KR20120110672A - 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20120110672A
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Abstract

본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법은, 예를 들어, 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리를 사용하는 에스에스디(SSD) 등에서, 플래시 변환 레이어(FTL) 관리 데이터를, 상기 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리 내에 할당된 관리 데이터 기록 영역에 기록하는 경우, 하나의 셀에 충전된 전하의 유무(1,0)에 따라 1 비트로 데이터를 기록하는 싱글 레벨 셀(SLC)의 기록 방식을 적용함으로써, 신뢰성이 무엇보다 중요시 요구되는 관리 데이터의 신뢰성을 보다 확실하게 확보할 수 있게 되며, 또한 관리 데이터의 기록 동작에 치명적인 오류가 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있게 된다.

Description

낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법 {Apparatus and method for writing management data of NAND flash memory}
본 발명은, 예를 들어, 다수의 낸드 플래시 메모리(LAND Flash Memory)들이 구비된 에스에스디(SSD: Solid State Drive) 등에 적용되는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근에는, 차세대 대용량 저장매체로서 다수의 낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory)들을 사용하는 에스에스디(SSD: Solid State Drive)가 널리 보급되어 상용화되고 있는 데, 상기 에스에스디(SSD)는, 하드디스크 드라이브(HDD)에 비해 규칙적인 리드/라이트(Read/Write) 속도가 빠르며, 소비 전력이 적고 충격에도 강한 장점을 가지고 있다.
그리고, 상기 에스에스디(SSD)에 사용되는 낸드 플래시 메모리의 종류에는, 싱글 레벨 셀(SLC: Single Level Cell)의 낸드 플래시 메모리와, 멀티 레벨 셀(MLC: Multi Level Cell)의 낸드 플래시, 그리고 트리플 레벨 셀(TLC: Triple Level Cell)의 낸드 플래시 메모리 등이 있다.
한편, 상기 싱글 레벨 셀(SLC)의 낸드 플래시 메모리는, 하나의 셀(Cell)에 충전된 전하(Charge)의 유무(1,0)에 따라 1 비트로 데이터를 기록하고, 상기 멀티 레벨 셀(MLC)의 낸드 플래시 메모리는, 하나의 셀(Cell)에 충전된 전하(Charge)의 유무(11,00)와 전하량(10,01)에 따라 2 비트로 데이터를 기록하게 된다.
또한, 상기 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리는, 하나의 셀(Cell)에 충전된 전하(Charge)의 유무(111,000)와 전하량(110,101,100,011,010,001)에 따라 3 비트로 데이터를 기록하게 된다.
그리고, 상기 싱글 레벨 셀(SLC)은, 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 1 개의 기준(Reference) 전압을 적용하여, 1 비트(1,0)로 데이터를 기록하고, 상기 멀티 레벨 셀(MLC)은, 3 개의 기준 전압을 적용하여, 2 비트(11,10,01,00)로 데이터를 기록하며, 상기 트리플 레벨 셀(TLC)은, 7 개의 기준 전압을 적용하여, 3 비트(111,110,101,100,011,010,001,000)로 데이터를 기록하게 된다.
즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 싱글 레벨 셀(SLC)은, 하나의 셀을 이용하여, 1과 0 중 어느 하나를 기록할 수 있고, 상기 멀티 레벨 셀(MLC)은, 하나의 셀을 이용하여, 11~00 중 어느 하나를 기록할 수 있다.
그리고, 상기 트리플 레벨 셀(TLC)은, 111~000 중 어느 하나를 기록할 수 있기 때문에, 데이터 저장 용량은, 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리가 가장 높고, 그 다음으로 멀티 레벨 셀(MLC)의 낸드 플래시 메모리가 높으며, 싱글 레벨 셀(SLC)의 낸드 플래시 메모리가 가장 낮으므로, 싱글 레벨 셀(SLC)의 낸드 플래시 메모리 대신, 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리를 사용하는 예가 점차 증가하고 있다.
그러나, 상기 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC) 등과 같이, 하나의 셀을 이용하여, 2 비트 또는 3 비트의 데이터를 기록하게 되면, 상기 싱글 레벨 셀(SLC)과 같이, 하나의 셀을 이용하여, 1 비트의 데이터를 기록할 때에 비해, 상대적으로 데이터의 신뢰성이 저하되기 때문에, 예를 들어, 신뢰성이 무엇보다 중요시 요구되는 관리 데이터의 기록 동작에 치명적인 오류가 발생하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은, 예를 들어, 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리를 사용하는 에스에스디(SSD) 등에서, 플래시 변환 레이어(FTL: Flash Translation Layer) 관리 데이터를, 상기 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리 내에 할당된 관리 데이터 기록 영역에 기록하는 경우, 싱글 레벨 셀(SLC)의 1 비트 기록 방식을 적용하여, 관리 데이터의 신뢰성을 보다 확실하게 확보할 수 있도록 하기 위한 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법은, 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에, 노멀 데이터 기록 영역과 관리 데이터 기록 영역을 할당하되, 상기 노멀 데이터 기록 영역으로 할당된 멀티 레벨 셀에는, 전하 유무(11,00)와 전하량(10,11)에 따라 2 비트로 노멀 데이터를 기록하고, 상기 관리 데이터 기록 영역으로 할당된 멀티 레벨 셀에는, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 관리 데이터를 기록하는 경우, 멀티 레벨 셀에 적용되는 3 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하며,
또한, 본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치는, 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 노멀 데이터 기록 영역에, 전하 유무(11,00)와 전하량(10,01)에 따라 2 비트로 노멀 데이터를 기록하거나 재생하기 위한 재생/기록부; 및 상기 재생/기록부를 동작 제어하여, 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 관리 데이터 기록 영역에, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하기 위한 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 제어부는, 상기 재생/기록부를 동작 제어하여 관리 데이터를 기록하는 경우, 멀티 레벨 셀에 적용되는 3 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하며,
또한, 본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법은, 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에, 노멀 데이터 기록 영역과 관리 데이터 기록 영역을 할당하되, 상기 노멀 데이터 기록 영역으로 할당된 트리플 레벨 셀에는, 전하 유무(111,000)와 전하량(110,101,100,011,010,001)에 따라 3 비트로 노멀 데이터를 기록하고, 상기 관리 데이터 기록 영역으로 할당된 트리플 레벨 셀에는, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 관리 데이터를 기록하는 경우, 트리플 레벨 셀에 적용되는 7 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하며,
또한, 본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치는, 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 노멀 데이터 기록 영역에, 전하 유무(111,000)와 전하량(110,101,100,011,010,001)에 따라 3 비트로 노멀 데이터를 기록하거나 재생하기 위한 재생/기록부; 및 상기 재생/기록부를 동작 제어하여, 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 관리 데이터 기록 영역에, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하기 위한 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하며,
또한, 상기 제어부는, 상기 재생/기록부를 동작 제어하여 관리 데이터를 기록하는 경우, 트리플 레벨 셀에 적용되는 7 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법은, 예를 들어, 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리를 사용하는 에스에스디(SSD) 등에서, 플래시 변환 레이어(FTL) 관리 데이터를, 상기 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리 내에 할당된 관리 데이터 기록 영역에 기록하는 경우, 하나의 셀에 충전된 전하의 유무(1,0)에 따라 1 비트로 데이터를 기록하는 싱글 레벨 셀(SLC)의 기록 방식을 적용함으로써, 신뢰성이 무엇보다 중요시 요구되는 관리 데이터의 신뢰성을 보다 확실하게 확보할 수 있게 되며, 또한 관리 데이터의 기록 동작에 치명적인 오류가 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있게 된다.
도 1 및 도 2는 일반적인 싱글 레벨 셀과 멀티 레벨 셀, 그리고 트리플 레벨 셀에 데이터를 기록하는 실시예를 도시한 것이고,
도 3은 본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법이 적용되는 에스에스디(SSD)에 대한 실시예의 구성을 도시한 것이고,
도 4는 본 발명에 따라 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리 상에 노멀 데이터와 관리 데이터가 서로 다른 기록 방식으로 기록되는 실시예를 도시한 것이고,
도 5는 본 발명에 따라 FTL 관리 데이터를 싱글 레벨 셀(SLC)의 기록 방식으로 기록하는 실시예를 도시한 것이고,
도 6은 본 발명에 따라 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리 상에 노멀 데이터와 관리 데이터가 서로 다른 기록 방식으로 기록되는 실시예를 도시한 것이고,
도 7은 본 발명에 따라 FTL 관리 데이터를 싱글 레벨 셀(SLC)의 기록 방식으로 기록하는 실시예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법에 대한 실시예에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
우선, 본 발명에 따른 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치 및 방법은, 예를 들어, 개인용 컴퓨터(PC) 등과 같은 다양한 유형의 호스트(Host)와 연결 사용되는 에스에스디(SSD)에 적용될 수 있다.
한편, 상기 에스에스디(SSD)에는, 예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 인터페이스부(10), 제어부(11), 재생/기록부(12), 그리고 다수의 낸드 플래시 메모리(13,14,15) 등이 포함 구성될 수 있다.
또한, 상기 인터페이스부(10)는, 예를 들어, SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 방식의 인터페이스를 통해 개인용 컴퓨터(PC) 등과 같은 다양한 유형의 호스트(Host)와 통신하게 된다.
그리고, 상기 제어부(11)는, 상기 재생/기록부(12)를 동작 제어하여, 상기 인터페이스부(10)를 통해 입력되는 오디오(Audio) 데이터, 비디오(Video) 데이터, 그리고 어플리케이션(Application) 데이터 등과 같은 노멀(Normal) 데이터를, 상기 낸드 플래시 메모리(13~15)에 기록하게 된다.
또한, 상기 제어부(11)는, 상기 낸드 플래시 메모리에 기록된 노멀 데이터의 재생 및 기록 동작 등을 제어하기 위한 관리(Management) 데이터를 생성한 후, 상기 재생/기록부(12)를 동작 제어하여, 상기 낸드 플래시 메모리의 특정 영역에 기록하게 된다.
한편, 상기 낸드 플래시 메모리에는, 예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 관리 데이터를 기록하기 위한 관리 데이터 기록 영역(예: Area #1)과, 상기 노멀 데이터를 기록하기 위한 노멀 데이터 기록 영역(예: Area #2)이 구분 할당된다.
예를 들어, 상기 관리 데이터 기록 영역은, 낸드 플래시 메모리의 선두 일부 구간에 할당되거나, 또는 사전에 설정된 임의의 일부 특정 구간에 할당될 수 있는 데, 상기 제어부(11)에서는, 멀티 레벨 셀(MLC) 또는 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리의 선두 일부 구간을, 관리 데이터 기록 영역으로 할당하고, 그 이외의 나머지 영역을 노멀 데이터 기록 영역으로 할당하게 된다.
또한, 상기 제어부(11)에서는, 상기 노멀 데이터 기록 영역에, 오디오, 비디오, 어플리케이션 데이터 등과 같은 노멀 데이터를 기록하게 되는 데, 예를 들어, 상기 낸드 플래시 메모리가, 멀티 레벨 셀(MLC)의 낸드 플래시 메모리인 경우, 상기 재생/기록부(12)를 동작 제어하여, 하나의 셀(Cell)에 충전된 전하의 유무(11,00)와 전하량(10,01)에 따라 2 비트로 노멀 데이터를 기록하게 된다.
반면, 상기 제어부(11)에서는, 상기 관리 데이터 기록 영역에, 관리 데이터를 기록하는 경우, 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 결함 블록 정보(Bad Block Information), 어드레스 매핑 테이블(Address Mapping Table), 프로그램/삭제 카운트 테이블(Program/Erase Count Table), 그리고 디바이스 정보(Device Information) 등과 같은 플래시 변환 레이어(FTL: Flash Translation Layer) 관리 데이터를 기록하는 경우, 상기 재생/기록부(12)를 동작 제어하여, 하나의 셀(Cell)에 충전된 전하의 유무(1,0)에 따라 1 비트로 FTL　관리 데이터를 기록하게 된다.
즉, 상기 제어부(11)에서는, 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 노멀 데이터 기록 영역에, 오디오, 비디오, 어플리케이션 데이터 등의 노멀 데이터를 기록하는 경우, 도 1을 참조로 전술한 바와 같이, 3 개의 기준(Reference) 전압을 이용하여, 전하 유무(11,00)와 전하량(10,01)을 나타내는 2 비트로 노멀 데이터를 기록하게 된다.
반면, 상기 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 관리 데이터 기록 영역에, FTL 관리 데이터를 기록하는 경우에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 멀티 레벨 셀(MLC)에 적용되는 3 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀(SLC)에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 하나의 셀에 충전된 전하의 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하게 된다.
이에 따라, 멀티 레벨 셀(MLC)의 2 비트 기록 방식으로 기록되는 노멀 데이터에 비해 재생/기록 횟수가 많으며, 무엇보다 신뢰성이 중요시 요구되는 FTL 관리 데이터를, 싱글 레벨 셀(SLC)의 1 비트 기록 방식으로 기록하여, 관리 데이터의 신뢰성을 보다 확실하게 확보할 수 있게 되며, 관리 데이터의 기록 동작에 치명적인 오류가 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있게 된다.
또한, 상기 제어부(11)에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 트리플 레벨 셀(TLC)의 낸드 플래시 메모리에 할당된 노멀 데이터 기록 영역에, 오디오, 비디오, 어플리케이션 데이터 등의 노멀 데이터를 기록하는 경우, 도 1을 참조로 전술한 바와 같이, 7 개의 기준(Reference) 전압을 이용하여, 하나의 셀에 충전된 전하의 유무(111,000)와 전하량(110,101,100,011,010,001)에 따라 3 비트로 노멀 데이터를 기록하게 된다.
반면, 상기 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 관리 데이터 기록 영역에, FTL 관리 데이터를 기록하는 경우에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 트리플 레벨 셀(TLC)에 적용되는 7 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀(SLC)에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 하나의 셀에 충전된 전하의 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하게 된다.
이에 따라, 트리플 레벨 셀(TLC)의 3 비트 기록 방식으로 기록되는 노멀 데이터에 비해 재생/기록 횟수가 많으며, 무엇보다 신뢰성이 중요시 요구되는 FTL 관리 데이터를, 싱글 레벨 셀(SLC)의 1 비트 기록 방식으로 기록하여, 관리 데이터의 신뢰성을 보다 확실하게 확보할 수 있게 되며, 또한 관리 데이터의 기록 동작에 치명적인 오류가 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있게 된다.
이상, 전술한 본 발명의 바람직한 실시예는, 예시의 목적을 위해 개시된 것으로, 당업자라면, 이하 첨부된 특허청구범위에 개시된 본 발명의 기술적 사상과 그 기술적 범위 내에서, 또다른 다양한 실시예들을 개량, 변경, 대체 또는 부가 등이 가능할 것이다.
10 : 인터페이스부 11 : 제어부
12 : 재생/기록부 13~15 : 낸드 플래시 메모리

Claims (12)

  1. 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에, 노멀 데이터 기록 영역과 관리 데이터 기록 영역을 할당하되,
    상기 노멀 데이터 기록 영역으로 할당된 멀티 레벨 셀에는, 전하 유무(11,00)와 전하량(10,11)에 따라 2 비트로 노멀 데이터를 기록하고,
    상기 관리 데이터 기록 영역으로 할당된 멀티 레벨 셀에는, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 관리 데이터를 기록하는 경우, 멀티 레벨 셀에 적용되는 3 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법.
  4. 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 노멀 데이터 기록 영역에, 전하 유무(11,00)와 전하량(10,01)에 따라 2 비트로 노멀 데이터를 기록하거나 재생하기 위한 재생/기록부; 및
    상기 재생/기록부를 동작 제어하여, 멀티 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 관리 데이터 기록 영역에, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하기 위한 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 재생/기록부를 동작 제어하여 관리 데이터를 기록하는 경우, 멀티 레벨 셀에 적용되는 3 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치.
  7. 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에, 노멀 데이터 기록 영역과 관리 데이터 기록 영역을 할당하되,
    상기 노멀 데이터 기록 영역으로 할당된 트리플 레벨 셀에는, 전하 유무(111,000)와 전하량(110,101,100,011,010,001)에 따라 3 비트로 노멀 데이터를 기록하고,
    상기 관리 데이터 기록 영역으로 할당된 트리플 레벨 셀에는, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 관리 데이터를 기록하는 경우, 트리플 레벨 셀에 적용되는 7 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 방법.
  10. 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 노멀 데이터 기록 영역에, 전하 유무(111,000)와 전하량(110,101,100,011,010,001)에 따라 3 비트로 노멀 데이터를 기록하거나 재생하기 위한 재생/기록부; 및
    상기 재생/기록부를 동작 제어하여, 트리플 레벨 셀의 낸드 플래시 메모리에 할당된 관리 데이터 기록 영역에, 전하 유무(1,0)에 따라서만 1 비트로 관리 데이터를 기록하기 위한 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 관리 데이터는, 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer) 관리 데이터로서, 결함 블록 정보, 어드레스 매핑 테이블, 프로그램/삭제 카운트 테이블, 그리고 디바이스 정보 중 어느 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 재생/기록부를 동작 제어하여 관리 데이터를 기록하는 경우, 트리플 레벨 셀에 적용되는 7 개의 기준 전압을, 싱글 레벨 셀에 적용되는 1 개의 기준 전압으로 변경 설정하여, 전하 유무(1,0)를 나타내는 1 비트로 관리 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 낸드 플래시 메모리의 관리 데이터 기록 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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