KR20130000012A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents
발광 다이오드 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130000012A KR20130000012A KR1020110058611A KR20110058611A KR20130000012A KR 20130000012 A KR20130000012 A KR 20130000012A KR 1020110058611 A KR1020110058611 A KR 1020110058611A KR 20110058611 A KR20110058611 A KR 20110058611A KR 20130000012 A KR20130000012 A KR 20130000012A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- led chip
- lead frame
- circuit board
- printed circuit
- emitting diode
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 5
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은, 서로 이격하며 요철구조를 가지며 형성된 제 1 부분 및 제 2 부분으로 이루어진 리드 프레임과; 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과; 상기 리드 프레임 하면의 오목한 부분에 구비된 정전기 방지수단과; 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 하우징과; 상기 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩을 덮으며 구비된 형광체를 포함하며, 상기 LED 칩과 상기 정전기 방지수단은 전기적으로 연결된 것이 특징인 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
Description
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 정전기에 의한 파괴를 방지하며 동시에 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 LED라 함)라 함은 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
이러한 LED 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기 등이 있다. 이러한 LED 소자의 발광특성은 1차적으로는 LED소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되며, 2차적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.
이러한 LED 패키지는 근래 들어 그 사용 범위가 실내외 조명장치, 자동차 헤드라이트, 액정표시장치(Liquid Crystal Display)의 백라이트 유닛(back light unit) 등 다양한 분야로 확대됨에 따라, 고효율 특성이 필요하게 되었다.
특히, 상기 LED 패키지가 LED PCB 등에 장착되어 액정표시장치의 백라이트 유닛으로 이용될 경우, 상기 LED 패키지는 더욱더 큰 발광 특성이 요구되고 있다.
LED 패키지가 고 휘도 특성을 갖도록 하기 위해서는 더욱더 큰 전류를 공급하도록 설계되어야 하며, 큰 전류 공급에 의해 발생되는 열을 더욱더 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있는 방열 특성이 요구되고 있다.
그리고, 더불어 다수의 박막트랜지스터가 구비되는 액정표시장치 특성 상 정전기 유입 등에 의한 박막트랜지스터 등의 소자 파괴를 억제시키기 위해 LED 패키지 자체에도 정전기에 의한 LED 칩 자체의 파괴 방지 및 액정표시장치 패널 내부로의 정전기 유입 방지를 위한 정전기 방지수단이 구비되는 것이 요구되고 있다.
도 1은 종래의 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지의 개략적인 단면도이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 정전기 방지수단(40)이 구비된 LED 패키지(1)는 크게 LED 칩(15)과, 상기 각 LED 칩(15)이 실장되며 서로 이격하는 리드 프레임(9)과, 상기 리드 프레임(9) 상에 측벽을 구성하며 상기 LED 칩(15)으로 나온 빛을 반사시키는 패키지 하우징(10)과, 상기 패키지 하우징(10)으로 둘러싸인 부분을 채우는 형광체(25)와, 상기 LED 칩(15)과 이격하여 상기 패키지 하우징(10) 내부에 상기 리드 프레임(9) 상부에 형성된 정전기 방지수단(40)과, 상기 LED 칩(15)과 리드 프레임(9)을 전기적으로 연결시키는 제 1 와이어(17(17a, 17b))와, 상기 정전기 방지수단(40)과 상기 리드 프레임(9)을 전기적으로 연결시키는 제 2 와이어(19(19a, 19b))를 포함하여 구성되고 있다.
이때, 서로 이격하는 제 1 부분(9a)과 제 2 부분(9b)으로 나뉘는 상기 리드 프레임(9)은 상기 제 1 부분(12)은 LED 칩(15)의 제 1 전극(미도시)과 제 1 와이어(17a)를 통해 연결되고 있으며, 상기 제 2 부분(13)은 상기 LED 칩(15)의 제 2 전극(미도시)과 제 1 와이어(17b)를 통해 연결되고 있다.
또한, 상기 LED 칩(15)이 실장된 리드 프레임(9)의 제 1 부분(9a)과 이격하는 제 2 부분(9b)에 실장된 정전기 방지수단(40)은 제 2 와이어(19a, 19b)를 통해 상기 LED 칩(15)과 전기적으로 연결된 상기 리드 프레임(9)의 제 1 및 제 2 부분(9a, 9b)과 각각 연결되고 있다.
하지만, 전술한 구성을 갖는 종래의 정전기 방지수단(40)이 구비된 LED 패키지(1)는 상기 LED 칩(15)이 구비된 리드 프레임(9) 상에 동일한 선상에 구비됨으로서 상기 LED 칩(15)으로부터 발광된 빛 중 일부를 흡수하여 최종적으로 상기 LED 패키지(1)로부터 출사되는 빛량을 3-5% 저감시키고 있다.
따라서 이러한 정전기 방지수단(40)이 구비된 종래의 LED 패키지(1)의 경우, 정전기 방지수단(40)이 구비되지 않은 LED 패키지(미도시) 대비 휘도 특성이 저감되고 있는 실정이다.
또한, 상기 LED 칩(15)으로부터 발광되어 상기 패키지 하우징(10)으로 입사되어 반사됨으로써 최종적으로 상부 출사되는 빛을 차단함으로써 상기 LED 패키지(1) 내에 상기 LED 칩(15) 상부에 구비되는 형광체(25) 내부에서의 빛의 패스(path) 길이를 저감시켜 상기 형광체(25) 내부에서의 광믹싱이 저하됨으로서 상기 LED 패키지(1)로부터 나오는 빛의 색순도를 저하시키고 있는 실정이다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 정전기로부터 LED 파괴를 방지하는 정전기 방지수단이 구비되면서도 휘도 특성 및 색순도 저하가 발생되지 않는 LED 패키지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격하며 요철구조를 가지며 형성된 제 1 부분 및 제 2 부분으로 이루어진 리드 프레임과; 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과; 상기 리드 프레임 하면의 요부에 구비된 정전기 방지수단과; 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 하우징과; 상기 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩을 덮으며 구비된 형광체를 포함하며, 상기 LED 칩과 상기 정전기 방지수단은 전기적으로 연결된 것이 특징이다.
상기 형광체 상부에는 이를 덮으며 렌즈가 구비될 수 있다.
상기 리드 프레임 저면에는 상기 정전기 방지수단을 덮으며 상기 리드 프레임의 요부를 채우며 평탄화층이 형성된 것이 특징이다.
상기 LED 칩과 상기 리드 프레임의 제 1 및 제 2 부분은 제 1 와이어를 통해 전기적으로 연결되며, 상기 정전기 방지수단은 제 2 와이어를 통해 상기 LED 칩과 전기적으로 연결되거나, 또는 상기 리드 프레임의 제 1 및 제 2 부분과 전기적으로 연결된 것이 특징이다.
상기 리드 프레임 저면에는 방열 슬러그가 구비될 수 있다.
상기 패키지 하우징의 내측면에는 반사성이 우수한 물질이 코팅된 것이 특징이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 저면에 홈이 구비된 인쇄회로기판과; 상기 인쇄회로기판 상면의 상기 홈과 중첩하는 부분에 실장된 LED 칩과; 상기 LED 칩을 덮으며 형성된 형광체와; 상기 형광체를 덮으며 형성된 렌즈와; 상기 인쇄회로기판의 저면의 상기 홈 내부에 실장된 정전기 방지수단을 포함한다.
이때, 상기 인쇄회로기판과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결하는 제 1 와이어와; 상기 LED 칩과 상기 정전기 방지수단을 전기적으로 연결하는 제 2 와이어를 포함하는 것이 특징이다.
상기 인쇄회로기판은, 인쇄회로기판베이스와 이의 상부로 제 1 절연층, 전원배선층이 순차적으로 구비되며, 상기 인쇄회로기판베이스 저면에 제 2 절연층이 구비된 것이 특징이다.
상기 인쇄회로기판베이스에는 비아홀이 구비되며, 상기 비아홀을 통해 상기 제 2 와이어가 상기 정전기 방지수단과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결시키는 것이 특징이다.
정전기 방지수단은 제너다이오드인 것이 특징이며, 이때, 상기 제너다이오드는 양방향 제너다이오드인 것이 특징이다.
본 발명에 따른 LED 패키지는 상기 LED 칩으로부터 발광된 빛을 흡수하거나 또는 빛의 경로를 방해하여 형광체 내부에서의 패스 길이를 줄여 광믹싱을 저하시키는 정전기 방지수단이 상기 LED 칩이 실장된 동일한 측면에 구비되지 않고, LED 칩이 형성된 리드 프레임의 외측에 상기 LED 칩과 전기적으로 연결되며 구비됨으로써 종래의 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지 대비 휘도 특성을 향상시키는 동시에 색순도를 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지의 개략적인 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지에 있어 LED 칩을 확대 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 정전기 방지수단의 하나인 제너다이오드의 정전기로부터 LED 칩을 보호하는 원리를 나타낸 회로도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 칩온보드 타입 LED 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지에 있어 LED 칩을 확대 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 정전기 방지수단의 하나인 제너다이오드의 정전기로부터 LED 칩을 보호하는 원리를 나타낸 회로도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 칩온보드 타입 LED 패키지의 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지의 단면도이며, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 LED 패키지에 있어 LED 칩을 확대 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지(100)는, 서로 이격하며 제 1 부분(109a)과 제 2 부분(109b)으로 이루어진 리드 프레임(109)과, 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a)의 내측면(상면)에 고정된 LED 칩(115)과, 상기 리드 프레임(109)의 가장 자리를 따라 그 내측면이 반사체 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 패키기 하우징(110)과, 상기 패키지 하우징(110) 내측을 채우며 상기 LED 칩(115) 상부에 구비된 형광체(125)와, 상기 LED 칩(115)이 실장된 리드 프레임(109)의 외측 더욱 정확히는 상기 리드 프레임(109)의 제 2 부분(109b)의 외측 밑면(하면)에 실장된 정전기 방지수단(140)을 포함하여 구성되고 있다.
이때, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 형광체(125) 상부에는 봉지제(미도시)를 개재하여 렌즈(미도시)가 더욱 구비될 수도 있다.
또한, 상기 정전기 방지수단(140)이 구비된 리드 프레임(109)의 외측 밑면에 상기 LED 패키지(100) 구동을 위한 인쇄회로기판(미도시)과, 상기 리드 프레임(109)과 상기 인쇄회로기판(미도시)을 고정시키기 위한 솔더(미도시)를 더욱 포함할 수도 있으며, 또는 상기 정전기 방지수단(140)이 구비된 리드 프레임(109)의 외측 밑면에 방열 효율을 증대시키기 위해 방열 슬러그(미도시)가 더욱 구비될 수도 있다.
한편, 상기 리드 프레임(109)은 위로 볼록한 철부와 오목한 요부를 갖는 형태를 이루며, 상기 LED 칩(115)은 상기 리드 프레임(109)의 내측면을 기준으로 제 1 부분(109a)의 요부(A1)에 실장된 것이 특징이며, 상기 정전기 방지수단(140)은 상기 리드 프레임(109)의 외측면을 기준으로 상기 제 2 부분(109b)의 요부(A2)에 구비되고 있는 것이 특징이다.
이때, 상기 LED 칩(115)의 n형 전극(도 3의 168) 및 p형 전극(도 3의 170)은 각각 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 각각 제 1 와이어(117a, 117b)를 통해 전기적으로 연결되고 있는 것이 특징이다.
또한, 상기 정전기 방지수단(140) 또한 제 2 와이어(119a, 119b)를 통해 상기 LED 칩(115)과 전기적으로 연결된 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(190a) 및 제 2 부분과 전기적으로 연결되고 있는 것이 특징이다.
또한, 상기 리드 프레임(109) 외측 밑면의 요부(A2)에는 평탄한 밑면을 이루도록 하고자 상기 정전기 방지수단(140)을 덮으며 상기 패키지 하우징을 이루는 동일한 절연물질로서 평탄화층(150)이 구비되고 있는 것이 특징이다.
상기 LED 칩(115)은 실질적으로 빛을 발하는 부분으로서 전자(electron)를 제공하는 n형 반도체층(160)과 정공(hole)을 제공하는 p형 화합물 반도체층(166)의 순방향 접합으로 이루어진다.
상기 LED 칩(115)의 구성에 대해 도 3을 참조하여 좀 더 자세히 살펴보면, 상기 LED 칩(115)은 기판(160) 상에 적층된 n형 화합물 반도체층(162), 활성층(164), p형 화합물 반도체층(166), n형 전극(168) 및 p형 전극(170)으로 구성된다.
여기서, 상기 기판(160)은 바람직하게는 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며, 사파이어 외에도 갈륨 나이트라이드(hallium nitride : GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide : SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수도 있다.
여기서, 상기 기판(160)과 n형 화합물 반도체층(162) 사이에는 이들 간의 격자정합을 향상시키기 위한 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)은 GaN 또는 AlN/GaN 등으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 n형 화합물 반도체층(162)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 일예로 Si, Ge 및 Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다.
또한, 상기 p형 화합물 반도체층(166)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 일예로 Mg, Zn 및 Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다.
이러한 LED 칩(115)은 상기 n형 화합물 반도체층(162)의 일부가 노출되도록 p형 화합물 반도체층(166)과 활성층(164) 일부가 메사식각(mesa etching)으로 제거되는데, 이에 따라 상기 p형 화합물 반도체층(166)과 활성층(164)은 상기 n형 화합물 반도체층(162) 상의 일부분에 형성된다.
이에, 상기 n형 전극(168)은 노출된 n형 화합물 반도체층(162)의 일 모서리에 구성되며, 상기 p형 전극(170)은 p형 화합물 반도체층(166) 상에 구성된다. 따라서 이러한 구성을 갖는 LED 칩(115)은 "Top??Top"방법으로 전극이 배치되는 수평형 LED 칩(115)을 이룬다.
그리고, 상기 활성층(164)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(single quantum well : SQW)나 다중 양자 우물구조(multi quantum well : MQW)일 수 있으며, 또한 이들의 초격자(supper lattice : SL) 등의 양자구조로, 이와 같은 활성층(164)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고, 일예로 AlGaN, AlNGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다.
이러한 활성층(164)에 전계가 인가되었을 때, 전자??정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다.
따라서, 이러한 구성을 갖는 상기 LED 칩(115)은 상기 p형 전극(170)과 n형 전극(168) 사이에 전압이 인가되면, 상기 p형 화합물 반도체층(166)과 상기 n형 화합물 반도체층(162)으로 각각 정공과 전자가 주입되고, 상기 활성층(164)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 외부로 방출하게 되는 것이다.
이때, 상기 n형 전극(168)과 p형 전극(170)은 각각 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 제 1 와이어(117a, 117b)를 통해 연결되고 있다.
한편, 상기 LED 칩(115)이 청색 LED 칩일 경우, 상기 형광체(125)는 황색형광체가 사용되는 것이 바람직하다.
상기 황색형광체는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체이거나, 또는 실리케이트(silicate)계열의 형광체이다.
그리고, 상기 LED 칩(115)이 UV LED 칩일 경우, 상기 형광체(125)는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 삼색의 형광체로 이루어지며, 적(R), 녹(G), 청색(B)의 형광체의 배합비를 조절함으로써 발광색을 선택할 수 있다.
이때, 적색(R)의 형광체는 611nm 파장을 주파장으로 하는 산화이트륨(Y2O3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y2O3:EU)계열 형광체이며, 녹색(G)의 형광체는 544nm 파장을 주파장으로 하는 인산(Po4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPo4:Ce,Tb)계열 형광체이며, 청색(B)의 형광체는 450nm 파장을 주파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM blue(BaMgAl10O17:EU)계열 형광체가 될 수 있다.
여기서 주파장이란 적(R), 녹(G), 청색(B) 각각에서 가장 높은 휘도를 발생하는 파장을 그 형광체의 주 파장이라고 한다.
이러한 형광체(125)가 구비된 상태에서 상기 LED 칩(115)에 전류가 인가되면 빛이 방출되며, 방출된 빛의 일부는 상기 형광체(125)를 여기시켜, 상기 형광체(125)에 의해 발광된 빛과 혼합되어 백색광을 발하게 되고, 최종적으로 외부로 출사되게 된다.
한편, 상기 리드 프레임(109)의 외측 저면 더욱 정확히는 상기 LED 칩(115)이 실장된 리드 프레임(109) 내측면과 반대인 외측 밑면에 구비되는 정전기 방지수단(140)은 LED 패키지(100) 자체의 수명과 LED 패키지(100) 자체의 수율 및 온도 상승 문제와 비용 등을 고려할 때 제너다이오드인 것이 바람직하다.
이때, 이러한 정전기 방지수단(140)은 제 2 와이어(119a, 119b)를 통해 상기 LED 칩(115)의 p형 전극(도 3의 170) 및 n형 전극(도 3의 168)과 직접 연결되거나, 또는 상기 LED 칩(115)의 p형 전극(도 3의 170) 및 n형 전극(도 3의 168)과 각각 전기적으로 연결된 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 연결되고 있는 것이 특징이다.
도면에 있어서는 상기 정전기 방지수단(140)은 제 2 와이어(119a, 119b)를 통해 상기 리드 프레임(109)의 서로 이격하여 전기적으로 분리된 상기 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 접촉하고 있음을 일례로 도시하였다.
한편, 상기 정전기 방지수단(140)인 상기 제너다이오드는 도 4(본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 정전기 방지수단의 하나인 제너다이오드의 정전기로부터 LED 칩을 보호하는 원리를 나타낸 회로도)에 도시한 바와 같이 양방향 제너다이오드가 될 수 있으며, 이러한 양방향 제너다이오드는 순방향과 역방향으로 정전기 유입에 의해 인가되는 트랜션트 펄스의 높은 피크 전압(Vp)에 의한 전류를 빠르게 바이패스 시켜 흐르도록 함으로서 내부에 위치하는 상기 LED 칩에 클램프 전압만 도달하여 낮은 전압만 인가되도록 하는 것이다.
도 4에서는 정전기, 서지 등에 기인한 피크치(Vp)가 ㅁ 8kV인 높은 전압이 상기 LED 칩에 순간적으로 가해져도 상기 LED 칩에는 20V보다 작은 전압(Vc)만이 도달되므로 상기 LED 칩은 정전기 또는 서지로부터 보호되는 것을 알 수 있다.
한편, 제너다이오드는 p+-n접합 또는 n+-p 접합의 계면에서 터널링에 의해 운반자가 이동하여 급하게 전류가 증가하는 현상을 제너 항복이라고 하며, 이러한 제너 항복 현상을 이용하여 원하는 전류 조건에서 전압을 일정하게 제어함으로서 정전기 또는 서지에 기인한 순간적인 높은 전압이 LED 칩에 인가될 시 안정적으로 내부에서 낮은 전압만이 상기 LED 칩에 인가되도록 하는 역할을 함으로서 정전기 방지수단으로서의 역할을 하는 것이다.
한편, 도면에 나타내지 않았지만, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지는 다수개가 하나의 그룹으로 하여 인쇄회로기판(미도시)에 실장됨으로써 액정표시장치용 백라이트 유닛의 광원으로 이용될 수 있다.
이 경우, 도 2를 참조하면, 상기 각 LED 패키지(100)의 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)은 상기 LED 패키지(100)의 구동을 위한 인쇄회로기판(미도시)의 내의 전원배선층(미도시)에 구비된 제 1 및 제 2 배선(미도시)과 솔더(미도시)를 개재하여 접촉하도록 고정 장착된다. 이때 인쇄회로기판(미도시)의 구성에 대해서는 본 발명의 제 2 실시예를 통해 조금 상세히 설명한다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지(100)의 경우, 상기 LED 칩(115)이 실장된 패키지 하우징(110)의 내측으로 리드 프레임(109)의 상면에는 상기 LED 칩(115)과 형광체(125)만이 구비되며 정전기 방지수단(140)은 상기 리드 프레임(109)의 외측 밑면에 위치하는 구성이 되므로, 상기 정전기 방지수단(140)이 LED 칩(115)으로부터 나온 빛을 흡수하거나, 또는 상기 LED 칩(115)으로부터 나온 빛이 상기 형광체(125) 내부에서의 진행 경로를 가져 상기 형광체(125) 내부에서의 패스(path)를 저감시킴으로써 발생되는 광 효율 및 색순도 저감을 원천적으로 억제할 수 있는 것이 특징이다.
이후에는 본 발명의 제 2 실시예로서 액정표시장치용 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 칩온보드 타입의 LED 패키지에 구성에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전기 방지수단이 구비된 칩온보드 타입 LED 패키지의 단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전기 방지수단(240)을 구비한 LED 패키지(200)는 액정표시장치용 백라이트 유닛을 구성하는 LED 패키지(200)로서 인쇄회로기판(245)을 포함하는 것이 특징이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전기 방지수단(240)을 구비한 LED 패키지(200)는, 인쇄회로기판(245)과, 상기 인쇄회로기판(245) 상에 표면실장기술(surface mount technology : SMT)에 의해 장착된 LED 칩(215)을 포함한다. 그리고 상기 LED 칩(215) 상부에는 형광체(225)가 구비되고 있으며, 상기 형광체(225)를 덮으며 몰드제(미도시)를 개재하여 상기 인쇄회로기판(245)의 반사면과 상기 LED 칩(215)을 덮어 보호함과 동시에 상기 LED 칩(215)으로부터 발생된 주 출사광의 각도를 제어하는 역할을 하는 렌즈(230)가 구비되고 있다.
상기 LED 칩(215)은, 기판 상에 적층된 n형 화합물 반도체층, 활성층, p형 화합물 반도체층, n형 전극 및 p형 전극으로 구성되고 있다.
이러한 LED 칩(215) 자체의 구성과 이의 상부에 위치하는 형광체(225)의 물질 특성에 관해서는 제 1 실시예를 통해 상세히 설명하였으므로 이에 대한 설명은 생략하며, 상기 렌즈(230) 및 인쇄회로기판(245)에 구성에 관해서 상세히 설명한다.
상기 렌즈(230)는 위로 볼록한 형태를 가지며, 합성수지 또는 유리재질로 이루어지고 있다.
여기서, 상기 합성수지는 투명한 고분자 물질 예를들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethylmethacrylate : PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리올레핀(polyolefine), 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride) 중 어느 하나로 이루어지는 것이 특징이다.
한편, 상기 인쇄회로기판(245)은 인쇄회로기판베이스(244), 제 1 절연층(247) 및 전원배선층(249)과, 제 2 절연층(246) 및 정전기 방지수단(240)을 포함하여 구성되고 있는 것이 특징이다.
상기 인쇄회로기판베이스(244)는 상기 전원배선층(249) 및 제 1 절연층(247)으로 그 상층으로 적층시켜 지지하고, 상기 LED 칩(115)으로부터 발생되는 열을 저면측으로 방출시키는 역할을 한다.
이러한 인쇄회로기판베이스(244)는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 열전도율이 높은 금속으로 이루어진 메탈기판 또는 FR-4(Flame Resistant 4)계 기판으로 이루어지며, 열 전달물질이 도포되어 외부로의 열방출 수단으로서의 역할을 하며, 그 저면에 히트싱크와 같은 방열판(미도시)을 더욱 구비하여 각각의 LED 칩(215)으로부터 열을 전달받아 보다 효율적으로 외부로 방출할 수 있도록 구성될 수도 있다.
상기 인쇄회로기판베이스(244)의 상부에 도전성 물질이 패터닝되어 형성되는 다수의 금속배선(미도시)들로 이루어진 전원배선층(249)이 형성되어 있으며, 인쇄회로기판베이스(244)와 전원배선층(249) 사이에는 제 1 절연층(247)이 위치하여 인쇄회로기판베이스(244)와 전원배선층(249) 사이를 전기적으로 절연시키고 있다.
이때, 상기 전원배선층(249)은 상기 LED 칩(215)이 안착되는 상면으로, 상기 LED 칩(215)으로부터 출사되는 광의 효율을 높이기 위해 반사율이 높은 물질로 표면을 형성하여 반사면을 이루는 것이 바람직하다.
이러한 전원배선층과(249) 상기 LED 칩(215)은 제 1 와이어(217a, 217b) 등을 통해서 전기적으로 연결된다.
한편, 본 발명의 제 2 실시예에 있어서 특징적인 구성으로서 상기 인쇄회로기판베이스(244)는 상기 LED 칩(215)에 형성된 부분에 대응하여 그 저면에 요부(A3)가 구비되고 있으며, 제 2 절연층(246)을 개재하여 상기 요부 내부에는 정전기 방지수단(240)이 구비되고 있다.
이때, 상기 정전기 방지수단(240)은 제너다이오드가 될 수 있으며, 이러한 제너다이오드의 구성은 제 1 실시예를 통해 이미 상세히 설명했으므로 생략한다.
여기서, 상기 정전기 방지수단(240)은 제 2 와이어(219a, 219b)를 통해 상기 인쇄회로기판베이스(244)에 구비된 비아홀(vh)을 통해 상기 LED 칩(215)의 n형 전극(미도시) 및 p형 전극(미도시)과 제 1 와이어(217a, 217b)를 통해 연결된 상기 전원배선층(249)의 제 1 및 제 2 배선(미도시)과 전기적으로 연결되고 있는 것이 특징이다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 LED 패키지(200) 또한 상기 LED 칩(215)이 구비되는 상면에는 상기 LED 칩(215)을 덮으며 형광체(225)와 렌즈(230)만이 구비되며, 상기 LED 칩(215)과 전기적으로 연결된 정전기 방지수단(240)은 상기 인쇄회로기판(245)의 배면에 구비됨으로써 상기 정전기 방지수단(240)에 의한 LED 패키지(200)의 발광 휘도 및 색순도 저하는 원천적으로 방지될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경될 수 있음은 자명하다.
100 : LED 패키지
109 : 리드 프레임
109a : (리드 프레임의) 제 1 부분
109b : (리드 프레임의) 제 2 부분
110 : 패키지 하우징
115 : LED 칩
117(117a, 117b) : 제 1 와이어
119(119a, 119b) : 제 2 와이어
125 : 형광체
140 : 정전기 방지수단
150 : 평탄화층
A1, A2 : 요부
109 : 리드 프레임
109a : (리드 프레임의) 제 1 부분
109b : (리드 프레임의) 제 2 부분
110 : 패키지 하우징
115 : LED 칩
117(117a, 117b) : 제 1 와이어
119(119a, 119b) : 제 2 와이어
125 : 형광체
140 : 정전기 방지수단
150 : 평탄화층
A1, A2 : 요부
Claims (12)
- 서로 이격하며 요철구조를 가지며 형성된 제 1 부분 및 제 2 부분으로 이루어진 리드 프레임과;
상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과;
상기 리드 프레임 하면의 요부에 구비된 정전기 방지수단과;
상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과;
상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩을 덮으며 구비된 형광체
를 포함하며, 상기 LED 칩과 상기 정전기 방지수단은 전기적으로 연결된 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 형광체 상부에는 이를 덮으며 렌즈가 구비된 발광 다이오드 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 리드 프레임 저면에는 상기 정전기 방지수단을 덮으며 상기 리드 프레임의 요부를 채우며 평탄화층이 형성된 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 LED 칩과 상기 리드 프레임의 제 1 및 제 2 부분은 제 1 와이어를 통해 전기적으로 연결되며,
상기 정전기 방지수단은 제 2 와이어를 통해 상기 LED 칩과 전기적으로 연결되거나, 또는 상기 리드 프레임의 제 1 및 제 2 부분과 전기적으로 연결된 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 리드 프레임 저면에는 방열 슬러그가 구비된 발광 다이오드 패키지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 패키지 하우징의 내측면에는 반사성이 우수한 물질이 코팅된 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 저면에 홈이 구비된 인쇄회로기판과;
상기 인쇄회로기판 상면의 상기 홈과 중첩하는 부분에 실장된 LED 칩과;
상기 LED 칩을 덮으며 형성된 형광체와;
상기 형광체를 덮으며 형성된 렌즈와;
상기 인쇄회로기판의 저면의 상기 홈 내부에 실장된 정전기 방지수단
을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제 7 항에 있어서,
상기 인쇄회로기판과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결하는 제 1 와이어와;
상기 LED 칩과 상기 정전기 방지수단을 전기적으로 연결하는 제 2 와이어
를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제 8 항에 있어서,
상기 인쇄회로기판은, 인쇄회로기판베이스와 이의 상부로 제 1 절연층, 전원배선층이 순차적으로 구비되며, 상기 인쇄회로기판베이스 저면에 제 2 절연층이 구비된 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 제 9 항에 있어서,
상기 인쇄회로기판베이스에는 비아홀이 구비되며, 상기 비아홀을 통해 상기 제 2 와이어가 상기 정전기 방지수단과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결시키는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
정전기 방지수단은 제너다이오드인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제너다이오드는 양방향 제너다이오드인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110058611A KR101803505B1 (ko) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | 발광 다이오드 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110058611A KR101803505B1 (ko) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | 발광 다이오드 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130000012A true KR20130000012A (ko) | 2013-01-02 |
| KR101803505B1 KR101803505B1 (ko) | 2017-12-29 |
Family
ID=47833670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110058611A KR101803505B1 (ko) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | 발광 다이오드 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101803505B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150030529A (ko) * | 2013-09-12 | 2015-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
| KR20150042012A (ko) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 어레이 |
| KR20150062351A (ko) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 선광원 및 이의 제조 방법 |
| CN106876550A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-06-20 | 广东长盈精密技术有限公司 | Led封装结构及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100929325B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2009-11-27 | 서울반도체 주식회사 | 방열형 ｌｅｄ 패키지 |
-
2011
- 2011-06-16 KR KR1020110058611A patent/KR101803505B1/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150030529A (ko) * | 2013-09-12 | 2015-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
| KR20150042012A (ko) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 어레이 |
| KR20150062351A (ko) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 선광원 및 이의 제조 방법 |
| CN106876550A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-06-20 | 广东长盈精密技术有限公司 | Led封装结构及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101803505B1 (ko) | 2017-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8546835B2 (en) | Light emitting device | |
| EP2803715B1 (en) | Phosphor and light emitting device package including the same | |
| US10479932B2 (en) | Phosphor composition, light-emitting device package including same, and lighting device | |
| US10541351B2 (en) | Light emitting diode having a current blocking layer | |
| KR20160116270A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| KR101803505B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| KR20110127888A (ko) | 발광다이오드 및 이를 이용한 액정표시장치 | |
| US10385266B2 (en) | Phosphor composition, light emitting element package comprising same, and lighting system | |
| US10199540B2 (en) | Light emitting diode, light emitting diode package including same, and lighting system including same | |
| KR20120079668A (ko) | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR102131853B1 (ko) | 발광다이오드 어레이 | |
| KR102131309B1 (ko) | 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR102164079B1 (ko) | 산질화물계 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지 | |
| KR102261953B1 (ko) | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR102305837B1 (ko) | 발광 장치 | |
| KR102365835B1 (ko) | 발광 장치 | |
| KR102372022B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR20160093945A (ko) | 형광체 필름, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 | |
| KR20200086520A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| KR20120045119A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| KR20200086590A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| KR20100037360A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20170040921A (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 | |
| KR20120135653A (ko) | 발광 다이오드를 구비한 조명장치 | |
| KR20140135556A (ko) | 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |