KR20120117484A - Inductively coupled plasma processing apparatus - Google Patents

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KR20120117484A
KR20120117484A KR1020110035265A KR20110035265A KR20120117484A KR 20120117484 A KR20120117484 A KR 20120117484A KR 1020110035265 A KR1020110035265 A KR 1020110035265A KR 20110035265 A KR20110035265 A KR 20110035265A KR 20120117484 A KR20120117484 A KR 20120117484A
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inductively coupled
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조생현
이향주
김진홍
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Abstract

PURPOSE: An inductively coupled plasma processing apparatus is provided to prevent damage to a dielectric by dispersing stress added to the dielectric. CONSTITUTION: A chamber body(110) has an opening formed on an upper portion. A dielectric(150) is installed in order to cover the opening of the chamber body. The dielectric includes one or more through holes(210). A substrate supporter(130) is installed to the chamber body in order to support a substrate(10). An antenna(160) is installed on an upper portion of the dielectric in order to form an induction field in a process space. A ceiling portion(170) is arranged on the upper portion of the chamber body. A plurality of dielectric supporting members(220) is inserted into a through hole(210) of the dielectric. The plurality of dielectric supporting members is combined with the ceiling portion in order to support the dielectric.

Description

유도결합 플라즈마 처리장치 {Inductively coupled plasma processing apparatus}Inductively coupled plasma processing apparatus

본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus.

유도결합 플라즈마 처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체와 챔버본체의 천정에 유전체를 설치하고 유전체의 상측에 고주파(RF) 안테나를 설치하여 안테나에 전원을 인가하여 처리공간에 유도전계를 형성하고 유도전계에 의하여 처리가스를 플라즈마화하여 기판처리를 수행한다.An inductively coupled plasma processing apparatus is a device for performing substrate processing such as a deposition process and an etching process. A dielectric is installed on a chamber body and a ceiling of a chamber body to form a closed processing space, and an RF antenna is installed on the dielectric. Then, power is applied to the antenna to form an induction field in the processing space, and the processing gas is plasma-processed by the induction field to perform substrate processing.

상기 유도결합 플라즈마 처리장치의 기판처리의 대상에는 LCD 패널용 기판, 웨이퍼 등 증착, 식각 등 기판처리가 필요한 대상이면 어떠한 기판도 가능하다.Any substrate may be used for the substrate treatment of the inductively coupled plasma processing apparatus as long as the substrate treatment, such as deposition or etching, is performed for substrates for LCD panels and wafers.

한편 대형기판에 대한 수요의 증가, 보다 많은 수의 기판처리에 의한 생산속도의 증가의 요구에 부응하여 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치 또한 대형화되고 있다. 그리고 상기 유도결합 플라즈마 처리장치가 대형화되면서, 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치되는 부재들, 특히 유전체의 크기 또한 대형화될 필요가 있다.On the other hand, inductively coupled plasma processing apparatuses that perform substrate processing in response to the demand for larger substrates and an increase in production speed by a larger number of substrate treatments are also being enlarged. In addition, as the inductively coupled plasma processing apparatus is enlarged, the size of members, particularly, dielectrics installed in the inductively coupled plasma processing apparatus needs to be increased.

그러나 대형의 유전체는 제조가 용이하지 아니하며 제조비용도 비싸 유전체를 지지하는 지지프레임을 설치하여 복수개로 분할된 유전체들을 설치하고 있다. 특히 상기 유전체를 지지하는 지지부재는 유전체를 견고하게 지지할 필요가 있는바 강성이 높은 재질인 금속재질이 사용된다.However, large dielectrics are not easy to manufacture and are expensive to manufacture, and a plurality of dielectrics are installed by installing a supporting frame supporting the dielectric. In particular, the supporting member for supporting the dielectric is a metal material of high rigidity bar is required to support the dielectric firmly.

그런데 유전체를 지지하기 위한 지지프레임의 재질로서 금속재질이 사용되는 경우 안테나에 전원이 인가될 때 지지프레임에 맴돌이전류가 발생하게 된다.However, when a metal material is used as a material of the support frame for supporting the dielectric, eddy currents are generated in the support frame when power is applied to the antenna.

따라서 종래의 유도결합 플라즈마 처리장치는 유도전계 형성을 위하여 안테나에 인가되는 파워가 유도전계 형성에 모두 사용되지 않고 지지프레임에 발생된 맴돌이전류로 일부가 소비되어 안테나의 파워손실의 원인으로서 작용하는 문제점이 있다.Therefore, in the conventional inductively coupled plasma processing apparatus, the power applied to the antenna to form the induction field is not used to form the induction field, but a part of the eddy current generated in the support frame is consumed to act as a cause of power loss of the antenna. There is this.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 파워손실을 최소화할 수 있도록 유전체 지지를 위한 지지구조를 가지는 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an inductively coupled plasma processing apparatus having a support structure for supporting a dielectric to minimize power loss.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 개구부를 복개하며 하나 이상의 관통공들이 형성된 하나 이상의 유전체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 유도전계를 형성하는 안테나와; 상기 유전체의 상측에 설치되는 천정부와; 일단이 상기 유전체의 상기 관통공에 삽입됨과 아울러 상기 관통공을 실링하도록 상기 유전체와 결합되며, 타단이 상기 천정부에 결합되어 상기 유전체를 지지하는 복수개의 유전체지지부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention comprises a chamber body having an opening formed on the upper side; At least one dielectric covering the opening to form a processing space together with the chamber body and having at least one through hole formed therein; A substrate support installed in the chamber body to support a substrate; An antenna installed on an upper side of the dielectric to form an induction field in the processing space; A ceiling portion provided above the dielectric; An inductive coupling having one end inserted into the through hole of the dielectric and coupled to the dielectric to seal the through hole, and the other end coupled to the ceiling to support the dielectric; A plasma processing apparatus is disclosed.

상기 관통공은 그 내주면이 적어도 일부에서 상기 유전체의 저면에서 상면 쪽으로 가면서 그 크기가 감소하는 지지부가 형성되며, 상기 유전체지지부재의 일단은 상기 지지부의 형상의 적어도 일부에 대응되는 지지면을 가질 수 있다.The through hole may have a supporting portion having a reduced size as the inner circumferential surface thereof goes from the bottom surface of the dielectric to the upper surface at least in part, and one end of the dielectric supporting member may have a supporting surface corresponding to at least a part of the shape of the supporting portion. have.

상기 유전체는 복수개로 설치되며, 상기 유전체와 이웃하는 유전체 사이에는 완충부재가 설치되며, 상기 유전체의 상면에는 상기 처리공간에서 진공압이 형성될 수 있도록 상기 처리공간을 밀폐시키기 위한 실링플레이트가 설치될 수 있다.The dielectric is provided in plural, and a buffer member is installed between the dielectric and the neighboring dielectric, and a sealing plate for sealing the processing space may be installed on the upper surface of the dielectric to form a vacuum pressure in the processing space. Can be.

상기 천정부는 복수개의 프레임들로 형성될 수 있다.The ceiling may be formed of a plurality of frames.

상기 천정부는 상기 안테나에서 발생하는 RF를 차폐하기 위하여 상기 안테나를 복개하도록 설치된 커버부재로 구성될 수 있다.The ceiling may be configured with a cover member installed to cover the antenna to shield the RF generated from the antenna.

상기 유전체지지부재의 지지면과 상기 유전체의 관통공의 지지부 사이에는 실링부재가 설치될 수 있다.A sealing member may be installed between the support surface of the dielectric support member and the support portion of the through hole of the dielectric.

상기 유전체지지부재에 결합되며, 저면 및 유전체지지부재가 삽입되는 내주면 중 적어도 어느 하나에 실링부재가 설치된 실링보조부재가 추가로 설치될 수 있다.A sealing auxiliary member coupled to the dielectric support member and provided with a sealing member on at least one of a bottom surface and an inner circumferential surface into which the dielectric support member is inserted may be additionally installed.

상기 유전체지지부재에 결합되며, 저면 및 유전체지지부재가 삽입되는 내주면 중 적어도 어느 하나에 실링부재가 설치된 실링보조부재가 추가로 설치될 수 있다.A sealing auxiliary member coupled to the dielectric support member and provided with a sealing member on at least one of a bottom surface and an inner circumferential surface into which the dielectric support member is inserted may be additionally installed.

상기 유전체지지부재에는 수나사부가 형성되며, 상기 수나사부에 나사결합되는 암나사부가 내주면에 형성되어 상기 실링보조부재를 유전체 쪽으로 가압하는 가압부재가 결합될 수 있다.The dielectric support member may include a male screw portion, and a female screw portion screwed to the male screw portion may be formed on an inner circumferential surface thereof, and a pressing member for pressing the sealing auxiliary member toward the dielectric may be coupled.

상기 유전체지지부재는 상기 유전체의 저면을 지지하는 연장부가 더 형성될 수 있다.The dielectric support member may further include an extension part supporting the bottom of the dielectric.

본 발명은 또한 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 개구부를 복개하며 하나 이상의 관통공들이 형성된 하나 이상의 유전체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 유도전계를 형성하는 안테나와; 상기 유전체의 상측에 설치되는 천정부와; 일단이 상기 유전체의 상기 관통공에 삽입되며 타단이 상기 천정부에 결합되어 상기 유전체를 지지하는 복수개의 유전체지지부재들을 포함하며, 상기 천정부는 상기 처리공간에서 진공압이 형성될 수 있도록 상기 챔버본체와 함께 밀폐된 내부공간을 형성하는 커버부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치를 개시한다.The present invention also comprises a chamber body with an opening formed on the upper side; At least one dielectric covering the opening to form a processing space together with the chamber body and having at least one through hole formed therein; A substrate support installed in the chamber body to support a substrate; An antenna installed on an upper side of the dielectric to form an induction field in the processing space; A ceiling portion provided above the dielectric; One end is inserted into the through hole of the dielectric and the other end is coupled to the ceiling includes a plurality of dielectric support members for supporting the dielectric, the ceiling is the chamber body and the vacuum pressure can be formed in the processing space and Disclosed is an inductively coupled plasma processing apparatus comprising a cover member for forming a closed inner space together.

상기 관통공은 그 내주면이 적어도 일부에서 상기 유전체의 저면에서 상면 쪽으로 가면서 그 크기가 감소하는 지지부가 형성되며, 상기 유전체지지부재의 일단은 상기 지지부의 형상의 적어도 일부에 대응되는 지지면을 가질 수 있다.The through hole may have a supporting portion having a reduced size as the inner circumferential surface thereof goes from the bottom surface of the dielectric to the upper surface at least in part, and one end of the dielectric supporting member may have a supporting surface corresponding to at least a part of the shape of the supporting portion. have.

상기 유전체는 복수개로 설치되며, 상기 유전체와 이웃하는 유전체 사이에는 완충부재가 설치될 수 있다.The dielectric may be provided in plural, and a buffer member may be installed between the dielectric and a neighboring dielectric.

상기 유전체지지부재는 상기 유전체의 저면을 지지하는 연장부가 더 형성될 수 있다.The dielectric support member may further include an extension part supporting the bottom of the dielectric.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 유전체에 뿔대형상과 같이 저면에서 상측으로 가면서 그 크기가 감소하는 관통공을 형성하고 그 관통공에 유전체지지부재를 삽입하여 상측에 설치된 천정부에 고정함으로써 유전체 지지를 위한 구조를 간단하게 구성할 수 있는 이점이 있다.The inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention forms a through hole having a reduced size while going from the bottom to the upper side like a horn-shaped shape in the dielectric, and inserts the dielectric support member into the through hole to fix the dielectric to the ceiling installed at the upper side. There is an advantage that it is possible to simply configure the structure for the support.

또한 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 유전체를 지지하는 유전체지지부재의 지지면을 상측으로 가면서 내주면의 단면적이 감소하는 형상으로 형성됨으로써 유전체를 지지할 수 있는 부분을 증가시켜 유전체를 보다 안정적으로 지지할 수 있는 이점이 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention is formed in a shape in which the cross-sectional area of the inner circumferential surface decreases while the support surface of the dielectric support member supporting the dielectric is directed upward, thereby increasing the portion capable of supporting the dielectric to make the dielectric more stable. There is a supportable advantage.

더나아가 상기와 같은 유전체지지부재의 지지면은 유전체에 가해지는 응력을 분산시킴으로써 유전체의 파손을 방지할 수 있다.Furthermore, the support surface of the dielectric support member as described above can prevent breakage of the dielectric by dispersing the stress applied to the dielectric.

특히 종래의 유도결합 플라즈마 처리장치는 유전체, 특히 복수개의 유전체를 지지하기 위하여 금속재질의 지지프레임을 사용하여 금속재질의 지지프레임에 의한 안테나의 파워손실이 발생하는데 반하여, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 금속재질의 지지프레임이 필요없거나 그 설치부분을 최소화함으로써 안테나의 파워손실을 최소화할 수 있는 이점이 있다.In particular, the conventional inductively coupled plasma processing apparatus uses a metal support frame to support a dielectric, particularly a plurality of dielectrics, while power loss of the antenna due to the metal support frame is generated. The processing apparatus has the advantage of minimizing the power loss of the antenna by eliminating a metal support frame or minimizing its installation.

도 1은 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체 및 유전체지지부재의 결합구조를 보여주는 일부단면도이다.
도 4는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체지지부재의 변형례를 보여주는 일부단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체지지부재의 다른 변형례를 보여주는 일부개념도들이다.
도 6은 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체 및 유전체지지부재의 결합구조의 다른 예를 보여주는 일부단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating a dielectric in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view illustrating a coupling structure of a dielectric and a dielectric support member in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 1.
4 is a partial cross-sectional view showing a modification of the dielectric support member in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG.
5A and 5B are some conceptual views illustrating another modified example of the dielectric support member in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 1.
6 is a partial cross-sectional view illustrating another example of a coupling structure of a dielectric and a dielectric support member in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 1.

이하 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체를 보여주는 평면도이고, 도 3은 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체 및 유전체지지부재의 결합구조를 보여주는 일부단면도이고, 도 4는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체지지부재의 변형례를 보여주는 일부단면도이고, 도 5a 및 도 5b는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체지지부재의 다른 변형례를 보여주는 일부개념도들이고, 도 6은 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 유전체 및 유전체지지부재의 결합구조의 다른 예를 보여주는 일부단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a dielectric in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a dielectric and a dielectric in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a coupling structure of the support member, Figure 4 is a partial cross-sectional view showing a modification of the dielectric support member in the inductively coupled plasma processing apparatus of Figure 1, Figures 5a and 5b in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. Some conceptual diagrams showing another modified example of the dielectric support member, and FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing another example of a coupling structure of the dielectric and the dielectric support member in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 1.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(110)와; 챔버본체(110)의 개구부를 복개하도록 설치되며 하나 이상의 관통공(210)들이 형성된 하나 이상의 유전체(150)와; 챔버본체(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 유전체(150)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나(160)와; 챔버본체(110) 상측에 설치되는 천정부(170)와; 일단이 유전체(150)의 관통공(210)에 삽입되며 타단이 천정부(170)에 결합되어 유전체(150)를 지지하는 복수개의 유전체지지부재(220)들을 포함한다.Inductively coupled plasma processing apparatus 100 according to the present invention, as shown in Figure 1, the chamber body 110 has an opening formed on the upper side; At least one dielectric 150 installed to cover the opening of the chamber body 110 and having at least one through hole 210 formed therein; A substrate support 130 installed on the chamber body 110 to support the substrate 10; An antenna 160 installed above the dielectric 150 to form an induction field in the processing space S; A ceiling unit 170 installed above the chamber body 110; One end is inserted into the through hole 210 of the dielectric 150 and the other end is coupled to the ceiling 170 and includes a plurality of dielectric support members 220 for supporting the dielectric 150.

상기 챔버본체(110)는 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The chamber body 110 is a configuration for forming the processing space (S) as long as it can withstand a predetermined vacuum pressure required for the process can be any configuration.

상기 챔버본체(110)는 처리되는 기판(10)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성되며 처리공간(S) 내의 압력제어 및 부산물을 제거하기 위하여 진공펌프(미도시)와 연결되는 배기관(180)이 연결될 수 있다.The chamber body 110 preferably has a shape corresponding to the shape of the substrate 10 to be processed, and at least one gate 111 for entering and exiting the substrate 10 is formed, and the pressure control in the processing space S is performed. And an exhaust pipe 180 connected to a vacuum pump (not shown) to remove the by-products.

또한 상기 챔버본체(110)는 개구부에 후술하는 유전체(150), 실링플레이트(190), 천정부(170)의 설치를 보조하기 위한 보조부재(112)가 설치될 수 있다.In addition, the chamber body 110 may be provided with an auxiliary member 112 to assist the installation of the dielectric 150, the sealing plate 190, the ceiling 170 to be described later in the opening.

상기 보조부재(112)는 오링(미도시) 등이 개재된 상태로 챔버본체(110) 상에 설치될 수 있으며, 유전체(150), 실링플레이트(190), 천정부(170)의 설치를 위하여 단차 등이 형성될 수 있다.The auxiliary member 112 may be installed on the chamber body 110 with an O-ring (not shown) or the like interposed therebetween, and a step for installing the dielectric 150, the sealing plate 190, and the ceiling 170 may be provided. And the like can be formed.

또한 상기 챔버본체(110)는 공정수행을 위하여 가스공급장치와 연결되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(140)가 설치될 수 있다.In addition, the chamber body 110 may be installed with a gas injection unit 140 connected to the gas supply device for performing the process to inject the gas into the processing space (S).

상기 가스분사부(140)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110)의 측벽에 설치되거나 유전체(150)의 하측에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.As shown in FIG. 1, the gas injection unit 140 may be installed in the side wall of the chamber body 110 or may be installed in the lower side of the dielectric 150.

특히 상기 가스분사부(140)는 도 1과는 달리 유전체(150)를 지지하는 지지프레임(미도시)이 설치된 경우에 지지프레임에 설치될 수도 있다.In particular, the gas injection unit 140 may be installed in the support frame when a support frame (not shown) for supporting the dielectric 150 is installed, unlike in FIG. 1.

상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 안착되는 구성으로서 기판(10)을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며 공정에 따라서 전원이 인가되거나 접지될 수 있으며, 냉각 또는 가열을 위한 열전달부재가 설치될 수 있다.The substrate support 130 may be any configuration as long as the substrate 10 is seated and capable of supporting the substrate 10. Power may be applied or grounded according to a process, and heat transfer for cooling or heating may be performed. The member can be installed.

상기 유전체(150)는 안테나(160)에 의하여 처리공간(S) 내에 유도전계를 형성할 수 있도록 처리공간(S)과 안테나(400) 사이에 개재되는 구성으로서 다양한 구조를 가질 수 있으며 그 재질은 석영, 세라믹 등이 사용될 수 있다.The dielectric 150 may have various structures as interposed between the processing space S and the antenna 400 to form an induction electric field in the processing space S by the antenna 160. Quartz, ceramics and the like can be used.

상기 유전체(150)는 대형기판의 처리를 위하여 단일의 유전체(150)로 구성되지 않고 복수개의 유전체(150)들로 구성되는 것이 바람직하다.The dielectric 150 is preferably composed of a plurality of dielectrics 150 instead of a single dielectric 150 for processing a large substrate.

이때 상기 유전체(150)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 이웃하는 유전체(150) 사이에는 테프론과 같은 신축성 있는 재질의 완충부재(171)가 설치될 수 있다.In this case, as shown in FIGS. 1 and 2, the dielectric 150 may be provided with a buffer member 171 of a stretchable material such as Teflon between neighboring dielectrics 150.

상기 완충부재(171)는 이웃하는 유전체(150)들과의 접촉에 의한 파손방지 및 기밀한 결합상태를 유지하기 위한 구성으로서, 유전체(150)와 이웃하는 유전체(150) 사이에 별도의 부재로서 개재되어 설치되거나, 이웃하는 유전체(150)와 접하는 면에 부착 또는 코팅되는 등 다양한 형태로 설치될 수 있다.The buffer member 171 is a component for preventing breakage due to contact with neighboring dielectrics 150 and maintaining a tightly coupled state, and as a separate member between the dielectric 150 and the neighboring dielectrics 150. It may be installed in an intervening manner, or may be installed in various forms such as attached or coated to a surface in contact with a neighboring dielectric 150.

상기 완충부재(171)는 유전체(150)와 이웃하는 유전체(150) 사이에 별도의 부재로서 개재되어 설치되는 경우 유전체(150)에 의하여 지지되거나 챔버본체(110), 특히 보조부재(112)에 지지되어 설치될 수 있다.The buffer member 171 is supported by the dielectric 150 or installed in the chamber body 110, in particular the auxiliary member 112, when installed as a separate member between the dielectric 150 and the neighboring dielectric 150. It can be supported and installed.

한편 상기 유전체(150)의 상면에는 처리공간(S)에서 진공압이 형성될 수 있도록 처리공간(S)을 밀폐시키기 위한 실링플레이트(190)가 설치될 수 있다. Meanwhile, a sealing plate 190 may be installed on the top surface of the dielectric 150 to seal the processing space S so that a vacuum pressure may be formed in the processing space S.

상기 실링플레이트(190)는 유전체(150)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 형성되는 진공압을 외부로 누설되는 것을 방지하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 테프론 또는 엔지니어링 플라스틱이 사용될 수 있다.The sealing plate 190 is installed on the upper side of the dielectric 150 to prevent leakage to the outside of the vacuum pressure formed in the processing space (S) is possible in a variety of configurations, Teflon or engineering plastics can be used have.

이때 상기 실링플레이트(190)는 챔버본체(110), 즉 보조부재(112)에 오링 등이 개재되어 결합프레임(113)에 의하여 결합될 수 있다.In this case, the sealing plate 190 may be coupled to the chamber body 110, that is, the auxiliary member 112 by the coupling frame 113 through the O-ring and the like.

상기 천정부(170)는 유전체(150)의 상측에 설치되어 후술하는 유전체지지부재(220)를 지지하기 위한 구성으로서, 유전체지지부재(220) 및 유전체지지부재(220)가 지지하는 유전체(170)의 하중을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성이 가능하다.The ceiling 170 is installed on the dielectric 150 to support the dielectric support member 220 to be described later. The dielectric support member 220 and the dielectric support member 220 support the dielectric 170. Any configuration can be used as long as it can support the load.

예를 들면, 상기 천정부(170)는 복수개의 프레임들로 구성되거나, 처리공간(S)에서 진공압이 형성될 수 있도록 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 내부공간을 형성하는 커버부재로 구성될 수 있다.For example, the ceiling 170 may be composed of a plurality of frames, or may be composed of a cover member for forming an interior space sealed with the chamber body 110 so that a vacuum pressure can be formed in the processing space (S). Can be.

상기 천정부(170)에 의하여 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 내부공간을 형성하게 되면 외부에서의 이물질이 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 안테나(160)에서 발생되는 RF를 차폐할 수 있는 이점이 있다. When the inner space sealed together with the chamber body 110 is formed by the ceiling 170, it is possible to prevent foreign matter from flowing into the inside and shield the RF generated from the antenna 160. There is an advantage.

한편 상기 천정부(170)을 구성하는 커버부재는 안테나(160)에서 발생되는 RF를 차폐하는 것을 목적으로 안테나(160)를 복개하도록 설치될 수 있다.The cover member constituting the ceiling 170 may be installed to cover the antenna 160 for the purpose of shielding the RF generated from the antenna 160.

한편 상기 천정부(170)는 챔버본체(110) 상 또는 보조부재(112) 상에 오링과 같은 실링부재가 개재된 상태로 결합되어 처리공간(S)을 포함하는 모든 공간을 외부와 격리함과 아울러 기판처리에 필요한 진공압을 유지하도록 구성될 수 있다.The ceiling 170 is coupled to a sealing member such as an O-ring on the chamber body 110 or the auxiliary member 112 to isolate all the spaces including the processing space S from the outside. It can be configured to maintain the vacuum pressure required for substrate processing.

상기와 같이 천정부(170)가 처리공간(S)을 포함하는 모든 공간을 외부와 격리하게 되면 유전체(150)에서의 실링이 불필요하여 장치의 구조가 간단해지는 이점이 있다.As described above, when the ceiling 170 separates all the spaces including the processing space S from the outside, the sealing of the dielectric 150 is unnecessary, thereby simplifying the structure of the device.

한편 본 발명에 따른 기판처리장치는 유전체(150)를 지지하기 위한 지지구조를 금속재질의 지지프레임을 사용하지 않거나 그 사용을 최소화하도록 구성됨을 특징으로 한다.On the other hand, the substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that the support structure for supporting the dielectric 150 is configured not to use a metal support frame or to minimize its use.

즉, 상기 유전체(150)는 상하로 관통되어 형성된 관통공(210) 및 일단이 유전체(150)의 관통공(210)에 삽입되며 타단이 천정부(170)에 결합되어 유전체(150)를 지지하는 복수개의 유전체지지부재(220)의 조합에 의하여 지지된다.That is, the dielectric 150 is inserted through the through hole 210 and one end is formed through the up and down through the through hole 210 of the dielectric 150 and the other end is coupled to the ceiling 170 to support the dielectric 150 It is supported by a combination of a plurality of dielectric support members 220.

상기 관통공(210)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 그 내주면이 적어도 일부에서 유전체(150)의 저면에서 상면 쪽으로 그 크기가 감소하는 지지부(211)가 형성된다.As shown in FIGS. 1 to 3, the through hole 210 has a support portion 211 having an inner circumferential surface thereof at least partially reduced from the bottom of the dielectric 150 toward the top surface thereof.

상기 지지부(211)의 형상은 상측으로 가면서 내주면의 단면적이 감소하는 형상을 가지면 어떠한 형상도 가능하다. 예를 들면 상기 지지부(211)의 형상은 원뿔대, 각뿔대 등 뿔대 형상을 가질 수 있다.The shape of the support portion 211 may be any shape as long as it has a shape in which the cross-sectional area of the inner circumferential surface decreases. For example, the shape of the support part 211 may have a horn shape, such as a truncated cone, a truncated cone, or the like.

한편 상기 유전체(150)는 관통공(210)이 형성된 부분 및 그 인근에 유전체지지부재(220)와의 견고한 결합을 위하여 금속재질 등 강성이 있는 부재가 별도로 설치될 수 있다.On the other hand, the dielectric 150 may be provided with a rigid member such as a metal material for the strong coupling with the dielectric support member 220 near the portion where the through hole 210 is formed.

그리고 상기 유전체지지부재(220)는 타단이 천정부(170)에 고정됨과 아울러 일단이 관통공(210)에 삽입되어 유전체(150)를 지지하도록 구성된다.The dielectric support member 220 is configured such that the other end is fixed to the ceiling 170 and one end is inserted into the through hole 210 to support the dielectric 150.

상기 유전체지지부재(220)는 유전체(150)를 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 유전체(150)의 하중 및 진공압을 견딜 수 있는 재질이면 어떠한 재질도 가능하며, 바 형태로 구성되는 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The dielectric support member 220 may be any configuration as long as it can support the dielectric 150. Any material may be used as long as it can withstand the load and vacuum pressure of the dielectric 150. It can have a variety of shapes, such as.

한편 상기 유전체지지부재(220)의 타단은 천정부(170)와 용접, 나사결합 등 다양한 방식에 의하여 결합될 수 있다.Meanwhile, the other end of the dielectric support member 220 may be coupled with the ceiling 170 by various methods such as welding and screwing.

그리고 상기 유전체지지부재(220)의 일단은 도 3에 도시된 바와 같이, 유전체(150)에 형성된 관통공(210)에 삽입되며, 관통공(210)의 지지부(211)의 형상의 적어도 일부에 대응되는 지지면(221)을 가진다.And one end of the dielectric support member 220 is inserted into the through hole 210 formed in the dielectric 150, as shown in Figure 3, at least a portion of the shape of the support portion 211 of the through hole 210 It has a corresponding support surface 221.

즉, 상기 유전체지지부재(220)의 지지면(221)은 관통공(210)의 지지부(211)와 대응되는 형상인 상측으로 가면서 내주면의 단면적이 감소하는 형상, 즉 원뿔대, 각뿔대 등의 뿔대 형상을 가진다. 여기서 상기 유전체지지부재(220)의 지지면(221)은 상측으로 가면서 내주면의 단면적이 감소하는 부분이 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 일부에만 형성될 수 있다.That is, the support surface 221 of the dielectric support member 220 has a shape in which the cross-sectional area of the inner circumferential surface decreases while going upward, corresponding to the support portion 211 of the through hole 210, that is, a truncated cone shape such as a truncated cone or a pyramid. Has Here, the support surface 221 of the dielectric support member 220 may be formed only in part as shown in Figs.

상기 유전체지지부재(220)는 지지면(221)이 관통공(210)의 지지부(211)와 대응되는 형상인 상측으로 가면서 내주면의 단면적이 감소하는 형상으로 형성됨으로써 유전체(150)를 지지할 수 있는 부분을 증가시켜 유전체(150)를 보다 안정적으로 지지할 수 있다.The dielectric support member 220 may support the dielectric 150 by forming a shape in which a cross-sectional area of an inner circumferential surface thereof decreases while the support surface 221 moves upward to a shape corresponding to the support portion 211 of the through hole 210. By increasing the portion, the dielectric 150 can be supported more stably.

또한 상기 유전체지지부재(220)는 상기와 같은 지지면(221)을 가지는 경우 유전체(150)에 가해지는 응력을 분산시킴으로써 유전체(150)의 파손을 방지할 수 있다.In addition, when the dielectric support member 220 has the support surface 221 as described above, it is possible to prevent breakage of the dielectric 150 by dispersing a stress applied to the dielectric 150.

한편 상기 유전체(150)는 챔버본체(110)를 복개하여 밀폐된 처리공간(S)을 형성하게 되는데 유전체지지부재(220)와의 결합을 위한 관통공(210)이 형성되어 처리공간(S)에 형성되는 진공압이 누설될 수 있다. On the other hand, the dielectric 150 covers the chamber body 110 to form a closed processing space S. A through hole 210 for coupling with the dielectric support member 220 is formed in the processing space S. The vacuum pressure formed may leak.

따라서 상기 유전체지지부재(220)는 유전체(150)와 결합될 때 관통공(210)을 실링하도록 결합됨이 바람직하다.Therefore, the dielectric support member 220 is preferably coupled to seal the through hole 210 when coupled with the dielectric 150.

즉, 상기 관통공(210)의 실링이 필요하며, 유전체(150) 및 유전체지지부재(220)가 결합되는 부분에서 다양한 방법에 의하여 실링됨으로써 관통공(210)이 실링될 수 있다.That is, the sealing of the through hole 210 is required, and the through hole 210 may be sealed by sealing in various ways at the portion where the dielectric 150 and the dielectric support member 220 are coupled.

상기 유전체지지부재(220)의 지지면(221)과 유전체(150)의 관통공(210)의 지지부(211) 사이에는 도 3에 도시된 바와 같이, 실링부재(251)가 설치될 수 있다. 여기서 실링의 보조를 위하여 실링플레이트(190)의 저면에도 실링부재(252)가 설치될 수 있다.As illustrated in FIG. 3, a sealing member 251 may be installed between the support surface 221 of the dielectric support member 220 and the support portion 211 of the through hole 210 of the dielectric 150. Here, the sealing member 252 may be installed on the bottom surface of the sealing plate 190 to assist the sealing.

또한 실링을 위한 다른 예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 유전체지지부재(220)에 결합되며, 저면 및 유전체지지부재(220)가 삽입되는 내주면 각각에 실링부재(253, 254)가 설치된 실링보조부재(261)가 추가로 설치될 수 있다. 여기서 상기 유전체지지부재(220)의 지지면(221)과 유전체(150)의 관통공(210)의 지지부(211) 사이에 실링부재(252)가 설치된 경우 유전체지지부재(220)가 삽입되는 내주면에는 실링부재(253)가 반드시 설치될 필요가 없다.In addition, as another example for sealing, as shown in Figure 4, coupled to the dielectric support member 220, the sealing member 253, 254 is provided on each of the inner peripheral surface of the bottom surface and the dielectric support member 220 is inserted Sealing auxiliary member 261 may be additionally installed. Here, when the sealing member 252 is installed between the support surface 221 of the dielectric support member 220 and the support portion 211 of the through hole 210 of the dielectric 150, the inner circumferential surface into which the dielectric support member 220 is inserted The sealing member 253 does not necessarily need to be installed.

이때 상기 유전체지지부재(220)에는 수나사부(263)가 형성되며, 수나사부(263)에 나사결합되는 암나사부가 내주면에 형성되어 실링보조부재(261)를 유전체(150) 쪽으로 가압하는 가압부재(262)가 결합된다.In this case, a male screw portion 263 is formed on the dielectric support member 220, and a female screw portion screwed to the male screw portion 263 is formed on an inner circumferential surface to press the sealing auxiliary member 261 toward the dielectric 150. 262 is combined.

상기 실링부재(251, 252, 253, 254)들은 각각 두 부재들 사이에 설치되어 실링하기 위한 구성으로서 오링 등이 사용될 수 있으며, 각 부재에 형성된 홈에 일부가 삽입되어 설치될 수 있다.The sealing members 251, 252, 253, and 254 may each be provided with an O-ring or the like as a configuration for sealing the two members and be inserted into a groove formed in each member.

한편 상기 유전체지지부재(220)는 또 다른 예로서, 도 6에 도시된 바와 같이, 지지면(221) 이외에 유전체(150)의 저면을 지지하는 연장부(223)가 더 형성될 수 있다.Meanwhile, as another example, as shown in FIG. 6, the dielectric support member 220 may further include an extension 223 supporting the bottom of the dielectric 150 in addition to the support surface 221.

상기 연장부(223)은 유전체(150)의 저면을 지지하기 위한 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 도 6에 도시된 바와 같이, 유전체지지부재(220)의 끝단으로부터 연장형성되거나, 별도의 부재로서 유전체지지부재(220)의 끝단에 결합될 수 있다. The extension part 223 may have any configuration as long as it is a structure for supporting the bottom of the dielectric 150. As shown in FIG. 6, the extension part 223 extends from the end of the dielectric support member 220, or as a separate member. It may be coupled to the end of the dielectric support member 220.

또한 상기 연장부(223)는 금속 재질인 경우 도 6에 도시된 바와 같이, 기판처리에 영향을 주는 것을 방지하기 위하여 세라믹재질의 캡부재(224)에 의하여 복개될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 6, the extension part 223 may be covered by a cap member 224 of a ceramic material to prevent affecting the substrate treatment.

한편 앞서 설명한 유전체지지부재(220)들 및 유전체(150) 중 적어도 어느 하나는 서로 접촉하는 부분에 테프론 재질 등의 완충재가 개재되거나, 코팅될 수 있다.
Meanwhile, at least one of the dielectric support members 220 and the dielectric 150 described above may be interposed or coated with a buffer material such as a Teflon material at a portion in contact with each other.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
Since the above has been described only with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, the scope of the present invention, as is well known, should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above It will be said that both the technical idea and the technical idea which together with the base are included in the scope of the present invention.

110 : 챔버본체 130 : 기판지지대
150 : 유전체
210 : 관통공 220 : 유전체지지부재110: chamber body 130: substrate support
150: dielectric
210: through hole 220: dielectric support member

Claims (14)

상측에 개구부가 형성된 챔버본체와;
상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 개구부를 복개하며 하나 이상의 관통공들이 형성된 하나 이상의 유전체와;
상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 유도전계를 형성하는 안테나와;
상기 유전체의 상측에 설치되는 천정부와;
일단이 상기 유전체의 상기 관통공에 삽입됨과 아울러 상기 관통공을 실링하도록 상기 유전체와 결합되며 타단이 상기 천정부에 결합되어 상기 유전체를 지지하는 복수개의 유전체지지부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.A chamber body having an opening formed at an upper side thereof;
At least one dielectric covering the opening to form a processing space together with the chamber body and having at least one through hole formed therein;
A substrate support installed in the chamber body to support a substrate; An antenna installed on an upper side of the dielectric to form an induction field in the processing space;
A ceiling portion provided above the dielectric;
An inductively coupled plasma comprising a plurality of dielectric support members having one end inserted into the through hole of the dielectric and coupled to the dielectric to seal the through hole, and the other end coupled to the ceiling to support the dielectric. Processing unit. 청구항 1에 있어서,
상기 관통공은 그 내주면이 적어도 일부에서 상기 유전체의 저면에서 상면 쪽으로 가면서 그 크기가 감소하는 지지부가 형성되며,
상기 유전체지지부재의 일단은 상기 지지부의 형상의 적어도 일부에 대응되는 지지면을 가지는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 1,
The through hole has a support portion in which its inner circumferential surface is reduced in size at least in part from the bottom of the dielectric toward the top surface,
One end of the dielectric support member has a support surface corresponding to at least a portion of the shape of the support portion plasma processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 유전체는 복수개로 설치되며, 상기 유전체와 이웃하는 유전체 사이에는 완충부재가 설치되며,
상기 유전체의 상면에는 상기 처리공간에서 진공압이 형성될 수 있도록 상기 처리공간을 밀폐시키기 위한 실링플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 1,
The dielectric is provided in plurality, a buffer member is provided between the dielectric and the neighboring dielectric,
Inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that a sealing plate for sealing the processing space is installed on the upper surface of the dielectric so that a vacuum pressure can be formed in the processing space. 청구항 1에 있어서,
상기 천정부는 복수개의 프레임들로 형성된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 1,
Inductively coupled plasma processing apparatus characterized in that the ceiling is formed of a plurality of frames. 청구항 1에 있어서,
상기 천정부는 상기 안테나에서 발생하는 RF를 차폐하기 위하여 상기 안테나를 복개하도록 설치된 커버부재인 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 1,
The ceiling unit is an inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the cover member provided to cover the antenna to shield the RF generated from the antenna. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유전체지지부재의 지지면과 상기 유전체의 관통공의 지지부 사이에는 실링부재가 설치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
And a sealing member is provided between the support surface of the dielectric support member and the support portion of the through hole of the dielectric. 청구항 6에 있어서,
상기 유전체지지부재에 결합되며, 저면 및 유전체지지부재가 삽입되는 내주면 중 적어도 어느 하나에 실링부재가 설치된 실링보조부재가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 6,
Inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the sealing auxiliary member is coupled to the dielectric support member, the sealing auxiliary member is further provided on at least one of the bottom surface and the inner peripheral surface into which the dielectric support member is inserted. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유전체지지부재에 결합되며, 저면 및 유전체지지부재가 삽입되는 내주면에 실링부재가 설치된 실링보조부재가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the sealing auxiliary member is coupled to the dielectric support member, the sealing auxiliary member is further provided on the inner surface and the inner peripheral surface into which the dielectric support member is inserted. 청구항 8에 있어서,
상기 유전체지지부재에는 수나사부가 형성되며, 상기 수나사부에 나사결합되는 암나사부가 내주면에 형성되어 상기 실링보조부재를 유전체 쪽으로 가압하는 가압부재가 결합된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 8,
And a male screw portion formed on the dielectric support member, and a female screw portion screwed to the male screw portion is formed on an inner circumferential surface thereof, and a pressing member for pressing the sealing auxiliary member toward the dielectric is coupled. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유전체지지부재는 상기 유전체의 저면을 지지하는 연장부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The dielectric support member is an inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the extension further supporting the bottom surface of the dielectric. 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 개구부를 복개하며 하나 이상의 관통공들이 형성된 하나 이상의 유전체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 유도전계를 형성하는 안테나와; 상기 유전체의 상측에 설치되는 천정부와; 일단이 상기 유전체의 상기 관통공에 삽입되며 타단이 상기 천정부에 결합되어 상기 유전체를 지지하는 복수개의 유전체지지부재들을 포함하며,
상기 천정부는 상기 처리공간에서 진공압이 형성될 수 있도록 상기 챔버본체와 함께 밀폐된 내부공간을 형성하는 커버부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.A chamber body having an opening formed at an upper side thereof; At least one dielectric covering the opening to form a processing space together with the chamber body and having at least one through hole formed therein; A substrate support installed in the chamber body to support a substrate; An antenna installed on an upper side of the dielectric to form an induction field in the processing space; A ceiling portion provided above the dielectric; One end is inserted into the through hole of the dielectric and the other end is coupled to the ceiling includes a plurality of dielectric support members for supporting the dielectric,
The ceiling includes an inductively coupled plasma processing apparatus comprising a cover member for forming a sealed inner space together with the chamber body so that a vacuum pressure can be formed in the processing space. 청구항 11에 있어서,
상기 관통공은 그 내주면이 적어도 일부에서 상기 유전체의 저면에서 상면 쪽으로 가면서 그 크기가 감소하는 지지부가 형성되며, 상기 유전체지지부재의 일단은 상기 지지부의 형상의 적어도 일부에 대응되는 지지면을 가지는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
The through hole may have a supporting portion having a reduced size as the inner circumferential surface thereof goes from the bottom to the upper surface of the dielectric at least in part, and one end of the dielectric supporting member has a supporting surface corresponding to at least a part of the shape of the supporting portion. Inductively coupled plasma processing apparatus characterized in that. 청구항 11에 있어서,
상기 유전체는 복수개로 설치되며, 상기 유전체와 이웃하는 유전체 사이에는 완충부재가 설치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
The dielectric is provided in plural, inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the buffer member is provided between the dielectric and the neighboring dielectric. 청구항 11에 있어서,
상기 유전체지지부재는 상기 유전체의 저면을 지지하는 연장부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
The dielectric support member is an inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the extension further supporting the bottom surface of the dielectric.
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