KR20120133056A

KR20120133056A - 광반도체 기반 조명장치

Info

Publication number: KR20120133056A
Application number: KR1020110051543A
Authority: KR
Inventors: 송태훈
Original assignee: 주식회사 포스코엘이디
Priority date: 2011-05-30
Filing date: 2011-05-30
Publication date: 2012-12-10

Abstract

광반도체 기반 조명장치가 개시된다. 이 광반도체 기반 조명장치는, 소켓 베이스와, 상기 소켓 베이스에 결합된 투광성 엔벨롭과; 상기 투광성 엔벨롭 내에 위치하는 히트싱크와; 상기 히트싱크에 장착되는 광반도체 모듈과; 상기 히트싱크에 형성된 방열용 중공으로부터 상기 투광성 엔벨롭의 외부까지 이어진 방열 공기 통로를 포함한다.

Description

광반도체 기반 조명장치{OPTICAL SEMICONDUCTOR BASED LIGHTING APPARATUS}

본 발명은 광반도체 기반 조명장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 방열 성능이 향상된 벌브형 광반도체 기반 조명장치에 관한 것이다.

아직까지 조명용 광원으로 형광등과 백열등이 많이 이용되어 왔다. 백열등은, 소비전력이 높아 효율 및 경제성이 떨어지며, 이러한 이유로, 그 수요가 크게 감소되는 추세이다. 이러한 감소 추세는 미래에도 계속될 것으로 예측되고 있다. 반면, 형광등은 소비전력이 백열등 소비전력의 대략 1/3 정도로 효율이 높고 경제적이다. 하지만, 형광등은 높은 인가전압으로 인해 흑화 현상이 진행되어 수명이 짧다는 문제점을 갖는다. 또한, 형광등은, 아르곤 가스와 함께 유해 중금속 물질인 수은이 주입된 진공 유리관을 이용하므로, 환경 비친화적이라는 단점이 있다.

최근 들어서는 광원으로 광반도체 기반 광소자의 한 종류의 엘이디를 포함하는 조명장치, 즉, 엘이디 조명장치의 수요가 급격히 증가하고 있다. 엘이디 조명장치는 수명이 길고 저 전력 구동의 장점을 갖는다. 또한, 엘이디 조명장치는 수은과 같은 환경 유해물질을 이용하지 않으므로 환경 친화적이다.

다양한 종류 그리고 다양한 구조를 갖는 엘이디 조명장치가 개발되고 있으며, 그 중 하나로 백열등의 형태를 유사하게 포함하는 벌브형 엘이디 조명장치가 개발된 바 있다.

종래의 벌브형 엘이디 조명장치는 벌브 형태를 갖는 투광성 엔벨롭(envelop)과, 그 엔벨롭의 상단에 결합된 소켓 베이스와, 엔벨롭 내에서 소켓 베이스 부근에 수평으로 배치된 PCB(Printed Circuit Board)를 포함하며, PCB 상에는 복수의 엘이디가 실장되어 엔벨롭의 하부를 향해 광을 발한다. 종래 벌브형 엘이디 조명장치는, 엘이디의 직진성으로 인해, 복수의 엘이디로부터 나온 광이 엔벨롭의 하부를 통해서만 주로 방출되고 엔벨롭의 측면 및 후방으로는 광이 거의 방출되지 않는 배광 특성에 있어서의 단점이 있다.

또한, 종래의 벌브형 엘이디 조명장치는 히트싱크를 포함하되 그 히트싱크가 소켓 베이스 측에 설치되어 외부로 노출되어 있다. 이러한 벌브형 엘이디 조명장치는 외부로 노출된 히트싱크로 인해 안전성에 문제가 있고 외관도 나쁘다는 단점이 있다.

근래, 배광 특성을 좋게 하기 위해 엔벨롭 내에 엘이디들을 엔벨롭의 길이 방향을 따라 수직으로 배치하려는 시도가 있는데, 소켓 베이스 부근에서 외부로 노출된 히트싱크로는 엔벨롭 내부에서 소켓 베이스로부터 멀리 떨어져 있는 엘이디로부터의 열을 방출시키는 것이 어렵다.

벌브형 엘이디 조명장치에 있어서, 히트싱크를 엔벨롭 내부에 설치하는 것이 고려되었지만, 그 경우, 엔벨롭 내의 열을 외부로 빼내는데 어려움이 있다.

따라서, 본 발명이 해결하려는 과제는 엔벨롭 내부에 히트싱크를 배치하면서 히트싱크로 전달된 열을 엔벨롭 외부로 신속하게 방출시킬 있는 광반도체 기반 조명장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 일측면에 따른 광반도체 기반 조명장치는, 소켓 베이스와; 상기 소켓 베이스에 결합된 투광성 엔벨롭과; 상기 투광성 엔벨롭 내에 위치하는 히트싱크와; 상기 히트싱크에 장착되는 광반도체 모듈과; 상기 히트싱크에 형성된 방열용 중공으로부터 상기 투광성 엔벨롭의 외부까지 이어진 방열 공기 통로를 포함한다.

일 실시예에 따라, 상기 방열 공기 통로는, 상기 소켓 베이스에 형성되어 상기 방열용 중공의 일단과 통해 있는 제1 방열홀과, 상기 투광성 엔벨롭에 형성되어 상기 방열용 중공의 타단과 통해 있는 제2 방열홀을 포함한다. 상기 소켓 베이스는 상기 히트싱크가 직접 결합되는 서포트 컵을 포함하며, 상기 제1 방열홀은 상기 서포트 컵에 형성된다.

일 실시예에 따라, 상기 투광성 엔벨롭은 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버로 구성되며, 상기 제2 방열홀은 상기 한 쌍의 엔벨롭 커버의 상단에 형성된 오목부가 합쳐져 형성된다.

일 실시예에 따라, 상기 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버는 커버 연결부를 매개로 하여 결합되며, 상기 커버 연결부는 상단의 캡과 상기 캡으로부터 좌우 대칭되게 아래로 연장되어 상기 소켓 베이스의 일부와 연결되는 한 쌍의 레그를 포함한다.

일 실시예예 따라, 상기 캡은 상기 제2 방열홀의 적어도 일부를 시각적으로 가리도록 위치한다.

일 실시예에 따라, 상기 커버 연결부는, 상기 소켓 베이스를 통해 상기 히트싱크와 열적으로 연결되되, 상기 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버 사이의 틈을 통해 상기 투광성 엔벨롭 외부로 노출된다.

일 실시예에 따라, 상기 히트싱크의 둘레를 따라 복수의 광반도체 모듈이 일정 간격으로 설치된다. 상기 복수의 광반도체 모듈 각각은 기다란 PCB와 상기 PCB 상에 길이 방향으로 어레이되는 복수의 반도체 광소자를 포함한다. 상기 히트싱크는 상기 PCB가 장착되는 평평한 복수의 마운트면을 포함하며, 상기 복수의 마운트면은 상기 히트싱크의 둘레를 따라 일정 간격으로 배열되며, 상기 소켓 베이스로부터 전방을 향해 중심축선과 점진적으로 가까워지는 경사면을 포함한다. 여기에서, 용어 '반도체 광소자'는 발광다이오드 칩 등과 같은 광반도체를 포함 또는 이용하는 소자를 의미한다. 이때, 상기 반도체 광소자는 발광다이오드 칩을 내부에 포함하는 패키지 레벨의 엘이디인 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치는 상기 커버 연결부로부터 상기 투광성 엔벨롭 내부로 돌출 연장된 반사부를 더 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치는, 상기 투광성 엔벨롭의 내주 둘레를 따라 설치되어 상기 광반도체 모듈부터의 광을 전방과 후방으로 반사하는 환형 반사부를 더 포함한다. 여기에서, 용어 '환형 반사부'는 환형을 갖는 하나의 반사부재의 의미를 포함하는 것은 물론이고, 대략 환형을 갖도록 배열된 반사부재들의 조합의 의미를 포함한다.

상기 반사부의 표면에는 광 산란 패턴이 형성될 수 있다.

상기 투광성 엔벨롭은 형광 물질 또는 광 확산 물질을 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 광반도체 기반 조명장치는 히트싱크가 투광성 엔벨롭 내에 위치됨으로써 히트싱크 외부 노출로 인한 외관상의 문제점 그리고 안전상의 문제점을 제거한다. 또한, 본 발명에 따르면, 히트싱크가 투광성 엔벨롭 내에 위치함에도 불구하고, 히트싱크에 형성된 방열용 중공으로부터 투광성 엔벨롭 외부로 이어진 방열 공기 통로를 이용하여, 히트싱크의 열을 외부로 잘 빼낼 수 있다. 또한, 투광성 엔벨롭 내에 위치하는 반도체 광소자들을 상기 투광성 엔벨롭의 길이 방향으로 배치하는 것에 의해 배광 특성을 향상시킬 수 있다. 히트싱크가 투광성 엔벨롭 내에 수직으로 배치될 수 있어, 길이 방향으로 배열된 반도체 광소자들로부터 열을 외부로 방출하는데 있어서 유리하다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 벌브형 광반도체 기반 조명장치를 도시한 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 벌브형 광반도체 기반 조명장치를 도시한 분해사시도.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 광반도체 기반 조명장치를 도시한 종단면도.
도 4는 도 3에 도시된 광반도체 기반 조명장치의 일부 횡단면을 도시한 횡단면도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예예 따른 광반도체 기반 조명장치를 설명하기 위한 도면들.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들을 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 벌브형 광반도체 기반 조명장치(1)는, 소켓 베이스(10)와, 상기 소켓 베이스(10)에 결합된 벌브형의 투광성 엔벨롭(20)과, 상기 투광성 엔벨롭(20) 내에 위치하는 히트싱크(30)와, 상기 히트싱크(30)에 설치되는 복수의 광반도체 모듈(40)을 포함한다.

도 2 및 도 3에 잘 도시된 바와 같이, 상기 히트싱크(30)는 상기 소켓 베이스(10)에 수직으로 세워져 결합되고, 상기 복수의 광반도체 모듈(40)은 상기 히트싱크(30)의 둘레를 따라 일정 간격으로 배치된다. 또한, 상기 광반도체 기반 조명장치(1)는 상기 복수의 광반도체 모듈(40)로부터 상기 히트싱크(30)로 전달된 열을 상기 투광성 엔벨롭(20)의 외부로 효과적으로 빼내기 위한 방열 공기 통로를 포함한다.

상기 투광성 엔벨롭(20)은 좌우 한 쌍의 투광성 엔벨롭 커버(22, 24)를 포함한다. 본 실시예에 따른 벌브형 광반도체 기반 조명장치(1)는 커버 연결부(50)를 포함하며, 이 커버 연결부(50)를 매개로 상기 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버(22, 24)가 결합되어 하나의 투광성 엔벨롭(20)을 형성한다. 상기 커버 연결부(50)는 상단의 캡(52)과 상기 캡(52)의 좌우 양측으로부터 좌우 대칭되게 아래로 연장된 한 쌍의 레그(54, 54)를 포함한다. 상기 한 쌍의 레그(54, 54)는 이하 설명되는 소켓 베이스(10)의 서포트 컵(14)의 내부 바닥에 연결된다.

상기 소켓 베이스(10)는 소켓 베이스 본체(12)와 상기 소켓 베이스 본체(12) 상에 설치된 서포트 컵(14)을 포함한다. 상기 히트싱크(30)는 중공을 갖는 기둥 형태를 가지며, 상기 소켓 베이스(10)의 대략 중앙에 결합된 채 수직으로 연장되어 상기 투광성 엔벨롭(20)에 의해 둘러싸인다.

상기 히트싱크(30)는 금속과 같이 열전도성 좋은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 히트싱크(30)는, 도 4에 가장 잘 도시된 바와 같이, 광반도체 모듈(40)로부터 열을 전달받아 이를 신속하게 방출하도록 수직 길이 방향으로 방열용 중공(31)을 포함한다. 또한, 상기 히트싱크(30)는 평평한 복수의 마운트면(32)을 포함한다. 상기 복수의 마운트면(32)은 상기 히트싱크(30)의 둘레를 따라 일정 간격으로 형성되며 종방향을 따라 길게 형성된다. 본 실시예에 있어서는, 4개의 마운트면(32)이 등간격으로 형성되어 있다.

도 3에 잘 도시된 바와 같이, 상기 히트싱크(30)는 그것이 결합된 상기 소켓 베이스(10)의 서포트 컵(14)으로부터 전방을 향해 전진적으로 단면적이 작아지는 형태를 가지며, 이에 의해, 상기 히트싱크(30)의 마운트면(32)들은 전방을 향할수록 조명장치의 중심 축선을 향해 전진적으로 가까워지는 경사면들을 형성한다. 상기 마운트면(32)들이 위와 같은 경사면들로 형성됨으로써 그 위에 결합된 광반도체 모듈(40)들로부터 나온 광 중 전방으로 향하는 광의 양을 늘릴 수 있다.

상기 복수의 광반도체 모듈(40)은 상기 복수의 마운트면(32)에 각각 배치된다. 상기 복수의 광반도체 모듈(40)은, 상기 복수의 마운트면(32) 각각에 장착되어 상기 히트싱크(30)의 둘레를 따라 일정 간격으로 배치되는 기다란 복수의 PCB(42)와, 상기 복수의 PCB(42) 각각에 실장되어 상기 히트싱크(30)의 길이 방향으로 길게 어레이되는 반도체 광소자(44)들의 어레이를 포함한다. 또한, 상기 복수의 광반도체 모듈(40) 내의 모든 반도체 광소자(44)들은 상기 투광성 엔벨롭(20)을 향해 광을 발하도록 배치된다.

전술한 구조에 따르면, 상기 투광성 엔벨롭(20) 내부에 상기 투광성 엔벨롭(20)의 길이 방향을 따라 길게 배열된 복수의 반도체 광소자(44)들이 존재함과 동시에, 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내부에서 상기 투광성 엔벨롭(20)을 마주하도록 중심축선을 둘러싸도록 배열된 복수의 반도체 광소자(44)들이 존재한다.

도 1 및 도 3에 잘 도시된 바와 같이, 상기 소켓 베이스(10)의 서포트 컵(14)에는 제1 방열홀(61)이 형성되며, 상기 방열홀(61)은 일측으로는 외부와 통해 있고 타측으로는 상기 히트싱크(30)의 중공(31) 하단과 통해 있다. 또한, 상기 투광성 엔벨롭(50)의 상단에는 제2 방열홀(62)이 형성되며, 상기 제2 방열홀(62)은 일측으로는 외부로 통해 있고 타측으로는 상기 히트싱크(30)의 중공(31) 상단과 통해 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 제2 방열홀(62)은 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버(22, 24) 상단에 형성된 한 쌍의 반원형 오목부가 합쳐져 대략 원형으로 형성된다. 전술한 캡(52)은 상기 제2 방열홀(62)의 상부를 덮어 투광성 엔벨롭(50) 내부의 시각적 노출을 막는다, 이 경우에도, 상기 캡(52)과 상기 제2 방열홀(62) 사이에 틈이 존재하므로, 상기 투광성 엔벨롭(50) 내 상기 히트싱크(30)의 중공(31)은 상기 제2 방열홀(62)을 통해 외부와 통해 있게 된다.

반도체 광소자(44)들의 점등 동작시 상기 반도체 광소자(44)들로부터 발생한 열은 상기 히트싱크(30)로 전달된다. 이에 따라, 상기 히트싱크(30) 및 그 히트싱크(30)의 중공(31) 내 온도는 상승한다. 대류에 의해, 상기 히트싱크(30)의 중공(31) 내에서 뜨거워진 공기는 상기 중공(31) 및 상기 제1 방열홀(61) 및/또는 상기 제2 방열홀(62)을 통해 외부로 빠져나간다. 외부의 차가운 공기가 상기 제1 방열홀(61) 및/또는 상기 제2 방열홀(62)을 통해 상기 중공(31) 내로 들어가 상기 히트싱크(30)를 식힌다. 위와 같이, 상기 제1 방열홀(61), 상기 중공(31) 및 상기 제2 방열홀(61)이 방열 공기 통로를 형성한다.

도 1 및 도 2에 잘 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 벌브형 광반도체 기반 조명장치(1)는, 방열 공기 통로를 통한 공기 순환을 이용한 방열 촉진 구조에 더하여, 전술한 커버 연결부(50)를 부가적인 방열 촉진 구조로 이용한다. 상기 커버 연결부(50)는 적어도 일부가 열전도성이 좋은 재료, 예를 들면, 금속 재료로 만들어지는 한편, 상기 소켓 베이스(10)의 서포트 컵(14)을 통해 상기 히트싱크(30)와 열적으로 연결된 채 외부로 노출되도록 배치된다.

따라서, 상기 커버 연결부(50)는 상기 히트싱크(30)로부터 절단된 열을 외부로 더 빨리 내보낼 수 있다. 더 구체적으로, 상기 커버 연결부(50) 중 한 쌍의 레그(54, 54)는, 한 쌍의 커버 연결부(22, 24) 사이에서 외부로 노출됨과 동시에, 상기 히트싱크(30)와 접촉하고 있는 서포트 컵(14)과 직접적으로 연결되므로, 히트싱크(30)의 열을 더 빠르게 외부로 방출시킬 수 있다.

상기 커버 연결부(50)는 방열을 촉진하는 용도 외에 배광 특성을 변화시키는 용도로도 이용될 수 있다. 앞에서 설명한 바와 같이, 상기 커버 연결부(50)는 금속과 같이 반사성이 큰 재료로 이루어질 수 있지만 있지만, 투광성이 큰 재료로 이루어질 수도 있다. 또한, 상기 커버 연결부(50)는 플라스틱 재료로도 만들어질 수도 있다.

상기 커버 연결부(50)의 설치 영역 부근이 어두워지는 현상을 억제 또는 감소시키기 위해 다양한 방식이 고려될 수 있다. 한 예로, 상기 투광성 엔벨롭(20) 및/또는 상기 커버 연결부(50)에 코팅 방식 또는 시트 부착 방식으로 광 확산 재료를 적용하여, 광 확산 재료에 의해 산란된 광이 상기 커버 연결부(50)의 주변 영역을 커버하도록 할 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 벌브형 광반도체 기반 조명장치를 도시한 분해사시도이다. 도 5를 참조하면, 상기 광반도체 기반 조명장치(1)는 상기 투광성 엔벨롭(20)내측으로 돌출된 한 쌍의 반사부(56, 56)를 포함한다. 상기 한 쌍의 반사부(56, 56)는 상기 커버 연결부(50)의 한 쌍의 레그(54, 54)의 내측면으로부터 안쪽으로 핀(fin) 형태로 연장되어 있다. 따라서, 상기 한 쌍의 반사부(56, 56)는 상기 엔벨롭(20)의 내주면에 상기 엔벨롭(20)의 길이를 따라 형성되며, 좌우 대칭을 이룬다. 상기 반사부(56, 56)의 표면에는 요철 형태의 산란 패턴(562)이 형성될 수 있다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 벌브형 광반도체 기반 조명장치를 도시한 분해사시도이다. 도 6을 참조하면, 상기 광반도체 기반 조명장치(1)는 투광성 엔벨롭(20)의 내측으로 돌출된 환형 반사부(58)를 포함한다. 이 환형 반사부(58)는 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내주 둘레를 따라 형성된다. 본 실시예에 있어서, 상기 환형 반사부(58)는 상기 커버 연결부(50)에 연결된 채 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내측에 위치한다. 상기 환형 반사부(58)는 상면과 하면에서 반도체 광소자의 광을 반사하므로 상기 투광성 엔벨롭(20)의 전방은 물론이고 후방으로도 광을 내보낼 수 있다. 본 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치(1)는, 투광성 엔벨롭(20)의 후방으로도 상당량의 광이 분포되는 배광 특성을 가지므로, 엔벨롭(20)의 후방, 특히, 상기 광반도체 기반 조명장치 설치되는 천정 부근이 어두워지는 종래 벌브형 광반도체 기반 조명장치의 단점을 보완한다. 상기 환형 반사부(58)의 표면에도 광 산란 패턴이 형성될 수 있다. 더 나아가, 상기 환형 반사부(58)의 표면에 광 확산 재료가 적용될 수 있다.

10: 소켓 베이스 12: 소켓 베이스 본체
14: 서포트 컵 20: 투광성 엔벨롭
22, 24: 엔벨롭 커버 30: 히트싱크
31: 방열용 중공 32: 마운트면
40: 광반도체 모듈 42: PCB
44: 반도체 광소자 50: 커버 연결부
61: 제1 방열홀 62:: 제2 방열홀

Claims

소켓 베이스;
상기 소켓 베이스에 결합된 투광성 엔벨롭;
상기 투광성 엔벨롭 내에 위치하는 히트싱크;
상기 히트싱크에 장착되는 광반도체 모듈; 및
상기 히트싱크에 형성된 방열용 중공으로부터 상기 투광성 엔벨롭의 외부까지 이어진 방열 공기 통로를 포함하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 1에 있어서, 상기 방열 공기 통로는,
상기 소켓 베이스에 형성되어 상기 방열용 중공의 일단과 통해 있는 제1 방열홀과,
상기 투광성 엔벨롭에 형성되어 상기 방열용 중공의 타단과 통해 있는 제2 방열홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 2에 있어서, 상기 소켓 베이스는 상기 히트싱크가 직접 결합되는 서포트 컵을 포함하며, 상기 제1 방열홀은 상기 서포트 컵에 형성된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 2에 있어서, 상기 투광성 엔벨롭은 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버로 구성되며, 상기 제2 방열홀은 상기 한 쌍의 엔벨롭 커버의 상단에 형성된 오목부가 합쳐져 형성된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 4에 있어서,
상기 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버는 커버 연결부를 매개로 하여 결합되며,
상기 커버 연결부는 상단의 캡과 상기 캡으로부터 좌우 대칭되게 아래로 연장되어 상기 소켓 베이스의 일부와 연결되는 한 쌍의 레그를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 5에 있어서, 상기 캡은 상기 제2 방열홀의 적어도 일부를 시각적으로 가리도록 위치하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 5에 있어서, 상기 커버 연결부는, 상기 소켓 베이스를 통해 상기 히트싱크와 열적으로 연결되되, 상기 좌우 한 쌍의 엔벨롭 커버 사이의 틈을 통해 상기 투광성 엔벨롭 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 1 내지 청구항 7중 어느 한 항에 있어서,
상기 히트싱크의 둘레를 따라 복수의 광반도체 모듈이 일정 간격으로 설치된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 8에 있어서, 상기 복수의 광반도체 모듈 각각은 기다란 PCB와 상기 PCB 상에 길이 방향으로 어레이되는 복수의 반도체 광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 9에 있어서, 상기 히트싱크는 상기 PCB가 장착되는 평평한 복수의 마운트면을 포함하며, 상기 복수의 마운트면은 상기 히트싱크의 둘레를 따라 일정 간격으로 배열되며, 상기 소켓 베이스로부터 전방을 향해 중심축선과 점진적으로 가까워지는 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 5에 있어서, 상기 커버 연결부로부터 상기 투광성 엔벨롭 내부로 돌출 연장된 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 1에 있어서, 상기 투광성 엔벨롭의 내주 둘레를 따라 설치되어 상기 광반도체 모듈로부터의 광을 전방과 후방 중 적어도 한 방향으로 반사하는 환형 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 11 또는 청구항 12에 있어서, 상기 반사부의 표면에는 광 산란 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.
청구항 1에 있어서, 상기 투광성 엔벨롭은 형광 물질 또는 광 확산 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.