KR20120135739A - 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법 - Google Patents

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KR20120135739A KR1020110054628A KR20110054628A KR20120135739A KR 20120135739 A KR20120135739 A KR 20120135739A KR 1020110054628 A KR1020110054628 A KR 1020110054628A KR 20110054628 A KR20110054628 A KR 20110054628A KR 20120135739 A KR20120135739 A KR 20120135739A
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신동근
손창현
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 원료를 수용하는 도가니를 포함하고, 상기 원료가 일방향으로 연장되는 형상을 가진다.

Description

잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법{APPARATUS FOR FABRICATING INGOT AND METHOD FOR FABRICATING INGOT}
본 기재는 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.
SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히, SiC 단결정 성장 기술이 현실적으로 가장 안정적으로 확보되어, 기판으로서 산업적 생산 기술이 가장 앞서있다.
SiC의 경우, 종자정을 사용하여 승화재결정법에 의해 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법이 제시되어 있다. 원료가 되는 탄화규소 분말을 도가니 내에 수납하고 그 상부에 종자정이 되는 탄화규소 단결정을 배치한다. 상기 원료와 종자정 사이에 온도구배를 형성함으로써 도가니 내의 원료가 종자정 측으로 확산되고 재결정화되어 단결정이 성장된다.
이러한 SiC 단결정 성장 시, 일반적으로 SiC 분말을 원료로 사용한다. 상기 SiC 분말을 원료로 사용할 때, 상기 SiC 분말을 합성하는데 있어서 많은 시간이 소요된다는 문제가 있다. 또한, SiC 분말을 단결정 성장 도가니 내로 충전할 때, 불순물이 유입되어 단결정의 품질에 영향을 미칠 수 있다는 문제가 있다.
실시예는 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있다.
실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 원료를 수용하는 도가니를 포함하고, 상기 원료가 일방향으로 연장되는 형상을 가진다.
실시예에 따른 잉곳 제조 방법은, 규소 및 탄소를 포함하는 화합물을 준비하는 단계; 상기 화합물을 실리콘카바이드 섬유로 전환하는 단계; 및 상기 실리콘카바이드 섬유를 단결정으로 성장하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법에서는, 단결정 성장 원료로써, 규소 및 탄소를 포함하는 폴리머가 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 원료는 폴리카보실란일 수 있다. 종래의 Si 및 C 원재료로부터 SiC 분말을 제조하고 제조된 SiC 분말을 성장원료로 사용하는 대신, 상기 폴리카보실란을 원재료로 이용함으로써, 공정 시간을 단축하고 공정을 단순화할 수 있다. 이는, 종래의 SiC 분말을 제조하기 위한 합성 공정을 생략할 수 있기 때문이다. 즉, 상기 폴리카보실란을 원재료로 이용함으로써, SiC 원료의 합성과 성장을 동시에 진행할 수 있다.
또한, 상기 SiC 분말을 합성한 후, 상기 도가니에 상기 SiC 분말을 충전할 때, 원재료가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 단결정으로의 불순물 혼입을 막을 수 있고, 고품질의 단결정을 성장할 수 있다.
실시예는 상기 원료사이에 빈공간을 포함하고, 상기 빈공간을 통해, 상기 원료내부에 균일한 열분포를 형성할 수 있다. 또한, 소결에 의한 원료간의 심각한 뭉침현상을 방지하여 효과적인 원료의 승화 및 공급 루트를 제공할 수 있다. 이를 통해, 동일한 온도에서 원료 승화율이 높아지므로 보다 낮은 온도에서 효율적으로 단결정 성장이 가능하다.
또한, 상기 폴리카보실란이 섬유상이기 때문에 분말 사용시 발생할 수 있는 분진 문제를 미연에 방지할 수 있다. 그리고, 잔류 탄소의 비산문제를 방지할 수 있고, 반응 원료의 충진도를 완화하여 보다 원활하고 균일한 반응을 유도할 수 있다.
이어서, 상기 섬유상의 폴리카보실란을 원료로 사용함으로써, 원료의 완전 소진을 유도할 수 있다. 이로써, 공정 시, 투입원료 대비 생성되는 단결정의 정량화가 가능하다. 또한, 단결정 생산 후, 원료를 전량 소진할 수 있어 도가니 내 원료의 회수 및 재사용의 번거로움을 방지할 수 있다.
또한, 상기 폴리카보실란이 섬유상이기 때문에, 상기 섬유상의 끝단으로부터 단결정 성장을 위한 탄화규소 승화 반응이 보다 효과적으로 일어날 수 있다. 이로 인해, 단결정 성장 속도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 원료의 사시도이다.
도 3은 폴리카보실란의 분자구조이다.
도 4는 실시예에 따른 잉곳 제조 방법의 공정 흐름도이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 잉곳 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다. 도 2는 실시예에 따른 원료의 사시도이다. 도 3은 폴리카보실란의 분자구조이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 도가니(100), 원료(130), 상부 덮개(140), 종자정 홀더(160), 포커싱 튜브(180), 단열재(200), 석영관(400) 및 발열 유도부(500)를 포함한다.
상기 도가니(100)는 원료(130)를 수용할 수 있다.
상기 도가니(100)는 상기 원료(130)를 수용할 수 있도록 원통형의 형상을 가질 수 있다.
상기 도가니(100)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
일례로, 상기 도가니(100)는 흑연으로 제작될 수 있다.
또한, 도가니(100)는 흑연에 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 상기 물질은, 탄화규소 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물 또는 금속 질화물을 이용할 수 있다. 특히, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 탄소를 포함하는 탄화물이 도포될 수 있다. 또한, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 질소를 포함하는 질화물이 도포될 수 있다.
상기 원료(130)는 일방향으로 연장되는 형상을 가진다.
상기 원료(130)는, 기둥 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 원료(130)는, 원기둥 형상을 가질 수 있다. 상기 원료(130)는 섬유상일 수 있다.
상기 원료(130)는, 직경(D)에 비해 길이(L)가 더 긴 형상일 수 있다. 즉, 상기 원료(130)의 종횡비(aspect ratio)는 무한히 클 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 원료(130)는 다양한 종횡비를 가질 수 있다.
상기 원료(130)의 직경(D)은 0.1 um 내지 500 um 일 수 있다. 구체적으로, 상기 원료(130)의 직경(D)은 5 um 내지 30 um 일 수 있다.
상기 원료(130)는 상기 도가니(100) 내에 다수개 포함될 수 있다. 상기 원료(130)들이 상기 도가니(100)에 충진될 때, 상기 원료(130)사이에 빈공간(미도시, 이하 동일)을 포함할 수 있다. 상기 빈공간을 통해, 상기 원료(130) 내부에 균일한 열분포를 형성할 수 있다. 또한, 소결에 의한 원료간의 심각한 뭉침현상을 방지하여 효과적인 원료의 승화 및 공급 루트를 제공할 수 있다. 이를 통해, 동일한 온도에서 원료 승화율이 높아지므로 보다 낮은 온도에서 효율적으로 단결정 성장이 가능하다.
구체적으로, 상기 원료(130)는 상기 도가니(100) 내에서 10 % 내지 90 % 의 충진율을 가질 수 있다. 더 구체적으로, 상기 원료(130)는 상기 도가니(100) 내에서 70 % 의 충진율을 가질 수 있다.
상기 원료(130)의 충진율 및 크기는 실리콘카바이드 승화 속도에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 원하는 단결정의 성장 속도에 따라 상기 원료(130)의 충진율 및 크기를 제어 할 수 있다.
상기 원료(130)는 규소 및 탄소를 포함할 수 있다. 구체적으로는, 상기 원료(130)는 규소, 탄소, 산소 및 수소를 포함하는 화합물일 수 있다. 더 구체적으로는, 상기 원료(130)는 규소 및 탄소를 포함하는 폴리머일 수 있다. 일례로, 상기 원료(130)는 폴리카보실란(polycarbosilane)일 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 폴리카보실란은 폴리실란의 한 종류로, 규소와 탄소원자가 주쇄구조로 이루어진 폴리머이다. 상기 폴리카보실란은 실리콘카바이드 섬유와 같은 미세한 직경의 초고온용 고강도 섬유의 원료로 사용되는 프리 세라믹 원료이다. 상기 폴리카보실란은 고분자로서 다양한 형태로 쉽게 가공이 가능하므로 섬유상, 필름상, 다공체, 코팅등 다양한 응용이 가능한 장점이 있다. 본 실시예에 따른 잉곳 제조 장치에서 원료(130)로 쓰이는 폴리카보실란은 섬유상이다.
상기 폴리카보실란을 고온에서 수시간 유지하면 실리콘카바이드 섬유로 전환된다. 전환된 상기 실리콘카바이드 섬유를 단결정 성장온도까지 승온하면, 상기 실리콘카바이드 섬유로부터 SiC2, Si2C 및 Si 이 형성된다.
상기 SiC2, Si2C 및 Si이 승화하여, 상기 종자정(190)으로 이동하여 단결정을 성장시킬 수 있다.
상기 폴리카보실란이 섬유상이기 때문에 분말 사용시 발생할 수 있는 분진 문제를 미연에 방지할 수 있다. 그리고, 잔류 탄소의 비산문제를 방지할 수 있고, 반응 원료의 충진도를 완화하여 보다 원활하고 균일한 반응을 유도할 수 있다.
이어서, 상기 섬유상의 폴리카보실란을 원료(130)로 사용함으로써, 원료의 완전 소진을 유도할 수 있다. 이로써, 공정 시, 투입원료 대비 생성되는 단결정의 정량화가 가능하다. 또한, 단결정 생산 후, 원료를 전량 소진할 수 있어 도가니 내 원료의 회수 및 재사용의 번거로움을 방지할 수 있다.
또한, 상기 폴리카보실란이 섬유상이기 때문에, 상기 섬유상의 끝단으로부터 단결정 성장을 위한 탄화규소 기화 반응이 보다 효과적으로 일어날 수 있다. 이로 인해, 단결정 성장 속도를 향상시킬 수 있다.
이어서, 상기 도가니(100)의 상부에 상부 덮개(140)가 위치할 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 상기 도가니(100)를 밀폐시킬 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 흑연을 포함할 수 있다.
상기 상부 덮개(140)의 하단부에 종자정 홀더(160)가 위치한다. 상기 종자정 홀더(160)는 종자정(170)을 고정시킬 수 있다. 상기 종자정 홀더(160)는 고밀도의 흑연을 포함할 수 있다.
상기 종자정(170)은 상기 종자정 홀더(160)에 부착된다. 상기 종자정(170)이 상기 종자정 홀더(160)에 부착됨으로써, 성장된 단결정이 상기 상부 덮개(140)에까지 성장되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 종자정(170)은 상기 상부 덮개(140)에 직접 부착될 수 있다.
상기 포커싱 튜브(180)는 상기 도가니(100) 내부에 위치한다. 상기 포커싱 튜브(180)는 단결정이 성장하는 부분에 위치할 수 있다. 상기 포커싱 튜브(180)는 승화된 탄화규소 가스의 이동통로를 좁게 하여 승화된 탄화규소의 확산을 상기 종자정(170)으로 집속시킬 수 있다. 이를 통해 단결정의 성장률을 높일 수 있다.
이어서, 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)를 둘러싼다. 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 상기 단열재(200)는 탄화규소의 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에, 흑연 펠트를 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 단열재(200)는 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 사용할 수 있다. 또한, 상기 단열재(200)는 복수의 층으로 형성되어 상기 도가니(100)를 둘러쌀 수 있다.
이어서, 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 위치한다. 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 끼워진다. 상기 석영관(400)은 상기 발열 유도부(500)에서 단결정 성장장치의 내부로 전달되는 열을 차단할 수 있다. 상기 석영관(400)은 내부가 빈 중공형의 관일 수 있다. 상기 석영관(400)의 내부 공간에 냉각수가 순환될 수 있다.
상기 발열 유도부(500)는 상기 도가니(100)의 외부에 위치한다. 상기 발열 유도부(500)는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100) 및 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 상기 원료(130)를 원하는 온도로 가열할 수 있다.
상기 발열 유도부(500)에서 유도 가열되는 중심 영역이 상기 도가니(100)의 중심부보다 낮은 위치에 형성된다. 따라서, 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 즉, 발열 유도부(500)의 중심부인 핫존(hot zone, HZ)이 상기 도가니(100)의 중심에서 상대적으로 낮은 위치에 형성되어, 핫존(HZ)을 경계로 상기 도가니(100)의 하부의 온도가 상기 도가니(100) 상부의 온도보다 높게 형성된다. 또한, 상기 도가니(100)의 내부 중심부에서 외곽 방향을 따라 온도가 높게 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 탄화규소 원료(130)의 승화가 일어나고, 승화된 탄화규소 가스가 상대적으로 온도가 낮은 종자정(170)의 표면으로 이동한다. 이로 인해, 상기 탄화규소 가스가 재결정되어 단결정으로 성장된다.
이하, 도 4 내지 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 잉곳 제조 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 내용과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명한다.
도 4는 실시예에 따른 잉곳 제조 방법의 공정 흐름도이다. 도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 잉곳 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
실시예에 따른 잉곳 제조 방법은 준비하는 단계(ST100), 전환하는 단계(ST200) 및 성장하는 단계(ST300)을 포함한다.
도 5를 참조하면, 상기 준비하는 단계(ST100)에서는 규소 및 탄소를 포함하는 화합물(130)을 준비할 수 있다. 상기 화합물(130)을 일례로, 섬유상의 폴리카보실란일 수 있다. 상기 섬유상의 폴리카보실란은 공지의 방법인 멜트스피닝법, 멜트블론법 및 전기방사법 중 어느 하나의 방법으로 제조될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 섬유상의 폴리카보실란은 다양한 방법에 의해 제조될 수 있다.
상기 섬유상의 폴리카보실란을 도가니(100)에 쌓아 넣은 후, 공지의 방법을 이용하여 안정화 공정을 실시할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 전환하는 단계(ST200)에서는, 상기 폴리카보실란 섬유를 실리콘카바이드 섬유(132)로 전환할 수 있다. 상기 전환하는 단계(ST200)는, 상기 폴리카보실란을 불활성 분위기 또는 진공상태에서 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 열처리 단계는 800 ℃ 의 온도 및 진공, 수소, 아르곤 가스 분위기에서 진행될 수 있다. 상기 폴리카보실란을 상기 온도에서 수시간 유지하면, 상기 폴리카보실란이 열분해를 통해 유무기 전환이 일어난다. 이후, 상기 폴리카보실란이 실리콘카바이드 섬유(132)로 전환된다. 본 실시예를 통해 전환된 실리콘 카바이드 섬유들(132)은 수직 방향으로 차곡차곡 쌓여 있고, 섬유간의 부분적 결합을 통해 하나의 구조체를 이룰 수 있다.
이후, 1400 ℃까지 승온하거나 유지하여 필요한 원소를 도핑할 수 있다. 일례로, N도핑 단결정이 요구되는 경우, 상기 승온 중, 1200 ℃ 내지 1400 ℃ 의 범위에서 질소분위기 처리를 할 수 있다. P 도핑 단결정이 요구되는 경우에는, 상기 준비하는 단계(ST100)에서, 알루미늄이 도핑된 폴리카보실란 섬유를 준비할 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 상기 성장하는 단계(ST300)에서는 상기 실리콘카바이드 섬유의 표면에서 승화가 일어날 수 있다. 즉, 상기 실리콘카바이드 섬유를 단결정 성장온도까지 승온하면, 상기 실리콘카바이드 섬유로부터 SiC2, Si2C 및 Si 이 형성된다.
상기 SiC2, Si2C 및 Si이 승화하여, 종자정(170)으로 이동하여 단결정(190)을 성장시킬 수 있다.
상기 실리콘카바이드 섬유는 금원현상(graphization)이 진행되어, 상기 단결정(190)이 성장된 후, 포러스(porous)한 그라파이트 섬유상 구조체(134)로 남을 수 있다.
종래의 실리콘카바이드 분말 대신, 상기 폴리카보실란을 원료로 이용함으로써, 공정 시간을 단축하고 공정을 단순화할 수 있다. 이는, 종래의 실리콘카바이드 분말을 제조하기 위한 합성 공정을 생략할 수 있기 때문이다. 즉, 상기 폴리카보실란을 원재료로 이용함으로써, 실리콘카바이드 원료의 합성과 성장을 동시에 진행할 수 있다.
또한, 상기 실리콘카바이드 분말을 합성한 후, 도가니에 상기 실리콘카바이드 분말을 충전할 때, 원재료가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 단결정으로의 불순물 혼입을 막을 수 있고, 고품질의 단결정을 성장할 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (15)

  1. 원료를 수용하는 도가니를 포함하고,
    상기 원료가 일방향으로 연장되는 형상을 가지는 잉곳 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 원료는 규소 및 탄소를 포함하는 화합물인 잉곳 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 원료는 규소 및 탄소를 포함하는 폴리머인 잉곳 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 원료는 폴리카보실란인 잉곳 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 형상은 기둥 형상인 잉곳 제조 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 형상은 섬유상인 잉곳 제조 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 연장되는 형상은 직경에 비해 길이가 더 긴 잉곳 제조 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 직경은 0.1 um 내지 500 um 인 잉곳 제조 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 원료사이에 빈공간을 포함하는 잉곳 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 원료는 상기 도가니 내에서 10 % 내지 90 % 의 충진율을 가지는 잉곳 제조 장치.
  11. 규소 및 탄소를 포함하는 화합물을 준비하는 단계;
    상기 화합물을 실리콘카바이드 섬유로 전환하는 단계; 및
    상기 실리콘카바이드 섬유를 단결정으로 성장하는 단계를 포함하는 잉곳 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화합물은 폴리카보실란을 포함하는 잉곳 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 전환하는 단계는,
    상기 화합물을 환원, 불활성 분위기 또는 진공상태에서 열처리하는 단계를 포함하는 잉곳 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 열처리 단계는 800 ℃ 의 온도 및 진공, 질소, 수소, 아르곤 가스 분위기에서 진행하는 잉곳 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 성장하는 단계는 상기 도가니를 승온하는 단계를 포함하는 잉곳 제조 방법.
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