KR20120107656A - Soft-mold and fabricating method of the same, and fabricating method of optical flim using the same - Google Patents

Soft-mold and fabricating method of the same, and fabricating method of optical flim using the same Download PDF

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KR20120107656A
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Abstract

PURPOSE: A soft mold and a manufacturing method thereof, and a method using the soft mold are provided to easily transfer circular patterns on a film by using a soft mold in a simple process. CONSTITUTION: A soft mold(1) manufacturing method is as follows. A silicon master wafer(10) has optical patterns and directivity, and a molding liquid(20) is spread on a surface of the silicon master wafer(S2). A base material(30) for a soft mold is touched to the spread molding liquid and cured(S3). The cured molding liquid and base for the soft mold are separated from each other(S4).

Description

소프트 몰드 및 그 제조방법, 소프트 몰드의 사용방법, 소프트몰드를 이용해 제조되는 광학필름{SOFT-MOLD AND FABRICATING METHOD OF THE SAME, AND FABRICATING METHOD OF OPTICAL FLIM USING THE SAME} SOFT-MOLD AND FABRICATING METHOD OF THE SAME, AND FABRICATING METHOD OF OPTICAL FLIM USING THE SAME}

본 발명은 식각이 된 (100) 실리콘 웨이퍼의 표면 텍스쳐링 패턴을 이용하여 유연필름에 전사하여 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 방향성을 가진 실리콘 웨이퍼 표면상에 나노 및 마이크로 크기의 피라미드 형태 사각뿔 패턴을 얻은 후, 이것을 마스터 패턴으로 이용하여 소프트 몰드를 제작하고 다시 이 소프트 몰드로 원래의 패턴을 필름에 전사하는 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of transferring to a flexible film by using the surface texturing pattern of an etched (100) silicon wafer, and particularly, obtains a pyramidal pyramidal pattern of nano and micro size on the surface of a oriented silicon wafer. Then, this is related to the manufacturing method which uses this as a master pattern, produces a soft mold, and transfers the original pattern to a film with this soft mold again.

나노, 또는 마이크로미터 크기의 고유한 형태를 갖는 패턴 마스터를 제작하는 방법은 여러 가지 방법이 있는데, 기계적 가공에 의한 방법, 레이저 직접전사 방법, 금형 제작을 통한 역전사 등이 그것이다. There are various methods for manufacturing pattern masters having unique shapes of nano or micrometer size, such as mechanical processing, laser direct transfer method, and reverse transcription through mold fabrication.

실리콘 웨이퍼는 여러 가지 결정의 방향성에 따라 구별되며, 이러한 실리콘은 화학 가스를 이용한 건식식각, 또는 화학적 식각이 가능한 습식식각을 이용하여 효과적으로 비등방성 에칭이 된다. 즉, 사용하는 기판의 방향성에 따라서 그리고 마스크의 형태, 사용 용도에 따라 ‘V’자 형태의 식각이나 원형의 언더컷 형태, 오버컷 또는 직각형태의 식각패턴을 구현할 수 있다. 이러한 패턴은 LED, LD, PD, fiber array 등 다양한 광학소자를 로딩하여 모듈화하는 기본적인 플랫폼으로 널리 사용되고 있다.Silicon wafers are distinguished according to the orientation of various crystals, and such silicon is effectively anisotropically etched by dry etching using chemical gas or wet etching capable of chemical etching. That is, depending on the orientation of the substrate to be used and the shape of the mask and the purpose of use, the 'V' shaped or circular undercut, overcut or right angle etching patterns may be realized. This pattern is widely used as a basic platform for loading and modularizing various optical devices such as LED, LD, PD, and fiber array.

본 발명의 목적은 (100) 실리콘 웨이퍼의 식각방법에서 실리콘의 효율적인 비등방성 식각 방법을 이용하여 'V'자형 또는 사각뿔 형태의 피라미드 패턴을 구현하고, 구현된 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼는 패턴전사를 위한 마스터로 사용하여 소프트 몰드를 제작하고 이 소프트 몰드로 필름에 원형의 패턴을 형성하는 할 수 있는 필름제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to implement a pyramid pattern of 'V' shape or square pyramid using an efficient anisotropic etching method of silicon in the etching method of (100) silicon wafer, the silicon wafer formed pattern is implemented for pattern transfer It is to provide a film production method that can be used as a master to produce a soft mold and to form a circular pattern on the film with the soft mold.

상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 광학패턴이 구현된 방향성을 가지는 (100) 실리콘 마스터 웨이퍼 표면에 몰딩액을 도포하고, 소프트 몰드용 기재를 상기 도포된 몰딩액에 접촉시키고 경화하고, 경화된 몰딩액과 소프트 몰드용 기재를 분리하는 공정을 포함하는 소프트 몰드의 제조방법을 제공할 수 있도록 한다.As a means for solving the above-described problems, the present invention is applied to the molding liquid on the surface of the (100) silicon master wafer having an directionality embodied in the optical pattern, and to contact the cured molding liquid and the substrate for soft mold To provide a method for producing a soft mold comprising the step of separating the cured molding liquid and the substrate for soft mold.

이 경우, 상술한 제조공정에서 상기 실리콘 마스트 웨이퍼 표면에 구현되는 상기 광학패턴은, 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형, 구형, 비구형 중 어느 하나의 형상의 패턴, 또는 둘 이상의 패턴으로 구현할 수 있다.In this case, the optical pattern implemented on the surface of the silicon mast wafer in the above-described manufacturing process, the pattern of any one of a triangular prism type, triangular pyramidal, pyramid pattern, conical, spherical, non-spherical, or two or more patterns Can be implemented.

또한, 상기 광학패턴은, 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형 중 어느 하나의 패턴이며, 각 패턴의 첨점의 각도가 65~75도로 구현될 수 있다.The optical pattern may be any one of a triangular prism type, a triangular pyramid type, a pyramid pattern type, and a cone type, and the peak angle of each pattern may be implemented at 65 to 75 degrees.

아울러, 상술한 제조공정에 이용되는 실리콘 웨이퍼 표면에 구현되는 상기 광학패턴은, 각각의 광학패턴 간의 간격이 0.0 ㎛~100 ㎛의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열될 수 있으며, 각 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛, 피치가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위에서 구현될 수 있다.In addition, the optical pattern implemented on the surface of the silicon wafer used in the above-described manufacturing process, the interval between each optical pattern can be arranged uniformly or non-uniformly spaced in the range of 0.0 ㎛ ~ 100 ㎛, the size of each pattern It can be implemented in the range of 0.1 ㎛ ~ 100 ㎛, pitch is 0.1 ㎛ ~ 100 ㎛.

아울러, 본 발명에 따른 상기 소프트 몰드용 기재는, PC(Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC 중 어느 하나를 이용하는 광투과성 고분자 필름으로 구현될 수 있다.In addition, the soft mold substrate according to the present invention may be implemented as a light-transmissive polymer film using any one of PC (Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC.

상술한 제조공정에 의해 제조되는 소프트 몰드는 다음과 같은 구조를 구비할 수 있다.The soft mold manufactured by the above-described manufacturing process may have the following structure.

구체적으로는, 광투과성 고분자필름으로 구성되는 기재; 상기 기재의 상면에 적층되는 광경화성 수지층;을 포함하되, 상기 광경화성 수지층 상에 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛, 피치가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위인 전사 광학패턴을 더 포함하여 구현될 수 있다.Specifically, the base material consisting of a light transmissive polymer film; And a photocurable resin layer laminated on the upper surface of the substrate, wherein the photocurable resin layer further includes a transfer optical pattern having a pattern size of 0.1 μm to 100 μm and a pitch of 0.1 μm to 100 μm. Can be implemented.

상기 전사 광학패턴은, 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형, 구형, 비구형 중 어느 하나의 형상의 패턴, 또는 둘 이상의 패턴으로 구현가능하며, 특히 각각의 전사 광학패턴 간의 간격이 0.0 ㎛~100 ㎛의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열될 수 있다.The transfer optical pattern may be implemented as a triangular prism, triangular pyramid, pyramid pattern, cone, sphere, non-spherical pattern, or two or more patterns, in particular, the distance between each transfer optical pattern is 0.0 Spaced in the range of μm to 100 μm may be arranged uniformly or non-uniformly.

상술한 제조방법에 의해 제조된 소프트 몰드를 이용하여 광학필름에 상기 광학패턴을 전사할 수 있다. 이 경우, 핫엠보싱(Hot embossing), 라미레이션(Lamination), 인젝션몰딩(Injection molding), 나노임프린팅(Nano-Imprinting), 콤프레시브 몰딩(Compressive Molding), PDMS 중 어느 하나의 공정을 상기 소프트 몰드를 적용하여 상기 광학패턴을 광학필름에 전사하는 방식으로 구현될 수 있다.The optical pattern may be transferred to the optical film by using the soft mold manufactured by the above-described manufacturing method. In this case, any one of hot embossing, lamination, injection molding, nano-imprinting, compression molding and PDMS may be used. The optical pattern may be transferred to an optical film by applying a mold.

본 발명에 따르면, 식각이 된 방향성을 가지는 (100) 실리콘 웨이퍼의 표면 텍스쳐링 패턴을 이용하여 유연필름에 전사하여 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 방향성을 가진 실리콘 웨이퍼 표면상에 나노 및 마이크로 크기의 피라미드 형태 사각뿔 패턴을 얻은 후, 이것을 마스터 패턴으로 이용하여 소프트 몰드를 제작하고 다시 이 소프트 몰드로 원래의 패턴을 필름에 전사하여 매우 간소한 공정으로 필름에 원형의 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the present invention relates to a method for transferring and fabricating a flexible film using a surface texturing pattern of an etched directional silicon wafer, in particular nano and micro-sized pyramids on a oriented silicon wafer surface. After obtaining the shape square pyramid pattern, it is used as a master pattern to produce a soft mold, and again, the original pattern is transferred to the film by the soft mold, thereby forming a circular pattern on the film in a very simple process.

특히, (100) 실리콘 웨이퍼의 표면 텍스쳐링 패턴은 광추출효과가 탁월함과 동시에 제조가 매우 간소한 공정으로 구현될 수 있으며, 미세 패턴의 구현 및 이를 이용한 대면적 필름제조를 구현할 수 있는 효과도 있다.In particular, the surface texturing pattern of the (100) silicon wafer may be embodied in a very simple process of manufacturing at the same time as the light extraction effect is excellent, there is also the effect of implementing a fine pattern and a large-area film production using the same.

도 1은 본 발명에 따른 제조공정을 도시한 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제조공정도를 도시한 개념도이다.
도 3는 본 발명에 따른 식각공정을 마친 웨이퍼 표면의 확대이미지를 도시한 평면이미지이다.
도 4은 본 발명에 따른 식각공정을 마친 웨이퍼 표면의 확대이미지를 도시한 측면이미지이다.
1 is a flow chart illustrating a manufacturing process according to the present invention.
2 is a conceptual diagram showing a manufacturing process diagram according to the present invention.
Figure 3 is a planar image showing an enlarged image of the wafer surface after the etching process according to the present invention.
Figure 4 is a side image showing an enlarged image of the wafer surface after the etching process according to the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation according to the present invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 제조공정 순서도 및 공정도를 도시한 것이다.1 and 2 show a manufacturing process flow chart and process diagram according to the present invention.

도시된 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 소프트 몰드의 제조공정은, 광학패턴이 구현된 방향성을 가지는 (100) 실리콘 마스터 웨이퍼 표면에 몰딩액을 도포하고, 소프트 몰드용 기재를 상기 도포된 몰딩액에 접촉시키고 경화하고, 경화된 몰딩액과 소프트 몰드용 기재를 분리하는 공정을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to the drawings, the manufacturing process of the soft mold according to the present invention, the molding liquid is applied to the surface of the (100) silicon master wafer having a direction in which the optical pattern is implemented, the soft molding substrate is applied to the applied molding liquid And a step of separating the cured molding solution and the soft mold substrate from contacting and curing.

각각의 공정 단계를 이하에서 기술하는 실시예를 이용하여 구체적으로 설명하기로 한다. 이하 본 발명의 공정단계에서는 특히 특정한 방향성을 가지는 (100) 실리콘 웨이퍼를 적용하여 공정을 설명하기로 한다. "(100)"이란 실리콘의 방향성을 나타내는 식별기호이다.Each process step will be described in detail using the examples described below. Hereinafter, in the process step of the present invention, the process will be described by applying a (100) silicon wafer having a particular orientation. "(100)" is an identification symbol indicating the directionality of silicon.

본 발명에서 이용되는 실리콘 마스터 웨이퍼는 표면에 광학패턴이 구현된 구조물을 이용하며, 이 광학패턴은 식각물질을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 표면에 나노, 또는 마이크로 크기 형태의 사각뿔 구조의 피라미드 패턴을 구현된 구조물을 이용할 수 있다.The silicon master wafer used in the present invention uses a structure in which an optical pattern is implemented on a surface, and the optical pattern is formed of a pyramid pattern of nano- or micro-sized square pyramid structure on the surface of the silicon wafer by using an etching material. The structure may be used.

[실리콘 웨이퍼 표면에 광학패턴의 구현 방법에 대한 일 실시예]One Embodiment of a Method of Implementing an Optical Pattern on a Silicon Wafer Surface

본 발명에 따른 광학패턴이 구현되는 실리콘 웨이퍼는 다양한 방법으로 구현이 가능함은 당업자에게 자명한 사항이나, 바람직한 일 실시예로서 광학패턴의 구현 방법을 기술하면 다음과 같다.It will be apparent to those skilled in the art that the silicon wafer in which the optical pattern according to the present invention is implemented can be implemented in various ways. However, the method of implementing the optical pattern as a preferred embodiment is as follows.

본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼에 광학패턴의 구현은, 실리콘 웨이퍼의 표면을 식각하는 공정으로 구현할 수 있다. 특히, 나노, 또는 마이크로 크기 형태의 사각뿔 구조의 피라미드 패턴을 구현하기 위하여 식각용액 물질을 사용한 습식 식각을 이용할 수 있으며, 이는 식각 마스크를 사용하는 경우와, 사용하지 않는 경우 모두 해당한다.Implementation of the optical pattern on the silicon wafer according to the present invention can be implemented by a process of etching the surface of the silicon wafer. In particular, wet etching using an etching solution material may be used to implement a pyramidal pattern having a nano- or micro-sized square pyramid structure, which is applicable to both using and not using an etching mask.

이 경우 식각에 사용되는 식각용액은, KOH에 Isopropyl alcohol, ethyl alcohol, methyl alcohol, acetone 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 유기용제물을 더 포함하여 구성된 것을 이용할 수 있다. 즉, 기본적으로 KOH 용액을 기본적인 습식식각 용액으로 하고, Isopropyl alcohol, ethyl alcohol, methyl alcohol, acetone 등 유기용제물, DI (deionized water)등의 혼합용액으로 구성될 수도 있다. 특히, KOH, Isopropyl alcohol, ethyl alcohol, methyl alcohol, acetone 등 복수 용매의 적절한 배합이 될 수도 있다.In this case, the etching solution used for etching may be used by further comprising any one or two or more organic solvents selected from Isopropyl alcohol, ethyl alcohol, methyl alcohol, acetone in KOH. That is, the KOH solution is basically a basic wet etching solution, and may be composed of a mixed solution of organic solvents such as isopropyl alcohol, ethyl alcohol, methyl alcohol, acetone, and DI (deionized water). In particular, it may be an appropriate combination of a plurality of solvents such as KOH, Isopropyl alcohol, ethyl alcohol, methyl alcohol, acetone.

배합비의 일 실시예는 다음과 같다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 식각용액을 KOH:유기용제물:DI water의 중량%(wt%)가 1:4:45의 비율로 형성하는 것이 바람직하다. 즉 식각 조건을 DI water : IPA : KOH = 90 : 8 : 2 (wt%)의 비율로 형성하는 경우, 본 발명에서 구현하고자 하는 나노, 또는 마이크로미터 크기의 사각뿔 피라미드 패턴구현의 효율성이 극대화하게 된다.One embodiment of the compounding ratio is as follows. In an exemplary embodiment of the present invention, it is preferable that the etching solution is formed in a weight ratio (wt%) of KOH: organic solvent: DI water in a ratio of 1: 4: 45. That is, when the etching conditions are formed at a ratio of DI water: IPA: KOH = 90: 8: 2 (wt%), the efficiency of the nano, or micrometer sized pyramid pyramid pattern implementation is maximized. .

특히, 식각용액의 주성분인 KOH 용액은 실리콘 웨이퍼 표면에 대하여 57.3도의 각도로 식각을 시키는 특성을 갖는바, 식각 마스크의 패턴 크기, 식각 조건 등을 적절히 조절함으로써 적절한 크기의 피라미드 구조로 식각이 가능하다. 또한, 식각용액의 온도와 식각시간을 조절하여, 실리콘 식각을 촉발시키는 유발조건으로서 nucleation 유발인자, 즉 초음파 충격도 식각 변수로서 공정조건 구현할 수 있으며, 특히, 초음파 충격을 식각과 동시에 적용하는 경우, 그 재현성과 식각률이 매우 균일하고 효율적으로 향상시킬 수도 있다.
In particular, the KOH solution, which is the main component of the etching solution, has the property of etching at an angle of 57.3 degrees with respect to the surface of the silicon wafer. Thus, by appropriately adjusting the pattern size and etching conditions of the etching mask, the KOH solution can be etched into an appropriate size pyramid structure. . In addition, by controlling the temperature and the etching time of the etching solution, nucleation-inducing factor, that is, ultrasonic shock can also be implemented as an etching variable as the triggering condition for triggering silicon etching, in particular, when ultrasonic shock is applied simultaneously with etching, The reproducibility and etching rate can be improved very uniformly and efficiently.

도 3은 본 발명에 따른 식각공정을 마친 웨이퍼 표면의 확대이미지를 도시한 평면이미지를 도시한 것이며, 도 4는 본 발명에 따른 식각공정을 마친 웨이퍼 표면의 확대이미지를 도시한 측면이미지이다.3 is a planar image showing an enlarged image of the wafer surface after the etching process according to the present invention, Figure 4 is a side image showing an enlarged image of the wafer surface after the etching process according to the present invention.

도시된 이미지와 같이, 본 발명에 따른 식각방법을 통해 실리콘의 효율적인 비등방성 식각 방법을 이용하여 'V'자형 또는 사각뿔 형태의 피라미드 패턴을 구현할 수 있으며, 구현된 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼는 패턴전사를 위한 마스터로 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 형성된 실리콘 웨이퍼의 패턴은 LED, OLED광원과 같은 램버시안 (Lambertian) 발광형태의 광원의 다각도 방사를 일정한 방향으로, 그리고 손실이 없이 가능한 최대의 광량을 전방으로 추출하도록 하는 장점이 구현된다.As shown in the image, a pyramid pattern having a 'V' shape or a square pyramid can be realized by using an efficient anisotropic etching method of silicon through the etching method according to the present invention. Can be used as a master for In addition, the pattern of the silicon wafer formed in accordance with the present invention has the advantage of extracting the multi-angle radiation of the Lambertian light source such as LED, OLED light source in a constant direction and the maximum amount of light possible without loss This is implemented.

이를 위해 상기 광학패턴은, 각각의 광학패턴 간의 간격이 0. 0 ㎛~100 ㎛ 의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열할 수 있다. 이는 각각의 광학패턴간 간격이 완전하게 밀착되거나 일부 겹치도록 형성되는 경우를 포함하는 범위이다.To this end, the optical pattern, the interval between each optical pattern is spaced in the range of 0.0 ㎛ ~ 100 ㎛ can be arranged uniformly or unevenly. This range includes cases where the gaps between the respective optical patterns are formed to be in close contact with each other or partially overlap each other.

아울러, 각 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛, 피치가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위에서 형성될 수 있다. 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위를 벗어나게 되면, 광추출의 효과가 현저히 떨어지는 문제가 발생하게 된다. 여기에서 피치란, 각 패턴의 중심축간의 거리를 의미하는 것으로 정의한다.In addition, the size of each pattern may be formed in the range of 0.1 ㎛ ~ 100 ㎛, pitch of 0.1 ㎛ ~ 100 ㎛. If the size of the pattern is out of the range of 0.1 ㎛ ~ 100 ㎛, there is a problem that the effect of light extraction is significantly reduced. Pitch is defined here as meaning the distance between the central axis of each pattern.

나아가, 상기 광학패턴은, 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형 중 어느 하나의 패턴이며, 각 패턴의 첨점의 각도가 65~75도에서 형성될 수 있다.
Further, the optical pattern is any one of triangular prism type, triangular pyramid shape, pyramid pattern type, and conical shape, and the angle of the peak of each pattern may be formed at 65 to 75 degrees.

도 2를 참조하면, 우선, 방향성을 가지는 (100) 실리콘 마스터 웨이퍼(10)의 표면에 상술한 1단계의 공정을 통해 광학패턴(11)이 구현되고(S 1), 이후 S 2에 도시된 것과 같이 실리콘 마스터 웨이퍼(10)의 표면상에 몰딩액(20)을 도포하는 공정이 수행되며, 상기 몰딩액(20)의 상부 면에 소프트 몰드용 기재(30)을 도포하게 된다. 상기 몰딩액(20)은 광경화성, 열경화성 수지를 적용할 수 있으나, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 광경화성 레진을 이용하여 형성함이 더욱 바람직하다. Referring to FIG. 2, first, an optical pattern 11 is implemented on the surface of a (100) silicon master wafer 10 having directivity through the above-described one-step process (S 1), and then shown in S 2. As described above, a process of coating the molding liquid 20 on the surface of the silicon master wafer 10 is performed, and the substrate 30 for soft mold is coated on the upper surface of the molding liquid 20. The molding liquid 20 may be a photocurable or thermosetting resin, but in the preferred embodiment of the present invention, it is more preferable to form the photocurable resin.

상기 소프트 몰드용 기재(30)는 광투과성 고분자 필름을 이용함이 바람직하며, 일례로 PC(Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC 중 어느 하나를 이용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 모든 소프트 광학필름을 적용할 수 있다.The soft mold base 30 is preferably using a light-transmitting polymer film, for example, may be any one of PC (Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC, but is not necessarily limited to all soft Optical film can be applied.

이후, S 3~S 4에 도시된 것과 같이, 상기 몰딩액에 UV 영역의 광을 조사하여 몰딩액을 경화시키며, 이후 전사패턴(21)을 구비한 경화된 몰딩액(20)과 소프트 몰드용기재(30)로 이루어진 소프트 몰드(1)를 실리콘 웨이퍼(10)에서 분리하고, 소프트 몰드를 목적에 맞게 재단(trimming)하는 공정이 수행될 수 있다.
Thereafter, as shown in S 3 to S 4, the molding liquid is irradiated with light in a UV region to cure the molding liquid, and then for the cured molding liquid 20 and the soft mold having the transfer pattern 21. A process of separating the soft mold 1 made of the substrate 30 from the silicon wafer 10 and trimming the soft mold according to the purpose may be performed.

상술한 제조공정에 의해 제조되는 소프트 몰드(1)는 방향성을 가지는 (100) 실리콘 마스터 웨이퍼 표면에 형성된 상기 광학패턴이 전사된 구조의 전사 광학패턴을 구비하게 된다.The soft mold 1 manufactured by the above-described manufacturing process includes a transfer optical pattern having a structure in which the optical pattern formed on the surface of the (100) silicon master wafer having directivity is transferred.

즉, 도 2의 S 4단계의 공정도에 도시된 구조와 같이, 본 발명에 따른 소프트 몰드는 광투과성 고분자필름으로 구성되는 기재(10)와 상기 기재(10)의 상면에 적층되는 광경화성 수지층(20)을 포함하여 구성되며, 특히, 상기 광경화성 수지층 상에 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛, 피치가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위인 전사 광학패턴(21)이 더 형성되는 구조로 구성될 수 있다.That is, as shown in the process diagram of step S4 of FIG. 2, the soft mold according to the present invention includes a substrate 10 composed of a light transmissive polymer film and a photocurable resin layer laminated on an upper surface of the substrate 10. And a transfer optical pattern 21 having a pattern size of 0.1 μm to 100 μm and a pitch of 0.1 μm to 100 μm on the photocurable resin layer. Can be configured.

상술한 바와 같이, 상기 기재(10)은 광투과성 고분자필름으로 구현되며, 이는 PC(Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC 중 어느 하나를 이용할 수 있다.As described above, the substrate 10 is implemented as a light transmissive polymer film, which may use any one of PC (Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC.

아울러, 상기 전사 광학패턴(21)은, 상술한 제조공정에서 실리콘 마스터 웨이퍼 표면에 형성된 상기 광학패턴이 전사된 구조이므로, 상기 광학패턴과 동일한 구조의 패턴, 이를 테면 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형, 구형, 비구형 중 어느 하나의 형상의 패턴, 또는 둘 이상의 패턴으로 구현될 수 있다. 제조공정에서 상술한 바와 같이, 이러한 상기 전사 광학패턴은, 각각의 전사 광학패턴 간의 간격이 0.0~100 ㎛의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열될 수 있으며, 특히 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형 중 어느 하나의 패턴의 경우 각 패턴의 첨점의 각도가 65~75도로 구현될 수 있다.In addition, the transfer optical pattern 21 is a structure in which the optical pattern formed on the surface of the silicon master wafer is transferred in the manufacturing process described above, and thus has a pattern having the same structure as the optical pattern, for example, triangular prism, triangular pyramid, and pyramid. Patterns, conical, spherical, non-spherical, any one of the shape of the pattern, or may be implemented in two or more patterns. As described above in the manufacturing process, the transfer optical pattern, the interval between each transfer optical pattern is spaced in the range of 0.0 ~ 100 ㎛ can be arranged uniformly or non-uniform, in particular triangular prism type, triangular pyramidal, pyramid In the case of any one of a pattern type and a cone shape, the angle of the peak of each pattern may be implemented at 65 to 75 degrees.

이러한 구조의 상기 소프트 몰드(1)는 핫엠보싱(Hot embossing), 라미레이션(Lamination), 인젝션몰딩(Injection molding), 나노임프린팅(Nano-Imprinting), 콤프레시브 몰딩(Compressive Molding), PDMS 중 어느 하나의 공정을 상기 소프트 몰드를 적용하여 상기 광학패턴을 광학필름에 전사하는 방식으로 광학필름을 제조할 수 있게 된다.The soft mold 1 of such a structure is one of hot embossing, lamination, injection molding, nano-imprinting, compressive molding, and PDMS. By applying the soft mold in any one process it is possible to manufacture the optical film by transferring the optical pattern to the optical film.

본 발명은 방향성을 가지는 (100) 실리콘 웨이퍼 표면의 산화막을 제거하고 이 웨이퍼의 표면에 KOH를 포함하는 식각용액에 식각 과정에 초음파를 가하여 식각을 수행하여 표면이 피라미드 형태로 식각된 실리콘 웨이퍼를 마스터 몰드로 이용할 수 있도록 한다. 이 공정에서 구현되는 광학패턴, 즉 피라미드 형태의 패턴은 광추출 효과가 탁월하며 기존의 여러 방법에 비하여 패턴형성 방법이 습식식각만을 사용하므로 매우 간단하며 효과적이다. 이러한 실리콘 마스터 패턴은 12인치 이상의 크기는 물론이며, 이러한 실리콘 마스터 패턴은 어떠한 크기의 웨이퍼도 효과적으로 식각이 되는 장점이 있다.
The present invention is to remove the oxide film on the surface of the (100) silicon wafer having a directional and to perform the etching by applying ultrasonic waves to the etching process to the etching solution containing KOH on the surface of the wafer to master the silicon wafer whose surface is etched in a pyramid shape Make it available as a mold. The optical pattern implemented in this process, that is, the pyramidal pattern has excellent light extraction effect and is very simple and effective because the pattern formation method uses only wet etching as compared to the existing methods. The silicon master pattern has a size of 12 inches or more, and the silicon master pattern has an advantage of effectively etching wafers of any size.

또한, 이러한 실리콘 웨이퍼에 광학패턴은 간단한 식각용액을 통해 나노, 또는 마이크로미터 크기의 사각뿔 피라미드 패턴을 얻을 수 있으며, 이것을 활용하여 마스터 패턴으로 활용하여 대면적의 필름제작을 할 수 있게 된다.In addition, the optical pattern on the silicon wafer can be obtained a nano, or micrometer-sized square pyramid pyramid pattern through a simple etching solution, it can be used as a master pattern to produce a large area film.

아울러, 파라미드 사각뿔 형태의 나노, 또는 마이크로 크기의 패턴을 통해 구현되는 패턴 전사가 된 필름은, 램버시안 (Lambertian) 발광형태의 광원에 대하여 균일하고 최대의 광추출 효율을 구현될 수 있도록 한다.In addition, the pattern-transfer film formed through the nano- or micro-sized pattern in the form of a paramid square pyramid can realize a uniform and maximum light extraction efficiency with respect to the light source of the Lambertian emission type.

본 발명에 따른 기술은 태양전지 제조에서 외부 태양광의 입사가 최대화시키는 것이 중요한데 이때 투명전도 산화막 (TCO)의 표면을 마이크로 피라미드 패턴을 형성하여 반사광이 없이 최대의 투과율을 가지는 표면 필름의 제작에 유용하게 사용될 수 있다.The technique according to the present invention is important to maximize the incidence of external sunlight in solar cell manufacturing, in which the surface of the transparent conductive oxide (TCO) to form a micro pyramid pattern to be useful for the production of a surface film having the maximum transmittance without the reflected light Can be used.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

10: 실리콘 웨이퍼
11: 광학패턴
20: 몰딩액
21: 전사패턴
30: 소프트 몰드용 기재
10: silicon wafer
11: optical pattern
20: molding liquid
21: transfer pattern
30: base material for soft mold

Claims (16)

광학패턴이 구현된 방향성을 가지는 (100) 실리콘 마스터 웨이퍼 표면에 몰딩액을 도포하고,
소프트 몰드용 기재를 상기 도포된 몰딩액에 접촉시키고 경화하고,
경화된 몰딩액과 소프트 몰드용 기재를 분리하는 공정을 포함하는 소프트 몰드의 제조방법.
The molding liquid is applied to the surface of the (100) silicon master wafer having the directionality embodied in the optical pattern,
The base for soft mold is brought into contact with the applied molding liquid and cured;
A method for producing a soft mold comprising the step of separating the cured molding liquid and the substrate for soft mold.
청구항 1에 있어서,
상기 실리콘 마스터 웨이퍼 표면에 구현되는 상기 광학패턴은,
삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형, 구형, 비구형 중 어느 하나의 형상의 패턴, 또는 둘 이상의 패턴인 것을 특징으로 하는 소프트 몰드의 제조방법.
The method according to claim 1,
The optical pattern implemented on the silicon master wafer surface,
Method of producing a soft mold, characterized in that the triangular prism type, triangular pyramid, pyramid pattern, conical, spherical, non-spherical pattern, or two or more patterns.
청구항 1에 있어서,
상기 광학패턴은,
삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형 중 어느 하나의 패턴이며,
각 패턴의 첨점의 각도가 65~75인 것을 특징으로 하는 소프트 몰드의 제조방법.
The method according to claim 1,
The optical pattern,
Triangular prism, triangular pyramid, pyramid pattern, conical pattern
The angle of the peak of each pattern is 65-75 The manufacturing method of the soft mold characterized by the above-mentioned.
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 광학패턴은,
각각의 광학패턴 간의 간격이 0.0 ㎛ ~100 ㎛의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열되는 소프트 몰드의 제조방법.
The method according to claim 2 or 3,
The optical pattern,
A method of manufacturing a soft mold in which an interval between each optical pattern is spaced in a range of 0.0 μm to 100 μm to be uniformly or unevenly arranged.
청구항 4에 있어서,
상기 광학패턴은,
각 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛, 피치가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위인 소프트 몰드의 제조방법.
The method of claim 4,
The optical pattern,
The manufacturing method of the soft mold whose size of each pattern is 0.1 micrometer-100 micrometers, and a pitch is 0.1 micrometer-100 micrometers.
청구항 8에 있어서,
상기 소프트 몰드용 기재는,
PC(Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC 중 어느 하나를 이용하는 소프트 몰드의 제조방법.
The method according to claim 8,
The soft mold base material,
Soft mold manufacturing method using any one of PC (Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC.
청구항 1의 제조방법에 의해 제조된 소프트 몰드를 이용하여 광학필름에 상기 광학패턴을 전사하되,
핫엠보싱(Hot embossing), 라미레이션(Lamination), 인젝션몰딩(Injection molding), 나노임프린팅(Nano-Imprinting), 콤프레시브 몰딩(Compressive Molding), PDMS 중 어느 하나의 공정을 상기 소프트 몰드를 적용하여 상기 광학패턴을 광학필름에 전사하는 소프트 몰드의 사용방법.
Transfer the optical pattern to the optical film using a soft mold prepared by the manufacturing method of claim 1,
Apply the soft mold to any one of hot embossing, lamination, injection molding, nano-imprinting, compression molding, and PDMS. To transfer the optical pattern to the optical film.
광투과성 고분자필름으로 구성되는 기재;
상기 기재의 상면에 적층되는 광경화성 수지층; 및
상기 광경화성 수지층 상에 형성되는 전사 광학패턴; 포함하여 구성되며,
상기 전사 광학 패턴의 크기가 0.1 ㎛~100 ㎛, 피치가 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 소프트몰드.
A substrate composed of a light transmissive polymer film;
A photocurable resin layer laminated on the upper surface of the substrate; And
A transfer optical pattern formed on the photocurable resin layer; Including,
The size of the said transfer optical pattern is 0.1 micrometer-100 micrometers, The soft mold characterized by the range of 0.1 micrometer-100 micrometers.
청구항 8에 있어서,
상기 전사 광학패턴은,
삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형, 구형, 비구형 중 어느 하나의 형상의 패턴, 또는 둘 이상의 패턴인 것을 특징으로 하는 소프트 몰드.
The method according to claim 8,
The transfer optical pattern,
A soft mold comprising a triangular prism shape, a triangular pyramid shape, a pyramid pattern shape, a conical shape, a spherical shape, a non-spherical shape pattern, or two or more patterns.
청구항 8에 있어서,
상기 전사 광학패턴은,
각각의 전사 광학패턴 간의 간격이 0.1 ㎛~100 ㎛의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열되는 소프트 몰드.
The method according to claim 8,
The transfer optical pattern,
A soft mold in which intervals between respective transfer optical patterns are spaced in a range of 0.1 μm to 100 μm to be uniformly or non-uniformly arranged.
청구항 8에 있어서,
상기 전사 광학패턴은,
삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형 중 어느 하나의 패턴이며,
각 패턴의 첨점의 각도가 65~75인 것을 특징으로 하는 소프트 몰드.
The method according to claim 8,
The transfer optical pattern,
Triangular prism, triangular pyramid, pyramid pattern, conical pattern
Soft point of each pattern is 65-75, The soft mold characterized by the above-mentioned.
청구항 8에 있어서,
상기 기재는,
PC(Polycarbonate), PET, PMMA, PETG, COC 중 어느 하나를 이용하는 소프트 몰드.
The method according to claim 8,
The above description,
Soft mold using any one of polycarbonate (PC), PET, PMMA, PETG and COC.
청구항 7의 소프트몰드의 사용방법에 의해 제조되는 광학필름.
An optical film produced by the method of using the soft mold of claim 7.
청구항 13에 있어서,
상기 광학필름은,
고분자 광학필름 기재;
상기 고분자광학필름 기재의 상면에 형성되는 제2광학패턴;을 구비하되,
상기 제2광학패턴은 삼각프리즘형, 삼각뿔형, 피라미드패턴형, 원뿔형, 구형, 비구형 중 어느 하나의 형상의 패턴, 또는 둘 이상의 패턴이 조합된 구조로 배치되는 광학필름.
The method according to claim 13,
The optical film,
Polymeric optical film substrates;
A second optical pattern formed on an upper surface of the polymer optical film substrate;
The second optical pattern is an optical film arranged in a pattern of any one of a triangular prism type, triangular pyramid shape, pyramid pattern type, conical shape, spherical shape, non-spherical shape, or a combination of two or more patterns.
청구항 14에 있어서,
상기 제2광학패턴은,
크기가 0.1~100 ㎛, 피치가 0.1~100 ㎛의 범위이며,
상기 제2광학패턴 간의 간격이 0.0 ㎛~100 ㎛의 범위로 이격되어 균일 또는 불균일하게 배열되는 광학필름.
The method according to claim 14,
The second optical pattern,
The size is in the range of 0.1-100 μm, the pitch is 0.1-100 μm,
The optical film is arranged uniformly or non-uniformly spaced apart in the range of 0.0 ㎛ ~ 100 ㎛ between the second optical pattern.
청구항 15에 있어서,
상기 제2광학패턴은,
각 패턴의 첨점의 각도가 65~75도인 광학필름.
The method according to claim 15,
The second optical pattern,
Optical film with an angle of 65 to 75 degrees at the tip of each pattern.
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