KR20120045602A - Solarcell and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to arrange a hemispherical lens on a substrate, thereby forming an uneven pattern on a transparent conductive oxide without a wet-etching process. CONSTITUTION: A plurality of lens patterns(110) is formed on a substrate. A transparent electrode(120) comprises a plurality of scattering patterns corresponding to the plurality of lens patterns. A light absorption layer(130) is formed on the substrate in which the transparent electrode is formed. The lens pattern is formed into a hemispherical shape using surface energy and a contact angle between a coating layer and the substrate.

Description

태양 전지 및 그의 제조 방법{Solarcell and Fabricating Method thereof}Solar cell and manufacturing method thereof

본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 특히 효율을 향상시킬 수 있는 태양 전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to a solar cell. Specifically, It is related with the solar cell which can improve efficiency, and its manufacturing method.

태양 전지(solar cell)는 광전지(photovoltaic device)로서, 반도체를 사용하여 광자(photon)를 전기적 에너지로 전환하는 전지이다. 태양 전지에서 태양광을 전기적 에너지로 전환시키는 원리는 반도체의 p-n 접합(junction) 원리를 이용한다. A solar cell is a photovoltaic device that converts photons into electrical energy using a semiconductor. The principle of converting sunlight into electrical energy in a solar cell uses the p-n junction principle of a semiconductor.

이를 좀더 자세히 설명하면, Si, Ge, As 등의 반도체는 전도대(conduction band)와 가전자대(valence band)를 갖으며, 가전자대와 전도대의 사이에 전자가 존재할 수 없는 영역인 금지대(forbidden band)를 갖고, 이 금지대의 폭을 에너지 갭(energy gap)이라 한다.In more detail, semiconductors such as Si, Ge, and As have a conduction band and a valence band, and a forbidden band, in which an electron cannot exist between the valence band and the conduction band. ) And the width of this ban is called the energy gap.

이러한 반도체에 상기 에너지 갭에 해당하는 어네지, 즉 빛을 쪼이면 반도체에 광자(photon)가 흡수되고, 이 흡수된 광자는 기판 내에 안정한 상태의 전자를 한 쌍의 자유 전자(free electron)와 정공(hole)으로 변화시킬 수 있다. 생성된 전자와 정공은 어떤시간(life time) 동안은 안정하게 존재하므로, 이 시간 내에 음전하를 갖는 전자와 양전하를 갖는 정공을 분리한 뒤에 전극 단자를 통해서 외부에서 이를 재결합시켜 소비할 수 있으면 전류로 사용할 수 있게 된다. An energy corresponding to the energy gap, that is, light is irradiated to the semiconductor, and photons are absorbed by the semiconductor, and the absorbed photons provide a pair of free electrons and holes in a stable state in the substrate. can be changed into a hole. Since the generated electrons and holes remain stable for a certain time, it is necessary to separate electrons with negative charges and holes with positive charges within this time, and then recombine them from the outside through the electrode terminals to consume current. It becomes usable.

또한, 반도체 결정 내의 한쪽 부분에 p형 불순물을 도핑하고 나머지 부분에 n형 불순물을 도핑하면 한 결정 안에 p형 반도체와 n형 반도체가 형성되고, 상기 p형 반도체와 n형 반도체와의 금속학적 경계면을 p-n 접합(p-n junction)이라고 한다. p형 반도체는 3가의 억셉터(acceptor) 원자를 도핑한 것이므로, 정공이 생성되며, n형 반도체는 5가의 도우너(donor) 원자를 도핑한 것이므로 전자가 많이 형성된다. In addition, by doping a p-type impurity in one portion of the semiconductor crystal and an n-type impurity in the remaining portion, a p-type semiconductor and an n-type semiconductor are formed in one crystal, and the metallic interface between the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is formed. Is called a pn junction. Since the p-type semiconductor is doped with a trivalent acceptor atom, holes are generated, and since the n-type semiconductor is doped with a pentavalent donor atom, many electrons are formed.

따라서, p-n 접합에서는 p형 및 n형 반도체의 정공 농도와 전자 농도가 다름에 따라 정공은 n형 반도체 쪽으로 전자는 p형 반도체 쪽으로 확산되어 가므로, p형 반도체 쪽에는 (-)로 대전된 억셉터 이온만이 남고, n형 반도체 쪽에는 (+)로 대전된 도우너 이온만이 남으며, 접합면 근처에는 ±공간 전하가 발생되어 정공과 전자의 확산을 억제함에 따라 결과적으로 열적 평형 상태에 도달하게 된다. 이 열적 평형 상태에 도달한 p-n 접합에 외부에서 에너지원을 인가하면, p형 반도체 쪽은 양전압을, n형 반도체 쪽은 음전압으로 나타내므로, 전류가 한쪽 방향으로만 흐름에 따라 전류를 얻을 수 있다. Therefore, in the pn junction, as the hole concentrations and the electron concentrations of the p-type and n-type semiconductors are different, holes diffuse toward the n-type semiconductor and p-type semiconductors. Only the acceptor ions remain, only the positively charged donor ions remain on the n-type semiconductor side, and ± space charges are generated near the junction to suppress the diffusion of holes and electrons, resulting in thermal equilibrium. do. When an external energy source is applied to the pn junction that has reached this thermal equilibrium state, the p-type semiconductor shows a positive voltage and the n-type semiconductor shows a negative voltage. Can be.

이러한 원리로 태양광을 전기 에너지로 변환시킬 수 있는 태양 전지의 성능은 일반적으로 광 에너지가 전기 에너지로 변환되는 효율을 측정하여, 그 값은 태양 전지의 전기 출력의 입사 광량에 대한 비이며, 보통 %로 나타낸다.On this principle, a solar cell's ability to convert sunlight into electrical energy generally measures the efficiency at which light energy is converted into electrical energy, the value of which is a ratio of the amount of incident light at the electrical output of the solar cell, usually It is expressed in%.

따라서, 태양 전지의 효율을 증가시키기 위한 연구가 많이 진행되고 잇으며, 그 한가지 방법으로 웨이퍼 표면을 텍스쳐링(texturing)하여 빛의 흡수를 최대화하는 방법을 사용하고 있다. 텍스쳐링 방법으로는 화학적인 식각방법(chemical etching), 플라즈마 식각(plasma etching)을 이용한 방법, 미케니컬 스크라이빙(mechanical scribing) 방법 및 사진 인쇄법(photolithography) 등을 이용하고 있다. Therefore, much research is being conducted to increase the efficiency of solar cells, and one method uses a method of maximizing light absorption by texturing the wafer surface. As the texturing method, a chemical etching method, a plasma etching method, a mechanical scribing method, a photolithography method, and the like are used.

상기 방법 중 화학적인 식각 방법이 짧은 시간에 저렴한 가격으로 다량의 웨이퍼를 텍스쳐링(texturing)할 수 있는 방법으로 각광받고 있다. 상기 화학적인 식각 방법의 일예로 습식 식각 공정이 있는데, 상기 습식 식각은 글라스 위에 증착된 TCO(Transparent Conductive Oxide) 표면에 요철 패턴을 형성하는 방법이다. Among the above methods, a chemical etching method has been spotlighted as a method capable of texturing a large amount of wafers at a low cost in a short time. An example of the chemical etching method is a wet etching process. The wet etching is a method of forming an uneven pattern on a surface of a transparent conductive oxide (TCO) deposited on glass.

한편, 습식 식각을 이용한 텍스쳐링(texturing)을 진행할 때 습식 식각 후에 형성된 요철 패턴의 크기가 실제의 타겟(target)으로 하는 요철 패턴에 비해 작게 형성되거나 균일한 표면 형상 제작기 어렵다. Meanwhile, when texturing using wet etching is performed, the size of the uneven pattern formed after the wet etching is smaller than that of the uneven pattern as the actual target, or it is difficult to produce a uniform surface shape.

뿐만 아니라, 식각 액에 의해 상기 TCO(Transparent Conductive Oxide)이 손상을 입어 박막 고유의 특성이 변질되는 문제가 발생할 수 있다. 더불어, 습식 식각 후에 상기 TCO(Transparent Conductive Oxide) 표면에 존재할 수 있는 불순물에 의해 태양 전지의 효율이 저하되는 문제가 발생한다. In addition, the TCO (transparent conductive oxide) may be damaged by the etching solution, thereby causing a problem of deterioration inherent in the thin film. In addition, there is a problem that the efficiency of the solar cell is lowered by impurities that may exist on the surface of the transparent conductive oxide (TCO) after wet etching.

본 발명은 기판의 성질을 변경한 후 상기 기판상에 친수성 레이어를 코팅하여 반구 형태의 렌즈를 형성함으로써 습식 식각 없이 TCO(Transparent Conductive Oxide) 상에 요철 패턴을 형성할 수 있는 태양 전지 및 그의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. The present invention provides a solar cell and a method of manufacturing the same, which can form a concave-convex pattern on a transparent conductive oxide (TCO) without wet etching by changing a property of a substrate and forming a hemispherical lens by coating a hydrophilic layer on the substrate. The purpose is to provide.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는 기판과, 상기 기판 표면 상에 형성된 다수의 렌즈 패턴과, 상기 다수의 렌즈 패턴이 형성된 기판 상에 형성되며 상기 다수의 렌즈 패턴에 대응되는 다수의 산란 패턴을 구비한 투명전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 기판 상에 형성된 광 흡수층을 포함하고, 상기 다수의 렌즈 패턴은 상기 기판 표면과 동일한 성질의 코팅 레이어로 형성되어 상기 기판과 상기 코팅 레이어 간의 접촉각 및 표면 에너지에 의해 반구 형태로 형성된다.According to an embodiment of the present invention, a solar cell includes a substrate, a plurality of lens patterns formed on a surface of the substrate, and a plurality of scattering patterns formed on a substrate on which the plurality of lens patterns are formed and corresponding to the plurality of lens patterns. And a light absorbing layer formed on a substrate formed on the transparent electrode, wherein the plurality of lens patterns are formed of a coating layer having the same properties as the surface of the substrate, such that a contact angle and a surface between the substrate and the coating layer are provided. It is formed in the hemispherical form by energy.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조방법은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 표면에 UV 조사 또는 플라즈마 처리 중 어느 하나를 실시하는 단계와, 상기 UV 조사 또는 플라즈마 처리 중 어느 하나를 실시한 기판 상에 반구 형태의 다수의 렌즈 패턴을 형성하는 단계와, 상기 다수의 렌즈 패턴이 형성된 기판 상에 상기 다수의 렌즈 패턴에 대응되는 다수의 산란 패턴을 구비한 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 투명 전극이 형성된 기판 상에 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다수의 렌즈 패턴은 상기 기판 표면과 동일한 성질의 코팅 레이어로 형성되어 상기 기판과 상기 코팅 레이어 간의 접촉각 및 표면 에너지에 의해 반구 형태로 형성된다.A solar cell manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a substrate, performing any one of the UV irradiation or plasma treatment on the surface of the substrate, and performing any one of the UV irradiation or plasma treatment Forming a plurality of hemispherical lens patterns on a substrate, forming a transparent electrode having a plurality of scattering patterns corresponding to the plurality of lens patterns on the substrate on which the plurality of lens patterns are formed, and And forming a light absorbing layer on the substrate on which the transparent electrode is formed, wherein the plurality of lens patterns are formed of a coating layer having the same properties as the surface of the substrate to form a hemisphere by the contact angle and surface energy between the substrate and the coating layer. Is formed.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 및 그의 제조방법은 기판에 UV 조사 및 플라즈마 처리를 하여 상기 기판의 성질을 변경한 후 상기 기판 상에 친수성 레이어를 코팅하여 상기 기판과 상기 친수성 레이어 간의 접촉각 및 표면 에너지를 이용하여 상기 기판 상에 반구 형태의 렌즈를 형성함으로써 습식 식각 없이 TCO(Transparent Conductive Oxide) 상에 요철 패턴을 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a solar cell and a method of manufacturing the same may be obtained by changing a property of the substrate by UV irradiation and plasma treatment on the substrate, and then coating a hydrophilic layer on the substrate to contact the surface and the surface of the hydrophilic layer. By forming a hemispherical lens on the substrate using energy, an uneven pattern may be formed on a transparent conductive oxide (TCO) without wet etching.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 태양 전지의 제조 공정을 순서대로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 제조 공정 순서를 나타낸 흐름도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
2A through 2E are diagrams sequentially illustrating a manufacturing process of the solar cell of FIG. 1.
3 is a flowchart showing a manufacturing process sequence for manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성된 렌즈 패턴(110)과, 상기 렌즈 패턴(110) 상에 형성된 투명 전극(TCO, Transparent Conductive Oxide, 120)과, 상기 투명 전극(TCO, 120) 상에 형성된 광 흡수층(130)과, 상기 광 흡수층(130) 상에 순차적으로 형성된 반사층(140) 및 전극층(150)을 포함한다. As shown in FIG. 1, a solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 100, a lens pattern 110 formed on the substrate 100, and a transparent electrode formed on the lens pattern 110. (TCO, Transparent Conductive Oxide, 120), the light absorbing layer 130 formed on the transparent electrode (TCO, 120), the reflective layer 140 and the electrode layer 150 formed sequentially on the light absorbing layer 130 Include.

상기 기판(100)은 유리(Glass), 스테인리스(Stainless), PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethlenenaphthelate), PP(Polypropylene), PI(Polyamide)또는 TAC(Tri Acetyl Cellulose) 등이 될 수 있으며, 바람직하게 유리가 될 수 있다. The substrate 100 may be glass, stainless steel, polyethylene terephthalate (PET), polyethlenenaphthelate (PEN), polypropylene (PP), polyamide (PI), or triacetyl cellulose (TAC), and the like. Can be advantageous.

이때, 상기 기판(100)은 UV 조사 또는 플라즈마 처리를 통해 친수성 또는 소수성의 표면성질을 갖도록 변형된다. 상기 기판(100)에 UV 조사하는 시간 및 플라즈마 처리 시간은 상기 기판(100)의 종류에 따라 상이해진다. In this case, the substrate 100 is modified to have a hydrophilic or hydrophobic surface property through UV irradiation or plasma treatment. UV irradiation time and plasma treatment time of the substrate 100 are different depending on the type of the substrate 100.

상기 렌즈 패턴(110)은 상기 기판(100)의 성질에 따라 친수성 또는 소수성의 코팅 레이어로 이루어질 수 있다. 상기 기판(100)이 친수성의 성질을 갖는 경우 상기 렌즈 패턴(110)은 친수성의 코팅 레이어로 형성되고, 상기 기판(100)이 소수성의 성질을 갖는 경우 상기 렌즈 패턴(110)은 소수성의 코팅 레이어로 형성된다. The lens pattern 110 may be formed of a hydrophilic or hydrophobic coating layer according to the property of the substrate 100. When the substrate 100 has a hydrophilic property, the lens pattern 110 is formed of a hydrophilic coating layer, and when the substrate 100 has a hydrophobic property, the lens pattern 110 has a hydrophobic coating layer. Is formed.

상기 친수성 또는 소수성 코팅 레이어는 스핀 코팅 방식, 프린팅 등과 같은 방법을 이용하여 상기 기판(100) 상에 코팅된다. 이때, 상기 친수성 또는 소수성의 코팅 레이어는 상기 기판(100)과의 접촉각 및 표면 에너지에 의해 반구 형태를 갖는 렌즈 패턴(110)으로 형성된다. The hydrophilic or hydrophobic coating layer is coated on the substrate 100 using a method such as spin coating, printing or the like. In this case, the hydrophilic or hydrophobic coating layer is formed as a lens pattern 110 having a hemispherical shape by the contact angle and surface energy with the substrate 100.

상기 렌즈 패턴(110)이 형성된 기판(100) 상에는 투명 전극(120, TCO)이 형성되고, 상기 투명 전극(120, TCO) 상에는 광 흡수층(130)이 형성된다. 상기 광 흡수층(130)은 n타입 비정질 실리콘과, 진성 비정질 실리콘(a-Si)과, p타입 실리콘으로 구성될 수 있다. The transparent electrode 120 (TCO) is formed on the substrate 100 on which the lens pattern 110 is formed, and the light absorbing layer 130 is formed on the transparent electrode 120 (TCO). The light absorbing layer 130 may be composed of n-type amorphous silicon, intrinsic amorphous silicon (a-Si), and p-type silicon.

상기 광 흡수층(130)이 형성된 기판(100) 상에는 반사층(140) 및 전극층(150)이 순차적으로 형성된다. 상기 반사층(140)은 상기 기판(100)으로 입사된 태양 광을 특정 방향으로 반사시키는 역할을 하며 상기 전극층(150)은 태양 전지 내의 전하 수집을 위해 형성된다. The reflective layer 140 and the electrode layer 150 are sequentially formed on the substrate 100 on which the light absorbing layer 130 is formed. The reflective layer 140 serves to reflect solar light incident on the substrate 100 in a specific direction, and the electrode layer 150 is formed for charge collection in the solar cell.

도 2a 내지 도 2e는 도 1의 태양 전지의 제조 공정을 순서대로 나타낸 도면이다. 2A through 2E are diagrams sequentially illustrating a manufacturing process of the solar cell of FIG. 1.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(200)에 UV 조사 또는 플라즈마 처리를 실시한다. 상기 기판(200)에 UV 조사 또는 플라즈마 처리를 하게 되면 상기 기판(200) 표면의 성질이 친수성 또는 소수성으로 변경된다. 상기 기판(200) 표면 성질이 변경되면 상기 기판(200)의 성질과 동일한 성질을 갖는 코팅 레이어를 상기 기판(200) 상에 형성한다. As shown in FIG. 2A, the substrate 200 is subjected to UV irradiation or plasma treatment. When the substrate 200 is subjected to UV irradiation or plasma treatment, the property of the surface of the substrate 200 is changed to hydrophilic or hydrophobic. When the surface property of the substrate 200 is changed, a coating layer having the same properties as those of the substrate 200 is formed on the substrate 200.

표면 성질이 변경된 기판(100) 상에 상기 기판(100)과 동일한 성질의 코팅 레이어를 형성하게 되면 상기 기판(100)과 상기 코팅 레이어 간의 접촉각 및 표면 에너지로 인해 상기 코팅 레이어는 도 2b에 도시된 바와 같이 반구 형태의 렌즈 패턴(110)으로 형성된다. When a coating layer having the same property as that of the substrate 100 is formed on the substrate 100 having the changed surface property, the coating layer is shown in FIG. 2B due to the contact angle and the surface energy between the substrate 100 and the coating layer. As shown, the lens pattern 110 is formed in a hemispherical shape.

이때, 상기 코팅 레이어가 친수성으로 이루어질 경우 상기 코팅 레이어로는 conducting polymer, nanowire 등으로 이루어질 수 있다. 이러한, conducting polymer, nanowire는 고투과율 및 고전도성을 갖는 물질이다. In this case, when the coating layer is made hydrophilic, the coating layer may be made of conducting polymer, nanowire, or the like. Such conducting polymer, nanowire, is a material having high transmittance and high conductivity.

상기 렌즈 패턴(110)은 상기 기판(100)과의 사이에서 접촉각이 45°를 이루어 반구 형태가 된다. The lens pattern 110 has a hemispherical shape with a contact angle of 45 ° between the substrate 100 and the substrate 100.

상기 렌즈 패턴(110)이 형성된 기판(100) 상에 도 2c에 도시된 바와 같이, 투명 전극(120, TCO)이 형성된다. 상기 투명 전극(120, TCO)은 상기 렌즈 패턴(110)으로 인해 상기 렌즈 패턴(110)의 형상과 동일한 산란 패턴들을 포함한다. 상기 투명 전극(120, TCO)에 형성된 산란 패턴들은 상기 기판(100)으로 입사된 태양 광을 산란시키는 역할을 한다. As illustrated in FIG. 2C, a transparent electrode 120 (TCO) is formed on the substrate 100 on which the lens pattern 110 is formed. The transparent electrode 120 (TCO) includes scattering patterns that are the same as the shape of the lens pattern 110 due to the lens pattern 110. Scattering patterns formed on the transparent electrode 120 (TCO) serve to scatter sunlight incident on the substrate 100.

이와 같이, 상기 투명 전극(120, TCO)은 별도의 식각 공정 없이 산란 패턴을 구비하게 된다. As such, the transparent electrode 120 (TCO) is provided with a scattering pattern without a separate etching process.

상기 투명 전극(120, TCO)이 형성된 기판(100) 상에 도 2d에 도시된 바와 같이, 광 흡수층(130) 및 반사층(140)이 순차적으로 형성된다. 상기 광 흡수층(130)은 앞서 서술한 바와 같이, n타입 비정질 실리콘과, 진성 비정질 실리콘(a-Si)과, p타입 실리콘으로 구성될 수 있다. 상기 반사층(140)은 상기 기판(100)으로 입사된 태양 광을 특정 방향으로 반사시키는 역할을 한다. As shown in FIG. 2D, the light absorbing layer 130 and the reflective layer 140 are sequentially formed on the substrate 100 on which the transparent electrode 120 (TCO) is formed. As described above, the light absorbing layer 130 may be composed of n-type amorphous silicon, intrinsic amorphous silicon (a-Si), and p-type silicon. The reflective layer 140 reflects the sun light incident on the substrate 100 in a specific direction.

이어, 상기 반사층(140)이 형성된 기판(100) 상에 도 2e에 도시된 바와 같이, 전극층(150)을 형성한다. 상기 전극층(150)은 태양 전지 내에서 전하를 수집하는 역할을 한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 2E, the electrode layer 150 is formed on the substrate 100 on which the reflective layer 140 is formed. The electrode layer 150 collects electric charges in the solar cell.

상기 투명 전극(120, TCO)에 형성된 산란 패턴은 태양 전지로 입사된 태양 광을 다양한 방향으로 산란시켜 상기 광 흡수층(130)으로 산란 된 광을 제공한다. The scattering pattern formed on the transparent electrode 120 (TCO) scatters sunlight incident on the solar cell in various directions to provide scattered light to the light absorbing layer 130.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 제조 공정 순서를 나타낸 흐름도이다. 3 is a flowchart showing a manufacturing process sequence for manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판 상에 UV 조사 또는 플라즈마 처리를 한다.(S10) 상기 기판 상에 UV 조사 및 플라즈마 처리를 하는 것은 상기 기판 표면의 성질을 친수성 또는 소수성으로 변경하기 위함이다. UV 조사 또는 플라즈마 처리를 하는 시간은 상기 기판의 종류에 따라 상이하게 결정된다. As shown in FIG. 3, UV irradiation or plasma treatment is performed on the substrate. (S10) UV irradiation and plasma treatment on the substrate is intended to change the properties of the surface of the substrate to hydrophilicity or hydrophobicity. The time for UV irradiation or plasma treatment is determined differently depending on the type of the substrate.

UV 조사 또는 플라즈마 처리를 한 기판 상에 반구 형태의 렌즈 패턴이 형성된다. (S20) 상기 반구 형태의 렌즈 패턴은 상기 기판 상에 상기 기판 표면과 동일한 성질을 갖는 코팅 레이어를 이용하여 형성된다. 상기 코팅 레이어는 상기 기판 표면과 동일한 성질을 갖게 되어 상기 기판과의 접촉각 및 표면 에너지에 의해 반구 형태의 렌즈 패턴으로 형성된다. A hemispherical lens pattern is formed on a substrate subjected to UV irradiation or plasma treatment. The hemispherical lens pattern is formed on the substrate using a coating layer having the same properties as the surface of the substrate. The coating layer has the same properties as the surface of the substrate and is formed in a hemispherical lens pattern by the contact angle and surface energy with the substrate.

상기 반구 형태의 렌즈 패턴이 형성된 기판 상에 투명 전극(TCO, Transparent Conductive Oxide)을 형성한다. (S30) 상기 투명 전극(TCO, Transparent Conductive Oxide)는 상기 반구 형태의 렌즈 패턴과 동일한 형태를 갖는 다수의 산란 패턴을 갖는다. 상기 다수의 산란 패턴은 상기 기판으로 입사된 태양 광을 다수의 방향으로 산란시킨다. 상기 투명 전극(TCO)은 별도의 식각 공정 없이 다수의 산란 패턴을 형성할 수 있다. A transparent electrode (TCO, Transparent Conductive Oxide) is formed on the substrate on which the hemispherical lens pattern is formed. The transparent electrode (TCO, Transparent Conductive Oxide) has a plurality of scattering patterns having the same shape as the hemispherical lens pattern. The plurality of scattering patterns scatter sunlight incident on the substrate in a plurality of directions. The transparent electrode TCO may form a plurality of scattering patterns without a separate etching process.

연속하여, 상기 투명 전극(TCO, Transparent Conductive Oxide)이 형성된 기판 상에 광 흡수층, 반사층 및 전극층을 순차적으로 형성한다. (S40) Subsequently, a light absorbing layer, a reflecting layer, and an electrode layer are sequentially formed on a substrate on which the transparent electrode (TCO, Transparent Conductive Oxide) is formed. (S40)

이와 같이, 별도의 식각 공정을 진행하지 않기 때문에 본원발명에 따른 태양 전지는 투명 전극(TCO, Transparent Conductive Oxide)이 식각액에 의해 손상을 입는 것을 방지하여 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다. As such, since the separate etching process is not performed, the solar cell according to the present invention can prevent the transparent electrode (TCO, Transparent Conductive Oxide) from being damaged by the etchant to improve the efficiency of the solar cell.

100:기판 110:렌즈 패턴
120:투명 전극(TCO) 130:광 흡수층
140:반사층 150:전극층
100: substrate 110: lens pattern
120: transparent electrode (TCO) 130: light absorption layer
140: reflection layer 150: electrode layer

Claims (10)

기판;
상기 기판 표면 상에 형성된 다수의 렌즈 패턴;
상기 다수의 렌즈 패턴이 형성된 기판 상에 형성되며 상기 다수의 렌즈 패턴에 대응되는 다수의 산란 패턴을 구비한 투명전극;
상기 투명 전극 상에 형성된 기판 상에 형성된 광 흡수층을 포함하고,
상기 다수의 렌즈 패턴은 상기 기판 표면과 동일한 성질의 코팅 레이어로 형성되어 상기 기판과 상기 코팅 레이어 간의 접촉각 및 표면 에너지에 의해 반구 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
Board;
A plurality of lens patterns formed on the substrate surface;
A transparent electrode formed on a substrate on which the plurality of lens patterns are formed and having a plurality of scattering patterns corresponding to the plurality of lens patterns;
A light absorbing layer formed on the substrate formed on the transparent electrode,
The plurality of lens patterns are formed of a coating layer having the same properties as the surface of the substrate to form a hemispherical shape by the contact angle and surface energy between the substrate and the coating layer.
제1 항에 있어서,
상기 코팅 레이어는 친수성 또는 소수성의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method according to claim 1,
And the coating layer is made of a hydrophilic or hydrophobic material.
제2 항에 있어서,
상기 코팅 레이어가 친수성인 경우 상기 코팅 레이어는 고투과성 및 고전도성을 갖는 conducting polymer, nanowire 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 2,
When the coating layer is hydrophilic, the coating layer is a solar cell, characterized in that made of any one of a conducting polymer, nanowire having a high permeability and high conductivity.
제1 항에 있어서,
상기 기판으로 입사된 태양 광을 특정 방향으로 반사시키는 반사층과, 상기 입사된 태양 광의 전하 수집을 위한 전극 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method according to claim 1,
And a reflective layer for reflecting sunlight incident on the substrate in a specific direction, and an electrode layer for collecting charges of the incident sunlight.
제1 항에 있어서,
상기 기판은 UV 조사 또는 플라즈마 처리를 통해 표면 성질을 친수성 또는 소수성 중 어느 하나로 변경하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method according to claim 1,
The substrate is a solar cell, characterized in that for changing the surface properties to either hydrophilic or hydrophobic through UV irradiation or plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 기판은 유리(Glass), 스테인리스(Stainless), PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthelate), PP(Polypropylene), PI(Polyamide), 또는 TAC(Tri Acetyl Cellulose) 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method according to claim 1,
The substrate is characterized in that it is composed of any one of glass, stainless steel, polyethylene terephthalate (PET), polyethylenenaphthelate (PEN), polypropylene (PP), polyamide (PI), or triacetyl cellulose (TAC). Solar cells.
기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 표면에 UV 조사 또는 플라즈마 처리 중 어느 하나를 실시하는 단계;
상기 UV 조사 또는 플라즈마 처리 중 어느 하나를 실시한 기판 상에 반구 형태의 다수의 렌즈 패턴을 형성하는 단계;
상기 다수의 렌즈 패턴이 형성된 기판 상에 상기 다수의 렌즈 패턴에 대응되는 다수의 산란 패턴을 구비한 투명전극을 형성하는 단계;
상기 투명 전극이 형성된 기판 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 다수의 렌즈 패턴은 상기 기판 표면과 동일한 성질의 코팅 레이어로 형성되어 상기 기판과 상기 코팅 레이어 간의 접촉각 및 표면 에너지에 의해 반구 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조방법.
Preparing a substrate;
Performing either UV irradiation or plasma treatment on the surface of the substrate;
Forming a plurality of hemispherical lens patterns on the substrate subjected to either UV irradiation or plasma treatment;
Forming a transparent electrode having a plurality of scattering patterns corresponding to the plurality of lens patterns on the substrate on which the plurality of lens patterns are formed;
And forming a light absorbing layer on the substrate on which the transparent electrode is formed.
The plurality of lens patterns are formed of a coating layer having the same properties as the surface of the substrate and is formed in a hemispherical shape by the contact angle and surface energy between the substrate and the coating layer.
제7 항에 있어서,
상기 코팅 레이어는 친수성 또는 소수성의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The coating layer is a method of manufacturing a solar cell, characterized in that made of a hydrophilic or hydrophobic material.
제8 항에 있어서,
상기 코팅 레이어가 친수성인 경우 상기 코팅 레이어는 고투과성 및 고전도성을 갖는 conducting polymer, nanowire 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
The method of claim 8,
When the coating layer is hydrophilic, the coating layer is a manufacturing method of a solar cell, characterized in that made of any one of a conducting polymer, nanowire having a high permeability and high conductivity.
제7 항에 있어서,
상기 기판으로 입사된 태양 광을 특정 방향으로 반사시키는 반사층을 형성하는 단계와, 상기 반사층 상에 상기 태양 광의 전하 수집을 위한 전극 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
Forming a reflective layer for reflecting the solar light incident to the substrate in a specific direction, and forming an electrode layer for charge collection of the solar light on the reflective layer .
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KR101361475B1 (en) * 2012-06-29 2014-02-21 충남대학교산학협력단 Manufacturing Method of Solar Cell
KR20160047299A (en) * 2014-10-22 2016-05-02 주식회사 포스코 Transparent electrode and solar cell comprising the electrode
KR20210065908A (en) * 2019-06-12 2021-06-04 울산과학기술원 A solar cell and manufacturing method thereof

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