KR20120119517A - Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same - Google Patents

Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same Download PDF

Info

Publication number
KR20120119517A
KR20120119517A KR1020110037489A KR20110037489A KR20120119517A KR 20120119517 A KR20120119517 A KR 20120119517A KR 1020110037489 A KR1020110037489 A KR 1020110037489A KR 20110037489 A KR20110037489 A KR 20110037489A KR 20120119517 A KR20120119517 A KR 20120119517A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
master mold
glass substrate
photosensitive glass
depositing
Prior art date
Application number
KR1020110037489A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101777772B1 (en
Inventor
이충한
임명현
최정욱
김선용
Original Assignee
주식회사 디엠에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 디엠에스 filed Critical 주식회사 디엠에스
Priority to KR1020110037489A priority Critical patent/KR101777772B1/en
Publication of KR20120119517A publication Critical patent/KR20120119517A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101777772B1 publication Critical patent/KR101777772B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80Etching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/06Silver salts
    • G03F7/063Additives or means to improve the lithographic properties; Processing solutions characterised by such additives; Treatment after development or transfer, e.g. finishing, washing; Correction or deletion fluids
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of a metallic master mold and the metallic master mold manufactured by the same are provided to improve productivity and reduce the possibility of failures. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metallic master mold includes the following steps: a seed metallic layer(3) is deposited on a substrate(1); a wafer(5) is bonded on the seed metallic layer; the wafer is exposed using a photo-mask; the exposed part of the wafer is removed by an etching operation; and a metallic pattern part(7) is formed at the wafer removed part by an electroplating operation; and the remaining part of the wafer is removed by a stripping operation.

Description

금속 마스터 몰드 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 마스터 몰드{Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same}Method for manufacturing metal master mold and master mold made by the same method

본 발명은 고종횡비를 요구하는 보안필름 등을 제조하는데 이용되는 금속 마스터 몰드의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 마스터 몰드에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method of a metal master mold used for producing a security film or the like requiring a high aspect ratio, and a master mold produced by the manufacturing method.

일반적으로 임프린트 장비에 사용되는 몰드는, 포토레지스트와 같은 약액을 기판에 코팅한 후 포토 마스크를 이용하여 노광하고, 비노광 부분을 현상액으로 용해시켜 제거하는 공정을 통해 제조한다. In general, a mold used in an imprint apparatus is manufactured through a process of coating a chemical solution such as a photoresist on a substrate and then exposing it using a photo mask, and dissolving and removing the non-exposed portion with a developer.

이러한 기존의 몰드의 제조 방법은, 감광성 격벽의 하부까지 감광이 어렵기 때문에 고종횡비를 요구하는 보안필름 등을 제조할 때 필요한 수백 마이크로미터 이상 높이의 격벽을 만들기 어려운 문제점이 있다.The existing method of manufacturing a mold has a problem that it is difficult to make a barrier having a height of several hundred micrometers or more necessary when manufacturing a security film or the like requiring a high aspect ratio because it is difficult to photosensitize to the lower portion of the photosensitive barrier.

특히, 고종횡비를 요구하는 보안필름 등을 기존의 임프린트 방식으로 제작할 때, 포토레지스트 몰드 특성상 패턴의 뜯김 현상, 눌림 현상이 발생하고 최소 선폭 및 최대 높이 구현이 어려운 문제점이 있다.In particular, when manufacturing a security film or the like that requires a high aspect ratio by the conventional imprint method, there is a problem in that the tearing of the pattern, the pressing phenomenon occurs due to the characteristics of the photoresist mold, and it is difficult to implement the minimum line width and the maximum height.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로써, 본 발명의 목적은 고종횡비 패턴에 대응이 가능하고 고종횡비를 요구하는 보안필름 등을 제조할 때 대량 생산이 가능하게 하고 상품성을 향상시키는 금속 마스터 몰드 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 마스터 몰드를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been proposed to solve the above problems, the object of the present invention is to be able to cope with the high aspect ratio pattern, mass production is possible when manufacturing a security film and the like that requires high aspect ratio and commercial properties The present invention provides a method for producing a metal master mold to be improved and a master mold produced by the method.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판에 시드메탈층을 증착하는 단계, 상기 시드메탈층을 증착하는 단계 후에 웨이퍼를 상기 시드메탈층에 본딩하는 단계, 상기 시드메탈층에 웨이퍼를 본딩하는 단계 후에 포토 마스크를 이용하여 상기 웨이퍼를 노광하는 단계, 상기 웨이퍼를 노광하는 단계 후에 상기 웨이퍼의 노광 부분을 제거하는 에칭 단계, 상기 에칭단계 후에 상기 웨이퍼가 제거된 부분에 전해 도금으로 금속 패턴부를 형성하는 단계, 그리고 상기 금속 패턴부를 형성하는 단계 후에 상기 웨이퍼의 나머지 부분을 제거하는 스트립 단계를 포함하는 금속 마스터 몰드 제조방법을 제공한다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the step of depositing a seed metal layer on a substrate, after the step of depositing the seed metal layer, bonding a wafer to the seed metal layer, the seed metal layer Exposing the wafer using a photo mask after bonding the wafer to the wafer, etching to remove the exposed portion of the wafer after exposing the wafer, and electroplating the portion from which the wafer is removed after the etching step Forming a metal pattern portion, and stripping the remaining portion of the wafer after forming the metal pattern portion.

또한, 본 발명은 기판에 시드메탈층을 증착하는 단계, 상기 시드메탈층을 증착하는 단계 후에 감광성 유리기판을 상기 시드메탈층에 본딩하는 단계, 상기 시드메탈층에 감광성 유리기판을 본딩하는 단계 후에 포토 마스크를 이용하여 상기 감광성 유리기판을 자외선으로 노광하는 단계, 상기 감광성 유리기판을 노광하는 단계 후에 상기 감광성 유리기판을 열처리하는 단계, 상기 감광성 유리기판을 열처리하는 단계 후에 상기 감광성 유리기판을 케미칼 에칭하여 노광부분을 제거하는 에칭단계, 상기 에칭단계 후에 상기 감광성 유리기판이 제거된 부분에 전해 도금으로 금속 패턴부를 형성하는 단계, 그리고 상기 금속 패턴부를 형성하는 단계 후에 상기 감광성 유리기판의 나머지 부분을 제거하는 스트립 단계를 포함하는 금속 마스터 몰드 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention after the step of depositing a seed metal layer on the substrate, after the step of depositing the seed metal layer, bonding a photosensitive glass substrate to the seed metal layer, after bonding the photosensitive glass substrate to the seed metal layer Chemically etching the photosensitive glass substrate after exposing the photosensitive glass substrate to ultraviolet light using a photomask, heat treating the photosensitive glass substrate after exposing the photosensitive glass substrate, and heat treating the photosensitive glass substrate. Etching to remove the exposed portion, forming the metal pattern portion by electroplating on the portion where the photosensitive glass substrate is removed after the etching step, and removing the remaining portion of the photosensitive glass substrate after forming the metal pattern portion. Metal master mold manufacturing method comprising a stripping step Provided.

상기 시드메탈층을 증착하는 단계는 티타늄텅스텐(TiW)으로 이루어지는 베이스층을 400-600Å 두께로 증착시킨 후 상기 베이스층의 상부에 금(Au)으로 이루어지는 금증착층을 1900-2100Å 두께로 증착시키는 것이 바람직하다.The seed metal layer may be deposited by depositing a base layer made of titanium tungsten (TiW) with a thickness of 400-600 μs and then depositing a gold deposition layer made of gold (Au) on the base layer with a thickness of 1900-2100 μs. It is preferable.

상기 웨이퍼는 실리콘으로 이루어지며, 두께가 165-185㎛ 범위로 이루어지는 것이 바람직하다.The wafer is made of silicon, the thickness is preferably in the range of 165-185㎛.

상기 에칭단계는 반응성 이온 에칭에 의한 드라이 에칭으로 이루어지는 것이 바람직하다.The etching step is preferably made of dry etching by reactive ion etching.

이와 같은 본 발명은 고종횡비 패턴에 대응이 가능하여 고종횡비를 요구하는 보안필름을 용이하게 제작할 수 있으며, 불량을 줄이고 생산성을 향상시키는 효과가 있다. Such a present invention can cope with a high aspect ratio pattern can easily produce a security film that requires a high aspect ratio, there is an effect of reducing defects and improving productivity.

또한, 본 발명은 감광성 유리기판을 이용하여 제조하는 방법은 대면적 마스터 몰드를 구현할 수 있는 효과를 가진다.In addition, the present invention has a method of manufacturing a large area master mold using a photosensitive glass substrate.

도 1은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위해 기판에 시드메탈을 증착하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위해 웨이퍼를 기판에 본딩하는 과정을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위해 웨이퍼에 포토공정을 수행하는 예를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위해 웨이퍼를 에칭하는 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위해 웨이퍼의 에칭된 부분에 금속 패턴을 증착하는 예를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예의 웨이퍼의 스트립 공정을 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 의해 마스터 몰드가 완성된 예를 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예로 감광성 유기기판을 기판에 본딩하는 예를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예로 감광성 유리기판을 노광하는 예를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예로 노광된 감광성 유리기판에 열처리를 가하는 과정을 설명하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예로 감광성 유리기판을 에칭하는 과정을 설명하는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예로 금속패턴부를 전해도금으로 형성하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예로 감광성 유리기판을 제거하는 과정을 설명하는 도면이다.
1 is a view for explaining a process of depositing seed metal on a substrate to explain a first embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining a process of bonding a wafer to a substrate in order to explain the first embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an example of performing a photo process on a wafer to explain the first embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining an example of etching a wafer in order to explain the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of depositing a metal pattern on an etched portion of a wafer to explain the first embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a diagram for explaining the stripping process of the wafer of the first embodiment of the present invention.
7 is a view showing an example in which the master mold is completed according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 8 is a plan view of Fig. 7. Fig.
9 is a view showing an example of bonding a photosensitive organic substrate to a substrate according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a view showing an example of exposing a photosensitive glass substrate according to a second embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining a process of applying heat treatment to the photosensitive glass substrate exposed in the second embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining a process of etching the photosensitive glass substrate according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a view illustrating a process of forming a metal pattern part by electroplating according to a second embodiment of the present invention.
14 is a view for explaining a process of removing the photosensitive glass substrate according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위해 마스터 몰드의 금속 패턴을 형성하는 방법을 순서대로 도시하고 있다.1 to 7 show a method of forming a metal pattern of a master mold in order to explain the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시예의 금속 마스터 몰드 제조방법은, 기판(1)에 시드메탈층(3, Seed metal layer)을 증착하는 단계, 웨이퍼(5)를 기판(1)에 본딩하는 단계, 웨이퍼(5)를 노광하는 단계, 웨이퍼(5)를 에칭하는 단계, 금속 패턴부(7)를 도금하는 단계, 웨이퍼(5)의 나머지 부분을 제거하는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a metal master mold according to the first embodiment of the present invention, the method includes depositing a seed metal layer 3 on the substrate 1, bonding the wafer 5 to the substrate 1, Exposing 5), etching the wafer 5, plating the metal pattern portion 7, and removing the remaining portion of the wafer 5.

기판(1)에 시드메탈층(3)을 증착하는 단계는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1)이 글라스(Glass) 등으로 이루어질 수 있으며, 이러한 기판(1)의 상부에 티타늄텅스텐(TiW)으로 이루어지는 베이스층(9)을 400-600Å 두께로 증착시킨다. 그리고 베이스층(9)의 상부에 금(Au)을 1900-2100Å 두께로 금증착층(11)을 증착시킨다. 기판(1)은 약 0.7mm 정도의 두께를 가지는 것이 바람직하다.Depositing the seed metal layer 3 on the substrate 1, as shown in FIG. 1, the substrate 1 may be made of glass, or the like, and the titanium tungsten is formed on the substrate 1. A base layer 9 made of (TiW) is deposited to a thickness of 400-600 mm 3. The gold deposition layer 11 is deposited on the base layer 9 to have a thickness of 1900-2100 μs of gold (Au). The substrate 1 preferably has a thickness of about 0.7 mm.

그리고 시드메탈층(3)을 증착한 후 웨이퍼(5)를 시드메탈층(3)에 본딩한다(도 2에 도시하고 있음). 이때 웨이퍼(5)는 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직하며, 그 두께가 165-185㎛ 범위로 이루어질 수 있다.After the seed metal layer 3 is deposited, the wafer 5 is bonded to the seed metal layer 3 (shown in FIG. 2). At this time, the wafer 5 is preferably made of silicon, the thickness may be made of 165-185㎛ range.

그리고 도 3에 도시하고 있는 바와 같이, 에칭을 위한 포토공정을 수행한다. 즉, 시드메탈층(3)에 웨이퍼(5)를 본딩하는 단계 후에 포토 마스크(13)를 이용하여 웨이퍼(5)를 노광한다.3, a photo process for etching is performed. That is, after bonding the wafer 5 to the seed metal layer 3, the wafer 5 is exposed using the photomask 13.

계속해서 웨이퍼(5)를 노광한 후에 웨이퍼(5)의 노광 부분을 에칭 공정을 통해 제거한다. 이러한 에칭 공정은 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching)에 의한 드라이 에칭으로 이루어지는 것이 바람직하다(도 4에 도시하고 있음).Subsequently, after exposing the wafer 5, the exposed portion of the wafer 5 is removed through an etching process. This etching process is preferably made by dry etching by reactive ion etching (shown in FIG. 4).

그리고 에칭 단계 후에 웨이퍼(5)가 제거된 부분에 전해 도금으로 금속 패턴부(7)를 형성한다(도 5에 도시하고 있음).After the etching step, the metal pattern portion 7 is formed by electroplating on the portion where the wafer 5 is removed (shown in FIG. 5).

금속패턴부(7)는 일예시로 니켈 및 코발트 계열을 금속 계열이 적용될 수 있다. As an example, the metal pattern part 7 may be nickel-based and cobalt-based.

그리고 금속 패턴부(7)를 전해 도금으로 증착한 단계 후에 웨이퍼(5)의 나머지 부분을 제거하는 스트립 단계를 수행한다(도 6에 도시하고 있음).After the step of depositing the metal pattern portion 7 by electroplating, a stripping step of removing the remaining portion of the wafer 5 is performed (shown in FIG. 6).

그러면 도 7에 도시하고 있는 바와 같이 금속 패턴부(7)만 남는다. 도 8은 도 7의 평면도로 마스터 몰드가 완성된 모양이다. 가운데 사각박스 부분이 양각으로 이루어진 금속 패턴부(7)이다.Then, only the metal pattern part 7 remains as shown in FIG. FIG. 8 is a plan view of FIG. 7 in which a master mold is completed. The center rectangular box portion is a metal pattern portion 7 made of an embossed.

이러한 금속패턴부(7)는 경도가 우수하고, 직진성이 좋으며 산화가 잘 이루어지지 않으면서 금속패턴부(7)의 가로에 대해 세로의 길이가 현저하게 긴 고종횡비를 실현할 수 있다. Such a metal pattern portion 7 is excellent in hardness, good straightness, and can achieve a high aspect ratio with a length that is remarkably long with respect to the width of the metal pattern portion 7 without oxidation.

도 9 내지 도 13은 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 본 발명의 제2 실시예는 상술한 제1 실시예와 비교하여 다른 점 만을 설명하고 상술한 제1 실시예와 동일한 부분은 상술한 제1 실시예의 설명으로 대치하기로 한다.9 to 13 are views for explaining a second embodiment of the present invention. The second embodiment of the present invention describes only the differences from the above-described first embodiment, and the same parts as the above-described first embodiment will be replaced by the description of the first embodiment.

본 발명의 제2 실시예의 금속 마스터 몰드 제조방법은, 기판(1)에 시드메탈층(3, Seed metal layer)을 증착하는 단계, 감광성 유리기판 (15)를 기판(1)에 본딩하는 단계, 감광성 유리기판(15)을 노광하는 단계, 감광성 유리기판 (15)를 열처리하는 단계, 감광성 유리기판(15)을 에칭하는 단계, 금속 패턴부(7)를 도금하는 단계, 그리고 감광성 유리기판(15)의 나머지 부분을 제거하는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a metal master mold according to the second embodiment of the present invention, the method includes depositing a seed metal layer 3 on a substrate 1, bonding the photosensitive glass substrate 15 to a substrate 1, Exposing the photosensitive glass substrate 15, heat treating the photosensitive glass substrate 15, etching the photosensitive glass substrate 15, plating the metal pattern portion 7, and photosensitive glass substrate 15. Removing the remaining portion of c).

기판(1)에 시드메탈층(3)을 증착하는 단계는 상술한 제1 실시예와 동일하므로 그 설명으로 대치하기로 한다. The step of depositing the seed metal layer 3 on the substrate 1 is the same as in the above-described first embodiment and will be replaced by the description thereof.

그리고 시드메탈층(3)을 증착한 후에 감광성 유리기판(15)을 시드메탈층(3)에 본딩한다(도 9에 도시하고 있음).After the seed metal layer 3 is deposited, the photosensitive glass substrate 15 is bonded to the seed metal layer 3 (shown in FIG. 9).

계속해서 시드메탈층(3)에 감광성 유리기판(15)을 본딩한 후에 포토 마스크(13)를 이용하여 감광성 유리기판(15)을 자외선으로 노광한다(도 10에 도시하고 있음). 감광성 유리기판(15)의 노광이 진행된 부분은 세라믹화가 되어 감광성 유리기판의 조성이 바뀌면서 식각을 통해 조성이 바뀐 부분이 쉽게 제거될 수 있다.Subsequently, after bonding the photosensitive glass substrate 15 to the seed metal layer 3, the photosensitive glass substrate 15 is exposed to ultraviolet rays using the photomask 13 (shown in FIG. 10). The exposed portion of the photosensitive glass substrate 15 may be ceramicized to change the composition of the photosensitive glass substrate, thereby easily removing the changed portion through etching.

그리고 감광성 유리기판(15)을 포토마스크(13)의 패턴에 따라 노광을 한 후 감광성 유리기판(15)을 열처리한다(도 11에 도시하고 있음).Then, the photosensitive glass substrate 15 is exposed to light according to the pattern of the photomask 13 and then the photosensitive glass substrate 15 is heat treated (shown in FIG. 11).

그리고 감광성 유리기판(15)을 열처리한 후 감광성 유리기판(15)을 케미칼 에칭한다(도 12에 도시하고 있음). 그러면 패턴에 따라 노광된 부분이 제거되어 일정한 패턴을 형성한다. 계속해서 에칭단계 후에 감광성 유리기판(15)이 제거된 부분에 전해 도금으로 금속 패턴부(7)를 형성한다(도 13에 도시하고 있음). After the heat treatment of the photosensitive glass substrate 15, the photosensitive glass substrate 15 is chemically etched (shown in FIG. 12). Then, the exposed portion is removed according to the pattern to form a constant pattern. Subsequently, after the etching step, the metal pattern portion 7 is formed by electroplating on the portion where the photosensitive glass substrate 15 is removed (shown in FIG. 13).

그리고 금속 패턴부(7)를 형성하는 단계 후에 감광성 유리기판(15)의 나머지 부분을 제거한다(도 14에 도시하고 있음). 이와 같이 감광성 유리기판(15)의 나머지 부분을 제거하는 스트립 과정을 거치면 시드 메탈층(3)의 상부에는 금속 패턴부(7) 만 남는다. 이러한 금속 패턴부(7)는 가로에 대해 세로의 길이가 긴 고종횡비를 갖는다. 이러한 고종횡비를 가지는 마스터 몰드는 보안필름 등의 제작에 있어 뜯김 현상, 눌림현상을 방지할 수 있고 최소 선폭 및 최대 높이를 구현하여 제품의 품질을 증대시킬 수 있다.After the step of forming the metal pattern portion 7, the remaining portion of the photosensitive glass substrate 15 is removed (shown in FIG. 14). As such, when the strip process removes the remaining portion of the photosensitive glass substrate 15, only the metal pattern part 7 remains on the seed metal layer 3. This metal pattern portion 7 has a high aspect ratio with a lengthwise length with respect to the width. The master mold having such a high aspect ratio can prevent tearing and crushing in the production of security films, and can improve product quality by realizing minimum line width and maximum height.

특히, 이러한 본원발명의 제2 실시예는 감광성 유리기판(15)을 사용하여 마스터 몰드를 제조하는 방법은 대면적 마스터 몰드를 제작하는 매우 유리한 이점이 있다.In particular, this second embodiment of the present invention is a method of manufacturing a master mold using the photosensitive glass substrate 15 has a very advantageous advantage of producing a large area master mold.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.

1. 기판,
3. 시드메탈층,
5. 웨이퍼,
7. 금속 패턴부,
9. 베이스층,
11. 금증착층,
13. 포토마스크,
15. 감광성 유리기판
1.substrate,
3. seed metal layer,
5. wafer,
7. Metal pattern part,
9. Base layer,
Gold deposit layer,
13. photomask,
15. Photosensitive glass substrate

Claims (7)

기판에 시드메탈층을 증착하는 단계,
상기 시드메탈층을 증착하는 단계 후에 웨이퍼를 상기 시드메탈층에 본딩하는 단계,
상기 시드메탈층에 웨이퍼를 본딩하는 단계 후에 포토 마스크를 이용하여 상기 웨이퍼를 노광하는 단계,
상기 웨이퍼를 노광하는 단계 후에 상기 웨이퍼의 노광 부분을 제거하는 에칭 단계,
상기 에칭단계 후에 상기 웨이퍼가 제거된 부분에 전해 도금으로 금속 패턴부를 형성하는 단계,
상기 금속 패턴부를 형성하는 단계 후에 상기 웨이퍼의 나머지 부분을 제거하는 스트립 단계,
를 포함하는 금속 마스터 몰드 제조방법.
Depositing a seed metal layer on the substrate,
Bonding a wafer to the seed metal layer after depositing the seed metal layer;
Exposing the wafer using a photo mask after bonding the wafer to the seed metal layer;
An etching step of removing the exposed portion of the wafer after the step of exposing the wafer,
Forming a metal pattern portion on the portion from which the wafer is removed after the etching step by electroplating;
Stripping the remaining portion of the wafer after forming the metal pattern portion,
Metal master mold manufacturing method comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 시드메탈층을 증착하는 단계는
티타늄텅스텐(TiW)으로 이루어지는 베이스층을 400-600Å 두께로 증착시킨 후
상기 베이스층의 상부에 금(Au)으로 이루어지는 금증착층을 1900-2100Å 두께로 증착시키는 금속 마스터 몰드 제조방법.
The method according to claim 1,
Depositing the seed metal layer
After depositing a base layer made of titanium tungsten (TiW) to a thickness of 400-600Å
The metal master mold manufacturing method for depositing a gold deposition layer made of gold (Au) on the base layer to a thickness of 1900-2100 1.
청구항 1에 있어서,
상기 웨이퍼는
실리콘으로 이루어지며,
두께가 165-185㎛ 범위로 이루어지는 금속 마스터 몰드 제조방법.
The method according to claim 1,
The wafer is
Made of silicone,
A method of manufacturing a metal master mold having a thickness in the range of 165-185 μm.
청구항 1에 있어서,
상기 에칭단계는
반응성 이온 에칭에 의한 드라이 에칭으로 이루어지는 금속 마스터 몰드 제조방법.
The method according to claim 1,
The etching step
A metal master mold manufacturing method comprising dry etching by reactive ion etching.
기판에 시드메탈층을 증착하는 단계,
상기 시드메탈층을 증착하는 단계 후에 감광성 유리기판을 상기 시드메탈층에 본딩하는 단계,
상기 시드메탈층에 감광성 유리기판을 본딩하는 단계 후에 포토 마스크를 이용하여 상기 감광성 유리기판을 자외선으로 노광하는 단계,
상기 감광성 유리기판을 노광하는 단계 후에 상기 감광성 유리기판을 열처리하는 단계,
상기 감광성 유리기판을 열처리하는 단계 후에 상기 감광성 유리기판을 케미칼 에칭하여 노광부분을 제거하는 에칭단계,
상기 에칭단계 후에 상기 감광성 유리기판이 제거된 부분에 전해 도금으로 금속 패턴부를 형성하는 단계,
상기 금속 패턴부를 형성하는 단계 후에 상기 감광성 유리기판의 나머지 부분을 제거하는 스트립 단계,
를 포함하는 금속 마스터 몰드 제조방법.
Depositing a seed metal layer on the substrate,
Bonding the photosensitive glass substrate to the seed metal layer after depositing the seed metal layer;
Exposing the photosensitive glass substrate to ultraviolet light using a photo mask after bonding the photosensitive glass substrate to the seed metal layer;
Heat treating the photosensitive glass substrate after exposing the photosensitive glass substrate;
An etching step of removing the exposed portion by chemically etching the photosensitive glass substrate after the heat treatment of the photosensitive glass substrate;
Forming a metal pattern part by electroplating on a portion where the photosensitive glass substrate is removed after the etching step;
Stripping the remaining portion of the photosensitive glass substrate after forming the metal pattern part;
Metal master mold manufacturing method comprising a.
청구항 5에 있어서,
상기 시드메탈층을 증착하는 단계는
티타늄텅스텐(TiW)으로 이루어지는 베이스층을 400-600Å 두께로 증착시킨 후
상기 베이스층의 상부에 금(Au)으로 이루어지는 금증착층을 1900-2100Å 두께로 증착시키는 금속 마스터 몰드 제조방법.
The method according to claim 5,
Depositing the seed metal layer
After depositing a base layer made of titanium tungsten (TiW) to a thickness of 400-600Å
The metal master mold manufacturing method for depositing a gold deposition layer made of gold (Au) on the base layer to a thickness of 1900-2100 1.
청구항 1 내지 7에 기재된 금속 마스터 몰드의 제조방법에 의해 제조된 마스터 몰드.The master mold manufactured by the manufacturing method of the metal master mold of Claims 1-7.
KR1020110037489A 2011-04-21 2011-04-21 Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same KR101777772B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037489A KR101777772B1 (en) 2011-04-21 2011-04-21 Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037489A KR101777772B1 (en) 2011-04-21 2011-04-21 Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120119517A true KR20120119517A (en) 2012-10-31
KR101777772B1 KR101777772B1 (en) 2017-09-13

Family

ID=47286748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110037489A KR101777772B1 (en) 2011-04-21 2011-04-21 Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101777772B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160145952A (en) 2015-06-11 2016-12-21 한국전기연구원 Master mold and a method of manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4129906B2 (en) * 2002-02-01 2008-08-06 Hoya株式会社 Photosensitive glass, method for processing the same, method for manufacturing components for inkjet printer, and method for manufacturing semiconductor substrate
JP2011067950A (en) * 2008-01-25 2011-04-07 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd Method of forming metallic film pattern

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160145952A (en) 2015-06-11 2016-12-21 한국전기연구원 Master mold and a method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101777772B1 (en) 2017-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150059643A1 (en) Type of fine metal mask (ffm) used in oled production and the method of manufacturing it
US8070970B2 (en) UV-LIGA process for fabricating a multilayer metal structure having adjacent layers that are not entirely superposed, and the structure obtained
US7025865B2 (en) Method for producing metal mask and metal mask
CN107365958A (en) The preparation method of metal mask plate
TWI756888B (en) Method for manufacturing a horological component
WO2012108464A1 (en) Substrate having etching mask and method for producing same
US11054740B2 (en) Imprint mold and method for manufacturing the same
JP2008265004A (en) Imprint mold and manufacturing method thereof
CN109979991A (en) A kind of photoetching process, T shape grid and transistor based on I-line and EBL production T shape grid
CN102881567B (en) A kind of Double-patterning method
KR20130050393A (en) Pattern forming method, substrate manufacturing method, and mold manufacturing method
KR20120119517A (en) Method to manufacture metal master mold and master mold made by the same
JP2021096249A (en) Method of manufacturing timepiece component and component produced using the same
JP4899638B2 (en) Mold manufacturing method
CN101713914B (en) Photomask and method of fabricating a photomask
KR20130060999A (en) Method of forming pattern
KR20080028305A (en) Photomask blank and manufacturing method thereof, photomask and manufacturing method thereof, photomask intermediate, and pattern transcription method
CN111812941B (en) High-precision silicon physical mask and manufacturing method thereof
KR101467633B1 (en) Photo Film Mask including DLC pattern and Manufacturing method thereof
US20190279871A1 (en) Method of enhancing generation efficiency of patterned optical coating
KR100901017B1 (en) Method for forming a metal pattern on substrate
KR101143620B1 (en) Method of fabricating photo mask for improving surface roughness
JP6992210B2 (en) How to make a timekeeper component and the components obtained by this method
TW202335066A (en) Full-board copper plating subtraction process for circuit substrates using ultra-thin photoresist
JPH01245257A (en) Mask and its production

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant