KR101948069B1 - Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate - Google Patents

Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101948069B1
KR101948069B1 KR1020120074822A KR20120074822A KR101948069B1 KR 101948069 B1 KR101948069 B1 KR 101948069B1 KR 1020120074822 A KR1020120074822 A KR 1020120074822A KR 20120074822 A KR20120074822 A KR 20120074822A KR 101948069 B1 KR101948069 B1 KR 101948069B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
liquid crystal
radiation
array substrate
Prior art date
Application number
KR1020120074822A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130011924A (en
Inventor
다이고 이치노헤
에이지 요네다
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20130011924A publication Critical patent/KR20130011924A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101948069B1 publication Critical patent/KR101948069B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C08F220/325Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(과제) 저온 경화 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판과 그 제조 방법을 제공하고, 이를 이용하여 액정 표시 소자를 제공한다.
(해결 수단) 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체와, 식 (1) 또는 식 (2)의 화합물을 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로부터 절연막(12)을 형성하여, 어레이 기판(1)을 제조한다. 어레이 기판(1)으로부터 액정 표시 소자를 구성한다.

Figure 112012054895772-pat00026
An array substrate having an insulating film formed of a low-temperature-curable negative-type radiation-sensitive resin composition and a method of manufacturing the same are provided, and a liquid crystal display element is provided using the array substrate.
(1) a copolymer comprising a constituent unit formed of at least one kind selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride and a constituent unit formed from an epoxy group-containing unsaturated compound, 2) to form the insulating film 12, thereby fabricating the array substrate 1. Then, as shown in Fig. A liquid crystal display element is constituted from the array substrate 1.
Figure 112012054895772-pat00026

Description

어레이 기판, 액정 표시 소자 및 어레이 기판의 제조 방법 {ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE ARRAY SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an array substrate, a liquid crystal display device, and a method of manufacturing an array substrate,

본 발명은, 어레이 기판, 액정 표시 소자 및 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an array substrate, a liquid crystal display element, and a method of manufacturing an array substrate.

액정 표시 소자는, 예를 들면, 유리 기판 등, 한 쌍의 기판에 액정을 협지하여 구성된다. 한 쌍의 기판의 표면에는 액정의 배향을 제어하는 배향막을 형성하는 것이 가능하다. 액정 표시 소자는, 백 라이트나 외광 등, 광원으로부터 방사된 빛에 대하여 미세한 셔터로서 기능하고, 빛을 부분적으로 투과하여, 또는 차광을 하여 표시를 행한다. 액정 표시 소자는, 박형, 경량 등이 우수한 특징을 갖는다.The liquid crystal display element is constituted by sandwiching a liquid crystal on a pair of substrates such as a glass substrate. It is possible to form an alignment film for controlling the alignment of the liquid crystal on the surfaces of the pair of substrates. The liquid crystal display element functions as a fine shutter with respect to light emitted from a light source such as a backlight or an external light, and partially transmits or shields light to perform display. The liquid crystal display element has a feature of being thin, lightweight, and the like.

액정 표시 소자는, 개발 당초, 캐릭터 표시 등을 중심으로 하는 전자 계산기나 시계의 표시 소자로서 이용되었다. 그 후, 단순 매트릭스 방식의 개발에 의해 도트 매트릭스 표시가 용이해져 노트 PC의 표시 소자 등으로 용도를 확대시켰다. 또한, 액티브 매트릭스형의 개발에 의해 콘트라스트비나 응답 성능이 우수한 양호한 화질을 실현할 수 있게 되어, 고정세화, 컬러화 및 시야각 확대 등의 과제도 극복하여 데스크탑 컴퓨터의 모니터용 등으로 용도를 확대했다. 최근에는, 보다 넓은 시야각이나 액정의 고속 응답화나 표시 품위의 향상 등이 실현되어, 대형의 박형 텔레비전용 표시 소자로서 이용되기에 이르고 있다. 그리고, 액정 표시 소자는, 더 한층의 고화질화나 밝기의 향상이 요구되고 있다.At first, the liquid crystal display element was used as a display element of an electronic calculator or a clock, centering on a character display. Thereafter, development of a simple matrix system facilitated dot matrix display, extending the application to display devices of notebook PCs and the like. In addition, by developing the active matrix type, it is possible to realize a good image quality with excellent contrast ratio and response performance, thereby overcoming the problems of fixed definition, colorization, and wide viewing angle. In recent years, a wider viewing angle, higher-speed response of the liquid crystal, improvement of display quality, and the like have been realized, and they have been used as a large-sized display device for a television. Further, the liquid crystal display element is required to have further improved image quality and brightness.

액티브 매트릭스형의 액정 표시 소자에서는, 액정을 협지하는 한 쌍의 기판 중 한쪽의 위에 게이트 배선과 신호 배선이 격자 형상으로 배설되고, 게이트 배선과 신호 배선과의 교차부에 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transister) 등의 스위칭 능동 소자가 설치되어 있어, 어레이 기판을 구성하고 있다. 어레이 기판 상, 게이트 배선과 신호 배선으로 둘러싸인 영역에 화소 전극이 배치되고, 이 화소 전극에 의해 표시 단위인 화소가 구성되어 있다.In an active matrix type liquid crystal display device, gate wirings and signal wirings are arranged in a lattice form on one of a pair of substrates sandwiching liquid crystal, thin film transistors (TFTs) are formed at intersections of gate wirings and signal wirings, Transistors) are provided to constitute an array substrate. On the array substrate, pixel electrodes are arranged in a region surrounded by gate wirings and signal wirings, and pixels serving as display units are constituted by the pixel electrodes.

액정 표시 소자에 있어서, 밝기의 향상을 실현하고자 하는 경우, 화소 전극을 크게 하는 것이 유효해진다. 화소 전극의 면적을 가능한 한 크게 하여, 개구율을 향상시킴으로써 밝기를 증대할 수 있다. 그 경우, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 화소 전극을 게이트 배선이나 신호 배선과 중첩시켜, 개구율을 향상시키는 기술이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 어레이 기판에 있어서, 배선과 화소 전극과의 사이에 후막(厚膜)의 유기 재료로 이루어지는 절연막을 형성함으로써, 화소 전극과 배선과의 사이의 커플링 용량 증대를 억제하면서, 개구율을 향상시킨 액정 표시 소자가 개시되어 있다.In a liquid crystal display element, in order to realize improvement in brightness, it is effective to enlarge the pixel electrode. The brightness can be increased by increasing the area of the pixel electrode as much as possible and improving the aperture ratio. In this case, for example, as disclosed in Patent Document 1, there is known a technique of superimposing a pixel electrode on a gate wiring or a signal wiring to improve the aperture ratio. Patent Document 1 discloses an array substrate in which an insulating film made of an organic material of a thick film is formed between a wiring and a pixel electrode so that the coupling capacitance between the pixel electrode and the wiring is prevented from increasing, A liquid crystal display device has been proposed.

일본공개특허공보 2001-264798호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-264798

특허문헌 1에 기재되는 액정 표시 소자와 같이, 어레이 기판에 있어서 배선과 화소 전극과의 사이에 후막의 유기 재료로 이루어지는 절연막을 형성하는 경우, TFT 등의 스위칭 소자와 화소 전극과의 전기적인 접속은, 절연막에 형성된 콘택트홀을 이용하여 실현된다.When an insulating film made of an organic material with a thick film is formed between the wiring and the pixel electrode in the array substrate as in the liquid crystal display element described in Patent Document 1, the electrical connection between the switching element such as the TFT and the pixel electrode , And a contact hole formed in the insulating film.

유기 재료로 이루어지는 절연막에 콘택트홀을 형성하는 경우, 포토리소그래피 기술의 이용이 유효하다. 그 경우, 절연막의 형성 재료로서, 감방사선성의 수지 조성물(이하, 감방사선성 수지 조성물이라고 함)의 사용이 바람직하고, 특히 감방사선성 수지 조성물은, 소위 포지티브형의 선택이 바람직하다. 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용한 절연막에서는, 방사선에 감응하면 현상액으로의 용해성이 증대하여 감응 부분이 제거된다. 따라서, 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 사용하는 경우, 절연막의 콘택트홀의 형성 부분에 감방사선을 조사함으로써, 비교적 용이하게 콘택트홀을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「방사선」이란, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 포함하는 개념이다.When a contact hole is formed in an insulating film made of an organic material, the use of a photolithography technique is effective. In this case, as the material for forming the insulating film, the use of a radiation-sensitive resin composition (hereinafter referred to as a radiation-sensitive resin composition) is preferable, and a radiation-sensitive resin composition is preferably selected from a so-called positive type. In an insulating film using a positive-type radiation-sensitive resin composition, when it is exposed to radiation, the solubility in a developing solution increases, and the sensitive portion is removed. Therefore, when a positive-type radiation sensitive resin composition is used, contact holes can be relatively easily formed by irradiating a portion of the insulating film where the contact holes are formed with radiation. In the present invention, the term " radiation " is a concept including visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, charged particle rays and the like.

그러나, 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물의 경우, 예를 들면, 방사선의 조사를 받아 산을 생성하는 화합물을 성분으로서 함유하는 등, 특수한 재료가 필요해진다. 그러한 특수한 재료는 입수가 용이하지 않고, 또한, 재료 선택의 폭은 좁아진다. 그래서, 포토리소그래피 기술에 적용할 수 있고, 입수가 용이한 다양한 재료를 이용하여 조성을 실현할 수 있는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 적용이 요구되고 있다. 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물은, 방사선의 조사를 받아 방사선에 감응하면 현상액으로의 용해성이 저하되고, 현상 후에 감응 부분이 잔존하는 감방사선성 수지 조성물이다.However, in the case of a positive-type radiation-sensitive resin composition, a special material is required, for example, a compound that generates an acid by irradiation with radiation as a component. Such a special material is not easily available, and the range of material selection is narrow. Therefore, application of a negative-type radiation-sensitive resin composition which can be applied to a photolithography technique and which can realize a composition using various materials which are easily available is required. The negative radiation sensitive resin composition is a radiation sensitive resin composition in which the radiation sensitive resin composition is sensitive to radiation to lower the solubility in a developing solution and the sensitive portion remains after development.

그러나, 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 절연막에 콘택트홀을 형성하고자 하는 경우, 전술한 바와 같이, 콘택트홀 이외의 절연막의 잔존 부분에 방사선을 조사(이하, 「노광(露光)」이라고 칭함)하고, 반응을 일으키고, 그 후, 가열 경화 등을 하여 절연막의 형성을 행하게 된다. 그 때문에, 노광, 현상, 가열 경화로 이어지는 절연막의 제조 공정에 있어서, 절연막의 사이즈의 변동이 포지티브형에 비해 커지는 경우가 있다. 특히, 종래의 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용한 경우, 노광과 현상 후의 경화는, 230℃∼260℃ 정도라는 매우 높은 온도에서 행할 필요가 있다. 따라서, 가열 경화 공정에 있어서의 열적인 팽창 또는 수축 등의 사이즈의 변동이 커져, 배치 위치와 사이즈의 관리가 엄격하게 요구되는 콘택트홀의 형성에 문제점을 발생시키는 경우가 있다.However, when a contact hole is to be formed in an insulating film using a negative-type radiation-sensitive resin composition, as described above, a method of irradiating a residual portion of an insulating film other than the contact hole (hereinafter referred to as "exposure" And the reaction is caused. Thereafter, the insulating film is formed by heat curing or the like. Therefore, there is a case where the variation of the size of the insulating film is larger than that of the positive type in the manufacturing process of the insulating film which is followed by exposure, development, and heat curing. Particularly, in the case of using the conventional negative radiation-sensitive resin composition, it is necessary to perform the exposure and the curing after development at a very high temperature of about 230 캜 to 260 캜. Therefore, the size variation such as thermal expansion or contraction in the heat hardening step becomes large, and there arises a problem in formation of the contact hole strictly required to control the arrangement position and size.

이상으로부터, 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 어레이 기판 상의 절연막을 구성함과 함께, 열적인 팽창이나 수축을 억제하여 콘택트홀의 형성을 가능하게 하는 것이 요망되고 있다. 그러기 위해서는, 노광과 현상 후의 경화 공정을 종래의 고온 가열에 의한 경화 공정을 대신하여, 예를 들면, 200℃ 이하의 저온에 의해 경화하는 것이 가능한, 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물이 필요해진다. 이러한 경화 특성을 구비한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물은, 소망으로 하는 절연막의 제공을 가능하게 한다.From the above, it is desired to form an insulating film on an array substrate by using a negative-type radiation-sensitive resin composition, and to make it possible to form a contact hole by suppressing thermal expansion or contraction. In order to do so, a negative radiation-sensitive resin composition which can be cured at a low temperature of, for example, 200 캜 or less is required instead of the conventional curing step by heating at high temperature. The negative radiation-sensitive resin composition having such a curing property makes it possible to provide a desired insulating film.

또한, 최근, 에너지 절약의 관점에서도, 어레이 기판을 갖는 액정 표시 소자의 제조에 있어서의 가열 공정의 저온화가 요구되어 지고 있다. 즉, 어레이 기판이나 그것을 이용한 액정 표시 소자의 제조에 있어서, 각 구성 요소의 경화 공정 등, 가열이 필요한 공정의 저온화에 의한 에너지 절약의 실현이 요구되어 지고 있다.In addition, from the viewpoint of energy saving, in recent years, a reduction in the temperature of the heating process in the production of a liquid crystal display element having an array substrate is required. In other words, in manufacturing an array substrate or a liquid crystal display device using the same, it is required to realize energy saving by lowering the temperature of a process requiring heating, such as a curing process of each component.

이상으로부터, 저온 경화에 의해, 콘택트홀을 구비한 절연막의 형성을 할 수 있는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 실현이 강하게 요망되고 있다. 그리고, 그 네거티브형의 감방사선성의 수지 조성물을 이용하여 저온 경화된 절연막을 갖는 어레이 기판의 실현이 강하게 요망되고 있다. 또한, 그러한 어레이 기판을 이용하여 구성된 액정 표시 소자의 실현이 강하게 요망되고 있다.From the above, it is strongly desired to realize a negative radiation-sensitive resin composition capable of forming an insulating film having a contact hole by low-temperature curing. It is strongly desired to realize an array substrate having an insulating film that is cured at a low temperature using the negative radiation-sensitive resin composition. In addition, realization of a liquid crystal display device constructed using such an array substrate is strongly desired.

본 발명은, 이상과 같은 과제를 감안하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide an array substrate having an insulating film formed of a negative-type radiation-sensitive resin composition capable of low-temperature curing and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판을 이용하여 구성된 액정 표시 소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display element using an array substrate having an insulating film formed of a negative radiation-sensitive resin composition capable of low-temperature curing.

본 발명의 제1 실시 형태는, 스위칭 능동 소자와,According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a switching active element,

그 스위칭 능동 소자 상에 배치된 절연막과,An insulating film disposed on the switching active element,

그 절연막에 형성된 콘택트홀과,A contact hole formed in the insulating film,

그 콘택트홀을 개재하여 스위칭 능동 소자와 전기적으로 접속된 화소 전극을 갖는 액정 표시 소자용의 어레이 기판으로서,And a pixel electrode electrically connected to the switching active element via the contact hole,

절연막은, 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판에 관한 것이다.The insulating film may be a negative type radiation sensitive resin containing a copolymer containing a constituent unit formed of at least one kind selected from the group consisting of unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic acid anhydrides and a constituent unit formed from an epoxy group containing unsaturated compound The present invention relates to an array substrate formed of a composition.

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 감방사선성 수지 조성물은, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것이 바람직하다:In the first embodiment of the present invention, the radiation-sensitive resin composition comprises a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, An amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound, and an imidazole ring-containing compound.

Figure 112012054895772-pat00001
Figure 112012054895772-pat00001

Figure 112012054895772-pat00002
Figure 112012054895772-pat00002

(식 (1) 중, R1∼R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R1∼R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1∼R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고; (Wherein R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group, provided that at least one of R 1 to R 6 is an electron-withdrawing group and R 1 to R 6 At least one of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

식 (2) 중, R7∼R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7∼R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2∼6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).In the formula (2), R 7 to R 16 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; The amino group may be substituted with all or a part of the hydrogen atoms by an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylmethylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; Provided that all or part of the hydrogen atoms may be substituted with a cyano group, a halogen atom or a fluoroalkyl group).

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 절연막은, 200℃ 이하의 경화 온도에서 형성된 것이 바람직하다.In the first embodiment of the present invention, it is preferable that the insulating film is formed at a curing temperature of 200 캜 or less.

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 절연막의 위에 투명 전극을 갖고, 그 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 얻어진 배향막을 갖는 것이 바람직하다.In a first embodiment of the present invention, there is provided a liquid crystal display device having a transparent electrode on an insulating film, a liquid crystal aligning agent containing a radiation sensitive polymer having a photo aligning group and a liquid crystal aligning layer containing a polyimide having no photo aligning group, It is preferable to have an alignment film obtained by using any of the alignment agents.

본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 배향막은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 얻어진 배향막인 것이 바람직하다.In the first embodiment of the present invention, it is preferable that the alignment film is an alignment film obtained by using a liquid crystal aligning agent containing a radiation-sensitive polymer having a photo aligning group.

본 발명의 제2 실시 형태는, 본 발명의 제1 실시 형태의 어레이 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자에 관한 것이다.A second embodiment of the present invention relates to a liquid crystal display element having an array substrate according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제3 실시 형태는,According to a third aspect of the present invention,

[1] 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 함유하는 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 스위칭 능동 소자가 형성된 기판 상에 형성하는 공정,[1] A negative radiation-sensitive resin composition comprising a copolymer comprising a constituent unit formed of at least one kind selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride and a constituent unit formed from an epoxy group- Forming a coating film of the composition on a substrate on which a switching active element is formed,

[2] 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,[2] a step of irradiating at least a part of the coated film of the radiation sensitive resin composition with radiation,

[3] 공정 [2]에서 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하여 콘택트홀이 형성된 도막을 얻는 공정, 및[3] a step of developing the coating film irradiated with the radiation in the step [2] to obtain a coating film on which the contact hole is formed, and

[4] [3] 공정에서 얻어진 도막을 200℃ 이하에서 경화하여 절연막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.[4] A method for manufacturing an array substrate, characterized by having a step of forming an insulating film by curing the coating film obtained at the step [3] at 200 ° C or less.

본 발명의 제3 실시 형태에 있어서, 감방사선성 수지 조성물은, 하기식 (1)에서 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것이 바람직하다:In the third embodiment of the present invention, the radiation-sensitive resin composition contains a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, An amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound, and an imidazole ring-containing compound.

Figure 112012054895772-pat00003
Figure 112012054895772-pat00003

Figure 112012054895772-pat00004
Figure 112012054895772-pat00004

(식 (1) 중, R1∼R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R1∼R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1∼R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고; (Wherein R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group, provided that at least one of R 1 to R 6 is an electron-withdrawing group and R 1 to R 6 At least one of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

식 (2) 중, R7∼R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7∼R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2∼6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).In the formula (2), R 7 to R 16 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; The amino group may be substituted with all or a part of the hydrogen atoms by an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylmethylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; Provided that all or part of the hydrogen atoms may be substituted with a cyano group, a halogen atom or a fluoroalkyl group).

본 발명의 제3 실시 형태에 있어서, 배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다.In the third embodiment of the present invention, it is preferable to further include a step of forming the alignment film at 200 DEG C or lower.

본 발명의 제3 실시 형태에 있어서, 배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 상기 배향막을 형성하는 것이 바람직하다.In the third embodiment of the present invention, the step of forming the alignment film at 200 ° C or lower includes a step of forming a liquid crystal alignment agent containing a radiation sensitive polymer having a photo aligning group and a liquid crystal aligning agent containing a polyimide having no photo aligning group It is preferable to form the alignment film by using any of them.

본 발명에 의하면, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판과 그 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided an array substrate having an insulating film formed of a negative-type radiation-sensitive resin composition capable of low-temperature curing and a manufacturing method thereof.

또한, 본 발명에 의하면, 저온 경화가 가능한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 절연막을 갖는 어레이 기판으로 이루어지는 액정 표시 소자가 제공된다.According to the present invention, there is also provided a liquid crystal display element comprising an array substrate having an insulating film formed of a negative radiation sensitive resin composition capable of low temperature curing.

도 1은 본 실시 형태의 어레이 기판의 요부(要部) 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태의 어레이 기판의 개략적인 전극 배선도이다.
도 3은 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 개략적인 단면도이다.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the array substrate of the embodiment. FIG.
2 is a schematic electrode wiring diagram of the array substrate of this embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display element of the present embodiment.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

본 발명의 실시 형태의 어레이 기판 및 액정 표시 소자에 대해서 설명한다.An array substrate and a liquid crystal display element according to embodiments of the present invention will be described.

<액정 표시 소자><Liquid crystal display element>

본 실시 형태의 액정 표시 소자는, 본 실시 형태의 어레이 기판을 이용하여 구성된 컬러 액정 표시 소자이다. 이하, 본 실시 형태의 어레이 기판의 구조 및 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 구조에 대해서, 도면을 이용하여 설명한다.The liquid crystal display element of the present embodiment is a color liquid crystal display element constructed using the array substrate of the present embodiment. Hereinafter, the structure of the array substrate of this embodiment and the structure of the liquid crystal display element of this embodiment will be described with reference to the drawings.

본 실시 형태의 액정 표시 소자는, 예를 들면, 액티브 매트릭스형의 컬러 액정 표시 소자로 할 수 있다. 본 실시 형태의 액정 표시 소자는, 스위칭 능동 소자, 전극 및, 절연막의 형성된 본 실시 형태의 어레이 기판과, 투명 전극이 형성된 컬러 필터 기판이, 액정층을 개재하여 대향하는 구조로 할 수 있다.The liquid crystal display element of the present embodiment can be, for example, an active matrix type color liquid crystal display element. The liquid crystal display element of the present embodiment can have a structure in which the array substrate of the present embodiment in which the switching active element, the electrode and the insulating film are formed, and the color filter substrate on which the transparent electrode is formed face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween.

도 1은, 본 실시 형태의 어레이 기판의 요부 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a recessed portion structure of an array substrate of the present embodiment.

도 2는, 본 실시 형태의 어레이 기판의 개략적인 전극 배선도이다.2 is a schematic electrode wiring diagram of the array substrate of the present embodiment.

도 1에 나타내는 어레이 기판(1)은, 본 실시 형태의 어레이 기판의 일례이다. 투명한 기판(4)의 한쪽의 면에, 스위칭 능동 소자(8)가 배치된다. 그리고, 스위칭 능동 소자(8)에 접속하는 소스 전극(5)과, 드레인 전극(6)과, 게이트 전극(7)이 배치된다. 스위칭 능동 소자(8)의 위에는 절연막(12)이 형성되고, 절연막(12)의 위에는, 화소 전극인 투명 전극(9)이 배치된다. 투명 전극(9)은 ITO(Indium Tin Oxide: 주석을 도프한 산화 인듐) 등으로 이루어지는 투명 도전막으로 형성된다. 투명 전극(9)의 위에는, 도면에 나타내는 바와 같이 액정의 배향을 제어하는 배향막(10)을 형성하는 것이 가능하다. 절연막(12)을 관통하도록 형성된 오목부 구조는, 콘택트홀(17)이며, 이 부분을 개재하여 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)이 전기적으로 접속한다. 그 결과, 화소 전극인 투명 전극(9)과 스위칭 능동 소자(8)와의 전기적 접속이 가능해진다. 그리고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 어레이 기판(1) 상에서는, 소스 배선(18)과 게이트 배선(19)이 매트릭스 형상으로 배설된다. 소스 배선(18)과 게이트 배선(19)의 교차부 근방에, 스위칭 능동 소자(8)가 설치되어, 소스 전극(5)은 소스 배선(18)에 접속하고, 게이트 전극(7)은 게이트 배선(19)에 접속한다. 이렇게 하여, 어레이 기판(1) 상에 구획된 각 화소가 구성된다.The array substrate 1 shown in Fig. 1 is an example of the array substrate of the present embodiment. On one surface of the transparent substrate 4, a switching active element 8 is arranged. A source electrode 5, a drain electrode 6 and a gate electrode 7, which are connected to the switching active element 8, are arranged. An insulating film 12 is formed on the switching active element 8 and a transparent electrode 9 which is a pixel electrode is disposed on the insulating film 12. The transparent electrode 9 is formed of a transparent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide: indium oxide doped with tin) or the like. On the transparent electrode 9, it is possible to form an alignment film 10 for controlling the alignment of the liquid crystal as shown in the figure. The concave structure formed to penetrate the insulating film 12 is a contact hole 17 through which the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 are electrically connected. As a result, electrical connection between the transparent electrode 9, which is a pixel electrode, and the switching active element 8 becomes possible. 2, on the array substrate 1, the source wiring 18 and the gate wiring 19 are arranged in a matrix. A switching active element 8 is provided in the vicinity of the intersection of the source wiring 18 and the gate wiring 19. The source electrode 5 is connected to the source wiring 18, (19). In this way, each pixel partitioned on the array substrate 1 is constituted.

후술하는 바와 같이, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에 있어서, 절연막(12)은, 소스 전극(5) 등의 전극과 스위칭 능동 소자(8)가 형성된 기판(4) 상에, 본 실시 형태의 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 콘택트홀(17)의 형성 등이 필요한 패터닝을 한 후, 경화하여 형성된다. 또한, 절연막(12)의 형성에 이용되는 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 특별히 명시하지 않는 한 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물이며, 이하에서는, 단순히 감방사선성 수지 조성물이라고 칭하기로 한다.The insulating film 12 is formed on the substrate 4 on which the electrodes such as the source electrode 5 and the switching active element 8 are formed as will be described later on the array substrate 1 of the present embodiment, Sensitive patterned resin composition of the present invention is applied and patterned after the formation of the contact hole 17, etc., and then cured. The radiation-sensitive resin composition of the present embodiment used for forming the insulating film 12 is a negative radiation-sensitive resin composition unless otherwise specified, and hereinafter, it is simply referred to as a radiation-sensitive resin composition .

본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해, 절연막(12)을 형성할 수 있다는 특징을 구비한다. 따라서, 절연막(12)은, 가열 경화 공정에 있어서의 사이즈의 변동이 억제되고, 소망하는 배치 위치와 사이즈의 콘택트홀(17)의 형성을 가능하게 한다. 그리고, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에서는, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 절연막(12)을 형성할 수 있으며, 저온 가열에 의한 제조가 가능해진다.The radiation sensitive resin composition of the present embodiment is characterized in that the insulating film 12 can be formed by low temperature curing at 200 DEG C or less. Therefore, the insulating film 12 can suppress the variation in size in the heat hardening step, and can form the contact hole 17 of a desired arrangement position and size. In the array substrate 1 of the present embodiment, the insulating film 12 can be formed by low-temperature curing at a temperature of 200 占 폚 or less, and production by low-temperature heating becomes possible.

또한, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에서는, 투명 전극(9)을 형성한 후, 액정 배향용의 배향막(10)을 형성하는 것이 가능하다. 배향막(10)은, 후술하는 바와 같이, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 또는 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 얻을 수 있다. 그 경우, 200℃ 이하의 가열 온도에서 배향막을 형성하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)에서는, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 절연막(12)을 형성할 수 있고, 또한 배향막(10)을 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 형성할 수 있으며, 저온 가열에 의한 제조가 가능해진다.In the array substrate 1 of the present embodiment, after the transparent electrode 9 is formed, it is possible to form the alignment film 10 for liquid crystal alignment. The alignment film 10 can be obtained by using a liquid crystal aligning agent containing a radiation-sensitive polymer having a photo-aligning group or a liquid crystal aligning agent containing a polyimide having no photo-aligning group, as described later. In this case, it becomes possible to form an alignment film at a heating temperature of 200 DEG C or less. Therefore, in the array substrate 1 of the present embodiment, the insulating film 12 can be formed by low-temperature curing at 200 DEG C or less, and the alignment film 10 can be formed by low-temperature curing at 200 DEG C or less, Production by low-temperature heating becomes possible.

다음으로, 본 실시 형태의 어레이 기판을 이용한 본 실시 형태의 액정 표시 소자에 대해서 설명한다.Next, the liquid crystal display element of this embodiment using the array substrate of the present embodiment will be described.

도 3은, 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display element of the present embodiment.

도 3에 나타내는 액정 표시 소자(21)는, 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)으로 이루어지는 컬러 액정 표시 소자이며, 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 일례이다. 액정 표시 소자(21)는, 예를 들면, 박막 트랜지스터형의 TN(Twisted Nematic) 모드 액정 표시 소자이며, 도 1에 나타낸 본 실시 형태의 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)이, TN 액정으로 이루어지는 액정층(23)을 개재하여 대향하는 구조를 갖는다.The liquid crystal display element 21 shown in Fig. 3 is a color liquid crystal display element comprising the array substrate 1 and the color filter substrate 22, and is an example of the liquid crystal display element of this embodiment. The liquid crystal display element 21 is, for example, a TN (Twisted Nematic) mode liquid crystal display element of a thin film transistor type, in which the array substrate 1 and the color filter substrate 22 of this embodiment shown in Fig. And has a structure that faces the liquid crystal layer 23 made of liquid crystal.

어레이 기판(1)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 투명한 기판(4)의 액정층(23)측의 면에, 소스 전극(5)과, 드레인 전극(6)과, 게이트 전극(7)과, 스위칭 능동 소자(8)와, 절연막(12)을 배치한 구조를 갖는다. 그리고, 절연막(12)의 위에는, 화소 전극인 투명 전극(9)이 설치되어 있다. 절연막(12)에는, 절연막(12)을 관통하는 콘택트홀(17)이 형성되어 있어, 이 부분을 개재하여 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)이 전기적으로 접속한다. 그 결과, 화소 전극인 투명 전극(9)과 스위칭 능동 소자(8)와의 전기적 접속이 가능해진다. 투명 전극(9)의 위에는, 액정 배향 제어용의 배향막(10)이 형성되어 있다.3, the array substrate 1 is provided with a source electrode 5, a drain electrode 6, a gate electrode 7 and a source electrode 5 on the surface of the transparent substrate 4 on the liquid crystal layer 23 side. A switching active element 8, and an insulating film 12 are disposed. On the insulating film 12, a transparent electrode 9 which is a pixel electrode is provided. A contact hole 17 penetrating the insulating film 12 is formed in the insulating film 12 and the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 are electrically connected to each other through this portion. As a result, electrical connection between the transparent electrode 9, which is a pixel electrode, and the switching active element 8 becomes possible. On the transparent electrode 9, an alignment film 10 for liquid crystal alignment control is formed.

컬러 필터 기판(22)은, 투명한 기판(11)의 액정층(23)측의 면에, 적색, 녹색 및 청색의 미소한 착색 패턴(15)과, 블랙 매트릭스(13)가 배치되어 있다. 적색, 녹색 및 청색의 착색 패턴(15)은, 격자 형상 등의 규칙적인 형상을 취하여 배열된다. 또한, 착색 패턴(15)의 색에 대해서는, 상기의 적색, 녹색 및 청색의 3색에 한정되는 것이 아니라, 다른 색을 선택하거나, 그 밖에 황색을 더하여 4색의 착색 패턴으로 하는 것도 가능하다. 그리고, 각 색의 착색 패턴을 배열하여, 컬러 필터 기판을 구성할 수 있다.The color filter substrate 22 is provided with a minute colored pattern 15 of red, green and blue and a black matrix 13 on the surface of the transparent substrate 11 on the liquid crystal layer 23 side. The red, green, and blue colored patterns 15 are arranged in a regular shape such as a lattice shape. The color of the coloring pattern 15 is not limited to the three colors of red, green and blue described above, but it is also possible to select another color or to add a yellow color to form a coloring pattern of four colors. The color filter substrate can be formed by arranging the coloring patterns of the respective colors.

착색 패턴(15)과 블랙 매트릭스(13)의 위에는 투명한 공통 전극(14)이 설치되어 있다. 컬러 필터 기판(22)의, 액정층(23)과 접하는 면에는, 어레이 기판(1)과 동일한 배향막(10)이 형성되어 있다. 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)의 배향막(10)은, 필요하다면, 배향 처리가 시행되어, 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)과의 사이에 협지된 액정층(23)의 균일한 배향을 실현한다.On the colored pattern 15 and the black matrix 13, a transparent common electrode 14 is provided. On the surface of the color filter substrate 22 which is in contact with the liquid crystal layer 23, the same alignment film 10 as the array substrate 1 is formed. The alignment film 10 of the array substrate 1 and the color filter substrate 22 is subjected to an alignment treatment to form a liquid crystal layer 23 sandwiched between the array substrate 1 and the color filter substrate 22 ) Can be uniformly aligned.

그리고, 액정층(23)을 개재하여 대향하는 어레이 기판(1)과 대향 기판(22)과의 사이의 거리는, 도시되지 않는 스페이서에 의해 유지되어 있고, 통상, 2㎛∼10㎛이다. 어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)은 주변부에 설치된 시일재(도시되지 않음)에 의해 서로 고정되어 있다.The distance between the array substrate 1 and the counter substrate 22 opposed to each other via the liquid crystal layer 23 is held by a spacer (not shown), and is usually 2 m to 10 m. The array substrate 1 and the color filter substrate 22 are fixed to each other by a sealing material (not shown) provided at the peripheral portion.

어레이 기판(1)과 컬러 필터 기판(22)에 있어서, 액정층(23)에 접하는 측과 반대의 측에는, 각각 편광판(28)이 배치되어 있다.In the array substrate 1 and the color filter substrate 22, a polarizing plate 28 is disposed on the side opposite to the side in contact with the liquid crystal layer 23, respectively.

도 3에 있어서, 부호(27)는, 액정 표시 소자(21)의 광원이 되는 백 라이트 유닛(도시되지 않음)으로부터 액정층(23)을 향하여 조사된 백 라이트 광이다. 백 라이트 유닛으로서는, 예를 들면, 냉음극 형광관(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp) 등의 형광관과, 산란판이 조합된 구조의 것을 이용할 수 있다. 또한, 백색 LED를 광원으로 하는 백 라이트 유닛을 이용할 수도 있다. 백색 LED로서는, 예를 들면, 독립된 스펙트럼을 갖는 적색 LED와 녹색 LED와 청색 LED를 이용하여 백색광을 얻는 백색 LED, 적색 LED와 녹색 LED와 청색 LED를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 적색 LED와 녹색 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 적색 발광 형광체와 녹색 발광 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 YAG계 형광체와의 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 청색 LED와 등색(橙色) 발광 형광체와 녹색 발광 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED, 자외선 LED와 적색 발광 형광체와 녹색 발광 형광체와 청색 발광 형광체를 조합하여 혼색에 의해 백색광을 얻는 백색 LED 등을 들 수 있다.3, reference numeral 27 denotes backlight irradiated from the backlight unit (not shown) which is a light source of the liquid crystal display element 21 toward the liquid crystal layer 23. [ As the backlight unit, for example, a structure having a combination of a fluorescent tube such as a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) and a scattering plate can be used. Further, a backlight unit using a white LED as a light source may also be used. As the white LED, for example, a white LED which obtains white light by using a red LED having an independent spectrum, a green LED and a blue LED, a white LED which obtains white light by mixing a red LED, a green LED and a blue LED, A white LED that obtains white light by mixing a LED with a red LED and a green phosphor, a white LED that combines a blue LED, a red light emitting phosphor, and a green light emitting phosphor to obtain white light by mixing, a mixture of a blue LED and a YAG- A white LED that obtains white light by mixing blue light, a blue LED, an orange light emitting phosphor and a green light emitting phosphor, a combination of an ultraviolet LED, a red light emitting phosphor, a green light emitting phosphor and a blue light emitting phosphor And a white LED for obtaining white light by mixing color.

본 실시 형태의 액정 표시 소자(21)의 액정 모드에 대해서는, 전술의 TN 모드 외에, STN(Super Twisted Nematic), IPS(In-Planes Switching), VA(Vertical Alig㎚ent) 또는 OCB(Optically Compensated Birefringence) 등의 액정 모드로 할 수도 있다. 그 경우, 특히, 배향막(10)에 대해서는, 각 액정 모드에 최적인 액정층의 배향을 실현하는 배향막이 선택된다. 예를 들면, 본 실시 형태의 액정 표시 소자가 VA 모드의 액정 표시 소자의 경우, 배향막에는, 수직 배향형의 배향막이 사용된다.The liquid crystal mode of the liquid crystal display element 21 of the present embodiment can be changed to a super twisted nematic (STN), an in-plane switching (IPS), a vertical aligntone (VA), or an optically compensated birefringence ) Or the like. In this case, in particular, with respect to the alignment film 10, an alignment film which realizes the alignment of the liquid crystal layer optimum for each liquid crystal mode is selected. For example, when the liquid crystal display element of this embodiment mode is a VA mode liquid crystal display element, an orientation film of a vertical alignment type is used for the orientation film.

이상과 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(21)는, 본 실시 형태의 어레이 기판(1)을 갖는다. 어레이 기판(1)에서는, 절연막(12)에 형성된 콘택트홀(17)을 개재하여 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)과의 전기적 접속을 실현한다. 어레이 기판(1)의 절연막(12)은, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하고, 200℃ 이하의 저온 경화에 의해 형성된다. 따라서, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(21)에서는, 어레이 기판(1)에 있어서, 소망하는 배치 위치와 사이즈의 콘택트홀(17)에 의해, 투명 전극(9)과 드레인 전극(6)과의 전기적 접속을 실현하는 것이 가능해진다.As described above, the liquid crystal display element 21 of the present embodiment has the array substrate 1 of the present embodiment. The array substrate 1 realizes the electrical connection between the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 via the contact hole 17 formed in the insulating film 12. The insulating film 12 of the array substrate 1 is formed by low temperature curing at 200 占 폚 or less using the radiation sensitive resin composition of the present embodiment. Therefore, in the liquid crystal display element 21 of the present embodiment, the contact hole 17 having the desired arrangement position and size is used to connect the transparent electrode 9 and the drain electrode 6 It is possible to realize an electrical connection.

다음으로, 본 실시 형태의 액정 표시 소자의 어레이 기판의 주요한 구성 요소이며, 저온 경화가 가능한 절연막의 형성에 대해서 상세하게 설명한다. 본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막은, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된다. 따라서, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 대해서, 특히 그 조성 성분에 대해서 설명한다.Next, the formation of an insulating film which is a main component of the array substrate of the liquid crystal display element of the present embodiment and which can be cured at low temperatures will be described in detail. The insulating film of the array substrate of this embodiment is formed using the radiation sensitive resin composition of the present embodiment. Therefore, the composition of the radiation sensitive resin composition of the present embodiment will be specifically described.

<감방사선성 수지 조성물><Radiation-Resistant Resin Composition>

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물은, [A] 알칼리 가용성 수지, [B] 중합성 화합물 및, [C] 중합 개시제를 함유한다. 그리고 또한, [D] 화합물을 함유할 수 있다. 또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 이하, 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다.The radiation-sensitive resin composition used for producing the insulating film of the array substrate of the present embodiment contains the [A] alkali-soluble resin, the [B] polymerizable compound and the [C] polymerization initiator. And may also contain a [D] compound. In addition, other optional components may be contained as long as the effect of the present invention is not impaired. Hereinafter, each component contained in the radiation sensitive resin composition will be described.

<[A] 알칼리 가용성 수지><[A] Alkali-soluble resin>

[A] 알칼리 가용성 수지로서는, 카복실기를 가짐으로써, 알칼리 현상성을 갖는 수지이면, 특별히 한정되지 않는다. 그리고, (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위 및 에폭시기를 갖는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. [A] 알칼리 가용성 수지가, 상기 특정 구조 단위를 포함함으로써, 우수한 표면 경화성 및 심부(深部) 경화성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다.The alkali-soluble resin [A] is not particularly limited as long as it has a carboxyl group and thus is a resin having alkali developability. Further, it is preferably a copolymer containing at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit having a (meth) acryloyloxy group and a structural unit having an epoxy group. When the alkali-soluble resin [A] contains the specific structural unit, a cured film having excellent surface curability and deep part curability can be formed.

[A] 알칼리 가용성 수지는, (A1) 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종(이하, 「(A1) 화합물」이라고도 칭함)과 (A2) 에폭시기 함유 불포화 화합물(이하, 「(A2) 화합물」이라고도 칭함)을 공중합하여 합성할 수 있다. 그리고, [A] 알칼리 가용성 수지는, 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 그리고 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체가 된다. The alkali-soluble resin [A] includes at least one kind selected from the group consisting of (A1) unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic acid anhydrides (hereinafter also referred to as "(A1) compound") and (A2) epoxy group- , "(A2) compound") can be copolymerized and synthesized. The [A] alkali-soluble resin is a copolymer comprising a constituent unit formed of at least one kind selected from the group consisting of an unsaturated carbonic acid and an unsaturated carbonic anhydride and a constituent unit formed from an epoxy group-containing unsaturated compound.

[A] 알칼리 가용성 수지는, 예를 들면, 용매 중에서 중합 개시제의 존재하, 카복실기 함유 구조 단위를 부여하는 (A1) 화합물과, 에폭시기 함유 구조 단위를 부여하는 (A2) 화합물을 공중합함으로써 제조할 수 있다. 또한, (A3) 수산기 함유 구조 단위를 부여하는 수산기 함유 불포화 화합물(이하, 「(A3) 화합물」이라고도 칭함)을 추가로 더하여, 공중합체로 할 수도 있다. 또한, [A] 알칼리 가용성 수지의 제조에 있어서는, 상기 (A1) 화합물, (A2) 화합물 및 (A3) 화합물과 함께, (A4) 화합물(상기 (A1), (A2) 및 (A3) 화합물에 유래하는 구조 단위 이외의 구조 단위를 부여하는 불포화 화합물)을 추가로 더하여, 공중합체로 할 수도 있다. 이하, 각 화합물을 상술한다.[A] The alkali-soluble resin is produced, for example, by copolymerizing a compound (A1) imparting a carboxyl group-containing structural unit and a compound (A2) imparting an epoxy group-containing structural unit in a solvent in the presence of a polymerization initiator . The copolymer (A3) may also be prepared by further adding a hydroxyl group-containing unsaturated compound giving a hydroxyl group-containing structural unit (hereinafter also referred to as "(A3) compound"). In the preparation of the alkali-soluble resin (A), the compound (A1), the compound (A2) and the compound (A3) An unsaturated compound imparting a structural unit other than the derived structural unit) may be further added to form a copolymer. Hereinafter, each compound will be described in detail.

[(A1) 화합물][(A1) compound]

(A1) 화합물로서는, 불포화 모노카본산, 불포화 디카본산, 불포화 디카본산의 무수물, 다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르, 양 말단에 카복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트, 카복실기를 갖는 불포화 다환식 화합물 및 그 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the compound (A1) include mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, anhydrides of unsaturated dicarboxylic acids, polyvalent carboxylic acids, mono ( (Meth) acrylate, unsaturated polycyclic compounds having a carboxyl group, and anhydrides thereof.

불포화 모노카본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등;Examples of the unsaturated monocarbonic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid and the like;

불포화 디카본산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등;Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and the like;

불포화 디카본산의 무수물로서는, 예를 들면, 상기 디카본산으로서 예시한 화합물의 무수물 등;As the anhydride of the unsaturated dicarboxylic acid, for example, an anhydride of the compound exemplified as the dicarboxylic acid;

다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르로서는, 예를 들면, 숙신산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸] 등;Examples of mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids include mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] succinate, mono [2- (meth) acryloyloxyethyl ] Etc;

양 말단에 카복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등;Examples of the mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both terminals include? -Carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and the like;

카복실기를 갖는 불포화 다환식 화합물 및 그 무수물로서는, 예를 들면, 5-카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-5-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-5-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-6-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-6-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated polycyclic compound having a carboxyl group and anhydrides thereof include 5-carboxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept- 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hepto- [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] And the like.

이들 (A1) 화합물 중, 모노카본산, 디카본산 무수물, 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산이 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수의 용이성에서 보다 바람직하다. 이들 (A1) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Of these compounds, monocarboxylic acid, dicarboxylic acid anhydride, acrylic acid, methacrylic acid and maleic anhydride are preferable, and acrylic acid, methacrylic acid and maleic anhydride are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity, solubility in alkaline aqueous solution, desirable. These compounds (A1) may be used alone or in combination of two or more.

(A1) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물 그리고 (A2) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물 및 (A4) 화합물)의 합계에 기초하여, 5질량%∼30질량%가 바람직하고, 10질량%∼25질량%가 보다 바람직하다. (A1) 화합물의 사용 비율을 5질량%∼30질량%로 함으로써, [A] 알칼리 가용성 수지의 알칼리 수용액에 대한 용해성을 최적화함과 함께, 방사선성 감도가 우수한 절연막이 얻어진다.The proportion of the compound (A1) used is preferably 5% by mass to 30% by mass, based on the total amount of the compound (A1) and the compound (A2) (optionally, the compound (A3) , And more preferably 10% by mass to 25% by mass. When the proportion of the compound (A1) used is from 5% by mass to 30% by mass, the solubility of the [A] alkali-soluble resin in an alkali aqueous solution is optimized and an insulating film having excellent radiation sensitivity is obtained.

[(A2) 화합물][(A2) compound]

(A2) 화합물은 라디칼 중합성을 갖는 에폭시기 함유 불포화 화합물이다. 에폭시기로서는, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조)를 들 수 있다.(A2) is an epoxy group-containing unsaturated compound having a radical polymerizing property. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure).

옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시부틸, 메타크릴산 3,4-에폭시부틸, 아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등을 들 수 있다. 이들 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실이, 공중합 반응성 및 절연막 등의 내용매성 등의 향상의 관점에서 바람직하다.Examples of the unsaturated compound having an oxiranyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Epoxycyclohexyl acrylate, glycidyl acrylate, glycidyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 6,7-epoxyhexyl acrylate, 6,7- Vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and the like can be used. . Of these, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p Vinylbenzyl glycidyl ether and 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate are preferable from the viewpoints of improvement of copolymerization reactivity and solvent resistance such as an insulating film and the like.

옥세타닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면,As the unsaturated compound having an oxetanyl group, for example,

3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 아크릴산 에스테르;3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- Oxyethyl) -3-ethyloxetane, and 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane;

3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2,2-디플루오로옥세탄 등의 메타크릴산 에스테르 등을 들 수 있다. 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- , 2-difluorooxetane and the like, and the like.

이들 (A2) 화합물 중, (메타)아크릴산 글리시딜이 바람직하다. 이들 (A2) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Among these compounds (A2), glycidyl (meth) acrylate is preferable. These compounds (A2) may be used alone or in combination of two or more.

(A2) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물 그리고 (A2) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물 및 (A4) 화합물)의 합계에 기초하여, 5질량%∼60질량%가 바람직하고, 10질량%∼50질량%가 보다 바람직하다. (A2) 화합물의 사용 비율을 5질량%∼60질량%로 함으로써, 우수한 경화성 등을 갖는 경화막으로서 절연막을 형성할 수 있다.The proportion of the compound (A2) used is preferably 5% by mass to 60% by mass based on the total amount of the compound (A1) and the compound (A2) (optional compound (A3) and compound (A4) , And more preferably 10% by mass to 50% by mass. The insulating film can be formed as a cured film having excellent curability and the like by making the use ratio of the compound (A2) 5% by mass to 60% by mass.

[(A3) 화합물][(A3) compound]

(A3) 화합물로서는, 우선, 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 페놀성 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 하이드록시스티렌을 들 수 있다.As the compound (A3), first, a (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, a (meth) acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group, and hydroxystyrene can be given.

수산기를 갖는 아크릴산 에스테르로서는, 아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴산 3-하이드록시프로필, 아크릴산 4-하이드록시부틸, 아크릴산 5-하이드록시펜틸, 아크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, and 6-hydroxyhexyl acrylate.

또한, 수산기를 갖는 메타크릴산 에스테르로서는, 메타크릴산 2-하이드록시에틸, 메타크릴산 3-하이드록시프로필, 메타크릴산 4-하이드록시부틸, 메타크릴산 5-하이드록시펜틸, 메타크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, methacrylic acid 6-hydroxyhexyl, and the like.

페놀성 수산기를 갖는 아크릴산 에스테르로서는, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 4-하이드록시페닐아크릴레이트 등을 들 수 있다. 페놀성 수산기를 갖는 메타크릴산 에스테르로서는, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 4-hydroxyphenyl acrylate, and the like. Examples of the methacrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group include 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate and the like.

하이드록시스티렌으로서는, o-하이드록시스티렌, p-하이드록시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌이 바람직하다. 이들 (A3) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.As the hydroxystyrene, o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, and? -Methyl-p-hydroxystyrene are preferable. These (A3) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(A3) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물, (A2) 화합물 그리고 (A3) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A4) 화합물)의 합계에 기초하여, 1질량%∼30질량%가 바람직하고, 5질량%∼25질량%가 보다 바람직하다.The proportion of the compound (A3) used is preferably 1% by mass to 30% by mass, based on the total amount of the compound (A1), the compound (A2) and the compound (A3) , And more preferably from 5% by mass to 25% by mass.

[(A4) 화합물][(A4) compound]

(A4) 화합물은, 상기의 (A1) 화합물, (A2) 화합물 및 (A3) 화합물 이외에서의 불포화 화합물이면 특별히 제한되지 않는다. (A4) 화합물로서는, 예를 들면, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 아크릴산 쇄상 알킬에스테르, 아크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산 아릴에스테르, 아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카본산 디에스테르, 바이사이클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔, 테트라하이드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라하이드로피란 골격, 피란 골격 등을 갖는 불포화 화합물 및 기타 불포화 화합물 등을 들 수 있다.(A4) compound is not particularly limited as long as it is an unsaturated compound other than the above-mentioned (A1) compound, (A2) compound and (A3) compound. (A4) compounds include, for example, methacrylic acid chain alkyl esters, methacrylic acid cyclic alkyl esters, acrylic acid chain alkyl esters, acrylic acid cyclic alkyl esters, methacrylic acid aryl esters, acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters, Unsaturated compounds having a cyclic unsaturated compound, maleimide compound, unsaturated aromatic compound, conjugated diene, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, and other unsaturated compounds.

메타크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid chain alkyl ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate , Isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, and the like.

메타크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산 2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산 이소보르닐 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-methacrylate, methacrylic acid tri Cyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl, isobornyl methacrylate, and the like.

아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산 트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, , N-stearyl acrylate, and the like.

아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 사이클로헥실아크릴레이트, 2-메틸사이클로헥실아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of acrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] Decane-8-yloxyethyl acrylate, and isobornyl acrylate.

메타크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid aryl esters include phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid aryl esters include phenyl acrylate and benzyl acrylate.

불포화 디카본산 디에스테르로서는, 예를 들면, 말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

바이사이클로 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메톡시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-에톡시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔 등을 들 수 있다.Examples of the bicyclounsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, 5-ethylbicyclo [2.2.1] 2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hepto-2-ene, and 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene.

말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-하이드록시페닐)말레이미드, N-(4-하이드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) Maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene and the like.

공액 디엔으로서는, 예를 들면, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.Examples of the conjugated dienes include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, and the like.

테트라하이드로푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시프로피온산 테트라하이드로푸르푸릴에스테르, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxypropionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydro Furan-2-one, and the like.

푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, 푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔- 3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing a furan skeleton include 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) 2-butyl-3-methoxy-3-en-2-one, 6- (2-furyl) 2-yl-1-methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-heptene- - on.

테트라하이드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, (테트라하이드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라하이드로피란-2-일옥시)-옥토-1-엔-3-온, 2-메타크릴산 테트라하이드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라하이드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran- 1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester and 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one.

피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 4-(1,4-디옥사-5-옥소-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-옥소-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing a pyran skeleton include 4- (1, 4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6- -6-oxo-7-octenyl) -6-methyl-2-pyran.

기타 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산 비닐 등을 들 수 있다.Examples of other unsaturated compounds include acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, and vinyl acetate.

이들 (A4) 화합물 중, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산 아릴에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라하이드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라하이드로피란 골격, 피란 골격, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하다. 이들 중, 스티렌, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 2-메틸사이클로헥실아크릴레이트, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(n=2∼10)모노(메타)아크릴레이트, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온이, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서 보다 바람직하다. 이들 (A4) 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Among these compounds (A4), a methacrylic acid chain alkyl ester, a methacrylic acid cyclic alkyl ester, a methacrylic acid aryl ester, a maleimide compound, a tetrahydrofuran skeleton, a furan skeleton, a tetrahydropyran skeleton, a pyran skeleton, an unsaturated aromatic compound , And acrylic acid cyclic alkyl esters are preferable. Of these, styrene, methyl methacrylate, t-butyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, benzyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- (Meth) acrylate, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, methacryloxypropylmethacrylate, methacryloxypropylmethacrylate, (Meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one is more preferable in terms of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution. These (A4) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(A4) 화합물의 사용 비율로서는, (A1) 화합물, (A2) 화합물 그리고 (A4) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물)의 합계에 기초하여, 10질량%∼80질량%가 바람직하다.The proportion of the compound (A4) to be used is preferably 10% by mass to 80% by mass based on the total amount of the compound (A1), the compound (A2) and the compound (A4) .

<[A] 알칼리 가용성 수지의 합성 방법 1><Synthesis Method 1 of [A] Alkali-Soluble Resin>

[A] 알칼리 가용성 수지는, 예를 들면, 용매 중에서 중합 개시제의 존재하, 상기 (A1) 화합물 그리고 (A2) 화합물(필요에 따라서 임의의 (A3) 화합물 및 (A4) 화합물)을 공중합함으로써 제조할 수 있다. 이러한 합성 방법에 의하면, 적어도 에폭시기 함유 구조 단위를 포함하는 공중합체를 합성할 수 있다.The alkali-soluble resin [A] can be produced, for example, by copolymerizing the above-mentioned (A1) compound and (A2) compound (optionally, (A3) compound and (A4) compound in the presence of a polymerization initiator in a solvent) can do. According to this synthesis method, a copolymer containing at least an epoxy group-containing structural unit can be synthesized.

[A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 알코올, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 디프로필렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 케톤, 에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the [A] alkali-soluble resin include alcohols, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol Dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, ketones, and esters.

[A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물을 들 수 있다.As the polymerization initiator used in the polymerization reaction for producing [A] the alkali-soluble resin, those generally known as radical polymerization initiators can be used. Examples of the radical polymerization initiator include 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis - (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), and the like.

[A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위한 중합 반응에 있어서는, 분자량을 조정하기 위해, 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면, 클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화 수소류; n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류;디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐디술피드 등의 잔토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌 다이머 등을 들 수 있다.In the polymerization reaction for producing the [A] alkali-soluble resin, a molecular weight regulator may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight regulator include halogenated hydrocarbon such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid; residues such as dimethylzantogen sulfide and diisopropylzantogen disulfide; Genus; Terpinolene, alpha -methylstyrene dimer, and the like.

[A] 알칼리 가용성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 1,000∼30,000 이 바람직하고, 5,000∼20,000이 보다 바람직하다. [A] 알칼리 가용성 수지의 Mw를 상기 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 감도 및 현상성을 높일 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서의 중합체의 Mw 및 수 평균 분자량(Mn)은 하기의 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.The weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin [A] is preferably 1,000 to 30,000, more preferably 5,000 to 20,000. By setting the Mw of the alkali-soluble resin [A] within the above range, the sensitivity and developability of the radiation-sensitive resin composition can be enhanced. The Mw and the number average molecular weight (Mn) of the polymer in the present specification were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

장치: GPC-101(쇼와덴코 가부시키가이샤 제)Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko K.K.)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection amount: 100 μL

검출기: 시차 굴절계Detector: differential refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<[A] 알칼리 가용성 수지의 합성 방법 2><Synthesis Method 2 of [A] Alkali-Soluble Resin>

또한, [A] 알칼리 가용성 수지는, 예를 들면, 전술의 (A1) 화합물을 1종 이상 사용하여 합성할 수 있는 공중합체(이하, 「특정 공중합체」라고도 칭함)와, 상기 (A2) 화합물을 반응시켜 합성할 수 있다. 이러한 합성 방법에 의하면, 적어도 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위를 포함하는 공중합체를 합성할 수 있다.The alkali-soluble resin (A) can be obtained, for example, by copolymerizing a copolymer (hereinafter also referred to as a "specific copolymer") that can be synthesized by using one or more of the above-mentioned compounds (A1) Can be synthesized. According to this synthesis method, a copolymer containing a structural unit having at least a (meth) acryloyloxy group can be synthesized.

[A] 알칼리 가용성 수지가 포함하는 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위는, 하기식 (3)으로 나타난다. 이 구조 단위는, (A1) 화합물에 유래하는 특정 공중합체 중의 카복실기와 (A2) 화합물의 에폭시기가 반응하여, 에스테르 결합을 형성하여 얻어진다.The structural unit having a (meth) acryloyloxy group contained in the [A] alkali-soluble resin is represented by the following formula (3). This structural unit is obtained by reacting a carboxyl group in a specific copolymer derived from the (A1) compound with an epoxy group of the compound (A2) to form an ester bond.

Figure 112012054895772-pat00005
Figure 112012054895772-pat00005

상기식 (3) 중, R20 및 R21은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이다. c는, 1∼6의 정수이다. R22는, 하기식 (4-1) 또는 (4-2)로 나타나는 2가의 기이다.In the above formula (3), R 20 and R 21 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. c is an integer of 1 to 6; R 22 is a divalent group represented by the following formula (4-1) or (4-2).

Figure 112012054895772-pat00006
Figure 112012054895772-pat00006

상기식 (4-1) 중, R23은, 수소 원자 또는 메틸기이다. 상기식 (4-1) 및 식 (4-2) 중, *는, 산소 원자와 결합하는 부위를 나타낸다. In the formula (4-1), R 23 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formulas (4-1) and (4-2), * represents a bonding site with an oxygen atom.

상기식 (3)으로 나타나는 구조 단위에 대해서, 예를 들면, 카복실기를 갖는 공중합체에, (A2) 화합물로서 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜 등의 화합물을 반응시킨 경우, 식 (3) 중의 R22는, 식 (4-1)이 된다. 한편, (A2) 화합물로서 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등의 화합물을 반응시킨 경우, 식 (3) 중의 R22는, 식 (4-2)가 된다. With respect to the structural unit represented by the formula (3), for example, a compound having a carboxyl group is reacted with a compound such as glycidyl methacrylate or 2-methylglycidyl methacrylate as the compound (A2) , R 22 in the formula (3) becomes the formula (4-1). On the other hand, when a compound such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate is reacted as the compound (A2), R 22 in the formula (3) becomes the formula (4-2).

특정 공중합체의 합성시에는, (A1) 화합물 이외의 화합물, 예를 들면, 전술의 (A3) 화합물, (A4) 화합물 등을 공중합 성분으로서 이용해도 좋다. 이들 화합물로서는, 공중합 반응성의 점에서, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 스티렌, p-메톡시스티렌, 메타크릴산 테트라하이드로푸란-2-일, 1,3-부타디엔이 바람직하다.In the synthesis of the specific copolymer, a compound other than the compound (A1), for example, the compound (A3), the compound (A4) described above may be used as a copolymerization component. These compounds include methyl methacrylate, n-butyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] methacrylic acid, Octane, decane-8-yl, styrene, p-methoxystyrene, tetrahydrofuran-2-yl methacrylate, and 1,3-butadiene.

특정 공중합체의 공중합의 방법으로서는, 예를 들면, (A1) 화합물 및, 필요에 따라서 (A3) 화합물 등을, 용매 중 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합하는 방법을 들 수 있다.As a method for copolymerizing a specific copolymer, for example, there can be mentioned a method of polymerizing (A1) a compound and (A3) compound, if necessary, in the presence of a radical polymerization initiator in a solvent.

라디칼 중합 개시제로서는, 전술의 [A] 알칼리 가용성 수지의 항에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제의 사용량으로서는, 중합성 불포화 화합물 100질량%에 대하여, 통상 0.1질량%∼50질량%, 바람직하게는 0.1질량%∼20질량%이다. 특정 공중합체는, 중합 반응 용액 그대로 [A] 알칼리 가용성 수지의 제조에 제공해도 좋고, 공중합체를 일단 용액으로부터 분리한 후에 [A] 알칼리 가용성 수지의 제조에 제공해도 좋다.Examples of the radical polymerization initiator include those exemplified above in the section [A] of the alkali-soluble resin. The amount of the radical polymerization initiator to be used is usually 0.1% by mass to 50% by mass, preferably 0.1% by mass to 20% by mass, based on 100% by mass of the polymerizable unsaturated compound. The specific copolymer may be provided in the production of the alkali-soluble resin [A] as the polymerization reaction solution, or may be provided in the production of the alkali-soluble resin [A] after the copolymer is once separated from the solution.

특정 공중합체의 Mw로서는, 2,000∼100,000이 바람직하고, 5,000∼50,000이 보다 바람직하다. Mw를 2,000 이상으로 함으로써, 절연막의 충분한 현상 마진을 얻음과 함께, 형성되는 도막의 잔막률(패턴 형상 박막이 적정하게 잔존하는 비율)의 저하를 방지하고, 나아가서는 얻어지는 패턴의 형상이나 내열성 등을 양호하게 유지할 수 있다. 한편, Mw를 100,000 이하로 함으로써, 고도의 감도를 보존유지하고, 양호한 패턴 형상을 얻을 수 있다. 또한, 특정 공중합체의 분자량 분포(Mw/Mn)로서는, 5.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다. Mw/Mn을 5.0 이하로 함으로써, 얻어지는 패턴의 형상을 양호하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 특정 범위의 Mw/Mn을 갖는 특정 공중합체를 포함하는 절연막은, 고도의 현상성을 갖고, 현상 공정에 있어서, 현상 잔존을 발생시키는 일 없이 용이하게 소정 패턴 형상을 형성할 수 있다.The Mw of the specific copolymer is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000. By setting the Mw to 2,000 or more, it is possible to obtain a sufficient developing margin of the insulating film, to prevent a reduction in the residual film ratio (proportion of the pattern thin film remaining properly) of the formed coating film, It can be kept good. On the other hand, when the Mw is 100,000 or less, a high sensitivity can be maintained and a good pattern shape can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the specific copolymer is preferably 5.0 or less, more preferably 3.0 or less. By setting the Mw / Mn to 5.0 or less, the shape of the obtained pattern can be kept good. The insulating film containing a specific copolymer having a specific range of Mw / Mn in the specific range has a high developing property and can easily form a predetermined pattern shape in a developing process without causing development remaining.

[A] 알칼리 가용성 수지의 (A1) 화합물에 유래하는 구조 단위의 함유율로서는, 5질량%∼60질량%가 바람직하고, 7질량%∼50질량%가 보다 바람직하고, 8질량%∼40질량%가 특히 바람직하다.The content of the structural unit derived from the compound (A1) in the alkali-soluble resin is preferably 5% by mass to 60% by mass, more preferably 7% by mass to 50% by mass, even more preferably 8% Is particularly preferable.

[A] 알칼리 가용성 수지의 (A1) 화합물 이외의 (A3) 화합물, (A4) 화합물 등의 화합물에 유래하는 구조 단위의 함유율로서는, 10질량%∼90질량%, 20질량%∼80질량%이다.The content of the structural unit derived from the compound (A3) or the compound (A4) other than the compound (A1) of the alkali-soluble resin is 10% by mass to 90% by mass and 20% by mass to 80% by mass .

특정 공중합체와 (A2) 화합물과의 반응에 있어서는, 필요에 따라서 적당한 촉매의 존재하에 있어서, 바람직하게는 중합 금지제를 포함하는 공중합체의 용액에, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물을 투입하고, 가온하에서 소정 시간 교반한다. 상기 촉매로서는, 예를 들면, 테트라부틸암모늄브로마이드 등을 들 수 있다. 상기 중합 금지제로서는, 예를 들면, p-메톡시페놀 등을 들 수 있다. 반응 온도로서는, 70℃∼100℃가 바람직하다. 반응 시간으로서는, 8시간∼12시간이 바람직하다.In the reaction of the specific copolymer with the compound (A2), an unsaturated compound having an epoxy group is preferably added to a solution of a copolymer containing a polymerization inhibitor, optionally in the presence of a suitable catalyst, And stirred for a predetermined time. Examples of the catalyst include tetrabutylammonium bromide and the like. Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol and the like. The reaction temperature is preferably 70 ° C to 100 ° C. The reaction time is preferably 8 hours to 12 hours.

(A2) 화합물의 사용 비율로서는, 공중합체 중의 (A1) 화합물에 유래하는 카복실기에 대하여, 5질량%∼99질량%가 바람직하고, 10질량%∼97질량%가 보다 바람직하다. (A2) 화합물의 사용 비율을 상기 범위로 함으로써, 공중합체와의 반응성, 경화막의 경화성 등이 보다 향상된다. (A2) 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The proportion of the compound (A2) used is preferably 5% by mass to 99% by mass, and more preferably 10% by mass to 97% by mass, based on the carboxyl group derived from the compound (A1) in the copolymer. By setting the ratio of the compound (A2) within the above range, the reactivity with the copolymer and the curing property of the cured film are further improved. (A2) may be used alone or in admixture of two or more.

<[B] 중합성 화합물>&Lt; [B] Polymerizable compound >

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 [B] 중합성 화합물에 대해서 설명한다.The [B] polymerizable compound contained in the radiation sensitive resin composition of the present embodiment used in the production of the insulating film of the array substrate of this embodiment will be described.

[B] 중합성 화합물로서 사용할 수 있는 것은, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등 외, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고 그리고 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고 그리고 3개∼5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the polymerizable compound which can be used as the [B] polymerizable compound include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) (Meth) acrylate such as 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, dimethyloltricyclodecanedi (meth) acrylate, 2- (2-hydroxyethyl) -3- Acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol (meth) acrylate, trimethylolpropane tri Hexa (meta) (Meth) acryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, succinic acid modified pentaerythritol tri (meth) acrylate and the like, straight chain alkylene groups and (Meth) acrylate compound obtained by reacting a compound having an alicyclic structure and two or more isocyanate groups and a compound having at least one hydroxyl group and three to five (meth) acryloyloxy groups in the molecule And the like.

사용 가능한 [B] 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면,Commercially available products of the usable [B] polymerizable compound include, for example,

아로닉스(ARONIX)(등록 상표) M-400, 동(同) M-402, 동 M-405, 동 M-450, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050, 아로닉스(등록 상표) TO-756, 동 TO-1450, 동 TO-1382(이상, 토아고세 가부시키가이샤), KAYARAD(등록 상표) DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤), 비스코트(VISCOAT) 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카유기가가쿠고교 가부시키가이샤), 우레탄아크릴레이트계 화합물로서 뉴 프런티어(NEW FRONTIER)(등록 상표) R-1150(다이이치고교세이야쿠 가부시키가이샤), KAYARAD(등록 상표) DPHA-40H, 동 UX-5000(닛폰카야쿠 가부시키가이샤), 아트레진(ARTRESIN) UN-9000H(네가미고교 가부시키가이샤), 아로닉스(등록 상표) M-5300, 동 M-5600, 동 M-5700, 동 M-210, 동 M-220, 동 M-240, 동 M-270, 동 M-6200, 동 M-305, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-315(이상, 토아고세 가부시키가이샤), KAYARAD(등록 상표) HDDA, KAYARAD(등록 상표) HX-220, 동 HX-620, 동 R-526, 동 R-167, 동 R-604, 동 R-684, 동 R-551, 동 R-712, 동 UX-2201, 동 UX-2301, 동 UX-3204, 동 UX-3301, 동 UX-4101, 동 UX-6101, 동 UX-7101, 동 UX-8101, 동 UX-0937, 동 MU-2100, 동 MU-4001(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤), 아트레진 UN-9000 PEP, 동 UN-9200A, 동 UN-7600, 동 UN-333, 동 UN-1003, 동 UN-1255, 동 UN-6060PTM, 동 UN-6060P, 동 SH-500B(이상, 네가미고교 가부시키가이샤), 비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카유기가가쿠고교 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.ARONIX (registered trademark) M-400, M-402, M-405, M-450, M-1310, M-1600, M-1960, M-7100 , M-8030, M-8060, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, Aronix (registered trademark) TO-756, TO-1450, TO-1382 KAARAD (registered trademark) DPHA, copper DPCA-20, copper DPCA-30, copper DPCA-60, copper DPCA-120 and copper MAX-3510 (all manufactured by TOAGOSE KOGYO Co., ), VISCOAT 295, 300, Copper 360, Copper GPT, Copper 3PA, Copper 400 (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) and urethane acrylate compound as NEW FRONTIER KAYARAD (registered trademark) DPHA-40H, UX-5000 (manufactured by Nippon Kayaku K.K.), ARTRESIN UN-9000H (manufactured by Nippon Kayaku Co., M-5300, M-5600, M-5700, M-210, M-220, M-240, M-2, KAYARAD (registered trademark) HDDA, KAYARAD (registered trademark) HX-70, M-6200, M-305, M-309, M- 2201, H-620, R-526, R-167, R-604, R-684, R-551, 3201, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX- 0937, MU-2100, MU-4001 (all of which are manufactured by Nippon Kayaku Co., ), ART resin UN-9000 PEP, UN-9200A, UN-7600, UN-333, UN-1003, UN-1255, UN-6060P, , Niseko Kogyo Co., Ltd.), Viscot 260, Copper 312, Copper 335 HP (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) and the like.

[B] 중합성 화합물은, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [B] 중합성 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 20질량부∼200질량부가 바람직하고, 40질량부∼160질량부가 보다 바람직하다. [B] 중합성 화합물의 사용 비율을 상기 범위로 함으로써, 밀착성이 우수하고 저(低)노광량에 있어서도 충분한 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있어, 우수한 절연막을 제공할 수 있다.[B] The polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more. The content of the [B] polymerizable compound in the radiation-sensitive resin composition is preferably 20 parts by mass to 200 parts by mass, more preferably 40 parts by mass to 160 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin . By setting the ratio of the [B] polymerizable compound within the above range, it is possible to form a cured film having excellent adhesiveness and sufficient hardness even at a low exposure dose, and an excellent insulating film can be provided.

<[C] 중합 개시제><[C] Polymerization initiator>

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 [C] 중합 개시제에 대해서 설명한다.The [C] polymerization initiator contained in the radiation sensitive resin composition of the present embodiment used in the production of the insulating film of the array substrate of this embodiment will be described.

[C] 중합 개시제는, 감방사선성 중합 개시제이며, 방사선에 감응하여 [B] 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. 이들 [C] 중합 개시제로서는, O-아실옥심 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.[C] The polymerization initiator is a radiation-sensitive polymerization initiator and is a component that generates active species capable of initiating polymerization of the [B] polymerizable compound in response to radiation. Examples of these [C] polymerization initiators include O-acyloxime compounds, acetophenone compounds, and imidazole compounds. These compounds may be used singly or in combination of two or more kinds.

O-아실옥심 화합물로서는, 예를 들면, 1,2-옥탄디온1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-[9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일]-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-[9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다.Examples of the O-acyloxime compound include 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone- 1- [ -9-ethyl-6-benzoyl-9H-carbazol-3-yl] -octane-l- Yl-oxo-O-benzoate, 1- [9-ethyl-6- benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9H-carbazol- Methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime), ethanone- 1- [ (9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9H-carbazol- ) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone- 1- [ - dioxolanyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) Can.

이들 중, 1,2-옥탄디온1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 또는 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다.Among them, 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone- 1- [ (9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazole-3 -1- (O-acetyloxime) or ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl- 4- (2,2- dimethyl- 1, 3- dioxoranyl) methoxybenzoyl } -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

아세토페논 화합물로서는, 예를 들면, α-아미노케톤 화합물, α-하이드록시케톤 화합물을 들 수 있다.Examples of the acetophenone compound include an? -Amino ketone compound and? -Hydroxy ketone compound.

α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the? -amino ketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) have.

α-하이드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면, 1-페닐-2-하이드록시-2-메틸 프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the? -hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-i-propylphenyl) -2- 1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone.

이들 중 α-아미노케톤 화합물이 바람직하고, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.Of these,? -Amino ketone compounds are preferable, and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane- .

비이미다졸 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 또는 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 바람직하고, 그 중, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 보다 바람직하다. Examples of the imidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'- Bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole or 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) 4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferable, and 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4' 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is more preferable.

[C] 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [C] 중합 개시제의 함유 비율로는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1질량부∼40질량부가 바람직하고, 5질량부∼30질량부가 보다 바람직하다. [C] 중합 개시제의 사용 비율을 1질량부∼40질량부로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물은, 저노광량의 경우라도 높은 내용매성, 높은 경도 및 높은 밀착성을 갖는 절연막을 형성할 수 있다.[C] The polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more. The content of [C] polymerization initiator is preferably 1 part by mass to 40 parts by mass, more preferably 5 parts by mass to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the ratio of the [C] polymerization initiator to be 1 part by mass to 40 parts by mass, the radiation-sensitive resin composition can form an insulating film having high solvent resistance, high hardness and high adhesion even at a low exposure dose.

<[D] 화합물>&Lt; [D] Compound >

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 제조에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [D] 화합물을 함유할 수 있다. [D] 화합물은, 경화제로서의 기능을 완수하는 화합물이다. 따라서, 편의상, [D] 화합물(경화제)이나 [D] 경화제 등으로 칭하는 경우도 있다. [D] 화합물은, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물, 3급 아민 화합물, 아민염, 포스포늄염, 아미딘염, 아미드 화합물, 티올 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 및 이미다졸환 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물이다. 감방사선성 수지 조성물이, 그 특정의 화합물군으로부터 선택되는 [D] 화합물을 함유함으로써 절연막의 저온 경화를 실현할 수 있다. 아울러, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시킬 수도 있다. 이하, 각 화합물을 상술한다.The radiation-sensitive resin composition of the present embodiment used in the production of the insulating film of the array substrate of this embodiment may contain the [D] compound. The [D] compound is a compound that fulfills its function as a curing agent. Therefore, for convenience, they may be referred to as [D] compound (curing agent) or [D] curing agent. The [D] compound is a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a tertiary amine compound, an amine salt, a phosphonium salt, an amidine salt, an amide compound, a thiol compound, a block isocyanate compound, At least one compound selected from the group consisting of a polycyclic aromatic ring-containing compound and a polycyclic aromatic ring-containing compound. The radiation-sensitive resin composition contains the [D] compound selected from the specific compound group to realize low-temperature curing of the insulating film. In addition, the storage stability of the radiation sensitive resin composition may be improved. Hereinafter, each compound will be described in detail.

[식 (1) 및 식 (2)로 나타나는 화합물][Compound represented by formula (1) and formula (2)

[D] 화합물로서는, 하기식 (1) 및 하기식 (2)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이 바람직하다. [D] 화합물로서, 아미노기와 전자 결핍기를 갖는, 전술의 특정 화합물을 선택함으로써, 절연막의 저온 경화를 실현할 수 있다. 아울러, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시킬 수도 있다. 또한, 얻어진 절연막을 갖는 어레이 기판을 구비한 액정 표시 소자의 전압 보전율을 보다 향상할 수 있다.The [D] compound is preferably at least one compound selected from the group consisting of the compounds represented by the following formulas (1) and (2). By selecting the aforementioned specific compound having an amino group and an electron-deficient group as the [D] compound, low temperature curing of the insulating film can be realized. In addition, the storage stability of the radiation sensitive resin composition may be improved. Further, the voltage holding ratio of the liquid crystal display element including the obtained array substrate having the insulating film can be further improved.

Figure 112012054895772-pat00007
Figure 112012054895772-pat00007

Figure 112012054895772-pat00008
Figure 112012054895772-pat00008

상기식 (1) 중, R1∼R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이다. 단, R1∼R6 중 적어도 1개는 전자 흡인성기이고, 그리고 R1∼R6 중 적어도 1개는 아미노기이며, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋다.In the above formula (1), R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group. Provided that at least one of R 1 to R 6 is an electron-withdrawing group, and at least one of R 1 to R 6 is an amino group, and all or part of the hydrogen atoms are substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms .

상기식 (2) 중, R7∼R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이다. 단, R7∼R16 중 적어도 1개는 아미노기이다. 또한, 그 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2∼6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋다. A는, 단결합, 카보닐기, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 알킬렌기이다. 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋다.In the formula (2), R 7 to R 16 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group. Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group. The amino group may be substituted with an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in all or a part of hydrogen atoms. A is a single bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylmethylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms. The methylene group and the alkylene group may be substituted with a cyano group, a halogen atom or a fluoroalkyl group in all or a part of hydrogen atoms.

상기식 (1) 및 상기식 (2)의 R1∼R16이 나타내는 전자 흡인성기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 카복실기, 아실기, 알킬술포닐기, 알킬옥시술포닐기, 디시아노비닐기, 트리시아노비닐기, 술포닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 니트로기, 알킬옥시술포닐기, 트리플루오로메틸기가 바람직하다. A가 나타내는 기로서는, 술포닐기, 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋은 메틸렌기가 바람직하다.Examples of the electron attractive group represented by R 1 to R 16 in the formulas (1) and (2) include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a trifluoromethyl group, a carboxyl group, an acyl group, An alkyloxysulfonyl group, a dicyanovinyl group, a tricyanovinyl group, a sulfonyl group and the like. Of these, a nitro group, an alkyloxysulfonyl group and a trifluoromethyl group are preferable. As the group represented by A, a methylene group which may be substituted with a sulfonyl group or a fluoroalkyl group is preferable.

상기식 (1) 및 식 (2)로 나타나는 화합물로서는,As the compounds represented by the formulas (1) and (2)

2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,3-비스(4-아미노페닐)숙시노니트릴, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노페닐벤조에이트, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 1,4-디아미노-2-클로로벤젠, 1,4-디아미노-2-브로모벤젠, 1,4-디아미노-2-요오도벤젠, 1,4-디아미노-2-니트로벤젠, 1,4-디아미노-2-트리플루오로메틸벤젠, 2,5-디아미노벤조니트릴, 2,5-디아미노아세토페논, 2,5-디아미노벤조산, 2,2'-디클로로벤지딘, 2,2'-디브로모벤지딘, 2,2'-디요오도벤지딘, 2,2'-디니트로벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3-아미노벤젠술폰산 에틸, 3,5-비스트리플루오로메틸-1,2-디아미노벤젠, 4-아미노니트로벤젠, N,N-디메틸-4-니트로아닐린이 바람직하고, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3-아미노벤젠술폰산 에틸, 3,5-비스트리플루오로메틸-1,2-디아미노벤젠, 4-아미노니트로벤젠, N,N-디메틸-4-니트로아닐린이 보다 바람직하다.Aminophenyl) hexafluoropropane, 2,3-bis (4-aminophenyl) succinonitrile, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminophenylbenzo 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,4-diamino-2-chlorobenzene, 1,4-diamino-2-bromobenzene, 1,4-diamino- , 1,4-diamino-2-nitrobenzene, 1,4-diamino-2-trifluoromethylbenzene, 2,5-diaminobenzonitrile, 2,5-diaminoacetophenone, 2,5- Diaminobenzoic acid, 2,2'-dichlorobenzidine, 2,2'-dibromobenzidine, 2,2'-diiodobenzidine, 2,2'-dinitrobenzidine, 2,2'-bis N, N-dimethyl-4-nitroaniline is preferable, and it is preferable to use N, N-dimethylaniline, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, More preferred are acid ethyl, 3,5-bistrifluoromethyl-1,2-diaminobenzene, 4-aminonitrobenzene and N, N-dimethyl-4-nitroaniline.

상기식 (1) 및 상기식 (2)로 나타나는 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기식 (1) 및 상기식 (2)로 나타나는 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼20질량부가 바람직하고, 0.2질량부∼10질량부가 보다 바람직하다. 상기식 (1) 및 상기식 (2)로 나타나는 화합물의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 절연막의 경화 촉진을 실현할 수 있다. 아울러, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상하고, 또한, 얻어진 절연막을 갖는 어레이 기판을 구비한 액정 표시 소자의 전압 보전율을 높은 레벨로 보존유지할 수 있다.The compounds represented by the formulas (1) and (2) may be used alone or in combination of two or more. The content of the compound represented by the formula (1) and the formula (2) is preferably from 0.1 part by mass to 20 parts by mass, more preferably from 0.2 part by mass to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] Do. By setting the content ratio of the compound represented by the formula (1) and the formula (2) within the above range, the curing of the insulating film formed of the radiation sensitive resin composition can be promoted. In addition, the storage stability of the radiation sensitive resin composition can be improved, and the voltage holding ratio of the liquid crystal display element provided with the array substrate having the obtained insulating film can be maintained at a high level.

[3급 아민 화합물][Tertiary amine compound]

반응성이 높은 일반적인 1급 아민 화합물이나 2급 아민 화합물을 에폭시 화합물과 공존시키면, 조성물 용액의 보존 중에 아민의 에폭시기로의 친핵 공격에 의해 경화 반응이 진행되어, 제품으로서의 품질을 손상시킬 우려가 있다. 그러나, 3급 아민을 사용한 경우는, 비교적 반응성이 낮은 것에 기인해서인지, 조성부 중에서는 에폭시 화합물과 공존시켜도 보존 안정성은 양호해진다.When a general primary amine compound or secondary amine compound having high reactivity is allowed to coexist with an epoxy compound, the curing reaction proceeds due to the nucleophilic attack of the amine on the epoxy group during the preservation of the composition solution, thereby deteriorating the quality of the product. However, in the case of using a tertiary amine, storage stability is improved even when the tertiary amine is coexistent with the epoxy compound in the cognitive and composition parts due to the relatively low reactivity.

3급 아민 화합물로서는, 하기식 (5)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As the tertiary amine compound, at least one member selected from the group consisting of the compounds represented by the following formula (5) can be used.

Figure 112012054895772-pat00009
Figure 112012054895772-pat00009

상기식 (5) 중, R24∼R26은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼18의 아릴기 또는 탄소수 7∼30의 아르알킬기이다. 단, R24 및 R25는 서로 결합하고, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환구조를 형성하고 있어도 좋다. 상기 알킬기, 아릴기 및 아르알킬기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다.In the formula (5), R 24 to R 26 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms. Provided that R 24 and R 25 may be bonded to each other to form a ring structure together with the nitrogen atom to which they are bonded. The alkyl group, aryl group and aralkyl group may be substituted with a part or all of hydrogen atoms.

상기식 (5) 중의 R24∼R26이 나타내는 상기 탄소수 1∼20의 알킬기로서는, 예를 들면, 직쇄상 또는 분기상의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 라우릴기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 24 to R 26 in the formula (5) include straight or branched chain methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, A decyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, and an eicosyl group have.

상기식 (5) 중의 R24∼R26이 나타내는 탄소수 6∼18의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aryl group having 6 to 18 carbon atoms represented by R 24 to R 26 in the formula (5) include a phenyl group and a naphthyl group.

상기식 (5) 중의 R24∼R26이 나타내는 탄소수 7∼30의 아르알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms represented by R 24 to R 26 in the formula (5) include a benzyl group and a phenethyl group.

3급 아민 화합물로서는, 예를 들면, N,N-디메틸벤질아민, 트리페닐아민, 트리부틸아민, 트리옥틸아민, 트리도데실아민, 디부틸벤질아민, 트리나프틸아민, N-에틸-N-메틸아닐린, N,N-디에틸아닐린, N-페닐-N-메틸아닐린, N,N-디메틸-p-톨루이딘, N,N-디메틸-4-브로모아닐린, N,N-디메틸-4-메톡시아닐린, N-페닐피페리딘, N-(4-메톡시페닐)피페리딘, N-페닐-1,2,3,4-테트라하이드로이소퀴놀린, 6-벤질옥시-N-페닐-7-메톡시-1,2,3,4-테트라하이드로이소퀴놀린, N,N'-디메틸피페라진, N,N-디메틸사이클로헥실아민, 2-디메틸아미노메틸페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸) 페놀 등을 들 수 있다.Examples of the tertiary amine compound include N, N-dimethylbenzylamine, triphenylamine, tributylamine, trioctylamine, tridodecylamine, dibutylbenzylamine, trinaphthylamine, N-ethyl-N N-dimethyl-4-bromoaniline, N, N-dimethyl-4-methylaniline, N, N-dimethylaniline, N, N-phenylpiperidine, N- (4-methoxyphenyl) piperidine, N-phenyl-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline, 6-benzyloxy- Methoxy-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline, N, N'-dimethylpiperazine, N, N-dimethylcyclohexylamine, 2-dimethylaminomethylphenol, 2,4,6- Tris (dimethylaminomethyl) phenol, and the like.

이들 3급 아민 화합물 중, 트리옥틸아민, 2-디메틸아미노메틸페놀, N,N-디에틸아닐린 등이 바람직하다. 3급 아민 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 3급 아민 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.5질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. 3급 아민 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.Of these tertiary amine compounds, trioctylamine, 2-dimethylaminomethylphenol, N, N-diethylaniline and the like are preferable. The tertiary amine compounds may be used alone or in combination of two or more. The content of the tertiary amine compound in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.5 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the content ratio of the tertiary amine compound within the above-specified range, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be compatible at a higher level.

[아민염 및 포스포늄염][Amine salts and phosphonium salts]

아민염 및 포스포늄염으로서는, 하기식 (6)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As the amine salt and the phosphonium salt, at least one species selected from the group consisting of the compounds represented by the following formula (6) can be used.

Figure 112012054895772-pat00010
Figure 112012054895772-pat00010

상기식 (6) 중, A1은, 질소 원자 또는 인 원자이다. R27∼R30은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼18의 아릴기 또는 탄소수 7∼30의 아르알킬기이다. 단, 이들 기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다. Q-는, 1가의 음이온이다.In the formula (6), A 1 is a nitrogen atom or a phosphorus atom. Each of R 27 to R 30 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms. However, these groups may be substituted with some or all of the hydrogen atoms. Q - is a monovalent anion.

상기식 (6) 중의 R27∼R30이 나타내는 탄소수 1∼20의 알킬기로서는, 예를 들면, 직쇄상 또는 분기상의, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 라우릴기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 27 to R 30 in the formula (6) include linear or branched alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, A decyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, and an eicosyl group have.

상기식 (6) 중의 R27∼R30이 나타내는 탄소수 6∼18의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aryl group having 6 to 18 carbon atoms represented by R 27 to R 30 in the above formula (6) include a phenyl group and a naphthyl group.

상기식 (6) 중의 R27∼R30이 나타내는 탄소수 7∼30의 아르알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms represented by R 27 to R 30 in the formula (6) include a benzyl group and a phenethyl group.

상기식 (6) 중의 Q가 나타내는 1가의 음이온으로서는, 예를 들면, 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 시안화물 이온, 질산 이온, 아질산 이온, 차아염소산 이온, 아염소산 이온, 염소산 이온, 과염소산 이온, 과망간산 이온, 탄산 수소 이온, 인산 이수소 이온, 황화 수소 이온, 티오시안산 이온, 카본산 이온, 술폰산 이온, 페녹사이드 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 테트라아릴보레이트 이온, 헥사플루오로안티모네이트 이온 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent anion represented by Q - in the formula (6) include a chloride ion, a bromide ion, an iodide ion, a cyanide ion, a nitrate ion, a nitrite ion, a hypochlorite ion, a chlorite ion, , A perchlorate ion, a permanganate ion, a bicarbonate ion, a hydrogen dihydrogen ion, a hydrogen sulfide ion, a thiocyanate ion, a carbonic acid ion, a sulfonate ion, a phenoxide ion, a tetrafluoroborate ion, And antimonate ions.

상기식 (6) 중의, A1이 질소 원자인 경우, 즉 암모늄염으로서는, 예를 들면, 염화 테트라메틸암모늄, 염화 테트라부틸암모늄, 염화 도데실디메틸벤질암모늄, 염화 옥틸트리메틸암모늄, 염화 데실트리메틸암모늄, 염화 도데실트리메틸암모늄, 염화 테트라데실트리메틸암모늄, 염화 세틸트리메틸암모늄, 염화 스테아릴트리메틸암모늄, 브롬화 헥사데실트리메틸암모늄, 염화 벤질트리메틸암모늄, 염화 벤질트리에틸암모늄, 염화 벤잘코늄, 브롬화 벤잘코늄, 염화 디데실디메틸암모늄, 염화 디스테아릴디메틸암모늄을 들 수 있다.When A 1 in the formula (6) is a nitrogen atom, that is, the ammonium salt includes, for example, tetramethylammonium chloride, tetrabutylammonium chloride, dodecyldimethylbenzylammonium chloride, octyltrimethylammonium chloride, decyltrimethylammonium chloride, Benzyltrimethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzalkonium chloride, benzalkonium bromide, dibutylchloride, dibutyltin chloride, dibutyltin dichloride, dibutyltin dichloride, dibutyltin dichloride, dibutyltin dichloride, dibutyltin dichloride, Silyldimethylammonium chloride, distearyldimethylammonium chloride, and the like.

A1이 인 원자인 경우, 즉 포스포늄염으로서는, 예를 들면, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-에틸페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-메톡시페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-에톡시페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(p-tert-부톡시페닐)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(m-톨릴)보레이트, 테트라페닐포스포늄·테트라(m-메톡시페닐)보레이트, 트리(p-톨릴)페닐포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 테트라(p-톨릴)포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 트리(p-메톡시페닐)페닐포스포늄·테트라(p-톨릴)보레이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트, 메틸트리페닐포스포늄티오시아네이트, p-톨릴트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있다.When A 1 is a phosphorus atom, that is, as the phosphonium salt, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (p-ethyl Tetra (p-ethoxyphenyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (p-methoxyphenyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra Tetra (m-tolyl) borate, tetraphenylphosphonium tetra (m-methoxyphenyl) borate, tri (p- tolyl) phenylphosphonium tetra (P-tolyl) borate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate (p-tolyl) borate, , Methyltriphenylphosphonium thiocyanate, p-tolyl tri Phenylphosphonium thiocyanate, and the like.

이들 아민염 및 포스포늄염 중, 염화 테트라메틸암모늄, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트가 바람직하다. 아민염 및 포스포늄염은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 아민염 및 포스포늄염의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.05질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.1질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. 아민염 및 포스포늄염의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.Of these amine salts and phosphonium salts, tetramethylammonium chloride and butyltriphenylphosphonium thiocyanate are preferable. The amine salt and the phosphonium salt may be used alone or in admixture of two or more. The content of the amine salt and the phosphonium salt in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.05 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.1 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin . By setting the content ratio of the amine salt and the phosphonium salt within the above-specified range, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be compatible at a higher level.

[아미딘염][Amidine salt]

아미딘염으로서는, 하기식 (7)로 나타나는 화합물의 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As the amidine salt, at least one species selected from the group consisting of salts of the compound represented by the following formula (7) can be used.

Figure 112012054895772-pat00011
Figure 112012054895772-pat00011

상기식 (7) 중, m은 2∼6의 정수이다. 단, 알킬렌기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 유기기로 치환되어 있어도 좋다. 또한, 상기 알킬렌기란, 테트라하이드로피리미딘환 중의 알킬렌기 및 식 (7)에 있어서 (CH2)m으로 나타나는 알킬렌기의 양방을 말한다.In the formula (7), m is an integer of 2 to 6. Provided that some or all of the hydrogen atoms of the alkylene group may be substituted with an organic group. The alkylene group refers to both an alkylene group in the tetrahydropyrimidine ring and an alkylene group represented by (CH 2 ) m in the formula (7).

상기 알킬렌기가 치환기로서 갖고 있어도 좋은 유기기로서는, 예를 들면,Examples of organic groups that the alkylene group may have as a substituent include, for example,

메틸기, 에틸기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, n-헥실기 등의 탄소수 1∼6의 알킬기;An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group and n-hexyl group;

하이드록시메틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 3-하이드록시프로필기, 2-하이드록시이소프로필기, 3-하이드록시-t-부틸기, 6-하이드록시헥실기 등의 탄소수 1∼6의 하이드록시알킬기;Hydroxypropyl group, a 3-hydroxypropyl group, a 2-hydroxypropyl group, a 3-hydroxy-t-butyl group, a 6-hydroxypropyl group, a 2-hydroxypropyl group, A hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a hydroxyhexyl group;

디메틸아미노기, 메틸에틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 디부틸아미노기, t-부틸메틸아미노기, 디-n-헥실아미노기 등의 탄소수 2∼12의 디알킬아미노기 등을 들 수 있다.And dialkylamino groups having 2 to 12 carbon atoms such as dimethylamino group, methylethylamino group, diethylamino group, diisopropylamino group, dibutylamino group, t-butylmethylamino group and di-n-hexylamino group.

상기식 (7)로 나타나는 화합물로서는, 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-노넨-5(DBN), 1,5-디아자바이사이클로[4,4,0]-데센-5, 1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]-운데센-7(DBU), 5-하이드록시프로필-1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]-운데센-7,5-디부틸아미노-1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]-운데센-7 등을 들 수 있다. 이들 중, DBN 및 DBU가 바람직하다.Examples of the compound represented by the above formula (7) include 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -nonen-5 (DBN), 1,5-diazabicyclo [4.4.0] Diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 (DBU), 5-hydroxypropyl-1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, 5-dibutylamino-1,8-diazabicyclo [5,4,0] -undecene-7, and the like. Of these, DBN and DBU are preferred.

상기식 (7)로 나타나는 화합물이 염을 형성하기 위한 산으로서는, 유기산 및 무기산을 들 수 있다.Examples of the acid for forming the salt of the compound represented by the formula (7) include an organic acid and an inorganic acid.

유기산으로서는, 예를 들면 카본산, 모노알킬탄산, 방향족 하이드록시 화합물, 술폰산 등을 들 수 있다.Examples of the organic acid include carbonic acid, monoalkyl carbonic acid, aromatic hydroxy compound, and sulfonic acid.

이들 산 중, 카본산, 방향족 하이드록시 화합물, 술폰산이 바람직하고, 포화 지방산, 방향족 하이드록시 화합물, 술폰산이 보다 바람직하고, 강산인 술폰산이 특히 바람직하며, 톨루엔술폰산, 메탄술폰산, 옥틸벤젠술폰산이 가장 바람직하다.아미딘염으로서는, DBU와 톨루엔술폰산과의 염, DBU와 옥틸벤젠술폰산과의 염, DBN와 톨루엔술폰산과의 염, DBN와 옥틸벤젠술폰산과의 염이 바람직하다.Among these acids, a carboxylic acid, an aromatic hydroxy compound and a sulfonic acid are preferable, and a saturated fatty acid, an aromatic hydroxy compound, and a sulfonic acid are more preferable, and a sulfonic acid which is a strong acid is particularly preferable, and toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and octylbenzenesulfonic acid Preferred examples of the amidine salt include a salt of DBU and toluenesulfonic acid, a salt of DBU and octylbenzenesulfonic acid, a salt of DBN and toluenesulfonic acid, and a salt of DBU and octylbenzenesulfonic acid.

아미딘염은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 아미딘염의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.5질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. 아미딘염의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.The amidine salt may be used alone or in admixture of two or more. The content of the amidine salt in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.5 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the content ratio of the amidine salt within the above-specified range, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be compatible at a higher level.

[아미드 화합물][Amide compound]

아미드 화합물로서는, 하기식 (8)∼하기식 (10)으로 나타나는 아미드기를 갖는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다. As the amide compound, at least one kind selected from the group consisting of compounds having an amide group represented by the following formulas (8) to (10) can be used.

Figure 112012054895772-pat00012
Figure 112012054895772-pat00012

Figure 112012054895772-pat00013
Figure 112012054895772-pat00013

Figure 112012054895772-pat00014
Figure 112012054895772-pat00014

상기식 (8) 중, R31 및 R32는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 사이클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 비닐기, 또는 2-피리딜기이다. 단, 상기 탄소수 1∼12의 알킬기, 페닐기 및 나프틸기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐 원자, 수산기, 카복실기 또는 아세틸기로 치환되어 있어도 좋다.In the formula (8), R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclohexyl group, a phenyl group, a naphthyl group, a vinyl group or a 2-pyridyl group. The alkyl, phenyl and naphthyl groups of 1 to 12 carbon atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group or an acetyl group.

상기식 (9) 중, R33 및 R34는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 사이클로헥실기이다. A2는, 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 비닐렌기이다. 단, 상기 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기 및 나프틸렌기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다.In the formula (9), R 33 and R 34 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a cyclohexyl group. A 2 is a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group, a naphthylene group, or a vinylene group. The methylene group, the alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, the phenylene group and the naphthylene group may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen atom.

상기식 (10) 중, R35 및 R36은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 사이클로헥실기이다. A3은, 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 비닐렌기이다. 단, 상기 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기 및 나프틸렌기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다.In the formula (10), R 35 and R 36 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a cyclohexyl group. A 3 is a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group, a naphthylene group, or a vinylene group. The methylene group, the alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, the phenylene group and the naphthylene group may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen atom.

상기식 (8)로 나타나는 아미드 화합물은 분자 내에 하나의 아미드 결합을 갖는 화합물이다. 그 구체적인 예로서는, 예를 들면, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N-에틸아세트아미드, 프탈아미드산, 아크릴아미드, 벤즈아미드, 나프토아미드, 니코틴아미드, 이소니코틴아미드 등을 들 수 있다.The amide compound represented by the formula (8) is a compound having one amide bond in the molecule. Specific examples thereof include acetamide, N-methylacetamide, N-ethylacetamide, phthalamidic acid, acrylamide, benzamide, naphtoamide, nicotinamide, isonicotinamide and the like.

이들 중, 실온에서의 보존 안정성, 얻어지는 절연막의 내열성, 전압 보전율 등을 향상시킬 수 있는 관점에서 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, 프탈아미드산이 바람직하다.Of these, acetamide, N-methylacetamide and phthalamidic acid are preferable from the viewpoint of improving the storage stability at room temperature, the heat resistance of the obtained insulating film, the voltage holding ratio, and the like.

상기식 (9) 및 상기식 (10)으로 나타나는 화합물은 분자 내에 2개의 아미드 결합을 갖는 화합물이다. 그 구체적인 예로서는, 예를 들면, 프탈아미드, 이소프탈아미드, 테레프탈아미드, 말론아미드, 숙신아미드, N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민, N,N'-디아세틸-도데실메틸렌디아민 등을 들 수 있다.The compound represented by the formula (9) and the formula (10) is a compound having two amide bonds in the molecule. Specific examples thereof include, for example, phthalamide, isophthalamide, terephthalamide, malonamide, succinamide, N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine, N, N'-diacetyl-hexamethylenediamine, N, N'-diacetyl-dodecyl methylenediamine, and the like.

이들 중, 보존 안정성과 저온 경화를 높은 레벨로 양립할 수 있다는 관점에서, 이소프탈아미드, 아디핀아미드, N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민이 바람직하다.Of these, from the viewpoint of compatibility between storage stability and low-temperature curing at a high level, it is preferable to use an isophthalamide, adipinamide, N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine, N, N'-diacetyl- Methylenediamine is preferred.

아미드 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 아미드 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.5질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. 아미드 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.The amide compounds may be used alone or in combination of two or more. The content of the amide compound in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.5 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the content of the amide compound within the above-specified range, both the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be achieved at a higher level.

[티올 화합물][Thiol compound]

티올 화합물로서는, 1분자 중에 2개 이상의 메르캅토기를 갖는 화합물이다. 티올 화합물은, 1분자 중에 2개 이상의 메르캅토기를 갖는 한 특별히 한정되지 않지만, 하기식 (11)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.The thiol compound is a compound having two or more mercapto groups in one molecule. The thiol compound is not particularly limited as far as it has two or more mercapto groups in one molecule, but at least one selected from the group consisting of the compounds represented by the following formula (11) can be used.

Figure 112012054895772-pat00015
Figure 112012054895772-pat00015

상기식 (11) 중, R37은, 메틸렌기, 탄소수 2∼10의 알킬렌기이다. 단, 이들 기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기로 치환되어 있어도 좋다. Y1은, 단결합, -CO- 또는 O-CO-*이다. 단, *를 붙인 결합손이 R37과 결합한다. n은 2∼10의 정수이다. A4는, 1개 또는 복수개의 에테르 결합을 갖고 있어도 좋은 탄소수 2∼70의 n가의 탄화 수소기, 또는, n이 3인 경우, 하기식 (12)로 나타나는 기이다.In the formula (11), R 37 is a methylene group or an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms. Provided that some or all of the hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group. Y 1 is a single bond, -CO- or O-CO- * . However, the combined hand affixed * is combined with R 37. n is an integer of 2 to 10; A 4 is an n-valent hydrocarbon group having 2 to 70 carbon atoms which may have one or a plurality of ether bonds, or when n is 3, a group represented by the following formula (12).

Figure 112012054895772-pat00016
Figure 112012054895772-pat00016

상기식 (12) 중, R38∼R40은, 각각 독립적으로 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 알킬렌기이다. 「*」는, 각각 결합손인 것을 나타낸다.In the formula (12), R 38 to R 40 each independently represent a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms. The &quot; * &quot;

상기식 (11)로 나타나는 화합물로서, 전형적으로는 메르캅토카본산과 다가 알코올과의 에스테르화물 등을 사용할 수 있다. 에스테르화물을 구성하는 메르캅토카본산으로서는, 예를 들면, 티오글리콜산, 3-메르캅토프로피온산, 3-메르캅토부탄산, 3-메르캅토펜탄산 등을 들 수 있다. 또한, 에스테르화물을 구성하는 다가 알코올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 테트라에틸렌글리콜, 디펜타에리트리톨, 1,4-부탄디올, 펜타에리트리톨 등을 들 수 있다.As the compound represented by the formula (11), typically an esterified product of mercaptocarboxylic acid and polyhydric alcohol can be used. Examples of the mercaptocarboxylic acid constituting the esterified product include thioglycolic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptobutanoic acid and 3-mercaptopentanoic acid. Examples of the polyhydric alcohol constituting the esterified product include ethylene glycol, propylene glycol, trimethylol propane, pentaerythritol, tetraethylene glycol, dipentaerythritol, 1,4-butanediol, pentaerythritol, .

상기식 (11)로 나타나는 화합물로서는, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), 테트라 에틸렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(티오글리콜레이트), 1,4-비스(3-메르캅토부틸옥시)부탄, 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토펜틸레이트), 1,3,5-트리스(3-메르캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온이 바람직하다.Examples of the compound represented by the formula (11) include trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), tetraethylene glycol bis (3-mercaptopropionate (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (thioglycolate), 1,4-bis (3-mercaptobutyloxy) butane, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopentylate), 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl) -1,3,5-triazine- 4,6 (1H, 3H, 5H) -tione is preferred.

티올 화합물의 1분자 중에 2개 이상의 메르캅토기를 갖는 화합물로서는, 하기식 (13)∼하기식 (15)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.As the compound having two or more mercapto groups in one molecule of the thiol compound, compounds represented by the following formulas (13) to (15) may be used.

Figure 112012054895772-pat00017
Figure 112012054895772-pat00017

Figure 112012054895772-pat00018
Figure 112012054895772-pat00018

상기식 (13) 중, R41은, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼20의 알킬렌기이다. R42는, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 직쇄 또는 분기 알킬렌기이다. k는 1∼20의 정수이다.In the above formula (13), R 41 is a methylene group or an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 42 is a methylene group or a straight or branched alkylene group having 2 to 6 carbon atoms. k is an integer of 1 to 20;

상기식 (14) 중, R43∼R46은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 수산기 또는 하기식 (15)로 나타나는 기이다. 단, R43∼R46의 적어도 1개는 하기식 (15)로 나타나는 기이다.In the formula (14), R 43 to R 46 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group or a group represented by the following formula (15). Provided that at least one of R 43 to R 46 is a group represented by the following formula (15).

Figure 112012054895772-pat00019
Figure 112012054895772-pat00019

상기식 (15) 중, R47은, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 직쇄 또는 분기 알킬렌기이다.In the formula (15), R 47 is a methylene group or a straight-chain or branched alkylene group having 2 to 6 carbon atoms.

티올 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 티올 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1질량부∼20질량부가 바람직하고, 5질량부∼15질량부가 보다 바람직하다. 티올 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.The thiol compounds may be used alone or in combination of two or more. The content of the thiol compound in the radiation-sensitive resin composition is preferably 1 part by mass to 20 parts by mass, more preferably 5 parts by mass to 15 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the content of the thiol compound within the above-specified range, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be compatible at a higher level.

[블록 이소시아네이트 화합물][Block isocyanate compound]

블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 이소시아네이트기를 활성 수소기 함유 화합물(블록제)과 반응시켜 상온에서 불활성으로 한 것이며, 이를 가열하면 블록제가 해리하여 이소시아네이트기가 재생된다는 성질을 갖는 것이다. 감방사선성 수지 조성물이 블록 폴리이소시아네이트를 함유함으로써, 효과적인 가교제로서 이소시아네이트-수산기 가교 반응이 진행되어, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 높은 레벨로 양립할 수 있다.The block polyisocyanate compound is obtained by reacting an isocyanate group with an active hydrogen group-containing compound (block agent) and making it inert at room temperature. When the block polyisocyanate compound is heated, the block is dissociated and the isocyanate group is regenerated. When the radiation-sensitive resin composition contains the block polyisocyanate, the isocyanate-hydroxyl group crosslinking reaction proceeds as an effective crosslinking agent, and the storage stability and the low-temperature curing of the radiation-sensitive resin composition can be made compatible at a high level.

블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 지방족 또는 지환족 디이소시아네이트로부터 유도되는 폴리이소시아네이트와 활성 수소를 갖는 화합물(블록제)과의 공지의 반응에 의해 얻어진다.The block polyisocyanate compound is obtained by a known reaction between a polyisocyanate derived from an aliphatic or alicyclic diisocyanate and a compound having an active hydrogen (block).

디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 펜탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 2,2,4-트리메틸-1,6-디이소시아나토헥산, 2,4,4-트리메틸-1,6-디이소시아나토헥산, 리신디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트(IPDI), 1,3-비스(이소시아나토메틸)사이클로헥산, 4,4-디사이클로헥실메탄디이소시아네이트, 노르보르넨디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 트리딘디이소시아네이트, 자일리딘이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 1,5-펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 3-이소시아나토메틸-3,5,5-트리메틸사이클로헥실디이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the diisocyanate include tetramethylene diisocyanate, pentane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate (HDI), 2,2,4-trimethyl-1,6-diisocyanatohexane, 2,4,4- (Isocyanatomethyl) cyclohexane, 4,4-dicyclohexylmethane diisocyanate, norbornene diisocyanate, isophorone diisocyanate (IPDI), 1,3-bis , Tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, trinidine diisocyanate, xylidine isocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, 1,5-pentamethylene diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 3-isocyanatomethyl-3,5,5-trimethyl cyclohexyl diisocyanate, and the like.

시판품으로서는, 예를 들면,As a commercially available product, for example,

이소시아네이트기를 메틸에틸케톤의 옥심으로 블록한 것으로서, 듀라네이트(DERANATE)(등록 상표) TPA-B80E, 동 TPA-B80X, 동 E402-B80T, 동 MF-B60XN, 동 MF-B60X, 동 MF-B80M(이상, 아사히카세이고교 가부시키가이샤);B80E, TPA-B80X, E402-B80T, MF-B60XN, MF-B60X, MF-B80M (available from DERANATE TM) as an isocyanate group blocked with an oxime of methyl ethyl ketone , Asahi Kasei High School, Ltd.);

이소시아네이트기를 활성 메틸렌으로 블록한 것으로서, 듀라네이트(등록 상표) MF-K60X(아사히카세이고교 가부시키가이샤);Duraanate (registered trademark) MF-K60X (manufactured by Asahi Kasei Kogyo K.K.) blocked with isocyanate group with active methylene;

(메타)아크릴로일기를 갖는 이소시아네이트 화합물의 블록체로서, 카렌즈(KARENZ)(등록 상표) MOI-BP, 카렌즈(등록 상표) MOI-BM(이상, 쇼와덴코 가부시키가이샤)을 들 수 있다. 이들 중, 듀라네이트(등록 상표) E402-B80T, 동 MF-K60X를 이용한 경우에 높은 플렉시블성이 발현되고, 다른 것과의 혼합계로 하여 사용함으로써, 자유롭게 그 경도를 제어할 수 있기 때문에 바람직하다.KARENZ (registered trademark) MOI-BP, and CALENS (registered trademark) MOI-BM (manufactured by Showa Denko K.K.) as block bodies of an isocyanate compound having a (meth) acryloyl group, have. Of these, Duralate (registered trademark) E402-B80T and MF-K60X are preferably used because they exhibit high flexibility and can be freely controlled in their hardness by being used in a mixed system with others.

디이소시아네이트로부터 유도되는 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면, 이소시아누레이트형 폴리이소시아네이트, 뷰렛형 폴리이소시아네이트, 우레탄형 폴리이소시아네이트, 알로파네이트형 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 경화성의 관점에서 이소시아누레이트형 폴리이소시아네이트가 바람직하다.Examples of the polyisocyanate derived from diisocyanate include isocyanurate type polyisocyanate, buret type polyisocyanate, urethane type polyisocyanate, allophanate type polyisocyanate, and the like. From the viewpoint of curability, isocyanurate type polyisocyanate is preferable.

블록제로서는, 예를 들면, 알코올계 화합물, 페놀계 화합물, 활성 메틸렌계 화합물, 메르캅탄계 화합물, 산 아미드계 화합물, 산 이미드계 화합물, 이미다졸계 화합물, 피라졸계 화합물, 우레아계 화합물, 옥심계 화합물, 아민계 화합물, 이민계 화합물, 피리딘계 화합물 등을 들 수 있다.As the blocking agent, for example, an alcohol compound, a phenol compound, an active methylene compound, a mercaptan compound, an acid amide compound, an acid imide compound, an imidazole compound, a pyrazole compound, Based compounds, amine-based compounds, imine-based compounds, and pyridine-based compounds.

알코올계 화합물로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 2-에틸헥산올, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카르비톨, 벤질알코올, 사이클로헥산올 등;Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, 2-ethylhexanol, methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, benzyl alcohol, cyclohexanol and the like;

페놀계 화합물로서는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 에틸페놀, 부틸페놀, 노닐페놀, 디노닐페놀, 스티렌화 페놀, 하이드록시벤조산 에스테르 등;Examples of the phenol compound include phenol, cresol, ethylphenol, butylphenol, nonylphenol, dinonylphenol, styrenated phenol, hydroxybenzoic acid ester and the like;

활성 메틸렌계 화합물로서는, 예를 들면, 말론산 디메틸, 말론산 디에틸, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세틸아세톤 등;Examples of the active methylene compound include dimethyl malonate, diethyl malonate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, and acetylacetone;

메르캅탄계 화합물로서는, 예를 들면, 부틸메르캅탄, 도데실메르캅탄 등;Examples of the mercapane-based compound include butyl mercaptan, dodecyl mercaptan, and the like;

산 아미드계 화합물로서는, 예를 들면, 아세토아닐리드, 아세트산 아미드, ε-카프로락탐, δ-발레로락탐, γ-부티로락탐 등;·As the acid amide compound, for example, acetanilide, acetic acid amide,? -Caprolactam,? -Valerolactam,? -Butyrolactam, etc.

산 이미드계 화합물로서는, 예를 들면, 숙신산 이미드, 말레산 이미드 등;Examples of the acid imide compound include succinic acid imide, maleic acid imide and the like;

이미다졸계 화합물로서는, 예를 들면, 이미다졸, 2-메틸이미다졸 등;Examples of imidazole-based compounds include imidazole, 2-methylimidazole and the like;

피라졸계 화합물로서는, 예를 들면, 3-메틸피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3,5-에틸피라졸 등;Examples of the pyrazole-based compound include 3-methylpyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, and 3,5-ethylpyrazole;

우레아계 화합물로서는, 예를 들면, 우레아, 티오우레아, 에틸렌우레아 등;Examples of the urea compound include urea, thiourea, ethylene urea and the like;

옥심계 화합물로서는, 예를 들면, 포름알도옥심, 아세토알도옥심, 아세토옥심, 메틸에틸케토옥심, 사이클로헥사논옥심 등;Examples of the oxime compounds include formaldeooxime, acetaldoxime, acetoxime, methylethylketooxime, cyclohexanone oxime and the like;

아민계 화합물로서는, 예를 들면, 디페닐아민, 아닐린, 카르바졸 등;Examples of the amine-based compound include diphenylamine, aniline, carbazole and the like;

이민계 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등;Examples of the imine compound include ethyleneimine, polyethyleneimine and the like;

피리딘계 화합물로서는, 예를 들면, 2-하이드록시피리딘, 2-하이드록시퀴놀린 등을 들 수 있다.Examples of the pyridine compound include 2-hydroxypyridine, 2-hydroxyquinoline, and the like.

블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.5질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.The block polyisocyanate compound may be used alone or in admixture of two or more. The content of the block polyisocyanate compound in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.5 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the content ratio of the block polyisocyanate compound within the above range, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be compatible at a higher level.

[이미다졸환 함유 화합물] [Imidazole ring-containing compound]

이미다졸환 함유 화합물로서는, 하기식 (16)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.As the imidazole ring-containing compound, at least one member selected from the group consisting of the compounds represented by the following formula (16) can be used.

Figure 112012054895772-pat00020
Figure 112012054895772-pat00020

상기식 (16) 중, A5, A6, A7 및 R48은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 탄화 수소기이다. 또한, A6과 A7은 서로 연결되어 환을 형성해도 좋다.In formula (16), A 5 , A 6 , A 7 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a straight, branched or cyclic hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent. A 6 and A 7 may be connected to each other to form a ring.

A5, A6, A7 및 R48이 나타내는 탄소수 1∼20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 탄화 수소기로서는, 예를 들면,As the linear, branched or cyclic hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms represented by A 5 , A 6 , A 7 and R 48 , for example,

메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기;Butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-hexyl group, N-pentyldecyl group, n-hexadecyl group, n-hexadecyl group, n-hexadecyl group, n-octadecyl group, An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a heptadecyl group, an n-octadecyl group, an n-nonadecyl group, and an n-eicosyl group;

사이클로펜틸기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기;A cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms such as a cyclopentyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group;

페닐기, 톨루일기, 벤질기, 메틸벤질기, 자일릴기, 메시틸기, 나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6∼20의 아릴기;An aryl group having 6 to 20 carbon atoms such as a phenyl group, a toluyl group, a benzyl group, a methylbenzyl group, a xylyl group, a mesityl group, a naphthyl group and an anthryl group;

노르보닐기, 트리사이클로데카닐기, 테트라사이클로도데실기, 아다만틸기, 메틸아다만틸기, 에틸아다만틸기, 부틸아다만틸기 등의 탄소수 6∼20의 유교(有橋) 지환식 탄화 수소기 등을 들 수 있다.Bridged alicyclic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecyl group, an adamantyl group, a methyladamantyl group, an ethyladamantyl group and a butyladamantyl group, etc. .

상기 탄화 수소기는 치환되어 있어도 좋고, 이 치환기의 구체예로서는,The hydrocarbon group may be substituted, and specific examples of the substituent include,

수산기;A hydroxyl group;

카복실기;A carboxyl group;

하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 3-하이드록시프로필기, 1-하이드록시부틸기, 2-하이드록시부틸기, 3-하이드록시부틸기, 4-하이드록시부틸기 등의 탄소수 1∼4의 하이드록시알킬기;Hydroxyethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1 -hydroxybutyl group, , A 3-hydroxybutyl group, a 4-hydroxybutyl group, and other hydroxyalkyl groups having 1 to 4 carbon atoms;

메톡실기, 에톡실기, n-프로폭실기, i-프로폭실기, n-부톡실기, 2-메틸프로폭실기, 1-메틸프로폭실기, t-부톡실기 등의 탄소수 1∼4의 알콕실기;An alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxyl group, an ethoxyl group, an n-propoxyl group, an i-propoxyl group, an n-butoxyl group, a 2-methylpropoxyl group, ;

시아노기;Cyano;

시아노메틸기, 2-시아노에틸기, 3-시아노프로필기, 4-시아노부틸기 등의 탄소수 2∼5의 시아노알킬기;A cyanoalkyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a cyano group, a cyanomethyl group, a 2-cyanoethyl group, a 3-cyanopropyl group and a 4-cyanobutyl group;

메톡시카보닐기, 에톡시카보닐기, t-부톡시카보닐기 등의 탄소수 2∼5의 알콕시카보닐기;An alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group and t-butoxycarbonyl group;

메톡시카보닐메톡실기, 에톡시카보닐메톡실기, t-부톡시카보닐메톡실기 등의 탄소수 3∼6의 알콕시카보닐알콕실기;An alkoxycarbonylalkoxyl group having 3 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonylmethoxyl group, an ethoxycarbonylmethoxyl group and a t-butoxycarbonylmethoxyl group;

불소, 염소 등의 할로겐 원자;Halogen atoms such as fluorine and chlorine;

플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기 등의 플루오로알킬기 등을 들 수 있다.And fluoroalkyl groups such as a fluoromethyl group, a trifluoromethyl group and a pentafluoroethyl group.

상기 A6과 A7이 서로 연결되어 형성하는 환으로서는, 바람직하게는 방향환, 탄소수 2∼20의 포화 또는 불포화의 질소 함유 복소환을 들 수 있다. A6과 A7이 서로 연결되어 형성하는 환이, 벤젠환인 경우의 이미다졸환 함유 화합물로서는, 하기식 (17)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.The ring formed by connecting A 6 and A 7 together is preferably an aromatic ring or a saturated or unsaturated nitrogen-containing heterocyclic ring having 2 to 20 carbon atoms. Examples of the imidazole ring-containing compound in which the ring formed by A 6 and A 7 are bonded to each other is a benzene ring, include the compounds represented by the following formula (17).

Figure 112012054895772-pat00021
Figure 112012054895772-pat00021

상기식 (17) 중, R48 및 A5는, 상기식 (16)과 동일한 의미이다. R49∼R52는, 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 탄화 수소기이다. 또한, R49∼R52가 나타내는 탄화 수소기로서는, 상기식 (16) 중의 탄화 수소기와 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (17), R 48 and A 5 have the same meanings as in the formula (16). R 49 to R 52 each independently represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent. The hydrocarbon group represented by R 49 to R 52 may be the same as the hydrocarbon group represented by the formula (16).

이미다졸환 함유 화합물로서는, 2-페닐벤즈이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸이 바람직하다. 이미다졸환 함유 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이미다졸환 함유 화합물의 함유 비율로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.5질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. 이미다졸환 함유 화합물의 함유 비율을 상기 특정 범위로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성과 저온 경화를 보다 높은 레벨로 양립할 수 있다.As the imidazole ring-containing compound, 2-phenylbenzimidazole, 2-methylimidazole, and 2-methylbenzimidazole are preferable. The imidazole ring-containing compounds may be used alone or in admixture of two or more. The content of the imidazole ring-containing compound is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.5 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. By setting the content ratio of the imidazole ring-containing compound within the above-specified range, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition and the low-temperature curing can be compatible at a higher level.

<그 외의 임의 성분>&Lt; Other optional components >

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 형성에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 상기의 [A] 알칼리 가용성 수지, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제에 더하여, [D] 화합제(경화제) 외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 계면활성제, 보존 안정제, 접착 조제, 내열성 향상제 등의 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다. 이들 각 임의 성분은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 이하, 각 성분을 상술한다.The radiation sensitive resin composition of the present embodiment, which is used for forming the insulating film of the array substrate of the present embodiment, contains, in addition to the above-mentioned [A] alkali-soluble resin, [B] polymerizable compound and [C] Other optional components such as a surfactant, a storage stabilizer, an adhesive aid, and a heat resistance improving agent may be added as needed within the range that does not impair the effects of the present invention, in addition to the [D] compounding agent (curing agent). These optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.

[계면활성제][Surfactants]

계면활성제는, 감방사선성 수지 조성물의 도막 형성성을 보다 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 계면활성제로서는, 예를 들면, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 기타 계면활성제를 들 수 있다.The surfactant can be used for further improving the film formability of the radiation-sensitive resin composition. Examples of the surfactant include a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, and other surfactants.

불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하다.As the fluorine-containing surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any of the terminal, main chain and side chain is preferable.

불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 프터젠트(FTERGENT)(등록 상표) FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, 프터젠트(등록 상표) FTX-218, 동-251(이상, 가부시키가이샤 네오스) 등을 들 수 있다.Examples of commercial products of the fluorinated surfactants include FTERGENT (registered trademark) FT-100, 110, -140A, -150, -250, -251, -300, 310, Dong-400S, Fotent (registered trademark) FTX-218, Dong-251 (above, Neos, Ltd.).

실리콘계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 토레실리콘(TORAY SILICON) DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 토레·다우코닝·실리콘 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available silicone surfactants include TORAY SILICON DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ- 6032, SF-8428, DC-57 and DC-190 (trade names, Toray, Dow Corning, Silicones Inc.).

계면활성제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1.0질량부 이하가 바람직하고, 0.8질량부 이하가 보다 바람직하다. 계면활성제의 사용량이 1.0질량부를 초과하면, 도막의 막 불균일을 발생시키기 쉬워진다.The amount of the surfactant to be used is preferably 1.0 part by mass or less, more preferably 0.8 part by mass or less, based on 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. If the amount of the surfactant used exceeds 1.0 part by mass, film unevenness of the coating film tends to occur.

[보존 안정제][Storage stabilizer]

보존 안정제로서는, 예를 들면, 황, 퀴논류, 하이드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민, 니트로소 화합물 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 4-메톡시페놀, N-니트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄 등을 들 수 있다.Examples of the storage stabilizer include sulfur, quinones, hydroquinones, polyoxy compounds, amines, nitroso compounds and the like, and more specifically, 4-methoxyphenol, N-nitroso- Phenylhydroxylamine aluminum and the like.

보존 안정제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 3.0질량부 이하가 바람직하고, 1.0질량부 이하가 보다 바람직하다. 보존 안정제의 배합량이 3.0질량부를 초과하면, 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화하는 경우가 있다.The amount of the preservative stabilizer to be used is preferably 3.0 parts by mass or less, more preferably 1.0 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. If the blending amount of the preservative stabilizer exceeds 3.0 parts by mass, the sensitivity may be lowered and the pattern shape may be deteriorated.

[접착 조제][Adhesion preparation]

접착 조제는, 얻어지는 절연막과 그 아래에 있는 층이나 기판 등과의 접착성을 더욱 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 접착 조제로서는 카복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하고, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아나토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.The adhesion aid can be used to further improve the adhesion between the obtained insulating film and the underlying layer or substrate. As the adhesion aid, a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group and an oxiranyl group is preferable, and for example, trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyl Trimethylsilane, trimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) Ethyl trimethoxysilane and the like.

접착 조제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 20질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하다. 접착 조제의 사용량이 20질량부를 초과하면, 현상 잔사를 발생시키기 쉬워지는 경향이 있다.The amount of the adhesion aid to be used is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 15 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. When the amount of the adhesive aid used exceeds 20 parts by mass, development residue tends to be easily generated.

[내열성 향상제][Heat resistance improving agent]

내열성 향상제로서는, 예를 들면, N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the heat resistance improving agent include N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds and N- (alkoxymethyl) melamine compounds.

N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물로서는, 예를 들면, N,N',N", N"'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. 이들 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물 중, N,N,N',N'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴이 바람직하다.Examples of the N- (alkoxymethyl) glycol uril compound include N, N ', N ", N"' - tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N ' N, N ', N'-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N', N'- , N ', N'-tetra (n-butoxymethyl) glycoluril and N, N, N', N'-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril. Of these N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N, N, N ', N'-tetra (methoxymethyl) glycoluril are preferred.

N-(알콕시메틸)멜라민 화합물로서는, 예를 들면, N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-부톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. 이들 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 중, N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민이 바람직하다. 시판품으로서는, 예를 들면, 니카락(NICALAC) N-2702, 동 MW-30M(이상, 산와 케미컬 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.Examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound include N, N, N ', N', N '', N '' - hexa (methoxymethyl) N, N ', N', N ', N' ', N' '- hexa (ethoxymethyl) melamine, , N '' - hexa (i-propoxymethyl) melamine, N, N ', N', N ' N ", N "-hexa (t-butoxymethyl) melamine, and the like. Of these N- (alkoxymethyl) melamine compounds, N, N, N ', N', N ", N" - hexa (methoxymethyl) melamine are preferred. Commercially available products include, for example, NICALAC N-2702 and MW-30M (available from Sanwa Chemical Co., Ltd.).

 내열성 향상제의 사용량으로서는, [A] 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 50질량부 이하가 바람직하고, 30질량부 이하가 보다 바람직하다. 내열성 향상제의 배합량이 50질량부를 초과하면, 감방사선성 수지 조성물의 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화되는 경우가 있다.The amount of the heat resistance improving agent to be used is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 30 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the [A] alkali-soluble resin. When the blending amount of the heat resistance improver exceeds 50 parts by mass, the sensitivity of the radiation-sensitive resin composition is lowered and the pattern shape may be deteriorated.

<감방사선성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of radiation-sensitive resin composition >

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 형성에 이용되는, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 알칼리 가용성 수지, [B] 중합성 화합물 및, [C] 중합 개시제 외, 추가로 [D] 화합물(경화제) 및 필요에 따라서 첨가되는 그 외의 임의 성분을 균일하게 혼합함으로써 조제된다. 이 감방사선성 수지 조성물은, 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 이용된다. 용매는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The radiation sensitive resin composition of the present embodiment, which is used for forming the insulating film of the array substrate of the present embodiment, contains, in addition to the [A] alkali-soluble resin, the [B] polymerizable compound and the [C] D] compound (curing agent) and other optional components added as necessary. The radiation-sensitive resin composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in a solution state. The solvents may be used alone or in combination of two or more.

감방사선성 수지 조성물의 조제에 이용되는 용매로서는, 필수 성분 및 임의 성분을 균일하게 용해하고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 이러한 용매로서는, 전술한 [A] 알칼리 가용성 수지를 제조하기 위해 사용할 수 있는 용매로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.As the solvent used in the preparation of the radiation-sensitive resin composition, an essential component and an optional component are dissolved uniformly and reacted with each component is used. Examples of such a solvent include the same solvents exemplified as the solvents that can be used for producing the above-described [A] alkali-soluble resin.

예를 들면, 이러한 용매 중, 각 성분의 용해성, 각 성분과의 반응성, 도막 형성의 용이성 등의 관점에서, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류; For example, from the viewpoints of solubility of each component, reactivity with each component, ease of forming a coating film, and the like, among these solvents, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene Diethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, tri Ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, Dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol No methyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether and (poly) alkylene glycol monoalkyl ether;

아세트산 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 3-메틸-3-메톡시부틸 등의 아세트산 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류;Acetic acid ethylene glycol monomethyl ether, acetic acid ethylene glycol monoethyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-propyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid diethylene glycol monomethyl ether, acetic acid diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, Acetic acid (poly) alkylene glycol monoalkyl ethers such as methoxybutyl;

디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라하이드로푸란 등의 기타 에테르류;Other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and tetrahydrofuran;

메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 디아세톤알코올(4-하이드록시-4-메틸펜탄-2-온), 4-하이드록시-4-메틸헥산-2-온 등의 케톤류;Methylhexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, diacetone alcohol (4-hydroxy-4-methylpentan-2-one), 4-hydroxy- Ketones;

프로필렌글리콜디아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 1,6-헥산디올 디아세테이트 등의 디아세테이트류;Diacetates such as propylene glycol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate, and 1,6-hexanediol diacetate;

락트산 메틸, 락트산 에틸 등의 락트산 알킬에스테르류;Lactic acid alkyl esters such as methyl lactate and ethyl lactate;

아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-펜틸, 아세트산 i-펜틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로피온산 n-부틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 부틸산 에틸, 부틸산 n-프로필, 부틸산 i-프로필, 부틸산 n-부틸, 하이드록시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 피르브산 메틸, 피르브산 에틸, 피르브산 n-프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-하이드록시-3-메틸부틸산 메틸, 2-옥소부틸산 에틸 등의 기타 에스테르류;Propyl acetate, n-butyl acetate, n-pentyl formate, i-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylacetate , N-butyl propionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butylate, i-propyl butylate, n- Ethyl acetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n- Other esters such as methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutylate and ethyl 2-oxobutylate;

톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화 수소류;Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;

N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등을 들 수 있다.And amides such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide.

이들 용매 중, 용해성, 안료 분산성, 도포성 등의 관점에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산 3-메톡시부틸, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 1,6-헥산디올디아세테이트, 락트산 에틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-아밀, 아세트산 i-아밀, 프로피온산 n-부틸, 부틸산 에틸, 부틸산 i-프로필, 부틸산 n-부틸, 피르브산 에틸이 바람직하다. 용매는 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.Among these solvents, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,6-hexanediol Diethyl acetate, ethyl lactate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, n-butyl acetate, Amyl formate, i-amyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, i-propyl butylate, n-butyl butyl acetate and ethyl pyruvate are preferable. The solvent may be used alone or in combination of two or more.

또한, 상기 용매와 함께, 벤질에틸에테르, 디-n-헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트 등의 고비점 용매를 병용할 수도 있다. 상기 고비점 용매는, 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.Also, together with the above-mentioned solvent, there may be mentioned benzyl ethyl ether, di-n-hexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, A high boiling solvent such as ethyl, diethyl maleate,? -Butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, or ethylene glycol monophenyl ether acetate may be used in combination. The high boiling point solvent may be used alone or in combination of two or more.

용매의 함유량으로서는 한정되지 않지만, 얻어지는 감방사선성 수지 조성물의 도포성, 안정성 등의 관점에서 감방사선성 수지 조성물의 용매를 제외한 각 성분의 합계 농도가, 5질량%∼50질량%가 되는 양이 바람직하고, 10질량%∼40질량%가 되는 양이 보다 바람직하다. 감방사선성 수지 조성물을 용액 상태로 하여 조제하는 경우, 고형분 농도(조성물 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분)는, 사용 목적이나 소망하는 막두께의 값 등에 따라서 임의의 농도(예를 들면 5질량%∼50질량%)로 설정할 수 있다. 더욱 바람직한 고형분 농도는, 기판 상으로의 도막의 형성 방법에 따라 상이하지만, 이에 대해서는 후술한다. 이와 같이 하여 조제된 조성물 용액은, 공경(孔徑) 0.5㎛ 정도의 밀리포어 필터 등을 이용하여 여과한 후, 사용에 제공할 수 있다.The content of the solvent is not limited, but from the viewpoints of coating properties, stability, etc. of the resulting radiation-sensitive resin composition, the amount by which the total concentration of each component other than the solvent of the radiation-sensitive resin composition is 5% by mass to 50% , More preferably 10% by mass to 40% by mass. When the radiation sensitive resin composition is prepared in a solution state, the solid concentration (component other than the solvent in the composition solution) may be adjusted to any desired concentration (for example, 5% 50% by mass). More preferably, the solid concentration differs depending on the method of forming the coating film on the substrate, which will be described later. The thus prepared composition solution may be filtered after using a millipore filter having a pore diameter of about 0.5 mu m and then provided for use.

이상의 성분과 조제 방법에 의한 감방사선성 수지 조성물은, 저온 경화에 의해 콘택트홀을 구비한 절연막을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 200℃ 이하의 경화 온도에서 내용매성 등이 양호한 신뢰성을 갖는 절연막을 얻을 수 있고, 나아가서는 180℃ 이하의 경화 온도라도, 내용매성 등이 양호한 신뢰성을 갖는 절연막을 얻을 수 있다. 그리고, 저온 경화에 의해 본 실시 형태의 어레이 기판을 제공할 수 있다.The radiation-sensitive resin composition according to the above components and the preparation method can form an insulating film having a contact hole by low-temperature curing. Specifically, an insulating film having good reliability such as solvent resistance can be obtained at a curing temperature of 200 DEG C or less, and even if the curing temperature is 180 DEG C or less, an insulating film having good reliability such as solvent resistance can be obtained. The array substrate of the present embodiment can be provided by low-temperature curing.

다음으로, 본 실시 형태의 어레이 기판은, 액정의 배향을 제어하는 배향막을 갖는 것이 가능하다. 본 실시 형태의 어레이 기판 상에 형성되는 배향막은, 본 실시 형태의 액정 배향제를 이용하여 형성된다. 따라서, 본 실시 형태의 배향 처리제에 대해서, 특히 그 주요한 성분에 대해서 이하에서 설명한다.Next, the array substrate of this embodiment can have an alignment film for controlling alignment of liquid crystal. An alignment film formed on the array substrate of the present embodiment is formed using the liquid crystal aligning agent of the present embodiment. Therefore, the main components of the alignment treatment agent of the present embodiment will be described below.

<액정 배향제><Liquid Crystal Aligner>

본 실시 형태의 어레이 기판 상에 배향막을 형성하는, 본 실시 형태의 액정 배향제는, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체, 또는 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드를 주요 성분으로서 함유하는 액정 배향제이다. 이들은 모두, 예를 들면, 200℃ 이하 등, 저온의 가열 온도에서 배향막을 형성하는 것이 가능하다. 특히, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체를 함유하는 액정 배향제가, 보다 저온에서의 배향막 형성이 가능하고 바람직하다. 이와 같이 본 실시 형태의 액정 배향제는, 저온의 가열 공정에 의한 배향막의 형성이 가능하기 때문에, 하층에 있는 저온 경화에 의한 절연막을 고온 가열의 상태에 노출되는 일 없이 배향막의 형성을 행할 수 있다.The liquid crystal aligning agent of the present embodiment for forming an alignment film on the array substrate of the present embodiment contains the [L] radiation-sensitive polymer having a photo aligning group or the [M] polyimide having no photo aligning group as a main component Which is a liquid crystal aligning agent. All of these can form an alignment film at a low temperature such as 200 DEG C or less. In particular, it is preferable that a liquid crystal aligning agent containing an [L] radiation-sensitive polymer having a photo aligning group is capable of forming an alignment film at a lower temperature. As described above, since the liquid crystal aligning agent of the present embodiment can form an orientation film by a low-temperature heating process, the orientation film can be formed without being exposed to the state of high temperature heating of the insulating film due to low temperature curing in the lower layer .

또한, 본 실시 형태의 어레이 기판 상에 배향막을 형성하는, 본 실시 형태의 액정 배향제는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 [N] 그 외의 성분을 함유할 수 있다. 이하, 그들 성분에 대해서 설명한다.The liquid crystal aligning agent of the present embodiment for forming an alignment film on the array substrate of the present embodiment may contain other components as long as the effect of the present invention is not impaired. Hereinafter, these components will be described.

[[L] 감방사선성 중합체][[L] Sensitizing Radiation Polymer]

본 실시 형태의 액정 배향제에 함유되는 [L] 감방사선성 중합체는, 광배향성기를 갖는 중합체이다. 이 [L] 감방사선성 중합체가 갖는 광배향성기는, 광조사에 의해 막에 이방성을 부여하는 관능기이며, 본 실시 형태에서는, 특히, 광이성화 반응 및 광이중화 반응의 적어도 어느 것을 발생시킴으로써 막에 이방성을 부여하는 기이다.The [L] radiation-sensitive polymer contained in the liquid crystal aligning agent of the present embodiment is a polymer having a photo-orientable group. The photo-orientable group of the [L] radiolabeled polymer is a functional group that imparts anisotropy to the film by light irradiation. In the present embodiment, in particular, by generating at least one of a photo-isomerization reaction and a photo- .

광배향성기로서 구체적으로는, 아조벤젠, 스틸벤, α-이미노-β-케토에스테르, 스피로피란, 스피로옥사진, 신남산, 칼콘, 스틸바졸, 벤질리덴프탈이미딘, 쿠마린, 디페닐아세릴렌 및 안트라센으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물 유래의 구조를 갖는 기이다. 전술의 광배향성기로는, 이들 중에서도, 신남산 유래의 구조를 갖는 기가 특히 바람직하다.Specific examples of the photo-aligning group include azobenzene, stilbene,? -Imino-? -Ketoester, spiropyran, spirooxazine, cinnamic acid, chalcone, stilbazole, benzylidene phthalimidine, coumarin, Is a group having a structure derived from at least one compound selected from the group consisting of rhenium and anthracene. Among the above-mentioned photo-orientable groups, groups having a structure derived from cinnamic acid are particularly preferable.

광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체로서는, 전술의 광배향성기가 직접 또는 연결기를 개재하여 결합된 중합체인 것이 바람직하다. 그러한 중합체로서는, 예를 들면, 폴리암산 및 폴리이미드의 적어도 어느 중합체에 전술의 광배향성기가 결합된 것, 폴리암산 및 폴리이미드와는 다른 중합체에 전술의 광배향성기가 결합된 것을 들 수 있다. 후자의 경우, 광배향성기를 갖는 중합체의 기본 골격으로서는, 예를 들면, 폴리(메타)아크릴산 에스테르, 폴리(메타)아크릴아미드, 폴리비닐에테르, 폴리올레핀, 폴리오르가노실록산 등을 들 수 있다.As the [L] radiation-sensitive polymer having a photo-orientable group, it is preferable that the above-mentioned photo-orientable group is a polymer bonded directly or via a linking group. As such a polymer, for example, there may be mentioned one in which at least one polymer of polyamic acid and polyimide is bonded to the above-mentioned photo-orientable group, and the above-mentioned photo-orientable group is bonded to a polymer different from polyamic acid and polyimide. In the latter case, examples of the basic skeleton of the polymer having a photo-orientable group include poly (meth) acrylic acid ester, poly (meth) acrylamide, polyvinyl ether, polyolefin, and polyorganosiloxane.

감방사선성 중합체로서는, 폴리암산, 폴리이미드 또는 폴리오르가노실록산을 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 중에서도, 폴리오르가노실록산이 특히 바람직하고, 예를 들면, 국제 공개(WO) 제2009/025386호에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.As the radiation-sensitive polymer, it is preferable that the basic skeleton is polyamic acid, polyimide or polyorganosiloxane. Among them, a polyorganosiloxane is particularly preferable and can be obtained, for example, by the method described in International Publication (WO) 2009/025386.

[[M] 폴리이미드][[M] polyimide]

본 실시 형태의 액정 배향제에 함유되는 [M] 폴리이미드는, 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드이다.The [M] polyimide contained in the liquid crystal aligning agent of the present embodiment is a polyimide having no photo-aligning group.

이러한 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드는, 광배향성기를 갖지 않는 폴리암산을 탈수 폐환하여 이미드화함으로써 얻을 수 있다. 이들 폴리암산은, 예를 들면, 테트라카본산 2무수물과, 디아민을 반응시킴으로써 얻을 수 있고, 일본공개특허공보 2010-97188호에 기재된 바와 같이 하여 얻을 수 있다.The [M] polyimide having no photo-aligning group can be obtained by imidizing a polyamic acid having no photo-aligning group by dehydration ring closure. These polyamic acids can be obtained, for example, by reacting tetracarboxylic dianhydrides with diamines and can be obtained as described in JP-A-2010-97188.

[M] 폴리이미드는, 그 전구체인 폴리암산이 갖고 있던 암산 구조의 모든 것을 탈수 폐환한 완전 이미드화물이라도 좋고, 암산 구조의 일부만을 탈수 폐환하여, 암산 구조와 이미드환 구조가 병존하는 부분 이미드화물이라도 좋다. [M] 폴리이미드는, 그 이미드화율이 30% 이상인 것이 바람직하고, 50%∼99%인 것이 보다 바람직하고, 65%∼99%인 것이 보다 바람직하다. 이 이미드화율은, 폴리이미드의 암산 구조의 수와 이미드환 구조의 수와의 합계에 대한 이미드환 구조의 수가 차지하는 비율을 백분율로 나타낸 것이다. 여기에서, 이미드환의 일부가 이소이미드환이라도 좋고, 예를 들면, 일본공개특허공보 2010-97188호에 기재된 바와 같이 하여 얻을 수 있다.The [M] polyimide may be a completely imidized product in which all of the arboric acid structure of the polyamic acid which is a precursor thereof is dehydrated and cyclized, and only a part of the arboric acid structure is subjected to dehydration ring closure, It may be de cargo. The [M] polyimide preferably has an imidization rate of 30% or more, more preferably 50% to 99%, and still more preferably 65% to 99%. The imidization rate is a percentage of the ratio of the number of imide ring structures to the sum of the number of amide structure and the number of imide ring structure of polyimide. Here, a part of the imide ring may be an isoimide ring or may be obtained, for example, as described in JP-A-2010-97188.

[[N] 그 외의 성분][[N] other ingredients]

본 실시 형태의 액정 배향제는, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드 이외의 [N] 그 외의 성분을 함유할 수 있다. [N] 그 외의 성분으로서는, 예를 들면, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체 및 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드 이외의 중합체, 경화제, 경화 촉매, 경화 촉진제, 에폭시 화합물, 관능성 실란 화합물, 계면활성제, 광증감제 등을 들 수 있다.The liquid crystal aligning agent of the present embodiment may contain other components than the radiation sensitive polymer having a photo aligning group and the polyimide having no photo aligning group. [N] Other components include, for example, a polymer other than the [L] radiation-sensitive polymer having a photo-aligning group and the [M] polyimide having no photo-aligning group, a curing agent, a curing catalyst, a curing accelerator, A silane compound, a silane compound, a surfactant, and a photosensitizer.

이상, 본 실시 형태의 어레이 기판의 주요한 구성 요소에 대해서 설명했지만, 다음으로, 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다. The main components of the array substrate of the present embodiment have been described above. Next, a method of manufacturing the array substrate of this embodiment will be described.

<절연막, 배향막 및 어레이 기판의 제조 방법>&Lt; Insulating Film, Orientation Film, and Manufacturing Method of Array Substrate &

본 실시 형태의 어레이 기판의 제조에 있어서는, 전술한 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물로부터 절연막을 제조하는 공정이 주요한 공정으로서 포함된다. 이 절연막의 제조 공정에 의해, 콘택트홀이 형성된 절연막이 형성된다. 그리고, 본 실시 형태의 어레이 기판 상에 배향막을 형성하기 위해, 전술의 본 실시 형태의 액정 배향제로부터 배향막을 형성하는 공정이 제조 공정으로서 포함된다. 이하, 절연막과 배향막을 갖는 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다.In the production of the array substrate of the present embodiment, the main step includes a step of producing the insulating film from the radiation sensitive resin composition of the present embodiment described above. The insulating film on which the contact hole is formed is formed by this insulating film manufacturing process. In order to form an alignment film on the array substrate of the present embodiment, a step of forming an alignment film from the above-described liquid crystal aligning agent of the present embodiment is included as a manufacturing step. Hereinafter, a manufacturing method of the array substrate of the present embodiment having the insulating film and the alignment film will be described.

본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에서는, 기판 상에 절연막이 형성되고, 적어도 하기의 공정 [1]∼공정 [4]를 하기의 순서로 포함하는 것이 바람직하다. 그리고, 어레이 기판 상에 배향막을 형성하기 위해, 공정 [4]도 후에 공정 [5]를 포함하는 것이 바람직하다.In the method of manufacturing an array substrate according to the present embodiment, it is preferable that an insulating film is formed on a substrate and at least the following steps [1] to [4] are included in the following order. Further, in order to form an alignment film on the array substrate, it is preferable to include the step [5] after the step [4].

[1] 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 스위칭 능동 소자 및 전극 등(소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 소스 배선 및, 게이트 배선 등을 의미함. 이하, 전극 등으로 총칭하는 경우가 있음)이 형성된 기판 상에 형성하는 공정(이하, 「[1] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[1] The coating film of the radiation-sensitive resin composition is referred to as a switching active element, an electrode or the like (sometimes referred to as an electrode or the like hereinafter as a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a source wiring, (Hereinafter sometimes referred to as &quot; [1] step &quot;),

[2] [1] 공정에서 형성된 감방사선성 수지 조성물의 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정(이하, 「[2] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[2] A process for irradiating at least a part of a coating film of a radiation-sensitive resin composition formed in the step [1] (hereinafter sometimes referred to as "step [2]")

[3] [2] 공정에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정(이하, 「[6] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[3] A process for developing a coating film irradiated with radiation in the process [2] (hereinafter sometimes referred to as "process [6]")

[4] [3] 공정에서 현상된 도막을 200℃ 이하에서 경화하여 절연막을 형성하는 공정(이하, 「[4] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[4] The step of forming the insulating film by curing the coated film at a temperature of 200 ° C or less (hereinafter sometimes referred to as "step [4]") in the step [3]

[5] 액정 배향제의 도막을 [4] 공정에서 경화된 절연막을 갖는 기판에 형성하고, 그 도막을 200℃ 이하에서 가열하여 배향막을 형성하는 공정(이하, 「[5] 공정」이라고 칭하는 경우가 있음)[5] A step of forming a coating film of a liquid crystal aligning agent on a substrate having a cured insulating film in the step [4] and heating the coating film at a temperature of 200 ° C or lower to form an alignment film (hereinafter referred to as "step [5] )

그리고, 상기 [4] 공정과 [5] 공정의 사이에, [4] 공정에서 형성된 절연막의 위에 투명 전극을 형성하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.Between the steps [4] and [5], it is preferable to have a step of forming a transparent electrode on the insulating film formed in the step [4].

이상의 각 공정을 포함하는, 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 의해, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 스위칭 능동 소자나 전극 등이 형성된 기판 상에, 콘택트홀을 구비한 절연막을 형성할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 액정 배향제를 이용하여 기판 상에 배향막을 형성할 수 있다. 그 결과, 본 실시 형태의 어레이 기판의 제조 방법에 의해, 소망하는 사이즈의 콘택트홀이 소망하는 위치에 형성된 절연막을 갖고, 저온에서 형성된 절연막을 갖는 본 실시 형태의 어레이 기판을 형성할 수 있다.By the method of manufacturing the array substrate according to the present embodiment including each of the above steps, the radiation sensitive resin composition of the present embodiment can be used to form on the substrate on which the switching active elements, electrodes, and the like are formed, Can be formed. An alignment film can be formed on the substrate using the liquid crystal aligning agent of the present embodiment. As a result, the array substrate of the present embodiment having the insulating film formed at a desired position of the contact hole of a desired size and having the insulating film formed at a low temperature can be formed by the manufacturing method of the array substrate of this embodiment.

이상과 같이 하여 제조되는 어레이 기판은, 에너지 절약의 관점에서 가열 공정의 저온화가 요망되는 경우에 있어서도 적합한 어레이 기판이 된다.The array substrate manufactured as described above is an array substrate which is also suitable for the case where it is desired to lower the temperature of the heating process from the viewpoint of energy saving.

이하, 각 공정에 대해서 상술한다.Each step will be described in detail below.

[[1] 공정][[1] Process]

본 공정에서는 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성한다. 이 기판에는, 스위칭 능동 소자, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 소스 배선 및, 게이트 배선 등이 형성되어 있다. 이들 스위칭 능동 소자 등은, 기판 상, 통상의 반도체막 성막과, 공지의 절연막 성막과, 포토리소그래피법에 의한 에칭을 반복하는 등 공지의 방법에 의해 형성된 것이다.In this step, a coating film of the radiation sensitive resin composition of the present embodiment is formed on a substrate. A switching active element, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a source wiring, a gate wiring, and the like are formed on this substrate. These switching active elements and the like are formed by a known method such as repeating etching on a substrate by a normal semiconductor film forming film, a known insulating film forming film, and a photolithography method.

이 기판의 스위칭 능동 소자 등의 형성면에, 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 프리베이킹을 행하여 용매를 증발시켜, 도막을 형성한다.A radiation-sensitive resin composition is coated on the surface of the substrate such as a switching active element and the like, followed by pre-baking to evaporate the solvent to form a coating film.

기판의 재료로서는, 예를 들면, 소다 라임 유리나 무알칼리 유리 등의 유리, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기판에는, 소망에 의해 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 적절한 전처리를 시행해 둘 수도 있다.Examples of the material of the substrate include glass such as soda lime glass and alkali-free glass, silicon, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, aromatic polyamide, polyamideimide, polyimide, . These substrates may be subjected to appropriate pretreatment such as chemical treatment with a silane coupling agent or the like, plasma treatment, ion plating, sputtering, vapor phase reaction, vacuum deposition or the like, if desired.

감방사선성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법 또는 스피너법이라고 칭하는 경우도 있음), 슬릿 도포법(슬릿 다이 도포법), 바 도포법, 잉크젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중, 스핀 코팅법 또는 슬릿 도포법이 바람직하다.Examples of the application method of the radiation sensitive resin composition include a spray method, a roll coating method, a spin coating method (sometimes referred to as a spin coating method or a spinner method), a slit coating method (slit die coating method) Method, an inkjet coating method, or the like can be employed. Of these, a spin coating method or a slit coating method is preferable.

전술의 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 70℃∼120℃가 바람직하고, 1분간∼15분간 정도이다. 도막의 프리베이킹 후의 막두께는, 0.5㎛∼10㎛가 바람직하고, 1.0㎛∼7.0㎛정도가 보다 바람직하다.The above-described prebaking conditions are preferably 70 deg. C to 120 deg. C, and vary from 1 minute to 15 minutes, depending on the kind of each component and the blending ratio. The thickness of the coating film after pre-baking is preferably 0.5 to 10 mu m, more preferably 1.0 to 7.0 mu m.

[[2] 공정][[2] Process]

이어서, [1] 공정에서 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 이때, 도막의 일부에만 조사할 때에는, 예를 들면, 소망하는 콘택트홀의 형성에 대응하는 패턴의 포토마스크를 개재하여 조사하는 방법에 의할 수 있다. Subsequently, at least a part of the coating film formed in the step [1] is irradiated with radiation. At this time, in the case of irradiating only a part of the coated film, for example, a method of irradiating through a photomask of a pattern corresponding to the formation of a desired contact hole can be adopted.

조사에 사용되는 방사선으로서는, 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 들 수 있다. 이 중 파장이 200㎚∼550㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다.Examples of the radiation used for the irradiation include visible light, ultraviolet light, and far ultraviolet light. Among them, radiation having a wavelength in the range of 200 nm to 550 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable.

방사선 조사량(노광량)은, 조사되는 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI model 356, Optical Associates Inc.제)에 의해 측정한 값으로서, 10J/㎡∼10,000J/㎡이며, 100J/㎡∼5,000J/㎡가 바람직하고, 200J/㎡∼3,000J/㎡가 보다 바람직하다.The radiation dose (exposure dose) is a value measured by a light meter (OAI model 356, manufactured by Optical Associates Inc.) of the irradiated radiation at a wavelength of 365 nm in a range of 10 J / m 2 to 10,000 J / M 2 to 5,000 J / m 2, and more preferably from 200 J / m 2 to 3,000 J / m 2.

본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막의 형성에 이용되는 감방사선성 수지 조성물은, 종래 알려져 있는 절연막 형성의 조성물과 비교하여 방사선 감도가 높고, 상기 방사선 조사량이 700J/㎡ 이하, 나아가서는 600J/㎡ 이하라도 소망하는 막두께, 양호한 형상, 우수한 밀착성 및 높은 경도의 절연막을 얻을 수 있는 이점을 갖는다.The radiation-sensitive resin composition used for forming the insulating film of the array substrate of the present embodiment has a radiation sensitivity higher than 700 J / m 2, more preferably not more than 600 J / m 2 It has an advantage that an insulating film having a desired film thickness, good shape, excellent adhesion, and high hardness can be obtained.

[[3] 공정][3] Process

다음으로, 방사선 조사 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하고, 소정의 형상을 갖고, 소망하는 콘택트홀이 형성된 도막을 얻는다. Next, the coating film after irradiation with the radiation is developed to remove unnecessary portions, thereby obtaining a coated film having a desired shape and a desired contact hole.

 현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨 등의 무기 알칼리나, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드 등의 4급 암모늄염이나, 콜린, 1,8-디아자바이사이클로-[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자바이사이클로-[4.3.0]-5-노넨 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. 전술의 알칼리성 화합물의 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 또한, 계면활성제를 그것만으로, 또는, 전술의 수용성 유기 용매를 첨가함과 함께, 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다.Examples of the developer used in the development include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and sodium carbonate, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, -Diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [4.3.0] -5-nonene and the like can be used. A water-soluble organic solvent such as methanol, ethanol or the like may be added in an appropriate amount to the above-described aqueous solution of the alkaline compound. The surfactant may be used alone or in an appropriate amount by adding the above-described water-soluble organic solvent.

현상 방법으로서는, 퍼들법, 디핑법, 샤워법, 스프레이법 등의 어느 것이라도 좋고, 현상 시간은, 상온에서 5초간∼300초간이며, 바람직하게는 상온에서 10초간∼180초간 정도이다. 현상 처리에 이어서, 예를 들면, 유수 세정을 30초간∼90초간 행한 후, 압축 공기나 압축 질소로 풍건함으로써 소망하는 패턴이 얻어진다.As the developing method, any of a puddle method, a dipping method, a shower method and a spray method may be used. The developing time is from 5 seconds to 300 seconds at room temperature, preferably from 10 seconds to 180 seconds at room temperature. Following the developing treatment, for example, water washing is carried out for 30 seconds to 90 seconds, followed by air drying with compressed air or compressed nitrogen to obtain a desired pattern.

[[4] 공정][4] Process

이어서, [3] 공정에서 얻어진 도막을, 핫 플레이트, 오븐 등의 적당한 가열 장치에 의해 경화(포스트베이킹이라고도 말함)함으로써, 경화막으로서 절연막이 얻어진다. 절연막에는 소망 배치의 콘택트홀이 형성되어 있다. 경화 온도로서는, 200℃ 이하가 바람직하다. 그리고, 180℃ 이하라도 충분한 특성의 절연막이 얻어진다. 구체적으로는, 100℃∼200℃가 바람직하고, 저온 경화와 신뢰성능을 높은 레벨로 양립시키려고 하는 경우, 150℃∼180℃가 보다 바람직하다. 경화 시간으로서는, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서는 5분간∼30분간, 오븐 안에서는 30분간∼180분간이 바람직하다. 감방사선성 수지 조성물은, 전술한 바와 같이 [D] 화합물을 함유하기 때문에, 이와 같이 낮은 저온 경화를 실현할 수 있다. 아울러, 보존 안정성을 실현함과 함께, 충분한 방사선 감도 및 해상도를 갖는다.Subsequently, the coating film obtained in the process [3] is cured (also referred to as post-baking) by a suitable heating apparatus such as a hot plate or an oven to obtain an insulating film as a cured film. A contact hole of a desired arrangement is formed in the insulating film. The curing temperature is preferably 200 DEG C or less. An insulating film having sufficient characteristics can be obtained even at 180 캜 or less. Concretely, 100 ° C to 200 ° C is preferable, and 150 ° C to 180 ° C is more preferable when low-temperature curing and reliable performance are intended to be compatible at a high level. As the curing time, for example, it is preferably 5 minutes to 30 minutes on a hot plate, and 30 minutes to 180 minutes in an oven. Since the radiation-sensitive resin composition contains the [D] compound as described above, such low-temperature curing can be realized. In addition, it realizes storage stability and has sufficient radiation sensitivity and resolution.

따라서, 감방사선성 수지 조성물은, 콘택트홀을 갖는 절연막의 형성 재료로서 적합하게 이용되고, 본 실시 형태의 어레이 기판의 절연막을 형성할 수 있다.Accordingly, the radiation sensitive resin composition is suitably used as a material for forming an insulating film having a contact hole, and can form an insulating film of the array substrate of the present embodiment.

그리고, [4] 공정에서 절연막을 형성한 후, 그 절연막의 위에 투명 전극을 형성하는 공정을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 스퍼터링법 등을 이용하여, 절연막의 위에, ITO로 이루어지는 투명 도전층을 형성할 수 있다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용하여 이 투명 도전층을 에칭하고, 절연막 상에 투명 전극을 형성할 수 있다. 투명 전극은 화소 전극을 구성하고, 절연막의 콘택트홀을 개재함으로써, 기판 상의 스위칭 능동 소자와의 전기적 접속을 가능하게 한다. 또한, 투명 전극은, ITO 외, 가시광에 대한 높은 투과율과 도전성을 갖는 투명한 재료를 이용하여 구성할 수 있다. 예를 들면, IZO(Indium Zinc Oxide)나, ZnO(산화 아연)나, 산화 주석 등을 이용하여 구성할 수 있다.It is preferable to have a step of forming an insulating film in the step [4], and then forming a transparent electrode on the insulating film. For example, a transparent conductive layer made of ITO can be formed on the insulating film by sputtering or the like. Subsequently, the transparent conductive layer is etched by photolithography, and a transparent electrode can be formed on the insulating film. The transparent electrode constitutes a pixel electrode, and enables the electrical connection with the switching active element on the substrate by interposing the contact hole of the insulating film. Further, the transparent electrode can be formed using a transparent material having high transmittance and conductivity for visible light besides ITO. For example, IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO (zinc oxide), tin oxide, or the like.

[[5] 공정][5] Process

[4] 공정에서 얻어진 절연막이 부착된 기판을 이용하여, 전술한 바와 같이 절연막 상에 투명 전극을 형성한 후, 투명 전극 상에, 본 실시 형태의 액정 배향제를 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들면, 롤 코터법, 스피너법, 인쇄법, 잉크젯법 등의 적절한 도포 방법을 이용할 수 있다. 이어서, 액정 배향제의 도포된 기판을 프리베이킹하고, 그 후, 포스트베이킹함으로써 도막을 형성하고, 어레이 기판을 제조한다. 프리베이킹 조건으로서는, 예를 들면, 40℃∼120℃에서 0.1분간∼5분간이다. 포스트베이킹 조건으로서는, 바람직하게는 120℃∼230℃, 보다 바람직하게는 150℃∼200℃, 더욱 바람직하게는 150℃∼180℃에서, 바람직하게는 5분간∼200분간, 보다 바람직하게는 10분간∼100분간이다. 포스트베이킹 후의 도막의 막두께는, 바람직하게는 0.001㎛∼1㎛이며, 보다 바람직하게는 0.005㎛∼0.5㎛이다.After the transparent electrode is formed on the insulating film as described above using the substrate having the insulating film obtained in the step [4], the liquid crystal aligning agent of the present embodiment is coated on the transparent electrode. As a coating method, for example, a suitable coating method such as a roll coater method, a spinner method, a printing method, and an inkjet method can be used. Subsequently, the substrate coated with the liquid crystal aligning agent is pre-baked, and thereafter, post-baked to form a coated film, thereby fabricating an array substrate. The prebaking condition is, for example, at 40 to 120 캜 for 0.1 to 5 minutes. The post-baking conditions are preferably 120 to 230 占 폚, more preferably 150 to 200 占 폚, and even more preferably 150 to 180 占 폚, preferably 5 to 200 minutes, more preferably 10 minutes ~ 100 minutes. The film thickness of the coated film after post-baking is preferably 0.001 mu m to 1 mu m, more preferably 0.005 mu m to 0.5 mu m.

액정 배향제를 도포할 때에 사용되는 액정 배향제의 고형분 농도(액정 배향제의 용매 이외의 성분의 합계 질량이 액정 배향제의 전체 질량에서 차지하는 비율)는, 점성, 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택되지만, 바람직하게는 1질량%∼10질량%의 범위이다.The solid concentration of the liquid crystal aligning agent (ratio of the total mass of the components other than the solvent of the liquid crystal aligning agent in the total mass of the liquid crystal aligning agent) used when applying the liquid crystal aligning agent is suitably selected in consideration of viscosity, , But preferably ranges from 1% by mass to 10% by mass.

액정 배향제로서, 광배향성기를 갖는 [L] 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하는 경우는, 전술의 도막에 직선 편광 또는 부분 편광된 방사선, 또는 비편광의 방사선을 조사함으로써, 액정 배향능을 부여한다. 이러한 편광 방사선의 조사는, 배향막의 배향 처리에 대응한다. 여기에서, 방사선으로서는, 예를 들면, 150㎚∼800㎚의 파장의 빛을 포함하는 자외선 및 가시광선을 이용할 수 있다. 특히, 방사선으로서는, 300㎚∼400㎚의 파장의 빛을 포함하는 자외선이 바람직하다. 사용하는 방사선이 직선 편광 또는 부분 편광하고 있는 경우에는, 조사는 기판면에 수직인 방향으로부터 행해도, 프리틸트각을 부여하기 위해 경사 방향으로부터 행해도 좋고, 또한, 이들을 조합하여 행해도 좋다. 비편광의 방사선을 조사하는 경우에는, 조사의 방향은 경사 방향일 필요가 있다.When a liquid crystal aligning agent comprising a [L] radiation-sensitive polymer having a photo-aligning group is used as the liquid crystal aligning agent, the aforementioned coating film is irradiated with linearly polarized or partially polarized radiation or non-polarized radiation, . The irradiation of the polarized radiation corresponds to the alignment treatment of the alignment film. As the radiation, for example, ultraviolet rays and visible rays including light having a wavelength of 150 nm to 800 nm can be used. In particular, ultraviolet rays containing light having a wavelength of 300 nm to 400 nm are preferable as the radiation. When the radiation to be used is linearly polarized light or partially polarized light, the irradiation may be performed from a direction perpendicular to the substrate surface, or may be performed from an oblique direction to give a pretilt angle, or may be performed in combination. In the case of irradiating non-polarized radiation, the irradiation direction needs to be inclined.

방사선의 조사량으로서는, 바람직하게는 1J/㎡ 이상 10,000J/㎡ 미만이며, 보다 바람직하게는 10J/㎡∼3,000J/㎡이다.The irradiation dose of the radiation is preferably 1 J / m 2 or more and less than 10,000 J / m 2, and more preferably 10 J / m 2 to 3,000 J / m 2.

액정 배향제로서, 광배향성기를 갖지 않는 [M] 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제를 이용하는 경우는, 포스트베이킹 후의 도막을 그대로 배향막으로서 사용할 수 있다. 그리고, 필요에 따라서 포스트베이킹 후의 도막에 대하여, 예를 들면, 나일론, 레이온, 코튼 등의 섬유로 이루어지는 천을 휘감은 롤로 일정 방향으로 문지르는 처리(러빙 처리)를 시행하여, 액정 배향능을 부여하는 것도 가능하다.When a liquid crystal aligning agent containing [M] polyimide having no photo-aligning group is used as the liquid crystal aligning agent, the post-baked coating film can be used as the alignment film as it is. If desired, the coating film after post-baking may be subjected to a rubbing treatment (rubbing treatment) in a predetermined direction with a roll formed of a fiber such as nylon, rayon or cotton to give a liquid crystal aligning ability Do.

이상과 같이, 어레이 기판 상에 배향막을 형성하는 경우, 전술의 액정 배향제를 사용하여, 200℃ 이하의 가열 온도, 또한, 180℃ 이하의 가열 온도에서 배향막을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 전술한 [1] 공정∼[4] 공정에서 형성된 절연막이, 배향막의 형성 공정에서 고온 상태에 노출되는 것을 피할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 어레이 기판은, 절연막과 배향막을 가질 수 있어, 200℃ 이하의 저온 경화에 의한 제조가 가능하다.As described above, when an alignment film is formed on an array substrate, it is possible to form an alignment film at a heating temperature of 200 DEG C or less and a heating temperature of 180 DEG C or less by using the above-mentioned liquid crystal aligning agent. Therefore, the insulating film formed in the above-described [1] to [4] steps can be prevented from being exposed to the high temperature state in the formation step of the alignment film. The array substrate of the present embodiment can have an insulating film and an orientation film, and can be manufactured by low-temperature curing at 200 占 폚 or less.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 기초하여 본 발명의 실시 형태를 상술하지만, 이 실시예에 의해 본 발명이 한정적으로 해석되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail on the basis of examples, but the present invention is not limited to these examples.

<감방사선성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of radiation-sensitive resin composition >

실시예 1Example 1

[[A] 알칼리 가용성 수지 (A-I)의 합성][Synthesis of [A] alkali-soluble resin (A-I)] [

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 메타크릴산 16질량부, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 16질량부, 메틸메타크릴레이트 38질량부, 스티렌 10질량부, 메타크릴산 글리시딜 20질량부를 넣고, 질소 치환한 후, 온화하게 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 4시간 보존유지하여 중합함으로써, 공중합체 (A-I)를 함유하는 용액을 얻었다(고형분 농도=34.4질량%, Mw=8,000, Mw/Mn=2.3). 또한, 고형분 농도는 공중합체 용액의 전체 질량에서 차지하는 공중합체 질량의 비율을 의미한다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 16 parts by mass of methacrylic acid, 16 parts by mass of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, 38 parts by mass of methyl methacrylate, 10 parts by mass of styrene, glycidyl methacrylate 20 (A1) was obtained by heating the solution to 70 DEG C while gently stirring the solution, and maintaining the temperature at that temperature for 4 hours to obtain a solution containing the copolymer (AI) (solid concentration = 34.4 mass%, Mw = 8,000, Mw / Mn = 2.3). Also, the solid concentration means the ratio of the copolymer mass in the total mass of the copolymer solution.

실시예 2Example 2

[감방사선성 수지 조성물의 조제][Preparation of radiation-sensitive resin composition]

 [A] 알칼리 가용성 수지인 실시예 1에서 얻어진 공중합체 (A-I) 100질량부에 대하여, [B] 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트를 100질량부, [C] 중합개시제로서 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어(IRUGACURE) OXE02, 치바·스페셜티·케미컬 가부시키가이샤)를 5질량부 및, [D] 화합물로서 4,4'-디아미노디페닐술폰을 혼합하고, 추가로 접착 조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5질량부, 계면활성제(FTX-218, 가부시키가이샤 네오스) 0.5질량부, 보존 안정제로서 4-메톡시페놀 0.5질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량%가 되도록, 각각 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 더한 후, 공경 0.5㎛의 밀리포어 필터로 여과함으로써, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다.(B) 100 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate as the polymerizable compound [B] was added to 100 parts by mass of the copolymer (AI) obtained in Example 1, which was the alkali-soluble resin [A] -1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime) (IRUGACURE OXE02, Chiba Specialty Chemicals Co., 5 parts by mass as a [D] compound and 4,4'-diaminodiphenylsulfone as a [D] compound were mixed, and further, 5 parts by mass of? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane as a bonding assistant, FTX-218, NEOS Co., Ltd.), and 0.5 mass part of 4-methoxyphenol as a storage stabilizer were mixed and propylene glycol monomethyl ether acetate was added thereto so as to have a solid content concentration of 30 mass% Of a Millipore filter to prepare a radiation-sensitive resin composition.

<절연막의 형성과 평가>&Lt; Formation and evaluation of insulating film &

실시예 3Example 3

[절연막의 형성][Formation of insulating film]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 2에서 조제한 감방사선성 수지 조성물의 용액을 스피너에 의해 도포한 후, 100℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 막두께 4.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 700J/㎡로 하여 방사선 조사를 행했다. 이어서, 오븐 안에서 180℃의 경화 온도 및 30분간의 경화 시간에서 포스트베이킹함으로써 절연막을 형성했다.The solution of the radiation sensitive resin composition prepared in Example 2 was coated on a non-alkali glass substrate by a spinner and then prebaked on a hot plate at 100 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 4.0 탆. Subsequently, the obtained coating film was irradiated with a high-pressure mercury lamp at an exposure dose of 700 J / m 2. Subsequently, post baking was performed in an oven at a curing temperature of 180 캜 and a curing time of 30 minutes to form an insulating film.

실시예 4Example 4

보존 안정성의 평가Evaluation of storage stability

조제 직후의 실시예 2의 감방사선성 수지 조성물로부터, 실시예 3의 형성 방법에 의해 절연막을 형성하고, 막두께를 측정했다(하기식에 있어서, 「조제 직후의 막두께」라고 칭함). 또한, 실시예 2의 방법에 의해 조제한 후, 5일간 25℃에서 감방사선성 수지 조성물 용액을 보존하고, 5일 후에 동일하게 형성한 절연막의 막두께를 측정했다(하기식에 있어서, 「5일 후의 막두께」라고 칭함). 막두께 증가율(%)을 하기식으로부터 산출했다.An insulating film was formed from the radiation sensitive resin composition of Example 2 immediately after the preparation by the forming method of Example 3 and the film thickness was measured (hereinafter referred to as &quot; film thickness immediately after preparation &quot; After preparing by the method of Example 2, the solution of the radiation-sensitive resin composition was stored at 25 占 폚 for 5 days, and the film thickness of the same insulating film formed after 5 days was measured (in the following formula, Film thickness &quot; hereinafter). The film thickness increase rate (%) was calculated from the following equation.

막두께 증가율(%)={(5일 후의 막두께―조제 직후의 막두께)/(조제 직후의 막두께)}×100Film thickness increase rate (%) = {(Film thickness after 5 days-Film thickness immediately after preparation) / (Film thickness immediately after preparation)} x 100

막두께 증가율이 3% 이하이며, 보존 안정성은 양호라고 판단했다.It was judged that the film thickness increase rate was 3% or less and the storage stability was good.

내광성의 평가Evaluation of Light Resistance

실시예 3의 형성 방법에 의한 절연막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516 S1JS01, 우시오 덴키 가부시키가이샤)로 130mW의 조도로 800,000J/㎡ 조사하여, 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2% 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.The insulating film formed by the forming method of Example 3 was further irradiated with 800,000 J / m 2 at an illuminance of 130 mW with a UV irradiator (UVX-02516 S1JS01, Ushio Denki Kabushiki Kaisha) to investigate the film reduction amount. The film reduction was 2% or less, and the light resistance was judged to be good.

내열성의 평가Evaluation of heat resistance

실시예 3의 형성 방법에 의한 절연막에 대해서, 추가로 오븐 안, 230℃에서 20분 가열하고, 이 가열 전후에서의 막두께를 촉침(觸針)식 막두께 측정기(알파스텝(ALPHA-STEP)IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하여, 이 잔막률을 내열성으로 했다. 잔막률은 99%이며, 내열성은 양호라고 판단했다.The insulating film formed by the forming method of Example 3 was further heated in an oven at 230 DEG C for 20 minutes and the film thickness before and after this heating was measured with a stylus type film thickness meter (ALPHA-STEP) IQ, KLA Tencor Co.). Then, the residual film ratio ((film thickness after treatment / film thickness before treatment) x 100) was calculated, and the residual film ratio was regarded as heat resistance. The residual film ratio was 99%, and the heat resistance was judged to be good.

내약품성의 평가Evaluation of Chemical Resistance

실시예 3의 형성 방법에 의한 절연막에 대해서, 60℃로 가온한 배향막 박리액 케미클린(CHEMICLEAN)TS-204(산요카세이고교 가부시키가이샤) 중에 15분 침지하고, 물세정 후, 추가로 오븐 안, 120℃에서 15분 건조시켰다. 이 처리 전후의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정하여, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하여, 이 잔막률을 내약품성으로 했다. 잔막률은 99%이며, 내약품성은 양호라고 판단했다.The insulating film formed by the forming method of Example 3 was immersed in an orientation film peeling liquid CHEMICLEAN TS-204 (Sanyo Chemical Industries, Ltd.) heated at 60 캜 for 15 minutes, washed with water, , And dried at 120 DEG C for 15 minutes. The film thickness before and after this treatment was measured with a contact type film thickness meter (Alpha Step IQ, KLA Tencor Co.) to calculate the residual film ratio ((film thickness after processing / film thickness before processing) x 100) I made it with chemical resistance. The residual film ratio was 99%, and the chemical resistance was judged to be good.

해상도의 평가Evaluation of resolution

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 2에서 조제한 감방사선성 수지 조성물의 용액을 스피너에 의해 도포한 후, 100℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 막두께 4.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 직경 6㎛∼15㎛의 범위가 상이한 크기의 복수의 환(丸) 형상 잔재 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 고압 수은 램프를 이용하여 노광량을 700J/㎡로하여 방사선 조사를 행했다. 그 후, 0.40질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액을 이용하여 25℃에서 퍼들법에 의해 현상한 후, 순수 물세정을 1분간 행했다. 또한 오븐 안에서 180℃의 경화 온도 및 30분간의 경화 시간으로 포스트베이킹함으로써 패턴 형상 경화막으로서 절연막을 형성했다. 형성된 절연막을 평가한 결과, 8㎛ 이하의 포토마스크에 있어서 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되어, 해상도는 양호라고 판단했다.The solution of the radiation sensitive resin composition prepared in Example 2 was coated on a non-alkali glass substrate by a spinner and then prebaked on a hot plate at 100 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 4.0 탆. Subsequently, the obtained coating film was irradiated with a high-pressure mercury lamp through a photomask having a plurality of ring-shaped remnant patterns each having a diameter different from 6 탆 to 15 탆, with an exposure amount of 700 J / m 2 . Thereafter, a 0.40 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used for the development by the puddle method at 25 占 폚, followed by pure water rinsing for 1 minute. Further, post-baking was performed in an oven at a curing temperature of 180 ° C and a curing time of 30 minutes to form an insulating film as a patterned cured film. As a result of evaluating the formed insulating film, it was confirmed that a pattern was formed in a photomask of 8 μm or less, and it was determined that the resolution was good.

<어레이 기판의 제조>&Lt; Fabrication of array substrate &

실시예 4Example 4

실시예 2에 의해 얻어진 감방사선성 수지 조성물의 용액을 사용하여, 스위칭 능동 소자나 전극 등이 형성된 기판 상에 슬릿 다이 코터로 도포했다. 이 기판에는, 스위칭 능동 소자, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 소스 배선 및, 게이트 배선 등이 형성되어 있다. 이들 스위칭 능동 소자 등은, 기판 상, 통상의 반도체막 성막과, 공지의 절연막 성막과, 포토리소그래피법에 의한 에칭을 반복하거나 하여 공지의 방법에 의해 형성된 것이다.The solution of the radiation-sensitive resin composition obtained in Example 2 was applied to a substrate having a switching active element, electrodes and the like formed thereon by a slit die coater. A switching active element, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a source wiring, a gate wiring, and the like are formed on this substrate. These switching active elements and the like are formed by a known method by repeating etching on a substrate by a conventional semiconductor film forming film, a known insulating film forming film, and a photolithography method.

다음으로, 핫 플레이트 상에서 90℃, 5분간 프리베이킹하여 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 대하여, 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 700J/㎡로서 방사선 조사를 행했다. 그 후, 0.40질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액을 이용하여 25℃에서 퍼들법에 의해 현상한 후, 순수 물세정을 1분간 행했다. 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하여, 콘택트홀이 형성된 소정의 형상의 도막을 형성했다. 또한 오븐 안에서 180℃로 60분간 가열 처리하고, 막두께가 4.0㎛의 절연막을 형성했다.Next, the coating film was pre-baked on a hot plate at 90 DEG C for 5 minutes to form a coating film. Subsequently, the resulting coating film was irradiated with a high-pressure mercury lamp through a photomask having a pattern at an exposure dose of 700 J / m 2. Thereafter, a 0.40 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used for the development by the puddle method at 25 占 폚, followed by pure water rinsing for 1 minute. By developing, unnecessary portions were removed to form a coating film having a predetermined shape in which a contact hole was formed. Further, the film was heated in an oven at 180 DEG C for 60 minutes to form an insulating film having a film thickness of 4.0 mu m.

이어서, 절연막이 형성된 기판에 대해서, 스퍼터링법을 이용하여, 절연막의 위에 ITO로 이루어지는 투명 도전층을 형성했다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용하여 투명 도전층을 에칭하고, 절연막 상에 투명 전극을 형성했다. Subsequently, on the substrate on which the insulating film was formed, a transparent conductive layer made of ITO was formed on the insulating film by sputtering. Subsequently, the transparent conductive layer was etched by photolithography, and a transparent electrode was formed on the insulating film.

이상과 같이 하여, 본 실시예의 어레이 기판을 제조했다. 얻어진 본 실시예의 어레이 기판에서는, 절연막의 소망하는 위치에 소망하는 사이즈의 콘택트홀이 형성되어 있어, 투명 전극과 드레인 전극과의 전기적인 접속이 실현되어 있었다.Thus, the array substrate of this embodiment was manufactured. In the obtained array substrate of the present embodiment, a contact hole of a desired size was formed at a desired position of the insulating film, so that electrical connection between the transparent electrode and the drain electrode was realized.

실시예 5Example 5

[광배향막을 갖는 어레이 기판의 제조][Production of array substrate having photo alignment layer]

본 실시예에 있어서는, 실시예 4에서 얻어진 어레이 기판을 이용하여, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 광배향막을 형성한다.In this embodiment, a photo alignment film is formed using the liquid crystal aligning agent containing a radiation-sensitive polymer having a photo-aligning group by using the array substrate obtained in Example 4. [

먼저, 실시예 4의 어레이 기판의 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제로서, 국제 공개(WO) 제2009/025386호의 실시예 6에 기재된 액정 배향제 A-1을 스피너에 의해 도포한다. 이어서, 80℃의 핫 플레이트에서 1분간 프리베이킹을 행한 후, 내부를 질소 치환한 오븐 안, 180℃에서 1시간 가열하여 막두께 80㎚의 도막을 형성했다. 이어서, 이 도막 표면에, Hg-Xe 램프 및 글랜 테일러 프리즘을 이용하여 313㎚의 휘선을 포함하는 편광 자외선 200J/㎡를, 기판 표면에 수직인 방향에 대하여 40°경사진 방향으로부터 조사하고, 광배향막을 갖는 어레이 기판을 제조했다.First, as a liquid crystal aligning agent containing a radiation-sensitive polymer having a photo-aligning group, on the transparent electrode of the array substrate of Example 4, the liquid crystal aligning agent A-1 described in Example 6 of WO 2009/025386, 1 is applied by a spinner. Subsequently, the substrate was pre-baked on a hot plate at 80 DEG C for 1 minute, and then heated in an oven where the inside was replaced with nitrogen at 180 DEG C for 1 hour to form a coating film having a thickness of 80 nm. Subsequently, polarizing ultraviolet rays 200 J / m &lt; 2 &gt; including a bright line of 313 nm were irradiated onto the surface of the coating film from a direction inclined 40 DEG with respect to the direction perpendicular to the surface of the substrate using an Hg-Xe lamp and a Glane Taylor prism, An array substrate having an orientation film was produced.

실시예 6Example 6

[수직 배향막을 갖는 어레이 기판의 제조][Production of array substrate having vertical alignment film]

본 실시예에 있어서는, 실시예 4에서 얻어진 어레이 기판을 이용하여, 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 수직 배향막을 형성한다.In this embodiment, a vertical alignment film is formed using the liquid crystal aligning agent containing polyimide having no photo aligning group by using the array substrate obtained in Example 4. [

먼저, 실시예 4의 어레이 기판의 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제로서, 수직 배향막 형성용의 AL60101(JSR 가부시키가이샤 제)을 스피너에 의해 도포했다. 이어서, 80℃의 핫 플레이트에서 1분간 프리베이킹을 행한 후, 내부를 질소 치환한 오븐 안, 180℃에서 1시간 가열하여 막두께 80㎚의 도막을 형성하고, 수직 배향막을 갖는 어레이 기판을 제조했다.First, AL60101 (manufactured by JSR Corporation) for forming a vertical alignment film was applied as a liquid crystal aligning agent containing polyimide having no photo-aligning group on the transparent electrode of the array substrate of Example 4 by a spinner. Subsequently, the substrate was pre-baked on a hot plate at 80 DEG C for 1 minute, and then heated in an oven where the inside was replaced with nitrogen at 180 DEG C for 1 hour to form a coating film having a thickness of 80 nm to prepare an array substrate having a vertical alignment film .

<액정 표시 소자의 제조>&Lt; Production of liquid crystal display element &

실시예 7Example 7

실시예 5에서 얻어진 어레이 기판을 이용했다. 그리고, 공지의 방법에 의해 제조된 컬러 필터 기판을 준비했다. 이 컬러 필터 기판은, 투명 기판 상에 적색, 녹색 및 청색의 3색의 미소한 착색 패턴과 블랙 매트릭스가 격자 형상으로 배치되고, 착색 패턴 상에는 투명한 공통 전극이 배치되어 있다. 그리고, 컬러 필터 기판의 공통 전극의 위에 실시예 5에서 어레이 기판 상에 형성한 것과 동일한 광배향막을 형성하여, 배향막이 형성된 대향 기판으로 했다. 이들 한 쌍의 기판을 이용하여, TN 액정층을 협지하여, 컬러 액정 표시 소자를 제조했다. 본 실시예의 액정 표시 소자는, 전술한 도 3이 나타내는 액정 표시 소자와 동일한 구조를 갖는다. 본 실시예의 액정 표시 소자는, 우수한 동작 특성과 표시 특성과 신뢰 성능을 나타냈다.The array substrate obtained in Example 5 was used. Then, a color filter substrate manufactured by a known method was prepared. In this color filter substrate, a minute colored pattern of three colors of red, green, and blue and a black matrix are arranged in a lattice pattern on a transparent substrate, and a transparent common electrode is disposed on the colored pattern. Then, the same photo-alignment film as that formed on the array substrate in Example 5 was formed on the common electrode of the color filter substrate to obtain an opposing substrate having the alignment film formed thereon. Using the pair of substrates, the TN liquid crystal layer was sandwiched to manufacture a color liquid crystal display device. The liquid crystal display element of this embodiment has the same structure as the liquid crystal display element shown in Fig. 3 described above. The liquid crystal display element of this embodiment exhibited excellent operation characteristics, display characteristics, and reliability performance.

또한, 본 발명은 상기 각 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서, 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다. 예를 들면, 본 실시 형태의 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물을 구성하는 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로부터 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 이용하여, 퀴논디아지드 화합물 등의 감방사선성 산 생성 화합물과 함께 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 구성하고, 콘택트홀을 구비한 절연막을 저온 경화에 의해 형성 가능하게 하여, 어레이 기판을 제공하는 것이 가능하다. 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 절연막의 저온 경화가 가능해져, 소망하는 어레이 기판의 절연막 형성이 가능해진다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the gist of the present invention. For example, a constitution comprising a constituent unit formed from at least one kind selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carbonic anhydride constituting the negative type radiation sensitive resin composition of the present embodiment and an epoxy group-containing unsaturated compound Unit can be used to form a positive radiation-sensitive resin composition together with a radiation-sensitive acid-generating compound such as a quinone diazide compound, and an insulating film having a contact hole can be formed by low-temperature curing It is possible to provide an array substrate. The insulating film using the positive-type radiation sensitive resin composition can be cured at a low temperature, and an insulating film of a desired array substrate can be formed.

본 발명의 어레이 기판은, 저온 경화에 의해 용이하게 제조할 수 있고, 고신뢰성을 갖는다. 따라서, 본 발명의 어레이 기판은 우수한 표시 품위와 신뢰성이 요구되는 대형 액정 텔레비전용 등에 적합하게 사용할 수 있다.The array substrate of the present invention can be easily manufactured by low-temperature curing and has high reliability. Therefore, the array substrate of the present invention can be suitably used for a large-sized liquid crystal television in which excellent display quality and reliability are required.

1 : 어레이 기판
4, 11 : 기판
5 : 소스 전극
6 : 드레인 전극
7 : 게이트 전극
8 : 스위칭 능동 소자
9 : 투명 전극
10 : 배향막
12 : 절연막
13 : 블랙 매트릭스
14 : 공통 전극
15 : 착색 패턴
17 : 콘택트홀
18 : 소스 배선
19 : 게이트 배선
21 : 액정 표시 소자
22 : 컬러 필터 기판
23 : 액정층
27 : 백 라이트 광
28 : 편광판
1: array substrate
4, 11: substrate
5: source electrode
6: drain electrode
7: gate electrode
8: Switching active element
9: Transparent electrode
10: Orientation film
12: Insulating film
13: Black Matrix
14: common electrode
15: Coloring pattern
17: Contact hole
18: source wiring
19: gate wiring
21: Liquid crystal display element
22: Color filter substrate
23: liquid crystal layer
27: backlight light
28: polarizer

Claims (10)

스위칭 능동 소자와,
상기 스위칭 능동 소자 상에 배치된 절연막과,
상기 절연막에 형성된 콘택트홀과,
상기 콘택트홀을 개재하여 상기 스위칭 능동 소자와 전기적으로 접속된 화소 전극을 갖는 액정 표시 소자용의 어레이 기판으로서,
상기 절연막은,
[A] 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체,
[B] 중합성 화합물,
[C] 중합 개시제, 및
[D] 하기식 (1)로 나타나는 화합물 및 하기식 (2)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물
을 함유하는 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판:
Figure 112018096720883-pat00030

Figure 112018096720883-pat00031

(식 (1) 중, R1∼R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고, 그리고 상기 전자 흡인성기는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 알킬술포닐기, 알킬옥시술포닐기, 디시아노비닐기, 트리시아노비닐기 또는 술포닐기이며; 단, R1∼R6 중 적어도 1개는 상기 전자 흡인성기이고, 그리고 R1∼R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고;
식 (2) 중, R7∼R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7∼R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2∼6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).
A switching active element,
An insulating film disposed on the switching active element,
A contact hole formed in the insulating film,
And a pixel electrode electrically connected to the switching active element via the contact hole, the array substrate comprising:
Wherein,
[A] a copolymer comprising a constituent unit formed of at least one member selected from the group consisting of an unsaturated carbonic acid and an unsaturated carbonic anhydride, and a constituent unit formed from an epoxy group-containing unsaturated compound,
[B] the polymerizable compound,
[C] a polymerization initiator, and
[D] at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2)
Wherein the radiation-sensitive resin composition comprises:
Figure 112018096720883-pat00030

Figure 112018096720883-pat00031

(Wherein R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron attractive group or an amino group, and the electron attractive group is a halogen atom, An alkyloxysulfonyl group, a dicyanovinyl group, a tricyanovinyl group or a sulfonyl group, provided that at least one of R 1 to R 6 is the electron-withdrawing group and at least one of R 1 to R 6 The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in whole or part of the hydrogen atom;
In the formula (2), R 7 to R 16 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; The amino group may be substituted with all or a part of the hydrogen atoms by an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; A represents a single bond, a carbonyloxy group, a carbonylmethylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; Provided that all or part of the hydrogen atoms may be substituted with a cyano group, a halogen atom or a fluoroalkyl group).
제1항에 있어서,
상기 절연막의 위에 투명 전극을 갖고, 상기 투명 전극의 위에, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 얻어진 배향막을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method according to claim 1,
A liquid crystal aligning agent having a transparent electrode on the insulating film and having a liquid crystal aligning agent containing a radiation sensitive polymer having a photo aligning group and a liquid crystal aligning agent containing a polyimide having no photo aligning group, And an insulating layer formed on the substrate.
제2항에 있어서,
상기 배향막은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제를 이용하여 얻어진 배향막인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
3. The method of claim 2,
Wherein the alignment film is an alignment film obtained using a liquid crystal aligning agent comprising a radiation sensitive polymer having a photo aligning group.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 어레이 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.A liquid crystal display element comprising the array substrate according to any one of claims 1 to 3. [1] [A] 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 구성 단위 및 에폭시기 함유 불포화 화합물로 형성되는 구성 단위를 포함하는 공중합체,
[B] 중합성 화합물,
[C] 중합 개시제, 및
[D] 하기식 (1)로 나타나는 화합물 및 하기식 (2)로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물
을 함유하는 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 스위칭 능동 소자가 형성된 기판 상에 형성하는 공정,
[2] 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
[3] [2] 공정에서 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하여 콘택트홀이 형성된 도막을 얻는 공정, 및
[4] [3] 공정에서 얻어진 도막을 200℃ 이하에서 경화하여 절연막을 형성하는 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법:
Figure 112018096720883-pat00032

Figure 112018096720883-pat00033

(식 (1) 중, R1∼R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고, 그리고 상기 전자 흡인성기는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 알킬술포닐기, 알킬옥시술포닐기, 디시아노비닐기, 트리시아노비닐기 또는 술포닐기이며; 단, R1∼R6 중 적어도 1개는 상기 전자 흡인성기이고, 그리고 R1∼R6 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋고;
식 (2) 중, R7∼R16은, 각각 독립적으로 수소 원자, 전자 흡인성기 또는 아미노기이고; 단, R7∼R16 중 적어도 1개는 아미노기이고; 또한, 상기 아미노기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 탄소수 2∼6의 알킬렌기로 치환되어 있어도 좋고; A는, 단결합, 카보닐옥시기, 카보닐메틸렌기, 술피닐기, 술포닐기, 메틸렌기 또는 탄소수 2∼6의 알킬렌기이고; 단, 상기 메틸렌기 및 알킬렌기는, 수소 원자의 전부 또는 일부가 시아노기, 할로겐 원자 또는 플루오로알킬기로 치환되어 있어도 좋음).
[1] A resin composition comprising a copolymer comprising at least one structural unit selected from the group consisting of [A] an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic anhydride, and a constituent unit formed from an epoxy group-
[B] the polymerizable compound,
[C] a polymerization initiator, and
[D] at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2)
A step of forming a coating film of a radiation-sensitive resin composition containing a polymerizable compound on a substrate on which a switching active element is formed,
[2] a step of irradiating at least a part of the coated film of the radiation sensitive resin composition with radiation,
[3] A process for producing a coated film on which a contact hole is formed by developing the coated film irradiated with radiation in the process [2], and
[4] Step of forming an insulating film by curing the coating film obtained in the step [3] at 200 ° C or less
The method comprising the steps of:
Figure 112018096720883-pat00032

Figure 112018096720883-pat00033

(Wherein R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an electron attractive group or an amino group, and the electron attractive group is a halogen atom, An alkyloxysulfonyl group, a dicyanovinyl group, a tricyanovinyl group or a sulfonyl group, provided that at least one of R 1 to R 6 is the electron-withdrawing group and at least one of R 1 to R 6 The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in whole or part of the hydrogen atom;
In the formula (2), R 7 to R 16 are each independently a hydrogen atom, an electron-withdrawing group or an amino group; Provided that at least one of R 7 to R 16 is an amino group; The amino group may be substituted with all or a part of the hydrogen atoms by an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; A represents a single bond, a carbonyloxy group, a carbonylmethylene group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms; Provided that all or part of the hydrogen atoms may be substituted with a cyano group, a halogen atom or a fluoroalkyl group).
제5항에 있어서,
배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
6. The method of claim 5,
And forming an alignment film at 200 DEG C or less.
제6항에 있어서,
상기 배향막을 200℃ 이하에서 형성하는 공정은, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 액정 배향제 및 광배향성기를 갖지 않는 폴리이미드를 포함하는 액정 배향제 중 어느 것을 이용하여 상기 배향막을 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
The method according to claim 6,
The step of forming the alignment film at a temperature of 200 캜 or lower may be carried out by using any one of a liquid crystal aligning agent containing a radiation sensitive polymer having a photo aligning group and a liquid crystal aligning agent containing a polyimide having no photo aligning group to form the alignment film Wherein the substrate is a silicon substrate.
삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020120074822A 2011-07-22 2012-07-10 Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate KR101948069B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011161413A JP5966268B2 (en) 2011-07-22 2011-07-22 Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
JPJP-P-2011-161413 2011-07-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130011924A KR20130011924A (en) 2013-01-30
KR101948069B1 true KR101948069B1 (en) 2019-02-14

Family

ID=47533899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120074822A KR101948069B1 (en) 2011-07-22 2012-07-10 Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5966268B2 (en)
KR (1) KR101948069B1 (en)
CN (1) CN102890352B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739196A (en) * 2016-04-28 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel and liquid crystal display
WO2018110097A1 (en) 2016-12-14 2018-06-21 昭和電工株式会社 Resin composition for color filter, method for producing same, and color filter
KR102049024B1 (en) 2017-03-22 2019-11-26 주식회사 엘지화학 Resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007279728A (en) * 2006-04-06 2007-10-25 Dongjin Semichem Co Ltd Negative photosensitive resin composition

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168908B1 (en) * 1997-10-09 2001-01-02 Jsr Corporation Process for forming a cured film of a thermoplastic resin
JP2001022065A (en) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Steel Chem Co Ltd Image forming material and image device using same
US20040101689A1 (en) * 2002-11-26 2004-05-27 Ludovic Valette Hardener composition for epoxy resins
JP4539165B2 (en) * 2004-05-12 2010-09-08 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, spacer, method for forming the same, and liquid crystal display device
KR101221468B1 (en) * 2005-01-27 2013-01-11 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
JP5083540B2 (en) * 2007-03-20 2012-11-28 Jsr株式会社 Radiation-sensitive protective film forming resin composition, method for forming protective film from the composition, liquid crystal display element, and solid-state imaging element
KR101464312B1 (en) * 2008-03-03 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature
JP5157860B2 (en) * 2008-12-08 2013-03-06 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and production method thereof
JP2010181866A (en) * 2009-01-07 2010-08-19 Fujifilm Corp Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer dielectric, organic electroluminescence display device, and liquid crystal display device
JP5504823B2 (en) * 2009-10-28 2014-05-28 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition, protective film, interlayer insulating film, and method for forming them
JP2011138116A (en) * 2009-12-04 2011-07-14 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film, and method for forming the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007279728A (en) * 2006-04-06 2007-10-25 Dongjin Semichem Co Ltd Negative photosensitive resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP5966268B2 (en) 2016-08-10
CN102890352B (en) 2016-08-03
KR20130011924A (en) 2013-01-30
JP2013025203A (en) 2013-02-04
CN102890352A (en) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101914970B1 (en) Color filter, liquid crystal display, and process for producing the color filter
KR101842085B1 (en) Color filter, liquid crystal display, and process for producing the color filter
KR101460642B1 (en) Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate
KR101892491B1 (en) Color filter, liquid crystal display, and process for producing the color filter
KR101983201B1 (en) Array substrate, liquid crystal display device, radiation-sensitive resin composition, and process for producing the array substrate
JP5708227B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
KR20150139525A (en) Array substrate, liquid crystal display element, and radiation-sensitive resin composition
JP5862081B2 (en) Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
JP5857578B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
KR101836913B1 (en) Color filter, process for producing the color filter, and liquid crystal display
JP6274039B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, insulating film and display element
KR101948069B1 (en) Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate
JP5708313B2 (en) Radiation sensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, color filter, and method for forming color filter
JP5708398B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
JP5786501B2 (en) Color filter, liquid crystal display element, and method of manufacturing color filter
JP5786445B2 (en) Array substrate, liquid crystal display element, and method of manufacturing array substrate
KR101919481B1 (en) Array substrate, liquid crystal display device, and process for producing the array substrate
KR20120059352A (en) Radiation-sensitive resin composition, cured film for display device, method for forming the cured film for display device, and the display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right