KR20120072668A - Vacuum heat treatment apparatus - Google Patents

Vacuum heat treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20120072668A
KR20120072668A KR1020100134527A KR20100134527A KR20120072668A KR 20120072668 A KR20120072668 A KR 20120072668A KR 1020100134527 A KR1020100134527 A KR 1020100134527A KR 20100134527 A KR20100134527 A KR 20100134527A KR 20120072668 A KR20120072668 A KR 20120072668A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
exhaust member
chamber
reaction vessel
members
Prior art date
Application number
KR1020100134527A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101877494B1 (en
Inventor
한정은
김병숙
채경훈
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100134527A priority Critical patent/KR101877494B1/en
Priority to PCT/KR2011/009977 priority patent/WO2012087044A2/en
Publication of KR20120072668A publication Critical patent/KR20120072668A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101877494B1 publication Critical patent/KR101877494B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/02—Feed or outlet devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/03—Pressure vessels, or vacuum vessels, having closure members or seals specially adapted therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
    • B01J4/005—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes provided with baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B01J2219/00132—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B01J2219/0015—Controlling the temperature by thermal insulation means
    • B01J2219/00155—Controlling the temperature by thermal insulation means using insulating materials or refractories

Abstract

PURPOSE: A vacuum-based heat treating apparatus is provided to separate and replace a specific exhaust member generating plenty of secondary phases by arranging a plurality of exhaust members in an exhaust pipe. CONSTITUTION: A vacuum-based heat treating apparatus includes a chamber(10), a reaction container, a heating member, and an exhaust pipe(50). The reaction container is located in the chamber. The heating member is located between the chamber and the reaction container and heats the reaction container. The exhaust pipe includes a plurality of exhaust members. The exhaust members exhaust the inner part of the reaction container and are separately formed. The exhaust members include a first exhaust member(510), a second exhaust member(520), and a third exhaust member(530). The first exhaust member is in connection with the reaction container. The second exhaust member is located at the external side of the chamber. The third exhaust member is located between the first exhaust member and the second exhaust member.

Description

진공 열처리 장치{VACUUM HEAT TREATMENT APPARATUS}Vacuum heat treatment equipment {VACUUM HEAT TREATMENT APPARATUS}

본 기재는 진공 열처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a vacuum heat treatment apparatus.

진공 열처리 장치는 원료를 도가니 내에서 열처리하여 원하는 물질을 제조하는 장치로서, 진공 상태에서 열처리를 수행하여 주위로부터의 오염이 생성하지 않는 등의 장점이 있다. The vacuum heat treatment apparatus is a device for manufacturing a desired material by heat-treating a raw material in a crucible, and has an advantage such that contamination from surroundings is not generated by performing heat treatment in a vacuum state.

이러한 진공 열처리 장치에서는, 진공으로 유지되는 챔버 내에 단열 부재를 위치시키고 이 단열 부재 내에 히터를 위치시켜 원료를 가열한다. 반응 중에 생성되는 가스 등은 배기관에 의하여 배출된다. In such a vacuum heat treatment apparatus, a heat insulating member is placed in a chamber maintained in vacuum, and a heater is placed in this heat insulating member to heat the raw material. Gas generated during the reaction is discharged by the exhaust pipe.

그런데, 이러한 가스가 배기관을 통해 배출되는 중에 배기관의 구성 물질과 반응하여 이차상을 형성할 수 있다. 이러한 이차상이 배기관의 내부 면적을 줄이면 배기관을 통한 가스 배출이 원활하게 이루어지지 않을 수 있다. However, while the gas is discharged through the exhaust pipe, the secondary phase may be formed by reacting with the constituent material of the exhaust pipe. When the secondary phase reduces the internal area of the exhaust pipe, gas discharge through the exhaust pipe may not be performed smoothly.

이러한 배기관의 교체에 의하여 비용 및 시간이 증가될 수 있다. 또한, 배기관을 통한 가스 배출이 원활하지 않으면 단열 부재 등을 반응 용기 등을 통하여 가스가 배출되는데, 이 경우 단열 부재 등의 수명이 단축될 수 있다. 더욱이, 단열 부재에 이차상이 형성되면 통전 등의 문제가 생성될 수 있어 안전 사고 등의 위험이 높아질 수 있다. The replacement of these exhaust pipes can increase cost and time. In addition, when the gas discharge through the exhaust pipe is not smooth, the gas is discharged through the reaction vessel or the like for the heat insulating member, in which case the life of the heat insulating member or the like can be shortened. Furthermore, when the secondary phase is formed in the heat insulating member, problems such as energization may be generated, which may increase the risk of a safety accident.

실시예는 배기관의 유지 보수가 용이한 진공 열처리 장치를 제공하고자 한다. The embodiment is to provide a vacuum heat treatment apparatus that is easy to maintain the exhaust pipe.

실시예에 따른 진공 열처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 반응 용기; 상기 챔버와 상기 반응 용기 사이에 위치하여 상기 반응 용기를 가열하는 가열 부재; 및 상기 반응 용기 내부를 배기하며 개별로 형성되는 복수의 배기 부재를 포함하는 배기관을 포함한다. Vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment, the chamber; A reaction vessel located within the chamber; A heating member positioned between the chamber and the reaction vessel to heat the reaction vessel; And an exhaust pipe exhausting the reaction vessel and including a plurality of exhaust members formed separately.

상기 복수의 배기 부재가, 상기 반응 용기에 연결되는 제1 배기 부재, 상기 챔버 외부에 위치하는 제2 배기 부재 및 상기 제1 배기 부재와 상기 제2 배기 부재 사이에 위치한 제3 배기 부재를 포함할 수 있다.The plurality of exhaust members may include a first exhaust member connected to the reaction vessel, a second exhaust member located outside the chamber, and a third exhaust member located between the first exhaust member and the second exhaust member. Can be.

상기 제3 배기 부재의 일단에 제1 홈이 형성되고 타단에 제2 홈이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제1 홈에 상기 제1 배기 부재가 결합되고, 상기 제2 홈에 상기 제2 배기 부재가 결합될 수 있다. A first groove may be formed at one end of the third exhaust member and a second groove may be formed at the other end thereof. In this case, the first exhaust member may be coupled to the first groove, and the second exhaust member may be coupled to the second groove.

상기 제3 배기 부재와 상기 제1 및 제2 배기 부재가 끼움 결합에 의해 고정될 수 있다. The third exhaust member and the first and second exhaust members may be fixed by fitting.

상기 제3 배기 부재와 상기 제1 배기 부재, 그리고 상기 제3 배기 부재와 상기 제2 배기 부재는 나사에 의해 결합될 수 있다. The third exhaust member and the first exhaust member, and the third exhaust member and the second exhaust member may be coupled by screws.

상기 제3 배기 부재의 외경이 상기 제1 배기 부재 및 상기 제2 배기 부재와 서로 다를 수 있다. An outer diameter of the third exhaust member may be different from the first exhaust member and the second exhaust member.

상기 제3 배기 부재의 외경이 상기 제1 배기 부재 및 상기 제2 배기 부재의 외경보다 클 수 있다. An outer diameter of the third exhaust member may be larger than an outer diameter of the first exhaust member and the second exhaust member.

상기 제3 배기 부재의 내경이 상기 제1 배기 부재 및 상기 제2 배기 부재의 내경보다 클 수 있다.  An inner diameter of the third exhaust member may be larger than an inner diameter of the first exhaust member and the second exhaust member.

상기 제3 배기 부재의 내부에 이차상 생성 유도 부재가 위치할 수 있다. The secondary phase generation inducing member may be positioned inside the third exhaust member.

상기 이차상 생성 유도 부재가 흑연을 포함할 수 있다. The secondary phase generation inducing member may include graphite.

상기 이차상 생성 유도 부재가 시트 형상일 수 있다. The secondary phase generation inducing member may have a sheet shape.

상기 배기관이 흑연을 포함할 수 있다. The exhaust pipe may comprise graphite.

상기 진공 열처리 장치가 탄화 규소의 제조에 이용될 수 있다. The vacuum heat treatment apparatus can be used for the production of silicon carbide.

실시예에 따른 진공 열처리 장치에서는 배기관이 복수의 배기 부재를 포함하여 이차상이 많이 생성되는 배기 부재만을 분리하여 교체할 수 있다. 이에 의하여 배기관의 유지 보수를 쉽게 할 수 있다. In the vacuum heat treatment apparatus according to the embodiment, the exhaust pipe may include only a plurality of exhaust members and separate and replace only the exhaust member, in which a large number of secondary phases are generated. As a result, maintenance of the exhaust pipe can be easily performed.

또한, 복수의 배기 부재들 중에 이차상의 생성이 많이 일어나는 배기 부재 내부에 이차상 생성 유도 부재를 위치시켜, 이차상 생성 유도 부재에서 이차상이 생성되도록 한다. 이에 의하여 이차상 생성 유도 부재를 교체하는 것에 의하여 배기관의 청소를 완료할 수 있다. 이에 따라 배기관의 수명을 향상하고 배기관의 유지 보수를 최소화할 수 있다. In addition, the secondary phase generation inducing member is positioned inside the exhaust member in which the generation of the secondary phase occurs among the plurality of exhaust members so that the secondary phase is generated in the secondary phase generation inducing member. In this way, cleaning of the exhaust pipe can be completed by replacing the secondary phase generation guide member. This can improve the life of the exhaust pipe and minimize maintenance of the exhaust pipe.

도 1은 실시예에 따른 진공 열처리 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 B 부분을 확대하여 도시한 사시도이다. 1 is a schematic diagram of a vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 1.
FIG. 3 is an enlarged perspective view of portion B of FIG. 2.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 진공 열처리 장치의 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a vacuum heat treatment apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 진공 열처리 장치(100)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 위치한 단열 부재(20)와, 단열 부재(20) 내에 위치한 반응 용기(30) 및 가열 부재(40)를 포함한다. 그리고 반응 용기(30)에는 반응 중에 생성된 가스를 배출하여 반응 용기(30)를 배기하는 배기관(50)이 연결된다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. Referring to FIG. 1, a vacuum heat treatment apparatus 100 according to an embodiment includes a chamber 10, a heat insulation member 20 located in the chamber 10, a reaction vessel 30 located in the heat insulation member 20, and A heating member 40. In addition, an exhaust pipe 50 for discharging the gas generated during the reaction to exhaust the reaction vessel 30 is connected to the reaction vessel 30. This will be described in more detail as follows.

분위기 가스 공급 파이프(도시하지 않음)를 통하여 챔버(10)의 내부로 분위기 가스가 주입된다. 분위기 가스로는 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스를 사용할 수 있다. Atmospheric gas is injected into the chamber 10 through the atmosphere gas supply pipe (not shown). As the atmospheric gas, an inert gas such as argon (Ar) can be used.

챔버(10) 내에 위치하는 단열 부재(20)는 반응 용기(30)가 반응에 적정한 온도로 유지될 수 있도록 단열시키는 역할을 한다. 이러한 단열 부재(20)는 고온에 견딜 수 있도록 흑연을 포함할 수 있다. The heat insulating member 20 located in the chamber 10 serves to insulate the reaction vessel 30 so that the reaction vessel 30 can be maintained at a temperature suitable for the reaction. The heat insulating member 20 may include graphite to withstand high temperatures.

단열 부재(20) 내에는 혼합 원료가 충전되고 이들의 반응에 의하여 원하는 물질이 생성되는 반응 용기(30)가 위치한다. 이러한 반응 용기(30)는 고온에 견딜 수 있도록 흑연을 포함할 수 있다.In the heat insulating member 20, a reaction vessel 30 is located in which mixed raw materials are filled and a desired substance is produced by the reaction thereof. The reaction vessel 30 may include graphite to withstand high temperatures.

단열 부재(20)와 반응 용기(30) 사이에는 반응 용기(30)를 가열하는 가열 부재(40)가 위치한다. 이러한 가열 부재(40)는 다양한 방법에 의하여 반응 용기(30)에 열을 제공할 수 있다. 일례로, 가열 부재(40)는 흑연에 전압을 가하여 열을 발생시킬 수 있다. A heating member 40 for heating the reaction vessel 30 is located between the heat insulating member 20 and the reaction vessel 30. This heating member 40 may provide heat to the reaction vessel 30 by various methods. In one example, the heating member 40 may generate heat by applying a voltage to the graphite.

이러한 진공 열처리 장치(100)는 일례로, 탄소원과 규소원을 포함하는 혼합 원료를 가열하여 탄화 규소를 제조하는 탄화 규소의 제조 장치로 이용될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. The vacuum heat treatment apparatus 100 may be used as, for example, a silicon carbide manufacturing apparatus for manufacturing silicon carbide by heating a mixed raw material including a carbon source and a silicon source. However, the embodiment is not limited thereto.

그리고 배기관(50)은 고온을 견딜 수 있도록 일례로 흑연을 포함할 수 있다. 이러한 배기관(50)을 도 2 및 도 3을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2의 B 부분을 확대하여 도시한 사시도이다. And the exhaust pipe 50 may include graphite as an example to withstand high temperatures. This exhaust pipe 50 will be described in more detail with reference to FIGS. 2 and 3. 2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged perspective view of portion B of FIG. 2.

도 2를 참조하면, 실시예에서 배기관(50)은 단열 부재(20) 쪽에서 반응 용기(도 1의 참조부호 30, 이하 동일)에 연결되는 제1 배기 부재(510), 챔버(10)의 외부에 위치하는 제2 배기 부재(520), 그리고 제1 배기 부재(510)와 제2 배기 부재(520) 사이에 위치한 제3 배기 부재(530)를 포함한다. Referring to FIG. 2, in the embodiment, the exhaust pipe 50 is the first exhaust member 510, which is connected to the reaction vessel (reference 30 of FIG. 1, hereinafter same) on the heat insulating member 20 side, and the outside of the chamber 10. And a second exhaust member 520 positioned at the third exhaust member 520 and a third exhaust member 530 positioned between the first exhaust member 510 and the second exhaust member 520.

이때, 제3 배기 부재(530)의 일단에 제1 홈(512)이 형성되고 타단에 제2 홈(522)이 형성된다. 이러한 제1 홈(512)에 제1 배기 부재(510)가 결합되고, 제2 홈(514)에 제2 배기 부재(520)가 결합될 수 있다. 그리고 제3 배기 부재(530)와 제1 배기 부재(510)가 제1 나사(514)에 의해 고정되고, 제3 배기 부재(530)와 제2 배기 부재(510)가 제2 나사(524)에 의해 고정될 수 있다. In this case, a first groove 512 is formed at one end of the third exhaust member 530, and a second groove 522 is formed at the other end thereof. The first exhaust member 510 may be coupled to the first groove 512, and the second exhaust member 520 may be coupled to the second groove 514. The third exhaust member 530 and the first exhaust member 510 are fixed by the first screw 514, and the third exhaust member 530 and the second exhaust member 510 are second screws 524. It can be fixed by.

도면 및 상술한 설명에서는 제1 내지 제3 배기 부재(510, 520, 530)가 제1 및 제2 나사(514, 524)에 의하여 고정되는 것을 예시하였다. 이러한 나사 결합에 의하여 견고한 고정이 가능할 수 있다. In the drawings and the above description, the first to third exhaust members 510, 520, and 530 are fixed by the first and second screws 514 and 524. By such a screw coupling can be securely fixed.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 및 제2 나사(514, 524) 없이 제1 및 제2 홈(512, 522)만을 이용한 끼움 결함에 의하여 제1 내지 제3 배기 부재(510, 520, 530)를 고정할 수도 있다. 이에 따르면 제1 내지 제3 배기 부재(510, 520, 530)의 탈부착을 용이하게 하여 수리 및 교체 시에 시간을 줄일 수 있다. 또는, 상술한 제1 및 제2 홈(512, 522) 없이 제1 및 제2 나사(514, 524)만으로 제1 내지 제3 배기 부재(510, 520, 530)를 고정할 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto. The first to third exhaust members 510, 520, and 530 may be fixed by fitting defects using only the first and second grooves 512 and 522 without the first and second screws 514 and 524. Accordingly, the first to third exhaust members 510, 520, and 530 can be easily attached and detached, thereby reducing the time for repair and replacement. Alternatively, the first to third exhaust members 510, 520, and 530 may be fixed using only the first and second screws 514 and 524 without the first and second grooves 512 and 522.

본 실시예에서는 제3 배기 부재(530)의 외경(W1)이 제1 및 제2 배기 부재(510, 520)의 외경(W2)보다 크므로 제3 배기 부재(530)에 제1 및 제2 홈(512, 514)을 안정적으로 형성할 수 있다. 이에 의하여 제1 내지 제3 배기 부재(510, 520, 530)의 결합 안정성을 향상할 수 있다. In the present embodiment, since the outer diameter W1 of the third exhaust member 530 is larger than the outer diameter W2 of the first and second exhaust members 510 and 520, the first and second parts of the third exhaust member 530 may be different. The grooves 512 and 514 can be formed stably. As a result, coupling stability of the first to third exhaust members 510, 520, and 530 may be improved.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 배기 부재(530)의 외경(W1)이 제1 및 제2 배기 부재(510, 520)의 외경(W2)보다 작고, 제1 및 제2 배기 부재(510, 520)에 홈을 형성하는 것도 가능하다. However, the embodiment is not limited thereto, and the outer diameter W1 of the third exhaust member 530 is smaller than the outer diameter W2 of the first and second exhaust members 510 and 520, and the first and second exhaust members ( It is also possible to form grooves in 510 and 520.

이때, 단열 부재(20) 내부와 챔버(10) 외부의 온도 차이에 의하여 제3 배기 부재(530)에 온도 구배가 크게 형성될 수 있다. 이에 따라 제3 배기 부재(530) 내에서 이차상이 가장 많이 발생할 수 있다. 일례로 진공 열처리 장치(도 1의 참조부호 100, 이하 동일)가 탄화 규소를 제조하는 데 사용되면, 반응 중에 생성된 CO 또는 CO2 가스, 미반응 가스인 SiO 가스 등이 온도 구배가 큰 제3 배기 부재(530)에서 이와 반응하여 제3 배기 부재(530) 내에 부착될 수 있다. In this case, a temperature gradient may be largely formed in the third exhaust member 530 by a temperature difference between the inside of the heat insulating member 20 and the outside of the chamber 10. Accordingly, the second phase may occur most frequently in the third exhaust member 530. For example, when a vacuum heat treatment apparatus (reference numeral 100 of FIG. 1, the same as below) is used to manufacture silicon carbide, a third temperature having a high temperature gradient is generated by CO or CO 2 gas, unreacted gas, etc. In response to this in the exhaust member 530 may be attached in the third exhaust member 530.

실시예에서는 이렇게 이차상이 주로 형성되는 제3 배기 부재(530)만을 청소하거나 교체하는 것에 의하여 배기관(50)을 정비할 수 있으므로 배기관(50)의 유지 보수 시간을 줄일 수 있다. 즉, 실시예에서는 배기관(50)이 복수의 배기 부재(510, 520, 530)를 가져 배기관(50)의 유지 보수 시간을 줄일 수 있다. 도면 및 설명에서는 3개의 배기 부재(510, 520, 530)를 구비한 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 배기관(50)이 개별로 형성되는 복수(즉, 두 개 이상)의 배기 부재(510, 520, 530)를 포함하면 족하다.In this embodiment, since the exhaust pipe 50 can be maintained by cleaning or replacing only the third exhaust member 530 in which the secondary phase is mainly formed, the maintenance time of the exhaust pipe 50 can be reduced. That is, in the embodiment, the exhaust pipe 50 may have a plurality of exhaust members 510, 520, and 530, thereby reducing maintenance time of the exhaust pipe 50. Although the drawings and the description have illustrated three exhaust members 510, 520, and 530, the embodiment is not limited thereto. Therefore, it is sufficient if the exhaust pipe 50 includes a plurality (ie two or more) exhaust members 510, 520, 530 that are formed separately.

이와 같이 이차상 생성이 가장 많이 일어나는 제3 배기 부재(530)의 내부에는 이차상 생성 유도 부재(540)가 위치할 수 있다. 이러한 이차상 생성 유도 부재(540)는 배기관(50)과 동일한 물질, 일례로 흑연으로 이루어질 수 있다. 제3 배기 부재(530) 내에 위치한 이차상 생성 유도 부재(540)에 이차상이 생성되면 이 이차상 생성 유도 부재(540)를 교체하는 것에 의하여 배기관(50)을 유지 보수할 수 있으므로 이에 요구되는 비용 및 시간을 효과적으로 절감할 수 있다. As described above, the secondary phase generation inducing member 540 may be positioned in the third exhaust member 530 in which the secondary phase generation is most frequent. The secondary phase generation inducing member 540 may be made of the same material as the exhaust pipe 50, for example, graphite. When the secondary phase is generated in the secondary phase generation inducing member 540 located in the third exhaust member 530, the exhaust pipe 50 may be maintained by replacing the secondary phase generation inducing member 540, and thus the required cost may be required. And time can be saved effectively.

이차상 생성 유도 부재(540)는 배기관(50)과 반응 또는 미반응 가스들의 접촉을 막도록 시트 형상으로 형성되어, 도 3와 같이, 제3 배기 부재(530)의 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 시트 형태의 이차상 생성 유도 부재(540)를 배기관(50) 형상과 유사하게 동그랗게 말아서 제3 배기 부재(530)의 내부에 넣으면 별도의 고정 수단 없이 이차상 생성 유도 부재(540)가 제3 배기 부재(530)의 표면을 자연스럽게 덮으면서 위치할 수 있다. The secondary phase generation inducing member 540 may be formed in a sheet shape to prevent contact between the exhaust pipe 50 and the reacted or unreacted gases, and may be formed to cover the surface of the third exhaust member 530 as shown in FIG. 3. have. When the sheet-shaped secondary phase generation inducing member 540 is rolled up similarly to the shape of the exhaust pipe 50 and placed inside the third exhaust member 530, the secondary phase generation inducing member 540 may be formed without the fixing means. It may be positioned while naturally covering the surface of the exhaust member 530.

이때, 제3 배기 부재(530)의 내경(W3)이 제1 및 제2 배기 부재(W4)의 내경보다 크면, 이 차이에 의해 형성된 단차에 의하여 이차상 생성 유도 부재(540)가 제3 배기 부재(530) 내에서 제1 및 제2 배기 부재(510, 520)로 이동하는 것을 방지할 수 있다. At this time, when the inner diameter W3 of the third exhaust member 530 is larger than the inner diameters of the first and second exhaust members W4, the secondary phase generation inducing member 540 exhausts the third phase by the step formed by the difference. Movement of the first and second exhaust members 510 and 520 in the member 530 may be prevented.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
In addition, the above description has been made with reference to the embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the invention. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (13)

챔버;
상기 챔버 내에 위치하는 반응 용기;
상기 챔버와 상기 반응 용기 사이에 위치하여 상기 반응 용기를 가열하는 가열 부재; 및
상기 반응 용기 내부를 배기하며, 개별로 형성되는 복수의 배기 부재를 포함하는 배기관
을 포함하는 진공 열처리 장치. chamber;
A reaction vessel located within the chamber;
A heating member positioned between the chamber and the reaction vessel to heat the reaction vessel; And
An exhaust pipe including a plurality of exhaust members formed separately to exhaust the inside of the reaction vessel.
Vacuum heat treatment apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 복수의 배기 부재가, 상기 반응 용기에 연결되는 제1 배기 부재, 상기 챔버 외부에 위치하는 제2 배기 부재 및 상기 제1 배기 부재와 상기 제2 배기 부재 사이에 위치한 제3 배기 부재를 포함하는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
The plurality of exhaust members includes a first exhaust member connected to the reaction vessel, a second exhaust member located outside the chamber, and a third exhaust member located between the first exhaust member and the second exhaust member. Vacuum heat treatment device. 제2항에 있어서.
상기 제3 배기 부재의 일단에 제1 홈이 형성되고 타단에 제2 홈이 형성되며,
상기 제1 홈에 상기 제1 배기 부재가 결합되고, 상기 제2 홈에 상기 제2 배기 부재가 결합되는 진공 열처리 장치. The method of claim 2, wherein.
A first groove is formed at one end of the third exhaust member and a second groove is formed at the other end thereof;
And the first exhaust member is coupled to the first groove, and the second exhaust member is coupled to the second groove. 제3항에 있어서.
상기 제3 배기 부재와 상기 제1 및 제2 배기 부재가 끼움 결합에 의해 고정되는 진공 열처리 장치. The method of claim 3.
And the third exhaust member and the first and second exhaust members are fixed by fitting. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제3 배기 부재와 상기 제1 배기 부재, 그리고 상기 제3 배기 부재와 상기 제2 배기 부재는 나사에 의해 결합되는 진공 열처리 장치. The method according to claim 2 or 3,
And the third exhaust member and the first exhaust member, and the third exhaust member and the second exhaust member are coupled by screws. 제2항에 있어서,
상기 제3 배기 부재의 외경이 상기 제1 배기 부재 및 상기 제2 배기 부재와 서로 다른 진공 열처리 장치. The method of claim 2,
And an outer diameter of the third exhaust member is different from the first exhaust member and the second exhaust member. 제6항에 있어서,
상기 제3 배기 부재의 외경이 상기 제1 배기 부재 및 상기 제2 배기 부재의 외경보다 큰 진공 열처리 장치. The method of claim 6,
And an outer diameter of the third exhaust member is larger than an outer diameter of the first exhaust member and the second exhaust member. 제2항에 있어서,
상기 제3 배기 부재의 내경이 상기 제1 배기 부재 및 상기 제2 배기 부재의 내경보다 큰 진공 열처리 장치. The method of claim 2,
And an inner diameter of the third exhaust member is larger than an inner diameter of the first exhaust member and the second exhaust member. 제2항에 있어서,
상기 제3 배기 부재의 내부에 이차상 생성 유도 부재가 위치하는 진공 열처리 장치. The method of claim 2,
And a second phase generation inducing member is positioned inside the third exhaust member. 제9항에 있어서,
상기 이차상 생성 유도 부재가 흑연을 포함하는 진공 열처리 장치. 10. The method of claim 9,
And the secondary phase generation inducing member comprises graphite. 제9항에 있어서,
상기 이차상 생성 유도 부재가 시트 형상인 진공 열처리 장치. 10. The method of claim 9,
And the second phase generating inducing member is in a sheet shape. 제1항에 있어서,
상기 배기관이 흑연을 포함하는 진공 열처리 장치. The method of claim 1,
And the exhaust pipe comprises graphite. 제1항에 있어서,
상기 진공 열처리 장치가 탄화 규소의 제조에 이용되는 진공 열처리 장치.
The method of claim 1,
And the vacuum heat treatment apparatus is used for the production of silicon carbide.
KR1020100134527A 2010-12-24 2010-12-24 Vacuum heat treatment apparatus KR101877494B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100134527A KR101877494B1 (en) 2010-12-24 2010-12-24 Vacuum heat treatment apparatus
PCT/KR2011/009977 WO2012087044A2 (en) 2010-12-24 2011-12-22 Vacuum thermal treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100134527A KR101877494B1 (en) 2010-12-24 2010-12-24 Vacuum heat treatment apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120072668A true KR20120072668A (en) 2012-07-04
KR101877494B1 KR101877494B1 (en) 2018-07-13

Family

ID=46314645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100134527A KR101877494B1 (en) 2010-12-24 2010-12-24 Vacuum heat treatment apparatus

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101877494B1 (en)
WO (1) WO2012087044A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113646098A (en) * 2019-03-22 2021-11-12 三菱重工业株式会社 Water heat treatment device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3029428B1 (en) * 2014-12-04 2016-12-30 Univ Nantes DEVICE FOR THE SYNTHESIS AND STUDY OF COMPOUNDS UNDER TEMPERATURES AND CONTROLLED PRESSURES

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4832781A (en) * 1988-01-07 1989-05-23 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum
JPH07120634B2 (en) * 1988-12-27 1995-12-20 東京エレクトロン東北株式会社 Processor
KR100569646B1 (en) * 2000-09-29 2006-04-11 동경 엘렉트론 주식회사 Heat-treating apparatus and heat-treating method
JP2002367914A (en) * 2001-06-11 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device
KR100864758B1 (en) * 2002-06-19 2008-10-22 오리온오엘이디 주식회사 Full color organic electroluminescence device
AU2003259104A1 (en) * 2002-07-15 2004-02-02 Asml Us, Inc. Thermal processing system and configurable vertical chamber
JP2005185883A (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Kri Inc Purification apparatus
KR100754902B1 (en) * 2005-12-09 2007-09-04 (주) 디오브이 Method for purifying and organicelectroluminescent material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113646098A (en) * 2019-03-22 2021-11-12 三菱重工业株式会社 Water heat treatment device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012087044A2 (en) 2012-06-28
WO2012087044A3 (en) 2012-10-04
KR101877494B1 (en) 2018-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101624212B1 (en) Method for manufacturing carbonaceous film and graphite film obtained thereby
US8071920B2 (en) Planar heater
KR101349945B1 (en) Film forming apparatus and film forming method
KR101715530B1 (en) Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium
CN105247664A (en) Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor manufacturing apparatus, and furnace opening cover body
JP2011171543A (en) Deposition apparatus and deposition method
KR20120072668A (en) Vacuum heat treatment apparatus
JP2007095923A (en) Semiconductor crystal growth apparatus
KR101079225B1 (en) Substrate heating module and substrate processing apparatus
WO2006095575A1 (en) Plasma treatment apparatus and semiconductor thin film manufacturing method using same
KR20130074706A (en) Vacuum heat treatment apparatus
JPWO2013175562A1 (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR101210181B1 (en) Vacuum heat treatment apparatus
CN103165381B (en) A kind of electrostatic chuck controlling loaded substrate temperature and plasma processing apparatus
JP2005072468A (en) Heat treatment apparatus of semiconductor wafer
KR20130072068A (en) Vacuum heat treatment apparatus
JP2007309540A (en) Heating plate, combined heating plate and heating furnace comprising the same
US20230298908A1 (en) Heating jacket for semiconductor manufacturing equipment
JP2014063794A (en) Semiconductor manufacturing device
JP2010272720A (en) Substrate processing device and manufacturing method of semiconductor device
KR20130107437A (en) Vacuum heat treatment apparatus
KR20120022173A (en) Vacuum heat treatment apparatus
KR101210157B1 (en) Vacuum heat treatment apparatus
CN104515395A (en) High-temperature furnace bed supporting device
KR20120062572A (en) Vacuum heat treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right