KR20120127686A - In-line Sputtering System - Google Patents

In-line Sputtering System Download PDF

Info

Publication number
KR20120127686A
KR20120127686A KR1020110045330A KR20110045330A KR20120127686A KR 20120127686 A KR20120127686 A KR 20120127686A KR 1020110045330 A KR1020110045330 A KR 1020110045330A KR 20110045330 A KR20110045330 A KR 20110045330A KR 20120127686 A KR20120127686 A KR 20120127686A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
sputtering source
sputtering
tray
Prior art date
Application number
KR1020110045330A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101277068B1 (en
Inventor
정홍기
김영민
이춘수
Original Assignee
주식회사 에스에프에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스에프에이 filed Critical 주식회사 에스에프에이
Priority to KR1020110045330A priority Critical patent/KR101277068B1/en
Publication of KR20120127686A publication Critical patent/KR20120127686A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101277068B1 publication Critical patent/KR101277068B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PURPOSE: An in-line sputtering system is provided to obtain uniform thickness of a thin film by arranging one or more sputtering source chambers including a cathode smaller than a substrate for continuous deposition on the substrate. CONSTITUTION: An in-line sputtering system comprises a load lock chamber(210) which implements switching between the atmospheric pressure and vacuum for loading and unloading a substrate and a process chamber(220) which is provided adjacent to the load lock chamber and comprises one or more sputtering source chambers(221) which include a cathode(221a) and has a width smaller than the length of a substrate being transferred.

Description

인라인 스퍼터링 시스템{In-line Sputtering System}In-line Sputtering System

본 발명은, 인라인 스퍼터링 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 프로세서 챔버 내부에 연속된 스퍼터링 소스 챔버를 마련하여 온도 및 막의 균일도를 향상시키고 히터 및 타겟 소스의 수량 감소로 원가절감이 가능한 인라인 스퍼터링 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an inline sputtering system, and more particularly, to provide a continuous sputtering source chamber inside a processor chamber to improve temperature and film uniformity and to reduce costs by reducing the number of heaters and target sources. It is about.

일반적으로 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 평판디스플레이나 반도체는 박막 증착(Thin film Deposition), 식각(Etching) 등의 다양한 공정을 거쳐 제품으로 출시된다.Generally, flat panel displays and semiconductors such as liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes (OLEDs) are manufactured through various processes such as thin film deposition and etching. Is released.

다양한 공정 중에서 특히 박막 증착 공정은, 박막 증착의 원리에 따라 크게 두 가지로 나뉜다. 하나는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)이고, 다른 하나는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)이다.Among the various processes, in particular, the thin film deposition process is classified into two types according to the principle of thin film deposition. One is Chemical Vapor Deposition (CVD) and the other is Physical Vapor Deposition (PVD).

화학적 기상 증착(CVD)은, 증착하고자 하는 박막 성분을 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 전구체 형태로 기판 상으로 이동시켜 화학 반응에 의하여 기판의 표면에 박막이 증착되도록 하는 방식이다.In chemical vapor deposition (CVD), a thin film component to be deposited is plasma-formed by an external high frequency power source and moved to a substrate in the form of a precursor having high energy so that the thin film is deposited on the surface of the substrate by a chemical reaction. That's the way it is.

이에 반해, 물리적 기상 증착(PVD)은, 진공상태에서 저항열이나 전자 빔, 레이저 빔, 또는 플라즈마를 이용하여 타겟(target)으로부터 튀어나오는 타겟 원자가 그대로 기판 상에 증착되도록 하는 방식이다.In contrast, physical vapor deposition (PVD) is a method in which a target atom protruding from a target is deposited on a substrate as it is by using a resistive heat, an electron beam, a laser beam, or a plasma in a vacuum state.

물리적 기상 증착 중 대표적인 방식인 스퍼터링(sputtering) 방식은, 진공 챔버 내에 아르곤(Ar)과 같은 불활성 기체를 넣고 캐소드(cathode)에 전압을 가하면 캐소드로부터 방출된 전자들이 아르곤 기체 원자와 충돌하여 아르곤을 이온화시키며, 이온화된 아르곤으로부터 에너지가 방출되고 이온과 전자가 공전하는 플라즈마(plasma) 상태가 되며, 이 상태에서 아르곤의 양이온(Ar+)이 캐소드 쪽으로 가속되어 타겟의 표면과 충돌하면서 중성의 타겟 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성시키는 방식이다.Sputtering, a typical method of physical vapor deposition, involves placing an inert gas such as argon (Ar) in a vacuum chamber and applying a voltage to the cathode, electrons emitted from the cathode collide with argon gas atoms to ionize argon. In this state, energy is released from ionized argon and a plasma state in which ions and electrons resonate. In this state, the cations (Ar +) of argon are accelerated toward the cathode and collide with the surface of the target, causing neutral target atoms to bounce off. It is a method of forming a thin film on the substrate.

물리적 기상 증착에는 이러한 스퍼터(Sputter) 방식 외에도 이-빔(E-Beam), 이베퍼레이션(Evaporation), 서멀 이베퍼레이션(Thermal Evaporation) 등의 방식이 있지만, 이하에서는 스퍼터링 방식의 스퍼터링 장치를 물리적 기상 증착 장치라 하기로 한다.Physical vapor deposition includes sputtering methods, but also e-beam, evaporation, thermal evaporation, and the like. This is called a vapor deposition apparatus.

도 1은 종래의 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a conventional sputtering system.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 스퍼터링 시스템(100)은, 대기에서 진공 챔버 내로 기판을 반출입시키는 로드락 챔버(110)와, 반입된 기판을 히팅시키는 히터(132)를 구비하는 히팅 챔버(120)와, 캐소드(131)가 마련되어 기판에 스퍼터링 공정을 수행하는 스퍼터링 챔버(130)와, 각각의 챔버 사이에 마련되어 각각의 챔버가 독립적으로 동작되도록 챔버 사이의 공간을 개폐하는 게이트 밸브(140)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a conventional sputtering system 100 includes a heating chamber having a load lock chamber 110 for carrying in and out of a substrate into a vacuum chamber and a heater 132 for heating the loaded substrate. 120, a sputtering chamber 130 provided with a cathode 131 to perform a sputtering process on the substrate, and a gate valve 140 provided between each chamber to open and close a space between the chambers so that each chamber is operated independently. It includes.

그러나, 이러한 종래의 스퍼터링 시스템(100)에 있어서는, 스퍼터링 챔버(130)에서의 스퍼터링 공정을 위해서 트레이(20)에 장착된 기판이 정지된 상태에서 스퍼터링 공정을 진행하여야 했으며, 따라서 캐소드(131)의 면적이 최소한 기판보다 큰 면적을 가져야 함에 따라 공정 온도 및 박막의 균일성을 확보하기가 어려워지고 캐소드(131)의 면적 증가로 공정 비용이 상승되는 문제점이 있었다.However, in this conventional sputtering system 100, the sputtering process has to be carried out with the substrate mounted on the tray 20 stopped for the sputtering process in the sputtering chamber 130, and thus As the area should have at least a larger area than the substrate, it is difficult to secure the process temperature and the uniformity of the thin film, and the process cost increases due to the increase in the area of the cathode 131.

본 발명의 실시예들은, 프로세스 챔버 내에 기판의 크기보다 작은 크기를 갖는 캐소드를 포함하는 적어도 하나의 스퍼터링 소스 챔버를 연속적으로 마련하여 기판에 연속적으로 증착 공정을 수행함으로써 박막의 균일성을 확보하고 택트 타임을 감소시키며 공정 설비 비용을 감소시킬 수 있는 인라인 스퍼터링 시스템을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention, by continuously providing at least one sputtering source chamber including a cathode having a size smaller than the size of the substrate in the process chamber to perform a continuous deposition process on the substrate to ensure uniformity of the thin film and tact An in-line sputtering system can be used to reduce time and reduce process equipment costs.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 로딩 및 언로딩하기 위하여 대기압과 진공 간의 전환을 수행하는 로드락 챔버; 및 상기 로드락 챔버에 인접하게 마련되며, 캐소드(cathod)를 포함하고 상기 기판의 진입방향 길이보다 작은 폭을 갖도록 구성되는 스퍼터링 소스 챔버가 적어도 하나 배치되는 프로세스 챔버를 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템이 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, a load lock chamber for performing a switch between atmospheric pressure and vacuum to load and unload a substrate; And a process chamber provided adjacent to the load lock chamber and including at least one sputtering source chamber configured to include a cathode and to have a width smaller than an entry length of the substrate. Can be.

상기 적어도 하나의 스프터링 소스 챔버에 의해 상기 기판이 이송되면서 증착 공정이 수행될 수 있다.The substrate may be transferred by the at least one sputtering source chamber, and a deposition process may be performed.

상기 기판은 지면과 교차되는 방향으로 트레이에 장착되어 이송되며, 상기 트레이는, 상기 기판이 이송되는 전후 방향의 가장자리에 마련되어 인접하는 트레이 사이의 공간을 차단시키는 차단부를 포함할 수 있다.The substrate may be mounted and transported in a tray in a direction crossing the ground, and the tray may include a blocking part provided at an edge in a front-rear direction in which the substrate is transported to block a space between adjacent trays.

상기 프로세스 챔버는, 상기 스퍼터링 소스 챔버가 연속적으로 접하여 마련되며, 상기 스퍼터링 소스 챔버 상호간 분리 결합될 수 있는 체결부가 마련될 수 있다.The process chamber may be provided with the sputtering source chamber in continuous contact with each other, and a fastening part capable of being separately coupled to the sputtering source chamber may be provided.

상기 체결부는 플랜지(flange)일 수 있다.The fastening part may be a flange.

상기 프로세스 챔버는, 상기 스퍼터링 소스 챔버의 전후에 접하여 마련되며, 상기 기판이 이송되는 속도를 조정하는 버퍼 챔버를 더 포함할 수 있다.The process chamber may further include a buffer chamber provided in contact with the front and rear of the sputtering source chamber and adjusting a speed at which the substrate is transferred.

상기 프로세스 챔버는, 상기 로드락 챔버와 접하여 마련되며, 상기 기판을 연속적으로 반입 및 반출시키는 인렛 챔버를 더 포함할 수 있다.The process chamber may be provided to be in contact with the load lock chamber and may further include an inlet chamber for continuously loading and unloading the substrate.

상기 인렛 챔버는, 상기 기판을 예열하는 예열 히터를 포함할 수 있다.The inlet chamber may include a preheating heater for preheating the substrate.

상기 프로세스 챔버는, 상기 스퍼터링 소스 챔버에 접하여 마련되며, 상기 기판의 이송 방향을 전환시키는 방향 전환 수단이 마련되는 방향전환 챔버를 더 포함할 수 있다.The process chamber may further include a redirection chamber provided in contact with the sputtering source chamber and provided with redirection means for reversing the transfer direction of the substrate.

상기 방향전환 챔버는 상기 기판을 가열하기 위한 가열 히터를 포함할 수 있다.The redirection chamber may include a heating heater for heating the substrate.

상기 스퍼터링 소스 챔버는, 상기 기판에 서로 상이한 박막을 형성시키는 복수개의 스퍼터링 소스 챔버일 수 있다.The sputtering source chamber may be a plurality of sputtering source chambers forming different thin films on the substrate.

상기 프로세스 챔버는, 상기 스퍼터링 소스 챔버가 복수개인 경우 상기 스퍼터링 소스 챔버 사이에 개재되어 상기 기판에 수행되는 증착 공정을 구분시키는 구별 챔버를 더 포함할 수 있다.The process chamber may further include a distinguishing chamber that separates a deposition process performed on the substrate by interposing the sputtering source chamber when there are a plurality of sputtering source chambers.

본 발명의 실시예들은, 프로세스 챔버 내에 기판의 크기보다 작은 크기를 갖는 캐소드를 포함하는 적어도 하나의 스퍼터링 소스 챔버를 연속적으로 마련하여 기판에 연속적으로 증착 공정을 수행함으로써 박막의 균일성을 확보하고 택트 타임을 감소시키며 공정 설비 비용을 감소시킬 수 있다.Embodiments of the present invention, by continuously providing at least one sputtering source chamber including a cathode having a size smaller than the size of the substrate in the process chamber to perform a continuous deposition process on the substrate to ensure uniformity of the thin film and tact It can reduce the time and reduce the process equipment cost.

도 1은 종래의 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 트레이가 연속되어 이송되는 것을 나타낸 확대 평면도이다.
도 4는 도 2의 인라인 스퍼터링 시스템에 구별 챔버가 포함된 경우의 인라인 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a conventional sputtering system.
2 is a schematic plan view of an inline sputtering system according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged plan view illustrating that the tray of FIG. 2 is continuously conveyed.
FIG. 4 is a schematic plan view of the inline sputtering system when the inline sputtering system of FIG. 2 includes a distinguishing chamber. FIG.
5 is a schematic plan view of an inline sputtering system according to another embodiment of the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도면 대비 설명에 앞서, 이하에서 설명될 기판이란 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 평면디스플레이 기판이거나 아니면 태양전지용 기판, 혹은 반도체 웨이퍼 기판일 수 있는데, 이하에서는 별도의 구분 없이 기판이라는 용어로 통일하도록 한다.Prior to the description of the drawings, the substrate to be described below may be a planar display substrate such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) and organic light emitting diodes (OLED), a solar cell substrate, or a semiconductor wafer substrate. However, hereinafter will be unified in the term substrate without any separate.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이고, 도 3은 도 2의 트레이가 연속되어 이송되는 것을 나타낸 확대 평면도이며, 도 4는 도 2의 인라인 스퍼터링 시스템에 구별 챔버가 포함된 경우의 인라인 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view of an inline sputtering system according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an enlarged plan view showing that the tray of FIG. 2 is continuously transported, and FIG. 4 is a distinct chamber in the inline sputtering system of FIG. Is a schematic plan view of the in-line sputtering system in the case where it is included.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템(200)은, 기판(미도시)을 로딩 및 언로딩하기 위하여 대기압과 진공 간의 전환을 수행하는 로드락 챔버(210, Load-lock Chamber)와, 로드락 챔버(210)에 접하여 마련되며, 캐소드(221a, cathod)를 포함하고 기판의 진입방향 길이보다 작은 폭을 갖는 복수개의 스퍼터링 소스 챔버(221, Sputtering Source Chamber)가 상호 접하여 배치되는 프로세스 챔버(220, Process Chamber)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the inline sputtering system 200 according to an embodiment of the present invention includes a load lock chamber 210 that performs a switch between atmospheric pressure and vacuum to load and unload a substrate (not shown). A load-lock chamber and a plurality of sputtering source chambers 221 provided in contact with the load lock chamber 210 and including a cathode 221a (cathod) and having a width smaller than the length in the entry direction of the substrate are provided. It includes a process chamber (220) disposed in contact with each other.

로드락 챔버(210)는, 기판을 대기에서 진공 챔버 내로 반출입하기 위하여 대기압과 진공 간에 전환을 수행한다. 로드락 챔버(210)와 프로세스 챔버(220) 사이에는 게이트 밸브(230)가 마련되어 로드락 챔버(210)와 프로세스 챔버(220) 사이에서의 기판의 이송을 수행하며, 로드락 챔버(210)와 프로세스 챔버(220)가 독립적으로 동작되도록 챔버 사이의 공간을 개폐한다.The load lock chamber 210 performs a transition between atmospheric pressure and vacuum to carry the substrate in and out of the vacuum chamber. A gate valve 230 is provided between the load lock chamber 210 and the process chamber 220 to transfer the substrate between the load lock chamber 210 and the process chamber 220, and the load lock chamber 210. The process chamber 220 opens and closes the space between the chambers to operate independently.

프로세스 챔버(220)는, 기판이 이송되면서 적어도 하나의 스퍼터링 소스 챔버(221)로부터 연속적으로 증착 공정이 수행되는 곳으로서, 스퍼터링 소스 챔버(221)는 기판의 진입방향 길이보다 작은 폭을 갖는 캐소드(221a)를 포함한다. 캐소드(221a)는 스퍼터링 소스를 포함하여 스퍼터링 공정 시 스퍼터링 소스로부터 기판으로의 박막층을 형성한다.The process chamber 220 is a place where the deposition process is continuously performed from the at least one sputtering source chamber 221 while the substrate is transferred, and the sputtering source chamber 221 has a cathode having a width smaller than the length in the entry direction of the substrate ( 221a). The cathode 221a includes a sputtering source to form a thin film layer from the sputtering source to the substrate during the sputtering process.

프로세스 챔버(220)의 이러한 구성에 의하여, 프로세스 챔버(220) 내에 설치되는 히터(221b) 및 캐소드(221a)의 설치 면적이 감소하여 설비 비용의 절감이 가능하다. 또한, 기판을 이송시키면서 연속적으로 증착 공정을 진행시킴으로써 히팅 및 증착 공정이 선형적으로 이루어지므로, 공정 온도 및 기타 공정 조건이 실질적으로 동일하게 형성되어 기판에 형성되는 박막의 균일도를 대폭 향상시킬 수 있다.By this configuration of the process chamber 220, the installation area of the heater 221b and the cathode 221a installed in the process chamber 220 is reduced, thereby reducing the installation cost. In addition, since the heating and deposition processes are performed linearly by continuously performing the deposition process while transferring the substrate, the process temperature and other process conditions are substantially the same, thereby greatly improving the uniformity of the thin film formed on the substrate. .

도 2를 참조하면, 본 실시예에서의 기판은 지면과 교차되는 방향으로, 즉, 세워서 트레이(20)에 장착되어 이송되면서 공정이 진행된다. 기판이 지면과 교차되는 방향으로 트레이(20)에 장착되어 이송됨에 따라 기판의 대형화에 따른 처짐을 방지할 수 있으며, 기판의 이송을 용이하게 할 수 있으며 시스템 전체의 풋프린트(footprint)를 감소시킬 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate in the present embodiment is mounted in the tray 20 in a direction intersecting with the ground, that is, upright, and the process proceeds. As the substrate is mounted on the tray 20 in a direction crossing the ground, the substrate 20 can be prevented from sagging due to the enlargement of the substrate, and the substrate can be easily transferred and the footprint of the entire system can be reduced. Can be.

이러한 기판이 장착되는 트레이(20)는, 사각의 프레임으로 마련되며 프레임의 중앙 영역에 기판이 장착되고 기판을 클램핑하는 클램프부(미도시)가 마련된다.The tray 20 on which the substrate is mounted is provided in a rectangular frame and a clamp unit (not shown) is mounted on the center region of the frame and clamps the substrate.

또한, 도 3을 참조하면, 트레이(20)는, 기판이 이송되는 전후 방향의 가장자리에 마련되어 인접하는 트레이 사이의 공간을 차단시키는 차단부를 포함한다. 차단부는, 기판이 장착된 트레이(20)가 연속적으로 프로세스 챔버(220) 내에서 증착 공정을 위해 이송될 때 인접한 트레이(20) 간의 공간을 차단하여 증착 물질이 트레이(20)와 트레이(20) 사이의 공간으로 새어 나가는 것을 방지한다.In addition, referring to FIG. 3, the tray 20 includes a blocking portion provided at an edge in the front-rear direction in which the substrate is transferred to block a space between adjacent trays. The blocking unit blocks the space between adjacent trays 20 when the tray on which the substrate is mounted is continuously transported in the process chamber 220 for the deposition process so that the deposition material is transferred to the trays 20 and 20. Prevent leakage into the spaces between.

본 실시예에서, 차단부는, 기판이 이송되는 전후 방향으로 프레임의 둘레 면이 연장되어 마련되는 교차부(21)로 마련되었다. 교차부(21)는, 트레이(20)의 프레임의 외곽 영역에서 돌출되어 마련되는 부분으로서 기판이 장착된 트레이(20)가 연속적으로 프로세스 챔버(220) 내에서 증착 공정을 위해 이송될 때 인접한 트레이(20) 간에 상호 교차되는 영역을 형성하여 증착 물질이 트레이(20)와 트레이(20) 사이의 공간으로 새어 나가는 것을 방지한다. 하지만, 본 실시예와 달리, 차단부는, 트레이(20) 사이의 공간이 차단되도록 트레이(20)의 가장자리에 차단커버(cover, 미도시)를 마련하여 구성함으로써, 증착 물질이 트레이(20) 사이의 공간으로 새어 나가는 것을 방지할 수도 있다.In the present embodiment, the blocking portion is provided as an intersection portion 21 in which the circumferential surface of the frame extends in the front-rear direction in which the substrate is transferred. The intersection portion 21 is a portion which protrudes from the outer region of the frame of the tray 20 and is an adjacent tray when the tray on which the substrate is mounted is continuously transferred for the deposition process in the process chamber 220. Areas intersecting with each other 20 are formed to prevent the deposition material from leaking into the space between the tray 20 and the tray 20. However, unlike the present embodiment, the blocking unit is formed by providing a blocking cover (not shown) at the edge of the tray 20 so that the space between the tray 20 is blocked, the deposition material is between the tray 20 It can also prevent leaking into the space.

한편, 프로세스 챔버(220)는, 복수개의 스퍼터링 소스 챔버(221)가 연속적으로 접하여 마련되며, 스퍼터링 소스 챔버(221) 상호간 분리 결합될 수 있는 체결부(미도시)가 마련된다. 본 실시예에서 체결부는 플랜지 결합을 사용하였으나, 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니며 플랜지 결합과 같이 분리 결합이 가능하고 밀폐 성능이 우수한 다른 결합 방식이 사용될 수도 있다.On the other hand, the process chamber 220, a plurality of sputtering source chamber 221 is provided in contact with each other continuously, the sputtering source chamber 221 is provided with a fastening portion (not shown) that can be separated from each other. In the present embodiment, the fastening portion uses a flange coupling, but the scope of the present invention is not limited thereto, and other coupling schemes capable of separate coupling such as flange coupling and excellent sealing performance may be used.

이에 의해서, 스퍼터링 소스 챔버(221)는 최소단위 모듈로만 추가 및 감소하여 변경할 수 있으므로 최적조건으로 구성이 가능하고, 장비활용도를 높여 생산성을 향상시킬 수 있다.As a result, the sputtering source chamber 221 can be changed and added to only the minimum unit module, and thus can be changed to an optimum condition, and the productivity can be improved by increasing the equipment utilization.

스퍼터링 소스 챔버(221)는 복수개가 마련되어 기판에 서로 상이한 박막 또는 동일한 박막을 복수개 형성시키나, 공정에 따라서는 이와 달리 하나의 스퍼터링 소스 챔버(221)가 마련되어 단일 박막을 형성시킬 수도 있다.A plurality of sputtering source chambers 221 may be provided to form a plurality of different thin films or the same thin film on the substrate. However, depending on the process, one sputtering source chamber 221 may be provided to form a single thin film.

또한, 각각의 스퍼터링 소스 챔버(221)는 캐소드(221a)가 장착된 부분의 개폐가 가능하도록 마련되어, 스퍼터링 소스를 다른 타겟 소스로 변경하거나 스퍼터링 소스의 유지 보수가 가능하다.In addition, each of the sputtering source chamber 221 is provided to open and close the portion on which the cathode 221a is mounted, it is possible to change the sputtering source to another target source or to maintain the sputtering source.

스퍼터링 소스 챔버(221)는 스퍼터링 소스 없는 구별 챔버(222)로 변경이 가능하거나 복수개의 스퍼터링 소스 챔버(221) 사이에 구별 챔버(222)를 추가할 수 있다. 구별 챔버(222)는 스퍼터링 소스 챔버(221) 사이에 개재되어 기판에 수행되는 증착 공정을 구분시키는 챔버로서, 도 4를 참조하면, 복수개의 스퍼터링 소스 챔버(221) 사이에 구별 챔버(222)가 마련되어 기판이 이송되면서 증착되는 연속 공정을 구분 짓고 있다. 구별 챔버(222)에 의하여 스퍼터링 소스 챔버(221)가 서로 상이한 박막을 형성시키는 경우에 인접한 스퍼터링 소스 챔버(221)에서의 소스 물질이 섞이는 것을 방지하며 공정의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The sputtering source chamber 221 can be changed to a distinct chamber 222 without a sputtering source or can add a distinct chamber 222 between the plurality of sputtering source chambers 221. The differentiation chamber 222 is a chamber interposed between the sputtering source chambers 221 to distinguish the deposition process performed on the substrate. Referring to FIG. 4, the differentiation chambers 222 are provided between the plurality of sputtering source chambers 221. It is provided to distinguish the continuous process that is deposited as the substrate is transported. When the sputtering source chambers 221 form different thin films by the differentiating chambers 222, the source materials in the adjacent sputtering source chambers 221 may be prevented from being mixed and the reliability of the process may be improved.

한편, 도 2를 참조하면, 프로세스 챔버(220)는, 스퍼터링 소스 챔버(221)의 전후에 접하여 마련되며, 기판이 이송되는 속도를 조정하는 버퍼 챔버(225)를 더 포함한다.Meanwhile, referring to FIG. 2, the process chamber 220 further includes a buffer chamber 225 provided in contact with the front and rear of the sputtering source chamber 221 and adjusting the speed at which the substrate is transferred.

버퍼 챔버(225)는, 트레이(20)가 연속하여 프로세스 챔버(220) 내에서 이송될 때 트레이(20)의 간격을 조절하기 위하여 트레이(20)의 이송 속도를 조절한다. 또한, 버퍼 챔버(225)는 내부에 히터(221b)를 마련하여 기판의 예열 시간이 부족한 경우에 추가로 기판 예열을 하거나, 타겟의 수량이 증가되어야 하는 경우에 캐소드(221a)를 마련하여 증착 공정을 수행할 수도 있다.The buffer chamber 225 adjusts the conveying speed of the tray 20 to adjust the spacing of the tray 20 when the tray 20 is continuously conveyed in the process chamber 220. In addition, the buffer chamber 225 is provided with a heater 221b therein to further heat the substrate when the preheating time of the substrate is insufficient, or provide a cathode 221a when the number of targets needs to be increased, thereby depositing the process. You can also do

한편, 도 2를 참조하면, 프로세스 챔버(220)는, 로드락 챔버(210)와 접하여 마련되며, 기판을 연속적으로 반입 및 반출시키는 인렛 챔버(223)와, 스퍼터링 소스 챔버(221)에 접하여 마련되며, 기판의 이송 방향을 전환시키는 방향 전환 수단(미도시)이 마련되는 방향전환 챔버(224)를 더 포함한다.Meanwhile, referring to FIG. 2, the process chamber 220 is provided in contact with the load lock chamber 210, is provided in contact with the inlet chamber 223 and the sputtering source chamber 221 for continuously loading and unloading the substrate. The apparatus may further include a redirection chamber 224 provided with redirection means (not shown) for reversing the transfer direction of the substrate.

인렛 챔버(223)는, 기판을 예열하는 예열 히터(223a)를 포함하며, 다수의 기판이 연속적으로 증착 공정을 위해 로드락 챔버(210)로부터 프로세스 챔버(220) 내부로 인입될 때 스퍼터링 소스 챔버(221)로 기판이 이송되는 간격을 조절하는 버퍼(buffer) 역할을 한다. 또한, 인렛 챔버(223)의 예열 히터(223a)는 증착 공정을 수행하기 위한 기판의 표면온도를 조절한다. 인렛 챔버(223)의 예열 히터(223a)는 경우에 따라 생략이 가능하다.The inlet chamber 223 includes a preheat heater 223a for preheating the substrate and the sputtering source chamber as a plurality of substrates are continuously introduced into the process chamber 220 from the load lock chamber 210 for the deposition process. 221 serves as a buffer for adjusting the interval at which the substrate is transferred. In addition, the preheat heater 223a of the inlet chamber 223 adjusts the surface temperature of the substrate for performing the deposition process. The preheat heater 223a of the inlet chamber 223 may be omitted in some cases.

방향전환 챔버(224)는 스퍼터링 소스 챔버(221)와 접하여 마련되며, 방향 전환 수단(미도시)에 의하여 기판이 프로세스 챔버(220) 내에서 이송되는 방향을 전환시킨다. 방향 전환 수단은 트래버스 모듈(미도시, Traverse Module)로 마련되며, 트래버스 모듈은 트레이(20)를 파지하여 트레이(20)가 이송되는 라인의 반대 방향 이송 라인으로 이동시킨다. 방향전환 챔버(224)에도 기판을 가열시키는 가열 히터(224a)가 마련되어, 기판의 공정 온도를 조절한다.The redirection chamber 224 is provided in contact with the sputtering source chamber 221 and redirects the direction in which the substrate is transferred in the process chamber 220 by the redirection means (not shown). Direction switching means is provided as a traverse module (not shown, Traverse Module), the traverse module grips the tray 20 to move to the transfer line in the opposite direction of the line to which the tray 20 is transferred. A heating heater 224a for heating the substrate is also provided in the redirection chamber 224 to adjust the process temperature of the substrate.

이러한 구성을 갖는 인라인 스퍼터링 시스템(200)의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the in-line sputtering system 200 having such a configuration as follows.

먼저, 기판이 증착 공정을 수행하기 위하여 로드락 챔버(210)를 통하여 프로세스 챔버(220)로 인입된다. 기판은 지면과 교차되는 방향으로 트레이(20)에 장착되어 이송되며, 로드락 챔버(210)와 프로세스 챔버(220) 내에는 각각 트레이(20)가 이송되는 두개의 라인, 즉 트레이(20)가 인입되는 인입라인(201)과 트레이(20)가 인출되는 인출라인(202)이 마련되어 트레이(20)에 장착된 기판을 이송시킨다.First, the substrate is introduced into the process chamber 220 through the load lock chamber 210 to perform the deposition process. The substrate is mounted and transported in the tray 20 in a direction intersecting with the ground. In the load lock chamber 210 and the process chamber 220, there are two lines in which the tray 20 is transferred, that is, the tray 20. A draw line 201 to be drawn in and a draw line 202 to draw out the tray 20 are provided to transfer the substrate mounted on the tray 20.

로드락 챔버(210)로부터 이송된 기판은 인렛 챔버(223)에서 예열 과정을 거친 후 스퍼터링 소스 챔버(221)로 이송되면서 연속적으로 증착된다. 인렛 챔버(223)는 복수의 기판이 인입되는 경우 연속적으로 기판을 스퍼터링 소스 챔버(221) 쪽으로 이송시키며, 이송되는 복수개의 트레이(20)의 교차부(21)가 상호 교차되면서 이송되도록 트레이(20)의 간격을 조절하며 이송시킨다. 교차부(21)에 의하여 연속되는 스퍼터링 소스 챔버(221)의 증착 공정 중 증착 물질이 트레이(20)의 사이 간격으로 새어 나가는 것을 방지한다.The substrate transferred from the load lock chamber 210 is continuously deposited while being transferred to the sputtering source chamber 221 after being preheated in the inlet chamber 223. The inlet chamber 223 continuously transfers the substrates toward the sputtering source chamber 221 when a plurality of substrates are inserted therein, and the trays 20 so that the crossing portions 21 of the plurality of trays 20 to be transferred cross each other. Adjust the interval between The deposition material of the sputtering source chamber 221 which is continuous by the crossing portion 21 prevents the deposition material from leaking out at intervals between the trays 20.

복수개의 트레이(20)는 일렬로 정렬되어 인입라인(201)을 따라 이송되면서 스퍼터링 소스 챔버(221)에 의하여 연속적으로 증착 공정이 수행된다. 복수개의 스퍼터링 소스 챔버(221)는 기판에 상이한 박막을 증착하거나 동일한 박막을 형성시키는데, 이때 필요에 따라 구별 챔버(222)에 의하여 증착 공정이 구별되고, 상호 인접한 스퍼터링 소스가 섞이지 않도록 구별된다.The plurality of trays 20 are aligned in a row and transported along the inlet line 201 and the deposition process is continuously performed by the sputtering source chamber 221. The plurality of sputtering source chambers 221 deposits different thin films on the substrate or forms the same thin film, in which the deposition process is distinguished by the distinguishing chamber 222 as necessary, and so as not to mix adjacent sputtering sources.

증착 공정을 마친 기판은 방향전환 챔버(224)로 이송되는데, 방향전환 챔버(224)의 트래버스 모듈에 의하여 트레이(20)는 인입라인(201)에서 인출라인(202)으로 이동된다. 인출라인(202)으로 이동된 트레이(20)는 인출라인(202)을 따라서 다시 스퍼터링 소스 챔버(221)를 거쳐 인렛 챔버(223)로 이송된다. 방향전환 챔버(224)는 인렛 챔버(223)와 마찬가지로 이송되는 복수개의 트레이(20)의 간격을 조절하여 이송시키는 버퍼 역할을 한다.After the deposition process, the substrate is transferred to the redirection chamber 224. The tray 20 is moved from the inlet line 201 to the withdrawal line 202 by the traverse module of the redirection chamber 224. The tray 20 moved to the draw line 202 is transferred to the inlet chamber 223 through the sputtering source chamber 221 again along the draw line 202. Like the inlet chamber 223, the direction change chamber 224 serves as a buffer for controlling the distance of the plurality of trays 20 to be transferred.

증착 공정을 마친 기판은 방향전환 챔버(224), 스퍼터링 소스 챔버(221)와 인렛 챔버(223)를 거치는 동안 냉각되고, 최종적으로 로드락 챔버(210)로 이송되어 챔버 외부로 인출된다.After the deposition process, the substrate is cooled while passing through the redirection chamber 224, the sputtering source chamber 221, and the inlet chamber 223, and finally, the substrate is transferred to the load lock chamber 210 and drawn out of the chamber.

이와 같이, 본 실시예의 인라인 스퍼터링 시스템(200)에 의하면, 기판에 연속적으로 증착 공정을 수행함으로써 박막의 균일성을 확보하고 택트 타임을 감소시키며 공정 설비 비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the inline sputtering system 200 of the present embodiment, the deposition process is continuously performed on the substrate, thereby securing the uniformity of the thin film, reducing the tact time, and reducing the process equipment cost.

한편, 이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템(400)을 설명하면 다음과 같다. 단, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템(200)에서 설명한 바와 동일한 것에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.Meanwhile, hereinafter, an inline sputtering system 400 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the same description as that described in the inline sputtering system 200 according to an exemplary embodiment will be omitted.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인라인 스퍼터링 시스템의 개략적인 평면도이다. 도 5에 있어서, 도 1 내지 도 4와 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타내며 상세한 설명은 생략하기로 한다.5 is a schematic plan view of an inline sputtering system according to another embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same reference numerals as used in FIGS. 1 to 4 denote the same members and detailed descriptions thereof will be omitted.

도 5를 참조하여 살펴보면, 본 실시예의 인라인 스퍼터링 시스템(400)의 기본 구성은 일 실시예의 인라인 스퍼터링 시스템(200)과 동일하며, 기판의 증착 공정 수행 방식이 상이하다.Referring to Figure 5, the basic configuration of the inline sputtering system 400 of the present embodiment is the same as the inline sputtering system 200 of one embodiment, the method of performing the deposition process of the substrate is different.

본 실시예에서는 기판이 장착된 트레이(20)가 이송되는 인입라인(201)과 인출라인(202)이 일 실시예에서와는 반대로 구성된다.In this embodiment, the inlet line 201 and the outgoing line 202 to which the tray 20 on which the substrate is mounted are transported are configured as opposed to those in the embodiment.

이에 의해서, 먼저 기판이 로드락 챔버(210)로부터 인렛 챔버(223)로 이송되고, 인렛 챔버(223)에서 스퍼터링 소스 챔버(221)로 이송될 때 스퍼터링 소스 챔버(221)에서 증착 공정이 수행되지 않고 기판이 히팅된다. 기판이 방향전환 챔버(224)로 이송되어 트래버스 모듈에 의하여 이송 방향이 전환되고 다시 스퍼터링 소스 챔버(221)로 이송될 때에 기판에 증착 공정이 연속적으로 수행된다.As a result, when the substrate is first transferred from the load lock chamber 210 to the inlet chamber 223 and then transferred from the inlet chamber 223 to the sputtering source chamber 221, no deposition process is performed in the sputtering source chamber 221. The substrate is heated without. When the substrate is transferred to the redirection chamber 224, the transfer direction is changed by the traverse module, and then transferred to the sputtering source chamber 221, the deposition process is continuously performed on the substrate.

이와 같은 구성에 의하여, 기판을 예열하는 예열 히터(223a)를 생략할 수 있거나 기판을 예열하는 시간이 증가함에 따라 고온 처리 증착 공정에서 기판의 표면온도를 고온으로 히팅할 수 있는 효과가 있다.By such a configuration, the preheat heater 223a for preheating the substrate may be omitted or the surface temperature of the substrate may be heated to a high temperature in the high temperature treatment deposition process as the time for preheating the substrate increases.

또한, 로드락 챔버(210)와 프로세스 챔버(220)에는 각각 기판이 인입되는 인입라인(201)과 기판이 인출되는 인출라인(202)이 마련되며, 인입라인(201)과 인출라인(202)의 기판 이송 방향이 상호 전환가능하게 마련될 수도 있다.In addition, each of the load lock chamber 210 and the process chamber 220 is provided with an inlet line 201 through which the substrate is drawn in and a withdrawal line 202 through which the substrate is drawn out, and the inlet line 201 and the withdrawal line 202 are provided. The substrate transfer direction may be provided to be switchable with each other.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

20 : 트레이 21 : 교차부
200 : 인라인 스퍼터링 시스템
201 : 인입라인 202 : 인출라인
210 : 로드락 챔버 220 : 프로세스 챔버
221 : 스퍼터링 소스 챔버 221a : 캐소드
221b : 히터 222 : 구별 챔버
223 : 인렛 챔버 223a : 예열 히터
224 : 방향전환 챔버 224a : 가열 히터20: tray 21: intersection
200: Inline Sputtering System
201: drawing line 202: drawing line
210: load lock chamber 220: process chamber
221: sputtering source chamber 221a: cathode
221b: heater 222: distinct chamber
223: inlet chamber 223a: preheat heater
224: direction change chamber 224a: heating heater

Claims (13)

기판을 로딩 및 언로딩하기 위하여 대기압과 진공 간의 전환을 수행하는 로드락 챔버; 및
상기 로드락 챔버에 인접하게 마련되며, 캐소드(cathod)를 포함하고 상기 기판의 진입방향 길이보다 작은 폭을 갖도록 구성되는 스퍼터링 소스 챔버가 적어도 하나 배치되는 프로세스 챔버를 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.A load lock chamber for performing a transition between atmospheric pressure and vacuum to load and unload a substrate; And
And a process chamber provided adjacent to the load lock chamber and including at least one sputtering source chamber configured to include a cathode and to have a width less than an entry length of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 스프터링 소스 챔버에 의해 상기 기판이 이송되면서 증착 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
And a deposition process is performed while the substrate is transferred by the at least one sputtering source chamber. 제2항에 있어서,
상기 기판은 지면과 교차되는 방향으로 트레이에 장착되어 이송되며,
상기 트레이는, 상기 기판이 이송되는 전후 방향의 가장자리에 마련되어 인접하는 트레이 사이의 공간을 차단시키는 차단부를 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 2,
The substrate is mounted and transported in a tray in a direction crossing the ground,
The tray, the in-line sputtering system including a blocking portion provided at the edge of the front and rear direction in which the substrate is transported to block the space between adjacent trays. 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는,
상기 스퍼터링 소스 챔버가 연속적으로 접하여 마련되며, 상기 스퍼터링 소스 챔버 상호간 분리 결합될 수 있는 체결부가 마련되는 것을 특징으로 하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The process chamber,
The sputtering source chamber is provided in contact with each other continuously, in-line sputtering system, characterized in that the fastening portion is provided that can be separated from each other sputtering source chamber. 제4항에 있어서,
상기 체결부는 플랜지(flange)인 것을 특징으로 하는 인라인 스퍼터링 시스템.5. The method of claim 4,
Inline sputtering system, characterized in that the fastening portion (flange). 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는,
상기 스퍼터링 소스 챔버의 전후에 접하여 마련되며, 상기 기판이 이송되는 속도를 조정하는 버퍼 챔버를 더 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The process chamber,
And a buffer chamber provided in contact with the front and rear of the sputtering source chamber to adjust a speed at which the substrate is transferred. 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는,
상기 로드락 챔버와 접하여 마련되며, 상기 기판을 연속적으로 반입 및 반출시키는 인렛 챔버를 더 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The process chamber,
And an inlet chamber provided in contact with the load lock chamber and continuously loading and unloading the substrate. 제7항에 있어서,
상기 인렛 챔버는,
상기 기판을 예열하는 예열 히터를 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 7, wherein
The inlet chamber,
And a preheat heater to preheat the substrate. 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는,
상기 스퍼터링 소스 챔버에 접하여 마련되며, 상기 기판의 이송 방향을 전환시키는 방향 전환 수단이 마련되는 방향전환 챔버를 더 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The process chamber,
And a redirection chamber provided in contact with the sputtering source chamber and provided with redirection means for reversing the transfer direction of the substrate. 제9항에 있어서,
상기 방향전환 챔버는 상기 기판을 가열하기 위한 가열 히터를 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.10. The method of claim 9,
And the diverting chamber comprises a heating heater for heating the substrate. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링 소스 챔버는,
상기 기판에 서로 상이한 박막을 형성시키는 복수개의 스퍼터링 소스 챔버인 것을 특징으로 하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The sputtering source chamber,
And a plurality of sputtering source chambers forming different thin films on the substrate. 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는,
상기 스퍼터링 소스 챔버가 복수개인 경우 상기 스퍼터링 소스 챔버 사이에 개재되어 상기 기판에 수행되는 증착 공정을 구분시키는 구별 챔버를 더 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The process chamber,
And a distinction chamber interposed between the sputtering source chambers to distinguish deposition processes performed on the substrate when there are a plurality of sputtering source chambers. 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는,
상기 스퍼터링 소스 챔버가 복수개인 경우 상기 스퍼터링 소스 챔버 사이에 개재되어 상기 기판에 수행되는 증착 공정을 구분시키는 구별 챔버를 더 포함하는 인라인 스퍼터링 시스템.The method of claim 1,
The process chamber,
And a distinction chamber interposed between the sputtering source chambers to distinguish deposition processes performed on the substrate when there are a plurality of sputtering source chambers.
KR1020110045330A 2011-05-13 2011-05-13 In-line Sputtering System KR101277068B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110045330A KR101277068B1 (en) 2011-05-13 2011-05-13 In-line Sputtering System

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110045330A KR101277068B1 (en) 2011-05-13 2011-05-13 In-line Sputtering System

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120127686A true KR20120127686A (en) 2012-11-23
KR101277068B1 KR101277068B1 (en) 2013-06-20

Family

ID=47512614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110045330A KR101277068B1 (en) 2011-05-13 2011-05-13 In-line Sputtering System

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101277068B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200130057A (en) * 2019-05-09 2020-11-18 주식회사 야스 Length minimized Mask Frame

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
KR100667886B1 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 주식회사 에스에프에이 In-line sputtering system
KR101458909B1 (en) * 2008-04-03 2014-11-07 삼성디스플레이 주식회사 In-line apparatus
KR20110035147A (en) * 2009-09-29 2011-04-06 주식회사 뉴파워 프라즈마 High-speed vertical direction consecutive substrate processing system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200130057A (en) * 2019-05-09 2020-11-18 주식회사 야스 Length minimized Mask Frame

Also Published As

Publication number Publication date
KR101277068B1 (en) 2013-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4336739B2 (en) Deposition equipment
EP1905865B1 (en) Sputtering apparatus and method for manufacturing transparent conducting film
US8758513B2 (en) Processing apparatus
US20200232088A1 (en) Apparatus and system for vacuum deposition on a substrate and method for vacuum deposition on a substrate
JP6134815B2 (en) Apparatus using adjacent sputter cathode and operation method thereof
WO2015117638A1 (en) Evaporation source for organic material, apparatus having an evaporation source for organic material, system having an evaporation deposition apparatus with an evaporation source for organic materials, and method for operating an evaporation source for organic material
WO2012031962A1 (en) Method and system for depositing a thin-film transistor
KR20160135353A (en) Evaporation source for organic material
US20170250379A1 (en) Evaporation source having multiple source ejection directions
KR20100114717A (en) Apparatus for processing substarate
KR101046239B1 (en) Deposition Device, Deposition System and Deposition Method
US20070138009A1 (en) Sputtering apparatus
US9034156B2 (en) Sputtering apparatus
KR100667886B1 (en) In-line sputtering system
KR101277068B1 (en) In-line Sputtering System
KR20180103163A (en) A mask arrangement for masking the substrate and a method for aligning the mask with respect to the substrate
KR101288133B1 (en) Glass deposition apparatus
KR100707960B1 (en) An Inline sputter apparatus for manufacturing a multi-layered ITO for transparent electrode
KR20090031616A (en) Deposition apparatus, deposition system and deposition method
KR102123455B1 (en) Sputtering apparatus and method for sputtering of oxide semiconductor material
KR101960364B1 (en) Apparatus for vapor deposition of organic thin film
KR101473829B1 (en) In-line Sputtering System
WO2017194088A1 (en) Method and apparatus for vacuum processing
KR101226478B1 (en) Sputtering mask and sputtering apparatus using the same
KR20170095362A (en) Apparatus and method for coating a substrate with a movable sputter assembly and control over process gas parameters

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170517

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180601

Year of fee payment: 6