KR20120045881A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 제1 및 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층과, 상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성된 반사부 및 상기 반사부의 상면 및 측면을 덮도록 형성되되 상기 반사부를 이루는 물질보다 광 반사도가 낮은 물질로 이루어진 본딩부를 포함하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 배치된 제2 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 광 반사도가 높은 구조를 갖는 전극을 구비함으로써 발광 효율이 향상되면서도 오믹 특성의 저하는 최소화될 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 광 반사도가 높은 구조를 갖는 전극을 구비함으로써 발광 효율이 향상되면서도 오믹 특성의 저하는 최소화될 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일 종인 발광다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 반도체 발광소자는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 III족 질화물 반도체를 이용한 발광소자는 기판 상에 n형 및 p형 질화물 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층을 구비하는 발광구조물을 성장시킴으로써 얻어지며, 이 경우, 발광구조물의 표면에는 외부로부터 전기 신호를 인가하기 위한 오믹전극과 본딩전극 등이 형성된다. 이 경우, 당 업계에서 상기 오믹전극으로 일반적으로 사용되는 물질은 Ti, Cr 등이 있는데, Ti, Cr 등의 금속은 광 반사도가 상대적으로 낮은 금속에 해당한다. 따라서, 활성층으로부터 방출된 빛 중 전극 방향으로 진행하는 것의 상당 부분은 오믹전극에 의하여 흡수되며, 이에 따라, 발광 효율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 일 목적은 광 반사도가 높은 구조를 갖는 전극을 구비함으로써 발광 효율이 향상되면서도 오믹 특성의 저하는 최소화될 수 있는 반도체 발광소자를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것에 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면은,
제1 및 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층과, 상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성된 반사부 및 상기 반사부의 상면 및 측면을 덮도록 형성되되 상기 반사부를 이루는 물질보다 광 반사도가 낮은 물질로 이루어진 본딩부를 포함하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 배치된 제2 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 측면은,
제1 및 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층과, 상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성된 반사부와, 상기 반사부의 상면 및 측면을 덮도록 형성되되 투명 전도성 산화물로 이루어진 오믹컨택부 및 상기 오믹컨택층 상에 형성된 본딩부를 포함하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 배치된 제2 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사부는 Al 및 Ag를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 본딩부는 Au, Al, Ag, Cr 및 Ti로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극은 패드부 및 핑거부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제2 전극은 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 상에 형성된 본딩부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사부의 폭은 상기 본딩부의 폭보다 작거나 같을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 오믹컨택부는 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하도록 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 측면은,
기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 반사부를 형성하는 단계와, 상기 제1 반사부 상면 및 측면을 덮도록 투명 전도성 산화물로 이루어진 오믹컨택부를 형성하는 단계와, 상기 오믹컨택층 상에 본딩부를 형성하는 단계 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 오믹컨택부를 형성하는 단계와 상기 투명전극층을 형성하는 단계는 동시에 실행될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 광 반사도가 높은 구조를 갖는 전극을 구비함으로써 발광 효율이 향상되면서도 오믹 특성의 저하는 최소화될 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
또한, 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 발광소자를 상부에서 바라본 개략적인 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 1의 반도체 발광소자에서 제1 전극 영역을 확대하여 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5 내지 7은 본 발명의 반도체 발광소자를 제조하는 일 예를 나타내는 공정별 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자의 사용 예를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1의 반도체 발광소자를 상부에서 바라본 개략적인 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 1의 반도체 발광소자에서 제1 전극 영역을 확대하여 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5 내지 7은 본 발명의 반도체 발광소자를 제조하는 일 예를 나타내는 공정별 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자의 사용 예를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 반도체 발광소자를 상부에서 바라본 개략적인 평면도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 반도체 발광소자에서 제1 전극 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 우선, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 기판(101), 제1 도전형 반도제층(102), 활성층(103) 및 제2 도전형 반도체층(104)을 포함하며, 제1 도전형 반도체층(102)의 일면에는 반사부(107) 및 본딩부(106)를 구비하는 제1 전극이 형성되고, 제2 도전형 반도체층(104)의 일면에는 투명전극층(105) 및 본딩부(108)를 구비하는 제2 전극이 형성된다.
기판(101)은 반도체 성장용 기판으로 제공되며, 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등과 같이 전기 절연성 및 도전성 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 가장 바람직하게 사용될 수 있는 것은 전기 절연성을 갖는 사파이어로서 전기 절연성 기판(101)을 사용함에 따라 후술할 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(102)에 연결되는 전극 형성을 위한 에칭 공정이 수반될 수 있다. 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)은 각각 n형 및 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수도 있을 것이다. 또한, 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)은 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)은 질화물 반도체가 아닌 AlGaInP계열 반도체나 AlGaAs계열 반도체로 이루어질 수도 있을 것이다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104) 사이에 배치된 활성층(103)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, 질화물 반도체일 경우, GaN/InGaN 구조가 사용될 수 있다. 한편, 발광구조물을 구성하는 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)과 활성층(103)은 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 수소화 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, 'HVPE'), 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 등과 같이 당 기술 분야에서 공지된 공정을 이용하여 성장될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(104) 상에 배치된 투명전극층(105)은 광 투과율이 높으면서도 오믹컨택 성능이 상대적으로 우수한 ITO, CIO, ZnO 등과 같은 투명 전도성 산화물을 이용할 수 있다. 다만, 투명전극층(105)은 본 발명에서 반드시 필요한 구성은 아니며, 실시 형태에 따라 제외되거나 다른 층으로 대체될 수 있다. 본딩부(106, 108)는 외부 전기 신호 인가를 위하여 도전성 와이어나 솔더 범프 등과 접촉하는 영역으로 제공되며, Au, Ag, Al, Cu, Ni 등과 같은 물질을 포함할 수 있으며, Cr/Au, Ti/Au 등과 같이 다층 구조를 이룰 수도 있다. 이 경우, 도 2에 도시된 것과 같이, 본딩부(106, 108)는 패드부(106a, 108a) 및 이보다 폭이 좁은 형태로서 전류 확산에 유리하도록 제공되는 핑거부(106b, 108b)를 포함할 수 있다.
본 실시 형태의 경우, 본딩부(106)와 제1 도전형 반도체층(102) 사이에는 반사부(107)가 구비되며, 구체적으로, 반사부(107)의 상면 및 측면을 덮도록 본딩부(106)가 형성되어 본딩부(106)의 일부는 제1 도전형 반도체층(102)과 접촉을 이룬다. 반사부(107)는 본딩부(106)를 이루는 물질보다 광 반사도가 높은 물질, 예컨대, Al, Ag 등의 물질로 이루어진다. 본딩부(106)와 제1 도전형 반도체층(102)의 접촉 영역은 일반적으로 오믹컨택을 이루도록 Cr, Ti 등의 물질로 이루어지는데, Cr, Ti 등은 광 반사도가 상대적으로 낮아 활성층(103)으로부터 방출된 빛의 상당 부분이 Cr, Ti 등으로 이루어진 오믹컨택 영역에서 흡수될 수 있다. 이에 따라, 발광 효율이 저하되는 문제가 있으므로, 본 실시 형태에서는 본딩부(106)의 내부에 반사부(107)를 형성하여 제1 전극에서의 광 흡수 문제를 최소화하였다. 즉, 도 3에 도시된 것과 같이, 활성층(103)으로부터 방출된 빛 중 일부는 본딩부(106)에 의하여 흡수될 수 있으나, 중앙 영역에 반사부(107)를 채용함으로써 제1 전극에 의하여 빛이 흡수되지 않고 외부로 방출될 수 있도록 한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(200)는 기판(201), 제1 도전형 반도제층(202), 활성층(203) 및 제2 도전형 반도체층(204)을 포함하며, 제1 도전형 반도체층(202)의 일면에는 반사부(207), 오믹컨택부(209) 및 본딩부(206)를 구비하는 제1 전극이 형성되고, 제2 도전형 반도체층(204)의 일면에는 투명전극층(205) 및 본딩부(208)를 구비하는 제2 전극이 형성된다. 도 1의 실시 형태와 차이를 설명하면, 제1 전극은 반사부(207)의 상면 및 측면을 덮도록 형성된 오믹컨택부(209)를 포함하며, 본딩부(206)는 오믹컨택부(209) 상에 형성된다. 반사부(207)의 경우, 오믹컨택 성능보다는 광 반사 성능을 고려하여 채용되는 점에서, 전기적 성능 저하가 발생할 우려가 있으므로, 오믹컨택부(209)를 채용함으로써 제1 도전형 반도체층(202)과의 오믹컨택 성능이 향상되도록 하였다. 오믹컨택부(209)는 제1 도전형 반도체층(202)과 오믹컨택을 이룰 수 있는 물질로서 광 투과가 가능한 투명전도성 산화물(TCO)을 이용하여 형성할 수 있으며, 이 경우, 후술할 바와 같이, 투명전극층(205)과 동시에 형성이 가능하다. 한편, 반사부(207)의 크기가 지나치게 커질 경우, 전기적 특성이 저하될 수 있으므로, 반사부(207)의 폭은 본딩부(206)의 폭보다 작거나 같도록 형성되는 것이 바람직하다.
도 5 내지 7은 본 발명의 반도체 발광소자를 제조하는 일 예를 나타내는 공정별 단면도이며, 도 4의 반도체 발광소자의 제조를 기준으로 설명한다. 우선, 도 5에 도시된 것과 같이, 기판(201) 상에 제1 도전형 반도체층(202), 활성층(203) 및 제2 도전형 반도체층(204)을 순차적으로 성장하여 발광구조물을 형성하며, 앞서 설명한 바와 같이, MOCVD, MBE, HVPE 등의 공정을 이용할 수 있다. 이후, 반드시 필요한 사항은 아니지만, 제1 전극 형성을 위하여 제1 도전형 반도체층(202)이 노출되도록 발광구조물을 일부 제거할 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 것과 같이, 제1 도전형 반도체층(202)의 일면에 반사부(207)를 형성한다. 반사부(207)는 Al, Ag 등과 같이 반사율이 높은 금속으로 이루어지며, 증착, 스퍼터링, 도금 등의 공정으로 형성될 수 있다. 이어서, 도 7에 도시된 것과 같이, 마스크(210)를 이용하여 투명전극층(205)과 오믹컨택부(209)를 형성하며, 앞서 설명한 바와 같이, 오믹컨택부(209)가 투명전도성 산화물로 이루어질 경우, 증착, 스퍼터링 등의 공정을 1회 수행하여 투명전극층(205)과 오믹컨택부(209)를 동시에 형성할 수 있을 것이다. 다음으로, 제1 및 제2 도전형 반도체층(202, 204)와 전기적 연결을 이루는 본딩부(206, 208)를 증착, 스퍼터링 등의 공정으로 형성함으로써 도 4에 도시된 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
한편, 앞선 실시 형태에서는 제1 전극 형성을 위하여 발광구조물을 일부 제거함으로써 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 하였으며, 이에 따라, 제1 및 제2 전극이 서로 같은 방향을 향하도록 배치된 구조를 나타내고 있으나, 제1 및 제2 전극은 발광구조물을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치될 수도 있을 것이다. 도 8은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(300)는 제1 도전형 반도제층(302), 활성층(303) 및 제2 도전형 반도체층(304)을 포함하며, 제2 도전형 반도체층(304)과 연결되는 제2 전극으로 반사금속층(305) 및 도전성 기판(308)을 포함한다. 제1 전극의 경우, 반도체 성장용 기판(도 1에서 101)이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층(302)에 형성되며, 도 4의 실시 형태와 마찬가지로, 반사부(307), 오믹컨택부(309) 및 본딩부(306)를 포함하는 구조이다. 본 실시 형태의 경우에도, 활성층(303)에서 방출된 빛 중 일부는 반사부(307)에 의하여 반사되며, 제1 전극에 의하여 흡수되는 것을 최소화할 수 있다.
반사금속층(305)은 활성층(303)에서 방출된 빛을 소자(300)의 상부, 즉, 제1 도전형 반도체층(302) 방향으로 반사하는 기능을 수행할 수 있으며, 나아가, 제2 도전형 반도체층(304)과 오믹 컨택을 이루는 것이 바람직하다. 이러한 기능을 고려하여, 반사금속층(305)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함하며, 적절한 증착 공정으로 형성될 수 있다. 이 경우, 자세하게 도시하지는 않았으나, 반사금속층(305)은 2층 이상의 구조로 채용되어 반사 효율을 향상시킬 수 있으며, 구체적인 예로서, Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등을 들 수 있다. 다만, 반사금속층(305)은 본 실시 형태에서 반드시 요구되는 구성은 아니며, 경우에 따라, 사용되지 않을 수 있다.
도전성 기판(308)은 반도체 성장용 기판(도 4에서 201)을 제거하기 위한 레이저 리프트 오프 등의 공정에서 상기 발광구조물을 지지하는 지지체의 역할을 수행하는 것과 더불어 제2 도전형 반도체층(304)에 전기 신호를 전달하는 기능도 수행할 수 있다. 이를 위하여, 도전성 기판(308)은 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질, 예컨대, Si 기판에 Al이 도핑된 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 도전성 기판(308)은 도전성 접착층(미 도시)을 매개로 발광구조물과 접합되거나 도금에 의하여 형성될 수도 있다.
한편, 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자는 다양한 분야에서 응용될 수 있다. 도 9는 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자의 사용 예를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 도 9를 참조하면, 조광 장치(400)는 발광 모듈(401)과 발광 모듈(401)이 배치되는 구조물(404) 및 전원 공급부(403)를 포함하여 구성되며, 발광 모듈(401)에는 본 발명에서 제안한 방식으로 얻어진 하나 이상의 반도체 발광소자(402)가 배치될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자(402)는 그 자체로 모듈(401)에 실장되거나 패키지 형태로 제공될 수도 있을 것이다. 전원 공급부(403)는 전원을 입력받는 인터페이스(405)와 발광 모듈(401)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(406)를 포함할 수 있다. 이 경우, 인터페이스(405)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파장애신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다.
전원 제어부(406)는 전원으로 교류 전원이 입력되는 경우, 전원 제어부는 교류를 직류로 변환하는 정류부와, 발광 모듈(401)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 구비할 수 있다. 만일, 전원 자체가 발광 모듈(401)에 적합한 전압을 갖는 직류원(예를 들어, 전지)이라면, 정류부나 정전압 제어부를 생략될 수도 있을 것이다. 또한, 발광 모듈(401)의 자체가 AC-LED와 같은 소자를 채용하는 경우, 교류 전원이 직접 발광 모듈(401)에 공급될 수 있으며, 이 경우도 정류부나 정전압 제어부를 생략될 수도 있을 것이다. 나아가, 전원 제어부는 색 온도 등을 제어하여 인간 감성에 따른 조명 연출을 가능하게 할 수도 있다. 또한, 전원 공급부(403)는 발광소자(402)의 발광량과 미리 설정된 광량 간의 비교를 수행하는 피드백 회로 장치와 원하는 휘도나 연색성 등의 정보가 저장된 메모리 장치를 포함할 수 있다.
이러한 조광 장치(400)는 화상 패널을 구비하는 액정표시장치 등의 디스플레이 장치에 이용되는 백라이트 유닛이나 램프, 평판 조명 등의 실내 조명 또는 가로등, 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있으며, 또한, 다양한 교통수단용 조명 장치, 예컨대, 자동차, 선박, 항공기 등에 이용될 수 있다. 나아가, TV, 냉장고 등의 가전 제품이나 의료기기 등에도 널리 이용될 수 있을 것이다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 기판 102: 제1 도전형 반도체층
103: 활성층 104: 제2 도전형 반도체층
105: 투명전극층 106, 108: 본딩부
106a, 108a: 패드부 106b, 108b: 핑거부
107: 반사부 209: 오믹컨택부
210: 마스크 305: 반사금속층
308: 도전성 기판
103: 활성층 104: 제2 도전형 반도체층
105: 투명전극층 106, 108: 본딩부
106a, 108a: 패드부 106b, 108b: 핑거부
107: 반사부 209: 오믹컨택부
210: 마스크 305: 반사금속층
308: 도전성 기판
Claims (12)
- 제1 및 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층;
상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성된 반사부 및 상기 반사부의 상면 및 측면을 덮도록 형성되되 상기 반사부를 이루는 물질보다 광 반사도가 낮은 물질로 이루어진 본딩부를 포함하는 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 배치된 제2 전극;
을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1 및 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층;
상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성된 반사부와, 상기 반사부의 상면 및 측면을 덮도록 형성되되 투명 전도성 산화물로 이루어진 오믹컨택부 및 상기 오믹컨택층 상에 형성된 본딩부를 포함하는 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 배치된 제2 전극;
을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반사부는 Al 및 Ag를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 본딩부는 Au, Al, Ag, Cr 및 Ti로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극은 패드부 및 핑거부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 상에 형성된 본딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반사부의 폭은 상기 본딩부의 폭보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,
상기 오믹컨택부는 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,
상기 본딩부는 상기 반사부를 이루는 물질보다 광 반사도가 낮은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 반사부를 형성하는 단계;
상기 제1 반사부 상면 및 측면을 덮도록 투명 전도성 산화물로 이루어진 오믹컨택부를 형성하는 단계;
상기 오믹컨택층 상에 본딩부를 형성하는 단계; 및
상기 제2 도전형 반도체층의 일면에 투명전극층을 형성하는 단계;
를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제10항에 있어서,
상기 오믹컨택부를 형성하는 단계와 상기 투명전극층을 형성하는 단계는 동시에 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제10항에 있어서,
상기 본딩부는 상기 반사부를 이루는 물질보다 광 반사도가 낮은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140032825A (ko) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 발광소자 |
-
2010
- 2010-11-01 KR KR1020100107741A patent/KR20120045881A/ko not_active Application Discontinuation
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