KR20130011479A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130011479A
KR20130011479A KR1020110072651A KR20110072651A KR20130011479A KR 20130011479 A KR20130011479 A KR 20130011479A KR 1020110072651 A KR1020110072651 A KR 1020110072651A KR 20110072651 A KR20110072651 A KR 20110072651A KR 20130011479 A KR20130011479 A KR 20130011479A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
semiconductor
emitting device
conductive polymer
Prior art date
Application number
KR1020110072651A
Other languages
English (en)
Inventor
정다운
박윤석
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110072651A priority Critical patent/KR20130011479A/ko
Publication of KR20130011479A publication Critical patent/KR20130011479A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

광 효율을 향상시키고, 공정 간소화 및 공정 시간을 감소시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 제공된다. 반도체 발광소자는, 기판 상에 형성된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성된 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 나노 파티클을 포함하는 전도성 고분자층을 포함한다.

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and method for fabricating thereof}
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 효율을 향상시키고, 공정 간소화 및 공정 시간을 감소시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
디스플레이장치는 시각정보 전달매체로서, 브라운관 면에 문자나 도형의 형식으로 데이터를 시각적으로 표시하는 것을 말한다.
일반적으로 평판디스플레이(Flat Panel Display: FPD)장치는 TV 또는 컴퓨터 모니터 브라운관 보다 두께가 얇고 가벼운 영상표시장치로서, 그 종류에는 액정을 이용한 LCD(Liquid Crystal Display), 가스 방전을 이용한 PDP(Plasma Display Panel: PDP), 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 발광현상을 이용하여 만든 유기물질인 OLED(Organic Light Emitting) 및 전기장내 하전된 입자가 양극 또는 음극쪽으로 이동하는 현상을 이용하는 EPD (Electric Paper Display) 등이 있다.
평판디스플레이장치 중 가장 대표적인 LCD는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 형태로 배열된 화소들에 화상정보에 따른 데이터신호를 개별적으로 공급하여 화소들의 광투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 표시한다.
이러한 LCD는 자체적으로 발광하지 못하므로 화상 정보를 디스플레이하기 위해서는 액정 패널을 조명할 수 있는 발광장치가 필요하다.
LCD의 발광장치는 액정 패널의 배면에 결합되므로 백라이트 유니트(backlight unit)로 불리는데, 이 백라이트 유니트는 균일한 면광원을 형성하여 액정 패널에 광원을 제공한다.
여기서, 광원은 형광 램프 또는 LED(Light Emitting Diode)를 사용할 수 있으며, 현재는 광원으로 LED를 많이 사용하고 있다. 이러한 LED는 저전류 요건에서의 고출력 특성, 빠른 응답성, 긴 수명, 단단한 패키지 구조 등의 장점을 가지고 있다.
한편, LED의 발광 효율을 향상시키기 위해 LED 내부의 최상위층에 ITO와 같은 무기 재료를 사용하여 투명 전극층을 형성하고 있다. 투명 전극층은 투광성을 가지는 반도체 산화막으로서 전류 분산을 용이하게 하는 장점이 있다.
그러나, 투명 전극층의 굴절률과 공기의 굴절률 차이로 인해 빛이 방출될 수 있는 임계각(Critical Angle)이 감소하여 빛이 외부로 방출되지 않아 광 효율이 감소되는 문제점이 있다.
또한, ITO와 같은 무기 재료로 형성되는 투명 전극층은 별도의 진공증착장비 예를 들면, E-Beam과 같은 장비를 통해 증착이 이루어지므로, 공정 과정이 복잡하고 공정 시간이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 광 효율을 향상시키고, 공정 간소화 및 공정 시간을 감소시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.
상기한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 기판 상에 형성된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성된 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 나노 파티클을 포함하는 전도성 고분자층을 포함한다.
상기 나노 파티클은 은(Ag) 또는 금(Gold) 중에서 선택된 어느 하나이다.
상기 나노 파티클은 빛에 대해 95%이상의 높은 반사율을 갖는다.
상기 나노 파티클의 크기에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라진다.
상기 나노 파티클 사이의 간격에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라진다.
상기 전도성 고분자층은 polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, poly(3,4-ethylenedioxythiophene, EDOT), poly(thienylene vinylene)로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다.
상기 제1 및 제2 반도체층은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다.
제1 및 제2 반도체층은 n형 및 p형 도펀트가 각각 도핑된다.
상기 발광층은 다수의 층으로 이루어지는 도전성 클래층을 포함한다.
상기 전도성 고분자층 상에 형성된 제1 전극 및 상기 제1 반도체층 상의 일측에는 형성된 제2 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체층 상에 발광층을 형성하는 단계, 상기 발광층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 제2 반도체층 상에 나노 파티클을 포함하는 전도성 고분자층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 나노 파티클은 은(Ag) 또는 금(Gold) 중에서 선택된 어느 하나이다.
상기 나노 파티클은 빛에 대해 95%이상의 높은 반사율을 갖는다.
상기 나노 파티클의 크기에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라진다.
상기 나노 파티클 사이의 간격에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라진다.
상기 전도성 고분자층을 형성하는 단계는, 전도성 고분자 물질에 나노 파티클을 혼합하는 단계 및 상기 나노 파티클이 혼합된 전도성 고분자 물질을 상기 제2 반도체층 상에 형성하는 단계를 포함한다.
상기 나노 파티클이 혼합된 전도성 고분자 물질을 상기 제2 반도체층 상에 형성하는 단계는 롤러를 사용한 프린팅(printing) 또는 스핀 코팅(spin coating) 중에서 선택된 어느 하나로 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 그 제조방법은 광 효율을 향상시키고, 공정 간소화 및 공정 시간을 감소시킬 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도.
도 3은 파장에 따른 금속 물질의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자층을 제조하는 방법을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질에 따른 광 추출 효율을 수치로 나타내는 표.
도 7은 도 2의 A 부분을 확대한 도면으로서, 전도성 고분자층에서의 빛의 굴절을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 고분자층을 나타내는 단면도.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노 파티클의 크기에 따른 광 추출 효율의 변화를 나타내는 표와 그래프.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전도성 고분자층을 나타내는 단면도.
도 12 및 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노 파티클의 크기에 따른 광 추출 효율의 변화를 나타내는 표와 그래프.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이고, 도 3은 파장에 따른 금속 물질의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자는 기판(10), 제1 및 제2 반도체층(12, 16), 발광층(14), 전도성 고분자층(18) 및 제1 및 제2 전극(26, 28)을 포함한다.
기판(10)은 예를 들면, 사파이어 기판(Al2O3)으로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 제거될 수도 있다. 여기서, 도면에 도시되지 않았으나, 기판(10) 상에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 이때에 버퍼층은 기판(10)과의 격자 상수 차이를 줄여주기 위한 층으로서, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등으로 이루어지는 그룹에서 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있다.
기판(10) 상에는 제1 반도체층(12)이 형성된다. 여기서, 제1 반도체층(12)은 예를 들면, 3족 원소와 5족 원소의 결합으로 이루어지는 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN 등으로 이루어지는 그룹에서 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있다. 이때, 제1 반도체층(12)은 n형 반도체층 일 수 있으며, 여기에 n형 도펀트 예를 들면, Si, Ge, Sn 등이 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(12) 상에는 발광층(14)이 형성된다. 여기서, 발광층(14)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖을 수 있으며, 발광층(14)은 다수의 층으로 이루어지는 도전성 클래층(미도시)으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 도전성 클래드층은 AlGaN로 형성될 수 있다.
발광층(14) 상에는 제2 반도체층(16)이 형성된다. 여기서, 제2 반도체층(16)은 예를 들면, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN 등으로 이루어지는 그룹에서 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있다. 이때, 제2 반도체층(16)은 p형 반도체층 일 수 있으며, 여기에 p형 도펀트 예를 들면, Mg 등이 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(16) 상에는 전도성 고분자층(18)이 형성된다. 여기서, 전도성 고분자층(18)은 전도성 고분자와 빛에 대한 반사율이 높은 나노 파티클(nano particle, 18a)을 포함한다. 이때, 전도성 고분자는 예를 들면, polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, poly(3,4-ethylenedioxythiophene, EDOT), poly(thienylene vinylene) 등으로 이루어지는 그룹에서 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있다.
또한, 전도성 고분자층(18)에 은(Ag) 또는 금(Gold)와 같은 나노 파티클(18a)을 첨가할 수 있는데, 도 3에서와 같이, 보통 금속물질 중 은(Ag) 및 금(Gold)의 반사율이 가장 높은데, 청색(blue) LED 파장영역인 450nm부근에서 95%의 높은 반사율을 갖고 있음을 알 수 있다.
이에 따라 전도성 고분자층(18)에 은(Ag) 또는 금(Gold)을 첨가하게 되면, 제2 전극(26)의 하부 영역에만 국부 즉, 하부의 가장자리 영역에만 집중되는 전자(electron)를 넓은 면적으로 퍼지게 하는 역할을 한다. 따라서, 나도 파티클(18a)이 제2 전극(26)에 주입되는 전자를 넓게 분산시켜 주어 발광층(14)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
전도성 고분자층(18) 상에는 제1 전극(26)이 형성되고, 제1 반도체층(12) 상의 일측에는 제2 전극(28)이 형성된다.
도 4a 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 4a를 참조하면, 기판(10) 위에 제1 반도체층(12), 발광층(14), 제2 반도체층(16) 및 전도성 고분자층(18)을 차례로 형성한다. 여기서, 도 5에 도시된 바와 같이, 전도성 고분자층(18)은 용기(100)에 전도성 고분자 물질과 나노 파티클(18a)을 혼합한 후, 롤러(미도시)를 사용한 프린팅(printing) 방법 또는 스핀 코팅(spin coating)과 같은 방법을 사용하여 제2 반도체층(16) 상에 형성한다. 그 다음, 전도성 고분자층(18)에 제1 포토 레지스트 패턴(20)을 형성한다.
도 4b를 참조하면, 전도성 고분자층(18)에 형성된 제1 포토 레지스트 패턴(20)을 식각 마스크로 사용하여 전도성 고분자층(18), 제2 반도체층(16), 발광층(14) 및 제1 반도체층(12)을 차례로 식각하여 제1 반도체층(12)의 일정 영역이 노출시킨다.
이어서, 전도성 고분자층(18)을 일정한 형태로 식각하기 위해 전도성 고분자층(18)에 제2 포토 레지스트 패턴(22)을 형성한다.
도 4c를 참조하면, 전도성 고분자층(18)에 형성된 제2 포토 레지스트 패턴(22)을 식각 마스크로 이용하여 제2 반도체층(16)의 일정 영역이 노출되도록 전도성 고분자층(18)을 식각한다.
그 다음, 제2 전도성 고분자층(180) 및 노출된 제1 반도체층(12) 상에 제3 포토 레지스트 패턴(24)을 형성한다.
도 4d를 참조하면, 노출된 제1 및 제2 반도체층(12, 16) 상에 금속 물질을 증착하여 제1 및 제2 전극(26, 28)을 형성한다.
이렇게 반도체 발광소자를 제조한 다음, 후 처리 공정을 수행하여 개별 칩 크기로 가공하게 된다. 여기서, 후 처리 공정은 램핑(lapping), 폴리싱(polishing) 공정을 통해 기판(10) 하부를 소정 두께로 연마하고, 스크라이빙(scribing) 및 브레이킹(breaking) 공정을 통해 기판(10)을 일정 칩 크기로 절단하게 된다.
이때, 램핑(lapping)은 기판(10) 하부를 램핑 공정으로 깍아내고, 그 램핑된 면을 연마(polishing)하여 매끄럽게 만든다. 이때에 기판(10)의 두께는 가능한 한 얇게 하는 것이 좋으나, 너무 얇으면 기판이 휠 염려가 있고 취급하는데 어려움이 있다.
또한, 스크라이빙 공정은 레이저 스크라이빙 공정 또는 팁(tip) 스크라이빙 공정으로 이용할 수 있으며, 칩의 기판부터 또는 칩의 제2 반도체층(16)부터 스크라이빙을 수행하게 된다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법은 제2 반도체층(16) 상에 형성하는 전도성 고분자층(18)을 형성하기 위해 종래에서와 같이, ITO를 증착하기 위한 별도의 증착 장비를 필요로 하지 않는다. 또한, 프린팅 방식 또는 스핀 코팅 방식과 같은 비교적 간단한 방법을 사용하여 전도성 고분자층(18)을 형성하므로, 공정 과정 및 시간을 단축시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질에 따른 광 추출 효율을 수치로 나타내는 표이고, 도 7은 도 2의 A 부분을 확대한 도면으로서, 전도성 고분자층에서의 빛의 굴절을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 각각의 물질에 따라 광 추출 효율을 시뮬레이션 한 결과를 보여주고 있으며, 전도성 고분자로써 PEDOT를 사용하여 시뮬레이션 한 경우, ITO 대비 광 추출 효율이 8.5% 감소함을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서와 같이, 전도성 고분자로써 PEDOT를 사용하고, 나노 파티클로써 은(Ag)을 사용하여 시뮬레이션 한 경우, ITO 대비 광 추출 효율이 55.4% 향상됨을 알 수 있다.
도 7을 참조하면, 전도성 고분자층(18) 내에 분산되어 있는 나노 파티클(18a)이 빛을 산란시켜 전반사하는 빛을 감소시킨다. 또한, PEDOT로 형성되는 전도성 고분자의 굴절률과 공기의 굴절률의 차이로 인해 빛이 방출될 수 있는 임계각이 증가함에 따라 외부로 방출되는 빛이 증가하여 반도체 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 고분자층을 나타내는 단면도이고, 도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노 파티클의 크기에 따른 광 추출 효율의 변화를 나타내는 표와 그래프이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 고분자층(18)에 포함된 나노 파티클(18a)의 크기(a)에 따라 반도체 발광 소자의 광 추출 효율을 변화시킬 수 있다. 여기서, 나노 파티클(18a)의 크기를 10㎛(S12)를 기준으로 하여 나노 파티클(18a)의 크기를 5㎛(S11)로 변경한 경우, 반도체 발광 소자의 광 추출 효율은 39.26이고, 나노 파티클(18a)의 크기를 15㎛(S13)로 변경한 경우에는 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 39.57임을 알 수 있다. 따라서, 나노 파티클(18a)의 크기를 10㎛(S12)를 설정한 경우, 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 36.65로써 크게 향상됨을 알 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전도성 고분자층을 나타내는 단면도이고, 도 12 및 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노 파티클의 크기에 따른 광 추출 효율의 변화를 나타내는 표와 그래프이다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전도성 고분자층(18)에 포함된 나노 파티클(18a) 사이의 간격(b)에 따라 반도체 발광 소자의 광 추출 효율을 변화시킬 수 있다. 여기서, 나노 파티클(18a) 사이의 간격을 80㎛(S22)를 기준으로 하여 나노 파티클(18a) 사이의 간격을 40㎛(S21)로 변경한 경우, 반도체 발광 소자의 광 추출 효율은 39.58이고, 나노 파티클(18a) 사이의 간격을 120㎛(S23)로 변경한 경우에는 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 39.64임을 알 수 있다. 따라서, 나노 파티클(18a) 사이의 간격을 80㎛(S22)를 설정한 경우, 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 36.65로써 크게 향상됨을 알 수 있다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
10: 기판 12: 제1 반도체층
14: 발광층 16: 제2 반도체층
18: 전도성 고분자층 18a: 나노 파티클
20: 제1 포토 레지스트 패턴 22: 제2 포토 레지스트 패턴
24: 제3 포토 레지스트 패턴 26: 제1 전극
28: 제2 전극

Claims (17)

  1. 기판 상에 형성된 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 형성된 발광층;
    상기 발광층 상에 형성된 제2 반도체층; 및
    상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 나노 파티클을 포함하는 전도성 고분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 나노 파티클은 은(Ag) 또는 금(Gold) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 나노 파티클은 빛에 대해 95%이상의 높은 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 나노 파티클의 크기에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 나노 파티클 사이의 간격에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자층은 polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, poly(3,4-ethylenedioxythiophene, EDOT), poly(thienylene vinylene)로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반도체층은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    제1 및 제2 반도체층은 n형 및 p형 도펀트가 각각 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 다수의 층으로 이루어지는 도전성 클래층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자층 상에 형성된 제1 전극; 및
    상기 제1 반도체층 상의 일측에는 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 반도체층 상에 발광층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 반도체층 상에 나노 파티클을 포함하는 전도성 고분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 나노 파티클은 은(Ag) 또는 금(Gold) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 나노 파티클은 빛에 대해 95%이상의 높은 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 나노 파티클의 크기에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 나노 파티클 사이의 간격에 따라 상기 발광층에서 출광되어 외부로 출사되는 광의 효율이 달라지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 전도성 고분자층을 형성하는 단계는
    전도성 고분자 물질에 나노 파티클을 혼합하는 단계; 및
    상기 나노 파티클이 혼합된 전도성 고분자 물질을 상기 제2 반도체층 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 나노 파티클이 혼합된 전도성 고분자 물질을 상기 제2 반도체층 상에 형성하는 단계는 롤러를 사용한 프린팅(printing) 또는 스핀 코팅(spin coating) 중에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
KR1020110072651A 2011-07-21 2011-07-21 반도체 발광소자 및 그 제조방법 KR20130011479A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110072651A KR20130011479A (ko) 2011-07-21 2011-07-21 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110072651A KR20130011479A (ko) 2011-07-21 2011-07-21 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130011479A true KR20130011479A (ko) 2013-01-30

Family

ID=47840430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110072651A KR20130011479A (ko) 2011-07-21 2011-07-21 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130011479A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170122502A1 (en) Display with color conversion
EP2648240B1 (en) Substrate for organic light-emitting device with enhanced light extraction efficiency, method of manufacturing the same and organic light-emitting device having the same
CN102593364A (zh) 发光装置
KR20130101197A (ko) 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
JP2013037138A (ja) 自発光型表示装置
CN108682753B (zh) Oled显示面板及其制作方法
Zhang et al. Enhancing extraction efficiency of quantum dot light-emitting diodes by surface engineering
JP2013037139A (ja) 自発光型表示装置
US11706940B2 (en) Light emitting device including planarization layer, method of manufacturing the light emitting device, and display apparatus including the light emitting device
US20130076236A1 (en) Display apparatus
CN107210379B (zh) 用于有机发光器件的光提取基底以及包括其的有机发光器件
KR101466831B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101623093B1 (ko) 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR101765183B1 (ko) 발광장치용 광추출층 및 그 형성방법
KR20130007030A (ko) 무반사막을 갖는 발광소자 및 그 제조 방법
US20140306252A1 (en) Optical device and method for manufacturing the same
KR20200095210A (ko) 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101470295B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101014339B1 (ko) 발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
US9515295B2 (en) Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same
KR101659331B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20130011479A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101484088B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101535236B1 (ko) 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN114497107A (zh) 发光元件单元和包括该发光元件单元的显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination