KR20120140147A - 증착 장치 - Google Patents
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Abstract
증착 장치가 개시된다. 증착 장치는 기판을 수용하는 서셉터; 및 상기 서셉터 내부에 삽입되고, 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 소스 기체를 상기 기판으로 가이드하는 소스 기체 가이드부를 포함한다.
Description
실시예는 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer)상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.
이러한 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목 받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 실리콘 막, 산화물 막, 실리콘 질화물 막 또는 실리콘 산질화물 막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.
실시예는 향상된 내구성을 가지는 증착 장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 증착 장치는 기판을 수용하는 서셉터; 및 상기 서셉터 내부에 삽입되고, 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 소스 기체를 상기 기판으로 가이드하는 소스 기체 가이드부를 포함한다.
실시예에 따른 증착 장치는 소스 기체 가이드부를 통하여, 상기 서셉터 내에서 상기 기판으로 상기 소스 기체를 가이드한다. 이에 따라서, 상기 서셉터 내부에 유입되는 소스 기체는 가열되는 동안, 상기 소스 기체 가이드부는 상기 소스 기체가 상기 서셉터의 내부면에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
특히, 상기 서셉터는 유도 가열에 의해서, 가열되고, 상기 소스 기체가 유입되는 동안, 상기 소스 기체를 가열한다. 이때, 상기 소스 기체 가이드부가 상기 서셉터 내부에 삽입되지 않으면, 상기 소스 기체는 라디칼로 분해되어, 상기 기판에 증착되기 전에, 상기 서셉터의 내부면에 증착될 수 있다.
결국, 상기 소스 기체 가이드부는 상기 라디칼이 상기 서셉터의 내부면에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라서, 상기 서셉터의 수명은 상기 소스 기체 가이드부에 의해서 향상될 수 있다.
또한, 상기 소스 기체 가이드부는 상기 서셉터로부터 용이하게 분리될 수 있다. 따라서, 상기 소스 기체 가이드부의 교체를 통하여, 상기 기판 상에 박막이 효과적으로 형성될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 실리콘 카바이드 에피층 성장 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 증착부를 도시한 분해사시도이다.
도 3은 증착부를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다.
도 5는 소스 기체 가이드부를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다.
도 7은 도 5에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다.
도 2는 증착부를 도시한 분해사시도이다.
도 3은 증착부를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다.
도 5는 소스 기체 가이드부를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다.
도 7은 도 5에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시예에 따른 실리콘 카바이드 에피층 성장 장치를 도시한 개략도이다. 도 2는 증착부를 도시한 분해사시도이다. 도 3은 증착부를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 5는 소스 기체 가이드부를 도시한 사시도이다. 도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 7은 도 5에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 실리콘 카바이드 성장 장치는 캐리어 기체 공급부(10), 반응 기체 공급부(30) 및 증착부(40)를 포함한다.
상기 캐리어 기체 공급부(10)는 상기 반응 기체 공급부(30)에 캐리어 기체를 공급한다. 상기 캐리어 기체는 매우 낮은 반응성을 가진다. 상기 캐리어 기체의 예로서는 질소 또는 불활성 기체 등을 들 수 있다. 특히, 상기 캐리어 기체 공급부(10)는 제 1 공급 라인(21)을 통하여, 상기 반응 기체 공급부(30)에 상기 캐리어 기체를 공급할 수 있다.
상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 반응 기체를 발생시킨다. 또한, 상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 반응 기체를 생성하기 위한 액체(31)를 수용한다. 예를 들어, 상기 액체(31)가 증발되어 상기 반응 기체가 형성될 수 있다.
상기 제 1 공급 라인(21)의 끝단은 상기 액체(31)에 잠길 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 공급 라인(21)을 통하여, 상기 액체(31) 내에 상기 캐리어 기체가 공급된다. 이에 따라서, 상기 액체(31) 내에 상기 캐리어 기체를 포함하는 버블이 형성될 수 있다.
상기 액체(31) 및 상기 반응 기체는 실리콘 및 탄소를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액체(31) 및 상기 반응 기체는 메틸트리클로로실레인(methyltrichlorosilane;MTS)을 포함할 수 있다.
상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 액체(31)에 열을 가하는 발열부를 포함할 수 있다. 상기 발열부는 상기 액체(31)에 열을 가하여, 상기 액체(31)를 증발시킬 수 있다. 상기 발열부에 의해서, 가해지는 열량에 따라서, 증발되는 반응 기체의 양이 적절하게 조절될 수 있다.
상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 제 2 공급 라인(22)을 통하여, 상기 증착부(40)에 상기 반응 기체를 공급한다. 즉, 상기 반응 기체 공급부(30) 및 상기 캐리어 기체의 흐름 및 상기 액체(31)의 증발에 의해서, 상기 반응 기체는 상기 증착부(40)에 공급된다.
상기 증착부(40)는 상기 제 2 공급 라인(22)에 연결된다. 상기 증착부(40)는 상기 반응 기체 공급부(30)로부터, 상기 제 2 공급 라인(22)을 통하여, 상기 반응 기체를 공급받는다.
상기 증착부(40)는 에피층을 형성하고자 하는 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 증착부(40)는 상기 반응 기체를 사용하여, 상기 에피층을 형성한다. 즉, 상기 증착부(40)는 상기 웨이퍼(W) 상에 상기 반응 기체를 사용하여, 박막을 형성한다.
도 2 내지 도 7을 참조하면, 상기 증착부(40)는 챔버(100), 서셉터(200), 소스 기체 가이드부(300), 소스 기체 라인(400), 웨이퍼 홀더(500) 및 유도 코일(600)을 포함한다.
상기 챔버(100)는 원통형 튜브 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 챔버(100)는 사각 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 챔버(100)는 상기 서셉터(200), 상기 소스 기체 가이드부(300), 상기 소스 기체 라인(400) 및 상기 웨이퍼 홀더(500)를 수용할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 챔버(100)의 일측면에는 전구체 등을 유입시키기 위한 기체 공급부 및 기체의 배출을 위한 기체 배출부가 더 배치될 수 있다.
또한, 상기 챔버(100)의 양 끝단들은 밀폐되고, 상기 챔버(100)는 외부의 기체유입을 막고 진공도를 유지할 수 있다. 상기 챔버(100)는 기계적 강도가 높고, 화학적 내구성이 우수한 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버(100)는 향상된 내열성을 가진다.
또한, 상기 챔버(100) 내에 단열부가 더 구비될 수 있다. 상기 단열부는 상기 챔버(100) 내의 열을 보존하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 단열부로 사용되는 물질의 예로서는 질화물 세라믹, 탄화물 세라믹 또는 흑연 등을 들 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 상기 서셉터(200)는 상기 소스 기체 가이드부(300) 및 상기 웨이퍼 홀더(500)를 수용한다. 또한, 상기 서셉터(200)는 상기 웨이퍼(W) 등과 같은 기판을 수용한다. 또한, 상기 반응 기체 공급부로부터, 상기 제 2 공급 라인(22), 상기 소스 기체 라인(400) 및 상기 소스 기체 가이드부(300)를 통하여, 상기 서셉터(200) 내부로 상기 반응 기체가 유입된다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(200)는 서셉터 상판(210), 서셉터 하판(220) 및 서셉터 측판들(230, 240)을 포함할 수 있다. 또한, 서셉터 상판(210)과 서셉터 하판(220)은 서로 마주보며 위치한다.
상기 서셉터(200)는 상기 서셉터 상판(210)과 상기 서셉터 하판(220)을 위치시키고 양 옆에 상기 서셉터 측판들(230, 240)을 위치시킨 후 합착하여 제조할 수 있다.
그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니므로, 직육면체의 서셉터(200)에 가스 통로를 위한 공간을 내어 제조할 수 있다.
상기 서셉터 하판(220)에는 상기 웨이퍼 홀더(500)가 더 배치될 수 있다. 상기 서셉터 상판(210)과 상기 서셉터 하판(220) 사이의 공간에서 기류가 흐르면서 증착 공정이 이루어질 수 있다. 상기 서셉터 측판들(230, 240)은 상기 서셉터(200) 내부에서 기류가 흐를 때, 반응 기체가 빠져나가지 못하도록 하는 역할을 한다.
상기 서셉터(200)는 고온 등의 조건에서 견딜 수 있도록 내열성이 높고 가공이 용이한 흑연(graphite)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)는 흑연 몸체에 실리콘 카바이드가 코팅된 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)은 자체로 유도가열될 수 있다.
상기 서셉터(200)에 공급되는 반응 기체는 열에 의해서, 라디칼로 분해되고, 이 상태에서, 상기 웨이퍼(W) 등에 증착될 수 있다. 예를 들어, MTS는 실리콘 또는 탄소를 포함하는 라디칼로 분해되고, 상기 웨이퍼(W) 상에는 실리콘 카바이드 에피층이 성장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 라디칼은 CH3?, CH4, SiCl3? 또는 SiCl2?일 수 있다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 서셉터(200) 내에 배치된다. 즉, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 서셉터(200) 내에 삽입된다.
상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 소스 기체 라인(400)을 통하여 유입되는 반응 기체를 상기 웨이퍼(W)로 가이드한다. 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 소스 기체 라인(400)과 연결되고, 상기 웨이퍼(W)를 향하여 연장될 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 유로부(310) 및 분사부(320)를 포함한다.
상기 유로부(310)는 상기 소스 기체 라인(400)을 통하여 유입되는 소스 기체를 상기 분사부(320)로 가이드한다. 상기 유로부(310)는 상기 소스 기체 라인(400)과 연결될 수 있다. 상기 유로부(310)는 상기 분사부(320)와 일체로 형성될 수 있다.
상기 유로부(310)에는 유로(301)가 형성된다. 상기 유로(301)는 상기 소스 기체 라인(400)의 일 끝단으로부터 상기 웨이퍼(W)로 연장된다. 상기 유로(301)를 통하여, 상기 소스 기체가 이동될 수 있다. 상기 유로(301)는 천정면(311), 바닥면(312), 제 1 측면(313) 및 제 2 측면(314)을 포함한다.
상기 천정면(311) 및 상기 바닥면(312)은 서로 대향한다. 상기 천정면(311)은 상기 바닥면(312) 상에 배치된다. 상기 천정면(311) 및 상기 바닥면(312)은 서로 평행할 수 있다.
상기 제 1 측면(313) 및 상기 제 2 측면(314)은 서로 대향한다. 상기 제 1 측면(313)은 상기 천정면(311)으로부터 상기 바닥면(312)으로 연장된다. 또한, 상기 제 2 측면(314)은 상기 천정면(311)으로부터 상기 바닥면(312)으로 연장된다. 상기 제 1 측면(313) 및 상기 제 2 측면(314)은 서로 평행할 수 있다.
상기 분사부(320)는 상기 유로부(310)를 통하여 유입되는 소스 기체를 상기 웨이퍼(W)를 향하여 분사한다. 상기 분사부(320)는 상기 유로부(310)와 일체로 형성될 수 있다. 상기 분사부(320)에는 분사구(302)가 형성된다. 상기 분사구(302)는 상기 유로(301)와 연결되고, 상기 웨이퍼(W)를 향할 수 있다.
상기 분사구(302)의 폭(W2)은 상기 유로(301)의 폭(W1)보다 더 클 수 있다. 더 자세하게, 상기 분사구(302)의 폭(W2)은 상기 웨이퍼(W)에 가까워질 수 록 점점 더 커질 수 있다. 상기 분사구(302)는 제 1 경사면(321), 제 2 경사면(322), 제 3 경사면(323) 및 제 4 경사면(324)을 포함한다.
상기 제 1 경사면(321)은 상기 천정면(311)에 대하여 경사진다. 더 자세하게, 상기 제 1 경사면(321)은 상기 천정면(311)으로부터 연장된다. 즉, 상기 제 1 경사면(321)은 상기 천정면(311)으로부터 경사지는 방향, 예를 들어, 상측방으로 연장될 수 있다.
상기 제 2 경사면(322)은 상기 바닥면(312)에 대하여 경사진다. 더 자세하게, 상기 제 2 경사면(322)은 상기 바닥면(312)으로부터 연장된다. 즉, 상기 제 2 경사면(322)은 상기 바닥면(312)으로부터 경사지는 방향, 예를 들어, 하측방으로 연장될 수 있다.
이때, 상기 제 1 경사면(321) 및 상기 제 2 경사면(322) 사이의 거리는 상기 웨이퍼(W)에 가까워질 수 록 점점 더 커질 수 있다.
상기 제 3 경사면(323)은 상기 제 1 측면(313)에 대하여 경사진다. 더 자세하게, 상기 제 3 경사면(323)은 상기 제 1 측면(313)으로부터 연장된다. 즉, 상기 제 3 경사면(323)은 상기 제 1 측면(313)으로부터 경사지는 방향, 예를 들어, 측방으로 연장될 수 있다.
상기 제 4 경사면(324)은 상기 제 2 측면(314)에 대하여 경사진다. 더 자세하게, 상기 제 4 경사면(324)은 상기 제 2 측면(314)으로부터 연장된다. 즉, 상기 제 4 경사면(324)은 상기 제 2 측면(314)으로부터 경사지는 방향, 예를 들어, 측방으로 연장될 수 있다.
이때, 상기 제 3 경사면(323) 및 상기 제 4 경사면(324) 사이의 거리는 상기 웨이퍼(W)에 가까워질 수 록 점점 더 커질 수 있다.
이에 따라서, 상기 분사구(302)는 방사형 구조를 가질 수 있고, 상기 유로(301)를 통하여 유입되는 소스 기체를 효과적으로 퍼뜨릴 수 있다.
상기 소스 기체 가이드부(300)로 사용되는 물질의 예로서는 흑연 등을 들 수 있다. 특히, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 흑연 몸체 및 상기 흑연 몸체의 주위에 코팅되는 실리콘 카바이드막을 포함할 수 있다.
상기 소스 기체 라인(400)은 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 상기 소스 기체 라인(400)은 상기 소스 기체 가이드부(300)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 소스 기체 라인(400)은 상기 유로(301)에 연결된다. 또한, 상기 소스 기체 라인(400)은 상기 제 2 공급 라인(22)에 직접 또는 간접적으로 연결된다.
상기 소스 기체 라인(400)은 사각 튜브 형상을 가질 수 있다. 상기 소스 기체 라인(400)으로 사용되는 물질의 예로서는 석영 등을 들 수 있다.
상기 웨이퍼 홀더(500)는 상기 서셉터(200) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 웨이퍼 홀더(500)는 상기 소스 기체가 흐르는 방향을 기준으로, 상기 서셉터(200)의 후미에 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼 홀더(500)는 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 웨이퍼 홀더(500)로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 카바이드 또는 흑연 등을 들 수 있다.
상기 유도 코일(600)은 상기 챔버(100) 외측에 배치된다. 더 자세하게, 상기 유도 코일(600)은 상기 챔버(100)의 외주면을 둘러쌀 수 있다. 상기 유도 코일(600)은 전자기 유도를 통하여, 상기 서셉터(200)를 유도 발열시킬 수 있다. 상기 유도 코일(600)은 상기 챔버(100)의 외주면을 감을 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상기 유도 코일(600)에 의해서, 약 1400℃ 내지 약 1600℃의 온도로 가열될 수 있다. 더 자세하게, 상기 소스 기체 가이드부(300)도 상기 서셉터(200)에 의해서, 약 1400℃ 내지 약 1600℃의 온도로 가열될 수 있다. 이에 따라서, 상기 유로(301)로 유입되는 소스 기체는 라디칼로 분해되고, 상기 분사부(320)에 의해서, 상기 웨이퍼(W)에 분사된다. 상기 웨이퍼(W)에 분사된 라디칼에 의해서, 상기 웨이퍼(W) 상에 실리콘 카바이드 에피층이 형성된다.
이와 같이, 실시예에 따른 실리콘 카바이드 에피층 성장장치는 상기 웨이퍼(W) 등의 기판 상에 상기 에피층과 같은 박막을 형성한다. 즉, 실시예에 따른 실리콘 카바이드 에피층 성장장치는 증착 장치일 수 있다.
실시예에 따른 증착 장치는 상기 소스 기체 가이드부(300)를 통하여, 상기 서셉터(200) 내에서 상기 웨이퍼(W)로 상기 소스 기체를 가이드한다. 이에 따라서, 상기 서셉터(200) 내부에 유입되는 소스 기체는 가열되는 동안, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 소스 기체가 상기 서셉터(200)의 내부면에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
특히, 상기 서셉터(200)는 유도 가열에 의해서, 가열되고, 상기 소스 기체가 유입되는 동안, 상기 소스 기체를 가열한다. 이때, 상기 소스 기체 가이드부(300)가 상기 서셉터(200) 내부에 삽입되지 않으면, 상기 소스 기체는 라디칼로 분해되어, 상기 웨이퍼(W)에 증착되기 전에, 상기 서셉터(200)의 내부면에 증착될 수 있다.
결국, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 라디칼이 상기 서셉터(200)의 내부면에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라서, 상기 서셉터(200)의 수명은 상기 소스 기체 가이드부(300)에 의해서 향상될 수 있다.
또한, 상기 소스 기체 가이드부(300)는 상기 서셉터(200)로부터 용이하게 분리될 수 있다. 따라서, 상기 소스 기체 가이드부(300)의 교체를 통하여, 상기 웨이퍼(W) 상에 상기 에피층이 효과적으로 형성될 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (10)
- 기판을 수용하는 서셉터; 및
상기 서셉터 내부에 삽입되고, 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 소스 기체를 상기 기판으로 가이드하는 소스 기체 가이드부를 포함하는 증착 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 서셉터는
상기 기판 아래에 배치되는 하부 서셉터;
상기 기판을 사이에 두고, 상기 하부 서셉터와 마주보는 상부 서셉터; 및
상기 하부 서셉터로부터 상기 상부 서셉터로 연장되는 측벽 서셉터를 포함하고,
상기 소스 기체 가이드부는 상기 하부 서셉터 및 상기 상부 서셉터 사이 및 상기 측벽 서셉터 내에 배치되는 증착 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 소스 기체 가이드부는
상기 소스 기체가 이동되는 유로; 및
상기 유로와 연결되고, 상기 기판을 향하는 분사구를 포함하는 증착장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 분사구의 내부의 너비는 상기 기판에 가까울수록 더 커지는 증착장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 유로는
서로 대향하는 바닥면 및 천정면;
상기 바닥면으로부터 상기 천정면으로 연장되는 제 1 측면; 및
상기 제 1 측면에 대향하고, 상기 바닥면으로부터 상기 천정면으로 연장되는 제 2 측면을 포함하는 증착장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 분사구는
상기 바닥면으로부터 연장되는 제 1 경사면; 및
상기 천정면으로부터 연장되는 제 2 경사면을 포함하고,
상기 제 1 경사면 및 상기 제 2 경사면 사이의 거리는 상기 기판에 가까울수록 더 커지는 증착장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 분사구는
상기 제 1 측면으로부터 연장되는 제 3 경사면; 및
상기 제 2 측면으로부터 연장되는 제 4 경사면을 포함하고,
상기 제 3 경사면 및 상기 제 4 경사면 사이의 거리는 상기 기판에 가까울수록 더 커지는 증착장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 서셉터 사이에 개재되는 홀더를 포함하는 증착장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 서셉터는 실리콘 카바이드 및 흑연을 포함하고,
상기 소스 기체 가이드부는 실리콘 카바이드 및 흑연을 포함하는 증착장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 소스 기체 가이드부에 상기 소스 기체를 공급하는 소스 기체 공급부를 포함하고,
상기 소스 기체 공급부는 실리콘 및 탄소의 화합물을 포함하는 액체를 수용하는 증착장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110059857A KR20120140147A (ko) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 증착 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110059857A KR20120140147A (ko) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 증착 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120140147A true KR20120140147A (ko) | 2012-12-28 |
Family
ID=47906291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110059857A KR20120140147A (ko) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 증착 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120140147A (ko) |
-
2011
- 2011-06-20 KR KR1020110059857A patent/KR20120140147A/ko not_active Application Discontinuation
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