KR20120104000A - 발광소자 - Google Patents

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KR20120104000A
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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 발광 면적을 증가시켜 광 효율을 향상시키기 용이한 구조를 갖도록, 실시 예는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 제1 반도체층 상에 이격 배치된 제1, 2 전극 및 상기 제2 반도체층 상에서, 상기 제1, 2 전극 사이의 위치에 배치된 제3 전극을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자{Light emitting device}
실시 예는 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체 발광소자의 하나인 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전자와 홀의 재결합을 기초로 발광하는 반도체소자로서, 광통신, 전자기기 등에서 광원으로 널리 사용되는 것이다.
발광 다이오드에 있어서, 발광하는 광의 주파수(혹은 파장)은 반도체소자에 사용되는 재료의 밴드 갭 함수로서, 작은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 낮은 에너지와 긴 파장의 광자가 발생하고, 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 짧은 파장의 광자가 발생한다.
예를 들어, AlGaInP 물질은 적색 파장의 광을 발생시키고, 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히 GaN는 청색 또는 자외선 파장의 광을 발생시킨다.
그 중에서, 질화물 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 사용하여야 하며, 대표적으로 사파이어 기판이 사용된다.
최근에는 질화물 반도체 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제작하기 위한 연구가 진행 중에 있다.
실시 예는 발광 면적을 증가시켜 광 효율을 향상시키기 용이한 구조를 갖는 발광소자를 제공할 수 있다.
제1 실시 예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 제1 반도체층 상에 이격 배치된 제1, 2 전극 및 상기 제2 반도체층 상에서, 상기 제1, 2 전극 사이의 위치에 배치된 제3 전극을 포함할 수 있다.
제2 실시 예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 기판과 사기 제2 반도체층 사이에 배치되면, 상기 기판의 상부에 접촉된 반사막, 상기 반사막의 상부 및 상기 제2 반도체층의 하부에 접촉된 제3 전극 및 상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 서로 이격 배치된 제1, 2 전극을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1, 2 반도체층 및 제1, 2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광구조물에서, 상기 제1, 2 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층 상에 동종 극성을 갖으며 서로 이격 배치된 적어도 2이상의 전극을 형성하여, 발광 면적을 확대시켜 발광효율을 향상시킬 수 있으며, 공급되는 전류의 확산을 균일하게 하며, 적어도 2이상의 전극 각각을 개별적으로 본딩함에 따라 고 전력(high power) 사용이 용이한 이점이 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자에 대한 A-A 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 3는 도 1에 나타낸 발광소자에 대한 B-B 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 5는 제3 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 6은 제4 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 7은 제5 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 8은 제6 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8에 나타낸 발광소자에 대한 C-C 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸 사시도이다.
도 12는 도 11의 조명장치의 D-D 단면을 나타낸 단면도이다.
도 13은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 14는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
실시 예에 대한 설명에 앞서, 실시 예에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시 예에서 질화물 반도체 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 질화물 반도체 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이며, 도 2는 도 1에 나타낸 발광소자에 대한 A-A 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 3는 도 1에 나타낸 발광소자에 대한 B-B 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되며, 제1 반도체층(122), 제2 반도체층(124) 및 제1, 2 반도체층(122, 124) 사이에 배치되는 활성층(126)을 포함하는 발광구조물(120)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투광성을 갖는 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 기판(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.
기판(110)과 제1 반도체층(122) 사이에는 격자 부정합을 완화하는 버퍼층(112)이 배치될 수 있다. 버퍼층(112)은 버퍼층(112)상에 성장하는 제1 반도체층(122)의 결정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 버퍼층(112)은 기판(110)과 기판(110) 상에 적층되는 반도체층들 간에 격자 부정합을 최소화할 수 있도록 100Å 내지 500Å의 두께로 형성될 수 있다.
버퍼층(112)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x＜1, 0≤y＜1, 0＜x+y＜1)의 조성식을 가지는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등에서 선택될 수 있다.
제1 반도체층(122)은 활성층(126)에 캐리어를 제공할 수 있으며, 제1 반도체응(122)은 언도프 반도체층(미도시)을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
제1 반도체층(122)이 n형 반도체층일 경우, 제1 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 언드프 반도체층은 제1 반도체층(122)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(122)에 비해 낮은 전기전도성을 갖는다.
따라서, 제1 반도체층(122)에는 활성층(1126) 및 제2 반도체층(124)이 순차적으로 적층될 수 있다.
먼저, 활성층(126)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(126)은 예를 들어, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제2 반도체층(124)이 p형 반도체층일 경우, 제2 반도체층(124)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상술한 제1 반도체층(122), 활성층(126) 및 제2 반도체층(124)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 제1 반도체층(122) 및 제2 반도체층(124) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상술한 바와는 달리 제1 반도체층(122)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(124)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 즉, 제1 반도체층(122)과 제2 반도체층(124)은 활성층(126)을 중심으로 서로 형성되는 위치가 바뀌어도 무방하나, 하기에서는 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층을 포함하여 형성되고 기판(110) 상에 배치되는 것으로 기술한다.
제2 반도체층(124) 상에는 투광성 전극층(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 제1 반도체층(122) 상에서 메사 식각에 의해 노출된 제1, 2 영역(s1, s2) 각각에 배치된 제1, 2 전극(132, 134)을 포함할 수 있으며, 제2 반도체층(124) 상에서 제1, 2 전극(132, 134) 사이에 배치된 제3 전극(142)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1, 2 전극(132, 134)는 제3 전극(142)을 기준으로 서로 대칭되도록 배치될 수 있다.
다시말하면, 제1, 2 영역(s1, s2)는 제3 전극(142)과 대칭되는 위치에 형성되며, 동일한 형상으로 메사 식각될 수 있다.
이때, 제1 전극(132)은 제1 영역(s1)의 일측에 배치되는 제1 본딩패드(132_1) 및 제1 본딩패드(132_1)에 연결되며 제1 영역(s1)의 타측방향으로 연장된 제1 전극패드(132_2)를 포함할 수 있다.
그리고, 제2 전극(134)는 제1 영역(s1)과 이격된 제2 영역(s2)의 일측에 배치되며, 제2 본딩패드(134_1) 및 제2 본딩패드(134_1)에 연결되며 제2 영역(s2)의 타측방향으로 연장된 제2 전극패드(134_2)를 포함할 수 있다.
또한, 제3 전극(142)는 제2 반도체층(124) 영역의 일측에 배치되는 제3 본딩패드(142_1) 및 제3 본딩패드(142_1)과 연결되며 제1, 2 본딩패드(132_1, 134_1) 방향으로 연장된 제3 전극패드(142_2)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1 본딩패드(132_1)과 제3 전극패드(142_2) 사이 및 제2 본딩패드(134_1) 및 제3 전극패드(142_2) 사이의 이격 거리(d1)는 서로 동일할 것이며, 제1 전극패드(132_1)과 제3 전극패드(142_2) 사이 및 제2 전극패드(134_2) 및 제3 전극패드(142_2) 사이의 이격 거리(d2)는 서로 동일할 수 있다.
이때, 제1, 2 전극패드(132_2, 134_2)의 길이 및 폭은 서로 동일한 것이 바람직하며, 제1, 2 전극패드(132_2, 134_2)는 제3 본딩패드(142_1)과 중첩되는 위치까지 연장될 수 있으며, 제3 본딩패드(142_1)와 제3 전극패드(142_2)의 연결위치까지 연장될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
다시 말하면, 제1, 2 전극패드(132_2, 134_2)의 길이 및 폭은 동일하게 함으로써, 전류 확산이 서로 동일하게 유지할 수 있으므로, 제3 전극패드(142_2)에 공급되는 전류에 의한 방전을 서로 동일하게 할 수 있으며, 서로 교번적으로 유치시킴에 따라 서로 균일한 방전시간을 갖을 수 있는 이점이 있다.
또한, 제3 전극패드(142_2)는 제2 반도체층(124)의 중앙부에 배치되는 것이 가장 효율적인 것을 알 수 있다. 즉, 제3 전극패드(142_2)는 제1, 2 전극패드(132_2, 134_2)과 동일한 이격 거리(d2)로 이격되도록 함에 따라 발광면적을 확대하기 위함이다.
여기서, 제1, 2 본딩패드(132_1, 134_1)는 제1, 2 영역(s1, s2)에서 동일한 일측에 배치되거나, 또는 서로 마주보는 일측에 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
실시 예에서는, 제1 반도체층(122) 상에 2개의 전극이 배치되며, 제2 반도체층(124) 상에 1개의 전극이 배치되는 것으로 설명하였으나, 제1 반도체층(122) 상에 1개의 전극이 배치되고, 제2 반도체층(124) 상에 2개의 전극이 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 1 내지 도 3과 중복되는 내용에 대하여 간략하게 설명하거나, 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 발광소자(200)는 제1 반도체층(222)의 제1, 2 영역(s21, s22) 상에 배치된 제1, 2 전극(232, 234) 및 제2 반도체층(224) 상에 배치된 제3 전극(242)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1, 2, 3 전극(232, 234, 242)에 대한 자세한 설명은, 도 1 내지 도 3에서 설명하였으며, 도 1 내지 도 3에서 설명한 부분과 상이한 부분에 대하여 설명한다.
제1, 2 전극패드(232_1, 234_2)의 길이는 서로 동일한 것으로 설명하지만, 이에 한정을 두지 않으며, 길이가 서로 상이할 수 있다.
제2 실시 예에서 제1 전극패드(232_2)의 폭(p21)은 제2 전극패드(234_2)의 폭(p2)보다 작은 것으로 설명하지만, 이와 반대로 제1 전극패드(232_2)의 폭(p21)이 제2 전극패드(234_2)의 폭(p22)보다 크게 형성될 수 있다.
이때, 제1 전극패드(232_2)와 제3 전극패드(242_2)의 이격거리(d21_1)은 제2 전극패드(234_2)와 제3 전극패드(242_2)의 이격거리(d21_2) 보다 짧은 것을 알 수 있다.
이유인즉, 제1 전극패드(232_2)의 폭(p21)은 제2 전극패드(234_2)의 폭(p22)보다 작으므로, 전류의 확산 시간이 늦게 되며, 그에 따라 제3 전극패드(242_2)와의 이격거리에 차등을 줌으로써, 발광면적에 대하여 전체적인 발광시간을 맞출수 있어, 발광시간차를 줄일 수 있기 때문이다.
도 5는 제3 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1 내지 도 3과 중복되는 내용에 대하여 간략하게 설명하거나, 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 발광소자(300)는 제1 반도체층(322)의 제1, 2 영역(s31, s32) 상에 배치된 제1, 2 전극(332, 334) 및 제2 반도체층(324) 상에 배치된 제3, 4 전극(342, 344)을 포함할 수 있다.
제1 전극(332)은 제1 영역(s31)의 일측에 배치된 제1 본딩패드(332_1) 및 제1 본딩패드(332_1)에 연결되며 제1 영역(s31)의 타측방향으로 연장된 제1 전극패드(332_2)를 포함할 수 있다.
그리고, 제2 전극(334)은 제1 영역(s31)과 이격된 제2 영역(s32)의 일측에 배치되며, 제1 본딩패드(332_1)과 이격 배치된 제2 본딩패드(334_1) 및 제2 본딩패드(334_1)에 연결되며 제2 영역(s32)의 타측방향으로 연장된 제2 전극패드(334_2)를 포함할 수 있다.
또한, 제3 전극(342)은 제1, 2 전극(332, 334) 사이에 배치되며, 제2 반도체층(324)의 일측에 배치되는 제3 본딩패드(342_1) 및 제3 본딩패드(342_1)와 연결되며 제1, 2 본딩패드(332_1, 334_1) 방향으로 연장된 제3 전극패드(342_2)를 포함할 수 있다.
제4 전극(244)은 제2 반도체층(224)의 일측에 배치되며, 제3 본딩패드(242_1)와 이격 배치된 제4 본딩패드(244_1) 및 제4 본딩패드(244_1)와 연결되며 제1, 2 본딩패드(232_1, 234_1) 방향으로 연장된 제4 전극패드(244_2)를 포함할 수 있다.
실시 예에서는 제1 내지 제4 전극패드(332_2, 334_2, 342_2, 344_2)가 서로 평행한 것으로 나타내면 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.
여기서, 제1 내지 제4 전극패드(332_2, 334_2, 342_2, 344_2)의 길이 및 폭은 서로 동일하거나, 서로 상이할 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
실시 예에서는, 제1 내지 제4 전극패드(332_2, 334_2, 342_2, 344_2)의 길이 및 폭이 서로 동일한 것으로 설명한다.
즉, 제1 내지 제4 전극패드(332_2, 334_2, 342_2, 344_2)는 서로 교대로 배치되며, 각각의 이격거리(d31)는 서로 동일할 수 있다.
만약, 제1 내지 제4 전극패드(332_2, 334_2, 342_2, 344_2)의 길이 및 폭 중 적어도 하나가 상이한 경우 이격거리는 서로 상이할 수 있으며, 이는 도 4에서 설명된 부분에 해당될 수 있을 것이다.
다시 도 5를 참조하면, 제1, 2 본딩패드(332_1, 334_1) 및 제3, 4 본딩패드(342_1, 344_1)는 각각 동일한 일측에 배치되었으나, 서로 마주보는 일측에 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
이때, 제1 내지 제4 본딩패드(332_2, 334_2, 342_2, 344_2) 중 적어도 하나는 적어도 2 이상의 전극패드가 연결될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 6은 제4 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이고, 도 7은 제5 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5와 중복되는 내용에 대하여 간략하게 설명하거나, 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 발광소자(400)는 제1, 2, 3, 4 전극(432, 434, 442, 444)이 서로 교대로 배치되며, 제1, 4 전극(432, 444)에 포함되는 제1, 4 본딩패드(432_1, 444_1) 및 제2, 3 전극(434, 442)에 포함되는 제2, 3 본딩패드(434_1, 444_1)가 서로 동일한 일측에 배치될 수 있다.
이때, 제1 내지 제4 전극(432, 434, 442, 444) 각각에 포함된 제1 내지 제4 전극패드(432_2, 434_2, 442_2, 444_2) 중 적어도 2이상의 길이가 서로 상이할 수 있다.
그리고, 제1 내지 제4 전극패드(432_2, 434_2, 442_2, 444_2) 간 사이의 이격 거리도 상이할 수 있으며, 이는 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 동일할 것이다.
도 7을 참조하면, 발광소자(500)는 제3 전극(542)의 제3 본딩패드(542_1)가 일측단부에서 중심부 방향으로 발광소자(500)의 측면 길이에 1/3 이하의 위치에 배치될 수 있다.
이유인즉, 제3 본딩패드(542_2)는 발광면적의 중심부 방향으로 배치되는 경우 1/3 이하에 위치하는 경우 중심부에서 발생되는 광의 차단면적을 줄임으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 7에 나타낸 발광소자(100 ~ 500)는 복수의 전극들이 각각 와이어 본딩 또는 다이본딩 됨에 따라 전류의 확산이 용이하므로 고 전력(high power) 발광소자인 경우 발광효율의 이점이 높아지는 이점이 있다.
즉, 각각 와이어 본딩 또는 다이본딩 됨에 따라 이동하는 전류의 크기를 높임으로써, 단위 시간당 전류의 양을 증가시키기 때문이다.
도 8은 제6 실시 예에 따른 발광소자의 상면을 나타내는 평면도이고, 도 9는 도 8에 나타낸 발광소자에 대한 C-C 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 발광소자(600)는 기판(610) 및 발광구조물(620)을 포함할 수 있다.
기판(610)은 광 투과적 성질을 가지는 것으로서, 사파이어(Al2O3)와 같은 반도체층과 다른 이종기판 또는 GaN과 같은 동종기판일 수 있으며, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 기판일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않는다.
즉, 기판(610)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수 있으며, 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr) 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중에서 적어도 하나로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 또한, 기판(610)은 캐리어 웨이퍼 (예를들면, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga2O3 등 )를 사용할 수 있다.
기판(610)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.
기판(610) 상에는 기판(610)과 발광구조물(620) 간의 격자 부정합을 완화하는 접착층(612)이 위치할 수 있다.
접착층(612)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 접착층(612)은 서로 다른 접합층을 접합시켜 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
접착층(612) 상에는 반사막(644)이 형성될 수 있다. 반사막(644)은 발광구조물(620)로부터 입사되는 빛을 반사시켜, 발광소자의 발광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
반사막(644)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층될 수 있다.
반사층(644)상에는 제3 전극(642)이 형성될 수 있다. 제3 전극(642)은 발광 구조물(620)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광구조물(620)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, 예를들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제3 전극(642)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있다. 예컨대, 제3 전극(642)은, 예를들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.
제3 전극(642)은 발광 구조물(620), 후술하는 제2 반도체층(624)에 캐리어(carrier)의 주입을 원활히 하기 위한 것으로 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 제3 전극(642)을 생략하고, 반사막(644)으로 사용되는 물질을 제2 반도체층(624)과 오믹 접촉을 하는 물질로 선택할 수 있다. 이때, 반사막(644)은 제3 전극(642)의 기능을 할 수 있다.
제3 전극(642) 및 반사막(644)의 양측 단부에는 채널층(646)이 형성될 수 있으며, 채널층(646)은 금속물질 및 절연물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 금속물질인 경우에는 발광구조물(620)과 접촉영역에서 제3 전극(642) 보다 전기 전도성이 낮게되는 물질을 사용할 수 있다. 채널층(646)은 발광구조물(620)과 쇼트키 컨택을 형성할 수 있다.
이러한, 채널층(646)은 티탄(Ti), 니켈(Ni), 백금(Pt), 납(Pb), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함하거나, 또는 산화알루미늄(Al2O3), 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(Si3N4) 및 산화티탄(TiOx) 중 적어도 하나를 포함하거나, 또는 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide) 및 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광구조물(620)은 제3 전극(642) 및 채널층(646)에 접하며, 제1 반도체층(622), 활성층(626) 및 제2 반도체층(644)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(622)과 제2 반도체층(644) 사이에 활성층(646)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.
제1 반도체층(622)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, n형 반도체층은 GaN층, AlGaN층, InGAN층 등과 같은 GaN계 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 제1 반도체층(622) 상부에는 니켈(Ni) 등으로 제1, 2 전극패드(632_2, 634_2)가 형성될 수 있고, 제1, 2 전극패드(632_2, 634_2)가 형성되지 않는 제1 반도체층(622)의 표면 일부 영역 또는 전체 영역에는 소정의 식각 방법으로 광 추출 효율을 향상시키기 위한 요철(미도시)을 형성해 줄수 있다.
여기서, 도 8을 참조하면, 제1 반도체층(622) 상부에는 서로 이격된 제1, 2 전극(632, 634)이 형성될 수 있다.
이때, 제1 전극(632)은 제1 본딩패드(632_1) 및 제1 본딩패드(632_1)에서 연장된 제1 전극패드(632_2)를 포함할 수 있으며, 제2 전극(634)은 제2 본딩패드(634_1) 및 제2 본딩패드(634_1)에서 연장된 제2 전극패드(634_2)를 포함할 수 있다.
제1, 2 전극(632, 634) 각각은 두 개의 전극패드가 형성된 것으로 나타내었으나, 하나의 전극패드를 기준으로 설명을 하며, 전극패드의 개수에 대하여 한정을 두지 않는다.
즉, 제1, 2 본딩패드(632_1, 634_1)는 제1 반도체층(622) 상부에 대각선 방향으로 서로 이격되어 형성될 수 있다. 이때, 제1, 2 본딩패드(632_1, 634_1)는 각각 와이어 본딩 되거나, 어느 하나에 와이어 본딩이 될 수 있다.
여기서, 제1, 2 본딩패드(632_1, 634_1) 중 어느 하나에만 와이어 본딩이 되는 경우, 제1 반도체층(622)을 통하여 제1, 2 전극(632, 634)이 서로 연결될 수 있다.
그리고, 제1, 2 전극패드(632_2, 634_2)에는 제1 반도체층(622)의 중심방향으로 연장된 전극라인(미도시)가 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
제1 반도체층(622)의 아래에는 활성층(646)이 형성될 수 있다. 활성층(646)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(646)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
활성층(646) 아래에는 제2 반도체층(644)이 형성될 수 있다. 제2 반도체층(644)은 p형 반도체층으로 구현되어, 활성층(646)에 정공을 주입할 수 있다. 예를 들어 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
또한 제2 반도체층(644)의 아래에는 제3 반도체층(미도시)을 형성할 수도 있다. 여기서 제3 반도체층은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다.
발광구조물(620)의 측면에는 패시베이션(미도시)이 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
이와 같이, 제1, 2 전극(632, 634)은 서로 이격됨에 따라, 제1, 2 본딩패드(632_1, 634_1)에 각각에 와이어본딩되어 동일 극성의 전원이 인가되거나, 제1, 2 본딩패드(632_1, 634_1) 중 어느 하나에만 와이어본딩하여, 다른 하나와 반도체층을 통하여 간접 연결될 수 있으며, 발광 면적을 확대시켜 발광 효율을 극대화시킬 수 있다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 10을 참조하면, 발광소자 패키지(700)는 캐비티가 형성된 몸체(710), 몸체(710)의 바닥면에 실장된 발광소자(720) 및 상기 캐비티에 충진되는 수지물(730)을 포함할 수 있고, 수지물(730)은 형광체(740)를 포함할 수 있다.
몸체(710)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(710)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(710)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(720)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.
몸체(710)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
발광소자(720)는 몸체(710)의 바닥면에 실장되며, 일 예로 발광소자(720)는 도 1 내지 도 8에 나타내고 설명한 발광소자일 수 있다. 발광소자(720)는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.
한편, 몸체(710)는 제1 전극(752) 및 제2 전극(754)을 포함할 수 있다. 제1 전극(752) 및 제2 전극(754)은 발광소자(720)와 전기적으로 연결되어 발광소자(720)에 전원을 공급할 수 있다.
제1 전극(752) 및 제2 전극(754)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(720)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 발광소자(720)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.
이러한 제1 전극(752) 및 제2 전극(754)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(752) 및 제2 전극(754)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
수지물(730)은 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(740)를 포함할 수 있다. 수지물(730)은 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
형광체(740)는 발광소자(720)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자패키지(700)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.
수지물(730)에 포함되어 있는 형광체(740)는 발광소자(720)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체(740)는 발광소자(720)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(720)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(740)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(700)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
이와 유사하게, 발광소자(720)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(740)를 혼용하는 경우, 발광소자(720)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.
이러한 형광체(740)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.
도 11은 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸 사시도이며, 도 12는 도 11의 조명장치의 D-D 단면을 나타낸 단면도이다.
이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(800)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(800)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.
즉, 도 12는 도 11의 조명장치(800)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 조명장치(800)는 몸체(810), 몸체(810)와 체결되는 커버(830) 및 몸체(810)의 양단에 위치하는 마감캡(850)을 포함할 수 있다.
몸체(810)의 하부면에는 발광소자모듈(840)이 체결되며, 몸체(810)는 발광소자모듈(840)에서 발생된 열이 몸체(810)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
발광소자모듈(840)은 PCB기판(842)과 발광소자(미도시)를 포함하는 발광소자패키지(844)를 포함하며, 발광소자패키지(844)는 PCB기판(842) 상에 다색, 다열로 실장될 수 있어 어레이를 이룰 수 있고, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장되어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB기판(842)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
커버(830)는 몸체(810)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(830)는 내부의 발광소자모듈(840)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(830)는 발광소자패키지(844)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(830)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(830)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자패키지(844)에서 발생한 광은 커버(830)를 통해 외부로 방출되므로 커버(830)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(844)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(830)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(850)은 몸체(810)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(850)에는 전원핀(852)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(800)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 13은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 13은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(900)는 액정표시패널(910)과 액정표시패널(910)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(970)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(910)은 백라이트 유닛(970)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(910)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(912) 및 박막 트랜지스터 기판(914)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(912)은 액정표시패널(910)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(914)은 구동 필름(917)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(918)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(914)은 인쇄회로기판(918)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(918)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(914)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(970)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(920), 발광소자모듈(920)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(910)로 제공하는 도광판(930), 도광판(930)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(950, 966, 964) 및 도광판(930)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(930)으로 반사시키는 반사 시트(940)로 구성된다.
발광소자모듈(920)은 복수의 발광소자패키지(924)와 복수의 발광소자패키지(924)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(922)을 포함할 수 있다.
한편, 발광소자패키지(924)에 포함되는 발광소자는 도 1 내지 도 8에서 상술한바 생략한다.
한편, 백라이트유닛(970)은 도광판(930)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(910) 방향으로 확산시키는 확산필름(966)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(950)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(950)를 보호하기 위한 보호필름(964)을 포함할 수 있다.
도 14는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
다만, 도 13에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 14는 직하 방식으로, 액정표시장치(1000)는 액정표시패널(1010)과 액정표시패널(1010)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(1070)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(1010)은 도 13에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(1070)은 복수의 발광소자모듈(1023), 반사시트(1024), 발광소자모듈(1023)과 반사시트(1024)가 수납되는 하부 섀시(1030), 발광소자모듈(1023)의 상부에 배치되는 확산판(1040) 및 다수의 광학필름(1060)을 포함할 수 있다.
발광소자모듈(1023) 복수의 발광소자패키지(1022)와 복수의 발광소자패키지(1022)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(1021)을 포함할 수 있다.
반사 시트(1024)는 발광소자패키지(1022)에서 발생한 빛을 액정표시패널(1010)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자모듈(1023)에서 발생한 빛은 확산판(1040)에 입사하며, 확산판(1040)의 상부에는 광학 필름(1060)이 배치된다. 광학 필름(1060)은 확산 필름(1066), 프리즘필름(1050) 및 보호필름(1064)를 포함하여 구성될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
    상기 제1 반도체층 상에 이격 배치된 제1, 2 전극; 및
    상기 제2 반도체층 상에서, 상기 제1, 2 전극 사이의 위치에 배치된 제3 전극;을 포함하는 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극은,
    제1 본딩패드; 및 상기 제1 본딩패드에서 연장된 제1 전극패드;를 포함하고,
    상기 제2 전극은,
    상기 제1 본딩패드와 이격 배치된 제2 본딩패드; 및 상기 제2 본딩패드에서 연장된 제2 전극패드;를 포함하는 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1, 2 본딩패드는,
    서로 마주보는 위치에 배치되는 발광소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제1, 2 본딩패드는,
    상기 제3 전극과 동일 간격으로 이격된 발광소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제1, 2 전극패드의 길이는,
    서로 동일한 발광소자.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 제1, 2 전극패드는,
    상기 제3 전극을 기준으로 서로 대칭되게 배치된 발광소자
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 제3 본딩패드; 및 상기 제3 본딩패드에서 연장된 제3 전극패드;를 포함하며,
    상기 제3 전극패드의 길이는,
    상기 제1, 2 전극패드 중 적어도 하나의 길이보다 짧거나,
    또는 상기 제1, 2 전극패드 중 적어도 하나의 길이와 동일한 발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제3 전극패드의 폭은,
    상기 제1, 2 전극패드 중 적어도 하나의 폭보다 두껍거나,
    또는 상기 제1, 2 전극패드 중 적어도 하나의 폭과 동일한 발광소자.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 제3 전극과 이격 배치된 제4 전극;을 포함하고,
    상기 제4 전극은,
    상기 제2 반도체층 상에 배치된 제4 본딩패드; 및 상기 제4 본딩패드에서 연장된 제4 전극패드;를 포함하는 발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제4 전극패드의 길이는,
    상기 제3 전극패드의 길이와 동일하거나,
    또는 상기 제3 전극패드의 길이보다 긴 발광소자.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제4 전극패드의 길이는,
    상기 제1 전극패드의 길이와 동일하거나,
    또는 상기 제1 전극패드의 길이보다 긴 발광소자.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제4 전극패드의 길이는,
    상기 제2 전극패드의 길이와 동일하거나,
    또는 상기 제2 전극패드의 길이보다 긴 발광소자.
  13. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
    상기 기판과 사기 제2 반도체층 사이에 배치되면, 상기 기판의 상부에 접촉된 반사막;
    상기 반사막의 상부 및 상기 제2 반도체층의 하부에 접촉된 제3 전극; 및
    상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 서로 이격 배치된 제1, 2 전극;을 포함하는 발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 전극은,
    제1 본딩패드; 및 상기 제1 본딩패드에서 연장된 제1 전극패드;를 포함하고,
    상기 제2 전극은,
    상기 제1 본딩패드와 이격 배치된 제2 본딩패드; 및 상기 제2 본딩패드에서 연장된 제2 전극패드;를 포함하며,
    상기 제1, 2 본딩패드는,
    서로 대각선 방향에 배치된 발광소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017041612A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社東芝 半導体発光装置

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