KR20130008412A - Vacuum heat treatment apparatus - Google Patents

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KR20130008412A
KR20130008412A KR1020110069142A KR20110069142A KR20130008412A KR 20130008412 A KR20130008412 A KR 20130008412A KR 1020110069142 A KR1020110069142 A KR 1020110069142A KR 20110069142 A KR20110069142 A KR 20110069142A KR 20130008412 A KR20130008412 A KR 20130008412A
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A vacuum heat treatment device is provided to increase a yield of a compound powder by optimizing a shape of a reaction container to prevent a scattering phenomenon of the compound powder in the reaction container. CONSTITUTION: A vacuum heat treatment includes a chamber, a reaction container(30), and a heating member. The reaction container is positioned in the chamber. The heating member heats the reaction container in the chamber. The reaction container comprises a space therein, a container portion(32) with one side open, and a cover portion(34) covering the container portion. A lower surface of the cover portion comprises an insert region that is inserted to the space. A thickness of the insert region satisfies 1/3 to 3/5 of a depth of the container portion. A plane section of the reaction container is formed of a curved surface. The lower surface of the insert region has a groove(322).

Description

진공 열처리 장치{VACUUM HEAT TREATMENT APPARATUS}Vacuum heat treatment equipment {VACUUM HEAT TREATMENT APPARATUS}

본 기재는 진공 열처리 장치에 관한 것이다. The present disclosure relates to a vacuum heat treatment apparatus.

진공 열처리 장치는 원료를 도가니 내에서 열처리하여 원하는 물질을 제조하는 장치로서, 진공 상태에서 열처리를 수행하여 주위로부터의 오염이 발생하지 않는 등의 장점이 있다. 이러한 진공 열처리 장치에서는, 진공으로 유지되는 챔버 내에 단열 부재를 위치시키고 이 단열 부재 내에 히터를 위치시켜 원료를 가열한다.Vacuum heat treatment apparatus is a device for producing a desired material by heat-treating the raw material in the crucible, there is an advantage such that contamination from the surroundings is not generated by performing heat treatment in a vacuum state. In such a vacuum heat treatment apparatus, a heat insulating member is placed in a chamber maintained in vacuum, and a heater is placed in this heat insulating member to heat the raw material.

그런데, 반응 중에 도가니에 형성되어 있는 배기 구멍으로 반응 가스가 배출되지 않아 도가니 내에서 합성된 탄화규소 분말이 비산되어 수율이 저하된다.However, the reaction gas is not discharged into the exhaust hole formed in the crucible during the reaction, and thus the silicon carbide powder synthesized in the crucible is scattered and the yield is lowered.

실시예는 수율을 향상시킬 수 있는 진공 열처리 장치를 제공하고자 한다.The embodiment is to provide a vacuum heat treatment apparatus that can improve the yield.

실시예에 따른 진공 열처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 반응 용기; 및 상기 챔버 내에서 상기 반응 용기를 가열하는 가열 부재를 포함하고, 상기 반응 용기는 내부에 공간부를 구비하며 일면이 개구되는 용기부 및 상기 용기부를 덮는 덮개부를 포함하고, 상기 덮개부의 하면은 상기 공간부에 삽입되는 삽입 영역을 포함하며, 상기 삽입 영역의 두께는 상기 용기부의 깊이의 1/3 내지 3/5를 충족한다.Vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment, the chamber; A reaction vessel located within the chamber; And a heating member for heating the reaction vessel in the chamber, wherein the reaction vessel includes a vessel portion having a space portion therein and a lid portion covering one side of the vessel portion, and a lid portion covering the vessel portion. An insertion region inserted into the portion, wherein the thickness of the insertion region satisfies 1/3 to 3/5 of the depth of the container portion.

상기 반응 용기의 평면 형상은 곡면으로 이루어질 수 있다.The planar shape of the reaction vessel may be made of a curved surface.

상기 삽입 영역의 두께는 상기 용기부의 깊이의 1/2를 충족할 수 있다.The thickness of the insertion region may satisfy 1/2 of the depth of the container portion.

상기 삽입 영역은 상기 용기부의 측면으로부터 소정 거리만큼 이격될 수 있다.The insertion region may be spaced apart from the side surface of the container by a predetermined distance.

상기 소정 거리는 상기 용기부의 직경에 대하여 1:10 내지 1:13의 비율을 가질 수 있다.The predetermined distance may have a ratio of 1:10 to 1:13 with respect to the diameter of the container portion.

상기 소정 거리는 상기 용기부의 직경에 대하여 2:25의 비율을 가질 수 있다.The predetermined distance may have a ratio of 2:25 with respect to the diameter of the container portion.

상기 삽입 영역은 하면에 홈을 가질 수 있다.The insertion region may have a groove on a bottom surface thereof.

상기 홈은 상기 삽입 영역의 하면의 형상을 따라 나선을 이룰 수 있다.The groove may form a spiral along the shape of the lower surface of the insertion region.

상기 덮개부와 상기 용기부의 사이로 가스가 흐르도록 상기 용기부 측면의 상부에 요철이 형성될 수 있다.Unevenness may be formed in an upper portion of the side surface of the container portion so that gas flows between the cover portion and the container portion.

상기 덮개부의 삽입 영역은 곡면을 가질 수 있다.The insertion region of the cover portion may have a curved surface.

실시예에 따른 진공 열처리 장치에서는, 반응 용기의 형상을 최적화하여 반응 용기의 합성 분말의 비산 현상을 방지하여 합성 분말의 수율을 향상시킨다.In the vacuum heat treatment apparatus according to the embodiment, the shape of the reaction vessel is optimized to prevent scattering of the synthetic powder in the reaction vessel, thereby improving the yield of the synthetic powder.

또한, 덮개부 하부의 홈에 의해 반응 가스가 와류를 가지며 도가니 상부에 형성되는 배기 구멍을 통해 외부로 배출되어 분말의 회수량을 높일 수 있다.In addition, the reaction gas is vortexed by the groove in the lower portion of the lid and discharged to the outside through an exhaust hole formed in the upper part of the crucible, thereby increasing the recovery amount of the powder.

도 1은 일 실시예에 따른 진공 열처리 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 진공 열처리 장치의 반응 용기의 사시도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 4는 도 2의 덮개부의 하면을 도시한 것이다.
도 5는 도 2의 반응 용기를 하부에서 바라본 사시도이다.1 is a schematic view of a vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective view of a reaction vessel of a vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2.
4 illustrates a bottom surface of the lid of FIG. 2.
5 is a perspective view from below of the reaction vessel of FIG. 2;

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 진공 열처리 장치의 개략적인 도면이다. 1 is a schematic view of a vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 진공 열처리 장치(100)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 위치한 단열 부재(20)와, 단열 부재(20) 내에 위치한 반응 용기(30) 및 가열 부재(40)를 포함한다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. Referring to FIG. 1, a vacuum heat treatment apparatus 100 according to an embodiment includes a chamber 10, a heat insulation member 20 located in the chamber 10, a reaction vessel 30 located in the heat insulation member 20, and A heating member 40. This will be described in more detail as follows.

분위기 가스 공급 파이프(도시하지 않음)를 통하여 챔버(10)의 내부로 분위기 가스가 주입된다. 분위기 가스로는 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등의 불활성 가스를 사용할 수 있다. Atmospheric gas is injected into the chamber 10 through the atmosphere gas supply pipe (not shown). As an atmosphere gas, inert gas, such as argon (Ar) and helium (He), can be used.

챔버(10) 내에 위치하는 단열 부재(20)는 반응 용기(30)가 반응에 적정한 온도로 유지될 수 있도록 단열시키는 역할을 한다. 이러한 단열 부재(20)는 고온에 견딜 수 있도록 흑연을 포함할 수 있다. The heat insulating member 20 located in the chamber 10 serves to insulate the reaction vessel 30 so that the reaction vessel 30 can be maintained at a temperature suitable for the reaction. The heat insulating member 20 may include graphite to withstand high temperatures.

단열 부재(20) 내에는 혼합 원료가 충전되고 이들의 반응에 의하여 원하는 물질이 생성되는 반응 용기(30)가 위치한다. 이러한 반응 용기(30)는 고온에 견딜 수 있도록 흑연을 포함할 수 있다. 반응 중에 생성되는 가스 등은 반응 용기(30)에 연결된 배기구(12)을 통하여 배출할 수 있다.In the heat insulating member 20, a reaction vessel 30 is located in which mixed raw materials are filled and a desired substance is produced by the reaction thereof. The reaction vessel 30 may include graphite to withstand high temperatures. The gas generated during the reaction may be discharged through the exhaust port 12 connected to the reaction vessel 30.

단열 부재(20)와 반응 용기(30) 사이에는 반응 용기(30)를 가열하는 가열 부재(40)가 위치한다. 이러한 가열 부재(40)는 다양한 방법에 의하여 반응 용기(30)에 열을 제공할 수 있다. 일례로, 가열 부재(40)는 흑연에 전압을 가하여 열을 발생시킬 수 있다. A heating member 40 for heating the reaction vessel 30 is located between the heat insulating member 20 and the reaction vessel 30. This heating member 40 may provide heat to the reaction vessel 30 by various methods. In one example, the heating member 40 may generate heat by applying a voltage to the graphite.

이러한 진공 열처리 장치(100)는 일례로, 탄소원과 규소원을 포함하는 혼합 원료를 가열하여 탄화 규소를 제조하는 탄화 규소의 제조 장치로 이용될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. The vacuum heat treatment apparatus 100 may be used as, for example, a silicon carbide manufacturing apparatus for manufacturing silicon carbide by heating a mixed raw material including a carbon source and a silicon source. However, the embodiment is not limited thereto.

이러한 진공 열처리 장치(100)의 반응 용기(30)를 도 2 및 도 3을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 2는 일 실시예에 따른 진공 열처리 장치(100)의 반응 용기(30)의 사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.The reaction vessel 30 of the vacuum heat treatment apparatus 100 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. 2 is a perspective view of the reaction vessel 30 of the vacuum heat treatment apparatus 100 according to an embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 반응 용기(30)는 내부 공간을 가지며, 바닥면이 곡선형, 바람직하게는 원형 또는 타원형을 가질 수 있다.2 and 3, the reaction vessel 30 has an interior space and the bottom surface may be curved, preferably circular or elliptical.

바닥면이 원형을 가지는 경우, 힘을 균일하게 분산시켜 반응 용기(30)가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이에 대하여 진공 열처리 장치(100)가 탄화 규소를 제조하는 탄화 규소 제조 장치로 사용될 경우를 일례로 설명한다. When the bottom surface has a circular shape, the force may be uniformly distributed to prevent the reaction vessel 30 from being damaged. On the other hand, the case where the vacuum heat treatment apparatus 100 is used as a silicon carbide manufacturing apparatus which manufactures silicon carbide is demonstrated as an example.

반응 용기(30) 내에 탄소원, 규소원 등이 충전되고 고온에 의한 반응에 의하여 탄화 규소가 생성된다. 이때, 반응 용기(30)가 고온을 견디기 위해 흑연으로 이루어질 수 있는데, 반응 용기(30)의 흑연과 규소원이 반응하여 반응 용기(30) 내에 탄화 규소층이 형성될 수 있다. 그러면, 흑연으로 이루어진 반응 용기(30)에 이종 물질인 탄화 규소층이 형성될 수 있다. 종래에는 탄화 규소의 열팽창 계수가 반응 용기(30)를 이루는 흑연의 열팽창 계수보다 크므로 반응 용기(30)의 중간 부분이 부풀어 오를 수 있었다. 그러나 본 실시예에서는 반응 용기(30)의 평면 형상이 곡면 형상부를 포함하도록 하여 반응 용기(30)에 가해지는 열 응력들간의 방향성을 이용하여 반응 용기(30)에 가해지는 힘을 최소화할 수 있다. 이에 의하여 반응 용기의 변형 및 파손을 방지할 수 있다. The carbon source, the silicon source, etc. are filled in the reaction vessel 30, and silicon carbide is produced | generated by reaction by high temperature. In this case, the reaction vessel 30 may be made of graphite to withstand high temperatures, and the graphite and silicon source of the reaction vessel 30 may react to form a silicon carbide layer in the reaction vessel 30. Then, a silicon carbide layer, which is a heterogeneous material, may be formed in the reaction vessel 30 made of graphite. Conventionally, since the thermal expansion coefficient of silicon carbide is larger than the thermal expansion coefficient of graphite constituting the reaction vessel 30, the middle portion of the reaction vessel 30 could swell. However, in this embodiment, the planar shape of the reaction vessel 30 may include a curved portion, thereby minimizing the force applied to the reaction vessel 30 by using the directionality between the thermal stresses applied to the reaction vessel 30. . As a result, deformation and breakage of the reaction vessel can be prevented.

본 실시예에서 반응 용기(30)는 내부의 공간부를 구비하며 일면이 개구되는 용기부(32)와, 이 용기부(32)를 덮는 덮개부(34)를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the reaction vessel 30 may include a container portion 32 having a space portion therein and having one surface opened, and a lid portion 34 covering the container portion 32.

용기부(32)는 반응 원료가 충전되는 내부의 공간부를 구비한다. 그리고 용기부(32)에는 홈(322)이 형성되어 덮개부(34)와 용기부(32)의 사이로 기체가 흐르도록 할 수 있다. 이러한 홈(322)에 의하여 열처리 시 발생할 수 있는 가스들이 배출될 수 있다. The container portion 32 includes an inner space portion in which the reaction raw material is filled. In addition, a groove 322 may be formed in the container part 32 to allow gas to flow between the cover part 34 and the container part 32. Gases that may occur during heat treatment may be discharged by the grooves 322.

상기 홈(322)은 용기부의 측면 상부에 형성되어 있으며, 요철 형상을 가지며 형성될 수 있다. The groove 322 is formed on the upper side of the container portion, it may have a concave-convex shape.

덮개부(34)는 평편한 상면(343)으로부터 용기부(32)에 접촉하도록 외곽 영역에 형성되는 제1 부분(341)과, 용기부(32)의 공간부에 대응하도록 덮개부(34)의 하면 중앙 영역에 형성되는 제2 부분(342)를 포함할 수 있다. 이 때, 제2 부분(342)은 용기부(32)의 측면과 접하지 않고, 소정 거리(T4)를 갖도록 이격되어 있다.The cover part 34 includes a first part 341 formed in the outer region so as to contact the container part 32 from the flat upper surface 343, and the cover part 34 so as to correspond to the space part of the container part 32. May include a second portion 342 formed in the central region. At this time, the second portion 342 is spaced apart from the side surface of the container portion 32 to have a predetermined distance T4.

이때, 상기 제2 부분(342)과 상기 용기부(32)의 직경(T3)은 1:10 내지 1:13, 바람직하게는 2:25의 비율을 가지며 형성될 수 있다.At this time, the diameter (T3) of the second portion 342 and the container portion 32 may be formed having a ratio of 1:10 to 1:13, preferably 2:25.

또한, 상기 덮개부(34)의 제2 부분(342)의 두께(T2)는 상기 덮개부(34)가 용기부(32) 내에 삽입되었을 때, 상기 용기부(32)의 바닥면까지의 깊이(T1)의 1/3 내지 3/5, 바람직하게는 1/2을 충족한다.In addition, the thickness T2 of the second portion 342 of the cover portion 34 is a depth to the bottom surface of the container portion 32 when the cover portion 34 is inserted into the container portion 32. Satisfies 1/3 to 3/5, preferably 1/2 of (T1).

제1 부분(341)에 인접한 제2 부분(342)은 덮개부(34)의 덮개면에 대하여 경사지게 형성된다. 이와 같이 측면(343)을 경사지게 형성함으로써, 용기부(32)와 덮개부(34)의 부딪힘에 의한 파손을 효과적으로 방지할 수 있다. 제2 부분(342)의 측면은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 일례로, 라운드진 부분을 포함할 수 있다. The second part 342 adjacent to the first part 341 is formed to be inclined with respect to the cover surface of the cover part 34. By inclining the side surface 343 in this way, the damage by the collision of the container part 32 and the cover part 34 can be prevented effectively. Sides of the second portion 342 may have various shapes, and for example, may include a rounded portion.

이와 같이, 덮개부(34)의 제2 부분(342)의 두께(T2)를 종래보다 깊게 형성하여 반응 분말의 비산이 발생하는 공간을 줄이고, 제2 부분(342)과 용기부(32) 측면 사이의 이격거리(T4)를 줄임으로써 가스가 외부로 방출되는 길을 좁힌다.As such, the thickness T2 of the second portion 342 of the lid portion 34 is formed deeper than in the related art to reduce the space where the reaction powder is scattered, and the second portion 342 and the container portion 32 side surface. By reducing the separation distance (T4) between the narrow the way the gas is released to the outside.

이때, 다음과 같이 제2 부분(342)을 형성하여 가스의 방출을 유도한다.At this time, the second portion 342 is formed as follows to induce the release of gas.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참고하여 제2 부분의 가스 방출 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, the gas discharge structure of the second portion will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 도 2의 덮개부의 하면을 도시한 것이고, 도 5는 도 2의 반응 용기를 하부에서 바라본 사시도이다. 4 is a bottom view of the lid of FIG. 2, and FIG. 5 is a perspective view of the reaction vessel of FIG. 2 viewed from below.

도 4 및 도 5를 참고하면, 덮개부(32)의 제2 부분(342)의 하면에 홈(345)이 형성되어 있다.4 and 5, the groove 345 is formed on the lower surface of the second portion 342 of the cover part 32.

상기 홈(345)은 하면의 전면에 형성되며, 하면의 형상을 따라 돌아가는 나선형을 갖는다.The groove 345 is formed on the front surface of the lower surface, and has a spiral running along the shape of the lower surface.

상기와 같은 나선형의 홈(345)이 형성되어 있는 경우, 반응에서 발생하는 가스는 상기 나선형의 홈(345)을 따라 와류 현상을 일으키며 중앙부분에서 외곽부분으로 흐른다. 따라서 외곽부분에 형성되어 있는 이격거리(T4)를 통하여 용기부(32) 측면에 형성된 홈(322)으로 배출된다. When the spiral groove 345 is formed as described above, the gas generated in the reaction flows from the central portion to the outer portion, causing vortexing along the spiral groove 345. Therefore, it is discharged to the groove 322 formed on the side of the container portion 32 through the separation distance (T4) formed in the outer portion.

이하에서는 본 발명의 효과를 설명하기 위한 실험이다. Hereinafter, an experiment for explaining the effect of the present invention.

<< 비교예Comparative example 1> 1>

기존 직경이 500Φ이며 높이가 직경의 절반인 원통형의 흑연 도가니에 혼합된 SiO2와 카본 블랙을 칭량한다. 이를 노에 투입한 후 불활성 가스(Ar) 분위기에서 1400℃~1900℃ 합성온도로 3시간 열처리 후 총 투입량 2.5kg 에 대한 회수량은 400 g이다.  SiO 2 and carbon black mixed in a cylindrical graphite crucible with a diameter of 500Φ and a height of half the diameter are weighed. After the process was put into a furnace and heat-treated for 3 hours at 1400 ° C. to 1900 ° C. synthesis temperature in an inert gas (Ar) atmosphere, the recovery amount of the total amount of 2.5 kg was 400 g.

<< 실험예Experimental Example 1> 1>

비교예 1의 도가니에 직경 480Φ, 도가니 하단 두께 비율 1:2인 고안된 도가니 덮개에 혼합된 SiO2와 카본 블랙을 칭량한다. 이를 노에 투입 한 후 불활성 가스(Ar) 분위기에서 1400℃~1900℃ 합성온도로 3시간 열처리 후 합성된 회수율은 총 투입량 2.5kg 대비 450g이 회수되었다.  In the crucible of Comparative Example 1 was weighed SiO 2 and carbon black mixed in a designed crucible cover having a diameter of 480Φ and a crucible bottom thickness ratio of 1: 2. After injecting it into the furnace, after 3 hours heat treatment at 1400 ℃ ~ 1900 ℃ synthesis temperature in an inert gas (Ar) atmosphere, the synthesized recovery was 450g compared to the total 2.5kg input.

<< 실험예Experimental Example 2> 2>

실험예 1에 추가로 도가니 덮개와 도가니 옆면의 비 2:25인 도가니에 혼합된 SiO2와 카본 블랙을 칭량한다. 이를 노에 투입 한 후 불활성 가스(Ar) 분위기에서 1400℃~1900℃ 합성온도로 3시간 열처리 후 총 투입량 2.5kg 대비 475g이 회수되었다.  In addition to Experiment 1, SiO 2 and carbon black mixed in a crucible having a ratio of 2:25 between the crucible cover and the crucible side are weighed. After putting it into the furnace, after heat treatment for 3 hours at 1400 ℃ ~ 1900 ℃ synthesis temperature in an inert gas (Ar) atmosphere, 475g was recovered compared to the total input 2.5kg.

<< 실험예Experimental Example 3> 3>

실험예 2에 추가로 도가니 덮개 하부에 나선 모양의 홈(345)을 3T로 만들어 혼합된 SiO2와 카본 블랙을 칭량한다. 이를 노에 투입 한 후 불활성 가스(Ar) 분위기에서 1400℃~1900℃ 합성온도로 3시간 열처리 후 총 투입량 2.5kg 대비 600 g이 회수되었다.In addition to Experimental Example 2, a spiral groove 345 is made of 3T in the lower part of the crucible cover to weigh the mixed SiO 2 and carbon black. After putting this into the furnace, after heat treatment for 3 hours at 1400 ℃ ~ 1900 ℃ synthesis temperature in an inert gas (Ar) atmosphere, 600 g compared to the total input 2.5kg was recovered.

상기 실험의 결과는 다음 표와 같다.The results of the experiment are shown in the following table.

실험Experiment 수율yield 이론회수율 30% 대비 실제수율Actual yield compared to theoretical recovery 30% 비교예Comparative example 16%16% 53.3%53.3% 실험예1Experimental Example 1 18%18% 60%60% 실험예2Experimental Example 2 19%19% 63.3%63.3% 실험예3Experimental Example 3 24%24% 80%80%

상기 표를 참고하면, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 용기부(32)와 덮개부(34) 사이의 이격거리(T4) 및 덮개부(34)의 제2 부분(342)과 용기부(32)의 깊이비를 제어하고, 제2 부분(342)에 나선형의 홈(345)을 형성할 때, 수율이 이론회수율의 80%를 충족함을 알 수 있다. Referring to the table, as shown in FIGS. 1 to 5, the separation distance T4 between the container part 32 and the cover part 34 and the second part 342 of the cover part 34 and the container. When controlling the depth ratio of the part 32 and forming the spiral groove 345 in the second part 342, it can be seen that the yield satisfies 80% of the theoretical recovery rate.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

챔버;
상기 챔버 내에 위치하는 반응 용기; 및
상기 챔버 내에서 상기 반응 용기를 가열하는 가열 부재
를 포함하고,
상기 반응 용기는
내부에 공간부를 구비하며 일면이 개구되는 용기부 및 상기 용기부를 덮는 덮개부를 포함하고,
상기 덮개부의 하면은 상기 공간부에 삽입되는 삽입 영역을 포함하며, 상기 삽입 영역의 두께는 상기 용기부의 깊이의 1/3 내지 3/5를 충족하는 진공 열처리 장치.chamber;
A reaction vessel located within the chamber; And
Heating element for heating the reaction vessel in the chamber
Including,
The reaction vessel is
It includes a container portion having a space therein and opening one side and a cover portion covering the container portion,
The lower surface of the cover portion includes an insertion region inserted into the space portion, the thickness of the insertion region is a vacuum heat treatment apparatus that satisfies 1/3 to 3/5 of the depth of the container portion. 제1항에 있어서,
상기 반응 용기의 평면 형상은 곡면으로 이루어진 진공 열처리 장치.The method of claim 1,
The planar shape of the reaction vessel is a vacuum heat treatment apparatus consisting of a curved surface. 제1항에 있어서,
상기 삽입 영역의 두께는 상기 용기부의 깊이의 1/2를 충족하는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
And the thickness of the insertion region satisfies 1/2 of the depth of the container portion. 제1항에 있어서,
상기 삽입 영역은 상기 용기부의 측면으로부터 소정 거리만큼 이격되어 있는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
And the insertion region is spaced apart from the side surface of the container by a predetermined distance. 제4항에 있어서,
상기 소정 거리는 상기 용기부의 직경에 대하여 1:10 내지 1:13의 비율을 가지는 진공 열처리 장치.5. The method of claim 4,
The predetermined distance is a vacuum heat treatment apparatus having a ratio of 1:10 to 1:13 with respect to the diameter of the container portion. 제5항에 있어서,
상기 소정 거리는 상기 용기부의 직경에 대하여 2:25의 비율을 가지는 진공 열처리 장치.The method of claim 5,
The predetermined distance is a vacuum heat treatment apparatus having a ratio of 2: 25 relative to the diameter of the container portion. 제1항에 있어서,
상기 삽입 영역은 하면에 홈을 가지는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
And the insertion region has a groove on a lower surface thereof. 제7항에 있어서,
상기 홈은 상기 삽입 영역의 하면의 형상을 따라 나선을 이루는 진공 열처리 장치. The method of claim 7, wherein
The groove is a vacuum heat treatment apparatus forming a spiral along the shape of the lower surface of the insertion region. 제1항에 있어서,
상기 덮개부와 상기 용기부의 사이로 가스가 흐르도록 상기 용기부 측면의 상부에 요철이 형성되는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
And a convex-concave is formed in an upper portion of the side of the container so that gas flows between the lid and the container. 제1항에 있어서,
상기 덮개부의 삽입 영역은 곡면을 가지는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
And the insertion region of the cover part has a curved surface.
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