KR20120110649A - 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치 - Google Patents

패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120110649A
KR20120110649A KR1020110028655A KR20110028655A KR20120110649A KR 20120110649 A KR20120110649 A KR 20120110649A KR 1020110028655 A KR1020110028655 A KR 1020110028655A KR 20110028655 A KR20110028655 A KR 20110028655A KR 20120110649 A KR20120110649 A KR 20120110649A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wavelength
pattern layer
pattern
light
Prior art date
Application number
KR1020110028655A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101263095B1 (ko
Inventor
박강환
Original Assignee
주식회사 앤비젼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 앤비젼 filed Critical 주식회사 앤비젼
Priority to KR1020110028655A priority Critical patent/KR101263095B1/ko
Priority to PCT/KR2011/006904 priority patent/WO2012134001A1/ko
Priority to TW100146676A priority patent/TW201239346A/zh
Publication of KR20120110649A publication Critical patent/KR20120110649A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101263095B1 publication Critical patent/KR101263095B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N2021/9513Liquid crystal panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302Rigid substrates, e.g. inorganic substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 저비용으로 효율적인 패턴 검사가 가능한 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것으로, 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 단계를 포함한다.

Description

패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치{Method and apparatus for inspecting patterned substrate}
본 발명은 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 저비용으로 효율적인 패턴 검사가 가능한 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것이다.
현대는 정보화 사회라고 불려지고 있는 만큼 정보처리 장치의 발전과 보급에 따라서 영상정보의 중요성이 증대되고 아울러 그 종류의 다양화가 현저하게 이루어져 왔다. 영상정보의 가장 중요한 맨 머신 인터페이스(Man-machine Interface)로써 디스플레이(Display) 수단이 점점 중요한 시대가 되고 있다. 디스플레이 수단은 LCD, TV나 AV 모니터 및 컴퓨터 디스플레이 등에 바로 적용할 수 있어 사회의 각종 영상 표시장치로 공헌될 수 있는 플렛비젼 패널(Flat-vision Panel), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)등 두께가 얇고 가벼우며, 대형화면의 구현이 가능하도록 다양하게 개발되고 있다.
이 중, 액정표시장치를 예로 들면, 액정표시장치는 투명 전극이 형성되어 있는 한 쌍의 투명 유리기판, 두 유리기판 사이의 액정 물질, 각각의 유리기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판, 그리고 빛을 발광하는 백 라이트(back light)로 이루어진다. 유리기판 상에 인쇄되어 있는 투명한 전극은 전도성 및 투명성을 고려하여 인듐주석 산화물(Induim Tin Oxide, ITO)이 널리 사용된다.
투명전극은 액정물질에 전압을 가하기 위한 전극이므로 전극패턴형상의 정확도가 중요하기 때문에 패턴검사를 수행한다. 패턴검사에는 전용집적회로를 사용하여 위상차 측정방식으로 정전용량의 변화를 감지하여 반응정도로서 패턴의 정확도를 검사하거나 또는 카메라나 렌즈, 조명을 이용하여 빛에 반사된 패턴의 형상을 파악하여 검사하는 방법이 사용된다.
그러나, 전용집적회로를 사용하는 경우, 높은 비용이 소요되고 검사방법이 복잡하고 까다로웠으며, 카메라 등을 사용한 검사방법의 경우 투명전극의 특성상 기판과의 구별이 쉽지 않아 정확도가 낮은 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 특정 파장의 광과 카메라를 통한 효율적인 패턴 검사가 가능한 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치를 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법은 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계; 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 패턴층은 상기 기판상에 인듐주석 산화물(ITO)이 코팅되어 패턴을 형성하여 구성될 수 있고, 상기 기판은 유리기판일 수 있다.
또한, 상기 제1파장은 자외선 파장영역의 파장으로, 250nm 내지 350nm 내의 파장일 수 있다.
한편, 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법은 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하여 상기 기판에 형성된 패턴층을 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 패턴층을 검사하는 단계는
상기 제1파장광에 의해 형성된 영상과 표준 영상을 비교하여 오류를 검출하여 패턴층을 검사하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치는 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부; 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 센싱부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기반을 지지하는 스테이지를 더 포함할 수도 있다.
이때, 상기 패턴층은 상기 기판상에 인듐주석 산화물(ITO)이 코팅되어 패턴을 형성하여 구성될 수 있고, 상기 기판은 유리기판일 수 있다.
한편, 상기 제1파장은 자외선 파장영역의 파장으로, 250nm 내지 350nm 내의 파장일 수 있다.
또한, 상기 센싱부는 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하여 상기 기판에 형성된 패턴층을 검사하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법을 이용하면, 기판과 패턴과의 투과파장차이에 따른 광학검사방식을 통하여 패턴을 검사하게 되어 종래에 정확한 검사가 어려웠던 패턴검사방식의 정확도를 2배 이상의 콘트라스트를 갖는 초고정밀 해상도로 검사할 수 있는 효과가 있다.
아울러, 투명도전막 패턴이 형성된 기판의 경우, 정확한 패턴검사가 가능하면 이러한 기판이 사용되는 LCD, PDP, 터치패널 및 플렉서블 디스플레이 등의 다양한 제품의 완성도를 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 유리 및 ITO의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치를 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 5는 폴리이미드의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 각각 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명에 의한 패턴검사장치의 구체적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명에 의한 패턴검사방법의 개념을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
본 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법은 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계; 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 단계를 포함한다.
기판(110)상에 형성되는 패턴층(120)은 기판(110)과는 상이한 물질로 형성된 패턴층(120)을 의미한다. 기판(110)상에 패턴층(120)이 형성된 경우, 패턴층(120)의 패턴이 정확하게 형성되었는지 확인하기 위하여, 도 1에서와 같이 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 않는 광을 조사한다.
도 1에서 제1파장광 L1은 기판(110)의 하부에서 패턴층(120)이 형성된 상부측으로 조사된다. 제1파장광 L1은 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 못한다. 즉, 제1파장광 L1은 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 못하는 파장인 제1파장을 갖는 광이다.
패턴층(120)을 검사하기 위하여 기판(110)에 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 못하는 제1파장을 갖는 광을 조사하면, 제1파장광을 조사한 면의 반대면에서 제1파장광을 검출할 수 있는 센싱부를 사용하여 패턴층(120)을 투과한 제1파장광을 검출할 수 있다. 이에 따라 제1파장광이 검출된 영역은 패턴층(120)에 패턴이 형성되지 않아 제1파장광이 그대로 투과된 영역이고, 제1파장광이 검출되지 않은 영역은 제1파장광이 패턴층(120)을 투과하지 못하는 영역, 즉 제1파장광이 패턴층(120)에 흡수된 영역이므로 패턴이 형성된 영역이다.
따라서, 제1파장광의 검출 여부에 따라 패턴형상을 획득할 수 있으므로 패턴층(120)이 형성된 기판(110)의 패턴을 검사할 수 있다.
예를 들어, 제1파장이 자외선 영역의 파장이라 하자. 기판(110)은 자외선 영역의 파장, 즉 100nm 내지 380nm의 파장의 광을 투과시키는 기판이고, 패턴층(120)은 자외선 영역의 파장을 갖는 광을 투과시키지 못하는 물질을 포함하면, 자외선 센싱부를 이용하여 패턴층(120)의 형상을 검출할 수 있다.
또한, 예를 들어, 기판(110)이 유리기판이고, 패턴층(120)은 ITO를 포함한다고 가정하자. 도 2a 및 도 2b는 각각 유리 및 ITO의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다. 도 2a 및 도 2b를 비교하여 보면, 유리는 250nm 내지 350nm의 파장에서도 투광도(transmittance)가 높아 250nm 내지 350nm의 파장의 광을 투과시킨다. 반면, ITO의 경우, 350nm 근처에서 투광도가 0%로 떨어지는 경향을 나타내는 그래프로 보아, 250nm 내지 350nm에서는 투광도가 낮아 이 파장의 광을 거의 투과시키지 못할 것을 예측할 수 있다.
따라서, 기판(110)이 유리기판이고, 패턴층(120)이 ITO를 포함하는 경우, 제1파장광의 파장을 250nm 내지 350nm로 하여 패턴층(120)을 검사할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치를 나타내는 도면이다.
도시된 바와 같이, 도 3의 패턴검사장치(350)는 패턴층이 형성된 기판(330)에 '기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부(310); 및 패턴층이 형성된 기판(330)을 통과한 광인 투과광을 검출하는 센싱부(320)를 포함한다.
발광부(310)는 기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위내의 파장인 제1파장을 갖는 제1파장광을 패턴층이 형성된 기판(330) 측으로 조사한다. 패턴층이 형성된 기판(330)에서는 패턴이 형성되지 않은 영역에서 제1파장광이 투과되므로 투과된 제1파장광을 센싱부(320)가 검출하여 이를 이용하여 패턴을 검사할 수 있다. 도 3에는 도시되어 있지 않으나, 기판상의 패턴층은 발광부를 향한 면 또는 센싱부를 향한 면 중 어느 면에라도 위치하는 것이 가능하다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층(220)이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다. 도 4a에서, 기판(210) 상에 패턴층(220)이 형성되어 있는데, 패턴층(220)의 상부에는 형광물질층(230)이 더 형성되어 있다. 이하, 도 1을 참조하여 설명한 내용과 동일한 내용은 생략하기로 한다.
형광물질층(230)은 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시킨다. 도 4a에서, 기판(210)의 하부로 제1파장광 L1이 조사되면, 제1파장광 L1은 기판(210)은 투과하나 패턴층(220)은 투과하지 못한다. 따라서, 패턴층(220)이 형성되지 않은 영역으로 투과된 제1파장광 L1은 상부에 형성된 형광물질층(230)에서 제1파장과 다른 파장의 광으로 변환된다.
형광물질층(230)에서 제1파장과 다른 파장으로 변환된 제2파장은 제1파장이 주사된 방향으로 다시 방출된다. 이는 형광물질층(230)이 제1파장이 흡수되면 흡수된 표면을 중심을 형광물질의 화학반응에 따른 에너지 변화에 따라 제2파장을 제1파장이 주사된 방향으로 방출하게 된다.
이에 따라, 패턴층(220)의 패턴형상을 검사하기 위하여는 형광물질층(230) 하부에 제2파장을 검출할 수 있는 센싱부를 사용하여 제2파장광 L2을 검출한다.
본 실시예의 패턴검사방법에서는 기판(210) 및 패턴층(220)의 광학특성을 고려하여 형광물질층(230)을 이용하여 패턴검사에 사용되는 광의 파장을 변환시킨다. 즉, 기판(210) 및 패턴층(220)의 광학특성이 매우 유사하여 기판(210)은 투과하나 패턴층(220)을 투과하지 않는 제1파장영역을 가시광선 영역에서 찾기 어려운 경우에는 자외선 영역에서 찾을 수 있다. 그러나, 제1파장이 자외선 영역인 경우, 자외선을 검출하기 위한 UV센싱부가 고가일 수 있다. 따라서, 저가이면서 사용이 비교적 간단한 가시광선용 카메라를 사용하기 위하여는 자외선 영역인 제1파장의 광을 가시광선 영역인 제2파장의 광으로 변환하여 검출하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 형광물질층(230)은 폴리이미드가 이용될 수 있다. 특히, 폴리이미드 중 일부 방향성 폴리이미드는 250nm 내지 350nm 파장의 광을 흡수하여 400nm 내지 500nm 파장의 광을 방출하는 형광특성을 나타낸다. 이러한 특성을 나타내는 폴리이미드로는 이하의 화학식1의 Ph/An, 화학식 2의 Ph4F/An, 화학식 3의 Ph/Ch, 및 화학식 4의 Ph4F/Ch가 있다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
도 5는 화학식 1 내지 화학식 4의 폴리이미드의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다.
따라서, 전술한 예에서, 기판(210)이 유리기판이고, 패턴층(220)이 ITO 패턴인 경우, 검사를 위하여 250nm 내지 350nm 의 제1파장광을 기판(210)에 조사할 수 있다. 이 경우, 패턴층(220)을 투과한 250nm 내지 350nm의 제1파장광 L1은 폴리이미드 형광물질층(230)에서 400nm 내지 500nm 파장의 제2파장광 L2로 변환되고, 가시광선용 카메라와 같은 센싱부를 이용하면 패턴층(220)의 패턴을 검사할 수 있다.
특히, 폴리이미드는 액정표시장치에서 투명전극이 패턴화된 유리기판 내부의 액정을 균일하게 배향하기 위한 배향막(alingment layer)으로 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 패턴층이 형성된 기판이 ITO패턴이 형성된 유리기판이고, 본 기판이 액정표시장치에 사용되는 경우, 폴리이미드가 배향막으로서 ITO패턴상에 형성된다. 따라서, 별도의 형광물질층(230)을 형성하지 않고서도 배향막으로 사용된 폴리이미드를 이용하여 ITO 패턴의 검사가 가능하다.
도 4b의 경우는, 형광물질층(230)이 도 4a와 달리 기판(210)의 하부에 형성된 것을 도시하고 있다. 형광물질층(230)은 기판(210)의 패턴층(220) 상에 형성될 수 있으나 기판(210)의 하부, 즉 패턴층(220)이 형성되지 않는 면의 상부에 형성될 수 있는 것은 물론, 형광물질층(230)이 기판(210)에 직접 형성되지 않은 경우에는 패턴 검사를 위해 형광물질층(230)을 별도로 장착하는 방법으로 이용할 수 있다. 따라서, 형광물질층(230)은 기판(210)이나 패턴층(220)의 표면과 접촉하거나 또는 접촉하지 않을 수 있다.
도 4b와 같이, 형광물질층(230)이 기판(210)측에 형성되면, 패턴검사를 위한 제1파장광 L1은 기판(210)의 하부가 아닌 패턴층(220) 측에서 조사된다. 패턴층(220) 측에서 조사된 제1파장광 L1은 패턴층(220)에서 패턴이 형성된 영역은 투과하지 못하고 패턴이 형성되지 않은 영역은 기판(210)을 투과하여 형광물질층(230)에 도달한다. 제1파장광 L1은 형광물질층(230)에서 제2파장광 L2로 변환되어 패턴층(220) 측에 위치한 제2파장광을 검출할 수 있는 센싱부에 의하여 검출되고, 패턴이 검사된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치의 일 예를 도시한 도면이다.
도 6의 패턴검사장치(500)는 패턴층이 형성된 기판(530)에 '기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부(310), 상기 기판을 지지하는 스테이지(340) 및 상기 조사된 제1파장광이 상기 패턴층이 형성된 기판을 통과하면서 발산되는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 센싱부(320)를 포함한다.
발광부(510)는 기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위내의 파장인 제1파장을 갖는 제1파장광을 패턴층이 형성된 기판(330) 측으로 조사한다.
이때, 패턴층이 형성된 기판(330)은 '기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장광을 흡수하여 이와 다른 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질층을 더 포함하는 기판일 수 있다. 이러한 패턴층이 형성된 기판(330)을 검사하기 위하여는 발광부(310)는 제1파장광을 발광하고, 센싱부(320)는 형광물질층으로부터 방출되는 파장변환된 제2파장광을 검출한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치의 다른 예를 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 도 7은 발광부(610) 및 센싱부(620)는 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)의 일면에 함께 위치하고 있다. 즉, 도 7에서는 발광부(610) 및 센싱부(620)가 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)의 상부에 함께 위치한다.
발광부(610) 및 센싱부(620)와 동일평면상에 위치하기 때문에 패턴검사장치의 크기가 감소될 수 있다.
한편, 발광부(610)와 센싱부(620)가 동일 축에 있는 경우에 광 검출에 문제가 발생할 수도 있으므로 도 7은 발광된 광 또는 검출된 광의 진행방향을 변경할 수 있는 광학계(611)를 더 구비한다.
도 7에서, 발광부(610) 및 센싱부(620)는 광축으로 보아 서로 직각으로 위치하므로 광학계(611) 내부에는 발광부(610)로부터 조사된 제1파장광은 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)측으로 반사시키고, 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)으로부터 방출되는 광인 제2파장광을 투과시키기 위한 미러를 포함한다.
이와 달리, 발광부 및 센싱부의 위치가 서로 바뀌는 경우, 즉 발광부가 센싱부의 위치게 있다면 미러는 발광부로부터의 제1파장광은 투과시키고 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판으로부터의 제2파장광은 반사시킬 수 있어야 한다. 따라서, 발광부, 센싱부 및 미러의 종류는 제1파장광, 형광물질층, 및 기판의 위치 등에 따라 변경될 수 있다.
예를 들어, 기판(210)이 유리기판이고, ITO패턴이 형성되었으며, 형광물질층(640)은 폴리이미드를 포함한다고 가정하자. 발광부(610)는 250nm 내지 350nm의 파장을 갖는 제1파장광 L1을 조사하고, 광학계(611)에서 미러(612)는 250nm 내지 350nm의 파장을 반사시킨다. 반사된 제1파장광은 패턴층이 형성된 기판(630) 상으로 조사되고, 패턴이 형성되지 않은 영역으로 투과된 제1파장광은 형광물질층(640)에 도달하여 400nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제2파장광 L2로 변환된다.
제2파장광은 형광물질층(640)의 상부로 방출되어 센싱부(620)측으로 진행하고, 미러(612)는 400nm 내지 500nm의 파장의 광은 반사시키지 않고 투과시키게 되어 센싱부(620)의 렌즈(621)로 검출되어 카메라(622)에서 검출된다. 따라서, 카메라(622)는 제2파장광이 400nm 내지 500nm의 가시광선이므로 UV 카메라가 아닌 자외선 필터 및 적외선 필터가 있는 CCD 카메라 또는 CMOS 카메라 중 어느 것이든 사용할 수 있다.
이와 달리 형광물질이 없는 경우에는 센싱부(520)는 제1파장광을 검출하게 되므로 UV 카메라일 수 있다. 다만, 이때에는 투과된 광을 센싱부(520)로 진행하도록 하기 위해 반사판을 구비할 수 있다.
한편, 패턴층이 형성된 기판(630)을 지지하고, 필요에 따라 이송하기 위한 스테이지(660)를 구비할 있다.
따라서, 패턴층이 형성된 기판(630)의 크기가 큰 경우나 계속적으로 검사가 필요한 경우에는 스테이지(660)의 움직임에 따라 계속하여 패턴을 검사할 수 있다.
본 실시예에서는 패턴층이 형성된 기판 상에 형광물질층(640)이 형성된 것으로 보아 설명하였으나, 형광물질층은 스테이지(660)상에 구비되고, 패턴층이 형성된 기판만 장착되어 패턴이 검사될 수 있다. 패턴이 검사된 기판은 분리되고 형광물질층은 다른 패턴층이 형성된 기판을 검사하기 위하여 재사용될 수 있다.
또한 본 발명에 따라, 센싱부(620)의 카메라(622)를 통해 검출된 영상은 제어부(710)로 전송되어 패턴 검사를 실시한다.
팬턴 검사는 먼저, 제어부(710)의 전처리부(711)에서 카메라(622)를 통해 촬영된 영상을 획득하여 노이즈 제거 및 정밀 측정을 위한 캘리브레이션을 수행한다.
여기서, 카메라를 통해 촬영된 영상은 상기 실시예에서 설명한 바와 같이, 패턴층이 형성된 기판상에서 "기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장"인 제1파장에 의해 형성되는 영상이거나, 혹은 패턴층이 형성된 기판상에서 "기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장"인 제1파장이 조사되고, 형광물질층에 의해 제1파장광의 파장이 변환된 제2파장에 의해 형성되는 영상이다.
전처리 과정에 의해, 노이즈 제거 및 캘리브레이션이 수행되면, 제어부(710)의 패턴 검사부(712)는 전처리부(711)에 의해 전처리된 영상과 표준 패턴을 비교하여 촬영된 영상의 오류를 검출한다.
오류의 검출은 도 8과 같이 촬영된 영상과 표준 영상을 비교하여 그 차이로부터 오류 정도를 검출한다.
제어부(710)는 패턴 검사부(712)에 의해 검출된 패턴 영상의 오류에 대한 정보를 출력부(720)를 통해 출력함은 물론 데이터베이스(730)에 저장한다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
110, 210 기판
120, 220 패턴층
230, 640 형광물질층
500, 600 패턴검사장치
310, 610 발광부
320, 620 센싱부
330, 630 패턴층이 형성된 기판
611 광학계
612 미러
621 렌즈
622 카메라
660 스테이지
L1 제1파장광
L2 제2파장광

Claims (14)

  1. 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계;
    상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 단계를 포함하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 패턴층은
    상기 기판상에 인듐주석 산화물(ITO)이 코팅되어 패턴을 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은
    유리기판인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제1파장은
    자외선 파장영역의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기1파장은
    250nm 내지 350nm 내의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하여 상기 기판에 형성된 패턴층을 검사하는 단계를 더 포함하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 패턴층을 검사하는 단계는
    상기 제1파장광에 의해 형성된 영상과 표준 영상을 비교하여 오류를 검출하여 패턴층을 검사하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  8. 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부; 및
    상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 센싱부를 포함하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기반을 지지하는 스테이지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 패턴층은
    상기 기판상에 인듐주석 산화물(ITO)이 코팅되어 패턴을 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 기판은
    유리기판인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 제1파장은
    자외선 파장영역의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기1파장은
    250nm 내지 350nm 내의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 센싱부는
    상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하여, 상기 제1파장광에 의해 형성된 영상과 표준 영상을 비교하여 오류를 검출하여 패턴층을 검사하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
KR1020110028655A 2011-03-30 2011-03-30 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치 KR101263095B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110028655A KR101263095B1 (ko) 2011-03-30 2011-03-30 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
PCT/KR2011/006904 WO2012134001A1 (ko) 2011-03-30 2011-09-19 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
TW100146676A TW201239346A (en) 2011-03-30 2011-12-16 Method and apparatus for inspecting patterned substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110028655A KR101263095B1 (ko) 2011-03-30 2011-03-30 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120110649A true KR20120110649A (ko) 2012-10-10
KR101263095B1 KR101263095B1 (ko) 2013-05-09

Family

ID=46931658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110028655A KR101263095B1 (ko) 2011-03-30 2011-03-30 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101263095B1 (ko)
TW (1) TW201239346A (ko)
WO (1) WO2012134001A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101432468B1 (ko) * 2014-02-20 2014-08-22 피에스아이트레이딩 주식회사 투명 도전막 패턴의 검사 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101366815B1 (ko) * 2013-07-12 2014-02-25 주식회사 에이피에스 그래핀 인쇄패턴 검사장치와, 그래핀 인쇄패턴 검사시스템 및 그 운용방법
KR101366816B1 (ko) * 2013-07-12 2014-02-25 주식회사 에이피에스 그래핀 인쇄패턴 검사장치와, 그래핀 인쇄패턴 검사시스템 및 그 운용방법
KR20150057255A (ko) * 2013-11-19 2015-05-28 동우 화인켐 주식회사 Ir 센서용 인쇄 패턴의 투과율 검사 장치
KR102037984B1 (ko) 2017-11-23 2019-10-29 주식회사 나노정밀코리아 다기능 광학 검사장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05248835A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Fujitsu Ltd パターンの検査方法及びその検査装置
JP2001083101A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Nec Corp 光学的パターン検査装置
JP2003215060A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
JP4392182B2 (ja) * 2003-03-28 2009-12-24 大日本印刷株式会社 透明層の欠陥検査方法、及び熱転写シートの欠陥検査方法
JP4361043B2 (ja) * 2005-09-20 2009-11-11 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 パタン検査装置
TWI313395B (en) * 2006-01-13 2009-08-11 Icf Technology Co Ltd Substrate structure and method of manufacturing thin film pattern layer using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101432468B1 (ko) * 2014-02-20 2014-08-22 피에스아이트레이딩 주식회사 투명 도전막 패턴의 검사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012134001A1 (ko) 2012-10-04
TW201239346A (en) 2012-10-01
KR101263095B1 (ko) 2013-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8451445B2 (en) Apparatus and method for detecting array substrate
KR101263095B1 (ko) 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
US20150377708A1 (en) Optical system and array substrate detecting device
WO2013149486A1 (zh) 检测液晶面板的设备及方法
TWI717670B (zh) 發光二極體的檢測方法及檢測裝置
KR101263092B1 (ko) 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
WO2015126111A1 (ko) 그래핀의 전도성 검사 장치 및 검사 방법
JP2001201429A (ja) 検査基体の欠陥検査方法および装置
JP2013205091A (ja) フィルム検査システム、フィルム検査方法
TW201512736A (zh) 用於偵測缺陷基板之液晶調變器及具有該液晶調變器之檢驗裝置
TW201243318A (en) Electro optical modulator electro optical sensor and detecting method thereof
KR101721395B1 (ko) 그래핀의 전도성 검사 장치 및 검사 방법
WO2013035430A1 (ja) Tft基板の欠陥検査装置及び方法
CN112219114A (zh) 显示单元的异物检查系统
JPH04282441A (ja) 透明導電膜の検査方法および検査装置
KR100408995B1 (ko) 전계검사장치
JP2006195351A (ja) 液晶表示装置用調整装置
KR101259646B1 (ko) 전자광학 효과를 이용한 평면표시장치용 비접촉식 검사장치및 검사방법
KR101255952B1 (ko) 패턴층이 형성된 기판의 간섭 현상을 이용한 패턴검사방법 및 패턴검사장치
US9140655B2 (en) Mother glass inspection device and mother glass inspection method
JP2012181171A (ja) 反射型液晶パネルのセルギャップ検査装置およびセルギャップ検査方法
JPH08136876A (ja) 基板検査装置
JP3776628B2 (ja) 画像処理装置を用いる検査方法
KR102178727B1 (ko) 디스플레이 패널 감지 장치
JP2008082878A (ja) 照度測定装置、及び照度測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160310

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170316

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee