KR20120049067A - 유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120049067A KR20120049067A KR1020100110636A KR20100110636A KR20120049067A KR 20120049067 A KR20120049067 A KR 20120049067A KR 1020100110636 A KR1020100110636 A KR 1020100110636A KR 20100110636 A KR20100110636 A KR 20100110636A KR 20120049067 A KR20120049067 A KR 20120049067A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid crystal
- organic
- crystal display
- glycidyl methacrylate
- organic composition
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 23
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 11
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 9
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KZPMXWBRKHQGQJ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-(oxiran-2-yl)but-2-enoic acid oxiran-2-ylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound O1C(CC=C(C(=O)O)C)C1.C(C(=C)C)(=O)OCC1CO1 KZPMXWBRKHQGQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- WNXTZVMMNCCZTP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl 2-methylprop-2-enoate 5-hydroxy-2-methylpent-2-enoic acid Chemical compound OCCC=C(C(=O)O)C.C(C(=C)C)(=O)OCCO WNXTZVMMNCCZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 abstract 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 125000004573 morpholin-4-yl group Chemical group N1(CCOCC1)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/32—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/44—Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/20—Esters of polyhydric alcohols or phenols, e.g. 2-hydroxyethyl (meth)acrylate or glycerol mono-(meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/32—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
- C08F220/325—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
- C08F222/102—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
실시예에 따르면, 유기 조성물은 아크릴계 화합물을 포함하는 모노머; 아민계 화합물을 포함하는 경화제; 접착 증진제; 및 광개시제를 포함한다.
Description
실시예는 유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 경박 단소, 저 소비 전력 및 풀컬러 구현과 같은 장점을 가지고 있고, 여러 표시장치들 중에서 가장 상업화에 성공하고 있다.
액정표시장치는 모바일 폰, 태블릿 PC, 네비게이션, 노트북, 데스크 탑 컴퓨터 및 텔레비전에 적용되고 있다.
액정표시장치는 금속 라인 패턴들 간의 단차를 해소하기 위해 편평한 상면이 보장되는 두꺼운 유기막이 금속 라인 패턴, 예컨대 데이터 라인, 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 형성될 수 있다.
유기막은 수분을 포함하고 있어, 이러한 수분을 증발시키기 위해 고온의 온도, 예컨대 적어도 230ㅀ 이상의 온도로 유기막에 열이 가해진다. 이러한 경우, 높은 온도로 인해 금속 라인 패턴의 금속 물질, 예컨대 도 2a의 구리(Cu)과 유기막에 포함된 수분, 예컨대 산소(O)가 반응하여 금속 라인 패턴 상면에 산화구리막(CuO, Cu2O)이 형성될 수 있다.
산화구리막과 같은 산화막은 매우 높은 표면 저항을 갖게 되어, 신호의 전달을 방해하여 영상의 화상 품위를 떨어뜨리게 될 뿐만 아니라, 이러한 화상 품위를 만회하기 위해서 더 높은 전압이 공급되어야 하므로 소비 전력이 증가되는 문제가 있다.
실시예는 금속 물질과의 산화를 최소화할 수 있는 유기 조성물을 제공한다.
실시예는 접착력을 향상시킬 수 있는 유기 조성물을 제공한다.
실시예는 공정 조건의 변경으로 금속 물질과의 산화를 방지할 수 있는 유기 조성물을 이용한 액정표시장치의 제조 방법을 제공한다.
실시예는 공정을 단순화한 유기 조성물을 이용한 액정표시장치의 제조 방법을 제공한다.
실시예에 따르면, 유기 조성물은 아크릴계 화합물을 포함하는 모노머; 아민계 화합물을 포함하는 경화제; 접착 증진제; 및 광개시제를 포함한다.
실시예에 따르면, 액정표시장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터를 포함하는 기판 상에 유기 조성물을 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 몰드의 적어도 하나 이상의 돌출부를 상기 유기막에 전사하여, 상기 유기막에 적어도 하나 이상의 콘택 홀을 형성하는 단계; 및 상기 기판에 60ㅀ 내지 120ㅀ의 범위의 온도를 갖는 열을 가하는 단계를 포함한다.
실시예는 금속 물질과의 산화를 최소화할 수 있다.
실시예는 접착력을 향상시킬 수 있다.
실시예는 공정 조건의 변경으로 금속 물질과의 산화를 방지할 수 있다.
실시예는 공정을 단순화할 수 있다.
도 1a 내지 도 1h는 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 2a는 종래의 액정표시장치의 제조 공정에서 발생되는 산화막을 검출한 그래프이다.
도 2a는 본원 발명에 따른 액정표시장치의 제조 공정에 의해 산화막이 검출되지 않은 그래프이다.
도 2a는 종래의 액정표시장치의 제조 공정에서 발생되는 산화막을 검출한 그래프이다.
도 2a는 본원 발명에 따른 액정표시장치의 제조 공정에 의해 산화막이 검출되지 않은 그래프이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1h는 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 1a를 참고하면, 박막 트랜지스터(13)가 형성된 기판(1) 상에 유기막(15)이 형성될 수 있다.
액정표시장치는 박막 트랜지스터 어레이 기판과, 컬러 필터 어레이 기판과, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러 필터 어레이 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
상기 컬러 필터 기판은 광의 투과를 차단하기 위해 화소 영역들 사이의 경계 영역들에 배치된 블랙 매트릭스와, 상기 화소 영역들에 배치된 컬러 필터들과, 상기 블랙 매트릭스와 상기 컬러 필터들 사이의 단차를 제거하기 위해 상기 블랙 매트릭스와 상기 컬러 필터들 상에 배치된 오버 코팅층을 포함할 수 있다.
TN(Twisted Nematic) 모드의 액정표시장치에서는 공통 전극이 상기 블랙 매트릭스 및 상기 컬러 필터들과 상기 오버 코팅층 사이에 배치될 수 있다.
TN 모드에서는 초기 상태, 즉 구동 전압 또는 데이터 전압이 인가되지 않은 경우, 상기 액정층의 액정들이 서로 간에 뒤틀어져 있으면서 상기 액정들의 장방향이 수평 방향에 평행하도록 배열될 수 있다. 이러한 경우, 광이 상기 액정층의 지나면서 90도의 위상 지연이 발생하게 된다. 데이터 전압이 인가되는 경우, 상기 액정층의 액정들의 장방향이 수평 방향에 평행하도록 배열됨으로써, 상기 액정층을 지나가는 광에 어떠한 위상 지연도 발생하지 않게 된다.
TN 모드에서는 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판과 상기 컬러 필터 어레이 기판 사이에 수직 전계가 발생되어, 상기 액정층의 액정들이 이러한 수직 전계에 의해 구동될 수 있다.
IPS(In-Plane Switching) 모드의 액정표시장치에서는 공통 전극이 화소 전극과 수평 방향으로 나란하게 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 배치될 수 있다.
IPS 모드에서는 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 화소 전극과 공통 전극 사이에 수평 전계가 발생되어, 상기 액정층의액정들이 이러한 수평 전계에 의해 구동될 수 있다.
상기 오버 코팅층 상에 상기 액정층의 액정들의 초기 배향을 설정하기 위해 상부 배향막이 배치될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 어레이 기판에서는 도 1a에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 게이트 라인(미도시), 게이트 전극(3) 및 게이트 패드 전극(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인, 상기 게이트 전극(3) 및 상기 게이트 패드 전극은 동일한 금속 물질로부터 동일층에 일체로 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(3)은 상기 게이트 라인으로부터 연장 형성될 수 있고, 상기 게이트 패드 전극은 상기 게이트 라인의 끝 영역에 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인, 상기 게이트 전극(3) 및 상기 게이트 패드 전극은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인, 상기 게이트 전극(3) 및 상기 게이트 패드 전극을 포함하는 상기 기판(1)의 전 영역 상에 게이트 절연막(5)이 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막(5)은 실리콘 옥사이드(SiOx)나 실리콘 나이트라이드(SiNx)와 같은 무기 물질로 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정하지 않고 상기 게이트 절연막(5)은 유기 물질로 형성될 수도 있다.
상기 게이트 전극(3)에 대응하는 상기 게이트 절연막(5) 상에 반도체 패턴(7)이 형성될 수 있다. 상기 반도체 패턴(7)은 비정질 실리콘으로 형성된 활성 패턴과, 비정질 실리콘에 불순물이 도핑된 오믹 콘택 패턴을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(7)을 포함하는 상기 기판(1) 상에 데이터 라인(미도시), 소오스 전극(9), 드레인 전극(11) 및 데이터 패드 전극(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 적어도 교차하도록 배치될 수 있다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의해 화소 영역이 정의될 수 있다. 따라서, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에는 다수의 화소 영역들이 매트릭스로 정의될 수 있다.
상기 소오스 전극(9)은 상기 데이터 라인으로부터 연장 형성되고 상기 게이트 전극(3)과 적어도 부분적으로 오버랩될 수 있다. 상기 드레인 전극(11)은 상기 소오스 전극(9)으로부터 이격되고, 상기 게이트 전극(3)과 적어도 부분적으로 오버랩도록 형성될 수 있다.
상기 데이터 패드 전극은 상기 데이터 라인의 끝 영역에 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인, 상기 소오스 전극(9), 상기 드레인 전극(11) 및 상기 데이터 패드 전극은 동일한 금속 물질로부터 동일층에 일체로 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인, 상기 소오스 전극(9), 상기 드레인 전극(11) 및 상기 데이터 패드 전극은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
이상의 구성으로부터, 상기 게이트 전극(3), 상기 반도체 패턴(7), 상기 소오스 전극(9) 및 상기 드레인 전극(11)에 이해 박막 트랜지스터(13)가 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인, 상기 소오스 전극(9), 상기 드레인 전극(11) 및 상기 데이터 패드 전극을 포함하는 상기 기판(1) 상에 유기 물질을 포함하는 유기막(15)이 형성될 수 있다.
상기 유기막(15)의 조성물은 모노머(monomer), 경화제, 접착 증진제(adhesion promoter) 및 광개시제(photoinitiator)을 포함할 수 있다.
상기 모노머는 아크릴계 화합물(acryl-based compund)을 포함할 수 있다. 상기 아크릴계 화합물은 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 하이드록시에틸 메타크릴레이트(hydroxyethyl methacrylate) 및 헥산에디올 디아크릴레이트(hexanediol diacrylate)을 포함할 수 있다. 상기 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)은 5wt%-50wt%의 범위를 가지고, 상기 하이드록시에틸 메타크릴레이트(hydroxyethyl methacrylate)은 10wt%-30wt%의 범위를 가지고, 상기 헥산에디올 디아크릴레이트(hexanediol diacrylate)은 20wt%-40wt%의 범위를 가질 수 있다.
특히, 상기 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)는 에폭시기를 가질 수 있다.
상기 광개시제는 Irgacure 369, 500, 651 및 907일 수 있다. Irgacure 369의 화합물은 2-Benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-byutanone이고, Irgacure 500의 화합물은 1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone and Benzophenone이고, Irgacure 651의 화합물은 Alpha, alpha-dimethoxy-alpha-phenylacetophenone이며, Irgacure 907의 화합물은 2-Methyl-1-{4-(methylthio)phenyl]-2-(4-morpholinyl)-1-propanone이다.
상기 광개시제는 모노머의 반응을 개시하여 주는 역할을 한다. 상기 광개시제는 1wt%-3wt%의 범위를 가질 수 있다.
상기 접착 증진제는 상기 유기막(15)과 상기 유기막(15)과 접하는 금속막, 예컨대 데이터라인 및/또는 상기 게이트 절연막 사이의 접착력을 향상시켜 주는 역할을 한다.
상기 접착 증진제는 1wt%-20wt%의 범위를 가질 수 있다. 상기 접착 증진제는 에폭시계 화합물(epoxy-based compound)이나 우레탄계 화합물(urethane-based compound)을 포함할 수 있다.
상기 경화제는 아민계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 아민계 화합물은 메틸 아민(methyl amine)을 포함할 수 있다. 상기 메틸 아민(methyl amine)은 1wt%-4wt%의 범위를 가질 수 있다.
상기 아민계 화합물과 상기 모노머 중에서 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)의 에폭시기는 반응하여 접착을 도와주는 수산기(OH)를 생성할 수 있다.
이를 반응식으로 나타내면 다음과 같다.
여기서, R은 적어도 하나 이사의 화학 원소들의 결합물을 나타낸다.
반응식 1에서 나타낸 바와 같이, 에폭시기의 산소(O)와 아민계 화합물의 수소(H)가 반응하여 접착을 도와주는 수산기(OH)로 생성될 수 있다.
이와 같이 수산기(OH)들이 의해 상기 유기막(15)과 상기 게이트 절연막 및/또는 데이터 라인과 같은 금속막 사이의 접착력이 강화되어, 상기 유기막(15)이 상기 게이트 절연막 및/또는 금속막에 단단하게 부착될 수 있다.
도 1b을 참고하면, 상기 유기막(15)을 포함하는 기판(1) 상에 몰드(17)를 정렬시킨다. 상기 몰드(17)는 드레인 콘택 홈을 형성하기 위한 제1 돌출부와, 상기 게이트 콘택 홈을 형성하기 위한 제2 돌출부(미도시)와, 상기 데이터 콘택 홈을 형성하기 제3 돌출부(미도시)를 포함한다.
상기 몰드(17)는 투명하고 친수성인(transparent and hydrophilic) 물질로 이루어질 수 있다.
상기 몰드(17)는 PDMS(polydimethylsiloxane), PC(polycarbonate), 실리콘(silicon) 및 글라스(glass) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
도 1c를 참고하면, 상기 몰드(17)가 상기 기판(1) 상에 놓이게 되거나 압력이 가해지면, 상기 몰드(17)의 제1 내지 제3 돌출부들(17a)이 상기 유기막(15) 속으로 들어가게 된다. 이에 따라, 상기 몰드(17)의 제1 내지 제3 돌출부들(17a)이 상기 유기막(15)에 그대로 전사될 수 있다.
도 1d를 참고하면, 상기 기판(1)을 대상으로 UV가 조사될 수 있다. 이러한 경우, 상기 유기막(15)의 광개시제에 의해 모노머가 반응하여 중합체로 형성되어, 상기 유기막(15)이 더욱 단단하게 된다.
도 1e를 참고하면, 상기 몰드(17)가 상기 기판(1)으로부터 분리된다. 이러한 경우, 상기 유기막(15)에 드레인 콘택 홈(19), 게이트 콘택 홈(미도시) 및 데이터 콘택 홈(미도시)이 형성될 수 있다.
만일 몰드(17)의 제1 내지 제3 돌출부들(17a)의 높이를 하기에 설명되는 각 콘택홀들의 깊이와 동일하게 설계되는 경우, 상기 몰드(17)의 제1 내지 제3 돌출부들(17a)에 의해 상기 유기막(15)에 하기에 형성될 콘택 홀들이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 애슁 공정은 생략될 수 있다.
도 1f를 참고하면, 상기 기판(1)을 대상으로 하드 베이킹(hard baking) 공정을 수행할 수 있다. 상기 하드 베이킹 공정은 상기 유기막(15)과의 반응에 의한 데이터 라인과 같은 금속막에 생성되는 산화막을 방지하기 위해 비교적 저온에서 수행될 수 있다.
예를 들어, 상기 하드 베이킹 공정은 60ㅀ 내지 120ㅀ의 범위에서 10분 내지 30분 동안 수행될 수 있다. 즉, 60ㅀ 내지 120ㅀ의 범위의 온도를 갖는 열이 상기 기판(1)에 가해질 수 있다.
도 2a와 도 2b는 종래와 실시예에 따른 액정표시장치에서의 산화막 발생 여부를 실험한 그래프이다.
그래프의 가로축은 분석 시간을 나타내고, 세로축은 세기를 나타낸다. 분석 실험은 유기막의 표면으로부터 분석을 시작하여 유기막 하부의 금속막까지 진행되었다. 따라서, 그래프의 가로축의 분석 시간에서 초기 분석 시간은 유기막의 표면을 의미하고, 점차 분석 시간이 경과함에 따라 유기막 내부 속과 금속막까지 분석 실험이 진행되었다. 도 2의 그래프에서 대략 4000초가 금속막의 표면에 대응된다고 볼 수 있다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 종래의 액정표시장치는 230ㅀ에서 하드 베이킹 공정을 수행하였다.
도 2a에 그래프의 대략 4000초 내지 5000초에서 CuO, Cu2O가 검출되었다. 이로부터 금속막의 표면에 금속막과 유기막과의 반응에 의한 산화막이 생성됨을 알 수 있다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 실시예의 액정표시장치는 90ㅀ에서 하드 베이킹 공정을 수행하였다.
도 2b의 그래프의 대략 4000초 내지 5000초에서 Cu만 검출되었다. 이로부터 금속막의 표면에 금속막과 유기막과의 반응에 의한 산화막이 생성되지 않음을 알 수 있다.
한편, 산화막을 방지하기 위해 저온에서 하드 베이킹 공정을 수행하는 경우, 비교적 낮은 온도로 인해 접착 증진제가 제 기능을 발휘하지 못하게 된다. 즉, 접착 증진제는 고온에서 접착을 위해 활성화될 수 있는데, 실시예와 같은 60ㅀ 내지 120ㅀ의 범위에서는 원활하게 활성화되지 않게 된다.
따라서, 유기막과 다른 매질, 예컨대 데이터 라인과 같은 금속막 및/또는 게이트 절연막과의 접착 성능이 저하될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 실시예에서는 앞서 설명한 바와 같이, 아민계 화합물이 상기 유기막(15)의 조성물에 첨가될 수 있다. 상기 아민계 화합물은 예컨대 1wt%-4wt%의 범위를 갖는 메틸 아민(methyl amine)일 수 있다. 1wt%이하인 경우, 너무 적은 아민계 화합물로 인해 수산기(OH)의 생성량이 적어, 접착 성능의 향상을 기대하기 어렵다. 또한 4wt% 이상인 경우, 한정된 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)의 에폭시기에 비해 너무 많은 양의 아민계 화합물의 수소들(H)이 존재하므로, 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)의 에폭시기의 산소들(O)가 모두 아민계 화합물의 수소들(H)과 반응된다 하더라도, 아직도 반응에 참여하지 않은 아민계 화합물의 수소들(H)이 존재하고 이러한 남아도는 아민계 화합물의 수소들(H)은 모두 낭비 요인이 되므로 결국 재료의 낭비를 초래하게 될 수 있다.
상기 아민계 화합물의 수소(H)는 상기 모노머의 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)의 에폭시기의 산소(O)와 반응하여 접착을 도와주는 수산기(OH)가 생성될 수 있다.
상기 수산기(OH)에 의해 상기 유기막(15)과 다른 매질, 예컨대 데이터 라인과 같은 금속막 및/또는 게이트 절연막과의 접착 성능이 향상되어, 상기 유기막(15)이 다른 매질에 단단하게 고정될 수 있다.
따라서, 상기 아민계 화합물은 비교적 저온에서 수행되는 하드 베이킹 공정에 의한 접착 증진제의 기능 저하를 보완하여 주는 역할을 한다.
도 1g를 참고하면, 상기 기판(1)을 대상으로 애슁 공정이 수행될 수 있다. 상기 애슁 공정은 산소(O2) 플라즈마를 이용하여 수행될 수 있다.
상기 애슁 공정에 의해 상기 유기막(15)의 두께가 얇아질 수 있다. 상기 애슁 공정은 상기 드레인 콘택 홈(19) 등을 통해 금속막이 노출될 때까지 수행될 수 있다. 예컨대, 상기 드레인 콘택 홈(19)을 통해 상기 드레인 전극(11)이 노출되고, 상기 게이트 콘택 홈을 통해 상기 게이트 패드 전극이 노출되며, 상기 데이터 콘택 홈을 통해 상기 데이터 패드 전극이 노출될 수 있다.
이에 따라, 상기 드레인 전극(11)이 노출된 드레인 콘택 홈(19)은 드레인 콘택 홀(21)이 되고, 상기 게이트 패드 전극이 노출된 게이트 콘택 홈은 게이트 콘택 홀(미도시)이 되며, 상기 데이터 패드 전극이 노출된 데이터 콘택 홈은 데이터 콘택 홀(미도시)이 될 수 있다.
도 1h를 참고하면, 상기 유기막(15) 상에 화소 전극(23), 게이트 콘택 전극(미도시) 및 데이터 콘택 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(23)은 상기 드레인 콘택 홀(21)을 통해 상기 드레인 전극(11)에 전기적으로 연결되고, 상기 게이트 콘택 전극은 상기 게이트 콘택 홀을 통해 상기 게이트 패드 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 데이터 콘택 전극은 상기 데이터 콘택 홀을 통해 상기 데이터 패드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
이상과 같이, 실시예는 비교적 저온의 하드 베이킹 공정에 의해 산화막의 생성을 방지하며, 저온 온도의 하드 베이킹으로 인한 접착 증진제의 접착 성능 저하를 보상하기 위해 아민계 화합물을 유기막(15)의 조성물에 첨가하여 접착을 도와주는 수산기(OH)가 생성되도록 할 수 있다.
1: 기판 3: 게이트 전극
5: 게이트 절연막 7: 반도체 패턴
9: 소오스 전극 11: 드레인 전극
13: 박막 트랜지스터 15: 유기막
17: 몰드 17a: 돌출부
19: 드레인 콘택 홈 21: 드레인 콘택 홀
23: 화소 전극
5: 게이트 절연막 7: 반도체 패턴
9: 소오스 전극 11: 드레인 전극
13: 박막 트랜지스터 15: 유기막
17: 몰드 17a: 돌출부
19: 드레인 콘택 홈 21: 드레인 콘택 홀
23: 화소 전극
Claims (13)
- 아크릴계 화합물을 포함하는 모노머;
아민계 화합물을 포함하는 경화제;
접착 증진제; 및
광개시제
를 포함하는 유기 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 아크릴계 화합물은 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 하이드록시에틸 메타크릴레이트(hydroxyethyl methacrylate) 및 헥산에디올 디아크릴레이트(hexanediol diacrylate)을 포함하는 유기 조성물. - 제2항에 있어서,
상기 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)은 5wt%-50wt%의 범위를 가지고, 상기 하이드록시에틸 메타크릴레이트(hydroxyethyl methacrylate)은 10wt%-30wt%의 범위를 가지고, 상기 헥산에디올 디아크릴레이트(hexanediol diacrylate)은 20wt%-40wt%의 범위를 갖는 유기 조성물. - 제2항에 있어서,
상기 글리시딜 메타크릴레이트은 적어도 에폭시기를 갖는 유기 조성물. - 제4항에 있어서,
상기 아민계 화합물은 메틸 아민(methyl amine)인 유기 조성물. - 제5항에 있어서,
상기 메틸 아민은 1wt%-4wt%의 범위를 갖는 유기 조성물. - 제5항에 있어서,
상기 메틸 아민은 상기 글리시딜 메타크릴레이트의 에폭시기와 반응하여 수산기를 생성하는 유기 조성물. - 박막 트랜지스터를 포함하는 기판 상에 유기 조성물을 포함하는 유기막을 형성하는 단계;
몰드의 적어도 하나 이상의 돌출부를 상기 유기막에 전사하여, 상기 유기막에 적어도 하나 이상의 콘택 홀을 형성하는 단계; 및
상기 기판에 60ㅀ 내지 120ㅀ의 범위의 온도를 갖는 열을 가하는 단계
를 포함하는 액정표시장치의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 열을 가하는 단계는 10분 내지 30분 동안 수행되는 액정표시장치의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 유기 조성물은,
아크릴계 화합물을 포함하는 모노머;
아민계 화합물을 포함하는 경화제;
접착 증진제; 및
광개시제
를 포함하고,
상기 아크릴계 화합물은 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 하이드록시에틸 메타크릴레이트(hydroxyethyl methacrylate) 및 헥산에디올 디아크릴레이트(hexanediol diacrylate)을 포함하고,
상기 아민계 화합물은 메틸 아민(methyl amine)인 액정표시장치의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 메틸 아민은 1wt%-4wt%의 범위를 갖는 액정표시장치의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 메틸 아민은 상기 글리시딜 메타크릴레이트의 에폭시기와 반응하여 수산기를 생성하는 액정표시장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서, 상기 유기막 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정표시장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100110636A KR20120049067A (ko) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | 유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100110636A KR20120049067A (ko) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | 유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120049067A true KR20120049067A (ko) | 2012-05-16 |
Family
ID=46267115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100110636A KR20120049067A (ko) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | 유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120049067A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140079908A (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기절연막 조성물 및 유기절연막의 제조방법, 이를 포함하는 표시장치 |
-
2010
- 2010-11-08 KR KR1020100110636A patent/KR20120049067A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140079908A (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기절연막 조성물 및 유기절연막의 제조방법, 이를 포함하는 표시장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101345218B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| KR101137865B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 기판 | |
| TW200415423A (en) | Novel compositions and assembly process for liquid crystal display | |
| US20120293857A1 (en) | Electrophoretic Display Apparatus and Method for Manufacturing the Same | |
| JP6589058B2 (ja) | 走査アンテナ | |
| KR102115810B1 (ko) | 감방사선성 수지 조성물, 표시 소자용 경화막, 경화막의 형성 방법, 및 표시 소자 | |
| WO2017204114A1 (ja) | 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法 | |
| JP2008016806A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子 | |
| KR20110014284A (ko) | 액정표시패널 및 이의 제조방법 | |
| WO2018105520A1 (ja) | Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法 | |
| US10756431B2 (en) | Scanning antenna, scanning antenna drive method, and liquid crystal device | |
| US9684213B2 (en) | BOA liquid crystal panel and manufacturing method thereof | |
| JP6691213B2 (ja) | 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法 | |
| CN104035239A (zh) | 一种基板及显示器件 | |
| WO2018038209A1 (ja) | 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法 | |
| WO2018088278A1 (ja) | Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法 | |
| CN110326114B (zh) | Tft基板、具备tft基板的扫描天线以及tft基板的制造方法 | |
| WO2018021310A1 (ja) | 走査アンテナ | |
| KR20120049067A (ko) | 유기 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법 | |
| US20180354287A1 (en) | Alignment film printing plate and manufacturing method thereof | |
| JP6717972B2 (ja) | 液晶装置、液晶装置の残留ｄｃ電圧値を求める方法、液晶装置の駆動方法、および液晶装置の製造方法 | |
| US10854643B2 (en) | Display panel and display apparatus | |
| CN101989618A (zh) | 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法 | |
| TW201033700A (en) | Pillar spacer formation for tenacious LCDs | |
| CN105590895B (zh) | 显示面板的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |