KR20120121025A - 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법 - Google Patents

고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법 및 상기 제조방법에 따라 얻어진 마그네슘재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 전해 산화 공정 시 전류 밀도, 전류 진동수와 전류 파형 등의 공정변수를 제어함으로써, 보다 우수한 성질의 산화피막을 형성하는 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법에 관한 것이다.
상기 제조방법에 따르면, 종래 마그네슘재를 플라즈마 전해 산화 공정에 의한 표면처리 시 발생하는 조대한 기공과 크랙 등에 의해 내부식 특성의 저하 등의 발생을 줄일 수 있으며 종래의 애노다이징 공정에서 발생되는 환경유해물질을 줄일 수 있으며, 또한 산업 적용 시 두께 요구치에 영향을 받지 않는 내부식 특성이 우수한 피막을 제조할 수 있다.

Description

고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM ON MAGNESIUM ALLOY TO HAVE SUPERIOR CORROSION RESISTANCE}
본 발명은 우수한 내부식적 특성을 나타내는 마그네슘의 표면 처리 공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 전해 산화 공정 시 전류 밀도, 전류 진동수와 전류 파형 등의 공정변수를 제어함으로써, 보다 우수한 성질의 산화피막을 형성하는 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법에 관한 것이다.
최근 전자부품산업의 발전과 더불어 재료공학분야에 있어 경량소재의 물성 및 개발에 대해 많은 관심이 집중되고 있으며 특히 마그네슘 합금은 밀도가 낮고(1.8g/cm3) 전자파에 대한 차폐능이 비교적 우수하기 때문에 휴대용 전자기기 부품소재로서 널리 각광받고 있다.
하지만 마그네슘 합금은 다른 소재에 비해 전기화학적으로 활성도(active)가 매우 높기 때문에 부식 환경에 매우 취약한 단점을 지니고 있다. 또한, 전자기기 부품 소재의 특성상 표면처리 한 피막 두께에 제약을 가지고 있다.
따라서, 마그네슘 합금의 표면 안정성 및 내산화성을 향상시키기 위해 여러 표면 처리법이 제안되었으며 이와 관련된 다양한 결과들이 보고되고 있다.
특히, 마그네슘 합금의 내부식성을 향상시키기 위한 표면처리 방법 중 하나로 제시된 플라즈마 전해 산화 (plasma electrolytic oxidation) 공정은 전해액 내 침지된 소재의 표면에 마이크로 방전을 균일하게 유도하여 금속 표면에 밀착성과 내식성이 우수한 산화 피막을 얻을 수 있는 표면처리 방법이다.
이처럼 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 형성된 산화피막의 특성은 전기적 변수를 포함한 다양한 공정 조건에 의해 제어될 수 있다.
이에, 본 발명자는 마그네슘 합금 재료에 플라즈마 전해 산화 공정 시 전류밀도, 전류진동수와 전류파형과 같은 전기적 변수의 제어를 통해 얇은 두께를 유지하며, 보다 내부식적 특성이 우수하고 치밀한 표면 산화 피막을 개발할 수 있다는 점을 밝혀내어 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 마그네슘 합금의 플라즈마 전해 산화 공정을 통해 가장 효율적이며 우수한 내부식 특성을 나타내는 산화 피막을 형성하는 공정변수를 제어함으로써, 보다 우수한 성질의 산화피막을 형성하는 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 마그네슘 합금 시편을 제조하는 단계(제1단계); 알칼리성 전해액을 제조하는 단계(제2단계); 및 상기 마그네슘 합금 시편을 상기 알칼리성 전해액 속에 담근 후 전류를 인가하여 시편 표면에 플라즈마 방전을 발생시켜 산화피막을 형성하는 단계(제3단계)를 포함하며, 상기 제3단계는 전류 밀도, 전류 진동수 및 전류 파형으로 이루어진 군에서 선택된 전기적 변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서 사용되는 마그네슘 합금은 알루미늄 8.1 내지 8.5 중량%, 아연 0.6 내지 1.0 중량%, 망간 0.1 내지 0.5 중량% 및 잔량의 마그네슘을 포함할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 알칼리성 전해액은 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH), 규산나트륨(Na2SiO3) 및 불화칼륨(KF)을 포함할 수 있다. 상기 전해액은 수산화칼륨 또는 수산화나트륨의 염기성과 불화칼륨의 산성이 일부 중화되면서 pH 8 내지 13 범위의 알칼리성을 갖게 된다.
또한, 알칼리성 전해액은 글리세롤을 추가로 포함할 수 있으며, 상기 글리세롤은 전해액의 플라즈마 발생 안정제로서 사용되어 양극과 음극 간에 고전압을 인가함에 따라 발생하는 플라즈마가 양극 주변에서 안정적으로 동작할 수 있도록 역할을 수행한다.
상기 전류 밀도는 75 내지 125 mA/cm2인 것이 바람직하다. 만약 상기 전류 밀도 범위를 벗어나면 산화막의 표면에 크랙이나 조대한 기공 발생등 문제가 야기될 수 있다.
상기 전류 진동수는 350 내지 650 Hz인 것이 바람직하다. 만약 상기 전류 진동수를 벗어나면 표면에 크랙이 발생하는 문제가 야기될 수 있다.
상기 전류 파형은 반정현파인 것이 바람직하다.
본 발명에 따라 제조된 산화피막의 두께는 5 내지 12 ㎛인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 마그네슘 합금의 표면처리시 최적의 공정변수를 확립하기 위한 방법을 개략적으로 나타낸 공정 흐름도이며 이하에서 상술한다.
우선, 플라즈마 전해 산화를 통해 표면에 산화피막을 형성하기 위한 모재로서 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 준비한다(S1).
본 발명에서 사용되는 마그네슘 합금은 알루미늄 8.1 내지 8.5 중량%, 아연 0.6 내지 1.0 중량%, 망간 0.1 내지 0.5 중량% 및 잔량의 마그네슘을 포함할 수 있다. 일 실시형태로서, 알루미늄 8.92 중량%, 아연 0.83 중량%와 망간 0.31 중량%를 함유하며 나머지 전부가 마그네슘인 것을 사용할 수 있다.
다만, 상기 마그네슘 합금은 적용 분야 등을 고려하여 상기 조성 이외에 다양한 조성의 것을 준비할 수 있다. 또한, 플라즈마 전해 산화 공정 조건에 따라 다양한 크기 및 형상을 가지는 마그네슘 합금 재료를 준비할 수 있다.
상기 마그네슘 합금은 균질화를 실시하여 합금 내에 불순물의 국부적 집중을 최소화하며, 준비된 합금 시편에 대해 사포 등을 이용하여 연마 후 세척 및 건조하여 사용할 수 있다.
그리고, 플라즈마 전해 산화에 사용하는 알칼리성 전해액으로서 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH), 규산나트륨(Na2SiO3) 및 불화칼륨(KF)을 포함하는 알칼리성 전해액을 준비한다(S2).
상기 수산화칼륨 또는 수산화나트륨의 염기성과 불화칼륨의 산성이 일부 중화되면서 pH 8 내지 13 범위의 알칼리성을 갖게 되므로, 수산화칼륨 또는 수산화나트륨 및 불화칼륨은 전해액의 pH를 조절하는 역할을 수행한다.
또한, 알칼리성 전해액은 글리세롤을 추가로 포함할 수 있으며, 상기 글리세롤은 전해액의 플라즈마 발생 안정제로서 사용되어 양극과 음극 간에 고전압을 인가함에 따라 발생하는 플라즈마가 양극 주변에서 안정적으로 동작할 수 있도록 역할을 수행한다.
다만, 상기 알칼리성 전해액은 수산화칼륨 또는 수산화나트륨, 규산나트륨 및 불화칼륨 이외에도 다양한 염이 첨가될 수 있으며, 플라즈마 전해 산화 공정 조건에 따라 다양한 전해액을 준비할 수 있다.
다음으로, 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 모재에 대해 플라즈마 전해 산화 공정의 수행 시 고려되어야 할 전기적 변수를 결정한다(S3).
상기 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 모재에 대해 플라즈마 전해 산화의 수행 시 전류밀도, 전류진동수와 전류파형에 따른 산화피막 형성 효과에 대한 내부식적 특성을 고려하여 설정한다.
전기적 변수 중 전류밀도는 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 형성된 마그네슘 합금 산화피막의 기공 크기에 영향을 미치며, 이는 산화피막의 내부식적 특성을 평가하는 중요한 요소이다.
전기적 변수 중 전류진동수는 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 형성된 마그네슘 합금 산화박막의 기공 크기와 균열 형성에 영향을 미치며, 이는 산화피막의 내부식적 특성을 평가하는 중요한 요소이다.
전기적 변수 중 전류파형 또한, 플라즈마 전해 산화에 의해 형성된 마그네슘 합금 산화박막의 기공 크기와 내부식적 특성에 영향을 미친다.
마지막으로, 상기 전해액 내에서 준비된 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 모재에 대해 플라즈마 전해 산화를 수행한다(S4).
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 플라즈마 전해 산화 공정은 상기 전해액 내에 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 모재를 양극에 위치시키고 스테인리스강을 음극에 위치시킨 후 전류를 인가하여 수행될 수 있다.
이러한 플라즈마 전해 산화 공정 후 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 모재의 표면에는 마그네슘 산화물이 주를 이루는 고강도의 피막이 형성된다.
본 발명에서 플라즈마 전해 산화를 통해 마그네슘 합금의 표면처리 시 최적의 공정변수를 확립하기 위해 온도와 같은 변수들은 상온으로 유지시키는 것이 바람직하다.
플라즈마 전해 산화 공정에 의한 표면처리 단계 시 최적의 공정변수를 확립하기 위해 전류밀도, 전류진동수와 전류파형 등의 공정변수의 변화를 주면서 수행 될 수 있다.
전류밀도는 50 내지 200 mA/cm2, 전류진동수는 60 내지 2000 Hz와 전류파형은 비대칭 정현파와 반정현파를 사용하여 60 내지 1200 초 동안 플라즈마 전해 산화 공정을 수행하여 마그네슘 모재의 표면에 1 내지 30 mm 두께의 산화피막을 형성시킴으로써 최적의 공정변수의 조건을 확립할 수 있다.
상술한 조건에 따라 알칼리성 전해액 내에서 마그네슘 합금을 양극에 위치시키고 음극에는 스테인리스강을 설치한 후 교류 또는 직류 펄스를 인가하여 마그네슘 합금에 대한 표면처리를 수행하는 경우 음극인 스테인리스강의 표면에서는 수소 기체가 발생하고, 양극인 마그네슘 합금의 표면에서는 산소 기체가 발생함과 동시에 금속의 산화반응이 일어나 마그네슘 표면에 마그네슘 산화물을 포함하는 피막이 형성된다.
이때, 양극 및 음극에 인가되는 전압은 이미 형성된 양극산화막을 통전할 수 있는 정도의 고전압으로서, 산화막에서 국부적으로 형성된 강한 전류장에 의해 내부에 존재하는 O2 또는 H2의 반응가스로부터 플라즈마가 발생한다. 발생된 플라즈마 에너지가 형성된 산화물을 순간적으로 서로 융착시키게 되므로, 형성되는 산화물은 매우 치밀하며 단단하게 된다.
또한, 본 발명은 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 모재에 대해 플라즈마 전해 산화 공정에 의한 표면처리를 수행함으로써, 모재 표면에 우수한 내부식 특성을 나타내는 산화피막이 형성된 내식성 마그네슘재를 제공한다.
또한, 본 발명은 마그네슘 또는 마그네슘 합금 기판인 양극; 상기 마그네슘 합금 기판에 대응하는 음극; 상기 양극 및 음극에 교류 또는 직류 펄스를 인가하는 전원 공급수단; 및 상기 양극 및 음극이 수용되어, 상기 전원 공급수단으로부터 교류 또는 직류 펄스가 인가되면 전기화학적 플라즈마 산화 반응에 의해 상기 양극 표면에 산화피막이 형성되도록 하는 전해액을 포함하며, 상기 산화피막 형성 시 전류 밀도, 전류 진동수 및 전류 파형으로 이루어진 군에서 선택된 전기적 변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고내식성 마그네슘 합금의 산화피막 형성시스템을 제공한다.
본 발명은 전해액 내에서 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 마그네슘 합금의 표면처리를 수행할 경우 마그네슘 합금의 표면에 최적의 산화피막을 형성시킬 수 있는 공정변수를 제공한다. 이에 따라 종래 마그네슘재를 플라즈마 전해 산화 공정에 의한 표면처리 시 발생하는 조대한 기공과 크랙 등에 의해 내부식 특성의 저하 등의 발생을 줄일 수 있으며 종래의 애노다이징 공정에서 발생되는 환경유해물질을 줄일 수 있다. 또한, 산업 적용 시 두께 요구치에 영향을 받지 않는 내부식 특성이 우수한 피막을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 우수한 내부식 특성을 갖는 마그네슘 합금의 박막 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 흐름도이다.
도 2에서 a 내지 c는 본 발명의 실시예 1에 따라 각각 100, 150, 200 mA/cm2으로 표면처리 된 마그네슘 합금의 표면과 단면을 촬영한 미세조직 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따라 표면처리 된 마그네슘 합금의 내부식 특성을 측정한 결과이다.
도 4에서 a 내지 d는 본 발명의 실시예 2에 따라 각각 60, 500, 1000, 2000 Hz로 표면처리 된 마그네슘 합금의 표면과 단면을 촬영한 미세조직 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따라 표면처리 된 마그네슘 합금의 내부식 특성을 측정한 결과이다.
도 6에서 a 및 b는 본 발명의 실시예 3에 따라 각각 비대칭 정현파와 반정현파로 표면처리 된 마그네슘 합금의 표면과 단면을 촬영한 미세조직 사진이다.
도 7은 본 발명의 실시예 3에 따라 표면처리 된 마그네슘 합금의 내부식 특성을 측정한 결과이다.
하기 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만, 이러한 실시 예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 전류 밀도 제어에 의한 마그네슘 합금 산화피막 제조
마그네슘 합금 AZ91을 가로 30 mm, 세로 50 mm, 그리고 두께 20 mm의 얇은 판 형태로 절단한 후, SiC 페이퍼 # 1000을 이용해 표면을 균일하게 연마한 후, 아세톤으로 세척하고 건조하여 마그네슘 합금 시편을 제조하였다.
그리고, 0.125 M의 KOH, 0.025 M의 Na2SiO3 및 0.052 M의 KF를 증류수에 혼합한 후 교반하여 전해액을 제조하였다.
이와 같이 제조된 알칼리성 전해액을 20 내지 30℃ 유지시킨 후, 상기 알칼리성 전해액 내에 상기 마그네슘 합금 시편을 양극에 위치시키고 스테인리스강을 음극에 설치한 후 20 kW의 장비를 통해 교류 전원을 인가하여 (a) 100 mA/cm2, (b) 150 mA/cm2, (c) 200 mA/cm2의 전류 밀도 조건에서 플라즈마 전해 산화처리를 수행하여 표면 처리함으로써 마그네슘 합금 표면에 10 mm의 산화피막을 형성하였다.
상술한 바와 같이 각각의 전류밀도 조건에서 표면처리된 마그네슘 합금의 미세조직 사진을 전자주사현미경으로 촬영하여 도 2의 a 내지 c에 나타내었다. 또한 마그네슘 합금 표면의 피막의 부식 거동을 살펴보기 위해 potentiostat(Gamry instruments, Reference 600)을 사용하여 3.3 내지 3.7 중량% 염화나트륨 용액 내에서 표준 전극으로 은/염화은(Ag/AgCl) 전극을 사용하였고, 보조 전극으로는 백금망을 사용하여 동전위 분극 시험을 수행한 결과를 도 3에 나타내었다.
도 2에 도시된 바와 같이, 전류 밀도를 변화시키면서 표면처리된 마그네슘 합금의 미세조직의 표면과 단면을 관찰한 결과, 공정 조건이 (a)에서 (c)로 변화할수록 기공의 크기가 증가하였다. 도 3을 참조하면, 공정 조건이 (a)에서 (c)로 변화할수록 내부식 특성이 감소하였다.
이는 기공의 크기가 커질수록 내부식 특성이 감소한다는 것을 의미한다. 따라서, 전류 밀도 조건 중에서 (a)의 조건으로 플라즈마 전해 산화 공정을 실시한 박막이 내부식적 측면에서 가장 우수한 것을 확인할 수 있었다.
<실시예 2> 전류 진동수 제어에 의한 마그네슘 합금 산화피막 제조
전류 밀도를 100 mA/cm2로 고정하고, 전류 진동수는 (a) 60 Hz, (b) 500 Hz, (c) 1000 Hz, (d) 2000 Hz로 변화를 준 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 표면처리를 수행하여 마그네슘 합금 표면에 산화피막을 형성하였다.
이와 같이 표면처리된 마그네슘 합금의 표면과 단면의 미세조직 사진을 전자주사현미경으로 촬영하여 도 4의 a 내지 d에 나타내었고, 또한 마그네슘 합금 표면의 피막의 부식 거동을 살펴보기 위해 potentiostat(Gamry instruments, Reference 600)을 사용하여 3.3 내지 3.7 중량% 염화나트륨 용액 내에서 표준 전극으로 은/염화은(Ag/AgCl) 전극을 사용하였고, 보조 전극으로는 백금망을 사용하여 동전위 분극 시험을 수행한 결과를 도 5에 나타내었다.
도 4에 도시된 바와 같이, 전류 진동수를 변화시키면서 표면처리된 마그네슘 합금의 미세조직의 표면과 단면을 관찰한 결과, 공정 조건이 (a)에서 (d)로 변화할수록 기공의 크기가 감소하였다. 또한, (c) 및 (d)의 경우에는 표면 미세조직 사진에서 균열이 발견되었다. 도 5를 참조하면, 내부식 특성은 (b), (a), (d) 및 (c)의 순서로 나타났다.
이는 기공의 크기가 증가할수록 내부식 특성이 감소하지만 박막에 균열이 발생할 경우에는 기공의 크기가 감소하더라도 내부식 특성이 감소한다는 것을 의미한다. 따라서, 전류 진동수 조건 중에서 (b)의 조건으로 플라즈마 전해 산화 공정을 실시한 박막이 내부식적 측면에서 가장 우수한 것을 확인할 수 있었다.
<실시예 3> 전류 파형 제어에 의한 마그네슘 합금 산화피막 제조
전류 밀도를 100 mA/cm2로 고정하고, 전류 파형은 (a) 반정현파 및 (b) 비대칭 정현파를 인가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 표면처리를 수행하여 마그네슘 합금 표면에 산화피막을 형성하였다. 이와 같이 표면처리된 마그네슘 합금 의 표면과 단면의 미세조직 사진을 전자주사현미경으로 촬영하여 도 6의 a 및 b에 나타내었고, 형성된 마그네슘 합금의 산화피막의 부식 거동을 살펴보기 위해 potentiostat(Gamry instruments, Reference 600)을 사용하여 3.3 내지 3.7 중량% 염화나트륨 용액 내에서 표준 전극으로 은/염화은(Ag/AgCl) 전극을 사용하였고, 보조 전극으로는 백금망을 사용하여 동전위 분극 시험을 수행한 결과를 도 7에 나타내었다.
도 6에 도시된 바와 같이, 전류 파형을 변화시키면서 표면처리된 마그네슘 합금의 미세조직의 표면과 단면을 관찰한 결과, (a)와 (b)를 비교하면 (a) 조건에서 기공의 크기가 커졌다. 도 7을 참조하면, (a)와 (b)를 비교하면 (b)의 내부식 특성이 우수하였다.
이는 기공의 크기가 클 경우 내부식 특성이 감소한다는 것을 의미한다. 따라서, 전류 파형 조건 중에서 (b)의 조건으로 플라즈마 전해 산화 공정을 실시한 박막이 내부식적 측면에서 가장 우수한 것을 확인할 수 있었다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (8)

  1. 마그네슘 합금 시편을 제조하는 단계(제1단계);
    알칼리성 전해액을 제조하는 단계(제2단계); 및
    상기 마그네슘 합금 시편을 상기 알칼리성 전해액 속에 담근 후 전류를 인가하여 시편 표면에 플라즈마 방전을 발생시켜 산화피막을 형성하는 단계(제3단계)를 포함하며,
    상기 제3단계는 전류 밀도, 전류 진동수 및 전류 파형으로 이루어진 군에서 선택된 전기적 변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 알칼리성 전해액은 수산화칼륨 또는 수산화나트륨, 규산나트륨 및 불화칼륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 전류 밀도는 75 내지 125 mA/cm2인 것을 특징으로 하는 내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 전류 진동수는 350 내지 650 Hz인 것을 특징으로 하는 내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 전류 파형은 반정현파인 것을 특징으로 하는 내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 산화피막의 두께는 5 내지 12 ㎛인 것을 특징으로 하는 내식성 마그네슘 합금 산화피막의 제조방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 산화피막이 형성된 것을 특징으로 하는 내식성 마그네슘재.
  8. 마그네슘 또는 마그네슘 합금 기판인 양극; 상기 마그네슘 합금 기판에 대응하는 음극; 상기 양극 및 음극에 교류 또는 직류 펄스를 인가하는 전원 공급수단; 및 상기 양극 및 음극이 수용되어, 상기 전원 공급수단으로부터 교류 또는 직류 펄스가 인가되면 전기화학적 플라즈마 산화 반응에 의해 상기 양극 표면에 산화피막이 형성되도록 하는 전해액을 포함하며, 상기 산화피막 형성 시 전류 밀도, 전류 진동수 및 전류 파형으로 이루어진 군에서 선택된 전기적 변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고내식성 마그네슘 합금의 산화피막 형성시스템.
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