono (meth) acrylate;

카복실기를 갖는 불포화 다환식 화합물 및 그 무수물로서는, 예를 들면, 5-카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-5-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-5-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-6-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-6-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated polycyclic compound having a carboxyl group and anhydrides thereof include 5-carboxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene and 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene , 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene anhydride Etc. can be mentioned.

이들 (A1) 화합물 중, 모노카본산, 디카본산 무수물, 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산이 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수의 용이성에서 보다 바람직하다. 이들 (A1) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Among these (A1) compounds, monocarboxylic acid, dicarboxylic acid anhydride, acrylic acid, methacrylic acid and maleic anhydride are preferable, and acrylic acid, methacrylic acid and maleic anhydride are more preferable in terms of copolymerization reactivity, solubility in aqueous alkali solution and ease of obtaining. desirable. These (A1) compounds may be used independently or may be used in mixture of 2 or more type.

(A1) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물 그리고 (A2) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물 및 (A4) 화합물)의 합계에 기초하여, 5질량%~30질량%가 바람직하고, 10질량%~25질량%가 보다 바람직하다. (A1) 화합물의 사용 비율을 5질량%~30질량%로 함으로써, [A] 알칼리 가용성 수지의 알칼리 수용액에 대한 용해성을 최적화함과 함께, 방사선성 감도가 우수한 절연막이 얻어진다.As a usage ratio of a compound (A1), 5 mass%-30 mass% are preferable based on the sum total of (A1) compound and (A2) compound (optional (A3) compound and (A4) compound as needed), 10 mass%-25 mass% are more preferable. By setting the use ratio of the compound (A1) to 5% by mass to 30% by mass, the solubility in the aqueous alkali solution of the [A] alkali-soluble resin is optimized, and an insulating film excellent in the radiation sensitivity is obtained.

[(A2) 화합물][(A2) Compound]

(A2) 화합물은 라디칼 중합성을 갖는 에폭시기 함유 불포화 화합물이다. 에폭시기로서는, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조)를 들 수 있다.The compound (A2) is an epoxy group-containing unsaturated compound having radical polymerizability. As an epoxy group, an oxiranyl group (1, 2- epoxy structure) and an oxetanyl group (1, 3- epoxy structure) are mentioned.

옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시부틸, 메타크릴산 3,4-에폭시부틸, 아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등을 들 수 있다. 이들 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실이, 공중합 반응성 및 절연막 등의 내용매성 등의 향상의 관점에서 바람직하다.As an unsaturated compound which has an oxiranyl group, For example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, the glycidyl (alpha)-ethyl acrylate, the glycine (alpha)-n-propyl acrylate Dill, α-n-butylacrylate acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, α- Ethyl acrylate-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, etc. Can be mentioned. Among these, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p -Vinyl benzyl glycidyl ether and methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl are preferable from a viewpoint of improvement of copolymer reactivity and solvent resistance, such as an insulating film.

옥세타닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면,As an unsaturated compound which has an oxetanyl group, for example,

3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 아크릴산 에스테르;3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyl Oxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-acryloyl Acrylic acid esters such as oxyethyl) -3-ethyloxetane and 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane;

3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2,2-디플루오로옥세탄 등의 메타크릴산 에스테르 등을 들 수 있다. 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- ( Methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-Methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2 Methacrylic acid ester, such as a 2-difluoro oxetane, etc. are mentioned.

이들 (A2) 화합물 중, (메타)아크릴산 글리시딜이 바람직하다. 이들 (A2) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Among these (A2) compounds, glycidyl (meth) acrylate is preferable. These (A2) compounds may be used independently or may be used in mixture of 2 or more type.

(A2) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물 그리고 (A2) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물 및 (A4) 화합물)의 합계에 기초하여, 5질량%~60질량%가 바람직하고, 10질량%~50질량%가 보다 바람직하다. (A2) 화합물의 사용 비율을 5질량%~60질량%로 함으로써, 우수한 경화성 등을 갖는 경화막으로서 절연막을 형성할 수 있다.As a usage ratio of (A2) compound, 5 mass%-60 mass% are preferable based on the sum total of (A1) compound and (A2) compound (optional (A3) compound and (A4) compound as needed). 10 mass%-50 mass% are more preferable. By setting the use ratio of the compound (A2) to 5% by mass to 60% by mass, an insulating film can be formed as a cured film having excellent curability or the like.

[(A3) 화합물][(A3) Compound]

(A3) 화합물로서는, 우선, 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 페놀성 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 하이드록시스티렌을 들 수 있다.As a (A3) compound, the (meth) acrylic acid ester which has a hydroxyl group, the (meth) acrylic acid ester which has a phenolic hydroxyl group, and hydroxy styrene are mentioned first.

수산기를 갖는 아크릴산 에스테르로서는, 아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴산 3-하이드록시프로필, 아크릴산 4-하이드록시부틸, 아크릴산 5-하이드록시펜틸, 아크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다.As acrylic acid ester which has a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, 6-hydroxyhexyl acrylate, etc. are mentioned.

또한, 수산기를 갖는 메타크릴산 에스테르로서는, 메타크릴산 2-하이드록시에틸, 메타크릴산 3-하이드록시프로필, 메타크릴산 4-하이드록시부틸, 메타크릴산 5-하이드록시펜틸, 메타크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다.Moreover, as methacrylic acid ester which has a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl methacrylic acid, 3-hydroxypropyl methacrylic acid, 4-hydroxybutyl methacrylic acid, 5-hydroxypentyl methacrylic acid, methacrylic acid 6-hydroxyhexyl etc. are mentioned.

페놀성 수산기를 갖는 아크릴산 에스테르로서는, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 4-하이드록시페닐아크릴레이트 등을 들 수 있다. 페놀성 수산기를 갖는 메타크릴산 에스테르로서는, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트 등을 들 수 있다.As acrylic acid ester which has a phenolic hydroxyl group, 2-hydroxyethyl acrylate, 4-hydroxyphenyl acrylate, etc. are mentioned. As methacrylic acid ester which has a phenolic hydroxyl group, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate, etc. are mentioned.

하이드록시스티렌으로서는, o-하이드록시스티렌, p-하이드록시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌이 바람직하다. 이들 (A3) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.As hydroxy styrene, o-hydroxy styrene, p-hydroxy styrene, (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene is preferable. These (A3) compounds may be used independently or may be used in mixture of 2 or more type.

(A3) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물, (A2) 화합물 그리고 (A3) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A4) 화합물)의 합계에 기초하여, 1질량%~30질량%가 바람직하고, 5질량%~25질량%가 보다 바람직하다.As a usage ratio of a compound (A3), 1 mass%-30 mass% are preferable based on the sum total of (A1) compound, (A2) compound, and (A3) compound (optional (A4) compound as needed). 5 mass%-25 mass% are more preferable.

[(A4) 화합물][(A4) Compound]

(A4) 화합물은, 상기의 (A1) 화합물, (A2) 화합물 및 (A3) 화합물 이외에서의 불포화 화합물이면 특별히 제한되지 않는다. (A4) 화합물로서는, 예를 들면, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 아크릴산 쇄상 알킬에스테르, 아크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산 아릴에스테르, 아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카본산 디에스테르, 바이사이클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔, 테트라하이드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라하이드로피란 골격, 피란 골격 등을 갖는 불포화 화합물 및 기타 불포화 화합물 등을 들 수 있다.The compound (A4) is not particularly limited as long as it is an unsaturated compound other than the compound (A1), the compound (A2) and the compound (A3). As the (A4) compound, for example, methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, acrylic acid chain alkyl ester, acrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, And unsaturated compounds having bicyclo unsaturated compounds, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated dienes, tetrahydrofuran skeletons, furan skeletons, tetrahydropyran skeletons, pyran skeletons, and the like, and other unsaturated compounds.

메타크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다.As methacrylic acid linear alkylester, for example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate Isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, and the like.

메타크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산 2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산 이소보르닐 등을 들 수 있다.As methacrylic acid cyclic alkylester, for example, methacrylic acid cyclohexyl, methacrylic acid 2-methylcyclohexyl, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, methacrylic acid tri Cyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yloxyethyl, isobornyl methacrylate, and the like.

아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산 트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid chain alkyl esters include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate and tridecyl acrylate. And n-stearyl acrylate.

아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 사이클로헥실아크릴레이트, 2-메틸사이클로헥실아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등을 들 수 있다.As acrylic acid cyclic alkylester, For example, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] Decane-8-yloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, and the like.

메타크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질 등을 들 수 있다.As methacrylic acid aryl ester, methacrylic acid phenyl, benzyl methacrylate, etc. are mentioned, for example.

아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등을 들 수 있다.As acrylic acid aryl ester, phenyl acrylate, benzyl acrylate, etc. are mentioned, for example.

불포화 디카본산 디에스테르로서는, 예를 들면, 말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등을 들 수 있다.As unsaturated dicarboxylic acid diester, diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconic acid, etc. are mentioned, for example.

바이사이클로 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메톡시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-에톡시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔 등을 들 수 있다.Examples of the bicyclo unsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hepto-2-ene and 5-ethylbicyclo [2.2.1] hepto -2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, etc. are mentioned.

말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-하이드록시페닐)말레이미드, N-(4-하이드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.As a maleimide compound, N-phenylmaleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-benzyl maleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) malee, for example Mead, N-succinimidyl-3-maleimidebenzoate, N-succinimidyl-4-maleimidebutyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌 등을 들 수 있다.As an unsaturated aromatic compound, styrene, (alpha) -methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxy styrene, etc. are mentioned, for example.

공액 디엔으로서는, 예를 들면, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.As a conjugated diene, 1, 3- butadiene, isoprene, 2, 3- dimethyl- 1, 3- butadiene, etc. are mentioned, for example.

테트라하이드로푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시프로피온산 테트라하이드로푸르푸릴에스테르, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온 등을 들 수 있다.As an unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxypropionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxy tetrahydro Furan-2-one etc. are mentioned.

푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, 푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔- 3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등을 들 수 있다.As an unsaturated compound containing a furan skeleton, for example, 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, 1-furan-2-butyl-3 -En-2-one, 1-furan-2-butyl-3-methoxy-3-en-2-one, 6- (2-furyl) -2-methyl-1-hexen-3-one, 6- Furan-2-yl-hex-1-ene- 3-one, acrylic acid-2-furan-2-yl-1-methyl-ethylester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-heptene-3 -On etc. can be mentioned.

테트라하이드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, (테트라하이드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라하이드로피란-2-일옥시)-옥토-1-엔-3-온, 2-메타크릴산 테트라하이드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라하이드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등을 들 수 있다.As an unsaturated compound containing a tetrahydropyran skeleton, it is (tetrahydropyran-2-yl) methylmethacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran-2-yloxy) -octo- 1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester, 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one, etc. are mentioned.

피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 4-(1,4-디옥사-5-옥소-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-옥소-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등을 들 수 있다.As an unsaturated compound containing a pyran skeleton, it is 4- (1, 4- dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6-methyl- 2-pyran, 4- (1, 5- dioxa, for example. -6-oxo-7-octenyl) -6-methyl-2-pyran etc. are mentioned.

기타 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산 비닐 등을 들 수 있다.As another unsaturated compound, acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, vinyl acetate etc. are mentioned, for example.

이들 (A4) 화합물 중, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산 아릴에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라하이드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라하이드로피란 골격, 피란 골격, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하다. 이들 중, 스티렌, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 2-메틸사이클로헥실아크릴레이트, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(n=2~10)모노(메타)아크릴레이트, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온이, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서 보다 바람직하다. 이들 (A4) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Of these (A4) compounds, methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, maleimide compound, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, unsaturated aromatic compound And acrylic acid cyclic alkyl esters are preferable. Among them, styrene, methyl methacrylate, t-butyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, benzyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, p -Methoxy styrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, N-phenylmaleimide, N-cyclohexyl maleimide, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, polyethylene glycol (n = 2-10) mono (meth) acryl The rate and 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one are more preferable at the point of copolymerization reactivity and the solubility to aqueous alkali solution. These (A4) compounds may be used independently or may be used in mixture of 2 or more type.

(A4) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물, (A2) 화합물 그리고 (A4) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물)의 합계에 기초하여, 10질량%~80질량%가 바람직하다.As a usage ratio of a compound (A4), 10 mass%-80 mass% are preferable based on the sum total of (A1) compound, (A2) compound, and (A4) compound (optional (A3) compound as needed). .

<[A] 알칼리 가용성 수지의 합성 방법 1><[A] Synthesis Method 1 of Alkali-Soluble Resin>

[A] 알칼리 가용성 수지는, 예를 들면, 용매 중에서 중합 개시제의 존재하, 상기 (A1) 화합물 그리고 (A2) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물 및 (A4) 화합물)을 공중합함으로써 제조할 수 있다. 이러한 합성 방법에 의하면, 적어도 에폭시기 함유 구조 단위를 포함하는 공중합체를 합성할 수 있다.[A] Alkali-soluble resin is manufactured by copolymerizing the said (A1) compound and (A2) compound (optional (A3) compound and (A4) compound as needed) in presence of a polymerization initiator, for example. can do. According to this synthesis method, the copolymer containing at least an epoxy group containing structural unit can be synthesize | combined.

[A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 알코올, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 디프로필렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 케톤, 에스테르 등을 들 수 있다.[A] As a solvent used in the polymerization reaction for producing alkali-soluble resin, for example, alcohol, glycol ether, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol Dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol alkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, ketone, ester and the like.

[A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물을 들 수 있다.As a polymerization initiator used for the polymerization reaction for manufacturing [A] alkali-soluble resin, what is generally known as a radical polymerization initiator can be used. As a radical polymerization initiator, 2,2'- azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'- azobis- (2, 4- dimethylvaleronitrile), 2,2'- azobis, for example Azo compounds, such as-(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), are mentioned.

[A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위한 중합 반응에 있어서는, 분자량을 조정하기 위해, 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면, 클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화 수소류; n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류;디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐디술피드 등의 잔토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌 다이머 등을 들 수 있다.In the polymerization reaction for producing the [A] alkali-soluble resin, a molecular weight regulator may be used to adjust the molecular weight. As a molecular weight modifier, For example, halogenated hydrocarbons, such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid; xantho such as dimethyl xanthogen sulfide and diisopropyl xanthogen disulfide Gens; Terpinolene, (alpha) -methylstyrene dimer, etc. are mentioned.

[A] 알칼리 가용성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 1,000~30,000 이 바람직하고, 5,000~20,000이 보다 바람직하다. [A] 알칼리 가용성 수지의 Mw를 상기 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 감도 및 현상성을 높일 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서의 중합체의 Mw 및 수 평균 분자량(Mn)은 하기의 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.[A] As a weight average molecular weight (Mw) of alkali-soluble resin, 1,000-30,000 are preferable and 5,000-20,000 are more preferable. By making Mw of alkali-soluble resin into the said range, the sensitivity and developability of a radiation sensitive resin composition can be improved. In addition, Mw and the number average molecular weight (Mn) of the polymer in this specification were measured by the gel permeation chromatography (GPC) by the following conditions.

장치: GPC-101(쇼와덴코 가부시키가이샤 제)Device: GPC-101 (manufactured by Showa Denko KK)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection volume: 100 μL

검출기: 시차 굴절계Detector: parallax refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<[A] 알칼리 가용성 수지의 합성 방법 2><[A] Synthesis Method 2 of Alkali-Soluble Resin>

또한, [A] 알칼리 가용성 수지는, 예를 들면, 전술의 (A1) 화합물을 1종 이상 사용하여 합성할 수 있는 공중합체(이하, 「특정 공중합체」라고도 칭함)와, 상기 (A2) 화합물을 반응시켜 합성할 수 있다. 이러한 합성 방법에 의하면, 적어도 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위를 포함하는 공중합체를 합성할 수 있다.In addition, [A] alkali-soluble resin is a copolymer (Hereinafter, it is also called a "specific copolymer") and the said (A2) compound which can be synthesize | combined using one or more types of above-mentioned (A1) compounds, for example. It can be synthesized by reacting. According to this synthesis method, the copolymer containing the structural unit which has at least a (meth) acryloyloxy group can be synthesize | combined.

[A] 알칼리 가용성 수지가 포함하는 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위는, 하기식 (3)으로 나타난다. 이 구조 단위는, (A1) 화합물에 유래하는 특정 공중합체 중의 카복실기와 (A2) 화합물의 에폭시기가 반응하여, 에스테르 결합을 형성하여 얻어진다.The structural unit which has the (meth) acryloyloxy group which [A] alkali-soluble resin contains is represented by following formula (3). This structural unit is obtained by reacting the carboxyl group in the specific copolymer derived from the compound (A1) with the epoxy group of the compound (A2) to form an ester bond.

Figure pat00005
Figure pat00005

상기식 (3) 중, R20 및 R21은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이다. c는, 1~6의 정수이다. R22는, 하기식 (4-1) 또는 (4-2)로 나타나는 2가의 기이다.In said formula (3), R <20> and R <21> is a hydrogen atom or a methyl group each independently. c is an integer of 1-6. R 22 is a divalent group represented by the following formula (4-1) or (4-2).

Figure pat00006
Figure pat00006

상기식 (4-1) 중, R23은, 수소 원자 또는 메틸기이다. 상기식 (4-1) 및 식 (4-2) 중, *는, 산소 원자와 결합하는 부위를 나타낸다. In said formula (4-1), R <23> is a hydrogen atom or a methyl group. In said formula (4-1) and formula (4-2), * represents the site | part couple | bonded with an oxygen atom.

상기식 (3)으로 나타나는 구조 단위에 대해서, 예를 들면, 카복실기를 갖는 공중합체에, (A2) 화합물로서 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜 등의 화합물을 반응시킨 경우, 식 (3) 중의 R22는, 식 (4-1)이 된다. 한편, (A2) 화합물로서 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등의 화합물을 반응시킨 경우, 식 (3) 중의 R22는, 식 (4-2)가 된다. About the structural unit represented by said formula (3), for example, the copolymer which has a carboxyl group reacted with compounds, such as glycidyl methacrylate and 2-methylglycidyl methacrylate, as (A2) compound In this case, R 22 in formula (3) becomes formula (4-1). On the other hand, in the case of reacting a compound such as methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl as the compound (A2), R 22 in formula (3) becomes formula (4-2).

특정 공중합체의 합성시에는, (A1) 화합물 이외의 화합물, 예를 들면, 전술의 (A3) 화합물, (A4) 화합물 등을 공중합 성분으로서 이용해도 좋다. 이들 화합물로서는, 공중합 반응성의 점에서, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 스티렌, p-메톡시스티렌, 메타크릴산 테트라하이드로푸란-2-일, 1,3-부타디엔이 바람직하다.In the synthesis of the specific copolymer, compounds other than the compound (A1), for example, the compound (A3) and the compound (A4) described above may be used as the copolymerization component. As these compounds, in terms of copolymerization reactivity, methyl methacrylate, n-butyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-hydroxyethyl ester of methacrylic acid, tricyclomethacrylic acid [5.2.1.0 2,6 ] Preferred are decan-8-yl, styrene, p-methoxystyrene, methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl, 1,3-butadiene.

특정 공중합체의 공중합의 방법으로서는, 예를 들면, (A1) 화합물 및, 필요에 따라서 (A3) 화합물 등을, 용매 중 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합하는 방법을 들 수 있다.As a method of copolymerization of a specific copolymer, the method of superposing | polymerizing (A1) compound and (A3) compound etc. as needed using a radical polymerization initiator in a solvent is mentioned, for example.

라디칼 중합 개시제로서는, 전술의 [A] 알칼리 가용성 수지의 항에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제의 사용량으로서는, 중합성 불포화 화합물 100질량%에 대하여, 통상 0.1질량%~50질량%, 바람직하게는 0.1질량%~20질량%이다. 특정 공중합체는, 중합 반응 용액 그대로 [A] 알칼리 가용성 수지의 제조에 제공해도 좋고, 공중합체를 일단 용액으로부터 분리한 후에 [A] 알칼리 가용성 수지의 제조에 제공해도 좋다.As a radical polymerization initiator, the thing similar to what was illustrated by the term of the above-mentioned [A] alkali-soluble resin is mentioned. As a usage-amount of a radical polymerization initiator, it is 0.1 mass%-50 mass% normally with respect to 100 mass% of polymerizable unsaturated compounds, Preferably they are 0.1 mass%-20 mass%. A specific copolymer may be used for manufacture of [A] alkali-soluble resin as it is, or may be used for manufacture of [A] alkali-soluble resin after separating a copolymer from a solution once.

특정 공중합체의 Mw로서는, 2,000~100,000이 바람직하고, 5,000~50,000이 보다 바람직하다. Mw를 2,000 이상으로 함으로써, 절연막의 충분한 현상 마진을 얻음과 함께, 형성되는 도막의 잔막률(패턴 형상 박막이 적정하게 잔존하는 비율)의 저하를 방지하고, 나아가서는 얻어지는 패턴의 형상이나 내열성 등을 양호하게 유지할 수 있다. 한편, Mw를 100,000 이하로 함으로써, 고도의 감도를 보존유지하고, 양호한 패턴 형상을 얻을 수 있다. 또한, 특정 공중합체의 분자량 분포(Mw/Mn)로서는, 5.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다. Mw/Mn을 5.0 이하로 함으로써, 얻어지는 패턴의 형상을 양호하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 특정 범위의 Mw/Mn을 갖는 특정 공중합체를 포함하는 절연막은, 고도의 현상성을 갖고, 현상 공정에 있어서, 현상 잔존을 발생시키는 일 없이 용이하게 소정 패턴 형상을 형성할 수 있다.As Mw of a specific copolymer, 2,000-100,000 are preferable and 5,000-50,000 are more preferable. By setting Mw to 2,000 or more, a sufficient development margin of the insulating film is obtained, and a decrease in the remaining film ratio (ratio of the pattern-shaped thin film remaining appropriately) of the formed coating film is prevented, and thus the shape, heat resistance, and the like of the obtained pattern are further reduced. It can be kept well. On the other hand, by setting Mw to 100,000 or less, high sensitivity can be preserved and a good pattern shape can be obtained. Moreover, as molecular weight distribution (Mw / Mn) of a specific copolymer, 5.0 or less are preferable and 3.0 or less are more preferable. By making Mw / Mn 5.0 or less, the shape of the pattern obtained can be kept favorable. Moreover, the insulating film containing the specific copolymer which has Mw / Mn of the said specific range has high developability, and can develop a predetermined pattern shape easily, without developing development residual in a developing process.

[A] 알칼리 가용성 수지의 (A1) 화합물에 유래하는 구조 단위의 함유율로서는, 5질량%~60질량%가 바람직하고, 7질량%~50질량%가 보다 바람직하고, 8질량%~40질량%가 특히 바람직하다.As content rate of the structural unit derived from the compound (A1) of alkali-soluble resin, 5 mass%-60 mass% are preferable, 7 mass%-50 mass% are more preferable, 8 mass%-40 mass% Is particularly preferred.

[A] 알칼리 가용성 수지의 (A1) 화합물 이외의 (A3) 화합물, (A4) 화합물 등의 화합물에 유래하는 구조 단위의 함유율로서는, 10질량%~90질량%, 20질량%~80질량%이다.[A] As content rate of structural units derived from compounds, such as (A3) compound and (A4) compound, other than (A1) compound of alkali-soluble resin, they are 10 mass%-90 mass%, 20 mass%-80 mass%. .

특정 공중합체와 (A2) 화합물과의 반응에 있어서는, 필요에 따라서 적당한 촉매의 존재하에 있어서, 바람직하게는 중합 금지제를 포함하는 공중합체의 용액에, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물을 투입하고, 가온하에서 소정 시간 교반한다. 상기 촉매로서는, 예를 들면, 테트라부틸암모늄브로마이드 등을 들 수 있다. 상기 중합 금지제로서는, 예를 들면, p-메톡시페놀 등을 들 수 있다. 반응 온도로서는, 70℃~100℃가 바람직하다. 반응 시간으로서는, 8시간~12시간이 바람직하다.In the reaction between the specific copolymer and the compound (A2), an unsaturated compound having an epoxy group is added to a solution of a copolymer containing a polymerization inhibitor, preferably in the presence of a suitable catalyst, if necessary, under heating. Stir for a predetermined time. As said catalyst, tetrabutylammonium bromide etc. are mentioned, for example. As said polymerization inhibitor, p-methoxy phenol etc. are mentioned, for example. As reaction temperature, 70 degreeC-100 degreeC is preferable. As reaction time, 8 hours-12 hours are preferable.

(A2) 화합물의 사용 비율로서는, 공중합체 중의 (A1) 화합물에 유래하는 카복실기에 대하여, 5질량%~99질량%가 바람직하고, 10질량%~97질량%가 보다 바람직하다. (A2) 화합물의 사용 비율을 상기 범위로 함으로써, 공중합체와의 반응성, 경화막의 경화성 등이 보다 향상된다. (A2) 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.As a usage ratio of (A2) compound, 5 mass%-99 mass% are preferable with respect to the carboxyl group derived from the (A1) compound in a copolymer, and 10 mass%-97 mass% are more preferable. By making the use ratio of a (A2) compound into the said range, the reactivity with a copolymer, the curability of a cured film, etc. improve more. (A2) A compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

<[B] 중합성 화합물><[B] polymerizable compound>

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 [B] 중합성 화합물에 대해서 설명한다.The [B] polymeric compound contained in the radiation sensitive resin composition of this embodiment used for manufacture of the insulating film of the array substrate of this embodiment is demonstrated.

[B] 중합성 화합물로서 사용할 수 있는 것은, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등 외, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고 그리고 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고 그리고 3개~5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다. [B] The polymerizable compound can be used, for example,? -Carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorenedi (Meth) acrylate, dimethylol tricyclodecanedi (meth) acrylate, 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxypropyl methacrylate, 2- (2'-vinyloxyethoxy) ethyl ( Meta) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol Hexa (meta) Carboxylate, tri (2- (meth) acryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, succinic acid modified pentaerythritol tri (meth) acrylate, etc. Urethane (meth) acrylate compound obtained by making the compound which has an alicyclic structure and has two or more isocyanate groups, and the compound which has one or more hydroxyl groups in a molecule, and has three to five (meth) acryloyloxy groups reacts. Etc. can be mentioned.

사용 가능한 [B] 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면,As a commercial item of the [B] polymerizable compound which can be used, for example,

아로닉스(ARONIX)(등록 상표) M-400, 동(同) M-402, 동 M-405, 동 M-450, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050, 아로닉스(등록 상표) TO-756, 동 TO-1450, 동 TO-1382(이상, 토아고세 가부시키가이샤), KAYARAD(등록 상표) DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤), 비스코트(VISCOAT) 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카유기가가쿠고교 가부시키가이샤), 우레탄아크릴레이트계 화합물로서 뉴 프런티어(NEW FRONTIER)(등록 상표) R-1150(다이이치고교세이야쿠 가부시키가이샤), KAYARAD(등록 상표) DPHA-40H, 동 UX-5000(닛폰카야쿠 가부시키가이샤), 아트레진(ARTRESIN) UN-9000H(네가미고교 가부시키가이샤), 아로닉스(등록 상표) M-5300, 동 M-5600, 동 M-5700, 동 M-210, 동 M-220, 동 M-240, 동 M-270, 동 M-6200, 동 M-305, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-315(이상, 토아고세 가부시키가이샤), KAYARAD(등록 상표) HDDA, KAYARAD(등록 상표) HX-220, 동 HX-620, 동 R-526, 동 R-167, 동 R-604, 동 R-684, 동 R-551, 동 R-712, 동 UX-2201, 동 UX-2301, 동 UX-3204, 동 UX-3301, 동 UX-4101, 동 UX-6101, 동 UX-7101, 동 UX-8101, 동 UX-0937, 동 MU-2100, 동 MU-4001(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤), 아트레진 UN-9000 PEP, 동 UN-9200A, 동 UN-7600, 동 UN-333, 동 UN-1003, 동 UN-1255, 동 UN-6060PTM, 동 UN-6060P, 동 SH-500B(이상, 네가미고교 가부시키가이샤), 비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카유기가가쿠고교 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.ARONIX (registered trademark) M-400, M-402, M-405, M-450, M-1310, M-1600, M-1960, M-7100 , M-8030, M-8060, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, ARONIX (registered trademark) TO-756, TO-1450, TO-1382 (Above, Toagose Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) @ DPHA, East DPCA-20, East DPCA-30, East DPCA-60, East DPCA-120, East MAX-3510 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd. ), VISCOAT 295, copper 300, copper 360, copper GPT, copper 3PA, copper 400 (above, Osaka Yugigaku Kogyo Co., Ltd.), urethane acrylate-based compounds (NEW FRONTIER) (registration) Trademark) R-1150 (Daiichi-Kyosei Seikaku Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) @ DPHA-40H, East UX-5000 (Nippon Kayaku Co., Ltd.), Atresin (ARTRESIN) UN-9000H (Negami High School) Corporation), Aaronics (registered trademark) M-5300, M-5600, M-5700, M-210, M-220, M-240, M-2 70, M-6200, M-305, M-309, M-310, M-315 (above, Toagose Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) HDDA, KAYARAD (registered trademark) HX- 220, East HX-620, East R-526, East R-167, East R-604, East R-684, East R-551, East R-712, East UX-2201, East UX-2301, East UX- 3204, East UX-3301, East UX-4101, East UX-6101, East UX-7101, East UX-8101, East UX-0937, East MU-2100, East MU-4001 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.) ), Atresin UN-9000 PEP, East UN-9200A, East UN-7600, East UN-333, East UN-1003, East UN-1255, East UN-6060PTM, East UN-6060P, East SH-500B , Negami Kogyo Kogashi Co., Ltd., Biscot 260, East 312, East 335HP (above, Osaka Yugigaku Kogyo Co., Ltd.), etc. are mentioned.

[B] 중합성 화합물은, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [B] 중합성 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 20질량부~200질량부가 바람직하고, 40질량부~160질량부가 보다 바람직하다. [B] 중합성 화합물의 사용 비율을 상기 범위로 함으로써, 밀착성이 우수하고 저(低)노광량에 있어서도 충분한 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있어, 우수한 절연막을 제공할 수 있다.[B] The polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more. As a content rate of the [B] polymeric compound in a radiation sensitive resin composition, 20 mass parts-200 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 40 mass parts-160 mass parts are more preferable. . By setting the use ratio of the polymerizable compound (B) in the above range, a cured film having excellent adhesiveness and sufficient hardness even at a low exposure amount can be formed, and an excellent insulating film can be provided.

<[C] 중합 개시제><[C] polymerization initiator>

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 [C] 중합 개시제에 대해서 설명한다.The polymerization initiator [C] contained in the radiation sensitive resin composition of the present embodiment, which is used for production of the insulating film of the array substrate of the present embodiment, will be described.

[C] 중합 개시제는, 감방사선성 중합 개시제이며, 방사선에 감응하여 [B] 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. 이들 [C] 중합 개시제로서는, O-아실옥심 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.The polymerization initiator (C) is a radiation sensitive polymerization initiator, and is a component that generates active species capable of initiating polymerization of the polymerizable compound [B] in response to radiation. As these [C] polymerization initiators, an O-acyl oxime compound, an acetophenone compound, a biimidazole compound, etc. are mentioned. These compounds may be used independently or may be used in mixture of 2 or more type.

O-아실옥심 화합물로서는, 예를 들면, 1,2-옥탄디온1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-[9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일]-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-[9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다.Examples of the O-acyl oxime compound include 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] and ethanone-1- [9-ethyl-6- ( 2-Methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1- [9-ethyl-6-benzoyl-9H-carbazol-3-yl] -octane-1- Onoxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethane-1-onoxime-O-benzoate, 1- [9- n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2- Methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4- Tetrahydropyranylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl ) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3 -Dioxoranyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) and the like. Can.

이들 중, 1,2-옥탄디온1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 또는 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다.Among them, 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H- Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazole-3 -Yl] -1- (O-acetyloxime) or ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxoranyl) methoxybenzoyl } -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

아세토페논 화합물로서는, 예를 들면, α-아미노케톤 화합물, α-하이드록시케톤 화합물을 들 수 있다.As an acetophenone compound, the (alpha)-amino ketone compound and the (alpha)-hydroxy ketone compound are mentioned, for example.

α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다.As an α-amino ketone compound, for example, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one, etc. are mentioned. have.

α-하이드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면, 1-페닐-2-하이드록시-2-메틸 프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.As an alpha-hydroxy ketone compound, it is 1-phenyl-2-hydroxy-2-methyl propane- 1-one, 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methyl propane, for example. -1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, and the like.

이들 중 α-아미노케톤 화합물이 바람직하고, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.Of these, α-aminoketone compounds are preferable, and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one are more preferable. .

비이미다졸 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 또는 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 바람직하고, 그 중, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 보다 바람직하다. As a biimidazole compound, it is 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'- tetraphenyl- 1,2'-biimidazole, 2,2'-, for example. Bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole or 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl)- 4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferable, among which 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4', 5, 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is more preferable.

[C] 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [C] 중합 개시제의 함유 비율로는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1질량부~40질량부가 바람직하고, 5질량부~30질량부가 보다 바람직하다. [C] 중합 개시제의 사용 비율을 1질량부~40질량부로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물은, 저노광량의 경우라도 높은 내용매성, 높은 경도 및 높은 밀착성을 갖는 절연막을 형성할 수 있다.[C] The polymerization initiator can be used alone or in combination of two or more thereof. As a content rate of the [C] polymerization initiator, 1 mass part-40 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 5 mass parts-30 mass parts are more preferable. By setting the use ratio of the polymerization initiator (C) to 1 part by mass to 40 parts by mass, the radiation-sensitive resin composition can form an insulating film having high solvent resistance, high hardness, and high adhesiveness even in the case of a low exposure amount.

<[D] 화합물>&Lt; [D] Compound >

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [D] 화합물을 함유할 수 있다. [D] 화합물은, 경화제로서의 기능을 완수하는 화합물이다. 따라서, 편의상, [D] 화합물(경화제)이나 [D] 경화제 등으로 칭하는 경우도 있다. [D] 화합물은, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물이다. 감방사선성 수지 조성물이, 그 특정의 화합물군으로부터 선택되는 [D] 화합물을 함유함으로써 절연막의 저온 경화를 실현할 수 있다. 아울러, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시킬 수도 있다. 이하, 각 화합물을 상술한다.The radiation sensitive resin composition of this embodiment used for manufacture of the insulating film of the array substrate of this embodiment can contain a [D] compound. The compound [D] is a compound that fulfills a function as a curing agent. Therefore, for convenience, it may be called a [D] compound (hardening | curing agent), a [D] hardening | curing agent, etc. in some cases. The compound [D] is a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, an amidine salt, an amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound, and already It is at least 1 compound chosen from the group which consists of a polyazole ring containing compound. Low temperature hardening of an insulating film can be implement | achieved by the radiation sensitive resin composition containing the [D] compound chosen from the specific compound group. Moreover, the storage stability of a radiation sensitive resin composition can also be improved. Hereinafter, each compound is explained in full detail.

[식 (1) 및 식 (2)로 나타나는 화합물][Compound represented by Formula (1) and Formula (2)]

[D] 화합물로서는, 하기식 (1) 및 하기식 (2)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이 바람직하다. [D] 화합물로서, 아미노기와 전자 결핍기를 갖는, 전술의 특정 화합물을 선택함으로써, 절연막의 저온 경화를 실현할 수 있다. 아울러, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시킬 수도 있다. 또한, 얻어진 절연막을 갖는 어레이 기판을 구비한 액정 표시 소자의 전압 보전율을 보다 향상할 수 있다.It is preferable that it is at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a compound represented by following formula (1) and following formula (2) as a compound [D]. By selecting the above-mentioned specific compound having an amino group and an electron deficient group as the compound [D], low-temperature curing of the insulating film can be realized. Moreover, the storage stability of a radiation sensitive resin composition can also be improved. Moreover, the voltage holding ratio of the liquid crystal display element provided with the array substrate which has the obtained insulating film can be improved more.

Figure pat00007
Figure pat00007

Figure pat00008
Figure pat00008

상기식 (1) 중, R1~R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이다. 단, R1~R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1~R6 중 적어도 1개는 아미노기이며, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1~6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋다.In said formula (1), R <1> -R <6> is a hydrogen atom, an electron withdrawing group, or an amino group each independently. Provided that at least one of R 1 to R 6 is an electron withdrawing group, and at least one of R 1 to R 6 is an amino group, in which all or part of the hydrogen atoms are substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. You may be.

상기식 (2) 중, R7~R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이다. 단, R7~R16 중 적어도 1개는 아미노기이다. 또한, 그 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2~6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋다. A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 알킬렌기이다. 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋다.In said formula (2), R <7> -R <16> is a hydrogen atom, an electron withdrawing group, or an amino group each independently. Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group. In addition, all or a part of hydrogen atoms may be substituted with the C2-C6 alkylene group of the amino group. A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonyl methylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group, or a C2-C6 alkylene group. However, all or part of the hydrogen atom may be substituted by the cyano group, the halogen atom, or the fluoroalkyl group in the said methylene group and the alkylene group.

상기식 (1) 및 상기식 (2)의 R1~R16이 나타내는 전자 흡인성기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 카복실기, 아실기, 알킬술포닐기, 알킬옥시술포닐기, 디시아노비닐기, 트리시아노비닐기, 술포닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 니트로기, 알킬옥시술포닐기, 트리플루오로메틸기가 바람직하다. A가 나타내는 기로서는, 술포닐기, 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋은 메틸렌기가 바람직하다.As an electron-withdrawing group which R <1> -R <16> of the said Formula (1) and said Formula (2) shows, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a trifluoromethyl group, a carboxyl group, an acyl group, an alkylsulfo, for example A silyl group, an alkyloxy sulfonyl group, a dicyano vinyl group, a tricyano vinyl group, a sulfonyl group, etc. are mentioned. Of these, nitro groups, alkyloxysulfonyl groups, and trifluoromethyl groups are preferable. As group which A represents, the methylene group which may be substituted by the sulfonyl group and the fluoroalkyl group is preferable.

상기식 (1) 및 식 (2)로 나타나는 화합물로서는,As a compound represented by said Formula (1) and Formula (2),

2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,3-비스(4-아미노페닐)숙시노니트릴, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노페닐벤조에이트, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 1,4-디아미노-2-클로로벤젠, 1,4-디아미노-2-브로모벤젠, 1,4-디아미노-2-요오도벤젠, 1,4-디아미노-2-니트로벤젠, 1,4-디아미노-2-트리플루오로메틸벤젠, 2,5-디아미노벤조니트릴, 2,5-디아미노아세토페논, 2,5-디아미노벤조산, 2,2'-디클로로벤지딘, 2,2'-디브로모벤지딘, 2,2'-디요오도벤지딘, 2,2'-디니트로벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3-아미노벤젠술폰산 에틸, 3,5-비스트리플루오로메틸-1,2-디아미노벤젠, 4-아미노니트로벤젠, N,N-디메틸-4-니트로아닐린이 바람직하고, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3-아미노벤젠술폰산 에틸, 3,5-비스트리플루오로메틸-1,2-디아미노벤젠, 4-아미노니트로벤젠, N,N-디메틸-4-니트로아닐린이 보다 바람직하다.2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,3-bis (4-aminophenyl) succinonitrile, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminophenylbenzo 8,4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,4-diamino-2-chlorobenzene, 1,4-diamino-2-bromobenzene, 1,4-diamino-2-iodobenzene , 1,4-diamino-2-nitrobenzene, 1,4-diamino-2-trifluoromethylbenzene, 2,5-diaminobenzonitrile, 2,5-diaminoacetophenone, 2,5- Diaminobenzoic acid, 2,2'-dichlorobenzidine, 2,2'-dibromobenzidine, 2,2'-diiodobenzidine, 2,2'-dinitrobenzidine, 2,2'-bis (trifluor Romethyl) benzidine, 3-aminobenzenesulfonic acid ethyl, 3,5-bistrifluoromethyl-1,2-diaminobenzene, 4-aminonitrobenzene, N, N-dimethyl-4-nitroaniline are preferable, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 3-aminobenzenesulphone More preferred are acid ethyl, 3,5-bistrifluoromethyl-1,2-diaminobenzene, 4-aminonitrobenzene, N, N-dimethyl-4-nitroaniline.

상기식 (1) 및 상기식 (2)로 나타나는 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기식 (1) 및 상기식 (2)로 나타나는 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부~20질량부가 바람직하고, 0.2질량부~10질량부가 보다 바람직하다. 상기식 (1) 및 상기식 (2)로 나타나는 화합물의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 절연막의 경화 촉진을 실현할 수 있다. 아울러, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상하고, 또한, 얻어진 절연막을 갖는 어레이 기판을 구비한 액정 표시 소자의 전압 보전율을 높은 레벨로 보존유지할 수 있다.The compound represented by said Formula (1) and said Formula (2) can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the compound represented by said Formula (1) and said Formula (2), 0.1 mass part-20 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.2 mass part-10 mass parts are more preferable. Do. By making the content rate of the compound represented by said Formula (1) and said Formula (2) into the said range, hardening acceleration of the insulating film formed from a radiation sensitive resin composition can be implement | achieved. In addition, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition can be improved, and the voltage holding ratio of the liquid crystal display device provided with the array substrate having the obtained insulating film can be maintained at a high level.

[3급 아민 화합물][Third Amine Compound]

반응성이 높은 일반적인 1급 아민 화합물이나 2급 아민 화합물을 에폭시 화합물과 공존시키면, 조성물 용액의 보존 중에 아민의 에폭시기로의 친핵 공격에 의해 경화 반응이 진행되어, 제품으로서의 품질을 손상시킬 우려가 있다. 그러나, 3급 아민을 사용한 경우는, 비교적 반응성이 낮은 것에 기인해서인지, 조성부 중에서는 에폭시 화합물과 공존시켜도 보존 안정성은 양호해진다.When a highly reactive general primary amine compound and secondary amine compound coexist with an epoxy compound, hardening reaction advances by nucleophilic attack of an amine to an epoxy group during storage of a composition solution, and there exists a possibility that the quality as a product may be impaired. However, when tertiary amine is used, it is due to relatively low reactivity, and even if it coexists with an epoxy compound in a composition part, storage stability becomes favorable.

3급 아민 화합물로서는, 하기식 (5)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As a tertiary amine compound, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a compound represented by following formula (5) can be used.

Figure pat00009
Figure pat00009

상기식 (5) 중, R24~R26은, 각각 독립적으로 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~18의 아릴기 또는 탄소수 7~30의 아르알킬기이다. 단, R24 및 R25는 서로 결합하고, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환구조를 형성하고 있어도 좋다. 상기 알킬기, 아릴기 및 아르알킬기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다.In said formula (5), R <24> -R <26> is a C1-C20 alkyl group, a C6-C18 aryl group, or a C7-C30 aralkyl group each independently. However, R 24 and R 25 may be bonded to each other and may form a ring structure with the nitrogen atom to which they are bonded. Some or all of the hydrogen atoms may be substituted for the alkyl group, the aryl group, and the aralkyl group.

상기식 (5) 중의 R24~R26이 나타내는 상기 탄소수 1~20의 알킬기로서는, 예를 들면, 직쇄상 또는 분기상의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 라우릴기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기 등을 들 수 있다.As said C1-C20 alkyl group which R <24> -R <26> in said formula (5) shows, a linear or branched methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, Octyl group, nonyl group, decyl group, lauryl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group have.

상기식 (5) 중의 R24~R26이 나타내는 탄소수 6~18의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.As a C6-C18 aryl group which R <24> -R <26> in said formula (5) shows, a phenyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned, for example.

상기식 (5) 중의 R24~R26이 나타내는 탄소수 7~30의 아르알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기 등을 들 수 있다.As a C7-C30 aralkyl group which R <24> -R <26> in said formula (5) shows, a benzyl group, a phenethyl group, etc. are mentioned, for example.

3급 아민 화합물로서는, 예를 들면, N,N-디메틸벤질아민, 트리페닐아민, 트리부틸아민, 트리옥틸아민, 트리도데실아민, 디부틸벤질아민, 트리나프틸아민, N-에틸-N-메틸아닐린, N,N-디에틸아닐린, N-페닐-N-메틸아닐린, N,N-디메틸-p-톨루이딘, N,N-디메틸-4-브로모아닐린, N,N-디메틸-4-메톡시아닐린, N-페닐피페리딘, N-(4-메톡시페닐)피페리딘, N-페닐-1,2,3,4-테트라하이드로이소퀴놀린, 6-벤질옥시-N-페닐-7-메톡시-1,2,3,4-테트라하이드로이소퀴놀린, N,N'-디메틸피페라진, N,N-디메틸사이클로헥실아민, 2-디메틸아미노메틸페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸) 페놀 등을 들 수 있다.As the tertiary amine compound, for example, N, N-dimethylbenzylamine, triphenylamine, tributylamine, trioctylamine, tridodecylamine, dibutylbenzylamine, trinaphthylamine, N-ethyl-N -Methylaniline, N, N-diethylaniline, N-phenyl-N-methylaniline, N, N-dimethyl-p-toluidine, N, N-dimethyl-4-bromoaniline, N, N-dimethyl-4 -Methoxyaniline, N-phenylpiperidine, N- (4-methoxyphenyl) piperidine, N-phenyl-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline, 6-benzyloxy-N-phenyl -7-methoxy-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline, N, N'-dimethylpiperazine, N, N-dimethylcyclohexylamine, 2-dimethylaminomethylphenol, 2,4,6- Tris (dimethylaminomethyl) phenol etc. are mentioned.

이들 3급 아민 화합물 중, 트리옥틸아민, 2-디메틸아미노메틸페놀, N,N-디에틸아닐린 등이 바람직하다. 3급 아민 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 3급 아민 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부~10질량부가 바람직하고, 0.5질량부~5질량부가 보다 바람직하다. 3급 아민 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.Among these tertiary amine compounds, trioctylamine, 2-dimethylaminomethylphenol, N, N-diethylaniline, and the like are preferable. A tertiary amine compound can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the tertiary amine compound in a radiation sensitive resin composition, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.5 mass part-5 mass parts are more preferable. By making the content rate of a tertiary amine compound into the said specific range, the storage stability of a radiation sensitive resin composition and low temperature hardening can be compatible at a higher level.

[아민염 및 포스포늄염][Amine salts and phosphonium salts]

아민염 및 포스포늄염으로서는, 하기식 (6)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As an amine salt and a phosphonium salt, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a compound represented by following formula (6) can be used.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기식 (6) 중, A1은, 질소 원자 또는 인 원자이다. R27~R30은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~18의 아릴기 또는 탄소수 7~30의 아르알킬기이다. 단, 이들 기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다. Q-는, 1가의 음이온이다.In said formula (6), A <1> is a nitrogen atom or a phosphorus atom. R 27 to R 30 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms. However, some or all of the hydrogen atoms may be substituted for these groups. Q is a monovalent anion.

상기식 (6) 중의 R27~R30이 나타내는 탄소수 1~20의 알킬기로서는, 예를 들면, 직쇄상 또는 분기상의, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 라우릴기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기 등을 들 수 있다.As a C1-C20 alkyl group which R <27> -R <30> in the said Formula (6) shows, linear or branched methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, Octyl group, nonyl group, decyl group, lauryl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group have.

상기식 (6) 중의 R27~R30이 나타내는 탄소수 6~18의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.As a C6-C18 aryl group which R <27> -R <30> in said formula (6) shows, a phenyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned, for example.

상기식 (6) 중의 R27~R30이 나타내는 탄소수 7~30의 아르알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기 등을 들 수 있다.As a C7-C30 aralkyl group which R <27> -R <30> in said formula (6) shows, a benzyl group, a phenethyl group, etc. are mentioned, for example.

상기식 (6) 중의 Q가 나타내는 1가의 음이온으로서는, 예를 들면, 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 시안화물 이온, 질산 이온, 아질산 이온, 차아염소산 이온, 아염소산 이온, 염소산 이온, 과염소산 이온, 과망간산 이온, 탄산 수소 이온, 인산 이수소 이온, 황화 수소 이온, 티오시안산 이온, 카본산 이온, 술폰산 이온, 페녹사이드 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 테트라아릴보레이트 이온, 헥사플루오로안티모네이트 이온 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent anion represented by Q in the formula (6) include chloride ions, bromide ions, iodide ions, cyanide ions, nitrate ions, nitrite ions, hypochlorite ions, chlorite ions, and chlorate ions. , Perchlorate ion, permanganate ion, hydrogen carbonate ion, dihydrogen phosphate ion, hydrogen sulfide ion, thiocyanate ion, carbonic acid ion, sulfonic acid ion, phenoxide ion, tetrafluoroborate ion, tetraarylborate ion, hexafluoro And antimonate ions.

상기식 (6) 중의, A1이 질소 원자인 경우, 즉 암모늄염으로서는, 예를 들면, 염화 테트라메틸암모늄, 염화 테트라부틸암모늄, 염화 도데실디메틸벤질암모늄, 염화 옥틸트리메틸암모늄, 염화 데실트리메틸암모늄, 염화 도데실트리메틸암모늄, 염화 테트라데실트리메틸암모늄, 염화 세틸트리메틸암모늄, 염화 스테아릴트리메틸암모늄, 브롬화 헥사데실트리메틸암모늄, 염화 벤질트리메틸암모늄, 염화 벤질트리에틸암모늄, 염화 벤잘코늄, 브롬화 벤잘코늄, 염화 디데실디메틸암모늄, 염화 디스테아릴디메틸암모늄을 들 수 있다.In the formula (6), when A 1 is a nitrogen atom, that is, as an ammonium salt, for example, tetramethylammonium chloride, tetrabutylammonium chloride, dodecyldimethylbenzylammonium chloride, octyltrimethylammonium chloride, decyltrimethylammonium chloride, Dodecyltrimethylammonium chloride, tetradecyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride, hexadecyltrimethylammonium bromide, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltriethylammonium chloride, benzalkonium chloride, benzalkonium chloride, didecide chloride Sildimethylammonium and distearyldimethylammonium chloride.

A1이 인 원자인 경우, 즉 포스포늄염으로서는, 예를 들면, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-에틸페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-메톡시페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-에톡시페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-tert-부톡시페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(m-톨릴)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(m-메톡시페닐)보레이트, 트리(p-톨릴)페닐포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 테트라(p-톨릴)포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 트리(p-메톡시페닐)페닐포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트, 메틸트리페닐포스포늄티오시아네이트, p-톨릴트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있다.In the case where A 1 is a phosphorus atom, that is, as a phosphonium salt, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (p-ethyl Phenyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (p-methoxyphenyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (p-ethoxyphenyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (p-tert-butoxyphenyl) borate , Tetraphenylphosphonium tetra (m-tolyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (m-methoxyphenyl) borate, tri (p-tolyl) phenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, tetra (p -Tolyl) phosphonium tetra (p-tolyl) borate, tri (p-methoxyphenyl) phenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate , Methyl triphenyl phosphonium thiocyanate, p-tolyl tri Phenyl phosphonium thiocyanate etc. are mentioned.

이들 아민염 및 포스포늄염 중, 염화 테트라메틸암모늄, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트가 바람직하다. 아민염 및 포스포늄염은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 아민염 및 포스포늄염의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.05질량부~10질량부가 바람직하고, 0.1질량부~5질량부가 보다 바람직하다. 아민염 및 포스포늄염의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.Of these amine salts and phosphonium salts, tetramethylammonium chloride and butyltriphenylphosphonium thiocyanate are preferred. An amine salt and a phosphonium salt can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the amine salt and phosphonium salt in a radiation sensitive resin composition, 0.05 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.1 mass part-5 mass parts are more preferable. . By making the content rate of an amine salt and a phosphonium salt into the said specific range, the storage stability of a radiation sensitive resin composition and low temperature hardening can be compatible at a higher level.

[아미딘염][Amidine Salt]

아미딘염으로서는, 하기식 (7)로 나타나는 화합물의 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As an amidine salt, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a salt of the compound represented by following formula (7) can be used.

Figure pat00011
Figure pat00011

상기식 (7) 중, m은 2~6의 정수이다. 단, 알킬렌기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 유기기로 치환되어 있어도 좋다. 또한, 상기 알킬렌기란, 테트라하이드로피리미딘환 중의 알킬렌기 및 식 (7)에 있어서 (CH2)m으로 나타나는 알킬렌기의 양방을 말한다.In said formula (7), m is an integer of 2-6. However, one part or all part of the hydrogen atom which an alkylene group has may be substituted by the organic group. Further, the alkylene group refers to, tetrahydro-pyrimidine in the alkylene group and the formula (7) in dinhwan refers to both of the alkylene group represented by (CH 2) m.

상기 알킬렌기가 치환기로서 갖고 있어도 좋은 유기기로서는, 예를 들면,As the organic group which the alkylene group may have as a substituent, for example,

메틸기, 에틸기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, n-헥실기 등의 탄소수 1~6의 알킬기;Alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group and n-hexyl group;

하이드록시메틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 3-하이드록시프로필기, 2-하이드록시이소프로필기, 3-하이드록시-t-부틸기, 6-하이드록시헥실기 등의 탄소수 1~6의 하이드록시알킬기;Hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 2-hydroxyisopropyl group, 3-hydroxy-t-butyl group, 6 C1-C6 hydroxyalkyl groups, such as a hydroxyhexyl group;

디메틸아미노기, 메틸에틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 디부틸아미노기, t-부틸메틸아미노기, 디-n-헥실아미노기 등의 탄소수 2~12의 디알킬아미노기 등을 들 수 있다.C2-C12 dialkylamino groups, such as a dimethylamino group, a methylethylamino group, a diethylamino group, a diisopropylamino group, a dibutylamino group, a t-butylmethylamino group, and a di-n-hexylamino group, etc. are mentioned.

상기식 (7)로 나타나는 화합물로서는, 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-노넨-5(DBN), 1,5-디아자바이사이클로[4,4,0]-데센-5, 1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]-운데센-7(DBU), 5-하이드록시프로필-1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]-운데센-7,5-디부틸아미노-1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]-운데센-7 등을 들 수 있다. 이들 중, DBN 및 DBU가 바람직하다.Examples of the compound represented by the formula (7) include 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -nonene-5 (DBN) and 1,5-diazabicyclo [4,4,0] -decene-5 , 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -undecene-7 (DBU), 5-hydroxypropyl-1,8-diazabicyclo [5,4,0] -undecene-7, 5-dibutylamino-1,8-diazabicyclo [5,4,0] -undecene-7 and the like. Among these, DBN and DBU are preferable.

상기식 (7)로 나타나는 화합물이 염을 형성하기 위한 산으로서는, 유기산 및 무기산을 들 수 있다.As an acid for the compound represented by said Formula (7) to form a salt, an organic acid and an inorganic acid are mentioned.

유기산으로서는, 예를 들면 카본산, 모노알킬탄산, 방향족 하이드록시 화합물, 술폰산 등을 들 수 있다.As an organic acid, a carbonic acid, a monoalkyl carboxylic acid, an aromatic hydroxy compound, sulfonic acid, etc. are mentioned, for example.

이들 산 중, 카본산, 방향족 하이드록시 화합물, 술폰산이 바람직하고, 포화 지방산, 방향족 하이드록시 화합물, 술폰산이 보다 바람직하고, 강산인 술폰산이 특히 바람직하며, 톨루엔술폰산, 메탄술폰산, 옥틸벤젠술폰산이 가장 바람직하다.아미딘염으로서는, DBU와 톨루엔술폰산과의 염, DBU와 옥틸벤젠술폰산과의 염, DBN와 톨루엔술폰산과의 염, DBN와 옥틸벤젠술폰산과의 염이 바람직하다.Of these acids, carbonic acid, aromatic hydroxy compound and sulfonic acid are preferable, saturated fatty acid, aromatic hydroxy compound and sulfonic acid are more preferable, and sulfonic acid which is a strong acid is particularly preferable, and toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and octylbenzenesulfonic acid are most preferred. As the amidine salt, salts of DBU and toluenesulfonic acid, salts of DBU and octylbenzenesulfonic acid, salts of DBN and toluenesulfonic acid, and salts of DBN and octylbenzenesulfonic acid are preferable.

아미딘염은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 아미딘염의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부~10질량부가 바람직하고, 0.5질량부~5질량부가 보다 바람직하다. 아미딘염의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.Amidine salt can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the amidine salt in a radiation sensitive resin composition, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.5 mass part-5 mass parts are more preferable. By making the content rate of an amidine salt into the said specific range, the storage stability and low temperature hardening of a radiation sensitive resin composition can be compatible at a higher level.

[아미드 화합물][Amide compound]

아미드 화합물로서는, 하기식 (8)~하기식 (10)으로 나타나는 아미드기를 갖는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다. As an amide compound, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a compound which has an amide group represented by following formula (8)-following formula (10) can be used.

Figure pat00012
Figure pat00012

Figure pat00013
Figure pat00013

Figure pat00014
Figure pat00014

상기식 (8) 중, R31 및 R32는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~12의 알킬기, 사이클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 비닐기, 또는 2-피리딜기이다. 단, 상기 탄소수 1~12의 알킬기, 페닐기 및 나프틸기는, 탄소수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자, 수산기, 카복실기 또는 아세틸기로 치환되어 있어도 좋다.In said formula (8), R <31> and R <32> is a hydrogen atom, a C1-C12 alkyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a naphthyl group, a vinyl group, or 2-pyridyl group each independently. However, the said C1-C12 alkyl group, a phenyl group, and a naphthyl group may be substituted by the C1-C6 alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, or an acetyl group.

상기식 (9) 중, R33 및 R34는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~12의 알킬기 또는 사이클로헥실기이다. A2는, 메틸렌기, 탄소수 2~12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 비닐렌기이다. 단, 상기 메틸렌기, 탄소수 2~12의 알킬렌기, 페닐렌기 및 나프틸렌기는, 탄소수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다.In said formula (9), R <33> and R <34> is a hydrogen atom, a C1-C12 alkyl group, or a cyclohexyl group each independently. A <2> is a methylene group, a C2-C12 alkylene group, a phenylene group, a naphthylene group, or a vinylene group. However, the said methylene group, a C2-C12 alkylene group, a phenylene group, and a naphthylene group may be substituted by the C1-C6 alkyl group and a halogen atom.

상기식 (10) 중, R35 및 R36은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~12의 알킬기 또는 사이클로헥실기이다. A3은, 메틸렌기, 탄소수 2~12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 비닐렌기이다. 단, 상기 메틸렌기, 탄소수 2~12의 알킬렌기, 페닐렌기 및 나프틸렌기는, 탄소수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다.In said formula (10), R <35> and R <36> is a hydrogen atom, a C1-C12 alkyl group, or a cyclohexyl group each independently. A <3> is a methylene group, a C2-C12 alkylene group, a phenylene group, a naphthylene group, or a vinylene group. However, the said methylene group, a C2-C12 alkylene group, a phenylene group, and a naphthylene group may be substituted by the C1-C6 alkyl group and a halogen atom.

상기식 (8)로 나타나는 아미드 화합물은 분자 내에 하나의 아미드 결합을 갖는 화합물이다. 그 구체적인 예로서는, 예를 들면, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N-에틸아세트아미드, 프탈아미드산, 아크릴아미드, 벤즈아미드, 나프토아미드, 니코틴아미드, 이소니코틴아미드 등을 들 수 있다.The amide compound represented by the formula (8) is a compound having one amide bond in the molecule. Specific examples thereof include acetamide, N-methylacetamide, N-ethylacetamide, phthalamic acid, acrylamide, benzamide, naphthoamide, nicotinamide, isnicotinamide, and the like.

이들 중, 실온에서의 보존 안정성, 얻어지는 절연막의 내열성, 전압 보전율 등을 향상시킬 수 있는 관점에서 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, 프탈아미드산이 바람직하다.Among them, acetamide, N-methylacetamide, and phthalamic acid are preferable from the viewpoint of improving the storage stability at room temperature, the heat resistance of the insulating film obtained, the voltage holding ratio and the like.

상기식 (9) 및 상기식 (10)으로 나타나는 화합물은 분자 내에 2개의 아미드 결합을 갖는 화합물이다. 그 구체적인 예로서는, 예를 들면, 프탈아미드, 이소프탈아미드, 테레프탈아미드, 말론아미드, 숙신아미드, N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민, N,N'-디아세틸-도데실메틸렌디아민 등을 들 수 있다.The compounds represented by the formulas (9) and (10) are compounds having two amide bonds in the molecule. As specific examples thereof, for example, phthalamide, isophthalamide, terephthalamide, malonamide, succinamide, N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine, N, N'-diacetyl-hexamethylenediamine, N, N'- diacetyl- dodecyl methylene diamine, etc. are mentioned.

이들 중, 보존 안정성과 저온 경화를 높은 레벨로 양립할 수 있다는 관점에서, 이소프탈아미드, 아디핀아미드, N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민이 바람직하다.Of these, from the viewpoint of compatibility between storage stability and low-temperature curing at a high level, it is preferable to use an isophthalamide, adipinamide, N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine, N, N'-diacetyl- Methylenediamine is preferred.

아미드 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 아미드 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부~10질량부가 바람직하고, 0.5질량부~5질량부가 보다 바람직하다. 아미드 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.An amide compound can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the amide compound in a radiation sensitive resin composition, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.5 mass part-5 mass parts are more preferable. By making the content rate of an amide compound into the said specific range, the storage stability and low temperature hardening of a radiation sensitive resin composition can be compatible at a higher level.

[티올 화합물][Thiol Compound]

티올 화합물로서는, 1분자 중에 2개 이상의 메르캅토기를 갖는 화합물이다. 티올 화합물은, 1분자 중에 2개 이상의 메르캅토기를 갖는 한 특별히 한정되지 않지만, 하기식 (11)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As a thiol compound, it is a compound which has two or more mercapto groups in 1 molecule. Although the thiol compound is not specifically limited as long as it has two or more mercapto groups in 1 molecule, At least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a compound represented by following formula (11) can be used.

Figure pat00015
Figure pat00015

상기식 (11) 중, R37은, 메틸렌기, 탄소수 2~10의 알킬렌기이다. 단, 이들 기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기로 치환되어 있어도 좋다. Y1은, 단결합, -CO- 또는 O-CO-*이다. 단, *를 붙인 결합손이 R37과 결합한다. n은 2~10의 정수이다. A4는, 1개 또는 복수개의 에테르 결합을 갖고 있어도 좋은 탄소수 2~70의 n가의 탄화 수소기, 또는, n이 3인 경우, 하기식 (12)로 나타나는 기이다.In said formula (11), R <37> is a methylene group and a C2-C10 alkylene group. However, some or all of the hydrogen atoms in these groups may be substituted by the alkyl group. Y 1 is a single bond, -CO- or O-CO- * . Provided that a bond attached with * binds to R 37 . n is an integer of 2-10. A <4> is a C2-C70 n-valent hydrocarbon group which may have one or more ether bonds, or when n is 3, it is group represented by following formula (12).

Figure pat00016
Figure pat00016

상기식 (12) 중, R38~R40은, 각각 독립적으로 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 알킬렌기이다. 「*」는, 각각 결합손인 것을 나타낸다.In said formula (12), R <38> -R <40> is a methylene group or a C2-C6 alkylene group each independently. "*" Represents a bond.

상기식 (11)로 나타나는 화합물로서, 전형적으로는 메르캅토카본산과 다가 알코올과의 에스테르화물 등을 사용할 수 있다. 에스테르화물을 구성하는 메르캅토카본산으로서는, 예를 들면, 티오글리콜산, 3-메르캅토프로피온산, 3-메르캅토부탄산, 3-메르캅토펜탄산 등을 들 수 있다. 또한, 에스테르화물을 구성하는 다가 알코올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 테트라에틸렌글리콜, 디펜타에리트리톨, 1,4-부탄디올, 펜타에리트리톨 등을 들 수 있다.As the compound represented by the formula (11), typically, an esterified product of mercaptocarboxylic acid and a polyhydric alcohol can be used. Examples of the mercaptocarboxylic acid constituting the esterified product include thioglycolic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptobutanoic acid, 3-mercaptopentanoic acid, and the like. Moreover, as a polyhydric alcohol which comprises esterification, ethylene glycol, propylene glycol, trimethylol propane, pentaerythritol, tetraethylene glycol, dipentaerythritol, 1, 4- butanediol, pentaerythritol, etc. are mentioned, for example. Can be.

상기식 (11)로 나타나는 화합물로서는, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), 테트라 에틸렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(티오글리콜레이트), 1,4-비스(3-메르캅토부틸옥시)부탄, 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토펜틸레이트), 1,3,5-트리스(3-메르캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온이 바람직하다.As a compound represented by said Formula (11), trimethylol propane tris (3-mercapto propionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercapto propionate), and tetra ethylene glycol bis (3- mercapto propio) Nate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (thioglycolate), 1,4-bis (3-mercaptobutyloxy) butane, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopentylate), 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl) -1,3,5-triazine-2, 4,6 (1H, 3H, 5H) -trione is preferred.

티올 화합물의 1분자 중에 2개 이상의 메르캅토기를 갖는 화합물로서는, 하기식 (13)~하기식 (15)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.As a compound which has two or more mercapto groups in 1 molecule of a thiol compound, the compound represented by following formula (13)-following formula (15) can also be used.

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
Figure pat00018

상기식 (13) 중, R41은, 메틸렌기 또는 탄소수 2~20의 알킬렌기이다. R42는, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 직쇄 또는 분기 알킬렌기이다. k는 1~20의 정수이다.In said formula (13), R <41> is a methylene group or a C2-C20 alkylene group. R <42> is a methylene group or a C2-C6 linear or branched alkylene group. k is an integer of 1-20.

상기식 (14) 중, R43~R46은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 수산기 또는 하기식 (15)로 나타나는 기이다. 단, R43~R46의 적어도 1개는 하기식 (15)로 나타나는 기이다.In said formula (14), R <43> -R <46> is group represented by a hydrogen atom, a hydroxyl group, or following formula (15) each independently. However, at least 1 of R <43> -R <46> is group represented by following formula (15).

Figure pat00019
Figure pat00019

상기식 (15) 중, R47은, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 직쇄 또는 분기 알킬렌기이다.In said formula (15), R 47 is a methylene group or a C2-C6 linear or branched alkylene group.

티올 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 티올 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1질량부~20질량부가 바람직하고, 5질량부~15질량부가 보다 바람직하다. 티올 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.A thiol compound can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the thiol compound in a radiation sensitive resin composition, 1 mass part-20 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 5 mass parts-15 mass parts are more preferable. By making the content rate of a thiol compound into the said specific range, the storage stability of a radiation sensitive resin composition and low temperature hardening can be compatible at a higher level.

[블록 이소시아네이트 화합물][Block Isocyanate Compound]

블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 이소시아네이트기를 활성 수소기 함유 화합물(블록제)과 반응시켜 상온에서 불활성으로 한 것이며, 이를 가열하면 블록제가 해리하여 이소시아네이트기가 재생된다는 성질을 갖는 것이다. 감방사선성 수지 조성물이 블록 폴리이소시아네이트를 함유함으로써, 효과적인 가교제로서 이소시아네이트-수산기 가교 반응이 진행되어, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 높은 레벨로 양립할 수 있다.The blocked polyisocyanate compound is made to be inert at room temperature by reacting an isocyanate group with an active hydrogen group-containing compound (blocking agent), and when heated, the blocking polyisocyanate compound has a property of regenerating isocyanate groups. When the radiation-sensitive resin composition contains blocked polyisocyanate, the isocyanate-hydroxyl group crosslinking reaction proceeds as an effective crosslinking agent, so that the storage stability and low-temperature curing of the radiation-sensitive resin composition can be compatible at a high level.

블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 지방족 또는 지환족 디이소시아네이트로부터 유도되는 폴리이소시아네이트와 활성 수소를 갖는 화합물(블록제)과의 공지의 반응에 의해 얻어진다.The blocked polyisocyanate compound is obtained by a known reaction of a polyisocyanate derived from aliphatic or alicyclic diisocyanate with a compound (blocking agent) having active hydrogen.

디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 펜탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 2,2,4-트리메틸-1,6-디이소시아나토헥산, 2,4,4-트리메틸-1,6-디이소시아나토헥산, 리신디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트(IPDI), 1,3-비스(이소시아나토메틸)사이클로헥산, 4,4-디사이클로헥실메탄디이소시아네이트, 노르보르넨디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 트리딘디이소시아네이트, 자일리딘이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 1,5-펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 3-이소시아나토메틸-3,5,5-트리메틸사이클로헥실디이소시아네이트 등을 들 수 있다.As the diisocyanate, for example, tetramethylene diisocyanate, pentane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate (HDI), 2,2,4-trimethyl-1,6-diisocyanatohexane, 2,4,4-trimethyl- 1,6-diisocyanatohexane, lysine diisocyanate, isophorone diisocyanate (IPDI), 1,3-bis (isocyanatomethyl) cyclohexane, 4,4-dicyclohexyl methane diisocyanate, norbornene diisocyanate , Tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, tridine diisocyanate, xyldine isocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, 1,5-pentamethylene diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 3-isocyanatomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexyl diisocyanate, etc. are mentioned.

시판품으로서는, 예를 들면,As a commercial item, for example,

이소시아네이트기를 메틸에틸케톤의 옥심으로 블록한 것으로서, 듀라네이트(DERANATE)(등록 상표) TPA-B80E, 동 TPA-B80X, 동 E402-B80T, 동 MF-B60XN, 동 MF-B60X, 동 MF-B80M(이상, 아사히카세이고교 가부시키가이샤);As an isocyanate group blocked with an oxime of methyl ethyl ketone, Duranate (registered trademark) TPA-B80E, copper TPA-B80X, copper E402-B80T, copper MF-B60XN, copper MF-B60X, copper MF-B80M ( Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.);

이소시아네이트기를 활성 메틸렌으로 블록한 것으로서, 듀라네이트(등록 상표) MF-K60X(아사히카세이고교 가부시키가이샤);As an isocyanate group blocked with active methylene, Duranate (registered trademark) MF-K60X (Asahi Kasei Co., Ltd.);

(메타)아크릴로일기를 갖는 이소시아네이트 화합물의 블록체로서, 카렌즈(KARENZ)(등록 상표) MOI-BP, 카렌즈(등록 상표) MOI-BM(이상, 쇼와덴코 가부시키가이샤)을 들 수 있다. 이들 중, 듀라네이트(등록 상표) E402-B80T, 동 MF-K60X를 이용한 경우에 높은 플렉시블성이 발현되고, 다른 것과의 혼합계로 하여 사용함으로써, 자유롭게 그 경도를 제어할 수 있기 때문에 바람직하다.As a block body of the isocyanate compound which has a (meth) acryloyl group, KARENNZ (registered trademark) MOI-BP and CARENS (registered trademark) MOI-BM (above, Showa Denko KK) are mentioned. have. Among these, when duranate (registered trademark) E402-B80T and MF-K60X are used, high flexibility is exhibited, and since the hardness can be freely controlled by using it as a mixing system with another, it is preferable.

디이소시아네이트로부터 유도되는 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면, 이소시아누레이트형 폴리이소시아네이트, 뷰렛형 폴리이소시아네이트, 우레탄형 폴리이소시아네이트, 알로파네이트형 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 경화성의 관점에서 이소시아누레이트형 폴리이소시아네이트가 바람직하다.As polyisocyanate derived from diisocyanate, isocyanurate type polyisocyanate, biuret type polyisocyanate, urethane type polyisocyanate, allophanate type polyisocyanate, etc. are mentioned, for example. In view of curability, isocyanurate polyisocyanate is preferable.

블록제로서는, 예를 들면, 알코올계 화합물, 페놀계 화합물, 활성 메틸렌계 화합물, 메르캅탄계 화합물, 산 아미드계 화합물, 산 이미드계 화합물, 이미다졸계 화합물, 피라졸계 화합물, 우레아계 화합물, 옥심계 화합물, 아민계 화합물, 이민계 화합물, 피리딘계 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the blocking agent include alcohol compounds, phenol compounds, active methylene compounds, mercaptan compounds, acid amide compounds, acid imide compounds, imidazole compounds, pyrazole compounds, urea compounds, and oximes. A compound, an amine compound, an imine compound, a pyridine compound, etc. are mentioned.

알코올계 화합물로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 2-에틸헥산올, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카르비톨, 벤질알코올, 사이클로헥산올 등;Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, 2-ethylhexanol, methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, benzyl alcohol, cyclohexanol and the like;

페놀계 화합물로서는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 에틸페놀, 부틸페놀, 노닐페놀, 디노닐페놀, 스티렌화 페놀, 하이드록시벤조산 에스테르 등;As a phenol type compound, For example, phenol, cresol, ethyl phenol, butyl phenol, nonyl phenol, dinonyl phenol, styrenated phenol, hydroxy benzoic acid ester, etc .;

활성 메틸렌계 화합물로서는, 예를 들면, 말론산 디메틸, 말론산 디에틸, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세틸아세톤 등;As an active methylene compound, For example, dimethyl malonate, diethyl malonate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetic acid, acetylacetone, etc .;

메르캅탄계 화합물로서는, 예를 들면, 부틸메르캅탄, 도데실메르캅탄 등;As a mercaptan type compound, For example, butyl mercaptan, dodecyl mercaptan, etc .;

산 아미드계 화합물로서는, 예를 들면, 아세토아닐리드, 아세트산 아미드, ε-카프로락탐, δ-발레로락탐, γ-부티로락탐 등;·As an acid amide type compound, For example, acetoanilide, amide acetate, (epsilon) -caprolactam, (delta) -valerolactam, (gamma) -butyrolactam, etc .;

산 이미드계 화합물로서는, 예를 들면, 숙신산 이미드, 말레산 이미드 등;As an acid imide type compound, For example, succinic acid imide, maleic acid imide, etc .;

이미다졸계 화합물로서는, 예를 들면, 이미다졸, 2-메틸이미다졸 등;As an imidazole type compound, For example, imidazole, 2-methylimidazole, etc .;

피라졸계 화합물로서는, 예를 들면, 3-메틸피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3,5-에틸피라졸 등;As a pyrazole type compound, 3-methylpyrazole, 3, 5- dimethyl pyrazole, 3, 5- ethyl pyrazole, etc .;

우레아계 화합물로서는, 예를 들면, 우레아, 티오우레아, 에틸렌우레아 등;As a urea type compound, For example, urea, thiourea, ethylene urea, etc .;

옥심계 화합물로서는, 예를 들면, 포름알도옥심, 아세토알도옥심, 아세토옥심, 메틸에틸케토옥심, 사이클로헥사논옥심 등;As an oxime type compound, For example, formaldehyde oxime, aceto aldooxime, aceto oxime, methyl ethyl keto oxime, cyclohexanone oxime, etc .;

아민계 화합물로서는, 예를 들면, 디페닐아민, 아닐린, 카르바졸 등;As an amine type compound, For example, diphenylamine, aniline, carbazole, etc .;

이민계 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등;As an imine type compound, Ethylene imine, a polyethylene imine, etc .;

피리딘계 화합물로서는, 예를 들면, 2-하이드록시피리딘, 2-하이드록시퀴놀린 등을 들 수 있다.As a pyridine type compound, 2-hydroxypyridine, 2-hydroxyquinoline, etc. are mentioned, for example.

블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부~10질량부가 바람직하고, 0.5질량부~5질량부가 보다 바람직하다. 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.Block polyisocyanate compounds can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a content rate of the block polyisocyanate compound in a radiation sensitive resin composition, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.5 mass part-5 mass parts are more preferable. By making the content rate of a block polyisocyanate compound into the said range, the storage stability of a radiation sensitive resin composition and low temperature hardening can be compatible at a higher level.

[이미다졸환 함유 화합물] [Imidazole ring containing compound]

이미다졸환 함유 화합물로서는, 하기식 (16)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As an imidazole ring containing compound, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a compound represented by following formula (16) can be used.

Figure pat00020
Figure pat00020

상기식 (16) 중, A5, A6, A7 및 R48은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 탄화 수소기이다. 또한, A6과 A7은 서로 연결되어 환을 형성해도 좋다.In said Formula (16), A <5> , A <6> , A <7> and R <48> are C1-C20 linear, branched or cyclic hydrocarbon group which may respectively independently have a hydrogen atom or a substituent. A 6 and A 7 may be connected to each other to form a ring.

A5, A6, A7 및 R48이 나타내는 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 탄화 수소기로서는, 예를 들면,As a C1-C20 linear, branched, or cyclic hydrocarbon group represented by A <5> , A <6> , A <7> and R <48>, it is, for example,

메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등의 탄소수 1~20의 알킬기;Methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n -Octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n- C1-C20 alkyl groups, such as a heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, and n-eicosyl group;

사이클로펜틸기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 탄소수 3~20의 사이클로알킬기;C3-C20 cycloalkyl groups, such as a cyclopentyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group;

페닐기, 톨루일기, 벤질기, 메틸벤질기, 자일릴기, 메시틸기, 나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6~20의 아릴기;C6-C20 aryl groups, such as a phenyl group, toluyl group, benzyl group, methyl benzyl group, xylyl group, mesityl group, naphthyl group, and anthryl group;

노르보닐기, 트리사이클로데카닐기, 테트라사이클로도데실기, 아다만틸기, 메틸아다만틸기, 에틸아다만틸기, 부틸아다만틸기 등의 탄소수 6~20의 유교(有橋) 지환식 탄화 수소기 등을 들 수 있다.Condensed alicyclic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms such as norbornyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecyl group, adamantyl group, methyl adamantyl group, ethyl adamantyl group, and butyl adamantyl group Can be mentioned.

상기 탄화 수소기는 치환되어 있어도 좋고, 이 치환기의 구체예로서는,The hydrocarbon group may be substituted, and as a specific example of this substituent,

수산기;Hydroxyl group;

카복실기;Carboxyl groups;

하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 3-하이드록시프로필기, 1-하이드록시부틸기, 2-하이드록시부틸기, 3-하이드록시부틸기, 4-하이드록시부틸기 등의 탄소수 1~4의 하이드록시알킬기;Hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group C1-C4 hydroxyalkyl groups, such as a 3-hydroxybutyl group and 4-hydroxybutyl group;

메톡실기, 에톡실기, n-프로폭실기, i-프로폭실기, n-부톡실기, 2-메틸프로폭실기, 1-메틸프로폭실기, t-부톡실기 등의 탄소수 1~4의 알콕실기;C1-C4 alkoxyl groups, such as a methoxyl group, an ethoxyl group, n-propoxyl group, i-propoxyl group, n-butoxyl group, 2-methylpropoxyl group, 1-methylpropoxyl group, t-butoxyl group, etc. ;

시아노기;Cyano;

시아노메틸기, 2-시아노에틸기, 3-시아노프로필기, 4-시아노부틸기 등의 탄소수 2~5의 시아노알킬기;Cyanoalkyl groups having 2 to 5 carbon atoms such as cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, and 4-cyanobutyl group;

메톡시카보닐기, 에톡시카보닐기, t-부톡시카보닐기 등의 탄소수 2~5의 알콕시카보닐기;An alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group;

메톡시카보닐메톡실기, 에톡시카보닐메톡실기, t-부톡시카보닐메톡실기 등의 탄소수 3~6의 알콕시카보닐알콕실기;Alkoxycarbonylalkoxy groups having 3 to 6 carbon atoms, such as a methoxycarbonyl methoxyl group, an ethoxycarbonyl methoxyl group, and a t-butoxycarbonyl methoxyl group;

불소, 염소 등의 할로겐 원자;Halogen atoms such as fluorine and chlorine;

플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기 등의 플루오로알킬기 등을 들 수 있다.Fluoroalkyl groups, such as a fluoromethyl group, a trifluoromethyl group, and a pentafluoroethyl group, etc. are mentioned.

상기 A6과 A7이 서로 연결되어 형성하는 환으로서는, 바람직하게는 방향환, 탄소수 2~20의 포화 또는 불포화의 질소 함유 복소환을 들 수 있다. A6과 A7이 서로 연결되어 형성하는 환이, 벤젠환인 경우의 이미다졸환 함유 화합물로서는, 하기식 (17)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.As said ring which A <6> and A <7> mutually connect and form, Preferably, an aromatic ring and the C2-C20 saturated or unsaturated nitrogen containing heterocycle are mentioned. As an imidazole ring containing compound in the case where the ring which A <6> and A <7> connects and mutually forms is a benzene ring, the compound represented by following formula (17) is mentioned.

Figure pat00021
Figure pat00021

상기식 (17) 중, R48 및 A5는, 상기식 (16)과 동일한 의미이다. R49~R52는, 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 탄화 수소기이다. 또한, R49~R52가 나타내는 탄화 수소기로서는, 상기식 (16) 중의 탄화 수소기와 동일한 것을 들 수 있다.In said formula (17), R <48> and A <5> is synonymous with said formula (16). R 49 to R 52 are each independently a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent. Moreover, as a hydrocarbon group represented by R <49> -R <52> , the thing similar to the hydrocarbon group in said Formula (16) is mentioned.

이미다졸환 함유 화합물로서는, 2-페닐벤즈이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸이 바람직하다. 이미다졸환 함유 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이미다졸환 함유 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부~10질량부가 바람직하고, 0.5질량부~5질량부가 보다 바람직하다. 이미다졸환 함유 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.As an imidazole ring containing compound, 2-phenyl benzimidazole, 2-methylimidazole, and 2-methylbenzimidazole are preferable. The imidazole ring-containing compounds may be used alone or in admixture of two or more. As a content rate of an imidazole ring containing compound, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.5 mass part-5 mass parts are more preferable. By making the content rate of an imidazole ring containing compound into the said specific range, the storage stability and low temperature hardening of a radiation sensitive resin composition can be compatible at a higher level.

<그 외의 임의 성분>&Lt; Other optional components >

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 형성에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 상기의 [A] 알칼리 가용성 수지, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제에 더하여, [D] 화합제(경화제) 외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 계면활성제, 보존 안정제, 접착 조제, 내열성 향상제 등의 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다. 이들 각 임의 성분은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 이하, 각 성분을 상술한다.The radiation sensitive resin composition of this embodiment used for formation of the insulating film of the array substrate of this embodiment is, in addition to said [A] alkali-soluble resin, [B] polymeric compound, and [C] polymerization initiator, D] In addition to the compounding agent (curing agent), other optional components such as surfactants, storage stabilizers, adhesion aids, heat resistance enhancers and the like may be contained as necessary within a range that does not impair the effects of the present invention. These arbitrary components may be used independently, or may mix and use 2 or more types. Hereinafter, each component is explained in full detail.

[계면활성제][Surfactants]

계면활성제는, 감방사선성 수지 조성물의 도막 형성성을 보다 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 계면활성제로서는, 예를 들면, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 기타 계면활성제를 들 수 있다.Surfactant can be used in order to improve the coating film formability of a radiation sensitive resin composition further. As surfactant, a fluorochemical surfactant, silicone type surfactant, and other surfactant are mentioned, for example.

불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하다.As a fluorine type surfactant, the compound which has a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any part of a terminal, a main chain, and a side chain is preferable.

불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 프터젠트(FTERGENT)(등록 상표) FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, 프터젠트(등록 상표) FTX-218, 동-251(이상, 가부시키가이샤 네오스) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a fluorine-type surfactant, For example, FTERGENT (registered trademark) FT-100, copper-110, copper-140A, copper-150, copper-250, copper-251, copper-300, copper- 310, copper-400S, aftergent (registered trademark) FTX-218, copper-251 (above, Neos), etc. are mentioned.

실리콘계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 토레실리콘(TORAY SILICON) DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 토레·다우코닝·실리콘 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a silicone type surfactant, Toray silicon (TORAY SILICON) DC3PA, copper DC7PA, copper SH11PA, copper SH21PA, copper SH28PA, copper SH29PA, copper SH30PA, copper SH-190, copper SH-193, copper SZ- 6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (above, Torre Dow Corning Silicon Co., Ltd.), etc. are mentioned.

계면활성제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1.0질량부 이하가 바람직하고, 0.8질량부 이하가 보다 바람직하다. 계면활성제의 사용량이 1.0질량부를 초과하면, 도막의 막 불균일을 발생시키기 쉬워진다.As the usage-amount of surfactant, 1.0 mass part or less is preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 0.8 mass part or less is more preferable. When the usage-amount of surfactant exceeds 1.0 mass part, it will become easy to produce the film nonuniformity of a coating film.

[보존 안정제][Storage Stabilizer]

보존 안정제로서는, 예를 들면, 황, 퀴논류, 하이드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민, 니트로소 화합물 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 4-메톡시페놀, N-니트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄 등을 들 수 있다.As a storage stabilizer, sulfur, quinones, hydroquinones, a polyoxy compound, an amine, a nitroso compound, etc. are mentioned, for example, 4-methoxyphenol, N-nitroso-N- Phenyl hydroxyl amine aluminum etc. are mentioned.

보존 안정제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 3.0질량부 이하가 바람직하고, 1.0질량부 이하가 보다 바람직하다. 보존 안정제의 배합량이 3.0질량부를 초과하면, 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화하는 경우가 있다.As the usage-amount of a storage stabilizer, 3.0 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 1.0 mass part or less is more preferable. When the compounding quantity of a storage stabilizer exceeds 3.0 mass parts, a sensitivity may fall and a pattern shape may deteriorate.

[접착 조제][Adhesive preparation]

접착 조제는, 얻어지는 절연막과 그 아래에 있는 층이나 기판 등과의 접착성을 더욱 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 접착 조제로서는 카복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하고, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아나토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.An adhesion | attachment adjuvant can be used in order to improve the adhesiveness of the insulating film obtained and the layer, board | substrate, etc. which are under it further. As an adhesion | attachment adjuvant, the functional silane coupling agent which has reactive functional groups, such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group, an oxiranyl group, is preferable, For example, trimethoxysilyl benzoic acid, (gamma)-methacryloxypropyl Trimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) Ethyltrimethoxysilane, and the like.

접착 조제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 20질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하다. 접착 조제의 사용량이 20질량부를 초과하면, 현상 잔사를 발생시키기 쉬워지는 경향이 있다.As the usage-amount of an adhesion | attachment adjuvant, 20 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 15 mass parts or less are more preferable. When the usage-amount of an adhesion | attachment adjuvant exceeds 20 mass parts, there exists a tendency which becomes easy to generate | occur | produce a developing residue.

[내열성 향상제][Heat resistance improver]

내열성 향상제로서는, 예를 들면, N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 등을 들 수 있다. As a heat resistance improving agent, an N- (alkoxymethyl) glycoluril compound, an N- (alkoxymethyl) melamine compound, etc. are mentioned, for example.

N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물로서는, 예를 들면, N,N',N", N"'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. 이들 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물 중, N,N,N',N'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴이 바람직하다.Examples of the N- (alkoxymethyl) glycoluril compound include N, N ', N ", N"'-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N ', N'-tetra (ethoxy Methyl) glycoluril, N, N, N ', N'-tetra (n-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N', N'-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N , N ', N'-tetra (n-butoxymethyl) glycoluril, N, N, N', N'-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril and the like. Of these N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N, N, N ', N'-tetra (methoxymethyl) glycoluril are preferred.

N-(알콕시메틸)멜라민 화합물로서는, 예를 들면, N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-부톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. 이들 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 중, N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민이 바람직하다. 시판품으로서는, 예를 들면, 니카락(NICALAC) N-2702, 동 MW-30M(이상, 산와 케미컬 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.As the N- (alkoxymethyl) melamine compound, for example, N, N, N ', N', N ", N" -hexa (methoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N " , N "-hexa (ethoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N", N "-hexa (n-propoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N" , N "-hexa (i-propoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N", N "-hexa (n-butoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N ", N" -hexa (t-butoxymethyl) melamine, etc. are mentioned. Among these N- (alkoxymethyl) melamine compounds, N, N, N ', N', N ", N" -hexa (methoxymethyl) melamine is preferable. As a commercial item, Nikarak (NICALAC) N-2702, the copper MW-30M (above, Sanwa Chemical Co., Ltd.), etc. are mentioned, for example.

 내열성 향상제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 50질량부 이하가 바람직하고, 30질량부 이하가 보다 바람직하다. 내열성 향상제의 배합량이 50질량부를 초과하면, 감방사선성 수지 조성물의 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화되는 경우가 있다.As a usage-amount of a heat resistant improving agent, 50 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 30 mass parts or less are more preferable. When the compounding quantity of a heat resistance improving agent exceeds 50 mass parts, the sensitivity of a radiation sensitive resin composition may fall and a pattern shape may deteriorate.

<감방사선성 수지 조성물의 조제 방법><Preparation method of a radiation sensitive resin composition>

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 형성에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 알칼리 가용성 수지, [B] 중합성 화합물 및, [C] 중합 개시제 외, 추가로 [D] 화합물(경화제) 및 필요에 따라서 첨가되는 그 외의 임의 성분을 균일하게 혼합함으로써 조제된다. 이 감방사선성 수지 조성물은, 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 이용된다. 용매는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The radiation sensitive resin composition of this embodiment used for formation of the insulating film of the array substrate of this embodiment is [A] alkali-soluble resin, [B] polymeric compound, and [C] polymerization initiator, D] It is prepared by mixing uniformly a compound (hardening | curing agent) and other arbitrary components added as needed. This radiation sensitive resin composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in a solution state. A solvent can be used individually or in mixture of 2 or more types.

감방사선성 수지 조성물의 조제에 이용되는 용매로서는, 필수 성분 및 임의 성분을 균일하게 용해하고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 이러한 용매로서는, 전술한 [A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위해 사용할 수 있는 용매로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.As a solvent used for preparation of a radiation sensitive resin composition, what melt | dissolves an essential component and arbitrary components uniformly, and does not react with each component is used. As such a solvent, the same thing as what was illustrated as a solvent which can be used for manufacturing above-mentioned [A] alkali-soluble resin is mentioned.

예를 들면, 이러한 용매 중, 각 성분의 용해성, 각 성분과의 반응성, 도막 형성의 용이성 등의 관점에서, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류; For example, in such a solvent, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene from the viewpoint of solubility of each component, reactivity with each component, ease of coating film formation, and the like. Glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, tri Ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, Dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol No methyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether and (poly) alkylene glycol monoalkyl ether;

아세트산 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 3-메틸-3-메톡시부틸 등의 아세트산 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류;Acetic acid ethylene glycol monomethyl ether, acetic acid ethylene glycol monoethyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-propyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid diethylene glycol monomethyl ether, acetic acid diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, Acetic acid (poly) alkylene glycol monoalkyl ethers such as methoxybutyl;

디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라하이드로푸란 등의 기타 에테르류;Other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and tetrahydrofuran;

메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 디아세톤알코올(4-하이드록시-4-메틸펜탄-2-온), 4-하이드록시-4-메틸헥산-2-온 등의 케톤류;Methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, diacetone alcohol (4-hydroxy-4-methylpentan-2-one), 4-hydroxy-4-methylhexan-2-one Ketones such as these;

프로필렌글리콜디아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 1,6-헥산디올 디아세테이트 등의 디아세테이트류;Diacetates such as propylene glycol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate and 1,6-hexanediol diacetate;

락트산 메틸, 락트산 에틸 등의 락트산 알킬에스테르류;Lactic acid alkyl esters such as methyl lactate and ethyl lactate;

아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-펜틸, 아세트산 i-펜틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로피온산 n-부틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 부틸산 에틸, 부틸산 n-프로필, 부틸산 i-프로필, 부틸산 n-부틸, 하이드록시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 피르브산 메틸, 피르브산 에틸, 피르브산 n-프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-하이드록시-3-메틸부틸산 메틸, 2-옥소부틸산 에틸 등의 기타 에스테르류;Ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, n-pentyl acetate, i-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate , N-butyl propionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, i-propyl butyrate, n-butyl butyrate, hydroxy Ethyl acetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pirbate, ethyl pirbate, n-propyl pirbate, Other esters such as methyl acetoacetic acid, ethyl acetoacetic acid, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate and ethyl 2-oxobutylate;

톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화 수소류;Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;

N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등을 들 수 있다.Amides such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.

이들 용매 중, 용해성, 안료 분산성, 도포성 등의 관점에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 3-메톡시부틸, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 1,6-헥산디올디아세테이트, 락트산 에틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-아밀, 아세트산 i-아밀, 프로피온산 n-부틸, 부틸산 에틸, 부틸산 i-프로필, 부틸산 n-부틸, 피르브산 에틸이 바람직하다. 용매는 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.Among these solvents, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, from the viewpoint of solubility, pigment dispersibility, coating properties, 3-methoxybutyl acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,6-hexanediol Diacetate, ethyl lactate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, Preference is given to formic acid n-amyl, i-amyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butylate, i-propyl butyrate, n-butyl butyrate and ethyl pirate. The solvent may be used alone or in combination of two or more.

또한, 상기 용매와 함께, 벤질에틸에테르, 디-n-헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트 등의 고비점 용매를 병용할 수도 있다. 상기 고비점 용매는, 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.In addition, with the solvent, benzyl ethyl ether, di-n-hexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, ethyl benzoate, oxalic acid di High boiling point solvents, such as ethyl, diethyl maleate, (gamma) -butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and ethylene glycol monophenyl ether acetate, can also be used together. The said high boiling point solvent can use individual or 2 types or more.

용매의 함유량으로서는 한정되지 않지만, 얻어지는 감방사선성 수지 조성물의 도포성, 안정성 등의 관점에서 감방사선성 수지 조성물의 용매를 제외한 각 성분의 합계 농도가, 5질량%~50질량%가 되는 양이 바람직하고, 10질량%~40질량%가 되는 양이 보다 바람직하다. 감방사선성 수지 조성물을 용액 상태로 하여 조제하는 경우, 고형분 농도(조성물 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분)는, 사용 목적이나 소망하는 막두께의 값 등에 따라서 임의의 농도(예를 들면 5질량%~50질량%)로 설정할 수 있다. 더욱 바람직한 고형분 농도는, 기판 상으로의 도막의 형성 방법에 따라 상이하지만, 이에 대해서는 후술한다. 이와 같이 하여 조제된 조성물 용액은, 공경(孔徑) 0.5㎛ 정도의 밀리포어 필터 등을 이용하여 여과한 후, 사용에 제공할 수 있다.Although it does not limit as content of a solvent, The quantity which the total concentration of each component except the solvent of a radiation sensitive resin composition becomes 5 mass%-50 mass% from a viewpoint of applicability | paintability, stability, etc. of the radiation sensitive resin composition obtained It is preferable and the quantity used as 10 mass%-40 mass% is more preferable. In the case where the radiation-sensitive resin composition is prepared in a solution state, the solid content concentration (components other than the solvent occupied in the composition solution) is any concentration (for example, 5% by mass to 1) depending on the purpose of use or the value of the desired film thickness. 50 mass%). Although more preferable solid content concentration changes with the formation method of the coating film on a board | substrate, it mentions later. The composition solution thus prepared can be used for use after filtering using a Millipore filter or the like having a pore size of about 0.5 µm.

이상의 성분과 조제 방법에 의한 감방사선성 수지 조성물은, 저온 경화에 의해 콘택트홀을 구비한 절연막을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 200℃ 이하의 경화 온도에서 내용매성 등이 양호한 신뢰성을 갖는 절연막을 얻을 수 있고, 나아가서는 180℃ 이하의 경화 온도라도, 내용매성 등이 양호한 신뢰성을 갖는 절연막을 얻을 수 있다. 그리고, 저온 경화에 의해 본 실시 형태의 어레이 기판을 제공할 수 있다.The radiation sensitive resin composition by the above components and a preparation method can form the insulating film with a contact hole by low temperature hardening. Specifically, an insulating film having good reliability in solvent resistance and the like can be obtained at a curing temperature of 200 ° C. or lower, and further, an insulating film having good reliability in solvent resistance and the like can be obtained even at a curing temperature of 180 ° C. or lower. And the array substrate of this embodiment can be provided by low temperature hardening.

다음으로, 본 실시 형태의 어레이 기판은, 액정의 배향을 제어하는 배향막을 갖는 것이 가능하다. 본 실시 형태의 어레이 기판 상에 형성되는 배향막은, 본 실시 형태의 액정 배향제를 이용하여 형성된다. 따라서, 본 실시 형태의 배향 처리제에 대해서, 특히 그 주요한 성분에 대해서 이하에서 설명한다.Next, the array substrate of this embodiment can have the alignment film which controls the orientation of a liquid crystal. The alignment film formed on the array substrate of this embodiment is formed using the liquid crystal aligning agent of this embodiment. Therefore, especially the main component about the orientation treatment agent of this embodiment is demonstrated below.

<액정 배향제><Liquid crystal aligning agent>

본 실시 형태의 어레이 기판 상에 배향막을 형성하는, 본 실시 형태의 액정 배향제는, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체, 또는 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드를 주요 성분으로서 함유하는 액정 배향제이다. 이들은 모두, 예를 들면, 200℃ 이하 등, 저온의 가열 온도에서 배향막을 형성하는 것이 가능하다. 특히, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체를 함유하는 액정 배향제가, 보다 저온에서의 배향막 형성이 가능하고 바람직하다. 이와 같이 본 실시 형태의 액정 배향제는, 저온의 가열 공정에 의한 배향막의 형성이 가능하기 때문에, 하층에 있는 저온 경화에 의한 절연막을 고온 가열의 상태에 노출되는 일 없이 배향막의 형성을 행할 수 있다.The liquid crystal aligning agent of this embodiment which forms an orientation film on the array substrate of this embodiment contains [L] radiation-sensitive polymer which has a photo-alignment group, or [M] polyimide which does not have a photo-alignment group as a main component. It is a liquid crystal aligning agent to say. All of these can form an oriented film in low temperature heating temperature, such as 200 degrees C or less, for example. In particular, the liquid crystal aligning agent containing the [L] radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group is possible, and the formation of the orientation film in low temperature is preferable. Thus, since the liquid crystal aligning agent of this embodiment can form the oriented film by a low temperature heating process, the oriented film can be formed without exposing the insulating film by low temperature hardening in a lower layer to the state of high temperature heating. .

또한, 본 실시 형태의 어레이 기판 상에 배향막을 형성하는, 본 실시 형태의 액정 배향제는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 [N] 그 외의 성분을 함유할 수 있다. 이하, 그들 성분에 대해서 설명한다.In addition, the liquid crystal aligning agent of this embodiment which forms an alignment film on the array substrate of this embodiment can contain [N] other components, unless the effect of this invention is impaired. Hereinafter, these components are demonstrated.

[[L] 감방사선성 중합체][[L] Radiation Polymer]

본 실시 형태의 액정 배향제에 함유되는 [L] 감방사선성 중합체는, 광배향성기를 갖는 중합체이다. 이 [L] 감방사선성 중합체가 갖는 광배향성기는, 광조사에 의해 막에 이방성을 부여하는 관능기이며, 본 실시 형태에서는, 특히, 광이성화 반응 및 광이중화 반응의 적어도 어느 것을 발생시킴으로써 막에 이방성을 부여하는 기이다.The [L] radiation sensitive polymer contained in the liquid crystal aligning agent of this embodiment is a polymer which has a photo-alignment group. The photo-alignment group which this [L] radiation-sensitive polymer has is an functional group which gives anisotropy to a film | membrane by light irradiation, and in this embodiment, in particular, this film is anisotropic to a film | membrane by generating at least any one of a photoisomerization reaction and a photoduplexing reaction. It is a group to give.

광배향성기로서 구체적으로는, 아조벤젠, 스틸벤, α-이미노-β-케토에스테르, 스피로피란, 스피로옥사진, 신남산, 칼콘, 스틸바졸, 벤질리덴프탈이미딘, 쿠마린, 디페닐아세릴렌 및 안트라센으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물 유래의 구조를 갖는 기이다. 전술의 광배향성기로는, 이들 중에서도, 신남산 유래의 구조를 갖는 기가 특히 바람직하다.Specific examples of the photo-alignment group include azobenzene, stilbene, α-imino-β-ketoester, spiropyran, spiroxazine, cinnamic acid, chalcone, stilazole, benzylidene phthalimidine, coumarin, diphenylaceryl It is group which has a structure derived from at least 1 compound chosen from the group which consists of a rene and anthracene. As said photo-alignment group, group which has a structure derived from cinnamic acid among these is especially preferable.

광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체로서는, 전술의 광배향성기가 직접 또는 연결기를 개재하여 결합된 중합체인 것이 바람직하다. 그러한 중합체로서는, 예를 들면, 폴리암산 및 폴리이미드의 적어도 어느 중합체에 전술의 광배향성기가 결합된 것, 폴리암산 및 폴리이미드와는 다른 중합체에 전술의 광배향성기가 결합된 것을 들 수 있다. 후자의 경우, 광배향성기를 갖는 중합체의 기본 골격으로서는, 예를 들면, 폴리(메타)아크릴산 에스테르, 폴리(메타)아크릴아미드, 폴리비닐에테르, 폴리올레핀, 폴리오르가노실록산 등을 들 수 있다.As a [L] radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group, it is preferable that it is a polymer in which the above-mentioned photo-alignment group was couple | bonded directly or through the coupling group. Examples of such a polymer include those in which the above-described photoalignment group is bonded to at least one polymer of polyamic acid and polyimide, and those in which the above-described photoalignment group is bonded to a polymer different from the polyamic acid and polyimide. In the latter case, examples of the basic skeleton of the polymer having a photo-alignment group include poly (meth) acrylic acid ester, poly (meth) acrylamide, polyvinyl ether, polyolefin, polyorganosiloxane and the like.

감방사선성 중합체로서는, 폴리암산, 폴리이미드 또는 폴리오르가노실록산을 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 중에서도, 폴리오르가노실록산이 특히 바람직하고, 예를 들면, 국제 공개(WO) 제2009/025386호에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.As a radiation sensitive polymer, it is preferable to use polyamic acid, polyimide, or polyorganosiloxane as a basic skeleton. Moreover, polyorganosiloxane is especially preferable among these, For example, it can obtain by the method of international publication (WO) 2009/025386.

[[M] 폴리이미드][[M] polyimide]

본 실시 형태의 액정 배향제에 함유되는 [M] 폴리이미드는, 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드이다.[M] polyimide contained in the liquid crystal aligning agent of this embodiment is a polyimide which does not have a photo-alignment group.

이러한 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드는, 광배향성기를 갖지 않는 폴리암산을 탈수 폐환하여 이미드화함으로써 얻을 수 있다. 이들 폴리암산은, 예를 들면, 테트라카본산 2무수물과, 디아민을 반응시킴으로써 얻을 수 있고, 일본공개특허공보 2010-97188호에 기재된 바와 같이 하여 얻을 수 있다.[M] polyimide which does not have such a photo-alignment group can be obtained by dehydrating and ring-closing polyamic acid which does not have a photo-alignment group, and imidizing it. These polyamic acids can be obtained by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine, for example, and can be obtained as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-97188.

[M] 폴리이미드는, 그 전구체인 폴리암산이 갖고 있던 암산 구조의 모든 것을 탈수 폐환한 완전 이미드화물이라도 좋고, 암산 구조의 일부만을 탈수 폐환하여, 암산 구조와 이미드환 구조가 병존하는 부분 이미드화물이라도 좋다. [M] 폴리이미드는, 그 이미드화율이 30% 이상인 것이 바람직하고, 50%~99%인 것이 보다 바람직하고, 65%~99%인 것이 보다 바람직하다. 이 이미드화율은, 폴리이미드의 암산 구조의 수와 이미드환 구조의 수와의 합계에 대한 이미드환 구조의 수가 차지하는 비율을 백분율로 나타낸 것이다. 여기에서, 이미드환의 일부가 이소이미드환이라도 좋고, 예를 들면, 일본공개특허공보 2010-97188호에 기재된 바와 같이 하여 얻을 수 있다.[M] The polyimide may be a complete imide obtained by dehydrating and closing all the dark acid structures possessed by the polyamic acid as a precursor thereof. It may be a dehydrate. It is preferable that the imidation ratio of [M] polyimide is 30% or more, It is more preferable that it is 50%-99%, It is more preferable that it is 65%-99%. The imidization rate is a percentage of the ratio of the number of imide ring structures to the sum of the number of amide structure and the number of imide ring structure of polyimide. Here, a part of the imide ring may be an isoimide ring, and can be obtained as described, for example, in JP 2010-97188 A.

[[N] 그 외의 성분][[N] OTHER COMPONENTS]

본 실시 형태의 액정 배향제는, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드 이외의 [N] 그 외의 성분을 함유할 수 있다. [N] 그 외의 성분으로서는, 예를 들면, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체 및 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드 이외의 중합체, 경화제, 경화 촉매, 경화 촉진제, 에폭시 화합물, 관능성 실란 화합물, 계면활성제, 광증감제 등을 들 수 있다.The liquid crystal aligning agent of this embodiment can contain [N] other components other than the polyimide which does not have a radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group, and a photo-alignment group. [N] As other components, for example, [L] radiation-sensitive polymer which has a photo-alignment group, and polymers other than [M] polyimide which does not have a photo-alignment group, a hardening | curing agent, a curing catalyst, a hardening accelerator, an epoxy compound, and a functional Silane compounds, surfactants, photosensitizers and the like.

이상, 본 실시 형태의 어레이 기판의 주요한 구성 요소에 대해서 설명했지만, 다음으로, 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다. As mentioned above, although the main component of the array substrate of this embodiment was demonstrated, the manufacturing method of the array substrate of this embodiment is demonstrated next.

<절연막, 배향막 및 어레이 기판의 제조 방법><Method for manufacturing insulating film, alignment film, and array substrate>

본 실시 형태의 어레이 기판의 제조에 있어서는, 전술한 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물로부터 절연막을 제조하는 공정이 주요한 공정으로서 포함된다. 이 절연막의 제조 공정에 의해, 콘택트홀이 형성된 절연막이 형성된다. 그리고, 본 실시 형태의 어레이 기판 상에 배향막을 형성하기 위해, 전술의 본 실시 형태의 액정 배향제로부터 배향막을 형성하는 공정이 제조 공정으로서 포함된다. 이하, 절연막과 배향막을 갖는 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다.In manufacture of the array substrate of this embodiment, the process of manufacturing an insulating film from the radiation sensitive resin composition of this embodiment mentioned above is included as a main process. By the manufacturing process of this insulating film, the insulating film in which the contact hole was formed is formed. And in order to form an oriented film on the array substrate of this embodiment, the process of forming an oriented film from the liquid crystal aligning agent of this embodiment mentioned above is included as a manufacturing process. Hereinafter, the manufacturing method of the array substrate of this embodiment which has an insulating film and an orientation film is demonstrated.

본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에서는, 기판 상에 절연막이 형성되고, 적어도 하기의 공정 [1]~공정 [4]를 하기의 순서로 포함하는 것이 바람직하다. 그리고, 어레이 기판 상에 배향막을 형성하기 위해, 공정 [4]도 후에 공정 [5]를 포함하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the array substrate of this embodiment, it is preferable that an insulating film is formed on a board | substrate and includes at least the following process [1]-process [4] in the following procedure. And in order to form an oriented film on an array substrate, it is preferable to include process [5] also after process [4].

[1] 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 스위칭 능동 소자 및 전극 등(소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 소스 배선 및, 게이트 배선 등을 의미함. 이하, 전극 등으로 총칭하는 경우가 있음)이 형성된 기판 상에 형성하는 공정(이하, 「[1] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[1] The coating film of the radiation-sensitive resin composition includes a switching active element and an electrode (meaning a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a source wiring, a gate wiring, etc., sometimes referred to collectively as an electrode) Process to form on the formed substrate (hereinafter, may be referred to as "[1] process")

[2] [1] 공정에서 형성된 감방사선성 수지 조성물의 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정(이하, 「[2] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[2] A step of irradiating at least a part of the coating film of the radiation-sensitive resin composition formed in the step [1] (hereinafter, referred to as "[2] step")

[3] [2] 공정에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정(이하, 「[6] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[3] [2] Process of developing coating film irradiated with radiation (hereinafter, sometimes referred to as "[6] process")

[4] [3] 공정에서 현상된 도막을 200℃ 이하에서 경화하여 절연막을 형성하는 공정(이하, 「[4] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[4] A step of curing the coating film developed in the step [3] at 200 ° C. or lower to form an insulating film (hereinafter sometimes referred to as “[4] step”).

[5] 액정 배향제의 도막을 [4] 공정에서 경화된 절연막을 갖는 기판에 형성하고, 그 도막을 200℃ 이하에서 가열하여 배향막을 형성하는 공정(이하, 「[5] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[5] The process of forming the coating film of a liquid crystal aligning agent in the board | substrate which has the insulating film hardened | cured at the [4] process, and heating the coating film at 200 degrees C or less (formerly, "[5] process" hereafter). Is available)

그리고, 상기 [4] 공정과 [5] 공정의 사이에, [4] 공정에서 형성된 절연막의 위에 투명 전극을 형성하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.And it is preferable to have a process of forming a transparent electrode on the insulating film formed in the process [4] between the said [4] process and the [5] process.

이상의 각 공정을 포함하는, 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 의해, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 스위칭 능동 소자나 전극 등이 형성된 기판 상에, 콘택트홀을 구비한 절연막을 형성할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 액정 배향제를 이용하여 기판 상에 배향막을 형성할 수 있다. 그 결과, 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 의해, 소망하는 사이즈의 콘택트홀이 소망하는 위치에 형성된 절연막을 갖고, 저온에서 형성된 절연막을 갖는 본 실시 형태의 어레이 기판을 형성할 수 있다.The insulating film provided with a contact hole on the board | substrate with which the switching active element, an electrode, etc. were formed using the radiation sensitive resin composition of this embodiment by the manufacturing method of the array substrate of this embodiment including each said process. Can be formed. And an alignment film can be formed on a board | substrate using the liquid crystal aligning agent of this embodiment. As a result, the array substrate of this embodiment can be formed by the manufacturing method of the array substrate of this embodiment which has the insulating film formed in the desired position of the contact hole of a desired size, and has the insulating film formed at low temperature.

이상과 같이 하여 제조되는 어레이 기판은, 에너지 절약의 관점에서 가열 공정의 저온화가 요망되는 경우에 있어서도 적합한 어레이 기판이 된다.The array substrate manufactured as described above becomes an array substrate suitable even when a lowering of the heating step is desired from the viewpoint of energy saving.

이하, 각 공정에 대해서 상술한다.Hereinafter, each process is explained in full detail.

[[1] 공정][[1] process]

본 공정에서는 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성한다. 이 기판에는, 스위칭 능동 소자, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 소스 배선 및, 게이트 배선 등이 형성되어 있다. 이들 스위칭 능동 소자 등은, 기판 상, 통상의 반도체막 성막과, 공지의 절연막 성막과, 포토리소그래피법에 의한 에칭을 반복하는 등 공지의 방법에 의해 형성된 것이다.In this process, the coating film of the radiation sensitive resin composition of this embodiment is formed on a board | substrate. In this substrate, a switching active element, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a source wiring, a gate wiring, and the like are formed. These switching active elements are formed by a well-known method, such as repeating normal semiconductor film film formation, well-known insulating film film formation, and etching by the photolithographic method on a board | substrate.

이 기판의 스위칭 능동 소자 등의 형성면에, 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 프리베이킹을 행하여 용매를 증발시켜, 도막을 형성한다.After apply | coating a radiation sensitive resin composition to formation surfaces, such as a switching active element of this board | substrate, prebaking is performed and the solvent is evaporated and a coating film is formed.

기판의 재료로서는, 예를 들면, 소다 라임 유리나 무알칼리 유리 등의 유리, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기판에는, 소망에 의해 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 적절한 전처리를 시행해 둘 수도 있다.As the material of the substrate, for example, glass such as soda lime glass or alkali free glass, silicone, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, aromatic polyamide, polyamideimide, polyimide and the like Can be mentioned. In addition, these substrates may optionally be subjected to appropriate pretreatment such as chemical treatment with a silane coupling agent or the like, plasma treatment, ion plating, sputtering, vapor phase reaction method or vacuum deposition.

감방사선성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법 또는 스피너법이라고 칭하는 경우도 있음), 슬릿 도포법(슬릿 다이 도포법), 바 도포법, 잉크젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중, 스핀 코팅법 또는 슬릿 도포법이 바람직하다.As a coating method of a radiation sensitive resin composition, for example, spraying method, roll coating method, rotary coating method (sometimes called spin coating method or spinner method), slit coating method (slit die coating method), bar coating Appropriate methods, such as a method and the inkjet coating method, can be employ | adopted. Among these, a spin coating method or a slit coating method is preferable.

전술의 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 70℃~120℃가 바람직하고, 1분간~15분간 정도이다. 도막의 프리베이킹 후의 막두께는, 0.5㎛~10㎛가 바람직하고, 1.0㎛~7.0㎛정도가 보다 바람직하다.As conditions of the above-mentioned prebaking, although it changes with kinds, compounding ratio, etc. of each component, 70 degreeC-120 degreeC is preferable and it is about 1 minute-about 15 minutes. 0.5 micrometer-10 micrometers are preferable, and, as for the film thickness after prebaking of a coating film, about 1.0 micrometer-about 7.0 micrometers are more preferable.

[[2] 공정][[2] process]

이어서, [1] 공정에서 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 이때, 도막의 일부에만 조사할 때에는, 예를 들면, 소망하는 콘택트홀의 형성에 대응하는 패턴의 포토마스크를 개재하여 조사하는 방법에 의할 수 있다. Subsequently, at least a part of the coating film formed in the step [1] is irradiated with radiation. At this time, when irradiating only a part of coating film, it can be based on the method of irradiating through the photomask of the pattern corresponding to formation of a desired contact hole, for example.

조사에 사용되는 방사선으로서는, 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 들 수 있다. 이 중 파장이 200㎚~550㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다.Examples of the radiation used for the irradiation include visible light, ultraviolet light, and far ultraviolet light. Among these, the radiation whose wavelength is in the range of 200 nm-550 nm is preferable, and the radiation which contains the ultraviolet-ray of 365 nm is more preferable.

방사선 조사량(노광량)은, 조사되는 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI model 356, Optical Associates Inc.제)에 의해 측정한 값으로서, 10J/㎡~10,000J/㎡이며, 100J/㎡~5,000J/㎡가 바람직하고, 200J/㎡~3,000J/㎡가 보다 바람직하다.The radiation dose (exposure dose) is a value measured by an illuminometer (OAI model 356, manufactured by Optical Associates Inc.) at a wavelength of 365 nm of radiation to be irradiated, and is 10 J / m 2 to 10,000 J / m 2 and is 100 J / M <2> -5,000J / m <2> is preferable and 200J / m <2> -3,000J / m <2> is more preferable.

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 형성에 이용되는 감방사선성 수지 조성물은, 종래 알려져 있는 절연막 형성의 조성물과 비교하여 방사선 감도가 높고, 상기 방사선 조사량이 700J/㎡ 이하, 나아가서는 600J/㎡ 이하라도 소망하는 막두께, 양호한 형상, 우수한 밀착성 및 높은 경도의 절연막을 얻을 수 있는 이점을 갖는다.The radiation sensitive resin composition used for formation of the insulating film of the array substrate of this embodiment has a high radiation sensitivity compared with the composition of the insulation film formation conventionally known, and the said radiation dose is 700 J / m <2> or less, Furthermore, 600 J / m <2> or less Even if it has a desired film thickness, favorable shape, excellent adhesiveness, and the high hardness, the insulating film has the advantage of being able to be obtained.

[[3] 공정][[3] process]

다음으로, 방사선 조사 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하고, 소정의 형상을 갖고, 소망하는 콘택트홀이 형성된 도막을 얻는다. Next, by developing the coating film after irradiation, an unnecessary part is removed, and the coating film which has a predetermined shape and formed the desired contact hole is obtained.

 현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨 등의 무기 알칼리나, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드 등의 4급 암모늄염이나, 콜린, 1,8-디아자바이사이클로-[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자바이사이클로-[4.3.0]-5-노넨 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. 전술의 알칼리성 화합물의 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 또한, 계면활성제를 그것만으로, 또는, 전술의 수용성 유기 용매를 첨가함과 함께, 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다.As a developing solution used for image development, For example, inorganic alkalis, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, quaternary ammonium salts, such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, choline, 1,8 Aqueous solutions of alkaline compounds such as -diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene and 1,5-diazabicyclo- [4.3.0] -5-nonene can be used. A suitable amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, can also be used for the aqueous solution of the above-mentioned alkaline compound. Moreover, surfactant can also be used only by adding it suitably, while adding the water-soluble organic solvent mentioned above.

현상 방법으로서는, 퍼들법, 디핑법, 샤워법, 스프레이법 등의 어느 것이라도 좋고, 현상 시간은, 상온에서 5초간~300초간이며, 바람직하게는 상온에서 10초간~180초간 정도이다. 현상 처리에 이어서, 예를 들면, 유수 세정을 30초간~90초간 행한 후, 압축 공기나 압축 질소로 풍건함으로써 소망하는 패턴이 얻어진다.The developing method may be any of a puddle method, a dipping method, a shower method, a spray method, and the like, and the developing time is 5 seconds to 300 seconds at room temperature, and preferably about 10 seconds to 180 seconds at room temperature. After the development treatment, for example, the desired pattern is obtained by performing dry water washing for 30 seconds to 90 seconds, followed by air drying with compressed air or compressed nitrogen.

[[4] 공정][[4] process]

이어서, [3] 공정에서 얻어진 도막을, 핫 플레이트, 오븐 등의 적당한 가열 장치에 의해 경화(포스트베이킹이라고도 말함)함으로써, 경화막으로서 절연막이 얻어진다. 절연막에는 소망 배치의 콘택트홀이 형성되어 있다. 경화 온도로서는, 200℃ 이하가 바람직하다. 그리고, 180℃ 이하라도 충분한 특성의 절연막이 얻어진다. 구체적으로는, 100℃~200℃가 바람직하고, 저온 경화와 신뢰성능을 높은 레벨로 양립시키려고 하는 경우, 150℃~180℃가 보다 바람직하다. 경화 시간으로서는, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서는 5분간~30분간, 오븐 안에서는 30분간~180분간이 바람직하다. 감방사선성 수지 조성물은, 전술한 바와 같이 [D] 화합물을 함유하기 때문에, 이와 같이 낮은 저온 경화를 실현할 수 있다. 아울러, 보존 안정성을 실현함과 함께, 충분한 방사선 감도 및 해상도를 갖는다.Subsequently, the insulating film is obtained as a cured film by hardening | curing (also called a postbaking) the coating film obtained by the process [3] with suitable heating apparatuses, such as a hotplate and oven. Contact holes of a desired arrangement are formed in the insulating film. As hardening temperature, 200 degrees C or less is preferable. And even if it is 180 degrees C or less, the insulating film of sufficient characteristic is obtained. Specifically, 100 degreeC-200 degreeC is preferable, and when it is going to make both low temperature hardening and reliability performance high level, 150 degreeC-180 degreeC is more preferable. As hardening time, for example, 5 minutes-30 minutes on a hotplate, and 30 minutes-180 minutes in an oven are preferable. Since a radiation sensitive resin composition contains the compound [D] as mentioned above, it can implement | achieve such low low temperature hardening. In addition, it realizes storage stability and has sufficient radiation sensitivity and resolution.

따라서, 감방사선성 수지 조성물은, 콘택트홀을 갖는 절연막의 형성 재료로서 적합하게 이용되고, 본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막을 형성할 수 있다.Therefore, the radiation-sensitive resin composition is suitably used as a material for forming an insulating film having a contact hole, and the insulating film of the array substrate of the present embodiment can be formed.

그리고, [4] 공정에서 절연막을 형성한 후, 그 절연막의 위에 투명 전극을 형성하는 공정을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 스퍼터링법 등을 이용하여, 절연막의 위에, ITO로 이루어지는 투명 도전층을 형성할 수 있다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용하여 이 투명 도전층을 에칭하고, 절연막 상에 투명 전극을 형성할 수 있다. 투명 전극은 화소 전극을 구성하고, 절연막의 콘택트홀을 개재함으로써, 기판 상의 스위칭 능동 소자와의 전기적 접속을 가능하게 한다. 또한, 투명 전극은, ITO 외, 가시광에 대한 높은 투과율과 도전성을 갖는 투명한 재료를 이용하여 구성할 수 있다. 예를 들면, IZO(Indium Zinc Oxide)나, ZnO(산화 아연)나, 산화 주석 등을 이용하여 구성할 수 있다.And after forming an insulating film in the process [4], it is preferable to have a process of forming a transparent electrode on this insulating film. For example, a transparent conductive layer made of ITO can be formed on the insulating film by using a sputtering method or the like. Subsequently, this transparent conductive layer can be etched using the photolithography method to form a transparent electrode on the insulating film. The transparent electrode constitutes a pixel electrode and enables electrical connection with a switching active element on the substrate by interposing a contact hole of the insulating film. In addition, a transparent electrode can be comprised using the transparent material which has high transmittance | permeability and electroconductivity with respect to visible light other than ITO. For example, it can comprise using IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO (zinc oxide), a tin oxide, etc.

[[5] 공정][5] Process

[4] 공정에서 얻어진 절연막이 부착된 기판을 이용하여, 전술한 바와 같이 절연막 상에 투명 전극을 형성한 후, 투명 전극 상에, 본 실시 형태의 액정 배향제를 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들면, 롤 코터법, 스피너법, 인쇄법, 잉크젯법 등의 적절한 도포 방법을 이용할 수 있다. 이어서, 액정 배향제의 도포된 기판을 프리베이킹하고, 그 후, 포스트베이킹함으로써 도막을 형성하고, 어레이 기판을 제조한다. 프리베이킹 조건으로서는, 예를 들면, 40℃~120℃에서 0.1분간~5분간이다. 포스트베이킹 조건으로서는, 바람직하게는 120℃~230℃, 보다 바람직하게는 150℃~200℃, 더욱 바람직하게는 150℃~180℃에서, 바람직하게는 5분간~200분간, 보다 바람직하게는 10분간~100분간이다. 포스트베이킹 후의 도막의 막두께는, 바람직하게는 0.001㎛~1㎛이며, 보다 바람직하게는 0.005㎛~0.5㎛이다.[4] After using the substrate with an insulating film obtained in the step, a transparent electrode is formed on the insulating film as described above, the liquid crystal aligning agent of the present embodiment is coated on the transparent electrode. As a coating method, the appropriate coating methods, such as the roll coater method, the spinner method, the printing method, the inkjet method, can be used, for example. Subsequently, the coated substrate of a liquid crystal aligning agent is prebaked, and then post-baking, a coating film is formed and an array substrate is manufactured. As prebaking conditions, they are 0.1 minute-5 minutes at 40 degreeC-120 degreeC, for example. As the postbaking condition, Preferably it is 120 degreeC-230 degreeC, More preferably, it is 150 degreeC-200 degreeC, More preferably, it is 150 degreeC-180 degreeC, Preferably it is 5 minutes-200 minutes, More preferably, 10 minutes It is ~ 100 minutes. The film thickness of the coating film after postbaking becomes like this. Preferably it is 0.001 micrometer-1 micrometer, More preferably, it is 0.005 micrometer-0.5 micrometer.

액정 배향제를 도포할 때에 사용되는 액정 배향제의 고형분 농도(액정 배향제의 용매 이외의 성분의 합계 질량이 액정 배향제의 전체 질량에서 차지하는 비율)는, 점성, 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택되지만, 바람직하게는 1질량%~10질량%의 범위이다.Solid content concentration of the liquid crystal aligning agent used when apply | coating a liquid crystal aligning agent (the ratio which the total mass of components other than the solvent of a liquid crystal aligning agent occupies in the total mass of a liquid crystal aligning agent) selects suitably in consideration of viscosity, volatility, etc. Although it is preferable, it is the range of 1 mass%-10 mass% preferably.

액정 배향제로서, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하는 경우는, 전술의 도막에 직선 편광 또는 부분 편광된 방사선, 또는 비편광의 방사선을 조사함으로써, 액정 배향능을 부여한다. 이러한 편광 방사선의 조사는, 배향막의 배향 처리에 대응한다. 여기에서, 방사선으로서는, 예를 들면, 150㎚~800㎚의 파장의 빛을 포함하는 자외선 및 가시광선을 이용할 수 있다. 특히, 방사선으로서는, 300㎚~400㎚의 파장의 빛을 포함하는 자외선이 바람직하다. 사용하는 방사선이 직선 편광 또는 부분 편광하고 있는 경우에는, 조사는 기판면에 수직인 방향으로부터 행해도, 프리틸트각을 부여하기 위해 경사 방향으로부터 행해도 좋고, 또한, 이들을 조합하여 행해도 좋다. 비편광의 방사선을 조사하는 경우에는, 조사의 방향은 경사 방향일 필요가 있다.When using the liquid crystal aligning agent containing the [L] radiation-sensitive polymer which has a photo-alignment group as a liquid crystal aligning agent, liquid crystal aligning by irradiating linearly or partially polarized radiation or non-polarization radiation to the above-mentioned coating film. Grants ability. The irradiation of such polarized radiation corresponds to the alignment treatment of the alignment film. Here, as the radiation, for example, ultraviolet rays and visible rays containing light having a wavelength of 150 nm to 800 nm can be used. Especially as ultraviolet radiation, the ultraviolet-ray containing the light of the wavelength of 300 nm-400 nm is preferable. When the radiation to be used is linearly polarized or partially polarized, irradiation may be performed from a direction perpendicular to the substrate surface, or may be performed from an inclined direction in order to give a pretilt angle, or may be performed in combination. When irradiating non-polarized radiation, the direction of irradiation needs to be inclined direction.

방사선의 조사량으로서는, 바람직하게는 1J/㎡ 이상 10,000J/㎡ 미만이며, 보다 바람직하게는 10J/㎡~3,000J/㎡이다.As an irradiation amount of radiation, Preferably it is 1J / m <2> or less than 10,000J / m <2>, More preferably, it is 10J / m <2> -3,000J / m <2>.

액정 배향제로서, 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제를 이용하는 경우는, 포스트베이킹 후의 도막을 그대로 배향막으로서 사용할 수 있다. 그리고, 필요에 따라서 포스트베이킹 후의 도막에 대하여, 예를 들면, 나일론, 레이온, 코튼 등의 섬유로 이루어지는 천을 휘감은 롤로 일정 방향으로 문지르는 처리(러빙 처리)를 시행하여, 액정 배향능을 부여하는 것도 가능하다.As a liquid crystal aligning agent, when using the liquid crystal aligning agent containing [M] polyimide which does not have a photo-alignment group, the coating film after postbaking can be used as an oriented film as it is. Then, if necessary, the coating film after the postbaking can be subjected to a treatment (rubbing treatment) of rubbing in a predetermined direction with a roll wound around a cloth made of fibers such as nylon, rayon, cotton, and the like, thereby providing liquid crystal alignment ability. Do.

이상과 같이, 어레이 기판 상에 배향막을 형성하는 경우, 전술의 액정 배향제를 사용하여, 200℃ 이하의 가열 온도, 또한, 180℃ 이하의 가열 온도에서 배향막을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 전술한 [1] 공정~[4] 공정에서 형성된 절연막이, 배향막의 형성 공정에서 고온 상태에 노출되는 것을 피할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 어레이 기판은, 절연막과 배향막을 가질 수 있어, 200℃ 이하의 저온 경화에 의한 제조가 가능하다.As described above, when the alignment film is formed on the array substrate, it is possible to form the alignment film at a heating temperature of 200 ° C. or lower and a heating temperature of 180 ° C. or lower using the above-mentioned liquid crystal aligning agent. Therefore, it can avoid that the insulating film formed in the above-mentioned [1]-[4] process is exposed to a high temperature state in the formation process of an oriented film. And the array substrate of this embodiment can have an insulating film and an orientation film, and can manufacture by low temperature hardening of 200 degrees C or less.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 기초하여 본 발명의 실시 형태를 상술하지만, 이 실시예에 의해 본 발명이 한정적으로 해석되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although embodiment of this invention is described based on an Example, this invention is not limitedly interpreted by this Example.

<감방사선성 수지 조성물의 조제><Preparation of radiation sensitive resin composition>

실시예 1Example 1

[[A] 알칼리 가용성 수지 (A-I)의 합성][[A] Synthesis of Alkali Soluble Resin (A-I)]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 메타크릴산 16질량부, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 16질량부, 메틸메타크릴레이트 38질량부, 스티렌 10질량부, 메타크릴산 글리시딜 20질량부를 넣고, 질소 치환한 후, 온화하게 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 4시간 보존유지하여 중합함으로써, 공중합체 (A-I)를 함유하는 용액을 얻었다(고형분 농도=34.4질량%, Mw=8,000, Mw/Mn=2.3). 또한, 고형분 농도는 공중합체 용액의 전체 질량에서 차지하는 공중합체 질량의 비율을 의미한다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethylmethyl ether were placed. 16 parts by mass of methacrylic acid, 16 parts by mass of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, 38 parts by mass of methyl methacrylate, 10 parts by mass of styrene, glycidyl 20 methacrylic acid After adding a mass part and carrying out nitrogen substitution, while stirring gently, the temperature of the solution was raised to 70 degreeC, this temperature was preserve | saved for 4 hours, and superposition | polymerization was obtained, and the solution containing copolymer (AI) was obtained (solid content concentration = 34.4 mass%, Mw = 8,000, Mw / Mn = 2.3). In addition, solid content concentration means the ratio of the copolymer mass to the total mass of a copolymer solution.

실시예 2Example 2

[감방사선성 수지 조성물의 조제][Preparation of radiation sensitive resin composition]

 [A] 알칼리 가용성 수지인 실시예 1에서 얻어진 공중합체 (A-I) 100질량부에 대하여, [B] 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트를 100질량부, [C] 중합개시제로서 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어(IRUGACURE) OXE02, 치바·스페셜티·케미컬 가부시키가이샤)를 5질량부 및, [D] 화합물로서 4,4'-디아미노디페닐술폰을 혼합하고, 추가로 접착 조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5질량부, 계면활성제(FTX-218, 가부시키가이샤 네오스) 0.5질량부, 보존 안정제로서 4-메톡시페놀 0.5질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량%가 되도록, 각각 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 더한 후, 공경 0.5㎛의 밀리포어 필터로 여과함으로써, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다.[A] 100 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate as the [B] polymerizable compound with respect to 100 parts by mass of the copolymer (AI) obtained in Example 1 which is an alkali-soluble resin, and ethanone as the [C] polymerization initiator. -1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) (irugacure (IRUGACURE) OXE02, Chiba Specialty Chemical Co., Ltd.) 5 parts by mass of Shikisha) and 4,4'-diaminodiphenyl sulfone as a [D] compound are mixed, and 5 parts by mass of? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane as an adhesion aid, and a surfactant ( 0.5 parts by mass of FTX-218 and 0.5 parts by mass of 4-methoxyphenol as a preservation stabilizer were added, and propylene glycol monomethyl ether acetate was added so that the solid content concentration was 30% by mass, and then the pore size was 0.5 µm. The radiation sensitive resin composition was prepared by filtering by the Millipore filter.

<절연막의 형성과 평가><Formation and Evaluation of Insulating Film>

실시예 3Example 3

[절연막의 형성][Formation of insulating film]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 2에서 조제한 감방사선성 수지 조성물의 용액을 스피너에 의해 도포한 후, 100℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 막두께 4.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 700J/㎡로 하여 방사선 조사를 행했다. 이어서, 오븐 안에서 180℃의 경화 온도 및 30분간의 경화 시간에서 포스트베이킹함으로써 절연막을 형성했다.After apply | coating the solution of the radiation sensitive resin composition prepared in Example 2 with the spinner on the alkali free glass substrate, the coating film of 4.0 micrometers in thickness was formed by prebaking on 100 degreeC hotplate for 2 minutes. Subsequently, the obtained coating film was irradiated with an exposure amount of 700 J / m 2 using a high pressure mercury lamp. Subsequently, the insulating film was formed by post-baking in 180 degreeC hardening temperature and 30 minute hardening time in oven.

실시예 4Example 4

보존 안정성의 평가Evaluation of Preservation Stability

조제 직후의 실시예 2의 감방사선성 수지 조성물로부터, 실시예 3의 형성 방법에 의해 절연막을 형성하고, 막두께를 측정했다(하기식에 있어서, 「조제 직후의 막두께」라고 칭함). 또한, 실시예 2의 방법에 의해 조제한 후, 5일간 25℃에서 감방사선성 수지 조성물 용액을 보존하고, 5일 후에 동일하게 형성한 절연막의 막두께를 측정했다(하기식에 있어서, 「5일 후의 막두께」라고 칭함). 막두께 증가율(%)을 하기식으로부터 산출했다.The insulating film was formed from the radiation sensitive resin composition of Example 2 immediately after preparation by the formation method of Example 3, and the film thickness was measured (it is called "film thickness immediately after preparation" in the following formula). In addition, after preparing by the method of Example 2, the radiation-sensitive resin composition solution was preserve | saved at 25 degreeC for 5 days, and the film thickness of the insulating film formed similarly after 5 days was measured (in the following formula, "5 days Later film thickness). The film thickness increase rate (%) was computed from the following formula.

막두께 증가율(%)={(5일 후의 막두께―조제 직후의 막두께)/(조제 직후의 막두께)}×100Film thickness increase rate (%) = {(film thickness after 5 days-film thickness immediately after preparation) / (film thickness immediately after preparation)} × 100

막두께 증가율이 3% 이하이며, 보존 안정성은 양호라고 판단했다.The film thickness increase rate was 3% or less, and it judged that storage stability was favorable.

내광성의 평가Evaluation of light resistance

실시예 3의 형성 방법에 의한 절연막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516 S1JS01, 우시오 덴키 가부시키가이샤)로 130mW의 조도로 800,000J/㎡ 조사하여, 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2% 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.About the insulating film by the formation method of Example 3, 800,000 J / m <2> of irradiance of 130mW was irradiated with UV irradiation apparatus (UVX-02516S1JS01, Ushio Denki Co., Ltd.), and the amount of film | membrane decrease was investigated. The film reduction amount was 2% or less, and judged that light resistance was favorable.

내열성의 평가Evaluation of heat resistance

실시예 3의 형성 방법에 의한 절연막에 대해서, 추가로 오븐 안, 230℃에서 20분 가열하고, 이 가열 전후에서의 막두께를 촉침(觸針)식 막두께 측정기(알파스텝(ALPHA-STEP)IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하여, 이 잔막률을 내열성으로 했다. 잔막률은 99%이며, 내열성은 양호라고 판단했다.The insulating film by the formation method of Example 3 was further heated in an oven at 230 ° C. for 20 minutes, and the film thickness before and after the heating was tactile film thickness meter (alpha step (ALPHA-STEP)). IQ, KLA Tenco Corporation). And the residual film ratio ((film thickness after processing / film thickness before processing)) * 100 was calculated, and this residual film ratio was made into heat resistance. The residual film ratio was 99%, and the heat resistance was judged to be good.

내약품성의 평가Evaluation of chemical resistance

실시예 3의 형성 방법에 의한 절연막에 대해서, 60℃로 가온한 배향막 박리액 케미클린(CHEMICLEAN)TS-204(산요카세이고교 가부시키가이샤) 중에 15분 침지하고, 물세정 후, 추가로 오븐 안, 120℃에서 15분 건조시켰다. 이 처리 전후의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정하여, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하여, 이 잔막률을 내약품성으로 했다. 잔막률은 99%이며, 내약품성은 양호라고 판단했다.About the insulating film by the formation method of Example 3, it immersed for 15 minutes in the aligning-film peeling liquid CHEMICLEAN TS-204 (Sanyo Chemical Co., Ltd.) heated to 60 degreeC, and further wash | cleaned in water, and also in oven. And dried at 120 ° C. for 15 minutes. The film thickness before and after this treatment was measured with a stylus type film thickness gauge (Alphastep IQ, KLA Tenco Co., Ltd.) to calculate the residual film ratio ((film thickness after treatment / film thickness before treatment) × 100) to obtain this residual film ratio. Made chemical resistance. The residual film ratio was 99%, and the chemical resistance was judged to be good.

해상도의 평가Evaluation of the resolution

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 2에서 조제한 감방사선성 수지 조성물의 용액을 스피너에 의해 도포한 후, 100℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 막두께 4.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 직경 6㎛~15㎛의 범위가 상이한 크기의 복수의 환(丸) 형상 잔재 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 고압 수은 램프를 이용하여 노광량을 700J/㎡로하여 방사선 조사를 행했다. 그 후, 0.40질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액을 이용하여 25℃에서 퍼들법에 의해 현상한 후, 순수 물세정을 1분간 행했다. 또한 오븐 안에서 180℃의 경화 온도 및 30분간의 경화 시간으로 포스트베이킹함으로써 패턴 형상 경화막으로서 절연막을 형성했다. 형성된 절연막을 평가한 결과, 8㎛ 이하의 포토마스크에 있어서 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되어, 해상도는 양호라고 판단했다.After apply | coating the solution of the radiation sensitive resin composition prepared in Example 2 with the spinner on the alkali free glass substrate, the coating film of 4.0 micrometers in thickness was formed by prebaking on 100 degreeC hotplate for 2 minutes. Subsequently, irradiation was carried out using a high-pressure mercury lamp with a exposure amount of 700 J / m 2 through a photomask having a plurality of annular residue patterns of different sizes having a diameter ranging from 6 µm to 15 µm to the obtained coating film. . Then, after developing by the puddle method at 25 degreeC using the 0.40 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, pure water washing was performed for 1 minute. Furthermore, the insulating film was formed as a pattern-shaped cured film by post-baking in 180 degreeC hardening temperature and 30 minute hardening time in oven. As a result of evaluating the formed insulating film, it confirmed that the pattern was formed in the photomask of 8 micrometers or less, and judged that the resolution was favorable.

<어레이 기판의 제조><Production of Array Substrate>

실시예 4Example 4

실시예 2에 의해 얻어진 감방사선성 수지 조성물의 용액을 사용하여, 스위칭 능동 소자나 전극 등이 형성된 기판 상에 슬릿 다이 코터로 도포했다. 이 기판에는, 스위칭 능동 소자, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 소스 배선 및, 게이트 배선 등이 형성되어 있다. 이들 스위칭 능동 소자 등은, 기판 상, 통상의 반도체막 성막과, 공지의 절연막 성막과, 포토리소그래피법에 의한 에칭을 반복하거나 하여 공지의 방법에 의해 형성된 것이다.Using the solution of the radiation sensitive resin composition obtained by Example 2, it applied on the board | substrate with a switching active element, an electrode, etc. with the slit die coater. In this substrate, a switching active element, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a source wiring, a gate wiring, and the like are formed. These switching active elements are formed by a well-known method by repeating normal semiconductor film film formation, well-known insulating film film formation, and etching by the photolithography method on a board | substrate.

다음으로, 핫 플레이트 상에서 90℃, 5분간 프리베이킹하여 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 대하여, 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 700J/㎡로서 방사선 조사를 행했다. 그 후, 0.40질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액을 이용하여 25℃에서 퍼들법에 의해 현상한 후, 순수 물세정을 1분간 행했다. 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하여, 콘택트홀이 형성된 소정의 형상의 도막을 형성했다. 또한 오븐 안에서 180℃로 60분간 가열 처리하고, 막두께가 4.0㎛의 절연막을 형성했다.Next, it prebaked at 90 degreeC for 5 minutes on the hotplate, and formed the coating film. Subsequently, the obtained coating film was irradiated with the exposure amount of 700 J / m <2> using the high pressure mercury lamp through the photomask which has a pattern. Then, after developing by the puddle method at 25 degreeC using the 0.40 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, pure water washing was performed for 1 minute. By developing, the unnecessary part was removed and the coating film of the predetermined shape in which the contact hole was formed was formed. Furthermore, it heat-processed at 180 degreeC for 60 minutes in oven, and formed the insulating film of 4.0 micrometers in film thickness.

이어서, 절연막이 형성된 기판에 대해서, 스퍼터링법을 이용하여, 절연막의 위에 ITO로 이루어지는 투명 도전층을 형성했다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용하여 투명 도전층을 에칭하고, 절연막 상에 투명 전극을 형성했다. Next, the transparent conductive layer which consists of ITO was formed on the insulating film with respect to the board | substrate with which the insulating film was formed using the sputtering method. Subsequently, the transparent conductive layer was etched using the photolithography method, and the transparent electrode was formed on the insulating film.

이상과 같이 하여, 본 실시예의 어레이 기판을 제조했다. 얻어진 본 실시예의 어레이 기판에서는, 절연막의 소망하는 위치에 소망하는 사이즈의 콘택트홀이 형성되어 있어, 투명 전극과 드레인 전극과의 전기적인 접속이 실현되어 있었다.As described above, the array substrate of the present example was manufactured. In the obtained array substrate of the present embodiment, contact holes having a desired size were formed at desired positions of the insulating film, and electrical connection between the transparent electrode and the drain electrode was realized.

실시예 5Example 5

[광배향막을 갖는 어레이 기판의 제조][Production of Array Substrate with Photoalignment Film]

본 실시예에 있어서는, 실시예 4에서 얻어진 어레이 기판을 이용하여, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 광배향막을 형성한다.In the present Example, the photo-alignment film is formed using the liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group using the array substrate obtained in Example 4.

먼저, 실시예 4의 어레이 기판의 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제로서, 국제 공개(WO) 제2009/025386호의 실시예 6에 기재된 액정 배향제 A-1을 스피너에 의해 도포한다. 이어서, 80℃의 핫 플레이트에서 1분간 프리베이킹을 행한 후, 내부를 질소 치환한 오븐 안, 180℃에서 1시간 가열하여 막두께 80㎚의 도막을 형성했다. 이어서, 이 도막 표면에, Hg-Xe 램프 및 글랜 테일러 프리즘을 이용하여 313㎚의 휘선을 포함하는 편광 자외선 200J/㎡를, 기판 표면에 수직인 방향에 대하여 40°경사진 방향으로부터 조사하고, 광배향막을 갖는 어레이 기판을 제조했다.First, as a liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group on the transparent electrode of the array substrate of Example 4, the liquid crystal aligning agent A- of description of Example 6 of WO 2009/025386. 1 is applied by a spinner. Subsequently, after prebaking was performed for 1 minute on the 80 degreeC hotplate, it heated at 180 degreeC for 1 hour in the oven which carried out the nitrogen substitution inside, and formed the coating film of 80 nm in thickness. Subsequently, the coating film surface was irradiated with a polarized ultraviolet ray of 200 J / m 2 containing 313 nm of bright lines using a Hg-Xe lamp and a glan taylor prism from a direction inclined at 40 ° with respect to the direction perpendicular to the substrate surface. An array substrate having an alignment film was produced.

실시예 6Example 6

[수직 배향막을 갖는 어레이 기판의 제조][Manufacture of Array Substrate Having a Vertical Alignment Film]

본 실시예에 있어서는, 실시예 4에서 얻어진 어레이 기판을 이용하여, 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 수직 배향막을 형성한다.In the present Example, a vertical alignment film is formed using the liquid crystal aligning agent containing the polyimide which does not have a photo-alignment group using the array substrate obtained in Example 4.

먼저, 실시예 4의 어레이 기판의 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제로서, 수직 배향막 형성용의 AL60101(JSR 가부시키가이샤 제)을 스피너에 의해 도포했다. 이어서, 80℃의 핫 플레이트에서 1분간 프리베이킹을 행한 후, 내부를 질소 치환한 오븐 안, 180℃에서 1시간 가열하여 막두께 80㎚의 도막을 형성하고, 수직 배향막을 갖는 어레이 기판을 제조했다.First, as a liquid crystal aligning agent containing the polyimide which does not have a photo-alignment group, on top of the transparent electrode of the array substrate of Example 4, AL60101 (made by JSR Corporation) for vertical alignment film formation was apply | coated with the spinner. Subsequently, after prebaking for 1 minute on an 80 degreeC hotplate, the inside was heated at 180 degreeC for 1 hour in the oven which carried out the nitrogen substitution, the coating film of 80 nm thickness was formed, and the array substrate which has a vertical alignment film was manufactured. .

<액정 표시 소자의 제조><Manufacture of Liquid Crystal Display Element>

실시예 7Example 7

실시예 5에서 얻어진 어레이 기판을 이용했다. 그리고, 공지의 방법에 의해 제조된 컬러 필터 기판을 준비했다. 이 컬러 필터 기판은, 투명 기판 상에 적색, 녹색 및 청색의 3색의 미소한 착색 패턴과 블랙 매트릭스가 격자 형상으로 배치되고, 착색 패턴 상에는 투명한 공통 전극이 배치되어 있다. 그리고, 컬러 필터 기판의 공통 전극의 위에 실시예 5에서 어레이 기판 상에 형성한 것과 동일한 광배향막을 형성하여, 배향막이 형성된 대향 기판으로 했다. 이들 한 쌍의 기판을 이용하여, TN 액정층을 협지하여, 컬러 액정 표시 소자를 제조했다. 본 실시예의 액정 표시 소자는, 전술한 도 3이 나타내는 액정 표시 소자와 동일한 구조를 갖는다. 본 실시예의 액정 표시 소자는, 우수한 동작 특성과 표시 특성과 신뢰 성능을 나타냈다.The array substrate obtained in Example 5 was used. And the color filter board | substrate manufactured by the well-known method was prepared. In this color filter substrate, three small colored patterns of red, green and blue colors and a black matrix are arranged in a lattice shape on the transparent substrate, and a transparent common electrode is disposed on the colored pattern. And the same photo-alignment film as what was formed on the array substrate in Example 5 was formed on the common electrode of the color filter board | substrate, and it was set as the opposing board | substrate with which the oriented film was formed. The TN liquid crystal layer was sandwiched using these pair of board | substrates, and the color liquid crystal display element was manufactured. The liquid crystal display element of this embodiment has the same structure as the liquid crystal display element shown in FIG. 3 mentioned above. The liquid crystal display element of this Example showed the outstanding operating characteristic, display characteristic, and reliable performance.

또한, 본 발명은 상기 각 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서, 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다. 예를 들면, 본 실시 형태의 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 구성하는 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로부터 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 이용하여, 퀴논디아지드 화합물 등의 감방사선성 산 생성 화합물과 함께 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 구성하고, 콘택트홀을 구비한 절연막을 저온 경화에 의해 형성 가능하게 하여, 어레이 기판을 제공하는 것이 가능하다. 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 절연막의 저온 경화가 가능해져, 소망하는 어레이 기판의 절연막 형성이 가능해진다.In addition, this invention is not limited to each said embodiment, In the range which does not deviate from the meaning of this invention, various deformation | transformation can be implemented. For example, the structure formed from the structural unit formed from at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of unsaturated carbonic acid and unsaturated carbonic anhydride which comprise the negative radiation sensitive resin composition of this embodiment, and an epoxy group containing unsaturated compound. A positive radiation sensitive resin composition is formed together with a radiation sensitive acid generating compound such as a quinonediazide compound using a copolymer including a unit, and an insulating film having a contact hole can be formed by low temperature curing. Thus, it is possible to provide an array substrate. Low temperature curing of the insulating film using the positive radiation-sensitive resin composition becomes possible, and the insulating film formation of a desired array substrate becomes possible.

본 발명의 어레이 기판은, 저온 경화에 의해 용이하게 제조할 수 있고, 고신뢰성을 갖는다. 따라서, 본 발명의 어레이 기판은 우수한 표시 품위와 신뢰성이 요구되는 대형 액정 텔레비전용 등에 적합하게 사용할 수 있다.The array substrate of this invention can be manufactured easily by low temperature hardening, and has high reliability. Therefore, the array substrate of this invention can be used suitably for the large size liquid crystal television etc. which require the outstanding display quality and reliability.

1 : 어레이 기판
4, 11 : 기판
5 : 소스 전극
6 : 드레인 전극
7 : 게이트 전극
8 : 스위칭 능동 소자
9 : 투명 전극
10 : 배향막
12 : 절연막
13 : 블랙 매트릭스
14 : 공통 전극
15 : 착색 패턴
17 : 콘택트홀
18 : 소스 배선
19 : 게이트 배선
21 : 액정 표시 소자
22 : 컬러 필터 기판
23 : 액정층
27 : 백 라이트 광
28 : 편광판
1: array board
4, 11: substrate
5: source electrode
6: drain electrode
7: gate electrode
8: switching active element
9: transparent electrode
10: alignment film
12: Insulating film
13: black matrix
14: common electrode
15: coloring pattern
17 contact hole
18: source wiring
19: gate wiring
21: liquid crystal display element
22: color filter substrate
23: liquid crystal layer
27: backlight light
28: polarizing plate

Claims (10)

스위칭 능동 소자와,
상기 스위칭 능동 소자 상에 배치된 절연막과,
상기 절연막에 형성된 콘택트홀과,
상기 콘택트홀을 개재하여 상기 스위칭 능동 소자와 전기적으로 접속된 화소 전극을 갖는 액정 표시 소자용의 어레이 기판으로서,
상기 절연막은, 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
Switching active elements,
An insulating film disposed on the switching active element;
A contact hole formed in the insulating film;
An array substrate for a liquid crystal display element having a pixel electrode electrically connected to the switching active element via the contact hole,
The said insulating film is negative radiation sensitive containing the copolymer containing the structural unit formed from the structural unit formed from the at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of unsaturated carbonic acid and unsaturated carbonic anhydride, and an epoxy-group-containing unsaturated compound. An array substrate, which is formed of a resin composition.
제1항에 있어서,
상기 감방사선성 수지 조성물은, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판:
Figure pat00022

Figure pat00023

(식 (1) 중, R1~R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R1~R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1~R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1~6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고;
식 (2) 중, R7~R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7~R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2~6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).
The method of claim 1,
The said radiation sensitive resin composition is a compound represented by following formula (1), the compound represented by following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, an amidine salt, an amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound And at least one compound selected from the group consisting of imidazole ring-containing compounds:
Figure pat00022

Figure pat00023

(Formula (1) of, R 1 ~ R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group or an amino group; However, R 1 ~ R 6 at least one of which is an electron-withdrawing group, and R 1 ~ R 6 At least one of which is an amino group, wherein all or part of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
In formula (2), R <7> -R <16> is respectively independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group, or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; Moreover, all or one part of hydrogen atoms may be substituted by the C2-C6 alkylene group of the said amino group; A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonyl methylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; However, all or part of the hydrogen atom may be substituted by the cyano group, the halogen atom, or the fluoroalkyl group in the said methylene group and the alkylene group).
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 절연막은, 200℃ 이하의 경화 온도에서 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method according to claim 1 or 2,
And the insulating film is formed at a curing temperature of 200 ° C. or less.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 절연막의 위에 투명 전극을 갖고, 상기 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 얻어진 배향막을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method according to claim 1 or 2,
An alignment film obtained by using any of a liquid crystal aligning agent containing a polyimide which has a transparent electrode on the said insulating film and has a photosensitive group which has a transparent electrode on the said transparent electrode, and a photo-alignment group, and a polyimide which does not have a photo-aligning group An array substrate having a.
제4항에 있어서,
상기 배향막은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 얻어진 배향막인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
5. The method of claim 4,
The said alignment film is an alignment film obtained using the liquid crystal aligning agent containing the radiation sensitive polymer which has a photo-alignment group.
제1항 또는 제2항에 기재된 어레이 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.The array substrate of Claim 1 or 2 is provided, The liquid crystal display element characterized by the above-mentioned. [1] 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 스위칭 능동 소자의 형성된 기판 상에 형성하는 공정,
[2] 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
[3] 공정 [2]에서 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하여 콘택트홀이 형성된 도막을 얻는 공정, 및
[4] [3] 공정에서 얻어진 도막을 200℃ 이하에서 경화하여 절연막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
[1] Negative radiation-sensitive resin containing a copolymer comprising a structural unit formed of at least one member selected from the group consisting of unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic acid anhydrides and structural units formed of epoxy group-containing unsaturated compounds Forming a coating film of the composition on the formed substrate of the switching active element,
[2] irradiating at least a portion of the coating film of the radiation-sensitive resin composition with radiation;
[3] a step of developing the coating film to which the radiation is irradiated in step [2] to obtain a coating film with contact holes; and
[4] A method for producing an array substrate, comprising the step of curing the coating film obtained in the step [3] at 200 ° C. or lower to form an insulating film.
제7항에 있어서,
상기 감방사선성 수지 조성물은, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법:
Figure pat00024

Figure pat00025

(식 (1) 중, R1~R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R1~R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1~R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1~6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고;
식 (2) 중, R7~R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7~R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2~6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2~6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).
The method of claim 7, wherein
The said radiation sensitive resin composition is a compound represented by following formula (1), the compound represented by following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, an amidine salt, an amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound And at least one compound selected from the group consisting of imidazole ring-containing compounds.
Figure pat00024

Figure pat00025

(Formula (1) of, R 1 ~ R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group or an amino group; However, R 1 ~ R 6 at least one of which is an electron-withdrawing group, and R 1 ~ R 6 At least one of which is an amino group, wherein all or part of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
In formula (2), R <7> -R <16> is respectively independently a hydrogen atom, an electron withdrawing group, or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; Moreover, all or one part of hydrogen atoms may be substituted by the C2-C6 alkylene group of the said amino group; A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonyl methylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; However, all or part of the hydrogen atom may be substituted by the cyano group, the halogen atom, or the fluoroalkyl group in the said methylene group and the alkylene group).
제7항 또는 제8항에 있어서,
배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
9. The method according to claim 7 or 8,
The manufacturing method of the array substrate which further has a process of forming an oriented film at 200 degrees C or less.
제9항에 있어서,
상기 배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함한 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 상기 배향막을 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The step of forming the alignment film at 200 ° C. or less may include forming the alignment film using any one of a liquid crystal alignment agent containing a radiation-sensitive polymer having a photoalignment group and a liquid crystal alignment agent including a polyimide having no photoalignment group. The manufacturing method of the array substrate characterized by the above-mentioned.
KR1020120074822A 2011-07-22 2012-07-10 Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate KR101948069B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011161413A JP5966268B2 (en) 2011-07-22 2011-07-22 Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
JPJP-P-2011-161413 2011-07-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130011924A true KR20130011924A (en) 2013-01-30
KR101948069B1 KR101948069B1 (en) 2019-02-14

Family

ID=47533899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120074822A KR101948069B1 (en) 2011-07-22 2012-07-10 Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5966268B2 (en)
KR (1) KR101948069B1 (en)
CN (1) CN102890352B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11214677B2 (en) 2017-03-22 2022-01-04 Lg Chem, Ltd. Resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739196A (en) * 2016-04-28 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel and liquid crystal display
JP6890613B2 (en) 2016-12-14 2021-06-18 昭和電工株式会社 Resin composition for color filter, its manufacturing method and color filter

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168908B1 (en) * 1997-10-09 2001-01-02 Jsr Corporation Process for forming a cured film of a thermoplastic resin
JP2001022065A (en) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Steel Chem Co Ltd Image forming material and image device using same
US20040101689A1 (en) * 2002-11-26 2004-05-27 Ludovic Valette Hardener composition for epoxy resins
JP4539165B2 (en) * 2004-05-12 2010-09-08 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, spacer, method for forming the same, and liquid crystal display device
KR101221468B1 (en) * 2005-01-27 2013-01-11 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
KR101313538B1 (en) * 2006-04-06 2013-10-01 주식회사 동진쎄미켐 Negative photosensitive resin composition
JP5083540B2 (en) * 2007-03-20 2012-11-28 Jsr株式会社 Radiation-sensitive protective film forming resin composition, method for forming protective film from the composition, liquid crystal display element, and solid-state imaging element
KR101464312B1 (en) * 2008-03-03 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature
JP5157860B2 (en) * 2008-12-08 2013-03-06 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and production method thereof
JP2010181866A (en) * 2009-01-07 2010-08-19 Fujifilm Corp Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer dielectric, organic electroluminescence display device, and liquid crystal display device
JP5504823B2 (en) * 2009-10-28 2014-05-28 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition, protective film, interlayer insulating film, and method for forming them
JP2011138116A (en) * 2009-12-04 2011-07-14 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film, and method for forming the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11214677B2 (en) 2017-03-22 2022-01-04 Lg Chem, Ltd. Resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101948069B1 (en) 2019-02-14
CN102890352B (en) 2016-08-03
CN102890352A (en) 2013-01-23
JP5966268B2 (en) 2016-08-10
JP2013025203A (en) 2013-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101914970B1 (en) Color filter, liquid crystal display, and process for producing the color filter
JP5966328B2 (en) Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
KR101842085B1 (en) Color filter, liquid crystal display, and process for producing the color filter
JP5708227B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
KR101336146B1 (en) Colored composition, colored pattern, color filter, color display device, and process for producing the color filter
KR101892491B1 (en) Color filter, liquid crystal display, and process for producing the color filter
JP5862081B2 (en) Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
JP5857578B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
JP5817562B2 (en) COLOR FILTER, COLOR FILTER MANUFACTURING METHOD, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT
KR20120024399A (en) Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, color filter, and method for forming the color filter
KR20130011924A (en) Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate
KR20120024426A (en) Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, color filter, and method for forming the color filter
JP5708398B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
JP6056644B2 (en) Semiconductor device, radiation-sensitive resin composition, cured film, and display device
JP5786501B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
JP5786445B2 (en) Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
JP5741331B2 (en) Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
KR20140011949A (en) Semiconductor device, radiation-sensitive resin composition, cured film, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right