KR101758392B1 - Local site exposure apparatus - Google Patents

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KR101758392B1
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데쯔야 마끼
시게끼 다나까
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 기판 면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다 노광량을 조정하고, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제하는 것이다. 기판 반송로(2)의 상방에 있어서, 기판 반송 방향에 교차하는 방향으로 배열된 복수의 발광 소자(L)를 갖는 광원(4)과, 상기 광원을 구성하는 복수의 발광 소자 중, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어 단위로서 선택적으로 발광 구동 가능한 발광 구동부(9)와, 상기 피처리 기판이 상기 광원의 하방으로 반송되지 않는 상태에서, 상기 피처리 기판에 대한 상기 광원으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 설치되고, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 조도 검출 수단(31)과, 상기 조도 검출 수단이 검출한 조도와 상기 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블(T2)로서 기억하는 동시에, 상기 발광 구동부에 의한 상기 발광 소자의 구동을 제어하는 제어부(40)를 구비한다.An object of the present invention is to adjust the amount of exposure for each fine-set area in the substrate surface to improve the uniformity of the resist remnant film after the development process, thereby suppressing variations in line width and pitch of the wiring pattern. A light source (4) having a plurality of light emitting elements (L) arranged in a direction crossing the substrate transport direction above the substrate transport path (2), and a light emitting element A light emission driving section (9) capable of selectively driving a plurality of light emitting elements as a light emission control unit, and a control section for controlling the light irradiation position from the light source to the substrate to be processed (31) provided so as to be capable of advancing and retreating along the width direction of the substrate along the width direction of the substrate and detecting the illuminance of the light emitted by the light source; And a control section (40) which stores the correlation table (T2) and controls the driving of the light emitting element by the light emission driving section.

Figure R1020120017290
Figure R1020120017290

Description

국소 노광 장치 {LOCAL SITE EXPOSURE APPARATUS}[0002] LOCAL SITE EXPOSURE APPARATUS [0003]

본 발명은 감광막이 형성된 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 행하는 국소 노광 장치에 관한 것이다.Field of the Invention [0002] The present invention relates to a local exposure apparatus that locally performs exposure processing on a substrate on which a photosensitive film is formed.

예를 들어, FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조에 있어서는, 소위 포토 리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다.For example, in the production of an FPD (flat panel display), a circuit pattern is formed by a so-called photolithography process.

이 포토 리소그래피 공정에서는, 특허 문헌 1에도 기재되어 있는 바와 같이, 글래스 기판 등의 피처리 기판에 소정의 막을 성막한 후, 포토레지스트(이하, 레지스트라고 함)가 도포되고, 레지스트 중의 용제를 증발시키는 예비 건조 처리(감압 건조 및 프리베이크 처리)에 의해 레지스트막(감광막)이 형성된다. 그리고 회로 패턴에 대응하여 상기 레지스트막이 노광되고, 이것이 현상 처리되어, 패턴 형성된다.In this photolithography step, as described in Patent Document 1, after a predetermined film is formed on a substrate to be treated such as a glass substrate, a photoresist (hereinafter referred to as a resist) is applied, and the solvent in the resist is evaporated A resist film (photosensitive film) is formed by a preliminary drying process (vacuum drying and prebaking process). Then, the resist film is exposed in correspondence with the circuit pattern, and the resist film is developed and pattern-formed.

그런데 이와 같은 포토 리소그래피 공정에 있어서는, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이 레지스트 패턴(R)에 다른 막 두께[후막부(R1)와 박막부(R2)]를 갖게 하고, 이것을 이용하여 복수회의 에칭 처리를 행함으로써 포토마스크 수 및 공정 수를 저감시키는 것이 가능하다. 또한, 그와 같은 레지스트 패턴(R)은, 1매에서 광의 투과율이 다른 부분을 갖는 하프톤 마스크를 사용하는 하프(하프톤) 노광 처리에 의해 얻을 수 있다.However, in such a photolithography process, as shown in Fig. 15A, the resist pattern R has a different film thickness (the thick film portion R1 and the thin film portion R2), and a plurality It is possible to reduce the number of photomasks and the number of process steps by conducting the etching treatment. Such a resist pattern R can be obtained by a half (halftone) exposure process using a halftone mask having a portion having a different transmittance of light in one sheet.

이 하프 노광이 적용된 레지스트 패턴(R)을 사용한 경우의 회로 패턴 형성 공정에 대해 도 15의 (a) 내지 (e)를 사용하여 구체적으로 설명한다.The circuit pattern forming process in the case of using the resist pattern R to which the half exposure is applied will be described in detail with reference to Figs. 15A to 15E.

예를 들어, 도 15의 (a)에 있어서, 글래스 기판(G) 상에 게이트 전극(200), 절연층(201), a―Si층(논도프 아몰퍼스 Si층)(202a)과 n＋a―Si층(202b)(인도프 아몰퍼스 Si층)으로 이루어지는 Si층(202), 전극을 형성하기 위한 메탈층(203)이 순서대로 적층되어 있다.15A, a gate electrode 200, an insulating layer 201, an a-Si layer (non-doped amorphous Si layer) 202a and an n + a-Si A Si layer 202 made of a layer 202b (a lead amorphous Si layer), and a metal layer 203 for forming an electrode are laminated in this order.

또한, 메탈층(203) 상에는, 균일하게 레지스트막이 형성된 후, 감압 건조 및 프리베이크 처리에 의해 레지스트 중의 용제가 증발되고, 그 후 상기 하프 노광 처리 및 현상 처리에 의해, 레지스트 패턴(R)이 형성된다.After the resist film is uniformly formed on the metal layer 203, the solvent in the resist is evaporated by reduced-pressure drying and pre-baking, and then the resist pattern R is formed by the half- do.

이 레지스트 패턴(R)[후막부(R1) 및 박막부(R2)]의 형성 후, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 이 레지스트 패턴(R)을 마스크로 하고, 메탈층(203)의 에칭(1회째의 에칭)이 행해진다.After the formation of the resist pattern R (the rear film portion R1 and the thin film portion R2), as shown in FIG. 15 (b), using the resist pattern R as a mask, the metal layer 203 (First etching) is performed.

계속해서, 레지스트 패턴(R) 전체에 대해, 플라즈마 중에서 애싱(회화) 처리가 실시된다. 이에 의해, 도 15의 (c)에 도시한 바와 같이 막 두께가 절반 정도로 감막(減膜)된 레지스트 패턴(R3)이 얻어진다.Subsequently, an ashing (painting) process is performed on the entire resist pattern R in the plasma. Thus, as shown in Fig. 15C, a resist pattern R3 having a film thickness reduced to about half is obtained.

그리고 도 15의 (d)에 도시한 바와 같이, 이 레지스트 패턴(R3)을 마스크로서 이용하여, 노출되는 메탈층(203)이나 Si층(202)에 대한 에칭(2회째의 에칭)이 행해지고, 마지막으로 도 15의 (e)에 도시한 바와 같이 레지스트(R3)를 제거함으로써 회로 패턴이 얻어진다.Then, as shown in FIG. 15D, the exposed metal layer 203 and the Si layer 202 are etched (second etching) using the resist pattern R3 as a mask, Finally, a circuit pattern is obtained by removing the resist R3 as shown in Fig. 15 (e).

그러나 상기한 바와 같이 후막(R1)과 박막(R2)이 형성된 레지스트 패턴(R)을 사용하는 하프 노광 처리에 있어서는, 레지스트 패턴(R)의 형성 시에, 그 막 두께가 기판 면 내에서 불균일한 경우, 형성하는 패턴의 선 폭이나 패턴 간의 피치가 변동된다고 하는 과제가 있었다.However, in the half exposure process using the resist pattern R in which the thick film R1 and the thin film R2 are formed as described above, when the resist pattern R is formed, There is a problem that the line width of the pattern to be formed and the pitch between the patterns are varied.

즉, 도 16의 (a) 내지 (e)를 사용하여 구체적으로 설명하면, 도 16의 (a)는 레지스트 패턴(R) 중, 박막부(R2)의 두께(t2)가, 도 15의 (a)에 도시한 두께(t1)보다도 두껍게 형성된 경우를 도시하고 있다.More specifically, FIG. 16A is a graph showing the relationship between the thickness t2 of the thin film portion R2 of the resist pattern R and the thickness t2 of the resist pattern R shown in FIG. 15A is formed to be thicker than the thickness t1 shown in a).

이 경우에 있어서, 도 14에 나타낸 공정과 마찬가지로, 메탈막(203)의 에칭[도 16의 (b)], 레지스트 패턴(R) 전체에 관한 애싱 처리[도 16의 (c)]가 실시된다.In this case, the etching of the metal film 203 (Fig. 16B) and the ashing process of the entire resist pattern R (Fig. 16C) are performed similarly to the step shown in Fig. 14 .

여기서, 도 16의 (c)에 도시한 바와 같이, 막 두께가 절반 정도로 감막된 레지스트 패턴(R3)이 얻어지지만, 제거되는 레지스트막의 두께는, 도 15의 (c)의 경우와 동일하므로, 도시하는 한 쌍의 레지스트 패턴(R3) 간의 피치(p2)는, 도 15의 (c)에 도시하는 피치(p1)보다도 좁게 된다.Here, as shown in Fig. 16C, a resist pattern R3 having a film thickness of about half is obtained, but since the thickness of the resist film to be removed is the same as that of Fig. 15C, The pitch p2 between the pair of the resist patterns R3 is narrower than the pitch p1 shown in Fig. 15C.

따라서 그 상태로부터, 메탈막(203) 및 Si층(202)에 대한 에칭[도 16의 (d)] 및 레지스트 패턴(R3)의 제거[도 16의 (e)]를 거쳐 얻어진 회로 패턴은, 그 피치(p2)가 도 15의 (e)에 도시하는 피치(p1)보다도 좁은 것으로 되어 있었다(회로 패턴의 선 폭이 넓게 되어 있었다).16 (d) of the metal film 203 and the Si layer 202 and the removal of the resist pattern R3 (FIG. 16 (e)) from this state, The pitch p2 is narrower than the pitch p1 shown in Fig. 15 (e) (the line width of the circuit pattern is wide).

상기 과제에 대해, 종래는 노광 처리 시에 광을 투과시키는 마스크 패턴마다, 레지스트 패턴(R)에 있어서의 막 두께가 원하는 값보다도 두껍게 형성되는 소정 부위를 막 두께 측정에 의해 특정하고, 그 부위의 노광 감도를 높게 하는 수단이 취해져 있다.In order to solve the above problem, conventionally, a predetermined region where the film thickness in the resist pattern R is formed to be thicker than a desired value is specified by film thickness measurement for each mask pattern that transmits light in the exposure process, Means for increasing the exposure sensitivity are taken.

즉, 노광 처리 전에 레지스트막을 가열하여 용제를 증발시키는 프리베이크 처리에 있어서, 기판 면 내의 가열량에 차이를 갖게 하여, 상기 소정 부위에 있어서의 노광 감도를 변화시킴으로써, 현상 처리 후의 잔여막 두께가 조정(면 내 균일화)되어 있다.That is, in the pre-baking process in which the resist film is heated by heating the resist film before the exposure process, the amount of heating in the substrate surface is made different, and the exposure sensitivity in the predetermined region is changed, (In-plane uniformity).

구체적으로는, 프리베이크 처리에 사용하는 히터를 복수의 영역으로 분할하고, 분할된 히터를 독립적으로 구동 제어함으로써 에어리어마다 온도 조정이 행해지고 있다.More specifically, the heater used in the pre-bake processing is divided into a plurality of regions, and the divided heaters are independently drive-controlled to adjust the temperature for each area.

또한, 기판을 지지하는 프록시미티 핀의 높이 변경(히터와 기판 사이의 거리 변경)에 의해 가열 온도의 조정이 행해지고 있다.Further, the heating temperature is adjusted by changing the height of the proximity pin supporting the substrate (changing the distance between the heater and the substrate).

일본 특허 출원 공개 제2007-158253호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-158253

그러나 상기한 바와 같이 프리베이크에 의한 가열 처리에 의해 잔여막 두께의 조정을 행하는 경우, 분할된 히터 면적은 하드웨어의 제약상, 어느 정도의 크기를 확보할 필요가 있으므로, 미세한 에어리어의 가열 조정을 할 수 없다고 하는 과제가 있었다.However, in the case where the remaining film thickness is adjusted by the heat treatment by the pre-baking as described above, it is necessary to secure the size of the divided heater to a certain extent due to restriction of the hardware. There was a problem that it can not be done.

또한, 프록시미티 핀의 높이에 의한 가열 조정에 있어서는, 핀 높이를 변경하는 작업 공정 수를 필요로 하므로, 생산 효율이 저하된다고 하는 과제가 있었다.In addition, in the heating adjustment by the height of the proximity pins, the number of working steps for changing the pin height is required, so that the production efficiency is lowered.

본 발명은, 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다 노광량을 용이하게 조정할 수 있어, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있는 국소 노광 장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily adjust an exposure amount for each fine- The present invention also provides a local exposure apparatus capable of suppressing a variation in the line width and the pitch of the exposure light.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 국소 노광 장치는, 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며, 기판 반송로를 형성하고, 상기 기판을 상기 기판 반송로를 따라 평류 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 기판 반송로의 상방에 있어서, 기판 반송 방향에 교차하는 방향으로 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자를 갖고, 그 하방에 있어서 기판 반송 방향을 따라 상대적으로 이동되는 기판 상의 감광막에 대해, 상기 발광 소자의 발광에 의해 광 조사 가능한 광원과, 상기 광원을 구성하는 복수의 발광 소자 중, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어 단위로서 선택적으로 발광 구동 가능한 발광 구동부와, 상기 기판이 상기 광원의 하방을 반송되지 않는 상태에서, 상기 기판에 대한 상기 광원으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 설치되고, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 조도 검출 수단과, 상기 조도 검출 수단이 검출한 조도와 상기 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블로서 기억하는 동시에, 상기 발광 구동부에 의한 상기 발광 소자의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 그 막 두께에 기초하여 조사해야 하는 필요 조도를 구하는 동시에, 상기 소정 영역에 조사 가능한 상기 광원의 발광 소자에 대해, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 필요 조도로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것에 특징을 갖는다.In order to solve the above problems, a local exposure apparatus according to the present invention is a local exposure apparatus for performing exposure processing on a predetermined region of a photoresist film formed on a substrate, comprising a substrate transport path, And a plurality of light emitting elements arranged in a line shape in a direction crossing the substrate transport direction above the substrate transport path and having a plurality of light emitting elements A light source capable of being irradiated with light by the light emission of the light emitting element and a plurality of light emitting elements constituting the light source with respect to the photosensitive film on the moving substrate, And a driving unit for moving the substrate from the light source to the substrate in a state in which the substrate is not transported below the light source An illuminance detecting means for detecting the illuminance of the light irradiated by the light source, the illuminance detecting means being provided so as to be movable forward and backward in the substrate width direction along the light irradiation position, and a control means for controlling the relationship between the illuminance detected by the illuminance detecting means and the drive current value And a control section for controlling the driving of the light emitting element by the light emission driving section while storing the correlation table as a correlation table, And a driving current value is determined from the required illuminance on the basis of the correlation table for the light emitting element of the light source which can irradiate the predetermined region, And controls the light emission driving unit.

또한, 상기 조도 검출 수단은, 상기 기판과 동일한 높이 위치에 있어서 기판 폭 방향으로 진퇴 이동되는 것이 바람직하다.It is preferable that the illuminance detecting means is moved back and forth in the substrate width direction at the same height position as the substrate.

또한, 상기 광원은, 상기 기판에 대해 높이 위치 가변으로 설치되고, 상기 조도 검출 수단은, 상기 광원이 소정 높이에 고정된 상태에서, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 것이 바람직하다.It is preferable that the light source is provided with a variable height position with respect to the substrate, and the illuminance detecting means detects the illuminance of the light emitted by the light source in a state where the light source is fixed at a predetermined height.

또한, 상기 기판 반송로에 있어서 상기 광원보다도 상류측에 배치되고, 상기 기판 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판을 검출하는 기판 검출 수단을 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 검출 수단에 의한 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여 기판 반송 위치를 취득하고, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역이 상기 광원의 하방을 상대적으로 이동할 때, 상기 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자 중, 상기 소정 영역에 조사 가능한 발광 소자만이 발광하도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것이 바람직하다.And substrate detection means for detecting the substrate carried by the substrate transfer means, the substrate detection means being disposed on an upstream side of the light source in the substrate transfer path, And when a predetermined region of the photoresist film formed on the substrate relatively moves under the light source, among the plurality of light emitting devices arranged in a line shape, It is preferable to control the light emission driving section so that only the possible light emitting elements emit light.

이와 같이 구성함으로써, 막 두께를 보다 얇게 하고자 하는(혹은 두껍게 하고자 하는) 임의의 부위에 대한 국소적인 노광 처리를 용이하게 행할 수 있고, 미리 설정된 노광량(조도)에 의해 원하는 막 두께로 감막할 수 있다.By such a constitution, it is possible to easily perform a local exposure treatment to an arbitrary site where a film thickness is desired to be thinner (or to be thickened), and a film can be film-deposited to a desired film thickness by a predetermined exposure amount .

따라서, 예를 들어 하프 노광 처리에 있어서 레지스트막에 다른 막 두께(후막부와 박막부)를 갖게 하는 경우라도(즉, 박막부와 같이 얇은 막 두께라도), 현상 처리 후의 레지스트막 두께를 균일하게 하여, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있다.Therefore, for example, even when the resist film has a different film thickness (thick film portion and thin film portion) in the half-exposure process (i.e., even with a thin film thickness as in the thin film portion) Thus, variations in the line width and pitch of the wiring pattern can be suppressed.

또한, 노광량(조도)의 설정에 있어서는, 미리 조도 검출 수단을 사용하여, 발광 제어 단위로 되는 모든 발광 소자에 대해 측정을 행하고, 그 구동 전류값과 조도의 관계를 상관 테이블로서 보유 지지함으로써, 고정밀도로 노광량을 조정할 수 있다.In the setting of the exposure amount (illuminance), measurement is performed for all of the light emitting elements as the light emission control unit by using the illuminance detection means in advance, and the relationship between the drive current value and the illuminance is held as a correlation table. The amount of road exposure can be adjusted.

또한, 상기 광원의 하방에는 광확산판이 설치되고, 상기 광원으로부터 발광된 광은, 상기 광확산판을 통해 상기 기판에 대해 방사되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a light diffusion plate is provided below the light source, and light emitted from the light source is radiated to the substrate through the light diffusion plate.

이와 같이 광확산판을 설치함으로써, 광원으로부터 방사된 광은, 광확산판에 의해 적절하게 확산되므로, 인접하는 발광 소자의 광을 라인 형상으로 연결시켜 하방에 조사할 수 있다.By providing the light diffusing plate in this manner, the light emitted from the light source is appropriately diffused by the light diffusing plate, so that the light of the adjacent light emitting elements can be connected in a line shape and irradiated downward.

또한, 상기 제어부는, 상기 광원을 기판 폭 방향을 따라 복수의 발광 제어 그룹으로 나누는 동시에, 상기 발광 제어 그룹마다, 소정 범위 내의 복수의 구동 전류값과, 그 구동 전류값에 의한 조도를 상기 상관 테이블에 기억시키는 것이 바람직하다.The control unit may divide the light source into a plurality of light emission control groups along the substrate width direction, and for each light emission control group, a plurality of drive current values within a predetermined range, and illuminance by the drive current value, .

이와 같이, 광원을 복수의 발광 제어 그룹으로 나눔으로써, 발광 소자 간의 발광 조도의 편차를 억제할 수 있다.Thus, by dividing the light source into a plurality of light emission control groups, it is possible to suppress variation in the light emission illuminance between the light emission elements.

또한, 상기 제어부는 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대한 조사 및 현상 처리에 의해 증감한 막 두께의 변동값과, 상기 소정 영역에 조사한 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블에 축적하고, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 막 두께 변동값으로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것이 바람직하다.The control unit may accumulate the relationship between the variation in film thickness, which is increased or decreased by the irradiation and development processing on the predetermined region of the photoresist film formed on the substrate, and the driving current value of the light emitting device irradiated on the predetermined region, It is preferable to determine the drive current value from the film thickness variation value based on the correlation table and to control the light emission drive section to emit the light emission element by the drive current value.

그와 같이 막 두께 변동값과 구동 전류값의 상관 데이터를 사용하는 경우에는, 파라미터로서 조도를 생략할 수 있으므로(즉, 조도와 구동 전류값의 상관 데이터를 이용하지 않아도 되므로), 조도와 구동 전류값의 상관 데이터의 갱신 작업을 생략할 수 있다.When the correlation data of the film thickness variation value and the drive current value is used as such, since the roughness can be omitted as a parameter (that is, the correlation data of the roughness and the drive current value need not be used) The update operation of the correlation data of the value can be omitted.

본 발명에 따르면, 기판 면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다 노광량을 용이하게 조정할 수 있어, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있는 국소 노광 장치를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to easily adjust the exposure amount for each fine-set area in the substrate surface, to improve the uniformity of the resist remnant film after the development process, and to suppress local variations in line width and pitch An exposure apparatus can be obtained.

도 1은 본 발명에 관한 일 실시 형태의 전체 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명에 관한 일 실시 형태의 전체 개략 구성을 도시하는 사시도이며, 피처리 기판이 반입되어 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 A-A 화살표 단면도이다.
도 4는 포토 리소그래피 공정에 있어서의 국소 노광 장치의 배치를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 광원을 구성하는 발광 소자의 배열을 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램의 설정 파라미터를 구하는 공정을 나타내는 플로우이다.
도 7은 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서, 발광 소자의 발광 제어를 설명하기 위한 도면이며, 피처리 기판 상의 국소 노광 위치를 좌표로 나타내는 피처리 기판의 평면도이다.
도 8은 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램의 설정 파라미터의 예를 나타내는 표이다.
도 9는 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램에 있어서 이용되는 발광 소자의 구동 전류값과 조도의 상관 테이블의 예를 나타내는 표이다.
도 10은 본 발명에 관한 국소 노광 위치에 의한 일련의 동작을 나타내는 플로우이다.
도 11은 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서의 국소 노광의 동작을 설명하기 위한 평면도이다.
도 12는 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서의 국소 노광의 동작을 설명하기 위한 그래프이다.
도 13은 본 발명에 관한 국소 노광 장치의 응용예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 14는 본 발명에 관한 국소 노광 장치가 갖는 발광 제어 프로그램에 있어서 이용 가능한 발광 소자의 구동 전류값과 막 두께의 상관 테이블의 응용예를 나타내는 표이다.
도 15의 (a) 내지 도 15의 (e)는 하프 노광 처리를 사용한 배선 패턴의 형성 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16의 (a) 내지 도 16의 (e)는 하프 노광 처리를 사용한 배선 패턴의 형성 공정을 도시하는 도면이며, 도 15의 경우보다도 레지스트 막 두께가 두꺼운 경우를 도시하는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a perspective view showing an overall schematic structure of an embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 2 is a perspective view showing an overall schematic structure of an embodiment of the present invention, and shows a state in which a substrate to be processed is carried in. Fig.
3 is a sectional view taken along line AA of FIG.
4 is a diagram schematically showing an arrangement of a local exposure apparatus in a photolithography process.
5 is a plan view showing the arrangement of the light emitting elements constituting the light source.
6 is a flow chart showing a step of obtaining setting parameters of the light emission control program of the local exposure apparatus according to the present invention.
FIG. 7 is a plan view of a substrate to be processed, which shows coordinates of a local exposure position on a substrate to be processed, for explaining light emission control of the light emitting element in the local exposure apparatus according to the present invention. FIG.
8 is a table showing an example of setting parameters of the light emission control program of the local exposure apparatus according to the present invention.
FIG. 9 is a table showing an example of a correlation table between a drive current value and an illuminance of a light emitting element used in a light emission control program of the local exposure apparatus according to the present invention.
10 is a flow chart showing a series of operations according to the local exposure position according to the present invention.
11 is a plan view for explaining the operation of local exposure in the local exposure apparatus according to the present invention.
12 is a graph for explaining the operation of local exposure in the local exposure apparatus according to the present invention.
13 is a plan view for explaining an application example of the local exposure apparatus according to the present invention.
14 is a table showing an example of application of a correlation table between a drive current value and a film thickness of a light emitting element usable in the light emission control program of the local exposure apparatus according to the present invention.
Figs. 15A to 15E are cross-sectional views for explaining a step of forming a wiring pattern using a half-exposure process. Fig.
Figs. 16A to 16E are diagrams showing a step of forming a wiring pattern using a half-exposure process, and are cross-sectional views showing a case where the resist film thickness is thicker than that in Fig.

이하, 본 발명의 국소 노광 장치에 관한 일 실시 형태를, 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 국소 노광 장치(1)의 전체 개략 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 2는 도 1과는 다른 각도에서 본 국소 노광 장치(1)의 사시도이며, 피처리 기판인 글래스 기판(G)이 반입되어 있는 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 3은 도 2의 A-A 화살표 단면도이다. 또한, 도 4는 포토 리소그래피 공정에 있어서의 국소 노광 장치(1)의 배치를 모식적으로 도시하는 도면이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment of a local exposure apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view showing an overall schematic structure of a local exposure apparatus 1 according to the present invention. 2 is a perspective view of the local exposure apparatus 1 viewed from an angle different from that of FIG. 1, and is a diagram showing a state in which a glass substrate G as a target substrate is carried. 3 is a sectional view taken along the line A-A in Fig. 4 is a diagram schematically showing the arrangement of the local exposure apparatus 1 in the photolithography process.

도 1 내지 도 3에 도시하는 국소 노광 장치(1)는, 예를 들어 도 4의 (a) 내지 (c)에 각각 도시한 바와 같이, 피처리 기판을 수평한 상태에서, X 방향으로 수평으로 반송(이후, 평류 반송이라 기재한다)하면서 일련의 포토 리소그래피 공정을 행하는 유닛 내에 배치된다.The local exposure apparatus 1 shown in Figs. 1 to 3, for example, as shown in Figs. 4 (a) to 4 (c) (Hereinafter referred to as a " parallel transport "), and is disposed in a unit for performing a series of photolithography processes.

즉, 포토 리소그래피 공정에 있어서는, 피처리 기판에 감광막으로 하는 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치(51)(CT)와, 감압된 챔버 내에 있어서 기판 상의 레지스트막(감광막)을 건조시키는 감압 건조 장치(52)(DP)가 배치된다. 또한, 기판(G)에 레지스트막을 정착시키기 위해 가열 처리를 행하는 프리베이크 장치(53)(PRB)와, 그것을 소정 온도로 냉각하는 냉각 장치(54)(COL)와, 레지스트막에 대해 소정의 회로 패턴으로 노광하는 노광 장치(55)(EXP)와, 노광 후의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 장치(56)(DEV)가 순서대로 배치된다.That is, in the photolithography step, a resist coating device 51 (CT) for applying a resist solution as a photoresist film to a substrate to be processed and a vacuum drying device (for example, 52) DP are arranged. Further, a pre-baking apparatus 53 (PRB) for performing a heat treatment to fix a resist film on the substrate G, a cooling device 54 (COL) for cooling it to a predetermined temperature, An exposure apparatus 55 EXP exposing in a pattern, and a developing apparatus 56 DEV performing development processing of the exposed resist film are arranged in this order.

여기서, 본 발명에 관한 국소 노광 장치(1)(AE)는, 예를 들어 도 4의 (a) 내지 (c)에 도시하는 어느 하나의 위치에 배치된다. 즉, 프리베이크 장치(53)(PRB)보다도 후단, 또한 현상 장치(56)(DEV)보다도 전단의 소정 위치에 배치된다.Here, the local exposure apparatus 1 (AE) according to the present invention is arranged at any position shown in, for example, Figs. 4 (a) to 4 (c). That is, it is disposed at a position that is at the rear end than the pre-baking apparatus 53 (PRB) and at a predetermined position before the developing apparatus 56 (DEV).

이와 같이 배치된 국소 노광 장치(1)(AE)에 있어서는, 예를 들어 포지티브형 레지스트를 사용하는 경우, 복수매의 기판(G)을 연속적으로 처리할 때에, 모든 기판(G)의 소정 영역에 있어서 다른 영역보다도 배선 패턴 폭이 넓게 되고 패턴 사이 피치가 좁게 되는 경우에, 상기 소정 영역에 대한(감막 두께를 위한) 국소 노광이 실시된다.In the above-described local exposure apparatus 1 (AE), for example, when a positive resist is used, when a plurality of substrates G are successively processed, (For the thickness of the film) is applied to the predetermined region when the wiring pattern width is wider than the other regions and the pitch between the patterns becomes narrower.

또한, 이하의 실시 형태에 있어서는, 포지티브형 레지스트의 경우를 예로 들어 설명하지만, 본 발명에 관한 국소 노광 장치에 있어서는, 네거티브형 레지스트의 경우에도 적용할 수 있고, 그 경우에는 레지스트 잔여막을 보다 두껍게 남기고자 하는 소정 영역에 대해 국소 노광이 실시된다.In the following embodiments, the case of the positive type resist is taken as an example, but in the case of the local type exposure apparatus according to the present invention, it is also applicable to the case of the negative type resist. In this case, A local exposure is performed on a predetermined region to be exposed.

계속해서 국소 노광 장치(1)의 구성에 대해 상세하게 설명한다. 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이 국소 노광 장치(1)는, 베이스(100) 상에 회전 가능하게 부설된 복수의 롤러(20)에 의해 기판(G)을 X 방향을 향하여 반송하는 기판 반송로(2)를 구비한다. 기판 반송로(2)는 Y 방향으로 연장되는 원기둥 형상의 롤러(20)를 복수 갖고, 그들 복수의 롤러(20)는 X 방향으로 소정의 간격을 두고, 각각 베이스(100) 상에 회전 가능하게 배치되어 있다. 또한, 복수의 롤러(20)는 벨트(도시하지 않음)에 의해 연동 가능하게 설치되고, 1개의 롤러(20)가 모터 등의 롤러 구동 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또한, 도 1에 있어서는, 이 국소 노광 장치(1)의 구성의 설명을 쉽게 하기 위해, 도면 앞측의 롤러(20)를 일부 파단하여 도시하고 있다.Next, the configuration of the local exposure apparatus 1 will be described in detail. 1 to 3, the local exposure apparatus 1 is provided with a plurality of rollers 20 rotatably mounted on a base 100 for carrying a substrate G toward the X direction, (2). The substrate conveying path 2 has a plurality of cylindrical rollers 20 extending in the Y direction and the plurality of rollers 20 are rotatably supported on the base 100 at predetermined intervals in the X direction Respectively. The plurality of rollers 20 are provided so as to be interlocked by a belt (not shown), and one roller 20 is connected to a roller drive device (not shown) such as a motor. 1, the roller 20 on the front side of the drawing is shown partially broken to facilitate the description of the structure of the local exposure apparatus 1. In FIG.

또한, 도시한 바와 같이, 기판 반송로(2)의 상방에는, 기판(G)에 대해 국소적인 노광(UV 광방사)을 행하기 위한 광 조사 유닛(3)이 배치되어 있다.As shown in the figure, a light irradiation unit 3 for performing local exposure (UV light emission) on the substrate G is disposed above the substrate transfer path 2. [

이 광 조사 유닛(3)은, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 연장되는 라인 형상의 광원(4)을 구비하고, 이 광원(4)의 하방을 기판(G)이 반송되게 된다.The light irradiation unit 3 has a light source 4 of a line shape extending in the substrate width direction (Y direction), and the substrate G is conveyed below the light source 4.

상기 라인 형상의 광원(4)은, 소정 파장[예를 들어, g선(436㎚), h선(405㎚), i선(364㎚) 중 어느 하나에 가까운 파장]의 UV 광을 발광하는 복수의 UV-LED 소자(L)가 회로 기판(7) 상에 배열되어 구성되어 있다. 예를 들어, 도 5의 (a)는 회로 기판(7)을 하방에서 본 평면도이다. 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 회로 기판(7) 상에는 복수의 UV-LED 소자(L)가 3열로 배열된다.The line-shaped light source 4 emits UV light of a predetermined wavelength (for example, a wavelength close to any one of g line (436 nm), h line (405 nm), and i line (364 nm) A plurality of UV-LED elements (L) are arranged on a circuit board (7). For example, FIG. 5A is a plan view of the circuit board 7 as seen from below. As shown in Fig. 5 (a), on the circuit board 7, a plurality of UV-LED elements L are arranged in three rows.

여기서, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 복수개(도면에서는 9개)의 UV-LED 소자(L)가, 하나의 발광 제어 단위[발광 제어 그룹(GR1 내지 GRn)이라고 함]로 이루어진다. 이와 같이 복수개의 LED 소자(L)를 발광 제어 단위로 함으로써, 발광 소자 간의 발광 조도의 편차를 억제할 수 있다.Here, as shown in Fig. 5A, a plurality of (nine in the figure) UV-LED elements L are composed of one light emission control unit (referred to as light emission control groups GR1 to GRn). By using the plurality of LED elements L as a light emission control unit in this way, it is possible to suppress variations in the light emission illuminance between the light emission elements.

또한, 보다 적은 UV-LED 소자(L)로 광원(4)을 구성하는 경우에는, 도 5의 (b)와 같이 기판 반송 방향(X 방향) 및 기판 폭 방향(Y 방향)으로 소자(L)가 겹치도록 지그재그로 배치하는 것이 바람직하다.5 (b), when the light source 4 is constituted by a smaller number of the UV-LED elements L, the elements L are arranged in the substrate transport direction (X direction) and the substrate width direction (Y direction) It is preferable to dispose them in a zigzag manner.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 광원(4)의 하방에는, 광확산판으로 이루어지는 광방사창(6)이 형성되어 있다. 즉, 광원(4)과 피조사체인 기판(G) 사이에 광방사창(6)이 배치되어 있다.Further, as shown in Fig. 3, an optical radiation window 6 made of a light diffusion plate is formed below the light source 4. That is, the light radiation window 6 is disposed between the light source 4 and the substrate G to be irradiated.

이와 같이 광확산판으로 이루어지는 광방사창(6)이 형성됨으로써, 광원(4)으로부터 방사된 광은, 광방사창(6)에 의해 적절하게 확산되므로, 인접하는 UV-LED 소자(L)의 광은 라인 형상으로 연결되어 하방으로 조사된다.The light emitted from the light source 4 is appropriately diffused by the light emitting window 6 because the light emitting window 6 made of the light diffusing plate is formed in this way, The light is connected in a line shape and irradiated downward.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이 UV-LED 소자(L)의 전후에는, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 연장되는 광반사벽(8)이 설치되어, UV-LED 소자(L)에 의한 발광이 효율적으로 광방사창(6)으로부터 하방으로 방사되도록 구성되어 있다.3, a light reflecting wall 8 extending in the width direction of the substrate (Y direction) is provided before and after the UV-LED element L so that light emitted by the UV-LED element L Is efficiently emitted downward from the light-emitting window (6).

또한, 광원(4)을 구성하는 각 발광 제어 그룹(GR)은, 각각 발광 구동부(9)(도 1)에 의해, 독립적으로 그 발광 구동이 제어된다. 또한, 각 발광 제어 그룹(GR)[의 UV-LED 소자(L)]에 대해 공급되는 순전류값은 각각 제어 가능하게 되어 있다. 즉, 각 발광 제어 그룹(GR)의 UV-LED 소자(L)는, 발광 구동부(9)에 의해 그 공급 전류에 따른 발광의 방사 조도가 가변으로 되어 있다.Each light emission control group GR constituting the light source 4 is independently controlled by the light emission driving unit 9 (Fig. 1). In addition, the net current values supplied to the respective light-emission control groups GR (UV-LED element L) are each controllable. That is, in the UV-LED element L of each light emission control group GR, the radiation intensity of the light emission according to the supply current thereof is varied by the light emission driver 9.

또한, 상기 발광 구동부(9)는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(40)에 의해, 그 구동이 제어된다.The driving of the light emission driving unit 9 is controlled by a control unit 40 formed of a computer.

또한, 광 조사 유닛(3)은, 기판 반송로(2)를 반송되는 기판(G)에 대해, 그 광 방사 위치의 높이를 가변으로 할 수 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(3)은 그 지지 프레임(15)의 길이 방향(Y 방향)의 양단부에 설치된 수평 판부(15a)가, 한 쌍의 승강축(11)에 의해 하방으로부터 지지되고, 승강축(11)은 베이스(100)에 설치된, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 승강 구동부(12)(승강 수단)에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있다.Further, the light irradiation unit 3 can make the height of the light emitting position of the substrate G conveyed on the substrate conveying path 2 variable. 3, the light irradiation unit 3 is provided with a horizontal plate portion 15a provided at both end portions in the longitudinal direction (Y direction) of the support frame 15 is supported by a pair of lifting shafts 11 And the elevation shaft 11 is vertically movable by the elevation driving section 12 (elevation means) which is provided on the base 100 and is made of, for example, an air cylinder.

또한, 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(3)이 가장 하방으로 이동한 위치에 있어서는, 상기 지지 프레임(15)의 수평 판부(15a)의 하면이, 베이스(100)에 설치된 지지 부재(16)에 접촉하도록 되어 있다.2 and 3, the lower surface of the horizontal plate portion 15a of the support frame 15 is located on the base 100 at the position where the light irradiation unit 3 has moved to the lowermost position And is brought into contact with the support member 16 installed.

또한, 베이스(100)에 있어서, 승강 구동부(12)의 좌우 양측에는, 통 형상의 가이드 부재(13)가 각각 세워 설치되어 있다. 한편, 상기 지지 프레임(15)의 수평 판부(15a)에 있어서, 그 하면에는 상기 승강축(11)의 좌우 양측에, 상기 가이드 부재(13)에 결합되는 가이드 축(14)이 각각 설치되어 있다. 이에 의해, 광 조사 유닛(3)의 승강에 수반하여, 가이드 축(14)이 가이드 부재(13) 안을 상하 방향으로 미끄럼 이동하여, 광 조사 유닛(3)의 광조사창(6)의 수평도가 고정밀도로 유지되는 구성으로 되어 있다.Further, in the base 100, cylindrical guide members 13 are installed on both left and right sides of the elevation drive unit 12, respectively. On the lower surface of the horizontal plate portion 15a of the support frame 15 are provided guide shafts 14 which are coupled to the guide members 13 on the right and left sides of the lifting shaft 11 . As a result, the guide shaft 14 slides in the guide member 13 in the vertical direction with the lifting and lowering of the light irradiation unit 3, and the horizontal degree of the light irradiation window 6 of the light irradiation unit 3 And is maintained at a high precision.

또한, 광 조사 유닛(3)의 하방에는, 광원(4)으로부터 방사되어, 광방사창(6)을 통과한 광의 조도(방사속)를 검출하기 위한 조도 센서 유닛(30)이 설치되어 있다.An illuminance sensor unit 30 is provided below the light irradiation unit 3 for detecting the illuminance of the light emitted from the light source 4 and passing through the light emission window 6. [

이 조도 센서 유닛(30)은, 신호의 검출부가 상방에 면하는 조도 센서(31)를 구비하고, 이 조도 센서(31)는 기판 폭 방향(Y 방향)으로 이동 가능한 이동 플레이트(32) 상에 설치되어 있다. 또한, 광원(4)의 바로 아래의 베이스(100) 상에는, 광원(4)을 따라, 기판 폭 방향으로 연장되는 한 쌍의 레일(33a, 33b)이 부설되어 있다.The illuminance sensor unit 30 includes an illuminance sensor 31 on which a signal detection section faces upward and on which the illuminance sensor 31 is mounted on a moving plate 32 movable in the substrate width direction Is installed. A pair of rails 33a and 33b extending in the width direction of the substrate are provided on the base 100 immediately below the light source 4 along the light source 4. [

상기 이동 플레이트(32)의 하면측에는, 상기 한 쌍의 레일(33a, 33b)을 따라 이동 가능한 리니어 모터(34)가 설치되고, 이 리니어 모터(34)에는 굴곡 가능한 주름 상자 형상의 케이블 커버(35) 내에 배치된 전원 케이블(도시하지 않음)을 통해 전원 공급이 이루어지고 있다. 또한, 케이블 커버(35) 내에는, 제어부(40)에 의해 리니어 모터(34)의 동작을 제어하기 위한 제어 케이블(도시하지 않음)이 배치되어 있다.A linear motor 34 movable along the pair of rails 33a and 33b is provided on the lower surface of the moving plate 32. The linear motor 34 is provided with a bendable cable box 35 (Not shown) disposed in the power supply line (not shown). In the cable cover 35, a control cable (not shown) for controlling the operation of the linear motor 34 is disposed by the control unit 40.

즉, 이동 플레이트(32) 상의 조도 센서(31)는, 레일(33a, 33b)을 따라 기판 폭 방향으로 이동 가능하고, 그때 조도 센서(31)에 있어서의 검출부가 항상 기판면의 높이에 일치하도록 되어 있다. 환언하면, 조도 센서(31)는 기판(G)에 대한 상기 광원(4)으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 되어 있다.That is, the illuminance sensor 31 on the moving plate 32 is movable along the rails 33a and 33b in the width direction of the substrate, and the illuminance sensor 31 at that time always matches the height of the substrate surface . In other words, the illuminance sensor 31 can move back and forth along the substrate width direction along the light irradiation position from the light source 4 with respect to the substrate G.

또한, 기판(G)이 국소 노광 장치(1)를 반송될 때에는, 조도 센서(31)는 기판(G)과 간섭하지 않도록, 레일(33a, 33b)의 일단부측으로 후퇴하도록 제어부(40)에 의해 제어된다.When the substrate G is transported to the local exposure apparatus 1, the illuminance sensor 31 is moved to the control unit 40 so as to be retreated toward one end side of the rails 33a, 33b so as not to interfere with the substrate G .

이와 같이 구성된 조도 센서 유닛(30)에 있어서는, 각 발광 제어 그룹(GR)의 발광 조도를 측정하고, 그 발광 제어 그룹(GR)[의 LED 소자(L)]에 공급된 전류값과 발광 조도의 관계를 얻기 위해 사용된다.In the light intensity sensor unit 30 constructed as described above, the light emission illuminance of each light emission control group GR is measured, and the current value supplied to the light emission control group GR (the LED element L of the light emission control group GR) It is used to get a relationship.

또한, 이 국소 노광 장치(1)에 있어서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(3)의 상류측에, 기판 반송로(2)를 반송되는 기판(G)의 소정 개소(예를 들어, 선단)를 검출하기 위한 기판 검출 센서(39)가 설치되고, 그 검출 신호를 제어부(40)에 출력하도록 되어 있다. 기판(G)은 기판 반송로(2) 상을 소정 속도(예를 들어, 50㎜／sec)로 반송되므로, 제어부(40)는 기판(G)의 반송 위치를 상기 검출 신호와, 상기 검출 신호를 취득 후의 시간 및 기판 반송 속도에 의해 취득할 수 있다.3, on the upstream side of the light irradiation unit 3, the substrate transfer path 2 is provided at a predetermined position (for example, A substrate detection sensor 39 for detecting a substrate (for example, a leading end) is provided, and the detection signal is outputted to the control unit 40. [ The substrate G is conveyed on the substrate conveying path 2 at a predetermined speed (for example, 50 mm / sec), so that the control unit 40 controls the conveying position of the substrate G, Can be acquired by the time after the acquisition and the substrate transfer speed.

또한, 제어부(40)는 광원(4)을 구성하는 각 발광 제어 그룹(GR)의 휘도, 즉 각 발광 제어 그룹(GR)[을 구성하는 UV-LED 소자(L)]에 공급하는 전류값을 소정의 타이밍에 있어서 제어하기 위한 발광 제어 프로그램(P)을 소정의 기록 영역에 갖는다.The control unit 40 controls the brightness of each of the light emission control groups GR constituting the light source 4, that is, the current value supplied to each of the light emission control groups GR (UV-LED element L) And a light emission control program (P) for controlling at a predetermined timing in a predetermined recording area.

이 발광 제어 프로그램(P)은, 그 실행 시에 사용하는 레시피의 파라미터로서, 기판(G)의 소정 위치에 대해 방사해야 하는 필요 조도[발광 제어 그룹(GR)에 공급하는 전류값], 상기 기판(G)의 소정 위치에 대해 발광 제어하는 발광 제어 그룹(GR)을 특정하기 위한 정보 등이 미리 설정되어 있다.The light emission control program P is a recipe parameter to be used at the time of execution of the light emission control program P and includes a necessary illuminance (current value supplied to the light emission control group GR) to be radiated to a predetermined position of the substrate G, Information for specifying the light emission control group GR for performing light emission control on a predetermined position of the light emission control group G is set in advance.

여기서, 국소 노광 장치(1)에 있어서의 준비 공정에 대해 도 6 내지 도 8을 사용하여 설명한다. 이 준비 공정은, 노광 처리 시에 광을 투과시키는 마스크 패턴마다, 노광 처리에 관한 파라미터(레시피라고 함)를 결정하기 위해 실시된다. 구체적으로는, 도 8에 나타낸 바와 같은 레시피 테이블(T1)에 있어서의 각 파라미터를 보충하기 위해 실시된다. 또한, 이 레시피 테이블(T1)은 제어부(40)에 기억되어 보유 지지된다.Here, the preparation process in the local exposure apparatus 1 will be described with reference to Figs. 6 to 8. Fig. This preparation step is carried out to determine a parameter (referred to as a recipe) relating to the exposure process for each mask pattern that transmits light in the exposure process. Concretely, it is performed to supplement each parameter in the recipe table T1 as shown in Fig. The recipe table T1 is stored and held in the control unit 40. [

또한, 이 준비 공정에는 2종류의 샘플링 기판(샘플링 대상 1, 샘플링 대상 2라고 함) 중, 어느 하나를 사용한다. 우선, 샘플링 대상 1은 레지스트 도포 후에 하프 노광 및 현상 처리가 실시된 피처리 기판이다. 한편, 샘플링 대상 2는 통상의 포토 리소그래피 공정[국소 노광 장치(1)를 통하지 않는 공정]에 의해 배선 패턴이 형성된 피처리 기판이다.In this preparation step, any one of two kinds of sampling substrates (sampling object 1, sampling object 2) is used. First, the object to be sampled 1 is a target substrate subjected to half exposure and development processing after resist application. On the other hand, the object 2 to be sampled is a target substrate on which a wiring pattern is formed by a normal photolithography process (a process not through the local exposure apparatus 1).

도 6에 나타낸 바와 같이 샘플링 대상 1의 경우, 레지스트 도포 후에 하프 노광 및 현상 처리가 실시된 복수의 피처리 기판을 샘플링한다(도 6의 스텝 St1).As shown in Fig. 6, in the case of the object 1 to be sampled, a plurality of substrates subjected to half exposure and development after the resist application are sampled (step St1 in Fig. 6).

계속해서, 샘플링한 기판(G)의 면 내에 있어서의 레지스트 잔여막 두께를 측정하고(도 6의 스텝 St2), 도 7에 모식적으로 도시한 바와 같이 감막해야 하는 소정 에어리어(AR)를 복수의 이차원 좌표값(x, y)에 의해 특정한다(도 4의 스텝 St5).Subsequently, the remaining resist film thickness in the plane of the sampled substrate G is measured (step St2 in Fig. 6), and a predetermined area AR to be thinned as schematically shown in Fig. Dimensional coordinate value (x, y) (step St5 in Fig. 4).

한편, 도 6에 나타낸 바와 같이 샘플링 대상 2의 경우, 통상의 포토 리소그래피 공정[국소 노광 장치(1)를 통하지 않는 공정]에 의해 배선 패턴 형성된 복수의 피처리 기판을 샘플링한다(도 6의 스텝 St3).On the other hand, as shown in Fig. 6, in the case of the object 2 to be sampled, a plurality of substrates to be processed with wiring patterns are sampled by a normal photolithography process (a process not through the local exposure apparatus 1) (step St3 ).

계속해서, 샘플링한 기판(G)의 면 내에 있어서의 배선 패턴의 선 폭, 패턴 간 피치를 측정하고(도 6의 스텝 St4), 도 7에 모식적으로 도시한 바와 같이 감막해야 하는 소정 에어리어(AR)를 복수의 이차원 좌표값(x, y)에 의해 특정한다(도 6의 스텝 St5).Subsequently, the line width of the wiring pattern in the surface of the sampled substrate G and the pitch between the patterns are measured (step St4 in Fig. 6) AR) are specified by a plurality of two-dimensional coordinate values (x, y) (step St5 in Fig. 6).

소정 에어리어(AR)가 특정되면, 제어부(40)는 도 8의 레시피 테이블(T1)에 나타낸 바와 같이, 소정 에어리어(AR)에 있어서의 각 좌표값에 대해 필요한 감막 두께[예를 들어, 좌표(x1, y1)의 경우에는 1000Å]를 산출한다(도 6의 스텝 St6). 또한, 그 감막 두께의 값 및 레지스트 종류 등의 제조건에 기초하여, 감막을 위해 조사해야 하는 조도[좌표(x1, y1)의 경우에는 0.2mJ／㎠]를 산출한다(도 6의 스텝 St7).When the predetermined area AR is specified, the control unit 40 sets the required film thickness (for example, the coordinates (for example, the coordinates x1, y1) (step St6 in Fig. 6). Further, based on the conditions such as the value of the film thickness and the type of the resist, the roughness (0.2 mJ / cm 2 in the case of the coordinate (x1, y1)) to be irradiated for the film is calculated (step St7 in Fig. 6) .

또한, 제어부(40)는 도 8의 레시피 테이블(T1)에 나타낸 바와 같이, 소정 에어리어(AR)의 각 좌표값에 대해 조사 가능한 발광 제어 그룹(GR)을 각각 특정하고(도 6의 스텝 St8), 그 발광 제어 그룹(GR)을 원하는 조도로 발광시키기 위해 필요한 순전류값을 도 9에 나타내는 상관 테이블(T2)로부터 구한다(도 6의 스텝 St9).The control unit 40 also specifies the irradiation control groups GR that can be irradiated with respect to the respective coordinate values of the predetermined area AR as shown in the recipe table T1 in Fig. 8 (step St8 in Fig. 6) , And obtains a net current value necessary for causing the light emission control group GR to emit light at a desired illuminance from the correlation table T2 shown in Fig. 9 (step St9 in Fig. 6).

이 상관 테이블(T2)은 발광 제어 그룹(GR)마다 측정된 조도값과 전류값의 상관 관계를 나타내고 있고, 제어부(40)의 기록 에어리어에 기억되어 있다.The correlation table T2 indicates the correlation between the illuminance value and the current value measured for each light emission control group GR and is stored in the recording area of the control unit 40. [

상기 상관 테이블(T2)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 정기적으로 갱신된다.The correlation table T2 is periodically updated, for example, as follows.

우선, 광원(4)[광방사창(6)]이 소정 높이로 설정된 상태에서, 제어부(40)로부터의 제어 신호에 의해 리니어 모터(34)가 구동되어, 대기 위치에 있었던 조도 센서(31)가 광방사창(6)의 하방으로 이동된다. 여기서, 광방사창(6)과 조도 센서(31)의 거리는, 광방사창(6)과 기판(G) 상면의 거리와 동등하므로, 조도 센서(31)에 의해 검출된 조도가, 기판(G)에 조사되는 조도로 된다.The linear motor 34 is driven by the control signal from the control unit 40 so that the illuminance sensor 31 at the stand-by position is driven by the control signal from the control unit 40, Is moved downward of the light-emitting window (6). Since the distance between the light emitting window 6 and the illuminance sensor 31 is equal to the distance between the light emitting window 6 and the upper surface of the substrate G, ).

그리고 발광 제어 그룹(GR)마다, 정격 전류 범위 내에서, 광원(4)의 발광 제어 그룹(GR)에 공급하는 순전류값이 증감되고, 그 발광 조도가 조도 센서(31)에 의해 검출되어, 조도와 전류값의 관계가 상기 상관 테이블(T2)에 기억된다.The net current value supplied to the light emission control group GR of the light source 4 is increased or decreased within the rated current range for each light emission control group GR and the light emission illuminance thereof is detected by the illuminance sensor 31, The relationship between the illuminance and the current value is stored in the correlation table T2.

이와 같이 도 6의 플로우를 따라 모든 파라미터가 구해지고 도 8의 레시피 테이블(T1)로 설정되어, 준비 공정이 완료된다(도 6의 스텝 St10).Thus, all the parameters are obtained in accordance with the flow of Fig. 6 and set to the recipe table T1 of Fig. 8, and the preparation process is completed (step St10 of Fig. 6).

계속해서, 국소 노광 장치(1)에 의한 국소 노광의 일련의 동작에 대해, 또한 도 10 내지 도 12를 사용하여 설명한다.Next, a series of operations of local exposure by the local exposure apparatus 1 will be described with reference to Figs. 10 to 12. Fig.

전단 공정에서의 처리 종료 후, 기판(G)이 기판 반송로(2)를 반송되어, 기판 검출 센서(39)에 의해 검출되면, 제어부(40)에 그 기판 검출 신호가 공급된다(도 10의 스텝 S1).When the substrate G is conveyed to the substrate conveying path 2 after the end of the process in the front end process and is detected by the substrate detecting sensor 39, the substrate detecting signal is supplied to the control section 40 Step S1).

제어부(40)는 상기 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여, 기판(G)의 반송 위치를 취득(검출) 개시한다(도 10의 스텝 S2).The control unit 40 acquires (detects) the transport position of the substrate G based on the substrate detection signal and the substrate transport speed (step S2 in Fig. 10).

그리고 제어부(40)는, 국소적으로 노광을 해야 하는 소정 에어리어가 광 조사 유닛(3)의 하방을 통과하는 타이밍에 있어서(도 10의 스텝 S3), 도 11에 모식적으로 도시한 바와 같이 광원(4)을 구성하는 발광 제어 그룹(GR1 내지 GRn)의 발광 제어를 행한다(도 10의 스텝 S4).11, at a timing when a predetermined area to be locally exposed passes through the lower part of the light irradiation unit 3 (Step S3 in Fig. 10), the control unit 40 controls the light source The light emission control of the light emission control groups GR1 to GRn constituting the light emission control unit 4 is performed (step S4 in Fig. 10).

여기서, 예를 들어 기판(G)의 소정 에어리어(AR)에 발광 조사하는 경우에는, 그 상방에 배치된 발광 제어 그룹(GRn-1, GRn-2)의 발광 제어가 이루어진다. 보다 구체적으로는, 도 12의 그래프[발광 제어 그룹(GRn-1, GRn-2)마다 시간 경과에 대한 방사속(와트)의 크기]에 나타낸 바와 같이, 광원 아래를 기판(G)의 소정 에어리어(AR)가 통과하는 동안, 방사속(W)의 크기가 변화되도록 공급되는 순전류의 제어가 행해진다.Here, for example, when light is radiated to a predetermined area AR of the substrate G, the light emission control of the light emission control groups GRn-1 and GRn-2 disposed thereon is performed. More specifically, as shown in the graph of Fig. 12 (magnitude of radiation (watts) with respect to time elapses for each of the light emission control groups GRn-1 and GRn-2) The control of the net current supplied so that the size of the radial velocity W is changed while the antenna AR passes.

이와 같이, 기판(G)의 소정 에어리어(AR)에 단순히 조사될 뿐만 아니라, 에어리어(AR) 내의 국소에 있어서 임의의 조도로의 조사가 이루어진다.In this way, not only is the light irradiated onto the predetermined area AR of the substrate G, but also irradiated at an arbitrary illuminance locally in the area AR.

또한, 기판(G)에 있어서, 이외에 국소적으로 노광해야 하는 에어리어가 있는 경우(도 10의 스텝 S5), 그 에어리어에 있어서 발광 제어 그룹(GR)의 발광 제어가 이루어지고, 이외에 없는 경우에는(도 10의 스텝 S5), 그 기판(G)에 대한 국소 노광 처리가 종료된다.10), the light emission control of the light emission control group GR is performed in that area. If there is no other area (step S5 in Fig. 10) 10), the local exposure process for the substrate G is terminated.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 이 국소 노광 처리(AE)에 더하여, 이 전단 혹은 후단에 있어서 행해지는 노광 처리(EXP)와 함께, 기판(G)에 대한 노광 처리가 완료되고, 그 노광 후의 레지스트막이 현상 장치(56)(DEV)에 의해 현상 처리된다.4, in addition to the local exposure process (AE), the exposure process for the substrate G is completed together with the exposure process (EXP) performed in the preceding stage or the succeeding stage, The developed resist film is developed by the developing device 56 (DEV).

이상과 같이, 본 발명에 관한 실시 형태에 따르면, 기판(G)에 형성된 레지스트 막 두께의 임의의 부위에 대한 국소적인 노광 처리에 있어서, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 라인 형상으로 배치된 복수의 UV-LED 소자(L)에 의해 복수의 발광 제어 그룹(GR)이 형성되고, 그 하방을 반송되는 기판(G)에 대해, 선택된 발광 제어 그룹(GR)이 발광 제어된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, in the local exposure processing for an arbitrary portion of the resist film thickness formed on the substrate G, a plurality of (for example, A plurality of light emission control groups GR are formed by the UV-LED element L and light emission control of the selected light emission control group GR is performed on the substrate G which is transported below the light emission control groups GR.

이에 의해, 막 두께를 보다 얇게 하고자 하는 임의의 부위에 대한 국소적인 노광 처리를 용이하게 행할 수 있어, 미리 설정된 노광량(조도)에 의해 원하는 막 두께로 감막할 수 있다.As a result, it is possible to easily perform a local exposure treatment on an arbitrary region where the film thickness is to be made thinner, and to perform filming at a desired film thickness by a predetermined exposure amount (illumination).

따라서, 예를 들어 하프 노광 처리에 있어서 레지스트막에 다른 막 두께(후막부와 박막부)를 갖게 하는 경우라도(즉, 박막부와 같이 얇은 막 두께라도), 현상 처리 후의 레지스트 막 두께를 균일하게 하고, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있다.Therefore, for example, even when the resist film has a different film thickness (thick film portion and thin film portion) in the half-exposure process (i.e., even with a thin film thickness as in the thin film portion) And the line width and the pitch deviation of the wiring pattern can be suppressed.

또한, 노광량(조도)의 설정에 있어서는, 미리 조도 센서(31)를 사용하여 모든 발광 제어 그룹(GR)에 대해 측정을 행하고, 그 구동 전류값과 조도의 관계를 상관 테이블로서 보유 지지함으로써, 고정밀도로 노광량을 조정할 수 있다.In the setting of the exposure amount (illuminance), measurement is performed for all the light emission control groups GR using the illuminance sensor 31 in advance, and the relationship between the drive current value and illuminance is held as a correlation table, The amount of road exposure can be adjusted.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 국소적으로 추가 노광을 행하는 에어리어를 기판면의 유효 에어리어 내로 한 예를 나타냈지만, 그것에 한정되는 것은 아니다.In the above embodiment, an example in which an area for performing additional exposure locally is set within an effective area of the substrate surface is shown, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 도 13에 도시한 바와 같이 기판(G)의 테두리부 영역(유효 에어리어의 주변)(E1)을 노광하는 처리에 사용할 수도 있다.For example, as shown in Fig. 13, it may be used for processing to expose a rim area E1 of the edge of the substrate G (periphery of the effective area).

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 복수개의 UV-LED 소자(L)로 이루어지는 발광 제어 그룹을 발광 제어 단위로 한 예를 나타냈지만, 그것에 한정되지 않고, 각 UV-LED 소자(L)를 발광 제어 단위로 하여, 보다 미세하게 국소 노광을 행하도록 해도 된다.In the above embodiment, an example in which the light emission control group composed of a plurality of UV-LED elements L is used as the light emission control unit is shown. However, the present invention is not limited to this, , And more finely localized exposure may be performed.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(G)을 평류 반송하면서 노광 처리를 행하는 경우를 예로 설명하였지만, 본 발명에 있어서는, 그 형태에 한정되지 않고, 피처리 기판을 챔버 내에 정지한 상태에서 보유 지지하고, 보유 지지한 기판에 대해 노광 처리를 행하는 구성이어도 된다.In the above-described embodiment, the case where the substrate G is subjected to the exposure processing while being transported in parallel is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the substrate to be processed may be held And the exposed and held substrate is subjected to exposure processing.

그 경우, 라인 형상 광원을 피처리 기판에 대해 이동시키도록 해도 된다(즉, 라인 형상 광원과 피처리 기판이 상대적으로 역방향으로 이동하는 구성이면 된다).In this case, the line-shaped light source may be moved with respect to the substrate to be processed (that is, a structure in which the line-shaped light source and the substrate to be processed are moved in the opposite direction).

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 하프 노광 처리 후의 레지스트 잔여막 두께를 균일하게 하는 경우를 예로 설명하였지만, 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서는, 하프 노광 처리에 한정되지 않고 적용할 수 있다. 예를 들어, 하프 노광 처리가 아닌 통상의 노광 처리를 행하는 경우이어도, 발명에 관한 국소 노광 방법을 적용함으로써, 레지스트 잔여막 두께를 면 내 균일하게 할 수 있다.In the above embodiment, a case has been described in which the thickness of the resist remnant film after the half exposure process is made uniform. However, in the local exposure method according to the present invention, the present invention is not limited to the half exposure process. For example, even when the normal exposure process is performed instead of the half-exposure process, the residual film thickness of the resist can be made uniform in the surface by applying the local exposure method according to the invention.

또한, 도 6의 스텝 St6, St7과 같이, 필요한 잔여막 두께에 기초하여 필요한 조도를 구하는 것에 한정되지 않고, 현상 처리 후의 패턴 선 폭을 측정하여 패턴 선 폭과 조도의 상관 데이터를 구하고, 그 상관 데이터에 기초하여 레시피 테이블을 작성해도 된다.Further, as in steps St6 and St7 in FIG. 6, the present invention is not limited to obtaining the required roughness based on the required remaining film thickness, but the pattern line width after development processing is measured to obtain correlation data of the pattern line width and roughness, A recipe table may be created based on the data.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 상관 테이블(T2)에 기초하여, 필요 조도로부터 전류값을 결정하고, 그 전류값만으로 조도의 제어를 행하는 것으로 하고 있다. 이때, 광 조사 유닛(3)의 높이는 고정이지만, 이 높이 위치는 적절하게 조정하고, 변경하도록 해도 된다.In the above embodiment, the current value is determined from the required illuminance based on the correlation table T2, and the illuminance is controlled only by the current value. At this time, the height of the light irradiation unit 3 is fixed, but the height position may be appropriately adjusted and changed.

예를 들어, 구동 전류가 일정해도, UV-LED 소자(L)의 경년 열화에 의해, 그 조도가 저하되는 것이 걱정된다. 그로 인해, 조도 측정의 결과, UV-LED 소자(L)에 대해 최대 전류의 부하를 가해도 원하는 조도가 얻어지지 않는 경우에는, 광 조도 유닛(3)을 기판(G)에 근접시켜 재측정하고, 그 결과 원하는 조도가 얻어진 경우에는, 그 높이 위치가 광 조도 유닛(3)의 높이 위치로서 새롭게 설정된다.For example, even if the driving current is constant, there is concern that the illuminance of the UV-LED element L deteriorates due to aged deterioration. As a result, if the desired roughness can not be obtained even if a load of the maximum current is applied to the UV-LED element L as a result of the roughness measurement, the light irradiating unit 3 is re-measured close to the substrate G , And as a result, when the desired illuminance is obtained, the height position is newly set as the height position of the light illuminance unit 3.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(G)에 형성된 레지스트막의 소정 영역의 막 두께로부터 조사해야 하는 조도를 결정하고, 상관 테이블에 기초하여 상기 조도로부터 구동 전류값을 구하는 것으로 하였다. 그러나 그와 같은 형태만으로 한정되는 것이 아니고, 상기 소정 영역에 있어서의 막 두께 변동값(감막 두께값)과, 그 소정 영역에 조사한 발광 제어 그룹(GR)의 구동 전류값의 관계를 도 14에 나타낸 바와 같은 상관 테이블(T3)에 데이터 베이스로서 축적해 두고, 그것을 이용해도 된다. 즉, 상기 상관 테이블(T3)에 기초하여 상기 소정 영역의 막 두께 변동값으로부터 직접, 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 발광 제어 그룹(GR)을 발광시키도록 해도 된다. 그와 같이 상관 테이블(T3)을 사용하는 경우에는, 파라미터로서 조도를 생략할 수 있으므로[즉, 조도와 구동 전류값의 상관 테이블(T2)을 이용하지 않아도 되므로], 조도 센서(31)를 사용한 조도 측정에 의한 정기적인 상관 테이블(T2)의 갱신 작업을 생략할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부분을 조합해 실시해도, 같은 작용, 효과를 얻는 것이 가능하다.In the above embodiment, the illuminance to be irradiated is determined from the film thickness of a predetermined region of the resist film formed on the substrate G, and the drive current value is determined from the illuminance based on the correlation table. However, the present invention is not limited to this, and the relationship between the film thickness variation value (the film thickness value) in the predetermined region and the driving current value of the emission control group GR irradiated on the predetermined region is shown in Fig. 14 Alternatively, it may be stored as a database in the correlation table T3 as shown in Fig. That is, the drive current value may be determined directly from the film thickness variation value of the predetermined region based on the correlation table T3, and the light emission control group GR may be caused to emit light by the drive current value. When the correlation table T3 is used as such, the illuminance can be omitted as a parameter (i.e., the correlation table T2 between illuminance and drive current value need not be used) The updating operation of the periodical correlation table T2 by the illumination measurement can be omitted. Further, even if a part of the above-described embodiment is combined, it is possible to obtain the same operation and effect.

1 : 국소 노광 장치
2 : 기판 반송로
3 : 광 조사 유닛
4 : 광원
9 : 발광 구동부
20 : 반송 롤러(기판 반송 수단)
39 : 기판 검출 센서(기판 검출 수단)
40 : 제어부
G : 글래스 기판(피처리 기판)
L : UV-LED 소자(발광 소자)
GR : 발광 제어 그룹
T1 : 레시피 테이블
T2 : 상관 테이블
T3 : 상관 테이블1: Local exposure apparatus
2: substrate transport path
3: light irradiation unit
4: Light source
9:
20: conveying roller (substrate conveying means)
39: Substrate detection sensor (substrate detection means)
40:
G: glass substrate (substrate to be processed)
L: UV-LED element (light emitting element)
GR: Light emission control group
T1: Recipe table
T2: correlation table
T3: correlation table

Claims (7)

기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며, 기판 반송로를 형성하고, 상기 기판을 상기 기판 반송로를 따라 평류 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 기판 반송로의 상방에 있어서, 기판 반송 방향에 교차하는 방향으로 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자를 갖고, 그 하방에 있어서 기판 반송 방향을 따라 상대적으로 이동되는 기판 상의 감광막에 대해, 상기 발광 소자의 발광에 의해 광 조사 가능한 광원과, 상기 광원을 구성하는 복수의 발광 소자 중, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어 단위로서 선택적으로 발광 구동 가능한 발광 구동부와, 상기 기판이 상기 광원의 하방으로 반송되지 않는 상태에서, 상기 기판에 대한 상기 광원으로부터의 광 조사 위치를 따라 기판 폭 방향으로 진퇴 가능하게 설치되고, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 조도 검출 수단과, 상기 조도 검출 수단이 검출한 조도와 상기 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블로서 기억하는 동시에, 상기 발광 구동부에 의한 상기 발광 소자의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대해, 그 막 두께에 기초하여 조사해야 하는 필요 조도를 구하는 동시에, 상기 소정 영역에 조사 가능한 상기 광원의 발광 소자에 대해, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 필요 조도로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키며, 상기 발광 구동부에 의해, 그 공급 전류에 따른 발광의 조사 조도를 가변으로 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.A substrate exposure apparatus for performing exposure processing on a predetermined region of a photoresist film formed on a substrate, comprising: substrate transfer means for forming a substrate transfer path and carrying the substrate in a parallel manner along the substrate transfer path; A plurality of light emitting elements arranged in a line in a direction crossing the substrate transport direction and having a plurality of light emitting elements arranged in a line in a direction crossing the substrate transport direction, A light emitting driver capable of selectively driving one or a plurality of light emitting elements as a light emission control unit among a plurality of light emitting elements constituting the light source; , And is disposed so as to be able to move forward and backward in the substrate width direction along the light irradiation position from the light source with respect to the substrate An illuminance detecting means for detecting an illuminance of light irradiated by the light source, and a control means for storing the relationship between the illuminance detected by the illuminance detecting means and the drive current value of the light emitting element as a correlation table, And a control unit for controlling driving of the light emitting element,
Wherein the control section obtains a required illuminance to be irradiated on a predetermined area of the photosensitive film formed on the substrate based on the film thickness and calculates a necessary illuminance for the light emitting element of the light source that can be irradiated on the predetermined area based on the correlation table Characterized in that the drive current value is determined from the required illuminance and the light emitting element is caused to emit light by the drive current value and the illumination illuminance of the light emission according to the supply current is variably controlled by the light emission drive section Exposure apparatus. 제1항에 있어서, 상기 조도 검출 수단은, 상기 기판과 동일한 높이 위치에 있어서 기판 폭 방향으로 진퇴 이동되는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The local exposure apparatus according to claim 1, wherein the illuminance detecting means is moved back and forth in the substrate width direction at the same height position as the substrate. 제1항에 있어서, 상기 광원은, 상기 기판에 대해 높이 위치 가변으로 설치되고,
상기 조도 검출 수단은, 상기 광원이 소정 높이에 고정된 상태에서, 상기 광원에 의해 조사된 광의 조도를 검출하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The apparatus according to claim 1, wherein the light source is installed at a height position with respect to the substrate,
Wherein the illuminance detecting means detects illuminance of light irradiated by the light source in a state where the light source is fixed at a predetermined height. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송로에 있어서 상기 광원보다도 상류측에 배치되고, 상기 기판 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판을 검출하는 기판 검출 수단을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판 검출 수단에 의한 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여 기판 반송 위치를 취득하고, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역이 상기 광원의 하방을 상대적으로 이동할 때, 상기 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자 중, 상기 소정 영역에 조사 가능한 발광 소자만이 발광하도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a substrate detecting means which is disposed upstream of the light source in the substrate transport path and detects the substrate transported by the substrate transporting means,
Wherein the control unit obtains the substrate transfer position based on the substrate detection signal and the substrate transfer speed by the substrate detection unit, and when a predetermined region of the photoresist film formed on the substrate relatively moves under the light source, Wherein the light emitting driver controls the light emitting driver so that only the light emitting elements which can be irradiated to the predetermined region emit light among the plurality of light emitting elements arranged. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원의 하방에는 광확산판이 설치되고,
상기 광원으로부터 발광된 광은, 상기 광확산판을 통해 상기 기판에 대해 방사되는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3, wherein a light diffusion plate is provided below the light source,
And the light emitted from the light source is radiated to the substrate through the light diffusion plate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 광원을 기판 폭 방향을 따라 복수의 발광 제어 그룹으로 나누는 동시에, 상기 발광 제어 그룹마다, 소정 범위 내의 복수의 구동 전류값과, 그 구동 전류값에 의한 조도를 상기 상관 테이블에 기억시키는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.4. The apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The light source is divided into a plurality of light emission control groups along the substrate width direction and a plurality of drive current values within a predetermined range and illuminance by the drive current value are stored in the correlation table for each light emission control group A local exposure apparatus. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막의 소정 영역에 대한 조사 및 현상 처리에 의해 증감한 막 두께의 변동값과, 상기 소정 영역에 조사한 발광 소자의 구동 전류값의 관계를 상관 테이블에 축적하고, 상기 상관 테이블에 기초하여 상기 막 두께 변동값으로부터 구동 전류값을 결정하고, 상기 구동 전류값에 의해 상기 발광 소자를 발광시키며, 상기 발광 구동부에 의해, 그 공급 전류에 따른 발광의 조사 조도를 가변으로 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.4. The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the control unit is configured to calculate, based on the variation in thickness of the film formed by irradiation and development processing on a predetermined region of the photoresist film formed on the substrate, And the driving current value is determined from the film thickness variation value based on the correlation table and the light emitting element is caused to emit light by the driving current value, , And controls irradiation intensity of light emission according to the supply current to be variable.
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