KR20120057888A - Method for fabricating solar cell - Google Patents
Method for fabricating solar cell Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120057888A KR20120057888A KR1020100119431A KR20100119431A KR20120057888A KR 20120057888 A KR20120057888 A KR 20120057888A KR 1020100119431 A KR1020100119431 A KR 1020100119431A KR 20100119431 A KR20100119431 A KR 20100119431A KR 20120057888 A KR20120057888 A KR 20120057888A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- forming
- solar cell
- layer
- pattern mask
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 후면전극 및 후면전계층을 국부적으로 형성함으로써 금속 페이스트의 도포 효율 및 후면전계층 효과를 담보함과 함께 기판이 열변형에 의해 휘어지는 현상을 방지할 수 있는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 텍스쳐링 공정을 통해 기판 표면 상에 요철을 형성하는 단계와, 기판 둘레를 따라 일정 깊이로 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 기판 후면을 일정 간격으로 노출시키는 패턴 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 패턴 마스크층에 의해 노출된 기판 후면 상에 알루미늄 페이스트를 도포하는 단계 및 상기 알루미늄 페이스트를 소성하여 후면전계층 및 후면전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell that can form a back electrode and a back surface layer locally to ensure the coating efficiency of the metal paste and the back surface layer effect and to prevent the substrate from bending due to thermal deformation. The manufacturing method of the solar cell according to the present invention comprises the steps of forming irregularities on the surface of the substrate through a texturing process, forming a semiconductor layer at a predetermined depth along the periphery of the substrate, Forming a pattern mask layer exposing at regular intervals, applying an aluminum paste on the back surface of the substrate exposed by the pattern mask layer, and firing the aluminum paste to form a back surface layer and a back electrode. It is characterized by comprising.
Description
본 발명은 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 후면전극 및 후면전계층을 국부적으로 형성함으로써 금속 페이스트의 도포 효율 및 후면전계층 효과를 담보함과 함께 기판이 열변형에 의해 휘어지는 현상을 방지할 수 있는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell, and more particularly, by forming a rear electrode and a rear field layer locally, a phenomenon in which the substrate is bent due to thermal deformation while ensuring the coating efficiency and the rear field layer effect of the metal paste. It relates to a method for manufacturing a solar cell that can prevent the.
태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 이 때 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다. A solar cell is a key element of photovoltaic power generation that converts sunlight directly into electricity, and is basically a diode composed of a p-n junction. In the process of converting sunlight into electricity by solar cells, when solar light is incident on the pn junction of solar cells, electron-hole pairs are generated, and electrons move to n layers and holes move to p layers by the electric field. Photovoltaic power is generated between the pn junctions, and when a load or a system is connected to both ends of the solar cell, current flows to generate power.
태양전지의 구조를 살펴보면, 도 1에 도시한 바와 같이 p형 반도체층(101) 상에 n형 반도체층(102)이 구비되며, 상기 n형 반도체층(102)의 상부 및 p형 반도체층의 하부에 각각 전면전극(104)과 후면전극(105)이 구비된다. 이 때, 상기 p형 반도체층(101) 및 n형 반도체층(102)은 하나의 기판에 구현되는 것으로서, 기판의 하부는 p형 반도체층(101), 기판의 상부는 n형 반도체층(102)이라 할 수 있으며, 일반적으로 p형 실리콘 기판이 준비된 상태에서 p형 실리콘 기판의 둘레에 n형 불순물 이온을 주입, 확산(diffusion)시켜 n형 반도체층(102)을 형성한다. 또한, 상기 n형 반도체층(102) 상에는 표면 반사를 최소화하기 위한 반사방지막(103)이 구비된다. Referring to the structure of the solar cell, as shown in FIG. 1, an n-
이와 함께, 상기 후면전극(105)과 접하는 기판 내부에는 p형 후면전계층(106)이 구비되며, 상기 n형 반도체층(102)과 p형 후면전계층(106)의 전기적 절연을 위해 기판의 일측에는 아이솔레이션용 트렌치(107)가 구비된다. 상기 아이솔레이션용 트렌치(107)는 통상, 레이저 등을 이용하여 형성한다. In addition, a p-type
한편, 태양전지의 광전변환 효율이 향상되기 위해서는 p형 반도체층과 n형 반도체층에서의 캐리어(carrier) 수집률이 높아져야 한다. 이를 위해, p형 반도체층의 후면에 후면전계층(BSF, back surface field)(108)을 형성하고 있으며, 상기 후면전계층은 p형 반도체층의 후면에 전계를 유도하여 캐리어의 수집률을 향상시키는 역할을 한다. Meanwhile, in order to improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell, carrier collection rates in the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer should be increased. To this end, a back surface field (BSF) 108 is formed on the back of the p-type semiconductor layer, and the back field layer induces an electric field on the back of the p-type semiconductor layer to improve carrier collection rates. It plays a role.
이와 같은 후면전계층의 형성 방법을 살펴보면 다음과 같다. 통상, p형의 결정질 실리콘 기판의 후면 상에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포한 후, 일정 온도 하에서 열처리하여 알루미늄이 기판 내부로 확산되도록 함으로써 확산된 두께만큼의 후면전계층을 형성할 수 있다. 한편, 알루미늄 페이스트의 도포 두께가 두꺼워질수록 후면전계층의 효과 및 도포 효율이 향상되나, 열변형에 의해 기판 자체가 휘어지는 현상이 발생되는 문제점이 있다.
Looking at the formation method of such a rear field layer is as follows. In general, an aluminum (Al) paste is coated on a rear surface of a p-type crystalline silicon substrate, and then heat-treated at a predetermined temperature so that aluminum is diffused into the substrate, thereby forming a backside electric field layer having a diffusion thickness. On the other hand, the thicker the coating thickness of the aluminum paste is improved the effect and coating efficiency of the back surface field layer, there is a problem that the phenomenon that the substrate itself is bent due to thermal deformation.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 후면전극 및 후면전계층을 국부적으로 형성함으로써 금속 페이스트의 도포 효율 및 후면전계층 효과를 담보함과 함께 기판이 열변형에 의해 휘어지는 현상을 방지할 수 있는 태양전지의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, by locally forming the back electrode and the back field layer to ensure the coating efficiency and the back field layer effect of the metal paste and the phenomenon that the substrate is bent due to thermal deformation. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a solar cell that can be prevented.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 텍스쳐링 공정을 통해 기판 표면 상에 요철을 형성하는 단계와, 기판 둘레를 따라 일정 깊이로 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 기판 후면을 일정 간격으로 노출시키는 패턴 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 패턴 마스크층에 의해 노출된 기판 후면 상에 알루미늄 페이스트를 도포하는 단계 및 상기 알루미늄 페이스트를 소성하여 후면전계층 및 후면전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell, the method including forming irregularities on a surface of a substrate through a texturing process, forming a semiconductor layer at a predetermined depth along the periphery of the substrate, and Forming a pattern mask layer exposing the back surface of the substrate at regular intervals on the back surface, applying an aluminum paste on the back surface of the substrate exposed by the pattern mask layer, and firing the aluminum paste to form a back surface layer and a back surface It characterized in that it comprises a step of forming an electrode.
상기 요철은 기판의 전면에 형성하는 것이 바람직하다. 상기 텍스쳐링 공정을 통해 기판 표면 상에 요철을 형성하는 단계는, 습식식각을 통해 기판 전면 및 후면에 요철을 형성하는 공정과, 상기 기판 후면을 CMP 공정을 통해 평탄화하는 공정을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 상기 패턴 마스크층은 절연물질로 구성될 수 있다.
The irregularities are preferably formed on the entire surface of the substrate. The forming of the irregularities on the substrate surface through the texturing process may include a process of forming the irregularities on the front and rear surfaces of the substrate through wet etching, and planarizing the rear surface of the substrate through the CMP process. . In addition, the pattern mask layer may be formed of an insulating material.
본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. The manufacturing method of the solar cell according to the present invention has the following effects.
후면전극 및 후면전계층이 일정 간격을 두고 형성됨에 따라, 후면전극 및 후면전계층에 의해 기판이 휘어지는 것을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 알루미늄 페이스트의 도포 두께를 높여 도포 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
As the rear electrodes and the rear electric field layers are formed at regular intervals, the substrate may be prevented from being bent by the rear electrodes and the rear electric field layers, thereby increasing the coating thickness of the aluminum paste to improve the coating efficiency.
도 1은 일반적인 태양전지의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 1 is a cross-sectional view of a typical solar cell.
2 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
먼저, 도 2 및 도 3a에 도시한 바와 같이 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(301)을 준비하고(S201), 상기 제 1 도전형의 실리콘 기판(301)의 표면에 요철(302)이 형성되도록 텍스쳐링(texturing) 공정을 진행한다(S202). 상기 텍스쳐링 공정은 기판(301) 표면에서의 빛 반사를 줄이기 위한 것이며, 습식식각방법 또는 반응성이온식각(reactive ion etching) 등의 건식식각방법을 이용하여 진행할 수 있다. 상기 제 1 도전형은 p형 또는 n형이고, 후술하는 제 2 도전형은 제 1 도전형의 반대이며, 이하의 설명에서는 제 1 도전형은 p형인 것을 기준으로 한다. First, as shown in FIGS. 2 and 3A, a
상기 표면의 요철(302)구조는 수광면 즉, 전면에만 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 후면 요철(302)로 인해 응력이 유도되어 기판(301)이 휘어지는 현상이 발생되는 것을 방지하기 위함이다. 습식식각방법을 이용하여 텍스쳐링을 하는 경우, 기판(301) 전면뿐만 아니라 후면에도 요철(302)이 형성되는데, 이 경우 후면의 요철(302)은 CMP(chemical mechanical polishing) 공정을 통해 평탄화한다. The
이와 같은 상태에서, 확산공정을 실시하여 n형 반도체층(303)을 형성한다(S203). 구체적으로, 챔버 내에 상기 실리콘 기판(301)을 구비시키고 상기 챔버 내에 제 2 도전형 불순물 이온 즉, n형 불순물 이온을 포함하는 가스(예를 들어, POCl3)를 공급하여 인(P) 이온이 확산(diffusion)되도록 한다. 이를 통해, 도 3b에 도시한 바와 같이 상기 기판(301)의 둘레를 따라 일정 깊이로 n형 반도체층(303)이 형성된다. In this state, the diffusion process is performed to form the n-type semiconductor layer 303 (S203). Specifically, the
n형 반도체층(303)이 형성된 상태에서, 도 3c에 도시한 바와 같이 기판(301) 후면 상에 국부적 후면전계층(p+)(307) 형성을 위한 패턴 마스크층(304)을 형성한다(S204). 상기 패턴 마스크층(304)은 기판(301) 후면을 선택적으로 노출시켜 후속의 금속 페이스트(305) 도포시 금속 페이스트(305)가 기판(301) 후면 상에 일정 간격으로 도포되는 것을 유도하는 역할을 하며, 캐리어의 재결합을 방지하기 위해 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같은 패턴 마스크층(304)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등의 절연물질을 기판(301) 후면의 전면 상에 적층한 다음, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성할 수 있다. In the state where the n-
상기 패턴 마스크층(304)이 형성된 상태에서, 도 3d에 도시한 바와 같이 상기 패턴 마스크층(304)에 의해 노출된 기판(301) 후면 상에 알루미늄 페이스트(305)를 도포한다(S205). 이에 따라, 패턴 마스크층(304) 사이에 알루미늄 페이스트(305)가 구비된 구조를 갖게된다. 그런 다음, 일정 온도에서 기판(301)을 소성(firing)하면 도 3e에 도시한 바와 같이 알루미늄이 기판(301) 후면 내부로 확산되어 후면전계층(p+)(307)(BSF)이 형성됨과 함께 기판(301) 후면 상에는 후면전극(306)이 형성된다(S206). In the state where the
후면전극(306) 및 후면전계층(p+)(307)이 완성된 상태에서, 상기 패턴 마스크층(304)을 식각, 제거하면 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 완료된다. 한편, 도면에 도시하지 않았지만, 상기 후면전극(306) 및 후면전계층(p+)(307)의 형성 전에 기판(301) 전면 상에 반사방지막 및 전면전극을 미리 형성할 수도 있다.
When the
301 : 기판 302 : 요철
303 : 반도체층 304 : 패턴 마스크층
305 : 알루미늄 페이스트 306 : 후면전극
307 : 후면전계층301: substrate 302: irregularities
303
305: aluminum paste 306: rear electrode
307: rear electric field layer
Claims (4)
기판 둘레를 따라 일정 깊이로 반도체층을 형성하는 단계;
상기 기판의 후면 상에 기판 후면을 일정 간격으로 노출시키는 패턴 마스크층을 형성하는 단계;
상기 패턴 마스크층에 의해 노출된 기판 후면 상에 알루미늄 페이스트를 도포하는 단계; 및
상기 알루미늄 페이스트를 소성하여 후면전계층 및 후면전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
Forming irregularities on the surface of the substrate through a texturing process;
Forming a semiconductor layer at a predetermined depth along the periphery of the substrate;
Forming a pattern mask layer on the rear surface of the substrate to expose the rear surface of the substrate at predetermined intervals;
Applying an aluminum paste on a back surface of the substrate exposed by the pattern mask layer; And
Calcining the aluminum paste to form a back surface layer and a back electrode.
The method of claim 1, wherein the irregularities are formed on the entire surface of the substrate.
습식식각을 통해 기판 전면 및 후면에 요철을 형성하는 공정과,
상기 기판 후면을 CMP 공정을 통해 평탄화하는 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
The method of claim 1, wherein the forming of irregularities on the surface of the substrate through the texturing process includes:
Forming irregularities on the front and rear surfaces of the substrate through wet etching;
A method of manufacturing a solar cell, comprising the step of planarizing the substrate backside through a CMP process.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100119431A KR101155192B1 (en) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Method for fabricating solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100119431A KR101155192B1 (en) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Method for fabricating solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120057888A true KR20120057888A (en) | 2012-06-07 |
| KR101155192B1 KR101155192B1 (en) | 2012-06-13 |
Family
ID=46607432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100119431A KR101155192B1 (en) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Method for fabricating solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101155192B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140136555A (en) * | 2013-05-20 | 2014-12-01 | 현대중공업 주식회사 | PERL type bi-facial solar cell and method for the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294209A (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method of photovoltaic substrate |
| KR101578356B1 (en) * | 2009-02-25 | 2015-12-17 | 엘지전자 주식회사 | Back contact solar cell and Manufacturing method thereof |
| KR101122048B1 (en) * | 2009-03-02 | 2012-03-12 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell and method for manufacturing the same |
-
2010
- 2010-11-29 KR KR1020100119431A patent/KR101155192B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140136555A (en) * | 2013-05-20 | 2014-12-01 | 현대중공업 주식회사 | PERL type bi-facial solar cell and method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101155192B1 (en) | 2012-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101383395B1 (en) | Method for fabricating back contact solar cell | |
| KR101138554B1 (en) | Solar cell and method for fabricating the same | |
| CN117423762A (en) | Solar cell, preparation method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system | |
| KR101125450B1 (en) | Method for fabricating back contact solar cell | |
| KR101089992B1 (en) | Method for forming selective emitter in a solar cell | |
| KR20140136555A (en) | PERL type bi-facial solar cell and method for the same | |
| KR101155192B1 (en) | Method for fabricating solar cell | |
| JP2013513965A (en) | Back surface field type heterojunction solar cell and manufacturing method thereof | |
| KR101146782B1 (en) | Method for Fabricating Solar Cell | |
| KR20120077712A (en) | Bifacial photovoltaic localized emitter solar cell and method for manufacturing thereof | |
| KR101181625B1 (en) | Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof | |
| KR20110078549A (en) | Method for forming selective emitter in a solar cell | |
| KR20130048975A (en) | Method for fabricating solar cell | |
| KR101145472B1 (en) | Method for fabricating solar cell | |
| KR20110060130A (en) | Method for making selective emitter when solar cell is fabricated | |
| KR101199649B1 (en) | Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof | |
| KR101172611B1 (en) | Method for Fabricating Solar Cell | |
| KR101137068B1 (en) | Method for fabricating back contact solar cell | |
| KR20130048939A (en) | Method for forming selective emitter in a solar cell | |
| KR20110032407A (en) | Solar cell and method for fabricating the same | |
| KR101069961B1 (en) | Method for fabricating solar cell | |
| KR101089018B1 (en) | Method for formation front electrode of solar cell | |
| KR101612132B1 (en) | Method for fabricating back contact solar cell | |
| KR101173399B1 (en) | Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof | |
| KR20120003611A (en) | Solar cell and method for fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |