KR20120112971A - Susceptor device for manufacturing semiconductor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A susceptor for a wafer manufacturing apparatus is provided to improve auto doping of a wafer edge by forming a punching hole on a declined part of a susceptor. CONSTITUTION: A flat shaped central part(200) is formed on a lower part of a backside of a wafer. An inclined peripheral part(300) is formed on a lower edge part of the wafer. The peripheral unit comprises a contact part(320) and a declined part(340). The declined part is formed between the contact part and the central part. Punching holes(H1,H2) having different densities are formed on the declined part according to a deposition rate of each angle of the wafer. [Reference numerals] (AA) 120 degrees; (BB) 90 degrees; (CC) 60 degrees; (DD) 30 degrees; (EE) 0 degree; (FF) 330 degrees; (GG) 150 degrees; (HH) 180 degrees; (II) 210 degrees; (JJ) 240 degrees; (KK) 270 degrees; (LL) 300 degrees

Description

웨이퍼 제조장치의 서셉터{Susceptor device for manufacturing semiconductor}Susceptor for wafer manufacturing apparatus

본 발명은 에피택셜 웨이퍼를 제조하는 장치의 서셉터(susceptor)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼의 가장자리부의 평탄도(flatness)를 개선하기 위한 서셉터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to susceptors in apparatuses for manufacturing epitaxial wafers, and more particularly to susceptors for improving flatness of edges of semiconductor wafers.

에피택셜 웨이퍼는 기판으로 사용되는 폴리쉬드 웨이퍼(Polished wafer)에 1100도 이상의 고온으로 가열된 반응기의 화학 기상 증착법에 의해 얇은 단결정 층을 형성한 웨이퍼이다. 이때 화학 기상 증착법은 원료로 사용되는 가스를 기상에서 고상으로 상변이를 유도하기 때문에 원료 가스의 유체 흐름, 기판 웨이퍼를 지지해주는 서셉터의 재질 및 모형, 원료 가스를 라디컬로 분해시켜주는 에너지 원의 조화가 중요하다. An epitaxial wafer is a wafer in which a thin single crystal layer is formed by a chemical vapor deposition method of a reactor heated to a high temperature of 1100 degrees or more on a polished wafer used as a substrate. At this time, the chemical vapor deposition method induces a phase transition from the gaseous phase to the solid phase, so that the fluid flow of the raw material gas, the material and model of the susceptor supporting the substrate wafer, and the energy source that radically decomposes the raw material gas. Harmony is important.

특히 300㎜의 대구경 웨이퍼에서는 웨이퍼 가장자리부분까지 균일한 에피택셜 증착이 어렵기 때문에 반응기 내 가스의 유체 흐름과 서셉터 모형이 중요 변수가 된다. Particularly, for 300 mm large diameter wafers, uniform epitaxial deposition to the wafer edge is difficult, so the fluid flow and the susceptor model of the reactor become important variables.

근래 MPU(Micro Processor Unit)나 플래시 메모리 등 고성능 디바이스에 에피택셜 실리콘 웨이퍼가 사용되고 있다. 디바이스가 고집적화될 수록 웨이퍼 가장자리의 끝단, 즉 주변부까지 고평탄도를 갖는 웨이퍼가 요구된다. 그러나, 기판이 되는 실리콘 단결정 웨이퍼의 주변부는 결정 방향에 따른 에피택셜 막의 성장 속도 차이가 발생하기 때문에 고평탄도를 이루기가 매우 힘들다.In recent years, epitaxial silicon wafers have been used for high performance devices such as microprocessor units (MPUs) and flash memories. The higher the density of the device, the higher the flatness of the wafer edge, i.e. the periphery, is required. However, it is very difficult to achieve high flatness because the difference in the growth rate of the epitaxial film occurs in the peripheral portion of the silicon single crystal wafer serving as the substrate.

도 1 및 도 2는 에피택셜 웨이퍼의 각도별 가장자리 부분들의 두께 편차를 도식화 하기 위한 도면이다. 웨이퍼 주변부 1㎜에서 6㎜의 두께 차이를 각도별로 확인하면 45도, 135도, 225도, 315도(이하, <100>방향이라고 명칭.)에서 급격한 두께의 롤 오프(roll off)가 발생하며, 0, 90도, 180도, 270도(이하, <110> 방향이라고 명칭.) 방향의 경우 급격한 롤 업(roll up)을 나타내어 웨이퍼의 360도 전방위로 균일한 평탄도를 얻기가 매우 어려움을 알 수 있다. 1 and 2 are diagrams for illustrating the thickness variation of the edge portion by angle of the epitaxial wafer. When the thickness difference of 1 mm to 6 mm around the wafer is determined for each angle, a sharp roll off occurs at 45 degrees, 135 degrees, 225 degrees, and 315 degrees (hereinafter, referred to as a <100> direction). , 0, 90, 180, and 270 degrees (hereinafter referred to as <110> direction) shows a sudden roll up, which makes it very difficult to obtain uniform flatness 360 degrees of the wafer. Able to know.

종래의 평탄도를 개선하기 위해 에피택셜 공정의 온도, 원료 가스인 TCS 및 캐리어 가스인 H2 등의 공정조건 변경으로 대응해왔으나, 디바이스의 집적도가 높아질수록 웨이퍼의 주변부까지 소자가 형성되기 때문에 웨이퍼 주변부까지 고평탄도를 확보할 필요가 있는데, 기존의 공정조건으로는 현재 한계에 봉착해 있다. Temperature of the epitaxial process to improve the prior art flatness, a source gas of TCS, and the carrier gas is wateuna in response to changing process conditions such as H 2, the higher the degree of integration of the device wafer since the device is formed up to the peripheral portion of the wafer It is necessary to secure high flatness to the periphery, which is currently limited by existing process conditions.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 웨이퍼의 주변부까지 고평탄도(flatness)를 유지할 수 있고, 오토 도핑(auto doping)을 제어하면서 웨이퍼 백사이드(wafer backside)의 손상을 최소화하는 서셉터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention was devised to solve the above problems, and can maintain high flatness up to the periphery of the wafer and control damage to the wafer backside while controlling auto doping. Its purpose is to provide a susceptor to minimize.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 제조장치의 서셉터는 웨이퍼 후면의 하부에 평면으로 형성된 중심부와 상기 웨이퍼의 가장자리 하부에 경사지게 형성된 주변부를 포함하고, 주변부는 웨이퍼의 가장자리가 접촉하여 얹혀지는 접촉부 및 웨이퍼의 각도별 성막속도에 따라 서로 다른 밀도의 타공홀이 형성된 경사부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The susceptor of the wafer manufacturing apparatus for achieving the above object includes a central portion formed in a plane on the lower portion of the back of the wafer and a peripheral portion inclined below the edge of the wafer, the peripheral portion is a contact portion which the edge of the wafer is placed on contact; It characterized in that it comprises an inclined portion in which the perforated holes of different densities are formed according to the deposition rate for each angle of the wafer.

본 발명에 따르면 서셉터의 경사부에 타공홀을 형성함으로써, 웨이퍼 가장자리 부분의 오토 도핑(auto doping)을 개선하는 효과를 갖는다.According to the present invention, the perforated hole is formed in the inclined portion of the susceptor, thereby improving the auto doping of the edge portion of the wafer.

또한, 웨이퍼의 각도별 성막 속도의 차이에 따라 서셉터의 타공홀 밀도를 조절함으로써, 성막 속도의 차이를 보상하고, 이에 의해 웨이퍼의 평탄화도를 높이는 효과를 갖는다.In addition, by adjusting the perforation hole density of the susceptor according to the difference in the deposition rate for each angle of the wafer, the difference in the deposition rate is compensated, thereby increasing the planarization degree of the wafer.

도 1 및 도 2는 에피택셜 웨이퍼의 각도별 가장자리 부분들의 두께 편차를 도식화하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 제조장치의 개략적 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 제조장치의 서셉터의 단면도.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 주변부의 일부를 확대한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서셉터의 평면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 서셉터의 일부 단면도.1 and 2 are diagrams for plotting thickness variation of angled edge portions of an epitaxial wafer.
3 is a schematic cross-sectional view of a wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view of the susceptor of the wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the peripheral portion according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view of a susceptor according to an embodiment of the present invention.
7 is a partial cross-sectional view of a susceptor according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately It should be interpreted in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be defined.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상에 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention, and do not represent all of the technical idea of the present invention, which can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be various equivalents and variations.

본 발명에 따른 서셉터는 반도체 웨이퍼를 지지하고, 원반형으로 구성될 수 있다. 서셉터는 예를 들어, 150㎜, 200㎜ 및 300㎜의 웨이퍼를 포함하는 임의 직경의 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있는 크기로 조정되고 구성될 수 있다. 서셉터는 고순도 흑연 등의 종래의 재료로 구성될 수도 있고, 고온의 에피택셜 증착 공정 중에 흑연으로부터 주변 환경으로 방출되는 오염물의 양을 감소시키기 위해, 흑연을 커버하는 실리콘 카바이드 층을 가진다. The susceptor according to the present invention supports a semiconductor wafer and may be configured in a disk shape. The susceptor can be sized and configured to accommodate semiconductor wafers of any diameter, including, for example, wafers of 150 mm, 200 mm and 300 mm. The susceptor may be composed of conventional materials, such as high purity graphite, and has a silicon carbide layer covering the graphite to reduce the amount of contaminants released from the graphite into the surrounding environment during the high temperature epitaxial deposition process.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 제조장치(10)의 개략적 단면도이다. 웨이퍼 제조장치(10)의 내부는 에피택셜막 형성을 위한 공간이라 할 수 있다.3 is a schematic cross-sectional view of a wafer manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. The inside of the wafer manufacturing apparatus 10 may be referred to as a space for forming an epitaxial film.

웨이퍼 제조장치(10)는 상부 돔(50), 하부 돔(55)을 포함한다. 상부 돔(50)과 하부 돔(55)은 웨이퍼(W)의 복사 가열을 위해 광을 통과시킬 수 있는 고순도 석영과 같은 투과성 물질로 구성된다. 또한, 석영은 비교적 높은 구조적 강도를 나타내며 웨이퍼 제조 장치(10)의 프로세스 환경에 대해 화학적으로 비활성이다.The wafer manufacturing apparatus 10 includes an upper dome 50 and a lower dome 55. The upper dome 50 and the lower dome 55 are made of a transmissive material such as high purity quartz that can pass light for radiant heating of the wafer W. In addition, quartz exhibits relatively high structural strength and is chemically inert to the process environment of the wafer fabrication apparatus 10.

웨이퍼 제조장치(10)의 위아래에 배치된 서셉터(100) 및 웨이퍼(W)는 복수의 가열 장치(11)에 의해 가열된다. 사용되는 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼로서, 예를 들면, 직경이 300㎜, 두께가 775㎛이고, 표면 평면 배향(surface planar orientation)이고, 저항률이 5~10mΩ㎝(mili-ohm-㎝)이며, 양쪽면이 경면 다듬질(mirrired finish)된 P형 실리콘 단결정 웨이퍼이다. 실리콘 웨이퍼의 배면상에는 실리콘 산화막(보호막)이 형성되어 있지 않고, 웨이퍼의 양면은 단결정 실리콘면이다. The susceptor 100 and the wafer W disposed above and below the wafer manufacturing apparatus 10 are heated by a plurality of heating devices 11. The wafer used is a silicon wafer, for example, having a diameter of 300 mm, a thickness of 775 μm, a surface planar orientation, a resistivity of 5 to 10 mΩ (mili-ohm-cm), and both sides. This is a mirror-finished P-type silicon single crystal wafer. A silicon oxide film (protective film) is not formed on the back surface of the silicon wafer, and both surfaces of the wafer are single crystal silicon surfaces.

가스 공급 개구(60)와 가스 배출 개구(65)가 웨이퍼 제조장치(10)의 서로 반대 방향에 형성되어 있다. 가스 배출 개구(65)는 가스 공급 개구(60)를 통해 공급된 수소 가스 및 에피택셜 성장을 위한 운반 가스 등을 배출할 수 있다. The gas supply opening 60 and the gas discharge opening 65 are formed in opposite directions of the wafer manufacturing apparatus 10. The gas discharge opening 65 may discharge hydrogen gas supplied through the gas supply opening 60, a carrier gas for epitaxial growth, and the like.

서셉터(100)는 서셉터(130)의 하부면의 외측 부분이 서셉터 회전축(70)과 연동하여 회전된다. 서셉터(100)는 SiC막이 표면에 부착된 탄소계 재료로 만들어진다.The susceptor 100 is rotated in conjunction with the susceptor rotation axis 70 of the outer portion of the lower surface of the susceptor 130. The susceptor 100 is made of a carbon-based material having a SiC film attached to the surface thereof.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 제조장치의 서셉터(100)의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of the susceptor 100 of the wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 서셉터는 웨이퍼(W) 후면의 하부에 평면으로 형성된 중심부(200)와 웨이퍼(W)의 가장자리 하부에 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 직경의 둘레로 경사지게 형성된 주변부(300)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the susceptor according to the present invention is inclined around a diameter larger than the outer diameter of the wafer W at the center 200 formed in a plane at the bottom of the back surface of the wafer W and below the edge of the wafer W. FIG. It includes a peripheral portion 300 formed.

중심부(200)에는 배기를 위한 홀(미도시)이 복수 개 형성되어 있다. 웨이퍼 제조 과정 중 에피 공정을 진행하는 중에 이러한 홀을 통해 서셉터(100)의 외부의 클리닝(cleaning) 가스가 서셉터(100)를 통과하여 웨이퍼(W)의 후면 전체에 접촉하게 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 후면까지 확산된 소스 가스를 상기 홀을 통해 서셉터(100)의 외부로 배출시킨다. The central portion 200 has a plurality of holes (not shown) for exhausting. During the epitaxial process of the wafer manufacturing process, the cleaning gas outside the susceptor 100 passes through the susceptor 100 and contacts the entire rear surface of the wafer W through the hole. In addition, the source gas diffused to the rear surface of the wafer W is discharged to the outside of the susceptor 100 through the hole.

도 5는 도 4에 도시된 주변부(300)의 일부(A)를 확대한 도면이다. 도 5를 참조하면, 주변부(300)는 웨이퍼(W)의 가장자리 부분이 접촉하여 얹혀지는 접촉부(320) 및 웨이퍼(W)의 각도별 성막속도에 따라 서로 다른 밀도의 타공홀(H)이 형성된 경사부(340)를 포함한다.FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of the peripheral part 300 illustrated in FIG. 4. Referring to FIG. 5, the periphery part 300 has perforated holes H having different densities according to deposition rates for different angles of the contact part 320 and the wafer W on which the edge portions of the wafer W are in contact with each other. It includes a slope 340.

접촉부(320)는 웨이퍼(W)의 외주 가장자리 부분과 선 접촉 또는 점 접촉에 의해 웨이퍼(W)를 지지한다.The contact portion 320 supports the wafer W by line contact or point contact with the outer peripheral edge portion of the wafer W.

경사부(340)는 접촉부(320)와 중심부(200) 사이에 형성되고, 웨이퍼(W)의 가장자리와 비접촉하는 영역이다. The inclined portion 340 is formed between the contact portion 320 and the central portion 200, and is an area which is not in contact with the edge of the wafer (W).

웨이퍼(W)에 에피택셜(epitaxial)층을 성장시키는데 있어서, 각도별 결정방위에 따라 성장속도가 다르기 때문에, 웨이퍼(W)에는 90도 간격으로 에지(edge)부가 롤 오프(Roll off)되는 영역(45도, 135도, 225도, 315도, 이하, <100> 방향이라고 명칭)과 에지부가 롤 업(Roll up)되는 영역(0도, 90도, 180도, 270도, 이하, <110> 방향이라고 명칭)이 나타난다. In growing an epitaxial layer on the wafer W, the growth rate varies depending on the crystallographic orientation for each angle, so that the edge portion of the wafer W is rolled off at intervals of 90 degrees. (45 degrees, 135 degrees, 225 degrees, 315 degrees, hereinafter referred to as the <100> direction) and an area where the edge portion rolls up (0 degrees, 90 degrees, 180 degrees, 270 degrees, hereinafter, <110) > Direction.

이하, 웨이퍼에 에피택셜층을 성장시키는 성장속도를 성막 속도라 한다.Hereinafter, the growth rate at which the epitaxial layer is grown on the wafer is called the deposition rate.

<100>방향은 웨이퍼의 성막 속도가 상대적으로 낮고, <110> 방향은 웨이퍼의 성막 속도가 상대적으로 높으며, <100>방향과 <110>방향은 반복되게 나타난다.The film forming speed of the wafer is relatively low in the <100> direction, the film forming speed of the wafer is relatively high in the <110> direction, and the <100> and <110> directions appear repeatedly.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서셉터의 평면도이다. 6 is a plan view of a susceptor according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 경사부(340)는 웨이퍼의 각도별 성막속도 차이에 기인하여 8구역으로 나뉘고, 상기 8구역에 각 대응하는 웨이퍼의 성막속도에 따라 제1 구간(100) 및 제 2 구간(110)으로 분리된다. 제1 구간(100)과 제2 구간(110)은 <100>방향과 <110>방향에 따라 서셉터(100) 내에 반복되게 나타난다.Referring to FIG. 6, the inclined portion 340 is divided into eight zones due to the difference in deposition rates for each angle of the wafer, and according to the deposition rates of the wafers corresponding to the eight zones, the first section 100 and the second section. Separated by 110. The first section 100 and the second section 110 appear repeatedly in the susceptor 100 along the <100> direction and the <110> direction.

본 발명은 상대적으로 느린 웨이퍼의 성막속도를 보상하기 위해, 제1 구간(100)의 타공홀(H) 밀도를 높게 형성한다.In the present invention, in order to compensate for a deposition rate of a relatively slow wafer, the perforation hole (H) density of the first section 100 is formed to be high.

제1 구간(100)의 타공홀(H) 밀도를 높여 제1 구간(100)이 가열장치에 의한 복사열을 더 받게 함으로써, 웨이퍼의 <100>방향의 성막속도를 가속화시킬 수 있다.By increasing the density of the perforation hole H in the first section 100 to allow the first section 100 to receive radiant heat by the heating apparatus, the film formation speed in the <100> direction of the wafer may be accelerated.

여기서, 타공홀(H)의 밀도란 단위 면적당 타공홀의 면적이 차지하는 비율을 나타내는 척도로 정의할 수 있다. Here, the density of the perforated holes H may be defined as a scale representing the ratio of the area of the perforated holes per unit area.

타공홀(H)은 경사부(340) 내에 원주를 따라 방사형으로 다수 개가 나열되어 형성됨이 바람직하다.Perforated hole (H) is preferably formed in a plurality of radially arranged along the circumference in the inclined portion (340).

타공홀(H)은 경사부(340) 내에 중심부(200)와 가장 인접한 영역부터 접촉부(320)에 인접한 영역까지 순차적으로 형성됨이 바람직하다.The perforation hole H is preferably formed in the inclined portion 340 sequentially from the region closest to the central portion 200 to the region adjacent to the contact portion 320.

제1 구간(100)의 타공홀(H)의 밀도를 높이기 위해서, 제1 구간(100) 및 제2 구간(110)의 타공홀의 크기는 모두 동일하게 형성하되, 제1 구간(100)의 타공홀(H)의 개수를 제2 구간(110)의 타공홀(H)의 개수보다 많이 형성함으로써, 제1 구간(100)의 타공홀(H)의 밀도를 제2 구간(110)의 타공홀(H)의 밀도보다 높게 형성할 수 있다. 본 발명에서 타공홀의 크기라 함은 홀의 단면이 원형일 때의 그 원의 지름의 길이에 비례한다고 하자. In order to increase the density of the perforation holes H of the first section 100, the sizes of the perforation holes of the first section 100 and the second section 110 are all the same, but the perforations of the first section 100 are the same. The number of holes H is greater than the number of perforation holes H in the second section 110, so that the density of the perforation holes H in the first section 100 is equal to the number of holes in the second section 110. It can form higher than the density of (H). In the present invention, the size of the perforated hole is assumed to be proportional to the length of the diameter of the circle when the cross section of the hole is circular.

예를 들어, 타공홀의 지름은 바람직하게는 홀의 단면이 원형일 때 0.6~1㎜로 형성할 수 있다. 또한, 타공홀은 단면이 원형이거나 외주 부분이 곡률 처리된 다각형의 형태로 형성될 수 있다.For example, the diameter of the perforated hole is preferably formed in a 0.6 ~ 1mm when the cross section of the hole is circular. In addition, the perforation hole may have a circular cross section or may be formed in the shape of a polygon whose outer peripheral portion is curvature processed.

제1 구간(100)의 타공홀(H)의 밀도를 높이기 위한 방법으로서, 제1 구간(100)의 타공홀(H)의 크기를 제2 구간(110)의 타공홀(H)의 크기보다 크게 형성할 수 있다.As a method for increasing the density of the perforation hole (H) of the first section (100), the size of the perforation hole (H) of the first section (100) than the size of the perforation hole (H) of the second section (110) It can form large.

도 7은 본 발명의 실시예에 의한 서셉터의 일부 단면도이다. 도 7을 참조하면, 타공홀(H1)의 끝단은 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 웨이퍼 반경의 1/150 거리 이상 이격되게 형성한다.7 is a partial cross-sectional view of a susceptor according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the end of the perforation hole H1 is formed to be spaced apart from the edge of the wafer W by more than 1/150 of a wafer radius.

예를 들어, 직경이 300㎜인 웨이퍼(W)의 경우, 서셉터(100)의 중심으로부터 가장 바깥쪽의 타공홀(H1)의 위치가 반경 149㎜를 넘지 않게 형성한다.For example, in the case of the wafer W having a diameter of 300 mm, the position of the perforated hole H1 outermost from the center of the susceptor 100 is formed so as not to exceed a radius of 149 mm.

웨이퍼(W)는 타공홀과 직접 접촉하게 될 경우 손상(damage)을 입기 쉽고 또한, 웨이퍼(W)는 서셉터(100)에 놓일 때 항상 정위치에 놓이는 것이 아니기 때문에 마진(margin)이 필요하다. The wafer W is easy to be damaged when it comes into direct contact with the perforation hole, and a margin is required because the wafer W is not always in the right position when placed on the susceptor 100. .

따라서, 제1 구간(100) 내 끝단의 타공홀(H1)은 웨이퍼(W)와 최대한 접촉되는 것을 방지하기 위해서 서셉터(100)의 바닥면을 기준으로 90도 내지 135도의 경사각으로 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, the perforation hole H1 at the end of the first section 100 is formed at an inclination angle of 90 degrees to 135 degrees with respect to the bottom surface of the susceptor 100 in order to prevent maximum contact with the wafer W. desirable.

끝단의 타공홀(H1)을 제외한 나머지 타공홀(H2)은 서셉터(100)의 바닥면을 기준으로 40도 내지 50도의 경사각으로 형성하여 타공홀(H2)을 통한 가스의 흐름을 원할하게 할 수 있다.Except for the perforated hole (H1) at the end, the other perforated hole (H2) is formed at an inclination angle of 40 degrees to 50 degrees based on the bottom surface of the susceptor 100 to smooth the flow of gas through the perforated hole (H2). Can be.

제1 구간(100) 내 끝단의 타공홀(H1)의 기울기가 서셉터(100)의 바닥면을 기준으로 135도로 형성될 경우, 타공홀(H2)의 기울기와 서로 반대방향의 기울기로 형성된다고 볼 수 있다. When the inclination of the perforation hole H1 at the end of the first section 100 is formed at 135 degrees with respect to the bottom surface of the susceptor 100, the inclination of the perforation hole H2 is formed to be in the opposite direction to each other. can see.

본 발명에서는 경사부(340)를 소정 속도를 기준으로 상대적으로 각도별 웨이퍼(W)의 성막속도가 느린 영역에 대응하는 제1 구간 및 상대적으로 웨이퍼(W)의 성막속도가 빠른 영역에 대응하는 제2 구간으로 구분하여 예시하였으나, 임의의 기준에 따라 각도별 웨이퍼(W)에 대응하는 경사부(340)의 영역을 다른 방법으로 분리하여 타공홀(H)의 밀도를 조절할 수 있다. In the present invention, the inclined portion 340 corresponds to a first section corresponding to a region in which the deposition rate of the wafer W is relatively slow, based on a predetermined speed, and corresponds to a region in which the deposition rate of the wafer W is relatively high. Although divided and illustrated as the second section, the density of the perforated hole H may be adjusted by separating the area of the inclined portion 340 corresponding to the wafer W for each angle according to an arbitrary reference.

본 발명의 실시예에서는 종래와는 달리 서셉터의 경사부에도 타공홀을 형성함으로써, 웨이퍼 에지 부분의 오토 도핑(auto doping)을 개선하는 효과를 갖는다.According to the exemplary embodiment of the present invention, unlike the related art, the perforated hole is formed in the inclined portion of the susceptor, thereby improving the auto doping of the wafer edge portion.

또한, 웨이퍼의 각도별 성막 속도의 차이에 따라 경사부의 타공홀 밀도를 구간별로 다르게 조절함으로써, 성막속도의 차이를 보상하고 이에 의해 웨이퍼의 평탄화도를 높이는 효과를 갖는다.In addition, by adjusting the perforation hole density of the inclined portion differently according to the difference in the deposition rate for each angle of the wafer for each section, the difference in the deposition rate is compensated, thereby increasing the planarization degree of the wafer.

서셉터 100
평면부 200
주변부 300
접촉부 320
경사부 340
타공홀 H1, H2Susceptor 100
Flat part 200
Peripheral 300
Contact 320
Tilt 340
Holes H1, H2

Claims (13)

웨이퍼 후면의 하부에 평면으로 형성된 중심부와 상기 웨이퍼의 가장자리 하부에 경사지게 형성된 주변부를 포함하고, 상기 주변부는
상기 웨이퍼의 가장자리가 얹혀지는 접촉부; 및
상기 웨이퍼의 각도별 성막속도에 따라 서로 다른 밀도의 타공홀이 형성된 경사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.A central portion formed in a plane at the bottom of the back surface of the wafer and a peripheral portion formed obliquely below the edge of the wafer, wherein the peripheral portion
A contact portion on which an edge of the wafer is placed; And
Susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that it comprises an inclined portion in which the perforated holes of different densities are formed according to the deposition rate for each angle of the wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 경사부는 상기 접촉부와 상기 중심부 사이에 형성되고, 상기 웨이퍼의 가장자리와 비접촉하는 영역인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터. The method of claim 1,
And the inclined portion is a region formed between the contact portion and the central portion and is in contact with an edge of the wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 각도별 성막속도 차이에 기인하여 상기 경사부는 8구영으로 나뉘고, 상기 8구역은 각 대응하는 상기 웨이퍼의 성막속도에 따라 구분된 제1 구간 및 제2 구간이 반복되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터. The method of claim 1,
The inclined portion is divided into eight sections due to the difference in the deposition rate for each angle of the wafer, and the eight sections are the first section and the second section divided according to the deposition rate of each corresponding wafer. Susceptor of the manufacturing apparatus. 제 3 항에 있어서,
상기 제1 구간에 대응하는 성막속도는 제2 구간에 대응하는 성막속도보다 느리고, 상기 제1 구간에 형성된 타공홀의 제1 밀도가 상기 제2 구간에 형성된 타공홀의 제2 밀도보다 높게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.The method of claim 3, wherein
The deposition rate corresponding to the first section is slower than the deposition rate corresponding to the second section, and the first density of the perforation holes formed in the first section is higher than the second density of the perforation holes formed in the second section. The susceptor of the wafer manufacturing apparatus. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 구간의 타공홀과 상기 제2 구간의 타공홀의 크기는 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터. The method of claim 4, wherein
The susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that the size of the perforated hole in the first section and the perforated hole in the second section are the same. 제 5 항에 있어서,
상기 제1 구간의 타공홀의 개수는 제2 구간의 타공홀의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.The method of claim 5, wherein
The number of perforation holes in the first section is greater than the number of perforation holes in the second section susceptor of the wafer manufacturing apparatus. 제 4 항에 있어서,
상기 제1 구간의 타공홀의 크기는 제2 구간의 타공홀의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.The method of claim 4, wherein
The size of the perforation hole in the first section is larger than the size of the perforation hole in the second section susceptor of the wafer manufacturing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 타공홀은 상기 경사부 내에 원주를 따라 방사형으로 다수개 나열되어 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터. The method of claim 1,
The perforator is a susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that formed in a plurality of radially arranged along the circumference in the inclined portion. 제 8 항에 있어서,
상기 경사부 내 끝단의 타공홀은 상기 서셉터의 바닥면을 기준으로 90도 내지 135도의 경사각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.The method of claim 8,
Perforations of the end of the inclined portion susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that formed in the inclination angle of 90 degrees to 135 degrees with respect to the bottom surface of the susceptor. 제 9 항에 있어서,
상기 경사부 내 끝단의 타공홀을 제외한 나머지 타공홀은 상기 서셉터의 바닥면을 기준으로 40 내지 50도의 경사각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터. The method of claim 9,
The other perforated hole except the perforated hole in the end of the inclined portion susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that formed at an inclination angle of 40 to 50 degrees with respect to the bottom surface of the susceptor. 제 8 항에 있어서,
상기 타공홀의 끝단은 상기 웨이퍼의 가장자리로부터 상기 웨이퍼 반경의 1/150 거리 이상 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.The method of claim 8,
The end of the perforation hole is a susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that formed spaced at least 1/150 distance of the wafer radius from the edge of the wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 타공홀의 지름은 0.6~1㎜로 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터.The method of claim 1,
Susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that the diameter of the perforated hole is formed to 0.6 ~ 1mm. 제 1 항에 있어서,
상기 타공홀의 단면은 원형 또는 외주 부분이 곡률 처리된 다각형인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조장치의 서셉터. The method of claim 1,
The susceptor of the wafer manufacturing apparatus, characterized in that the cross section of the perforation hole is a polygon in which the circular or outer peripheral portion is curvature processed.
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