KR20120138059A - 발광 소자 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 및 발광 소자 패키지 Download PDF

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 구조물, 상기 발광 구조물에 배치되는 제1 전극, 제1 금속층을 포함하는 서브 마운트, 상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범퍼, 상기 제1 전극 및 상기 제1 범퍼에 접촉하고, 상기 발광 소자에 배치되는 제1 열전도층, 및 상기 제1 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제1 열전도층의 열전도도는 상기 제1 전극의 열전도도보다 크다.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{A light emitting device and a light emitting device package}
실시 예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 소자가 조명용으로 응용되기 위해서는 LED를 이용하여 백색광을 얻을 수 있어야 한다. 백색 반도체 발광 장치를 구현하는 방법에는 크게 3가지가 알려져 있다.
첫 번째 방법은 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법이다. 두 번째 방법은 자외선 LED를 광원으로 이용하여 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방법으로 R,G,B 형광체를 발광 물질로 이용한다. 세 번째 방법은 청색 LED를 광원으로 이용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방법이며, 일반적으로 YAG:Ce 형광체를 발광 물질로서 이용한다.
실시 예는 신뢰성을 확보하고, 고효율인 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는 기판; 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출하도록 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물; 상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 및 상기 제1 전극과 접촉하고, 상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 열전도층을 포함하며, 상기 제1 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제1 열전도층의 열전도도는 상기 제1 전극의 열전도도보다 크다.
상기 발광 소자는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 제2 전극과 접촉하고, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 열전도층을 더 포함하며, 상기 제2 열전도층의 전기 저항은 상기 제2 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제2 열전도층의 열전도도는 상기 제2 전극의 열전도도보다 클 수 있다.
상기 제1 열전도층은 상기 제1 전극의 측면 및 상면을 덮고 상기 제1 전극의 상면 일부를 노출하며, 상기 제2 열전도층은 상기 제2 전극의 측면 및 상면을 덮고 상기 제2 전극의 상면 일부를 노출할 수 있다.
다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층에 배치되는 제1 전극; 제1 금속층을 포함하는 서브 마운트(submount); 상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범퍼; 상기 제1 전극 및 상기 제1 범퍼에 접촉하고, 상기 제1 도전형 반도체층에 배치되는 제1 열전도층; 및 상기 제1 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제1 열전도층의 열전도도는 상기 제1 전극의 열전도도보다 크다.
상기 발광 소자 패키지는 는 상기 제2 도전형 반도체층에 배치되는 제2 전극; 상기 서브 마운트 상에 배치되는 제2 금속층; 상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 제2 범퍼; 및 상기 제2 전극 및 상기 제2 범퍼에 접촉하고, 상기 제2 도전형 반도체층에 배치되는 제2 열전도층을 더 포함하며, 상기 제2 열전도층의 전기 저항은 상기 제2 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제2 열전도층의 열전도도는 상기 제2 전극의 열전도도보다 클 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 금속층과 상기 제1 범프에 접촉하고, 상기 서브 마운트에 배치되는 제3 열전도층을 더 포함하고, 상기 제3 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 금속층의 전기 저항보다 크고, 상기 제3 열전도층의 열전도도는 상기 제1 금속층의 열전도도보다 클 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제2 금속층과 상기 제2 범프에 접촉하고, 상기 서브 마운트에 배치되는 제4 열전도층을 더 포함하고, 상기 제4 열전도층의 전기 저항은 상기 제2 금속층의 전기 저항보다 크고, 상기 제4 열전도층의 열전도도는 상기 제2 금속층의 열전도도보다 클 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제2 전극과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 전도성 산화물층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 열전도층은 상기 제1 도전형 반도체층과 쇼트키 접촉(schottky contact)하고, 상기 제2 열전도층은 상기 제2 도전형 반도체층과 쇼트키 접촉할 수 있다.
상기 제2 전극은 복수의 패드부들을 포함하고, 상기 복수의 패드부들 각각과 상기 제2 금속층 사이에 상기 제2 범퍼가 배치될 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 Au이고, 상기 제1 내지 제4 열전도층은 Cu, 또는 Cu 합금일 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 전극과 상기 제1 범퍼 사이, 및 상기 제2 전극과 상기 제2 범퍼 사이에 배치되는 확산 방지 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 열전도층은 상기 제1 전극, 상기 제1 범퍼, 및 상기 제1 금속층을 감싸고, 상기 제2 열전도층은 상기 제2 전극, 상기 제2 범퍼, 및 상기 제2 금속층을 감쌀 수 있다.
실시 예는 신뢰성을 확보하고, 고효율일 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸다.
도 2는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 제1 전극과 제1 금속층 사이의 전류 흐름 경로 및 열 방출 경로를 나타낸다.
도 5는 도 2에 도시된 제2 전극과 제2 금속층 사이의 전류 흐름 경로 및 열 방출 경로를 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 8a는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 8b는 도 8a에 도시된 표시 장치의 광원 부분의 단면도이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 성장 기판(110), 발광 구조물(120), 전도성 산화물층(130), 제1 전극(142), 제2 전극(144), 제1 열전도층(152), 및 제2 열전도층(154)을 포함한다.
성장 기판(110)은 발광 구조물(120)을 지지하며, 투광성 기판일 수 있다. 성장 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다
발광 구조물(120)은 성장 기판(110) 상에 배치되며, 광을 발생시킨다. 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다. 예컨대, 발광 구조물(120)은 성장 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(126)이 순차로 적층된 구조일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 성장 기판(110) 상에 배치되고, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되며, 3족-5족 원소의 화합물 반도체층일 수 있다. 활성층(124)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조(single Quantum Well), 다중 양자 우물(Multi Quantum Well) 구조, 양자점(Quantum dot) 구조 또는 양자선(Quantum wire) 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(124)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 상에 배치되고, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체층일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제2 도전형 반도체층(126)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스(roughness, 미도시)가 형성될 수 있다.
활성층(124)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이 또는 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에는 도전형 클래드층이 배치될 수도 있으며, 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.
제1 전극(142)을 배치하기 위한 영역을 확보하기 위하여 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)의 일부를 노출할 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124), 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역을 노출시킬 수 있다.
전도성 산화물층(130)은 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되며, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 전도성 산화물층(130)은 투광성 물질로서, 산화물 또는 질화물의 재질 중에서 선택될 수 있다. 전도성 산화물층(130)은 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 전도성 산화물층(130)은 광 추출 효율을 향상시키기 위한 것이므로 반드시 필요한 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 생략될 수 있다.
제1 전극(142)은 노출되는 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역 상에 배치된다. 제2 전극(144)은 전도성 산화물층(130) 상에 배치된다. 전도성 산화물층(130)이 생략되는 다른 실시 예서는 제2 전극(144)은 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 전극(142)은 n형 전극이고, 제2 전극(144)은 p형 전극일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전극(142)은 제1 도전형 반도체층(122)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(142)은 Au, 및 Au 합금을 포함할 수 있다.
제1 전극(142)은 오믹 금속층 및 패드 금속층을 포함할 수 있다. 이때 오믹 금속층은 제1 도전형 반도체층(122)과 오믹 접촉하는 물질, 예컨대, Ti, Cr, Ni, Pt, Pd, Al, Ag 중 어느 하나일 수 있고, 패드 금속층은 오믹 접촉 금속층과 접합하는 Au, 및 Au 합금일 수 있다.
제1 열전도층(152)은 제1 전극(142)에 인접하여 제1 도전형 반도체층(122)의 노출되는 일 영역 상에 배치된다. 제1 열전도층(152)은 제1 전극(142)과 접촉하며, 제1 전극(142)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대, 제1 열전도층(152)은 제1 전극(142)의 측면 및 상면을 덮으며, 제1 전극(142)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다.
제1 전극(142)과 제1 열전도층(152)의 면적비는 1:0.3 ~ 1:0.5일 수 있다. 즉 제1 전극(142)의 면적이 제1 열전도층(152)의 면적보다 크기 때문에, 제1 전극(142)의 전기 저항은 제1 열전도층(152)의 전기 저항보다 클 수 있다. 예컨대, 구리(Cu)의 전기 저항은 1.7E-0.8[Ω]이고, 금(Au)의 전기 저항은 6.6E-0.9 ~ 1.0E-0.8[Ω]일 수 있다.
즉 제1 열전도층(152)의 전기 저항은 제1 전극(142)의 전기 저항보다 크다. 그리고 제1 열전도층(152)의 열전도도는 제1 전극(142)의 열전도도보다 크다.
제1 열전도층(152)은 제1 전극(142)에 비하여 큰 전기 저항을 갖고, 큰 열전도도를 갖는 물질, 예컨대, Cu, Cu 합금으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 전극(142)은 Au이고, 제1 열전도층(152)은 Au의 전기 저항보다 큰 전기 저항을 가지며, Au의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 물질인 Cu, Cu 합금일 수 있다.
제1 전극(142)은 발광 구조물(120), 예컨대, 제1 도전형 반도체층(122)과 오믹 접촉(ohmic contact)할 수 있으나, 제1 열전도층(152)은 발광 구조물(120), 예컨대, 제1 도전형 반도체층(122)과 쇼트키 접촉(schottky contact)할 수 있다. 제1 열전도층(152)과 제1 도전형 반도체층(122)은 쇼트키 접촉하기 때문에 전류의 흐름이 차단된다. 이로 인하여 발광 소자는 열 전달 경로와 전류 흐름 경로가 분리될 수 있다.
제2 열전도층(154)은 제2 전극(144)에 인접하여 전도성 산화물층(130)의 일 영역 상에 배치된다. 전도성 산화물층(130)이 생략되는 다른 실시 예서는 제2 열전도층(154)은 제2 전극(144)에 인접하여 제2 도전형 반도체층(126)의 일 영역 상에 배치될 수 있다. 제2 열전도층(154)은 제2 전극(144)과 접촉하며, 제2 전극(144)의 적어도 일부를 노출시킨다. 예컨대, 제2 열전도층(154)은 제2 전극(144)의 측면 및 상면을 덮으며, 제2 전극(144)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다.
제2 열전도층(154)의 전기 저항은 제2 전극(144)의 전기 저항보다 크다. 그리고 제2 열전도층(154)의 열전도도는 제2 전극(144)의 열전도도보다 크다. 제2 열전도층(154)은 제2 전극(144)에 비하여 큰 전기 저항을 갖고, 큰 열전도도를 갖는 물질, 예컨대, Cu, Cu 합금으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2 전극(144)은 Au이고, 제2 열전도층(154)은 Au의 전기 저항보다 큰 전기 저항을 가지며, Au의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 물질인 Cu, Cu 합금일 수 있다.
제2 전극(144)은 전도성 산화물층(130)과 오믹 접촉할 수 있다. 반면에 제2 열전도층(154)은 발광 구조물(120), 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)과 쇼트키 접촉(schottky contact)할 수 있다. 제2 열전도층(154)은 제2 도전형 반도체층(126)과 쇼트키 접촉하기 때문에 전류의 흐름이 차단되고, 이로 인하여 전류 흐름 경로와 열 전달 경로가 분리될 수 있다.
전도성 산화물층(130)이 생략되는 다른 실시 예서는 제2 전극(144)은 발광 구조물(120), 예컨대, 제2 도전형 반도체층(124)과 오믹 접촉(ohmic contact)할 수 있다.
제1 열전도층(152)의 전기 저항은 제1 전극(142)의 전기 저항보다 크고, 제2 열전도층(154)의 전기 저항은 제2 전극(144)의 전기 저항보다 크기 때문에, 발광 소자(100)에 공급되는 전류는 대부분 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)으로 흐르고, 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)에 비하여 제1 열전도층(152)과 제2 열전도층(154)으로는 전류가 거의 흐르지 않을 수 있다.
또한 제1 전극(142)의 열전도도보다 제1 열전도층(152)의 열전도도가 크고, 또한 제2 전극(144)의 열전도도보다 제2 열전도층(154)의 열전도도가 크기 때문에, 발광 소자(100)에서 발생하는 열은 대부분 제1 열전도층(152) 및 제2 열전도층(154)을 통하여 방출되고, 제1 열전도층(152) 및 제2 열전도층(154)에 비하여 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)으로는 거의 방출되지 않을 수 있다.
일반적인 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극을 통하여 전류가 흐름과 동시에 제1 전극 및 제2 전극을 통하여 열이 방출된다. 그리고 제1 전극 및 제2 전극을 통하여 열이 방출됨에 따라 발광 구조물이 손상을 받거나 제1 전극 및 제2 전극에 열화가 발생할 수 있다.
그러나 실시 예는 제1 열전도층(152) 및 제2 열전도층(154)을 구비함으로써, 전류 흐름 경로(162,182)와 열 방출 경로(172,174,176,178, 또는 "열 전도 경로"라고 함.)를 서로 분리할 수 있다. 그리고 실시 예는 전류 흐름 경로(162,182)와 열 방출 경로(172,174,176,178)가 서로 분리됨에 따라 발광 구조물의 손상 및 전극의 열화를 방지하여 발광 소자의 신뢰성을 확보할 수 있고, 특히 열에 의하여 발광 구조물의 포톤(photon)이 손실되는 것을 방지하여 고효율의 발광 소자를 구현할 수 있다.
도 2는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 나타낸다. 도 1에 개시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100), 서브 마운트(submount, 210), 제1 금속층(222), 제2 금속층(224), 제3 열전도층(232), 및 제4 열전도층(234), 제1 범퍼(bump, 242), 제2 범퍼(244), 및 제1 내지 제4 확산 방지 접착층들(252,254,262,264)을 포함한다. 도 2에서 발광 소자(100)는 180°회전하여 도시한다.
서브 마운트(210)에는 발광 소자가 실장되며, 패키지 몸체(package body) 또는 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board) 등으로 구현될 수 있으며, 발광 소자(100)가 본딩, 예컨대, 플립 칩 본딩될 수 있는 다양한 형태일 수 있다.
서브 마운트(210)는 폴리프탈아미드(PolyPhthal Amide, PPA), 액정 고분자(Liquid Crystal Polymer, LCP), 폴리아미드9T(PolyAmide9T, PA9T), 등과 같은 수지, 금속, 감광성 유리(photo sensitive glass), 사파이어, 세라믹, 실리콘, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB) 등을 포함할 수 있다. 그러나 실시 예에 따른 서브 마운트(210)가 이러한 물질로 한정되는 것은 아니다.
제1 금속층(222) 및 제2 금속층(224)은 서브 마운트(210) 상에 전기적으로 분리되어 배치된다. 발광 소자(100)는 서브 마운트(210) 상에 배치된다. 이때 제1 전극(142)은 제1 금속층(222)과 마주보고, 제2 전극(144)은 제2 금속층(224)과 마주보도록 발광 소자(100)는 서브 마운트(210) 상에 배치될 수 있다.
제1 범퍼(242)는 제1 전극(142)과 제1 금속층(222) 사이에 배치되며, 제1 전극(142)과 제1 금속층(222)을 서로 접합시킨다. 제2 범퍼(244)는 제2 전극(144)과 제2 금속층(224) 사이에 배치되며, 제2 전극(144)과 제2 금속층(224)을 서로 접합시킨다. 이때 제1 범퍼(242) 및 제2 범퍼(244)는 도전성 물질, 예컨대, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나의 금속일 수 있다.
제3 열전도층(232)은 제1 금속층(222)에 인접하여 서브 마운트(210) 상에 배치된다. 제3 열전도층(232)은 제1 금속층(222)과 접촉하며, 제1 금속층(222)의 적어도 일부를 노출시킨다. 예컨대, 제3 열전도층(232)은 제1 금속층(222)의 측면 및 상면을 덮으며, 제1 금속층(222)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다.
제3 열전도층(232)의 전기 저항은 제1 금속층(222)의 전기 저항보다 크고, 제3 열전도층(232)의 열전도도는 제1 금속층(222)의 열전도도보다 크다. 예컨대, 제1 금속층(222)은 Au이고, 제3 열전도층(232)은 Au의 전기 저항보다 큰 전기 저항을 가지며, Au의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 물질일 수 있다. 예컨대, 제3 열전도층(152)은 Cu 또는 Cu 합금일 수 있다.
제4 열전도층(234)은 제2 금속층(224)에 인접하여 서브 마운트(210) 상에 배치된다. 제4 열전도층(234)은 제2 금속층(224)과 접촉하며, 제2 금속층(224)의 적어도 일부를 노출시킨다. 예컨대, 제4 열전도층(234)은 제2 금속층(224)의 측면 및 상면을 덮으며, 제2 금속층(224)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다.
제4 열전도층(234)의 전기 저항은 제2 금속층(224)의 전기 저항보다 크고, 제4 열전도층(234)의 열전도도는 제2 금속층(224)의 열전도도보다 크다. 예컨대, 제2 금속층(224)은 Au이고, 제4 열전도층(234)은 Au의 전기 저항보다 큰 전기 저항을 가지며, Au의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 물질일 수 있다. 예컨대, 제4 열전도층(234)은 Cu 또는 Cu 합금일 수 있다.
제1 범퍼(242)는 제1 전극(142)과 제1 금속층(222) 사이에 배치되며, 제1 전극(142)과 제1 금속층(222)을 전기적으로 연결한다. 제1 범퍼(242)의 일단은 제1 열전도층(152)에 의하여 노출되는 제1 전극(142)의 상면과 전기적으로 연결되고, 나머지 다른 일단은 제3 열전도층(232)에 의하여 노출되는 제1 금속층(222)의 상면과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 확산 방지 접착층(252)은 제1 전극(142)과 제1 범퍼(242) 사이에 배치된다. 예컨대, 제1 확산 방지 접착층(252)은 제1 열전도층(152)에 의하여 노출되는 제1 전극(142)과 제1 범퍼(242)의 일단 사이에 배치되고, 노출되는 제1 전극(142)과 제1 범퍼(242)를 접합시킬 수 있다.
제1 확산 방지 접착층(252)은 제1 범퍼(242)와 제1 전극(142) 사이의 접착력을 향상시키고, 제1 범퍼(242)에 포함된 이온이 제1 전극(142)을 통하여 발광 구조물(120)로 침투 또는 확산하는 것을 방지할 수 있다. 제1 열전도층(152)은 제1 범퍼(242) 및/또는 제1 확산 방지 접착층(252)과 접촉할 수 있다.
제2 확산 방지 접착층(254)은 제1 금속층(222)과 제1 범퍼(242) 사이에 배치된다. 예컨대, 제2 확산 방지 접착층(254)은 제3 열전도층(232)에 의하여 노출되는 제1 금속층(222)과 제1 범퍼(242)의 다른 일단 사이에 배치되고, 노출되는 제1 금속층(222)과 제1 범퍼(242)를 접합시킬 수 있다.
제2 확산 방지 접착층(254)은 제1 금속층(222)과 제1 범퍼(242) 사이의 접착력을 향상시키고, 제1 범퍼(242)에 포함된 이온이 제1 금속층(222)을 통하여 서브 마운트(210)로 침투 또는 확산하는 것을 방지할 수 있다. 제3 열전도층(232)은 제1 범퍼(242) 및/또는 제2 확산 방지 접착층(254)과 접촉할 수 있다.
제2 범퍼(244)는 제2 전극(144)과 제2 금속층(224) 사이에 배치되며, 제2 전극(144)과 제2 금속층(224)을 전기적으로 연결한다. 제2 범퍼(244)의 일단은 제2 열전도층(154)에 의하여 노출되는 제2 전극(144)의 상면과 전기적으로 연결되고, 나머지 다른 일단은 제4 열전도층(234)에 의하여 노출되는 제2 금속층(222)의 상면과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 확산 방지 접착층(262)은 제2 전극(144)과 제2 범퍼(244) 사이에 배치된다. 예컨대, 제3 확산 방지 접착층(262)은 제2 열전도층(154)에 의하여 노출되는 제2 전극(144)과 제2 범퍼(244)의 일단 사이에 배치되고, 노출되는 제2 전극(144)과 제2 범퍼(244)를 접합시킬 수 있다.
제3 확산 방지 접착층(262)은 제2 범퍼(244)와 제2 전극(144) 사이의 접착력을 향상시키고, 제2 범퍼(244)에 포함된 이온이 제2 전극(144)을 통하여 발광 구조물(120)로 침투 또는 확산하는 것을 방지할 수 있다. 제2 열전도층(154)은 제2 범퍼(244) 및/또는 제3 확산 방지 접착층(262)과 접촉할 수 있다.
제4 확산 방지 접착층(264)은 제2 금속층(224)과 제2 범퍼(242) 사이에 배치된다. 예컨대, 제4 확산 방지 접착층(264)은 제4 열전도층(234)에 의하여 노출되는 제2 금속층(224)과 제2 범퍼(244)의 다른 일단 사이에 배치되고, 노출되는 제2 금속층(224)과 제2 범퍼(242)를 접합시킬 수 있다.
제4 확산 방지 접착층(264)은 제2 금속층(224)과 제2 범퍼(244) 사이의 접착력을 향상시키고, 제2 범퍼(244)에 포함된 이온이 제2 금속층(224)을 통하여 서브 마운트(210)로 침투 또는 확산하는 것을 방지할 수 있다. 제4 열전도층(234)은 제2 범퍼(244) 및/또는 제2 확산 방지 접착층(264)과 접촉할 수 있다.
도 2에 도시된 실시 예는 제1 내지 제4 열전도층(152,154,232,234)을 구비함으로서, 발광 소자(100)와 서브 마운트(210) 사이의 전류 흐름 경로와 열 방출 경로를 서로 분리할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 제1 전극(142)과 제1 금속층(222) 사이의 전류 흐름 경로 및 열 방출 경로를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 제1 전극(142)에 비하여 제1 열전도층(152)은 전기 저항 및 열전도도가 크기 때문에, 전류는 제1 전극(142)을 통하여 용이하게 흐르고, 제1 전극(142)의 패드부에 발생하는 열은 용이하게 제1 열전도층(152)을 통하여 제1 범퍼(242)로 전도되거나 공기로 방출될 수 있다. 이때 제1 전극(142)의 패드부는 외부로부터 와이어가 본딩되는 영역으로, 외부로부터 전류가 공급되는 영역이기 때문에 많은 열이 발생할 수 있다. 즉 제1 열전도층(152)은 제1 전극(142)에 흐르는 전류의 흐름에 영향을 미치지 않으면서 열 방출을 용이하게 할 수 있다.
또한 제1 금속층(222)에 비하여 제3 열전도층(232)은 전기 저항 및 열전도도가 크기 때문에, 전류는 제1 금속층(222)을 통하여 흐르고, 발광 소자(100)로부터 제1 범퍼(242)로 전도된 열은 제3 열전도층(232)을 통하여 서브 마운트(210)로 전도되어 방출되거나 공기중으로 방출될 수 있다. 즉 제3 열전도층(232)은 제1 금속층(222)에 흐르는 전류의 흐름에 영향을 미치지 않으면서 열 방출을 용이하게 할 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 제2 전극(144)과 제2 금속층(224) 사이의 전류 흐름 경로 및 열 방출 경로를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 제2 열전도층(154)에 비하여 제2 전극(144)은 전기 저항 및 열전도도가 크기 때문에, 전류는 제2 전극(144)을 통하여 흐르고, 발광 소자(100)로부터 발생하는 열은 제2 열전도층(154)을 통하여 제2 범퍼(244)로 전도되거나 공기중으로 방출될 수 있다. 즉 제2 열전도층(154)은 제2 전극(144)에 흐르는 전류에 영향을 미치지 않으면서 열 방출을 용이하게 할 수 있다.
또한 제4 열전도층(234)에 비하여 제2 금속층(224)은 전기 저항 및 열전도도가 크기 때문에, 전류는 제2 금속층(224)을 통하여 흐르고, 발광 소자(100)로부터 제2 범퍼(244)로 전도된 열은 제4 열전도층(234)을 통하여 서브 마운트(210)로 전도되거나 공기 중으로 방출될 수 있다. 즉 제4 열전도층(234)은 제2 금속층(2224)에 흐르는 전류에 영향을 미치지 않으면서 열 방출을 용이하게 할 수 있다.
따라서 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 실시 예는 발광 소자(100)와 서브 마운트(210) 사이의 전류 흐름 경로(410.510)와 열 방출 경로(422,424,522,524)가 분리됨에 따라 발광 구조물(120)의 손상 및 전극(142,144)의 열화를 방지하여 발광 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다. 특히 열에 의하여 발광 구조물(120)의 포톤(photon)이 손실되는 것을 방지하여 고효율의 발광 소자 패키지(200)를 구현할 수 있다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)를 나타낸다. 도 2에 개시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 발광 소자(100-1), 서브 마운트(submount, 210), 제1 금속층(222), 제3 열전도층(232), 제1 범프(242), 제2 금속층(321 내지 323), 제4 열전도층(331 내지 333), 복수의 제2 범퍼들(341 내지 343), 및 복수의 확산 방지 접착층들(262-1 내지 262-3, 264-1 내지 264-3)을 포함한다.
도 3에 도시된 발광 소자(100-1)는 성장 기판(110), 발광 구조물(120), 전도성 산화물층(130), 및 제1 전극(142), 제1 열전도층(152), 제2 전극(301 내지 303), 및 제2 열전도층(311 내지 313)을 포함한다. 성장 기판(110), 발광 구조물(120), 전도성 산화물층(130), 및 제1 전극(142), 및 제1 열전도층(152)은 도 2에 도시된 실시 예와 동일할 수 있다.
도 3에 도시된 발광 소자(100-1)에 포함되는 제2 전극은 복수의 패드부들(301 내지 303)을 포함할 수 있다. 제2 열전도층(311 내지 313)은 복수의 패드부들(301 내지 303)에 인접하여 전도성 산화물층(130) 상에 배치될 수 있다. 제2 열전도층(311 내지 313)은 패드부들(301 내지 303) 각각에 접촉하며, 패드부들(301 내지 303) 각각의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 제2 열전도층(311 내지 313)은 복수의 패드부들(301 내지 303)에 비하여 전기 저항 및 열전도도가 크다.
제2 금속층(321 내지 323)은 서브 마운트(210) 상에 배치된다. 제2 금속층(321 내지 323)은 복수의 패드부들(301 내지 303) 각각에 상응하여 배치될 수 있다.
제4 열전도층(331 내지 333)은 제2 금속층(321 내지 323)에 인접하여 서브 마운트(210) 상에 배치된다. 제4 열전도층(331 내지 333)은 제2 금속층(321 내지 323)에 접촉하며, 제2 금속층(321 내지 323)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 제4 열전도층(331 내지 333)은 제2 금속층(321 내지 323)에 비하여 전기 저항 및 열전도도가 크다. 제2 범퍼들(341 내지 343)은 복수의 패드부들(301 내지 303)과 제2 금속층을 전기적으로 연결한다. 즉 제2 범퍼들(341 내지 343) 중 어느 하나는 패드부들(301 내지 303) 중 상응하는 어느 하나와 제2 금속층(321 내지 323)을 서로 연결시킨다.
제2 범퍼들(341 내지 343) 중 어느 하나 및 이와 상응하는 패드부(301, 302, 또는 303) 사이에는 확산 방지 접착층(262-1,262-2,또는 262-3)이 배치되고, 제2 범퍼들(341 내지 343) 중 어느 하나 및 제2 금속층(321 내지 323) 사이에는 확산 방지 접착층(264-1, 264-2, 또는 264-3)이 배치될 수 있다. 확산 방지 접착층들(262-1 내지 262-3, 264-1 내지 264-3)의 기능은 상술한 바와 동일할 수 있다.
도 3에 도시된 실시 예는 복수의 패드부들(301 내지 303)을 포함하기 때문에 제2 전원이 발광 소자(100-1)로 분산되어 공급될 수 있기 때문에 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고 도 3에 도시된 실시 예는 복수의 패드부들(301 내지 303) 각각과 접촉하도록 열전도층들(311 내지 313)을 마련하여 전류 흐름 경로 및 열 방출 경로를 분리함으로써 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1)를 나타낸다. 도 2에 개시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(400)는 발광 소자(100-2), 서브 마운트(210), 제1 금속층(222), 제2 금속층(224), 제5 열전도층(154-1), 및 제6 열전도층(152-1), 제1 범퍼(242), 제2 범퍼(244), 및 제1 내지 제4 확산 방지 접착층들(252,254,262,264)을 포함한다.
발광 소자(100-2)는 도 1에 도시된 발광 소자(100)에서 제1 열전도층(152), 및 제2 열전도층(154)이 생략된다.
제5 열전도층(152-1)은 제1 전극(142)에 인접하는 제1 도전형 반도체층(122)의 노출되는 영역과 접하며, 제1 전극(142), 제1 확산 방지 접착층(252), 제1 범퍼(242), 및 제2 확산 방지 접착층(254), 및 제1 금속층(222)을 감싼다. 또한 제5 열전도층(152-1)은 제1 금속층(222)에 인접하는 서브 마운트(210) 상면과 접할 수 있다.
제6 열전도층(154-1)은 제2 전극(144)에 인접하는 전도성 산화물층(130)과 접하며, 제2 전극(144), 제3 확산 방지 접착층(262), 제2 범퍼(244), 및 제4 확산 방지 접착층(264), 및 제2 금속층(224)을 감싼다. 또한 제6 열전도층(154-1)은 제2 금속층(224)에 인접하는 서브 마운트(210) 상면과 접할 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 광원(7500)이 내장되는 하우징(700)과 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.
하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.
하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.
광원(750)은 기판(754) 상에 구비되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함한다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 복수 개의 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
도 7a는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타내고, 도 7b는 도 7a에 도시된 표시 장치의 광원 부분의 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 표시 장치는 백라이트 유닛 및 액정 표시 패널(860), 탑 커버(Top cover, 870), 고정부재(850)를 포함한다.
백라이트 유닛은 바텀 커버(Bottom cover, 810)와, 바텀 커버(810)의 내부의 일측에 마련되는 발광 모듈(880)과, 바텀 커버(810)의 전면에 배치되는 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(880)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(830)과, 도광판(30)의 전방에 배치되는 광학 부재(840)를 포함한다. 액정 표시 장치(860)는 광학 부재(840)의 전방에 배치되며, 탑 커버(870)는 액정 표시 패널(860)의 전방에 마련되며, 고정 부재(850)는 바텀 커버(810)와 탑 커버(870) 사이에 배치되어 바텀 커버(810)와 탑 커버(870)를 함께 고정시킨다.
도광판(830)은 발광 모듈(880)에서 방출되는 광이 면광원 형태로 출사되도록 안내하는 역할을 하고, 도광판(830)의 후방에 배치되는 반사판(820)은 발광 모듈(880)에서 방출된 광이 도광판(830)방향으로 반사되도록 하여 광 효율을 높이는 역할을 한다. 다만, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(830)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다. 여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(830)은 발광 모듈(880)에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
광학 부재(840)가 도광판(830)의 상부에 구비되어 도광판(830)에서 출사되는 빛을 소정 각도로 확산시킨다. 광학 부재(840)는 도광판(830)에 의해 인도된 빛을 액정 표시 패널(860) 방향으로 균일하게 조사되도록 하다. 광학 부재(840)로는 확산 시트, 프리즘 시트 또는 보호 시트 등의 광학 시트가 선택적으로 적층되거나, 마이크로 렌즈 어레이를 사용할 수도 있다. 이때, 복수 개의 광학 시트를 사용할 수도 있으며, 광학 시트는 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지 또는 실리콘 수지 등과 같은 투명 수지로 이루어질 수 있다. 그리고, 상술한 프리즘 시트 내에 형광 시트가 포함될 수도 있음은 상술한 바와 동일하다.
광학 부재(840)의 전면에는 액정 표시 패널(860)이 구비될 수 있다. 여기서, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있음은 당연하다. 바텀 커버(810) 상에는 반사판(820)이 놓이게 되고, 반사판(820)의 위에는 도광판(830)이 놓이게 된다. 그리하여 반사판(820)은 방열부재(미도시)와 직접 접촉될 수도 있다. 발광 모듈(880)은 발광 소자 패키지(882) 및 인쇄회로기판(881)을 포함한다. 발광 소자 패키지(882)는 인쇄회로기판(881) 상에 실장된다. 여기서 발광 소자 패키지(881)은 상술한 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
인쇄회로기판(881)은 브라켓(812) 상에 접합될 수 있다. 여기서, 브라켓(812)은 발광 소자 패키지(882)의 고정 외에 열방출을 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 있고, 도시되지는 않았으나, 브라켓(812)과 발광 소자 패키지(882) 사이에는 열 패드가 구비되어 열 전달을 용이하게 할 수 있다. 그리고, 브라켓(812)는 도시된 바와 같이 'ㄴ'자 타입으로 구비되어, 가로부(812a)는 바텀 커버(810)에 의하여 지지되고, 세로부(812b)는 인쇄회로기판(881)을 고정할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
110: 성장 기판 120: 발광 구조물
130: 전도층 142: 제1 전극
144: 제2 전극 152: 제1 열전도층
154: 제2 열전도층 210: 서브 마운트
222: 제1 금속층 224: 제2 금속층
232: 제3 열전도층 234: 제4 열전도층
252,254,262,264: 확산 방지 접착층들.

Claims (13)

  1. 기판;
    제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출하도록 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물;
    상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 및
    상기 제1 전극과 접촉하고, 상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 열전도층을 포함하며,
    상기 제1 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제1 열전도층의 열전도도는 상기 제1 전극의 열전도도보다 큰 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극과 접촉하고, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 열전도층을 더 포함하며,
    상기 제2 열전도층의 전기 저항은 상기 제2 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제2 열전도층의 열전도도는 상기 제2 전극의 열전도도보다 큰 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 열전도층은 상기 제1 전극의 측면 및 상면을 덮고 상기 제1 전극의 상면 일부를 노출하며, 상기 제2 열전도층은 상기 제2 전극의 측면 및 상면을 덮고 상기 제2 전극의 상면 일부를 노출하는 발광 소자.
  4. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제1 도전형 반도체층에 배치되는 제1 전극;
    제1 금속층을 포함하는 서브 마운트(submount);
    상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범퍼;
    상기 제1 전극 및 상기 제1 범퍼에 접촉하고, 상기 제1 도전형 반도체층에 배치되는 제1 열전도층; 및
    상기 제1 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제1 열전도층의 열전도도는 상기 제1 전극의 열전도도보다 큰 발광 소자 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층에 배치되는 제2 전극;
    상기 서브 마운트 상에 배치되는 제2 금속층;
    상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 제2 범퍼; 및
    상기 제2 전극 및 상기 제2 범퍼에 접촉하고, 상기 제2 도전형 반도체층에 배치되는 제2 열전도층을 더 포함하며,
    상기 제2 열전도층의 전기 저항은 상기 제2 전극의 전기 저항보다 크고, 상기 제2 열전도층의 열전도도는 상기 제2 전극의 열전도도보다 큰 발광 소자 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 금속층과 상기 제1 범프에 접촉하고, 상기 서브 마운트에 배치되는 제3 열전도층을 더 포함하고,
    상기 제3 열전도층의 전기 저항은 상기 제1 금속층의 전기 저항보다 크고, 상기 제3 열전도층의 열전도도는 상기 제1 금속층의 열전도도보다 큰 발광 소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 금속층과 상기 제2 범프에 접촉하고, 상기 서브 마운트에 배치되는 제4 열전도층을 더 포함하고,
    상기 제4 열전도층의 전기 저항은 상기 제2 금속층의 전기 저항보다 크고, 상기 제4 열전도층의 열전도도는 상기 제2 금속층의 열전도도보다 큰 발광 소자 패키지.
  8. 제2항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 전도성 산화물층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 열전도층은 상기 제1 도전형 반도체층과 쇼트키 접촉(schottky contact)하고, 상기 제2 열전도층은 상기 제2 도전형 반도체층과 쇼트키 접촉하는 발광 소자 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전극은 복수의 패드부들을 포함하고,
    상기 복수의 패드부들 각각과 상기 제2 금속층 사이에 상기 제2 범퍼가 배치되는 발광 소자 패키지.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 Au이고, 상기 제1 내지 제4 열전도층은 Cu, 또는 Cu 합금인 발광 소자 패키지.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제1 범퍼 사이, 및 상기 제2 전극과 상기 제2 범퍼 사이에 배치되는 확산 방지 접착층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 제1 열전도층은 상기 제1 전극, 상기 제1 범퍼, 및 상기 제1 금속층을 감싸고, 상기 제2 열전도층은 상기 제2 전극, 상기 제2 범퍼, 및 상기 제2 금속층을 감싸는 발광 소자 패키지.
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