KR20120075121A - 메타물질의 셀 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 음의 투자율 주파수 대역조절이 가능한 메타물질의 셀 구조에 관한 것으로, 유전체 기판; 상기 유전체 기판의 상면에 배치되는 제1도체부; 상기 제1도체부에서 상기 제1도체부의 길이 방향과 다른 방향으로 연장되는 제2도체부; 상기 제2도체부에서 상기 제2도체부의 길이 방향과 다른 방향으로 연장되는 제3도체부; 상기 제1도체부에서 상기 제3도체부 측으로 이격되게 연장되는 제4, 제5도체부; 및 상기 제3도체부에서 상기 제1도체부 측으로 이격되게 연장되는 제6, 제7도체부를 포함하고, 상기 제6도체부는 상기 제4도체부의 하측에 배치되고, 상기 제7도체부는 상기 제4도체부와 상기 제5도체부 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다.

Description

메타물질의 셀 구조{METAMATERIAL STRUCTURES}
본 발명은 메타물질에 관한 것으로, 더 상세하게는 음의 투자율 주파수 대역조절이 가능한 메타물질의 셀 구조에 관한 것이다.
국내외 메타물질 분야에서 네가티브 인덱스(negative index)의 저주파 대역 및 대역폭 조절을 위해서 음의 투자율 특성을 갖는 SRR(Split Ring Resonator)에 대한 연구가 이루어지고 있다.
클로킹(Cloaking) 및 슈퍼 레졸루션(super-resolution)에서는 메타물질을 이용하여 각각의 특성을 향상시킬 수 있으며, 저주파 대역에서 적용시키기 위해서는 메타물질 셀 구조의 소형화가 필수적이다.
그리고 3G 이동통신과 초고속 인터넷 가입자가 꾸준히 늘어날 전망이기 때문에 음영지역에 고품질의 서비스를 제공하기 위해 중계기 및 모바일 분야에서 MIMO(Multiple Input Multiple Output) 안테나 시스템이 필수적이다.
이러한 중계기 안테나 및 MIMO 안테나의 소형화는 송수신 안테나가 제한된 공간에서 설계함으로써 두 안테나 사이의 우수한 격리도 특성을 요구한다.
종래의 메타물질이 갖는 음의 투자율 주파수 대역을 조절하기 위해서 복수의 유전체를 사용하여 유전체 사이의 간격을 조절하여 음의 투자율 대역 및 네가티브 인덱스 영역을 조절하는 방법이 있으며, 더블 분할 링 공진기(DSRR : double split ring resonator)를 사용하여 외부와 내부 갭(gap)의 각도를 조절하여 음의 투자율 대역을 조절하는 방법이 있다.
그리고 기본적인 분할 링 공진기(SRR : split ring resonator) 크기의 증가로 인덕턴스를 증가시켜 음의 투자율 특성을 저주파로 이동시키는 방법은 저주파로 이동시키기 위해서 메타물질 셀 구조가 증가하는 단점을 갖는다.
또한, SRR 구조의 갭 부분에 럼프드(lumped) 소자를 삽입하여 커패시터 값을 조절하여 음의 투자율 주파수 대역을 조절하는 방법이 있다.
기존의 메타물질 기본 셀에서 음의 투자율 주파수 대역을 조절하기 위해서는 기본 셀의 전체 크기를 조절하여 인덕턴스값을 조절하거나, 갭의 간격 조절 및 럼프드 소자를 이용하여 커패시턴스값을 조절하는 방법을 사용하였다.
또는 유전체의 간격 및 더블 분할 링 공진기(DSRR)의 내부의 갭과 외부의 갭 각도의 조절로 음의 투자율 주파수 대역을 조절하였다.
그러나, 이러한 방법은 저주파 대역에서 응용하기 위해서는 기본 셀의 크기의 증가 및 럼프드 소자의 사용으로 제작의 어려움 및 제작시 비용이 발생한다. 그리고 기존에 DSRR의 경우는 각각 갭 각도의 조절로 음의 투자율 주파수 대역이 저주파로 이동하는 것이 아니라 기본 구조의 주파수 대역에서 고주파로 이동하는 특성을 갖는다.
상기한 기술구성은 본 발명의 이해를 돕기 위한 배경기술로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 알려진 종래기술을 의미하는 것은 아니다.
본 발명은 분할 링 공진기(SRR)의 갭(gap) 구조를 인터디지탈(interdigital) 구조로 변경함으로써 구조적 변화에 따라서 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능한 메타물질의 셀 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 의한 메타물질의 셀 구조는, 유전체 기판; 상기 유전체 기판의 상면에 배치되는 제1도체부; 상기 제1도체부에서 상기 제1도체부의 길이 방향과 다른 방향으로 연장되는 제2도체부; 상기 제2도체부에서 상기 제1도체부와 마주보는 방향으로 연장되는 제3도체부; 상기 제1도체부에서 상기 제3도체부 측으로 이격되게 연장되는 제4, 제5도체부; 및 상기 제3도체부에서 상기 제1도체부 측으로 이격되게 연장되는 제6, 제7도체부를 포함하고, 상기 제4, 제5도체부는 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 상기 제6, 제7도체부와 이격되어 각각 교호로 교차되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제5도체부는 상기 제2도체부 측으로 연장되는 제1돌기부를 포함하고, 상기 제7도체부는 상기 제1돌기부와 반대방향으로 연장되는 제2돌기부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 유전체 기판은 유전율이 4.4인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 유전체 기판은 높이가 1mm인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 유전체 기판은 사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제1도체부와 상기 제2도체부와 상기 제3도체부는 사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제4, 제5도체부와 상기 제6, 제7도체부는 사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제4, 제5도체부와 상기 제6, 제7도체부는 0.5mm로 이격을 갖고 각각 교호로 교차되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명에 의한 메타물질의 셀 구조는 유전체 기판; 상기 유전체 기판의 상면에 배치되고, 갭을 갖는 공진링; 및 상기 공진링의 갭 사이에 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 배치되는 공진 인터디지탈;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 공진링은 갭을 갖는 사각 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 공진 인터디지탈은 상기 갭 사이에 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 이격되어 각각 교호로 교차되는 복수개의 도체부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 메타물질 응용분야인 슈퍼-레졸루션(Super-resolution), 클로킹(Cloaking) 분야에서 네가티브 인덱스(negative index) 대역 조절이 가능하고, 구조적 조절을 통해서 저주파 대역에서 메타물질 주기 구조를 소형화가 가능하다.
또한, 본 발명은 음의 투자율 주파수 대역을 조절 가능하여 MIMO 및 중계기 안테나의 격리도 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 메타물질의 셀 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 종래 기술에 의한 메타물질 셀 구조의 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 메타물질의 셀 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터디지탈(interdigital) 간의 간격 변화에 따른 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터디지탈(interdigital)의 길이의 변화에 따른 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인터디지탈(interdigital) 수에 따른 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명과 종래 기술에 의한 메타물질 셀 구조의 음의 투자율 특성을 비교한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 메타물질 셀 구조를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 메타물질의 셀 구조를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 SRR(split ring resonator)의 갭 부분을 인터디지탈(interdigital) 구조를 갖도록 구성한다.
도 3을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메타물질의 셀 구조는 유전체 기판(11)과 유전체 기판(11)의 상면에 배치되는 제1도체부(12-1)와, 제1도체부(12-1)에서 제1도체부(12-1)의 길이 방향과 다른 방향으로 연장되는 제2도체부(12-2)와, 제2도체부(12-2)에서 제1도체부(12-1)와 마주보는 방향으로 연장되는 제3도체부(12-3)를 포함한다.
그리고, 제1도체부(12-1)에서 제3도체부(12-3) 측으로 이격되게 연장되는 제4(12-4)와 제5도체부(12-5), 및 제3도체부(12-3)에서 제1도체부(12-1) 측으로 이격되게 연장되는 제6(12-6)와 제7도체부(12-7)를 포함한다.
여기서, 제4(12-4), 제5도체부(12-5)는 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 제6(12-6), 제7도체부(12-7)와 이격되어 각각 교호로 교차되어 배치된다.
또한, 제5도체부(12-5)는 제2도체부(12-2) 측으로 연장되는 제1돌기부(13-1)를 포함하고, 제7도체부(12-7)는 제1돌기부(13-1)와 반대방향으로 연장되는 제2돌기부(13-2)를 포함한다.
즉, 공진링(12-1,12-2,12-3)은 제1도체부(12-1)와 제2도체부(12-2)와 제3도체부(12-3)를 포함하고, 공진 인터디지탈(12-4,12-5,12-6,12-7)은 제4도체부(12-4)와 제5도체부(12-5) 제6도체부(12-6)와 제7도체부(12-7)를 포함한다.
한편, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 메타물질 셀 구조를 설명하기 위한 도면으로, 본 발명의 일 실시예에서는 제1도체부(12-1)와 제2도체부(12-2)와 제3도체부(12-3)가 사각 형상을 하는 것을 실시예로 설명하고 있으나, 도 8에 도시한 바와 같이, 갭 구조가 공진 인터디지탈 구조(12-4,12-5,12-6,12-7)를 갖는 원형 형상의 구조 또한 가능하다.
이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시시예에 따른 메타물질의 셀 구조는 공진 인터디지탈(12-4,12-5,12-6,12-7)의 간격, 길이 및 수의 변화에 따라 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하다.
유전체 기판(11)은 소정의 유전율을 갖고, RF신호의 매질에 해당한다.
본 발명에 따른 유전체 기판(11)은 유전율이 4.4이고, 높이 1mm의 범용적으로 사용되는 글라스 에폭시 기판(FR-4)일 수 있으며, 크기는 15 mm × 15 mm로 사각형의 유전체 기판으로 형성될 수 있다. 유전체 기판(11)의 FR-4 기판을 사용함으로써 본 발명에 따른 메타물질 기본 셀 구조는 저비용으로 대량 생산될 수 있다.
공진링(12-1,12-2,12-3)은 기판(11)의 전면에 갭을 갖는 사각링의 도체로 구성될 수 있으며, 공진기로 동작할 수 있다.
또한 공진 인터디지탈(12-4,12-5,12-6,12-7)은 기판 (11)의 전면에 공진링(12-1)의 갭 부분에 사각 도체로 구성될 수 있으며, 메타물질 기본 셀 구조의 커패시턴스를 제공한다.
본 발명에 따른 공진링(12-1,12-2,12-3)은 유전체 기판의 네 모서리에서 0.5mm의 간격을 갖고, 전체 크기는 14 mm × 14 mm, 폭 2.5mm 로 제공 될 수 있으며, 특정 주파수 대역에서 음의 투자율을 제공한다. 이때, 공진링(12-1,12-2,12-3)의 크기 변화에 따라 음의 투자율 주파수 대역을 옮길 수 있다.
본 발명에 따른 공진 인터디지탈(12-4,12-5,12-6,12-7)의 수는 4개, 각각의 크기는 0.5 mm × 8.5 mm로 제공 될 수 있으며, 커패시턴스의 증가로 음의 투자율 주파수 대역을 저주파로 옮길 수 있어 크기의 제약을 제거하였다.
공진 인터디지탈(12-4,12-5,12-6,12-7)의 수와 길이 및 각각의 간격의 조절로 커패시턴스를 조절하여 음의 투자율 주파수를 원해는 대역으로 이동 시킬 수 있다. 음의 투자율 주파수를 얻기 위해서 유전체의 두께의 변화 또한 본 발명의 범주에 용이하게 사용될 수 있다는 것을 당업자는 이해하여야 할 것이다.
공진링(12-1,12-2,12-3) 및 공진 인터디지탈(12-4,12-5,12-6,12-7)은 원하는 대역에의 음의 투자율 특성을 확보하기 위해서 공진구조의 모양을 사각형이 아닌 마름모 및 원형 또는 다른 형태를 형성하여도 용이하게 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터디지탈 간의 간격 변화에 따른 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 메타물질 셀 구조는 인터디지탈 구조의 간격의 조절로 음의 투자율 주파수 대역을 저주파로 이동 시킬 수 있고, 기존의 SRR이 갖는 2 GHz 대역의 음의 투자율 특성을 0.9 GHz 까지 이동 시킬 수 있는 것을 확인할 수 있다.
이것은 각각의 공진 인터디지탈 간의 간격의 조절로 커패시턴스의 증가로 음의 투자율 특성이 저주파로 이동한다는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터디지탈의 길이의 변화에 따른 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 메타물질 셀 구조는 인터디지탈의 길이가 증가 할수록 음의 투자율 주파수 대역은 저주파로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 이것은 인터디지탈의 길이가 증가하고 인터디지탈 간의 커플링이 증가하여 서로의 커패시턴스의 증가로 음의 투자율 특성이 저주파로 이동한다는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인터디지탈 수에 따른 음의 투자율 특성을 도시한 도면이다.
본 발명에 따른 메타물질 셀 구조는 인터디지탈 개수의 증가에 따라 음의 투자율 특성이 저주파로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 이것은 인터디지탈 개수의 증가는 메타물질 셀 구조의 커패시턴스를 증가시키고 음의 투자율 대역을 저주파로 이동한다는 것을 확인할 수 있다.
도 7은 본 발명과 종래 기술에 의한 메타물질 셀 구조의 음의 투자율 특성을 비교한 도면이다.
본 발명에 따른 인터디지탈 구조를 포함하는 SRR 구조는 2GHz에서 기존의 SRR이 갖는 음의 투자율 대역을 1.1 GHz 대역까지 이동 한 것을 확인 할 수 있다. 이것은 같은 크기의 SRR 구조에서 갭 부분을 인터디지탈 구조로 사용함으로서 크기의 증가 없이 인터디지탈의 커패시턴스 조절로 음의 투자율 주파수 대역을 저주파로 이동할 수 있음을 확인할 수 있다.
그리고 기존의 SRR 구조에 비하여 인터디지탈 구조를 사용함으로써 소형화가 가능함을 확인할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 메타물질 응용분야인 슈퍼-레졸루션(Super-resolution), 클로킹(Cloaking) 분야에서 네가티브 인덱스(negative index) 대역 조절이 가능하고, 구조적 조절을 통해서 저주파 대역에서 메타물질 주기 구조를 소형화가 가능하고, 음의 투자율 주파수 대역을 조절 가능하여 MIMO 및 중계기 안테나의 격리도 특성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
11 : 유전체 기판
12-1, 12-2, 12-3 : 공진링
12-4, 12-5, 12-6, 12-7 : 공진 인터디지탈
12-1 : 제1도체부 12-2 : 제2도체부
12-3 : 제3도체부 12-4 : 제4도체부
12-5 : 제5도체부 12-6 : 제6도체부
12-7 : 제7도체부

Claims (11)

  1. 유전체 기판;
    상기 유전체 기판의 상면에 배치되는 제1도체부;
    상기 제1도체부에서 상기 제1도체부의 길이 방향과 다른 방향으로 연장되는 제2도체부;
    상기 제2도체부에서 상기 제1도체부와 마주보는 방향으로 연장되는 제3도체부;
    상기 제1도체부에서 상기 제3도체부 측으로 이격되게 연장되는 제4, 제5도체부; 및
    상기 제3도체부에서 상기 제1도체부 측으로 이격되게 연장되는 제6, 제7도체부를 포함하고,
    상기 제4, 제5도체부는 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 상기 제6, 제7도체부와 이격되어 각각 교호로 교차되어 배치되는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제5도체부는 상기 제2도체부 측으로 연장되는 제1돌기부를 포함하고,
    상기 제7도체부는 상기 제1돌기부와 반대방향으로 연장되는 제2돌기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판은
    유전율이 4.4인 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판은
    높이가 1mm인 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판은
    사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제1도체부와 상기 제2도체부와 상기 제3도체부는
    사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제4, 제5도체부와 상기 제6, 제7도체부는
    사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제4, 제5도체부와 상기 제6, 제7도체부는
    0.5mm로 이격을 갖고 각각 교호로 교차되어 배치되는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  9. 유전체 기판;
    상기 유전체 기판의 상면에 배치되고, 갭을 갖는 공진링; 및
    상기 공진링의 갭 사이에 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 배치되는 공진 인터디지탈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 공진링은
    갭을 갖는 사각 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 공진 인터디지탈은
    상기 갭 사이에 음의 투자율 주파수 대역 조절이 가능하도록 이격되어 각각 교호로 교차되는 복수개의 도체부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메타물질의 셀 구조.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451705B1 (ko) * 2013-09-12 2014-10-22 광운대학교 산학협력단 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
US10573951B2 (en) 2016-08-11 2020-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Split resonator and printed circuit board including the same
CN116087138A (zh) * 2022-11-25 2023-05-09 华中科技大学 一种具有交叉指形结构的太赫兹超材料传感器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451705B1 (ko) * 2013-09-12 2014-10-22 광운대학교 산학협력단 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
US10573951B2 (en) 2016-08-11 2020-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Split resonator and printed circuit board including the same
CN116087138A (zh) * 2022-11-25 2023-05-09 华中科技大学 一种具有交叉指形结构的太赫兹超材料传感器
CN116087138B (zh) * 2022-11-25 2023-10-27 华中科技大学 一种具有交叉指形结构的太赫兹超材料传感器

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