KR20120072799A - 주파수 가변형 발룬 회로 - Google Patents

주파수 가변형 발룬 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20120072799A
KR20120072799A KR1020100134695A KR20100134695A KR20120072799A KR 20120072799 A KR20120072799 A KR 20120072799A KR 1020100134695 A KR1020100134695 A KR 1020100134695A KR 20100134695 A KR20100134695 A KR 20100134695A KR 20120072799 A KR20120072799 A KR 20120072799A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
variable
transmission line
balun circuit
frequency
capacitance value
Prior art date
Application number
KR1020100134695A
Other languages
English (en)
Inventor
이동환
윤희수
김윤동
장수봉
이경호
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020100134695A priority Critical patent/KR20120072799A/ko
Priority to US13/185,663 priority patent/US20120161896A1/en
Publication of KR20120072799A publication Critical patent/KR20120072799A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices

Landscapes

  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

본 발명은 서로 크기가 같고 소정의 위상 차를 갖는 평형 신호를 출력 또는 입력하는 제1 및 제2 평형 단자, 제1 및 제2 평형 단자 사이를 소정의 위상 차로 유지시키는 제1 전송 선로, 제1 전송 선로와 불평형 신호가 입력 또는 출력되는 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터, 불평형 단자와 제2 평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 가변 용량 소자, 제1 인덕터와 제1 바렉터 다이오드 사이에 연결되는 제2 전송 선로 및 제2 전송 선로에 병렬 연결되는 제2 가변 용량 소자를 포함하는 주파수 가변형 발룬 회로로 임피던스 매칭 특성, 신호 전송 특성 및 신호 격리 특성을 향상시키면서도 동작 주파수를 용이하게 가변할 수 있는 장점이 있다.

Description

주파수 가변형 발룬 회로{FREQUENCY TUNABLE BALUN CIRCUIT}
본 발명은 주파수 가변형 발룬 회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불평형 신호(평형 신호)를 평형 신호(불평형 신호)로 변환하며 동작 주파수를 가변할 수 있는 주파수 가변형 발룬 회로에 관한 것이다.
일반적으로 발룬(Balun)이란 Balance to Unbalance Transformer의 약자로서, 평형 신호(Balanced Signal)를 불평형 신호(Unbalanced Signal)로 변환하거나 그 반대로 불평형 신호를 평형 신호로 변환하는 소자 및 회로를 말한다.
도 1은 종래 기술에 따른 발룬 회로의 구성도를 나타낸다.
도 1에 도시한 바와 같이, 발룬 회로는 입력 단자(11)와 제1 출력 단자(12) 사이에 형성된 제1 인덕터(14) 및 복수의 제2 커패시터(15a)(15b)를 포함하여 발룬 회로의 중심 주파수를 차단 주파수로 하는 저역 통과 필터로 동작하고, 입력 단자(11)와 제2 출력 단자(13) 사이에 형성된 제1 커패시터(16) 및 복수의 제2 인덕터(17a)(17b)를 포함하여 고역 통과 필터로 동작한다.
그러나, 상술한 바와 같이 발룬 회로를 구현하면, 입력 단자와 제1 및 제2 출력 단자 사이의 신호 전송 특성, 불평형 단자의 반사 손실 특성 및 두 평형 단자의 신호 격리 특성이 우수하지 못한 문제점이 있었다.
본 발명의 사상은 공진 가능한 전송 선로를 이용하여 임피던스 매칭 특성, 신호 전송 특성 및 신호 격리 특성을 향상시키면서도 동작 주파수를 용이하게 가변할 수 있는 주파수 가변형 발룬 회로를 제공함에 있다.
이를 위해 본 발명의 일실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로는 서로 크기가 같고 소정의 위상 차를 갖는 평형 신호를 출력 또는 입력하는 제1 및 제2 평형 단자; 상기 제1 및 제2 평형 단자 사이를 소정의 위상 차로 유지시키는 제1 전송 선로; 상기 제1 전송 선로와 불평형 신호가 입력 또는 출력되는 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터; 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 가변 용량 소자; 상기 제1 인덕터와 상기 제1 바렉터 다이오드 사이에 연결되는 제2 전송 선로; 상기 제2 전송 선로에 병렬 연결되는 제2 가변 용량 소자를 포함한다.
여기서, 상기 제2 전송 선로는 특성 임피던스 및 전기적 길이를 가지며, 상기 특성 임피던스 및 전기적 길이에 따라 동작 주파수를 결정한다.
그리고, 상기 제1 및 제2 가변 용량 소자는 용량 값을 조절하여 상기 동작 주파수를 가변시킨다.
또한, 상기 제1 및 제2 가변 용량 소자는 인가되는 전압에 따라 용량 값이 가변한다.
이때, 상기 제1 및 제2 가변 용량 소자는 바렉터 다이오드로 구성된다.
게다가, 상기 제2 가변 용량 소자는 용량 값을 조절하여 상기 불평형 단자인 입력 단자에서의 반사 손실이 최소가 되는 지점에서의 임피던스 매칭 주파수를 가변시킨다.
또한, 상기 제1 가변 용량 소자는 용량 값을 조절하여 상기 제1 및 제2 평형 단자로의 전송 특성 곡선이 만나는 지점에서의 상기 동작 주파수를 조절한다.
한편, 상기 소정의 위상 차는 180도인 것이 바람직하다.
아울러, 상기 제2 전송 선로는 일단이 상기 제1 인덕터와 상기 제1 가변 용량 소자 사이에 연결되고, 타단은 접지된다.
이때, 상기 제2 전송 선로는 제2 가변 용량 소자의 용량 값에 따라 0도를 초과한 90도 미만의 전기적 길이를 가진다.
한편, 상기 제2 전송 선로는 일단이 상기 제1 인덕터와 상기 제1 가변 용량 소자 사이에 연결되고, 타단은 개방된다.
이때, 상기 제2 전송 선로는 제2 가변 용량 소자의 용량 값에 따라 90도를 초과한 180도 미만의 전기적 길이를 가진다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로에 따르면, 공진 가능한 전송 선로를 이용하여 임피던스 매칭 특성, 신호 전송 특성 및 신호 격리 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 가변형 용량 소자를 이용하여 동작 주파수를 용이하게 가변할 수 있는 장점이 있다.
즉, 기존의 세라믹을 이용하여 적층형 칩 형태 등으로 구현되던 발룬 회로를 RFIC, MMIC, RF-MEMS 등에서 구현이 용이한 형태로 만들어 집적 회로 상에 일체화시킬 수 있고, 이와 동시에 동작 주파수를 용이하게 조절할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발룬 회로의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시한 주파수 가변형 발룬 회로의 등가 회로도이다.
도 4a는 인가되는 전압에 따른 바렉터 다이오드의 용량 값을 도시한 표이다.
도 4b는 도 4a의 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 구성도이다.
도 6은 도 5에 도시한 주파수 가변형 발룬 회로의 등가 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
도 12는 본 발명의 제6 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
도 13은 본 발명의 제7 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프이다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 구성도 및 도 3은 도 2에 도시한 주파수 가변형 발룬 회로의 등가 회로도를 나타낸다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 주파수 가변형 발룬 회로(100)는 불평형 단자(110), 제1 및 제2 평형 단자(120, 130), 제1 전송 선로(140), 제1 인덕터(150), 제1 가변 용량 소자(160), 제2 전송 선로(170) 및 제2 가변 용량 소자(180)를 포함하여 구성된다.
불평형 단자(110)는 불평형 신호(Unbalanced Signal)가 입력 또는 출력되는 수단으로서, 본 발명의 일실시예에서는 입력 단자(input)로 구성될 수 있다.
제1 및 제2 평형 단자(120, 130)는 서로 크기가 같고 180도의 위상 차를 갖는 제1 및 제2 평형 신호(Balanced Signal)를 출력 또는 입력하는 수단으로서, 본 발명의 일실시예에서는 제1 및 제2 출력 단자(out1, out2)로 구성될 수 있다.
제1 전송 선로(140)는 제1 및 제2 평형 단자(120, 130) 사이를 소정의 위상 차로 유지시키는 전송 선로로서, 소정의 위상 차는 180도인 것이 바람직하며, 180도±오차를 포함할 수 있다.
이러한 제1 전송 선로(140)는 제1 특성 임피던스(Z1) 및 제1 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 제1 전송 선로(140)의 제1 특성 임피던스(Z1) 및 제1 전기적 길이(φ1)는 주파수 가변형 발룬 회로(100)의 특성에 따라 가변할 수 있다.
제1 인덕터(150)는 불평형 단자(110)와 제1 전송 선로(140) 사이에 직렬 연결되어 주파수 가변형 발룬 회로(100)를 구성한다.
제1 가변 용량 소자(160)는 인가되는 전압(V1)에 따라 용량 값이 가변하는 수단으로서, 불평형 단자(110)와 제2 평형 단자(130) 사이에 직렬로 연결된다.
또한, 제1 가변 용량 소자(160)는 제1 바렉터 다이오드(Varacter diode, 162)로 구성될 수 있는데, 제1 바렉터 다이오드(162)는 역방향으로 인가되는 전압에 반비례하여 용량 값이 가변한다.
도 4a는 인가되는 전압에 따른 바렉터 다이오드의 용량 값을 도시한 표 및 도 4b는 도 4a의 그래프로서, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 인가 전압(V)은 바렉터 다이오드에 인가되는 역방향 바이어스(bias) 전압이고, SMV1405, SMV1408, SMV1413은 바렉터 다이오드의 종류를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b의 표 및 그래프에서와 같이, 인가되는 역방향 바이어스 전압에 따라 바렉터 다이오드의 용량 값이 가변하는 것을 알 수 있다.
또한, 바렉터 다이오드의 종류에 따라 용량 값의 가변 정도가 달라진다는 것도 알 수 있다.
이에 따라, 제1 가변 용량 소자(160)인 제1 바렉터 다이오드(162)는 인가되는 역방향 바이어스 전압에 따라 용량 값을 조절하여 제1 및 제2 평형 단자(120, 130)로의 전송 특성 곡선이 만나는 점에서의 동작 주파수를 조절한다.
제2 전송 선로(170)는 일단이 제1 인덕터(150)와 제1 가변 용량 소자(160) 사이에 연결되고, 타단은 접지된다. 이러한 제2 전송 선로(170)는 제2 특성 임피던스(Z2) 및 제2 전기적 길이(φ2)로 표현될 수 있으며, 제2 전송 선로(170)의 제2 특성 임피던스(Z2) 및 제2 전기적 길이(φ2)는 주파수 가변형 발룬 회로(100)의 특성에 따라 가변할 수 있다.
그리고, 제2 전송 선로(170)의 제2 전기적 길이(φ2)는 제2 가변 용량 소자(180)의 용량 값에 따라 0도를 초과한 90도 미만의 전기적 길이를 가질 수 있다.
또한, 상술한 전송 선로는 인덕터(L)와 커패시터(C)로 구성된 공진 회로를 대체하여 공진 동작을 수행한다.
제2 가변 용량 소자(180)는 인가되는 전압(V2)에 따라 용량 값이 가변하는 수단으로서, 제2 전송 선로(170)에 병렬 연결된다.
또한, 제2 가변 용량 소자(180)는 제2 바렉터 다이오드(Varacter diode, 182)로 구성될 수 있는데, 제2 바렉터 다이오드(182)는 역방향으로 인가되는 바이어스 전압에 반비례하여 용량 값이 가변한다.
이에 따라, 제2 가변 용량 소자(180)는 인가되는 역방향 바이어스 전압에 따라 용량 값을 조절하여 제2 전송 선로(170)의 제2 전기적 길이(φ2) 및 동작 주파수를 가변할 수 있다. 부가하여 설명하면, 제2 가변 용량 소자(180)는 용량 값을 조절하여 불평형 단자인 입력 단자에서의 반사 손실이 최소가 되는 지점에서의 임피던스 매칭 주파수를 가변시킬 수 있는데, 이때, 임피던스 매칭 주파수는 최대 임피던스 매칭 주파수로 구성된다.
한편, 불평형 단자(110)인 입력 단자(input)에 연결되는 저항(Z0)은 불평형 신호가 입력되는 입력 단자(input)의 특성 임피던스를 나타내고, 제1 및 제2 평형 단자(120, 130)인 제1 및 제2 출력 단자(out1, out2)에 각각 연결되는 저항(RL)은 제1 및 제2 평형 신호(120, 130)가 출력되는 제1 및 제2 출력 단자(out1, out2)의 부하 임피던스를 나타낸다.
아울러, 입력 단자(input) 및 제1 및 제2 출력 단자(out1, out2)는 유입되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 구성도 및 도 6은 도 5에 도시한 주파수 가변형 발룬 회로의 등가 회로도를 나타낸다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 주파수 가변형 발룬 회로(100)는 불평형 단자(110), 제1 및 제2 평형 단자(120, 130), 제1 전송 선로(140), 제1 인덕터(150), 제1 가변 용량 소자(160), 제2 전송 선로(170) 및 제2 가변 용량 소자(180)를 포함하여 구성된다.
이하, 기능이 동일한 구성은 본 발명의 일실시예에서 설명하였으므로 생략하기로 한다.
제2 전송 선로(170)는 일단이 제1 인덕터(150)와 제1 가변 용량 소자(160) 사이에 연결되고, 타단은 개방된다. 이러한 제2 전송 선로(170)는 제2 특성 임피던스(Z2) 및 제2 전기적 길이(φ2)로 표현될 수 있으며, 제2 전송 선로(170)의 제2 특성 임피던스(Z2) 및 제2 전기적 길이(φ2)는 주파수 가변형 발룬 회로(100)의 특성에 따라 가변할 수 있다.
그리고, 제2 전송 선로(170)의 타단은 개방되었기 때문에 제2 전기적 길이(φ2)는 제2 가변 용량 소자(180)인 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값에 따라 90도를 초과한 180도 미만의 전기적 길이를 가질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 제1 내지 제7 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성에 대하여 설명하도록 한다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 제1 내지 제7 실시예에 의한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성 그래프를 나타낸다.
우선, 도 7은 중심 주파수를 2.5GHz, 입력 임피던스(Z0)를 50Ω, 출력 임피던스(RL)를 50Ω, 제1 인덕터를 3.183nH로 설정하고, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 1.25pF, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값을 1.25pF으로 설정하여 주파수 가변형 발룬 회로의 특성을 측정하였다.
또한, 제1 전송 선로(140)의 제1 특성 임피던스(Z1)는 50Ω, 제1 전송 선로(140)의 제1 전기적 길이(φ1)는 90도로 하고, 제2 전송 선로(170)의 제2 특성 임피던스(Z2)는 39Ω, 제2 전송 선로(170)의 제2 전기적 길이(φ2)는 52도로 설정하였다.
그리고, 제1 곡선(①)은 입력 단자(input)에서의 반사 손실, 제2 곡선(②)은 입력 단자(input)에서 제1 출력 단자(out1)로의 전송 특성, 제3 곡선(③)은 입력 단자(input)에서 제2 출력 단자(out2)로의 전송 특성을 나타낸다.
도 7의 특성 그래프를 살펴보면, 상술한 설정 조건에서는 주파수 가변형 발룬 회로의 동작 주파수가 2.5GHz인 것을 알 수 있다.
도 8은 도 7과 동일한 설정 조건 하에서 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값은 도 7과 동일하게 1.25pF로 고정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 0.63pF으로 변경하여 설정하였다.
상술한 바와 같이, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 고정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값을 감소하였을 때, 주파수 가변형 발룬 회로의 동작 주파수는 2.5GHz에서 3.1GHz로 증가하는 것을 알 수 있다.
도 9는 도 7과 동일한 설정 조건 하에서 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값은 도 7과 동일하게 1.25pF로 고정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 2.67pF으로 변경하여 설정하였다.
상술한 바와 같이, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 고정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값을 증가하였을 때, 주파수 가변형 발룬 회로의 동작 주파수는 2.5GHz에서 1.9GHz로 감소하는 것을 알 수 있다.
이와 같이 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 고정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값을 조절하였을 때, 입력 단자에서의 반사 손실이 최소가 되는 지점에서의 최대 임피던스 매칭 주파수를 가변시킬 수 있다.
도 10은 도 7과 동일한 설정 조건 하에서 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 1.25pF로 고정하고, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 0.63pF으로 변경하여 설정하였다.
이와 같이, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값을 고정하고, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 감소하였을 때, 두 평형 단자로의 전송 특성인 제2 곡선(②) 및 제3 곡선(③)이 만나는 주파수가 가변한다는 것을 알 수 있다. 즉, 도 10에서는 두 평형 단자로의 전송 특성인 제2 곡선(②) 및 제3 곡선(③)이 만나는 주파수가 2.5GHz에서 3.6GHz로 증가하는 것을 알 수 있다.
도 11은 도 7과 동일한 설정 조건 하에서 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 1.25pF로 고정하고, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 2.67pF으로 변경하여 설정하였다.
이와 같이, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값을 고정하고, 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값을 증가하였을 때, 두 평형 단자로의 전송 특성인 제2 곡선(②) 및 제3 곡선(③)이 만나는 주파수가 2.5GHz에서 1.6GHz로 감소하는 것을 알 수 있다.
도 12는 도 7과 동일한 설정 조건 하에서 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값은 1.84pF로 설정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 2.12pF으로 설정한 경우의 주파수 가변형 발룬 회로의 특성을 나타내고, 도 13은 도 7과 동일한 설정 조건 하에서 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값은 0.95pF로 설정하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 0.77pF으로 설정한 경우 주파수 가변형 발룬 회로의 특성을 나타낸다.
도 12 및 도 13에서와 같이, 도 12에서는 주파수 가변형 발룬 회로의 동작 주파수 및 제2 곡선(②) 및 제3 곡선(③)이 만나는 주파수가 2.5GHz에서 2Hz로 감소하였으며, 도 13에서는 주파수 가변형 발룬 회로의 동작 주파수 및 제2 곡선(②) 및 제3 곡선(③)이 만나는 주파수가 2.5GHz에서 2.9GHz로 증가하는 것을 알 수 있다.
결론적으로, 도 7 내지 도 13에 도시한 주파수 가변형 발룬 회로의 특성에 따라 제1 바렉터 다이오드(162)의 용량 값은 두 평형 단자로의 전송 특성인 제2 곡선(②)과 제3 곡선(③)이 만나는 동작 주파수의 크기를 조절하고, 제2 바렉터 다이오드(182)의 용량 값은 제1 곡선(①)의 크기가 최소가 되는 즉, 입력 반사 계수가 최소가 되는 지점에서의 최대 임피던스 매칭 주파수를 결정한다는 것을 알 수 있다. 즉, 제1 및 제2 바렉터 다이오드(162, 182)로 인가되는 역방향 바이어스 전압을 조절하여 동작 주파수를 자유롭게 조절할 수 있게 된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
100. 주파수 가변형 발룬 회로
110. 불평형 단자 120, 130. 제1 및 제2 평형 단자
140. 제1 전송 선로 150. 제1 인덕터
160. 제1 가변 용량 소자 162. 제1 바렉터 다이오드
170. 제2 전송 선로
180. 제2 가변 용량 소자 182. 제2 바렉터 다이오드

Claims (12)

  1. 서로 크기가 같고 소정의 위상 차를 갖는 평형 신호를 출력 또는 입력하는 제1 및 제2 평형 단자;
    상기 제1 및 제2 평형 단자 사이를 소정의 위상 차로 유지시키는 제1 전송 선로;
    상기 제1 전송 선로와 불평형 신호가 입력 또는 출력되는 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;
    상기 불평형 단자와 상기 제2 평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 가변 용량 소자;
    상기 제1 인덕터와 상기 제1 바렉터 다이오드 사이에 연결되는 제2 전송 선로;
    상기 제2 전송 선로에 병렬 연결되는 제2 가변 용량 소자를 포함하는 주파수 가변형 발룬 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로는,
    특성 임피던스 및 전기적 길이를 가지며,
    상기 특성 임피던스 및 전기적 길이에 따라 동작 주파수를 결정하는 주파수 가변형 발룬 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 가변 용량 소자는,
    용량 값을 조절하여 상기 동작 주파수를 가변시키는 주파수 가변형 발룬 회로.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 가변 용량 소자는,
    인가되는 전압에 따라 용량 값이 가변하는 주파수 가변형 발룬 회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 가변 용량 소자는,
    바렉터 다이오드인 주파수 가변형 발룬 회로.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 가변 용량 소자는,
    용량 값을 조절하여 상기 불평형 단자인 입력 단자에서의 반사 손실이 최소가 되는 지점에서의 임피던스 매칭 주파수를 가변시키는 주파수 가변형 발룬 회로.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 가변 용량 소자는,
    용량 값을 조절하여 상기 제1 및 제2 평형 단자로의 전송 특성 곡선이 만나는 지점에서의 상기 동작 주파수를 조절하는 주파수 가변형 발룬 회로.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 위상 차는,
    180도인 주파수 가변형 발룬 회로.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로는,
    일단이 상기 제1 인덕터와 상기 제1 가변 용량 소자 사이에 연결되고, 타단은 접지되는 주파수 가변형 발룬 회로.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로는,
    상기 제2 가변 용량 소자의 용량 값에 따라 0도를 초과한 90도 미만의 전기적 길이를 가지는 주파수 가변형 발룬 회로.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로는,
    일단이 상기 제1 인덕터와 상기 제1 가변 용량 소자 사이에 연결되고, 타단은 개방되는 주파수 가변형 발룬 회로.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로는,
    상기 제2 가변 용량 소자의 용량 값에 따라 90도를 초과한 180도 미만의 전기적 길이를 가지는 주파수 가변형 발룬 회로.
KR1020100134695A 2010-12-24 2010-12-24 주파수 가변형 발룬 회로 KR20120072799A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100134695A KR20120072799A (ko) 2010-12-24 2010-12-24 주파수 가변형 발룬 회로
US13/185,663 US20120161896A1 (en) 2010-12-24 2011-07-19 Frequency tunable balun circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100134695A KR20120072799A (ko) 2010-12-24 2010-12-24 주파수 가변형 발룬 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120072799A true KR20120072799A (ko) 2012-07-04

Family

ID=46315933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100134695A KR20120072799A (ko) 2010-12-24 2010-12-24 주파수 가변형 발룬 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120161896A1 (ko)
KR (1) KR20120072799A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9712119B2 (en) * 2014-10-25 2017-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier with tunable input network
US9634639B2 (en) 2015-09-10 2017-04-25 Harris Corporation Tunable electronic circuit which converts balanced signals to unbalanced signals
US10200009B2 (en) 2016-08-31 2019-02-05 Analog Devices Global Switchable transformer-based balun

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6621370B1 (en) * 2000-09-15 2003-09-16 Atheros Communications, Inc. Method and system for a lumped-distributed balun

Also Published As

Publication number Publication date
US20120161896A1 (en) 2012-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7327131B2 (en) Balun transformer and low-pass filter
US7468642B2 (en) Multi band pass filters
TWI404087B (zh) 平衡-非平衡信號變壓器及形成方法
US7199684B2 (en) Filter circuit with a filter stage and balun on a single substrate
US7583160B2 (en) Broadband transmission line transformer
RU2453985C1 (ru) Высокоизбирательный полосовой перестраиваемый lc-фильтр
WO2014193501A1 (en) Signal handling apparatus for improving linearity of radio frequency circuits
US8299869B2 (en) Setting of a balun
US20140320230A1 (en) Multi-loop transformer having wideband frequency applications
US20040169566A1 (en) Frequency-selective balun transformer
RU2459349C2 (ru) Полосовой перестраиваемый lc-фильтр
US20150035595A1 (en) Low-noise receiver with complex rf attenuator
KR20120072799A (ko) 주파수 가변형 발룬 회로
RU2396702C1 (ru) Полосовой lc-фильтр с регулируемой шириной полосы пропускания
RU2402159C2 (ru) Полосовой перестраиваемый самосогласующийся lc-фильтр
KR19990044630A (ko) 고임피던스 비 광대역 트랜스포머 회로
US20160352303A1 (en) Multilayer electronic component
CN114785297A (zh) 功率放大器及其输入匹配网络
KR101977832B1 (ko) 비대칭 구조의 집중소자 기반 방향성 결합기
US9172349B2 (en) Switchable frequency diplexer circuit
RU2560785C2 (ru) Двухполосный пьезоэлектрический фильтр
KR100775559B1 (ko) 전압이득이 일정한 ｒｆ 전원 필터 회로
JP2018186372A (ja) インピーダンス変成回路
US10027305B1 (en) Filter including non-magnetic frequency selective limiters
JPH05235677A (ja) リミッター回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application