KR102014928B1 - A susceptor and a vapor deposition reactor including the same - Google Patents

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Abstract

실시 예는 반응로, 및 웨이퍼를 안착시키기 위하여 반응로 내부에 위치하는 서셉터를 포함하고, 서셉터는 서셉터의 중심을 지나는 제1 기준선과 서셉터의 중심을 지나고 제1 기준선과 교차하는 제2 기준선을 기준으로 구분되는 제1 사분면 영역, 제2 사분면 영역, 제4 사분면 영역, 및 제1 사분면 영역에 형성되는 제1 관통홀들, 제2 사분면 영역에 형성되는 제2 관통홀들, 제3 사분면 영역에 형성되는 제3 관통홀들, 및 제4 사분면 영역에 형성되는 제4 관통홀들을 포함하고, 반응로는 제1 사분면 영역과 제4 사분면 영역을 구분하는 제1 기준선의 일 부분에 대응하여 배치되는 가스 유입구, 제2 사분면 영역과 제3 사분면 영역을 구분하는 제1 기준선의 나머지 부분에 대응하여 배치되는 가스 배출구, 및 제1 사분면 영역과 제2 사분면 영역을 구분하는 제2 기준선의 일 부분에 대응하여 배치되는 슬릿 터널을 포함하고, 제1 관통홀들 각각의 직경은 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작고, 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수보다 크다.Embodiments include a reactor and a susceptor located within the reactor for seating the wafer, the susceptor being a first baseline passing through the center of the susceptor and a first crossover crossing the center of the susceptor and intersecting the first baseline. First through holes formed in the first quadrant region, the second quadrant region, the fourth quadrant region, and the first quadrant region divided by the reference line, and second through holes formed in the second quadrant region. And third through holes formed in the third quadrant region, and fourth through holes formed in the fourth quadrant region, wherein the reactor includes a portion of the first reference line that divides the first quadrant region and the fourth quadrant region. A corresponding gas inlet disposed correspondingly, a gas outlet disposed corresponding to the remaining portion of the first reference line dividing the second and third quadrant regions, and a second reference line dividing the first quadrant region and the second quadrant region And a slit tunnel disposed corresponding to a portion of, wherein each of the first through holes is smaller than the diameter of each of the third through holes, and the number of first through holes included in the unit area of the first quadrant region. Is greater than the number of third through holes included in the unit area of the third quadrant area.

Description

서셉터 및 이를 포함하는 기상 증착 장치{A SUSCEPTOR AND A VAPOR DEPOSITION REACTOR INCLUDING THE SAME}Susceptor and vapor deposition apparatus including the same {A SUSCEPTOR AND A VAPOR DEPOSITION REACTOR INCLUDING THE SAME}

실시 예는 서셉터 및 이를 포함하는 기상 증착 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a susceptor and a vapor deposition apparatus including the same.

기상 증착 장치의 반응기 내부에 위치하는 서셉터는 에피텍셜층을 성장시키기 위한 웨이퍼를 지지하는 역할을 한다. 서셉터 상에 웨이퍼가 로딩(loading)될 때, 반응기 내부로는 가스, 예컨대, 비활성 가스, 또는 에어(air) 등이 흐를 수 있으며, 이러한 가스의 흐름에 의하여 서셉터에 로딩되는 웨이퍼의 슬라이딩(sliding)이 랜덤(random)하게 발생될 수 있고, 이로 인하여 로딩되는 웨이퍼의 서셉터 상의 중앙 배치 또는 중앙 정렬이 틀어지거나 또는 변경될 수 있다.The susceptor located inside the reactor of the vapor deposition apparatus serves to support the wafer for growing the epitaxial layer. When the wafer is loaded on the susceptor, gas, for example, inert gas, or air, may flow into the reactor, and the sliding of the wafer loaded on the susceptor by the flow of such gas ( Sliding may occur randomly, which may cause the center placement or center alignment on the susceptor of the loaded wafer to be misaligned or altered.

웨이퍼 로딩시, 이러한 웨이퍼의 서셉터 상에서의 중앙 배치 또는 중앙 정렬의 틀어짐은 기상 증착 장치의 가스 공급부, 가스 배출부, 및 슬릿 터널(slit tunnel unit)에서의 가스 또는 공기의 흐름(또는 압력)에 의하여 영향을 받을 수 있다.In wafer loading, the misalignment or central alignment of the wafer on the susceptor is dependent on the flow (or pressure) of gas or air in the gas supply, gas outlet, and slit tunnel units of the vapor deposition apparatus. Can be affected.

실시 예는 서셉터의 하부에서 서셉터의 관통홀들을 통과하여 서셉터의 상부로 침투되는 가스의 균일도를 향상시킬 수 있고, 서셉터에 웨이퍼 로딩시 웨이퍼의 로딩된 위치가 틀어지는 것을 억제할 수 있는 서셉터 및 이를 포함하는 기상 증착 장치를 제공한다.The embodiment can improve the uniformity of the gas that penetrates through the susceptor through the through-holes of the susceptor at the bottom of the susceptor, and can prevent the loaded position of the wafer from being skewed when loading the wafer into the susceptor. It provides a susceptor and a vapor deposition apparatus including the same.

실시 예에 따른 기상 증착 장치는 반응로; 및 웨이퍼를 안착시키기 위하여, 상기 반응로 내부에 위치하는 서셉터(susceptor)를 포함하고, 상기 서셉터는 상기 서셉터의 중심을 지나는 제1 기준선과 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선과 교차하는 제2 기준선을 기준으로 구분되는 제1 사분면 영역, 제2 사분면 영역, 제3 사분면 영역, 및 제4 사분면 영역; 및 상기 제1 사분면 영역에 형성되는 제1 관통홀들, 상기 제2 사분면 영역에 형성되는 제2 관통홀들, 상기 제3 사분면 영역에 형성되는 제3 관통홀들, 및 상기 제4 사분면 영역에 형성되는 제4 관통홀들을 포함하고, 상기 반응로는 상기 제1 사분면 영역과 상기 제4 사분면 영역을 구분하는 상기 제1 기준선의 일 부분에 대응하여 배치되는 가스 유입구; 상기 제2 사분면 영역과 상기 제3 사분면 영역을 구분하는 상기 제1 기준선의 나머지 부분에 대응하여 배치되는 가스 배출구; 및 상기 제1 사분면 영역과 상기 제2 사분면 영역을 구분하는 상기 제2 기준선의 일 부분에 대응하여 배치되는 슬릿 터널(slit tunnel)을 포함하고, 상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작고, 상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수보다 크다.The vapor deposition apparatus according to the embodiment includes a reactor; And a susceptor positioned inside the reactor for seating a wafer, the susceptor having a first reference line passing through the center of the susceptor and passing through the center of the susceptor; A first quadrant region, a second quadrant region, a third quadrant region, and a fourth quadrant region divided based on the crossing second reference lines; And first through holes formed in the first quadrant region, second through holes formed in the second quadrant region, third through holes formed in the third quadrant region, and the fourth quadrant region. A gas inlet disposed in correspondence with a portion of the first reference line that divides the first quadrant region from the fourth quadrant region; A gas outlet disposed corresponding to the remaining portion of the first reference line for dividing the second quadrant region from the second quadrant region; And a slit tunnel disposed corresponding to a portion of the second reference line that divides the first quadrant region and the second quadrant region, wherein each of the first through holes has a diameter of the third quadrant. It is smaller than the diameter of each of the through holes, and the number of first through holes included in the unit area of the first quadrant area is greater than the number of third through holes included in the unit area of the third quadrant area.

상기 제2 관통홀들 각각의 직경과 상기 제4 관통홀들 각각의 직경은 상기 제1 관통홀들 각각의 직경보다 크고, 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작을 수 있다.The diameter of each of the second through holes and the diameter of each of the fourth through holes may be larger than the diameter of each of the first through holes and smaller than the diameter of each of the third through holes.

상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수보다 크고, 상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수는 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수보다 작을 수 있다.The number of first through holes included in the unit area of the first quadrant area is greater than the number of second through holes included in the unit area of the second quadrant area and included in the unit area of the third quadrant area. The number of third through holes may be smaller than the number of second through holes included in the unit area of the second quadrant area.

상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제2 관통홀들 각각의 직경의 4분의 1배 ~ 4분의 3배이고, 상기 제3 관통홀들 각각의 직경은 상기 제2 관통홀들 각각의 직경의 3분의 4배 ~ 4배일 수 있다.The diameter of each of the first through holes is one quarter to three times the diameter of each of the second through holes, and the diameter of each of the third through holes is equal to the diameter of each of the second through holes. It can be four to three times the diameter.

상기 제2 관통홀들 각각의 직경은 상기 제4 관통홀들 각각의 직경과 동일하고, 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수는 상기 제4 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제4 관통홀들의 개수와 동일할 수 있다.The diameter of each of the second through holes is the same as the diameter of each of the fourth through holes, and the number of second through holes included in the unit area of the second quadrant area is in the unit area of the fourth quadrant area. It may be equal to the number of fourth through holes included.

상기 제1 관통홀들을 제외한 상기 제1 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제3 관통홀들을 제외한 상기 제3 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일할 수 있다.An area of the remaining portion of the first quadrant region except for the first through holes may be equal to an area of the remaining portion of the third quadrant region except for the third through holes.

상기 제1 관통홀들을 제외한 상기 제1 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제2 관통홀들을 제외한 상기 제2 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일하고, 상기 제2 관통홀들을 제외한 상기 제2 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제4 관통홀들을 제외한 상기 제4 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일할 수 있다.The area of the remaining portion of the first quadrant region except for the first through holes is the same as the area of the remaining portion of the second quadrant region except for the second through holes, and the second quadrant except the second through holes. The area of the remaining portion of the region may be equal to the area of the remaining portion of the fourth quadrant region except for the fourth through holes.

상기 가스 유입구와 상기 가스 배출구는 상기 서셉터의 상면과 수직이고 상기 제1 기준선에 평행한 제1 평면에 정렬되고, 상기 슬릿 터널은 상기 서셉터의 상면과 수직이고 상기 제2 기준선에 평행한 제2 평면에 정렬될 수 있다.The gas inlet and the gas outlet are aligned in a first plane perpendicular to the top surface of the susceptor and parallel to the first reference line, and the slit tunnel is perpendicular to the top surface of the susceptor and parallel to the second reference line. Can be aligned in two planes.

상기 가스 유입구를 통하여 제공되는 가스는 상기 서셉터 상부로 제공되고 상기 가스 배출구를 통하여 상기 반응로 밖으로 배출되고, 상기 슬릿 터널을 통하여 제공되는 가스는 상기 서셉터 하부로 흐를 수 있다.Gas provided through the gas inlet may be provided above the susceptor and discharged out of the reactor through the gas outlet, and gas provided through the slit tunnel may flow below the susceptor.

상기 가스 유입구와 상기 가스 배출구는 상기 제1 기준선에 평행한 방향으로 서로 마주보고, 상기 슬릿 터널은 제3 기준선과 제4 기준선 사이의 영역 내에 배치되고, 상기 제3 기준선은 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선을 기준으로 시계 방향으로 기설정된 각도만큼 회전한 직선이고, 상기 제4 기준선은 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선을 기준으로 시계 반대 방향으로 상기 기설정된 각도만큼 회전한 직선이고, 상기 기설정된 각도는 0도보다 크고 45도 이하일 수 있다.The gas inlet and the gas outlet face each other in a direction parallel to the first reference line, wherein the slit tunnel is disposed in an area between a third reference line and a fourth reference line, and the third reference line defines a center of the susceptor. And a straight line rotated by a predetermined angle clockwise with respect to the first reference line, and the fourth reference line passes through the center of the susceptor and rotates by the preset angle counterclockwise with respect to the first reference line. The predetermined angle may be greater than 0 degrees and less than or equal to 45 degrees.

다른 실시 예는 반응로 내부에 위치하고, 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터에 관한 것으로, 상기 서셉터는 상기 서셉터의 중심을 지나는 제1 기준선과 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선과 교차하는 제2 기준선을 기준으로 구분되는 제1 사분면 영역, 제2 사분면 영역, 제3 사분면 영역, 및 제4 사분면 영역; 및 상기 제1 사분면 영역에 형성되는 제1 관통홀들, 상기 제2 사분면 영역에 형성되는 제2 관통홀들, 상기 제3 사분면 영역에 형성되는 제3 관통홀들, 및 상기 제4 사분면 영역에 형성되는 제4 관통홀들을 포함하고, 상기 제1 사분면 영역 내지 상기 제4 사분면 영역들은 시계 반대 방향으로 순차적으로 배열되고, 상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작고, 상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수보다 클 수 있다.Another embodiment relates to a susceptor located within a reactor and for seating a wafer, wherein the susceptor crosses the first baseline past the center of the susceptor and a first baseline through the center of the susceptor A first quadrant region, a second quadrant region, a third quadrant region, and a fourth quadrant region divided based on the second reference line; And first through holes formed in the first quadrant region, second through holes formed in the second quadrant region, third through holes formed in the third quadrant region, and the fourth quadrant region. And fourth through holes, wherein the first to fourth quadrant regions are sequentially arranged in a counterclockwise direction, and the diameter of each of the first through holes is the diameter of each of the third through holes. The smaller number of first through holes included in the unit region of the first quadrant region may be greater than the number of third through holes included in the unit region of the third quadrant region.

실시 예는 서셉터의 하부에서 서셉터의 관통홀들을 통과하여 서셉터의 상부로 침투되는 가스의 균일도를 향상시킬 수 있고, 서셉터에 웨이퍼 로딩시 웨이퍼의 로딩된 위치가 틀어지는 것을 억제할 수 있다.The embodiment can improve the uniformity of the gas that penetrates through the susceptor through the through-holes of the susceptor at the bottom of the susceptor, and can prevent the loaded position of the wafer from being skewed when loading the wafer into the susceptor. .

도 1은 실시 예에 따른 기상 증착 장치의 평면 개략도를 나타낸다
도 2는 도 1의 기상 증착 장치의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1의 기상 증착 장치의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 실시 예에 따른 서셉터를 나타낸다.
도 5a는 웨이퍼 로딩 전 일반적인 서셉터의 관통홀들을 통과하는 가스의 유속을 나타낸다.
도 5b는 도 5a의 서셉터에 로딩된 웨이퍼의 위치 틀어짐을 나타낸다.1 shows a top schematic view of a vapor deposition apparatus according to an embodiment
2 is a cross-sectional view of the AB direction of the vapor deposition apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view of the CD direction of the vapor deposition apparatus of FIG.
4 illustrates a susceptor according to an embodiment.
5A shows the flow rate of gas through the through holes of a typical susceptor prior to wafer loading.
FIG. 5B shows the misalignment of the wafer loaded into the susceptor of FIG. 5A.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 개의 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when described as being formed on an "on or under" of each element, the on or under is It includes both the two elements are in direct contact with each other (directly) or one or more other elements are formed indirectly between the two elements (indirectly). In addition, when expressed as "on" or "under", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

또한, 이하에서 이용되는 “제1” 및 “제2”, “상/상부/위” 및 “하/하부/아래” 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다. 또한 동일한 참조 번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In addition, the relational terms such as “first” and “second”, “upper / upper / up” and “lower / lower / lower”, etc., which are used hereinafter, refer to any physical or logical relationship or order between such entities or elements. May be used only to distinguish one entity or element from another entity or element without necessarily requiring or implying. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.

또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다", 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 또한 이상에서 기재된 "대응하는" 등의 용어는 "대향하는" 또는 "중첩되는" 의미들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the terms "comprise", "comprise", or "having" described above mean that the corresponding component may be included, unless otherwise stated, and thus excludes other components. It should be construed that it may further include other components. In addition, terms such as "corresponding" described above may include at least one of "opposite" or "overlapped" meanings.

도 1은 실시 예에 따른 기상 증착 장치(100)의 평면 개략도를 나타내고, 도 2는 도 1의 기상 증착 장치(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 3은 도 1의 기상 증착 장치(100)의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.1 is a schematic plan view of a vapor deposition apparatus 100 according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view of an AB direction of the vapor deposition apparatus 100 of FIG. 1, and FIG. 3 is a vapor deposition apparatus 100 of FIG. 1. ) Is a sectional view of the CD direction.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기상 증착 장치(100)는 반도체 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식이며, 피처리 기판인 웨이퍼(또는 반도체 기판)에 에피텍셜층을 기상 성장시킬 수 있고, 이로 인하여 에피텍셜 웨이퍼가 제조될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3, the vapor deposition apparatus 100 is a single-layer type process for processing semiconductor wafers one by one, and enables the epitaxial layer to be vapor-grown on a wafer (or a semiconductor substrate), which is a substrate to be processed, thereby causing epitaxial growth. Tactical wafers can be manufactured.

기상 증착 장치(100)는 반응로(101) 및 반응로(101) 내에 배치되는 서셉터(susceptor, 120)를 구비할 수 있으며, 도시되지는 않지만 열을 발생하기 위하여 반응로(101)의 상부 또는 하부 중 적어도 하나에 배치되는 램프, 및 반응로(101) 상에 배치되는 리플렉터(reflector)를 더 포함할 수 있다.The vapor deposition apparatus 100 may include a reactor 101 and a susceptor 120 disposed in the reactor 101, and although not shown, an upper portion of the reactor 101 to generate heat. Or a lamp disposed on at least one of the lower portions, and a reflector disposed on the reactor 101.

반응로(101)는 에피텍셜 반응이 일어나는 공간이며, 석영 유리로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 반응로(101)는 상면, 바닥면, 및 측면을 포함하는 용기 형태일 수 있다.The reactor 101 is a space where an epitaxial reaction occurs and may be made of quartz glass, but is not limited thereto. For example, the reactor 101 may be in the form of a container including a top, bottom, and side surfaces.

반응로(101)는 본체(102), 본체(102) 상에 위치하는 상부 돔(또는 상부 덮개(103)), 및 본체(102) 아래에 위치하는 하부 돔(또는 하부 덮개(104))를 포함할 수 있다.The reactor 101 includes a main body 102, an upper dome (or upper cover 103) positioned on the main body 102, and a lower dome (or lower cover 104) positioned below the main body 102. It may include.

본체(102)는 원통형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본체(102)는 일측에 위치하는 가스 유입구(109), 타측에 위치하는 가스 배출구(108), 및 가스 유입구(109)와 가스 배출구(108) 사이에 위치하는 슬릿 터널(slit tunnel, 106)을 포함할 수 있다.The body 102 may be cylindrical, but is not limited thereto. The main body 102 includes a gas inlet 109 located at one side, a gas outlet 108 located at the other side, and a slit tunnel 106 located between the gas inlet 109 and the gas outlet 108. It may include.

가스 유입구(109), 가스 배출구(108), 및 슬릿 터널(106) 각각은 본체(102)의 외측에서 본체(102)의 내측으로 통하는 통로 또는 홀 형태일 수 있다. Each of the gas inlet 109, the gas outlet 108, and the slit tunnel 106 may be in the form of a passage or a hole from the outside of the body 102 to the inside of the body 102.

기상 증착 장치(100)는 하부 돔(104)을 고정, 및 지지하는 제1 클램프 링(125) 및 상부 돔(103)을 고정, 및 지지하는 제2 클램프 링(127)을 더 포함할 수 있다.The vapor deposition apparatus 100 may further include a first clamp ring 125 that fixes and supports the lower dome 104 and a second clamp ring 127 that fixes and supports the upper dome 103. .

기상 증착 장치(100)는 서셉터(120) 아래에 배치되고 서셉터(120)를 지지하는 서셉터 지지부(130)를 더 포함할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만 기상 증착 장치(1000는 서셉터 지지부(130)를 통하여 서셉터(120)를 구동시키기 위한 구동부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 구동부는 서셉터 지지부(130)를 기준축(OA)을 기준으로 회전시킬 수 있다. 예컨대, 기준축(OA)은 반응로(103)의 중심 또는/및 서셉터(120)의 중심을 지나고, 서셉터 지지부(130)에 대응 또는 정렬되는 축일 수 있다.The vapor deposition apparatus 100 may further include a susceptor support 130 disposed under the susceptor 120 and supporting the susceptor 120. Although not shown in the drawing, the vapor deposition apparatus 1000 may further include a driving unit for driving the susceptor 120 through the susceptor support 130. For example, the driving unit may include a reference axis ( For example, the reference axis OA may be an axis that passes through the center of the reactor 103 or / and the center of the susceptor 120 and corresponds or is aligned with the susceptor support 130. Can be.

서셉터(120)는 에피텍셜 반응시 웨이퍼(W)가 로딩되는 부분이다.The susceptor 120 is a portion in which the wafer W is loaded during the epitaxial reaction.

서셉터(120)는 카본 그래파이트(carbon graphite), 탄화규소, 또는 카본그래파이트에 탄화규소를 코팅한 형태로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The susceptor 120 may be formed of carbon graphite, silicon carbide, or carbon carbide coated with silicon carbide, but is not limited thereto.

기상 증착 장치(100)는 본체(101)의 가스 유입구(109)에 연결 또는 연통되는 제1 가스 공급관(115), 본체(101)의 가스 배출구(108)에 연결 또는 연통되는 가스 배출관(110), 및 슬릿 터널(106)에 연결 또는 연통되는 제2 가스 공급관(106a)을 포함할 수 있다.The vapor deposition apparatus 100 includes a first gas supply pipe 115 connected to or in communication with the gas inlet 109 of the main body 101, and a gas discharge pipe 110 connected or communicating with the gas outlet 108 of the main body 101. And a second gas supply pipe 106a connected to or communicating with the slit tunnel 106.

도 2를 참조하면, 제1 가스 공급관(115)으로부터 가스 유입구(109)를 통하여 반응로(101)(또는 본체(102)) 내부로 가스( 예컨대, 원료 가스 또는 에어(air))가 공급 또는 도입될 수 있다.2, a gas (eg, source gas or air) is supplied from the first gas supply pipe 115 to the inside of the reactor 101 (or the main body 102) through the gas inlet 109. Can be introduced.

반응로(101) 내부로 도입된 가스는 반응로(101) 내부에 위치하는 웨이퍼(W, 예컨대, 실리콘 웨이퍼) 표면(예컨대, 상면) 또는 웨이퍼의 상부로 제공될 수 있고, 웨이퍼의 상부로 제공된 가스는 웨이퍼의 표면(예컨대, 상면)을 따라 흐른 후 가스 배출구(108)를 통하여 가스 배출관(110)으로 배출될 수 있다.The gas introduced into the reactor 101 may be provided on top of the wafer (eg, top surface) of the wafer (eg, silicon wafer) located within the reactor 101, or provided on top of the wafer. The gas may flow along the surface (eg, the upper surface) of the wafer and then be discharged to the gas discharge pipe 110 through the gas discharge hole 108.

도 3을 참조하면, 제2 가스 공급관(106a)로부터 슬릿 터널(106)을 통하여 반응로(101)(또는 본체(102)) 내부로 가스, 예컨대, 비활성 가스 또는 수소 가스가 공급 또는 도입될 수 있고, 반응로(101) 내부로 도입된 가스는 서셉터(120) 아래에 위치하는 공간으로 흐를 수 있다.Referring to FIG. 3, gas, for example, inert gas or hydrogen gas, may be supplied or introduced into the reactor 101 (or the main body 102) from the second gas supply pipe 106a through the slit tunnel 106. In addition, the gas introduced into the reactor 101 may flow into a space located below the susceptor 120.

기상 증착 장치(100)는 내부에 반응로(101), 서셉터 지지부(130), 상부 돔(103), 하부 돔(104), 및 제1 및 제2 클램프 링들(125, 127)을 수용하는 케이스(미도시)를 더 포함할 수 있다.The vapor deposition apparatus 100 accommodates the reactor 101, the susceptor support 130, the upper dome 103, the lower dome 104, and the first and second clamp rings 125 and 127 therein. It may further include a case (not shown).

가스 공급관(115)과 가스 배출관(110)은 수평 방향으로 서로 마주보거나 또는 중첩될 수 있다. 예컨대, 가스 유입구(109)와 가스 배출구(108)는 수평 방향으로 서로 중첩되거나 또는 정렬될 수 있다.The gas supply pipe 115 and the gas discharge pipe 110 may face each other or overlap each other in the horizontal direction. For example, the gas inlet 109 and the gas outlet 108 may overlap or be aligned with each other in the horizontal direction.

서셉터(120)는 가스를 통과할 수 있는 관통 홀들을 포함할 수 있다.The susceptor 120 may include through holes that may pass gas.

예컨대, 슬릿 터널(106)을 통하여 반응로(101)로 유입된 가스는 서셉터(120)의 관통 홀들을 통과하여 흐를 수 있다.For example, the gas introduced into the reactor 101 through the slit tunnel 106 may flow through the through holes of the susceptor 120.

도 4는 다른 실시 예에 따른 서셉터(120)를 나타낸다.4 illustrates a susceptor 120 according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 서셉터(120)는 제1 기준선(301)과 제2 기준선(302)을 기준으로 구분되는 제1 사분면 영역(S1), 제2 사분면 영역(S2), 제3 사분면 영역(S3), 및 제4 사분면 영역(S4)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the susceptor 120 includes a first quadrant region S1, a second quadrant region S2, and a third quadrant region that are divided based on the first reference line 301 and the second reference line 302. (S3), and the fourth quadrant region S4.

예컨대, 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4)은 xy 좌표축에서 제1 내지 제4 사분면으로 구분되는 방식과 동일한 방식으로 구분되는 영역일 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4)은 시계 반대 방향으로 순차적으로 배열될 수 있다.For example, the first to fourth quadrant regions S1 to S4 may be regions that are divided in the same manner as the first to fourth quadrants in the xy coordinate axis. For example, the first to fourth quadrant regions S1 to S4 may be sequentially arranged in the counterclockwise direction.

제1 기준선(301)은 서셉터(120)의 중심(201)을 지나는 직선일 수 있다.The first reference line 301 may be a straight line passing through the center 201 of the susceptor 120.

제2 기준선(302)은 서셉터(120)의 중심(201)을 지나고, 상기 서셉터(120)의 중심에서 상기 제1 기준선(301)과 교차하는 직선이다. 예컨대, 제2 기준선(302)은 제1 기준선(301)과 수직인 직선일 수 있다.The second reference line 302 passes through the center 201 of the susceptor 120 and is a straight line crossing the first reference line 301 at the center of the susceptor 120. For example, the second reference line 302 may be a straight line perpendicular to the first reference line 301.

예컨대, 제2 기준선(302)은 서셉터(120)의 중심(201)을 지나고, 서셉터(120)의 중심(201)에서 슬릿 터널(106)에 대응하는 서셉터(120)의 일단을 향하는 방향과 평행한 직선일 수 있다.For example, the second reference line 302 passes through the center 201 of the susceptor 120 and faces one end of the susceptor 120 corresponding to the slit tunnel 106 at the center 201 of the susceptor 120. It may be a straight line parallel to the direction.

도 4의 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4)은 서셉터(120)가 균등하게 구분된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 도 4의 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4)의 면적을 서로 다를 수도 있다.The first to fourth quadrant regions S1 to S4 of FIG. 4 may be equally divided with the susceptor 120, but embodiments of the present disclosure are not limited thereto. In other embodiments, the first to fourth quadrants of FIG. The areas of the regions S1 to S4 may be different from each other.

예컨대, 다른 실시 예에서는 제1 사분면 영역(S1)과 제3 사분면 영역(S3)은 면적이 서로 동일할 수 있고, 제2 사분면 영역(S2)과 제4 사분면 영역(S4)은 면적이 서로 동일 수 있고, 제1 사분면 영역(S1)과 제2 사분면 영역(S2)은 면적이 서로 다를 수 있다.For example, in another embodiment, the first quadrant region S1 and the third quadrant region S3 may have the same area, and the second quadrant region S2 and the fourth quadrant region S4 may have the same area. The first quadrant region S1 and the second quadrant region S2 may have different areas.

서셉터(120)는 제1 사분면 영역(S1)에 형성되는 제1 관통홀들(h11), 제2 사분면 영역(S2)에 형성되는 제2 관통홀들(h12), 제3 사분면 영역(S3)에 형성되는 제3 관통홀들(h13), 및 제4 사분면 영역(S4)에 형성되는 제4 관통홀들(h14)을 포함할 수 있다.The susceptor 120 includes first through holes h11 formed in the first quadrant region S1, second through holes h12 formed in the second quadrant region S2, and a third quadrant region S3. ) May include third through holes h13 and fourth through holes h14 formed in the fourth quadrant region S4.

예컨대, 가스 유입구(109)는 제1 사분면 영역(S1)과 제4 사분면(S4) 영역을 구분하는 제1 기준선(301)의 일 부분에 대응하여 배치될 수 있다. 가스 배출구(108)는 제2 사분면 영역(S2)과 제3 사분면 영역(S3)을 구분하는 제1 기준선(301)의 다른 일 부분에 대응하여 배치될 수 있다. 슬릿 터널(106)은 제1 사분면 영역(S1)과 제2 사분면 영역(S2)을 구분하는 제2 기준선(302))의 일 부분에 대응하여 배치될 수 있다.For example, the gas inlet 109 may be disposed corresponding to a portion of the first reference line 301 that divides the first quadrant region S1 and the fourth quadrant S4 region. The gas outlet 108 may be disposed to correspond to another portion of the first reference line 301 that divides the second quadrant region S2 and the third quadrant region S3. The slit tunnel 106 may be disposed corresponding to a portion of the second reference line 302 that divides the first quadrant region S1 and the second quadrant region S2.

예컨대, 가스 유입구(109)와 가스 배출구(108)는 서셉터(120)의 상면과 수직이고 제1 기준선(301)에 평행한 제1 평면에 정렬될 수 있고, 슬릿 터널(106)은 서셉터(120)의 상면과 수직이고 제2 기준선(302)에 평행한 제2 평면에 정렬될 수 있다.For example, the gas inlet 109 and the gas outlet 108 may be aligned in a first plane perpendicular to the top surface of the susceptor 120 and parallel to the first reference line 301, and the slit tunnel 106 may be susceptor. And may be aligned with a second plane perpendicular to the top surface of 120 and parallel to the second reference line 302.

제1 관통홀들(h11) 각각의 면적(또는 직경(R1))은 제3 관통홀들(h13) 각각의 면적(또는 직경(R3))보다 작을 수 있다(R1<R3).An area (or diameter R1) of each of the first through holes h11 may be smaller than an area (or diameter R3) of each of the third through holes h13 (R1 <R3).

제2 관통홀들(h12) 각각의 면적(또는 직경(R2))은 제1 관통홀들(h11) 각각의 직경(R1)보다 크고, 제3 관통홀들(h13) 각각의 직경(R3)보다 작을 수 있다(R1<R2<R3). 또한 제4 관통홀들(h14) 각각의 면적(또는 직경(R4))은 제1 관통홀들(h11) 각각의 직경(R1)보다 크고, 제3 관통홀들(h13) 각각의 직경(R3)보다 작을 수 있다(R1<R4<R3).The area (or diameter R2) of each of the second through holes h12 is larger than the diameter R1 of each of the first through holes h11, and the diameter R3 of each of the third through holes h13. May be less than (R1 <R2 <R3). In addition, the area (or diameter R4) of each of the fourth through holes h14 is larger than the diameter R1 of each of the first through holes h11, and the diameter R3 of each of the third through holes h13. May be smaller than (R1 <R4 <R3).

예컨대, 제2 관통홀들(h12) 각각의 면적(또는 직경(R2))은 제4 관통홀들(h14) 각각의 면적(또는 직경(R4))과 동일할 수 있으나(R2=R4), 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 양자가 서로 다를 수도 있다.For example, the area (or diameter R2) of each of the second through holes h12 may be the same as the area (or diameter R4) of each of the fourth through holes h14 (R2 = R4). It is not limited thereto, and in other embodiments, the two may be different.

예컨대, 제1 관통홀들(h11) 각각의 면적(또는 직경(R1))은 제2 관통홀들(h12) 각각의 직경(R2)(또는/및 R4)의 4분의 1배 ~ 4분의 3배일 수 있다(R2×1/4≤R1≤R2×3/4).For example, the area (or diameter R1) of each of the first through holes h11 is one fourth to four minutes of the diameter R2 (or / and R4) of each of the second through holes h12. It can be three times (R2 x 1/4 <R1 <R2 x 3/4).

또는 예컨대, 다른 실시 예에서는 R1은 R2(또는 R4)의 1/4 ~ 1/2일 수 있다(R2×1/4≤R1≤R2×1/2).Alternatively, for example, in another embodiment, R1 may be 1/4 to 1/2 of R2 (or R4) (R2 × 1/4 ≦ R1 ≦ R2 × 1/2).

예컨대, 제3 관통홀들(h13) 각각의 면적(또는 직경(R3))은 제2 관통홀들(h12) 각각의 직경(R2)(또는/및 R4)의 3분의 4배 ~ 4배일 수 있다(R2×4/3≤R3≤R2×4). 예컨대, 다른 실시 예에서는 제3 관통홀들(h13) 각각의 직경(R3)은 제2 관통홀들(h12) 각각의 직경(R2)(또는/및 R4)의 2배 ~ 4배일 수 있다(R2×2≤R3≤R2×4).For example, the area (or diameter R3) of each of the third through holes h13 is four to four times three times the diameter R2 (or / and R4) of each of the second through holes h12. (R2 x 4/3? R3? R2 x 4). For example, in another embodiment, the diameter R3 of each of the third through holes h13 may be two to four times the diameter R2 (or / and R4) of each of the second through holes h12 ( R2 × 2 ≦ R3 ≦ R2 × 4).

예컨대, 제1 관통홀들(h11)의 개수는 제3 관통홀들(h13)의 개수보다 많을 수 있다. 예컨대, 제2 관통홀들(h12)의 개수는 제3 관통홀들(h13)의 개수보다 크고, 제1 관통홀들의 개수보다 작을 수 있다. 예컨대, 제2 관통홀들(h12)의 개수는 제4 관통홀들(h14)의 개수와 동일할 수 있다.For example, the number of first through holes h11 may be greater than the number of third through holes h13. For example, the number of second through holes h12 may be larger than the number of third through holes h13 and smaller than the number of first through holes. For example, the number of second through holes h12 may be equal to the number of fourth through holes h14.

예컨대, 제1 사분면 영역(S1)의 단위 영역(41a)에 포함되는 제1 관통홀들(h11)의 개수(이하 "N1"이라 한다)는 제3 사분면 영역(S3)의 단위 영역(42c)에 포함되는 제3 관통홀들(h13)의 개수(이하 "N3"라 한다)보다 클 수 있다(N1>N3). For example, the number of first through holes h11 included in the unit region 41a of the first quadrant region S1 (hereinafter referred to as “N1”) is the unit region 42c of the third quadrant region S3. It may be larger than the number of third through holes h13 included in the following (hereinafter referred to as "N3") (N1> N3).

제2 사분면 영역(S2)의 단위 영역(41b)에 포함되는 제2 관통홀들(h12)의 개수(이하 "N2"라 한다)는 제3 사분면 영역(S3)의 단위 영역(41c)에 포함되는 제3 관통홀들(h13)의 개수(N3)보다 크고, 제1 사분면 영역(S1)의 단위 영역(41a)에 포함되는 제1 관통홀들(h11)의 개수보다 작을 수 있다(N3<N2<N1).The number of second through holes h12 included in the unit region 41b of the second quadrant region S2 (hereinafter referred to as “N2”) is included in the unit region 41c of the third quadrant region S3. It may be larger than the number N3 of the third through holes h13 to be smaller than the number of the first through holes h11 included in the unit area 41a of the first quadrant region S1 (N3 <). N2 <N1).

또한 제4 사분면 영역(S4)의 단위 영역(41d)에 포함되는 제4 관통홀들(h14)의 개수(이하 "N4"라 한다)는 제3 사분면 영역(S3)의 단위 영역(41c)에 포함되는 제3 관통홀들(h13)의 개수보다 크고, 제1 사분면 영역(S1)의 단위 영역(41a)에 포함되는 제1 관통홀들(h11)의 개수보다 작을 수 있다(N3<N4<N1).In addition, the number of fourth through holes h14 included in the unit region 41d of the fourth quadrant region S4 (hereinafter referred to as “N4”) is equal to the unit region 41c of the third quadrant region S3. It may be larger than the number of third through holes h13 included and smaller than the number of first through holes h11 included in the unit area 41a of the first quadrant region S1 (N3 <N4 <). N1).

예컨대, 제2 사분면 영역(S2)의 단위 영역(41b)에 포함되는 제2 관통홀들(h12)의 개수(N2)는 제4 사분면 영역(S4)의 단위 영역(41d)에 포함되는 제4 관통홀들(h14)의 개수(N4)와 동일할 수 있으나(N2=N4), 이에 한정되는 것은 아니며, 양자는 서로 다를 수도 있다.For example, the number N2 of the second through holes h12 included in the unit region 41b of the second quadrant region S2 is the fourth included in the unit region 41d of the fourth quadrant region S4. Although it may be equal to the number N4 of the through holes h14 (N2 = N4), the present invention is not limited thereto, and the two may be different from each other.

예컨대, N1은 N2(또는 N4)의 4/3배 ~ 4배일 수 있다(N2×4/3≤N1≤N2×4). 또는 예컨대, 다른 실시 예에서는 N1은 N2(또는 N4)의 2배 ~ 4배일 수 있다(N2×2≤N1≤N2×4).For example, N1 may be 4/3 times to 4 times N2 (or N4) (N2 × 4/3 ≦ N1 ≦ N2 × 4). Alternatively, for example, in another embodiment, N1 may be two to four times N2 (or N4) (N2 × 2 ≦ N1 ≦ N2 × 4).

예컨대, 단위 영역들(41a 내지 41d) 각각은 가로 길이와 세로 길이 각각이 기설정된 길이인 정사각형일 수 있다.For example, each of the unit regions 41a to 41d may be a square in which each of the horizontal length and the vertical length is a predetermined length.

예컨대, N3는 N2(또는 N4)의 1/4배 ~ 3/4배일 수 있다(N2×1/4≤N3≤N2×3/4). 또는 예컨대, 다른 실시 예에서는 N3는 N2(또는 N4)의 1/4배 ~ 1/2배일 수 있다(N2×1/4≤N≤N2×1/2).For example, N3 may be 1/4 to 3/4 times N2 (or N4) (N2 × 1/4 ≦ N3 ≦ N2 × 3/4). For example, in another embodiment, N3 may be 1/4 to 1/2 times N2 (or N4) (N2 × 1/4 ≦ N ≦ N2 × 1/2).

예컨대, 제1 관통홀들(h11)을 제외한 제1 사분면 영역(S1)의 나머지 부분의 면적은 제3 관통홀들(h13)을 제외한 제3 사분면 영역(S3)의 나머지 부분의 면적과 동일할 수 있다.For example, an area of the remaining portion of the first quadrant region S1 except for the first through holes h11 may be equal to an area of the remaining portion of the third quadrant region S3 except for the third through holes h13. Can be.

예컨대, 제1 관통홀들(h11)을 제외한 제1 사분면 영역(S1)의 나머지 부분의 면적은 제2 관통홀들(h12)을 제외한 제2 사분면 영역(S12)의 나머지 부분의 면적과 동일할 수 있다.For example, an area of the remaining portion of the first quadrant region S1 except for the first through holes h11 may be equal to an area of the remaining portion of the second quadrant region S12 except for the second through holes h12. Can be.

제2 관통홀들(h12)을 제외한 제2 사분면 영역(S2)의 나머지 부분의 면적은 제4 관통홀들(h12)을 제외한 제4 사분면 영역(S4)의 나머지 부분의 면적과 동일할 수 있다.The area of the remaining portion of the second quadrant region S2 excluding the second through holes h12 may be equal to the area of the remaining portion of the fourth quadrant region S4 excluding the fourth through holes h12. .

즉, 각 사분면 영역(S1 내지 S4)에서 각 사분면 영역에 속하는 관통홀을 제외한 나머지 부분의 면적은 서로 동일할 수 있다. 이는 웨이퍼(W)는 서셉터(120)의 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4) 상에 배치되고, 제1 내지 제4 관통홀들(h11 내지 h14)을 제외한 나머지 부분들과 접할 수 있다.That is, in each quadrant region S1 to S4, the areas of the remaining portions except for the through holes belonging to each quadrant region may be the same. The wafer W is disposed on the first to fourth quadrant regions S1 to S4 of the susceptor 120, and the wafer W may contact the remaining portions except for the first to fourth through holes h11 to h14. Can be.

서셉터(120)의 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4)에 접하는 웨이퍼(W)의 4개의 영역들 각각은 서셉터(120)의 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4) 중 대응하는 어느 하나로부터 열을 전달받을 수 있다. 그런데, 각 사분면 영역에 속하는 관통홀을 제외한 나머지 부분의 면적들이 서로 다르면, 제1 내지 제4 사분면 영역들(S1 내지 S4)에 대응하는 웨이퍼(W)의 4개의 영역들이 전달받는 열에 불균일이 발생될 수 있고, 웨이퍼(W)의 4갯의 영역들 간의 온도 편차가 증가할 수 있고, 이로 인하여 웨이퍼(W)에 성장되는 에피텍셜층의 품질에 차이가 발생될 수 있다.Each of the four regions of the wafer W contacting the first to fourth quadrant regions S1 to S4 of the susceptor 120 may be the first to fourth quadrant regions S1 to S4 of the susceptor 120. ) Can receive heat from any one of the corresponding. However, if the areas of the remaining portions except for the through-holes belonging to each quadrant region are different from each other, non-uniformity occurs in the heat transmitted by the four regions of the wafer W corresponding to the first to fourth quadrant regions S1 to S4. The temperature deviation between the four regions of the wafer W may increase, thereby causing a difference in the quality of the epitaxial layer grown on the wafer W.

도 5a는 웨이퍼 로딩 전 일반적인 서셉터(51)의 관통홀들을 통과하는 가스의 유속을 나타내고, 도 5b는 도 5a의 서셉터(51)에 로딩된 웨이퍼(W)의 위치 틀어짐을 나타낸다. 도 5a 및 도 5b에는 가스 공급관(9a), 가스 배출관(9b), 및 슬릿 터널(9c)을 함께 도시한다.FIG. 5A shows the flow rate of the gas passing through the through holes of the typical susceptor 51 before loading the wafer, and FIG. 5B shows the positional displacement of the wafer W loaded in the susceptor 51 of FIG. 5A. 5A and 5B show a gas supply pipe 9a, a gas discharge pipe 9b, and a slit tunnel 9c together.

도 5a를 참조하면, 서셉터(51)에 웨이퍼(W)가 안착될 때, 슬릿 터널(9c)에서 공급되는 가스의 기류(또는 흐름)와 가스 배출관(9b)으로 배출되는 배기 음압 또는 부압(negative pressure)에 의한 기류에 의하여, 서셉터(51)의 제3 사분면 영역의 관통홀들을 통과하는 가스의 유속(5b)은 서셉터(51)의 제1 사분면 영역의 관통홀들을 통과하는 가스의 유속(5a)보다 크다.Referring to FIG. 5A, when the wafer W is seated on the susceptor 51, the air pressure (or flow) of the gas supplied from the slit tunnel 9c and the exhaust negative pressure or negative pressure discharged to the gas discharge pipe 9b ( Due to the air flow by the negative pressure, the flow rate 5b of the gas passing through the through holes in the third quadrant region of the susceptor 51 is reduced by the gas passing through the through holes in the first quadrant region of the susceptor 51. It is larger than the flow rate 5a.

도 5b를 참조하면, 서셉터(51)의 중앙에 정렬되어 안착 또는 로딩(loading)되는 웨이퍼(W)는 도 5a에서 설명한 유속의 차이에 의하여 가스 공급관(9a)과 슬릿 터널(9c) 방향(도 5b에 도시된 화살표 방향 참조)으로 움직일 수 있고, 서셉터(51)에 안착되는 웨이퍼의 위치가 틀어질 수 있다.Referring to FIG. 5B, the wafers W aligned and seated or loaded at the center of the susceptor 51 may be disposed in the direction of the gas supply pipe 9a and the slit tunnel 9c due to the difference in flow velocity described in FIG. 5A. 5B), and the position of the wafer seated on the susceptor 51 may be displaced.

상술한 바와 같이, 서셉터(51)에 안착되는 웨이퍼(W)의 안착 위치(또는 로딩 위치)에 영향을 주는 것은 가스 유속의 차이에 의해 발생될 수 있다.As described above, affecting the seating position (or loading position) of the wafer W seated on the susceptor 51 may be caused by the difference in gas flow rate.

실시 예는 서셉터(120)의 제1 내지 제4 사분위 영역들(S1 내지 S4) 각각의 관통홀들의 사이즈와 개수를 상술한 바와 같이 조정함으로써, 도 5a 및 도 b에서 설명한 유속의 차이를 줄이거나 제거할 수 있고, 이로 인하여 서셉터(120)에 로딩된 웨이퍼(W)의 위치가 틀어지거나 서셉터(120)의 제1 사분위 영역(S1)으로 치우쳐서 위치하는 것을 방지할 수 있다.The embodiment adjusts the size and number of through holes in each of the first to fourth quartile regions S1 to S4 of the susceptor 120 as described above, thereby adjusting the difference in flow velocity described with reference to FIGS. 5A and 5B. It can be reduced or eliminated, thereby preventing the wafer W loaded on the susceptor 120 from being misaligned or biased into the first quartile region S1 of the susceptor 120.

즉 실시 예는 슬릿 터널(106), 가스 유입구(109), 가스 배출구(108)의 상대적인 위치를 고려하여, 서셉터(120)의 제1 내지 제4 사분위 영역들(S1 내지 S4)에 구비되는 관통홀들의 직경과 개수를 상술한 바와 같이 설정함으로써, 서셉터(120)의 하부에서 관통홀들(h11 내지 h14)을 통과하여 서셉터(120)의 상부로 침투되는 가스의 균일도를 향상시킬 수 있고, 이로 인하여 서셉터(120)에 웨이퍼(W) 로딩시 웨이퍼의 중앙 위치 또는 중앙 정렬이 변화되거나 틀어지는 것을 억제할 수 있다.That is, the embodiment is provided in the first to fourth quartile regions S1 to S4 of the susceptor 120 in consideration of the relative positions of the slit tunnel 106, the gas inlet 109, and the gas outlet 108. By setting the diameter and number of through holes to be formed as described above, the uniformity of the gas penetrating through the through holes h11 to h14 from the lower part of the susceptor 120 to the upper part of the susceptor 120 may be improved. In this way, it is possible to prevent the center position or the center alignment of the wafer from changing or twisting when the wafer W is loaded into the susceptor 120.

도 4에서는 슬릿 터널(106)이 제2 기준선(302)에 정렬 또는 오버랩(overlap)되지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 슬릿 터널(106)은 제2 기준선(302)에 정렬되지 않을 수도 있다.In FIG. 4, the slit tunnel 106 is aligned or overlapped with the second reference line 302, but is not limited thereto, and in other embodiments, the slit tunnel 106 may not be aligned with the second reference line 302. It may be.

예컨대, 슬릿 터널(106)은 제3 기준선(401)과 제4 기준선(402) 사이의 영역 에 배치되거나 정렬될 수 있다. 또는 슬릿 터널(106)은 제3 기준선(401) 또는 제4 기준선(402)에 정렬 또는 오버랩될 수 있다.For example, the slit tunnel 106 may be disposed or aligned in an area between the third reference line 401 and the fourth reference line 402. Alternatively, the slit tunnel 106 may be aligned or overlap with the third reference line 401 or the fourth reference line 402.

제3 기준선(401)은 서셉터(120)의 중심(201)을 지나고, 제2 기준선(302)을 기준으로 시계 방향으로 기설정된 각도(θ)만큼 회전된 직선일 수 있고, 제4 기준선(402)은 서셉터(120)의 중심(201)을 지나고 제2 기준선(302)을 기준으로 시계 반대 방향으로 상기 기설정된 각도(θ)만큼 회전된 직선일 수 있다.The third reference line 401 may be a straight line passing through the center 201 of the susceptor 120 and rotated by a predetermined angle θ in the clockwise direction with respect to the second reference line 302. 402 may be a straight line passing through the center 201 of the susceptor 120 and rotated by the predetermined angle θ in the counterclockwise direction with respect to the second reference line 302.

예컨대, 기설정된 각도(θ)는 0도보다 크고, 45도 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the preset angle θ may be greater than 0 degrees and less than or equal to 45 degrees, but is not limited thereto.

다른 실시 예에서는 기설정된 각도(θ)는 0도보다 크고 15도 이하일 수도 있다. 이는 기상 증착 장비에 따라서 슬릿 터널(106)과 서셉터(120)의 정렬 위치가 다소 차이가 발생될 수 있으며, 기설정된 각도(θ)는 상술한 범위 이내일 때, 도 4, 도 5a, 및 도 5b에서 설명한 가스 유속의 편차를 감소시킬 수 있고, 서셉터(120)에 웨이퍼(W) 로딩시 웨이퍼의 중앙 위치 또는 중앙 정렬이 변화되거나 틀어지는 것을 억제할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In another embodiment, the preset angle θ may be greater than 0 degrees and less than or equal to 15 degrees. This may cause a slight difference in the alignment positions of the slit tunnel 106 and the susceptor 120 according to the vapor deposition equipment, and when the predetermined angle θ is within the above-described range, FIGS. 4, 5A, and The variation in the gas flow rate described with reference to FIG. 5B can be reduced, and an effect of suppressing the change or distortion of the center position or the center alignment of the wafer when loading the wafer W into the susceptor 120 can be obtained.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (15)

반응로;
웨이퍼를 안착시키기 위하여, 상기 반응로 내부에 위치하는 서셉터(susceptor)를 포함하고,
상기 서셉터는 상기 서셉터의 중심을 지나는 제1 기준선과 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선과 교차하는 제2 기준선을 기준으로 구분되는 제1 사분면 영역, 제2 사분면 영역, 제3 사분면 영역, 및 제4 사분면 영역; 및
상기 제1 사분면 영역에 형성되는 제1 관통홀들, 상기 제2 사분면 영역에 형성되는 제2 관통홀들, 상기 제3 사분면 영역에 형성되는 제3 관통홀들, 및 상기 제4 사분면 영역에 형성되는 제4 관통홀들을 포함하고,
상기 반응로는,
상기 제1 사분면 영역과 상기 제4 사분면 영역을 구분하는 상기 제1 기준선의 일 부분에 대응하여 배치되는 가스 유입구;
상기 제2 사분면 영역과 상기 제3 사분면 영역을 구분하는 상기 제1 기준선의 나머지 부분에 대응하여 배치되는 가스 배출구; 및
상기 제1 사분면 영역과 상기 제2 사분면 영역을 구분하는 상기 제2 기준선의 일 부분에 대응하여 배치되는 슬릿 터널(slit tunnel)을 포함하고,
상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작고, 상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수보다 큰 기상 증착 장치.Reactor;
A susceptor located inside the reactor to seat the wafer,
The susceptor is a first quadrant region, a second quadrant region, and a third quadrant divided by a first reference line passing through the center of the susceptor and a second reference line passing through the center of the susceptor and intersecting the first reference line. Region, and a fourth quadrant region; And
First through holes formed in the first quadrant region, second through holes formed in the second quadrant region, third through holes formed in the third quadrant region, and formed in the fourth quadrant region Including fourth through holes,
The reactor,
A gas inlet disposed corresponding to a portion of the first reference line that divides the first quadrant region and the fourth quadrant region;
A gas outlet disposed corresponding to the remaining portion of the first reference line for dividing the second quadrant region from the second quadrant region; And
A slit tunnel disposed corresponding to a portion of the second reference line that divides the first quadrant region and the second quadrant region,
The diameter of each of the first through holes is smaller than the diameter of each of the third through holes, and the number of first through holes included in the unit area of the first quadrant area is included in the unit area of the third quadrant area. Vapor deposition apparatus is larger than the number of the third through holes to be. 제1항에 있어서,
상기 제2 관통홀들 각각의 직경과 상기 제4 관통홀들 각각의 직경은 상기 제1 관통홀들 각각의 직경보다 크고, 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작은 기상 증착 장치.The method of claim 1,
And a diameter of each of the second through holes and a diameter of each of the fourth through holes is larger than a diameter of each of the first through holes and smaller than a diameter of each of the third through holes. 제2항에 있어서,
상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수보다 크고,
상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수는 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수보다 작은 기상 증착 장치.The method of claim 2,
The number of first through holes included in the unit region of the first quadrant region is greater than the number of second through holes included in the unit region of the second quadrant region,
The number of third through holes included in the unit region of the third quadrant region is less than the number of second through holes included in the unit region of the second quadrant region. 제1항에 있어서,
상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제2 관통홀들 각각의 직경의 4분의 1배 ~ 4분의 3배이고,
상기 제3 관통홀들 각각의 직경은 상기 제2 관통홀들 각각의 직경의 3분의 4배 ~ 4배인 기상 증착 장치.The method of claim 1,
The diameter of each of the first through holes is one quarter to three times the diameter of each of the second through holes,
And a diameter of each of the third through holes is four to three times a third of the diameter of each of the second through holes. 제3항에 있어서,
상기 제2 관통홀들 각각의 직경은 상기 제4 관통홀들 각각의 직경과 동일하고,
상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수는 상기 제4 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제4 관통홀들의 개수와 동일한 기상 증착 장치.The method of claim 3,
The diameter of each of the second through holes is the same as the diameter of each of the fourth through holes,
The number of second through holes included in the unit region of the second quadrant region is the same as the number of fourth through holes included in the unit region of the fourth quadrant region. 제1항에 있어서,
상기 제1 관통홀들을 제외한 상기 제1 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제3 관통홀들을 제외한 상기 제3 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일한 기상 증착 장치.The method of claim 1,
And an area of the remaining portion of the first quadrant region except for the first through holes is equal to an area of the remaining portion of the third quadrant region except for the third through holes. 제6항에 있어서,
상기 제1 관통홀들을 제외한 상기 제1 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제2 관통홀들을 제외한 상기 제2 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일하고,
상기 제2 관통홀들을 제외한 상기 제2 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제4 관통홀들을 제외한 상기 제4 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일한 기상 증착 장치.The method of claim 6,
An area of the remaining portion of the first quadrant region excluding the first through holes is equal to an area of the remaining portion of the second quadrant region excluding the second through holes,
And an area of the remaining portion of the second quadrant region excluding the second through holes is equal to an area of the remaining portion of the fourth quadrant region except the fourth through holes. 제1항에 있어서,
상기 가스 유입구와 상기 가스 배출구는 상기 서셉터의 상면과 수직이고 상기 제1 기준선에 평행한 제1 평면에 정렬되고,
상기 슬릿 터널은 상기 서셉터의 상면과 수직이고 상기 제2 기준선에 평행한 제2 평면에 정렬되는 기상 증착 장치.The method of claim 1,
The gas inlet and the gas outlet are aligned in a first plane perpendicular to the top surface of the susceptor and parallel to the first reference line,
And the slit tunnel is aligned in a second plane perpendicular to the top surface of the susceptor and parallel to the second reference line. 제1항에 있어서,
상기 가스 유입구를 통하여 제공되는 가스는 상기 서셉터 상부로 제공되고 상기 가스 배출구를 통하여 상기 반응로 밖으로 배출되고,
상기 슬릿 터널을 통하여 제공되는 가스는 상기 서셉터 하부로 흐르는 기상 증착 장치.The method of claim 1,
The gas provided through the gas inlet is provided above the susceptor and discharged out of the reactor through the gas outlet,
The gas provided through the slit tunnel flows under the susceptor. 제1항에 있어서,
상기 가스 유입구와 상기 가스 배출구는 상기 제1 기준선에 평행한 방향으로 서로 마주보고,
상기 슬릿 터널은 제3 기준선과 제4 기준선 사이의 영역 내에 배치되고,
상기 제3 기준선은 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선을 기준으로 시계 방향으로 기설정된 각도만큼 회전한 직선이고,
상기 제4 기준선은 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선을 기준으로 시계 반대 방향으로 상기 기설정된 각도만큼 회전한 직선이고,
상기 기설정된 각도는 0도보다 크고 45도 이하인 기상 증착 장치.The method of claim 1,
The gas inlet and the gas outlet face each other in a direction parallel to the first reference line,
The slit tunnel is disposed in an area between a third reference line and a fourth reference line,
The third reference line is a straight line passing through the center of the susceptor and rotated by a predetermined angle clockwise with respect to the first reference line,
The fourth reference line is a straight line passing through the center of the susceptor and rotated by the predetermined angle in a counterclockwise direction with respect to the first reference line,
The predetermined angle is a vapor deposition apparatus of greater than 0 degrees and less than 45 degrees. 반응로 내부에 위치하고, 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터에 있어서,
상기 서셉터의 중심을 지나는 제1 기준선과 상기 서셉터의 중심을 지나고 상기 제1 기준선과 교차하는 제2 기준선을 기준으로 구분되는 제1 사분면 영역, 제2 사분면 영역, 제3 사분면 영역, 및 제4 사분면 영역; 및
상기 제1 사분면 영역에 형성되는 제1 관통홀들, 상기 제2 사분면 영역에 형성되는 제2 관통홀들, 상기 제3 사분면 영역에 형성되는 제3 관통홀들, 및 상기 제4 사분면 영역에 형성되는 제4 관통홀들을 포함하고,
상기 제1 사분면 영역 내지 제4 사분면 영역들은 시계 반대 방향으로 순차적으로 배열되고,
상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작고, 상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수보다 큰 서셉터.In the susceptor for positioning the wafer inside the reactor,
A first quadrant region, a second quadrant region, a third quadrant region, and a first reference line divided by a first reference line passing through the center of the susceptor and a second reference line passing through the center of the susceptor and intersecting the first reference line 4 quadrant regions; And
First through holes formed in the first quadrant region, second through holes formed in the second quadrant region, third through holes formed in the third quadrant region, and formed in the fourth quadrant region Including fourth through holes,
The first to fourth quadrant regions are sequentially arranged in a counterclockwise direction,
The diameter of each of the first through holes is smaller than the diameter of each of the third through holes, and the number of first through holes included in the unit area of the first quadrant area is included in the unit area of the third quadrant area. Susceptor greater than the number of third through holes to be. 제11항에 있어서,
상기 제2 관통홀들 각각의 직경과 상기 제4 관통홀들 각각의 직경은 상기 제1 관통홀들 각각의 직경보다 크고, 상기 제3 관통홀들 각각의 직경보다 작고,
상기 제1 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제1 관통홀들의 개수는 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수보다 크고,
상기 제3 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제3 관통홀들의 개수는 상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수보다 작은 서셉터.The method of claim 11,
The diameter of each of the second through holes and the diameter of each of the fourth through holes are larger than the diameter of each of the first through holes, and smaller than the diameter of each of the third through holes.
The number of first through holes included in the unit region of the first quadrant region is greater than the number of second through holes included in the unit region of the second quadrant region,
The number of third through holes included in the unit area of the third quadrant area is smaller than the number of second through holes included in the unit area of the second quadrant area. 제11항에 있어서,
상기 제1 관통홀들 각각의 직경은 상기 제2 관통홀들 각각의 직경의 4분의 1배 ~ 4분의 3배이고,
상기 제3 관통홀들 각각의 직경은 상기 제2 관통홀들 각각의 직경의 3분의 4배 ~ 4배인 서셉터.The method of claim 11,
The diameter of each of the first through holes is one quarter to three times the diameter of each of the second through holes,
The diameter of each of the third through holes is a susceptor four to three times three times the diameter of each of the second through holes. 제13항에 있어서,
상기 제2 관통홀들 각각의 직경은 상기 제4 관통홀들 각각의 직경과 동일하고,
상기 제2 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제2 관통홀들의 개수는 상기 제4 사분면 영역의 단위 영역에 포함되는 제4 관통홀들의 개수와 동일한 서셉터.The method of claim 13,
The diameter of each of the second through holes is the same as the diameter of each of the fourth through holes,
The number of second through holes included in the unit area of the second quadrant area is the same as the number of fourth through holes included in the unit area of the fourth quadrant area. 제11항에 있어서,
상기 제1 관통홀들을 제외한 상기 제1 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제3 관통홀들을 제외한 상기 제3 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일하고,
상기 제1 관통홀들을 제외한 상기 제1 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제2 관통홀들을 제외한 상기 제2 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일하고,
상기 제2 관통홀들을 제외한 상기 제2 사분면 영역의 나머지 부분의 면적은 상기 제4 관통홀들을 제외한 상기 제4 사분면 영역의 나머지 부분의 면적과 동일한 서셉터.The method of claim 11,
An area of the remaining portion of the first quadrant region excluding the first through holes is equal to an area of the remaining portion of the third quadrant region excluding the third through holes,
An area of the remaining portion of the first quadrant region excluding the first through holes is equal to an area of the remaining portion of the second quadrant region excluding the second through holes,
And an area of the remaining portion of the second quadrant region excluding the second through holes is the same as an area of the remaining portion of the fourth quadrant region except the fourth through holes.
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