KR20120057343A - 광 발생 장치 - Google Patents

광 발생 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120057343A
KR20120057343A KR1020100119030A KR20100119030A KR20120057343A KR 20120057343 A KR20120057343 A KR 20120057343A KR 1020100119030 A KR1020100119030 A KR 1020100119030A KR 20100119030 A KR20100119030 A KR 20100119030A KR 20120057343 A KR20120057343 A KR 20120057343A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
reflective semiconductor
optical
semiconductor optical
splitter
Prior art date
Application number
KR1020100119030A
Other languages
English (en)
Inventor
정종술
최병석
권오균
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020100119030A priority Critical patent/KR20120057343A/ko
Priority to US13/281,463 priority patent/US20120134014A1/en
Publication of KR20120057343A publication Critical patent/KR20120057343A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4062Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/16Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/07Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/08022Longitudinal modes
    • H01S3/08027Longitudinal modes by a filter, e.g. a Fabry-Perot filter is used for wavelength setting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

본 발명은 광 발생 장치에 관한 것이다. 본 발명의 광 발생 장치는 제 1 방향을 따라 제 1 광을 방출하는 제 1 반사형 반도체 광 증폭기, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기와 서로 마주보고, 제 1 방향의 반대 방향으로 제 2 광을 방출하는 제 2 반사형 반도체 광 증폭기, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들 사이에 형성되며, 입사되는 광 중 일부 광을 반사하고 나머지 광을 투과시키는 광 분배기, 및 광 분배기와 제 1 반사형 반도체 광 증폭기 사이에 형성되는 광 빗살 필터로 구성된다.

Description

광 발생 장치{LIGHT GENERATING DEVICE}
본 발명은 광학 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 광 발생 장치에 관한 것이다.
대용량 통신 기술의 하나로서, 광 통신이 연구되고 있다. 광 통신은 송신측에서 송신 신호를 광으로 변환하고, 변환된 신호를 광 케이블과 같은 매질을 통해 광으로 전송하고, 그리고 수신측에서 수신된 광 신호를 원본 신호로 변환하는 절차에 따라 수행된다. 광 통신 기술 중 대표적인 기술은 파장 분할 다중 광 가입자 망(WDM-PON, Wavelength Division Multiplexing Passive Optical Network) 이다. WDM-PON은 서로 다른 파장을 갖는 복수의 광들을 이용하여 통신을 수행한다.
파장 분할 다중 광 가입자 망을 구현하기 위하여, 주기적인 파장 성분을 갖는 광을 발생하는 광 발생 장치들이 연구되고 있다. 주기적인 파장 성분을 갖는 광을 발생하는 광 발생 장치들의 예로서, 스펙트럼 분할(spectrum slicing) 방식 및 외부 광원 주입 방식의 광 발생 장치들이 제안되었다.
스펙트럼 분할 방식의 광 발생 장치는 어븀 첨가 광 증폭기(EDFA, Erbium Doped Fiber Amplifier)에서 발생되는 자연 방출광(ASE, Amplified Spontaneous Emission), 또는 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)와 같은 비간섭성 광대역 광원(BLS, Broadband Light Source)에서 발생되는 광을 분할하는 방식을 사용한다.
외부 광원 주입 방식의 광 발생 장치는 외부의 비간섭성 광대역 광원으로부터 발생되는 광을 스펙트럼 분할하고, 스펙트럼 분할된 광을 페브리-페로 레이저 다이오드(FPLD, Fabry-Perot Laser Diode)에 주입하는 방식을 사용한다.
본 발명의 목적은 향상된 신뢰성을 갖는 광 발생 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 발생 장치는, 제 1 방향을 따라 제 1 광을 방출하는 제 1 반사형 반도체 광 증폭기; 상기 제 1 반사형 반도체 광 증폭기와 서로 마주보고, 상기 제 1 방향의 반대 방향으로 제 2 광을 방출하는 제 2 반사형 반도체 광 증폭기; 상기 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들 사이에 형성되며, 입사되는 광 중 일부 광을 반사하고 나머지 광을 투과시키는 광 분배기; 및 상기 광 분배기와 상기 제 1 반사형 반도체 광 증폭기 사이에 형성되고, 특정 주기의 파장 성분을 투과시키는 는 광 빗살 필터를 포함한다.
실시 예로서, 상기 광 분배기는 상기 제 2 광 중 일부 광을 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 반사하고, 나머지 광을 상기 광 빗살 필터로 투과시킨다.
실시 예로서, 상기 광 분배기는 상기 제 1 광 중 일부 광을 상기 제 2 방향의 반대 방향으로 반사하고, 나머지 광을 상기 제 2 반사형 반도체 광 증폭기로 투과시킨다.
실시 예로서, 상기 광 분배기로부터 상기 제 2 방향을 따라 반사되는 광을 집중하여 제 1 출력 포트에 전달하는 제 3 렌즈; 및 상기 광 분배기로부터 상기 제 2 방향의 반대 방향을 따라 반사되는 광을 집중하여 제 2 출력 포트에 전달하는 제 4 렌즈를 더 포함한다.
실시 예로서, 상기 광 분배기로부터 상기 제 2 방향의 반대 방향을 따라 반사된 광을 모니터하는 모니터 포토 다이오드를 더 포함한다.
실시 예로서, 상기 광 분배기로부터 반사되는 광을 집중하여 제 1 출력 포트로 전달하는 제 5 렌즈를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들, 상기 광 분배기, 상기 광 빗살 필터, 상기 제 1 출력 포트, 그리고 상기 제 5 렌즈는 트랜지스터 아웃라인 캔(TOCAN, Transistor Outline Can)을 구성한다.
실시 예로서, 상기 제 1 반사형 반도체 광 증폭기로부터 입사되는 광을 평행광으로 변환하는 제 1 렌즈; 및 상기 제 2 반사형 반도체 광 증폭기로부터 입사되는 광을 평행광으로 변환하는 제 2 렌즈를 더 포함한다.
실시 예로서, 상기 광 빗살 필터는 입사되는 광 중 통과 대역들에 대응하지 않는 광을 상기 제 1 및 제 2 방향과 다른 제 3 방향을 따라 반사한다.
실시 예로서, 상기 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들, 상기 광 분배기, 그리고 상기 광 빗살 필터의 하부에 형성되는 열전냉각기(TEC, Thermoelectric Cooler)를 더 포함한다.
본 발명에 의하면, 광 빗살 필터를 통과한 광이 공진된다. 잡음 성분이 공진되는 것이 방지되므로, 향상된 신뢰성을 갖는 광 발생 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 광 발생 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 광 발생 장치의 측면도이다.
도 3 및 도 4는 광 발생 장치에서 광이 발생되는 과정을 보여주는 평면도들이다.
도 5는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 광 발생 장치의 출력 광을 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 1 내지 도 도 4를 참조하여 설명된 광 발생 장치의 응용 예를 보여주는 측면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 광 발생 장치를 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 광 발생 장치를 보여주는 도면이다.
도 9 및 도 10은 광 발생 장치에서 광이 발생되는 과정을 보여주는 도면들이다.
이하에서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 광 발생 장치(100)의 평면도이다. 도 2는 도 1의 광 발생 장치(100)의 측면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 광 발생 장치(100)는 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113, RSOA, Reflective Semiconductor Optical Amplifier), 제 1 내지 제 4 렌즈들(121~127), 광 빗살 필터(130), 광 분배기(140), 그리고 제 1 및 제 2 출력 포트들(151, 153)을 포함한다.
제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111), 제 1 렌즈(121), 광 빗살 필터(130), 광 분배기(140), 제 3 렌즈(123), 그리고 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)는 제 1 방향을 따라 제공된다. 제 1 출력 포트(151), 제 3 렌즈(125), 광 분배기(140), 제 4 렌즈(127), 그리고 제 2 출력 포트(153)는 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 제공된다.
제 1 출력 포트(151)는 광을 도파하는 매질과 연결된다. 예시적으로, 제 1 출력 포트(151)는 제 1 광 섬유(161)와 연결되는 것으로 도시되어 있다. 제 2 출력 포트(153)는 광을 도파하는 매질과 연결된다. 예시적으로, 제 2 출력 포트(153)는 제 2 광 섬유(163)와 연결되는 것으로 도시되어 있다.
제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)은 자연광을 방출한다. 또한, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)은 입사되는 광을 증폭하여 다시 방출한다. 즉, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)에서 방출되는 광은 자연광과 증폭된 반사광을 포함한다. 이하에서, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)로부터 방출되는 광은 제 1 광, 그리고 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)로부터 방출되는 광은 제 2 광일 수 있다.
제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)는 제 1 렌즈(121)를 향해 제 1 광을 방출한다. 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)는 제 2 렌즈(123)를 향해 제 2 광을 방출한다. 즉, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)은 서로 마주보는 방향으로 제 1 및 제 2 광들을 방출한다. 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)의 후면과 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)의 후면 사이의 거리는 D일 수 있다.
제 1 내지 제 4 렌즈들(121~127)은 입사되는 광을 집중하는 초점 렌즈들(focusing lenses)이다.
광 빗살 필터(130)는 주파수 영역에서 빗살 형태의 복수의 통과 대역들을 갖는다. 광 빗살 필터(130)에 입사되는 광 중 통과 대역들에 대응하는 빗살 형태의 주파수들을 갖는 광은 투과되고, 나머지 광은 반사된다.
광 분배기(140)는 입사되는 광을 적어도 두 개의 부분으로 분배한다. 예시적으로, 광 분배기(140)는 입사되는 광 중 일부를 투과하고, 나머지 일부를 반사한다. 광 분배기(140)에 의해 반사되는 반사광의 진행 방향은 입사광의 진행 방향에 따라 결정된다. 광 빗살 필터(130)로부터 광 분배기(140)로 입사된 광 중 일부는 투과되고, 나머지 일부는 제 4 렌즈(127) 방향으로 반사된다. 제 2 렌즈(123)로부터 광 분배기(140)로 입사된 광 중 일부는 투과되고, 나머지 일부는 제 3 렌즈(125) 방향으로 반사된다.
도 3 및 도 4는 광 발생 장치(100)에서 광이 발생되는 과정을 보여주는 평면도들이다. 도 3을 참조하면, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)는 제 1 렌즈(121)를 향해 제 1 광을 방출한다. 제 1 렌즈(121)는 입사되는 광을 집중하여 제 1 평행광(L1)으로 변환한다. 제 1 렌즈(121)를 통과한 제 1 평행광(L1)은 광 빗살 필터(130)에 입사된다.
광 빗살 필터(130)에 입사된 제 1 평행광(L1) 중 광 빗살 필터(130)의 빗살 형태의 통과 대역들에 대응하는 부분은 광 빗살 필터(130)를 투과한다. 제 1 평행광(L1) 중 광 빗살 필터(130)를 투과한 부분은 제 1 필터 투과광(L3)으로 정의된다. 제 1 필터 투과광(L3)은 제 1 방향을 따라 광 분배기(140)에 입사된다. 광 빗살 필터(130)에 입사된 제 1 평행광(L1) 중, 광 빗살 필터(130)의 통과 대역들에 대응하지 않는 부분은 광 빗살 필터(130)로부터 반사된다. 제 1 평행광(L1) 중 광 빗살 필터(130)로부터 반사되는 부분은 제 1 필터 반사광(L2)으로 정의된다. 예시적으로, 광 빗살 필터(130)는 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향을 따라 제 1 필터 반사광(L2)을 반사한다.
광 분배기(140)는 입사된 제 1 필터 투과광(L3) 중 일부를 반사하고 나머지 일부를 투과한다. 제 1 필터 투과광(L3) 중 광 분배기(140)에 의해 반사되는 부분은 제 1 분배 반사광(L4)으로 정의된다. 제 1 필터 투과광(L3) 중 광 분배기(140)에 의해 투과되는 부분은 제 1 분배 투과광(L5)으로 정의된다. 예시적으로, 광 분배기(140)는 제 1 분배 반사광(L4)을 제 2 방향을 따라 제 4 렌즈(127)로 반사한다. 제 4 렌즈(127)는 입사된 제 1 분배 반사광(L4)을 집중하여 제 2 방향을 따라 제 2 출력 포트(153)에, 즉 제 2 광 섬유(163)에 입사한다. 광 분배기(140)는 제 1 분배 투과광(L5)을 제 1 방향을 따라 제 2 렌즈(123)로 투과한다. 제 2 렌즈(123)는 입사된 제 1 분배 투과광(L5)을 집중하여 제 1 방향을 따라 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)에 입사한다.
도 4를 참조하면, 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)는 제 2 광을 제 1 방향의 반대 방향을 따라 제 2 렌즈(123)로 방출한다. 제 2 렌즈(123)는 제 2 광을 제 2 평행광(L6)으로 변환한다. 제 2 평행광(L6)은 광 분배기(140)에 입사된다.
광 분배기(140)는 입사된 제 2 평행광(L6) 중 일부를 반사하고, 나머지 일부를 투과한다. 제 2 평행광(L6) 중 광 분배기(140)에 의해 반사되는 부분은 제 2 분배 반사광(L7)으로 정의된다. 제 2 평행광(L6) 중 광 분배기(140)에 의해 투과되는 부분은 제 2 분배 투과광(L8)으로 정의된다. 예시적으로, 광 분배기(140)는 제 2 분배 반사광(L7)을 제 2 방향의 반대 방향을 따라 제 3 렌즈(125)로 반사한다. 제 3 렌즈(125)는 입사된 제 2 분배 반사광(L7)을 집중하여 제 2 방향의 반대 방향을 따라 제 1 출력 포트(151)에, 즉 제 1 광 섬유(161)에 입사한다. 광 분배기(140)는 제 2 분배 투과광(L8)을 제 1 방향의 반대 방향을 따라 광 빗살 필터(130)로 투과한다. 광 빗살 필터(130)에 입사된 제 2 분배 투과광(L8) 중 광 빗살 필터(130)의 빗살 형태의 통과 대역들에 대응하는 부분은 광 빗살 필터(130)를 투과한다. 제 2 분배 투과광(L8) 중 광 빗살 필터(130)를 투과한 부분은 제 2 필터 투과광(L10)으로 정의된다. 제 2 필터 투과광(L10)은 제 1 방향의 반대 방향을 따라 제 1 렌즈(121)에 입사된다. 제 1 렌즈(121)는 제 2 필터 투과광(L10)을 집중하여 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)에 입사한다.
광 빗살 필터(130)에 입사된 제 2 분배 투과광(L8) 중, 광 빗살 필터(130)의 통과 대역들에 대응하지 않는 부분은 광 빗살 필터(130)로부터 반사된다. 제 2 분배 투과광(L8) 중 광 빗살 필터(130)로부터 반사되는 부분은 제 2 필터 반사광(L9)으로 정의된다. 예시적으로, 광 빗살 필터(130)는 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향을 따라 제 2 필터 반사광(L9)을 반사한다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)로부터 방출된 제 1 광 중 일부인 제 1 분배 투과광(L5)이 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)로 입사된다. 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(111)는 입사된 제 1 분배 투과광(L5)을 증폭하여 방출한다. 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)로부터 방출된 제 2 광 중 일부인 제 2 필터 투과광(L10)이 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)로 입사된다. 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)는 입사된 제 2 필터 투과광(L10)을 증폭하여 방출한다. 즉, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111) 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)는 공진기를 형성한다.
제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)에 의해 제 1 방향을 따라 공진기가 형성된다. 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113) 사이에 광 빗살 필터(130)가 형성되어 있다. 즉, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)에 입사되는 제 2 필터 투과광(L10)은 광 빗살 필터(130)를 투과한 광이다. 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)에 입사되는 제 1 분배 투과광(L5)은 광 빗살 필터(130)를 투과한 광이다. 따라서, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)에서, 빗살 형태의 주파수 특성을 갖는 광, 즉 빗살 형태의 다파장 광이 공진한다. 공진 주파수는 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)의 후면들 사이의 거리(D)에 의해 결정된다.
제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111)에 의해 공진되는 광 중 일부는 광 분배기(140)에 의해 분배되어 출력된다. 예시적으로, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)에 의해 방출된 제 1 광 중 제 1 분배 반사광(L4)이 광 분배기(140)에 의해 반사되어 제 2 출력 포트(163)로 출력된다. 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)에 의해 방출된 제 2 광 중 제 2 분배 반사광(L7)이 광 분배기(140)에 의해 반사되어 제 1 출력 포트(161)로 출력된다. 즉, 빗살 형태의 다파장 광들이 제 1 및 제 2 포트들(161, 163)을 통해 출력된다.
제 1 반사형 반도체 광 증폭기(111)로부터 방출된 제 1 광 중 제 1 필터 반사광(L2)이 광 빗살 필터(130)에 의해 반사된다. 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(113)로부터 방출된 제 2 광 중 제 2 필터 반사광(L9)이 광 빗살 필터(1300에 의해 반사된다. 제 1 및 제 2 필터 반사광들(L2, L9)은 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향을 따라 반사된다. 따라서, 제 1 및 제 2 필터 반사광들(L2, L9)은 공진되지 않으며, 외부로 출력되지 않는다.
예시적으로, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 광 빗살 필터(130)를 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향으로 기울어지게 형성함으로써, 제 1 및 제 2 필터 반사광들(L2, L9)이 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향을 따라 반사될 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 공진기를 형성하는 두 개의 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)의 사이에 광 빗살 필터(130)를 형성함으로써, 빗살 형태의 다파장 광이 공진된다. 별도의 파장 제어가 요구되지 않으므로, 광 발생 장치(100)의 복잡도가 감소될 수 있다. 또한, 광 빗살 필터(130)는 수동형 광 소자이다. 광 빗살 필터(130)가 비 온도 의존(athermal) 매질로 구성되면, 별도의 온도 제어가 요구되지 않으므로 광 발생 장치(100)의 복잡도가 더 감소될 수 있다.
도 5는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 광 발생 장치(100)의 출력 광을 보여주는 그래프이다. 도 5에서, 가로 축은 파장을 나타내며 단위는 나노미터(nm)이다. 세로 축은 전력밀도를 나타내며, 단위는 데시벨미터 퍼 나노미터(dBm/nm)이다.
도 5를 참조하면, 출력 광의 발진 파장은 광 빗살 필터(130)의 통과 대역과 일치한다. 이득 중심 파장 영역의 10 개의 채널들은 -10dB 이상의 출력과 30dB 이상의 SMSR (Side-Mode Suppression Ratio)이 획득된다.
도 6은 도 1 내지 도 도 4를 참조하여 설명된 광 발생 장치(100)의 응용 예를 보여주는 측면도이다. 도 2에 도시된 광 발생 장치(100)의 측면도와 비교하면, 응용 예에 따른 광 발생 장치(100a)에 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113), 제 1 내지 제 4 렌즈들(121~127), 광 빗살 필터(130), 광 분배기(140), 그리고 제 1 및 제 2 출력 포트들(151, 153)의 하부에 열전냉각기(170, TEC, Thermoelectric Cooler)가 추가된다. 열전냉각기(170)가 추가되면, 고온에서 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(111, 113)의 증폭율이 감소하는 것이 방지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 광 발생 장치(200)를 보여주는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 광 발생 장치(200)는 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(211, 213), 제 1 내지 제 4 렌즈들(221~228), 광 빗살 필터(230), 광 분배기(240), 제 1 출력 포트(251), 그리고 모니터 소자(280)를 포함한다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(211), 제 1 렌즈(221), 광 빗살 필터(230), 광 분배기(240), 제 2 렌즈(223), 그리고 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(213)는 제 1 방향을 따라 형성된다. 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(211, 213)은 따라 서로 마주보고 광을 방출한다. 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(211)는 제 1 방향으로 제 1 광을 방출하며, 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(213)는 제 1 방향의 반대 방향으로 제 2 광을 방출한다.
제 2 방향을 따라, 제 1 출력 포트(251), 제 3 렌즈(225), 광 분배기(240), 제 4 렌즈(228), 그리고 모니터 소자(280)가 형성된다. 제 1 출력 포트(251)는 제 1 광 섬유(261)에 연결된다. 제 2 광 섬유(163)와 연결되는 제 2 출력 포트(153) 대신에 모니터 소자(280)가 제공되는 것을 제외하면, 광 발생 장치(200)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 광 발생 장치(100)와 동일한 구조를 가지며, 동일한 방법으로 동작한다.
제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(211, 213)에 의해 공진되는 빗살 형태의 다파장 광 중 일부가 광 분배기(240)에 의해 분배되어 모니터 소자(280)에 입사된다. 예시적으로, 도 3 을 참조하여 설명된 바와 같이, 광 분배기(140)에 의해 분배된 제 1 분배 반사광(L4)이 제 4 렌즈(127)에 의해 집중되어 모니터 소자(280)에 입사될 수 있다.
모니터 소자(280)는 입사되는 광을 모니터한다. 예를 들면, 모니터 소자(280)는 입사되는 광의 전력(power)를 모니터할 수 있다. 모니터 소자(280)에 의해 모니터된 결과는 외부로 출력될 수 있다. 모니터 결과에 따라, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(211, 213)의 출력이 조절될 수 있다. 즉, 모니터 결과에 따라, 제 1 출력 포트(251)를 통해 제 1 광섬유(261)로 출력되는 빗살 형태의 다파장 광의 전력이 조절될 수 있다. 예시적으로, 모니터 소자(280)는 모니터 포토 다이오드(MPD, Monitor Photo Diode)를 포함할 수 있다.
예시적으로, 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 광 발생 장치(200)에 열전냉객기(TEC)가 추가될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 광 발생 장치(300)를 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 광 발생 장치(300)는 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(311, 313), 제 1 및 제 2 렌즈들(321, 323), 광 빗살 필터(330), 광 분배기(340), 그리고 출력 포트(390)를 포함한다. 출력 포트(390)는 입사되는 광을 집중하는 초점 렌즈를 포함한다.
제 1 반사형 반도체 광 증폭기(311), 제 1 렌즈(321), 광 빗살 필터(330), 광 분배기(340), 제 2 렌즈(323), 그리고 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(313)는 제 1 방향을 따라 형성된다. 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(311, 313)은 서로 마주보고 광을 방출한다.
광 분배기(340) 및 출력 포트(390)는 제 1 방향과 제 2 방향의 교차점에 형성된다. 제 2 방향을 따라, 출력 포트(390) 상에 광 도파 매질이 형성된다. 예시적으로, 광 섬유(360)가 연결될 수 있다.
도 9 및 도 10은 광 발생 장치(300)에서 광이 발생되는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 9를 참조하면, 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(311)는 제 1 방향을 따라 제 1 렌즈(321)로 제 1 광을 방출한다. 제 1 렌즈(321)는 입사된 제 1 광을 제 1 평행광(L11)으로 변환한다. 제 1 평행광(L11)은 제 1 방향을 따라 광 빗살 필터(330)로 입사된다.
제 1 평행광(L11) 중 광 빗살 필터(330)의 통과 대역들에 대응하지 않는 부분은 광 빗살 필터(330)로부터 반사된다. 광 빗살 필터(330)로부터 반사되는 광은 제 1 필터 반사광(L12)으로 정의된다. 제 1 필터 반사광(L12)은 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향을 따라 반사된다.
제 1 평행광(L11) 중 광 빗살 필터(330)의 통과 대역들에 대응하는 빗살 형태의 다파장 부분은 광 빗살 필터(330)를 투과한다. 광 빗살 필터(330)를 투과하는 광은 제 1 필터 투과광(L13)으로 정의된다. 제 1 필터 투과광(L13)은 제 1 방향을 따라 광 분배기(340)로 입사된다.
광 분배기(340)는 입사되는 제 1 필터 투과광(L13) 중 일부를 반사하고 나머지 일부를 투과한다. 제 1 필터 투과광(L13) 중 광 분배기(340)에 의해 반사되는 부분은 제 1 분배 반사광(L14)으로 정의된다. 제 1 분배 반사광(L14)은 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 출력 포트(390)의 반대 방향으로 반사된다. 즉, 제 1 분배 반사광(L14)은 광 발생 창치(300)의 바닥부로 반사될 수 있다.
제 1 필터 투과광(L13) 중 광 분배기(340)에 의해 투과되는 부분은 제 1 분배 투과광(L15)으로 정의된다. 제 1 분배 투과광(L15)은 제 1 방향을 따라 제 2 렌즈(323)로 입사된다.
제 2 렌즈(323)는 입사되는 제 1 분배 투과광(L15)을 집중하여 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(313)에 입사한다.
도 10을 참조하면, 제 2 반사형 반도체 광 증폭기(313)로부터 방출된 제 2 광은 제 1 방향의 반대 방향을 따라 제 2 렌즈(323)로 입사된다. 제 2 렌즈(323)는 제 2 광을 집중하여 제 2 평행광(L16)으로 변환한다. 제 2 평행광(L16)은 광 분배기(340)로 입사된다.
광 분배기(340)는 입사되는 제 2 평행광(L16) 중 일부를 반사하고 나머지 일부를 투과한다. 제 2 평행광(L16) 중 광 분배기(340)에 의해 반사되는 광은 제 2 분배 반사광(L17)으로 정의된다. 제 2 분배 반사광(L17)은 제 2 방향의 반대 방향을 따라 출력 포트(390)로 입사된다. 출력 포트(390)의 초점 렌즈는 제 2 분배 반사광(L17)을 집중하여 광 섬유(360)에 입사한다.
제 2 평행광(L16) 중 광 분배기(340)에 의해 투과되는 부분은 제 2 분배 투과광(L18)으로 정의된다. 제 2 분배 투과광(L18)은 제 1 방향의 반대 방향을 따라 광 빗살 필터(330)로 입사된다.
제 2 분배 투과광(L18) 중 광 빗살 필터(330)의 통과 대역들에 대응하지 않는 부분은 광 빗살 필터(330)로부터 반사된다. 광 빗살 필터(330)로부터 반사되는 광은 제 2 필터 반사광(L19)으로 정의된다. 제 2 필터 반사광(L19)은 제 1 및 제 2 방향들과 다른 방향을 따라 반사된다.
제 2 분배 투과광(L18) 중 광 빗살 필터(330)의 통과 대역들에 대응하는 빗살 형태의 다파장 부분은 광 빗살 필터(330)를 투과한다. 광 빗살 필터(330)를 투과하는 광은 제 2 필터 투과광(L20)으로 정의된다. 제 2 필터 투과광(L20)은 제 1 방향의 반대 방향을 따라 제 1 렌즈(321)로 입사된다.
제 1 렌즈(321)는 제 2 필터 투과광(L20)을 집중하여 제 1 반사형 반도체 광 증폭기(311)에 입사한다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(311, 313)은 제 1 방향을 따라 공진기를 형성한다. 공진기 내에 광 빗살 필터(330)가 형성되어 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(311, 313)에 의해 형성되는 공진기에서, 빗살 형태의 다파장 광이 공진한다.
제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들(311, 313)에 의해 공진하는 빗살 형태의 다파장 광 중 일부는 광 분배기(340)에 의해 출력 포트(390)로 출력된다. 즉, 빗살 형태의 다파장 광이 출력 포트(390)를 통해 광 섬유(360)로 출력된다.
광 발생 장치(300)는 트랜지스터 아웃라인 캔(TOCAN, Transistor Outline can)으로 제조될 수 있다. 광 발생 장치(300)가 트랜지스터 아웃라인 캔(TOCAN)으로 제조되면, 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 광 발생 장치(300)의 하부에 복수의 핀들이 형성될 수 있다.
예시적으로, 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 광 발생 장치(300)에 열전냉각기(TEC)가 추가적으로 형성될 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100, 100a, 200, 300; 광 발생 장치
111, 113, 211, 213, 311, 313; 반사형 반도체 광 증폭기
121, 123, 125, 127, 221, 223, 225, 227, 321, 323; 렌즈
130, 230, 330; 광 빗살 필터
140, 240, 340; 광 분배기
151, 153, 251, 390; 출력 포트
161, 163, 261, 360; 광섬유
170; 열전냉각기
280; 모니터 소자

Claims (9)

  1. 제 1 방향을 따라 제 1 광을 방출하는 제 1 반사형 반도체 광 증폭기;
    상기 제 1 반사형 반도체 광 증폭기와 서로 마주보고, 상기 제 1 방향의 반대 방향으로 제 2 광을 방출하는 제 2 반사형 반도체 광 증폭기;
    상기 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들 사이에 형성되며, 입사되는 광 중 일부 광을 반사하고 나머지 광을 투과시키는 광 분배기; 및
    상기 광 분배기와 상기 제 1 반사형 반도체 광 증폭기 사이에 형성되고, 특정 주기의 파장 성분을 투과시키는 는 광 빗살 필터를 포함하는 광 발생 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 분배기는 상기 제 2 광 중 일부 광을 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 반사하고, 나머지 광을 상기 광 빗살 필터로 투과시키는 광 발생 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 분배기는 상기 제 1 광 중 일부 광을 상기 제 2 방향의 반대 방향으로 반사하고, 나머지 광을 상기 제 2 반사형 반도체 광 증폭기로 투과시키는 광 발생 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 광 분배기로부터 상기 제 2 방향을 따라 반사되는 광을 집중하여 제 1 출력 포트에 전달하는 제 3 렌즈; 및
    상기 광 분배기로부터 상기 제 2 방향의 반대 방향을 따라 반사되는 광을 집중하여 제 2 출력 포트에 전달하는 제 4 렌즈를 더 포함하는 광 발생 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 광 분배기로부터 상기 제 2 방향의 반대 방향을 따라 반사된 광을 모니터하는 모니터 포토 다이오드를 더 포함하는 광 발생 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 분배기로부터 반사되는 광을 집중하여 제 1 출력 포트로 전달하는 제 5 렌즈를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들, 상기 광 분배기, 상기 광 빗살 필터, 상기 제 1 출력 포트, 그리고 상기 제 5 렌즈는 트랜지스터 아웃라인 캔(TOCAN, Transistor Outline Can)을 구성하는 광 발생 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사형 반도체 광 증폭기로부터 입사되는 광을 평행광으로 변환하는 제 1 렌즈; 및
    상기 제 2 반사형 반도체 광 증폭기로부터 입사되는 광을 평행광으로 변환하는 제 2 렌즈를 더 포함하는 광 발생 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 빗살 필터는 입사되는 광 중 통과 대역들에 대응하지 않는 광을 상기 제 1 및 제 2 방향과 다른 제 3 방향을 따라 반사하는 광 발생 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 반사형 반도체 광 증폭기들, 상기 광 분배기, 그리고 상기 광 빗살 필터에 인접하여 형성되는 열전냉각기(TEC, Thermoelectric Cooler)를 더 포함하는 광 발생 장치.
KR1020100119030A 2010-11-26 2010-11-26 광 발생 장치 KR20120057343A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100119030A KR20120057343A (ko) 2010-11-26 2010-11-26 광 발생 장치
US13/281,463 US20120134014A1 (en) 2010-11-26 2011-10-26 Light generating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100119030A KR20120057343A (ko) 2010-11-26 2010-11-26 광 발생 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120057343A true KR20120057343A (ko) 2012-06-05

Family

ID=46126489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100119030A KR20120057343A (ko) 2010-11-26 2010-11-26 광 발생 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120134014A1 (ko)
KR (1) KR20120057343A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101967669B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-11 국방과학연구소 복수개의 빗살 파장 필터를 이용한 다중 빗살 파장 가변 광원 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01292875A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体光増幅モジュール
US6195200B1 (en) * 1998-02-18 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. High power multiwavelength light source
US7310363B1 (en) * 1999-09-28 2007-12-18 The Regents Of The University Of California Integrated wavelength tunable single and two-stage all-optical wavelength converter
KR100539906B1 (ko) * 2003-11-18 2005-12-28 삼성전자주식회사 반사형 반도체 광증폭기 광원
KR20090087805A (ko) * 2008-02-13 2009-08-18 주식회사 케이티 Wdm-pon에서의 광 검출 장치 및 그 방법
US8364043B2 (en) * 2008-12-12 2013-01-29 Electronics And Telecommunications Research Institute Method and apparatus for controlling reflective semiconductor optical amplifier (RSOA)
US8594469B2 (en) * 2008-12-22 2013-11-26 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical amplifier
KR101250441B1 (ko) * 2009-06-16 2013-04-08 한국전자통신연구원 파장분할다중 방식의 수동형 광통신망 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101967669B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-11 국방과학연구소 복수개의 빗살 파장 필터를 이용한 다중 빗살 파장 가변 광원 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20120134014A1 (en) 2012-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8559821B2 (en) Wavelength stabilization and locking for colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
TWI496425B (zh) 光發射機
US20060140548A1 (en) Optical transceiver and passive optical network using the same
CN105379159B (zh) 具有多个序列式区段的可调谐激光器及其应用系统与方法
JP2010021976A (ja) ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置及びその注入方法
JP2014506394A (ja) 波長分割多重通信−受動光ネットワークのための外部キャビティレーザおよびシステム
JP2005073257A (ja) 多波長光送信器及びこれを用いた両方向波長分割多重システム
KR20190133792A (ko) 통합 wdm 광 송수신기
US20100322624A1 (en) Bidirectional transmission network apparatus based on tunable rare-earth-doped fiber laser
WO2016085956A1 (en) Tunable laser with multiple in-line sections including sampled gratings
US8422124B2 (en) Seed light module for passive optical network
KR100575966B1 (ko) 광대역 광원
Liou et al. Operation of an LED with a single-mode semiconductor amplifier as a broad-band 1.3-μm transmitter source
JP4118865B2 (ja) 多重チャンネル光源及びそれを用いた多重チャンネル光モジュール
CN101426154B (zh) 一种可用作wdm-pon光源的外腔激光器
KR20050040141A (ko) 광송신 모듈과 그를 이용한 파장 분할 다중 방식 광원
KR20120057343A (ko) 광 발생 장치
JP2016528733A (ja) 光学ソース
KR100990264B1 (ko) 링 공진기를 구비하는 광원 장치 및 광 통신 시스템
Jain et al. Directly modulated photonic integrated multi-section laser for next generation TWDM access networks
KR100693862B1 (ko) 외부 공진기를 가지는 단일 모드 광원 장치
US6791747B2 (en) Multichannel laser transmitter suitable for wavelength-division multiplexing applications
KR101332755B1 (ko) 복수의 주입 잠금 광원을 이용한 다파장 레이저 발생 장치 및 제어 방법
Park et al. WDM-PON system based on the laser light injected reflective semiconductor optical amplifier
KR100775413B1 (ko) 외부 공진기를 가지는 단일 모드 광원 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid