KR20120070054A - 4 위상 전압 제어 발진기 - Google Patents
4 위상 전압 제어 발진기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120070054A KR20120070054A KR1020100131453A KR20100131453A KR20120070054A KR 20120070054 A KR20120070054 A KR 20120070054A KR 1020100131453 A KR1020100131453 A KR 1020100131453A KR 20100131453 A KR20100131453 A KR 20100131453A KR 20120070054 A KR20120070054 A KR 20120070054A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage controlled
- controlled oscillator
- transformer
- terminal
- phase
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B27/00—Generation of oscillations providing a plurality of outputs of the same frequency but differing in phase, other than merely two anti-phase outputs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1296—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the feedback circuit comprising a transformer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0078—Functional aspects of oscillators generating or using signals in quadrature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
본 발명의 실시 예에 따른 4 위상 전압 제어 발진기는, 전원단과 제 1 바이어스단 사이에 연결되고, 제 1 및 제 2 발진 신호들을 생성하는 제 1 전압 제어 발진부, 상기 전원단과 제 2 바이어스단 사이에 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 발진 신호들 각각에 180° 위상 차이를 갖는 제 3 및 제 4 발진 신호들을 생성하는 제 2 전압 제어 발진부, 및 상기 제 1 바이어스단과 접지단 사이에 연결되고, 상기 제 2 바이어스단과 상기 접지단 사이에 연결되는 바이어싱 변압기를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들 각각은, 상보적으로 크로스 커플링된 피모스 트랜지스터들과 엔모스 트랜지스터들, 하나의 변압기, 버랙터들, 및 커패시터들을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들 각각의 공진 주파수는, 상기 변압기, 상기 버랙터들, 및 상기 커패시터들에 의하여 결정된다. 본 발명에 따른 4 위상 전압 제어 발진기는 개별적인 인덕터들을 사용하지 않고 하나의 변압기로 구현함으로써, 면적 소모를 줄이면서 직류 바이어싱 문제를 해결할 수 있다.
Description
본 발명은 4 위상 전압 제어 발진기에 관한 것이다.
4 위상 전압 제어 발진기는 크기가 서로 동일하고 위상이 90° 씩 지연된 4개의 발진 신호를 발생시키기 위한 회로로서, 현재 직접 변환 방식의 유, 무선 송수신기에서 주로 활용되고 있다. 예를 들어, 4위상 위상/진폭변조방식(QPSK : Quadrature Phase Shift-Keying)을 사용하는 무선 시스템이나 각종 유/무선 통신 송수신기(transceiver) 구조에 사용되는 4위상 국부발진기(LO : Local Oscillator)에 적용되고 있다.
본 발명의 목적은 면적 소모를 줄이고, 직류 바이어싱 문제를 해결하는 4 위상 전압 제어 발진기를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 4 위상 전압 제어 발진기는, 전원단과 제 1 바이어스단 사이에 연결되고, 제 1 및 제 2 발진 신호들을 생성하는 제 1 전압 제어 발진부, 상기 전원단과 제 2 바이어스단 사이에 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 발진 신호들 각각에 90° 위상 차이를 갖는 제 3 및 제 4 발진 신호들을 생성하는 제 2 전압 제어 발진부, 및 상기 제 1 바이어스단과 접지단 사이에 연결되고, 상기 제 2 바이어스단과 상기 접지단 사이에 연결되는 바이어싱 변압기를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들 각각은, 상보적으로 크로스 커플링된 피모스 트랜지스터들과 엔모스 트랜지스터들, 하나의 변압기, 버랙터들, 및 커패시터들을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들 각각의 공진 주파수는, 상기 변압기, 상기 버랙터들, 및 상기 커패시터들에 의하여 결정된다.
본 발명에 따른 4 위상 전압 제어 발진기는 개별적인 인덕터들을 사용하지 않고 하나의 변압기로 구현함으로써, 면적 소모를 줄이면서 직류 바이어싱 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 4 위상 전압 제어 발진기를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 4 위상 전압 제어 발진기(100)를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 4 위상 전압 제어 발진기(100)는 제 1 전압 제어 발진부(110), 제 2 전압 제어 발진부(120), 및 바이어싱 변압기(130)를 포함한다.
제 1 전압 제어 발진부(110)는 전원단(VDD)과 제 1 바이어스단(Vs1) 사이에 연결되고, 제 1 및 제 2 발진 신호들(IP, IN)을 생성한다.
제 2 전압 제어 발진부(120)는 전원단(VDD)과 제 2 바이어스단(Vs2) 사이에 연결되고, 제 1 전압 제어 발진부(110)로부터 출력되는 제 1 및 제 2 발진 신호들(IP,IN) 각각에 90°위상차를 갖는 제 3 및 제 4 발진 신호들(QP, QN)을 생성한다.
제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들(110, 120)은 서로 동일한 구성들로 구현될 수 있다. 아래에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 전압 제어 발진부(110)에 대하여만 설명하도록 하겠다.
제 1 전압 제어 발진부(110)는 하트리(Hartly) 전압 제어 주파수 생성 장치를 차등 구조로 구현함으로써, 저잡음의 2 위상 신호들(IP, IN)을 생성할 수 있다.
제 1 전압 제어 발진부(110)는, 피모스 트랜지스터들(M1, M2)과 엔모스 트랜지스터들(M3, M4)이 상보적으로 크로스 커플링된(complementary cross-coupled) 구조로 구현됨으로써 부성 저항(negative resistance) 만든다. 이렇게 형성된 부성 저항 값으로 인하여 공진(혹은 발진)이 시작한다. 여기서, 제 1 전압 제어 발진부(110)의 공진 주파수는 하나의 변압기(112; L1, L2, L3, L4), 버랙터들(V1, V2) 및 커패시터들(C1, C2, C3, C4)에 의해 결정된다. 여기서 하나의 변압기(112)는 복수의 인덕턴스 성분들(L1, L2, L3, L4)을 포함한다.
한편, 공진 주파수는, 노드(Vc1)로 들어가는 전압(0.1V ~1.1V)에 의해 버랙터들(V1, V2)의 캐패시턴스 값이 가변됨으로써 조절될 수 있다.
본 발명에서는 직류 바이어스(dc-biasing) 문제를 해결하기 위하여, 인덕터들(L1, L2, L3, L4)이 하나의 5포트 변압기(112)로 구현된다.
제 2 전압 제어 발진부(120)도 제 1 전압 제어 발진부(110)와 동일하게 구현될 것이다. 제 2 전압 제어 발진부(120)의 공진 주파수는 하나의 변압기(122; L5, L6, L7, L8), 버랙터들(V3, V4), 및 커패시터들(C5, C6, C7, C8)에 의해 결정된다.
바이어싱 변압기(130)는 제 1 전압 제어 발진부(110)과 제 2 전압 제어 발진부(120)를 접지단(GND)에 연결한다. 예를 들어, 바어이싱 변압기(130)는 제 1 전압 제어 발진부(110)의 제 1 바이어스단(Vs1)과 접지단(GND) 사이에 연결되고, 동시에 제 2 전압 제어 발진부(120)의 제 2 바이어스단(Vs1)과 접지단(GND) 사이에 연결된다.
아래에서는, 4 위상 전압 제어 발진기(100)에 대한 동작 설명을 하도록 하겠다. 제 1 바이어스단(Vs1) 및 제 2 바이어스단(Vs2)의 전압 스윙이 동일 위상(In-Phase) 일 때에는, 노드(IP) 및 노드(QP)의 전압 스윙 역시 동일 위상이 된다. 이때, 4 위상 전압 제어 발진기(100)는 전압 제한 영역에서 동작한다.
반면에, 제 1 바이어스단(Vs1) 및 제 2 바이어스단(Vs2)의 전압 스윙이 반대 위상(Anti-Phase)일 때에는, 노드(IP)의 위상과 노드(QP)의 위상이 90° 차이가 난다. 또한, 제 1 바이어스단(Vs1) 및 제 2 바이어스단(Vs2)에서 발생하는 2차 하모닉 주파수 때문에 노드들(IP, IN, QP, QN)의 전압 스윙 크기가 커진다. 이때, 4 위상 전압 제어 발진기(100)는 전류 제한 영역에서 동작한다.
처음에 전압이 인가될 때, 제 1 및 제 2 바이어스단들(Vs1, Vs2)는 짝수 모드(Even mode; In-Phase)로 동작한다. 그러나 강한 전류가 흐르게 되면, 루프의 비선형 특성의 선택으로 인해 홀수 모드(Odd mode; Anti-Phase)로 동작한다. 이로써, 저 잡음의 4 위상 신호가 생성된다.
이때 바이어싱 변압기(L9, L10)는 서로 커플링 되어 있기 때문에 자연스럽게 홀수 모드를 유도하고, 동시에 인덕터 2개를 썼을 때 생기는 면적 소모를 줄일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 4 위상 전압 제어 발진기(100)는 개별적인 인덕터들을 사용하지 않고 변압기(112/122/130)로 구현함으로써, 면적 소모를 줄이면서 직류 바이어싱 문제를 해결할 수 있다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허 청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 4 위상 전압 제어 발진기
110: 제 1 전압 제어 발진부
120: 제 2 전압 제어 발진부
130: 바이어싱 변압기
110: 제 1 전압 제어 발진부
120: 제 2 전압 제어 발진부
130: 바이어싱 변압기
Claims (1)
- 전원단과 제 1 바이어스단 사이에 연결되고, 제 1 및 제 2 발진 신호들을 생성하는 제 1 전압 제어 발진부;
상기 전원단과 제 2 바이어스단 사이에 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 발진 신호들 각각에 180° 위상 차이를 갖는 제 3 및 제 4 발진 신호들을 생성하는 제 2 전압 제어 발진부; 및
상기 제 1 바이어스단과 접지단 사이에 연결되고, 상기 제 2 바이어스단과 상기 접지단 사이에 연결되는 바이어싱 변압기를 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들 각각은, 상보적으로 크로스 커플링된 피모스 트랜지스터들과 엔모스 트랜지스터들, 하나의 변압기, 버랙터들, 및 커패시터들을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 전압 제어 발진부들 각각의 공진 주파수는, 상기 변압기, 상기 버랙터들, 및 상기 커패시터들에 의하여 결정되는 4 위상 전압 제어 발진기.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100131453A KR20120070054A (ko) | 2010-12-21 | 2010-12-21 | 4 위상 전압 제어 발진기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100131453A KR20120070054A (ko) | 2010-12-21 | 2010-12-21 | 4 위상 전압 제어 발진기 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120070054A true KR20120070054A (ko) | 2012-06-29 |
Family
ID=46688007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100131453A KR20120070054A (ko) | 2010-12-21 | 2010-12-21 | 4 위상 전압 제어 발진기 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20120070054A (ko) |
-
2010
- 2010-12-21 KR KR1020100131453A patent/KR20120070054A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4932572B2 (ja) | カップリングキャパシタを備える4位相電圧制御発振器 | |
JP3954059B2 (ja) | 発振器、通信装置 | |
US8212625B2 (en) | Differential VCO and quadrature VCO using center-tapped cross-coupling of transformer | |
US7375596B2 (en) | Quadrature voltage controlled oscillator | |
KR100691281B1 (ko) | 쿼드러처 전압제어발진기 | |
US9041477B2 (en) | Voltage-controlled oscillator | |
US20140159825A1 (en) | Voltage controlled oscillator with low phase noise and high q inductive degeneration | |
US7902930B2 (en) | Colpitts quadrature voltage controlled oscillator | |
US20090237168A1 (en) | Voltage-controlled oscillator | |
RU2646319C1 (ru) | Последовательный резонансный генератор | |
TWI450492B (zh) | 電感電容振盪器 | |
TWI431943B (zh) | 注入鎖定除頻器 | |
JP2015091084A (ja) | 4相出力電圧制御発振器 | |
TWI440298B (zh) | 壓控振盪器 | |
KR101000379B1 (ko) | 백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어발진기 | |
KR20060078600A (ko) | 4위상 전압제어발진기 | |
US20220286089A1 (en) | Quadrature oscillator circuitry and circuitry comprising the same | |
KR20120070054A (ko) | 4 위상 전압 제어 발진기 | |
US11239795B2 (en) | Fully integrated oscillator for ultra low voltage applications with quadrupled voltage and low phase noise | |
KR102570537B1 (ko) | 주파수 체배기를 이용한 초고주파 신호 생성 장치 | |
JP2005124098A (ja) | 電圧制御発振器 | |
KR100844457B1 (ko) | 직교신호 발생 콜피츠 전압 제어 발진기 | |
Aniruddhan | Quadrature generation techniques in CMOS relaxation oscillators | |
KR101142219B1 (ko) | 하부 직렬 커플링을 이용한 4위상 전압제어발진기 | |
KR101910886B1 (ko) | 차동 전압 제어 발진기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |