KR20120106288A - Solar cell and method of the manufacturing the same - Google Patents

Solar cell and method of the manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20120106288A
KR20120106288A KR1020110024313A KR20110024313A KR20120106288A KR 20120106288 A KR20120106288 A KR 20120106288A KR 1020110024313 A KR1020110024313 A KR 1020110024313A KR 20110024313 A KR20110024313 A KR 20110024313A KR 20120106288 A KR20120106288 A KR 20120106288A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode layer
layer
forming
solar cell
organic material
Prior art date
Application number
KR1020110024313A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101714796B1 (en
Inventor
박병은
Original Assignee
서울시립대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울시립대학교 산학협력단 filed Critical 서울시립대학교 산학협력단
Priority to KR1020110024313A priority Critical patent/KR101714796B1/en
Publication of KR20120106288A publication Critical patent/KR20120106288A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101714796B1 publication Critical patent/KR101714796B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725Multiple junction or tandem solar cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

PURPOSE: A solar cell and manufacturing method thereof are provided to reduce the weight of the solar cell by using silicon on a protecting layer or an upper substrate. CONSTITUTION: A lower electrode layer(12) is formed on a lower substrate(11). A first conductive semiconductor layer(13) is formed on the lower electrode layer. A second conductive semiconductor layer(14) is formed on the first semiconductor layer. An upper electrode layer(15) is composed of transparent conductive materials. A silicon layer(20) is formed on the upper electrode layer.

Description

태양전지 및 그 제조방법{Solar cell and method of the manufacturing the same}Solar cell and method of manufacturing the same

본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 특히 유연성이 좋으면서도 제조비용을 절감할 수 있도록 된 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a solar cell and a method for manufacturing the same, which can reduce manufacturing costs while having good flexibility.

최근에 이르러 청정 에너지에 대한 관심이 높아지면서 태양광을 이용하여 전력을 생산하는데 대한 관심도 크게 증가하고 있다.Recently, as interest in clean energy has increased, interest in generating electricity using solar light has also increased.

태양 에너지를 이용하여 전력을 생산하는 소자를 통상 솔라셀 또는 태양전지로서 칭하고 있다. 태양전지는 그 구조나 재질에 따라 실리콘, 화합물, 염료감응형 및 유기물 태양전지로 구분된다.Devices that produce power using solar energy are commonly referred to as solar cells or solar cells. Solar cells are classified into silicon, compound, dye-sensitized and organic solar cells according to their structure or material.

종래의 태양전지는 외부 광을 효율적으로 이용하기 위하여 상부 기판으로서 유리, 특히 저철분 강화유리를 사용하고, 이 유리 기판의 하측에는 광투과성을 고려하여 ITO 등의 투명전극을 사용한다.Conventional solar cells use glass, in particular low iron tempered glass, as an upper substrate in order to efficiently use external light, and a transparent electrode such as ITO is used under the glass substrate in consideration of light transmittance.

그러나 종래의 태양전지는 상부 기판으로서 유리를 사용하기 때문에 무게가 무겁고 대면적의 태양전지를 제공할 수 없다는 문제가 있다. 또한 상부 기판으로서 사용되는 광투과도가 우수한 저철분 강화유리는 가격이 높이 때문에 태양전지의 제조가격이 높아진다는 단점이 있다.However, the conventional solar cell has a problem that it is not possible to provide a solar cell having a large weight and a large area because glass is used as the upper substrate. In addition, since the low iron tempered glass having excellent light transmittance used as the upper substrate has a high price, there is a disadvantage in that the manufacturing price of the solar cell is increased.

이에 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로서, 제조가 간단하고 제조비용을 낮출 수 있으며 대면적화가 용이한 태양전지 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a solar cell and a method of manufacturing the same, which are simple to manufacture, can lower manufacturing cost, and are easy to large area.

또한 본 발명은 유연성을 갖는 태양전지 및 그 제조방법을 제공함에 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a solar cell having a flexibility and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 실현하기 위한 본 발명의 제1 관점에 따른 태양전지는 태양전지 구조체와, 상기 태양전지 구조체의 상측에 상부 기판 또는 보호층으로서 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 한다.The solar cell according to the first aspect of the present invention for achieving the above object is characterized in that the solar cell structure, and the silicon layer is formed as an upper substrate or a protective layer on the solar cell structure.

또한 상기 태양전지 구조체는 실리콘, 화합물, 염료감응형, 유기물 태양전지 중 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the solar cell structure is characterized in that composed of at least one of silicon, compound, dye-sensitized, organic solar cell.

본 발명의 제2 관점에 따른 태양전지는 하부 기판과, 상기 하부 기판상에 형성되는 하부 전극층, 상기 하부 전극층상에 형성되는 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층상에 형성되는 제2 도전형의 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층상에 형성됨과 더불어 투명한 도전성 물질로 구성되는 상부 전극층 및, 상기 상부 전극층상에 형성되는 실리콘층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A solar cell according to a second aspect of the present invention includes a lower substrate, a lower electrode layer formed on the lower substrate, a first semiconductor layer of a first conductivity type formed on the lower electrode layer, and formed on the first semiconductor layer. And a second semiconductor layer of a second conductivity type, an upper electrode layer formed on the second semiconductor layer and made of a transparent conductive material, and a silicon layer formed on the upper electrode layer.

또한 상기 하부 기판이 종이 또는 유기물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower substrate is characterized in that consisting of paper or organic material.

또한 상기 하부 전극층이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower electrode layer is characterized in that composed of a conductive organic material.

또한 상기 하부 전극층이 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower electrode layer is characterized in that composed of a mixture of a conductive organic material and a conductive inorganic material.

또한 상기 제1 또는 제2 반도체층이 N형 반도체 유기물 또는 N형 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first or second semiconductor layer is characterized by consisting of a mixture of N-type semiconductor organic material or N-type semiconductor organic material and cadmium sulfide.

또한 상기 제1 또는 제2 반도체층이 P형 반도체 유기물 또는 P형 반도체 유기물과 CIGS의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first or second semiconductor layer is characterized by consisting of a mixture of P-type semiconductor organic material or P-type semiconductor organic material and CIGS.

또한 상기 상부 전극층이 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper electrode layer is characterized by consisting of a conductive organic material or a mixture of a conductive organic material and a conductive inorganic material.

본 발명의 제3 관점에 따른 태양전지는 전해질층을 사이에 두고 하부 구조체와 상부 구조체를 구비하여 구성되고, 상기 하부 구조체는 하부 기판과, 상기 하부 기판상에 형성되는 하부 전극층을 구비하여 구성되며, 상기 상부 구조체는 실리콘층과, 실리콘층상에 형성되는 상부 전극층 및, 상기 상부 전극층상에 형성됨과 더불어 염료가 흡착되는 다공질층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The solar cell according to the third aspect of the present invention includes a lower structure and an upper structure with an electrolyte layer interposed therebetween, and the lower structure includes a lower substrate and a lower electrode layer formed on the lower substrate. The upper structure is characterized by comprising a silicon layer, an upper electrode layer formed on the silicon layer, and a porous layer formed on the upper electrode layer and adsorbing dye.

또한 상기 상부 전극층은 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper electrode layer is characterized by consisting of a conductive organic material or a mixture of conductive organic materials and conductive inorganic materials.

또한 상기 하부 기판은 종이 또는 유기물인 것을 특징으로 한다.In addition, the lower substrate is characterized in that the paper or organic material.

또한 상기 하부 전극층은 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물인 것을 특징으로 한다.The lower electrode layer may be a conductive organic material or a mixture of conductive organic materials and conductive inorganic materials.

본 발명의 제4 관점에 따른 태양전지의 제조방법은 하부 기판으로서 종이를 준비하는 단계와, 상기 하부 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계, 상기 하부 전극층상에 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체층상에 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층상에 상부 전극층을 형성하는 단계 및, 상기 상부 전극층상에 실리콘층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell, including preparing paper as a lower substrate, forming a lower electrode layer on the lower substrate, and a first conductive layer of a first conductivity type on the lower electrode layer. Forming a second semiconductor layer of a second conductivity type on the first semiconductor layer, forming an upper electrode layer on the second semiconductor layer, and forming a silicon layer on the upper electrode layer It is characterized by comprising a.

또한 상기 하부 전극층 형성단계는 진공증착법을 이용하여 하부 기판상에 도전성 무기물층을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower electrode layer forming step is characterized in that to form a conductive inorganic layer on the lower substrate by using a vacuum deposition method.

또한 하부 전극층을 형성하기 전에 하부 기판을 진공 또는 비활성 가스 분위기내에서 열처리 하는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower substrate is heat-treated in a vacuum or inert gas atmosphere before forming the lower electrode layer.

또한 상기 하부 전극층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 하부 기판상에 도포하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower electrode layer forming step is characterized by comprising the step of applying a conductive organic material or a mixture of conductive organic and conductive inorganic material on the lower substrate using an inkjet method or a screen printing method.

또한 상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 N형 반도체 유기물 또는 N형 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The forming of the first or second semiconductor layer may include applying an N-type semiconductor organic material or a mixture of the N-type semiconductor organic material and cadmium sulfide on the lower electrode layer through an inkjet method or a screen printing method. do.

또한 상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 P형 반도체 유기물 또는 P형 반도체 유기물과 CIGS의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The forming of the first or second semiconductor layer may include applying a P-type semiconductor organic material or a mixture of P-type semiconductor organic material and CIGS on the lower electrode layer through an inkjet method or a screen printing method. .

본 발명의 제5 관점에 따른 태양전지의 제조방법은 하부 기판으로서 유기물 기판을 준비하는 단계와, 상기 하부 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계, 상기 하부 전극층상에 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체층상에 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층상에 상부 전극층을 형성하는 단계 및, 상기 상부 전극층상에 실리콘층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell, including preparing an organic substrate as a lower substrate, forming a lower electrode layer on the lower substrate, and forming a first semiconductor having a first conductivity type on the lower electrode layer. Forming a layer, forming a second semiconductor layer of a second conductivity type on the first semiconductor layer, forming an upper electrode layer on the second semiconductor layer, and forming a silicon layer on the upper electrode layer It is characterized by comprising a step.

또한 상기 하부 전극층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 하부 기판상에 도포하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower electrode layer forming step is characterized by comprising the step of applying a conductive organic material or a mixture of conductive organic and conductive inorganic material on the lower substrate using an inkjet method or a screen printing method.

또한 상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 N형 반도체 유기물 또는 N형 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The forming of the first or second semiconductor layer may include applying an N-type semiconductor organic material or a mixture of the N-type semiconductor organic material and cadmium sulfide on the lower electrode layer through an inkjet method or a screen printing method. do.

또한 상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 P형 반도체 유기물 또는 P형 반도체 유기물과 CIGS의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The forming of the first or second semiconductor layer may include applying a P-type semiconductor organic material or a mixture of P-type semiconductor organic material and CIGS on the lower electrode layer through an inkjet method or a screen printing method. .

본 발명의 제6 관점에 따른 태양전지의 제조방법은 전해질층을 사이에 두고 하부 구조체와 상부 구조체를 구비하여 구성되는 태양전지의 제조방법에 있어서, 하부 구조체를 형성하는 단계와, 상부 구조체를 형성하는 단계 및, 상기 하부 구조체와 상부 구조체를 결합함과 더불어 그 사이 공극에 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되고, 상기 상부 구조체 형성단계는 상부 기판으로서 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘층상에 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 이용하여 상부 전극층을 형성하는 단계, 상기 상부 전극층상에 다공질층을 형성하는 단계 및, 상기 다공질층에 염료를 흡착시키는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In a method of manufacturing a solar cell according to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a solar cell having a lower structure and an upper structure with an electrolyte layer interposed therebetween, forming a lower structure and forming an upper structure And forming an electrolyte layer by coupling the lower structure and the upper structure and injecting an electrolyte into the gap therebetween, wherein the forming the upper structure comprises forming a silicon layer as an upper substrate. And forming an upper electrode layer using a conductive organic material or a mixture of conductive organic materials and conductive inorganic materials on the silicon layer, forming a porous layer on the upper electrode layer, and adsorbing a dye on the porous layer. Characterized in that the configuration.

또한 상기 하부 구조체 형성단계는 하부 기판으로서 종이 기판을 준비하는 단계와, 상기 종이 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The lower structure forming step may include preparing a paper substrate as a lower substrate, and forming a lower electrode layer on the paper substrate.

또한 상기 하부 전극층 형성단계 이전에 하부 기판을 진공 또는 비활성 가스 분위기 내에서 건조시키는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the step of drying the lower substrate in a vacuum or inert gas atmosphere before the lower electrode layer forming step is characterized in that it is configured.

또한 상기 하부 구조체 형성단계는 하부 기판으로서 유기물 기판을 준비하는 단계와, 상기 하부 기판상에 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 하부 기판상에 도포하여 하부 전극층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The forming of the lower structure may include preparing an organic substrate as a lower substrate, applying a conductive organic material or a mixture of conductive organic materials and conductive inorganic materials on the lower substrate by using an inkjet method or a screen printing method on the lower substrate. It is characterized by comprising a step of forming an electrode layer.

상기한 구성으로 된 태양전지는 상부 기판 또는 보호층으로서 실리콘을 이용하게 되므로 태양전지의 무게가 가벼워지고, 제조가격이 낮아지며 제조 비용을 낮출 수 있게 된다.Since the solar cell having the above configuration uses silicon as the upper substrate or the protective layer, the weight of the solar cell is lighter, the manufacturing price is lowered, and the manufacturing cost can be lowered.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1에서 태양전지(10)의 제1 구조예를 나타낸 단면도.
도 3은 도 1에서 태양전지(10)의 제2 구조예를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도.
1 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a first structural example of the solar cell 10 in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating a second structural example of the solar cell 10 in FIG. 1.
4 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell according to a third embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다. 단, 이하에서 설명하는 실시예는 본 발명의 하나의 바람직한 구현 예를 나타낸 것으로서, 이러한 실시예의 예시는 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 발명은 그 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiments described below show one preferred embodiment of the present invention, and examples of such embodiments are not intended to limit the scope of the present invention. The present invention can be variously modified without departing from the technical idea thereof.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.

도 1에서 참조번호 10은 태양전지이다. 이 태양전지(10)로서는 예컨대 실리콘, 화합물, 염료감응형 및 유기물 태양전지 등이 사용된다. 태양전지(10)로서는 특정한 것에 한정되지 않고 현재 알려져 있는 어떠한 구조의 것도 채용할 수 있다.In FIG. 1, reference numeral 10 is a solar cell. As the solar cell 10, for example, silicon, a compound, a dye-sensitized organic substance, or an organic solar cell is used. The solar cell 10 is not limited to a specific one, and any structure currently known may be employed.

상기 태양전지(10)의 상측에는 상부 기판 또는 보호층으로서 실리콘층(20)이 형성된다. 이 실리콘층(10)은 유기기를 함유한 규소(organosilicone)와 산소 등이 화학적으로 결합된 실리콘(Silicone) 또는 실리콘 수지로 구성된다. 또한 이때 사용가능한 실리콘으로서는 고투명성 액상 실리콘 고무가 바람직하게 사용될 수 있다.The silicon layer 20 is formed on the solar cell 10 as an upper substrate or a protective layer. The silicon layer 10 is composed of silicon or a silicone resin in which an organic group-containing silicon (organosilicone) and oxygen are chemically bonded. In addition, as the silicone usable at this time, a highly transparent liquid silicone rubber can be preferably used.

상기 실리콘층(10)은 기존의 저철분 강화유리 대신에 사용된 것이다. 실리콘은 기본적으로 유연성이 우수하고 내구성과 내습성 및 태양광 복사 저항성이 우수하다. 또한 실리콘은 저철분 강화유리에 비하여 가격이 저렴하고 제조가 용이하므로 태양전지의 제조가격을 낮출 수 있게 된다.The silicon layer 10 is used in place of the existing low iron tempered glass. Silicones are basically flexible, durable, moisture resistant and solar radiation resistant. In addition, since silicon is cheaper and easier to manufacture than low iron tempered glass, it is possible to lower the manufacturing price of solar cells.

도 2는 도 1에 나타낸 태양전지의 구현예를 나타낸 단면도로서, 이는 실리콘층(20)을 PN 접합 구조를 갖는 실리콘(Silicon) 태양전지에 적용한 경우를 나타낸 것이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of the solar cell shown in FIG. 1, which illustrates a case in which the silicon layer 20 is applied to a silicon solar cell having a PN junction structure.

도 2에서 태양전지(10)는 하부 기판(11)과 하부 전극층(12), 제1 및 제2 반도체층(13, 14) 및, 상부 전극층(15)을 구비하여 구성된다.In FIG. 2, the solar cell 10 includes a lower substrate 11, a lower electrode layer 12, first and second semiconductor layers 13 and 14, and an upper electrode layer 15.

상기 하부 기판(11)은 실리콘 기판이나 강화 유리로 구성된다. 그리고 이 하부 기판(11)의 상측에는 예컨대 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물로 구성되는 하부 전극층(12)이 형성된다. 이 하부 전극층(12)은 예컨대 진공증착법 등을 통해 형성된다.The lower substrate 11 is made of a silicon substrate or tempered glass. On the lower side of the lower substrate 11, for example, the lower electrode layer 12 made of gold, silver, aluminum, platinum, indium tin compound (ITO), strontium titanate compound (SrTiO 3 ), or other conductive metal oxide is formed. Is formed. The lower electrode layer 12 is formed by, for example, vacuum deposition.

상기 하부 전극층(12)의 상측에는 제1 도전형, 예컨대 N형의 제1 반도체층(13)과 제2 도전형, 예컨대 P형의 제2 반도체층(14)이 형성된다. 이 제1 및 제2 반도체층(13, 14)은 PN 접합구조를 구성하는 것이다.Above the lower electrode layer 12, a first semiconductor layer 13 having a first conductivity type, such as an N type, and a second semiconductor layer 14 having a second conductivity type, such as a P type, are formed. The first and second semiconductor layers 13 and 14 form a PN junction structure.

상기 제2 반도체층(14)의 상측에는 상부 전극층(15)이 형성된다. 이 상부 전극층(15)은 광투과도를 고려하여 투명한 도전성 물질로 구성된다. 상부 전극층(15)으로서는 예컨대 ITO, TCO, FTO, ZnO 등의 도전성 물질이 사용된다.An upper electrode layer 15 is formed on the second semiconductor layer 14. The upper electrode layer 15 is made of a transparent conductive material in consideration of light transmittance. As the upper electrode layer 15, for example, a conductive material such as ITO, TCO, FTO, ZnO, or the like is used.

그리고 상기 상부 전극층(15)의 상측에는 최종적으로 상부 기판 또는 보호층으로서 실리콘층(20)이 형성된다. 이 실리콘층(20)은 액상 실리콘을 상부 전극층(15) 상측에 도포한 후 이를 경화시켜 형성하게 된다.The silicon layer 20 is finally formed on the upper electrode layer 15 as an upper substrate or a protective layer. The silicon layer 20 is formed by applying liquid silicon on the upper electrode layer 15 and curing it.

또한 이 경우 상기 실리콘층(20)은 상부 전극층(15)의 상측 이외에 태양전지(10)의 외부를 전체적으로 피복하도록 형성하는 것도 바람직하다.In this case, the silicon layer 20 may be formed so as to cover the entire exterior of the solar cell 10 in addition to the upper side of the upper electrode layer 15.

또한 도 3은 도 1에 나타낸 태양전지의 다른 구현예를 나타낸 단면도로서, 이는 실리콘층(20)을 염료감응형 태양전지에 적용한 경우를 나타낸 것이다.In addition, Figure 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the solar cell shown in Figure 1, which shows a case where the silicon layer 20 is applied to a dye-sensitized solar cell.

염료감응형 태양전지는 전해질층(23)을 매개로 하부 구조체와 상부 구조체로 구분된다. 하부 구조체는 하부 기판(21)과 하부 전극층(22)을 구비하여 구성된다. 상부 구조체는 상부 기판, 즉 본 실시예에서 실리콘층(20)과 상부 전극층(25) 및 다공질층(24)을 구비하여 구성된다. 그리고 다공질층(24)에는 염료가 흡착된다.The dye-sensitized solar cell is divided into a lower structure and an upper structure through the electrolyte layer 23. The lower structure includes a lower substrate 21 and a lower electrode layer 22. The upper structure is composed of an upper substrate, that is, a silicon layer 20, an upper electrode layer 25 and a porous layer 24 in this embodiment. The dye is adsorbed to the porous layer 24.

상기 구조에서 하부 구조체는 통상적인 방법을 통해 제조된다. 그러나 상부 전극(25)층으로서 사용되는 예컨대 ITO, TCO, FTO, ZnO 등의 투명전극층은 이를 형성할 때 고온이 요구되므로 실리콘층(20)을 상부 기판으로서 사용하는데 문제가 있게 된다.The substructure in this structure is produced by conventional methods. However, transparent electrode layers such as ITO, TCO, FTO, ZnO, etc., which are used as the upper electrode 25 layer, require a high temperature when forming them, so there is a problem in using the silicon layer 20 as the upper substrate.

본 실시예에서는 상부 전극층(25)으로서 도전성 유기물이나 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 사용한다. 이들 물질은 유기물 용액 또는 혼합물 용액을 실리콘층(20)상에 도포한 후 일정 온도 이하, 바람직하게는 150도 이하의 온도로 열을 가하여 용매를 증발시키는 방법을 통해 실리콘층(20)상에 도포할 수 있다.In the present embodiment, as the upper electrode layer 25, a mixture of conductive organic materials, conductive organic materials and conductive inorganic materials is used. These materials are applied onto the silicon layer 20 by applying an organic solution or a mixture solution onto the silicon layer 20 and then applying heat to a temperature below a predetermined temperature, preferably 150 degrees or less, to evaporate the solvent. can do.

그리고 상부 전극층(25)의 상측에 다공질 물질, 예컨대 TiO2 분말을 적절한 용매에 혼합하거나 또는 TiO2 페이스트를 상부 전극층(25)상에 형성한 후, 이를 소성 또는 경화시키고, 이와 같이 형성된 다공질층(24)에 염료를 흡착시켜 상부 구조체를 형성하게 된다.In addition, a porous material such as TiO 2 powder is mixed in an appropriate solvent on the upper electrode layer 25, or a TiO 2 paste is formed on the upper electrode layer 25, and then fired or cured, and the porous layer thus formed ( 24, dye is adsorbed to form the superstructure.

최종적으로는 상기와 같이 형성된 상부 구조체 및 하부 구조체를 결합함과 더불어 그 사이 공극에 전해질을 주입하여 전해질층(23)을 형성함으로써 태양전지를 완성하게 된다.Finally, the solar cell is completed by combining the upper structure and the lower structure formed as described above and injecting electrolyte into the gap therebetween to form the electrolyte layer 23.

한편, 상술한 실시예는 태양전지(10)를 구성하는 하부 기판(11. 21)이 강화 유리나 반도체 기판 등의 견고한 재질로 구성되므로 전체적으로 유연성을 갖는 태양전지를 구현하기 곤란하다.On the other hand, since the lower substrate (11.21) constituting the solar cell 10 is made of a solid material such as tempered glass or a semiconductor substrate it is difficult to implement a solar cell having flexibility as a whole.

도 4는 유연성을 갖는 태양전지의 일례로서, 염료감응형 태양전지의 구조 예를 나타낸 단면도이다. 또한 도 4에서 상술한 도 3의 구성과 실질적으로 동일한 부분에는 동일한 참조번호를 붙이고 그 상세한 설명은 생략한다.4 is a cross-sectional view showing an example of the structure of a dye-sensitized solar cell as an example of a flexible solar cell. In addition, in FIG. 4, the same reference numeral is attached | subjected to the substantially same part as the structure of FIG. 3 mentioned above, and the detailed description is abbreviate | omitted.

도 4에서 참조번호 31은 하부 기판이다. 이 하부 기판(31)은 종이로 구성된다. 여기서 종이라 함은 펄프를 주원료로 하여 제조된 일체의 종이와 더불어, 이러한 종이를 포함하는 재질, 예컨대 종이에 세라믹이나 실리콘 등의 내열성 재료를 코팅하거나 침투시킨 것을 포함한다.In FIG. 4, reference numeral 31 is a lower substrate. The lower substrate 31 is made of paper. Here, the term paper includes any paper made from pulp as a main raw material, and a material containing such paper, such as coating or impregnating a heat resistant material such as ceramic or silicon on paper.

또한, 상기 하부 기판(31)으로서는 유연성을 갖는 플라스틱 등의 유기물이 사용될 수 있다. 이때, 유기물로서는 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물을 이용할 수 있다.In addition, as the lower substrate 31, an organic material such as plastic having flexibility may be used. At this time, as the organic substance, polyimide (PI), polycarbonate (PC), polyether sulfone (PES), polyether ether ketone (PEEK), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), polyethylene (PE), ethylene copolymer, polypropylene (PP), propylene copolymer, poly (4-methyl-1-pentene) (TPX), polyarylate (PAR), polyacetal (POM), Polyphenylene oxide (PPO), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS), polyvinylidene chloride (PVDC), polyvinyl acetate (PVAC), polyvinyl alcohol (PVAL), polyvinyl acetal, polystyrene ( PS), AS resin, ABS resin, polymethyl methacrylate (PMMA), fluorine resin, phenol resin (PF), melamine resin (MF), urea resin (UF), unsaturated polyester (UP), epoxy resin (EP) ), Diallyl phthalate resin (DAP), polyurethane (PUR), polyamide (PA), silicone resin (SI) or mixtures and compounds thereof. .

상기 하부 기판(31)상에 하부 전극층(32)으로서 도전성 전극층이 형성된다. 이때, 도전성 전극으로서는 예컨대 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물이 이용된다.A conductive electrode layer is formed on the lower substrate 31 as the lower electrode layer 32. In this case, the conductive electrode may be based on, for example, gold, silver, aluminum, platinum, indium tin compound (ITO), strontium titanate compound (SrTiO 3 ), other conductive metal oxides, alloys and compounds thereof, or conductive polymers. For example, all conductive metals, metal oxides and conductive organic materials including mixtures, compounds or multilayers of polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrenesulfonate (PEDOT: PSS), and the like are used.

또한 바람직하게는 상기 하부 전극층(32)으로서는 전도성 금속 또는 금속 산화물과 도전성 유기물의 혼합물이 사용된다.Also preferably, as the lower electrode layer 32, a mixture of a conductive metal or a metal oxide and a conductive organic material is used.

만일, 상기 하부 기판(31)으로서 종이나 유기물을 이용하는 경우에는 제1 전극층(2)으로서 바람직하게는 도전성 유기물이나 전도성 무기물(금속)과 전도성 유기물의 혼합물이 이용될 수 있다. 이러한 전극층은 예컨대 잉크젯법이나 스크린 인쇄법 등을 이용하여 형성된다.In the case of using paper or an organic material as the lower substrate 31, a mixture of a conductive organic material, a conductive inorganic material (metal), and a conductive organic material may be preferably used as the first electrode layer 2. Such an electrode layer is formed using, for example, an inkjet method, a screen printing method, or the like.

또한 전도성 금속과 전도성 유기물의 혼합용액은 예컨대 전도성 유기물 용액에 전도성 금속 또는 전도성 금속 산화물의 분말을 혼합하는 방법을 통해 생성하게 된다.In addition, the mixed solution of the conductive metal and the conductive organic material may be produced by, for example, mixing a powder of the conductive metal or the conductive metal oxide with the conductive organic solution.

또한, 종이 기판(31)상에 금속 재질로 구성되는 하부 전극층(32)을 형성하는 경우에는 예컨대 진공증착법이 이용된다. 그리고, 이때 필요에 따라 하부 전극층(32)을 형성하기 전에 하부 기판(31)을 진공상태 또는 예컨대 아르곤(Ar), 네온(Ne) 등의 비활성 가스 분위기내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분이나 공기를 제거하는 것도 바람직하다.In the case of forming the lower electrode layer 32 made of a metal material on the paper substrate 31, for example, a vacuum deposition method is used. At this time, if necessary, before the lower electrode layer 32 is formed, the lower substrate 31 is heat-treated in a vacuum state or in an inert gas atmosphere such as argon (Ar), neon (Ne), or the like. It is also desirable to remove the air.

그리고 그 밖의 부분은 도 3의 실시예와 실질적으로 동일하다.And other portions are substantially the same as the embodiment of FIG.

도 5는 유연성을 갖는 태양전지의 다른 예로서, PN 접합구조를 갖는 태양전지의 구조 예를 나타낸 단면도이다. 또한 도 5에서 상술한 도 4의 구성과 실질적으로 동일한 부분에는 동일한 참조번호를 붙이고 그 상세한 설명은 생략한다.5 is a cross-sectional view showing another example of the structure of a solar cell having a PN junction structure as another example of a flexible solar cell. In addition, in FIG. 5, the same reference numeral is attached | subjected to the substantially same part as the structure of FIG. 4 mentioned above, and the detailed description is abbreviate | omitted.

도 5에 있어서는 하부 전극층(32)의 상측에 제1 도전형의 제1 반도체층(41)과 제2 도전형의 제2 반도체층(42)이 적층 형성된다. 제1 반도체층(41)은 예컨대 N형 반도체층으로 구성되고, 제2 반도체층(42)은 예컨대 P형 반도체층으로 구성된다. 물론 제1 반도체층을 P형, 제2 반도체층을 N형으로 구성하는 것도 가능하다.In FIG. 5, the first semiconductor layer 41 of the first conductivity type and the second semiconductor layer 42 of the second conductivity type are stacked on the lower electrode layer 32. The first semiconductor layer 41 is composed of, for example, an N-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 42 is composed of, for example, a P-type semiconductor layer. Of course, it is also possible to configure the first semiconductor layer to P type and the second semiconductor layer to N type.

상기 제1 반도체층(41)을 구성하는 N형 반도체 물질로서는 일반적인 N형 반도체 이외에 반도체 유기물이나 황화카드뮴, 또는 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물을 사용할 수 있다. 이때 N형 반도체 유기물로서는 예컨대 테트라카복실 무수물(Tetracarboxyllic Anhydride) 및 그 유도체와, 퀴노디메탄(Quinodimethane) 화합물, 불소가 치환된 단분자 방향족 화합물, 프탈로시아닌(Phthalocyanine) 유도체, 티오펜 유도체 등의 혼합물을 사용할 수 있다.As the N-type semiconductor material constituting the first semiconductor layer 41, a semiconductor organic material, cadmium sulfide, or a mixture of semiconductor organic materials and cadmium sulfide may be used in addition to the general N-type semiconductor. In this case, a mixture of tetracarboxyllic anhydride and derivatives thereof, a quinodimethane compound, a fluorine-substituted monomolecular aromatic compound, a phthalocyanine derivative, and a thiophene derivative may be used as the N-type semiconductor organic compound. Can be.

상기 제2 반도체층(42)을 구성하는 P형 반도체 물질로서는 일반적인 P형 반도체 이외에 P형 반도체 유기물이나 CIGS, 또는 CIGS와 P형 반도체 유기물의 혼합물을 사용하는 것도 가능하다. 이때 P형 반도체 유기물로서는 예컨대 펜타센(Pentacene), 올리고티오펜(Oligothiophen), 올리고페닐렌(Oligophenylene), 티오페닐렌 비닐렌(Thiophenlylene Vinylene) 및 이들의 유도체 등이 이용될 수 있다.As the P-type semiconductor material constituting the second semiconductor layer 42, it is also possible to use a P-type semiconductor organic material, CIGS, or a mixture of CIGS and P-type semiconductor organic material in addition to the general P-type semiconductor. In this case, for example, pentacene, oligothiophene, oligophenylene, thiophenlylene vinylene, and derivatives thereof may be used as the P-type semiconductor organic material.

이와 같이 상기 제1 및 제2 반도체층(41, 42)으로서 반도체 유기물이나 그의 혼합물을 이용하는 경우에는 잉크젯법이나 스크린 인쇄법 등을 이용하여 저온에서 형성할 수 있다.Thus, when using a semiconductor organic substance or its mixture as said 1st and 2nd semiconductor layers 41 and 42, it can form at low temperature using the inkjet method, the screen printing method, etc.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상부 기판 또는 보호층으로서 실리콘을 이용하게 되므로 태양전지의 무게가 가벼워지고, 제조가격이 낮아지며 제조 비용을 낮출 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, since silicon is used as the upper substrate or the protective layer, the weight of the solar cell is reduced, the manufacturing price is lowered, and the manufacturing cost can be lowered.

또한 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be carried out in various modifications without departing from the technical gist of the present invention.

10: 태양전지, 20: 실리콘층.10: solar cell, 20: silicon layer.

Claims (27)

태양전지 구조체와,
상기 태양전지 구조체의 상측에 상부 기판 또는 보호층으로서 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
Solar cell structure,
The solar cell, characterized in that the silicon layer is formed as an upper substrate or a protective layer on the solar cell structure.
제1항에 있어서,
상기 태양전지 구조체는 실리콘, 화합물, 염료감응형, 유기물 태양전지 중 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 1,
The solar cell structure is a solar cell, characterized in that composed of at least one of silicon, compound, dye-sensitized, organic solar cell.
하부 기판과,
상기 하부 기판상에 형성되는 하부 전극층,
상기 하부 전극층상에 형성되는 제1 도전형의 제1 반도체층,
상기 제1 반도체층상에 형성되는 제2 도전형의 제2 반도체층,
상기 제2 반도체층상에 형성됨과 더불어 투명한 도전성 물질로 구성되는 상부 전극층 및,
상기 상부 전극층상에 형성되는 실리콘층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
Lower substrate,
A lower electrode layer formed on the lower substrate,
A first semiconductor layer of a first conductivity type formed on the lower electrode layer,
A second semiconductor layer of a second conductivity type formed on the first semiconductor layer,
An upper electrode layer formed on the second semiconductor layer and made of a transparent conductive material;
And a silicon layer formed on the upper electrode layer.
제3항에 있어서,
상기 하부 기판이 종이 또는 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 3,
The lower substrate is a solar cell, characterized in that consisting of paper or organic material.
제4항에 있어서,
상기 하부 전극층이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
5. The method of claim 4,
The lower electrode layer is a solar cell, characterized in that composed of a conductive organic material.
제4항에 있어서,
상기 하부 전극층이 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
5. The method of claim 4,
The lower electrode layer is a solar cell, characterized in that composed of a mixture of a conductive organic material and a conductive inorganic material.
제4항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 반도체층이 N형 반도체 유기물 또는 N형 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
5. The method of claim 4,
The first or second semiconductor layer is a solar cell, characterized in that consisting of a mixture of N-type semiconductor organic material or N-type semiconductor organic material and cadmium sulfide.
제4항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 반도체층이 P형 반도체 유기물 또는 P형 반도체 유기물과 CIGS의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 4, wherein
The first or second semiconductor layer is a solar cell, characterized in that consisting of a mixture of P-type semiconductor organic material or P-type semiconductor organic material and CIGS.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 상부 전극층이 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method according to claim 3 or 4,
The upper electrode layer is a solar cell, characterized in that composed of a conductive organic material or a mixture of a conductive organic material and a conductive inorganic material.
전해질층을 사이에 두고 하부 구조체와 상부 구조체를 구비하여 구성되고,
상기 하부 구조체는 하부 기판과, 상기 하부 기판상에 형성되는 하부 전극층을 구비하여 구성되며,
상기 상부 구조체는 실리콘층과, 실리콘층상에 형성되는 상부 전극층 및, 상기 상부 전극층상에 형성됨과 더불어 염료가 흡착되는 다공질층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
It is composed of a lower structure and an upper structure with an electrolyte layer interposed therebetween,
The lower structure includes a lower substrate and a lower electrode layer formed on the lower substrate,
The upper structure is a solar cell comprising a silicon layer, an upper electrode layer formed on the silicon layer, and a porous layer formed on the upper electrode layer and the dye is adsorbed.
제10항에 있어서,
상기 상부 전극층은 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 10,
The upper electrode layer is a solar cell, characterized in that consisting of a conductive organic material or a mixture of a conductive organic material and a conductive inorganic material.
제10항에 있어서,
상기 하부 기판은 종이 또는 유기물인 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 10,
The lower substrate is a solar cell, characterized in that the paper or an organic material.
제12항에 있어서,
상기 하부 전극층은 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 12,
The lower electrode layer is a solar cell, characterized in that the conductive organic material or a mixture of conductive organic materials and conductive inorganic materials.
하부 기판으로서 종이를 준비하는 단계와,
상기 하부 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계,
상기 하부 전극층상에 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계,
상기 제1 반도체층상에 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계,
상기 제2 반도체층상에 상부 전극층을 형성하는 단계 및,
상기 상부 전극층상에 실리콘층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
Preparing a paper as a lower substrate,
Forming a lower electrode layer on the lower substrate;
Forming a first semiconductor layer of a first conductivity type on the lower electrode layer,
Forming a second semiconductor layer of a second conductivity type on the first semiconductor layer,
Forming an upper electrode layer on the second semiconductor layer;
And forming a silicon layer on the upper electrode layer.
제14항에 있어서,
상기 하부 전극층 형성단계는 진공증착법을 이용하여 하부 기판상에 도전성 무기물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
15. The method of claim 14,
The forming of the lower electrode layer is a method of manufacturing a solar cell, characterized in that to form a conductive inorganic layer on the lower substrate using a vacuum deposition method.
제15항에 있어서,
하부 전극층을 형성하기 전에 하부 기판을 진공 또는 비활성 가스 분위기내에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
16. The method of claim 15,
A method of manufacturing a solar cell, wherein the lower substrate is heat-treated in a vacuum or inert gas atmosphere before forming the lower electrode layer.
제14항에 있어서,
상기 하부 전극층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 하부 기판상에 도포하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
15. The method of claim 14,
The forming of the lower electrode layer is characterized by comprising the step of applying a conductive organic material or a mixture of conductive organic material and conductive inorganic material on the lower substrate using an inkjet method or a screen printing method.
제14항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 N형 반도체 유기물 또는 N형 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
15. The method of claim 14,
The forming of the first or second semiconductor layer may include applying an N-type semiconductor organic material or a mixture of N-type semiconductor organic material and cadmium sulfide on the lower electrode layer through an inkjet method or a screen printing method. Manufacturing method of solar cell.
제14항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 P형 반도체 유기물 또는 P형 반도체 유기물과 CIGS의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
15. The method of claim 14,
Forming the first or second semiconductor layer comprises the step of applying a P-type semiconductor organic material or a mixture of P-type semiconductor organic material and CIGS on the lower electrode layer through the inkjet method or screen printing method Method for producing a battery.
하부 기판으로서 유기물 기판을 준비하는 단계와,
상기 하부 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계,
상기 하부 전극층상에 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계,
상기 제1 반도체층상에 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계,
상기 제2 반도체층상에 상부 전극층을 형성하는 단계 및,
상기 상부 전극층상에 실리콘층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
Preparing an organic substrate as a lower substrate,
Forming a lower electrode layer on the lower substrate;
Forming a first semiconductor layer of a first conductivity type on the lower electrode layer,
Forming a second semiconductor layer of a second conductivity type on the first semiconductor layer,
Forming an upper electrode layer on the second semiconductor layer;
And forming a silicon layer on the upper electrode layer.
제20항에 있어서,
상기 하부 전극층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 하부 기판상에 도포하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
21. The method of claim 20,
The forming of the lower electrode layer is characterized by comprising the step of applying a conductive organic material or a mixture of conductive organic material and conductive inorganic material on the lower substrate using an inkjet method or a screen printing method.
제20항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 N형 반도체 유기물 또는 N형 반도체 유기물과 황화카드뮴의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
21. The method of claim 20,
The forming of the first or second semiconductor layer may include applying an N-type semiconductor organic material or a mixture of N-type semiconductor organic material and cadmium sulfide on the lower electrode layer through an inkjet method or a screen printing method. Manufacturing method of solar cell.
제20항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 반도체층 형성단계는 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 통해 P형 반도체 유기물 또는 P형 반도체 유기물과 CIGS의 혼합물을 하부 전극층상에 도포하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
21. The method of claim 20,
Forming the first or second semiconductor layer comprises the step of applying a P-type semiconductor organic material or a mixture of P-type semiconductor organic material and CIGS on the lower electrode layer through the inkjet method or screen printing method Method for producing a battery.
전해질층을 사이에 두고 하부 구조체와 상부 구조체를 구비하여 구성되는 태양전지의 제조방법에 있어서,
하부 구조체를 형성하는 단계와,
상부 구조체를 형성하는 단계 및,
상기 하부 구조체와 상부 구조체를 결합함과 더불어 그 사이 공극에 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되고,
상기 상부 구조체 형성단계는
상부 기판으로서 실리콘층을 형성하는 단계와,
상기 실리콘층상에 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 이용하여 상부 전극층을 형성하는 단계,
상기 상부 전극층상에 다공질층을 형성하는 단계 및,
상기 다공질층에 염료를 흡착시키는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
In the solar cell manufacturing method comprising a lower structure and an upper structure with an electrolyte layer interposed,
Forming a substructure,
Forming a superstructure,
Coupling the lower structure and the upper structure and injecting an electrolyte into the gap therebetween to form an electrolyte layer,
The upper structure forming step
Forming a silicon layer as an upper substrate,
Forming an upper electrode layer on the silicon layer by using a conductive organic material or a mixture of a conductive organic material and a conductive inorganic material,
Forming a porous layer on the upper electrode layer;
Method for manufacturing a solar cell characterized in that it comprises a step of adsorbing a dye on the porous layer.
제24항에 있어서,
상기 하부 구조체 형성단계는 하부 기판으로서 종이 기판을 준비하는 단계와,
상기 종이 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
25. The method of claim 24,
The forming of the lower structure may include preparing a paper substrate as a lower substrate;
And forming a lower electrode layer on the paper substrate.
제25항에 있어서,
상기 하부 전극층 형성단계 이전에 하부 기판을 진공 또는 비활성 가스 분위기 내에서 건조시키는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
26. The method of claim 25,
And drying the lower substrate in a vacuum or inert gas atmosphere before forming the lower electrode layer.
제24항에 있어서,
상기 하부 구조체 형성단계는 하부 기판으로서 유기물 기판을 준비하는 단계와,
상기 하부 기판상에 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물을 하부 기판상에 도포하여 하부 전극층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
25. The method of claim 24,
The forming of the lower structure may include preparing an organic substrate as a lower substrate;
Forming a lower electrode layer by applying a conductive organic material or a mixture of conductive organic materials and conductive inorganic materials on the lower substrate by using an inkjet method or a screen printing method on the lower substrate. Way.
KR1020110024313A 2011-03-18 2011-03-18 Solar cell and method of the manufacturing the same KR101714796B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110024313A KR101714796B1 (en) 2011-03-18 2011-03-18 Solar cell and method of the manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110024313A KR101714796B1 (en) 2011-03-18 2011-03-18 Solar cell and method of the manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120106288A true KR20120106288A (en) 2012-09-26
KR101714796B1 KR101714796B1 (en) 2017-03-22

Family

ID=47113024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110024313A KR101714796B1 (en) 2011-03-18 2011-03-18 Solar cell and method of the manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101714796B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112490301A (en) * 2020-11-30 2021-03-12 上海空间电源研究所 Multi-junction solar cell for realizing photon circulation enhancement and manufacturing method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006516819A (en) * 2003-01-30 2006-07-06 ユニバーシティ・オブ・ケープ・タウン Thin film semiconductor device and manufacturing method of thin film semiconductor device
JP2007149600A (en) * 2005-11-30 2007-06-14 Teijin Dupont Films Japan Ltd Laminated film for dye-sensitized solar cell and electrode for dye-sensitized solar cell using it
KR20110025807A (en) * 2011-02-23 2011-03-11 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 Flexible solar cell and fabricating method for the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006516819A (en) * 2003-01-30 2006-07-06 ユニバーシティ・オブ・ケープ・タウン Thin film semiconductor device and manufacturing method of thin film semiconductor device
JP2007149600A (en) * 2005-11-30 2007-06-14 Teijin Dupont Films Japan Ltd Laminated film for dye-sensitized solar cell and electrode for dye-sensitized solar cell using it
KR20110025807A (en) * 2011-02-23 2011-03-11 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 Flexible solar cell and fabricating method for the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112490301A (en) * 2020-11-30 2021-03-12 上海空间电源研究所 Multi-junction solar cell for realizing photon circulation enhancement and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101714796B1 (en) 2017-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101776533B1 (en) Preparing method for bonded type perovskite solar cell
Bu et al. Semitransparent fully air processed perovskite solar cells
KR101813171B1 (en) Gas barrier thin film, electronic device comprising the same, and method for preparing the same
JP2007095682A (en) Laminate type photovoltaic element and its manufacturing method
KR20170070882A (en) Monolithic Type Module of Perovskite Solar Cell and Manufacturing Method Thereof
KR101705468B1 (en) Bifacial solar cell
KR20120040322A (en) Dye-sensitized solar cell with light scattering layer, and manufacturing method thereof
KR101714796B1 (en) Solar cell and method of the manufacturing the same
KR101796789B1 (en) CIGS solar cell and method of the manufacturing of the same
KR101637610B1 (en) Solar cell and method of the manufacturing of the same
US20220367125A1 (en) A photovoltaic device and a method for preparation thereof
JP2014013716A (en) Dye-sensitized solar cell and method for manufacturing the same
KR20120092854A (en) Hybrid dye sensitized solar cell and method of the manufacturing of the same
KR20120083999A (en) Dye sensitized solar cell using the flexible substrate and methods of manufacturing of the same
KR101763433B1 (en) Dye sensitized solar cell and method of the manufacturing of the same
KR101697371B1 (en) Solar cell and method of the manufacturing of the same
KR20120079292A (en) Hybrid solar cell and method of the manufacturing of the same
KR102533707B1 (en) Double-sided organic solar cell and manufacturing method thereof
KR101651688B1 (en) Solar cell and method of the manufacturing of the same
KR20130021835A (en) Solar cell with ion separator and method of the manufacturing of the same
KR101731651B1 (en) Dye sensitized solar cell and method of the manufacturing the same
KR101651689B1 (en) Organic-inorganic hybrid solar cell and method of the manufacturing of the same
KR101744984B1 (en) Dye sensitized solar cell and method of the manufacturing the same
KR20120002125A (en) Solar cell and method of the manufacturing of the same
JP2014022207A (en) Method of manufacturing dye-sensitized solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 4