KR20120069226A - Touch screen panel and fabricating method thereof - Google Patents

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KR20120069226A
KR20120069226A KR1020100130682A KR20100130682A KR20120069226A KR 20120069226 A KR20120069226 A KR 20120069226A KR 1020100130682 A KR1020100130682 A KR 1020100130682A KR 20100130682 A KR20100130682 A KR 20100130682A KR 20120069226 A KR20120069226 A KR 20120069226A
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권도현
이일정
임충열
윤주원
우민우
이성은
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삼성모바일디스플레이주식회사
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Abstract

PURPOSE: A touch screen panel and manufacturing method thereof are provided to simplify processes and to reduce manufacturing costs by reducing the number of mask processes. CONSTITUTION: First sensing patterns are arranged on a board according to a first direction. First connecting patterns connect the sensing patterns. Second sensing patterns(22a) are arranged on the board according to a second direction. A first insulation film is formed between the first sensing patterns and the second sensing patterns and includes a first contact hole which exposes a section of the second sensing patterns. Second connecting patterns(22b) connects the second sensing patterns through a first contact hole. Position detecting lines(30) are connected with the first sensing patterns and the second sensing patterns.

Description

터치 스크린 패널 및 그의 제조방법{Touch Screen Panel and Fabricating Method thereof}Touch screen panel and its manufacturing method {Touch Screen Panel and Fabricating Method

본 발명은 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 마스크 공정의 수를 줄일 수 있는 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a touch screen panel and a method for manufacturing the same, and more particularly to a touch screen panel and a method for manufacturing the same that can reduce the number of mask processes.

터치 스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. The touch screen panel is an input device that allows a user to input a command by selecting an instruction displayed on a screen of a video display device or the like as a human hand or an object.

이를 위해, 터치 스크린 패널은 영상표시장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다. To this end, the touch screen panel is provided on the front face of the image display device to convert a contact position in direct contact with a human hand or an object into an electrical signal. Accordingly, the instruction content selected at the contact position is received as an input signal.

이와 같은 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.Such a touch screen panel can be replaced with a separate input device connected to the image display device such as a keyboard and a mouse, and the use range thereof is gradually expanding.

터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있다. As a method of implementing a touch screen panel, a resistive film method, a light sensing method, and a capacitive method are known.

이 중 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. Among the capacitive touch screen panels, when a human hand or an object comes into contact with each other, the touch sensing panel converts a contact position into an electrical signal by detecting a change in capacitance formed by a conductive sensing pattern around another sensing pattern or a ground electrode. do.

이를 위해, 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 제 1방향을 따라 연결되도록 형성된 다수의 제 1센싱패턴들과, 제 2방향을 따라 연결되도록 형성된 다수의 제 2센싱패턴들 및 각 센싱패턴들에 연결된 위치검출라인을 구비함으로써, 접촉위치의 좌표를 파악하게 된다. To this end, the capacitive touch screen panel includes a plurality of first sensing patterns formed to be connected in a first direction, a plurality of second sensing patterns formed to be connected in a second direction, and respective sensing patterns. By having a connected position detection line, the coordinates of the contact position are grasped.

하지만, 이 경우 각 센싱패턴들과 위치검출라인은 서로 상이한 공정에 의해 형성되므로, 별도의 마스크가 필요하게 된다. 이에 따라, 공정이 복잡해지고 제조효율이 저하되는 문제점이 발생하였다.However, in this case, since each sensing pattern and the position detection line are formed by different processes, a separate mask is required. Accordingly, there is a problem that the process is complicated and manufacturing efficiency is lowered.

상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 마스크 공정의 수를 감소시켜 공정을 단순화할 수 있는 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention devised to solve the above problems is to provide a touch screen panel and a method of manufacturing the same, which can simplify the process by reducing the number of mask processes.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 터치 스크린 패널은, 기판 상에 제 1방향을 따라 배열되는 복수의 제 1센싱패턴들과 상기 제 1센싱패턴들을 연결하는 복수의 제 1연결패턴들, 상기 기판 상에 제 2방향을 따라 배열되는 복수의 제 2센싱패턴들, 상기 제 1센싱패턴들과 제 2센싱패턴들 상에 형성되며, 상기 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출하는 제 1컨택홀을 포함하는 제 1절연막, 상기 제 1컨택홀을 통해 제 2센싱패턴들을 연결하는 제 2연결패턴들 및 상기 제 2연결패턴들 상에 각각 형성되는 보호층을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the touch screen panel of the present invention, connecting the first sensing patterns and a plurality of first sensing patterns arranged in a first direction on a substrate; A plurality of first connection patterns, a plurality of second sensing patterns arranged along a second direction on the substrate, and formed on the first sensing patterns and the second sensing patterns; A first insulating layer including a first contact hole exposing a region, second connection patterns connecting second sensing patterns through the first contact hole, and a protective layer formed on the second connection patterns, respectively; Include.

또한, 상기 제 1연결패턴들에 의해 연결되는 제 1센싱패턴들과 상기 제 2연결패턴들에 의해 연결되는 제 2센싱패턴들에 각각 연결되는 위치검출라인들 및 상기 위치검출라인에 연결되는 패드패턴들을 더 포함한다.In addition, position detection lines connected to first sensing patterns connected by the first connection patterns and second sensing patterns connected by the second connection patterns, and pads connected to the position detection line, respectively. It further includes patterns.

또한, 상기 위치검출라인들과 패드패턴들은 상기 제 1절연막 내측에 위치하고, 상기 제 1절연막은 상기 패드패턴들을 노출하는 제 2컨택홀을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the position detection lines and the pad patterns are located inside the first insulating layer, and the first insulating layer further includes a second contact hole exposing the pad patterns.

또한, 상기 위치검출라인들과 패드패턴들은 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the position detection lines and the pad patterns are formed of the same material.

또한, 상기 패드패턴들 상에 형성되는 연결층을 더 포함한다.The apparatus may further include a connection layer formed on the pad patterns.

또한, 상기 제 1센싱패턴들, 제 1연결패턴들 및 제 2센싱패턴들과 동일한 재료로 형성되며, 상기 위치검출라인들과 패드패턴들의 하측에 위치하는 잔막층을 더 포함한다.The method may further include a residual layer formed of the same material as the first sensing patterns, the first connection patterns, and the second sensing patterns, and positioned under the position detection lines and the pad patterns.

본 발명의 터치 스크린 패널의 제조방법은, (a) 기판의 일면에 투명전극막과 제 1도전막을 순차적으로 형성하는 단계, (b) 하프톤 마스크인 제 1마스크를 이용해 상기 투명전극막과 제 1도전막을 동반 패터닝하여, 상기 투명전극막으로부터 제 1연결패턴들에 의해 제 1방향을 따라 연결되는 복수의 제 1센싱패턴들 및 상기 제 1방향과 교차되는 제 2방향을 따라 배열되는 복수의 제 2센싱패턴들을 형성하고, 상기 제 1도전막으로부터 복수의 위치검출라인들을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1센싱패턴들과 제 2센싱패턴들 상에 제 1절연막을 형성하는 단계, (d) 제 2마스크를 이용해 상기 제 1절연막을 패터닝하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출시키는 단계, (e) 상기 제 1절연막 상에 제 2도전막과 제 2절연막을 순차적으로 형성하는 단계 및 (f) 제 3마스크를 이용해 상기 제 2도전막과 제 2절연막을 동반 패터닝하여, 상기 제 2도전막으로부터 상기 제 1절연막을 통해 노출된 상기 제 2센싱패턴들을 연결하는 제 2연결패턴들을 형성하고, 상기 제 2절연막으로부터 상기 각 제 2연결패턴들 상에 위치하는 보호층들을 형성하는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a touch screen panel of the present invention, (a) sequentially forming a transparent electrode film and a first conductive film on one surface of a substrate, and (b) using the first mask as a halftone mask, A plurality of first sensing patterns connected in a first direction by first connection patterns from the transparent electrode film and along a second direction crossing the first direction by patterning a first conductive film together Forming second sensing patterns and forming a plurality of position detection lines from the first conductive film, (c) forming a first insulating film on the first sensing patterns and the second sensing patterns, ( d) patterning the first insulating layer using a second mask to expose one region of each of the second sensing patterns; (e) sequentially forming a second conductive layer and a second insulating layer on the first insulating layer; And (f) third mask And patterning the second conductive film and the second insulating film together to form second connection patterns connecting the second sensing patterns exposed through the first insulating film from the second conductive film, and from the second insulating film. Forming protective layers on the second connection patterns.

또한, 상기 (b) 단계는, (b-1) 상기 제 1도전막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계, (b-2) 상기 제 1마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 제 1높이와 상기 제 1높이보다 낮은 제 2높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계, (b-3) 상기 각 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 투명전극막과 제 1도전막을 제거하는 단계, (b-4) 상기 제 2높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계, (b-5) 상기 각 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1도전막을 제거하는 단계 및 (b-6) 상기 제 1도전막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.In addition, in the step (b), (b-1) forming a photoresist film on the first conductive film, and (b-2) patterning the photoresist film by using the first mask, thereby forming a first height and Forming photoresist patterns having a second height lower than the first height, (b-3) removing the transparent electrode film and the first conductive film existing in the remaining regions except the lower side of each photoresist pattern; (b-4) removing the photoresist patterns having the second height, (b-5) removing the first conductive layer existing in the remaining regions except the lower side of each photoresist pattern; and (b-6 ) Removing photoresist patterns remaining on the first conductive layer.

또한, 상기 (d) 단계는, (d-1) 상기 제 1절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계, (d-2) 상기 제 2마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계, (d-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1절연막을 제거하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출시키는 제 1컨택홀을 형성하는 단계 및 (d-4) 상기 제 1절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.In the step (d), (d-1) forming a photoresist film on the first insulating film, and (d-2) patterning the photoresist film using the second mask to have a predetermined interval. Forming photoresist patterns, (d-3) removing the first insulating layer existing in the remaining regions except for the lower side of the photoresist patterns, thereby exposing a first contact hole exposing one region of each of the second sensing patterns. And forming (d-4) removing the photoresist patterns remaining on the first insulating layer.

또한, 상기 (f) 단계는, (f-1) 상기 제 2절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계, (f-2) 상기 제 3마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계, (f-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막과 제 2절연막을 제거하는 단계 및 (f-4) 상기 제 2절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.In addition, in the step (f), (f-1) forming a photoresist film on the second insulating film, and (f-2) patterning the photoresist film using the third mask to have a predetermined interval. Forming photoresist patterns, (f-3) removing the second conductive film and the second insulating film existing in the remaining regions except the lower side of the photoresist patterns, and (f-4) on the second insulating film. Removing the remaining photoresist patterns.

또한, 상기 (f-3) 단계는, (f-3a) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2절연막을 1차적으로 제거하는 단계 및 (f-3b) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막을 2차적으로 제거하는 단계를 포함한다.In addition, the step (f-3) may include: (f-3a) first removing the second insulating film present in the remaining regions except for the lower side of the photoresist patterns; and (f-3b) removing the second photoresist patterns. And secondly removing the second conductive film present in the remaining region except the lower side.

또한, 상기 위치검출라인들은, 상기 제 1연결패턴들에 의해 연결되는 제 1센싱패턴들과 상기 제 2연결패턴들에 의해 연결되는 제 2센싱패턴들에 각각 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.The position detection lines may be electrically connected to first sensing patterns connected by the first connection patterns and second sensing patterns connected by the second connection patterns, respectively.

또한, 상기 (b) 단계는, 제 1도전막으로부터 상기 위치검출라인들에 연결되는 패드패턴들을 더 형성하는 것을 특징으로 한다.In the step (b), the pad patterns may be further formed from the first conductive layer to be connected to the position detection lines.

또한, 상기 (d) 단계는, 제 2마스크를 이용해 상기 제 1절연막을 패터닝하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역과 상기 패드패턴들의 일영역을 노출시키는 것을 특징으로 한다.In the step (d), the first insulating layer is patterned using a second mask to expose one region of each of the second sensing patterns and one region of the pad patterns.

또한, 상기 (d) 단계는, (d-1) 상기 제 1절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계, (d-2) 상기 제 2마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계, (d-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1절연막을 제거하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출시키는 제 1컨택홀 및 상기 패드패턴들의 일영역을 노출시키는 제 2컨택홀을 형성하는 단계 및 (d-4) 상기 제 1절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.In the step (d), (d-1) forming a photoresist film on the first insulating film, and (d-2) patterning the photoresist film using the second mask to have a predetermined interval. Forming photoresist patterns, (d-3) a first contact hole exposing a region of each of the second sensing patterns by removing the first insulating layer existing in the remaining regions except for the lower side of the photoresist patterns; Forming a second contact hole exposing a region of the pad patterns; and (d-4) removing photoresist patterns remaining on the first insulating layer.

또한, 상기 (f) 단계는, 하프톤 마스크인 제 3마스크를 이용하여 상기 제 2도전막으로부터 상기 패드패턴들 상에 위치하는 연결층을 더 형성하는 것을 특징으로 한다.Also, in the step (f), a connection layer may be further formed on the pad patterns from the second conductive layer by using a third mask, which is a halftone mask.

또한, 상기 (f) 단계는, (f-1) 상기 제 2절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계, (f-2) 상기 제 3마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 제 3높이와 상기 제 3높이보다 낮은 제 4높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계, (f-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막과 제 2절연막을 제거하는 단계, (f-4) 상기 제 4높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계, (f-5) 상기 각 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2절연막을 제거하는 단계 및 (f-6) 상기 제 2절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.In addition, in step (f), (f-1) forming a photoresist film on the second insulating film, and (f-2) patterning the photoresist film by using the third mask to form a third height and the Forming photoresist patterns having a fourth height lower than the third height, (f-3) removing the second conductive film and the second insulating film existing in the remaining areas except the lower side of the photoresist patterns, ( f-4) removing the photoresist patterns having the fourth height; (f-5) removing the second insulating layer existing in the remaining regions except the lower side of each photoresist pattern; and (f-6) Removing photoresist patterns remaining on the second insulating layer.

이상 살펴본 바와 같은 본 발명에 따르면, 마스크 공정의 수를 감소시켜 공정을 단순화할 수 있는 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법을 제공할 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to provide a touch screen panel and a manufacturing method thereof that can simplify the process by reducing the number of mask processes.

도 1은 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 의한 제 1센싱패턴들과 제 2센싱패턴들을 나타낸 요부 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 도 3에 도시된 터치 스크린 패널의 제조방법을 제 1마스크를 기준으로 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 3에 도시된 터치스크린 패널의 제조방법을 제 2마스크를 기준으로 나타낸 도면이다.
도 6a 내지 도 6e는 도 3에 도시된 터치스크린 패널의 제조방법을 제 3마스크를 기준으로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 2실시예에 의한 터치 스크린 패널의 단면도이다.
도 8a 내지 8g는 도 7에 도시된 터치 스크린 패널의 제조방법을 하프톤 마스크인 제 3마스크를 기준으로 나타낸 도면이다.
1 is a view showing a touch screen panel according to a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating main parts of the first sensing patterns and the second sensing patterns according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to a first embodiment of the present invention.
4A to 4G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 3 based on a first mask.
5A through 5D are diagrams illustrating a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 3, based on a second mask.
6A through 6E are diagrams illustrating a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 3, based on a third mask.
7 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to a second embodiment of the present invention.
8A to 8G illustrate a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 7 based on a third mask that is a halftone mask.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in various forms. In the following description, it is assumed that a part is connected to another part, But also includes a case in which other elements are electrically connected to each other in the middle thereof. In the drawings, parts not relating to the present invention are omitted for clarity of description, and like parts are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

이하, 첨부된 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널을 나타낸 도면이며, 도 2는 본 발명의 제 1실시예에 의한 제 1센싱패턴들과 제 2센싱패턴들을 나타낸 요부 평면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널의 단면도이다. 특히, 도 3은 도 2에 도시된 I-I'선을 기준으로 각 센싱패턴들(21a, 22a)과 각 연결패턴들(21b, 22b)의 단면을 도시하였으며, 그 외 위치검출라인(30)과 패드패턴들(40)의 단면도 함께 도시하였다.1 is a view showing a touch screen panel according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of main parts showing first sensing patterns and second sensing patterns according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3. Is a cross-sectional view of a touch screen panel according to a first embodiment of the present invention. In particular, FIG. 3 is a cross-sectional view of the sensing patterns 21a and 22a and the connection patterns 21b and 22b based on the line II ′ shown in FIG. 2, and other position detection lines 30. ) And a cross-sectional view of the pad patterns 40.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널은 기판(10), 제 1센싱패턴들(21a), 제 2센싱패턴들(22a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2연결패턴들(22b), 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)을 포함한다.1 to 3, a touch screen panel according to a first embodiment of the present invention may include a substrate 10, first sensing patterns 21a, second sensing patterns 22a, and first connection patterns. 21b, second connection patterns 22b, position detection lines 30, and pad patterns 40.

기판(10)은 센싱패턴들(21a, 22a)와 연결패턴들(21b, 22b)이 위치하는 활성영역과 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)이 위치하는 비활성영역(상기 활성영역의 외곽)으로 이루어지는 투명기판으로서, 일 예로 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 가지는 재질로 이루어질 수 있으며, 플렉서블(flexible)한 필름이어도 무방하다.The substrate 10 may include an active region in which the sensing patterns 21a and 22a and the connection patterns 21b and 22b are located, and an inactive region in which the position detection lines 30 and the pad patterns 40 are positioned (the active region). A transparent substrate formed of an outer region of the region, for example, may be made of an insulating material such as glass, plastic, silicon, or synthetic resin, and may be a flexible film.

제 1센싱패턴들(21a)은 제 1방향(예를 들어, Y축 방향)을 따라 복수개가 배열되며, 제 1연결패턴들(21b)에 의하여 상호 연결된다.A plurality of first sensing patterns 21a are arranged along a first direction (for example, the Y-axis direction), and are connected to each other by the first connection patterns 21b.

제 2센싱패턴들(22a)은 제 2방향(예를 들어, X축 방향)을 따라 상기 제 1센싱패턴들(21a)과 중첩되지 않도록 소정 간격을 가지고 배열되며, 제 2연결패턴들(22b)에 의하여 상호 연결된다.The second sensing patterns 22a are arranged at predetermined intervals so as not to overlap the first sensing patterns 21a along a second direction (for example, the X-axis direction), and the second connection patterns 22b. ) Are interconnected.

제 1연결패턴들(21b)과 제 2연결패턴들(22b)은 절연 상태를 유지하기 위하여, 그 사이에 제 1절연막(140)을 개재한다.The first connection patterns 21b and the second connection patterns 22b are interposed between the first insulating layer 140 to maintain an insulating state.

제 1절연막(140)은 제 1센싱패턴들(21a)과 제 2센싱패턴들(22a) 상에 형성되며, 제 2센싱패턴들(22a)의 일영역을 노출시키는 제 1컨택홀(ch1)이 형성된다.The first insulating layer 140 is formed on the first sensing patterns 21a and the second sensing patterns 22a and exposes a first contact hole ch1 exposing a region of the second sensing patterns 22a. Is formed.

제 2연결패턴들(22b)은 상기 제 1컨택홀(ch1)을 통하여 인접 위치한 제 2센싱패턴들(22a)을 연결한다.The second connection patterns 22b connect the second sensing patterns 22a which are adjacent to each other through the first contact hole ch1.

또한 제 1절연막(140)이 도 3과 같이 전면적으로 형성된 경우에는, 그 내측에 위치검출라인들(30)과 패드패턴들(40)을 위치하게 되고, 제 1절연막(140)에는 상기 패드패턴들(40)을 외부로 노출시키는 제 2컨택홀(ch2)이 형성된다.In addition, when the first insulating layer 140 is entirely formed as shown in FIG. 3, the position detection lines 30 and the pad patterns 40 are positioned inside the first insulating layer 140, and the pad pattern is disposed on the first insulating layer 140. A second contact hole ch2 exposing the fields 40 to the outside is formed.

이 때, 보호층(50)은 제 2연결패턴들(22b)의 상측에 각각 형성되어 제 2연결패턴들(22b)을 보호하는 역할을 수행한다.At this time, the protective layer 50 is formed on the upper side of the second connection patterns 22b, respectively, and serves to protect the second connection patterns 22b.

제 1센싱패턴들(21a), 제 2센싱패턴들(22a) 및 제 1연결패턴들(21b)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전성 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 제 2연결패턴들(22b)은 상기의 투명 도전성 물질로 형성되어도 되나, 금속으로 형성되는 것이 바람직하다.The first sensing patterns 21a, the second sensing patterns 22a, and the first connection patterns 21b may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), and the second connection patterns The 22b may be formed of the above transparent conductive material, but is preferably formed of a metal.

위치검출라인들(30)은 제 1연결패턴들(21b)에 의하여 열 단위로 연결되는 제 1센싱패턴들(21a)과 각각 연결되며, 제 2연결패턴들(22b)에 의하여 행 단위로 연결되는 제 2센싱패턴들(22a)과도 각각 연결된다. The position detection lines 30 are connected to the first sensing patterns 21a, which are connected in units of columns by the first connection patterns 21b, and are connected in units of rows by the second connection patterns 22b. Also connected to the second sensing patterns 22a.

이러한, 위치검출라인들(30)은 영상이 표시되는 활성영역을 피해 터치 스크린 패널의 외곽에 배치되는 것으로, 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속으로 형성될 수 있다.The position detection lines 30 are disposed outside the touch screen panel to avoid an active area in which an image is displayed, and molybdenum (Mo), silver (Ag), titanium (Ti), copper (Cu), and aluminum ( Ti) and molybdenum / aluminum / molybdenum (Mo / Al / Mo).

패드패턴들(40)은 위치검출라인들(30)에 각각 연결되며, 터치 구동회로 등이 실장된 연성인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)과 연결될 수 있다.The pad patterns 40 may be connected to the position detection lines 30, respectively, and may be connected to a flexible printed circuit board (FPCB) on which a touch driving circuit or the like is mounted.

이러한, 패드패턴들(40)은 상기 위치검출라인들(30)과 동일한 재료로 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있다.The pad patterns 40 may be formed together in the same process using the same material as the position detection lines 30.

또한, 위치검출라인들(30)과 패드패턴들(40)의 하측에는 잔막층(70)이 존재하게 되는데, 잔막층(70)은 제 1센싱패턴들(21a), 제 2센싱패턴들(22a) 및 제 1연결패턴들(21b)을 형성하는 투명전극막(110, 도 4a 참조)을 식각하는 과정에서 위치검출라인들(30)과 패드패턴들(40)에 가려 남게 되는 부분이다. 따라서, 제 1센싱패턴들(21a), 제 2센싱패턴들(22a) 및 제 1연결패턴들(21b)과 동일한 재료로 형성될 수 밖에 없고, 동일한 층에 위치하게 된다.In addition, a residual layer 70 is present below the position detection lines 30 and the pad patterns 40, and the residual layer 70 is formed of the first sensing patterns 21a and the second sensing patterns ( 22a and the transparent electrode layer 110 (see FIG. 4a) forming the first connection patterns 21b may be hidden from the position detection lines 30 and the pad patterns 40 in the process of etching. Therefore, the first sensing patterns 21a, the second sensing patterns 22a, and the first connection patterns 21b may be formed of the same material and positioned on the same layer.

도 4a 내지 도 4g는 도 3에 도시된 터치 스크린 패널의 제조방법을 제 1마스크를 기준으로 나타낸 단면도이고, 도 5a 내지 도 5d는 도 3에 도시된 터치스크린 패널의 제조방법을 제 2마스크를 기준으로 나타낸 도면이며, 도 6a 내지 도 6e는 도 3에 도시된 터치스크린 패널의 제조방법을 제 3마스크를 기준으로 나타낸 도면이다.4A to 4G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 3 based on a first mask, and FIGS. 5A to 5D illustrate a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 6A to 6E are diagrams illustrating a method of manufacturing the touch screen panel illustrated in FIG. 3, based on a third mask.

상기 도 4a 내지 도 6e를 참조하여 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널의 제조방법을 이하 순차적으로 살펴보겠으며, 먼저 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 제 1마스크(M1)를 중심으로 살펴본다.The method of manufacturing the touch screen panel according to the first embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 4A to 6E. First, the first mask M1 will be described with reference to FIGS. Take a look.

도 4a를 참조하면, 먼저 기판(10)의 일면에 투명전극막(110)과 제 1도전막(120)을 순차적으로 형성한다.Referring to FIG. 4A, first, the transparent electrode film 110 and the first conductive film 120 are sequentially formed on one surface of the substrate 10.

다음, 하프톤 마스크인 제 1마스크(M1)를 이용해 상기 투명전극막(110)과 제 1도전막(120)을 동반 패터닝하여, 상기 투명전극막(110)으로부터 복수의 제 1센싱패턴들(21a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2센싱패턴들(22a)을 형성하고, 상기 제 1도전막(120)으로부터 복수의 위치검출라인들(30)을 형성한다.Next, the transparent electrode layer 110 and the first conductive layer 120 are patterned together using a first mask M1, which is a halftone mask, to form a plurality of first sensing patterns from the transparent electrode layer 110. 21a), first connection patterns 21b and second sensing patterns 22a are formed, and a plurality of position detection lines 30 are formed from the first conductive layer 120.

하프톤 마스크는 일반적으로 광투과부, 광을 완전히 차단하는 광차단부, 광의 일부를 투과시키도록 투과율을 조절하는 반투과부로 구성되며, 이를 이용하여 위치별로 상이한 높이를 갖는 패턴층을 형성할 수 있다. The halftone mask is generally composed of a light transmitting part, a light blocking part which completely blocks the light, and a semi-transmitting part which adjusts the transmittance to transmit a part of the light. By using this, a pattern layer having a different height for each position can be formed. .

이를 상세히 설명하면, 도 4b와 같이 상기 제 1도전막(120) 상에 포토레지스트막(130)을 형성한 후, 하프톤 마스크인 제 1마스크(M1)를 통해 노광(exposure) 및 현상(develop) 공정을 수행함으로써, 상기 포토레지스트막(130)을 패터닝하여 도 4c에 도시된 바와 같이 서로 다른 높이를 갖는 포토레지스트 패턴들(131, 132)을 형성한다.In detail, the photoresist film 130 is formed on the first conductive film 120 as illustrated in FIG. 4B, and then exposed and developed through the first mask M1, which is a halftone mask. The photoresist layer 130 is patterned to form photoresist patterns 131 and 132 having different heights as illustrated in FIG. 4C.

제 1높이(h1)를 갖는 제 1포토레지스트 패턴들(131)은 위치검출라인들(30)과 패드패턴들(40)이 형성될 영역에 위치하며, 제 1높이(h2)보다 낮은 제 2높이(h2)를 갖는 제 2포토레지스트 패턴들(132)은 제 1센싱패턴들(21a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2센싱패턴들(22a)이 형성될 영역에 위치한다.The first photoresist patterns 131 having the first height h1 are positioned in the region where the position detection lines 30 and the pad patterns 40 are to be formed, and have a second lower than the first height h2. The second photoresist patterns 132 having a height h2 are positioned in regions where the first sensing patterns 21a, the first connection patterns 21b, and the second sensing patterns 22a are to be formed.

그리고, 각 포토레지스트 패턴들(131, 132)의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 투명전극막(110)과 제 1도전막(120)을 식각(etching) 공정을 통하여 도 4d와 같이 제거한다.Then, the transparent electrode film 110 and the first conductive film 120 existing in the remaining regions except for the lower sides of the photoresist patterns 131 and 132 are removed as shown in FIG. 4D through an etching process.

예를 들어, 먼저 1차적으로 각 포토레지스트 패턴들(131, 132) 사이에서 노출되는 제 1도전막(120) 부분을 식각 공정을 통하여 제거한 후, 2차적으로 제 1도전막(120)이 제거된 부분을 통해 노출되는 투명전극막(110)을 식각하여 제거할 수 있다.For example, first, a portion of the first conductive layer 120 exposed between the photoresist patterns 131 and 132 is first removed through an etching process, and then the first conductive layer 120 is secondly removed. The transparent electrode film 110 exposed through the portion may be etched and removed.

다음 도 4e에 도시된 바와 같이, 후속되는 애싱(ashing) 공정을 통하여 제 2높이(h2)를 갖는 제 2포토레지스트 패턴들(132)을 제거한다. 이 때, 제 1높이(h1)를 갖는 제 1포토레지스트 패턴들(131)도 상부가 제거되어 높이가 낮아지게 된다. 이에 따라, 제 2포토레지스트 패턴들(132)의 하측에 존재하던 제 1도전막(120)이 노출되게 된다. Next, as shown in FIG. 4E, the second photoresist patterns 132 having the second height h2 are removed through a subsequent ashing process. In this case, an upper portion of the first photoresist patterns 131 having the first height h1 is also removed to lower the height. Accordingly, the first conductive layer 120 existing under the second photoresist patterns 132 is exposed.

그 후 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 2포토레지스트 패턴들(132)이 제거되고 남은 제 1포토레지스트 패턴들(131)의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1도전막(120)을 식각 공정을 통하여 제거한다. 이에 따라, 활성영역에 위치하는 제 1센싱패턴들(21a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2센싱패턴들(22a)이 비로소 완전히 형성된다.Thereafter, as illustrated in FIG. 4F, the first conductive layer 120 existing in the remaining regions except for the lower side of the remaining first photoresist patterns 131 after the second photoresist patterns 132 are removed is etched. Removed through the process. Accordingly, the first sensing patterns 21a, the first connection patterns 21b, and the second sensing patterns 22a positioned in the active region are completely formed.

그 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이 제 1도전막(120) 상에 잔존하는 제 1포토레지스트 패턴들(131)을 제거함에 따라, 비로소 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)이 완전히 형성된다.Next, as shown in FIG. 4G, as the first photoresist patterns 131 remaining on the first conductive layer 120 are removed, the position detection lines 30 and the pad patterns 40 may be removed. This is formed completely.

또한, 상기 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)의 하측에는 투명전극막(110)의 일부가 남아있게 된다. 이렇게 잔존하는 투명전극막(110)을 잔막층(70)이라고 정의한다.In addition, a portion of the transparent electrode film 110 remains below the position detection lines 30 and the pad patterns 40. The remaining transparent electrode film 110 is defined as a residual film layer 70.

이어서, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 제 2마스크(M2)를 중심으로 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널의 제조방법을 살펴본다.Next, a manufacturing method of the touch screen panel according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.

먼저, 도 5a를 참조하면 제 1센싱패턴들(21a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2센싱패턴들(22a), 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)이 형성된 기판(10) 상에 제 1절연막(140)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제 1절연막(140)은 상기 기판(10) 상에 전면적으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 제 1센싱패턴들(21a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2센싱패턴들(22a), 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)은 상기 제 1절연막(140) 내측에 위치하게 된다.First, referring to FIG. 5A, first sensing patterns 21a, first connection patterns 21b, second sensing patterns 22a, position detection lines 30, and pad patterns 40 are formed. The first insulating layer 140 is formed on the substrate 10. For example, the first insulating layer 140 may be formed on the entire surface of the substrate 10. Accordingly, the first sensing patterns 21a, the first connection patterns 21b, and the second sensing pattern may be formed. Fields 22a, position detection lines 30, and pad patterns 40 may be positioned inside the first insulating layer 140.

그 후, 제 2마스크(M2)를 이용해 상기 제 1절연막을 패터닝하여, 상기 각 제 2센싱패턴들(22a)의 일영역을 노출시킨다.Thereafter, the first insulating layer is patterned using a second mask M2 to expose one region of each of the second sensing patterns 22a.

이를 상세히 설명하면, 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 제 1절연막(140) 상에 포토레지스트막(150)을 형성한 후, 제 2마스크(M2)를 통해 노광 및 현상 공정을 수행함으로써, 상기 포토레지스트막(150)을 패터닝하여 도 5b에 도시된 바와 같이 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들(134)을 형성한다.In detail, as shown in FIG. 5A, the photoresist film 150 is formed on the first insulating layer 140, and then the exposure and development processes are performed through the second mask M2 to thereby form the photoresist. The resist film 150 is patterned to form photoresist patterns 134 having a predetermined interval as shown in FIG. 5B.

상기 포토레지스트막(150)에서 제거되는 영역은 제 2센싱패턴들(22a)의 일영역이 노출되는 제 1컨택홀(ch1)이 형성되는 영역 및 패드패턴들(40)의 일영역이 노출되는 제 2컨택홀(ch2)이 형성되는 영역이다.The region removed from the photoresist film 150 may be a region in which a first contact hole ch1 is formed to expose a region of the second sensing patterns 22a and a region of the pad patterns 40 may be exposed. The second contact hole ch2 is formed.

다음 도 5c를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴들(134)의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1절연막(140)을 식각 공정에 의해 제거하여, 제 2센싱패턴들(22a)의 일영역을 노출시키는 제 1컨택홀(ch1)과 패드패턴들(40)의 일영역이 노출되는 제 2컨택홀(ch2)을 형성한다. 이는, 상기 포토레지스트 패턴들(134) 사이로 노출되는 제 1절연막(140)을 제 2센싱패턴들(22a)의 일영역과 패드패턴들(40)의 일영역이 드러날 때까지 식각 공정을 수행함에 의하여 달성될 수 있다.Next, referring to FIG. 5C, one region of the second sensing patterns 22a is removed by removing the first insulating layer 140 existing in the remaining regions except the lower side of the photoresist patterns 134 by an etching process. A second contact hole ch2 exposing the first contact hole ch1 and one region of the pad patterns 40 is formed. The etching process is performed by etching the first insulating layer 140 exposed between the photoresist patterns 134 until one region of the second sensing patterns 22a and one region of the pad patterns 40 are exposed. Can be achieved.

그 후, 도 5d에 도시된 바와 같이 상기 제 1절연막(140) 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들(134)을 제거한다.Thereafter, as shown in FIG. 5D, the photoresist patterns 134 remaining on the first insulating layer 140 are removed.

이어서, 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 제 3마스크(M3)를 중심으로 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널의 제조방법을 살펴본다.Next, a method of manufacturing a touch screen panel according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 6E.

먼저 도 6a를 참조하면, 컨택홀들(ch1, ch2)이 형성된 상기 제 1절연막(140) 상에 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)을 순차적으로 형성한다. 상기 제 2도전막(160)은 상기 컨택홀들(ch1, ch2)로 삽입되어 제 2센싱패턴들(22a)과 패드패턴들(40)과 접촉된다.First, referring to FIG. 6A, a second conductive layer 160 and a second insulating layer 170 are sequentially formed on the first insulating layer 140 on which the contact holes ch1 and ch2 are formed. The second conductive layer 160 is inserted into the contact holes ch1 and ch2 to contact the second sensing patterns 22a and the pad patterns 40.

그 후, 제 3마스크(M3)를 이용해 상기 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)을 동반 패터닝하여, 상기 제 2도전막(160)으로부터 상기 제 1절연막(140)을 통해 노출된 상기 제 2센싱패턴들(22a)을 연결하는 제 2연결패턴들(22b)을 형성하고, 상기 제 2절연막(170)으로부터 상기 각 제 2연결패턴들(22b) 상에 위치하는 보호층(50)을 형성한다.Thereafter, the second conductive layer 160 and the second insulating layer 170 are patterned together using a third mask M3 to expose the second conductive layer 160 from the second conductive layer 160 through the first insulating layer 140. Forming second connection patterns 22b connecting the second sensing patterns 22a and being disposed on the second connection patterns 22b from the second insulating layer 170. 50).

이를 상세히 설명하면, 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 제 2절연막(170) 상에 포토레지스트막(180)을 형성한 후, 제 3마스크(M3)를 통해 노광 및 현상 공정을 수행함으로써, 상기 포토레지스트막(180)을 패터닝하여 도 6c에 도시된 바와 같이 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들(136)을 형성한다.In detail, the photoresist layer 180 is formed on the second insulating layer 170 as shown in FIG. 6B, and then the exposure and development processes are performed through the third mask M3. The resist film 180 is patterned to form photoresist patterns 136 having a predetermined interval as shown in FIG. 6C.

상기 포토레지스트 패턴들(136)은 제 2연결패턴들(22b) 및 보호층(50)이 형성될 영역에 위치한다.The photoresist patterns 136 are positioned in regions where the second connection patterns 22b and the protective layer 50 are to be formed.

다음 6d를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴들(136)의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)을 식각 공정에 의해 제거한다. Referring to FIG. 6D, the second conductive layer 160 and the second insulating layer 170 existing in the remaining regions except the lower side of the photoresist patterns 136 are removed by an etching process.

예를 들어, 먼저 1차적으로 각 포토레지스트 패턴들(136) 사이로 노출되는 제 2절연막(170) 부분을 식각 공정을 통하여 제거한 후, 2차적으로 제 2절연막(170)이 제거된 부분을 통해 노출되는 제 2도전막(160)을 식각 공정을 통해 제거할 수 있다.For example, first, a portion of the second insulating layer 170 exposed between each photoresist pattern 136 is first removed through an etching process, and then secondly exposed through a portion from which the second insulating layer 170 is removed. The second conductive film 160 may be removed through an etching process.

이에 따라, 제 2도전막(160)이 개별적으로 분리되어 제 1컨택홀(ch1)을 통해 제 2센싱패턴들(22a)을 연결하는 제 2연결패턴들(22b)로 형성되고, 제 2절연막(170)이 개별적으로 분리되어 상기 각 제 2연결패턴들(22b) 상에 형성되는 보호층(50)으로 형성되며, 패드패턴들(40)이 제 2컨택홀(ch2)를 통해 외부로 노출될 수 있다.Accordingly, the second conductive layer 160 is separately formed and formed of second connection patterns 22b connecting the second sensing patterns 22a through the first contact hole ch1, and the second insulating layer 160. 170 is separated and formed as a protective layer 50 formed on each of the second connection patterns 22b, and the pad patterns 40 are exposed to the outside through the second contact hole ch2. Can be.

이 후, 도 6e에 도시된 바와 같이 제 2절연막(170) 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들(136)을 제거하면 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 스크린 패널이 완성된다.Thereafter, as shown in FIG. 6E, the photoresist patterns 136 remaining on the second insulating layer 170 are removed to complete the touch screen panel according to the first embodiment of the present invention.

그러므로 하프톤 마스크를 제 1마스크(M1)로 이용함으로써, 하나의 마스크로 제 1센싱패턴들(21a), 제 1연결패턴들(21b), 제 2센싱패턴들(22a), 위치검출라인들(30) 및 패드패턴들(40)을 형성할 수 있으며, 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)으로부터 제 2연결패턴들(22b)과 보호층(50)을 형성하기 위하여 제 3마스크(M3)만을 이용함으로써, 전체적으로 마스크 수를 감소시켜 공정을 단순화할 수 있게 된다.Therefore, by using the halftone mask as the first mask M1, the first sensing patterns 21a, the first connection patterns 21b, the second sensing patterns 22a, and the position detection lines are used as one mask. 30 and the pad patterns 40 may be formed, and the second connection patterns 22b and the protective layer 50 may be formed from the second conductive layer 160 and the second insulating layer 170. By using only three masks M3, the overall number of masks can be reduced to simplify the process.

도 7은 본 발명의 제 2실시예에 의한 터치 스크린 패널의 단면도이며, 도 8a 내지 8g는 도 7에 도시된 터치 스크린 패널의 제조방법을 하프톤 마스크인 제 3마스크를 기준으로 나타낸 도면이다.7 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 8A to 8G are diagrams illustrating a method of manufacturing the touch screen panel shown in FIG. 7 based on a third mask, which is a halftone mask.

본 발명의 제 2실시예에 의한 터치 스크린 패널은 상기 설명한 제 1실시예에서 제 2컨택홀(ch2)을 통해 노출되는 상기 패드패턴들(40) 상에 형성되는 연결층(60)이 추가적으로 더 포함된다. 따라서, 그 외의 구성은 제 1실시예와 동일하므로 이하 생략한다.In the touch screen panel according to the second embodiment of the present invention, the connection layer 60 formed on the pad patterns 40 exposed through the second contact hole ch2 in the first embodiment described above is further added. Included. Therefore, other configurations are the same as those in the first embodiment and will be omitted below.

상기 연결층(60)은 패드패턴들(40)의 부식 등을 방지하기 위하여 형성되는 것으로, 특히 패드패턴들(40)이 몰리브덴(Mo) 계열의 금속으로 형성된 경우에 유용하다.The connection layer 60 is formed to prevent corrosion of the pad patterns 40, and is particularly useful when the pad patterns 40 are made of molybdenum (Mo) -based metal.

또한, 상기 연결층(60)은 본 발명의 제 2실시예에서 상기 제 2연결패턴들(22b)과 동일한 재료로 동일한 공정에서 함께 형성되는 것이 바람직한데, 도 8a 내지 도 8g를 참조하여 이하 설명한다. 다만, 제 1실시예와 비교할 때 제 3마스크(M3)로 하프톤 마스크를 사용한다는 점만 차이가 있으므로, 제 1마스크(M1), 제 2마스크(M2) 공정은 제 1실시예와 동일하므로 생략하고, 제 3마스크(M3) 공정만을 이하 설명한다.In addition, the connection layer 60 is preferably formed together in the same process with the same material as the second connection patterns 22b in the second embodiment of the present invention, which will be described below with reference to FIGS. 8A to 8G. do. However, since only the halftone mask is used as the third mask M3 as compared with the first embodiment, the first mask M1 and the second mask M2 processes are the same as in the first embodiment, and thus are omitted. Only the third mask M3 process will be described below.

먼저 도 8a를 참조하면, 컨택홀들(ch1, ch2)이 형성된 상기 제 1절연막(140) 상에 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)을 순차적으로 형성한다. 상기 제 2도전막(160)은 상기 컨택홀들(ch1, ch2)로 삽입되어 제 2센싱패턴들(22a)과 패드패턴들(40)과 접촉된다.First, referring to FIG. 8A, a second conductive layer 160 and a second insulating layer 170 are sequentially formed on the first insulating layer 140 on which the contact holes ch1 and ch2 are formed. The second conductive layer 160 is inserted into the contact holes ch1 and ch2 to contact the second sensing patterns 22a and the pad patterns 40.

그 후, 하프톤 마스크인 제 3마스크(M3)를 이용해 상기 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)을 동반 패터닝하여, 상기 제 2도전막(160)으로부터 상기 제 1절연막(140)을 통해 노출된 상기 제 2센싱패턴들(22a)을 연결하는 제 2연결패턴들(22b) 및 상기 패드패턴들(40) 상에 위치하는 연결층(60)을 형성하고, 상기 제 2절연막(170)으로부터 상기 각 제 2연결패턴들(22b) 상에 위치하는 보호층(50)을 형성한다.Thereafter, the second conductive film 160 and the second insulating film 170 are patterned together by using a third mask M3, which is a halftone mask, to form the first insulating film 140 from the second conductive film 160. Second connection patterns 22b connecting the second sensing patterns 22a and the connection layer 60 on the pad patterns 40 are formed, and the second insulating layer A protective layer 50 is formed on the second connection patterns 22b from 170.

이를 상세히 설명하면, 도 8b와 같이 상기 제 2절연막(170) 상에 포토레지스트막(180)을 형성한 후, 하프톤 마스크인 제 3마스크(M3)를 통해 노광 및 현상 공정을 수행함으로써, 상기 포토레지스트막(180)을 패터닝하여 도 8c에 도시된 바와 같이 서로 다른 높이를 갖는 포토레지스트 패턴들(138, 139)을 형성한다.In detail, the photoresist layer 180 is formed on the second insulating layer 170 as shown in FIG. 8B, and then the exposure and development processes are performed through the third mask M3, which is a halftone mask. The photoresist film 180 is patterned to form photoresist patterns 138 and 139 having different heights as shown in FIG. 8C.

제 3높이(h3)를 갖는 제 3포토레지스트 패턴들(138)은 제 2연결패턴들(22b) 및 보호층(50)이 형성될 영역에 위치하며, 제 3높이(h3)보다 낮은 제 4높이(h4)를 갖는 제 4포토레지스트 패턴들(139)은 연결층(60)이 형성될 영역에 위치한다.The third photoresist patterns 138 having the third height h3 are positioned in the region where the second connection patterns 22b and the protective layer 50 are to be formed, and are lower than the third height h3. The fourth photoresist patterns 139 having the height h4 are positioned in the region where the connection layer 60 is to be formed.

그리고, 8d에 도시된 바와 같이 각 포토레지스트 패턴들(138, 139)의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막(160)과 제 2절연막(170)을 식각 공정에 의해 제거한다.As illustrated in 8d, the second conductive layer 160 and the second insulating layer 170 existing in the remaining regions except for the lower side of the photoresist patterns 138 and 139 are removed by an etching process.

예를 들어, 먼저 1차적으로 각 포토레지스트 패턴들(138, 139) 사이로 노출되는 제 2절연막(170) 부분을 식각 공정을 통하여 제거한 후, 2차적으로 제 2절연막(170)이 제거된 부분을 통해 노출되는 제 2도전막(160) 부분을 식각 공정을 통해 제거할 수 있다.For example, first, a portion of the second insulating layer 170 exposed between the photoresist patterns 138 and 139 is first removed through an etching process, and then a portion where the second insulating layer 170 is secondly removed is removed. A portion of the second conductive film 160 exposed through the etching process may be removed.

그 후, 도 8e에 도시된 바와 같이 후속되는 애싱 공정을 통하여 제 4높이(h4)를 갖는 제 4포토레지스트 패턴들(139)을 제거한다. 이 때, 제 3높이(h3)를 갖는 제 3포토레지스트 패턴들(138)도 상부가 제거되어 높이가 낮아지게 된다. 이에 따라, 제 4포토레지스트 패턴들(139)의 하측에 존재하던 제 2절연막(170)이 노출되게 된다.Thereafter, the fourth photoresist patterns 139 having the fourth height h4 are removed through a subsequent ashing process as shown in FIG. 8E. In this case, an upper portion of the third photoresist patterns 138 having the third height h3 is also removed to lower the height. Accordingly, the second insulating layer 170 existing under the fourth photoresist patterns 139 is exposed.

그리고 8f에 도시된 바와 같이, 제 4포토레지스트 패턴들(139)이 제거되고 남은 제 3포토레지스트 패턴들(138)의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2절연막(170)을 식각 공정을 통하여 제거한다. 이에 따라, 패드패턴들(40) 상에 위치하는 연결층(60)이 비로소 완성된다.As shown in 8f, the second insulating layer 170 existing in the remaining regions except the lower side of the remaining third photoresist patterns 138 after the fourth photoresist patterns 139 is removed is etched through the etching process. Remove Accordingly, the connection layer 60 positioned on the pad patterns 40 is finally completed.

그 후, 8g에 도시된 바와 같이 제 2절연막(170) 상에 잔존하는 제 3포토레지스트 패턴들(138)을 제거함에 따라, 제 2연결패턴들(22b)과 보호층(50)이 비로소 완성된다. Thereafter, as shown in FIG. 8G, the third photoresist patterns 138 remaining on the second insulating layer 170 are removed, so that the second connection patterns 22b and the protective layer 50 are completed. do.

따라서, 제 3마스크(M3)로 하프톤 마스크를 사용함에 따라, 패드패턴들(40)의 부식을 방지하는 연결층(60)을 제 2연결패턴들(22b)과 동시에 형성할 수 있다.Therefore, by using the halftone mask as the third mask M3, the connection layer 60 which prevents corrosion of the pad patterns 40 may be formed simultaneously with the second connection patterns 22b.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and the equivalent concept are included in the scope of the present invention. Should be interpreted.

10: 기판 21a: 제 1센싱패턴들
21b: 제 1연결패턴들 22a: 제 2센싱패턴들
22b: 제 2연결패턴들 30: 위치검출라인
40: 패드패턴들 50: 보호층
60: 연결층
10: substrate 21a: first sensing patterns
21b: first connection patterns 22a: second sensing patterns
22b: second connection patterns 30: position detection line
40: pad patterns 50: protective layer
60: connection layer

Claims (17)

기판 상에 제 1방향을 따라 배열되는 복수의 제 1센싱패턴들과 상기 제 1센싱패턴들을 연결하는 복수의 제 1연결패턴들;
상기 기판 상에 제 2방향을 따라 배열되는 복수의 제 2센싱패턴들;
상기 제 1센싱패턴들과 제 2센싱패턴들 상에 형성되며, 상기 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출하는 제 1컨택홀을 포함하는 제 1절연막;
상기 제 1컨택홀을 통해 제 2센싱패턴들을 연결하는 제 2연결패턴들; 및
상기 제 2연결패턴들 상에 각각 형성되는 보호층; 을 포함하는 터치 스크린 패널.
A plurality of first sensing patterns connecting the first sensing patterns and a plurality of first sensing patterns arranged in a first direction on a substrate;
A plurality of second sensing patterns arranged on the substrate in a second direction;
A first insulating layer formed on the first sensing patterns and the second sensing patterns and including a first contact hole exposing a region of the second sensing patterns;
Second connection patterns connecting second sensing patterns through the first contact hole; And
Protective layers formed on the second connection patterns, respectively; Touch screen panel comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 제 1연결패턴들에 의해 연결되는 제 1센싱패턴들과 상기 제 2연결패턴들에 의해 연결되는 제 2센싱패턴들에 각각 연결되는 위치검출라인들; 및
상기 위치검출라인에 연결되는 패드패턴들; 을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
Position detection lines connected to first sensing patterns connected by the first connection patterns and second sensing patterns connected by the second connection patterns, respectively; And
Pad patterns connected to the position detection line; Touch screen panel further including.
제 2항에 있어서,
상기 위치검출라인들과 패드패턴들은 상기 제 1절연막 내측에 위치하고,
상기 제 1절연막은 상기 패드패턴들을 노출하는 제 2컨택홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
The method of claim 2,
The position detection lines and the pad patterns are located inside the first insulating layer,
And the first insulating layer further comprises a second contact hole exposing the pad patterns.
제 2항에 있어서,
상기 위치검출라인들과 패드패턴들은 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
The method of claim 2,
And the position detection lines and the pad patterns are formed of the same material.
제 3항에 있어서,
상기 패드패턴들 상에 형성되는 연결층; 을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
The method of claim 3, wherein
A connection layer formed on the pad patterns; Touch screen panel further including.
제 3항에 있어서,
상기 제 1센싱패턴들, 제 1연결패턴들 및 제 2센싱패턴들과 동일한 재료로 형성되며, 상기 위치검출라인들과 패드패턴들의 하측에 위치하는 잔막층; 을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
The method of claim 3, wherein
A residual layer formed of the same material as the first sensing patterns, the first connection patterns, and the second sensing patterns, and positioned under the position detection lines and the pad patterns; Touch screen panel further including.
(a) 기판의 일면에 투명전극막과 제 1도전막을 순차적으로 형성하는 단계;
(b) 하프톤 마스크인 제 1마스크를 이용해 상기 투명전극막과 제 1도전막을 동반 패터닝하여, 상기 투명전극막으로부터 제 1연결패턴들에 의해 제 1방향을 따라 연결되는 복수의 제 1센싱패턴들 및 상기 제 1방향과 교차되는 제 2방향을 따라 배열되는 복수의 제 2센싱패턴들을 형성하고, 상기 제 1도전막으로부터 복수의 위치검출라인들을 형성하는 단계;
(c) 상기 제 1센싱패턴들과 제 2센싱패턴들 상에 제 1절연막을 형성하는 단계;
(d) 제 2마스크를 이용해 상기 제 1절연막을 패터닝하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출시키는 단계;
(e) 상기 제 1절연막 상에 제 2도전막과 제 2절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 및
(f) 제 3마스크를 이용해 상기 제 2도전막과 제 2절연막을 동반 패터닝하여, 상기 제 2도전막으로부터 상기 제 1절연막을 통해 노출된 상기 제 2센싱패턴들을 연결하는 제 2연결패턴들을 형성하고, 상기 제 2절연막으로부터 상기 각 제 2연결패턴들 상에 위치하는 보호층들을 형성하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
(a) sequentially forming a transparent electrode film and a first conductive film on one surface of the substrate;
(b) a plurality of first sensing patterns connected together in a first direction by first connection patterns from the transparent electrode film by patterning the transparent electrode film and the first conductive film together using a first mask, which is a halftone mask; And a plurality of second sensing patterns arranged along a second direction crossing the first direction, and forming a plurality of position detection lines from the first conductive film;
(c) forming a first insulating layer on the first sensing patterns and the second sensing patterns;
(d) patterning the first insulating layer using a second mask to expose one region of each of the second sensing patterns;
(e) sequentially forming a second conductive film and a second insulating film on the first insulating film; And
(f) patterning the second conductive layer and the second insulating layer together using a third mask to form second connection patterns connecting the second sensing patterns exposed from the second conductive layer through the first insulating layer; Forming protective layers on the second connection patterns from the second insulating layer; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
제 7항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
(b-1) 상기 제 1도전막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(b-2) 상기 제 1마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 제 1높이와 상기 제 1높이보다 낮은 제 2높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계;
(b-3) 상기 각 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 투명전극막과 제 1도전막을 제거하는 단계;
(b-4) 상기 제 2높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계;
(b-5) 상기 각 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1도전막을 제거하는 단계; 및
(b-6) 상기 제 1도전막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 7, wherein step (b),
(b-1) forming a photoresist film on the first conductive film;
(b-2) patterning the photoresist film using the first mask to form photoresist patterns having a first height and a second height lower than the first height;
(b-3) removing the transparent electrode film and the first conductive film existing in the remaining areas except the lower side of each photoresist pattern;
(b-4) removing the photoresist patterns having the second height;
(b-5) removing the first conductive film present in the remaining regions except for the lower side of each photoresist pattern; And
(b-6) removing the photoresist patterns remaining on the first conductive film; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
제 7항에 있어서, 상기 (d) 단계는,
(d-1) 상기 제 1절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(d-2) 상기 제 2마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계;
(d-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1절연막을 제거하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출시키는 제 1컨택홀을 형성하는 단계; 및
(d-4) 상기 제 1절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 7, wherein step (d),
(d-1) forming a photoresist film on the first insulating film;
(d-2) patterning the photoresist film using the second mask to form photoresist patterns having a predetermined interval;
(d-3) forming a first contact hole exposing one region of each of the second sensing patterns by removing the first insulating layer existing in the remaining regions except for the lower side of the photoresist patterns; And
(d-4) removing the photoresist patterns remaining on the first insulating film; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
제 7항에 있어서, 상기 (f) 단계는,
(f-1) 상기 제 2절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(f-2) 상기 제 3마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계;
(f-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막과 제 2절연막을 제거하는 단계; 및
(f-4) 상기 제 2절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 7, wherein step (f),
(f-1) forming a photoresist film on the second insulating film;
(f-2) patterning the photoresist film using the third mask to form photoresist patterns having a predetermined interval;
(f-3) removing the second conductive film and the second insulating film existing in the remaining areas except the lower side of the photoresist patterns; And
(f-4) removing the photoresist patterns remaining on the second insulating film; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
제 10항에 있어서, 상기 (f-3) 단계는,
(f-3a) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2절연막을 1차적으로 제거하는 단계; 및
(f-3b) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막을 2차적으로 제거하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 10, wherein the step (f-3),
(f-3a) first removing the second insulating film present in the remaining regions except for the lower sides of the photoresist patterns; And
(f-3b) secondarily removing the second conductive film present in the remaining regions except for the lower sides of the photoresist patterns; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
제 7항에 있어서, 상기 위치검출라인들은,
상기 제 1연결패턴들에 의해 연결되는 제 1센싱패턴들과 상기 제 2연결패턴들에 의해 연결되는 제 2센싱패턴들에 각각 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 7, wherein the position detection lines,
The method of claim 1, wherein the first sensing patterns connected by the first connection patterns and the second sensing patterns connected by the second connection patterns are electrically connected to each other.
제 7항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
제 1도전막으로부터 상기 위치검출라인들에 연결되는 패드패턴들을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 7, wherein step (b),
And forming pad patterns connected to the position detection lines from the first conductive layer.
제 13항에 있어서, 상기 (d) 단계는,
제 2마스크를 이용해 상기 제 1절연막을 패터닝하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역과 상기 패드패턴들의 일영역을 노출시키는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 13, wherein step (d)
The first insulating layer is patterned using a second mask to expose one region of each of the second sensing patterns and one region of the pad patterns.
제 14항에 있어서, 상기 (d) 단계는,
(d-1) 상기 제 1절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(d-2) 상기 제 2마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 소정의 간격을 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계;
(d-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 1절연막을 제거하여, 상기 각 제 2센싱패턴들의 일영역을 노출시키는 제 1컨택홀 및 상기 패드패턴들의 일영역을 노출시키는 제 2컨택홀을 형성하는 단계; 및
(d-4) 상기 제 1절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 14, wherein step (d)
(d-1) forming a photoresist film on the first insulating film;
(d-2) patterning the photoresist film using the second mask to form photoresist patterns having a predetermined interval;
(d-3) exposing the first contact hole and one region of the pad patterns to expose one region of each of the second sensing patterns by removing the first insulating layer existing in the remaining regions except for the lower side of the photoresist patterns. Forming a second contact hole; And
(d-4) removing the photoresist patterns remaining on the first insulating film; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
제 15항에 있어서, 상기 (f) 단계는,
하프톤 마스크인 제 3마스크를 이용하여 상기 제 2도전막으로부터 상기 패드패턴들 상에 위치하는 연결층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 15, wherein step (f),
And forming a connection layer on the pad patterns from the second conductive layer by using a third mask, which is a halftone mask.
제 16항에 있어서, 상기 (f) 단계는,
(f-1) 상기 제 2절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(f-2) 상기 제 3마스크를 이용해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 제 3높이와 상기 제 3높이보다 낮은 제 4높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계;
(f-3) 상기 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2도전막과 제 2절연막을 제거하는 단계;
(f-4) 상기 제 4높이를 갖는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계;
(f-5) 상기 각 포토레지스트 패턴들의 하측을 제외한 나머지 영역에 존재하는 제 2절연막을 제거하는 단계; 및
(f-6) 상기 제 2절연막 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들을 제거하는 단계; 를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
The method of claim 16, wherein step (f) comprises:
(f-1) forming a photoresist film on the second insulating film;
(f-2) patterning the photoresist film using the third mask to form photoresist patterns having a third height and a fourth height lower than the third height;
(f-3) removing the second conductive film and the second insulating film existing in the remaining areas except the lower side of the photoresist patterns;
(f-4) removing the photoresist patterns having the fourth height;
(f-5) removing the second insulating film existing in the remaining regions except the lower side of each photoresist pattern; And
(f-6) removing the photoresist patterns remaining on the second insulating film; Method of manufacturing a touch screen panel comprising a.
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