KR101347499B1 - Method of producing tft array substrate for liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 조성물의 총 중량에 대하여, 10 내지 25중량%의 H2O2, 0.1 내지 2중량%의 함불소 화합물, 0.1 내지 5중량%의 헤테로 사이클릭 아민 화합물, 및 68 내지 89.8 중량%의 물을 포함하는 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물, 이를 이용하는 식각방법 및 이를 이용하는 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention provides 10 to 25 weight percent H 2 O 2 , 0.1 to 2 weight percent fluorine-containing compound, 0.1 to 5 weight percent heterocyclic amine compound, and 68 to 89.8 weight percent, based on the total weight of the composition. A molybdenum-titanium alloy film and an indium oxide film etching liquid composition comprising water, an etching method using the same, and a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device using the same.
본 발명은, 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 화소전극으로 병행하여 사용되고 있는 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막의 식각공정 시, 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막을 모두 효과적으로 식각 할 수 있어서 식각공정의 효율성을 극대화 시킬 뿐만 아니라, 하부 금속(구리)에 대한 어택(attack)을 최소화함으로써, 박막트랜지스터-액정표시소자(TFT-LCD)의 구동 특성을 향상 시키며, 기판의 크기가 커도 식각 균일성이 유지되는 특성을 갖는 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물, 이를 이용하는 식각방법, 및 이를 이용하는 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.The present invention can effectively etch both the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film during the etching process of the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film used in parallel with the pixel electrode of the TFT array substrate for liquid crystal display device. In addition to maximizing efficiency, it minimizes the attack on the underlying metal (copper), thereby improving the driving characteristics of the TFT-LCD and maintaining the etching uniformity even when the substrate size is large. The present invention provides a molybdenum-titanium alloy film and an indium oxide film etchant composition, an etching method using the same, and a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device using the same.
몰리브덴-티타늄 합금막, 인듐 산화막, 식각액, 과산화수소수 Molybdenum-titanium alloy film, indium oxide film, etching solution, hydrogen peroxide
Description
도 1은 본 발명의 실시예 1의 식각액 조성물로 몰리브덴-티타늄 합금막을 식각한 후, 전자주사현미경으로 촬영한 기판 표면의 전체 사진이다.FIG. 1 is a whole photograph of a substrate surface photographed by an electron scanning microscope after the molybdenum-titanium alloy film is etched with the etchant composition of Example 1 of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예 1의 식각액 조성물로 인듐주석산화막(ITO)을 식각한 후, 전자주사현미경으로 촬영한 기판 표면의 전체 사진이다.FIG. 2 is a whole photograph of the surface of a substrate taken with an electron scanning microscope after etching an indium tin oxide film (ITO) with the etchant composition of Example 1 of the present invention.
도 3a와 3b는 하부 금속막(구리)과 포토레지스트가 형성된 기판에, 본 발명의 실시예 1의 식각액 조성물을 적용하기 전(도 3a)과 후(도 3b)에 촬영한 전자주사현미경 사진이다. 3A and 3B are electron scanning micrographs taken before (FIG. 3A) and after (FIG. 3B) the application of the etchant composition of Example 1 to the substrate on which the lower metal film (copper) and photoresist are formed. .
도 4는 비교예 1의 식각액 조성물로 몰리브덴-티타늄 합금막을 식각한 후, 전자주사현미경으로 촬영한 기판 표면의 전체 사진이다.FIG. 4 is a whole photograph of the surface of a substrate taken with an electron scanning microscope after the molybdenum-titanium alloy film is etched with the etchant composition of Comparative Example 1. FIG.
본 발명은, 화소 전극으로 사용되는 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막의 식각공정에 사용되는 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물, 이를 이용하는 식각방법, 및 이를 이용하는 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention provides a molybdenum-titanium alloy film and an indium oxide film etchant composition used in the etching process of the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film used as a pixel electrode, an etching method using the same, and a TFT array substrate for a liquid crystal display device using the same It relates to a manufacturing method.
몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 사용한 화소전극은, 일반적으로 스퍼터링 등의 방법을 통해 유리 기판 등의 위에 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 적층시키고, 그 위에 포토레지스트를 코팅하고 노광 및 현상 공정을 통하여 패턴을 형성한 후, 식각함으로써 화소 전극을 형성하게 된다.A pixel electrode using a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film is generally laminated with a molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film on a glass substrate or the like through sputtering or the like, coating a photoresist thereon and exposing and developing the film. After the pattern is formed through, the pixel electrode is formed by etching.
몰리브덴-티타늄 합금막은 내화학성이 우수하여 화학반응으로 식각이 용이하지 않은 물질이며, 종래에는 화소전극으로서 사용되지 않던 물질이다. 따라서, 몰리브덴-티타늄 합금막을 식각하기 위하여 사용되는 기술은 보고 된 바 없으며, 다만, 데이터 배선으로 사용되는 몰리브덴 단일막을 식각하기 위한 식각액으로서 한국 공개특허공보 제2001-0100226호에 과수계 (H2O2+NH4COOH) 식각액이 개시되어 있다.The molybdenum-titanium alloy film has excellent chemical resistance and is not easily etched by a chemical reaction, and has not been used as a pixel electrode in the past. Therefore, a technique used to etch the molybdenum-titanium alloy film has not been reported. However, as an etchant for etching a molybdenum single film used as data wiring, the Korean Patent Application Publication No. 2001-0100226 discloses a permeable system (H 2 O). 2 + NH 4 COOH) etchant is disclosed.
그러나, 상기 식각액을 몰리브덴-티타늄 합금막에 적용할 경우, 몰리브덴-티타늄 합금막의 내식각성이 강하여 식각이 불가능 하며, 하부 금속막으로 사용되는 구리 배선에 어텍을 가하기 때문에 데이터 배선으로 구리 배선을 사용하는 경우에는 사용이 불가능 하다는 문제점이 있다. 또한 상기 식각액은 화소전극으로 몰리브덴-티타늄 합금막과 병행하여 사용되는 인듐 산화막에 대해 식각이 불가능 하다는 단점이 있다.However, when the etchant is applied to the molybdenum-titanium alloy film, the etching resistance is impossible because the molybdenum-titanium alloy film is strong, and since the attack is applied to the copper wiring used as the lower metal film, the copper wiring is used as the data wiring. In this case, there is a problem that cannot be used. In addition, the etchant has a disadvantage in that it is impossible to etch the indium oxide film used in parallel with the molybdenum-titanium alloy film as the pixel electrode.
인듐 산화막의 식각액으로는 옥살산 계열의 식각액 및 염산 계열의 식각액이 쓰이고 있다. 그러나, 옥살산 계열의 식각액은 0℃ 이하에서의 옥살산의 결정화 현상이 발생하고, 염산 계열의 식각액은 하부 금속막을 어텍하는 문제점을 갖고 있는 것으로 알려져 있다. As the etchant of the indium oxide film, an oxalic acid etchant and a hydrochloric acid etchant are used. However, it is known that oxalic acid etchant has a problem of crystallization of oxalic acid at 0 ° C. or lower, and hydrochloric acid etchant has a problem of attacking the lower metal film.
몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막은 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 화소전극으로 병행하여 사용되고 있다. 따라서, 화소전극의 형성을 위한 식각공정에서 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막을 모두 효과적으로 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제조하는 기술은 식각공정의 효율성을 극대화하기 위하여 반드시 필요한 기술이라고 할 수 있다. The molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film are used in parallel as the pixel electrodes of the TFT array substrate for liquid crystal display devices. Therefore, a technique of preparing an etching liquid composition capable of effectively etching both the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film in the etching process for forming the pixel electrode may be referred to as a technology necessary to maximize the efficiency of the etching process.
따라서, 본 발명은, 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 화소전극으로 병행하여 사용되고 있는 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막의 식각공정 시, 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막을 모두 효과적으로 식각 할 수 있어서 식각공정의 효율성을 극대화 시킬 뿐만 아니라, 하부 금속(구리)에 대한 어택(attack)을 최소화함으로써, 박막트랜지스터-액정표시소자(TFT-LCD)의 구동 특성을 향상 시키는 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물, 이를 이용하는 식각방법, 및 이를 이용하는 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention can effectively etch both the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film during the etching process of the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film used in parallel with the pixel electrode of the TFT array substrate for a liquid crystal display device. Molybdenum-titanium alloy and indium oxide etchant that not only maximizes the efficiency of the process but also improves the driving characteristics of thin film transistor-liquid crystal display devices (TFT-LCDs) by minimizing attack on the underlying metal (copper). An object of the present invention is to provide a composition, an etching method using the same, and a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device using the same.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 조성물의 총 중량에 대하여, 10 내지 25중량%의 H2O2, 0.1 내지 2중량%의 함불소 화합물, 0.1 내지 5중량%의 헤테로 사이클릭 아민 화합물, 및 68 내지 89.8 중량%의 물을 포함하는 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, based on the total weight of the composition, 10 to 25% by weight of H 2 O 2 , 0.1 to 2% by weight of the fluorine-containing compound, 0.1 to 5% by weight of heterocyclic amine compound And it provides a molybdenum-titanium alloy film and indium oxide film etching liquid composition comprising 68 to 89.8% by weight of water.
또한, 본 발명은 상기의 식각액 조성물을 사용하여 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 식각하는 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for etching a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film using the above etching liquid composition.
또한, 본 발명은 상기의 식각액 조성물을 사용하여 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 식각하는 공정을 포함하는 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device comprising the step of etching the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film using the etching liquid composition.
이하에서, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴-티타늄 합금막의 식각과 병행하여 인듐 산화막을 식각 할 수 있다.The etchant composition of the present invention can etch the indium oxide film in parallel with the etching of the molybdenum-titanium alloy film.
상기에서 인듐 산화막의 구체적인 예로는 인듐아연산화막(IZO), 인듐주석산화막(ITO) 등을 들 수 있다.Specific examples of the indium oxide film may include an indium zinc oxide film (IZO), an indium tin oxide film (ITO), and the like.
본 발명에서 사용되는 H2O2, 함불소 화합물, 및 헤테로 사이클릭 아민 화합물은 통상적으로 공지된 방법에 따라 제조가능하며, 특히 반도체 공정용 순도를 가지는 것이 바람직하다.H 2 O 2 used in the present invention, The fluorine-containing compound and the heterocyclic amine compound can be prepared according to commonly known methods, and it is particularly preferable to have a purity for semiconductor processing.
본 발명의 식각액 조성물에서 H2O2는, 몰리브덴-티타늄 합금막을 식각하는 주 산화제로 사용되며, 몰리브덴-티타늄 합금막의 하부에 있는 다른 금속에 대한 어택(attack)이 적다.In the etchant composition of the present invention, H 2 O 2 is used as a main oxidant for etching the molybdenum-titanium alloy film and has a low attack on other metals under the molybdenum-titanium alloy film.
H2O2는 조성물의 총 중량에 대하여 10 내지 25중량% 포함되는 것이 바람직하며, 10중량% 미만으로 포함될 경우, 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25중량%를 초과하여 포함될 경우, 몰리브덴-티타늄 합금막 상의 포토레지스트와 몰리브덴-티타늄 합금막의 하측에 위치하는 하부 금속막에 어택을 가하게 된다.H 2 O 2 is preferably contained in 10 to 25% by weight relative to the total weight of the composition, when included in less than 10% by weight, insufficient etching may not be sufficient etching, more than 25% by weight If included, an attack is applied to the photoresist on the molybdenum-titanium alloy film and the lower metal film located below the molybdenum-titanium alloy film.
본 발명의 식각액 조성물에서 함불소 화합물은, 식각 속도를 빠르게 함과 동시에 식각 잔사를 제거하는 성분으로서, 물에 해리되어 F 이온을 낼 수 있는 화합물을 의미한다. 구체적인 예로는, HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3, 및 HBF4 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수 있다. 이들 중 NH4FHF가 바람직하게 사용된다.The fluorine-containing compound in the etching solution composition of the present invention is a component that accelerates the etching rate and removes the etching residue, and means a compound capable of dissociating in water to give F ions. Specific examples include HF, NaF, NH 4 F, NH 4 BF 4 , NH 4 FHF, KF, KHF 2 , AlF 3 , and HBF 4 , and these may be used alone or in combination of two or more. . Of these, NH 4 FHF is preferably used.
본 발명의 식각액 조성물에서 함불소 화합물은 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 2중량% 포함되는 것이 바람직하며, 0.1중량% 미만으로 포함되면 식각 속도가 느려지게 되고, 식각 잔사가 남을 수 있으며, 2중량%를 초과하여 포함되는 경우, 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막의 하부 금속막으로 사용되는 구리에 어택을 가할 수 있다.In the etchant composition of the present invention, the fluorine-containing compound is preferably included in an amount of 0.1 to 2% by weight based on the total weight of the composition. When the amount of the fluorine-containing compound is less than 0.1% by weight, the etching rate may be slow, and the etching residue may remain. When included in more than%, it may be attacked to the copper used as the lower metal film of the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film.
본 발명의 식각액 조성물에서 헤테로 사이클릭 아민 화합물은 화소 전극으로 사용되는 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막과 접촉하게 되는 구리 배선에 어택을 최소화 하는 역할을 한다. 구체적인 예로는, 벤조트리아졸, 아미노테트라졸(aminotetrazole)계 화합물, 이미다졸 (imidazole), 인돌 (indole), 푸린 (purine), 피라졸 (pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤 (pyrrole), 피롤리딘 (pyrrolidine), 피롤린 (pyrroline) 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수 있으며, 특히, 아미노테트라졸계 화합물이 바람직하게 사용될 수 있다.In the etching solution composition of the present invention, the heterocyclic amine compound serves to minimize attack on the copper wiring that comes into contact with the molybdenum-titanium alloy film or the indium oxide film used as the pixel electrode. Specific examples include benzotriazole, aminotetrazole compounds, imidazole, indole, purine, pyrazole, pyridine, pyrimidine, Pyrrole, pyrrolidine, pyrroline, etc. can be mentioned, These can use together 1 type (s) or 2 or more types, In particular, an amino tetrazole type compound can be used preferably.
상기에서 아미노테트라졸계 화합물의 구체적인 예로는, 아미노테트라졸, 5-아미노-1-페닐테트라졸, 5-아미노-1-(1-나프틸)테트라졸, 1-메틸-5-아미노테트라 졸, 1,5-디아미노테트라졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아미노테트라졸이 더욱 바람직하다.Specific examples of the aminotetrazole-based compound may include aminotetrazole, 5-amino-1-phenyltetrazole, 5-amino-1- (1-naphthyl) tetrazole, 1-methyl-5-aminotetrazole, 1, 5- diamino tetrazole, etc. are mentioned. Among these, aminotetrazole is more preferable.
본 발명의 식각액 조성물에서 헤테로 사이클릭 아민 화합물은 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 5중량% 포함되는 것이 바람직하며, 0.1중량% 미만으로 포함되는 경우, 구리막에 어택이 발생 하며, 5중량%를 초과하여 포함되는 경우, 구리막에 대한 어택 방지효과는 우수하나 몰리브덴-티타늄 합금막에 대한 식각 속도가 떨어 질 수 있다.In the etching solution composition of the present invention, the heterocyclic amine compound is preferably included in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition, and when included in less than 0.1% by weight, an attack occurs in the copper film, and 5% by weight When included in excess, the attack prevention effect on the copper film is excellent but the etching rate for the molybdenum-titanium alloy film may be lowered.
본 발명의 식각액 조성물에서 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하며, 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항 값이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.In the etchant composition of the present invention, water is not particularly limited, but deionized water is preferably used, and deionized water having a specific resistance of 18 ㏁ / cm or more that shows the degree of removal of ions in water is more preferably used. .
본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막의 식각액 조성물은 식각 성능을 향상시키기 위하여 당업계에 공지되어 있는 임의의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제는, 조성물의 총 중량에 대해 0.0001 내지 0.01중량%로 포함되는 것이 바람직하다.The etchant composition of the molybdenum-titanium alloy film of the present invention may further include any additives known in the art to improve etching performance. The additive is preferably included in 0.0001 to 0.01% by weight relative to the total weight of the composition.
첨가제로는 계면 활성제, 금속이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 사용할 수 있다.As the additive, a surfactant, a metal ion sequestering agent, and a corrosion inhibitor may be used.
계면 활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한 다. 이러한 계면활성제로는 식각액에 견딜 수 있고 상용성이 있는 형태의 계면활성제가 바람직하며, 예를 들면, 임의의 음이온성, 양이온성, 양쪽 이온성 또는 비이온성 계면 활성제 등을 들 수 있다. 또한, 계면활성제로서 불소계 계면활성제를 사용할 수도 있다.Surfactants lower the surface tension to increase the uniformity of etching. Such surfactants are preferably surfactants which are resistant to etching liquids and are compatible, and examples thereof include any anionic, cationic, zwitterionic or nonionic surfactant. Moreover, a fluorine-type surfactant can also be used as surfactant.
본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물은, 박막트랜지스터-액정표시소자(TFT-LCD)에 사용되는 몰리브덴-티타늄 합금막에 대한 우수한 식각 성능을 가지며, 기존의 인듐 산화막 식각액으로서 사용되는 옥살산 계열의 식각액에 비해, 인듐 산화막의 식각 속도가 빠르며 인듐 산화막의 잔사도 발생시키지 않으므로, 인듐 산화막의 식각액으로서도 병행 사용이 가능하여 공정 단순화를 극대화 시킬 수 있으며, 식각 공정 시 하부 금속막(구리)에 대한 어택을 최소화 시키는 장점을 갖는다.The molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching liquid composition of the present invention have excellent etching performance with respect to the molybdenum-titanium alloy film used in the thin film transistor-liquid crystal display device (TFT-LCD), and used as a conventional indium oxide film etching solution. Compared with the oxalic acid-based etching solution, the etching rate of the indium oxide film is faster and does not cause residue of the indium oxide film. Therefore, the etching solution of the indium oxide film can be used in parallel to maximize the process simplification, and the lower metal film (copper) during the etching process can be maximized. It has the advantage of minimizing attack against.
또한, 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물은, 종래의 옥살산 계열의 인듐 산화막 식각액의 문제점으로 알려져 있는 0℃ 이하에서의 옥살산의 결정화 현상도 없고, 염산 계열의 식각액에서 나타나는 하부 금속막에 대한 영향도 없다. 따라서, TFT-LCD를 제조하는 공정에 있어서 생산성을 높일 수 있는 장점이 있다.In addition, the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching solution composition of the present invention, there is no crystallization phenomenon of oxalic acid at 0 ° C or less, which is known as a problem of the conventional indium oxide film etching solution of the conventional oxalic acid series, and the lower metal which appears in the hydrochloric acid-based etching solution. There is no effect on the membrane. Therefore, there is an advantage in that the productivity can be increased in the process of manufacturing a TFT-LCD.
한편, 본 발명의 또 하나의 태양인 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 식각하는 방법은 구체적으로 (a) 기판 상에 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인 듐 산화막을 형성하는 단계; (b) 상기에서 형성된 막 상에 선택적으로 광반응물질을 남기는 단계; 및 (c) 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물을 사용하여 상기 에서 형성된 막을 식각하는 단계를 포함한다.Meanwhile, another aspect of the present invention is a method of etching a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film, specifically, (a) forming a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film on a substrate; (b) selectively leaving a photoreactant on the film formed above; And (c) etching the film formed above using the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching solution composition of the present invention.
상기 (a) 단계는, (a1) 기판을 제조하는 단계, 및 (a2) 상기 기판 상에 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 물론 기판 상에 통상적인 세정공정을 수행하고, 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 증착할 수도 있다.The step (a) may include (a1) manufacturing a substrate, and (a2) forming a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film on the substrate. Of course, a conventional cleaning process may be performed on the substrate, and a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film may be deposited.
상기 (a1) 단계에서 기판은 유리기판 또는 석영기판일 수 있으며, 유리기판이 바람직하다.In the step (a1), the substrate may be a glass substrate or a quartz substrate, and preferably a glass substrate.
상기 (a2) 단계에서 기판 상에 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 형성하는 방법으로는 당업자에게 알려진 다양한 방법을 사용할 수 있으며, 구체적인 예로는 스퍼터링법에 의해 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 기판 상에 증착하는 방법을 들 수 있다. 막의 두께는 대략 200~500Å이 되도록 증착시킬 수 있다.As a method of forming a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film on the substrate in the step (a2) may be used a variety of methods known to those skilled in the art, a specific example is a molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film by a sputtering method The vapor deposition on a phase is mentioned. The thickness of the film can be deposited to be approximately 200 to 500 kPa.
상기 (a) 단계는 상기 기판과 상기 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막 사이에 액정표시장치용 구조물을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (a) may further include forming a structure for a liquid crystal display device between the substrate and the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film.
상기에서 액정표시장치용 구조물은 화학기상증착 등의 방법에 의한 유기 절연막, 스퍼터링 등의 방법에 의한 도전성 물질, 및 비정질 또는 다결정성의 실리콘막과 같은 반도체막 등을 의미하며, 포토공정, 식각공정 등으로 제조한 구조물일 수 있다. The structure for a liquid crystal display device refers to an organic insulating film by a method such as chemical vapor deposition, a conductive material by a method such as sputtering, a semiconductor film such as an amorphous or polycrystalline silicon film, and the like, a photo process, an etching process, and the like. It may be a structure manufactured by.
상기 (b) 단계는, (b1) 형성된 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막 상에 광반응물질을 도포하여 광반응물질 코팅층을 형성하는 단계; (b2) 포토마스크를 통해 상기 광반응물질 코팅층을 선택적으로 노광하는 단계; 및 (b3) 상기 광반응물질 코팅층의 전체영역 중 일정 영역이 형성된 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막 상에 남도록, 현상액을 이용하여 상기 광반응물질 코팅층을 현상하는 단계를 포함할 수 있다.Step (b) may include forming a photoreactive material coating layer by applying a photoreactive material on the formed molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film (b1); (b2) selectively exposing the photoreactive material coating layer through a photomask; And (b3) developing the photoreactive material coating layer by using a developer such that a predetermined area of the entire area of the photoreactive material coating layer remains on the formed molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film.
상기 (b1) 단계에서는, 스핀코터(spin coater)를 이용하여 상기 형성된 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막에 광반응물질을 도포할 수 있으며, 그 두께는 1㎛내외인 것이 바람직하다.In the step (b1), a photoreactive material may be applied to the formed molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film using a spin coater, and the thickness thereof is preferably about 1 μm.
여기서, 스핀코터 이외에도 슬릿코터를 이용할 수도 있으며, 또한 스핀코터와 슬릿코터를 혼용하여 사용할 수 있다. 본 도포공정에서는 에싱(ashing), 열처리 등 통상적으로 진행되는 과정를 더 포함할 수 있다. Here, the slit coater may be used in addition to the spin coater, and the spin coater and the slit coater may be used in combination. The coating process may further include a process such as ashing or heat treatment.
상기 (b1) 단계에서는 광반응물질로 포토레지스트를 사용할 수 있다. 포토레지스트는 특정 파장대의 빛을 받으면(노광:photo exposure) 반응하는 일종의 감광성 고분자 화합물(photosensitive polymer)로서, 이때 반응이라 함은 포토레지스트의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 폴리머(polymer) 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다. 이에 노광된 부분의 폴리머(polymer) 결합사슬이 끊어지는 양극형(positive) 포토레지스트와 그 반대의 음극형(negative) 포토레지스트 중 선택하여 사용할 수 있다.In the step (b1), a photoresist may be used as the photoreactive material. A photoresist is a kind of photosensitive polymer that reacts when it receives light at a specific wavelength range (photo exposure), where the reaction is the polymer chain of the exposed part when a part of the photoresist is exposed. This means breaking or bonding stronger. The exposed photopolymer may be selected from a positive photoresist in which the polymer bond chain of the exposed portion is broken and a negative photoresist on the contrary.
상기 (b2) 단계에서는 포토마스크(photo mask)를 사용하여 광반응물질 코팅층에 선택적으로 자외선 영역의 빛을 조사한다. In the step (b2), a photo-reactive material coating layer is selectively irradiated with ultraviolet light using a photo mask.
상기 (b3) 단계에서는 노광공정(b2)을 통해 상대적으로 결합이 약해져 있는 부분의 광반응물질 코팅층을 현상액을 사용하여 녹여낸다. 따라서 기판에 형성된 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막 상에 선택적으로 광반응물질을 남길 수 있게 된다.In the step (b3), a portion of the photoreactive material coating layer relatively weakly bonded through the exposure step (b2) is melted using a developing solution. Therefore, it is possible to selectively leave a photoreactive material on the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film formed on the substrate.
상기 (c) 단계에서는, 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물을 사용하여 상기에서 형성된 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 식각할 수 있다.In the step (c), the molybdenum-titanium alloy film or the indium oxide film formed above may be etched using the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching solution composition.
이러한, 식각공정은 당업계 주지의 방법에 따라 수행될 수 있으며, 침지시키는 방법, 분사(spray)하는 방법 등을 예로 들 수 있다. 식각공정 시 식각용액의 온도는 30~50℃일 수 있으며, 적정 온도는 다른 공정과 기타 요인을 고려하여 필요에 따라 변경할 수 있다.Such an etching process can be performed according to a method well known in the art, and examples thereof include a method of dipping, a method of spraying, and the like. During the etching process, the temperature of the etching solution may be in the range of 30 to 50 ° C., and the optimum temperature may be changed as necessary in consideration of other processes and other factors.
한편, 본 발명의 또 하나의 태양인 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법은, 구체적으로 (a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; (d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 구리막으로 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드레인전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 (e) 단계는 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 형성하고, 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물을 사용하여 상기에서 형성된 막을 식각하는 공정을 포함한다.On the other hand, another aspect of the present invention is a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device, specifically, (a) forming a gate electrode on the substrate; (b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode; (c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; (d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer using a copper film; And (e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein step (e) forms a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film, and the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching composition of the present invention. Using to etch the film formed above.
상기 (a) 단계는 (a1) 기상증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 기판 상에 금속막을 증착시키는 단계; 및 (a2) 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. Step (a) may include: (a1) depositing a metal film on a substrate using vapor deposition or sputtering; And (a2) patterning the metal film to form a gate electrode.
여기서, 금속막은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상으로 구성되는 단일막 또는 다층막으로 준비될 수 있다. 금속막을 기판 상에 형성하는 방법과 금속막의 재료는 상기에 예시된 범위로 한정되는 것은 아니다.Here, the metal film may be prepared as a single film or a multilayer film composed of one or more selected from the group consisting of aluminum, aluminum alloy, molybdenum and molybdenum alloy. The method of forming a metal film on a board | substrate and the material of a metal film are not limited to the range illustrated above.
(b) 단계에서는 기판 상에 형성된 게이트전극 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층을 질화실리콘(SiNx)으로 형성한다고 설명하였으나 이에 한정되는 것이 아니라 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기절연물질 중에서 선택되는 물질을 사용하여 게이트 절연층을 형성할 수 있다.In step (b), silicon nitride (SiN X ) is deposited on the gate electrode formed on the substrate to form a gate insulating layer. Here, the gate insulating layer is formed of silicon nitride (SiN x ), but the present invention is not limited thereto. The gate insulating layer may be formed using a material selected from various inorganic insulating materials including silicon oxide (SiO 2 ). .
(c) 단계에서는 게이트 절연층 상에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 반도체층을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층 (active layer)과 옴익콘텍층 (ohmic contact layer)을 형성한 후, 건식식각을 통해 패턴닝한다.In the step (c), the semiconductor layer is formed on the gate insulating layer using chemical vapor deposition (CVD). That is, the active layer and the ohmic contact layer are formed sequentially, and then patterned by dry etching.
여기서, 엑티브층은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 옴익콘텍층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층과 옴익콘텍층을 형성할 때 화학기상증착법(CVD)을 이용한다고 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. Here, the active layer is generally formed of pure amorphous silicon (a-Si: H), and the ohmic contact layer is formed of amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities. It is described that the chemical vapor deposition (CVD) is used to form the active layer and the ohmic contact layer, but is not limited thereto.
상기 (d) 단계는, (d1) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계, 및 (d2) 상기 소스 및 드레인전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다.Step (d) includes (d1) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer, and (d2) forming an insulating layer on the source and drain electrodes.
상기 (d1) 단계에서는 옴익콘텍층 위에 스퍼터링법을 통해 금속막을 증착하고 식각하여 소스전극과 드레인전극을 형성한다.In the step (d1), a metal film is deposited and etched on the ohmic contact layer by sputtering to form a source electrode and a drain electrode.
여기서 소스전극과 드레인전극은 구리/몰리브덴합금 이중막으로 마련되는 것이 바람직하다. 금속막을 형성하는 방법과 금속막의 재료는 상기에서 예시된 것에 한정되는 것은 아니다.Here, the source electrode and the drain electrode are preferably provided with a copper / molybdenum alloy double layer. The method of forming a metal film and the material of a metal film are not limited to what was illustrated above.
상기 (d2) 단계에서는 소스 전극과 드레인 전극 상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크 릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연층을 형성한다. 절연층의 재료는 상기에 예시된 것에 한정되는 것은 아니다. In the step (d2), an inorganic insulating group containing silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ) or a benzocyclobutene (BCB) and an acryl-based resin are formed on the source electrode and the drain electrode. Selecting an organic insulating material group including a to form an insulating layer in a single layer or a double layer. The material of the insulating layer is not limited to that illustrated above.
상기 (e) 단계에서는 상기 드레인전극에 연결된 화소전극을 형성한다. In the step (e), a pixel electrode connected to the drain electrode is formed.
예컨대, 스퍼터링법을 통해 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 증착하고, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여, 화소전극을 형성한다. 상기의 막을 증착하는 방법은 스퍼터링법에 한정되는 것은 아니다.For example, a molybdenum-titanium alloy film or an indium oxide film is deposited through a sputtering method and etched with the etchant composition of the present invention to form a pixel electrode. The method of depositing the above film is not limited to the sputtering method.
이와 같은, 액정표시장치용 TFT 어레이 기판 제조방법에 있어서, 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물을 사용하여 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막을 식각하는 경우 기판의 크기가 커도 식각균일성을 유지할 수 있다.In such a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device, when the molybdenum-titanium alloy film or the indium oxide film is etched using the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching liquid composition of the present invention, the etching uniformity is large even if the substrate size is large. You can keep the castle.
또한, 액정표시장치용 TFT 어레이 기판 제조방법에 있어서, 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물을 사용하는 식각공정 시, 식각 속도가 빠르면서도 화소 전극 하측에 구리로 이루어진 드레인 전극을 포함한 데이터 라인에 대한 어택을 최소화시킬 수 있기 때문에, TFT-LCD의 구동 특성을 향상시킬 수 있는 우수한 액정표시장치용 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있고, 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device, during the etching process using the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film etching composition of the present invention, the etching rate is high and includes a drain electrode made of copper under the pixel electrode. Since the attack on the data line can be minimized, an excellent TFT array substrate for a liquid crystal display device which can improve the driving characteristics of the TFT-LCD can be manufactured, and the productivity of the TFT array substrate for a liquid crystal display device can be improved. Will be.
이하에서, 본 발명을 실시예 등을 통하여 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예 등은 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해 제공되는 것이며, 이들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples. However, the following examples and the like are provided to explain the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited thereto.
실시예 1.Example 1.
(1) 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물의 제조(1) Preparation of molybdenum-titanium alloy film and indium oxide film etching liquid composition
반도체 공정용 등급인 H2O2, NH4FHF, 및 아미노테트라졸을 표 1에 기재된 조성비로 혼합하고, 표 1에 기재된 조성비로 탈이온수를 첨가하여 식각액 조성물을 제조하였다. H 2 O 2 , NH 4 FHF, and aminotetrazole, which are grades for semiconductor processing, were mixed at the composition ratios shown in Table 1, and deionized water was added at the composition ratios shown in Table 1 to prepare an etching solution composition.
(2) 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물의 성능 테스트(2) Performance test of molybdenum-titanium alloy film and indium oxide film etching liquid composition
1) 테스트 방법1) test method
스퍼터링법에 의해 2장의 유리 기판 상에 각각 약 500Å 두께로 몰리브덴-티타늄 합금막(시험편 1)과 인듐주석산화막(ITO, 시험편 2)을 증착하고, 그 위에 약 1㎛내외의 포토레지스트를 코팅한 후, 선택적으로 패턴을 형성하여 시험편 1 및 2를 제조하고, 스퍼터링법에 의해 유리 기판상에 약 500Å 두께로 구리막을 증착하고, 그 위에 약 1㎛내외의 포토레지스트를 코팅하여 시험편 3을 제조하였다.By sputtering, a molybdenum-titanium alloy film (test piece 1) and an indium tin oxide film (ITO, test piece 2) were deposited on each of two glass substrates at a thickness of about 500 mW, and a photoresist of about 1 μm was coated thereon. Subsequently, the specimens 1 and 2 were selectively formed to prepare patterns, and a copper film was deposited on the glass substrate by a sputtering method to a thickness of about 500 mm 3, and a specimen of about 1 μm was coated thereon to prepare specimen 3. .
상기 시험편 1 및 2를 (1)에서 제조된 식각액으로 스프레이 방식을 사용하여 70초 동안, 약 30℃에서 식각하였다. 시험편 3은 식각액을 적용하기 전에 전자주사 현미경(SEM ; Hitach, S-4700)으로 촬영하고(도 3a), (1)에서 제조된 식각액으로 스프레이 방식을 사용하여 10분 동안 처리하였다.The specimens 1 and 2 were etched at about 30 ° C. for 70 seconds using the spray method with the etching solution prepared in (1). Test piece 3 was photographed with an electron scanning microscope (SEM; Hitach, S-4700) before applying the etchant (Fig. 3a), and treated with the etchant prepared in (1) using a spray method for 10 minutes.
전자주사현미경으로 시험편 1, 2 및 3을 검사하였다.Specimens 1, 2, and 3 were examined with an electron scanning microscope.
2) 테스트 결과2) test result
하기의 표 1 및 시험편 1 및 2의 전자주사현미경 사진인 도 1 및 2에서 확인 되는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1의 식각액 조성물은 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막에 대하여 양호한 식각 특성과 잔사 특성을 나타내었다.As shown in Table 1 and FIGS. 1 and 2, which are electron scanning micrographs of Test Samples 1 and 2, the etchant composition of Example 1 of the present invention has good etching characteristics and residues for molybdenum-titanium alloy films and indium oxide films. Characteristics.
즉, 실시예 1의 식각액에 의해 식각된 몰리브덴-티타늄 합금막의 표면을 나타낸 도 1의 사진에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1의 식각액 조성물은 몰리브덴-티타늄 합금막에 대한 식각 특성이 우수하였으며, 몰리브덴-티타늄 합금막의 잔사를 남기지 않았다. 또한, 도 2의 사진에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1의 식각액 조성물은 인듐주석산화막(ITO)에 대한 식각 특성이 우수하였으며, 인듐주석산화막(ITO)의 잔사를 남기지 않았다.That is, as can be seen in the photo of Figure 1 showing the surface of the molybdenum-titanium alloy film etched by the etching solution of Example 1, the etching solution composition of Example 1 was excellent in etching characteristics for the molybdenum-titanium alloy film, No residue of the molybdenum-titanium alloy film was left. In addition, as can be seen in the photo of Figure 2, the etching liquid composition of Example 1 was excellent in etching characteristics for the indium tin oxide film (ITO), and did not leave the residue of the indium tin oxide film (ITO).
또한, 시험편 3을 사용한 테스트에서는, 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 사용하기 전의 사진(도 3a)과 사용한 후의 사진(도 3b)으로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1의 식각액 조성물로 시험편 3을 10분 동안 처리한 후에도, 하부 금속막에는 식각액에 의한 어택이 전혀 없었으며, 포토레지스트에도 영향을 주지 않았음을 확인하였다. 이러한 결과는 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐주석 산화막 식각액 조성물이 포토레지스트와 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막의 하부에 위치하는 데이터 배선에는 영향을 주지 않음을 나타내는 것이다. In addition, in the test using the test piece 3, as can be seen from the photograph before using the etching liquid composition which concerns on Example 1 (FIG. 3A), and the photograph after using (FIG. 3B), with the etching liquid composition of Example 1 of this invention After the test piece 3 was treated for 10 minutes, it was confirmed that the lower metal film had no attack due to the etching liquid and did not affect the photoresist. These results indicate that the molybdenum-titanium alloy film and the indium tin oxide etching liquid composition of the present invention do not affect the data wiring located under the photoresist and the molybdenum-titanium alloy film or the indium oxide film.
실시예 2 내지 20.Examples 2-20.
(1) 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물의 제조(1) Preparation of molybdenum-titanium alloy film and indium oxide film etching liquid composition
반도체 공정용 등급인 H2O2, NH4FHF, 및 아미노테트라졸을 표 1에 기재된 조성비로 혼합하고, 표 1에 기재된 조성비로 탈이온수를 첨가하여 식각액 조성물을 제조하였다. H 2 O 2 , NH 4 FHF, and aminotetrazole, which are grades for semiconductor processing, were mixed at the composition ratios shown in Table 1, and deionized water was added at the composition ratios shown in Table 1 to prepare an etching solution composition.
(2) 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물의 성능 테스트(2) Performance test of molybdenum-titanium alloy film and indium oxide film etching liquid composition
상기 (1)에서 제조된 식각액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 시험하였다. Manufactured in the above (1) The same procedure as in Example 1 was conducted except that the etchant was used.
표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물들(실시예 2~20)은, 포토레지스트에 영향을 주지 않고, 하부 구리막을 어택하지 않으며, 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막의 잔사도 남기지 않는 양호한 결과를 나타내었다.As can be seen from Table 1, the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide etchant compositions (Examples 2 to 20) of the present invention do not affect the photoresist, do not attack the lower copper film, and molybdenum-titanium Good results were obtained in which no residue of the alloy film or the indium oxide film was left.
<테스트 결과 표시 기준><Test Result Display Criteria>
X : 잔사발생 없음, 하부 금속막 어택 없음.X: no residue, no lower metal film attack.
O : 잔사발생 있음, 하부 금속막 어택 있음.O: There is residue, There is a lower metal film attack.
H2O2/NH4FHF/아미노테트라졸/탈이온수Composition (% by weight)
H 2 O 2 / NH 4 FHF / aminotetrazole / deionized water
비교예 1.Comparative Example 1
몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막에 대하여, 기존에 알려진 H2O2 및 NH4COOH를 하기의 표 2에 기재된 조성비로 포함하는 식각액 조성물을 제조하여 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 상기 식각액 조성물의 식각 특성을 테스트 하였다. 상기 식각액을 사용한 경우의 테스트 결과는 표 2 및 도4 에 나타내었으며, 그로부터 상기의 식각 조성물로는 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 인듐 산화막의 식각이 불가능함을 확인하였다. For the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film, the same as in Example 1 except for using an etching solution composition containing a known H 2 O 2 and NH 4 COOH in the composition ratio shown in Table 2 below The etching properties of the etchant composition were tested. Test results when the etchant was used are shown in Table 2 and Figure 4, from which it was confirmed that the etching composition of the molybdenum-titanium alloy film or indium oxide film is impossible.
H2O2/NH4COOHComposition (% by weight)
H 2 O 2 / NH 4 COOH
본 발명은 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 화소전극으로 병행하여 사용되고 있는 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막의 식각공정 시, 몰리브덴-티타늄 합금막과 인듐 산화막을 모두 효과적으로 식각 할 수 있어서 식각공정의 효율성을 극대화 시킬 뿐만 아니라, 하부 금속(구리)에 대한 어택(attack)을 최소화함으로써, 박막트랜지스터-액정표시소자(TFT-LCD)의 구동 특성을 향상 시키며, 기판의 크기가 커도 식각 균일성이 유지되는 특성을 갖는 몰리브덴-티타늄 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물, 이를 이용하는 식각방법, 및 이를 이용하는 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.The present invention can effectively etch both the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film during the etching process of the molybdenum-titanium alloy film and the indium oxide film used in parallel to the pixel electrode of the TFT array substrate for a liquid crystal display device, the efficiency of the etching process In addition to minimizing the attack on the lower metal (copper), the driving characteristics of the TFT-LCD are improved, and the etching uniformity is maintained even when the substrate is large. A molybdenum-titanium alloy film and an indium oxide film etching liquid composition having characteristics, an etching method using the same, and a method of manufacturing a TFT array substrate for a liquid crystal display device using the same are provided.
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