KR20120070101A - Etching solution composition for alloy layer comprising mo and ti, or induim oxide layer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐 산화막용 식각액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an etching solution composition for an alloy film or an indium oxide film containing molybdenum and titanium.
반도체 장치 또는 평판표시장치에서, 전극으로 이용되는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막은 습식식각 또는 건식식각을 이용하여 식각할 수 있다. 상기 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막은 하나의 식각액 조성물로 식각이 가능하다. 하지만, 현재 개발된 식각액 조성물로 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 구성된 이중막을 식각할 때, 식각 프로파일이 불량한 문제가 발생한다.In a semiconductor device or a flat panel display device, an alloy film and an indium oxide film including molybdenum and titanium used as electrodes may be etched by wet etching or dry etching. The alloy film and the indium oxide film including molybdenum and titanium may be etched with one etchant composition. However, when etching a bilayer consisting of an alloy film and an indium oxide film containing molybdenum and titanium with the currently developed etching solution composition, a problem of poor etching profile occurs.
본 발명의 목적은 평판표시장치에서 전극으로 사용되는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막, 인듐산화막 및 이들을 포함하는 이중막을 모두 효과적으로 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etchant composition capable of effectively etching all of an alloy film including molybdenum and titanium, an indium oxide film, and a double film including these used as electrodes in a flat panel display.
본 발명의 목적은 식각 프로파일이 우수하고, 약액 보존성이 우수하여 안정적인 식각액 조성물을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a stable etching liquid composition is excellent in the etching profile, and excellent in the storage liquid chemicals.
본 발명의 목적은 기판의 크기가 커도 식각 균일성이 유지되는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an etching liquid composition in which the etching uniformity is maintained even when the size of the substrate is large.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, H2O2 5~30중량%; 함불소 화합물 0.01~5중량%; 수용성 시클릭 아민 화합물 0.1~5중량%; 무기산 0.01~10중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐 산화막용 식각액 조성물을 제공한다.The present invention is based on the total weight of the composition, H 2 O 2 5-30% by weight; 0.01 to 5% by weight of a fluorine-containing compound; 0.1-5% by weight of the water-soluble cyclic amine compound; 0.01-10 weight% of inorganic acid; And it provides an etching solution composition for the alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium, characterized in that it comprises a residual amount of water.
본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용하여 제조된 평판표시장치를 제공한다.The present invention provides a flat panel display device manufactured using the etchant composition.
본 발명의 식각액 조성물은 평판표시장치에서 전극으로 사용되는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막, 인듐산화막 및 이들의 이중막을 모두 효과적으로 식각할 수 있다. 본 발명의 식각액 조성물은 식각 프로파일이 우수하고, 약액 보존성이 우수하여 안정적이다. 본 발명의 식각액 조성물은 기판의 크기가 커도 식각 균일성이 유지된다.The etchant composition of the present invention can effectively etch all of the alloy film, molybdenum and titanium oxide film, including the molybdenum and titanium used as an electrode in a flat panel display device and a double film thereof. The etchant composition of the present invention is excellent in etching profile and excellent in chemical solution preservation stability. The etching liquid composition of the present invention maintains the etching uniformity even if the size of the substrate is large.
도 1은 실시예1의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.
도 2는 실시예2의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.
도 3은 실시예3의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.
도 4는 비교예1의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.
도 5는 비교예2의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.
도 6 비교예3의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다
도 7 비교예4의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다FIG. 1 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Example 1. FIG.
FIG. 2 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Example 2. FIG.
FIG. 3 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Example 3. FIG.
4 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 1.
FIG. 5 is a photograph showing the surface of a double film including an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 2. FIG.
6 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 3
7 is a photograph showing the surface of a double film composed of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 4
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막용이다. 상기 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막은 화소전극일 수 있다.
The etchant composition of the present invention is for an alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium. The alloy film or indium oxide film including molybdenum and titanium may be a pixel electrode.
본 발명의 식각액 조성물은 H2O2, 함불소 화합물, 수용성 시클릭 아민 화합물, 무기산 및 물을 포함한다.The etchant composition of the present invention comprises H 2 O 2 , a fluorine-containing compound, a water-soluble cyclic amine compound, an inorganic acid and water.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 H2O2는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막, 인듐산화막, 이들을 포함하는 이중막의 주산화제이다. 상기 H2O2는 조성물 총 중량에 대하여, 5~30중량%로 포함되며, 바람직하게는 10~25중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각력이 부족해진다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 식각 속도가 너무 빨라져 공정상 제어가 어려워지는 단점이 있다.
H 2 O 2 included in the etchant composition of the present invention is an alloying film containing molybdenum and titanium, an indium oxide film, and a main film oxidizing agent including a double film. The H 2 O 2 is included in 5 to 30% by weight, preferably 10 to 25% by weight based on the total weight of the composition. If included below the above-mentioned range, the etching force is insufficient. When included beyond the above range, there is a disadvantage that the etching speed is too fast to control in the process.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 함불소 화합물은 물에 해리되어 F이온을 낼 수 있는 화합물을 의미한다. 상기 함불소 화합물은 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막의 식각 속도에 영향을 주는데, 보다 상세하게 설명하면, 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막의 식각 속도를 빠르게 한다. The fluorine-containing compound included in the etchant composition of the present invention refers to a compound capable of dissociating in water to give F ions. The fluorine-containing compound affects the etching rate of an alloy film or an indium oxide film containing molybdenum and titanium. In detail, the fluorine-containing compound speeds up the etching rate of an alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium.
상기 함불소 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.01~5중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.05~1중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각 속도가 느려지고, 식각 잔사가 남을 수 있다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 식각 능력은 향상되지 않으며, 전극 하부에 위치하는 보호막과, 금속막에 좋지 않은 영향을 미친다.The fluorine-containing compound is included in an amount of 0.01 to 5% by weight, preferably 0.05 to 1% by weight, based on the total weight of the composition. When included in the above-described range, the etching speed may be slow, and the etching residue may remain. When included beyond the above-mentioned range, the etching ability is not improved and adversely affects the protective film located below the electrode and the metal film.
상기 함불소 화합물은 당 업계에서 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않는다. 하지만, 상기 함불소 화합물은 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하고, NH4FHF가 보다 바람직하다.
The fluorine-containing compound is not particularly limited as long as it is used in the art. However, the fluorine-containing compound is preferably selected from the group consisting of HF, NaF, NH 4 F, NH 4 BF 4 , NH 4 FHF, KF, KHF 2 , AlF 3 and HBF 4 , more preferably NH 4 FHF Do.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 수용성 시클릭 아민 화합물은 하부에 위치하는 구리계 금속막을 보호해 준다.The water-soluble cyclic amine compound included in the etchant composition of the present invention protects the copper-based metal film located below.
상기 수용성 시클릭 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1~5중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.1~1중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 하부에 위치하는 구리계 금속 배선을 식각하여 데이타 라인이 단선되는 불량이 발생될 수 있다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막, 인듐산화막의 식각 속도가 느려진다.The water-soluble cyclic amine compound is contained in 0.1 to 5% by weight, preferably 0.1 to 1% by weight based on the total weight of the composition. When included below the above range, a defect may occur in which the data line is disconnected by etching the copper-based metal wire disposed below. When included beyond the above-mentioned range, the etching rate of the alloy film containing molybdenum and titanium and the indium oxide film becomes slow.
상기 수용성 시클릭 아민 화합물은 당 업계에서 이용되는 것이라면 특별히 한정하지 않는다. 하지만, 상기 수용성 시클릭 아민 화합물은 탄소수가 1~30인 수용성 시클릭 아민 화합물인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 수용성 시클릭 아민 화합물은 벤조트리아졸계 화합물, 아미노테트라졸계 화합물, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계 화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물 및 피롤린계 화합물으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 보다 바람직하다. 이 중에서 아미노테트라졸계 화합물로는, 예를 들면, 아미노테트라졸, 5-아미노-1-페닐테트라졸, 5-아미노-1(1-나프틸)테트라졸, 1-메틸-5-아미노테트라졸, 1,5-디아미노테트라졸 등을 들 수 있다. 그리고 이중에서 아미노테트라졸이 바람직하다.
The water-soluble cyclic amine compound is not particularly limited as long as it is used in the art. However, it is preferable that the water-soluble cyclic amine compound is a water-soluble cyclic amine compound having 1 to 30 carbon atoms. The water-soluble cyclic amine compound may be a benzotriazole compound, an aminotetrazole compound, an imidazole compound, an indole compound, a purine compound, a pyrazole compound, a pyridine compound, a pyrimidine compound, a pyrrole compound, More preferably, it is selected from the group consisting of a lollidine-based compound and a pyrroline-based compound. Among these, as an amino tetrazole type compound, for example, amino tetrazole, 5-amino-1-phenyl tetrazole, 5-amino-1 (1-naphthyl) tetrazole, 1-methyl-5-amino tetrazole And 1,5-diaminotetrazole. And among these, aminotetrazole is preferred.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 무기산은 pH를 조절하여, 즉, pH를 낮추어 H2O2의 분해를 억제하며, 이로 인해 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막이 식각될 수 있는 환경을 만든다. The inorganic acid included in the etchant composition of the present invention controls the pH, that is, lowers the pH to inhibit decomposition of H 2 O 2 , and thus an environment in which an alloy film or an indium oxide film containing molybdenum and titanium can be etched. Make.
상기 무기산은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1~1중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.1~1중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, pH 조절능력이 저하되어, 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 저하되고, H2O2의 분해가 가속화된다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막의 식각 속도는 빨라지나, 하부막에 좋지 않은 영향을 끼치고, 직진성이 떨어지게 된다.
The inorganic acid is included in 0.1 to 1% by weight, preferably 0.1 to 1% by weight based on the total weight of the composition. When included below the above range, the pH control ability is lowered, the etching rate of the alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium is lowered, and the decomposition of H 2 O 2 is accelerated. If included in the above range, the etching rate of the alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium is faster, but adversely affects the lower film, the straightness is inferior.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁?㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
Water contained in the etchant composition of the present invention is contained in the remaining amount so that the total weight of the composition is 100% by weight. Although the said water is not specifically limited, It is preferable to use deionized water. In the water, it is more preferable to use deionized water having a specific resistance value of 18 kPa or more, which shows the degree of removal of ions in the water.
본 발명의 식각액 조성물은 식각 성능을 향상시키기 위하여, 당 업계에서 공지된 임의의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 조성물 총 중량에 대하여 0.0001~0.01중량%로 포함되는 것이 바람직하다.The etchant composition of the present invention may further include any additive known in the art to improve etching performance. The additive is preferably included in 0.0001 to 0.01% by weight based on the total weight of the composition.
상기 첨가제로는 예를 들면, 계면활성제, 금속이온 봉쇄제, 부식 방지제 등을 이용할 수 있다. 여기서, 상기 계면활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시킨다. 상기 계면활성제의 예로는 음이온성, 양이온성, 양쪽 이온성, 비이온성 계면활성제를 들 수 있다. 그리고, 상기 계면활성제로는 불소계 계면활성제도 이용할 수 있다.
As said additive, surfactant, a metal ion blocking agent, a corrosion inhibitor, etc. can be used, for example. Here, the surfactant lowers the surface tension to increase the uniformity of the etching. Examples of the surfactants include anionic, cationic, zwitterionic and nonionic surfactants. As the surfactant, a fluorine-based surfactant can also be used.
본 발명은 상기 식각액 조성물로 이용하여 제조된 평판표시장치를 제공한다. 상기 평판표시장치는 액정표시장치 또는 유기전계발광소자일 수 있다.
The present invention provides a flat panel display device manufactured using the etchant composition. The flat panel display may be a liquid crystal display or an organic light emitting display device.
본 발명의 식각액 조성물은 평판표시장치에서 전극으로 사용되는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막을 모두 효과적으로 식각할 수 있다. 본 발명의 식각액 조성물은 식각 프로파일이 우수하고, 약액 보존성이 우수하여 안정적이다. 본 발명의 식각액 조성물은 기판의 크기가 커도 식각 균일성이 유지된다.
The etchant composition of the present invention can effectively etch all the alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium used as an electrode in a flat panel display device. The etchant composition of the present invention is excellent in etching profile and excellent in chemical solution preservation stability. The etching liquid composition of the present invention maintains the etching uniformity even if the size of the substrate is large.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.
실시예1 내지 3 및 비교예1 내지 4: 식각액 조성물의 제조 Examples 1-3 and Comparative Examples 1-4: Preparation of Etch Liquid Composition
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비에 따라 식각액 조성물이 6kg이 되도록 제조하였다. To the etchant composition according to the components and composition ratios shown in Table 1 to 6kg.
(중량%)H 2 O 2
(weight%)
(중량%)Fluorine-containing compound
(weight%)
(중량%)Inorganic acids
(weight%)
B-1: NH4F B-2: HFB-1: NH 4 F B-2: HF
B-3: NaF C-1: 아미노테트라졸B-3: NaF C-1: aminotetrazol
C-2: 5-아미노-1-페닐테트라졸 C-3: 벤조트리아졸C-2: 5-amino-1-phenyltetrazole C-3: benzotriazole
D-1: 염산 D-2: 황산D-1: hydrochloric acid D-2: sulfuric acid
D-3: 질산 D-4: 인산
D-3: Nitric Acid D-4: Phosphoric Acid
시험예: 식각액 조성물의 특성평가Test Example: Evaluation of Characteristics of Etch Liquid Composition
표 1에 기재된 식각액 조성물을 이용하여 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막을 포함하는 이중막의 식각공정을 수행하였다. 식각공정 시 식각액 조성물의 온도는 약 30 ℃ 내외로 하였으나, 적정 온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경할 수 있다. 식각 시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있고, 통상 30~180초 정도로 진행하나, 본 시험에서는 60초로 진행하였다. 상기 식각공정에서 식각된 금속막의 프로파일을 단면 SEM (Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였고, 결과를 도 1 내지 도 7에 기재하였다.An etching process of an alloy film including molybdenum and titanium and a double film including an indium oxide film was performed using the etchant composition shown in Table 1. In the etching process, the temperature of the etchant composition was about 30 ° C., but the proper temperature may be changed as necessary by other process conditions and other factors. The etching time may vary depending on the etching temperature, and usually proceeds about 30 to 180 seconds, but in this test, it proceeded to 60 seconds. The profile of the metal film etched in the etching process was examined using a cross-sectional SEM (Hitachi, model name S-4700), and the results are shown in FIGS. 1 to 7.
도 1은 실시예1의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.FIG. 1 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Example 1. FIG.
도 2는 실시예2의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.FIG. 2 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Example 2. FIG.
도 3은 실시예3의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.FIG. 3 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Example 3. FIG.
도 4는 비교예1의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.4 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 1.
도 5는 비교예2의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다.FIG. 5 is a photograph showing the surface of a double film including an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 2. FIG.
도 6 비교예3의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다6 is a photograph showing the surface of a double film made of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 3
도 7 비교예4의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 표면을 나타낸 사진이다7 is a photograph showing the surface of a double film composed of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film etched with the etchant composition of Comparative Example 4
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예 1 내지 3의 식각액 조성물을 이용하면, 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 식각 프로파일이 우수한 것을 알 수 있다. 1 to 3, using the etching solution compositions of Examples 1 to 3, it can be seen that the etching profile of the bilayer consisting of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film is excellent.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 비교예1 내지 4의 식각액 조성물을 이용하면, 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막과 인듐산화막으로 이루어진 이중막의 식각 프로파일이 불량한 것을 알 수 있다. 따라서, 공정에 적용하기 어렵다.Referring to FIGS. 4 to 7, when the etchant compositions of Comparative Examples 1 to 4 are used, the etching profile of the bilayer consisting of an alloy film containing molybdenum and titanium and an indium oxide film is poor. Therefore, it is difficult to apply to the process.
Claims (5)
H2O2 5~30중량%;
함불소 화합물 0.01~5중량%;
수용성 시클릭 아민 화합물 0.1~5중량%;
무기산 0.01~10중량%; 및
물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막용 식각액 조성물.Regarding the total weight of the composition,
5-30% by weight of H 2 O 2 ;
0.01 to 5% by weight of a fluorine-containing compound;
0.1-5% by weight of the water-soluble cyclic amine compound;
0.01-10 weight% of inorganic acid; And
An etchant composition for an alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium, characterized in that it comprises a residual amount of water.
상기 함불소 화합물은 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막용 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The fluorine-containing compound is an alloy film containing molybdenum and titanium, characterized in that selected from the group consisting of HF, NaF, NH 4 F, NH 4 BF 4 , NH 4 FHF, KF, KHF 2 , AlF 3 and HBF 4 Or an etching solution composition for an indium oxide film.
상기 수용성 시클릭 아민 화합물은 벤조트리아졸계 화합물, 아미노테트라졸계 화합물, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계 화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물 및 피롤린계 화합물으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막용 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The water-soluble cyclic amine compound may be a benzotriazole compound, an aminotetrazole compound, an imidazole compound, an indole compound, a purine compound, a pyrazole compound, a pyridine compound, a pyrimidine compound, a pyrrole compound, a pyrrolidine type An etchant composition for an alloy film or indium oxide film comprising molybdenum and titanium, characterized in that selected from the group consisting of a compound and a pyrroline-based compound.
상기 무기산은 염산, 황산, 질산 및 인산으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 몰리브덴과 티타늄을 포함하는 합금막 또는 인듐산화막용 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The inorganic acid is selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, the etching liquid composition for an alloy film or indium oxide film containing molybdenum and titanium.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2023182602A1 (en) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 영창케미칼 주식회사 | Chemically amplified positive photoresist composition for improving sensitivity and pattern profile |
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