KR101623093B1 - 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101623093B1
KR101623093B1 KR1020130139949A KR20130139949A KR101623093B1 KR 101623093 B1 KR101623093 B1 KR 101623093B1 KR 1020130139949 A KR1020130139949 A KR 1020130139949A KR 20130139949 A KR20130139949 A KR 20130139949A KR 101623093 B1 KR101623093 B1 KR 101623093B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
nanostructure
stochastic
electrode layer
substrate
Prior art date
Application number
KR1020130139949A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140090070A (ko
Inventor
황기웅
Original Assignee
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울대학교산학협력단 filed Critical 서울대학교산학협력단
Publication of KR20140090070A publication Critical patent/KR20140090070A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101623093B1 publication Critical patent/KR101623093B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법으로서, 전면 발광형(Top emission type)의 유기전계발광소자(OLED)에 있어서, 기판 상면에 분포되어 반구형으로 형성된 확률론적 나노 구조(Stochastic nanostructure)들을 포함하는 확률론적 나노 구조물; 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 주름진 층으로 형성된 금속 전극층을 포함하는 하부 전극층; 상기 하부 전극층의 상부에 상기 하부 전극층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성되며, 전계 인가에 따라 색을 발광하기 위한 발광 물질을 포함하는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층의 상부에 상기 유기 발광층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성된 투명 전극층인 상부 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자와 이를 제조하는 방법을 개시하며, 이와 같은 본 발명에 의하면 확률론적 나노 구조를 이용하여 주름진 형태의 레이어로 형성된 OLED를 제공함으로써, 전극에 여기되어 소모되는 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어내어 이를 통해 OLED의 외부로 빛을 발산하는 외부 양자 효과(EQE)를 향상시킬 수 있다.

Description

확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법 {Organic Light Emitting Diodes(OLED) improved quantum efficiency with stochastic nanostructure and method of manufacturing this}
본 발명은 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 일정 거리 범위 내의 이격 거리를 갖도록 분산되어 분포된 반구형의 확률론적 나노 구조물들을 이용하여 그 상부에 OLED의 각 층을 순차적으로 주름지게 형성함으로써 양자 효율(Quantum Efficiency)이 향상된 유기전계발광소자(OLED)와 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)는 빛을 내는 층이 유기 화합물로 되어 있는 박막 발광 다이오드로서, 액정 디스플레이(LCD)를 대체할 차세대 디스플레이로 각광 받고 있다.
도 1은 OLED에 대한 기본 동작 구조를 도시하는데, 기본적으로 OLED는 음극인 캐소드 전극(20)과 양극인 애노드 전극(60)의 전계 인가에 따라, 발광층(40)의 유기 분자가 에너지를 받아 여기 상태가 되고, 원래의 상태인 기저 상태로 돌아가려 하며, 이때 받은 에너지를 빛으로서 방출하는 성질이 있다. 따라서 유기 발광 소자에서는, 전압을 걸면 양극으로부터 주입된 홀(＋)과 음극으로부터 주입된 전자(－)가 유기 발광층 내에서 재결합해, 유기 분자를 여기해 발광하게 된다.
이와 같이 OLED는 전압 인가에 따른 유기 발광층이 빛을 발하는 특성을 이용하며, 유기물에 따라 R, G 또는 B를 발하는 특성을 이용해 풀 칼라(Full color)를 구현한다.
도 2는 전면 발광형(Top emission type) OLED 셀에 대한 단면 구조를 도시하는데, 일반적으로 노멀 구조(Normal structure)의 전면 발광형(Top emission type) OLED 셀은 기판(10)에 순차적으로 애노드 전극(Anode electrode)(60), 유기 발광층(Organic emitter), 캐소드 전극(Cathode electrode)(20)이 적층되어 구성된다.
상기 유기 발광층은 양극인 애노드 전극(60)으로부터 주입된 홀과 음극인 캐소드 전극(20)으로부터 주입된 전자가 유기 분자를 여기시켜 발광하기 위해, 애노드 전극(60)과 캐소드 전극(20)의 사이에 순차적으로 홀 주입층(Hole injection layer)(55), 홀 전달층(Hole transport layer)(51), 발광 물질층(Emission material layer)(40), 전자 전달층(Electron transport layer)(35) 및 전자 주입층(Electron injection layer)(31)이 적층되어 구성된다.
이와 같은 OLED에서 빛의 발광 효율인 양자 효율은 대단히 중요한 문제인데, OLED의 양자 효율은 유기 발광층에 유입된 전자수 대비 유기 발광층에서 방출되는 총 광자(Photon) 수의 비율인 내부 양자 효율(IQE; Internal Quantum Efficiency)과 유기 발광층에 유입된 전자수 대비 OLED 소자로부터 방출되는 총 광자 수의 비율인 외부 양자 효율(EQE; External Quantum Efficiency)로 분류하여 하기 [식 1]과 같이 내부 양자 효율과 외부 양자 효율간의 관계식이 도출될 수 있다.(참조: K. Saxena, V. K. Jain, and D. S. Mehta, "A review on the light extraction techniques in organic electroluminescent devices", Opt. Mater. vol. 32 no. 1, pp. 221-233, Aug. 2009.)
Figure 112013104760286-pat00001
[식 1]
여기서 next는 외부 양자 효율(EQE)이고, nint는 내부 양자 효율(IQE)이며,
Figure 112013104760286-pat00002
는 전자-홀 전하 발란스 인자(Electron-hole charge balance factor)이며, nexc는 방사 붕괴되는 엑시톤(Exciton) 수의 비율이며, Φp는 방사 붕괴에 대한 진성 양자 효율(Intrinsic quantum efficiency)이며, ncoupling는 외부 커플링 효율(External coupling efficiency)을 나타낸다.내부 양자 효율(IQE)의 경우에 유기 발광층에 형광 물질을 사용하면 대략 25% 정도이지만 인광 물질을 사용하면 거의 100%의 효율을 나타내고 있어, 현재 내부 양자 효율(IQE)은 상당히 높은 수준이다.
하지만 외부 양자 효율의 경우에는 내부 양자 효율이 100%로 이르고 있음에도 불구하고 그 효율이 20%정도에 미치고 있는데, 도 3은 외부 양자 효율이 낮아지는 원인들을 도시하며, 상기 도 3에 도시된 바와 같이 유기 발광층에서 발산된 빛들이 내부 전반사(Total internal reflection)로 인해 전극 사이에서 웨이브-가이드 모드(Wave-guided modes)로 손실되거나 표면 플라즈몬 폴라리톤(Surface plasmon polariton) 현상 등으로 손실되어 최종적으로 약 20%의 빛만이 OLED 외부로 빠져 나올 수 있고 80%의 빛이 OLED의 내부에서 손실되어 OLED의 빛 발산에 대한 양자 효율의 저하가 큰 문제점으로 대두되고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 종래의 OLED의 경우에 내부 양자 효율은 100%에 이르고 있지만 외부 양자 효율이 대략 20%밖에 이르지 않아 빛의 80%가 OLED의 외부로 발산되지 못함으로 인해 OLED의 광효율이 낮아지는 문제점을 해결하고자 한다.
특히 OLED의 빛이 전극 사이에서 전반사로 손실되거나 유기 물질과 금속 전극 경계에서의 표면 플라즈몬 폴라리톤으로 소모되는 문제점을 해결하고자 한다.
상기 기술적 과제를 달성하고자 본 발명에 따른 유기전계발광소자는, 전면 발광형(Top emission type)의 유기전계발광소자(OLED)에 있어서, 기판 상면에 분포되어 반구형으로 형성된 확률론적 나노 구조(Stochastic nanostructure)들을 포함하는 확률론적 나노 구조물; 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 주름진 층으로 형성된 금속 전극층을 포함하는 하부 전극층; 상기 하부 전극층의 상부에 상기 하부 전극층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성되며, 전계 인가에 따라 색을 발광하기 위한 발광 물질을 포함하는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층의 상부에 상기 유기 발광층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성된 투명 전극층인 상부 전극층을 포함할 수 있다.
여기서 상기 확률론적 나노 구조물은, 나노 구조들 간의 이격 거리, 구조물의 높이 및 최장 단면직경이 기설정된 기준치로부터 정규분포된 확률분포를 가지도록 분포된 것을 의미할 수 있다.
바람직하게 확률론적 나노 구조들은, 최장 단면직경의 크기가 50~400nm의 범위, 높이가 10~70nm의 범위 및 구조들간 간격이 100~500nm의 범위에서 형성될 수 있다.
나아가서 상기 발광 물질은, 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 또는 백색(White) 중 선택된 어느 하나의 인광체 또는 형광체를 포함할 수 있다.
그리고 상기 기판은, 유리 기판 또는 폴리머(Polymer) 기판이 적용될 수 이 있다.
여기서 상기 하부 전극층과 상기 상부 전극층 중 어느 하나는 캐소드 전극이고 다른 하나는 애노드 전극이 될 수 있다.
또한 상기의 본 발명에서 제시한 유기전계발광소자(OLED)에 대한 본 발명에 따른 하나의 제조 방법은, 전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서, 기판의 상부에 금속 필름을 형성하는 금속 필름 형성 단계; RTA(Rapid Thermal Annealing) 열공정으로 상기 금속 필름을 처리하여 금속 물질의 자가 응집화를 통한 금속 입자들이 분산되어 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 금속 필름 형성 단계는 유리 기판 또는 폴리머 기판의 상부에 금속 필름을 형성하며, 상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는 상기 기판의 특성을 고려하여 RTA 열공정을 섭씨 200~700도 이내의 온도 조건으로 수행할 수 있다.
보다 바람직하게는 상기 금속 필름 형성 단계는, 그 두께를 5 nm ~ 30 nm로 형성할 수 있다.
여기서 상기 금속 필름 형성 단계에서 금속 물질은 은(Ag), 금(Au) 또는 구리(Cu) 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
나아가서 상기의 본 발명에서 제시한 유기전계발광소자(OLED)에 대한 본 발명에 따른 다른 하나의 제조 방법은, 전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서, 기판의 상부에 폴리머(Polymer)층을 형성하는 폴리머층 형성 단계; 혼합가스로 상기 기판 상부의 폴리머층을 플라즈마 식각하여 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 폴리머층 형성 단계는, 스핀 코팅(Spin coating) 방식으로 상기 기판의 상부에 폴리머층의 두께를 0.8um 내지 3.5um 범위로 형성시킬 수 있다.
여기서 상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는, 상기 폴리머층에 열이나 UV(Ultra violet)를 가해 고형화시킨 후 산소(O2)와 플루린(Flourine) 계열을 포함하는 혼합가스로 상기 폴리머층을 플라즈마 건식 식각하여 산소 라디칼(Radical) 및 이온(Ion) 충격에 따른 식각 진행을 통해 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성할 수 있다.
또한 상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는, 스퍼터링이나 전자빔 증착을 통해 상기 폴리머층 표면에 분산된 금속 핵(Metallic nucleation)을 형성시키고 상기 금속 핵을 성장시켜 금속 아일랜드(Metallic island)를 생성하는 단계; 및 상기 금속 아일랜드가 형성된 상기 폴리머층을 플라즈마 식각하여 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
한 걸음 더 나아가서 상기의 본 발명에서 제시한 유기전계발광소자(OLED)에 대한 본 발명에 따른 또 다른 하나의 제조 방법은, 전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서, 폴리머 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 혼합가스로 상기 폴리머 기판의 상부를 플라즈마 식각하여 상기 폴리머 기판의 상면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함할 수 있다.
여기서 상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는, 산소(O2)와 플루린(Flourine) 계열을 포함하는 혼합가스로 상기 폴리머 기판을 플라즈마 건식 식각하여 산소 라디칼(Radical) 및 이온 충격에 따른 식각 조절을 통해 상기 폴리머 기판의 상면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성할 수 있다.
또한 상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는, 스퍼터링이나 전자빔 증착을 통해 상기 폴리머 기판 표면에 분산된 금속 핵을 형성시키고 상기 금속 핵을 성장시켜 금속 아일랜드를 생성하는 단계; 및 상기 금속 아일랜드가 형성된 상기 폴리머 기판을 플라즈마 식각하여 상기 폴리머 기판의 상면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 확률론적 나노 구조물을 이용하여 주름진 형태의 레이어(Layer)로 형성된 OLED를 제공함으로써, 금속 전극에 여기되어 소모되던 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어내어 이를 통해 OLED의 외부 양자 효과(EQE)를 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명에서의 금속 전극에 포함된 나노 구조에서 여기되는 표면 플라즈몬 현상으로 강한 필드가 형성되어 유기 발광층의 여기가 발광 결합을 도와 자발방출 비율(Spontaneous emission rate)을 증가시키는 현상 또한 끌어냄으로써 양자 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
즉, 본 발명의 확률론적 나노 구조물을 이용한 주름진 OLED를 통해 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어내는 동시에 나노 구조물에 의한 국소 표면 플라즈몬(Localized surface plasmon) 현상으로 자발방출 비율을 증가시킴으로써 양자 효과를 향상시킬 수 있다.
한 걸음 더 나아가서, 본 발명에서의 나노 구조들은 서로 일정 거리 범위 내의 이격 거리를 갖도록 분산되어 분포된 다양한 크기의 반구형으로서, 일률적인 이격거리와 크기를 갖지 않는 확률론적 나노 구조물이므로, 그 크기와 이격 거리에 따라 다양한 파장의 빛에 적용이 가능하므로 별도의 가공 없이 적색, 녹색, 청색 및 백색의 모든 셀에 적용이 가능하다.
나아가서 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법은, 복잡한 공정 없이 RTA 열공정이나 플라즈마 건식 식각 고정을 이용하여 간단하고 편리하게 기판 상에 확률론적 나노 구조물을 형성시킬 수 있으며, 나노 구조물의 상부에 순차적으로 OLED의 층들을 형성시킴으로써 용이하게 주름진 형태의 OLED 제조가 가능하게 된다.
특히 포토리소그래피 등의 복잡하고 비싼 비용이 드는 방식을 이용하지 않고 간단하고 편리한 RTA 공정이나 플라즈마 식각 공정을 통해 OLED 제조 단가를 낮출 수 있으며, 대면적 디스플레이 패널의 제작이 가능해진다.
도 1은 OLED에 대한 기본 동작 구조를 도시하며,
도 2는 전면 발광형(Top emission type) OLED 셀에 대한 단면 구조를 도시하며,
도 3은 종래 OLED에서 외부 양자 효율이 낮아지는 원인들을 도시하며,
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 실시예에 대한 개략적인 단면 구조를 도시하며,
도 5는 본 발명에 따른 유기전계발광소자에서 확률론적 나노 구조물을 포함하는 하부 전극층의 실시예를 도시하며,
도 6은 표면 플라즈몬 폴라리톤의 특성을 나타내는 그래프를 도시하며,
도 7은 본 발명에서 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어내는 원리를 도시하며,
도 8은 국소 표면 플라즈몬의 특성에 따른 전기장을 도시하며,
도 9는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 하나의 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시하며,
도 10은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에서 RTA 열공정의 처리 시간 조건에 따라 실험한 결과에 대한 SEM(Scanning Electron Microscope) 분석 사진을 나타내며,
도 11은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에서 은(Ag) 필름의 두께 변화에 따른 RTA 열공정을 수행한 결과에 대한 SEM 분석 사진을 나타내며,
도 12는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 다른 하나의 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시하며,
도 13은 상기 도 12의 실시예에 대한 변형된 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시하며,
도 14와 도 15는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에서 포토레지스트를 이용하여 확률론적 나노 구조물을 형성한 실험 결과에 대한 AFM 사진을 나타내며,
도 16은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 또 다른 하나의 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시하며,
도 17은 상기 도 16의 실시예에 대한 변형된 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시하며,
도 18은 종래기술과 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 I-V 관계, L-V 관계 및 양자 효율의 실험 결과 그래프를 도시한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.
먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명은, 분산되어 분포된 반구형의 확률론적 나노 구조물들을 이용하여 그 상부에 OLED의 각 층을 순차적으로 주름지게 형성함으로써 양자 효율(Quantum efficiency)을 향상시킨 유기전계발광소자(OLED)를 제공하는 방안을 개시한다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 실시예에 대한 개략적인 단면 구조를 도시한다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 전면 발광형(Top emission type)으로 구현되는데, 기판(10) 상면에 순차적으로 적층된 하부 전극층(100), 유기 발광층(200) 및 투명 전극층(300)을 포함하여 구성될 수 있다.
하부 전극층(100)과 투명 전극층(300)은 선택적으로 둘 중 하나가 캐소드 전극이 되고 나머지 하나가 애노드 전극이 될 수 있는데, 가령 하부 전극층(100)을 애노드 전극으로 형성시키고 투명 전극층(300)을 캐소드 전극으로 형성시키는 경우에 전면 발광의 노멀 구조(Normal structures) 유기전계발광소자로 적용가능하고, 하부 전극층(100)을 캐소드 전극으로 형성시키고 투명 전극층(300)을 애노드 전극으로 형성시키는 경우에는 전면 발광의 인버티드 구조(Inverted structures) 유기전계발광소자로 적용가능하다.
하부 전극층(100)은 기판(10)의 상면에 분포되어 형성된 나노 구조(150)들과 그 상부에 나노 구조(150)들의 형태를 따라 주름진 층으로 형성된 금속 전극층(160)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서 나노 구조(150)들은 일정한 크기 범위 및 이격 거리 범위 이내에서 분산되어 분포된 확률론적 나노 구조(Stochastic nanostructure)물로 형성되는 것이 바람직한데, 확률론적 나노 구조물이란 나노 구조들 간의 이격 거리, 나노 구조의 높이 및 최장 단면직경이 기설정된 기준치로부터 정규분포된 확률분포를 가지도록 분포됨으로써 형태가 일정 모양이나 수치로 정형화되지 않고 일정범위 내에서 다양한 반구형 형태로 형성되는 구조물을 의미한다.
본 발명에서는 확률론적 나노 구조물을 금속 재질로 형성시킬 수도 있고, 또는 폴리머 등으로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 적색, 녹색, 청색 및 백색 빛의 파장과 OLED를 형성시키는 각 층의 특성을 고려하여 확률론적 나노 구조(150)들은 최장 단면직경이 50~400nm의 범위, 그 높이가 10~70nm의 범위 및 구조물간 간격이 100~500nm의 범위에서 형성될 수 있다. 본 발명에서는 일률적인 이격거리와 크기를 갖지 않는 확률론적 나노 구조물을 적용함으로써 구조들의 크기, 단면적 및 이격 거리에 따라 다양한 파장의 빛에 적용이 가능하므로 별도의 가공 없이 적색, 녹색, 청색 및 백색 모든 셀에 적용이 가능하다.
본 발명에서는 이와 같은 확률론적 나노 구조(150)물을 이용하여 주름진 층들로 이루어진 유기전계발광소자를 제공할 수 있는데, 본 발명에 따른 유기전계발광소자에서 확률론적 나노 구조물을 포함하는 하부 전극층의 실시예를 도시하는 도 5에 도시된 바와 같이 확률론적 나노 구조(150)물의 상부에 금속 전극층(160)을 형성시킴으로써 나노 구조(150)물의 형태에 따라 그 위에 형성되는 금속 전극층(160)이 주름진 층의 모습을 가지며, 하부 전극층(100)은 나노 구조(150)들과 금속 전극층(160)을 포함하여 구성된다.
다시 상기 도 4의 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 실시예에 대한 단면도를 참조하면, 유기 발광층(200)은 금속 전극층(160)의 상부에 적층되어 금속 전극층(160)의 주름진 형태에 대응하여 주름진 층의 모습을 가지며, 전계 인가에 따라 적색, 녹색, 청색 또는 백색 중 어느 하나의 색을 발광하기 위한 발광 물질을 포함한다. 상기 발광 물질로는 다양한 인광체나 형광체가 사용될 수 있다.
보다 상세하게는 유기 발광층(200)은, 금속 전극층(160)이 애노드 전극인 경우 금속 전극층(160)의 상부에 순차적으로 홀 주입층, 홀 전달층, 발광 물질층, 전자 전달층 및 전자 주입층이 적층되어 구성될 수 있고, 금속 전극층(160)이 캐소드 전극인 경우에는 금속 전극층(160)의 상부에 순차적으로 전자 주입층, 전자 전달층, 발광 물질층, 홀 전달층 및 홀 주입층이 적층되어 구성될 수 있으며, 각 층들은 금속 전극층(160)의 주름진 형태에 대응하여 주름진 층의 모습을 갖는다.
또한 유기 발광층(200)의 상부에 형성된 투명 전극층(300)도 유기 발광층(200)의 상부에 적층되어 유기 발광층(200)의 주름진 형태에 대응하여 주름진 층의 모습을 갖는다. 이와 같이 하부 전극층(100), 유기 발광층(200) 및 투명 전극층(300)의 구조에 따라서 전면 발광의 노말 구조나 인버티드 구조로 형성될 수 있다.
또한 기판(10)은 소다라임 글래스 또는 폴리머를 상황에 따라 선택적으로 이용할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 확률론적 나노 구조물을 이용하는 유기전계발광소자는 외부 양자 효율(EQE)이 크게 향상되는데, 그 원리와 실험을 통한 결과를 토대로 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 양자 효율 향상에 대하여 살펴보기로 한다.
앞서 종래기술에서 상기 도 3을 참조하여 외부 양자 효율(EQE)이 내부 전반사, 웨이브-가이드 모드 또는 표면 플라즈몬 폴라리톤 현상 등으로 80% 정도의 빛이 내부에서 손실되어 최종적으로 약 20%의 빛만이 OLED 외부로 빠져 나오는 문제점을 살펴보았는데, 표면 플라즈몬 폴라리톤 현상을 좀 더 자세히 살펴보기 위해 도 6의 표면 플라즈몬 폴라리톤의 특성에 따른 그래프를 참조하여 설명한다.
표면 플라즈몬(SPs; Surface Plasmons)은 금속(Metal)과 유전체(Dielectric material) 간의 경계면에서 나타나는 표면 전자기파(Surface electricmagnetic wave)의 일종으로서, 도체의 자유 전자와 상호작용으로 도체 표면에 전자파가 갇혀서 도체 표면을 따라 진행하는 전자파이며, 표면 플라즈몬 폴라리톤이라 칭한다.
상기 도 6의 (a)와 같이 금속과 유전체의 경계에서 금속내 자유전자의 플라즈마 진동이 표면을 따른 전기장으로 나타나게 되며, 이에 따라 상기 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 표면 플라즈몬은, 금속과 유전체의 경계에서 수직한 방향으로는 전기장의 세기가 급속히 감소하고 경계에 나란한 방향으로는 금속의 자유 전자의 플라즈마 진동 주파수로 진동하면서 진행해 나가는 성질을 갖게 된다.
이와 같은 표면 플라즈몬으로 인해 상기 도 6의 (c)에 도시된 그래프에서 보는 바와 같이 SP 모드에 대한 분산 곡선(Dispersion curve)에서 SP 모드의 모멘텀(Momentum)이 불일치하는 문제점이 나타나는데, 즉 동일한 파장 ω에서 자유 공간 광자(Free space photon) 모멘텀(Momentum)
Figure 112013104760286-pat00003
보다 표면 플라즈몬 모멘텀
Figure 112013104760286-pat00004
가 더 커서 전자파가 도체 표면을 빠져 나오지 못하게 된다.(참조: W.L. Barnes, A. Dereux and T.W. Ebbesen, "Surface plasmon subwavelength optics", nature, vol. 424, pp.824-830, Aug. 2003)
본 발명에서는 이와 같은 표면 플라즈몬 폴라리톤의 여기로 인한 외부 양자 효율의 저하를 해결하여 OLED의 양자 효율을 향상시키는 방안을 제시하는데, 도 7의 본 발명에서 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어내는 원리에 대한 그림을 참조하여 이에 대하여 살펴보면, 상기 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 표면 플라즈몬 폴라리톤 현상으로 표면에 갇혀서 진행하던 전자파가 도체의 표면 상에 형성된 돌출부에 의해 반사(Reflection), 투과(Transmission) 또는 산란(Scattering)되는 현상이 발생되며, 본 발명에서는 이와 같은 표면 상의 확률론적 나노 구조물에 따른 돌출 구조물에 의한 전자파의 산란 현상을 이용하여 표면 플라즈몬 폴라리톤을 전면으로 방출되는 빛으로 끌어내게 된다. 즉 상기 도 7의 (b)에 도시된 본 발명에 따른 확률론적 나노 구조(150)물이 형성되어 표면 플라즈몬 폴라리톤의 산란을 통해 빛이 전면으로 방출될 수 있다.
나아가서 본 발명에 따른 다양한 이격 간격과 크기를 갖는 확률론적 나노 구조물을 통해 적색, 녹색, 청색 및 백색의 모든 파장의 빛을 산란을 통해 방출되는 빛으로 유도할 수 있다.
또한 본 발명에서는 국소 표면 플라즈몬(Localized surface plasmon) 현상을 통해 양자 효율을 향상시키는데, 도 8에 도시된 국소 표면 플라즈몬의 특성에 따른 전자기장의 모양을 참고하여 이에 대하여 살펴본다.
국소 표면 플라즈몬은, 고립된 원형의 금속 파티클이나 금속 나노 구조물에 한정되어 나타나는 금속 내 자유전자의 진동으로서, 상기 도 8에서 보는 바와 같이 원형의 금속 파티클이나 금속 나노 구조물에 국소 표면 플라즈몬이 나타나면 이로 인해 외부 빛이 강하게 산란되거나 증폭된 국소 자기장이 형성된다.(참조: E. Hutter and J.H. Fendler, "Exploitation of Localized Surface Plasmon Resonance", Advanced Materials, vol. 16, no. 19, pp.1685-1706, Oct. 2004)
본 발명에서는 이와 같은 국소 표면 플라즈몬 현상을 이용하기 위해서, 기판 상에 분산되어 분포된 반구형의 확률론적 금속 나노 구조물들을 이용하여 그 상부에 OLED의 각 층을 순차적으로 주름지게 형성함으로써, 금속 나노 구조물과 주름진 전극층 등에서 국소 표면 플라즈몬 현상으로 인해 강한 전기장이 형성되고, 발광층의 여기 및 발광 결합을 도와 자발방출 비율을 증가시키는 현상이 발생되어 이를 통해 OLED 외부로 빛을 발산하는 외부 양자 효과(EQE)를 향상시키게 된다.
즉, 본 발명에서 금속으로 형성된 나노 구조(150)들에서 여기되는 표면 플라즈몬 현상과 금속 전극층(160)의 주름진 형태의 돌출부에서 일어나는 국소 표면 플라즈몬 현상으로 인한 이중의 표면 플라즈몬 현상에 의해 발광 효율이 증가하게 된다.
이와 같이 본 발명에서는 일정 거리 범위 내의 이격 거리를 갖도록 분산되어 분포된 다양한 크기의 반구형의 확률론적 나노 구조물을 형성하여, 나노 구조들을 이용한 산란(scattering)을 통해 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어낼 수 있으며, 동시에 작은 크기의 금속 나노 구조들을 통해서는 국소 표면 플라즈몬 현상을 통한 자발 방출 비율을 늘릴 수 있게 된다.
또한 본 발명에서는 상기에서 살펴본 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자를 제조하는 방법을 제시하는데, 본 발명에서는 확률론적 나노 구조물을 형성시키는데 있어서 하나의 실시예로서 금속 재질로 확률론적 나노 구조물을 형성하는 경우와 다른 하나의 실시예로서 폴리머로 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 경우를 제시한다.
본 발명에서 제시한 확률론적 나노 구조물을 형성하는데 있어서, 기판 상에 정교한 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 이용하여 나노 구조물을 형성시킬 수도 있으나, 포토리소그래피의 경우에 여러 공정을 거쳐야 하는 복잡성이 있고 또한 이를 이용하여 나노 구조물을 형성시키는데 비싼 제작 비용이 소요되어 전체적으로 제품의 단가를 높이는 문제점이 있다. 나아가서 대면적 디스플레이 패널을 제작하는 경우에 포토리소그래피로 한번에 전체 패널을 제작하는 것이 매우 어려워서 여러 부분으로 나누어 부분 공정을 수행해야 되는 번거로움이 있다. 이와 같은 제반 문제들을 해결하기 위해 본 발명에서는 보다 간단한 공정으로 대면적 디스플레이 패널에 적용이 가능한 방안을 제시한다.
먼저 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 하나의 실시예로서 금속재질로 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 경우를 살펴본다.
도 9는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 하나의 실시예의 제조 공정 흐름도를 도시한다.
상기 도 9의 (a) 공정에서 기판(10)의 상면에 금속 필름(110)을 형성시키는데, 가령 기판(10)으로 소다라임 글래스를 이용하는 경우에 소다라임 글래스 위에 RF 마그네트론 스퍼터나 전자빔 증착 장치를 이용하여 금속 물질을 증착하여 금속 필름(110)을 형성시킬 수 있다. 여기서 금속 필름(110)은 은(Ag), 금(Au) 또는 구리(Cu) 등에서 선택된 하나 이상의 금속 물질을 이용하여 형성시키며, 그 두께는 5 nm ~ 30 nm 범위 내에서 형성시킬 나노 금속 구조의 형태와 높이 및 열공정 수행의 시간과 온도 조건을 고려하여 설정될 수 있다.
그리고 상기 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 금속 필름(110)을 RTA(Rapid Thermal Annealing) 열공정 처리하면, 금속 필름(110)을 형성한 금속 물질이 자가 응집화(Self-agglomeration) 현상을 통해 입자들을 형성하여 상기 도 9의 (c)에 도시된 바와 같은 반구형의 확률론적 금속 나노 구조(150)들이 형성된다.
RTA 공정은, 램프(Lamp)의 복사열을 이용하여 짧은 시간 내에 처리하는 열공정으로서, 반도체 도핑 공정에서 열을 가해 도판트(Dopants)를 활성화시키는 공정에서 사용되고 있다.
본 발명에 따른 하나의 실시예에서 RTA 열공정을 이용하여 금속 나노 구조들 형성시키는데 있어서, RTA 열공정의 수행 과정에서 유리 기판의 변형, 금속 필름을 형성하는 금속 물질의 융해 특성, 형성될 금속 나노 구조들의 크기 등을 고려하여 섭씨 200~700도 이내의 온도로 열공정을 수행하며, 이때 열공정 수행 시간은 온도 조건에 따라 수십초에서 수분까지 조절될 수 있다. 만약 구동회로가 밑에 형성된 폴리머 기판을 이용하는 경우에는 RTA 열공정 온도와 시간을 조건에 따라 더욱 낮게 설정할 필요가 있다.
가령 유리 기판 상에 은(Ag) 필름을 형성하고 RTA 공정을 수행하는 경우에, 대략 섭씨 550도를 기준으로 상황에 따라 섭씨 200도까지 온도를 낮추거나 섭씨 700도까지 온도를 높이는 범위에서 RTA 공정의 온도 조건을 설정하는데, 유리 기판은 섭씨 550도 이상의 온도에서 변형을 가져올 수 있기 때문에 섭씨 700도까지 온도를 높이는 경우에는 빠른 열처리가 필요하여 20초 내지 1분 이내의 짧은 시간 동안 열처리 공정을 수행하게 된다. 이 경우에 열처리 공정 시간이 너무 짧게 되면 은(Ag)이 아일랜드(Island)를 형성하지 못하며 열처리 공정 시간이 너무 길면 유리 기판이 파괴되고 은(Ag) 구조물 모양이 불규칙하게 변형되므로 섭씨 550 내지 700도의 온도 범위에선 보다 짧은 시간으로 열처리 공정을 수행하게 된다.
그리고 섭씨 200도까지 온도를 낮추는 경우에는 은(Ag)이 아일랜드를 형성하기 위한 충분한 시간이 필요하며, 특히 폴리머 기판을 이용하는 경우에 폴리머 기판의 변형 및 폴리머 기판의 밑에 형성된 구동소자의 파괴 우려가 적어지므로 수분 동안 열처리 공정을 수행하게 된다.
나아가서 금속 필름(110)의 두께에 따라서도 열처리 공정의 온도와 시간 조건이 상이하게 설정되는데, 금속 필름(110)의 두께에 비례하여 열처리 공정의 온도가 높아지고 시간은 길어지게 설정된다.
본 발명에 따른 RTA 공정 수행 시간에 따른 실험 결과로서, 도 10은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에서 RTA 열공정의 처리 시간 조건에 따라 실험한 결과에 대한 SEM(Scanning Electron Microscope) 분석 사진을 나타내는데, 상기 도 10의 실시예는 19nm의 두께로 형성된 은(Ag) 필름에 대하여 대기압에서 섭씨 650도의 온도로 RTA 공정을 수행한 결과를 나타낸다.
상기 도 10의 (a)는 10초 동안 RTA 공정을 수행한 결과로서, 열공정 처리 시간이 짧아서 은(Ag) 입자들의 아일랜드가 미처 형성되지 못한 경우이며, 상기 도 10의 (b)는 30초 동안 RTA 공정을 수행한 결과로서, 적정 온도와 시간 조건에 따라 RTA 공정을 수행함으로써 은(Ag) 입자들의 아일랜드가 형성되어 전체적으로 유리 기판 상에 확률론적 나노 구조들이 생성된 결과이다. 또한 상기 도 10의 (c)는 90초 동안 RTA 공정을 수행한 결과로서, 열처리 공정 시간이 너무 길어 유리 기판의 변형이 나타나고, 은(Ag) 입자 아일랜드의 모양 또한 반구 형태에서 벗어나서 적절한 나노 구조가 형성되지 못한 결과이다.
나아가서 도 11은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에서 은(Ag) 필름의 두께 변화에 따른 RTA 열공정을 수행한 결과에 대한 SEM 분석 사진을 나타낸다.
상기 도 11의 (a)는 9nm 두께의 은(Ag) 필름에 대하여 RTA 공정을 섭씨 650도의 온도로 30초 동안 수행한 결과를 나타내고, 상기 도 11의 (b)는 19nm 두께의 은(Ag) 필름에 대하여 RTA 공정을 섭씨 650도의 온도로 30초 동안 수행한 결과를 나타낸다. 그리고 상기 도 11의 (c)는 40nm 두께의 은(Ag) 필름에 대하여 RTA 공정을 섭씨 650도의 온도로 30초 동안 수행한 결과를 나타내는데, 상기 도 11의 (c)에서는 적절한 확률론적 나노 은(Ag) 구조물이 형성되지 못한 것을 알 수 있다.
상기 도 10 및 도 11의 실험 결과에서 보는 바와 같이 금속 필름의 두께와 형성될 나노 금속 구조들의 크기 및 높이 등의 여러 요소들을 종합적으로 고려하여 RTA 공정의 온도와 시간 조건은 다양하게 설정될 수 있다. 즉, RTA 공정 수행에서 온도와 시간은 서로 반비례하며, 금속 필름의 두께는 온도와 시간에 비례하도록 상황에 따른 여러 요소를 고려하여 공정 수행 조건이 설정된다.
다시 도 9의 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 실시예로 회귀하여 RTA 공정에 따른 확률론적 나노 구조물이 형성된 이후의 제조 과정을 계속하여 살펴보기로 한다.
기판(10) 상에 확률론적 금속 나노 구조(150)들이 분포되어 형성되면, 상기 도 9의 (d)에 도시된 바와 같이 금속 전극층(160)을 형성시키는데, 여기서 금속 전극층(160)은 증착 등 기존의 다양한 방법을 통해 형성될 수 있으며, 기판(10) 상에 형성된 확률론적 금속 나노 구조(150)들의 형태에 따라 주름진 층의 형태로 금속 전극층(160)이 형성되게 된다. 본 발명에 따른 상기 도 9의 실시예에서는 금속으로 형성된 확률론적 나노 구조(150)들과 그 상부에 형성된 금속 전극층(160)이 함께 하부 전극층(100)으로 형성된다.
그리고 상기 도 9의 (e)에 도시된 바와 같이 하부 전극층(100)의 상부에 유기 발광층(200)을 형성하는데, 유기 발광층(200)도 금속 전극층(160)의 주름진 형태에 따라 그에 대응하여 주름진 층으로 형성하게 되며, 여기서 유기 발광층(200)은 금속 전극층(160)이 애노드 전극으로 동작하는 전면 발광의 노멀 구조 구조인 경우에는 하부 전극층(100)의 상부로부터 순차적으로 홀 주입층(210), 홀 전달층(220), 발광 물질층(230), 전자 전달층(240) 및 전자 주입층(250)이 적층되어 구성될 수 있고, 금속 전극층(160)이 캐소드 전극으로 동작하는 전면 발광의 인버티드 구조인 경우에는 금속 전극층(160)의 상부로부터 순차적으로 전자 주입층, 전자 전달층, 발광 물질층, 홀 전달층 및 홀 주입층이 적층되어 구성될 수 있다. 여기서 각 층들은 금속 전극층(160)의 주름진 형태에 대응하여 주름진 층의 모습을 갖는다.
다음으로 유기 발광층(200)의 상부에 투명 전극층(300)을 형성시키는데, 투명 전극층(300) 역시 유기 발광층(200)의 주름진 형태에 따라 그에 대응하여 주름진 층으로 형성시키게 되며, 투명 전극층(300)은 금속 전극층(160)에 대응하여 캐소드 전극 또는 애노드 전극으로 동작하게 된다.
이와 같이 본 발명에서는 RTA 열공정을 통해 편리하게 반구형의 확률론적 나노 구조(150)을 형성하고, 그 상부에 순차적으로 금속 전극층(160), 유기 발광층(200) 및 투명 전극층(300)을 형성시킴으로써 복잡한 공정 없이 간단하게 주름진 형태의 OLED의 제조가 가능하게 된다.
다음으로 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 다른 하나의 실시예로서 폴리머를 이용하여 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 경우를 살펴보기로 한다.
본 발명에 따라 폴리머를 이용하여 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 경우는, OLED가 형성되는 기판으로 유리 기판을 이용하는 경우와 폴리머기판 자체를 이용하는 경우로 분류할 수 있다.
폴리머를 이용하는 경우 플라즈마 건식 식각을 통해 확률론적 나노 구조물을 형성시키는데, 플라즈마 식각을 위한 장비로는 다양한 장치들이 적용될 수 있으나 바람직하게는 M-ICP(Magnetized Inductively Coupled Plasma)를 사용하여 플라즈마 건식 식각 공정을 수행할 수 있다.
M-ICP를 이용하면 식각 시에 파워를 용이하게 조절 가능하므로 상대적으로 낮은 에너지를 가지는 이온 파티클로 식각 조절이 가능하며, 여기서 혼합 가스로는 O2에 CF4, SF6, CHF3 등의 플루린(Fluorine) 계열을 혼합한 혼합가스 등이 이용될 수 있다. 본 발명에서는 이와 같은 혼합가스로 M-ICP의 바이어스 파워와 식각 시간을 조절하여 폴리머를 식각하여 확률론적 나노 구조물을 형성시킨다.
폴리머를 마스크 없이 플라즈마 식각하는 경우에, 산소 라디칼(Radical) 및 이온 충격에 따른 식각이 진행될 수 있으며, 나아가서 폴리머층이나 폴리머 기판이 미세 결정질과 비정질 부분으로 이루어짐에 따라 결정질과 비정질의 식각 속도 차이가 발생되는데 비정질이 보다 빨리 식각되고 결정질이 보다 느리게 식각됨으로써 서로 상이한 식각 속도로 전체 면의 식각이 상이하게 조절되어, 결과적으로 미세한 나노 크기의 돌출 구조들이 있는 표면이 형성된다.
이와 같은 식각 조건을 이용하여 본 발명에서는 확률론적 나노 구조물을 이용하는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제시하는데, 먼저 유리 기판에 폴리머를 이용하여 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 경우로서, 도 12는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 다른 하나의 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시한다.
상기 도 12의 (a)와 같이 기판(10)의 상부에 폴리머층(120)을 형성시킨다. 여기서 폴리머층(120)은 일반적으로 반도체 공정에서 사용되고 있는 PMMA(Polymethyl Metacrylate)와 같은 폴리머를 주성분으로 갖는 포토레지스트나 용제에 녹여진 폴리이미드(Polyimide)와 같은 물질을 이용할 수 있으며, 스핀코팅 공정을 통해 폴리머층(120)을 형성시킨 후 열이나 UV를 가해 0.8um~3.5um 정도의 두께로 고형화시킨다.
그리고 상기 도 12의 (b)와 같이 폴리머층(120)을 M-ICP 장치를 이용하여 산소(O2)에 CF4, SF6, CHF3 등의 플루린 계열을 혼합한 혼합가스로 플라즈마 식각하는데, 이때 상기 도 12의 (c)와 같이 산소 라디칼 및 이온 충격에 따른 식각이 진행되며, 나아가서 폴리머층이 미세 결정질과 비정질 부분으로 이루어짐에 따른 결정질과 비정질의 식각 속도 차이를 통해 폴리머층(120) 표면의 식각이 조절되어 미세한 나노 크기의 돌출 구조들이 있는 표면이 형성된다.
상기 식각 조건을 통해 폴리머층(120)의 표면 식각을 조절하여 상기 도 12의 (d)와 같이 폴리머층(120a)에 확률론적 나노 구조들(150a)을 형성한다.
기판(10) 상에 확률론적 나노 구조(150a)들이 분포되어 형성되면, 상기 도 12의 (e)에 도시된 바와 같이 금속 전극층(160)을 형성시키는데, 여기서 금속 전극층(160)은 증착 등 기존의 다양한 방법을 통해 형성될 수 있으며, 기판(10) 상에 형성된 확률론적 나노 구조(150)들의 형태에 따라 주름진 층의 형태로 금속 전극층(160)이 형성되어 주름진 층의 형태를 갖는 하부 전극층(100a)을 얻을 수 있다.
그리고 하부 전극층(100a)의 상부에 순차적으로 유기 발광층과 투명 전극층을 형성시키는데, 이 과정은 앞서 상기 도 9의 (e)와 (f)를 통해 살펴본 과정과 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
나아가서 상기 도 12의 실시예에 대한 변형된 실시예로서, 폴리머층의 상면에 확률론적으로 분산된 금속 아일랜드를 형성시키고 이를 마스크로 이용하여 폴리머층을 플라즈마 에칭함으로써 확률론적 나노 구조들을 형성할 수도 있는데, 이에 대하여 도 13에 도시된 실시예를 통해 살펴보기로 한다.
상기 도 13의 (a)에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상면에 폴리머층(120)을 형성시키는데, 이는 상기 도 12의 (a)와 동일한 과정을 통해 형성시킬 수 있다.
그리고 상기 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이 폴리머층(120)의 상면에 스퍼터링이나 전자빔 증착 공정으로 분산된 금속 핵(Metallic nucleation)(140)을 형성시키고, 상기 도 13의 (c)와 같이 금속 핵(140)을 성장시켜 금속 아일랜드(Metallic island)(140a)를 생성한다. 여기서 금속 아일랜드는 은(Ag), 금(Au) 또는 구리(Cu) 등의 금속 물질로 형성할 수 있다.
상기 도 9의 (a)에서는 스퍼터링이나 전자빔 증착 공정을 통해 금속 필름을 형성시켰는데, 상기 도 13의 (b)와 (c)에서는 금속 필름으로까지 형성되기 전에 짧은 시간 동안 얇게 금속 물질을 증착함으로써 미쳐 필름의 형태까지 이루지 못한 금속 아일랜드(140a)를 형성시킬 수 있다. 즉 스퍼터링이나 전자빔 증착 공정을 통해 얇은 두께로 짧은 시간 동안 금속 물질의 증착을 수행하게 되면 초기 단계에서 금속 물질이 수 A(Angstrom)의 크기를 가지는 핵(Nucleation)으로 생성되고 이후 생성된 핵을 중심으로 금속 아일랜드가 점점 커지면서 인접한 금속 아일랜드끼리 서로 합쳐져서 금속막으로 성장하게 된다. 본 발명에서는 이와 같은 특성을 이용하여 스퍼터링이나 전자빔 증착 공정으로 금속 물질의 핵을 생성하고 이를 성장시키면서 미쳐 금속막을 형성하기 이전에 짧은 시간 동안 얇게 증착 공정을 수행함으로써 금속 아일랜드가 비정형적으로 각기 다른 사이즈로 분산된 형태를 얻을 수 있다.
그리고 상기 도 13의 (d)와 같이 금속 아일랜드(140a)를 일종의 마스크로 활용하여 플라즈마 건식 식각을 수행하게 되면, 상기 도 13의 (e)와 같이 폴리머층(120a)에서 금속 아일랜드(140a) 부분이 형성되지 않은 부분에 상대적으로 많은 식각이 이루어지게 되며, 이를 통해 상기 도 13의 (f)와 같은 확률론적 나노 구조들(150b)을 얻을 수 있다.
확률론적 나노 구조들(150b)이 형성되면, 상기 도 13의 (g)와 같이 그 상부에 금속 전극층(160)을 형성한 후 순차적으로 상기 도 9의 (e)와 (f)에서 수행되는 과정으로 유기 발광층과 투명 전극층을 형성시킨다.
이와 같이 본 발명에서는 폴리머를 이용하여 확률론적 나노 구조를 제조하는 방법을 제시하는데, 이를 통해 제조된 확률론적 나노 구조물에 대한 AFM(Atomic Force Microscope) 사진이 도 14와 도 15에 나타나 있다.
상기 도 14는 스핀 코팅 및 고형화 공정을 통해 1.8um 두께의 폴리머층을 형성하고 M-ICP를 이용하여 플라즈마 식각으로 확률론적 나노 구조물을 형성한 결과를 나타내며, 여기서 공정 조건으로서 O2와 CF4를 1:4 비율로 혼합한 혼합가스를 식각 가스로 사용하였으며, M-ICP의 챔버 압력을 30mTorr, 소스파워(Source power)를 150W, 바이어스파워(Bias power)를 50W로 부여하여 2분 동안 플라즈마 건식 식각을 수행하였다.
이를 통해 상기 도 14의 결과에서는 나노 구조들의 평균 높이가 50nm이고 나노 구조들의 최장 단면직경의 평균이 100nm로 분포된 확률론적 나노 구조물이 생성되었음을 확인하였다.
또한 상기 도 15에서는 폴리머층을 2.5um의 두께로 형성시키고, M-ICP의 챔버에 O2와 SF6를 1:1 비율로 혼합한 혼합가스를 주입하고, 압력을 35mTorr, 소스파워를 150W, 바이어스 파워를 50W로 부여하여 4분 동안 플라즈마 건식 시각을 수행하였다.
그 결과 상기 도 15에서는 나노 구조들의 평균 높이가 65nm이고 나노 구조들의 최장 단면직경의 평균이 150nm로 분포된 확률론적 나노 구조물이 생성되었음을 확인하였다.
다음으로 폴리머 기판을 이용하여 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 경우로서, 도 16은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법에 대한 또 다른 하나의 실시예로서의 제조 공정 흐름도를 도시한다.
상기 도 16의 실시예에서 폴리머 기판을 이용하는 경우는, 상기 도 12의 실시예에서 기판 위에 형성된 폴리머층을 이용하는 경우와 기본적인 원리는 유사하므로 중복된 설명은 상기 도 12의 실시예를 참고하기로 한다.
상기 도 16의 (a)와 같이 폴리머 기판(10)을 준비하고, 상기 상기 도 16의 (b)와 같이 폴리머 기판(10)을 M-ICP 장치를 이용하여 혼합가스로 플라즈마 식각하는데, 이때 폴리머 기판(10)에 대한 플라즈마 식각은 앞서 상기 도 12의 (c)에 도시된 원리와 유사하게 산소 라디칼 및 이온 충격에 따른 식각이 진행되며, 또한 폴리머 기판이 미세 결정질과 비정질로 이루어짐에 따른 결정질과 비정질의 식각 속도 차이로 기판의 식각이 조절된다.
상기 식각 조건을 통해 폴리머 기판(10)의 표면 식각을 조절하여 상기 도 16의 (c)와 같이 폴리머 기판(10a) 자체 표면에 확률론적 나노 구조들(150c)을 형성한다.
그리고 확률론적 나노 구조(150c)들이 분포되어 형성된 폴리머 기판(10a)의 상부에 상기 도 16의 (d)와 같이 확률론적 나노 구조(150c)들의 형태에 따라 주름진 층의 형태로 금속 전극층(160)을 형성시키고, 그 상부에 순차적으로 유기 발광층과 투명 전극층을 형성시킨다.
이와 같이 상기 도 16의 실시예에서는 상기 도 12의 실시예와 유사한 원리를 이용하여 폴리머 기판 자체 표면을 플라즈마 식각하여 확률론적 나노 구조물을 형성하게 된다.
나아가서 상기 도 16의 실시예에 대한 변형된 실시예로서, 폴리머 기판의 상면에 확률론적으로 분산된 금속 아일랜드를 형성시키고 이를 마스크로 이용하여 폴리머 기판을 플라즈마 에칭함으로써 확률론적 나노 구조들을 형성할 수도 있는데, 이에 대하여 도 17에 도시된 실시예를 통해 살펴보기로 한다.
상기 도 17의 실시예는 상기 도 13의 실시예와 유사한데, 상기 도 17의 (a)와 같이 폴리머 기판(10)을 준비하고, 상기 도 17의 (b)와 같이 폴리머 기판(10)의 상면에 스퍼터링이나 전자빔 증착 공정으로 분산된 금속 핵(140)을 형성시킨 후, 상기 도 17의 (c)와 같이 금속 핵(140)을 성장시켜 금속 아일랜드(140b)를 생성한다. 상기 도 17의 (b)와 (c)를 통해 금속 아일랜드(140b)를 형성시키는 과정은 앞서 살펴본 상기 도 13의 (b)와 (c)에서 수행하는 과정과 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.
그리고 상기 도 17의 (d)와 같이 금속 아일랜드(140b)를 일종의 마스크로 활용하여 폴리머 기판(10)에 대하여 플라즈마 건식 식각을 수행하게 되면, 상기 도 17의 (e)와 같이 폴리머 기판(10b)의 상면에서 금속 아일랜드(140b) 부분이 형성되지 않은 부분에 상대적으로 많은 식각이 이루어지게 되며, 이를 통해 상기 도 17의 (f)와 같은 폴리머 기판(10b) 상면 자체에 형성된 확률론적 나노 구조들(150d)을 얻을 수 있다.
확률론적 나노 구조들(150d)이 형성되면, 상기 도 17의 (g)와 같이 그 상부에 금속 전극층(160)을 형성한 후 순차적으로 유기 발광층과 투명 전극층을 형성시킨다.
상기 도 16 및 도 17의 실시예에 따라 폴리머 기판의 상면 자체에 확률론적 나노 구조물을 형성시키는 과정과 원리는 앞서 살펴본 상기 도 12 및 도 13의 실시예와 유사하므로 상기 도 16 및 도 17의 공정 수행을 통해 얻어지는 실험 결과는 상기 도 12의 결과를 통해 충분히 유추할 수 있을 것이다.
이와 같은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 특성을 살펴보면, 도 18은 종래기술과 본 발명에 따른 유기전계발광소자에 대한 양자 효율의 실험 결과 그래프를 도시하는데, 상기 도 18의 (a)에서 w/o Ag islands의 그래프는 종래기술에 따른 OLED의 I-V 관계 및 V-L 관계를 나타내고, w Ag islands의 그래프는 본 발명에 따른 OLED의 I-V 관계 및 V-L 관계를 나타내며, 상기 도 18의 (b)에서 w/o islands의 그래프는 종래기술에 따른 OLED의 양자 효율을 나타내고, w Ag islands의 그래프는 본 발명에 따른 OLED의 양자 효율을 나타낸다.
상기 도 18의 (a)에서 x축은 구동 전압이고 y축은 좌측이 구동 전류를 나타내고 우측이 동시에 측정되는 휘도 수치를 나타내는데, 전류-전압 그래프에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 확률론적 은(Ag) 구조물을 적용한 OLED의 경우에 종래 기술에 따른 OLED 보다 동일 전류 전원으로 더 낮은 전압에서 동작이 가능하게 하며, 이는 구동 전압의 감소를 가져오는 장점이 된다. 또한 전압-휘도의 그래프에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 확률론적 은(Ag) 구조물을 적용한 OLED의 경우에 종래 기술에 따른 OLED와 대비하여 동일 전압에서 더 높은 휘도를 보이는데, 동일 전압 조건에서 본 발명에 따른 확률론적 은(Ag) 구조물을 적용한 OLED가 종래 기술에 따른 OLED 보다 최대 120% 정도 휘도가 더 높아지는 것을 알 수 있다.
나아가서 상기 도 18의 (b)에 도시된 양자 효율의 그래프에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 확률론적 은(Ag) 구조물을 적용한 OLED의 경우에 종래 기술에 따른 OLED 보다 100%이상 양자 효율이 향상되었음을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 복잡한 공정 없이 RTA 열공정을 이용하여 간단하고 편리하게 유리 기판 상에 확률론적 금속 나노 구조들을 형성시킬 수 있으며, 금속 나노 구조들의 상부에 순차적으로 OLED의 층들을 형성시킴으로써 용이하게 주름진 형태의 OLED 제조가 가능하게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판,
10a, 10b : 폴리머 기판,
20 : 캐소드 전극,
31 : 전자 주입층, 35 : 전자 전달층,
40 : 발광 물질층, 51 : 홀 전달층,
55 : 홀 주입층, 60 : 애노드 전극,
100, 100a, 100b : 하부 전극층,
140 : 금속 핵,
140a, 140b : 금속 아일랜드,
150a, 150b, 150c, 150d : 확률론적 나노 구조,
160 : 금속 전극층,
200 : 유기 발광층,
210, 250 : 전자 주입층 또는 홀 주입층,
220, 240 : 전자 전달층 또는 홀 전달층,
230 : 발광 물질층,
300 : 투명 전극층.

Claims (17)

  1. 전면 발광형(Top emission type)의 유기전계발광소자(OLED)에 있어서,
    기판 상면에 반구형의 나노 구조물 간의 이격 거리, 구조물의 높이 및 최장 단면직경이 기설정된 기준치로부터 정규분포된 확률분포를 가지도록 형성된 확률론적 나노 구조(Stochastic nanostructure)들을 포함하여, 전자파의 산란 현상을 이용하여 표면 전자기파인 표면 플라즈몬 폴라리톤을 전면으로 방출되는 광으로 끌어내기 위한 확률론적 나노 구조물;
    상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 주름진 층으로 형성된 금속 전극층을 포함하는 하부 전극층;
    상기 하부 전극층의 상부에 상기 하부 전극층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성되며, 전계 인가에 따라 색을 발광하기 위한 발광 물질을 포함하는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층의 상부에 상기 유기 발광층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성된 투명 전극층인 상부 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 확률론적 나노 구조들은, 최장 단면직경의 크기가 50~400nm의 범위, 높이가 10~70nm의 범위 및 구조들간 간격이 100~500nm의 범위에서 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 물질은,
    적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 또는 백색(White) 중 선택된 어느 하나의 인광체 또는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은, 유리 기판 또는 폴리머(Polymer) 기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 전극층과 상기 상부 전극층 중 어느 하나는 캐소드 전극이고 다른 하나는 애노드 전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  7. 전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서,
    기판의 상부에 금속 필름을 형성하는 금속 필름 형성 단계;
    RTA(Rapid Thermal Annealing) 열공정으로 상기 금속 필름을 처리하여 금속 물질의 자가 응집화를 통한 금속 입자들이 분산되어 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및
    상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 필름 형성 단계는,
    유리 기판 또는 폴리머 기판의 상부에 금속 필름을 형성하며,
    상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는,
    상기 기판의 특성을 고려하여 RTA 열공정을 섭씨 200~700도 이내의 온도 조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 필름 형성 단계는,
    그 두께를 5 nm ~ 30 nm로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 필름 형성 단계에서 금속 물질은,
    은(Ag), 금(Au) 또는 구리(Cu) 중 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
  11. 전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서,
    기판의 상부에 폴리머(Polymer)층을 형성하는 폴리머층 형성 단계;
    혼합가스로 상기 기판 상부의 폴리머층을 플라즈마 식각하여 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및
    상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함하며,
    상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는,
    스퍼터링이나 전자빔 증착을 통해 상기 폴리머층 상부에 분산된 금속 핵(Metallic nucleation)을 형성시키고 상기 금속 핵을 성장시켜 금속 아일랜드(Metallic island)를 생성하는 단계; 및
    상기 금속 아일랜드가 형성된 상기 폴리머층의 표면을 플라즈마 식각하여 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서,
    폴리머 기판을 준비하는 기판 준비 단계;
    혼합가스로 상기 폴리머 기판의 표면을 플라즈마 식각하여 상기 폴리머 기판의 표면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및
    상기 확률론적 나노 구조물이 형성된 폴리머 기판 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함하며,
    상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는,
    스퍼터링이나 전자빔 증착을 통해 상기 폴리머 기판 상면에 분산된 금속 핵을 형성시키고 상기 금속 핵을 성장시켜 금속 아일랜드를 생성하는 단계; 및
    상기 금속 아일랜드가 형성된 상기 폴리머 기판을 플라즈마 식각하여 상기 폴리머 기판의 표면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
KR1020130139949A 2013-01-07 2013-11-18 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법 KR101623093B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130001596 2013-01-07
KR1020130001596 2013-01-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140090070A KR20140090070A (ko) 2014-07-16
KR101623093B1 true KR101623093B1 (ko) 2016-05-23

Family

ID=51737917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130139949A KR101623093B1 (ko) 2013-01-07 2013-11-18 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101623093B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016052987A1 (ko) * 2014-09-29 2016-04-07 한국기계연구원 플라즈모닉 광흡수체, 이를 포함하는 플라즈모닉 광촉매 기판 및 이의 제조방법
JP2019507499A (ja) 2016-02-04 2019-03-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 量子収率が増大するよう量子ドットに光および熱を加えるための方法および装置
KR101967023B1 (ko) * 2016-03-30 2019-04-09 한양대학교 산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102558253B1 (ko) * 2016-08-29 2023-07-24 한국재료연구원 이중층 금속 박막 기판 및 이의 제조방법
KR102067895B1 (ko) * 2018-05-31 2020-01-17 선문대학교 산학협력단 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011154843A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011154843A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140090070A (ko) 2014-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI678006B (zh) 有機電激發光元件
TWI565114B (zh) Organic light emitting diode, manufacturing method of organic light emitting diode, image display device and lighting device
KR101623093B1 (ko) 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법
US9696462B2 (en) Metal-based particle assembly
US20170097447A1 (en) Metal-based particle assembly
Okamoto et al. High-efficiency InGaN/GaN light emitters based on nanophotonics and plasmonics
WO2015127803A1 (zh) 有机电致发光器件和显示装置
US9693424B2 (en) Metal-based particle assembly
KR102283499B1 (ko) Oled 구조
TW201418003A (zh) 金屬系粒子集合體
US20150303242A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
US20200403037A1 (en) Light emitting device and display apparatus including the light emitting device
Huang et al. Fabrication of surface metal nanoparticles and their induced surface plasmon coupling with subsurface InGaN/GaN quantum wells
US9484553B2 (en) Organic light-emitting diode device and manufacturing method thereof
Du et al. Efficiency improvement of GaN-based micro-light-emitting diodes embedded with Ag NPs into a periodic arrangement of nano-hole channel structure by ultra close range localized surface plasmon coupling
US9293659B2 (en) Method for fabricating microstructure to generate surface plasmon waves
CN110828624A (zh) 一种具有局域等离子体增强效应的led的制备方法
Pérez-Díaz et al. Study of silicon rich oxide light emitter capacitors using textured substrates by metal assisted chemical etching
US20150041842A1 (en) Inorganic layer light-emitting device
Iijima et al. Size dependence of emission enhancement of Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum with plasmonic Al nanostructure
KR20230121576A (ko) 유기 전계발광 디바이스
Hsu et al. 29.4: Extraction Enhancement and Lateral Cavity Effect of Organic Light Emitting Diode by Using Metallic Nanostructures
Paiella et al. Plasmon-Enhanced Near-Green Light Emission from InGaN/GaN Quantum Wells
Du et al. Photoluminescence Intensity Enhancement of Nanorod Leds Via Localized Surface Plasmon Coupling
KR20130011479A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 4