KR20130007188A - Ｃｉｇｓ 박막 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CIGS 박막 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 고가의 결정질 실리콘 태양 전지를 대체할 수 있는 고효율 및 저가의 차세대 태양 전지 재료로 활용가능한 CIGS 박막 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 a) 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 합금 타겟을 기판의 상부에 스퍼터링하여 상기 기판의 상부에 CIG 전구체를 형성하는 단계; (b) 상기 CIG 전구체를 셀레늄 분위기에서 1차 열처리하여 상기 기판의 상부에 구리-셀레늄(Cu-Se) 화합물, 인듐-셀레늄(In-Se) 화합물, 및 갈륨-셀레늄(Ga-Se) 화합물을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 분위기에서 2차 열처리하여 상기 기판의 상부에 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 CIG-3원 금속 합금 타겟을 이용한 원-스텝(one-step) 스퍼터링 및 2단계의 셀렌화 열처리 과정을 거쳐 우수한 표면 조도(surface roughness), 균일한 조성, 높은 박막 밀도, 및 큰 결정립을 갖는 CIGS 박막을 제조할 수 있으므로, 대면적의 CIGS 박막 제조, 제조 공정의 간소화, 및 제조 비용의 절감이 가능한 효과를 갖는다.
Description
본 발명은 CIGS 박막 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 고가의 결정질 실리콘 태양 전지를 대체할 수 있는 고효율 및 저가의 차세대 태양 전지 재료로 활용가능한 CIGS 박막 제조 방법에 관한 것이다.
CuInSe2(CIS) 또는 Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)로 대표되는 I-III-VI족 찰코파이라이트(chalcopylite)계 화합물 반도체는 직접천이형 에너지 밴드 갭을 가지고 있고, 광흡수계가 매우 높으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수한 등의 특성을 가지고 있어, 수 마이크로 미터 두께의 박막으로도 고효율의 태양전지 제조가 가능하고 제조 비용 또한 저렴하므로 현재 사용되고 있는 고가의 결정질 실리콘 태양전지를 대체할 차세대 태양 전지 재료로 부각되고 있는 추세에 있다.
상기와 같은 특성에 따라 태양 전지의 광흡수층으로 사용되는 CIGS 박막을 제조하는 방법 중 일반적으로 사용되는 고진공 증발법(3-stage evaporation)의 경우 제조 효율이 우수한 장점을 가지는 반면, 대면적 생산이 어려우며 증발 공정 중 조성 제어가 용이하지 못하여 제조 비용이 상승하게 되므로 제품의 가격 경쟁력이 떨어지는 문제점이 있었다.
또한, 다른 제조 방법으로 투-스테이지(2-stage) 방법, 다시 말해서 2개 이상의 타겟을 동시 또는 순차적으로 스퍼터링(sputtering) 하여 CIG 전구체를 형성한 후, 형성된 CIG 전구체를 유독성 기체인 셀렌화 수소(H2Se) 분위기에서 열처리하여 CIGS 박막을 제조하는 방법의 경우 CIG 전구체 형성을 위한 장비 및 공정 조건이 복잡하고, 열처리 과정 중 사용되는 셀렌화 수소(H2Se)가 유독성 기체인 관계로 제조 안전성을 담보하기 위한 안전 설비 구축을 위하여 많은 시설비가 전제되어야 하는 문제점이 있었다.
또한, 불균일한 CIG 전구체 조성의 균일화를 위한 장시간 동안의 저온 균질화 열처리 공정 및 표면 조도의 개선을 위한 후속 열처리 공정이 필수적으로 요구되므로 이에 따라 CIGS 박막의 제조 시간의 증가에 따른 제조 단가의 상승이 발생하고, 제조된 CIGS 박막의 표면 조도가 매우 좋지 못하여 고품질의 CIGS 박막 제조가 용이하지 못한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로 전기적 특성 및 광학적 특성을 개선함과 동시에 대면적 제조, 제조 시간 단축, 및 제조 비용 절감이 가능한 CIGS 박막 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 CIGS 박막 제조 방법은 (a) 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 합금 타겟을 기판의 상부에 스퍼터링하여 상기 기판의 상부에 CIG 전구체를 형성하는 단계; (b) 상기 CIG 전구체를 셀레늄 분위기에서 1차 열처리하여 상기 기판의 상부에 구리-셀레늄(Cu-Se) 화합물, 인듐-셀레늄(In-Se) 화합물, 및 갈륨-셀레늄(Ga-Se) 화합물을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 분위기에서 2차 열처리하여 상기 기판의 상부에 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (a) 단계에서 상기 합금 타겟에 포함된 인듐과 갈륨의 조성비는 1:99 내지 99:1일 수 있다.
또한, 상기 (a) 단계에 앞서서 상기 기판의 상부에 몰리브덴 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 (a) 단계에서 상기 스퍼터링은 1 내지 100mtorr의 아르곤 분압에서 1 내지 100watt의 스퍼터링 전력(sputtering power)으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 기판은 소다 석회 유리(soda lime glass) 기판이며, 상기 기판의 온도는 15도 내지 50도일 수 있다.
또한, 상기 (b) 단계는 상기 셀레늄 분위기에서 상기 기판의 온도를 300도 내지 400도로 하여 상기 기판 상부에 형성된 상기 CIG 전구체를 열처리하는 단계일 수 있다.
또한, 상기 (c) 단계는 상기 셀레늄 분위기에서 상기 기판의 온도를 400도 내지 600도로 하여 상기 기판 상부에 형성된 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 열처리하는 단계일 수 있다.
또한, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서, 상기 셀레늄 분위기는 고체 셀레늄 소스를 기화시켜 형성되며, 상기 고체 셀레늄 소스는 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 또는 갈륨-셀레늄 화합물일 수 있다.
본 발명에 의하면 CIG-3원 금속 합금 타겟을 이용한 원-스텝(one-step) 스퍼터링 및 2단계의 셀렌화 열처리 과정을 거쳐 우수한 표면 조도(surface roughness), 균일한 조성, 높은 박막 밀도, 및 큰 결정립을 갖는 CIGS 박막을 제조할 수 있으므로, 대면적의 CIGS 박막 제조, 제조 공정의 간소화, 및 제조 비용의 절감이 가능한 효과를 갖는다.
또한, 셀렌화 열처리 과정에서 유독 기체인 셀렌화 수소(H2Se)를 사용하는 대신 셀레늄 원소를 진공 증발시켜 사용하는 방식으로 셀렌화 열처리 과정이 이루어지므로 제조의 안정성을 위한 별도의 공정 또는 장치가 불필요해져 제조 공정의 간소화 및 제조 비용의 절감이 가능한 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법에 대한 순서도,
도 2는 CIG 전구체의 단면에 대한 참고도,
도 3은 CIG 전구체의 표면 구조에 대한 참고도,
도 4는 CIG 전구체의 EDS 분석 데이터에 대한 참고도,
도 5는 CIGS 박막의 단면에 대한 참고도,
도 6은 CIG 박막의 표면 구조에 대한 참고도,
도 7은 CIGS 박막의 EDS 분석 데이터에 대한 참고도,
도 8은 CIGS 박막의 엑스선 회절 분석 결과에 대한 참고도, 및
도 9는 도 1의 S20 및 S30에서의 온도 변화에 대한 참고 그래프이다.
도 2는 CIG 전구체의 단면에 대한 참고도,
도 3은 CIG 전구체의 표면 구조에 대한 참고도,
도 4는 CIG 전구체의 EDS 분석 데이터에 대한 참고도,
도 5는 CIGS 박막의 단면에 대한 참고도,
도 6은 CIG 박막의 표면 구조에 대한 참고도,
도 7은 CIGS 박막의 EDS 분석 데이터에 대한 참고도,
도 8은 CIGS 박막의 엑스선 회절 분석 결과에 대한 참고도, 및
도 9는 도 1의 S20 및 S30에서의 온도 변화에 대한 참고 그래프이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법의 순서도 이다.
도 1에 도시된 바와 같이 S10에서 구리(Cu), 인듐(In), 및 갈륨(Ga)을 포함하는 CIG-3원 합금 타겟을 기판의 상부에 스퍼터링(sputtering) 하여 상기 기판의 상부에 박막 형태의 CIG 전구체를 형성한다.
이때, S10에서 상기 CIG-3원 합금 타겟에 포함된 인듐과 갈륨의 조성비는 1:99 내지 99:1일 수 있는데, 다시 말해서 CIG-3원 합금 타겟의 화학 기호인 Cu(In1-xGax)에서 조성비 x가 1 내지 99인 것을 의미한다.
또한, CIG-3원 합금 타겟의 조성비는 Cu : In : Ga = 50 : 35 : 15일 수 있다.
또한, S10에서 상기 기판은 소다 석회 유리(soda lime glass) 기판일 수 있고 상기 기판의 온도는 15도 내지 50도일 수 있으며, 상기 스퍼터링은 원-스텝(one-step) 스퍼터링으로써 상기 기판의 온도를 15도 내지 50도로 유지한 상태에서 1 내지 100mtorr의 아르곤 분압 및 1 내지 100watt의 스퍼터링 전력(sputtering power)으로 이루어질 수 있다.
또한, S10에 앞서서 상기 기판 상부에 몰리브덴(Mo) 전극을 후면 전극으로 성장시키는 단계를 더 포함할 수 있는데, 상기와 같이 상기 기판 상부에 몰리브덴 전극을 성장시켜 상기 몰리브덴 전극이 상기 기판과 상기 CIG 전구체 사이에 위치하도록 하는 이유는 상기 기판과 상기 CIG 전구체 사이에 낮은 오믹 접촉(Ohmic contact)을 갖도록 함과 동시에 셀레늄 분위기에서 고온에 대한 안정성을 갖도록 하기 위함이다.
상기와 같이, 본 발명의 CIGS 박막 제조 방법의 경우 CIG-3원 합금 타겟을 기판 상부에 원-스텝 스퍼터링하여 CIG 전구체를 형성하며 상기 CIG 전구체 형성 과정 중 기판 온도 상승, 결정립 성정, 및 인-아이슬랜드(in-island) 형성을 제어하는 공정 변수 효과에 의해 매우 균일한 성분 조성비와 우수한 표면 조도를 갖는 CIG 전구체를 형성할 수 있고, 종래의 CIGS 박막 제조 방법에서 CIG 전구체 조성의 균질화(homogenization)을 위해 수행되는 장시간의 저온 열처리 단계가 불필요하게 된다.
따라서, 종래의 CIG 전구체에 대한 장시간의 저온 열처리 과정 중 CIG 전구체 내부에서 구리-갈륨-인듐의 얼로잉(alloying)이 발생되어 결국 CIGS 박막의 표면 조도가 증가하게 되는 현상을 방지할 수 있게 된다.
S20에서 기판의 상부에 형성된 CIG 전구체를 셀레늄 분위기에서 1차 열처리하여 기판의 상부에 구리-셀레늄(Cu-Se) 화합물, 인듐-셀레늄(In-Se) 화합물, 및 갈륨-셀레늄(Ga-Se) 화합물을 형성한다.
이때, S20은 셀레늄 분위기에서 기판의 온도를 300도 내지 400도로 하여 기판의 상부에 형성된 CIG 전구체를 열처리하는 단계일 수 있으며, 상기 셀레늄 분위기는 고체 셀레늄 소스, 다시 말해서 고체 상태의 셀레늄 원소가 포함된 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 또는 갈륨-셀레늄 화합물 중 어느 하나를 선택한 후 이를 200도 내지 400도에서 기화시켜 셀레늄 증기를 생성하는 방식으로 형성할 수 있다.
또한, S20에서 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 및 갈륨-셀레늄 화합물이 형성되는 화학적 반응은 아래의 화학식과 같이 나타낼 수 있다.
S30에서 기판의 상부에 형성된 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 및 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 분위기에서 2차 열처리하여 기판의 상부에 CIGS 박막을 형성하면 종료가 이루어진다.
이때, S30은 셀레늄 분위기에서 기판의 온도를 400도 내지 600도로 하여 기판의 상부에 형성된 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 및 갈륨-셀레늄 화합물을 열처리하여 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 및 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 증기와 상호 반응시켜 CIGS 박막을 형성시키고 상기 형성된 CIGS 박막의 표면 또는 입자 사이에서 그레인(grain)이 성장되도록 하는 단계일 수 있으며, 상기 셀레늄 분위기는 고체 셀레늄 소스, 다시 말해서 고체 상태의 셀레늄 원소가 포함된 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 또는 갈륨-셀레늄 화합물 중 어느 하나를 선택한 후 이를 200도 내지 400도에서 기화시켜 셀레늄 증기를 생성하는 방식으로 형성할 수 있다.
또한, S30에서 CIGS 박막이 형성되는 화학적 반응은 아래의 화학식과 같이 나타낼 수 있다.
도 2는 CIG 전구체의 단면에 대한 참고도, 도 3은 CIG 전구체의 표면 구조에 대한 참고도, 및 도 4는 CIG 전구체의 EDS 분석 데이터에 대한 참고도이다.
도 2와 도 3의 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope:SEM)에 의해 관찰된 CIG 전구체의 단면 및 표면 구조에 따르면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법에 의해 기판의 상부에 형성되는 CIG 전구체의 경우 종래의순차 스퍼터링 방식 또는 동시 스퍼터링 방식에 의해 형성되는 CIG 전구체와 비교 시에 우수한 표면 조도를 가지면서 박막 내부에 기공이 없고 박막 밀도가 높음을 확인할 수 있다.
또한, 도 4의 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope:SEM)에 의해 분석된 CIG 전구체의 분석 데이터에 따르면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법에 의해 기판의 상부에 형성되는 CIG 전구체 조성비(도 4의 Atomic%)의 경우 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 CIG-3원 금속 합금 타겟의 조성비(도 4의 Weight%)와 거의 동일함을 확인할 수 있다.
도 5는 CIGS 박막의 단면에 대한 참고도, 도 6은 CIG 박막의 표면 구조에 대한 참고도, 도 7은 CIGS 박막의 EDS 분석 데이터에 대한 참고도이다.
도 5와 도 6의 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope:SEM)에 의해 관찰된 CIGS 박막의 단면 및 표면 구조에 따르면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법에 의해 기판의 상부에 형성되는 CIGS 박막의 경우 종래의 투-스테이지(2-stage) 방법에 의해 형성되는 CIGS 박막과 비교 시에 기공이 존재하지 않고, 조밀성 및 표면 조도가 우수하며, 큰 결정립이 형성된 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 7의 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope:SEM)에 의해 분석된 CIGS 박막의 분석 데이터에 따르면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법에 의해 기판의 상부에 형성되는 CIGS 박막의 조성비(도 7의 Atomic%)의 경우 S30에서의 구리, 인듐, 갈륨, 및 셀레늄에 대한 화학양론적 조성비(도 7의 Weight%)와 거의 동일함을 확인할 수 있다.
도 8은 CIGS 박막의 엑스선 회절 분석 결과에 대한 참고도이다.
도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIGS 박막 제조 방법에 의해 기판의 상부에 형성되는 CIGS 박막에 대한 엑스선 회절 분석 결과에 따르면 우선 방위(preferred orientation)인 (112)외에 기본 방위인 (220,204), (312,316), 및 (400) 등에서 결정성이 우수한 박막인 것을 확인할 수 있으며, 우선 방위 (112)의 피크(peak) 2 델타(thelta)(도 8의 2θ (deg))인 26.9°에서 최대 강도를 보이므로 CIGS 박막이 찰코파이트 결정 구조를 형성한 것을 확인할 수 있다.
도 9는 도 1의 S20 및 S30에서의 온도 변화에 대한 참고 그래프이다.
도 9에 도시된 바와 같이 S20에서의 제1 열처리 단계(도 9의 1ST heating 및 1ST annealing)는 고체 셀레늄 소스를 200도 내지 400도로 기화시켜 셀레늄 증기를 생성하는 방식으로 형성되는 셀레늄 분위기 하에서 200도 내지 400도의 기판 온도로 2분 내지 150분 동안 이루어질 수 있다.
또한, S30에서의 제2 열처리 단계(도 9의 2nd heating 및 2nd annealing)는 셀레늄 분위기의 400도 내지 600도의 기판 온도에서 2분 내지 150분 동안 이루어질 수 있고, S30에 이어서 1분 내지 30분 동안 냉각을 수행하여 기판 온도를 300도 내지 400도로 낮추는 단계(도 9의 cooling down), 및 1분 내지 30분 동안 기판 온도를 300도 내지 400도로 유지하는 단계(도 9의 holding time)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 CIGS 박막 제조 방법은 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 CIG-3원 금속 합금 타겟을 기판 상부에 원-스텝 스퍼터링하여 기판 상부에 CIG 전구체를 형성하고, 셀레늄 분위기에서 1차 열처리 및 2차 열처리를 수행하는 셀렌화 열처리 과정을 거쳐 기판 상부에 CIGS 박막을 형성할 수 있다.
따라서, 우수한 표면 조도(surface roughness), 균일한 조성, 높은 박막 밀도, 및 큰 결정립을 갖는 CIGS 박막을 제조할 수 있으므로, 대면적의 CIGS 박막 제조, 제조 공정의 간소화, 및 제조 비용의 절감이 가능해진다.
또한, 셀렌화 열처리 과정에서 유독 기체인 셀렌화 수소(H2Se)를 사용하는 대신 셀레늄 원소를 진공 증발시켜 사용하는 방식으로 셀렌화 열처리 과정이 이루어지므로 제조의 안정성을 위한 별도의 공정 또는 장치가 불필요해져 제조 공정의 간소화 및 제조 비용을 절감할 수 있게 된다.
이상은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경, 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면들에 의해서 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동일한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (8)
- (a) 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 합금 타겟을 기판의 상부에 스퍼터링하여 상기 기판의 상부에 CIG 전구체를 형성하는 단계;
(b) 상기 CIG 전구체를 셀레늄 분위기에서 1차 열처리하여 상기 기판의 상부에 구리-셀레늄(Cu-Se) 화합물, 인듐-셀레늄(In-Se) 화합물, 및 갈륨-셀레늄(Ga-Se) 화합물을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 분위기에서 2차 열처리하여 상기 기판의 상부에 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서,
상기 합금 타겟에 포함된 인듐과 갈륨의 조성비는 1:99 내지 99:1인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (a) 단계에 앞서서,
상기 기판의 상부에 몰리브덴 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서,
상기 스퍼터링은 1 내지 100mtorr의 아르곤 분압에서 1 내지 100watt의 스퍼터링 전력(sputtering power)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서,
상기 기판은 소다 석회 유리(soda lime glass) 기판이며, 상기 기판의 온도는 15도 내지 50도인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (b) 단계는 상기 셀레늄 분위기에서 상기 기판의 온도를 300도 내지 400도로 하여 상기 기판 상부에 형성된 상기 CIG 전구체를 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (c) 단계는 상기 셀레늄 분위기에서 상기 기판의 온도를 400도 내지 600도로 하여 상기 기판 상부에 형성된 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서,
상기 셀레늄 분위기는 고체 셀레늄 소스를 기화시켜 형성되며, 상기 고체 셀레늄 소스는 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 또는 갈륨-셀레늄 화합물인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법.
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| KR1020110064201A KR20130007188A (ko) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | Ｃｉｇｓ 박막 제조 방법 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105932093A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-09-07 | 河南大学 | 一种高质量cigs薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 |
| KR20200104794A (ko) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 인천대학교 산학협력단 | In-situ 스퍼터링 기반 셀렌화에 의한 CIGS 광흡수층 제조방법 |
-
2011
- 2011-06-30 KR KR1020110064201A patent/KR20130007188A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20200104794A (ko) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 인천대학교 산학협력단 | In-situ 스퍼터링 기반 셀렌화에 의한 CIGS 광흡수층 제조방법 |
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