KR20130007033A - 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
전극의 하부에 전류가 집중되는 현상을 개선하여 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자와 그 제조방법을 제시한다.
본 발명의 발광 소자는, 기판, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층, 활성층의 표면 상에 형성된 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극 및 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극, 제2 도전형 반도체층과 제2 전극 사이에 개재된 오믹층, 그리고 제2 전극 하부의 제2 반도체층의 표면에 형성된 전류블로킹층을 포함한다.
본 발명의 발광 소자는, 기판, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층, 활성층의 표면 상에 형성된 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극 및 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극, 제2 도전형 반도체층과 제2 전극 사이에 개재된 오믹층, 그리고 제2 전극 하부의 제2 반도체층의 표면에 형성된 전류블로킹층을 포함한다.
Description
본 발명은 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)와 같이 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적인 신호를 빛으로 변화시키는 반도체 발광소자는 다른 발광체에 비해 수명이 길며, 낮은 전압을 사용하는 동시에 소비전력이 적다는 장점이 있다. 또한, 응답속도 및 내충격성이 우수할 뿐만 아니라, 소형·경량화가 가능하다는 장점도 있다.
이러한 반도체 발광소자는 사용하는 반도체의 종류와 구성물질에 따라 각기 다른 파장의 빛을 발생할 수 있어, 필요에 따라 여러 가지 다른 파장의 빛을 만들어 사용할 수 있다. 특히, 생산기술의 발달과 소자 구조의 개선으로 매우 밝은 빛을 낼 수 있는 고휘도 반도체 발광소자도 개발되어 그 쓰임새가 매우 넓어졌다.
과거에는 주로 녹색, 황색, 적색의 빛이나 적외선을 발생하는 고휘도 반도체 발광소자가 개발되어 사용되었으나, 1990년대 중반에 청색을 발하는 고휘도 반도체 발광소자가 개발됨으로써, 녹색, 적색, 청색의 고휘도 반도체 발광소자를 사용하여 자연스러운 총 천연색의 표시가 가능하게 되었다.
도 1은 종래의 일반적인 질화갈륨 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 사파이어(Al2O3)와 같은 기판(10) 상에 에피층들을 성장시켜 형성되며, n형 반도체층(12), p형 반도체층(16) 및 이들 사이에 개재된 활성층(14)을 포함한다. n형 반도체층(12) 상에 n-전극(22)이 형성되고, p형 반도체층(16) 상에 p-전극(26)이 형성된다. 발광 다이오드는 전극들을 통해 외부 전원에 전기적으로 연결되어 구동된다. 이때, 전류는 p-전극(26)에서 상기 반도체층들을 거쳐 n-전극(22)으로 흐른다.
일반적으로 p형 반도체층은 높은 비저항을 가지므로, p형 반도체층 내에서 전류가 고르게 분산되지 못하고, p-전극이 형성된 부분에 전류가 집중되며, 모서리를 통해 전류가 집중적으로 흐르는 문제점이 발생한다. 전류집중은 발광영역의 감소로 이어지고, 결과적으로 발광효율을 저하시킨다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, p형 반도체층(16) 상에 비저항이 낮은 투명전극층(24)을 형성하여 전류분산을 도모하는 기술이 사용된다. p-전극(26)으로부터 유입된 전류가 투명전극층(24)에서 분산되어 상기 p형 반도체층(16)으로 유입되기 때문에 발광 다이오드의 발광영역을 넓힐 수 있다.
그러나, 투명전극층은 광을 흡수하기 때문에 그 두께가 제한되며, 따라서 전류분산에 한계가 있다. 특히 고출력을 위해 사용되는 약 1㎟ 이상의 대면적 발광 다이오드에서 투명전극층을 이용한 전류분산은 한계가 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전극의 하부에 전류가 집중되는 현상을 개선하여 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 전극의 하부에 전류가 집중되는 현상을 개선하여 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 구조의 발광 소자를 제조하는 바람직한 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층의 표면 상에 형성된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 사이에 개재된 오믹층; 및 상기 제2 전극 하부의 상기 제2 반도체층의 표면에 형성된 전류블로킹층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 소자는, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 투명전극층을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 투명전극층은 투명한 전도성 산화물로 이루어진 것일 수 있다.
상기 오믹층은 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 질소와 반응하여 합금을 형성하는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 오믹층은 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 전류블로킹층은 크롬(Cr)-질소(N) 합금으로 이루어질 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 패터닝하여 각 발광셀로 분리하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층 상에는 제1 전극을, 상기 오믹층 상에는 제2 전극을 각각 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극 하부의 상기 제2 도전형 반도체층 표면에 전류블로킹층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 오믹층은 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 질소와 반응하여 합금을 형성하는 물질로 형성할 수 있다.
상기 오믹층은 크롬(Cr)으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 전류블로킹층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 및 제2 전극이 형성된 기판을 열처리하는 단계일 수 있다.
상기 기판을 열처리하는 단계는, 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 실시할 수 있다.
상기 오믹층을 형성하는 단계 전에, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 발광 소자 및 그 제조방법에 따르면, p-전극의 하부에 오믹층을 형성하여 p-전극과 투명전극층의 결합력을 향상시킬 수 있다. 또한, P-전극 하부의 p형 반도체층 표면에 전류블로킹층을 형성하여 전류 확산을 유도함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 일반적인 질화갈륨(GaN) 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자 에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 기판(100) 상에 순차적으로 형성된 n형 반도체층(112), 활성층(114) 및 p형 반도체층(116)을 포함한다.
상기 기판(100)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게는, 사파이어(Al2O3)를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성된다. 기판(100)은 사파이어 외에 징크옥사이드(ZnO), 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 및 알루미늄나이트라이드(AlN) 등으로 이루어진 기판일 수 있다.
n형 반도체층(112)과 기판(100) 사이에는 버퍼층(102)이 개재될 수 있다. 버퍼층(102)은 기판(100)과 그 상부에 형성되는 반도체층의 격자부정합을 완화시키기 위하여 배치된다. 버퍼층(102)은 예를 들어 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)과 같은 물질로 형성될 수 있으며 단일층 또는 다층으로 형성될 수도 있다. 버퍼층(102)은 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 반드시 필요한 층은 아니므로 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.
n형 반도체층(112)은 BN, AlN, InN 또는 GaN과 같은 질화물계 반도체로 형성될 수 있다. n형 반도체층(112)은 구동전압을 낮추기 위하여 n형 도펀트로 도핑된다. n형 도펀트로는 예를 들어, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 실리콘(Si)을 주로 사용한다. n형 반도체층(112)은 n형 전극(140)과 통전되어 외부로부터 전류가 주입되고, 활성층(114)으로 흐르는 전자를 생성하게 된다.
활성층(114)은 p형 반도체층(116)에서 생성된 정공과 n형 반도체층(112)에서 생성된 전자가 결합함으로써 광을 발생시키는 층이다. 활성층(114)은 요구되는 파장의 광, 예를 들어 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다. 또한, 활성층(114)은 InGaN/GaN 양자우물(quantum well: QW) 구조를 이룰 수 있다. 그 외에 AlGaN, AlInGaN 등의 물질도 활성층(114)으로 이용될 수 있음은 물론이다.
활성층(114)에서는 전극을 통해 전계를 인가하였을 때, 전자(electron)-정공(hole) 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다. 또한, 활성층(114)은 휘도 향상을 위하여 양자우물 구조(QW)가 복수로 형성되어 다중 양자우물(multi quantum well: MQW) 구조를 이룰 수 있다.
p형 반도체층(116)은 BN, AlN, InN 또는 GaN과 같은 질화물계 반도체로 형성될 수 있다. p형 반도체층(116)은 p형 도펀트로 도핑되는데, p형 도펀트로는 예를 들어, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be) 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 마그네슘(Mg)을 주로 사용한다.
그리고, 상기 p형 반도체층(116) 상에는 투명전극층(120)이 형성되어 있고, n형 반도체층(112) 상에는 n-전극(140)이, 투명전극층(120) 상에는 p-전극(142)이 각각 형성되어 있다. 투명전극층(120)과 p형 반도체층(116)의 계면에는 전류블로킹층(135)이 배치되고, 투명금속층(120)과 p-전극(142)의 계면에는 오믹층(130)이 배치된다.
투명전극층(120)은 가시영역의 광에 대해 광투과도가 높으면서 또한 전기전도도가 높은 물질, 예를 들면 투명 전도성 산화물로 이루어진다. 투명 전도성 산화물로는 인듐산화물(In2O3), 주석산화물(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), 마그네슘산화물(MgO), 카드뮴산화물(CdO), 마그네슘아연산화물(MgZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 인듐주석산화물(InSnO), 구리알루미늄산화물(CuAlO2), 실버산화물(Ag2O), 갈륨산화물(Ga2O3), 아연주석산화물(ZnSnO), 아연인듐주석산화물(ZITO), 또는 이들 투명전도성 산화물이 결합된 또 다른 산화물들이 있다.
오믹층(130)은 질화물 반도체 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 질소와 반응하여 합금을 형성할 수 있는 전도성 물질로 형성된다. 이러한 물질로는 대표적으로 크롭(Cr)을 들 수 있다. 상기 오믹층(130)으로 인해 p-전극(142)과 투명전극층(120) 사이의 결합력이 향상될 수 있다.
투명전극층(120)과 p형 반도체층(116)의 계면에 형성된 전류블로킹층(135)은 p-전극(142) 형성 후 열처리 과정에서 상기 p형 반도체층(116)의 질소(N)와 오믹층(130)으로부터 확산된 크롬(Cr)이 반응하여 형성된다. 크롬과 질소의 합금으로 이루어진 전류블로킹층(135)은 고저항 물질로서, p-전극(142)의 하부로 전류가 흐르는 것을 차단하여 이웃한 영역의 투명전극층(120)을 따라 전류가 확장되도록 함으로써 발광 효율을 향상시킨다.
이와 같이 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에 따르면, p-전극의 하부에 질화물 성장 온도보다 낮은 온도에서 질소와 반응하여 합금을 형성할 수 있는 전도성 물질로 이루어진 오믹층을 형성한다. 이에 따라, p-전극과 투명전극층의 결합력을 향상시키고, p형 반도체층 표면에 전류블로킹층이 형성되도록 하여 전류 확산을 유도하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
다음은, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 바람직한 제조방법을 설명한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 먼저 질화물 발광 구조물이 형성될 기판(100)을 준비한다. 기판(100)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 사파이어(Al2O3) 기판 및 실리콘카바이드(SiC) 기판과 같은 이종 기판 또는 질화물 기판과 같은 동종 기판일 수 있다. 기판(100)에 대해 습식세척을 하여 표면을 불순물을 제거할 수 있다.
다음에, 상기 기판(100) 상에 n형 반도체층(112), 활성층(114) 및 p형 반도체층(116)을 순차적으로 적층하여 발광 구조물을 형성한다. 상기 n형 및 p형 반도체층(112, 116) 및 활성층(114)은 BN, AlN, InN 또는 GaN과 같은 화합물 반도체로 형성할 수 있으며 통상의 반도체 공정 기술, 예를 들면 유기금속기상증착(MOCVD; Metal Oxide Chemical Vapor Deposition) 또는 분자선에피택시(MBE; Molecular Beam Epitaxy)와 같은 방법으로 형성할 수 있다.
활성층(114)은 n형 반도체층(112)을 통해 주입되는 전자와 p형 반도체층(116)을 통해 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하게 된다. 따라서, 활성층(114)은 요구되는 파장의 광, 예를 들어 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다. 하부 반도체층(112) 및/또는 상부 반도체층(116)은, 도시된 바와 같이 단일층으로 형성할 수 있으며, 또는 다층으로 형성할 수도 있다.
한편, 기판(100) 상에 n형 반도체층(112)을 성장시키기 전에, 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위해 버퍼층(102)을 미리 형성할 수도 있다. 버퍼층(101)은 예를 들어 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)과 같은 물질로 형성될 수 있으며 단일층 또는 다층으로 형성할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상부 반도체층(116) 상에 발광셀이 형성될 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상부 반도체층(116), 활성층(114) 및 하부 반도체층(112)을 차례로 식각한다. 상부 반도체층(116), 활성층(114) 및 하부 반도체층(112)에 대한 식각은 건식식각으로 수행할 수 있다.
다음에, 식각 마스크로 사용된 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상부 반도체층 및 활성층에 대한 식각을 실시하여 하부 반도체층(112)의 일부 표면을 노출시킨다. 이때, 노출된 하부 반도체층(112)은 과도식각에 의해 도시된 것처럼 일정 두께 식각될 수 있다.
도 5를 참조하면, p형 반도체층(116) 상에 투명전극층(120)을 형성한다. 상기 투명전극층(26)은 비교적 높은 에너지밴드갭을 갖는 p형 반도체층(116)과의 접촉저항을 낮추는데 적절하면서 동시에 상기 활성층(114)에서 생성되는 광이 상부로 방출되기 위해 양호한 투광성을 갖는 물질로 형성될 것이 요구된다. 이러한 물질로 투명 전도성 산화물을 들 수 있는데, 투명 전도성 산화물로는 인듐산화물(In2O3), 주석산화물(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), 마그네슘산화물(MgO), 카드뮴산화물(CdO), 마그네슘아연산화물(MgZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 인듐주석산화물(InSnO), 구리알루미늄산화물(CuAlO2), 실버산화물(Ag2O), 갈륨산화물(Ga2O3), 아연주석산화물(ZnSnO), 아연인듐주석산화물(ZITO), 또는 이들 투명 전도성 산화물이 결합된 또 다른 산화물들이 있다.
상기 투명전극층(120)은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD) 및 전자빔 증발법(E-beam evaporator)과 같은 공지의 증착방법 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 공정으로 형성할 수 있다.
도 6을 참조하면, 투명전극층(120) 상에, 질화물 에피층의 성장온도보다 낮은 온도에서 질소와 결합하여 합금을 형성할 수 있는 도전물질, 예를 들면 크롬(Cr)층을 형성한다.
다음에, n-전극 및 p-전극을 형성하기 위하여 전극용 금속, 예를 들면 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)층을 형성한다. 사진식각 공정을 전극용 금속막 및 크롬층을 패터닝하여 오믹층(130), n-전극(140) 및 p-전극(142)을 형성한다.
이어서, n-전극 및 p-전극이 형성된 기판을 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 열처리한다. 이 열처리 과정에서 상기 오믹층(130) 내의 크롬(Cr)이 p형 반도체층(116) 쪽으로 확산되어 p형 반도체층(116)의 질소와 반응하여 크롬(Cr)-질소(N) 합금이 형성된다. 크롬(Cr)-질소(N) 합금은 고저항 물질로서, p-전극의 하부에 전류블로킹층(135)을 형성하여 p-전극(142)의 하부로 전류가 흐르지 않도록 한다. 따라서, p-전극(142)을 통해 유입된 전류가 이웃하는 영역으로 투명전극층(120)을 따라 흐르게 되므로 전류 통로가 확장되고 결과적으로 발광 소자의 발광 효율이 향상된다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
10, 100.....기판 20, 102.....버퍼층
30, 112.....n형 반도체층 40, 114.....활성층
50, 116.....p형 반도체층 60, 120.....투명전극층
70, 140.....n-전극 80, 142.....p-전극
130.........오믹층 135.........전류블로킹층
30, 112.....n형 반도체층 40, 114.....활성층
50, 116.....p형 반도체층 60, 120.....투명전극층
70, 140.....n-전극 80, 142.....p-전극
130.........오믹층 135.........전류블로킹층
Claims (14)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층;
상기 활성층의 표면 상에 형성된 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극;
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 사이에 개재된 오믹층; 및
상기 제2 전극 하부의 상기 제2 반도체층의 표면에 형성된 전류블로킹층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 투명전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자. - 제2항에 있어서,
상기 투명전극층은 투명한 전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자. - 제3항에 있어서,
상기 투명전극층은 인듐산화물(In2O3), 주석산화물(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), 마그네슘산화물(MgO), 카드뮴산화물(CdO), 마그네슘아연산화물(MgZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 인듐주석산화물(InSnO), 구리알루미늄산화물(CuAlO2), 실버산화물(Ag2O), 갈륨산화물(Ga2O3), 아연주석산화물(ZnSnO), 아연인듐주석산화물(ZITO), 또는 이들 투명 전도성 산화물이 결합된 산화물 중의 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 오믹층은 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 질소와 반응하여 합금을 형성하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 오믹층은 크롬(Cr)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 전류블로킹층은 크롬(Cr)-질소(N) 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자. - 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 패터닝하여 각 발광셀로 분리하는 단계;
상기 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 반도체층 상에는 제1 전극을, 상기 오믹층 상에는 제2 전극을 각각 형성하는 단계; 및
상기 제2 전극 하부의 상기 제2 도전형 반도체층 표면에 전류블로킹층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제8항에 있어서,
상기 오믹층은 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 질소와 반응하여 합금을 형성하는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 오믹층은 크롬(Cr)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제8항에 있어서,
상기 전류블로킹층을 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 및 제2 전극이 형성된 기판을 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 기판을 열처리하는 단계는, 질화물 에피층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제8항에 있어서,
상기 오믹층을 형성하는 단계 전에,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 투명전극층은 인듐산화물(In2O3), 주석산화물(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), 마그네슘산화물(MgO), 카드뮴산화물(CdO), 마그네슘아연산화물(MgZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 인듐주석산화물(InSnO), 구리알루미늄산화물(CuAlO2), 실버산화물(Ag2O), 갈륨산화물(Ga2O3), 아연주석산화물(ZnSnO), 아연인듐주석산화물(ZITO), 또는 이들 투명 전도성 산화물이 결합된 산화물 중의 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법.
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| KR1020110062963A KR20130007033A (ko) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101602348B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2016-03-11 | 영남대학교 산학협력단 | 발광 소자 |
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