KR20120103052A - Apparatus and method for treating wafer - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼를 처리하는 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer processing apparatus and a method of processing a wafer.
웨이퍼는 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다. 웨이퍼 제조의 주요 공정은 크게, 슬라이싱(slicing), 랩핑(lapping), 알칼리 용액을 이용한 에칭(etching), 양면 그라인딩(double side grinding, DSG), 슬라이트 에칭(slight etching), 폴리싱(polishing), 및 세정(cleaning) 공정을 포함할 수 있다.The wafer is produced as a wafer for semiconductor device manufacturing through a series of processes. The main processes of wafer fabrication are largely slicing, lapping, etching with alkaline solution, double side grinding (DSG), light etching, polishing, And a cleaning process.
이러한 공정들에서, 웨이퍼는 다양한 방법으로 이송될 수 있다.In such processes, the wafer can be transferred in various ways.
실시예는 웨이퍼를 처리하는 과정에서 발생되는 오염 또는 손상을 방지하기 위한 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼를 처리하는 방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a wafer processing apparatus and a method of processing a wafer to prevent contamination or damage generated during processing of the wafer.
실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 수용하는 제 1 수용부; 상기 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼 처리부; 상기 웨이퍼 처리부에 의해서 처리된 웨이퍼를 수용하는 제 2 수용부; 및 상기 제 1 수용부로부터 상기 웨이퍼를 이송하기 위한 제 1 면 및 상기 제 2 수용부에 상기 처리된 웨이퍼를 이송하기 위한 제 2 면을 포함하는 로봇 암을 포함한다.A wafer processing apparatus according to an embodiment includes a first accommodating portion accommodating a wafer; A wafer processor which processes the wafer; A second accommodating portion accommodating a wafer processed by the wafer processing portion; And a robot arm comprising a first face for transferring the wafer from the first receptacle and a second face for transferring the processed wafer to the second receptacle.
실시예에 따른 웨이퍼를 처리하는 방법은 로봇 암의 제 1 면을 사용하여, 웨이퍼를 흡착하는 단계; 상기 로봇 암의 제 1 면을 통하여 흡착된 웨이퍼를 제 1 수용부로부터 이송시키는 단계; 상기 제 1 수용부로부터 이송된 웨이퍼를 처리하는 단계; 상기 처리된 웨이퍼를 상기 로봇 암의 제 2 면을 사용하여 흡착하는 단계; 및 상기 로봇 암의 제 2 면을 통하여 흡착된 웨이퍼를 제 2 수용부에 이송시키는 단계를 포함한다.A method of processing a wafer according to an embodiment comprises: adsorbing a wafer using a first side of a robot arm; Transferring a wafer adsorbed through the first face of the robot arm from a first receptacle; Processing the wafer transferred from the first receptacle; Adsorbing the processed wafer using a second side of the robot arm; And transferring the wafer adsorbed through the second face of the robot arm to a second receptacle.
실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치는 로봇의 제 1 면을 사용하여 처리 전 웨이퍼를 이송하고, 제 2 면을 사용하여 처리된 웨이퍼를 이송한다.The wafer processing apparatus according to the embodiment transfers the wafer before processing using the first side of the robot, and transfers the processed wafer using the second side.
즉, 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치는 그라인딩 공정을 진행하고자 하는 웨이퍼와 그라인딩 공정이 완료된 웨이퍼를 서로 다른 면들을 사용하여 이송할 수 있다.That is, the wafer processing apparatus according to the embodiment may transfer the wafer to which the grinding process is to be performed and the wafer to which the grinding process is completed using different surfaces.
이에 따라서, 그라인딩 공정 및/또는 세정 공정이 완료된 웨이퍼는 상대적으로 깨끗한 면으로 이송될 수 있다.As a result, the wafer after the grinding process and / or the cleaning process is completed can be transferred to a relatively clean surface.
따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼를 처리하는 방법은 웨이퍼의 오염 및 손상을 용이하게 방지할 수 있다.Therefore, the wafer processing apparatus and the method of processing the wafer according to the embodiment can easily prevent contamination and damage of the wafer.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 그라인딩 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 로봇을 도시한 사시도이다.
도 3은 실시예에 따른 로봇의 일부를 도시한 사시도이다.
도 4는 로봇 암의 제 1 면을 도시한 평면도이다.
도 5는 로봇 암의 제 2 면을 도시한 평면도이다.
도 6은 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 실시예에 따른 웨이퍼 그라인딩 장치에 의해서, 웨이퍼를 그라인딩하는 과정을 도시한 순서도이다.1 illustrates a wafer grinding apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective view of a robot according to an embodiment.
3 is a perspective view illustrating a part of a robot according to an embodiment.
4 is a plan view showing a first side of the robot arm.
5 is a plan view showing a second side of the robot arm.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
7 is a flowchart illustrating a process of grinding a wafer by the wafer grinding apparatus according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 부, 바 또는 척 등이 각 부, 바, 웨이퍼 또는 척 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, in the case where each wafer, part, bar, or chuck is described as being formed "on" or "under" of each part, bar, wafer, or chuck, "On" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 그라인딩 장치를 도시한 도면이다. 도 2는 실시예에 따른 로봇을 도시한 사시도이다. 도 3은 실시예에 따른 로봇의 일부를 도시한 사시도이다. 도 4는 로봇 암의 제 1 면을 도시한 평면도이다. 도 5는 로봇 암의 제 2 면을 도시한 평면도이다. 도 6은 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 7은 실시예에 따른 웨이퍼 그라인딩 장치에 의해서, 웨이퍼를 그라인딩하는 과정을 도시한 순서도이다.1 illustrates a wafer grinding apparatus according to an embodiment. 2 is a perspective view of a robot according to an embodiment. 3 is a perspective view illustrating a part of a robot according to an embodiment. 4 is a plan view showing a first side of the robot arm. 5 is a plan view showing a second side of the robot arm. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA ′ in FIG. 3. 7 is a flowchart illustrating a process of grinding a wafer by the wafer grinding apparatus according to the embodiment.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 그라인딩 장치는 제 1 카세트(11), 제 2 카세트(12), 로봇(20), 센터링부(30), 트랜스퍼 암(40), 후면 클리너(50), 턴 테이블(60), 그라인딩 휠(70), 척 테이블(80) 및 세정부(90)를 포함한다.1 to 6, a wafer grinding apparatus according to an embodiment includes a
상기 제 1 카세트(11)에 그라인딩될 웨이퍼가 로딩되고, 상기 제 1 카세트(11)는 상기 웨이퍼를 임시 수용한다. 즉, 상기 제 1 카세트(11)는 상기 그라인딩될 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 수용부이다.The wafer to be ground is loaded in the
상기 제 2 카세트(12)는 그라인딩 공정이 완료된 웨이퍼를 임시 수용한다. 즉, 상기 제 2 카세트(12)는 상기 그라인딩 공정이 완료된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 수용부이다. 또한, 상기 임시 수용된 웨이퍼는 추후 진행되는 공정을 위하여, 상기 제 2 카세트(12)로부터 언로딩된다.The
상기 로봇(20)은 상기 제 1 카세트(11)로부터 상기 그라인딩될 웨이퍼를 상기 센터링부(30)에 이송시킨다. 또한, 상기 로봇(20)은 상기 세정부(90)로부터 상기 그라인딩 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 제 2 카세트(12)로 이송시킨다. 즉, 상기 로봇(20)은 상기 그라인딩될 웨이퍼 및 상기 그라인딩 공정이 완료된 웨이퍼를 이송시키는 이송 장치이다.The
도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 로봇(20)은 구동부(100), 제 1 링크부(210), 제 2 링크부(220), 제 3 링크부(230), 반전 구동부(300), 로봇 암(400), 제 1 진공 펌프(510) 및 제 2 진공 펌프(520)를 포함한다.2 to 6, the
상기 구동부(100)는 상기 제 1 링크부(210), 상기 제 2 링크부(220) 및 상기 제 3 링크부(230)를 구동할 수 있다. 또한, 상기 구동부(100)는 상기 제 1 링크부(210)를 지지한다. 상기 구동부(100)는 상기 제 1 진공 펌프(510) 및 상기 제 2 진공 펌프(520)를 지지할 수 있다. 또한, 상기 구동부(100)는 상기 제 1 진공 펌프(510) 및 상기 제 2 진공 펌프(520)를 구동할 수 있다.The
상기 제 1 링크부(210)는 상기 구동부(100)에 연결된다. 상기 제 1 링크부(210)는 상기 구동부(100)에 의해서 지지되고, 회전 구동된다. 상기 제 1 링크부(210)는 제 1 회전 구동부(211)를 중심으로 회전될 수 있다.The
상기 제 2 링크부(220)는 상기 제 1 링크부(210)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 2 링크부(220)는 상기 제 1 링크부(210)의 끝단에 연결된다. 상기 제 2 링크부(220)는 상기 제 1 링크부(210)에 의해서 지지되고, 회전 구동된다. 상기 제 2 링크부(220)는 제 2 회전 구동부(221)를 중심으로 회전될 수 있다.The
상기 제 3 링크부(230)는 상기 제 2 링크부(220)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 3 링크부(230)는 상기 제 2 링크부(220)의 끝단에 연결된다. 상기 제 3 링크부(230)는 상기 제 2 링크부(220)에 의해서 지지되고, 회전 구동된다. 상기 제 3 링크부(230)는 제 3 회전 구동부(231)를 중심으로 회전될 수 있다.The
상기 반전 구동부(300)는 상기 제 3 링크부(230)에 연결된다. 상기 반전 구동부(300)는 상기 로봇 암(400)을 반전시킬 수 있다. 즉, 상기 반전 구동부(300)는 상기 제 3 링크부(230)가 연장되는 방향의 회전축을 중심으로 상기 로봇 암(400)을 회전시킬 수 있다. 상기 반전 구동부(300)는 상기 로봇 암(400)을 회전시키기 위한 서보 모터를 더 포함할 수 있다.The
상기 로봇 암(400)은 상기 반전 구동부(300)에 연결된다. 상기 로봇 암(400)은 상기 반전 구동부(300)에 의해서 반전 구동될 수 있다. 상기 로봇 암(400)은 상기 그라인딩될 웨이퍼를 상기 제 1 카세트(11)로부터 흡착하고, 상기 그라인딩되어 세정된 웨이퍼를 상기 세정부(90)로부터 흡착할 수 있다.The
도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 로봇 암(400)은 제 1 면(401) 및 제 2 면(402)을 포함한다. 상기 제 1 면(401) 및 상기 제 2 면(402)은 서로 대향된다. 상기 제 1 면(401)은 상기 그라인딩될 웨이퍼에 직접 접촉한다. 상기 제 2 면(402)은 상기 그라인딩되어 세정된 웨이퍼에 직접 접촉한다.As shown in FIGS. 3-6, the
상기 제 1 면(401)에는 제 1 흡착부(410)가 구비된다. 상기 제 1 흡착부(410)는 상기 제 1 면(401)에 형성되는 배큠 홀들이다. 상기 배큠 홀들은 4개가 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The
상기 제 1 면(401)에는 상기 그라인딩될 웨이퍼의 흡착 여부를 센싱하는 제 1 센서부(420)가 배치될 수 있다.The
상기 제 2 면(402)에는 제 2 흡착부(440)가 구비된다. 상기 제 2 흡착부(440)는 상기 제 2 면(402)에 형성되는 배큠 홀들이다. 상기 배큠 홀들은 4개가 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
또한, 상기 제 2 면(402)에는 상기 그라인딩 공정이 완료된 웨이퍼의 흡착 여부를 센싱하는 제 2 센서부(450)가 배치될 수 있다.In addition, a
또한, 상기 로봇 암(400)은 제 1 유로(430) 및 제 2 유로(460)를 포함한다.In addition, the
상기 제 1 유로(430)는 상기 제 1 흡착부(410)에 연결된다. 또한, 상기 제 1 유로(430)는 제 1 호스(511)에 연결되고, 상기 제 1 호스(511)를 통하여, 상기 제 1 진공 펌프(510)에 연결된다. 상기 제 1 유로(430)를 통하여 상기 제 1 흡착부(410)에 진공압이 전달될 수 있다.The
상기 제 2 유로(460)는 상기 제 2 흡착부(440)에 연결된다. 또한, 상기 제 2 유로(460)는 제 2 호스(521)에 연결되고, 상기 제 2 호스(521)를 통하여, 상기 제 2 진공 펌프(520)에 연결된다. 상기 제 2 유로(460)를 통하여, 상기 제 2 흡착부(440)에 진공압이 전달될 수 있다.The
상기 제 1 진공 펌프(510)는 상기 구동부(100)에 구비될 수 있다. 상기 제 1 진공 펌프(510)는 상기 제 1 호스(511)와 연결된다. 상기 제 1 진공 펌프(510)는 상기 제 1 호스(511) 및 상기 제 1 유로(430)를 통하여, 상기 제 1 흡착부(410)에 진공압을 인가할 수 있다.The
상기 제 2 진공 펌프(520)는 상기 구동부(100)에 구비될 수 있다. 상기 제 2 진공 펌프(520)는 상기 제 2 호스(521)와 연결된다. 상기 제 2 진공 펌프(520)는 상기 제 2 호스(521) 및 상기 제 2 유로(460)를 통하여, 상기 제 2 흡착부(440)에 진공압을 인가할 수 있다.The
즉, 상기 제 1 진공 펌프(510) 및 상기 제 2 진공 펌프(520)는 진공압을 생성하여, 상기 제 1 흡착부(410) 및 상기 제 2 흡착부(440)에 인가하는 진공압 생성부들이다.That is, the
상기 제 1 진공 펌프(510) 및 상기 제 2 진공 펌프(520)는 따로, 상기 제 1 흡착부(410) 및 상기 제 2 흡착부(440)에 진공압을 인가한다. 이에 따라서, 상기 그라인딩이 완료된 웨이퍼가 탈착될 때, 오염되는 현상을 원천적으로 방지할 수 있다.The
즉, 상기 제 1 흡착부(410) 및 상기 제 2 흡착부(440)의 진공압이 서로 다른 경로로 인가된다. 이에 따라서, 상기 제 1 면(401)의 오염 물질이 상기 제 2 면(402)에 분출되지 않는다.That is, the vacuum pressures of the
본 실시예에서, 상기 제 1 면(401)에 상기 제 1 흡착부(410)가 구비되고, 상기 제 2 면(402)에 제 2 흡착부(440)가 구비되어, 상기 로봇암(400)이 웨이퍼를 진공압에 의해서 흡착하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 제 1 면(401)에는 흡착부 대신에, 제 1 그립부가 구비되고, 상기 제 2 면(402)에는 제 2 그립부가 구비될 수 있다. 상기 제 1 그립부 및 상기 제 2 그립부는 상기 웨이퍼의 에지부를 그립할 수 있다. 이에 따라서, 상기 로봇암(400)은 진공압 대신에 그립 방식으로 상기 웨이퍼를 그립하여, 이송시킬 수 있다.In the present embodiment, the
상기 센터링부(30)는 상기 로봇(20)에 의해서 이송된 웨이퍼를 센터링한다. 상기 센터링부(30)는 상기 이송된 웨이퍼를 센터링하여, 상기 트랜스퍼 암(40)에 정위치로 흡착시킨다.The centering
상기 트랜스퍼 암(40)은 상기 웨이퍼를 흡착하여 이송시킨다. 더 자세하게, 상기 트랜스퍼 암(40)은 상기 센터링부(30)로부터 센터링된 웨이퍼를 흡착하여, 상기 후면 클리너(50)로 이상시킨다. 상기 후면 클리너(50)는 상기 이송된 웨이퍼의 후면을 클리닝한다. 또한, 상기 트랜스퍼 암(40)은 상기 후면이 클리닝된 웨이퍼를 상기 척 테이블(80)에 이송시킨다.The
또한, 상기 트랜스퍼 암(40)은 그라인딩된 웨이퍼를 상기 척 테이블(80)로부터 상기 세정부(90)로 이송시킨다.In addition, the
상기 척 테이블(80)은 상기 이송된 웨이퍼를 진공 흡착한다. 상기 척 테이블(80)에 진공 흡착된 웨이퍼는 상기 턴 테이블(60)의 회전에 의해서, 상기 그라인딩 휠(70)에 위치된다.The chuck table 80 vacuum-absorbs the transferred wafer. The wafer vacuum-adsorbed to the chuck table 80 is positioned on the grinding
이후, 상기 그라인딩 휠(70)은 상기 척 테이블(80)에 흡착된 웨이퍼를 그라인딩한다. 상기 그라인딩 공정이 완료된 후, 상기 턴 테이블(60)은 다시 회전하고, 다른 척테이블에 흡착된 웨이퍼가 상기 그라인딩 휠(70) 아래에 위치하게된다.Thereafter, the grinding
상기 세정부(90)는 상기 그라인딩 휠(70)에 의해서 그라인딩되고, 상기 트랜스퍼 암(40)에 의해서 이송된 웨이퍼를 세정한다.The
상기 센터링부(30), 상기 트랜스퍼 암(40), 상기 후면 클리너(50), 상기 턴 테이블(60), 상기 그라인딩 휠(70), 상기 척 테이블(80) 및 상기 세정부(90)는 상기 웨이퍼를 그라인딩 처리 또는 세정 처리를 하기 위한 웨이퍼 처리부에 해당한다.The centering
도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 그라인딩 장치는 다음과 같은 과정에 의해서, 웨이퍼를 그라인딩할 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the grinding apparatus according to the embodiment may grind the wafer by the following process.
상기 제 1 카세트(11)에 상기 그라인딩될 웨이퍼가 로딩된다. 이후, 상기 로봇(20)은 상기 제 1 면(401)을 사용하여, 상기 그라인딩될 웨이퍼를 흡착한다. 즉, 상기 그라인딩될 웨이퍼는 상기 제 1 면(401)에 흡착된다.The wafer to be ground is loaded in the
이후, 상기 제 1 면(401)에 의해서 흡착된 웨이퍼는 상기 로봇(20)에 의해서, 상기 센터링 장치(30)에 이송된다.Thereafter, the wafer adsorbed by the
이후, 상기 센터링 장치(30)는 이송된 웨이퍼를 센터링한다.The centering
이후, 상기 센터링된 웨이퍼는 상기 트랜스퍼 암(40)에 의해서, 상기 후면 클리너(50)에 이송된다. 상기 후면 클리너(50)는 상기 웨이퍼의 후면을 클리닝한다.Thereafter, the centered wafer is transferred to the
이후, 상기 후면이 클리닝된 웨이퍼는 상기 트랜스퍼 암(40)에 의해서, 상기 척 테이블(80)에 이송되어, 진공 흡착된다. 상기 척 테이블(80)에 진공 흡착된 웨이퍼는 상기 턴 테이블(60)의 회전에 의해서, 상기 그라인딩 휠(70)에 위치된다.Subsequently, the wafer whose rear surface is cleaned is transferred to the chuck table 80 by the
이후, 상기 그라인딩 휠(70)은 상기 척 테이블(80)에 흡착된 웨이퍼를 그라인딩한다.Thereafter, the grinding
상기 그라인딩 공정이 완료된 후, 상기 턴 테이블(60)은 다시 회전하고, 다른 척테이블에 흡착된 웨이퍼가 상기 그라인딩 휠(70) 아래에 위치하게된다.After the grinding process is completed, the turn table 60 is rotated again, and the wafer adsorbed on the other chuck table is positioned below the grinding
또한, 상기 그라인딩된 웨이퍼는 상기 트랜스퍼 암(40)에 의해서, 상기 세정부(90)로 이송되고, 세정된다.In addition, the ground wafer is transferred to the
이후, 상기 반전 구동부(300)에 의해서, 상기 제 2 면(402)이 상기 웨이퍼를 향하도록, 상기 로봇 암(400)은 반전될 수 있다.Thereafter, the
이후, 상기 세정된 웨이퍼는 상기 제 2 면(402)에 흡착되고, 상기 로봇(20)에 의해서, 상기 제 2 카세트(12)에 이송된다. 이후, 상기 제 2 카세트(12)로 이송된 웨이퍼는 언로딩된다.Thereafter, the cleaned wafer is adsorbed onto the
이와 같이, 실시예에 따른 그라인딩 장치는 상기 제 1 면(401)을 사용하여, 상기 그라인딩될 웨이퍼를 이송시키고, 상기 제 2 면(402)을 사용하여, 그라인딩 및 세정이 완료된 웨이퍼를 이송시킨다.As such, the grinding apparatus according to the embodiment transfers the wafer to be ground using the
즉, 실시예에 따른 그라인딩 장치는 그라인딩 공정 전 및 후의 이송을 위해서, 서로 다른 면을 사용하여 상기 웨이퍼를 흡착시킨다.That is, the grinding apparatus according to the embodiment adsorbs the wafer using different surfaces for transfer before and after the grinding process.
따라서, 실시예에 따른 그라인딩 장치는 상기 웨이퍼의 오염 및 손상을 용이하게 방지할 수 있고, 전체적으로 불량률을 감소시킬 수 있다.Therefore, the grinding apparatus according to the embodiment can easily prevent contamination and damage of the wafer, and can reduce the defective rate as a whole.
본 실시예에 따른 로봇(20)은 그라인딩 장치 뿐만 아니라, 세정 장치, 에칭 장치 또는 폴리싱 장치 등 다양한 웨이퍼 처리 장치에 적용될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 그라인딩 장치는 웨이퍼를 그라인딩 처리하기 위한 웨이퍼 처리 장치에 해당한다.The
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
제 1 카세트(11) 제 1 면(401)
제 2 카세트(12) 제 2 면(402)
로봇(20) 제 1 흡착부(410)
센터링부(30) 제 2 흡착부(440)
트랜스퍼 암(40) 제 1 센서부(420)
후면 클리너(50) 제 2 센서부(450)
턴 테이블(60) 제 1 유로(430)
그라인딩 휠(70) 제 2 유로(460)
척 테이블(80) 제 1 호스(511)
세정부(90) 제 2 호스(521)
구동부(100)
제 1 링크부(210)
제 2 링크부(220)
제 3 링크부(230)
반전 구동부(300)
로봇 암(400)
제 1 진공 펌프(510)
제 2 진공 펌프(520)
Centering
Chuck Table 80
Cleaning unit (90) Second hose (521)
Robot arm (400)
Claims (10)
상기 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼 처리부;
상기 웨이퍼 처리부에 의해서 처리된 웨이퍼를 수용하는 제 2 수용부; 및
상기 제 1 수용부로부터 상기 웨이퍼를 이송하기 위한 제 1 면 및 상기 제 2 수용부에 상기 처리된 웨이퍼를 이송하기 위한 제 2 면을 포함하는 로봇 암을 포함하는 웨이퍼 처리 장치.A first accommodating portion accommodating the wafer;
A wafer processor which processes the wafer;
A second accommodating portion accommodating a wafer processed by the wafer processing portion; And
And a robot arm comprising a first face for transferring the wafer from the first receptacle and a second face for transferring the processed wafer to the second receptacle.
상기 제 1 면에 구비되는 제 1 흡착부; 및
상기 제 2 면에 구비되는 제 2 흡착부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.The method of claim 1, wherein the robot arm is
A first adsorption part provided on the first surface; And
Wafer processing apparatus including a second adsorption portion provided on the second surface.
상기 제 2 흡착부에 진공압을 제공하는 제 2 진공압 생성부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.3. The apparatus of claim 2, further comprising: a first vacuum pressure generating unit providing a vacuum pressure to the first adsorption unit; And
And a second vacuum pressure generator configured to provide a vacuum pressure to the second suction part.
상기 로봇 암은 상기 제 2 면을 사용하여, 상기 세정부에 의해서 세정된 웨이퍼를 상기 제 2 수용부에 이송하는 웨이퍼 처리 장치.The method of claim 1, further comprising a cleaning unit for cleaning the processed wafer,
The robot arm transfers the wafer cleaned by the cleaning unit to the second housing unit using the second surface.
상기 로봇 암의 제 1 면을 통하여 흡착된 웨이퍼를 제 1 수용부로부터 이송시키는 단계;
상기 제 1 수용부로부터 이송된 웨이퍼를 처리하는 단계;
상기 처리된 웨이퍼를 상기 로봇 암의 제 2 면을 사용하여 흡착하는 단계; 및
상기 로봇 암의 제 2 면을 통하여 흡착된 웨이퍼를 제 2 수용부에 이송시키는 단계를 포함하는 웨이퍼를 처리하는 방법.Using the first side of the robotic arm to adsorb the wafer;
Transferring a wafer adsorbed through the first face of the robot arm from a first receptacle;
Processing the wafer transferred from the first receptacle;
Adsorbing the processed wafer using a second side of the robot arm; And
Transferring the wafer adsorbed through the second face of the robot arm to a second receptacle.
상기 로봇 암은 반전되는 웨이퍼를 처리하는 방법.8. The method of claim 7, wherein the adsorbed wafer is transferred from the first receptacle,
And the robotic arm processes the wafer to be inverted.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110021069A KR20120103052A (en) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | Apparatus and method for treating wafer |
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KR (1) | KR20120103052A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018058139A (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 株式会社ディスコ | Robot hand and transfer robot |
-
2011
- 2011-03-09 KR KR1020110021069A patent/KR20120103052A/en not_active Application Discontinuation
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