KR20120096430A - Local site exposure apparatus - Google Patents

Local site exposure apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20120096430A
KR20120096430A KR1020120017290A KR20120017290A KR20120096430A KR 20120096430 A KR20120096430 A KR 20120096430A KR 1020120017290 A KR1020120017290 A KR 1020120017290A KR 20120017290 A KR20120017290 A KR 20120017290A KR 20120096430 A KR20120096430 A KR 20120096430A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light
board
light emitting
illuminance
Prior art date
Application number
KR1020120017290A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101758392B1 (en
Inventor
시게루 모리야마
데쯔야 마끼
시게끼 다나까
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120096430A publication Critical patent/KR20120096430A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101758392B1 publication Critical patent/KR101758392B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: An exposure device for small sized areas is provided to suppress the deviation of line widths and pitches of wiring patterns and to improve the uniformity of a resist residual film after development. CONSTITUTION: A substrate transferring unit(20) forms a substrate transferring path(2) and transfers a substrate along the substrate transferring path. A light emission driving part(9) selectively implements light emitting processes based on light emitting elements as light emission controlling units. An illuminance detecting unit detects the illuminance of light from a light source. A controlling part(40) controls the operation of the light emitting elements based on the light emitting diode part.

Description

국소 노광 장치 {LOCAL SITE EXPOSURE APPARATUS}Local Exposure Device {LOCAL SITE EXPOSURE APPARATUS}

본 발명은 감광막이 형성된 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 행하는 국소 노광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a local exposure apparatus which locally performs exposure processing on a substrate to which a photosensitive film is formed.

예를 들어, FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조에 있어서는, 소위 포토 리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다.For example, in manufacture of a flat panel display (FPD), forming a circuit pattern by what is called a photolithography process is performed.

이 포토 리소그래피 공정에서는, 특허 문헌 1에도 기재되어 있는 바와 같이, 글래스 기판 등의 피처리 기판에 소정의 막을 성막한 후, 포토레지스트(이하, 레지스트라고 함)가 도포되고, 레지스트 중의 용제를 증발시키는 예비 건조 처리(감압 건조 및 프리베이크 처리)에 의해 레지스트막(감광막)이 형성된다. 그리고 회로 패턴에 대응하여 상기 레지스트막이 노광되고, 이것이 현상 처리되어, 패턴 형성된다.In this photolithography step, as described in Patent Literature 1, after a predetermined film is formed on a substrate to be treated, such as a glass substrate, a photoresist (hereinafter referred to as a resist) is applied to evaporate the solvent in the resist. A resist film (photosensitive film) is formed by preliminary drying treatment (pressure drying and prebaking treatment). Then, the resist film is exposed to correspond to the circuit pattern, and this is developed and patterned.

그런데 이와 같은 포토 리소그래피 공정에 있어서는, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이 레지스트 패턴(R)에 다른 막 두께[후막부(R1)와 박막부(R2)]를 갖게 하고, 이것을 이용하여 복수회의 에칭 처리를 행함으로써 포토마스크 수 및 공정 수를 저감시키는 것이 가능하다. 또한, 그와 같은 레지스트 패턴(R)은, 1매에서 광의 투과율이 다른 부분을 갖는 하프톤 마스크를 사용하는 하프(하프톤) 노광 처리에 의해 얻을 수 있다.By the way, in such a photolithography process, as shown to Fig.15 (a), the resist pattern R has a different film thickness (thick film part R1 and thin film part R2), and it uses multiple by using this. By performing the etching process twice, it is possible to reduce the number of photomasks and the number of processes. In addition, such a resist pattern R can be obtained by the half (halftone) exposure process using the halftone mask which has the part from which light transmittance differs in one sheet.

이 하프 노광이 적용된 레지스트 패턴(R)을 사용한 경우의 회로 패턴 형성 공정에 대해 도 15의 (a) 내지 (e)를 사용하여 구체적으로 설명한다.The circuit pattern formation process at the time of using the resist pattern R to which this half exposure was applied is demonstrated concretely using FIG.15 (a)-(e).

예를 들어, 도 15의 (a)에 있어서, 글래스 기판(G) 상에 게이트 전극(200), 절연층(201), a―Si층(논도프 아몰퍼스 Si층)(202a)과 n＋a―Si층(202b)(인도프 아몰퍼스 Si층)으로 이루어지는 Si층(202), 전극을 형성하기 위한 메탈층(203)이 순서대로 적층되어 있다.For example, in FIG. 15A, the gate electrode 200, the insulating layer 201, the a-Si layer (non-doped amorphous Si layer) 202a and n + a-Si are formed on the glass substrate G. As shown in FIG. The Si layer 202 which consists of the layer 202b (in-doped amorphous Si layer), and the metal layer 203 for forming an electrode are laminated in order.

또한, 메탈층(203) 상에는, 균일하게 레지스트막이 형성된 후, 감압 건조 및 프리베이크 처리에 의해 레지스트 중의 용제가 증발되고, 그 후 상기 하프 노광 처리 및 현상 처리에 의해, 레지스트 패턴(R)이 형성된다.Further, after the resist film is uniformly formed on the metal layer 203, the solvent in the resist is evaporated by vacuum drying and prebaking treatment, and then the resist pattern R is formed by the half exposure treatment and the developing treatment. do.

이 레지스트 패턴(R)[후막부(R1) 및 박막부(R2)]의 형성 후, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 이 레지스트 패턴(R)을 마스크로 하고, 메탈층(203)의 에칭(1회째의 에칭)이 행해진다.After formation of this resist pattern R (thick film portion R1 and thin film portion R2), as shown in FIG. 15B, the resist pattern R is used as a mask and the metal layer 203 is formed. ) (The first etching) is performed.

계속해서, 레지스트 패턴(R) 전체에 대해, 플라즈마 중에서 애싱(회화) 처리가 실시된다. 이에 의해, 도 15의 (c)에 도시한 바와 같이 막 두께가 절반 정도로 감막(減膜)된 레지스트 패턴(R3)이 얻어진다.Subsequently, an ashing (painting) process is performed on the entire resist pattern R in the plasma. As a result, as shown in Fig. 15C, a resist pattern R3 having a film thickness of about half is obtained.

그리고 도 15의 (d)에 도시한 바와 같이, 이 레지스트 패턴(R3)을 마스크로서 이용하여, 노출되는 메탈층(203)이나 Si층(202)에 대한 에칭(2회째의 에칭)이 행해지고, 마지막으로 도 15의 (e)에 도시한 바와 같이 레지스트(R3)를 제거함으로써 회로 패턴이 얻어진다.As shown in Fig. 15D, using the resist pattern R3 as a mask, etching (second etching) to the exposed metal layer 203 or Si layer 202 is performed. Finally, as shown in Fig. 15E, the circuit pattern is obtained by removing the resist R3.

그러나 상기한 바와 같이 후막(R1)과 박막(R2)이 형성된 레지스트 패턴(R)을 사용하는 하프 노광 처리에 있어서는, 레지스트 패턴(R)의 형성 시에, 그 막 두께가 기판 면 내에서 불균일한 경우, 형성하는 패턴의 선 폭이나 패턴 간의 피치가 변동된다고 하는 과제가 있었다.However, in the half exposure process using the resist pattern R in which the thick film R1 and the thin film R2 were formed as mentioned above, at the time of formation of the resist pattern R, the film thickness is nonuniform in the board | substrate surface. In this case, there has been a problem that the line width of the pattern to be formed and the pitch between the patterns vary.

즉, 도 16의 (a) 내지 (e)를 사용하여 구체적으로 설명하면, 도 16의 (a)는 레지스트 패턴(R) 중, 박막부(R2)의 두께(t2)가, 도 15의 (a)에 도시한 두께(t1)보다도 두껍게 형성된 경우를 도시하고 있다.That is, when the concrete description is made using Figs. 16A to 16E, in Fig. 16A, the thickness t2 of the thin film portion R2 of the resist pattern R is shown in Figs. The case where it is formed thicker than thickness t1 shown to a) is shown.

이 경우에 있어서, 도 14에 나타낸 공정과 마찬가지로, 메탈막(203)의 에칭[도 16의 (b)], 레지스트 패턴(R) 전체에 관한 애싱 처리[도 16의 (c)]가 실시된다.In this case, similarly to the process shown in FIG. 14, the etching of the metal film 203 (FIG. 16B) and the ashing process (FIG. 16C) regarding the entire resist pattern R are performed. .

여기서, 도 16의 (c)에 도시한 바와 같이, 막 두께가 절반 정도로 감막된 레지스트 패턴(R3)이 얻어지지만, 제거되는 레지스트막의 두께는, 도 15의 (c)의 경우와 동일하므로, 도시하는 한 쌍의 레지스트 패턴(R3) 간의 피치(p2)는, 도 15의 (c)에 도시하는 피치(p1)보다도 좁게 된다.Here, as shown in Fig. 16C, although the resist pattern R3 having the film thickness reduced to about half is obtained, the thickness of the resist film to be removed is the same as in the case of Fig. 15C. The pitch p2 between the pair of resist patterns R3 described above is narrower than the pitch p1 shown in FIG. 15C.

따라서 그 상태로부터, 메탈막(203) 및 Si층(202)에 대한 에칭[도 16의 (d)] 및 레지스트 패턴(R3)의 제거[도 16의 (e)]를 거쳐 얻어진 회로 패턴은, 그 피치(p2)가 도 15의 (e)에 도시하는 피치(p1)보다도 좁은 것으로 되어 있었다(회로 패턴의 선 폭이 넓게 되어 있었다).Therefore, the circuit pattern obtained through the etching (FIG. 16 (d)) of the metal film 203 and the Si layer 202, and the removal of the resist pattern R3 (FIG. 16E) from the state, The pitch p2 was narrower than the pitch p1 shown in Fig. 15E (the line width of the circuit pattern was widened).

상기 과제에 대해, 종래는 노광 처리 시에 광을 투과시키는 마스크 패턴마다, 레지스트 패턴(R)에 있어서의 막 두께가 원하는 값보다도 두껍게 형성되는 소정 부위를 막 두께 측정에 의해 특정하고, 그 부위의 노광 감도를 높게 하는 수단이 취해져 있다.Regarding the above problem, conventionally, for each mask pattern for transmitting light at the time of exposure treatment, a predetermined portion where the film thickness in the resist pattern R is formed to be thicker than a desired value is specified by film thickness measurement, and the Means for increasing the exposure sensitivity are taken.

즉, 노광 처리 전에 레지스트막을 가열하여 용제를 증발시키는 프리베이크 처리에 있어서, 기판 면 내의 가열량에 차이를 갖게 하여, 상기 소정 부위에 있어서의 노광 감도를 변화시킴으로써, 현상 처리 후의 잔여막 두께가 조정(면 내 균일화)되어 있다.That is, in the prebaking process in which the resist film is heated to evaporate the solvent before the exposure treatment, the amount of heating in the substrate surface is varied and the exposure sensitivity at the predetermined portion is changed to adjust the remaining film thickness after the development treatment. (In-plane uniformity).

구체적으로는, 프리베이크 처리에 사용하는 히터를 복수의 영역으로 분할하고, 분할된 히터를 독립적으로 구동 제어함으로써 에어리어마다 온도 조정이 행해지고 있다.Specifically, the temperature adjustment is performed for each area by dividing the heater used for the prebaking process into a plurality of regions, and driving control of the divided heater independently.

또한, 기판을 지지하는 프록시미티 핀의 높이 변경(히터와 기판 사이의 거리 변경)에 의해 가열 온도의 조정이 행해지고 있다.Moreover, adjustment of heating temperature is performed by the height change (distance change between a heater and a board | substrate) of the proximity fin which supports a board | substrate.

일본 특허 출원 공개 제2007-158253호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2007-158253

그러나 상기한 바와 같이 프리베이크에 의한 가열 처리에 의해 잔여막 두께의 조정을 행하는 경우, 분할된 히터 면적은 하드웨어의 제약상, 어느 정도의 크기를 확보할 필요가 있으므로, 미세한 에어리어의 가열 조정을 할 수 없다고 하는 과제가 있었다.However, when the remaining film thickness is adjusted by the heat treatment by prebaking as described above, since the divided heater area needs to be secured to some extent due to the limitation of the hardware, it is possible to adjust the heating of the minute area. There was problem that we could not.

또한, 프록시미티 핀의 높이에 의한 가열 조정에 있어서는, 핀 높이를 변경하는 작업 공정 수를 필요로 하므로, 생산 효율이 저하된다고 하는 과제가 있었다.Moreover, in heating adjustment by the height of a proximity pin, since the number of working steps which change a pin height is needed, there existed a subject that production efficiency fell.

본 발명은, 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다 노광량을 용이하게 조정할 수 있어, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있는 국소 노광 장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and the exposure amount can be easily adjusted for each area set finely within the substrate surface, thereby improving the uniformity of the resist residual film after the development treatment, and thus the wiring pattern. Provided is a local exposure apparatus that can suppress variations in line width and pitch.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 국소 노광 장치는, 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며, 기판 반송로를 형성하고, 상기 기판을 상기 기판 반송로를 따라 평류 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 기판 반송로의 상방에 있어서, 기판 반송 방향에 교차하는 방향으로 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자를 갖고, 그 하방에 있어서 기판 반송 방향을 따라 상대적으로 이동되는 기판 상의 감광막에 대해, 상기 발광 소자의 발광에 의해 광 조사 가능한 광원과, 상기 광원을 구성하는 복수의 발광 소자 중, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어 단위로서 선택적으로 발광 구동 가능한 발광 구동부와, 상기 기판이 상기 광원의 하방을 반송되지 않는 상태에서, 상기 기판에 대한 상기 광원으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 설치되고, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 조도 검출 수단과, 상기 조도 검출 수단이 검출한 조도와 상기 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블로서 기억하는 동시에, 상기 발광 구동부에 의한 상기 발광 소자의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 그 막 두께에 기초하여 조사해야 하는 필요 조도를 구하는 동시에, 상기 소정 영역에 조사 가능한 상기 광원의 발광 소자에 대해, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 필요 조도로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것에 특징을 갖는다.In order to solve the said subject, the local exposure apparatus which concerns on this invention is a local exposure apparatus which performs an exposure process with respect to the predetermined | prescribed area | region of the photosensitive film formed in the board | substrate, forms a board | substrate conveyance path, and makes the said board | substrate conveyance path And a plurality of light-emitting elements arranged in a line shape in a direction intersecting the substrate conveying direction above the substrate conveying path and the substrate conveying means for carrying out a flat flow along the substrate, and relatively downward along the substrate conveying direction. Light emission capable of selectively driving light emission as a light emission control unit of a light source capable of irradiating light to the photosensitive film on the substrate to be moved by light emission of the light emitting element and a plurality of light emitting elements constituting the light source as a light emission control unit From a drive part and the said light source with respect to the said board | substrate in the state which the said board | substrate does not convey below the said light source. Illumination detection means for detecting the illuminance of the light irradiated by the light source and the illuminance detected by the illuminance detection means and the driving current value of the light emitting element are provided. It is necessary to store as a correlation table and to control the driving of the light emitting element by the light emitting driver, and the control unit needs to irradiate a predetermined region of the photosensitive film formed on the substrate based on the film thickness. The driving current value is determined from the required illuminance based on the correlation table with respect to the light emitting element of the light source capable of irradiating the predetermined region while obtaining the illuminance, and causing the light emitting element to emit light based on the driving current value. It is characterized by controlling the light emission driver.

또한, 상기 조도 검출 수단은, 상기 기판과 동일한 높이 위치에 있어서 기판 폭 방향으로 진퇴 이동되는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said illumination intensity detection means moves forward and backward in the board | substrate width direction in the same height position as the said board | substrate.

또한, 상기 광원은, 상기 기판에 대해 높이 위치 가변으로 설치되고, 상기 조도 검출 수단은, 상기 광원이 소정 높이에 고정된 상태에서, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said light source is provided in variable height position with respect to the said board | substrate, and the said illumination intensity detection means detects the illumination intensity of the light irradiated by the said light source in the state which the said light source fixed to the predetermined height.

또한, 상기 기판 반송로에 있어서 상기 광원보다도 상류측에 배치되고, 상기 기판 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판을 검출하는 기판 검출 수단을 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 검출 수단에 의한 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여 기판 반송 위치를 취득하고, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역이 상기 광원의 하방을 상대적으로 이동할 때, 상기 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자 중, 상기 소정 영역에 조사 가능한 발광 소자만이 발광하도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것이 바람직하다.Moreover, in the said board | substrate conveyance path, it is arrange | positioned upstream rather than the said light source, and equipped with the board | substrate detection means which detects the said board | substrate conveyed by the said board | substrate conveyance means, The said control part is a board | substrate detection signal by the said board | substrate detection means. And a substrate transfer position based on the substrate transfer speed, and when the predetermined region of the photosensitive film formed on the substrate moves relatively downward of the light source, the predetermined region is irradiated to the predetermined region among the plurality of light emitting elements arranged in the line shape. It is preferable to control the light emitting driver so that only the light emitting element emits light.

이와 같이 구성함으로써, 막 두께를 보다 얇게 하고자 하는(혹은 두껍게 하고자 하는) 임의의 부위에 대한 국소적인 노광 처리를 용이하게 행할 수 있고, 미리 설정된 노광량(조도)에 의해 원하는 막 두께로 감막할 수 있다.By such a configuration, it is possible to easily perform a local exposure treatment on any part to make the film thickness thinner (or thicker), and to reduce the film thickness to a desired film thickness by a predetermined exposure amount (roughness). .

따라서, 예를 들어 하프 노광 처리에 있어서 레지스트막에 다른 막 두께(후막부와 박막부)를 갖게 하는 경우라도(즉, 박막부와 같이 얇은 막 두께라도), 현상 처리 후의 레지스트막 두께를 균일하게 하여, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있다.Therefore, even if the resist film has a different film thickness (thick film part and thin film part) in the half exposure process (that is, even if the film thickness is the same as the thin film part), for example, the resist film thickness after the developing process is uniform. Thus, variations in the line width and pitch of the wiring pattern can be suppressed.

또한, 노광량(조도)의 설정에 있어서는, 미리 조도 검출 수단을 사용하여, 발광 제어 단위로 되는 모든 발광 소자에 대해 측정을 행하고, 그 구동 전류값과 조도의 관계를 상관 테이블로서 보유 지지함으로써, 고정밀도로 노광량을 조정할 수 있다.In setting the exposure amount (illuminance), measurement is performed on all light emitting elements serving as light emission control units using illuminance detection means in advance, and the relationship between the drive current value and illuminance is held as a correlation table, thereby providing high accuracy. Road exposure amount can be adjusted.

또한, 상기 광원의 하방에는 광확산판이 설치되고, 상기 광원으로부터 발광된 광은, 상기 광확산판을 통해 상기 기판에 대해 방사되는 것이 바람직하다.In addition, a light diffusion plate is provided below the light source, and the light emitted from the light source is preferably emitted to the substrate through the light diffusion plate.

이와 같이 광확산판을 설치함으로써, 광원으로부터 방사된 광은, 광확산판에 의해 적절하게 확산되므로, 인접하는 발광 소자의 광을 라인 형상으로 연결시켜 하방에 조사할 수 있다.By providing the light diffusing plate in this manner, the light emitted from the light source is properly diffused by the light diffusing plate, so that light from adjacent light emitting elements can be connected in a line shape and irradiated downward.

또한, 상기 제어부는, 상기 광원을 기판 폭 방향을 따라 복수의 발광 제어 그룹으로 나누는 동시에, 상기 발광 제어 그룹마다, 소정 범위 내의 복수의 구동 전류값과, 그 구동 전류값에 의한 조도를 상기 상관 테이블에 기억시키는 것이 바람직하다.The control unit divides the light source into a plurality of light emission control groups along the substrate width direction, and simultaneously stores a plurality of drive current values within a predetermined range and illuminance according to the drive current values for each of the light emission control groups. It is preferable to make it memorize.

이와 같이, 광원을 복수의 발광 제어 그룹으로 나눔으로써, 발광 소자 간의 발광 조도의 편차를 억제할 수 있다.As such, by dividing the light source into a plurality of light emission control groups, variations in light emission intensity among light emitting elements can be suppressed.

또한, 상기 제어부는 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대한 조사 및 현상 처리에 의해 증감한 막 두께의 변동값과, 상기 소정 영역에 조사한 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블에 축적하고, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 막 두께 변동값으로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것이 바람직하다.In addition, the control unit accumulates in the correlation table a relationship between the variation value of the film thickness increased by irradiation and development of a predetermined region of the photosensitive film formed on the substrate and the drive current value of the light emitting element irradiated to the predetermined region, It is preferable to determine a drive current value from the film thickness variation value based on the correlation table, and to control the light emission driver to emit the light emitting element by the drive current value.

그와 같이 막 두께 변동값과 구동 전류값의 상관 데이터를 사용하는 경우에는, 파라미터로서 조도를 생략할 수 있으므로(즉, 조도와 구동 전류값의 상관 데이터를 이용하지 않아도 되므로), 조도와 구동 전류값의 상관 데이터의 갱신 작업을 생략할 수 있다.In such a case, when the correlation data between the film thickness variation value and the driving current value is used, the illuminance can be omitted as a parameter (that is, since the correlation data of the illuminance and the drive current value need not be used), the illuminance and the drive current The operation of updating the correlation data of values can be omitted.

본 발명에 따르면, 기판 면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다 노광량을 용이하게 조정할 수 있어, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있는 국소 노광 장치를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to easily adjust the exposure amount for each finely set area within the substrate surface, to improve the uniformity of the resist residual film after the development treatment, and to suppress the variation in the line width and pitch of the wiring pattern. An exposure apparatus can be obtained.

도 1은 본 발명에 관한 일 실시 형태의 전체 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명에 관한 일 실시 형태의 전체 개략 구성을 도시하는 사시도이며, 피처리 기판이 반입되어 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 A-A 화살표 단면도이다.
도 4는 포토 리소그래피 공정에 있어서의 국소 노광 장치의 배치를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 광원을 구성하는 발광 소자의 배열을 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램의 설정 파라미터를 구하는 공정을 나타내는 플로우이다.
도 7은 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서, 발광 소자의 발광 제어를 설명하기 위한 도면이며, 피처리 기판 상의 국소 노광 위치를 좌표로 나타내는 피처리 기판의 평면도이다.
도 8은 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램의 설정 파라미터의 예를 나타내는 표이다.
도 9는 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램에 있어서 이용되는 발광 소자의 구동 전류값과 조도의 상관 테이블의 예를 나타내는 표이다.
도 10은 본 발명에 관한 국소 노광 위치에 의한 일련의 동작을 나타내는 플로우이다.
도 11은 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서의 국소 노광의 동작을 설명하기 위한 평면도이다.
도 12는 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서의 국소 노광의 동작을 설명하기 위한 그래프이다.
도 13은 본 발명에 관한 국소 노광 장치의 응용예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 14는 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램에 있어서 이용 가능한 발광 소자의 구동 전류값과 막 두께의 상관 테이블의 응용예를 나타내는 표이다.
도 15의 (a) 내지 도 15의 (e)는 하프 노광 처리를 사용한 배선 패턴의 형성 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16의 (a) 내지 도 16의 (e)는 하프 노광 처리를 사용한 배선 패턴의 형성 공정을 도시하는 도면이며, 도 15의 경우보다도 레지스트 막 두께가 두꺼운 경우를 도시하는 단면도이다.1 is a perspective view showing an overall schematic configuration of an embodiment according to the present invention.
It is a perspective view which shows the general schematic structure of one Embodiment which concerns on this invention, and is a figure which shows the state to which the to-be-processed board | substrate is carried in.
3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 2.
It is a figure which shows typically the arrangement | positioning of the local exposure apparatus in a photolithography process.
5 is a plan view showing the arrangement of the light emitting elements constituting the light source.
6 is a flowchart showing a step of obtaining setting parameters of a light emission control program included in the local exposure apparatus according to the present invention.
7 is a view for explaining light emission control of a light emitting element in a local exposure apparatus according to the present invention, and is a plan view of a substrate to be processed, which indicates a local exposure position on a substrate to be coordinated.
8 is a table showing an example of setting parameters of a light emission control program included in the local exposure apparatus according to the present invention.
9 is a table showing an example of a correlation table of driving current values and illuminance of a light emitting element used in a light emission control program included in a local exposure apparatus according to the present invention.
10 is a flowchart showing a series of operations by the local exposure position according to the present invention.
It is a top view for demonstrating operation | movement of local exposure in the local exposure apparatus which concerns on this invention.
12 is a graph for explaining the operation of local exposure in the local exposure apparatus according to the present invention.
It is a top view for demonstrating the application example of the local exposure apparatus which concerns on this invention.
14 is a table showing an application example of a correlation table between a drive current value and a film thickness of a light emitting element that can be used in a light emission control program included in a local exposure apparatus according to the present invention.
15A to 15E are cross-sectional views for explaining a step of forming a wiring pattern using a half exposure process.
16A to 16E are diagrams illustrating a step of forming a wiring pattern using a half exposure process, and are sectional views showing a case where the resist film thickness is thicker than that in FIG. 15.

이하, 본 발명의 국소 노광 장치에 관한 일 실시 형태를, 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 국소 노광 장치(1)의 전체 개략 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 2는 도 1과는 다른 각도에서 본 국소 노광 장치(1)의 사시도이며, 피처리 기판인 글래스 기판(G)이 반입되어 있는 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 3은 도 2의 A-A 화살표 단면도이다. 또한, 도 4는 포토 리소그래피 공정에 있어서의 국소 노광 장치(1)의 배치를 모식적으로 도시하는 도면이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment which concerns on the local exposure apparatus of this invention is described based on drawing. 1 is a perspective view showing an overall schematic configuration of a local exposure apparatus 1 according to the present invention. 2 is a perspective view of the local exposure apparatus 1 seen from an angle different from that of FIG. 1, and is a diagram showing a state in which the glass substrate G, which is a substrate to be processed, is loaded. 3 is a cross-sectional view taken along the arrow A-A of FIG. 4 is a figure which shows typically the arrangement | positioning of the local exposure apparatus 1 in a photolithography process.

도 1 내지 도 3에 도시하는 국소 노광 장치(1)는, 예를 들어 도 4의 (a) 내지 (c)에 각각 도시한 바와 같이, 피처리 기판을 수평한 상태에서, X 방향으로 수평으로 반송(이후, 평류 반송이라 기재한다)하면서 일련의 포토 리소그래피 공정을 행하는 유닛 내에 배치된다.In the local exposure apparatus 1 shown in FIGS. 1 to 3, for example, as shown in FIGS. 4A to 4C, the substrates to be processed are horizontal in the X direction in a horizontal state. It is arrange | positioned in the unit which performs a series of photolithography process, conveying (it describes as a flat stream conveying hereafter).

즉, 포토 리소그래피 공정에 있어서는, 피처리 기판에 감광막으로 하는 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치(51)(CT)와, 감압된 챔버 내에 있어서 기판 상의 레지스트막(감광막)을 건조시키는 감압 건조 장치(52)(DP)가 배치된다. 또한, 기판(G)에 레지스트막을 정착시키기 위해 가열 처리를 행하는 프리베이크 장치(53)(PRB)와, 그것을 소정 온도로 냉각하는 냉각 장치(54)(COL)와, 레지스트막에 대해 소정의 회로 패턴으로 노광하는 노광 장치(55)(EXP)와, 노광 후의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 장치(56)(DEV)가 순서대로 배치된다.That is, in the photolithography process, the resist coating apparatus 51 (CT) which apply | coats the resist liquid used as a photosensitive film to a to-be-processed substrate, and the reduced pressure drying apparatus which dries the resist film (photosensitive film) on a board | substrate in a reduced pressure chamber ( 52) DP is disposed. In addition, the prebaking apparatus 53 (PRB) which heat-processes in order to fix a resist film to the board | substrate G, the cooling apparatus 54 (COL) which cools it to predetermined temperature, and the predetermined circuit with respect to a resist film The exposure apparatus 55 (EXP) which exposes by a pattern, and the developing apparatus 56 (DEV) which develop-develop a resist film after exposure are arrange | positioned in order.

여기서, 본 발명에 관한 국소 노광 장치(1)(AE)는, 예를 들어 도 4의 (a) 내지 (c)에 도시하는 어느 하나의 위치에 배치된다. 즉, 프리베이크 장치(53)(PRB)보다도 후단, 또한 현상 장치(56)(DEV)보다도 전단의 소정 위치에 배치된다.Here, the local exposure apparatus 1 (AE) which concerns on this invention is arrange | positioned at any one position shown to (a)-(c) of FIG. 4, for example. That is, it is arrange | positioned in the predetermined position of the front end of the prebaking apparatus 53 (PRB), and the front end of the developing apparatus 56 (DEV).

이와 같이 배치된 국소 노광 장치(1)(AE)에 있어서는, 예를 들어 포지티브형 레지스트를 사용하는 경우, 복수매의 기판(G)을 연속적으로 처리할 때에, 모든 기판(G)의 소정 영역에 있어서 다른 영역보다도 배선 패턴 폭이 넓게 되고 패턴 사이 피치가 좁게 되는 경우에, 상기 소정 영역에 대한(감막 두께를 위한) 국소 노광이 실시된다.In the local exposure apparatus 1 (AE) arranged in this way, for example, when using a positive resist, when a plurality of substrates G are processed continuously, a predetermined area of all the substrates G is applied. In the case where the wiring pattern width is wider than that of other regions and the pitch between the patterns is narrower, local exposure to the predetermined region (for a film thickness) is performed.

또한, 이하의 실시 형태에 있어서는, 포지티브형 레지스트의 경우를 예로 들어 설명하지만, 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서는, 네거티브형 레지스트의 경우에도 적용할 수 있고, 그 경우에는 레지스트 잔여막을 보다 두껍게 남기고자 하는 소정 영역에 대해 국소 노광이 실시된다.In addition, in the following embodiment, although the case of a positive resist is demonstrated as an example, it is applicable also to the case of a negative resist in the local exposure apparatus which concerns on this invention, In that case, leaving a resist residual film thicker. Local exposure is performed on the desired area.

계속해서 국소 노광 장치(1)의 구성에 대해 상세하게 설명한다. 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이 국소 노광 장치(1)는, 베이스(100) 상에 회전 가능하게 부설된 복수의 롤러(20)에 의해 기판(G)을 X 방향을 향하여 반송하는 기판 반송로(2)를 구비한다. 기판 반송로(2)는 Y 방향으로 연장되는 원기둥 형상의 롤러(20)를 복수 갖고, 그들 복수의 롤러(20)는 X 방향으로 소정의 간격을 두고, 각각 베이스(100) 상에 회전 가능하게 배치되어 있다. 또한, 복수의 롤러(20)는 벨트(도시하지 않음)에 의해 연동 가능하게 설치되고, 1개의 롤러(20)가 모터 등의 롤러 구동 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또한, 도 1에 있어서는, 이 국소 노광 장치(1)의 구성의 설명을 쉽게 하기 위해, 도면 앞측의 롤러(20)를 일부 파단하여 도시하고 있다.Subsequently, the configuration of the local exposure apparatus 1 will be described in detail. As shown in FIGS. 1-3, the local exposure apparatus 1 conveys the board | substrate which conveys the board | substrate G toward X direction by the some roller 20 rotatably attached on the base 100. As shown in FIG. The furnace 2 is provided. The substrate transfer path 2 has a plurality of cylindrical rollers 20 extending in the Y direction, and the plurality of rollers 20 are rotatable on the base 100 at predetermined intervals in the X direction, respectively. It is arranged. In addition, the some roller 20 is interlockedly installed by the belt (not shown), and one roller 20 is connected to the roller drive apparatus (not shown), such as a motor. In addition, in FIG. 1, in order to make description of the structure of this local exposure apparatus 1 easy, the part of the roller 20 of the drawing front side is broken and shown.

또한, 도시한 바와 같이, 기판 반송로(2)의 상방에는, 기판(G)에 대해 국소적인 노광(UV 광방사)을 행하기 위한 광 조사 유닛(3)이 배치되어 있다.Moreover, as shown in the figure, the light irradiation unit 3 for performing local exposure (UV light emission) with respect to the board | substrate G is arrange | positioned above.

이 광 조사 유닛(3)은, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 연장되는 라인 형상의 광원(4)을 구비하고, 이 광원(4)의 하방을 기판(G)이 반송되게 된다.This light irradiation unit 3 is equipped with the line-shaped light source 4 extended in the board | substrate width direction (Y direction), and the board | substrate G is conveyed below this light source 4.

상기 라인 형상의 광원(4)은, 소정 파장[예를 들어, g선(436㎚), h선(405㎚), i선(364㎚) 중 어느 하나에 가까운 파장]의 UV 광을 발광하는 복수의 UV-LED 소자(L)가 회로 기판(7) 상에 배열되어 구성되어 있다. 예를 들어, 도 5의 (a)는 회로 기판(7)을 하방에서 본 평면도이다. 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 회로 기판(7) 상에는 복수의 UV-LED 소자(L)가 3열로 배열된다.The linear light source 4 emits UV light of a predetermined wavelength (for example, a wavelength close to any one of g line (436 nm), h line (405 nm) and i line (364 nm)). A plurality of UV-LED elements L is arranged and arranged on the circuit board 7. For example, FIG. 5A is a plan view of the circuit board 7 viewed from below. As shown in FIG. 5A, a plurality of UV-LED elements L are arranged in three rows on the circuit board 7.

여기서, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 복수개(도면에서는 9개)의 UV-LED 소자(L)가, 하나의 발광 제어 단위[발광 제어 그룹(GR1 내지 GRn)이라고 함]로 이루어진다. 이와 같이 복수개의 LED 소자(L)를 발광 제어 단위로 함으로써, 발광 소자 간의 발광 조도의 편차를 억제할 수 있다.Here, as shown in Fig. 5A, a plurality of UV-LED elements L (nine in the figure) are composed of one light emission control unit (called light emission control groups GR1 to GRn). By using the plurality of LED elements L as the light emission control unit in this manner, variations in the light emission illuminance between the light emitting elements can be suppressed.

또한, 보다 적은 UV-LED 소자(L)로 광원(4)을 구성하는 경우에는, 도 5의 (b)와 같이 기판 반송 방향(X 방향) 및 기판 폭 방향(Y 방향)으로 소자(L)가 겹치도록 지그재그로 배치하는 것이 바람직하다.In addition, in the case of constituting the light source 4 with fewer UV-LED elements L, the element L in the substrate conveyance direction (X direction) and the substrate width direction (Y direction) as shown in Fig. 5B. It is preferable to arrange them in a zigzag manner so that they overlap.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 광원(4)의 하방에는, 광확산판으로 이루어지는 광방사창(6)이 형성되어 있다. 즉, 광원(4)과 피조사체인 기판(G) 사이에 광방사창(6)이 배치되어 있다.3, the light emission window 6 which consists of a light-diffusion plate is formed below the light source 4. As shown in FIG. That is, the light emission window 6 is arrange | positioned between the light source 4 and the board | substrate G which is an irradiated body.

이와 같이 광확산판으로 이루어지는 광방사창(6)이 형성됨으로써, 광원(4)으로부터 방사된 광은, 광방사창(6)에 의해 적절하게 확산되므로, 인접하는 UV-LED 소자(L)의 광은 라인 형상으로 연결되어 하방으로 조사된다.Since the light radiation window 6 made of the light diffusion plate is formed in this way, the light emitted from the light source 4 is appropriately diffused by the light radiation window 6, so that the adjacent UV-LED elements L The light is connected in a line shape and irradiated downward.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이 UV-LED 소자(L)의 전후에는, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 연장되는 광반사벽(8)이 설치되어, UV-LED 소자(L)에 의한 발광이 효율적으로 광방사창(6)으로부터 하방으로 방사되도록 구성되어 있다.3, before and after UV-LED element L, the light reflection wall 8 extended in the board | substrate width direction (Y direction) is provided, and light emission by UV-LED element L is carried out. It is comprised so that it may radiate downward from the light emission window 6 efficiently.

또한, 광원(4)을 구성하는 각 발광 제어 그룹(GR)은, 각각 발광 구동부(9)(도 1)에 의해, 독립적으로 그 발광 구동이 제어된다. 또한, 각 발광 제어 그룹(GR)[의 UV-LED 소자(L)]에 대해 공급되는 순전류값은 각각 제어 가능하게 되어 있다. 즉, 각 발광 제어 그룹(GR)의 UV-LED 소자(L)는, 발광 구동부(9)에 의해 그 공급 전류에 따른 발광의 방사 조도가 가변으로 되어 있다.In addition, each light emission control group GR which comprises the light source 4 is independently controlled by the light emission drive part 9 (FIG. 1). Moreover, the forward current value supplied to each light emission control group GR (UV-LED element L of each) is controllable, respectively. That is, in the UV-LED element L of each light emission control group GR, the emission intensity of light emission according to the supply current is changed by the light emission driver 9.

또한, 상기 발광 구동부(9)는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(40)에 의해, 그 구동이 제어된다.In addition, the drive of the light emission driver 9 is controlled by a controller 40 made of a computer.

또한, 광 조사 유닛(3)은, 기판 반송로(2)를 반송되는 기판(G)에 대해, 그 광 방사 위치의 높이를 가변으로 할 수 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(3)은 그 지지 프레임(15)의 길이 방향(Y 방향)의 양단부에 설치된 수평 판부(15a)가, 한 쌍의 승강축(11)에 의해 하방으로부터 지지되고, 승강축(11)은 베이스(100)에 설치된, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 승강 구동부(12)(승강 수단)에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있다.In addition, the light irradiation unit 3 can make the height of the light emission position variable with respect to the board | substrate G which conveys the board | substrate conveyance path 2. That is, as shown in FIG. 3, in the light irradiation unit 3, the horizontal board part 15a provided in the both ends of the longitudinal direction (Y direction) of the support frame 15 has a pair of lifting shafts 11, respectively. It is supported from below, and the lifting shaft 11 is movable up and down by the lifting drive part 12 (lifting means) which consists of the air cylinder, for example provided in the base 100. As shown in FIG.

또한, 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(3)이 가장 하방으로 이동한 위치에 있어서는, 상기 지지 프레임(15)의 수평 판부(15a)의 하면이, 베이스(100)에 설치된 지지 부재(16)에 접촉하도록 되어 있다.2 and 3, at the position where the light irradiation unit 3 is moved downward, the lower surface of the horizontal plate portion 15a of the support frame 15 is attached to the base 100. It comes in contact with the installed support member 16.

또한, 베이스(100)에 있어서, 승강 구동부(12)의 좌우 양측에는, 통 형상의 가이드 부재(13)가 각각 세워 설치되어 있다. 한편, 상기 지지 프레임(15)의 수평 판부(15a)에 있어서, 그 하면에는 상기 승강축(11)의 좌우 양측에, 상기 가이드 부재(13)에 결합되는 가이드 축(14)이 각각 설치되어 있다. 이에 의해, 광 조사 유닛(3)의 승강에 수반하여, 가이드 축(14)이 가이드 부재(13) 안을 상하 방향으로 미끄럼 이동하여, 광 조사 유닛(3)의 광조사창(6)의 수평도가 고정밀도로 유지되는 구성으로 되어 있다.Moreover, in the base 100, the cylindrical guide member 13 is provided in the left and right both sides of the lifting drive part 12, respectively. On the other hand, in the horizontal plate part 15a of the said support frame 15, the guide shaft 14 couple | bonded with the said guide member 13 is provided in the lower surface on both left and right sides of the lifting shaft 11, respectively. . Thereby, with the lifting of the light irradiation unit 3, the guide shaft 14 slides in the guide member 13 in the up-down direction, and the horizontal degree of the light irradiation window 6 of the light irradiation unit 3 is It is a structure maintained with high precision.

또한, 광 조사 유닛(3)의 하방에는, 광원(4)으로부터 방사되어, 광방사창(6)을 통과한 광의 조도(방사속)를 검출하기 위한 조도 센서 유닛(30)이 설치되어 있다.Moreover, below the light irradiation unit 3, the illuminance sensor unit 30 for detecting the illuminance (radiation flux) of the light radiate | emitted from the light source 4 and passed through the light emission window 6 is provided.

이 조도 센서 유닛(30)은, 신호의 검출부가 상방에 면하는 조도 센서(31)를 구비하고, 이 조도 센서(31)는 기판 폭 방향(Y 방향)으로 이동 가능한 이동 플레이트(32) 상에 설치되어 있다. 또한, 광원(4)의 바로 아래의 베이스(100) 상에는, 광원(4)을 따라, 기판 폭 방향으로 연장되는 한 쌍의 레일(33a, 33b)이 부설되어 있다.This illuminance sensor unit 30 is provided with the illuminance sensor 31 which the detection part of a signal faces upwards, and this illuminance sensor 31 is on the moving plate 32 which can move to a board | substrate width direction (Y direction). It is installed. Moreover, on the base 100 just under the light source 4, the pair of rail 33a, 33b extended along the light source 4 in the board | substrate width direction is provided.

상기 이동 플레이트(32)의 하면측에는, 상기 한 쌍의 레일(33a, 33b)을 따라 이동 가능한 리니어 모터(34)가 설치되고, 이 리니어 모터(34)에는 굴곡 가능한 주름 상자 형상의 케이블 커버(35) 내에 배치된 전원 케이블(도시하지 않음)을 통해 전원 공급이 이루어지고 있다. 또한, 케이블 커버(35) 내에는, 제어부(40)에 의해 리니어 모터(34)의 동작을 제어하기 위한 제어 케이블(도시하지 않음)이 배치되어 있다.A linear motor 34 movable along the pair of rails 33a and 33b is provided on the lower surface side of the movable plate 32, and the linear motor 34 is a corrugated box-shaped cable cover 35 that can be bent. The power supply is made through the power cable (not shown) arrange | positioned in the inside. Moreover, in the cable cover 35, the control cable (not shown) for controlling the operation | movement of the linear motor 34 by the control part 40 is arrange | positioned.

즉, 이동 플레이트(32) 상의 조도 센서(31)는, 레일(33a, 33b)을 따라 기판 폭 방향으로 이동 가능하고, 그때 조도 센서(31)에 있어서의 검출부가 항상 기판면의 높이에 일치하도록 되어 있다. 환언하면, 조도 센서(31)는 기판(G)에 대한 상기 광원(4)으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 되어 있다.That is, the illuminance sensor 31 on the movable plate 32 is movable along the rails 33a and 33b in the substrate width direction so that the detection portion of the illuminance sensor 31 always matches the height of the substrate surface. It is. In other words, the illuminance sensor 31 is capable of advancing and retreating in the substrate width direction along the light irradiation position from the light source 4 with respect to the substrate G.

또한, 기판(G)이 국소 노광 장치(1)를 반송될 때에는, 조도 센서(31)는 기판(G)과 간섭하지 않도록, 레일(33a, 33b)의 일단부측으로 후퇴하도록 제어부(40)에 의해 제어된다.Moreover, when the board | substrate G conveys the local exposure apparatus 1, the illumination intensity sensor 31 will be made to the control part 40 so that it may retreat to the one end side of the rail 33a, 33b so that it may not interfere with the board | substrate G. Is controlled by

이와 같이 구성된 조도 센서 유닛(30)에 있어서는, 각 발광 제어 그룹(GR)의 발광 조도를 측정하고, 그 발광 제어 그룹(GR)[의 LED 소자(L)]에 공급된 전류값과 발광 조도의 관계를 얻기 위해 사용된다.In the illuminance sensor unit 30 configured as described above, the light emission illuminance of each light emission control group GR is measured, and the light emission illuminance of the current value and light emission illuminance supplied to the light emission control group GR (LED element L of the light emission control group GR) is measured. Used to get a relationship.

또한, 이 국소 노광 장치(1)에 있어서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(3)의 상류측에, 기판 반송로(2)를 반송되는 기판(G)의 소정 개소(예를 들어, 선단)를 검출하기 위한 기판 검출 센서(39)가 설치되고, 그 검출 신호를 제어부(40)에 출력하도록 되어 있다. 기판(G)은 기판 반송로(2) 상을 소정 속도(예를 들어, 50㎜／sec)로 반송되므로, 제어부(40)는 기판(G)의 반송 위치를 상기 검출 신호와, 상기 검출 신호를 취득 후의 시간 및 기판 반송 속도에 의해 취득할 수 있다.In addition, in this local exposure apparatus 1, as shown in FIG. 3, the predetermined location of the board | substrate G which conveys the board | substrate conveyance path 2 to the upstream side of the light irradiation unit 3 (for example, For example, the board | substrate detection sensor 39 for detecting the front-end | tip is provided, and the detection signal is output to the control part 40. FIG. Since the board | substrate G is conveyed on the board | substrate conveyance path 2 at a predetermined speed | rate (for example, 50 mm / sec), the control part 40 makes the conveyance position of the board | substrate G the said detection signal and the said detection signal. Can be acquired by the time after acquisition and the board | substrate conveyance speed.

또한, 제어부(40)는 광원(4)을 구성하는 각 발광 제어 그룹(GR)의 휘도, 즉 각 발광 제어 그룹(GR)[을 구성하는 UV-LED 소자(L)]에 공급하는 전류값을 소정의 타이밍에 있어서 제어하기 위한 발광 제어 프로그램(P)을 소정의 기록 영역에 갖는다.In addition, the control unit 40 supplies the luminance of each light emission control group GR constituting the light source 4, that is, the current value supplied to each light emission control group GR (the UV-LED element L constituting the light emission control group GR). The light emission control program P for controlling at a predetermined timing is provided in the predetermined recording area.

이 발광 제어 프로그램(P)은, 그 실행 시에 사용하는 레시피의 파라미터로서, 기판(G)의 소정 위치에 대해 방사해야 하는 필요 조도[발광 제어 그룹(GR)에 공급하는 전류값], 상기 기판(G)의 소정 위치에 대해 발광 제어하는 발광 제어 그룹(GR)을 특정하기 위한 정보 등이 미리 설정되어 있다.This light emission control program P is a parameter of a recipe used at the time of its execution, and includes required illuminance (current value to be supplied to the light emission control group GR) and the substrate to be radiated to a predetermined position of the substrate G. Information for specifying the light emission control group GR for controlling light emission to a predetermined position of (G) is set in advance.

여기서, 국소 노광 장치(1)에 있어서의 준비 공정에 대해 도 6 내지 도 8을 사용하여 설명한다. 이 준비 공정은, 노광 처리 시에 광을 투과시키는 마스크 패턴마다, 노광 처리에 관한 파라미터(레시피라고 함)를 결정하기 위해 실시된다. 구체적으로는, 도 8에 나타낸 바와 같은 레시피 테이블(T1)에 있어서의 각 파라미터를 보충하기 위해 실시된다. 또한, 이 레시피 테이블(T1)은 제어부(40)에 기억되어 보유 지지된다.Here, the preparation process in the local exposure apparatus 1 is demonstrated using FIGS. 6-8. This preparatory process is performed in order to determine the parameter (referred to as a recipe) regarding an exposure process for every mask pattern which permeate | transmits light at the time of an exposure process. Specifically, it implements in order to supplement each parameter in the recipe table T1 as shown in FIG. In addition, this recipe table T1 is stored in the control part 40, and is hold | maintained.

또한, 이 준비 공정에는 2종류의 샘플링 기판(샘플링 대상 1, 샘플링 대상 2라고 함) 중, 어느 하나를 사용한다. 우선, 샘플링 대상 1은 레지스트 도포 후에 하프 노광 및 현상 처리가 실시된 피처리 기판이다. 한편, 샘플링 대상 2는 통상의 포토 리소그래피 공정[국소 노광 장치(1)를 통하지 않는 공정]에 의해 배선 패턴이 형성된 피처리 기판이다.In addition, either of two types of sampling substrates (called sampling object 1 and sampling object 2) is used for this preparation process. First, the sampling object 1 is a to-be-processed board | substrate to which half exposure and image development were performed after resist coating. On the other hand, sampling object 2 is a to-be-processed board | substrate with which the wiring pattern was formed by the normal photolithography process (process which does not pass through the local exposure apparatus 1).

도 6에 나타낸 바와 같이 샘플링 대상 1의 경우, 레지스트 도포 후에 하프 노광 및 현상 처리가 실시된 복수의 피처리 기판을 샘플링한다(도 6의 스텝 St1).As shown in FIG. 6, in the case of sampling object 1, the several to-be-processed board | substrate which half exposure and the image development process were performed after resist coating is sampled (step St1 of FIG. 6).

계속해서, 샘플링한 기판(G)의 면 내에 있어서의 레지스트 잔여막 두께를 측정하고(도 6의 스텝 St2), 도 7에 모식적으로 도시한 바와 같이 감막해야 하는 소정 에어리어(AR)를 복수의 이차원 좌표값(x, y)에 의해 특정한다(도 4의 스텝 St5).Subsequently, the thickness of the resist residual film in the surface of the sampled substrate G is measured (step St2 in FIG. 6), and a plurality of predetermined areas AR to be reduced as shown in FIG. It specifies by two-dimensional coordinate value (x, y) (step St5 of FIG. 4).

한편, 도 6에 나타낸 바와 같이 샘플링 대상 2의 경우, 통상의 포토 리소그래피 공정[국소 노광 장치(1)를 통하지 않는 공정]에 의해 배선 패턴 형성된 복수의 피처리 기판을 샘플링한다(도 6의 스텝 St3).On the other hand, in the case of sampling object 2, as shown in FIG. 6, the several to-be-processed board | substrate with a wiring pattern was sampled by the normal photolithography process (process not passing through the local exposure apparatus 1) (step St3 of FIG. 6). ).

계속해서, 샘플링한 기판(G)의 면 내에 있어서의 배선 패턴의 선 폭, 패턴 간 피치를 측정하고(도 6의 스텝 St4), 도 7에 모식적으로 도시한 바와 같이 감막해야 하는 소정 에어리어(AR)를 복수의 이차원 좌표값(x, y)에 의해 특정한다(도 6의 스텝 St5).Subsequently, the line width of the wiring pattern and the pitch between patterns in the surface of the sampled substrate G are measured (step St4 in FIG. 6), and a predetermined area to be reduced as shown schematically in FIG. 7 ( AR) is specified by a plurality of two-dimensional coordinate values (x, y) (step St5 in Fig. 6).

소정 에어리어(AR)가 특정되면, 제어부(40)는 도 8의 레시피 테이블(T1)에 나타낸 바와 같이, 소정 에어리어(AR)에 있어서의 각 좌표값에 대해 필요한 감막 두께[예를 들어, 좌표(x1, y1)의 경우에는 1000Å]를 산출한다(도 6의 스텝 St6). 또한, 그 감막 두께의 값 및 레지스트 종류 등의 제조건에 기초하여, 감막을 위해 조사해야 하는 조도[좌표(x1, y1)의 경우에는 0.2mJ／㎠]를 산출한다(도 6의 스텝 St7).When the predetermined area AR is specified, the control unit 40, as shown in the recipe table T1 of FIG. 8, is required for the film thickness (e.g., coordinates) for each coordinate value in the predetermined area AR. In the case of x1, y1), 1000 Hz] is calculated (step St6 in FIG. 6). Moreover, based on the value of the film thickness and the manufacturing conditions, such as a resist type, the roughness (0.2mJ / cm <2> in case of coordinate (x1, y1)) which should be irradiated for a film reduction is computed (step St7 of FIG. 6). .

또한, 제어부(40)는 도 8의 레시피 테이블(T1)에 나타낸 바와 같이, 소정 에어리어(AR)의 각 좌표값에 대해 조사 가능한 발광 제어 그룹(GR)을 각각 특정하고(도 6의 스텝 St8), 그 발광 제어 그룹(GR)을 원하는 조도로 발광시키기 위해 필요한 순전류값을 도 9에 나타내는 상관 테이블(T2)로부터 구한다(도 6의 스텝 St9).In addition, as shown in the recipe table T1 of FIG. 8, the control part 40 specifies the light emission control group GR which can be irradiated with respect to each coordinate value of the predetermined area AR, respectively (step St8 of FIG. 6). The forward current value necessary for causing the light emission control group GR to emit light at a desired illuminance is obtained from the correlation table T2 shown in Fig. 9 (step St9 in Fig. 6).

이 상관 테이블(T2)은 발광 제어 그룹(GR)마다 측정된 조도값과 전류값의 상관 관계를 나타내고 있고, 제어부(40)의 기록 에어리어에 기억되어 있다.This correlation table T2 shows the correlation between the illuminance value measured for each light emission control group GR and the current value, and is stored in the recording area of the control unit 40.

상기 상관 테이블(T2)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 정기적으로 갱신된다.The correlation table T2 is periodically updated as follows, for example.

우선, 광원(4)[광방사창(6)]이 소정 높이로 설정된 상태에서, 제어부(40)로부터의 제어 신호에 의해 리니어 모터(34)가 구동되어, 대기 위치에 있었던 조도 센서(31)가 광방사창(6)의 하방으로 이동된다. 여기서, 광방사창(6)과 조도 센서(31)의 거리는, 광방사창(6)과 기판(G) 상면의 거리와 동등하므로, 조도 센서(31)에 의해 검출된 조도가, 기판(G)에 조사되는 조도로 된다.First, in a state where the light source 4 (light emission window 6) is set to a predetermined height, the linear motor 34 is driven by a control signal from the control unit 40, so that the illuminance sensor 31 is in the standby position. Is moved below the light emitting window 6. Here, since the distance between the light emission window 6 and the illuminance sensor 31 is equal to the distance between the light emission window 6 and the upper surface of the substrate G, the illuminance detected by the illuminance sensor 31 is the substrate G. It becomes the illuminance to be investigated.

그리고 발광 제어 그룹(GR)마다, 정격 전류 범위 내에서, 광원(4)의 발광 제어 그룹(GR)에 공급하는 순전류값이 증감되고, 그 발광 조도가 조도 센서(31)에 의해 검출되어, 조도와 전류값의 관계가 상기 상관 테이블(T2)에 기억된다.For each light emission control group GR, the forward current value supplied to the light emission control group GR of the light source 4 is increased or decreased within the rated current range, and the light emission illuminance is detected by the illuminance sensor 31, The relationship between the illuminance and the current value is stored in the correlation table T2.

이와 같이 도 6의 플로우를 따라 모든 파라미터가 구해지고 도 8의 레시피 테이블(T1)로 설정되어, 준비 공정이 완료된다(도 6의 스텝 St10).Thus, all the parameters are calculated | required along the flow of FIG. 6, it is set to the recipe table T1 of FIG. 8, and a preparation process is completed (step St10 of FIG. 6).

계속해서, 국소 노광 장치(1)에 의한 국소 노광의 일련의 동작에 대해, 또한 도 10 내지 도 12를 사용하여 설명한다.Subsequently, a series of operations of the local exposure by the local exposure apparatus 1 will be further described using FIGS. 10 to 12.

전단 공정에서의 처리 종료 후, 기판(G)이 기판 반송로(2)를 반송되어, 기판 검출 센서(39)에 의해 검출되면, 제어부(40)에 그 기판 검출 신호가 공급된다(도 10의 스텝 S1).After completion of the processing in the shearing step, when the substrate G is conveyed to the substrate transfer path 2 and detected by the substrate detection sensor 39, the substrate detection signal is supplied to the control unit 40 (FIG. 10). Step S1).

제어부(40)는 상기 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여, 기판(G)의 반송 위치를 취득(검출) 개시한다(도 10의 스텝 S2).The control part 40 starts acquisition (detection) of the conveyance position of the board | substrate G based on the said board | substrate detection signal and a board | substrate conveyance speed (step S2 of FIG. 10).

그리고 제어부(40)는, 국소적으로 노광을 해야 하는 소정 에어리어가 광 조사 유닛(3)의 하방을 통과하는 타이밍에 있어서(도 10의 스텝 S3), 도 11에 모식적으로 도시한 바와 같이 광원(4)을 구성하는 발광 제어 그룹(GR1 내지 GRn)의 발광 제어를 행한다(도 10의 스텝 S4).And the control part 40 is a light source as shown typically in FIG. 11 at the timing which the predetermined area which needs to expose locally passes below the light irradiation unit 3 (step S3 of FIG. 10). Light emission control of the light emission control groups GR1 to GRn constituting (4) is performed (step S4 in FIG. 10).

여기서, 예를 들어 기판(G)의 소정 에어리어(AR)에 발광 조사하는 경우에는, 그 상방에 배치된 발광 제어 그룹(GRn-1, GRn-2)의 발광 제어가 이루어진다. 보다 구체적으로는, 도 12의 그래프[발광 제어 그룹(GRn-1, GRn-2)마다 시간 경과에 대한 방사속(와트)의 크기]에 나타낸 바와 같이, 광원 아래를 기판(G)의 소정 에어리어(AR)가 통과하는 동안, 방사속(W)의 크기가 변화되도록 공급되는 순전류의 제어가 행해진다.Here, for example, when light emission is irradiated to the predetermined area AR of the substrate G, light emission control of the light emission control groups GRn-1 and GRn-2 disposed above is performed. More specifically, as shown in the graph of Fig. 12 (size of radiant flux (watts) with time for each of the light emission control groups GRn-1 and GRn-2), the predetermined area of the substrate G is placed under the light source. During the passage of AR, the control of the forward current supplied to change the magnitude of the radiant flux W is performed.

이와 같이, 기판(G)의 소정 에어리어(AR)에 단순히 조사될 뿐만 아니라, 에어리어(AR) 내의 국소에 있어서 임의의 조도로의 조사가 이루어진다.Thus, not only is irradiated to the predetermined area | region AR of the board | substrate G, but irradiation of arbitrary illumination is performed locally in the area AR.

또한, 기판(G)에 있어서, 이외에 국소적으로 노광해야 하는 에어리어가 있는 경우(도 10의 스텝 S5), 그 에어리어에 있어서 발광 제어 그룹(GR)의 발광 제어가 이루어지고, 이외에 없는 경우에는(도 10의 스텝 S5), 그 기판(G)에 대한 국소 노광 처리가 종료된다.In addition, when there is an area to be exposed locally in the substrate G (step S5 in FIG. 10), when the light emission control group GR is controlled in the area, and there is no other area ( Step S5 of FIG. 10 and the local exposure processing on the substrate G are completed.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 이 국소 노광 처리(AE)에 더하여, 이 전단 혹은 후단에 있어서 행해지는 노광 처리(EXP)와 함께, 기판(G)에 대한 노광 처리가 완료되고, 그 노광 후의 레지스트막이 현상 장치(56)(DEV)에 의해 현상 처리된다.4, in addition to this local exposure process AE, the exposure process with respect to the board | substrate G is completed with the exposure process EXPP performed in the front end or the rear end, and the exposure is performed. The subsequent resist film is developed by the developing device 56 (DEV).

이상과 같이, 본 발명에 관한 실시 형태에 따르면, 기판(G)에 형성된 레지스트 막 두께의 임의의 부위에 대한 국소적인 노광 처리에 있어서, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 라인 형상으로 배치된 복수의 UV-LED 소자(L)에 의해 복수의 발광 제어 그룹(GR)이 형성되고, 그 하방을 반송되는 기판(G)에 대해, 선택된 발광 제어 그룹(GR)이 발광 제어된다.As mentioned above, according to embodiment which concerns on this invention, in the local exposure process to the arbitrary site | part of the resist film thickness formed in the board | substrate G, the some arranged in line shape in the board | substrate width direction (Y direction). A plurality of light emission control groups GR are formed by the UV-LED element L, and the selected light emission control group GR is light emission controlled with respect to the substrate G to be conveyed downward.

이에 의해, 막 두께를 보다 얇게 하고자 하는 임의의 부위에 대한 국소적인 노광 처리를 용이하게 행할 수 있어, 미리 설정된 노광량(조도)에 의해 원하는 막 두께로 감막할 수 있다.Thereby, the local exposure process can be easily performed to the arbitrary site | part which wants to make thickness thinner, and it can be reduced to a desired film thickness by preset exposure amount (roughness).

따라서, 예를 들어 하프 노광 처리에 있어서 레지스트막에 다른 막 두께(후막부와 박막부)를 갖게 하는 경우라도(즉, 박막부와 같이 얇은 막 두께라도), 현상 처리 후의 레지스트 막 두께를 균일하게 하고, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있다.Therefore, even if the resist film has a different film thickness (thick film part and thin film part) in the half exposure process (that is, even if it is a thin film thickness like the thin film part), for example, the resist film thickness after the developing process is uniform. The variation in the line width and pitch of the wiring pattern can be suppressed.

또한, 노광량(조도)의 설정에 있어서는, 미리 조도 센서(31)를 사용하여 모든 발광 제어 그룹(GR)에 대해 측정을 행하고, 그 구동 전류값과 조도의 관계를 상관 테이블로서 보유 지지함으로써, 고정밀도로 노광량을 조정할 수 있다.In setting the exposure amount (illuminance), measurement is performed on all the light emission control groups GR using the illuminance sensor 31 in advance, and the relationship between the drive current value and the illuminance is held as a correlation table, thereby providing high accuracy. Road exposure amount can be adjusted.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 국소적으로 추가 노광을 행하는 에어리어를 기판면의 유효 에어리어 내로 한 예를 나타냈지만, 그것에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the said embodiment, although the example which made the area which performs local additional exposure into the effective area of a board | substrate surface was shown, it is not limited to this.

예를 들어, 도 13에 도시한 바와 같이 기판(G)의 테두리부 영역(유효 에어리어의 주변)(E1)을 노광하는 처리에 사용할 수도 있다.For example, as shown in FIG. 13, it can also be used for the process which exposes the edge area | region (periphery of an effective area) E1 of the board | substrate G. As shown in FIG.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 복수개의 UV-LED 소자(L)로 이루어지는 발광 제어 그룹을 발광 제어 단위로 한 예를 나타냈지만, 그것에 한정되지 않고, 각 UV-LED 소자(L)를 발광 제어 단위로 하여, 보다 미세하게 국소 노광을 행하도록 해도 된다.In addition, in the said embodiment, although the example which showed the light emission control group which consists of several UV-LED element L as a light emission control unit was shown, it is not limited to this, Each UV-LED element L is a light emission control unit In this case, local exposure may be performed more finely.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(G)을 평류 반송하면서 노광 처리를 행하는 경우를 예로 설명하였지만, 본 발명에 있어서는, 그 형태에 한정되지 않고, 피처리 기판을 챔버 내에 정지한 상태에서 보유 지지하고, 보유 지지한 기판에 대해 노광 처리를 행하는 구성이어도 된다.In addition, in the said embodiment, although the case where the exposure process is performed, carrying out the plane flow conveyance of the board | substrate G was demonstrated to the example, in this invention, it is not limited to the form, It hold | maintains in the state which stopped the to-be-processed substrate in the chamber. In addition, the structure which performs exposure process with respect to the hold | maintained board | substrate may be sufficient.

그 경우, 라인 형상 광원을 피처리 기판에 대해 이동시키도록 해도 된다(즉, 라인 형상 광원과 피처리 기판이 상대적으로 역방향으로 이동하는 구성이면 된다).In that case, you may make it move a linear light source with respect to a to-be-processed board | substrate (namely, what is necessary is just a structure in which a line-shaped light source and a to-be-processed board | substrate relatively move in a reverse direction).

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 하프 노광 처리 후의 레지스트 잔여막 두께를 균일하게 하는 경우를 예로 설명하였지만, 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서는, 하프 노광 처리에 한정되지 않고 적용할 수 있다. 예를 들어, 하프 노광 처리가 아닌 통상의 노광 처리를 행하는 경우이어도, 발명에 관한 국소 노광 방법을 적용함으로써, 레지스트 잔여막 두께를 면 내 균일하게 할 수 있다.In addition, in the said embodiment, although the case where the resist residual film thickness after half exposure process was made uniform was demonstrated as an example, in the local exposure method which concerns on this invention, it can apply without being limited to a half exposure process. For example, even in the case of performing a normal exposure process instead of a half exposure process, the resist residual film thickness can be made in-plane uniform by applying the local exposure method according to the invention.

또한, 도 6의 스텝 St6, St7과 같이, 필요한 잔여막 두께에 기초하여 필요한 조도를 구하는 것에 한정되지 않고, 현상 처리 후의 패턴 선 폭을 측정하여 패턴 선 폭과 조도의 상관 데이터를 구하고, 그 상관 데이터에 기초하여 레시피 테이블을 작성해도 된다.In addition, as shown in steps St6 and St7 in FIG. 6, the required roughness is not limited based on the necessary residual film thickness, but the pattern line width after development is measured to obtain correlation data between the pattern line width and the roughness, and the correlation You may create a recipe table based on data.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 상관 테이블(T2)에 기초하여, 필요 조도로부터 전류값을 결정하고, 그 전류값만으로 조도의 제어를 행하는 것으로 하고 있다. 이때, 광 조사 유닛(3)의 높이는 고정이지만, 이 높이 위치는 적절하게 조정하고, 변경하도록 해도 된다.In the above embodiment, the current value is determined from the required illuminance based on the correlation table T2, and the illuminance is controlled only by the current value. At this time, the height of the light irradiation unit 3 is fixed, but this height position may be adjusted and changed suitably.

예를 들어, 구동 전류가 일정해도, UV-LED 소자(L)의 경년 열화에 의해, 그 조도가 저하되는 것이 걱정된다. 그로 인해, 조도 측정의 결과, UV-LED 소자(L)에 대해 최대 전류의 부하를 가해도 원하는 조도가 얻어지지 않는 경우에는, 광 조도 유닛(3)을 기판(G)에 근접시켜 재측정하고, 그 결과 원하는 조도가 얻어진 경우에는, 그 높이 위치가 광 조도 유닛(3)의 높이 위치로서 새롭게 설정된다.For example, even if the drive current is constant, it is feared that the illuminance is lowered due to aging deterioration of the UV-LED element L. Therefore, when the result of illuminance measurement does not obtain the desired illuminance even when the maximum current load is applied to the UV-LED element L, the light illuminance unit 3 is brought close to the substrate G and remeasured. As a result, when the desired illuminance is obtained, the height position is newly set as the height position of the light illuminance unit 3.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(G)에 형성된 레지스트막의 소정 영역의 막 두께로부터 조사해야 하는 조도를 결정하고, 상관 테이블에 기초하여 상기 조도로부터 구동 전류값을 구하는 것으로 하였다. 그러나 그와 같은 형태만으로 한정되는 것이 아니고, 상기 소정 영역에 있어서의 막 두께 변동값(감막 두께값)과, 그 소정 영역에 조사한 발광 제어 그룹(GR)의 구동 전류값의 관계를 도 14에 나타낸 바와 같은 상관 테이블(T3)에 데이터 베이스로서 축적해 두고, 그것을 이용해도 된다. 즉, 상기 상관 테이블(T3)에 기초하여 상기 소정 영역의 막 두께 변동값으로부터 직접, 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 발광 제어 그룹(GR)을 발광시키도록 해도 된다. 그와 같이 상관 테이블(T3)을 사용하는 경우에는, 파라미터로서 조도를 생략할 수 있으므로[즉, 조도와 구동 전류값의 상관 테이블(T2)을 이용하지 않아도 되므로], 조도 센서(31)를 사용한 조도 측정에 의한 정기적인 상관 테이블(T2)의 갱신 작업을 생략할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부분을 조합해 실시해도, 같은 작용, 효과를 얻는 것이 가능하다.In addition, in the said embodiment, the illuminance which should be irradiated from the film thickness of the predetermined area | region of the resist film formed in the board | substrate G is decided, and the drive current value is calculated | required from the said illuminance based on a correlation table. However, the present invention is not limited to only such a form, and the relationship between the film thickness variation value (reduction film thickness value) in the predetermined region and the drive current value of the light emission control group GR irradiated to the predetermined region is shown in FIG. 14. It may be stored as a database in the correlation table T3 as described above and may be used. That is, the drive current value may be determined directly from the film thickness variation value of the predetermined region based on the correlation table T3, and the light emission control group GR may be made to emit light based on the drive current value. In such a case, when the correlation table T3 is used, the illuminance can be omitted as a parameter (that is, since it is not necessary to use the correlation table T2 of the illuminance and the drive current value), the illuminance sensor 31 is used. Periodic update of the correlation table T2 by illuminance measurement can be omitted. Moreover, even if it implements combining a part of embodiment mentioned above, the same effect | action and an effect can be acquired.

1 : 국소 노광 장치
2 : 기판 반송로
3 : 광 조사 유닛
4 : 광원
9 : 발광 구동부
20 : 반송 롤러(기판 반송 수단)
39 : 기판 검출 센서(기판 검출 수단)
40 : 제어부
G : 글래스 기판(피처리 기판)
L : UV-LED 소자(발광 소자)
GR : 발광 제어 그룹
T1 : 레시피 테이블
T2 : 상관 테이블
T3 : 상관 테이블1: local exposure apparatus
2: substrate conveying path
3: light irradiation unit
4: light source
9: light emission driving unit
20: conveying roller (substrate conveying means)
39: substrate detection sensor (substrate detection means)
40: control unit
G: glass substrate (processed substrate)
L: UV-LED element (light emitting element)
GR: Luminescent Control Group
T1: Recipe Table
T2: correlation table
T3: correlation table

Claims (7)

기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며, 기판 반송로를 형성하고, 상기 기판을 상기 기판 반송로를 따라 평류 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 기판 반송로의 상방에 있어서, 기판 반송 방향에 교차하는 방향으로 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자를 갖고, 그 하방에 있어서 기판 반송 방향을 따라 상대적으로 이동되는 기판 상의 감광막에 대해, 상기 발광 소자의 발광에 의해 광 조사 가능한 광원과, 상기 광원을 구성하는 복수의 발광 소자 중, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어 단위로서 선택적으로 발광 구동 가능한 발광 구동부와, 상기 기판이 상기 광원의 하방으로 반송되지 않는 상태에서, 상기 기판에 대한 상기 광원으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 설치되고, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 조도 검출 수단과, 상기 조도 검출 수단이 검출한 조도와 상기 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블로서 기억하는 동시에, 상기 발광 구동부에 의한 상기 발광 소자의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 그 막 두께에 기초하여 조사해야 하는 필요 조도를 구하는 동시에, 상기 소정 영역에 조사 가능한 상기 광원의 발광 소자에 대해, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 필요 조도로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.It is a local exposure apparatus which performs an exposure process with respect to the predetermined | prescribed area | region of the photosensitive film formed in the board | substrate, The board | substrate conveying means which forms a board | substrate conveyance path, and carries out the said board | substrate along the said board | substrate conveyance path, and the said board | substrate conveyance path upwards. WHEREIN: Light is emitted by the light emission of the said light emitting element with respect to the photosensitive film | membrane on the board which has a some light emitting element arranged in the line shape in the direction which cross | intersects the substrate conveyance direction, and moves below in the substrate conveyance direction relatively. A light source that can be irradiated, a light emitting driver that can selectively drive one or a plurality of light emitting elements as a light emission control unit among a plurality of light emitting elements constituting the light source, and in a state where the substrate is not conveyed below the light source. And retreat in a substrate width direction along a light irradiation position from the light source with respect to the substrate. And a relationship between illuminance detection means for detecting illuminance of light irradiated by the light source and the illuminance detected by the illuminance detection means and a drive current value of the light emitting element as a correlation table, A control unit for controlling the driving of the light emitting element,
The control unit obtains the required illuminance to be irradiated to the predetermined region of the photosensitive film formed on the substrate based on the film thickness and, on the basis of the correlation table, the light emitting element of the light source that can be irradiated to the predetermined region. A local exposure apparatus characterized by determining a drive current value from the required illuminance and controlling the light emission driver to emit the light emitting element by the drive current value. 제1항에 있어서, 상기 조도 검출 수단은, 상기 기판과 동일한 높이 위치에 있어서 기판 폭 방향으로 진퇴 이동되는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The local exposure apparatus according to claim 1, wherein the illuminance detecting means moves forward and backward in the substrate width direction at the same height position as the substrate. 제1항에 있어서, 상기 광원은, 상기 기판에 대해 높이 위치 가변으로 설치되고,
상기 조도 검출 수단은, 상기 광원이 소정 높이에 고정된 상태에서, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The said light source is provided in variable height position with respect to the said board | substrate,
And said illuminance detecting means detects the illuminance of the light irradiated by said light source in a state where said light source is fixed at a predetermined height. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송로에 있어서 상기 광원보다도 상류측에 배치되고, 상기 기판 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판을 검출하는 기판 검출 수단을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판 검출 수단에 의한 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여 기판 반송 위치를 취득하고, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역이 상기 광원의 하방을 상대적으로 이동할 때, 상기 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자 중, 상기 소정 영역에 조사 가능한 발광 소자만이 발광하도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The said board | substrate conveyance path is equipped with the board | substrate detection means of detecting the said board | substrate which is arrange | positioned upstream than the said light source, and conveyed by the said board | substrate conveyance means,
The control unit acquires the substrate transfer position based on the substrate detection signal and the substrate transfer speed by the substrate detection means, and when the predetermined region of the photosensitive film formed on the substrate moves downward of the light source in the line shape. A local exposure apparatus characterized by controlling the light emission driver so that only light emitting elements irradiated to the predetermined region emit light among a plurality of arranged light emitting elements. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원의 하방에는 광확산판이 설치되고,
상기 광원으로부터 발광된 광은, 상기 광확산판을 통해 상기 기판에 대해 방사되는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The light diffusion plate according to any one of claims 1 to 3, wherein a light diffusion plate is provided below the light source,
The light emitted from the light source is emitted to the substrate through the light diffusing plate, local exposure apparatus. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 광원을 기판 폭 방향을 따라 복수의 발광 제어 그룹으로 나누는 동시에, 상기 발광 제어 그룹마다, 소정 범위 내의 복수의 구동 전류값과, 그 구동 전류값에 의한 조도를 상기 상관 테이블에 기억시키는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the control unit,
The light source is divided into a plurality of light emission control groups along the substrate width direction, and a plurality of drive current values within a predetermined range and illuminance according to the drive current values are stored in the correlation table for each of the light emission control groups. Local exposure apparatus. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대한 조사 및 현상 처리에 의해 증감한 막 두께의 변동값과, 상기 소정 영역에 조사한 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블에 축적하고, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 막 두께 변동값으로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The light emitting element according to any one of claims 1 to 3, wherein the control unit irradiates the fluctuation value of the film thickness increased and decreased by irradiation and development of a predetermined region of the photosensitive film formed on the substrate and the predetermined region. Accumulating the relationship between the driving current values in the correlation table, determining the driving current value from the film thickness variation value based on the correlation table, and controlling the light emitting driving portion to emit the light emitting element by the driving current value. Local exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
KR1020120017290A 2011-02-22 2012-02-21 Local site exposure apparatus KR101758392B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-036248 2011-02-22
JP2011036248A JP5325907B2 (en) 2011-02-22 2011-02-22 Local exposure equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120096430A true KR20120096430A (en) 2012-08-30
KR101758392B1 KR101758392B1 (en) 2017-07-14

Family

ID=46813470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120017290A KR101758392B1 (en) 2011-02-22 2012-02-21 Local site exposure apparatus

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5325907B2 (en)
KR (1) KR101758392B1 (en)
CN (1) CN102681350B (en)
SG (1) SG183630A1 (en)
TW (1) TWI603156B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120105374A (en) * 2011-03-15 2012-09-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Local site exposure method and local site exposure apparatus
KR20150096536A (en) * 2014-02-13 2015-08-25 삼성디스플레이 주식회사 Exposure apparatus and exposure method using the same
KR20210148755A (en) * 2020-06-01 2021-12-08 삼일테크(주) Lithography apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104597716A (en) * 2013-10-31 2015-05-06 上海和辉光电有限公司 Exposure and development apparatus, and exposure and development method
JP6866631B2 (en) * 2016-12-20 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 Optical processing equipment, coating, developing equipment, optical processing method and storage medium
JP7008466B2 (en) * 2017-10-23 2022-01-25 東京応化工業株式会社 UV irradiation device and UV irradiation method
CN109116685B (en) * 2018-09-14 2020-11-20 重庆惠科金渝光电科技有限公司 Exposure method and exposure device thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000343755A (en) * 1999-06-09 2000-12-12 Asahi Optical Co Ltd Light quantity control device in multi-beam image drawing/recording apparatus
JP2003156853A (en) * 2001-11-20 2003-05-30 Pentax Corp Exposure device and exposure method
JP2004309744A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Pattern forming apparatus
JP4495019B2 (en) * 2005-03-28 2010-06-30 東レエンジニアリング株式会社 Peripheral exposure equipment
CN100561353C (en) * 2005-11-04 2009-11-18 株式会社Orc制作所 Laser beam exposure device and method thereof
JP2008250139A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp Exposure method of exposure device, and exposure device
KR100983582B1 (en) * 2007-12-31 2010-10-11 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus and method for exposure and method for pattrning thin layer using the same
JP2009246069A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Pattern drawing device, and pattern drawing method
JP2010156782A (en) * 2008-12-26 2010-07-15 Ricoh Co Ltd Exposure apparatus
KR101725542B1 (en) * 2009-04-09 2017-04-10 가부시키가이샤 브이 테크놀로지 Light irradiating apparatus for exposure apparatus, lighting control method thereof, exposure apparatus, and substrate
DE102009032210B4 (en) * 2009-07-03 2011-06-09 Kleo Ag processing plant
JP5165731B2 (en) * 2010-06-30 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 Local exposure apparatus and local exposure method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120105374A (en) * 2011-03-15 2012-09-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Local site exposure method and local site exposure apparatus
KR20150096536A (en) * 2014-02-13 2015-08-25 삼성디스플레이 주식회사 Exposure apparatus and exposure method using the same
KR20210148755A (en) * 2020-06-01 2021-12-08 삼일테크(주) Lithography apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP5325907B2 (en) 2013-10-23
TWI603156B (en) 2017-10-21
KR101758392B1 (en) 2017-07-14
SG183630A1 (en) 2012-09-27
CN102681350B (en) 2015-05-13
TW201243504A (en) 2012-11-01
JP2012173563A (en) 2012-09-10
CN102681350A (en) 2012-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101705380B1 (en) Local exposure method and local exposure apparatus
KR101672559B1 (en) Local site exposure apparatus and local site exposure method
KR20120096430A (en) Local site exposure apparatus
JP2013186191A (en) Auxiliary exposing device
KR20130052520A (en) Exposure apparatus and exposure method
TWI564668B (en) Method and device for producting photoresist pattern and pre-bake device of producting photoresist
JP5298236B2 (en) Local exposure apparatus and local exposure method
KR101711231B1 (en) Local site exposure method and local site exposure apparatus
JP2008286971A (en) Exposure device, exposure method, and method for manufacturing panel substrate for display
JPS6333818A (en) Semiconductor exposing apparatus
WO2011125420A1 (en) Periphery exposure apparatus and periphery exposure method
KR20100013912A (en) Method and apparatus for thin film patterning
JP2008310163A (en) Proximity scanning exposure apparatus and its illuminance control method
JPS62272532A (en) Heat treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant