KR20120137426A - 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 - Google Patents

스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120137426A
KR20120137426A KR1020127028826A KR20127028826A KR20120137426A KR 20120137426 A KR20120137426 A KR 20120137426A KR 1020127028826 A KR1020127028826 A KR 1020127028826A KR 20127028826 A KR20127028826 A KR 20127028826A KR 20120137426 A KR20120137426 A KR 20120137426A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
target
vacuum chamber
gas
sputtering
Prior art date
Application number
KR1020127028826A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101438129B1 (ko
Inventor
나오키 모리모토
마사히코 이시다
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20120137426A publication Critical patent/KR20120137426A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101438129B1 publication Critical patent/KR101438129B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438—Electrodes other than cathode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

타겟이 배치되는 진공 챔버와, 타겟으로 전력 투입하는 전원과, 가스 도입 수단과, 배기 수단과, 처리해야 할 기판을 보호지지하는 기판 보호지지 수단을 구비하고, 기판 보호지지 수단이, 양극 및 음극의 전극을 가지는 척 본체와, 기판의 바깥 둘레부가 면접촉 가능한 리브부 및 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 소정의 간격을 두어서 세워 설치된 복수 개의 지지부를 가지는 척 플레이트와, 두 전극 사이에 직류 전압을 인가하는 직류 전원을 가지는 스퍼터링 장치로, 기판 사이에서의 막 두께의 변동을 억제한다. 척 플레이트(62)의 정전 용량을 통과하는 교류 전류를 흐르게 하는 교류 전원(64b) 및 그 교류 전류를 측정하는 측정 수단(A)을 가지고, 진공 챔버(1) 내에 소정의 가스를 도입하고, 타겟(2)으로 전력 투입하여 타겟을 스퍼터하고, 기판 표면에 소정의 박막을 형성할 때, 측정 수단에 의해 측정한 교류 전류 값이 소정 값으로 유지되도록, 진공 챔버 내의 압력을 제어하는 제어 수단을 구비한다.

Description

스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법{SPUTTERING APPARATUS AND SPUTTERING METHOD}
본 발명은 유리나 실리콘 웨이퍼 등의 기판에 소정의 박막을 형성하기 위해서 이용되는 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 희망하는 디바이스 구조를 얻을 때에, 처리해야 할 기판인 실리콘 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다)에 대하여 성막하는 공정이 있고, 이러한 성막 공정에는 스퍼터링(이하, 「스퍼터」라고 한다) 장치가 종래부터 이용되고 있다.
이 스퍼터 장치에서는, 진공 분위기의 진공 챔버에 아르곤 등 불활성 가스인 스퍼터 가스를 도입함과 동시에, 기판 표면에 형성하려고 하는 박막의 조성에 따라서 형성된 타겟으로, 직류 전원이나 고주파 전원에 의해 소정 전력을 투입하여 글로우 방전시켜 플라즈마를 형성한다. 그리고, 플라즈마 중에서 전리한 아르곤 이온 등의 불활성 가스의 이온을 타겟으로 충돌시킴으로써 타겟으로부터 타겟의 원자, 분자를 방출시키고, 이들 스퍼터 입자가 기판 표면에 부착, 퇴적함으로써 성막된다. 이 경우, 처리해야 할 기판은 타겟에 대향 배치된 기판 보호지지 수단으로 위치 결정 및 보호지지된다.
기판 보호지지 수단으로서는, 양극 및 음극의 전극을 가지는 척 본체와 기판의 바깥 둘레부가 면접촉 가능한 리브부 및 상기 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 소정의 간격을 두어서 세워 설치된 복수 개의 지지부를 가지는 유전체인 척 플레이트와, 두 전극 사이에 직류 전압을 인가하는 직류 전원으로 구성된 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
또한, 높은 종횡비(aspect ratio)의 미세 홀에 대해 높은 바텀 커버리지 율(bottom coverage rate)(홀의 주위의 면으로의 성막 속도에 대한 홀 저면으로의 성막 속도의 비)로 소정의 박막을 형성하는 스퍼터 장치로서, Cu, Ta나 Ti 등의 금속재료로 이루어진 타겟을 이용하여, 스퍼터에 의해 생긴 스퍼터 입자를 플라즈마 중에서 이온화함과 동시에, 기판에 고주파 바이어스 전압을 인가하여 이온화된 스퍼터 입자를 기판으로 끌어들여 입사시키도록 한 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 2 참조).
여기서, 상기 기판 보호지지 수단을 구비한 스퍼터 장치에서는, 양극 및 음극의 전극에 통전하여 기판을 보호지지하고 있기 때문에, 플라즈마 중에서 전리한 전자가 기판 표면에 대전하여 기판 표면의 전위가 음극 측으로 시프트(shift)한다. 또한, 기판에 고주파 바이어스 전압을 인가하면, 전자와 비교하여 양질의 큰 이온은 교류 전기장의 빠른 변화에 대응할 수 없고, 전자가 기판 표면에 대전하여 기판 표면의 전위가 음극 측으로 시프트한다. 이와 같이 기판 전위가 음극 측으로 시프트 하면, 플라즈마 중의 불활성 가스의 이온이 기판 측에도 끌어들여지고, 기판 표면에 부착, 퇴적한 것이 스퍼터링 된다고 하는 소위 역스퍼터(reverse sputtering)가 발생한다. 이 역스퍼터 양은 스퍼터 시의 진공 챔버 내에 분위기나 스퍼터 시간에 기인하여 변화할 수 있는 것이다. 이 때문에, 타겟에 대향한 위치로 기판을 반송하고 성막을 행하는 것과 같은 경우에, 타겟으로의 투입 전력이나 스퍼터 시간 등으로부터 스퍼터 조건을 관리하여 기판 표면에 박막을 형성하여도, 예를 들어, 역스퍼터되는 양(이하, 역스퍼터 양)이 많아지면, 희망하는 막 두께로 성막할 수 없고, 각 기판 사이에서 막 두께나, 경우에 따라서는 막 품질이 변동한다고 하는 문제가 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허공개 평1-321136호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허공개 제2002-80962호 공보
본 발명은 이상의 점을 고려하여 기판 사이에서의 막 두께의 변동을 억제할 수가 있는 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법을 제공하는 것을 그 과제로 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 스퍼터링 장치는 타겟이 배치되는 진공 챔버와, 이 타겟으로 전력 투입하는 전원과, 진공 챔버 내에 소정의 스퍼터 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 진공 챔버 내부를 진공 배기하는 배기 수단과, 진공 챔버 내에서 처리해야 할 기판을 보호지지하는 기판 보호지지 수단을 구비하고, 기판 보호지지 수단이, 양극 및 음극의 전극을 가지는 척 본체와, 기판의 바깥 둘레부가 면접촉 가능한 리브부 및 상기 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 소정의 간격을 두어서 세워 설치된 복수 개의 지지부를 가지는 유전체인 척 플레이트와, 두 전극 사이에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 척 플레이트의 정전 용량을 통과하는 교류 전류를 흐르게 하는 교류 전원 및 그때의 교류 전류를 측정하는 측정 수단을 가지고, 가스 도입 수단에 의해 진공 챔버 내에 소정의 가스를 도입하고, 타겟으로 전력 투입하여 이 타겟을 스퍼터링하고, 기판 표면에 소정의 박막을 형성할 때, 측정 수단에 의해 측정한 교류 전류 값이 소정 값으로 유지되도록, 진공 챔버 내의 압력을 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기판 보호지지 수단의 두 전극 사이에 직류 전압을 인가하여 기판을 보호지지한 후, 진공 챔버를 진공배기한다. 진공 챔버 내의 압력이 소정 값에 이르면, 가스 도입 수단을 통하여 소정의 가스를 도입함과 동시에, 타겟으로 전력 투입하여 타겟을 스퍼터 하고, 기판 보호지지 수단으로 보호지지된 기판에 대하여 성막한다. 스퍼터 중, 전자가 기판 표면에 대전하여 기판 표면의 전위가 음극 측으로 시프트하고, 그것에 따라서, 플라즈마 중의 스퍼터 가스의 이온이 기판 측으로 끌여들여져 기판 표면에 부착, 퇴적한 것이 역스퍼터 되게 된다.
여기서, 본 발명자 등은 예리한 연구를 거듭하여 스퍼터 시에 있어서의 기판 표면의 전위가 진공 챔버 내의 압력(불활성 가스의 분압)에 의존하고, 또한, 플라즈마 중의 스퍼터 가스의 이온이 기판으로 끌여들여질 때의 입력 에너지가 척 플레이트의 정전 용량을 통과하는 교류 전류의 변화, 나아가서는 임피던스의 변화로서 나타남으로써, 이 임피던스가 진공 챔버 내의 압력에 의존하고, 임피던스와 기판 표면의 전위와의 사이에 상관이 있는 것을 알게 되었다. 이 경우, 예를 들어, 임피던스가 낮아짐에 따라 역스퍼터 양이 많아진다.
따라서, 본 발명에서는, 측정 수단으로 척 플레이트의 정전 용량을 통과하는 교류 전류 값(임피던스 값)을 측정하고, 이 측정 값으로부터, 진공 챔버 내의 압력(불활성 가스의 분압)을 제어함으로써, 역스퍼터 양을 제어하는 것이 가능하게 된다. 이것에 의해, 타겟에 대향한 위치로 기판을 반송하고 성막을 행하는 것과 같은 경우에, 임피던스로부터 진공 챔버 내의 압력(스퍼터 가스의 도입량)을 제어함으로써, 각 기판 사이에서의 막 두께나, 경우에 따라서는 막 품질의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 타겟의 투입 전력이 일정한 상태에서 스퍼터 가스의 도입량(진공 챔버 내의 압력)을 변화시키면, 타겟의 스퍼터 양도 변동할 수 있지만, 기판 표면에서의 성막 레이트에 있어서는 역스퍼터 양의 변화의 쪽이 크게 영향을 주기 때문에, 이 역스퍼터 양을 일정하게 유지함으로써 각 기판 사이에서 막 두께나 막 품질의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 제어 수단은 가스 도입 수단에 의한 가스 도입량 또는 배기 수단의 배기 속도를 증감시켜서 진공 챔버 내의 압력, 나아가서는, 불활성 가스의 분압을 제어하면 좋다.
그런데, 스퍼터에 의한 성막 중에 기판에 바이어스 전력을 투입하고, 이온화된 스퍼터 입자를 기판으로 끌여들여 입사시켜서 성막하는 경우가 있다. 이러한 경우, 투입하는 바이어스 전력을 증감시키면, 역스퍼터 양이 변화하여 기판 표면의 성막 레이트가 변화하고, 이 바이어스 전력이 임피던스 값과 상관이 있는 것이 판명되었다. 즉, 예를 들어, 임피던스가 작아지는 만큼, 기판 표면에서의 성막 레이트가 높아진다. 따라서, 본 발명에서는, 상기 기판 보호지지 수단으로 보호지지된 기판에 대해서 바이어스 전력을 투입하는 전원을 더 구비하고, 가스 도입 수단에 의해 진공 챔버 내에 소정의 가스를 도입하고, 타겟으로 전력 투입하여 이 타겟을 스퍼터링 하고, 기판에 바이어스 전압을 투입하면서 기판 표면에 소정의 박막을 형성할 때, 측정 수단에 의해 측정한 교류 전류 값이 소정 값으로 유지되도록, 상기 제어 수단은 바이어스 전력을 우선적으로 제어하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 각 기판 사이에서 막 두께나, 경우에 따라서는 막 품질의 변동을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태의 스퍼터 장치를 설명하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 스퍼터 기판에 이용되고 있는 기판 보호지지 장치를 확대하여 설명하는 도면이다.
도 3의 (a) 및 (b)는 가스 유량과, 임피던스 및 기판 전위와의 관계를 설명하는 그래프이다.
도 4의 (a) 및 (b)는 바이어스 전력과, 임피던스 및 성막 레이트와의 관계를 설명하는 그래프이다.
이하에 도면을 참조하여, 처리해야 할 기판을 웨이퍼(W)로 하고, 웨이퍼(W) 표면에, Cu, Ti나 Ta 등의 박막을 형성하는 것에 최적인 본 발명의 실시 형태의 스퍼터 장치를 설명한다. 도 1을 참조하여, 스퍼터 장치(M)는 진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버(1)를 구비하고, 진공 챔버(1)의 천정부에 캐소드 유닛(C)이 부착되어 있다. 이하에서는, 진공 챔버(1)의 천정부 측을 향하는 방향을 「상」으로 하고, 그 저부 측을 향하는 방향을 「하」로 하여 설명한다.
캐소드 유닛(C)은 타겟(2)과, 이 타겟(2)의 상측에 배치된 자석 유닛(3)으로 구성되어 있다. 타겟(2)은 처리해야 할 웨이퍼(W)에 형성하고자 하는 박막의 조성에 따라서 적절하게 선택된 재료, 예를 들어, Cu, Ti나 Ta로 만들어지고, 공지의 방법으로 평면 관측 시에 원형이나 직사각형으로 형성된다. 그리고, 타겟(2)은 도시를 생략한 백킹 플레이트에 장착한 상태로 절연체(I)를 통해 진공 챔버(1)에 부착된다.
자석 유닛(3)은 타겟(2)의 스퍼터 면(2a)의 하방 공간에 자기장을 발생시키고, 스퍼터 시에 스퍼터 면(2a)의 하방에서 전리한 전자 등을 포착하여 타겟(2)으로부터 비산(飛散)한 스퍼터 입자를 효율적으로 이온화하는 것이다. 또한, 자석 유닛(3)으로서는, 여러 가지의 형태를 가지는 공지의 것이 이용될 수 있기 때문에, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다. 타겟(2)은 스퍼터 전원인 DC 전원(E1)에 접속되고, 스퍼터 중, 타겟(2)으로 음극의 직류 전위가 인가된다. 또한, 스퍼터 전원은 상기로 한정되는 것이 아니라, 고주파 전원 등을 이용하여도 좋다.
진공 챔버(1) 내에는 도전성을 가지는 애노드 쉴드(anode shield)(4)가 배치되어 있다. 애노드 쉴드(4)는 타겟(2)의 주위를 피복하여 하방으로 연장되는 통 모양의 부재이다. 이 경우, 애노드 쉴드(4)에 다른 DC 전원(E2)을 접속하고, 스퍼터 중, 양극의 직류 전위가 인가될 수 있도록 하여도 좋다. 이것에 의해, 애노드 쉴드(4)에 의해 이온화한 스퍼터 입자의 이온이 반사되고, 강한 직진성을 가져 기판(W)으로 방출되는 것을 어시스트할 수 있다.
진공 챔버(1)의 저부에는, 캐소드 유닛(C)에 대향시켜서 스테이지(5)가 배치되어 있다. 스테이지의 상부에는 기판 보호지지 장치(EC)가 설치되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 보호지지 장치(EC)는 소위 정전 척이며, 스테이지(5) 상에 배치되는 척 본체(61)와, 이 척 본체(61)의 상면에 설치된 유전체인 척 플레이트(62)로 구성된다. 척 본체(61)는 예를 들어, 질화 알루미늄으로 만들어지며, 도시를 생략한 절연층을 통해 양극 및 음극의 전극(63a, 63b)이 조립되고, 두 전극(63a, 63b) 사이에는, 전원 회로(64) 내의 직류 전원(64a)으로부터 직류 전압이 인가된다.
또한, 척 본체(61)에는, 상하 방향으로 관통하는 가스 통로(65)가 형성되고, 이 가스 통로(65)의 하단은, APC(자동 압력 제어기)(65a)를 끼워 설치한 가스 관(65b)을 통하여 불활성 가스로 이루어진 어시스트 가스를 수용한 가스원(65c)에 연통한다. 이 경우, APC(65a)의 하류 측에는 공지의 매스 플로우 미터(65d)가 끼워 설치되어, 가스 유량을 감시할 수 있게 되어 있다. 척 본체(61)에는 또한, 저항 가열식의 히터(66)가 내장되고, 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열 및 유지할 수 있게 되어 있다. 또한, 척 본체(61)에, 냉각 통로를 형성하여 냉매를 순환시켜서 웨이퍼(W)를 냉각할 수 있는 구성으로 할 수도 있다. 다른 한편으로, 척 플레이트(62)는 예를 들어, 질화 알루미늄으로 만들어지며, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부가 면접촉 가능한 고리 모양의 리브부(62a)와, 리브부(62a)로 둘러싸인 내부 공간(62b)에서 동심 모양으로 세워 설치된 복수 개의 막대 모양의 지지부(62c)를 구비한다.
척 플레이트(62)에 웨이퍼(W)를 장착한 후, 두 전극(63a, 63b) 사이에, 직류 전원(64a)을 통해 직류 전압을 인가함으로써 발생하는 정전기력으로 웨이퍼(W)가 척 플레이트(62)의 표면에서 흡착된다. 이때, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부가 리브부(62a)와 그 전체 주변에 걸쳐 면접촉함으로써 내부 공간(62b)이 대략 밀폐된다(이 경우, 웨이퍼(W)는 척 플레이트(62) 표면에 대략 평행한 상태가 된다). 이 상태에서, 가스 공급 수단을 통해 어시스트 가스를 공급하면, 내부 공간(62b)에 가스 분위기가 형성된다. 이것에 의해, 리브부(62a)와 웨이퍼(W) 이면으로 정의되는 내부 공간(62b)에 가스 분위기를 형성함으로써, 웨이퍼(W)로의 열전달을 어시스트하여 효율적으로 가열 또는 냉각할 수 있다.
척 전원(64) 내에서 직류 전원(64a)에는 교류 전원(64b)이 병렬 접속되고, 교류 전원(64b)으로부터 정전 척의 정전 용량을 통과하는 교류 전류를 흐르게 하고, 전류계(A)로 측정한 전류 값으로부터 임피던스 값을 감시할 수 있게 되어 있다. 이 경우, 전류계(A)가 본 실시 형태의 측정 수단을 구성한다. 그리고, 상기와 같이 웨이퍼(W)를 척 플레이트(62) 표면에서 흡착되었을 경우, 웨이퍼(W)가 척 플레이트(62) 표면에 대략 평행한 상태가 될 때의 임피던스 값 및 가스 유량을 미리 취득하여 두고, 웨이퍼(W)를 새롭게 흡착하였을 경우나 스퍼터에 의한 성막 중에, 임피던스 값 및 가스 유량의 적어도 한쪽이 소정의 범위를 넘어서 변동하면, 직류 전원(64a)으로부터의 흡착 전압을 변화시킴으로써 웨이퍼(W)의 흡착력을 변화시키고, 웨이퍼(W)가 척 플레이트(62) 표면에 대략 평행한 상태, 즉, 척 본체(61) 상면으로부터 웨이퍼(W) 이면까지의 거리가 서로 일치하게 되도록 제어되게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 특히 도시하여 설명하고 있지 않지만, 예를 들어, 진공 챔버에는 게이트 밸브를 통해 로드락 실(load lock chamber)이 연결되고, 진공 분위기 중에서 기판을 스테이지(5)에 대하여 순차 반송할 수 있도록 되어 있다.
또한, 진공 챔버(1)의 측벽에는, 아르곤 등의 불활성 가스인 스퍼터 가스를 도입하는 가스관(7)이 접속되고, 이 가스관(7)이 매스 플로우 제어기(7a)를 통해 도시를 생략한 가스원에 연통한다. 그리고, 이들 부품이 가스 도입 수단을 구성하고, 유량 제어된 스퍼터 가스가 진공 챔버(1) 내에 도입될 수 있다. 또한, 진공 챔버(1)의 저부에는, 터보 분자 펌프나 로터리 펌프 등으로 이루어진 진공 배기 장치(8)로 통하는 배기관(8a)이 접속되어 있다. 스테이지(5)에는 고주파 전원(E3)이 접속되고, 스퍼터 중, 스테이지(5), 나아가서는 기판(W)에 바이어스 전위가 인가되고, 특히, 스퍼터 입자의 이온을 기판(W)에 적극적으로 끌어들이도록 되어 있다.
상기 스퍼터 장치(M)는 마이크로 컴퓨터, 메모리나 시퀀서 등을 구비한 제어 수단(9)을 가진다. 제어 수단(9)은 상기 각 전원(E1 ~ E3)의 작동, 스퍼터 가스 도입용의 매스 플로우 제어기(7a)의 작동이나 진공 배기 장치(8)의 작동 등을 통괄 제어하도록 되어 있다. 또한, 제어 수단(9)은 기판 보호지지 수단(EC)의 각 전원(64b)의 작동이나 APC(65a)의 작동도 통괄 제어하고, 또한, 미리 취득한, 웨이퍼(W)가 척 플레이트(62) 표면에 대략 평행한 상태가 될 때의 임피던스 값 및 가스 유량이 기억되어 있다.
그런데, 상기 스퍼터 장치(M)의 기판 보호지지 수단(EC)으로 웨이퍼(W)를 흡착하고, 스퍼터에 의한 성막을 행하면, 플라즈마 중에서 전리한 전자가 기판 표면에 대전하여 기판 표면의 전위가 음극 측으로 시프트한다. 또한, 성막 중에, 웨이퍼(W)에 전원(E3)을 통해 고주파 바이어스 전압을 인가하면, 전자와 비교하여 질량이 큰 이온이 교류 전기장의 빠른 변화에 대응할 수 없고, 전자가 기판 표면에 대전하여 기판 표면의 전위가 음극 측으로 시프트한다. 이 경우, 플라즈마 중의 스퍼터 가스의 이온이 웨이퍼(W) 측에도 끌어들여져서, 웨이퍼(W) 표면에 부착, 퇴적한 것이 역스퍼터 된다. 이 역스퍼터 양은, 스퍼터 시의 진공 챔버 내에 분위기나 스퍼터 시간에 기인하여 변화할 수 있는 것이기 때문에, 스테이지(5)에 대하여 웨이퍼(W)를 순차 반송하고, 성막할 때에 웨이퍼(W) 사이에서 막 두께나, 경우에 따라서는 막 품질이 변동하지 않도록 할 필요가 있다.
여기서, 본 발명자 등은 다음과 같이 실험을 행하였다. 즉, 상기 스퍼터 장치(M)로 타겟으로서 Cu로 만들어지는 것을 이용하고, 스퍼터 가스로서 아르곤을 이용하여, 실리콘 기판에 Cu 막을 형성하였다. 스퍼터 조건으로서, 타겟의 투입 전력을 5 kW, 스퍼터 시간을 60 초로 설정하였다. 또한, 직류 전원(64a)에 의해 두 전극(3a, 3b) 사이에 인가하는 직류 전압을 0.8 kV로 설정하였다. 이때의 임피던스 값을 전류계(A)로부터의 교류 전류 값으로부터 측정하면, 약 17.5 ㏀이었다. 그리고, 스퍼터에 의한 성막 시의 스퍼터 가스의 도입량을 매스 플로우 제어기(7a)를 적절하게 제어하여 8 ~ 40 sccm의 범위에서 변화시키고, 그때의 임피던스 값의 변화와, 기판 표면의 전위(진공 챔버 내에 삽입한 프로브에 의해 측정)를 측정하였다.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)는 스퍼터 가스의 도입량과 임피던스 값 및 기판 표면의 전위와의 관계를 도시하는 그래프이다. 이것에 의하면, 스퍼터 시의 가스 도입량을 증가시켜가면, 기판 전위는 상승하는 한편으로(도 3의 (a) 참조), 임피던스 값도 상승하는 것을 알 수 있다(도 3의 (b) 참조). 그리고, 가스 도입량(성막 시의 진공 챔버 내에 압력)의 증감에 따라서 변화하는 기판 전위와 임피던스 값과의 사이에는 상관이 있는 것을 알 수 있다. 이 경우, 기판 표면에 형성한 Cu 막의 막 두께를 측정하면, 임피던스 값이 낮아짐에 따라, Cu 막의 막 두께가 얇아지고, 역스퍼터 양이 증가하는 것이 확인되었다.
다음으로, 상기 스퍼터 장치(M)로, 진공 챔버(1) 내에 스퍼터 가스를 7 sccm으로 도입하고, 그 후, 스퍼터 가스의 도입을 정지하여 Cu 자기 유지 방전으로 웨이퍼(W)에 Cu 막을 형성하였다. 스퍼터 조건으로서, 타겟의 투입 전력을 18 kW, 스퍼터 시간을 60 초로 설정하였다. 그리고, 스퍼터에 의한 성막 중, 전원(E3)에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 바이어스 전력을 인가하는 실험을 행하였다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 바이어스 전력을 800 W까지의 범위에서 변화시켰을 때의 이 바이어스 전력과, 기판 표면에 형성한 Cu 막의 성막 레이트(Cu 막의 막 두께로부터 산출) 및 임피던스 값의 변화를 도시하는 그래프이다. 이것에 의하면, 바이어스 전압을 증가시켜가면, 성막 레이트가 저하하는 한편으로(도 4의 (a) 참조), 임피던스 값도 저하하고 있음을 알 수 있다(도 4의 (b) 참조). 그리고, 바이어스 전력의 증감에 따라서 변화하는 성막 레이트와 임피던스 값과의 사이에는 상관이 있음을 알 수 있다. 이 경우, 임피던스 값이 낮아짐에 따라, 역스퍼터 양이 증가하여 성막 레이트가 저하한다는 점이 확인되었다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 가스 도입 수단(7, 7a)에 의해 스퍼터 가스를 도입하고, 웨이퍼(W)에 바이어스 전력을 투입하지 않고, 타겟(2)에만 전력 투입하여 스퍼터에 의한 성막을 행할 때(성막 중임을 포함한다), 임피던스가 소정 값으로 유지되도록, 제어 수단(9)에 의해 매스 플로우 제어기(7a)를 통해 가스 도입량을 제어하고, 진공 챔버 내의 압력(스퍼터 가스의 분압)을 제어하는 것으로 하였다. 이하, 본 실시 형태의 스퍼터에 의한 성막에 대해 설명한다.
즉, 진공 분위기의 진공 챔버(1)의 기판 보호지지 수단(EC)에, 성막해야 할 웨이퍼(W)를 반송하고, 위치 결정한 상태에서 장착한다. 그리고, 두 전극(63a, 63b) 사이에, 직류 전원(64a)을 통해 직류 전압을 인가함으로써 발생하는 정전기력으로 웨이퍼(W)를 척 플레이트(62)의 표면에서 흡착한다. 이 상태에서, 교류 전원(64b)으로부터 정전 척의 정전 용량을 통과하는 교류 전류를 흐르게 하고, 이때의 전류계(A)로 측정된 교류 전류 값이 제어 수단(9)에 출력되고, 제어 수단(9)으로 임피던스 값이 취득된다. 그리고, 제어 수단(9)에 미리 기억된, 웨이퍼(W)가 척 플레이트(62) 표면에 대략 평행한 상태가 될 때의 설정 임피던스 값과 비교하여, 취득된 임피던스 값이 소정의 범위 내에 존재하도록 직류 전원(64a)으로부터의 흡착 전압이 설정된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)가 척 플레이트(62) 표면에 대략 평행한 상태로 보호지지된다.
다음으로, 가스 도입 수단(7, 7a)에 의해 스퍼터 가스를 도입하고, 웨이퍼(W)에 바이어스 전력을 투입하지 않고, 타겟(2)에만 전력 투입한다. 이때, 전류계(A)를 통해 임피던스 값이 계속해서 취득된다. 여기서, 제어 수단(9)에는, 타겟(2)으로의 투입 전압이 일정한 상태에서의 임피던스 값과 스퍼터 가스 도입량과의 관계가 기억되고, 취득한 임피던스 값이 소정의 범위를 넘고 있으면, 매스 플로우 제어기(7a)를 제어하여 가스 유량을 변경한다. 즉, 예를 들어, 취득한 임피던스가 소정의 범위를 넘어 작아지고 있는 것과 같은 경우에는, 웨이퍼(W)의 전위가 낮고(마이너스 측으로 더욱 시프트하고 있다), 역스퍼터 양이 많아진다고 판단하고, 이러한 경우에는, 가스 도입량을 많게 하여 역스퍼터 양을 저감한다.
이것에 의해, 이 역스퍼터 양을 일정하게 유지함으로써 각 웨이퍼(W) 사이에서 막 두께나, 경우에 따라서는 막 품질의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다. 이 경우, 임피던스 값를 일정하게 유지함으로써 기판이 대략 수평으로 흡착되어, 타겟(2)으로부터의 스퍼터 입자가 웨이퍼(W) 전면에 걸쳐 대략 균등하게 도달하기 때문에, 각 웨이퍼(W) 표면에서의 박막의 막 두께 분포의 면내 균일성도 좋고, 기판 서로 간에 있어서의 막 두께 분포의 면내 균일성의 변동도 작게 할 수 있다.
다른 한편으로, 스퍼터에 의한 성막 시에, 웨이퍼(W)에, 전원(E3)을 통해 고주파 전력을 투입하는 경우, 제어 수단(9)에는, 미리 임피던스 값과 바이어스 전압과의 관계가 기억되고, 취득한 임피던스 값이 소정의 범위를 넘고 있으면, 제어 수단(9)은 우선적으로 바이어스 전력을 제어한다. 즉, 임피던스 값이 낮아지고 있으면, 역스퍼터 양이 증가하여 성막 레이트가 저하하기 때문에, 그것에 따라 바이어스 전압을 낮게 한다. 이것에 의해, 상기와 마찬가지로 각 기판 사이에서 막 두께나, 경우에 따라서는 막 품질의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태의 스퍼터 장치(M)에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상기로 한정되는 것은 아니다. 소위 정전 척인 기판 보호지지 수단으로 기판을 보호지지하면서, 스퍼터에 의한 성막을 행하는 것이면, 스퍼터 장치의 형태는 관계없다. 또한, 상기 실시 형태에서는, 임피던스 값으로부터 진공 챔버 내의 압력을 제어하기 위하여, 가스 도입량을 변화시키는 것을 예로 설명하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 진공 배기 장치(8)로 통하는 배기관(8a)에 컨덕턴스 밸브를 설치하고, 이 컨덕턴스 밸브를 제어하여 진공 챔버 내의 압력을 제어할 수도 있다.
또한, 본 발명에서, 가스 도입량(성막 시의 진공 챔버 내에 압력)의 증감에 따라 변화하는 기판 전위와 임피던스 값과의 사이의 상관이나 바이어스 전력의 증감에 따라 변화하는 성막 레이트와 임피던스 값과의 사이의 상관을, 에칭 장치에 이용하여 에칭 레이트를 제어하는 것에 응용할 수 있다.
M : 스퍼터링 장치 1 : 진공 챔버
2 : 타겟 7, 7a : 가스 도입 수단
8 : 진공 배기 장치 EC : 기판 보호지지 장치(정전 척)
61 : 척 본체 62 : 척 플레이트
62a : 리브부 62b : 내부 공간
62c : 지지부 63a, 63b : (양극 및 음극의) 전극
C : 제어 수단 E1 ~ E3 : 전원
64 : 척을 위한 전원 회로
64a : 직류 전원 64b : 교류 전원
A : 전류계 W : 웨이퍼(기판)

Claims (3)

  1. 타겟이 배치되는 진공 챔버와, 이 타겟으로 전력 투입하는 전원과, 진공 챔버 내에 소정의 스퍼터 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 진공 챔버 내부를 진공 배기하는 배기 수단과, 진공 챔버 내에서 처리해야 할 기판을 보호지지하는 기판 보호지지 수단을 구비하고, 기판 보호지지 수단이, 양극 및 음극의 전극을 가지는 척 본체와, 기판의 바깥 둘레부가 면접촉 가능한 리브부 및 상기 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 소정의 간격을 두어서 세워 설치된 복수 개의 지지부를 가지는 유전체인 척 플레이트와, 두 전극 사이에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 척 플레이트의 정전 용량을 통과하는 교류 전류를 흐르게 하는 교류 전원 및 그때의 교류 전류를 측정하는 측정 수단을 가지고, 가스 도입 수단에 의해 진공 챔버 내에 소정의 가스를 도입하고, 타겟으로 전력 투입하여 이 타겟을 스퍼터링 하고, 기판 표면에 소정의 박막을 형성할 때, 측정 수단에 의해 측정한 교류 전류 값이 소정 값으로 유지되도록, 진공 챔버 내의 압력을 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 수단은 가스 도입 수단에 의한 가스 도입량 또는 배기 수단의 배기 속도를 증감시켜서 진공 챔버 내의 압력을 제어하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 상기 기판 보호지지 수단으로 보호지지된 기판에 대하여 바이어스 전력을 투입하는 전원을 더 구비하고, 가스 도입 수단에 의해 진공 챔버 내에 소정의 가스를 도입하고, 타겟으로 전력을 투입하여 이 타겟을 스퍼터링 하고, 기판에 바이어스 전압을 투입하면서 기판 표면에 소정의 박막을 형성할 때, 측정 수단에 의해 측정한 교류 전류 값이 소정 값으로 유지되도록, 상기 제어 수단은 바이어스 전력을 우선적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
KR1020127028826A 2010-04-02 2011-03-16 스퍼터링 장치 KR101438129B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-086063 2010-04-02
JP2010086063 2010-04-02
PCT/JP2011/001554 WO2011125292A1 (ja) 2010-04-02 2011-03-16 スパッタリング装置及びスパッタリング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120137426A true KR20120137426A (ko) 2012-12-20
KR101438129B1 KR101438129B1 (ko) 2014-09-05

Family

ID=44762263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127028826A KR101438129B1 (ko) 2010-04-02 2011-03-16 스퍼터링 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9209001B2 (ko)
JP (1) JP5461690B2 (ko)
KR (1) KR101438129B1 (ko)
CN (1) CN102822380B (ko)
SG (1) SG183904A1 (ko)
TW (1) TWI564412B (ko)
WO (1) WO2011125292A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150061464A (ko) * 2013-11-27 2015-06-04 (주)이루자 정전 척을 구비하는 스퍼터링 장치
KR20170061230A (ko) * 2015-11-25 2017-06-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
KR20210062073A (ko) * 2018-09-27 2021-05-28 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터링 장치용 자석 유닛

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103966557B (zh) * 2013-02-05 2016-08-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备
US11094515B2 (en) * 2016-12-19 2021-08-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sputtering apparatus and sputtering method
CN111065864B (zh) * 2017-09-28 2021-06-15 日产自动车株式会社 排水软管及排水软管的连接方法
CN112335031B (zh) 2018-06-28 2024-05-03 日本爱发科泰克能株式会社 静电卡盘用供电装置及基板管理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2695436B2 (ja) * 1988-06-24 1997-12-24 富士通株式会社 静電チャックの劣化検出回路
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
JPH07130827A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Hitachi Ltd ウエーハ静電吸着装置
US5576629A (en) * 1994-10-24 1996-11-19 Fourth State Technology, Inc. Plasma monitoring and control method and system
US5812361A (en) 1996-03-29 1998-09-22 Lam Research Corporation Dynamic feedback electrostatic wafer chuck
US6291999B1 (en) * 1997-09-30 2001-09-18 Daihen Corp. Plasma monitoring apparatus
US6478924B1 (en) * 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
JP4703828B2 (ja) * 2000-09-07 2011-06-15 株式会社アルバック スパッタリング装置及び薄膜製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150061464A (ko) * 2013-11-27 2015-06-04 (주)이루자 정전 척을 구비하는 스퍼터링 장치
KR20170061230A (ko) * 2015-11-25 2017-06-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
KR20210062073A (ko) * 2018-09-27 2021-05-28 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터링 장치용 자석 유닛

Also Published As

Publication number Publication date
US20130001075A1 (en) 2013-01-03
JPWO2011125292A1 (ja) 2013-07-08
JP5461690B2 (ja) 2014-04-02
KR101438129B1 (ko) 2014-09-05
CN102822380A (zh) 2012-12-12
WO2011125292A1 (ja) 2011-10-13
CN102822380B (zh) 2014-08-13
TW201213574A (en) 2012-04-01
TWI564412B (zh) 2017-01-01
SG183904A1 (en) 2012-10-30
US9209001B2 (en) 2015-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101676903B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 금속의 산화막을 세정하는 방법
KR101438129B1 (ko) 스퍼터링 장치
JP3846970B2 (ja) イオン化スパッタリング装置
US7895970B2 (en) Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component
US8431035B2 (en) Plasma processing apparatus and method
US20070215279A1 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component
KR101839414B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법
US20080236492A1 (en) Plasma processing apparatus
US20090206058A1 (en) Plasma processing apparatus and method, and storage medium
US11515125B2 (en) Upper electrode and plasma processing apparatus
KR101926677B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
US20100078129A1 (en) Mounting table for plasma processing apparatus
JPWO2008041702A1 (ja) プラズマドーピング方法及び装置
KR100284248B1 (ko) 스퍼터링장치
JP2018502224A (ja) Ｐｖｄ誘電体堆積ための装置
US20140346037A1 (en) Sputter device
JP2014148703A (ja) スパッタリング装置
US9960018B2 (en) RF sputtering apparatus and sputtering method
KR102526529B1 (ko) 스퍼터링 장치
Felmetsger et al. Design, operation mode, and stress control capability of S-Gun magnetron for ac reactive sputtering
JP6298293B2 (ja) 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置
JP2014070275A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
WO2010119947A1 (ja) プラズマ処理装置
JP2018127711A (ja) スパッタリング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170619

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180629

Year of fee payment: 5